JP2005302777A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2005302777A5
JP2005302777A5 JP2004112170A JP2004112170A JP2005302777A5 JP 2005302777 A5 JP2005302777 A5 JP 2005302777A5 JP 2004112170 A JP2004112170 A JP 2004112170A JP 2004112170 A JP2004112170 A JP 2004112170A JP 2005302777 A5 JP2005302777 A5 JP 2005302777A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical system
measurement method
light
aberration measurement
reticle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004112170A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4455129B2 (ja
JP2005302777A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2004112170A priority Critical patent/JP4455129B2/ja
Priority claimed from JP2004112170A external-priority patent/JP4455129B2/ja
Priority to US11/100,314 priority patent/US7382446B2/en
Publication of JP2005302777A publication Critical patent/JP2005302777A/ja
Publication of JP2005302777A5 publication Critical patent/JP2005302777A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4455129B2 publication Critical patent/JP4455129B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Claims (10)

  1. 投影光学系の収差を測定する方法であって、
    光源からの光を用いて照明光学系でレチクルを照明するステップと、
    前記レチクルに形成されたテストパターンの像を前記投影光学系で基板上に投影する投影ステップと、
    前記テストパターンの像の位置ずれ量を測定する測定ステップと、
    前記測定ステップで測定した前記位置ずれ量に基づいて、前記投影光学系の収差を決定する決定ステップと、
    を有し、
    前記投影ステップは、前記投影光学系の瞳の所定の領域のみを前記光が通過するように前記光を前記照明光学系又は投影光学系の中に配置された整形手段と前記レチクルの前記テストパターンが形成された面と反対の面に形成された遮光パターンとを用いて整形する整形ステップを含む
    ことを特徴とする収差測定方法。
  2. 前記決定ステップは、前記測定ステップで測定した前記位置ずれ量に基づいて、Zernike多項式の所定の項の係数を決定する
    ことを特徴とする請求項1記載の収差測定方法。
  3. 前記照明光学系の中に配置された整形手段は、前記照明光学系の瞳面に配置された開口絞りを含む
    ことを特徴とする請求項1記載の収差測定方法。
  4. 前記投影光学系の中に配置された整形手段は、瞳フィルターを含む
    ことを特徴とする請求項1記載の収差測定方法。
  5. 前記照明光学系の中に配置された整形手段は、輪帯状の有効光源の内径及び/又は外径を変更する
    ことを特徴とする請求項1記載の収差測定方法。
  6. 前記テストパターンと前記遮光パターンが対になって、前記レチクルの両面に複数形成されている
    ことを特徴とする請求項1記載の収差測定方法。
  7. 前記開口絞りは複数の開口を持ち、前記遮光パターンは該複数の開口のうち少なくとも1つの開口を通過した前記光を遮光する
    ことを特徴とする請求項3記載の収差測定方法。
  8. 前記テストパターンと前記遮光パターンが対になって、前記レチクルの両面に複数形成されている
    ことを特徴とする請求項7記載の収差測定方法。
  9. 前記遮光パターンと対になっていない、前記テストパターンが前記レチクルに複数形成されている
    ことを特徴とする請求項8記載の収差測定方法。
  10. 前記投影ステップは、前記遮光パターンと対になっている前記テストパターンと、前記遮光パターンと対になっていない前記テストパターンとが重なるように、前記基板を二重露光するステップを含む
    ことを特徴とする請求項9記載の収差測定方法。
JP2004112170A 2004-04-06 2004-04-06 収差計測方法及びそれを用いた投影露光装置 Expired - Fee Related JP4455129B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004112170A JP4455129B2 (ja) 2004-04-06 2004-04-06 収差計測方法及びそれを用いた投影露光装置
US11/100,314 US7382446B2 (en) 2004-04-06 2005-04-05 Aberration measuring method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004112170A JP4455129B2 (ja) 2004-04-06 2004-04-06 収差計測方法及びそれを用いた投影露光装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2005302777A JP2005302777A (ja) 2005-10-27
JP2005302777A5 true JP2005302777A5 (ja) 2007-05-24
JP4455129B2 JP4455129B2 (ja) 2010-04-21

Family

ID=35053902

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004112170A Expired - Fee Related JP4455129B2 (ja) 2004-04-06 2004-04-06 収差計測方法及びそれを用いた投影露光装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7382446B2 (ja)
JP (1) JP4455129B2 (ja)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8194242B2 (en) * 2005-07-29 2012-06-05 Asml Netherlands B.V. Substrate distortion measurement
KR100642417B1 (ko) * 2005-09-20 2006-11-03 주식회사 하이닉스반도체 레이어 대 레이어 검사방법을 이용한 광학근접보정검증방법
JP5013921B2 (ja) 2007-03-29 2012-08-29 キヤノン株式会社 収差計測方法、露光装置及びデバイス製造方法
JP4912205B2 (ja) * 2007-04-18 2012-04-11 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP5835968B2 (ja) * 2011-07-05 2015-12-24 キヤノン株式会社 決定方法、プログラム及び露光方法
NL2008957A (en) * 2011-07-08 2013-01-09 Asml Netherlands Bv Methods and systems for pattern design with tailored response to wavefront aberration.
JP5518124B2 (ja) * 2012-04-26 2014-06-11 キヤノン株式会社 収差計測方法、露光装置及びデバイス製造方法
JP6191921B2 (ja) 2012-05-30 2017-09-06 株式会社ニコン 波面計測方法及び装置、並びに露光方法及び装置
US9442384B2 (en) * 2013-03-13 2016-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography process and mask
US9395266B2 (en) * 2013-12-05 2016-07-19 Applied Materials Israel Ltd. On-tool wavefront aberrations measurement system and method
CN104714354B (zh) * 2014-10-30 2017-08-22 启芯瑞华科技(武汉)有限公司 一种光圈结构及其图像处理方法
CN105372948B (zh) * 2015-11-09 2017-09-12 中国科学院上海光学精密机械研究所 基于快速建模的大数值孔径光刻投影物镜波像差检测方法
CN105376493B (zh) * 2015-11-25 2018-08-07 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 基于图像数据的轨空间内相机调焦的方法及其调焦系统
KR102485767B1 (ko) * 2017-02-22 2023-01-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 전산 계측
JP7173834B2 (ja) * 2018-10-31 2022-11-16 株式会社エビデント 画像シミュレーション装置、及び画像シミュレーション方法
CN112611689A (zh) * 2019-11-18 2021-04-06 健研检测集团有限公司 筛孔偏差核查装置和核查方法
CN113138545B (zh) * 2020-01-20 2022-06-03 上海微电子装备(集团)股份有限公司 曝光方法及离焦量测量方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2884689B2 (ja) 1990-04-17 1999-04-19 松下電器産業株式会社 抽出機
JPH09167731A (ja) * 1995-12-14 1997-06-24 Mitsubishi Electric Corp 投影露光装置、収差評価用マスクパタン、収差量評価方法、収差除去フィルター及び半導体装置の製造方法
US5828455A (en) 1997-03-07 1998-10-27 Litel Instruments Apparatus, method of measurement, and method of data analysis for correction of optical system
US5978085A (en) 1997-03-07 1999-11-02 Litel Instruments Apparatus method of measurement and method of data analysis for correction of optical system
DE19809395A1 (de) 1998-03-05 1999-09-09 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem und REMA-Objektiv mit Linsenverschiebung und Betriebsverfahren dafür
JP2001144004A (ja) * 1999-11-16 2001-05-25 Nikon Corp 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP3927774B2 (ja) 2000-03-21 2007-06-13 キヤノン株式会社 計測方法及びそれを用いた投影露光装置
US6717651B2 (en) * 2000-04-12 2004-04-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for manufacturing thereof and method for manufacturing microdevice
JP3297423B2 (ja) 2000-08-09 2002-07-02 株式会社東芝 フォーカステストマスク、並びにそれを用いたフォーカス及び収差の測定方法
TWI220998B (en) * 2001-02-13 2004-09-11 Nikon Corp Exposure method, exposure apparatus and manufacture method of the same
KR20060098404A (ko) 2001-08-31 2006-09-18 캐논 가부시끼가이샤 레티클
US6960415B2 (en) 2001-10-01 2005-11-01 Canon Kabushiki Kaisha Aberration measuring method and projection exposure apparatus
JP3673783B2 (ja) 2001-10-01 2005-07-20 キヤノン株式会社 収差計測方法及び投影露光装置
CN100568455C (zh) * 2002-04-17 2009-12-09 佳能株式会社 中间掩模和光学特性测量方法
JP3870153B2 (ja) * 2002-10-22 2007-01-17 キヤノン株式会社 光学特性の測定方法
JP2005175407A (ja) * 2003-12-15 2005-06-30 Canon Inc 計測方法及び装置、それを利用した露光方法及び装置、並びに、デバイス製造方法
JP2007066926A (ja) * 2005-08-29 2007-03-15 Canon Inc 計測方法及び装置、露光装置、並びに、デバイス製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005302777A5 (ja)
KR100673487B1 (ko) 레티클 및 광학특성 계측방법
JP2007035671A5 (ja)
US10012911B2 (en) Projection exposure apparatus with wavefront measuring device and optical wavefront manipulator
JP3264368B2 (ja) 縮小投影型露光装置の調整方法
KR101267144B1 (ko) 센서의 교정 방법, 노광 방법, 노광 장치, 디바이스 제조방법, 및 반사형 마스크
KR20040041592A (ko) 레티클과 광학특성의 측정방법
TWI722082B (zh) 波前分析的裝置與方法以及用於微影的光學系統
JP2006332586A5 (ja)
JP2009016761A5 (ja)
JP2011145232A5 (ja)
JP2012168543A5 (ja) 投影光学系、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
TW201907228A (zh) 用於測量穿過一層之光的相位及振幅之裝置及方法
KR20150126003A (ko) 투영 노광 장치의 광학 대칭 특성 측정
US20020159049A1 (en) Measuring method of illuminance unevenness of exposure apparatus, correcting method of illuminance unevennes, manufacturing method of semiconductor device, and exposure apparatus
JP2020122921A5 (ja)
US8741510B2 (en) Method of calculating amount of fluctuation of imaging characteristic of projection optical system, exposure apparatus, and method of fabricating device
JP2005244126A5 (ja)
JP2004095871A (ja) 露光装置の検査方法および露光装置
JP2010109294A5 (ja)
JP2004146454A (ja) 光学特性の測定方法
JP2008140794A5 (ja)
JP2005175407A5 (ja)
JP2004014865A (ja) レチクル、波面収差測定機、及び半導体露光装置の製造方法
JP2005302825A5 (ja)