JP2005293459A

JP2005293459A - データ機密保持装置及び方法

Info

Publication number: JP2005293459A
Application number: JP2004110912A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Kokubo; 健一小久保
Original assignee: NEC Computertechno Ltd
Current assignee: NEC Computertechno Ltd
Priority date: 2004-04-05
Filing date: 2004-04-05
Publication date: 2005-10-20
Anticipated expiration: 2024-04-05
Also published as: JP4221326B2

Abstract

【課題】こじ開け等の不正なアクセスを検出可能なデータ機密保持装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁体から形成される筐体２０の全ての内面上に抵抗膜２１を形成する。抵抗値検出部１３は、抵抗膜２１上に形成される電極１４ａ、１４ｂ間に所定時間ごと電圧をかけ、電流値を測定する。制御部１１は、温度センサ１５によって得られる温度の情報に基づき、抵抗値検出部１３によって検出された抵抗値を補償し、抵抗値の変化を求める。制御部１１は、抵抗値の変化が予め定めた範囲を逸脱する場合、メモリ１２に記憶されているデータを消去する。
【選択図】図１

Description

本発明は、こじ開け等の不正なアクセスを検出し、データの流出を防ぐデータ保持装置に関する。

例えば、暗号化装置等、機密性のあるデータを保管するデータ保持装置において、装置をこじ開けてメモリを奪う等の、データに対する不正なアクセスを防止するため、マイクロスイッチを設けて筐体の開梱を検出する技術が知られている。

しかし、この技術には、マイクロスイッチの位置が知られると、第三者はスイッチが作動しないように開梱することができ、不正な開梱を検出できないという問題点があった。
そこで、筐体の全ての面に電極を形成し、電極間の静電容量を検出することで、こじ開け等の不正なアクセスを検出する技術（例えば特許文献１）がある。
特開２０００−２０７２８５号公報

特許文献１に開示された技術は、例えば筐体の面の中心等、電極から遠い位置に穴を開けられた場合、静電容量の変化を検出することは困難であった。
また、電極間の静電容量を検出するため、電極を筐体の全ての面に形成する必要があった。

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、筐体の面の真ん中に穴が開けられる等、特許文献１に開示された技術では、検出が困難であった不正なアクセスも検出することが可能なデータ機密保持装置を提供することを目的とする。
また、筐体の全ての面に電極が配置されなくともよいデータ機密保持装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係るデータ機密保持装置は、
機密性のあるデータを保護するデータ機密保持装置であって、
筐体と、
前記筐体の内面に形成される抵抗膜と、
前記抵抗膜上に配置される複数の電極と、
前記筐体の内に配置され、前記複数の電極間の抵抗値の変化を検出する抵抗値検出手段と、
前記筐体の内に配置され、データを記憶する記憶手段と、
前記筐体の内に配置され、前記抵抗値検出手段によって、抵抗値の変化が検出された場合、前記記憶手段のデータを消去するデータ消去手段と、を備えることを特徴とする。

前記抵抗膜は、筐体の内面全体に形成されてもよい。

前記データ機密保持装置は、筐体内の温度を検出する温度検出手段と、前記温度検出手段から得られた温度に関する情報を用いて、前記抵抗値検出手段によって得られた情報を、温度変化の影響を除去するように補償する温度補償手段と、を備えてもよい。

前記記憶手段は、機密性のあるデータを記憶する機密データ領域と、それ以外のデータを記憶する領域とを備え、前記データ消去手段によって消去されるのは、前記機密データ領域に限ってもよい。

上記目的を達成するため、本発明の第２の観点に係るデータ機密保持方法は、
機密性のあるデータを保護するデータ機密保持方法であって、
筐体の内面の抵抗膜上に形成される複数の電極間の抵抗の変化を検出する抵抗値検出ステップと、
抵抗値検出ステップで、抵抗値の変化が検出された場合、データを消去するデータ消去ステップと、を備えることを特徴とする。

本発明によれば、こじ開け等の不正なアクセスを検出可能なデータ機密保持装置を提供することができる。

本発明の実施の形態に係るデータ機密保持装置１について図を用いて説明する。

データ機密保持装置１の構成を図１に示す。
データ機密保持装置１は、制御部１１、メモリ１２、筐体２０、抵抗膜２１、電極１４ａ、電極１４ｂ、抵抗値検出部１３、温度センサ１５から構成される。

制御部１１は、マイクロプロセッサから構成される。制御部１１は、メモリ１２内に記憶されているプログラムに基づいて動作し、抵抗値検出部１３及び温度センサ１５から得られた情報を解析する、こじ開け等の不正なアクセスがなされた場合にメモリ１２内のデータを消去する等、データ機密保持装置１全体を制御する。

メモリ１２は、不正なアクセスによる、流出を避けたい機密データを記憶する。
また、メモリ１２は、抵抗値及び温度の情報を解析する等の制御部１１が実行するプログラム、図３に示す抵抗値テーブル５０等の情報を記憶する。

筐体２０は、絶縁体から形成される。
抵抗膜２１は、例えばカーボンから形成され、筐体２０の全ての内面に塗布する、又はカーボンの膜を貼り付ける等によって形成される。外部から筐体２０に、例えば、筐体２０がこじ開けられる、穴が開けられる等の物理的な力が加えられると、抵抗膜２１の形状が変化し、抵抗膜２１の抵抗値は変化する。

電極１４ａ、１４ｂは、図１に示すように、抵抗膜２１上に配置される。また、電極１４ａ、１４ｂは、図２に示すように、筐体２０の中心に対し対称となる位置に配置される。

抵抗値検出部１３は、パルス発生器１３ｃ、電流計１３ａ、Ａ／Ｄ（アナログデジタル）変換器１３ｂから構成される。パルス発生器１３ｃは、例えば１００mSecといった所定の時間ごとに、電極１４ａ、１４ｂ間に所定の電圧を印加する。電流計１３ａは、パルス発生器１３ｃによって電圧が印加された際、電極１４ａ、１４ｂ間に流れる電流値を測定し、測定した電流値に対応するアナログ電圧をＡ／Ｄ変換器１３ｂに対して出力する。Ａ／Ｄ変換器１３ｂは、電流計１３ａのアナログ電圧をデジタル信号に変換し、制御部１１へ送信する。

温度センサ１５は、筐体２０内部の温度を一定時間ごと検出し、その温度情報Ｔ_Ｐを制御部１１に送信する。抵抗膜２１は、温度の変化によって膨張又は収縮し、抵抗値が変化する。この温度変化による抵抗値の変化を、こじ開け等の不正アクセスによる変化と判断しないように、抵抗膜２１の抵抗値の情報は、温度センサ１５によって得られた情報によって補償される。

次に、データ機密保持装置１の動作について説明する。
抵抗値検出部１３は、パルス発生器１３ｃによって、例えば１００mSecといった、所定の時間ごとに電極１４ａ、１４ｂ間に所定の電圧を印加し、流れる電流値Ｉ_Ａを電流計１３ａによって測定する。
抵抗値検出部１３は、測定された電流値Ｉ_Ａをアナログ電圧の形式で、Ａ／Ｄ変換器１３ｂに送り、Ａ／Ｄ変換器１３ｂによって変換された電流値Ｉ_Ｄを、デジタル信号の形式で、制御部１１に送る。

制御部１１は、電流値Ｉ_Ｄを、メモリ１２に格納されている抵抗値テーブル５０へタイミングｔに対応付けて、図３に示すように記憶させる。

また、温度センサ１５は、温度を示す温度情報Ｔ_Ｐを、制御部１１へ送信する。制御部１１は、この温度情報Ｔ_Ｐも、抵抗値テーブル５０へタイミングｔに対応付けて記憶させる。

次に、制御部１１は、電流値Ｉ_Ｄを、所定の計算式により抵抗値に変換した後、温度情報Ｔ_Ｐを用い、所定の計算式で温度補償を行う。制御部１１は、温度補償された抵抗値Ｒ_Ｔも、同様に抵抗値テーブル５０へタイミングｔに対応付けて記憶させる。

制御部１１は、抵抗値テーブル５０に記憶されている、温度補償された抵抗値Ｒ_Ｔの変化が、予め定めた変化の範囲を逸脱した場合、メモリ１２に記憶されているデータを消去する。例えば、メモリ１２が揮発性メモリから構成されている場合には、メモリ１２への電力の供給を遮断する。また、メモリ１２が、フラッシュメモリなどから構成されいてる場合には、ブロック単位で順次記憶データを消去する。

以上の構成を採ることによって、例えば、不正アクセス者によって、筐体２０がこじ開けられ、抵抗膜２１がせん断された場合、抵抗値検出部１３によって検出された抵抗値の変化から、制御部１１は、不正アクセス者にメモリを奪われる前に、メモリ１２内のデータを消去することができ、不正なアクセスを検出可能なデータ機密保持装置を提供することが可能となる。
また、以上の構成によれば、電極は２カ所に配置すればよく、データ機密保持装置の構成が簡単となる。

上述した実施の形態では、説明を容易にするため、機密データと、制御部１１が実行するプログラムとをメモリ１２に記憶させ、不正なアクセスがあった場合、制御部１１は、メモリ１２内の情報を全て消去する構成で記述してある。しかし、これに限られず、メモリ１２を、機密データを記憶する領域と、それ以外の情報を記憶する領域とに分離し、不正アクセスが検出された場合、制御部１１は、機密データを記憶する領域の情報のみを消去する構成を採ることも可能である。例えば、メモリ１２が複数の揮発性メモリから構成されている場合には、機密データを記憶する揮発性メモリへの電力の供給を遮断する。また、メモリ１２が、フラッシュメモリなどから構成されている場合には、機密データを記憶するブロックのデータを選択的に消去すればよい。

本発明は、上述の実施の形態に限られず、様々な応用及び変形が可能である。
例えば、抵抗値検出部１３では、測定した電流値を抵抗値へと変換しているが、電流値のまま処理を行うことも可能である。

本発明の実施の形態において、絶縁体から形成される筐体２０を例として説明しているが、筐体２０をアルミニウム等の金属から形成し、筐体２０の内面全体に絶縁膜を形成した上で、その絶縁膜の上に抵抗膜を形成する構成を採用することも可能である。
また、本発明の実施の形態において、電極を二つ配置しているが、これを二つ以上の任意の数配置することも可能である。

データ機密保持装置の構成を示す図である。電極の位置を示す図である。抵抗値テーブルを示す図である。

符号の説明

１データ機密保持装置
１１制御部
１２メモリ
１３抵抗値検出部
１３ａ電流計
１３ｂＡ／Ｄ変換器
１３ｃパルス発生器
１４ａ、１４ｂ電極
１５温度センサ
２０筐体
２１抵抗膜
５０抵抗値テーブル

Claims

機密性のあるデータを保護するデータ機密保持装置であって、
筐体と、
前記筐体の内面に形成される抵抗膜と、
前記抵抗膜上に配置される複数の電極と、
前記筐体の内に配置され、前記複数の電極間の抵抗値の変化を検出する抵抗値検出手段と、
前記筐体の内に配置され、データを記憶する記憶手段と、
前記筐体の内に配置され、前記抵抗値検出手段によって、抵抗値の変化が検出された場合、前記記憶手段のデータを消去するデータ消去手段と、を備えることを特徴とするデータ機密保持装置。
前記抵抗膜は、筐体の内面全体に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のデータ機密保持装置。
前記データ機密保持装置は、筐体内の温度を検出する温度検出手段と、前記温度検出手段から得られた温度に関する情報を用いて、前記抵抗値検出手段によって得られた情報を、温度変化の影響を除去するように補償する温度補償手段と、を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載のデータ機密保持装置。
前記記憶手段は、機密性のあるデータを記憶する機密データ領域と、それ以外のデータを記憶する領域とを備え、前記データ消去手段によって消去されるのは、前記機密データ領域に限られることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のデータ機密保持装置。
機密性のあるデータを保護するデータ機密保持方法であって、
筐体の内面の抵抗膜上に形成される複数の電極間の抵抗の変化を検出する抵抗値検出ステップと、
抵抗値検出ステップで、抵抗値の変化が検出された場合、データを消去するデータ消去ステップと、を備えることを特徴とするデータ機密保持方法。