JP2005292738A - 光モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】従来、ガイドピンを用いた光結合構造では、気密構造とするためにファイバの調芯作業が必要であり生産性が悪くコスト低減の問題となっていた。
【解決手段】素子、透明基板、ファイバ等の全て光学部品をガイドピンと嵌合する嵌合穴および同様機能を持つ基板等を用いて、ガイドピン基準として位置合わせ行う。そのため、各部品をガイドピンに挿入するだけで良好な光結合構造が得られる。さらに、ガイドピン、光素子を囲むように封止リングを設け、封止リング開口部を透明基板で封止する。さらに、この時生じる透明基板の嵌合穴とガイドピンの隙間を封止材で埋めて封止リング内を気密とする。
【選択図】図１

Description

この発明は、光モジュールに関し、特に気密封止方法および製造方法に関し、さらにはガイドピンを用いて光素子とファイバの相対位置合わせを行う光モジュールの光結合構造に関する。

近年、画像や映像の高画質・高解像度化が進んでおり通信データが大容量化している。そのため通信速度の高速化が求められ、現在の光通信では幹線系、メトロ系においては１０Ｇｂｐｓを超える速度での通信が行われている。この時、同一ビル内や局内といったデータの集中する伝送装置間の通信には１０Ｇｂｐｓを超える速度での通信が必要となる。一般にノード内伝送装置間の通信は近距離であるためファイバ長によるコストの差があまり生じない。そのため伝送装置間の通信では１チャンネルで４０Ｇｂｐｓを超える速度の高価なモジュールよりは、１チャンネル速度が数Ｍｂｐｓ―数Ｇｂｐｓ程度の安価な多チャンネル光モジュールが用いられている。今後はさらに通信容量の大容量化が進むことが予測されることから、１チャンネル伝送速度を１０Ｇｂｐｓとした多チャンネルの光モジュールが求められてくる。

一般的に多チャンネル光モジュールでは、ＭＴコネクタを用いて光結合を行なう。図１２にＭＴコネクタの構造を示す。ＭＴ型コネクタ１２１の端面にはファイバアレイ１２２が配置されており、そのファイバアレイ１２２の両側には嵌合穴１２３が設けられている。この嵌合穴１２３はファイバアレイ１２２に対して高精度で位置決めされており、光素子１２４側に設けているガイドピン１２５に前記嵌合穴を挿入して、ファイバアレイ１２２と光素子１２４との位置関係が決まり光結合を行う。そのため、コネクタ側においては、嵌合穴１２３とファイバアレイ１２２、モジュール側においてはガイドピン１２５と光素子１２４の相対位置精度が重要となる。

ここで、従来広く用いられているＭＴコネクタと結合する多チャンネルモジュールの光構造を図１０に示す。本構造ではガイドピン１０１をパッケージ１０６内に挿入せず、ガイドピン１０１と光素子１０４との位置合わせは光素子１０４を実際に発光または受光させて行っている。作製手順は、まず、光素子１０４をパッケージ１０６内の所定の位置に実装し、光素子１０４と集積回路１０７、配線パターン１０９をワイヤ１０８で接続する。また、別の場所でパッケージ１０６開口部を塞ぐリッドをガイドピン１０１とレンズアレイ１０５をフランジ１０２、１０３で組合せて作製する。実際に光素子１０４を駆動させファイバの出力をモニタして最適な位置に調芯し、作製したリッドをパッケージ１０６に固定する。

また、他の光結合構造を図１１に示す。ガイドピン１１２の間隔を精密に制御して台座１１３に固定する。そのガイドピン１１２に、光素子１１４が搭載されガイドピン１１２と嵌合する穴を有する素子基板１１１を挿入する。この光素子１１４は素子基板１１１の嵌合穴と相対位置精度良く素子基板１１１に搭載されている。光結合はガイドピン１１２にＭＴコネクタ１１５の嵌合穴を挿入して行っている。

特開１９９７−２４３８６７号公報

図１０に示す構造では、気密構造であるため信頼性が高い。しかし、組立工程に調芯作業があり複雑なため生産性が悪くコスト・時間の増加に繋がっていた。さらに、モジュールの高速化が進むに伴い実装トレランスが狭くなり調芯作業は難しくなっている。

また、図１１に示す構造では、組立は全てガイドピンを基準にしてガイドピンに部品を挿入して作製していくため組立が簡単で生産性が良い。しかし、気密構造でないためモジュール使用環境の影響を大きく受けてしまい光素子の劣化を早める等、信頼性に問題がある。
そこで、本発明は気密封止として信頼性を保ったまま、調芯作業不要で組立が簡単で生産性の良い光モジュールの光結合構造を提供する。

本発明において上記課題を解決するための構造を図１に示す。光素子１３、透明基板１２、ファイバを全てガイドピン１１基準として位置合わせを行い作製する。気密封止には封止リング１４をガイドピン１１と光素子１３を囲むように設け、封止リング１４開口部を透明基板１２で塞ぎ、さらに透明基板１２の嵌合穴とガイドピン１１との隙間を封止材１６で埋める。
さらに本発明では前記封止材１６に半田を用いた。半田はメタライズしていない箇所には濡れないので、透明基板１２嵌合穴および嵌合穴周辺とガイドピン１１にメタライズした。

光結合効率を考えるとレンズ等の集光部品を用いずに結合を行う場合は透明基板とコネクタを出来る限り近接して配置する必要がある。そのため、半田の盛上りが近接配置の障害となるため、半田の盛上りを防止する必要がある。そこで、嵌合穴のメタライズを透明基板のコネクタ側の面には形成せずに穴側面と素子側の面のみに形成する。さらには、嵌合穴を２段構造とし素子側の段のみにメタライズを施し透明基板表面よりも上面へ半田が盛上ることを防いでいる。

また、半田を溶解した時に半田がガイドピンを伝わり光素子１３側に流れると素子基板１５等の配線を短絡させてしまい良好な特性が得られない恐れがある。また、半田がコネクタ側の流れた場合はコネクタを所定の位置に配置できない。あるいは、透明基板１２とコネクタを近接位置できないと言った問題がある。そこで、半田がガイドピンを伝わり不要な箇所に流れないようにするためガイドピンに段差を形成する。また、別の方法としてガイドピンにメタライズあるいは、半田流れ防止ダムを形成しガイドピン一部に半田が固着するようにする。
さらに、前記の述べてきた構造において透明基板にレンズ機能を持たせ結合効率を改善している。また、集積回路を封止リング内に配置し光素子と集積回路を近接させ寄生インダクタンスを抑えて高周波特性を改善している。

本発明を用いれば、光結合の組立を簡単行えるため生産性がよく低コスト化が図れ、さらに気密構造とできるため信頼性が向上した光モジュールが実現可能である。

以下図面を用いて本発明の実施形態を詳細に説明する。図１は本発明によるモジュールの斜視図と断面図である。封止リング１４の内側に、２本のガイドピン１１、光素子１３を搭載した素子基板１５が配置されている。さらに、封止リング１４開口部には、透明基板１２を固定し、ガイドピン１１と透明基板１２の隙間を封止材１６で埋めて封止リング内の気密を保っている。

次に図２を参照して各部品の詳細な説明を行う。台座１７には２本のガイドピン１１と封止リング１４が固定されている。このガイドピン１１の間隔は精度良く固定されているが絶対位置に関しては特に精度を必要としない。また、封止リング１４はガイドピン１１位置を基準として台座１７に溶接またはロウ付け等で固定している。さらに、封止リング１４はセラミックの積層パッケージを用いて、封止リング内部と外部で電気信号の伝達を行う配線パターン１８を設けている。

次に素子基板１５について説明する。基板の表面にガイドピン１１と嵌合する穴２２とアライメントマーク２１とＡｕＳｎ半田２３を設ける。前記アライメントマーク２１と嵌合穴２２は一回のフォトリソグラフィで形成し相対位置は＜±２μmの高精度で作製する。このアライメントマーク２１付近に光素子１３を搭載するためのＡｕＳｎ半田２３を設ける。素子基板１５の厚さは、配線パターン１８と光素子１３表面の高さが同じとなるように配線パターン１８と光素子１３の厚さの差としている。

次に、光素子１３は１２チャンネルアレイの面発光素子である。表面には発光点、電極パターン、アライメントマークが形成され裏面には素子基板１５のＡｕＳｎ半田２３と固定するためのメタライズを施している。
次に透明基板１２について説明する。透明基板１２は封止リング１４の開口部を封止する役割がある。そこで、気密封止の可能な石英系のガラスを用いて作製した。透明基板１２の表面にはガイドピン１１と嵌合する嵌合穴２４が２つあり、この嵌合穴２４の間隔は精度よく作製している。

さらに図２を参照してモジュール組立手順について説明する。まず、光素子１３を素子基板１５に搭載する。搭載の位置合わせは光素子１３と素子基板１５の両方に設けているアライメントマークを用いて行う。位置合わせ後、光素子１３を素子基板１５のＡｕＳｎ半田２３上に仮固定する。その後、窒素雰囲気下でリフロし本固定する。以上の工程により、光素子１３は嵌合穴２２に対して高精度に実装できる。なぜなら、先に述べたように嵌合穴２２とアライメントマーク２１は一回のフォトリソグラフィで作製しているため相対位置は高精度に作製されており、このアライメントマーク２１を用いて光素子１３との位置合わせを行い搭載しているからである。

次にガイドピン１１に各部品を挿入して光結合構造を作製する。まず、光素子１３を搭載した素子基板１５を嵌合穴２２がガイドピン１１と嵌合するように挿入して、台座１７と接着剤で固定する。それから、封止リング１４内部の配線パターン１８と光素子１３をワイヤ１９で接続する。その後、透明基板１２を嵌合穴２４がガイドピン１１と嵌合するように挿入して封止リング１４と気密のとれる接着剤で固定する。最後にガイドピン１１と透明基板嵌合穴２４の隙間を封止材１６で埋めて封止リング１４内部に配置された光素子１３を気密に保つ。

また、使用環境の温度変化等により透明基板を割れにくくする為に、透明基板１２に封止リング１４と線膨張係数の近い材質の透過セラミック等を選択するとより効果的である。また、透明基板１２は一枚の基板で作製する必要がなく、光を透過する部分のみガラスや透過セラミック等の光の透過する基板を用いて光の透過しない部分には金属等を使用し前記光の透過する基板と金属を気密の保てる方法で接着して透明基板１２を作製しても効果的である。さらに、ガイドピン１１と嵌合穴２４の隙間の封止方法は、レーザ照射等による溶接、さらには低融点ガラス等を用いた気密が保てる接着方法であれば良い。また、本構造は面発光素子の変わりに端面発光素子や受光素子を用いても効果は同じである。
以上述べた構造でモジュールを作製すれば、光素子１３は気密に保たれ、組立も調芯作業が無く簡単に行うことが出来る。

本実施例では、図１に示す封止材１６に半田を用いる。そこで、封止リング開口部を塞ぐ図２に示す透明基板１２は図３に示すように嵌合穴２４及び嵌合穴周辺部にメタライズ３１を形成し、さらに透明基板１２の封止リング１４と固定する面の周囲にもメタライズ３２をする。また、ガイドピン１１にもメタライズしている。上記メタライズ方法は蒸着、メッキ等どの方法を用いてもよい。

モジュール光結合構造の組立手順について図２を参照しながら説明する。まず、光素子１３を素子基板１５に搭載する。搭載の位置合わせは光素子１３と素子基板１５の両方に設けているアライメントマークを用いて行う。位置合わせ後、光素子１３を素子基板１５のＡｕＳｎ半田２３上に仮固定する。その後、窒素雰囲気下でリフロし本固定する。以上の工程により、光素子１３は嵌合穴２２に対して高精度に実装できる。なぜなら、先に述べたように嵌合穴２２とアライメントマーク２１は一回のフォトリソグラフィで作製しているため相対位置は高精度に作製されており、このアライメントマーク２１を用いて光素子１３との位置合わせを行い搭載しているからである。

次にガイドピン１１に各部品を挿入して光結合構造を作製する。まず、光素子１３を搭載した素子基板１５を嵌合穴２２がガイドピン１１と嵌合するように挿入して、台座１７と接着剤で固定する。それから、封止リング１４内部の配線パターン１８と光素子１３をワイヤ１９で接続する。その後、透明基板１２を嵌合穴２４がガイドピン１１と嵌合するように挿入する。そこから、透明基板１２と封止リング１４、およびガイドピン１１と嵌合穴２４の接続部分に半田を形成しモジュール全体をリフロして半田を溶解して接着する。
以上述べた方法でモジュールを作製すれば、光素子１３は気密に保たれ組立も調芯作業が無く作製でき、さらに気密封止も一回のリフロで簡単に行うことが出来る。

本実施例では、半田の盛上りを防止するために図２に示す透明基板１２の嵌合穴２４のメタライズ３１を嵌合穴２４側面のみに形成した。レンズ等の集光部品を用いない光直接結合系おいては、結合効率の観点から光素子１３とファイバを近接させて配置することが望ましい。つまり、本構造においては透明基板１２にコネクタを近接配置することが望ましい。従って、高効率な光結合効率を得るためには、ガイドピン１１と嵌合穴２４を封止した時に半田がコネクタ側へ盛上ることを防止してコネクタを透明基板１２に近接配置する必要がある。そこで、半田がコネクタ側への盛上りを防止するために、図４が示すようにメタライズ３１は嵌合穴２４の側面のみに形成する。

組立手順は実施例２と同じである。
以上述べた方法でモジュールを作製すれば、光素子１３は気密に保たれ組立も調芯作業が無く作製でき、さらに気密封止も一回のリフロで簡単に行うことが出来、良好な光結合効率の光モジュールが作製できる。

実施例３で述べたように高効率な光結合効率を得るためにコネクタを透明基板に近接配置する必要がある。本実施例では、図２に示す透明基板１２の嵌合穴２４構造を図５に示すように段差を利用しコネクタ側の凹部側面にはメタライズ３１を形成せず、半田が透明基板１２表面より盛上らないようにする構造である。

図５に示す嵌合穴２４の作製は、まず透明基板１２所定の２箇所に嵌合穴２４より大きい凹部５１を形成する。次に、その凹部底面に嵌合穴２４を形成し段差構造の嵌合穴２４を作製する。それから、凹部５１にマスクをして、素子側の嵌合穴２４のみにメタライズ３１をする。メタライズの方法は蒸着、メッキ等どの方法を用いてもよい。メタライズ後凹部５１のマスクを剥がし図５に示す段差嵌合穴を作製する。従って、凹部５１にはメタライズを施さないため凹部側面に半田が濡れることが無いため、半田が盛上っても透明基板１２の表面よりも高くならないように半田の量を調整すれば半田が透明基板１２から盛上らずに透明基板１２とコネクタ１２１を近接配置が可能となる。

組立手順は実施例２と同じである。
本実施例に示す嵌合穴２４の作製方法は一例である。この他の作製方法としては穴のサイズの異なる透明基板を貼り合せて作製する等の方法もある。さらに、嵌合穴２４の形や作製に本方法を用いずに、嵌合穴２４側面の少なくとも一部にメタライズを施さない構造とすれば効果は同じである。
以上述べた方法でモジュールを作製すれば、光素子１３は気密に保たれ組立も調芯作業が無く作製でき、さらに気密封止も一回のリフロで簡単に行うことが出来き、良好な光結合効率の光モジュールが作製できる。

本実施例は、図２に示すガイドピン１１と嵌合穴２４を封止するために半田をリフロで溶解した時、半田がガイドピン１１を伝って素子基板１５および光素子１３にまで流れてしまい、素子基板上１５の配線パターン等を短絡させてしまう問題がある。そこで、図６に示すようにガイドピン１１に段差６１を設けて半田が素子基板に流れる事を防止する。段の位置は、透明基板１２と封止リング１４の固定には影響を与えず半田の流れを受け止める位置とするため、透明基板１２から数十μｍ光素子側としている。

組立手順は実施例２と同じである。
以上述べた方法でモジュールを作製すれば、光素子１３は気密に保たれ組立も調芯作業が無く作製でき、さらに気密封止も一回のリフロで簡単に行える。さらに、半田の濡れによる短絡不良を防ぎ、生産性よく良好な光モジュールを作製できる。

本実施例は、実施例６で述べたようにガイドピン１１と嵌合穴２４を封止するため半田をリフロで溶解した時に、半田が図１に示すガイドピン１１を伝って素子基板１５および光素子１３に流れてしまうと素子基板１５上の配線パターン等を短絡させてしまう問題がある。また、半田がガイドピン１１を伝ってコネクタ側に流れると実施例４で述べたようにコネクタを透明基板１２に近接配置ができず高効率の光結合が得られない問題がある。つまり、半田が不要な箇所に流れることを防止する必要がある。そこで、図７に示すようにガイドピン１１の一部のみメタライズ７１を形成し半田が不要箇所に流れることを防止する。メタライズ７１位置は透明基板１２と同じ高さにしている。メタライズの作製方法は、蒸着、メッキ等どの方法でも構わない。

組立手順は実施例２と同じである。
また、メタライズはガイドピン１１全体にメタライズを形成した後で一部のメタライズを除去してダムを形成し半田が不要箇所に流れる事を防止した構造でも効果は同じである。
以上述べた方法でモジュールを作製すれば、光素子１３は気密に保たれ組立も無調芯で作製でき、さらに気密封止も一回のリフロで簡単に行える。その上、半田の濡れによる短絡不良および結合効率劣化を抑圧して、生産性よく光結合効率の良い光モジュールを作製できる。

図８は本発明によるモジュール斜視図と断面図である。封止リング１４の内側に、２本のガイドピン１１、光素子１３を搭載した素子基板１５、集積回路８２、バイパスコンデンサ８３を所定の位置に配置し、各部品間をワイヤ１９で接続している。さらに、封止リング１４の開口部に透明基板１２を固定し、ガイドピン１１と透明基板１２の隙間を半田８４で埋めて封止リング１４内の気密を保っている。

次に図９を参照して各部品の詳細な説明を行う。台座１７にはガイドピン１１と封止リング１４が固定されている。このガイドピン１１の間隔は精度良く固定されているが絶対位置に関しては特に精度を必要としない。また、封止リング１４はガイドピン１１位置を基準として台座１７に溶接またはロウ付け等で固定している。さらに、封止リング１４はセラミックの積層構造を用いて、封止リング内部と外部で信号の伝達を行う配線パターン１８を設けている。また、台座は集積回路８２、光素子１３のヒートシンクの機能としても用いるため、熱伝導率の良い材質を使用すると良い。

次に素子基板１５について説明する。基板の表面にガイドピン１１と嵌合する穴２２とアライメントマーク２１とＡｕＳｎ半田２３を設ける。前記アライメントマーク２１と嵌合穴２２は一回のフォトリソグラフィで形成し、相対位置は＜±２μmの高精度とする。このアライメントマーク２１付近に光素子１３を搭載するためのＡｕＳｎ半田２３を設ける。また、素子基板１５の厚さは、集積回路８２の厚さと光素子１３の厚さの差とし、集積回路８２と光素子１３の表面の高さを合せることでワイヤ１９を短くして寄生インダクタンスを低減させ高周波特性を改善している。さらに配線パターン１８の高さと集積回路８２の表面高さも合わせて高周波特性を改善している。

さらに、光素子１３は１２チャンネルアレイの面発光素子である。表面には発光点、電極パターンアライメントマークが形成され裏面にも素子基板１５のＡｕＳｎ半田２３と固定するようにメタライズを施している。さらに、集積回路８２は光素子駆動用のＩＣであり信号の増幅等を行う。

次に透明基板１２について説明する。透明基板１２は石英系のガラスを用いて作製し、周囲は封止リング１４と固定するためのメタライズ３２が形成されている。さらには、ガイドピン１１と嵌合する嵌合穴２４が２つあり、その周囲にはメタライズ３１が施されている。また、嵌合穴２４の間にはレンズアレイ８１を形成し、光素子１３とファイバとの結合効率を改善している。このレンズアレイ８１は前記嵌合穴２４と一回のフォトリソグラフィで形成しており相対位置が高精度に作製されている。

さらに、図９を参照してモジュール組立手順について説明する。まず、光素子１３を素子基板１５に搭載する。搭載の位置合わせは光素子１３と素子基板１５の両方に設けているアライメントマークを用いて行う。位置合わせ後、光素子１３を素子基板１５のＡｕＳｎ半田２３上に仮固定する。その後、窒素雰囲気下でリフロし本固定する。以上の工程により、光素子１３は嵌合穴２２に対して高精度に実装できる。なぜなら、先に述べたように嵌合穴２２とアライメントマーク２１は一回のフォトリソグラフィで作製しているため高精度に形成されており、このアライメントマーク２１を用いて光素子１３との位置合せを行い搭載しているからである。

次にガイドピン１１に各部品を挿入して光結合構造を作製する。まず、光素子１３を搭載した素子基板１５を嵌合穴２２がガイドピン１１と嵌合するように挿入して、台座１７と接着剤で固定する。その後、集積回路８２、バイパスコンデンサ８３等の部品を封止リング１４内の所定の位置に固定しワイヤ１９で電気接続を行う。その後、透明基板１２を嵌合穴２４がガイドピン１１と嵌合するように挿入する。そこから、透明基板１２と封止リング１４、およびガイドピン１１と嵌合穴２４の接続部分に半田を形成しモジュール全体をリフロして半田を溶解して接着する。

また、使用環境の温度変化等により透明基板を割れにくくする為に、透明基板１２に封止リング１４と線膨張係数の近い材質の透過セラミック等を選択するとより効果的である。また、透明基板１２は一枚の基板で作製する必要がなく、光を透過する部分のみガラスや透過セラミック等の光の透過する基板を用いて光の透過しない部分には金属等を使用し前記光の透過する基板と金属を気密の保てる方法で接着して透明基板１２を作製しても効果的である。また、本構造は面発光素子の変わりに端面発光素子や受光素子を用いても効果は同じである。
以上述べた方法でモジュールを作製すれば、光素子は気密に保たれ組立も調芯作業が無く作製でき、さらに気密封止も一回のリフロで簡単に行える。また、高周波特性がよく光結合効率も良い光モジュールを生産性よく作製できる。

開示技術は、ガイドピンを用いて光素子とファイバの相対位置合わせを行う光モジュールの光結合構造に関するものであり、産業上の利用可能性を有する。

本発明における基本構造。 本発明構造の作製方法および部品。 本発明における嵌合穴の実施例。 本発明における嵌合穴の実施例。 本発明における嵌合穴の実施例。 本発明におけるガイドピンの実施例。 本発明におけるガイドピンの実施例。 本発明における実施例の構造。 本発明構造における実施例の作製方法および部品。 従来構造１。 従来構造２。 ガイドピン用いた場合の基本的な光結合構造。

符号の説明

11:ガイドピン
12:透明基板
13:光素子
14:封止リング
15:素子基板
16:封止材
17:台座
18:配線パターン
19:ワイヤ
21:アライメントマーク
22:素子基板嵌合穴
23:AuSn半田（素子搭載部）
24:透明基板嵌合穴
31:メタライズ
32:メタライズ
51:凹部
61:段差
71:メタライズ
81:レンズアレイ
82:集積回路
83:バイパスコンデンサ
84:半田
101:ガイドピン
102:第１フランジ
103:第２フランジ
104:光素子
105:レンズアレイ
106:パッケージ
107:集積回路
108:ワイヤ
109:配線パターン
111:素子基板
112:ガイドピン
113:台座
114:光素子
115:ＭＴコネクタ
121:ＭＴコネクタ
122:ファイバアレイ
123:嵌合穴
124:光素子
125:ガイドピン
126:リッド。

Claims (11)

1. 光素子と光導波路あるいは光ファイバの光結合を行う構造において、少なくとも光素子を配置する部分と２本のガイドピンを有し、該光素子配置部と該ガイドピンを内包するように気密封止するための封止リングで囲い、その該封止リングの開口部をガイドピンと嵌合する嵌合穴を有し使用波長に対して少なくても一部が透過する透明基板で塞ぎ、該ガイドピンと該透明基板の該嵌合穴の隙間を封止材で埋めて気密封止することを特徴とした光モジュール。
2. 該透明基板の光が透過する部分がガラスであることを特徴とする請求項１の光モジュール。
3. 該透明基板の光が透過する部分が透過セラミックであることを特徴とする請求項１の光モジュール。
4. 該封止材が接着材であることを特徴とする請求項１〜３の光モジュール。
5. 該封止材が半田であり、該透明基板の嵌合穴および該嵌合穴周辺にメタライズしていることを特徴とする請求項１〜３の光モジュール。
6. 該透明基板の該メタライズが該嵌合穴の側面のみに形成されていることを特徴とする請求項５の光モジュール。
7. 該透明基板には凹部があり該凹部に該嵌合穴を形成し、該凹部内壁の全面もしくは一部にメタライズがないことを特徴とする請求項５の光モジュール。
8. 該ガイドピンに段を設け、該半田が封止リング内に流れ込むことを防止する構造を有することを特徴とする請求項５〜７の光モジュール。
9. 該ガイドピンの一部にメタライズあるいは一部にのみ該半田が固着する構造を有することを特徴とする請求項５〜７の光モジュール。
10. 該透明基板にはレンズ機能を有していることを特徴とする請求項１〜９の光モジュール。
11. 該封止リング内に集積回路も具備している事を特徴とする請求項１〜１０の光モジュール。
    

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