JP2005286084A - 量子化コンダクタンス素子、これを用いた磁場変化検出方法及び磁気検出方法、並びに量子化コンダクタンス素子の製造方法 - Google Patents
量子化コンダクタンス素子、これを用いた磁場変化検出方法及び磁気検出方法、並びに量子化コンダクタンス素子の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【効果】 高い空間分解能で磁気を検出することができると共に、微細な空間における微弱な磁場変化を精度よく検出することができ、特に、テラビット級の磁気記録媒体などに形成される微細セルに保持される微小な磁気を感度よく、良好に、かつ連続的に検出することができる。
【選択図】 図1
Description
上記量子化コンダクタンス素子と、上記量子化コンダクタンス素子の第1電極及び第2電極を介して上記金属ナノ架橋に電圧を印加する電圧印加手段と、上記量子化コンダクタンス素子の金属ナノ架橋に流れる電流を計測する電流計測手段とを用い、上記金属ナノ架橋に対して外界から与えられる磁場の変化を、上記電圧印加手段により上記金属ナノ架橋に所定電圧を印加した状態で、上記磁場の変化による金属ナノ架橋のコンダクタンスの変調に伴う上記金属ナノ架橋に流れる電流の変化により検出することを特徴とする磁場変化検出方法を提供する。
本発明の量子化コンダクタンス素子は、第1金属を含む化合物からなるイオン伝導層が被覆された第1金属からなる第1電極と、第1金属とは異なる第2金属からなる第2電極とを、イオン伝導層と第2電極とを近接させて配設すると共に、上記近接部において、第1電極と第2電極とが、第1電極表面からイオン伝導層を貫通するように形成された第1金属からなるマクロ架橋部と、マクロ架橋部の露呈面と第2電極表面との間に形成された第1金属からなり量子化コンダクタンスを呈する金属ナノ架橋とにより電気的に導通可能(導電可能)に接続されてなるものである。
(1)量子化コンダクタンス素子の作製
第1電極と第2電極との導電路の形成
まず、第1電極として、直径φ0.5mm×100mmのAgワイア((株)ニラコ製)を用意し、このAgワイアの表面をサンドペーパー(320番)で研磨し、研磨屑をエタノールで湿らした脱脂綿で、よくふき取った後、アセトン、エタノール中で超音波洗浄する表面処理を施した。
次に、上記直流電源により、第1電極に電子を注入しながら、金属ナノ架橋を形成する。この際の電流変化を測定することにより、金属ナノ架橋の形成を確認することができる。まず、第2電極に−0.56Vの負電圧を印加したところ、図5に示されるようなコンダクタンスの経時変化を示した。即ち、電圧印加後、連続的に上昇するカーブを示した。これは、上記電圧の印加により架橋を構成する金属原子の数が多すぎることを意味し、ナノメータースケールよりはるかに大きい巨視的な大きさを有する金属架橋構造が形成されていることを意味し、これは、量子化コンダクタンスを呈する金属ナノ架橋とはなっていない。
次に、上記した方法で作製した量子化コンダクタンス素子を用い、この量子化コンダクタンス素子の磁場変化検出特性を評価した。評価に用いた装置の構成模式図を図7に示す。
11 第1電極
12 第2電極
13 イオン伝導層
14 金属ナノ架橋
15 マクロ架橋部
16 エポキシ樹脂
2 磁気発生装置
21 ヘルムホルツコイル
22 軸
23 電磁石ヘッド
31 電圧印加手段
32 電流計測手段
33 フィードバック回路
34 直流電源
35 微小電流計
4 磁気記録媒体
50 導電路
51 金属カチオン
Claims (4)
- 第1金属を含む化合物からなるイオン伝導層が被覆された上記第1金属からなる第1電極と、上記第1金属とは異なる第2金属からなる第2電極とを、上記イオン伝導層と上記第2電極とを近接させて配設すると共に、上記近接部において、上記第1電極と第2電極とが、上記第1電極表面から上記イオン伝導層を貫通するように形成された上記第1金属からなるマクロ架橋部と、上記マクロ架橋部の露呈面と上記第2電極表面との間に形成された上記第1金属からなり量子化コンダクタンスを呈する金属ナノ架橋とにより導通可能に接続されてなることを特徴とする量子化コンダクタンス素子。
- 請求項1記載の量子化コンダクタンス素子と、上記量子化コンダクタンス素子の第1電極及び第2電極を介して上記金属ナノ架橋に電圧を印加する電圧印加手段と、上記量子化コンダクタンス素子の金属ナノ架橋に流れる電流を計測する電流計測手段とを用い、上記金属ナノ架橋に対して外界から与えられる磁場の変化を、上記電圧印加手段により上記金属ナノ架橋に所定電圧を印加した状態で、上記磁場の変化による金属ナノ架橋のコンダクタンスの変調に伴う上記金属ナノ架橋に流れる電流の変化により検出することを特徴とする磁場変化検出方法。
- 多数の磁気セルが形成された磁気記録媒体の上記磁気セルが保持する磁気を検出する方法であって、請求項1記載の量子化コンダクタンス素子と、上記量子化コンダクタンス素子の第1電極及び第2電極を介して上記金属ナノ架橋に電圧を印加する電圧印加手段と、上記量子化コンダクタンス素子の金属ナノ架橋に流れる電流を計測する電流計測手段とを用い、上記金属ナノ架橋に対して上記磁気セルから与えられる磁場の変化を、上記電圧印加手段により上記金属ナノ架橋に所定電圧を印加した状態で上記磁気記録媒体の磁気セルが形成された磁気記録面近傍で上記金属ナノ架橋を走査して、上記磁場の変化による金属ナノ架橋のコンダクタンスの変調に伴う上記金属ナノ架橋に流れる電流の変化を検出することにより、上記磁気セルが保持する磁気を検出することを特徴とする磁気検出方法。
- 第1金属を含む化合物からなるイオン伝導層を上記第1金属からなる第1電極の表面に被覆し、次いで、上記イオン伝導層と第2電極とを近接させてこの近接部に上記第1電極から上記第2電極に向かう負の電圧を印加し、上記イオン伝導層の上記近接部の金属カチオンを還元することにより、上記第1電極と第2金属との間を導通可能とする上記第1金属からなる導電路を形成し、次いで、上記導電路に上記第1電極から上記第2電極に向かう正の電圧を印加し、上記導電路を構成する金属原子の一部を酸化して金属カチオンとすると共に、この金属カチオンを上記導電路からイオン伝導層へ移動させることにより、上記導電路を、上記第1電極表面から上記イオン伝導層を貫通する上記第1金属からなるマクロ架橋部と、上記マクロ架橋部の露呈面と上記第2電極表面との間を架橋する上記第1金属からなり量子化コンダクタンスを呈する金属ナノ架橋とに形成することを特徴とする量子化コンダクタンス素子の製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014142040A1 (ja) * | 2013-03-09 | 2014-09-18 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 電子素子 |
CN110571326A (zh) * | 2019-09-02 | 2019-12-13 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 构建磁性原子点接触的方法与器件磁电阻的调控方法 |
CN112418429A (zh) * | 2019-08-23 | 2021-02-26 | 中国科学技术大学 | 一种实现cz门的方法及系统 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002076325A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-15 | Japan Science & Technology Corp | コンダクタンスの制御が可能な電子素子 |
JP2002141494A (ja) * | 2000-11-01 | 2002-05-17 | Japan Science & Technology Corp | ポイントコンタクト・アレー |
JP2003347515A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Umk Technology Kk | カーボンナノチューブを用いた大容量磁性メモリ |
-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002076325A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-15 | Japan Science & Technology Corp | コンダクタンスの制御が可能な電子素子 |
JP2002141494A (ja) * | 2000-11-01 | 2002-05-17 | Japan Science & Technology Corp | ポイントコンタクト・アレー |
JP2003347515A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Umk Technology Kk | カーボンナノチューブを用いた大容量磁性メモリ |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014142040A1 (ja) * | 2013-03-09 | 2014-09-18 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 電子素子 |
CN105103291A (zh) * | 2013-03-09 | 2015-11-25 | 国立研究开发法人科学技术振兴机构 | 电子元件 |
JPWO2014142040A1 (ja) * | 2013-03-09 | 2017-02-16 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | 電子素子 |
US9595604B2 (en) | 2013-03-09 | 2017-03-14 | Japan Science And Technology Agency | Electronic element |
CN112418429A (zh) * | 2019-08-23 | 2021-02-26 | 中国科学技术大学 | 一种实现cz门的方法及系统 |
CN112418429B (zh) * | 2019-08-23 | 2024-04-02 | 中国科学技术大学 | 一种实现cz门的方法及系统 |
CN110571326A (zh) * | 2019-09-02 | 2019-12-13 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 构建磁性原子点接触的方法与器件磁电阻的调控方法 |
CN110571326B (zh) * | 2019-09-02 | 2023-05-19 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 构建磁性原子点接触的方法与器件磁电阻的调控方法 |
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