RU2321013C1 - Датчик холла для локальной магнитометрии - Google Patents

Датчик холла для локальной магнитометрии Download PDF

Info

Publication number
RU2321013C1
RU2321013C1 RU2006127022/28A RU2006127022A RU2321013C1 RU 2321013 C1 RU2321013 C1 RU 2321013C1 RU 2006127022/28 A RU2006127022/28 A RU 2006127022/28A RU 2006127022 A RU2006127022 A RU 2006127022A RU 2321013 C1 RU2321013 C1 RU 2321013C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
film
width
sensor
current
contacts
Prior art date
Application number
RU2006127022/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Владимир Иванович Левашов (RU)
Владимир Иванович Левашов
Виктор Николаевич Матвеев (RU)
Виктор Николаевич Матвеев
Олег Викторович Кононенко (RU)
Олег Викторович Кононенко
Владимир Тимофеевич Волков (RU)
Владимир Тимофеевич Волков
Original Assignee
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской Академии Наук (ИПТМ РАН)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской Академии Наук (ИПТМ РАН) filed Critical Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской Академии Наук (ИПТМ РАН)
Priority to RU2006127022/28A priority Critical patent/RU2321013C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2321013C1 publication Critical patent/RU2321013C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области приборостроения, в частности к тонкопленочным датчикам на основе экстраординарного эффекта Холла, и может быть использовано в микроэлектронике при измерении и регистрации локальных магнитных полей и величин электрического тока, а также при разработке микроэлектронных устройств нового поколения. Датчик Холла для локальной магнитометрии включает подложку, помещенную на нее токопроводящую полосу из ферромагнитной пленки из сплава железо-платина, потенциальные и токоподводящие контакты, при этом в качестве сплава железо-платина используют сплав состава Fe0,44Pt0,56 - Fe0,56Pt0,44, причем толщина токопроводящей полосы составляет 1-5 нанометров. Для локальной магнитометрии наиболее оптимальными размерами ширины токопроводящей полосы и ширины потенциальных контактов являются размеры, равные 10-200 нанометрам. Техническим результатом является получение датчиков Холла для локальной магнитометрии со следующими характеристиками: чувствительность - не ниже 100 Ом/Тл, размер рабочей области - не больше 4×10-14 м2, при этом отсутствует влияние собственного магнитного поля в направлении, совпадающем с направлением тестируемого магнитного поля. 1 з.п. ф-лы, 9 ил.

Description

Изобретение относится к области приборостроения, в частности к тонкопленочным датчикам на основе экстраординарного эффекта Холла, и может быть использовано в микроэлектронике при измерении и регистрации локальных магнитных полей и величин электрического тока, а также при разработке микроэлектронных устройств нового поколения.
Известен метод регистрации магнитного поля нанообъектов методом магнитной силовой микроскопии (A.M.Алексеев, А.Ф.Попков, Магнитно-силовая Микроскопия (МСМ). NT-MDT & ГосНИИ Физических Проблем, Москва. URL http://ru.ntmdt.ru/SPM-Techniques/SPM-Methodology/Magnetic_Force_Microscopy_MFM/text45.html). Метод основан на регистрации взаимодействия магнитного кантилевера с магнитным полем поверхности образца. Визуализация магнитного поля поверхности образца проводится при помощи достаточно сложного оборудования, например сканирующего зондового микроскопа "Solver MFM" (NT-MDT http://www.ntmdt.com).
Однако данный прибор не дает возможности определить полярность намагниченности поверхности образца, а определение величины магнитного поля при помощи подобных приборов возможно только по косвенным признакам и с небольшой точностью. Недостатком данного метода является также возможность изменения намагниченности как кантилевера, так и исследуемого образца из-за их магнитного взаимодействия.
Известен датчик магнитного поля, включающий изолирующую подложку и проводящую тонкую пленку, помещенную на подложке. Тонкая пленка состоит из ферромагнитного материала, в частности никеля (Ni). Тонкая пленка также имеет удельное электрическое сопротивление и толщину пленки, не большие чем пороговая толщина, при которой удельное сопротивление является в основном равным 150% удельного сопротивления массивного материала. Датчик также включает проводники, присоединенные к тонкой пленке для введения тока в пленку и измерения напряжения, сгенерированного поперек тонкой пленки, зависящего от введенного тока. (Патент USA 2002.0180429 A1, МКИ G01R 33/6, 5 декабря 2002 года).
Однако подобный датчик при толщине пленки 10 нм имеет низкое значение чувствительности ~10 Ом/Тл, а пленка Ni обладает заметным гистерезисом (~5 Гс), что затрудняет применение подобного датчика для измерения малых магнитных полей, меняющихся по направлению. Чувствительность датчика также ограничивается небольшой величиной коэффициента экстраординарного эффекта Холла для Ni, равной 5,21.10-10 м3/Кл.
Известен датчик Холла из тонкой пленки полупроводника GaAs для локального измерения магнитного поля. Ширина токопроводящей полосы в данном датчике равна 1 мкм. (Characterization of individual nanomagnets by the local Hall effect. F.G.Monzon, D.S.Patterson, M.L.Roukes. Journal of Magnetism and Magnetic Materials 195 (1999) 19-25).
Однако чувствительность такого датчика при комнатной температуре не превышает 80 Ом/Тл, а уменьшение ширины токопроводящей полосы приведет к уменьшению чувствительности в силу физических причин.
Известен датчик магнитного поля, включающий изолирующую подложку, помещенную на нее токопроводящую полосу из ферромагнитной пленки из сплава железо-платина, потенциальные и токоподводящие контакты. В качестве изолирующей подложки используют стекло. Тонкая пленка толщиной 15-25 А (1,5-2,5 нм), нанесенная с помощью ионного распыления, состоит из ферромагнитного материала, в качестве которого взят сплав, имеющий состав - Fe42Pt58, и имеет ширину токопроводящих полос от 500 нм до 8 мм. Материал данного состава обладает значительно более высоким, по сравнению с Ni, коэффициентом экстраординарного эффекта Холла (~4.10-8 м3/Кл). (Extraordinary Hall effect in Fe-Pt alloy thin films and fabrication of micro Hall devices. M.Watanabe, T.Masumoto, M.Watanabe, T.Masumoto. Thin Solid Films, 405, (2002), 92-97).
Однако максимальная полученная чувствительность датчиков (50 Ом/Тл) недостаточно высока. Причем при уменьшении ширины токопроводящей полос чувствительность датчика уменьшается. Так, даже при ширине токовой дорожки 8 мм максимальный полученный сигнал был равен 120 мВ при плотности тока 5.104 А/см2.
Предлагаемое изобретение решает задачу улучшения характеристик датчиков Холла, в частности повышения его чувствительности, локальности и уменьшения влияния датчика на объект измерения.
Техническим результатом при этом является получение датчиков Холла для локальной магнитометрии со следующими характеристиками: чувствительность - не ниже 100 Ом/Тл, размер рабочей области - не больше 4×10-14 м2, при этом отсутствует влияние собственного магнитного поля в направлении, совпадающем с направлением тестируемого магнитного поля
Поставленная задача решается тем, что в датчике Холла для локальной магнитометрии, включающем подложку, помещенную на нее токопроводящую полосу из ферромагнитной пленки из сплава железо-платина, потенциальные и токоподводящие контакты, новым является то, что в качестве сплава железо-платина используют сплав состава Fe0,44Pt0,56-Fe0,56Pt0,44, причем толщина токопроводящей полосы составляет 1-5 нанометров.
Для локальной магнитометрии наиболее оптимальными размерами ширины токопроводящей полосы и ширины потенциальных контактов являются размеры, равные 10-200 нанометрам.
Нами экспериментально установлено, что чувствительность тонкопленочного датчика Холла из сплава Fe-Pt нелинейно зависит от толщины пленки и имеет максимум в области 2 нм при составе сплава Fe-Pt, близком к Fe0,5Pt0,5. (фиг.2).
Подложка может быть как изолирующей (стекло, сапфир, окись кремния на кремнии и т.п.), так и полупроводниковой (кремний, нитрид алюминия, нитрид алюминия на кремнии...).
Выполнение датчика согласно изобретению позволяет увеличить его чувствительность не ниже 100 Ом/Тл и размер рабочей области - не больше 4×10-14 м2, при этом отсутствует влияние собственного магнитного поля в направлении, совпадающем с направлением тестируемого магнитного поля.
На фиг.1 представлен общий вид предлагаемого датчика.
На фиг.2 показана зависимость чувствительности заявляемого датчика в зависимости от толщины токопроводящей полосы.
На фиг.3 приведена фотография в растровом электронном микроскопе линейки датчиков Холла, изготовление которых описано в примере 1.
На фиг.4 приведена фотография в растровом электронном микроскопе линейки датчиков Холла, изготовление которых описано в примере 2.
На фиг.5 приведена структура одиночного датчика.
На фиг.6-9 приведены типичные характеристики полученных датчиков Холла на различных подложках.
На подложке 1 расположена токопроводящая полоса 2 из ферромагнитной пленки из сплава железо-платина, соединенная с потенциальными 3 и токоподводящими контактами 4.
Датчик работает следующим образом.
Через расположенные на подложке 1 токоподводящие контакты 4 по токопроводящей полосе 2 пропускают электрический ток (I). При появлении внешнего магнитного поля (В) происходит отклонение носителей тока в токопроводящей полосе 2 и на потенциальных контактах 3 появляется электрическое напряжение (VH), которое и регистрируется. Любой намагниченный образец имеет в разных точках в своей поверхности разную намагниченность и, следовательно, разную магнитную индукцию. При перемещении датчика Холла для локальной магнитометрии по поверхности образца он проходит над точками с разной магнитной индукцией и выдает разный сигнал. Пространственное разрешение при этом определяется площадью рабочей области датчика - шириной токопроводящей полосы 2 (w1) и потенциальных контактов 3 (w2).
Приведенные ниже примеры иллюстрируют, но не ограничивают применение данного изобретения.
Пример 1.
Структуры датчиков Холла изготовляли при помощи электронной литографии. На подложку из стекла напыляли пленку из сплава Fe0,44Pt0,56 толщиной 1 нм, наносили двухслойный электронный резист, прорисовывали структуры датчиков, включающих в себя токопроводящие полосы, потенциальные и токоподводящие контакты так, чтобы ширина токопроводящей полосы и ширина потенциальных контактов были равны 10 нанометрам. Затем проявляли проэкспонированную структуру, проводили чистку проявленных участков от остатков резиста в плазме и осуществляли лазерное напыление пленки AlN на полученную структуру в электронном резисте, который затем удаляли. После чего проводили ионное травление в аргоне. При этой операции удаляется тонкая пленка FePt, не защищенная нитридом алюминия. Токопроводящие полосы, потенциальные и токоподводящие контакты при этом защищены пленкой AlN и сохраняются.
Полученные датчики имели чувствительность не ниже 100 Ом/Тл и размер рабочей области не больше 4×10-14 м2, при этом отсутствовало влияние собственного магнитного поля в направлении, совпадающем с направлением тестируемого магнитного поля (Фиг.3).
Пример 2.
Аналогично изготавливали структуры датчиков с защитой из алмазоподобной пленки. На подложку из окиси кремния напыляли пленку из сплава Fe0,56Pt0,44 толщиной 5 нм, наносили двухслойный электронный резист, прорисовывали токоподводящие контакты. После этого напыляли пленку Fe0,56Pt0,44 толщиной 20 нм на область токоподводящих контактов. Затем удалялся электронный резист. После этого в сканирующем электронном микроскопе прорисовывались токопроводящая полоса и потенциальные контакты, при этом под электронным пучком осаждалась алмазоподобная пленка. Ширина токоподводящей полосы и потенциальных контактов составила 100 нм. При такой технологии ширина токопроводящей полосы и потенциальных контактов датчика определяется только шириной электронного луча в электронном микроскопе. После чего проводили ионное травление в аргоне. При этой операции удаляется тонкая пленка FePt, не защищенная алмазоподобной пленкой. Токопроводящие полосы и потенциальные контакты при этом защищены алмазоподобной пленкой и сохраняются.
Полученные датчики имели чувствительность не ниже 100 Ом/Тл и размер рабочей области не больше 4×10-14 м2, при этом отсутствовало влияние собственного магнитного поля в направлении, совпадающем с направлением тестируемого магнитного поля (Фиг.4).
Пример 3.
То же, что в примере 2, только подложку из окиси кремния напыляли пленки из сплава Fe0,42Pt0,58 толщиной 0.5 нм, наносили двухслойный электронный резист, прорисовывали токоподводящие контакты. После этого напыляли пленку Fe0,56Pt0,44 толщиной 20 нм на область токоподводящих контактов. Затем удалялся электронный резист. После этого в сканирующем электронном микроскопе прорисовывались токопроводящая полоса и потенциальные контакты, при этом под электронным пучком осаждалась алмазоподобная пленка. Ширина токоподводящей полосы и потенциальных контактов составила 100 нм. При такой технологии ширина токопроводящей полосы и потенциальных контактов датчика определяются только шириной электронного луча в электронном микроскопе. После чего проводили ионное травление в аргоне. При этой операции удаляется тонкая пленка FePt, не защищенная алмазоподобной пленкой. Токопроводящие полосы и потенциальные контакты при этом защищены алмазоподобной пленкой и сохраняются. Полученные датчики имели чувствительность 50 Ом/Тл, при этом внутреннее сопротивление датчика было 10 МОм, остаточное сопротивления составляло 1,5 кОм, что не позволяет его применять для измерений с использованием стандартной аппаратуры.
Пример 4.
То же, что в примере 2, только подложку из окиси кремния напыляли пленки из сплава Fe0,58Pt0,42 толщиной 5.5 нм, наносили двухслойный электронный резист, прорисовывали токоподводящие контакты. После этого напыляли пленку Fe0,56Pt0,44 толщиной 20 нм на область токоподводящих контактов. Затем удалялся электронный резист. После этого в сканирующем электронном микроскопе прорисовывались токопроводящая полоса и потенциальные контакты, при этом под электронным пучком осаждалась алмазоподобная пленка. Ширина токоподводящей полосы и потенциальных контактов составила 200 нм. При такой технологии ширина токопроводящей полосы и потенциальных контактов датчика определяется только шириной электронного луча в электронном микроскопе. После чего проводили ионное травление в аргоне. При этой операции удаляется тонкая пленка FePt, не защищенная алмазоподобной пленкой. Токопроводящие полосы и потенциальные контакты при этом защищены алмазоподобной пленкой и сохраняются. Полученные датчики имели чувствительность 50 Ом/Тл.
Пример 5.
На подложку из кремния, покрытого слоем окиси кремния толщиной 0,3 мкм, наносили двухслойный электронный резист, прорисовывали структуры датчиков, включающих в себя токопроводящие полосы, потенциальные и токоподводящие контакты так, чтобы ширина токопроводящей полосы и ширина потенциальных контактов были равны 160 нанометрам. Затем проявляли проэкспонированную структуру, проводили чистку проявленных участков от остатков резиста в плазме и осуществляли лазерное напыление пленки Fe0,56Pt0,44 на полученную структуру в электронном резисте, который затем удаляли. Характеристика датчика приведена на фиг.6. При толщине ферромагнитной токопроводящей полосы, равной 1.5 нм, чувствительность равна 280 Ом/Тл.
Ширина ферромагнитной токопроводящей полосы и потенциальных контактов составляет 160 нм.
Пример 6.
Датчик изготовлен как в примере 5. В качестве подложки использовался сапфир (Al2O3). Характеристика датчика приведена на фиг.7. При толщине ферромагнитной токопроводящей полосы, равной 1.5 нм, чувствительность равна 300 Ом/Тл. Ширина ферромагнитной токопроводящей полосы и потенциальных контактов составляет 200 нм.
Пример 7.
Датчик изготовлен как в примере 5. В качестве подложки использовался кремний, покрытый слоем нитрида алюминия толщиной 30 нм. Характеристика датчика приведена на фиг.8. При толщине ферромагнитной токопроводящей полосы, равной 2 нм, чувствительность равна 160 Ом/Тл. Ширина ферромагнитной токопроводящей полосы и потенциальных контактов составляет 200 нм.
Пример 8.
Датчик изготовлен как в примере 5. В качестве подложки использовался кремний. Характеристика датчика приведена на фиг.9. При толщине ферромагнитной токопроводящей полосы, равной 2 нм, чувствительность равна 280 Ом/Тл. Ширина ферромагнитной токопроводящей полосы и потенциальных контактов составляет 120 нм.

Claims (2)

1. Датчик Холла для локальной магнитометрии, включающий помещенную на подложку токопроводящую полосу из ферромагнитной пленки из сплава железо-платина, потенциальные и токоподводящие контакты, отличающийся тем, что в качестве сплава железо-платина используют сплав состава Fe0,44Pt0,56-Fe0,56Pt0,44, причем толщина токопроводящей полосы составляет 1-5 нм.
2. Датчик Холла для локальной магнитометрии по п.1, отличающийся тем, что ширина токопроводящей полосы и ширина потенциальных контактов равны 10-200 нм.
RU2006127022/28A 2006-07-25 2006-07-25 Датчик холла для локальной магнитометрии RU2321013C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006127022/28A RU2321013C1 (ru) 2006-07-25 2006-07-25 Датчик холла для локальной магнитометрии

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006127022/28A RU2321013C1 (ru) 2006-07-25 2006-07-25 Датчик холла для локальной магнитометрии

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2321013C1 true RU2321013C1 (ru) 2008-03-27

Family

ID=39366397

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006127022/28A RU2321013C1 (ru) 2006-07-25 2006-07-25 Датчик холла для локальной магнитометрии

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2321013C1 (ru)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2478218C1 (ru) * 2011-10-28 2013-03-27 Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН Твердотельный датчик магнитного поля
RU2490754C1 (ru) * 2012-02-27 2013-08-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева (НГТУ) Микроэлектромеханический датчик магнитного поля
RU2490753C1 (ru) * 2012-02-27 2013-08-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева (НГТУ) Датчик магнитной индукции
RU2801444C1 (ru) * 2022-07-19 2023-08-08 Общество с ограниченной ответственностью "НЕФТЕСЕРВИСМОНИТОРИНГ" Магнито-потенциометрический преобразователь

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Watanabe М., Masumoto Т. Extraordinary Hall effect in Fe-Pt alloy thin films and fabrication of micro Hall devices. Thin Solid Films, 405, (2002), p.92-97. *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2478218C1 (ru) * 2011-10-28 2013-03-27 Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН Твердотельный датчик магнитного поля
RU2490754C1 (ru) * 2012-02-27 2013-08-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева (НГТУ) Микроэлектромеханический датчик магнитного поля
RU2490753C1 (ru) * 2012-02-27 2013-08-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева (НГТУ) Датчик магнитной индукции
RU2801444C1 (ru) * 2022-07-19 2023-08-08 Общество с ограниченной ответственностью "НЕФТЕСЕРВИСМОНИТОРИНГ" Магнито-потенциометрический преобразователь

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6072382A (en) Spin dependent tunneling sensor
KR101100841B1 (ko) 강자성/반강자성 감지 요소를 포함하는 자기저항 센서 및 전자 처리 회로를 포함하는 측정 장치
Rishton et al. Magnetic tunnel junctions fabricated at tenth-micron dimensions by electron beam lithography
Sato et al. Spin-valve-like properties and annealing effect in ferromagnetic tunnel junctions
KR102298837B1 (ko) 텅스텐 질화물을 가지는 스핀궤도토크 스위칭 소자
EP1308741A1 (en) Magnestoresistive sensor and manufacturing method therefor
KR20050009675A (ko) 자기 센서 및 그 제조 방법
Mason et al. Determining absolute Seebeck coefficients from relative thermopower measurements of thin films and nanostructures
NazariNejad et al. Giant magneto-impedance thin film magnetic sensor
RU2321013C1 (ru) Датчик холла для локальной магнитометрии
Novoselov et al. Submicron probes for Hall magnetometry over the extended temperature range from helium to room temperature
US5517170A (en) Multilayer thin film hall effect device
JP2001143227A (ja) 磁気センサ
US11163023B2 (en) Magnetic device
US6879012B2 (en) Giant planar hall effect in epitaxial ferromagnetic semiconductor devices
KR20170045252A (ko) 온도-측정 장치, 장치의 제조 방법 및 장치를 포함하는 충격 지점 측정 시스템
Kubota et al. Magnetoresistance and dipole shift of ultrasmall magnetic tunnel junctions characterized by conducting atomic force microscopy
Arita et al. In situ transmission electron microscopy for electronics
Gammelgaard et al. A complementary metal-oxide-semiconductor compatible monocantilever 12-point probe for conductivity measurements on the nanoscale
Kajihara et al. Electrical resistivity of carbon micro coil measured by a multi-probe unit installed in a scanning electron microscope
Nejad et al. Multilayer giant magneto-impedance sensor for low field sensing
US10976344B1 (en) System and method for performing scanning tunneling microscopy on current-carrying samples
Isshiki et al. Observation of Cluster Magnetic Octupole Domains in the Antiferromagnetic Weyl Semimetal Mn 3 Sn Nanowire
Krzysteczko et al. Magnetoresistance of Co nanoconstrictions fabricated by means of electron beam lithography
Cobianu et al. INVESTIGATION OF Ni-Cu THIN FILMS MAGNETIC SENSORS DEPOSITED ON SiO2 SUBSTRATES BY SPUTTERING

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160726