JP2005277416A - 軟基準3導体の磁気メモリ記憶デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、軟基準3導体磁気メモリ(200)記憶デバイスを提供する。特定の実施形態において、複数の平行な導電性の第1のセンス/書込み導体(204,204')と、複数の平行な導電性の第2のセンス導体(206,306)が存在する。第1のセンス/書込み導体および第2のセンス導体がクロスポイントアレイ(400)を提供する。軟基準磁気メモリ(SVM)セル(202,202')が各交点に電気接触して配置されるように設けられる。更に、第2のセンス導体(206,306)にかなり接近し、かつ第2のセンス導体から電気的に分離された、複数の平行な導電性の書込み列導体(208,312)が存在する。センス磁界(550,552)は軟基準層(214)の向きを設定するが、セル(202)内に格納されたデータを変更しない。
【選択図】図5A
Description
所与の第1のセンス/書込み導体および所与の第2のセンス導体と電気的に接触しており、第3の書込み列導体にかなり接近し、かつ第3の書込み列導体から電気的に分離されている所与のSVMセルを選択するステップと、
前記第3の書込み列導体に初期磁界電流を与えるステップであって、その初期電流が前記所与のSVMセルに近接して初期センス磁界を生成する、ステップと、
前記所与のSVMセルの軟基準層を前記初期センス磁界の向きにオンザフライでピン留めするステップと、
前記所与の第1のセンス/書込み導体および前記第2のセンス導体によって前記所与のSVMセルを流れる初期センス電流を与えるステップと、
前記所与のSVMセルの初期抵抗値を測定するステップと、
前記初期抵抗値を格納するステップと、
前記第3の書込み列導体に対して第2の既知の磁界電流を与えるステップであって、その第2の既知の電流が、軟基準層を第2の既知の向きに配向する第2の既知のセンス磁界を生成する、ステップと、
前記所与の第1のセンス/書込み導体および前記第2のセンス導体によって前記所与のSVMセルを流れる第2のセンス電流を与えるステップと、
前記第2の抵抗値を基準抵抗として格納するステップと、
前記初期抵抗値と前記基準抵抗値とを比較するステップと、
前記比較された状態に関連付けられる論理レベルを返すステップとを含む。
202、202’、300、300’、302、304 軟基準スピンバルブ磁気メモリセル
204、204’ センス/書込み導体
206、306、308、310 センス導体
208、312、314、316 書込み列導体
210 強磁性データ層
212 中間層
214 強磁性軟基準層
218 強磁性被覆
450 磁化困難軸
452 磁化容易軸
Claims (16)
- 軟基準3導体磁気メモリ(200)記憶デバイスであって、
複数の平行な導電性の第1のセンス/書込み導体(204、204’)と、
それぞれが前記第1のセンス/書込み導体(204、204’)と交差し、それにより複数の交点を有するクロスポイントアレイ(400)を形成する、複数の平行な導電性の第2のセンス導体(206、306)と、
それぞれが前記第1のセンス/書込み導体(204)及び前記第2のセンス導体(306)と電気的に接触しており、かつそれらの導体間の交点に配置され、変更可能な磁化の向きを有する材料からなる、複数の軟基準スピンバルブメモリ(SVM)セル(202、202’、300、300’)と、及び
前記第2のセンス導体(206、306)にかなり接近し、かつ前記第2のセンス導体(206、306)から電気的に分離される、複数の平行な導電性の第3の書込み列導体(208、312)とを含む、軟基準3導体磁気メモリ(200)記憶デバイス。 - 前記第3の書込み列導体(208、312)が物理的な空間によって前記第2のセンス導体(206、306)から電気的に分離される、請求項1に記載の軟基準3導体磁気メモリ(200)記憶デバイス。
- 前記第3の書込み列導体(208、312)が誘電体によって前記第2のセンス導体(206、306)から電気的に分離される、請求項1に記載の軟基準3導体磁気メモリ(200)記憶デバイス。
- 前記第3の書込み列導体(208、312)が第2のセンス導体(206、306)と実質的に平行である、請求項1に記載の軟基準3導体磁気メモリ(200)記憶デバイス。
- 前記第3の書込み列導体(208、312)が強磁性被覆(218)によって実質的に包囲される、請求項1に記載の軟基準3導体磁気メモリ(200)記憶デバイス。
- 前記第1のセンス/書込み導体(204、204’)が強磁性被覆(218)によって実質的に包囲される、請求項1に記載の軟基準3導体磁気メモリ(200)記憶デバイス。
- 各SVMメモリセル(202)が、
変更可能な磁化の向きによって特徴付けられる少なくとも1つの強磁性データ層(210)と、
前記データ層(210)と接触している中間層(212)と、及び
前記データ層(210)とは反対側から、前記中間層(212)と接触している少なくとも1つの強磁性軟基準層(214)であって、ピン留めされない磁化の向きを有し、前記データ層(210)よりも低い保磁力を有する、少なくとも1つの強磁性軟基準層(214)とを含む、請求項1に記載の軟基準3導体磁気メモリ(200)記憶デバイス。 - 前記SVMセル(202)は読出し動作中に、所与のセル(202)の前記少なくとも1つの強磁性軟基準層(214)が、前記選択されたSVMセル(202)と交差する少なくとも1つの第3の書込み列導体(208)に流れる少なくとも1つのセンス電流により生成されるセンス磁界(550)によって所望の向きにオンザフライで設定されるように動作可能であり、前記磁界(550)が前記選択されたセル(202)の前記少なくとも1つの強磁性データ層(210)の向きに影響を及ぼすには不十分であり、及び
前記SVMセル(202)は書込み動作中に、前記選択されたセル(202)と接触している前記第1のセンス/書込み導体(204)に流れる書込み電流と、前記選択されたセル(202)と交差する前記第3の書込み列導体(208)に流れる書込み電流とによって、合成された書込み磁界(600、602)が生成されるように動作可能であり、前記合成された磁界(600、602)が前記少なくとも1つの強磁性データ層(210)の向きを設定するのに十分である、請求項7に記載の軟基準3導体磁気メモリ(200)記憶デバイス。 - 前記少なくとも1つの強磁性データ層(210)及び前記少なくとも1つの強磁性軟基準層(214)がそれぞれ、磁化困難軸(450)及び磁化容易軸(452)を有するものとしてさらに特徴付けられ、前記少なくとも1つの強磁性データ層(210)の前記磁化容易軸(452)が、前記少なくとも1つの強磁性軟基準層(214)の前記磁化容易軸(452)に対して実質的に平行であり、前記第3の書込み列導体(208)が前記少なくとも1つの強磁性データ層(210)及び前記少なくとも1つの強磁性軟基準層(214)の前記磁化容易軸(452)を実質的に横切る、請求項7に記載の軟基準3導体磁気メモリ(200)記憶デバイス。
- 複数の軟基準層(214)3導体SVMセル(202)を有する磁気メモリ(200)記憶デバイス内のデータ値を自己参照して非破壊的に判定する方法であって、各セル(202)が少なくとも1つのデータ層(210)と少なくとも1つの軟基準層(214)とを含み、その方法が、
所与の第1のセンス/書込み導体(204)及び所与の第2のセンス導体(206)と電気的に接触しており、第3の書込み列導体(208)にかなり接近し、かつ前記第3の書込み列導体(820)から電気的に分離されている所与のSVMセル(202)を選択するステップと、
前記第3の書込み列導体(208)に初期磁界電流を与えるステップであって、その初期電流が前記所与のSVMセル(202)に近接した初期センス磁界(550)を生成する、ステップと、
前記所与のSVMセル(202)の前記少なくとも1つの軟基準層(214)を前記初期センス磁界(550)の向きにオンザフライで設定するステップと、
前記所与の第1のセンス/書込み導体(204)及び前記第2のセンス導体(206)によって前記所与のSVMセル(202)を流れる初期センス電流を与えるステップと、
前記所与のSVMセル(202)の初期抵抗値を測定するステップと、
前記初期抵抗値を格納するステップと、
前記第3の書込み列導体(208)に対して第2の既知の磁界電流を与えるステップであって、その第2の既知の電流が、前記少なくとも1つの軟基準層(214)を第2の既知の向きに配向する第2の既知のセンス磁界(550)を生成する、ステップと、
前記所与の第1のセンス/書込み導体(204)及び前記第2のセンス導体(206)によって前記所与のSVMセル(202)を流れる第2のセンス電流を与えるステップと、
前記第2の抵抗値を基準抵抗として格納するステップと、
前記初期抵抗値と前記基準抵抗値とを比較するステップと、及び
前記比較された状態に関連付けられる論理レベルを返すステップとを含む、方法。 - 前記センス磁界(550、552)が前記少なくとも1つのデータ層(210)に影響を及ぼさない、請求項10に記載の方法。
- 前記第2の既知の磁界電流が前記初期磁界電流と反対の方向に流れる、請求項10に記載の方法。
- 前記初期磁界電流の大きさが実質的に約0である、請求項10に記載の方法。
- 前記初期抵抗値は、前記少なくとも1つの軟基準層(214)の向きが前記少なくとも1つのデータ層(210)に対して反平行であるときに測定される、請求項10に記載の方法。
- 前記方法が2回以上繰り返される、請求項10に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの基準層(214)が、磁化困難軸(450)及び磁化容易軸(452)を有するものとして特徴付けられ、前記初期磁界および前記第2の磁界(550、552)が前記磁化容易軸(452)に沿っている、請求項10に記載の方法。
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