JP2005270850A - プラズマ処理方法および装置 - Google Patents
プラズマ処理方法および装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005270850A JP2005270850A JP2004089541A JP2004089541A JP2005270850A JP 2005270850 A JP2005270850 A JP 2005270850A JP 2004089541 A JP2004089541 A JP 2004089541A JP 2004089541 A JP2004089541 A JP 2004089541A JP 2005270850 A JP2005270850 A JP 2005270850A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency
- voltage
- gas
- side electrode
- wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/32—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by electrical effects other than those provided for in group B01D61/00
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/2406—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/2406—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
- H05H1/2443—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes the plasma fluid flowing through a dielectric tube
- H05H1/245—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes the plasma fluid flowing through a dielectric tube the plasma being activated using internal electrodes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2259/00—Type of treatment
- B01D2259/80—Employing electric, magnetic, electromagnetic or wave energy, or particle radiation
- B01D2259/818—Employing electrical discharges or the generation of a plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H2240/00—Testing
- H05H2240/10—Testing at atmospheric pressure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
【課題】 数〜数十kHz程度の周波数で、処理効率と電力効率の両方を向上させた大気圧プラズマ処理装置および方法を提供する。
【解決手段】 高周波正弦波と高周波方形波とが同周波数、同位相で重ね合わされた合成波形から生成される前記大気圧プラズマにより前記対象物質を前記処理する方法および装置を提供する。
【選択図】 図3
【解決手段】 高周波正弦波と高周波方形波とが同周波数、同位相で重ね合わされた合成波形から生成される前記大気圧プラズマにより前記対象物質を前記処理する方法および装置を提供する。
【選択図】 図3
Description
本発明は、大気圧プラズマを利用してガスに含まれる対象物質を処理するプラズマ処理方法および装置に関するものである。
近年、揮発性化合物などを含有するガスによる大気汚染、人体への影響が注目されている。そうした揮発性化合物などを含有するガスを分解処理する技術(具体的には無害化する技術)が数多く提案されている中で、プラズマ放電、特に非平衡プラズマ放電によりVOCs等のガスを分解する技術が注目され、研究が進められており、当該技術に基づいた方法及び装置が提案されている。その中で、揮発性化合物などを含有するガスの分解に影響を及ぼす主な因子のひとつとして、印加電圧の波形等が上げられる。ここで、印加電圧の波形として、例えば、高周波正弦波交流電圧や高周波方形波交流電圧による波形、あるいは特許文献1に記載される商用周波数高電圧に高電圧パルスを重畳する印加電圧波形などが挙げられる。そしてこれらの波形が電極間に供給されていた。これらにより、電子は電極間内で電界方向に振動し、揮発性化合物などを含有するガスと電子とが衝突し、衝突電離によって分解処理されることになる。なおここでいう高周波とは数〜数十kHz程度の周波数を意味し、商用周波数とは50あるいは60Hzの周波数を指す。
特開2000−325735号公報
しかしながら、高周波正弦波交流電圧を用いても十分な処理効率を得ることができない。また高周波方形波交流電圧を用いても発熱が生じるので高い電力効率が得られない。また商用周波数電源を用いると放電は直流電圧に似た機構で起こるため、放電開始電圧が高くなるため、多くの投入電力を要してしまう。
そこで本発明は高い処理効率と高い電量効率を達成できるガス処理方法および装置を提供することを目的とする。
よって本発明は、
対象物質を含有しているガスを大気圧プラズマにより処理するプラズマ処理方法において、高周波正弦波と高周波方形波とが同周波数、同位相で重ね合わされた合成波形から生成される前記大気圧プラズマにより前記対象物質を前記処理することを特徴とするプラズマ処理方法を提供する。
対象物質を含有しているガスを大気圧プラズマにより処理するプラズマ処理方法において、高周波正弦波と高周波方形波とが同周波数、同位相で重ね合わされた合成波形から生成される前記大気圧プラズマにより前記対象物質を前記処理することを特徴とするプラズマ処理方法を提供する。
また本発明は、
一対の電極と前記一対の電極を収容するプラズマリアクタを有し、前記一対の電極に印加される高周波が生成する大気圧プラズマによりガスが含有する対象物質を処理するプラズマ処理装置において、高周波正弦波と高周波方形波から高周波合波を得る合波手段と、前記高周波合波を増幅する増幅手段とを有することを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。
一対の電極と前記一対の電極を収容するプラズマリアクタを有し、前記一対の電極に印加される高周波が生成する大気圧プラズマによりガスが含有する対象物質を処理するプラズマ処理装置において、高周波正弦波と高周波方形波から高周波合波を得る合波手段と、前記高周波合波を増幅する増幅手段とを有することを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。
本発明によれば、高周波正弦波と高周波方形波を同周波数、同位相で重ね合わせることで、数〜数十kHz程度の周波数で方形波由来の急峻な立ち上り(立下り)部による分解効率の向上と正弦波由来のスロープ部による発熱防止即ち電力効率の向上とが達成でき、ガス中に含まれる揮発性有機化合物などの対象物質を効率よく処理することができる。
本発明者は、高周波正弦波交流電圧を単に用いただけでは処理効率が上がらない理由として、正弦波ゆえのなだらかな立ち上り(立下りも含むが以下立ち上りという文言で統一する)が原因であると気づいた。
急峻な立ち上りを求めるのであれば周波数が数百kHzあるいはそれ以上の波形を印加すればよいが、それでは本発明で定義する高周波、即ち数〜数十kHz程度の周波数の波を利用することができない。
一方高周波方形波交流電圧を単に用いただけでは急峻な立ち上り部が方形波にはあるものの、立ち上り完了後放電の起こらない時間領域が発生してしまうため、消費電力には熱となって分解に寄与していない部分が生じ、電力効率を著しく低下させてしまう。これを解決するために更に高い前記のような周波数を用いてもそれでは本発明で定義する高周波、即ち数〜数十kHz程度の周波数の波を利用することができない。
そして高周波正弦波交流電圧と高周波方形波交流電圧の両方をそれぞれ独立即ち異周波数あるいは異なる位相で電極間に印加してもそれはそれぞれの上記課題を解決することにはならない。
そこで本発明者は高周波正弦波交流電圧と高周波方形波交流電圧のそれぞれの利点を利用することを試み、高周波正弦波交流電圧と高周波方形波交流電圧を同周波数同位相で重ね合わせた波形を利用することが効果的であるという結論に至った。
即ち方形波的な急峻な電圧変化となだらかなスロープ部分をもった印加電圧波形を用いることで、極性が瞬時に反転しても放電が途切れることなく連続的に発生するようになり高効率の処理と高い電力効率の両方を達成できる。ここでいう処理とはガス中に含まれる対象物質の処理のことであり、対象物質とは例えば分解対象物質であり、より具体的にはVOCs等の揮発性化合物のことである。即ち本発明は、例えば汚染物質を含むガスを清浄にすることに利用できたり、あるいはアンモニア、メタン等の有臭成分の脱臭や空気中の微生物やウイルスの除去に利用できたりする。
従って土壌中のガスを回収し汚染物質を分解する技術や、病院やホテルや映画館といった大勢の人が集まる空間やあるいは住居用室や自動車内といった空間における脱臭や衛生化を必要とする技術に本発明は適用することができる。
以下に、揮発性化合物を含有しているガスの処理を一例として挙げ、図を用いて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
本実施の形態に係るガス処理方法は、揮発性化合物を含有しているガスを大気圧プラズマにより処理するプラズマ処理方法であって、高電圧側電極−接地側電極の間に高周波(数〜数十kHz程度の周波数)交流電圧に高周波方形波電圧の二つの電圧波形を同周波数、同位相で重ね合わせることを特徴としているガス処理方法に係る。二つの電圧波形を重ね合わせることにより、効率よく放電を発生させることができる。以下に本実施形態に係るガス処理方法を達成できるガス処理装置について図を用いて説明する。
図1は本実施の形態におけるガス処理装置の構成図である。符号1はプラズマリアクタ、2は増幅手段としての変圧器、そして3は合波手段としての発信器である。発信器3は波形を発信するものであり、ここで正弦波と方形波が合成される。合成された波形は変圧器2において増幅される。増幅は例えば1000倍である。増幅された合成波はプラズマリアクタの不図示の電極間に印加される。図2は、図1のプラズマリアクタの内部構成をより詳細に示す模式図である。符号4は高電圧電源、5は粒状の誘電体、6は接地側電極、そして7は高電圧側電極である。符号4は図1に図示していないが、符号2および3との機能を兼ねそろえた高電圧電源である。
外部を接地側電極6とし、内部に高電圧側電極7を持ち、電極間に粒状例えば円柱型ペレット状あるいは球状の誘電体を充填した構成となっている。
本実施形態では接地側電極6は実質的な筒状で内部に配置された棒状の高電圧側電極7を囲む構成となっており高電圧側電極の長尺方向において両電極が対向した構成になっている。ここで、高電圧側電極7に高電圧電源4より高電圧を印加し、該電圧を放電開始電圧以上にすると、大気圧下で安定した均一なグロー放電を発生させ、そこに揮発性化合物を含有するガスを通過させると、これらが分解されることになる。グロー放電は両電極間特に誘電体と誘電体との微小間隙で発生する。ガスは高電圧側電極7の長尺方向に沿った方向にプラズマリアクタに入って出て行く。プラズマリアクタ内での被処理ガスの均一分散化を図るため、誘電体が配置されている空間の前後には複数の吸気排気穴を設けている。高電圧電源4は本図において一方が設置側電極6に接続し、他方が被処理ガスが通過する管に接続しているが、本実施形態ではこの管が高電圧側電極7に接続しているからである。図3は本実施の形態に係わる合波された印加電圧波形である。図3においてX軸は時間、縦軸は電圧を示す。図4は5それぞれ合波前の高周波正弦波交流電圧と高周波方形波交流電圧の波形である。横軸縦軸は図3と同じである。合波のよりこのましい前記周波数は1kHz〜4kHzであり、ここでいう同周波数、同位相とは全く一致することが最も望ましいが、実用上として、周波数は±10%、位相差は±2%の範囲にある波形をさし、この範囲内であれば処理効率と電力効率が向上する。図3に示すように電極間に供給される電圧は方形波的な急峻な電圧変化となだらかなスロープ部分をもった印加電圧であるため、極性が瞬時に反転しても放電は途切れることなく連続的に発生するようになる。このため、揮発性化合物などを含有するガスの分解処理における電力効率を向上させることができる。
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明するが、本発明は該実施例により限定されるものではない。以下の実施例及び比較例で用いられる実験条件内容はつぎのとおりである。
・実験装置
ガス処理装置:粒径3mmのγアルミナ
同軸円筒状パックトベッド式放電装置
リアクタ寸法:外Φ=14mm、内Φ=11.5mm、長さ=48mm
サンプルガス:メチルメルカプタン(10ppm、母気体は窒素ガス)
・処理条件
ガス流量:1L/min
消費電力:0.88W
・実験装置
ガス処理装置:粒径3mmのγアルミナ
同軸円筒状パックトベッド式放電装置
リアクタ寸法:外Φ=14mm、内Φ=11.5mm、長さ=48mm
サンプルガス:メチルメルカプタン(10ppm、母気体は窒素ガス)
・処理条件
ガス流量:1L/min
消費電力:0.88W
(実施例1:同周波数同位相の合波を利用)
実施例1において、図2に示すガス処理装置を用い、対象物質の処理効果を確かめる実験を行った。高電圧側電極−接地側電極に供給する印加電圧波形は、図3に示すような通常の高周波交流電圧に高周波方形波電圧の二つの電圧波形を、1kHzの同周波数、同位相差で重ね合わせた新しい波形を用いた。被処理ガスとして10ppmのメチルメルカプタンを含有するN2べースガスを用い、ガス処理装置に流通した。次いで、高電圧側電極と接地側電極との間に電圧を17.44kVp−p、0.88Wで印加し、プラズマ放電を発生させて該N2ベースガスの処理を行った。このとき力率は0.73である。ガス処理装置から排出された処理ガスをガス検知管により分析した結果、メチルメルカプタンの処理率は90%であった。このとき、処理ガスの温度は52.3℃であった。
実施例1において、図2に示すガス処理装置を用い、対象物質の処理効果を確かめる実験を行った。高電圧側電極−接地側電極に供給する印加電圧波形は、図3に示すような通常の高周波交流電圧に高周波方形波電圧の二つの電圧波形を、1kHzの同周波数、同位相差で重ね合わせた新しい波形を用いた。被処理ガスとして10ppmのメチルメルカプタンを含有するN2べースガスを用い、ガス処理装置に流通した。次いで、高電圧側電極と接地側電極との間に電圧を17.44kVp−p、0.88Wで印加し、プラズマ放電を発生させて該N2ベースガスの処理を行った。このとき力率は0.73である。ガス処理装置から排出された処理ガスをガス検知管により分析した結果、メチルメルカプタンの処理率は90%であった。このとき、処理ガスの温度は52.3℃であった。
(実施例2:同周波数、一周期異なる位相の合波を利用)
実施例2において、図2に示すガス処理装置を用い、対象物質の処理効果を確かめる実験を行った。高電圧側電極−接地側電極に供給する印加電圧波形は、通常の高周波交流電圧に高周波方形波電圧の二つの電圧波形を、1kHzの同周波数、位相差360degで重ね合わせた波形を用いた。被処理ガスとして10ppmのメチルメルカプタンを含有するN2べースガスを用い、ガス処理装置に流通した。次いで、高電圧側電極と接地側電極との間に電圧を印加し、プラズマ放電を発生させて該N2ベースガスの処理を行った。ガス処理装置から排出された処理ガスをガス検知管により分析した結果、メチルメルカプタンの処理率は90%であった。
実施例2において、図2に示すガス処理装置を用い、対象物質の処理効果を確かめる実験を行った。高電圧側電極−接地側電極に供給する印加電圧波形は、通常の高周波交流電圧に高周波方形波電圧の二つの電圧波形を、1kHzの同周波数、位相差360degで重ね合わせた波形を用いた。被処理ガスとして10ppmのメチルメルカプタンを含有するN2べースガスを用い、ガス処理装置に流通した。次いで、高電圧側電極と接地側電極との間に電圧を印加し、プラズマ放電を発生させて該N2ベースガスの処理を行った。ガス処理装置から排出された処理ガスをガス検知管により分析した結果、メチルメルカプタンの処理率は90%であった。
(実施例3:わずかな異周波数と同位相の合波を利用)
実施例3において、図2に示すガス処理装置を用い、対象物質の処理効果を確かめる実験を行った。高電圧側電極−接地側電極に供給する印加電圧波形は、通常の高周波交流電圧(周波数:1kHz)に対して高周波方形波電圧(周波数:900Hzまたは1.1kHz)の二つの電圧波形を重ね合わせた波形を用いた。両波は同位相で合波させた。被処理ガスとして10ppmのメチルメルカプタンを含有するN2べースガスを用い、ガス処理装置に流通した。次いで、高電圧側電極と接地側電極との間に電圧を印加し、プラズマ放電を発生させて該N2ベースガスの処理を行った。ガス処理装置から排出された処理ガスをガス検知管により分析した結果、メチルメルカプタンの処理率は90%であった。
実施例3において、図2に示すガス処理装置を用い、対象物質の処理効果を確かめる実験を行った。高電圧側電極−接地側電極に供給する印加電圧波形は、通常の高周波交流電圧(周波数:1kHz)に対して高周波方形波電圧(周波数:900Hzまたは1.1kHz)の二つの電圧波形を重ね合わせた波形を用いた。両波は同位相で合波させた。被処理ガスとして10ppmのメチルメルカプタンを含有するN2べースガスを用い、ガス処理装置に流通した。次いで、高電圧側電極と接地側電極との間に電圧を印加し、プラズマ放電を発生させて該N2ベースガスの処理を行った。ガス処理装置から排出された処理ガスをガス検知管により分析した結果、メチルメルカプタンの処理率は90%であった。
(実施例4:同周波数、わずかの異位相の合波を利用)
実施例4において、図2に示すガス処理装置を用い、対象物質の処理効果を確かめる実験を行った。高電圧側電極−接地側電極に供給する印加電圧波形は、通常の高周波交流電圧に高周波方形波電圧の二つの電圧波形を、1kHzの同周波数、位相差355degまたは365degで重ね合わせた波形を用いた。被処理ガスとして10ppmのメチルメルカプタンを含有するN2べースガスを用い、ガス処理装置に流通した。次いで、高電圧側電極と接地側電極との間に電圧を印加し、プラズマ放電を発生させて該N2ベースガスの処理を行った。ガス処理装置から排出された処理ガスをガス検知管により分析した結果、メチルメルカプタンの処理率は90%であった。
実施例4において、図2に示すガス処理装置を用い、対象物質の処理効果を確かめる実験を行った。高電圧側電極−接地側電極に供給する印加電圧波形は、通常の高周波交流電圧に高周波方形波電圧の二つの電圧波形を、1kHzの同周波数、位相差355degまたは365degで重ね合わせた波形を用いた。被処理ガスとして10ppmのメチルメルカプタンを含有するN2べースガスを用い、ガス処理装置に流通した。次いで、高電圧側電極と接地側電極との間に電圧を印加し、プラズマ放電を発生させて該N2ベースガスの処理を行った。ガス処理装置から排出された処理ガスをガス検知管により分析した結果、メチルメルカプタンの処理率は90%であった。
(比較例1)
比較例1において、図2に示すガス処理装置を用い、対象物質の処理効果を確かめる実験を行った。高電圧側電極−接地側電極に供給する印加電圧波形は、図4に示すような高周波正弦波交流電圧波形を用いた。周波数は1kHzである。被処理ガスとして10ppmのメチルメルカプタンを含有するN2べースガスを用い、ガス処理装置に流通した。次いで、高電圧側電極と接地側電極との間に17.70kVp−p、0.88Wの電圧を印加してプラズマ放電を発生させて該N2ベースガスの処理を行った。ガス処理装置から排出された処理ガスをガス検知管により分析した結果、メチルメルカプタンの処理率は80%であった。
比較例1において、図2に示すガス処理装置を用い、対象物質の処理効果を確かめる実験を行った。高電圧側電極−接地側電極に供給する印加電圧波形は、図4に示すような高周波正弦波交流電圧波形を用いた。周波数は1kHzである。被処理ガスとして10ppmのメチルメルカプタンを含有するN2べースガスを用い、ガス処理装置に流通した。次いで、高電圧側電極と接地側電極との間に17.70kVp−p、0.88Wの電圧を印加してプラズマ放電を発生させて該N2ベースガスの処理を行った。ガス処理装置から排出された処理ガスをガス検知管により分析した結果、メチルメルカプタンの処理率は80%であった。
(比較例2:発熱防止による電力効率の向上)
比較例2において、図2に示すガス処理装置を用い、発熱防止及び電力効率の向上効果を確かめる実験を行った。高電圧側電極−接地側電極に供給する印加電圧波形は、図5に示すような高周波方形波電圧波形を用いた。周波数は1kHzである。被処理ガスとして10ppmのメチルメルカプタンを含有するN2べースガスを用い、ガス処理装置に流通した。このとき被処理ガスの温度は23.6℃である。次いで、高電圧側電極と接地側電極との間に17.56kVp−p、0.88Wの電圧を印加してプラズマ放電を発生させて該N2ベースガスの処理を行った。このとき力率は0.68である。ガス処理装置から排出された処理ガスをガス検知管により分析した結果、メチルメルカプタンの処理率は80%となった。このとき、処理ガスの温度は68.2℃であった。
比較例2において、図2に示すガス処理装置を用い、発熱防止及び電力効率の向上効果を確かめる実験を行った。高電圧側電極−接地側電極に供給する印加電圧波形は、図5に示すような高周波方形波電圧波形を用いた。周波数は1kHzである。被処理ガスとして10ppmのメチルメルカプタンを含有するN2べースガスを用い、ガス処理装置に流通した。このとき被処理ガスの温度は23.6℃である。次いで、高電圧側電極と接地側電極との間に17.56kVp−p、0.88Wの電圧を印加してプラズマ放電を発生させて該N2ベースガスの処理を行った。このとき力率は0.68である。ガス処理装置から排出された処理ガスをガス検知管により分析した結果、メチルメルカプタンの処理率は80%となった。このとき、処理ガスの温度は68.2℃であった。
(比較例3:同周波数大きく異なる位相の合波を利用)
比較例3において、図2に示すガス処理装置を用い、対象物質の処理効果を確かめる実験を行った。高電圧側電極−接地側電極に供給する印加電圧波形は、通常の高周波交流電圧に高周波方形波電圧の二つの電圧波形を、1kHzの同周波数、位相差10〜350degで重ね合わせた波形を用いた。被処理ガスとして10ppmのメチルメルカプタンを含有するN2べースガスを用い、ガス処理装置に流通した。次いで、高電圧側電極と接地側電極との間に0.88Wの電圧を印加してプラズマ放電を発生させて該N2ベースガスの処理を行った。ガス処理装置から排出された処理ガスをガス検知管により分析した結果、メチルメルカプタンの処理率は80〜82%であった。
比較例3において、図2に示すガス処理装置を用い、対象物質の処理効果を確かめる実験を行った。高電圧側電極−接地側電極に供給する印加電圧波形は、通常の高周波交流電圧に高周波方形波電圧の二つの電圧波形を、1kHzの同周波数、位相差10〜350degで重ね合わせた波形を用いた。被処理ガスとして10ppmのメチルメルカプタンを含有するN2べースガスを用い、ガス処理装置に流通した。次いで、高電圧側電極と接地側電極との間に0.88Wの電圧を印加してプラズマ放電を発生させて該N2ベースガスの処理を行った。ガス処理装置から排出された処理ガスをガス検知管により分析した結果、メチルメルカプタンの処理率は80〜82%であった。
実施例1,2において、比較例1、2と比べて、メチルメルカプタンの処理率が10%向上した。電力効率としては7%と向上し、15.9℃発熱を低減した。また、比較例3と比べて、高周波交流電圧と高周波方形波電圧が同位相である場合にメチルメルカプタンの処理率が10%向上した。以上より、高周波交流と高周波方形波を同周波数、同位相で重ね合わせることで、処理能力の向上と電力効率の向上化をはかることができる。
1 プラズマリアクタ
2 変圧器
3 発信器
4 高電圧電源
5 誘電体
6 接地側電極
7 高電圧側電極
8 印加電圧波形
9 交流電圧波形
10 方形波電圧波形
2 変圧器
3 発信器
4 高電圧電源
5 誘電体
6 接地側電極
7 高電圧側電極
8 印加電圧波形
9 交流電圧波形
10 方形波電圧波形
Claims (3)
- 対象物質を含有しているガスを大気圧プラズマにより処理するプラズマ処理方法において、高周波正弦波と高周波方形波とが同周波数、同位相で重ね合わされた合成波形から生成される前記大気圧プラズマにより前記対象物質を前記処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
- 前記合成波形は、前記高周波方形波の立ち上り部分と前記高周波正弦波のスロープ部分とから構成させる波形であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理方法。
- 一対の電極と前記一対の電極を収容するプラズマリアクタを有し、前記一対の電極に印加される高周波が生成する大気圧プラズマによりガスが含有する対象物質を処理するプラズマ処理装置において、高周波正弦波と高周波方形波から高周波合波を得る合波手段と、前記高周波合波を増幅する増幅手段とを有することを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004089541A JP2005270850A (ja) | 2004-03-25 | 2004-03-25 | プラズマ処理方法および装置 |
US11/080,550 US7279845B2 (en) | 2004-03-25 | 2005-03-16 | Plasma processing method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004089541A JP2005270850A (ja) | 2004-03-25 | 2004-03-25 | プラズマ処理方法および装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005270850A true JP2005270850A (ja) | 2005-10-06 |
Family
ID=34988987
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004089541A Withdrawn JP2005270850A (ja) | 2004-03-25 | 2004-03-25 | プラズマ処理方法および装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7279845B2 (ja) |
JP (1) | JP2005270850A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150055090A (ko) * | 2006-12-29 | 2015-05-20 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마-강화 기판 처리 방법 및 장치 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7750634B1 (en) * | 2006-05-22 | 2010-07-06 | Christensen Charles L | Methods and apparatus for detecting elements and compounds |
DE102014016380A1 (de) | 2014-11-06 | 2016-05-12 | Brückner Maschinenbau GmbH & Co. KG | Plasma Abgasreinigung |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5114770A (en) * | 1989-06-28 | 1992-05-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for continuously forming functional deposited films with a large area by a microwave plasma cvd method |
EP0508359B1 (de) * | 1991-04-12 | 1996-10-09 | Balzers Aktiengesellschaft | Verfahren und Anlage zur Beschichtung mindestens eines Gegenstandes |
US5900103A (en) * | 1994-04-20 | 1999-05-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and apparatus |
US6152071A (en) * | 1996-12-11 | 2000-11-28 | Canon Kabushiki Kaisha | High-frequency introducing means, plasma treatment apparatus, and plasma treatment method |
US6037717A (en) * | 1999-01-04 | 2000-03-14 | Advanced Ion Technology, Inc. | Cold-cathode ion source with a controlled position of ion beam |
JP2000325735A (ja) | 1999-03-16 | 2000-11-28 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマ処理用吸着体、該吸着体を用いた有害物質の分解装置及び分解方法 |
JP2000348896A (ja) | 1999-03-26 | 2000-12-15 | Canon Inc | プラズマ発生方法、プラズマ発生装置及びプラズマ反応によるガス処理方法 |
US6900596B2 (en) * | 2002-07-09 | 2005-05-31 | Applied Materials, Inc. | Capacitively coupled plasma reactor with uniform radial distribution of plasma |
JP2001314749A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-13 | Honda Motor Co Ltd | プラズマリアクタにおける異常判定方法 |
US7136831B2 (en) | 2001-04-27 | 2006-11-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Collection information management server and collection information management method |
WO2002097855A1 (en) * | 2001-05-29 | 2002-12-05 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method |
US20040025791A1 (en) * | 2002-08-09 | 2004-02-12 | Applied Materials, Inc. | Etch chamber with dual frequency biasing sources and a single frequency plasma generating source |
JP2005193151A (ja) | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Canon Inc | ガス処理装置 |
-
2004
- 2004-03-25 JP JP2004089541A patent/JP2005270850A/ja not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-03-16 US US11/080,550 patent/US7279845B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150055090A (ko) * | 2006-12-29 | 2015-05-20 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마-강화 기판 처리 방법 및 장치 |
KR101988081B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2019-06-11 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마-강화 기판 처리 방법 및 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050212441A1 (en) | 2005-09-29 |
US7279845B2 (en) | 2007-10-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Li et al. | Decomposition of toluene by streamer corona discharge with catalyst | |
Liang et al. | Experimental studies of removing typical VOCs by dielectric barrier discharge reactor of different sizes | |
US20080056934A1 (en) | Diffusive plasma air treatment and material processing | |
CA2462614A1 (en) | Sterilization and decontamination system using a plasma discharge and a filter | |
CN105080302A (zh) | 一种紫外光-等离子体协同降解有机废气装置及其方法 | |
KR101003729B1 (ko) | 공기 청정 및 살균용 플라즈마 발생장치 | |
Kuroki et al. | Toluene concentration using honeycomb nonthermal plasma desorption | |
JP2009240862A (ja) | ガス浄化装置 | |
Lu et al. | Decomposition of ammonia and hydrogen sulfide in simulated sludge drying waste gas by a novel non-thermal plasma | |
JP2007196100A (ja) | プラズマ式ガス処理装置 | |
JP2010137212A (ja) | プラズマ発生装置 | |
CN204911182U (zh) | 一种紫外光-等离子体协同降解有机废气装置 | |
JP2011078876A (ja) | 亜酸化窒素の還元方法及び還元装置 | |
US20190287763A1 (en) | Diffusive plasma air treatment and material processing | |
JP2005270850A (ja) | プラズマ処理方法および装置 | |
Jiang et al. | Enhanced degradation of benzene in surface/packed-bed hybrid discharge system: Optimization of the reactor structure and electrical parameters | |
KR100451125B1 (ko) | 저온 플라즈마 반응기를 이용한 유해 가스 처리 시스템 및그 제어 방법 | |
JP2004350890A (ja) | 浄化方法および浄化装置 | |
KR101647480B1 (ko) | 고농도 과산화수소 증기 제거용 대기압 플라즈마 장치 | |
KR100997165B1 (ko) | 공기 청정 및 살균용 플라즈마 발생장치에 사용되는 변압기 | |
CN217829507U (zh) | 高频谐振电源驱动辉光放电低温等离子体废气处理装置 | |
Wang et al. | Deep purification of industrial waste salt containing organic pollutants by a dry method with Non-thermal plasma | |
MuhammadArifMalik | Pulsed corona discharges and their applications in toxic VOCs abatement | |
JP2006122866A (ja) | ガス状ハロゲン化合物の処理方法及び処理装置 | |
JP2000140578A (ja) | 脱臭装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061212 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20081125 |