|
JP4484681B2
(ja)
*
|
2004-12-03 |
2010-06-16 |
富士フイルム株式会社 |
感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
|
|
JP4667945B2
(ja)
*
|
2005-04-20 |
2011-04-13 |
東京応化工業株式会社 |
ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
|
|
JP4940621B2
(ja)
*
|
2005-10-14 |
2012-05-30 |
Ｊｓｒ株式会社 |
塩基性化合物、感放射線性酸拡散制御剤及びポジ型感放射線性樹脂組成物
|
|
JP4671035B2
(ja)
*
|
2005-10-14 |
2011-04-13 |
信越化学工業株式会社 |
化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP2007108581A
(ja)
*
|
2005-10-17 |
2007-04-26 |
Fujifilm Corp |
ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
|
JP4895376B2
(ja)
*
|
2005-12-21 |
2012-03-14 |
富士フイルム株式会社 |
感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に於ける化合物
|
|
US8426101B2
(en)
|
2005-12-21 |
2013-04-23 |
Fujifilm Corporation |
Photosensitive composition, pattern-forming method using the photosensitve composition and compound in the photosensitive composition
|
|
TWI477909B
(zh)
*
|
2006-01-24 |
2015-03-21 |
Fujifilm Corp |
正型感光性組成物及使用它之圖案形成方法
|
|
JP2007199412A
(ja)
*
|
2006-01-26 |
2007-08-09 |
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd |
液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
|
|
JP4759403B2
(ja)
*
|
2006-02-06 |
2011-08-31 |
富士フイルム株式会社 |
感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
|
JP5374836B2
(ja)
*
|
2006-06-09 |
2013-12-25 |
住友化学株式会社 |
化学増幅型レジスト組成物の酸発生剤用の塩
|
|
JP5124805B2
(ja)
|
2006-06-27 |
2013-01-23 |
信越化学工業株式会社 |
光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP5019071B2
(ja)
|
2007-09-05 |
2012-09-05 |
信越化学工業株式会社 |
新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP5131482B2
(ja)
|
2008-02-13 |
2013-01-30 |
信越化学工業株式会社 |
ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP5460074B2
(ja)
*
|
2008-03-10 |
2014-04-02 |
東京応化工業株式会社 |
レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
|
|
EP2101217B1
(en)
|
2008-03-14 |
2011-05-11 |
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. |
Sulfonium salt-containing polymer, resist compositon, and patterning process
|
|
JP4998746B2
(ja)
|
2008-04-24 |
2012-08-15 |
信越化学工業株式会社 |
スルホニウム塩を含む高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP4569786B2
(ja)
|
2008-05-01 |
2010-10-27 |
信越化学工業株式会社 |
新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
|
|
JP5201363B2
(ja)
|
2008-08-28 |
2013-06-05 |
信越化学工業株式会社 |
重合性アニオンを有するスルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
TWI400226B
(zh)
|
2008-10-17 |
2013-07-01 |
Shinetsu Chemical Co |
具有聚合性陰離子之鹽及高分子化合物、光阻劑材料及圖案形成方法
|
|
JP5537829B2
(ja)
*
|
2009-03-31 |
2014-07-02 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法
|
|
JP5544212B2
(ja)
|
2009-04-27 |
2014-07-09 |
東京応化工業株式会社 |
レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物およびその製造方法、酸発生剤
|
|
KR20100121427A
(ko)
|
2009-05-07 |
2010-11-17 |
제이에스알 가부시끼가이샤 |
감방사선성 수지 조성물
|
|
JP5287552B2
(ja)
|
2009-07-02 |
2013-09-11 |
信越化学工業株式会社 |
光酸発生剤並びにレジスト材料及びパターン形成方法
|
|
EP2470958B1
(en)
*
|
2009-08-28 |
2019-05-01 |
FUJIFILM Corporation |
Actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition and method of forming pattern using the composition
|
|
JP5675125B2
(ja)
|
2009-09-30 |
2015-02-25 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
|
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JP5307171B2
(ja)
*
|
2011-02-28 |
2013-10-02 |
富士フイルム株式会社 |
レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜及びネガ型パターン形成方法
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JP6079217B2
(ja)
|
2011-12-28 |
2017-02-15 |
Jsr株式会社 |
フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法及び酸発生剤
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JP6013218B2
(ja)
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2012-02-28 |
2016-10-25 |
信越化学工業株式会社 |
酸発生剤、化学増幅型レジスト材料、及びパターン形成方法
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JP5615860B2
(ja)
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2012-03-07 |
2014-10-29 |
信越化学工業株式会社 |
酸発生剤、化学増幅型レジスト材料、及びパターン形成方法
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JP5764589B2
(ja)
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2012-10-31 |
2015-08-19 |
富士フイルム株式会社 |
化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
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JP5728517B2
(ja)
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2013-04-02 |
2015-06-03 |
富士フイルム株式会社 |
化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の製造方法、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
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KR101966671B1
(ko)
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2014-09-30 |
2019-04-09 |
후지필름 가부시키가이샤 |
레지스트막의 패터닝용 유기계 처리액, 레지스트막의 패터닝용 유기계 처리액의 제조 방법, 및 레지스트막의 패터닝용 유기계 처리액의 수용 용기와, 이들을 사용한 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법
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WO2017170428A1
(ja)
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2016-03-31 |
2017-10-05 |
富士フイルム株式会社 |
電子材料製造用薬液の製造方法、パターン形成方法、半導体デバイスの製造方法、電子材料製造用薬液、容器、及び、品質検査方法
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