JP2005266363A - 分極反転形成方法 - Google Patents
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Abstract
分極反転を形成する領域の幅が、50μm以上となる大面積であっても、分極反転領域内の分極反転状態を均質に形成することが可能であり、さらに、分極反転時に印加される電圧の強度を低減することを可能な分極反転形成方法を提供すること。
【解決手段】
強誘電体基板1の所望領域を分極反転させる分極反転形成方法において、該強誘電体基板の表面の該所望領域20に対し、基板表面への微小硬質材料の噴射または微小先端径を有する打撃部材による衝撃、あるいは、基板表面上に分散配置された微小硬質材料を擦過し、核成長を起こした後、該所望領域に所定の電圧を印加することにより、該強誘電体基板の該所望領域を分極反転させることを特徴とする。
【選択図】図4
Description
波長変換素子の例としては、以下の特許文献1に示すように、強誘電体LiNbO3などの電気光学効果を有する基板上に周期的な分極反転構造を形成しているものがある。
また、光変調器の例としては、以下の特許文献2に示すように、電気光学効果を有する基板上に光導波路を形成すると共に、該光導波路に係る基板の一部を分極反転させ、チャープ発生の抑制や変調強度の消光比の向上を図るものが提案されている。
特に、電界の印加による分極反転は、分極反転領域を正確に形成できると共に、形成方法が簡便であることなどの理由から、分極反転形成方法として良く利用されている。
これらの方法により、図1の場合には、電極2のパターンに応じた分極反転領域が、また、図2の場合には、マスクパターン5が形成されていない領域に対応した分極反転領域が、各々形成される。
これに対し、幅Lが50μm以上となるような大面積な分極反転領域を形成する場合には、分極反転を形成する領域の周辺部が優先的に分極反転され、領域全体としては不均一な分極反転状態を有する結果となる。また、基板となるウエハ自体の不均一性、電界を印加する電極の抵抗のバラツキによる電圧効果の差などの要因により、均一な分極反転が難しくなっている。このため、大口径のウエハを用いた場合には、ウエハ内の場所による分極反転状態の差が顕著となる。
また、分極反転を形成する領域の幅Lが50μm以上となる大面積の場合では、周辺部が優先的に分極反転されること、幅Lが広い場合は、該幅が狭い場合と比較し、核成長密度が低く、均一な分極反転の形成が難しいことなどが、容易に理解できる。
このため、非特許文献1〜6においては、低い電界パルスを基板に印加することにより、分極反転の核となる核成長を行い、次に高い電界パルスを印加することにより、該核から分域壁を進行させ分極反転を実現する方法が提案されている。
しかも、この方法により、均一な分極反転領域が得られることが報告されている。
栗村直、他9名,「LiNbO3の分極反転における選択的核成長方法I〜動機とその背景〜」,第49回応用物理学関連連合講演会講演予稿集,2002年3月 阿久津剛史、他7名,「LiNbO3の分極反転における選択的核成長方法II〜選択的核成長法による周期分極反転〜」,第49回応用物理学関連連合講演会講演予稿集,2002年3月 丸山真幸、他5名,「LiNbO3の分極反転における選択的核成長方法III〜核成長密度の粒子解析による定量化〜」,第49回応用物理学関連連合講演会講演予稿集,2002年3月 野村善行、他7名,「LiNbO3の分極反転における選択的核成長方法IV〜核成長密度のパルス数依存性〜」,第63回応用物理学会学術講演会講演予稿集,2002年9月 丸山真幸、他7名,「LiNbO3の分極反転における選択的核成長方法V〜短周期分極反転における核成長条件〜」,第63回応用物理学会学術講演会講演予稿集,2002年9月 丸山真幸、他7名,「LiNbO3の分極反転における選択的核成長方法VII〜高アスペクト比短周期分極反転による第2高調波発生〜」,第50回応用物理学関連連合講演会講演予稿集,2003年3月
そして、その後、該所望領域に所定の電圧を印加することにより、核を中心に分極反転が形成される。
これにより、周辺部のみならず、領域内部にも核成長を起こし核成長密度を高めることが可能であり、大面積の分極反転領域を形成する場合でも、均一な分極反転を実現することが可能となる。
しかも、LiNbO3やLiTaO3結晶の場合、基板表面への核成長は、微小な応力や衝撃により起こすことが可能であるため、大規模な装置を必要とせず、容易に形成することが可能である。さらに、基板表面に形成するのは微小な核であるため、基板全体に掛かる機械的負荷が少なく、基板自体の機械的特性を劣化させることもない。
図4は、強誘電体基板1の表面に、分極反転領域2に核成長を多数起こした状態を示す図である。
このような核成長がある場合、強誘電体基板に電界を印加すると、この核を中心に分極反転が進行する。このため、この核が所望の反転領域内に適度に存在していれば、例えば直径2インチを超えるような大口径強誘電体ウエハ内において、分極反転領域幅が25μmを超えるような大面積の領域を複数箇所、同時に分極反転させる際においても、大口径ウエハ内に一括して均一な分極反転状態を実現することが可能となる。
以下、具体的な方法を列挙する。
基板表面上の分極反転領域以外をゴム系レジスト膜等で被覆し、微小硬質材料である研磨剤、ドライアイスなどを該基板表面に高速噴射し、その衝撃で核成長を起こす。
マイクロサンドブラスト法と同様に、基板表面上をゴム系レジスト膜等で被覆し、ワイヤブラシなど微小先端径を有する打撃部材で、該基板表面に衝撃を与え、核成長を起こす。
ワイヤドットインパクトプリンタのプリンタヘッドにて、基板表面の分極反転領域に対し選択的に衝撃を与え、核成長を起こす。
スクリーン印刷法やインクジェットプリンタなどにより、硬質樹脂や研磨材を含有した樹脂インクを用いて、基板表面に分極反転領域の形状パターンの印刷を行い、印刷乾燥後、布または紙などの緩衝材を介して、バレンなどにより印刷部を擦過し、核成長を起こす。
基板表面上の分極反転領域以外をゴム系レジスト膜等で被覆し、研磨シートを基板表面に押圧又は擦過する。あるいは、該被覆後、研磨材を基板表面に散布し、研磨材を基板表面に押し当てるように擦過する。さらには、予め分極反転領域の形状にパターニングした研磨シートを作製し、該シートを基板に張り合わせて、研磨シートを基板に押し当てるようにプレスする。
具体的には、基板表面に分極反転領域に対応した電極パターンを形成し、該基板の裏面には、一様な電極を形成する。両電極間にパルス電圧を印加すると、核を中心に分極反転が進行し、該電極パターンに対応した均一な分極反転を形成することが可能となる。
なお、上記核成長を起こす際に利用したゴム系レジスト膜などを、上記の絶縁性マスクパターンの代わりに代用することも可能である。
具体的には、図5(a)に示すような幅20μm以上の分極反転領域を形成する場合、まず、図5(b)のように、幅4μmの微細なストライプ状のマスクパターン(絶縁性マスクのストライプ状の部分に開口が形成されているもの)の集合体として、所定の形状の分極反転領域を形成し、次に、図2に示すように該ストライプ状の開口を介して導電性液体を強誘電体基板に接触させ、電界を該基板に印加する。
また、微細なパターンの形状としては、図5(b)のようなストライプ状のもに限らず、図5(c)のように長円状のもの、図5(d)のように6角形状のもの、図5(e)のように網目状のもの、さらには、図5(f)のように井桁状(あるいは「ひし形状」)のものなど、各種の応用が可能である。なお、各パターンに付してある数字は、mm単位の幅を示すものである。
さらに、微細なパターンに直線部分を設ける場合には、強誘電体基板の結晶方位との関係で、分極反転領域の結合が起き難い場合があり、直線部分と結晶方位との角度を考慮する必要がある。
また、上記のような微細パターンにより分極反転を形成する領域全体を分極反転させるだけでなく、最初に、微細パターンにより核成長を行い、その後、通常の電極パターン又はマスクパターンで、電界を印加することで、核を中心に分極反転を発生させることも可能である。
具体的には、分極反転を所望する領域の厚さを薄くすることにより、該所望領域の電界を該所望領域以外の領域の電界より高くすることが可能となり、マスク等を用いることなく該所望領域のみの分極反転が可能となる。
特に、分極反転領域の基板の厚みを肉薄加工することにより、印加電圧の低減を達成することができる。好ましくは、分極反転領域に対応したパターンで、基板の裏面から肉薄化し、導電性液体を用いて電圧を印加する。
肉薄化の方法としては、基板の裏面上に分極反転領域外をゴム系レジスト膜などで被覆し、砂目が#600程度の微小硬質材料を噴射して、サブミクロンから25μm程度掘り込む。その後、図6のような液体電極法により、基板に電圧を印加し、分極反転領域を形成する。
この際、分極反転を所望する肉薄部A部と分極反転を所望しないB部とには同電圧が印加されるが、A部の実効電界aは、B部の電界bに比べ強くなる。よって、A部を分極反転が促進される電界以上にし、B部を分極反転が促進される電界未満となるように、該電圧、ならびに肉薄部Aの厚さを制御すれば、該所望部のみの分極反転が可能となる。
また、この場合、仮に過剰な時間にわたって電界を印加したとしても、B部は分極反転が生じ得ないことから、反転電流等を監視することによる電界印加時間の厳密な制御を用いることなしに、所望の反転領域が得られる。しかも、分極反転に必要な電圧は、肉薄化を行わない場合の電圧よりも、低いものとなる。
例えば、弗酸系ケミカルエッチングにおいては、基板裏面上の分極反転領域外をポリイミド系レジストなどで被覆し、弗酸エッチングを行う。エッチングの深さはサブミクロンから数μm程度であり、その後、液体電極法により、基板に電圧を印加する。
電圧の印加方法としては、上記の微小硬質材料で肉薄化した場合と同様に電圧の印加を行う。ただし、基板の肉薄化前に、基板全体に通常の分極反転より高い電圧を印加し、基板全体の極性を一度反転させ、その後、上記の肉薄化処理を行い、基板の分極反転領域に先に印加した電圧とは逆極性の電圧を印加することで、分極反転領域を形成することも可能である。この場合には、より均一な分極反転領域を形成することが可能となる。
上述の基板の肉薄化を利用して分極反転領域を形成し、更に、該肉薄化した基板面に導波路を作製する場合には、肉薄化による基板表面の段差が光学損失の原因となるため、研磨などによって、該段差を除去するのが望ましい。
また、強誘電体基板の一方の面を、分極反転領域の形状に合わせて、切削または侵食などにより薄く形成し、基板の他方の面に光導波路を形成する場合には、基板の厚みの変化が光導波路に影響を与えず、光学損失などの特性の劣化の無い導波路素子を提供することが可能となる。なお、この場合には、分極反転領域の形成と光導波路の形成とは、順序がが前後しても、共に導波路素子を製造することができる。
また、分極反転における印加電圧を下げる方法として、電圧印加時に紫外線を基板に照射する方法や、基板上の分極反転領域に対応する領域に予め不純物をドープする方法などを、必要に応じて組み合わせることも可能である。
2 パターン電極
3 裏面電極
4 印加電圧
5 絶縁性マスクパターン
6,7 電極
8,9 シール部材
10 分極反転領域
20 微小欠陥又は微小残留応力領域
Claims (5)
- 強誘電体基板の所望領域を分極反転させる分極反転形成方法において、
該強誘電体基板の表面の該所望領域に対し、基板表面への微小硬質材料の噴射または微小先端径を有する打撃部材による衝撃、あるいは、基板表面上に分散配置された微小硬質材料を擦過し、
その後、該所望領域に所定の電圧を印加することにより、該強誘電体基板の該所望領域を分極反転させることを特徴とする分極反転形成方法。 - 強誘電体基板の所望領域を分極反転させる分極反転形成方法において、
該強誘電体基板の表面の該所望領域に対し、電極パターン又はマスクパターンを微細なパターンの集合体として形成し、該所望領域に所定の電圧を印加することを特徴とする分極反転形成方法。 - 強誘電体基板の所望領域を分極反転させる分極反転形成方法において、
該強誘電体基板の該所望領域における基板の厚みを、該所望領域以外の基板の厚みより薄く形成し、
該所望領域に所定の電圧を印加することにより、該強誘電体基板の該所望領域を分極反転させることを特徴とする分極反転形成方法。 - 請求項3に記載の分極反転形成方法において、該強誘電体基板の厚みを薄く形成するため、基板表面のエッチングを行うことを特徴とする分極反転形成方法。
- 請求項3又は4に記載の分極反転形成方法において、該強誘電体基板の厚みを薄く形成する面と、該強誘電体基板に導波路を形成する面とは、異なる面であることを特徴とする分極反転形成方法。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008009066A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 周期分極反転構造の作製方法および作製装置 |
JP2008185892A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電体基板の分極反転方法および分極反転デバイス |
JP2009192848A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Ntt Electornics Corp | 波長変換素子用薄膜基板及び波長変換素子用導波路 |
JP2010019994A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 分極反転領域の形成方法、擬似位相整合素子の製造方法、及び擬似位相整合素子 |
JP2010107731A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Ngk Insulators Ltd | 強誘電体バルク素子 |
JP2010134425A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-06-17 | Ngk Insulators Ltd | 分極反転部分の製造方法 |
CN115116829A (zh) * | 2022-08-29 | 2022-09-27 | 中北大学 | 一种铌酸锂单晶薄膜畴壁增强力电耦合响应器件制备方法 |
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2004
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008009066A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 周期分極反転構造の作製方法および作製装置 |
JP4553873B2 (ja) * | 2006-06-28 | 2010-09-29 | 日本電信電話株式会社 | 周期分極反転構造の作製方法 |
JP2008185892A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電体基板の分極反転方法および分極反転デバイス |
JP2009192848A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Ntt Electornics Corp | 波長変換素子用薄膜基板及び波長変換素子用導波路 |
JP2010019994A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 分極反転領域の形成方法、擬似位相整合素子の製造方法、及び擬似位相整合素子 |
JP2010107731A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Ngk Insulators Ltd | 強誘電体バルク素子 |
JP2010134425A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-06-17 | Ngk Insulators Ltd | 分極反転部分の製造方法 |
CN115116829A (zh) * | 2022-08-29 | 2022-09-27 | 中北大学 | 一种铌酸锂单晶薄膜畴壁增强力电耦合响应器件制备方法 |
CN115116829B (zh) * | 2022-08-29 | 2022-11-22 | 中北大学 | 一种铌酸锂单晶薄膜畴壁增强力电耦合响应器件制备方法 |
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