JP2008009066A - 周期分極反転構造の作製方法および作製装置 - Google Patents

周期分極反転構造の作製方法および作製装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008009066A
JP2008009066A JP2006178370A JP2006178370A JP2008009066A JP 2008009066 A JP2008009066 A JP 2008009066A JP 2006178370 A JP2006178370 A JP 2006178370A JP 2006178370 A JP2006178370 A JP 2006178370A JP 2008009066 A JP2008009066 A JP 2008009066A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nonlinear optical
optical crystal
crystal
resist pattern
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006178370A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4553873B2 (ja
Inventor
Takeshi Umeki
毅伺 梅木
Masao Yube
雅生 遊部
Yoshiki Nishida
好毅 西田
Osamu Tadanaga
修 忠永
Katsuaki Magari
克明 曲
Tsutomu Yanagawa
勉 柳川
Hiroyuki Suzuki
博之 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP2006178370A priority Critical patent/JP4553873B2/ja
Publication of JP2008009066A publication Critical patent/JP2008009066A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4553873B2 publication Critical patent/JP4553873B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

【課題】簡単、簡便かつ均一性、再現性の高い周期分極反転構造の作製方法および作製装置を提供する。
【解決手段】2次非線形光学結晶31に、分極反転の周期に一致するレジストパターン33を形成する。レジストパターン33が形成された面と、この面と対向する面との間で、2次非線形光学結晶31に電界が加わるように、2次非線形光学結晶31と電圧源38との間で、液体電極32,34により電気的接続を確保する。電界の方向と平行に紫外光を照射しながら、電圧源38から2次非線形光学結晶31に対して電圧を印加する。
【選択図】図3

Description

本発明は、周期分極反転構造の作製方法および作製装置に関し、より詳細には、可視光レーザまたは中赤外光レーザとして実用化が期待されている擬似位相整合型波長変換素子に用いられる2次非線形光学結晶に周期分極反転構造を作製する方法およびその作製装置に関する。
紫外域−可視域−赤外域−テラヘルツ域にわたるコヒーレント光の発生と変調を行う非線形光学デバイス及び電気光学デバイスの開発が進められている。これら光学デバイスは、光通信における光波長変換または光変調、光計測、光加工、医療、生物工学などの分野に広く応用されている。非線形光学媒質および電気光学媒質としては、種々の材料が研究されている。その中で、ニオブ酸リチウム(LiNbO:以下、LNという)などの2次非線形光学材料を用い、非線形定数が周期的に変化するように変調された、いわゆる「擬似位相整合型構造」の光学デバイスが有望視されている(例えば、非特許文献1参照)。擬似位相整合(または擬似郡速度整合)型構造を実現するためには、2次非線形光学結晶の自発分極の極性が周期的に反転している周期分極反転構造を作製する。この構造により、非線形光学デバイスまたは電気光学デバイスにおける光波長変換、光変調の効率を飛躍的に高めることができる。
LN結晶等における周期分極反転構造の作製技術については多くの研究がなされ、いくつかの方法が開発されている。その中で、良好な結果が再現性よく得られ、かつ、特殊な設備を必要としない最も実用的な方法は、電圧パルスを印加する方法である。電圧印加法は、LN結晶の表面上にリソグラフィにより周期的なレジストパターンを形成し、これを利用して、金属薄膜電極、液体電極等の周期的な電極パターンを形成する。この電極に電圧パルスを印加して、LN結晶の自発分極の極性を周期的に反転させる。
一方、Mg、Zn等の物質をドーピングした2次非線形光学結晶は、ドーピングしない結晶に比べ光損傷耐性が高く、実用上最も有力な材料として多用されている。しかし、ドーピングした結晶は、ドーピングしない結晶とは異なる分極反転特性を示し、周期分極反転構造の作製が困難であることが知られている。ドーピングした結晶に周期分極反転構造を作製する方法については、少数の報告がなされている。例えば、リソグラフィにより分極反転の周期に対応する電極パターンを形成し上で、結晶を100℃程度に加熱した状態において電圧パルスを印加する方法である。また、非特許文献2には、紫外光を周期的なパターンで照射した状態において、一様に電界を印加することが開示されている。
ドーピングした結晶に周期分極反転構造を作製する際に、結晶の加熱を必要とする場合においては、液体電極の使用が難しく、加熱を行いながら電界を印加する方法は、作業性が悪いという問題があった。場合によっては、レジストパターンの形成に加えて金属薄膜電極を堆積する過程が必要となったり、加熱に多大な時間を要することから、生産性が非常に低いという問題があった。
図1に、従来の周期分極反転構造を作製する方法を示す。MgをドーピングしたLN結晶11に、周期分極反転構造を作製する。最初に、Crからなる金属薄膜電極13を、分極反転の周期に対応するパターンで、石英基板12に形成する。石英基板12の電極が形成された表面を、液体電極15を介して、LN結晶11の一方の面に押し当てる。LN結晶11の他方の面には、液体電極16を介して、Al基板14を押し当てる。
石英基板12の裏面から紫外光を垂直方向に照射すると、金属薄膜電極13がマスクパターンとなって、分極反転の周期に対応するパターンでLN結晶11に照射される。この状態において、電圧源18から液体電極15,16を介して、LN結晶11に一様に電界Zを印加する。LN結晶11の紫外光が照射された部分は、分極反転に必要な電圧が下がるので、この部分の分極のみが反転し、金属薄膜電極13のパターンに応じた周期分極反転構造を作製することができる。
図2に、印加電圧とLN結晶11内での分極反転の割合との関係を示す。理想的な結晶基板においては、一点鎖線21で示したように、ある反転電圧VR0を境に、ステップ関数型の振る舞いをする。しかしながら、結晶の不均一性、基板の厚さにより各点で反転電圧が異なるため、点線22で示したように、理想的な状態から低電圧側にいくらか滑らかな形状となる。これは、反転電圧VR0よりも小さい電圧を印加した場合でも、分極反転が起こる領域があることを示している。
LN結晶11に紫外光を照射すると、照射されている部分の反転電圧が下がり、破線23で示した振る舞いをする。このとき、反転電圧VR1を印加した場合、理想的には紫外光が照射された部分のみが反転する(A)が、紫外光が照射されていない部分にも一様に電界が印加されているため、実際には反転する領域が出現する(B)。具体的には、紫外光による反転電圧の低下は20〜40%程度であり、例えば、3インチ径LN基板の面内の反転電圧のばらつきは10〜30%程度である。従って、従来の方法では、LN結晶の広い面積にわたって均一に分極反転構造を作製することができない、すなわち再現性が悪いという問題もあった。具体的には、LN結晶を用いて長尺の光学デバイスを作製する場合に、実用に供することのできる素子の長さは数ミリ程度であった。
さらに、LN結晶11と石英基板12との密着が不十分な場合には、紫外光の回折による影響を受けたり、紫外光のパワーの不均一性に伴う影響を受けることにより、広い面積に均一に分極反転構造を作製することが難しい。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、簡単、簡便かつ均一性、再現性の高い周期分極反転構造の作製方法および作製装置を提供することにある。
本発明は、このような目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、2次非線形光学結晶に周期分極反転構造を作製する作製方法において、前記2次非線形光学結晶に、分極反転の周期に一致するレジストパターンを形成する第1工程と、前記レジストパターンが形成された面と、この面と対向する面との間で、前記2次非線形光学結晶に電界が加わるように、前記2次非線形光学結晶と電圧源との間で電気的接続を確保する第2工程と、前記電界の方向と平行に紫外光を照射する第3工程と、前記紫外光を照射しながら、前記電圧源から前記2次非線形光学結晶に対して電圧を印加する第4工程とを備えたことを特徴とする。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の前記第3工程は、前記レジストパターンが形成された面から、前記電界の方向と平行に紫外光を照射することを特徴とする。
請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載の前記2次非線形光学結晶は、LiNbO、LiTaO、LiNbTa1−x(0≦x≦1)の少なくとも1つからなることを特徴とする。
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の前記2次非線形光学結晶は、Mg、Zn、Sc、Inの少なくとも1種を添加物として含有することを特徴とする。
請求項5に記載の発明は、2次非線形光学結晶に周期分極反転構造を作製する作製装置において、分極反転の周期に一致するレジストパターンが形成された前記2次非線形光学結晶の前記レジストパターンが形成された面と対向する面を固定する第1容器と、前記レジストパターンが形成された面を固定する第2容器と、前記レジストパターンが形成された面と前記対向する面との間で、前記2次非線形光学結晶に電界が加わるように、前記2次非線形光学結晶と電圧源との間で電気的接続を確保する手段とを備え、前記第2容器は、前記電界の方向と平行に、前記2次非線形光学結晶に紫外光を照射するための貫通口を有し、該貫通口から前記紫外光を照射しながら、前記電圧源から前記2次非線形光学結晶に対して電圧を印加することができることを特徴とする。
以上説明したように、本発明によれば、印加する電界の方向と平行に、2次非線形光学結晶に紫外光を照射しながら、電圧源から2次非線形光学結晶に対して電圧を印加するので、分極を反転しない領域には電界が印加されないため、均一性、再現性の高い周期分極反転構造を作製することが可能となる。
また、本発明によれば、常温にて電圧を印加することができるため、簡単、簡便に周期分極反転構造を作製することが可能となる。
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。本実施形態においては、MgまたはZnをドーピングした2次非線形光学結晶の一方の面(ここでは、−Z面という)に、分極反転の周期に対応する電極パターンを形成する。そして、−Z面またはこれに対向する面(ここでは、+Z面という)から、結晶に紫外光を照射した状態において、結晶の−Z面と+Z面との間に電界を印加することにより、周期分極反転構造を作製する。
(第1の実施形態)
図3に、本発明の第1の実施形態にかかる周期分極反転構造を作製する方法を示す。第1の実施形態では、2次非線形光学結晶として、ZカットZnドープLN結晶基板31を用いる。(1)最初に、作製する光学デバイスの仕様に適合するように、分極反転の周期を選択する。(2)標準的なリソグラフィの技術を用いて、基板31の−Z面上に、分極反転の周期に対応するレジストパターン33を形成する。ここで、基板31との電気的接触を確保するために、基板31とレジストパターン33とを覆うように、さらに、金属薄膜電極を堆積してもよい。(3)基板31の−Z面および+Z面または少なくとも一方に、塩化リチウム(LiCl)飽和水溶液などの導電性の液体電極32,34を用いて、基板31と電圧源38との電気的接続を確保する。
(4)次に、基板31の+Z面(第1の実施形態ではレジストパターン33を形成していない面)から基板31に垂直な方向、すなわち印加する電界と平行に、超高圧水銀灯からの紫外光を照射する。典型的な紫外光の強度としては、10〜500mW/cm程度であり、より好ましくは50〜200mW/cm程度である。
(5)この状態において、電圧源38から液体電極32,34を介して、基板31に一様に電界Zを印加する。電圧源38からは、数kVの直流電圧で、パルス幅数百msの電圧パルスを印加する。最適な電圧とパルス幅とは、結晶の厚さ、結晶方位、ドープの濃度、照射する紫外光強度に依存する。典型的な値としては、厚さ0.3mmの基板31に対して、電圧0.5〜1kV、パルス幅0.1〜1秒程度である。
図4に、印加電圧と分極反転の割合との関係を示す。図2と同様に、結晶の不均一性、基板の厚さにより各点で反転電圧が異なるため、点線42で示したように、理想的な状態から低電圧側にいくらか滑らかな形状となっている。紫外光を照射すると、分極反転に必要な電圧は、10〜30%程度低下する。反転電圧VR2を印加すると、電界が印加された部分には紫外光が照射されているので、分極が反転する(A)。一方、その他の領域は、紫外光が照射されているものの、レジストパターン33により電界が印加されていないので、分極の反転は起こらない。すなわち、図2示した(B)の領域が出現することはない。
第1の実施形態によれば、分極を反転しない領域においても電界が印加されていた従来の方法とは異なり、分極を反転しない領域には電界が印加されないため、非常に広範囲わたって均一な分極反転構造を作製することができる。具体的には、従来の方法では、素子の長さ1cm未満の光学デバイスしか作製できなかったが、第1の実施形態によれば、3インチ基板全面にわたって均一に作製することができる。従って、光波長変換の効率に換算すれば、およそ25倍の効率を得ることができる。
(第2の実施形態)
図5に、本発明の第2の実施形態にかかる周期分極反転構造を作製する方法を示す。第2の実施形態でも、2次非線形光学結晶として、ZカットZnドープLN結晶基板51を用いる。標準的なリソグラフィの技術を用いて、基板51の−Z面上に、分極反転の周期に対応するレジストパターン53を形成する。さらに、レジストパターン53上に、紫外光をカットするための金属パターン57を蒸着する。液体電極52,54を介して、電圧源58から電圧を印加する構成は、第1の実施形態と同じである。
第2の実施形態では、レジストパターン53を形成した面、すなわち−Z面から、基板51に垂直な方向に、超高圧水銀灯からの紫外光を照射する。この状態において、電圧源58から液体電極52,54を介して、基板51に一様に電界Zを印加する。電界が印加された部分には紫外光が照射されているので反転電圧が下がり、分極が反転する。一方、その他の領域は、紫外光が照射されないので反転電圧は下がらず、レジストパターン53により電界が印加されないので、分極の反転は起こらない。
第2の実施形態によれば、分極反転の周期が短い微細な周期分極反転構造を作製するのに適している。分極反転の周期10μm以上では、第1および第2の実施形態の間で、周期分極反転構造の均一性は変わらない。しかし、分極反転の周期2〜5μm程度になると、上述のZカットZnドープLN結晶基板において、第2の実施形態では、20%程度の均一性の向上が見られる。このことは、光学デバイスとしての実効的な素子の長さが20%向上することを意味している。
上述したとおり、MgまたはZnをドーピングした2次非線形光学結晶に周期分極反転構造を作製する際に、結晶を100℃程度に加熱した状態において電圧パルスを印加する必要があった。本実施形態よれば、常温にて電圧パルスを印加することができるため、作業性がよく、生産性に優れている。また、光損傷耐性のさらなる向上といった面などから、MgまたはZnの添加量の増加、または、その他の物質の添加が行われると考えられる。このとき、結晶のさらなる加熱は、結晶の焦電効果の増大、生産性の低下といった問題点から有効な手段とはいえない。一方、本実施形態よれば、照射する紫外光の強度を高くすることにより、このような問題点を解決することができる。
さらに、結晶の加熱による方法では、温度むらによる均一性の低下、液体電極が加熱されることにより気泡が発生し、その部分の分極反転構造が作製できないといった問題が生じた。本実施形態よれば、結晶の加熱を必要としないことから、再現性がよく、広い面積にわたって均一に分極反転構造を作製することができる。
本実施形態においては、超高圧水銀灯と電圧源といった一般的な器具のみからなる作製装置で実施可能であり、特殊な装置を必要としない。従って、簡単、簡便かつ均一性、再現性の高い周期分極反転構造の作製装置を提供することができる。以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限られるものではない。
なお、2次非線形光学結晶として、LN結晶を用いたが、LiTaO(以下、LTという)、LiNbTa1−x(0≦x≦1)を用いることもできる。また、結晶には、MgまたはZnのみならず、ScまたはInを添加することもできる。
図6に、本発明の実施例にかかる周期分極反転構造の作成装置を示す。実施例1では、2次非線形光学結晶として、基板厚さ300μm、3インチ、ノンドープLiNbO結晶基板61を用いる。基板61の表面を有機洗浄ののち親油性処理を行い、シプレイ社製S1818レジストを基板上にて滴下してスピンコートする。スピンコートされたレジスト膜を、恒温炉中でベーキングすることにより乾燥、固化させる。分極反転の周期に対応するフォトマスクを、レジスト膜にコンタクトさせて、紫外線を照射、露光し、現像することによってレジストパターン63を形成する。実施例1では、分極反転の周期を5μmとする。
ステンレス製の容器81に、Oリング82を介して基板61の+Z面を固定する。基板61のレジストパターン63が形成された面(−Z面)に、Oリング84を介してアクリル製の容器83を固定し、容器81と容器83とにより、基板61を挟持する。Oリング82,84の内部には、塩化リチウム飽和水溶液からなる液体電極62,64を注入する。基板61のレジストパターン63が形成された面(−Z面)は、液体電極62、電極棒86を介して電圧源88に接続され、基板61のレジストパターン63が形成されていない面(+Z面)は、液体電極64、容器81、電極棒87を介して電圧源88に接続されている。
容器83は、基板61のレジストパターン63が形成された面に対応して、貫通口が設けられており、基板61に垂直な方向に、超高圧水銀灯85から、100mW/cm程度の紫外光を照射する。この状態において、電極棒87を接地して、電圧源38から電極棒86に負の電圧0.7kVを、0.2秒間印加する。このようにして、周期5μmで均一性の高い周期分極反転構造を有するLN基板を作製することができる。
作製されたLN基板から周期分極反転構造に直交する向きに、短冊状の素子を切り出す。切り出した素子の両端面を研磨した後、波長976nmの励起光を入射すると、第二高調波発生により波長488nmの青色光を得ることができる。
このほか、MgドープLN基板、Zn及びMgドープLT基板を用いた場合においても、同様の周期分極反転構造を作製することができる。また、分極反転の周期を2μm以上の任意の周期で、分極反転構造を作製することもできる。
従来の周期分極反転構造を作製する方法を示す図である。 印加電圧と分極反転の割合との関係を示す図である。 本発明の第1の実施形態にかかる周期分極反転構造を作製する方法を示す図である。 印加電圧と分極反転の割合との関係を示す図である。 本発明の第2の実施形態にかかる周期分極反転構造を作製する方法を示す図である。 本発明の実施例にかかる周期分極反転構造の作成装置を示す図である。
符号の説明
11 LN結晶
12 石英基板
13 金属薄膜電極
14 Al基板
15,16,32,34,52,54,62,64 液体電極
18,38,58,88 電圧源
19 電荷モニタ
31,51,61 基板
33,53,63 レジストパターン
57 金属パターン
81,83 容器
82,84 Oリング
85 超高圧水銀灯
86,87 電極棒

Claims (5)

  1. 2次非線形光学結晶に周期分極反転構造を作製する作製方法において、
    前記2次非線形光学結晶に、分極反転の周期に一致するレジストパターンを形成する第1工程と、
    前記レジストパターンが形成された面と、この面と対向する面との間で、前記2次非線形光学結晶に電界が加わるように、前記2次非線形光学結晶と電圧源との間で電気的接続を確保する第2工程と、
    前記電界の方向と平行に紫外光を照射する第3工程と、
    前記紫外光を照射しながら、前記電圧源から前記2次非線形光学結晶に対して電圧を印加する第4工程と
    を備えたことを特徴とする周期分極反転構造の作製方法。
  2. 前記第3工程は、前記レジストパターンが形成された面から、前記電界の方向と平行に紫外光を照射することを特徴とする請求項1に記載の周期分極反転構造の作製方法。
  3. 前記2次非線形光学結晶は、LiNbO、LiTaO、LiNbTa1−x(0≦x≦1)の少なくとも1つからなることを特徴とする請求項1または2に記載の周期分極反転構造の作製方法。
  4. 前記2次非線形光学結晶は、Mg、Zn、Sc、Inの少なくとも1種を添加物として含有することを特徴とする請求項3に記載の周期分極反転構造の作製方法。
  5. 2次非線形光学結晶に周期分極反転構造を作製する作製装置において、
    分極反転の周期に一致するレジストパターンが形成された前記2次非線形光学結晶の前記レジストパターンが形成された面と対向する面を固定する第1容器と、
    前記レジストパターンが形成された面を固定する第2容器と、
    前記レジストパターンが形成された面と前記対向する面との間で、前記2次非線形光学結晶に電界が加わるように、前記2次非線形光学結晶と電圧源との間で電気的接続を確保する手段とを備え、
    前記第2容器は、前記電界の方向と平行に、前記2次非線形光学結晶に紫外光を照射するための貫通口を有し、該貫通口から前記紫外光を照射しながら、前記電圧源から前記2次非線形光学結晶に対して電圧を印加することができることを特徴とする周期分極反転構造の作製装置。
JP2006178370A 2006-06-28 2006-06-28 周期分極反転構造の作製方法 Expired - Fee Related JP4553873B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006178370A JP4553873B2 (ja) 2006-06-28 2006-06-28 周期分極反転構造の作製方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006178370A JP4553873B2 (ja) 2006-06-28 2006-06-28 周期分極反転構造の作製方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008009066A true JP2008009066A (ja) 2008-01-17
JP4553873B2 JP4553873B2 (ja) 2010-09-29

Family

ID=39067363

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006178370A Expired - Fee Related JP4553873B2 (ja) 2006-06-28 2006-06-28 周期分極反転構造の作製方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4553873B2 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000231128A (ja) * 1999-02-10 2000-08-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 非線形光学素子、それを用いた非線形光学装置、及び非線形光学素子の製造方法
JP2002031827A (ja) * 2000-07-19 2002-01-31 Tohoku Techno Arch Co Ltd 増大化された有効開口面積を持つ構造の周期分極反転非線形光学材料
JP2004279601A (ja) * 2003-03-13 2004-10-07 Tohoku Techno Arch Co Ltd 分極反転格子の作製装置および作製方法
JP2005266363A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 分極反転形成方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000231128A (ja) * 1999-02-10 2000-08-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 非線形光学素子、それを用いた非線形光学装置、及び非線形光学素子の製造方法
JP2002031827A (ja) * 2000-07-19 2002-01-31 Tohoku Techno Arch Co Ltd 増大化された有効開口面積を持つ構造の周期分極反転非線形光学材料
JP2004279601A (ja) * 2003-03-13 2004-10-07 Tohoku Techno Arch Co Ltd 分極反転格子の作製装置および作製方法
JP2005266363A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 分極反転形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4553873B2 (ja) 2010-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Shur et al. Periodically poled crystals of KTP family: a review
Canalias et al. Submicron periodically poled flux-grown KTiOPO 4
US8064129B2 (en) Process for poling a ferroelectric material doped with a metal
Gui Periodically poled ridge waveguides and photonic wires in LiNbO3 for efficient nonlinear interactions
JPWO2006101034A1 (ja) 周期分極反転構造の作製方法
US6952307B2 (en) Electric field poling of ferroelectric materials
JP4553873B2 (ja) 周期分極反転構造の作製方法
Banys et al. Non-destructive periodic poling quality evaluation of MgO: PPLN and Rb: PPKTP crystals based on crystal translation and parametric light generation
Restoin et al. Ferroelectric-domain-inverted gratings by electron beam on LiNbO3
JP2006259338A (ja) 分極反転構造の作製方法及び分極反転構造の作製装置
Choi et al. Poling quality enhancement of PPLN devices using negative multiple pulse poling method
Busacca et al. Parametric conversion in micrometer and submicrometer structured ferroelectric crystals by surface poling
JP2004279601A (ja) 分極反転格子の作製装置および作製方法
Canalias et al. Periodic poling of KTiOPO4: from micrometer to sub-micrometer domain gratings
Kwon et al. Influence of annealing temperature on domain shape of periodically poled LiNbO3 for Ti: LN waveguides
Fujimura et al. Formation of MgO: LiNbO 3 Domain-Inverted Gratings by Voltage Application under UV Light Irradiation at Room Temperature.
JP4764964B2 (ja) 微小周期分極反転構造形成方法及び微小周期分極反転構造
Sebastián-Vicente et al. All-Optical Domain Inversion in LiNbO3 Crystals by Visible Continuous-Wave Laser Irradiation
Shandarov et al. Planar domain structures formed by electron-beam poling in Y-and X-cut LiNbO 3 and waveguides Zn: LiNbO 3
Mizunami et al. Quasi-phase-matched second-harmonic generation in thermally poled twin-hole silica-glass optical fiber by mercury-lamp exposure
JP2008158017A (ja) 分極反転構造作製用の電極および電極の作製方法および分極反転構造の作製装置および分極反転構造の作製方法
Krause Fabrication and characterization of periodically poled rubidium titanyl arsenate (PPRTA)
Shur et al. Applied Physics Reviews
Kwon et al. Domain reversal of periodically poled LiNbO3 with a shorter domain inverted period
Bostani et al. Realization of Spectral-Control of Frequency Doubling in Wide Bandwidth Step-Chirped PPLN

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100112

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100129

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100330

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100423

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20100514

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20100514

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100622

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100706

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100713

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130723

Year of fee payment: 3

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4553873

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130723

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees