JP2005265518A - 誘導型変位検出装置及びマイクロメータ - Google Patents

Abstract

【課題】高精度なロータリ式の誘導型変位検出装置を提供する。
【解決手段】誘導型変位検出装置１１は、送信巻線３１が配置されたステータ１５と、受信巻線４５，４７，４９が配置されたステータ１７と、これらのステータ間に配置されたロータ１３と、を備える。ロータ１３の一方の面には、送信巻線３１と磁束結合可能な磁束結合巻線６７が配置されている。ロータ１３の他方の面には、受信巻線４５，４７，４９と磁束結合可能であると共に磁束結合巻線６７と電気的に接続された磁束結合巻線６９が配置されている。
【選択図】図３

Description

本発明は、デジタル式マイクロメータ、デジタル式マイクロメータヘッド、デジタル式ホールテスト等に応用される、ロータリ式の誘導型変位検出装置に関する。

従来から直線変位や角度変位などの精密な測定に誘導型変位検出装置が利用されている。この装置は、磁束結合（電磁結合）を利用して変位検出を実行し、その結果である測定値をデジタル表示するので、測定値を素早く読み取ることができる。

この装置にはリニア式とロータリ式がある。ロータリ式は、導電プレートが所定ピッチで円周状に配列されたロータと、このロータに対向配置されると共に導電プレートと磁束結合可能な送信巻線及び受信巻線が配置されたステータと、により構成される（例えば特許文献１）。
特開平８-３１３２９５号公報（図１６）

受信巻線が送信巻線から発生する磁界の影響を受けると（言い換えれば、受信巻線が送信巻線と直接に磁束結合すると）、分解能が低下し、この結果、変位検出の精度が低下する。

本発明は、かかる問題を解決するためになされたものであり、高精度なロータリ式の誘導型変位検出装置を提供することを目的とする。

本発明に係る誘導型変位検出装置は、ロータと、前記ロータの一方の面側に前記ロータと対向するように配置された第１のステータと、前記ロータの他方の面側に前記ロータと対向するように配置された第２のステータと、前記第１のステータに配置された送信巻線と、前記第２のステータに配置された受信巻線と、前記送信巻線と磁束結合可能に前記ロータの一方の面に配置された第１の磁束結合巻線と、前記受信巻線と磁束結合可能に前記ロータの他方の面に配置されると共に前記第１の磁束結合巻線と電気的に接続された第２の磁束結合巻線と、を備えることを特徴とする。

本発明に係る誘導型変位検出装置によれば、ロータの一方の面側に第１のステータを配置し、かつロータの他方の面側に第２のステータを配置している。これにより、送信巻線が配置された第１のステータと受信巻線が配置された第２のステータとの間にロータが位置するようにしている。したがって、ロータの回転軸方向に沿って、送信巻線の位置と受信巻線の位置とを離すことができるので、送信巻線と受信巻線とが直接に磁束結合するのを抑制又は防止できる。

本発明に係る誘導型変位検出装置において、前記受信巻線は複数の受信ループが円状に配置された構造を有する、ようにすることができる。これによれば、受信巻線が円状となるため、円弧状に比べて、受信電流を大きくすることができる。したがって、Ｓ／Ｎ比が向上し、誘導型変位検出装置の高精度化を図ることができる。

本発明に係る誘導型変位検出装置において、前記第１の磁束結合巻線と前記第２の磁束結合巻線とを接続する接続部は、前記ロータの内周側に形成されている、ようにすることができる。これによれば、第１及び第２の磁束結合巻線のそれぞれについて、磁束結合面積を大きくできるため、Ｓ／Ｎ比が向上し、誘導型変位検出装置の高精度化を図ることができる。

本発明に係る誘導型変位検出装置において、前記ロータは、前記第１の磁束結合巻線と前記第２の磁束結合巻線との間に配置された磁気シールド部材を含む、ようにすることができる。これによれば、第１のステータと第２のステータの間に配置されたロータに磁気シールド部材が設けられている。このため、送信巻線の位置と受信巻線との位置が近くても、送信巻線と受信巻線とが直接に磁束結合するのを抑制又は防止することが可能となる。したがって、ロータの回転軸方向の誘導型変位検出装置の寸法を小さくすることが可能となる。

本発明に係る誘導型変位検出装置は、マイクロメータに搭載することができる。

本発明によれば、ロータの回転軸方向に沿って、送信巻線の位置と受信巻線の位置とを離すことができるので、送信巻線と受信巻線とが直接に磁束結合するのを抑制又は防止することが可能となる。よって、ロータリ式の誘導型変位検出装置の高精度化を図ることができる。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態に係る誘導型変位検出装置（エンコーダ）について説明する。図において、既に説明した図中の符号で示すものと同一のものについては、同一符号を付すことにより説明を省略する。本発明の実施形態は、ロータの一方の面側に送信巻線が設けられたステータを配置し、ロータの他方の面側に受信巻線が設けられたステータを配置したことを主な特徴とする。

図１は、本発明の実施形態に係る誘導型変位検出装置を搭載したデジタル式マイクロメータ１の正面図である。マイクロメータ１のフレーム３には、シンブル５が回転可能に取り付けられている。測定子であるスピンドル７は、フレーム３の内部で回転可能に支持されている。

スピンドル７の一端側は外部に出ており、この一端が測定対象物に当接する。一方、スピンドル７の他端側には送りネジが切られている。この送りネジがシンブル５内のナットに嵌めこまれている。シンブル５を正方向に回転させるとスピンドル７の軸方向に沿ってスピンドル７が前進し、シンブル５を逆方向に回転させるとスピンドル７の軸方向に沿ってスピンドル７が後退する。

フレーム３にはマイクロメータ１の測定値を表示可能な液晶表示部９が設けられている。なお、本発明の実施形態に係る誘導型変位検出装置は、デジタル式マイクロメータヘッド、デジタル式ホールテストにも組み込むことができる。

図２は、図１のマイクロメータ１に組み込まれた本発明の実施形態に係る誘導型変位検出装置１１の断面図である。装置１１は、ロータ１３と、ロータ１３の一方の面側にロータ１３と対向するように配置されたステータ（第１のステータの一例）１５と、ロータ１３の他方の面側にロータ１３と対向するように配置されたステータ（第２のステータの一例）１７と、を備える。ロータ１３は円筒状のロータブッシュ１９の端面に固定されている。ロータブッシュ１９にはスピンドル７が挿入されている。

ステータ１５はフレーム３に固定されている。これに対して、ステータ１７は、円筒状のステータブッシュ２１の端面に固定されている。ステータブッシュ２１にはスピンドル７が挿入されており、この状態でステータブッシュ２１はフレーム３に固定されている。以上のように、ステータ１５とステータ１７は、これらの間にロータ１３が位置するようにスピンドル７の回転軸方向（つまりロータ１３の回転軸方向）に沿って配置されている。

スピンドル７の表面には、図１のシンブル５の内部に配置されたナットに嵌められる送りネジ２３が形成されている。また、スピンドル７の表面には、スピンドル７の長手方向（つまりスピンドル７の進退方向）に沿ってキー溝２５が掘られている。キー溝２５には、ロータブッシュ１９に固定されたピン２７の先端部が嵌っている。スピンドル７が回転すると、その回転力がピン２７を介してロータブッシュ１９に伝わり、ロータ１３が回転する。言い換えれば、スピンドル７の回転に連動してロータ１３が回転する。ピン２７はキー溝２５に固定されていないので、ロータ１３をスピンドル７と共に移動させずにロータ１３を回転させることができる。

図３を用いて誘導型変位検出装置１１の構成の詳細を説明する。図３は図２において、誘導型変位検出装置１１及びスピンドル７以外の部品を省略した状態の拡大断面図である。

まず、ステータ（第１のステータの一例）１５から説明する。ステータ１５は絶縁基板２９を備える。ロータ１３側の絶縁基板２９の面には、送信巻線３１が形成されると共に送信巻線３１を覆うように絶縁性の保護膜（パッシベーション膜）３３が形成されている。ステータ１５の中央には貫通穴３５が設けられている。

図４は、送信巻線３１が配置されたステータ１５の平面図である。送信巻線３１は貫通穴３５を囲むようにステータ１５に配置されている。詳しくは、送信巻線３１は、端子Ｔ１からリング状に延びて送信折返し部３７に至るリング部３９及び送信折返し部３７からリング部３９より小さい半径でリング状に延びて端子Ｔ２に至るリング部４１を含む。

次に、図３のステータ（第２のステータの一例）１７について説明する。図５はステータ１７の平面図である。ステータ１７の中央には貫通穴４３が設けられている。ステータ１７には、貫通穴４３を囲むように、円周状の三つの受信巻線４５，４７，４９が互いに重なり合って配置されている。巻線４５，４７，４９は、それぞれ同じ構造を有しており、受信巻線４５を例として受信巻線の構造を説明する。

図６は受信巻線４５の平面図である。図３及び図６に示すように、受信巻線４５は、上層導体５１と、これに立体交差する下層導体５３とのセットＵを複数備え、これらのセットＵを円周状に配置したものである。下層導体５３は絶縁基板５５の上に形成されている。下層導体５３と上層導体５１との間に絶縁膜５７が配置されている。絶縁膜５７に設けられたスルーホールに埋め込まれた埋込導体５９を介して、上層導体５１の端部と下層導体５３の端部とが電気的に接続されている。上層導体５１を覆うように絶縁膜５７上に保護膜６１が形成されている。

また、受信巻線４５は、図７に示す略ひし形の受信ループ６３を複数備え、これらが貫通穴４３（図５）に沿って円状に配置された構造を有する、と言うこともできる。受信ループ６３の向かい合う二辺が上層導体５１であり、残りの向かい合う二辺が下層導体５３である。さらに、受信巻線４５は、端子Ｔ３から波状に延びて受信折返し部５９ａで折り返し、再び波状に延びて端子Ｔ４に至るように構成されている、と言うこともできる。

図５の説明に戻る。受信巻線４５，４７，４９は、λ／６だけ位相をずらして配置されている。λとは、図６に示すように、受信巻線の波長であり、別の言い方をすれば、ロータ１３の回転方向に沿った、二個分の受信ループ６３の寸法である。

受信巻線４５の端子Ｔ３，Ｔ４、受信巻線４７の端子Ｔ５，Ｔ６、受信巻線４９の端子Ｔ７，Ｔ８及び図４の送信巻線３１の端子Ｔ１，Ｔ２は、図示しない配線を介して、変位を測定するための演算や制御などをするＩＣ回路と接続されている。

なお、本実施形態は、互いに位相をずらして配置された三つの受信巻線４５，４７，４９、すなわち３相の受信巻線の場合である。しかしながら、本発明は、受信巻線が一つの場合（１相の受信巻線）、互いに位相をずらして配置された二つの受信巻線の場合（２相の受信巻線）、互いに位相をずらして配置された四つ以上の受信巻線の場合（４相以上の受信巻線）にも適用することができる。

次に、図３のロータ１３について説明する。ロータ１３は、中央に貫通穴６５が形成されており、送信巻線３１と磁束結合可能にロータ１３の一方の面に配置された磁束結合巻線（第１の磁束結合巻線の一例）６７と、受信巻線４５，４７，４９と磁束結合可能にロータ１３の他方の面に配置されると共に磁束結合巻線６７と電気的に接続された磁束結合巻線（第２の磁束結合巻線の一例）６９と、を含む。

図８はロータ１３の送信巻線側の平面図である。五つの磁束結合巻線６７が貫通穴６５を囲むように、互いに絶縁されて並べられている。各磁束結合巻線６７は、ロータ１３の貫通穴６５側に配置された内円弧部７１と、これより外側に配置された外円弧部７３と、ロータ１３の半径方向に延びると共にこれらの円弧部７１，７３の両端を電気的に接続する二本の直線部７５と、を含んだ一筆書状の構造を有している。内円弧部７１及び外円弧部７３は略五分の一円弧状をしている。内円弧部７１の中央は分断されており、この分断箇所の一端及び他端は貫通穴６５側、言い換えればロータ１３の内周側に延びて接続部７７となる。

一方、図９はロータ１３の受信巻線側の平面図である。五つの磁束結合巻線６９が貫通穴６５を囲むように、所定のピッチで互いに絶縁されて並べられている。磁束結合巻線６９が図８の磁束結合巻線６７と相違するのは、内円弧部７１及び外円弧部７３が略十分の一円弧状を有していることである。したがって、磁束結合巻線６９どうしの間には、磁束結合巻線６９一個分のスペースが設けられることになる（受信ループ６３一個分のスペースと言うこともできる）。

次に、図３の磁気シールド膜（磁気シールド部材の一例）７９について説明する。磁気シールド膜７９は、ロータ１３のコア基板８１に形成されている。したがって、磁気シールド膜７９は、磁束結合巻線６７と磁束結合巻線６９との間に配置されている。図１０は、磁気シールド膜７９の平面図である。磁気シールド膜７９は、コア基板８１の送信巻線３１（図３）側の面の略全面に形成されている。

図３に示すように、磁気シールド膜７９を覆うように、コア基板８１上に絶縁膜８３が形成されている。絶縁膜８３上には、磁束結合巻線６７が形成されていると共に巻線６７を覆うように保護膜８５が形成されている。コア基板８１の磁気シールド膜７９が形成されている面と反対側の面には、絶縁膜８７が形成されている。磁束結合巻線６９は絶縁膜８７上に形成されている。磁束結合巻線６９を覆うように、絶縁膜８７上に保護膜８９が形成されている。

ここで、磁束結合巻線６７，６９を電気的に接続する構造について説明する。図３及び図１０に示すように、ロータ１３の内周側には、磁気シールド膜７９の一部が円状に取り去られており、この円の中に磁気シールド膜７９と電気的に絶縁されたパッド電極９１が形成されている。パッド電極９１は、磁束結合巻線６７，６９の接続部７７と対応している。パッド電極９１と磁束結合巻線６７の接続部７７とは、絶縁膜８３のスルーホールに埋め込まれた埋込導体９３により電気的に接続されている。

コア基板８１の磁気シールド膜７９が形成されている面と反対側の面には、パッド電極９１と対応するようにパッド電極９５が形成されている。パッド電極９１，９５はコア基板８１のスルーホールに埋め込まれた埋込導体９７により電気的に接続されている。パッド電極９５と磁束結合巻線６９の接続部７７とは、絶縁膜８７のスルーホールに埋め込まれた埋込導体９９により電気的に接続されている。

送信巻線３１、受信巻線４５，４７，４９、磁束結合巻線６７，６９、磁束結合巻線６７，６９を電気的に接続する部材（パッド電極９１等）及び磁気シールド膜７９は、アルミニウム、銅、金などの電気抵抗が低い材料で構成される。また、ステータ１５，１７やロータ１３の絶縁基板、絶縁膜及び保護膜の材料は、例えばシリコン酸化膜や樹脂である。ステータ１５，１７やロータ１３は、通常のプリント基板作製技術を用いて作製することができる。

ここで、図３を用いて誘導型変位検出装置１１の動作を簡単に説明する。送信巻線３１に正負が周期的に逆転する送信電流を流して、これにより発生する磁界によって送信巻線３１と磁束結合巻線６７とが磁束結合する。これにより、磁束結合巻線６７には誘導電流が流れる。この電流は磁束結合巻線６９に流れて、ここで磁界を発生させる。この磁界によって磁束結合巻線６９と受信巻線４５，４７，４９とが磁束結合する。磁束結合巻線６９とそれぞれの受信巻線４５，４７，４９との磁束結合の度合いは、ロータ１３の回転角度位置に依存する。従って、それぞれの受信巻線４５，４７，４９に発生する電流（又は電圧）を検出することで、ロータ１３の回転角度位置が検出可能である。

次に、本発明の実施形態に係る誘導型変位検出装置１１の主な効果について説明する。まず、一つ目の効果を説明する。図４に示す送信巻線３１及び図５に示す受信巻線４５，４７，４９を一つのステータに配置した場合を考える。送信巻線３１は送信折返し部３７の箇所で延びる方向が急激に変化し、不規則な形状となっている。このため、送信巻線３１により形成される磁場は、折返し部３７付近で分布や強度が変化し、歪が生じる。したがって、受信巻線４５，４７，４９が折返し部３７と磁束結合（つまりクロストーク）すると、受信巻線４５，４７，４９が上記歪んだ磁場の影響を受けるため、変位検出の精度が低下する。

上記歪んだ磁場の影響を抑制する手段として次の二つがある。一つは、受信巻線４５，４７，４９を円周状ではなく円弧状にすることである。これにより、巻線４５，４７，４９を折返し部３７から離すことができるので、上記歪んだ磁場の影響を抑制することができる。しかし、受信巻線４５，４７，４９が短くなるので、受信電流の強度が低下する。

もう一つは、ステータの面積を大きくすることである。これにより、受信巻線４５，４７，４９を送信巻線３１から離すことができるため、上記歪んだ磁場の影響を抑制することができる。しかし、誘導型変位検出装置の小型化の妨げとなる。

これに対して、本実施形態に係る誘導型変位検出装置１１によれば、図３に示すように、送信巻線３１をステータ１５に配置し、受信巻線４５，４７，４９をステータ１７に配置している。そして、ロータ１３の一方の面側にステータ１５を配置すると共にロータ１３の他方の面側にステータ１７を配置することにより、ステータ１５とステータ１７との間にロータ１３が位置するようにしている。

したがって、スピンドル７の回転軸（つまりロータ１３の回転軸）方向に沿って、送信巻線３１の位置と受信巻線４５，４７，４９の位置とを離すことができる。このため、送信巻線３１と受信巻線４５，４７，４９とが直接に磁束結合するのを抑制又は防止できる（つまり、送信巻線から発生する磁界の影響を受信巻線が受けにくく、又は受けないようにすることができる）。よって、ロータリ式の誘導型変位検出装置１１の高精度化を図ることができる。

二つ目の効果は以下の通りである。図３に示すように、本発明の実施形態によれば、ステータ（第１のステータの一例）１５とステータ（第２のステータの一例）１７との間に配置されたロータ１３に磁気シールド膜（磁気シールド部材の一例）７９が設けられている。これにより、送信巻線３１から発生した磁界は受信巻線４５，４７，４９に到達する前に減衰される。

したがって、送信巻線３１の位置と受信巻線４５，４７，４９との位置が近くても、送信巻線３１と受信巻線４５，４７，４９とが直接に磁束結合するのを抑制又は防止することが可能となる。よって、誘導型変位検出装置１１の寸法のうち、ロータ１３の回転軸方向の寸法を小さくすることが可能となる。また、設計上の理由等により、送信巻線３１の位置と受信巻線４５，４７，４９との位置を十分離すことができない場合に有効となる。

そして、磁気シールド膜７９は磁束結合巻線６７と磁束結合巻線６９との間に配置されている。したがって、送信巻線３１と磁束結合巻線６７との磁束結合や受信巻線４５，４７，４９と磁束結合巻線６９との磁束結合を妨げずに、送信巻線３１から発生した磁界の減衰効果を得ることができる。

但し、ステータ１５とステータ１７との距離を、送信巻線３１と受信巻線４５，４７，４９とが直接に磁束結合するのを抑制又は防止するのに十分な大きさにすることができれば、磁気シールド膜７９はなくてもよい。

なお、図８，９に示すように、磁束結合巻線６７，６９の両端がロータ１３の内周側に延びて接続部７７となるように構成されている。しかしながら、ロータ１３の外周側に接続部７７を配置してもよい。すなわち、磁束結合巻線６７，６９の両端がロータ１３の外周側に延びて接続部７７となるように構成してもよい。

ロータ１３の外周側は内周側に比べて円周が長いので、磁束結合巻線６７，６９の円弧部もロータ１３の外周側に配置した場合の方が内周側に配置した場合に比べて長くなる。接続部７７が配置された箇所のロータ１３の円周上には磁束結合巻線６７，６９を配置できない。したがって、接続部７７をロータ１３の内周側に配置した場合、外周側に配置した場合と比べて、磁束結合巻線６７，６９の長さを短くすることなく、これらの接続をすることができる。これにより、磁束結合面積を大きくできるため、Ｓ／Ｎ比が向上し、誘導型変位検出装置１１の高精度化を図ることができる。

従来、一つのステータの片面に送信巻線と受信巻線を配置して、この面と対向するようにロータを配置していた。本発明の実施形態では、送信巻線と受信巻線をそれぞれ別のステータに配置してその間にロータを対向配置したので、従来に比べてステータの外径を小さくすることができる。特に、マイクロメータ等の手に持って使用する測定器に適用すると、外径が小さいので、持ちやすく操作性が向上する。

次に、本発明の実施形態の変形例を説明する。図１１は、本発明の実施形態に係る二つのステータのうち送信巻線が配置されたステータ（第１のステータの一例）１０１の変形例の平面図であり、図４と対応する。図４のステータ１５との相違は、送信折返し部３７がリング部３９，４１と異なる層（又は異なる面）に配置されている点である。

図１２は、本発明の実施形態に係る二つのステータのうち受信巻線が配置されたステータ（第２のステータの一例）１０３の変形例の平面図であり、図５と対応する。図５の受信巻線４５，４７，４９が円状であるのに対して、図１２の受信巻線４５，４７，４９は円弧状である。

円状の受信巻線は円弧状の受信巻線に比べて、受信巻線の面積を大きくすることができる。よって、受信電流を大きくすることができるため、Ｓ／Ｎ比が向上し、誘導型変位検出装置１１の高精度化を図ることができる。

図１３は、本発明の実施形態に係るロータ１０５の変形例の送信巻線側の平面図であり、図８と対応する。一方、図１４は、ロータ１０５の変形例の受信巻線側の平面図であり、図９と対応する。

図８のロータ１３には五つの磁束結合巻線６７が配置されているのに対して、図１３のロータ１０５には円周状の一つの磁束結合巻線６７が配置されている。図９のロータ１３には五つの磁束結合巻線６９が互いに非接続に配置されている。これに対して、図１４のロータ１０５には五つの磁束結合巻線６９が一筆書状に配置されており、したがって、巻線６９は互いに接続されている。

ロータ１３（図８，９）はロータ１０５（図１３，１４）に比べて、直線部７５や接続部７７がロータにバランスよく配置されているので、接続部７７に起因するノイズが一箇所に偏って発生することがない。

本発明の実施形態に係る誘導型変位検出装置が組み込まれたマイクロメータの正面図である。 本発明の実施形態に係る誘導型変位検出装置の断面図である。 図２の誘導型変位検出装置の拡大断面図である。 図３に示す誘導型変位検出装置に備えられた二つのステータのうち送信巻線が配置されたステータの平面図である。 同二つのステータのうち受信巻線が配置されたステータの平面図である。 図５のステータに配置された受信巻線の平面図である。 図６の受信巻線を構成する受信ループの平面図である。 図３に示す誘導型変位検出装置に備えられたロータの送信巻線側の平面図である。 図３に示す誘導型変位検出装置に備えられたロータの受信巻線側の平面図である。 図３に示す誘導型変位検出装置に備えられたロータに設けられた磁気シールド膜の平面図である。 本発明の実施形態に係る二つのステータのうち送信巻線が配置されたステータの変形例の平面図である。 同二つのステータのうち受信巻線が配置されたステータの変形例の平面図である。 本発明の実施形態に係るロータの変形例の送信巻線側の平面図である。 本発明の実施形態に係るロータの変形例の受信巻線側の平面図である。

符号の説明

１・・・マイクロメータ、３・・・フレーム、５・・・シンブル、７・・・スピンドル、９・・・液晶表示部、１１・・・誘導型変位検出装置、１３・・・ロータ、１５・・・ステータ（第１のステータの一例）、１７・・・ステータ（第２のステータの一例）、１９・・・ロータブッシュ、２１・・・ステータブッシュ、２３・・・送りネジ、２５・・・キー溝、２７・・・ピン、２９・・・絶縁基板、３１・・・送信巻線、３３・・・保護膜、３５・・・貫通穴、３７・・・送信折返し部、３９，４１・・・リング部、４３・・・貫通穴、４５，４７，４９・・・受信巻線、５１・・・上層導体、５３・・・下層導体、５５・・・絶縁基板、５７・・・絶縁膜、５９・・・埋込導体、５９ａ・・・受信折返し部、６１・・・保護膜、６３，６３−１，６３−２・・・受信ループ、６５・・・貫通穴、６７・・・磁束結合巻線（第１の磁束結合巻線の一例）、６９，６９−１，６９−２・・・磁束結合巻線（第２の磁束結合巻線の一例）、７１・・・内円弧部、７３・・・外円弧部、７５・・・直線部、７７・・・接続部、７９・・・磁気シールド膜、８１・・・コア基板、８３・・・絶縁膜、８５・・・保護膜、８７・・・絶縁膜、８９・・・保護膜、９１・・・パッド電極、９３・・・埋込導体、９５・・・パッド電極、９７，９９・・・埋込導体、１０１・・・ステータ（第１のステータの一例）、１０３・・・ステータ（第２のステータの一例）、１０５・・・ロータ、Ｔ１〜Ｔ８・・・端子、Ｕ・・・上層導体と下層導体のセット、λ・・・受信巻線の波長、ｉ１，ｉ２・・・電流の向き

Claims (5)

1. ロータと、
   前記ロータの一方の面側に前記ロータと対向するように配置された第１のステータと、
   前記ロータの他方の面側に前記ロータと対向するように配置された第２のステータと、
   前記第１のステータに配置された送信巻線と、
   前記第２のステータに配置された受信巻線と、
   前記送信巻線と磁束結合可能に前記ロータの一方の面に配置された第１の磁束結合巻線と、
   前記受信巻線と磁束結合可能に前記ロータの他方の面に配置されると共に前記第１の磁束結合巻線と電気的に接続された第２の磁束結合巻線と、
   を備えることを特徴とする誘導型変位検出装置。
2. 前記受信巻線は、複数の受信ループが円状に配置された構造を有する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の誘導型変位検出装置。
3. 前記第１の磁束結合巻線と前記第２の磁束結合巻線とを接続する接続部は、前記ロータの内周側に形成されている、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の誘導型変位検出装置。
4. 前記ロータは、前記第１の磁束結合巻線と前記第２の磁束結合巻線との間に配置された磁気シールド部材を含む、
   ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の誘導型変位検出装置。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の誘導型変位検出装置が搭載されたマイクロメータ。

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