JP2005244047A - 膜厚評価方法、研磨終点検出方法およびデバイス製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ウエハ10上に形成されている酸化膜をCMPによって研磨する際に、分光反射率測定装置7を用いて酸化膜表面に光を照射して反射スペクトルを取得し、コンピュータ8を用いて適当な時間差△tを隔てた研磨時間t,t−△tの反射スペクトルについてそれらの差分信号を求め、その差分信号を光学モデルを用いて解析することによって酸化膜の研磨時間tにおける膜厚を導出する。
【選択図】 図1
Description
また、本発明は、膜の研磨中の正確な膜厚評価を行ってその研磨終点を検出することのできる研磨終点検出方法を提供することを目的とする。
まず、ウエハに形成されている薄膜の研磨時の膜厚評価に用いる光学モデルについて説明する。
R0(x)=Acos{4π(d+△d)x}+B……(2)
ここで、A,Bは比例定数である。実際の半導体デバイス製造におけるウエハ研磨の場合、比例定数Bは波数xに対する依存性を有しているが、研磨中の膜厚変化△dに対して変化が緩慢であるため、次式(3)で表される差分信号R1(x)−R0(x)をとることによって除去することができる。
=A〔cos(4πdx)−cos{4π(d+△d)x}〕
=2Asin(2π△dx)・sin{2π(2d+△d)x}……(3)
この式(3)で表される光学モデルは、1/(2d+△d)を1周期とする短周期のsinカーブに1/△dを1周期とする長周期のsinカーブが重畳された形になっている。したがって、研磨時間t,t−△tにおける波数xの光の反射率測定によって得られる反射スペクトルの差分信号R1(x)−R0(x)について、その短い周期から2d+△dが求まり、そこから所定の△dを差し引いて1/2を掛けたものが膜厚dとなる。
λ1/(4n)≦△d≦λ2/(4n)……(4B)
図2は光学モデルを用いた計算結果の一例である。
この図1に示すデバイス製造装置1は、CMP装置であって、表面側に研磨パッド2が取り付けられた回転テーブル3、および回転式の研磨ヘッド4を有している。研磨時には、研磨パッド2上にスラリー5を滴下しながら、研磨ヘッド4に貼り付けたウエハ10を研磨パッド2に押し付け、回転テーブル3および研磨ヘッド4を共に回転させて、ウエハ10表面を研磨する。研磨パッド2には、研磨時にウエハ10が配置される部分に石英でできた覗き窓2aが設けられており、また、この覗き窓2aに対応する回転テーブル3の部分には貫通孔3aが形成されている。
この図3および図4において、横軸は媒質中波数(cm-1)、縦軸は反射率(%)または差分信号(%)を表している。また、図3において、点線は反射率測定1回目の反射スペクトル、実線は反射率測定11回目の反射スペクトルおよびそれらの差分信号を示している。同様に、図4において、点線は反射率測定155回目の反射スペクトル、実線は反射率測定165回目の反射スペクトルおよびそれらの差分信号を示している。
この図5において、横軸は反射率測定(または研磨)の積算回数(回)、縦軸は酸化膜厚(nm)を表し、10回間隔の反射スペクトルの差分信号周期から求めた酸化膜厚を積算回数に対してプロットしている。
2 研磨パッド
2a 覗き窓
3 回転テーブル
3a 貫通孔
4 研磨ヘッド
5 スラリー
6 光学ヘッド
7 分光反射率測定装置
8 コンピュータ
10 ウエハ
Claims (9)
- 膜の研磨中の膜厚を評価する膜厚評価方法において、
膜の研磨中に前記膜の表面に光を照射して時間差△tを隔てた研磨時間tおよび研磨時間t−△tの反射スペクトルの差分信号を求め、前記差分信号を解析することによって前記研磨時間tにおける前記膜の膜厚を導出することを特徴とする膜厚評価方法。 - 前記差分信号を解析することによって前記研磨時間tにおける前記膜の膜厚を導出する際には、
前記差分信号の周期を求め、求めた前記周期を用いて前記研磨時間tにおける前記膜の膜厚を導出することを特徴とする請求項1記載の膜厚評価方法。 - 前記差分信号を解析することによって前記研磨時間tにおける前記膜の膜厚を導出する際には、
前記時間差△tの間の前記膜の膜厚変化△dを前記研磨時間tにおける前記膜の膜厚dに対する割合△d/dが1/5以下になるように設定し、前記膜厚変化△dを用いて前記差分信号を解析することによって前記膜厚dを導出することを特徴とする請求項1記載の膜厚評価方法。 - 前記差分信号を解析することによって前記研磨時間tにおける前記膜の膜厚を導出する際には、
前記時間差△tと既知の研磨レートとの積を前記時間差△tの間の前記膜の膜厚変化△dとし、前記膜厚変化△dを用いて前記差分信号を解析することによって前記研磨時間tにおける前記膜の膜厚を導出することを特徴とする請求項1記載の膜厚評価方法。 - 前記差分信号を解析することによって前記研磨時間tにおける前記膜の膜厚を導出する際には、
前記膜の屈折率をn、前記反射スペクトルの測定波長範囲をλ1〜λ2としたときに、前記時間差△tの間の前記膜の膜厚変化△dを△d≦λ2/(4n)好ましくはλ1/(4n)≦△d≦λ2/(4n)の範囲に設定し、前記範囲において前記差分信号を解析することによって前記研磨時間tにおける前記膜の膜厚を導出することを特徴とする請求項1記載の膜厚評価方法。 - 前記反射スペクトルは、波数依存性を有する光学モデルを用いて表され、前記反射スペクトルの差分をとることによって前記差分信号では波数依存性が除去されていることを特徴とする請求項1記載の膜厚評価方法。
- 前記膜が複数のチップを形成するためのウエハに形成されている場合には、前記膜の表面に照射する光のスポットサイズを前記チップのサイズ以上とすることを特徴とする請求項1記載の膜厚評価方法。
- 膜の研磨中の膜厚を評価して研磨終点を検出する研磨終点検出方法において、
膜の研磨中に前記膜の表面に光を照射して時間差△tを隔てた研磨時間tおよび研磨時間t−△tの反射スペクトルの差分信号を求め、前記差分信号を解析することによって前記研磨時間tにおける前記膜の膜厚を導出し、導出された前記膜厚に基づき研磨終点を検出することを特徴とする研磨終点検出方法。 - 膜の研磨を行ってデバイスを製造するデバイス製造装置において、
膜を研磨する研磨手段と、
前記膜の研磨中に前記膜の表面に光を照射して時間差△tを隔てた研磨時間tおよび研磨時間t−△tの反射スペクトルを測定する反射スペクトル測定手段と、
前記反射スペクトルの差分信号を算出する差分信号算出手段と、
前記差分信号を解析して前記研磨時間tにおける前記膜の膜厚を導出する差分信号解析手段と、
を有することを特徴とするデバイス製造装置。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2011082286A (ja) * | 2009-10-06 | 2011-04-21 | Ebara Corp | 研磨終点検知方法および研磨終点検知装置 |
JP2014512690A (ja) * | 2011-04-20 | 2014-05-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 終点検出のためのスペクトル特徴の適応的追跡 |
JP2015156503A (ja) * | 2010-03-02 | 2015-08-27 | 株式会社荏原製作所 | 研磨監視方法、研磨監視装置、および研磨装置 |
JP2017098407A (ja) * | 2015-11-24 | 2017-06-01 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法 |
Families Citing this family (5)
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001332713A (ja) * | 2000-05-25 | 2001-11-30 | Nikon Corp | 光電変換装置の製造方法 |
JP2002343842A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-11-29 | Denso Corp | 半導体層の膜厚測定方法及び半導体基板の製造方法 |
Family Cites Families (6)
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---|---|---|---|---|
JP4147675B2 (ja) | 1998-10-12 | 2008-09-10 | 株式会社ニコン | 検知方法、検知装置、及び研磨装置 |
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JP2000183001A (ja) | 1998-12-10 | 2000-06-30 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | ウエハの研磨終点検出方法およびそれに用いる化学機械研磨装置 |
US6580508B1 (en) * | 1999-11-29 | 2003-06-17 | United Microelectronics Corp. | Method for monitoring a semiconductor wafer in a chemical mechanical polishing process |
JP3259225B2 (ja) * | 1999-12-27 | 2002-02-25 | 株式会社ニコン | 研磨状況モニタ方法及びその装置、研磨装置、プロセスウエハ、半導体デバイス製造方法、並びに半導体デバイス |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001332713A (ja) * | 2000-05-25 | 2001-11-30 | Nikon Corp | 光電変換装置の製造方法 |
JP2002343842A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-11-29 | Denso Corp | 半導体層の膜厚測定方法及び半導体基板の製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011082286A (ja) * | 2009-10-06 | 2011-04-21 | Ebara Corp | 研磨終点検知方法および研磨終点検知装置 |
US8568199B2 (en) | 2009-10-06 | 2013-10-29 | Ebara Corporation | Polishing endpoint detection apparatus |
US8777694B2 (en) | 2009-10-06 | 2014-07-15 | Ebara Corporation | Polishing endpoint detection method |
JP2015156503A (ja) * | 2010-03-02 | 2015-08-27 | 株式会社荏原製作所 | 研磨監視方法、研磨監視装置、および研磨装置 |
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