JP2005227574A - V溝基板とその製造方法及び光ファイバアレイ - Google Patents

V溝基板とその製造方法及び光ファイバアレイ Download PDF

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Abstract

【課題】 光ファイバをV溝に収容し、テラス部に被覆を固定する際に、エッジ部により光ファイバが傷付けられることのないV溝基板とその製造方法、該V溝基板に光ファイバを固定した光ファイバアレイの提供。
【解決手段】 複数本の光ファイバを並列させる光ファイバ位置決め用の多数のV溝2と、該V溝の深さより低いテラス部が上面に設けられたV溝基板において、前記V溝に、V溝とテラス部をつなぐエッジ部13を滑らかに加工した曲面状加工部21とテーパー状加工部の一方又は両方が設けられたことを特徴とするV溝基板。
【選択図】 図7

Description

本発明は、光通信分野において使用される光導波路素子と光ファイバを光接続するための光ファイバアレイの土台として用いるV溝基板とその製造方法、該V溝基板に光ファイバを固定した光ファイバアレイに関する。
従来、光ファイバアレイの製造方法としては、光ファイバ位置決め用のV溝と押さえ蓋を有する光ファイバ固定用部材に光ファイバを挟持し、接着剤を塗布して光ファイバアレイを製造する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照。)
図1は、光ファイバアレイの作製に用いられるV溝基板の一例を示す斜視図である。このV溝基板1は、多数本の光ファイバ裸線3(以下、光ファイバと記す。)を並列し、位置決めするための多数のV溝2と、該V溝2の深さより低いテラス部1Aが上面に設けられた構成になっている。このV溝基板1は、石英ガラスなどを用いて作製されている。
図2は、図1に示すV溝基板1を用いた光ファイバアレイの製造方法を説明する図であり、図2中、a−1,b−1,c−1,d−1,e−1及びf−1は各工程(a)〜(f)のV溝基板1の平面図であり、a−2,b−2,c−2,d−2,e−2及びf−2は各工程(a)〜(f)のV溝基板1の左側面図であり、a−3,b−3,c−3,d−3,e−3及びf−3は各工程(a)〜(f)のV溝基板1の正面図である。
まず、図2(a)に示すように、多数本の光ファイバ3を並列状態で並べ、位置決めするための多数のV溝2が設けられたV溝基板1を用意し、これに多数本の光ファイバ3をセットする。
これらの光ファイバ3は、図2(b)に示すように、先端をV溝基板1の端面に揃えた状態でそれぞれのV溝2に入れて並べ、位置決めする。
次いで、図2(c)に示すように、V溝2部分の光ファイバ3に付着するように紫外線硬化型接着剤等の接着剤4を塗布する。
次いで、図2(d)に示すように、V溝2の開口側に蓋5を被せて光ファイバ3をV溝2と蓋5とで挟持する。この時、接着剤4は、蓋5によって押し広げられ、V溝基板1のV溝2形成部分に広がるとともに、蓋5から溢れた分がテラス部1Aに押し出されて広がる。なお、接着剤として紫外線硬化型接着剤を用いる場合、蓋5は紫外線透過率が良好な石英ガラスなどを用いる。
次いで、図2(e)に示すように、接着剤4に紫外線6を照射し、硬化させる。接着剤4の硬化後、光ファイバ3はV溝基板1に固定される。
次いで、図2(f)に示すように、V溝基板1の端面7(V溝2側の端面)を光ファイバ3の端面と共に研磨し、端面処理を行い、光ファイバアレイ8を作製する。
図3は、V溝基板1の加工方法を例示する図であり、この方法では石英ガラスなどの材料からなる直方体又は厚板状の基板を用い、先端が尖った砥石9を基板長手方向に移動させて溝切り加工を施し、多数本のV溝2を形成するとともに、太く加工面が平坦な砥石10により基板の一部を研削加工し、V溝2の深さより低く平坦なテラス部1Aを形成し、V溝基板1を作製している。
特開2000−338354号公報
このV溝基板1を用い、図2に示すように光ファイバアレイ8を製造する場合、図4及び図5に示すように、V溝2とテラス部1Aのエッジ部13が光ファイバ3に接することになるが、V溝2のエッジ部2は、図3に示す溝切り加工後、そのままの状態なので、エッジ部13の端面は鋭角的で尖っており、さらに、溝切り加工時に微小なチッピングが発生しているため、このエッジ部13が光ファイバ3に接して傷付けたり、その接点12を起点として光ファイバ3の破断が誘発される可能性がある。
この問題を解決するため、光ファイバとエッジ部が接しないようにV溝を設計することが行われているが、アレイ長(特にハーフピッチファイバアレイのアレイ長)が大きくなってしまう弊害がある。これは最近のモジュール小型化の流れからは好ましくない。
本発明は前記事情に鑑みてなされ、光ファイバをV溝に収容し、テラス部に被覆を固定する際に、エッジ部により光ファイバが傷付けられることのないV溝基板とその製造方法、該V溝基板に光ファイバを固定した光ファイバアレイの提供を目的とする。
前記目的を達成するため、本発明は、複数本の光ファイバを並列させる光ファイバ位置決め用の多数のV溝と、該V溝の深さより低いテラス部が上面に設けられたV溝基板において、前記V溝に、V溝とテラス部をつなぐエッジ部を滑らかに加工した曲面状加工部とテーパー状加工部の一方又は両方が設けられたことを特徴とするV溝基板を提供する。
また本発明は、複数本の光ファイバを並列させる光ファイバ位置決め用の多数のV溝と、該V溝の深さより低いテラス部が上面に設けられたV溝基板を用意し、前記V溝に、V溝とテラス部をつなぐエッジ部を滑らかに加工して、曲面状加工部とテーパー状加工部の一方又は両方を設けることを特徴とするV溝基板の製造方法を提供する。
本発明のV溝基板の製造方法において、エッジ部にレーザ光を照射して該エッジ部に曲面状加工部とテーパー状加工部の一方又は両方を形成することが好ましい。
本発明のV溝基板の製造方法において、前記エッジ部にエッチング液を塗布して該エッジ部をエッチングして曲面状加工部とテーパー状加工部の一方又は両方を形成してもよい。
本発明のV溝基板の製造方法において、前記エッジ部を、砥粒を付けた柔軟な材料で研磨して曲面状加工部とテーパー状加工部の一方又は両方を形成してもよい。
本発明のV溝基板の製造方法において、前記エッジ部に、砥粒を含む研削液を吹き付けて曲面状加工部とテーパー状加工部の一方又は両方を形成してもよい。
本発明のV溝基板の製造方法において、前記エッジ部を砥石で研削して曲面状加工部とテーパー状加工部の一方又は両方を形成してもよい。
また本発明は、前記本発明に係るV溝基板と、該V溝に並列された複数本の光ファイバとを備えてなることを特徴とする光ファイバアレイを提供する。
本発明のV溝基板は、V溝に、V溝とテラス部をつなぐエッジ部を滑らかに加工した曲面状加工部とテーパー状加工部の一方又は両方を設けた構成としたので、このV溝に光ファイバを収容し、その被覆をテラス部に置いた状態で固定した際に、光ファイバに鋭角的なエッジ部が当たることがなく、光ファイバと曲面状加工部又はテーパー状加工部との接点で光ファイバを傷付けることがないV溝基板を提供することができる。
本発明のV溝基板の製造方法は、光ファイバと曲面状加工部又はテーパー状加工部との接点で光ファイバを傷付けることがないV溝基板を簡単に製造することができる。
本発明の光ファイバアレイは、エッジ部に曲面状加工部とテーパー状加工部の一方又は両方を設けた前記V溝基板と、該V溝に並列された複数本の光ファイバとを備えてなるものなので、光ファイバに鋭角的なエッジ部が当たることがなく、光ファイバと曲面状加工部又はテーパー状加工部との接点で光ファイバが傷付くことがなく、光ファイバの破断を生じ難い信頼性の高い光ファイバアレイを提供することができる。
図6及び図7は本発明に係るV溝基板の製造方法の第1の例を説明するための図であり、この第1の例では、エッジ部13にレーザ光15を照射して該エッジ部13を曲面状加工部21とすることを特徴としている。図6(a)は本例を実施する際に用いられるCOレーザ集光光学系の一例を示す構成図、図6(b)は同じくCOレーザ集光光学系の別な例を示す構成図、図7(a)はV溝2の斜視図、図7(b)はレーザ加工前後のエッジ部13の断面図である。
本例において加工用基板として用いるV溝基板1は、図1に示すように、石英ガラスからなり、複数本の光ファイバ3を並列させる光ファイバ位置決め用の多数のV溝2と、該V溝2の深さより低いテラス部1Aが上面に設けられたものが好ましい。このV溝基板1は、図3に示すように、直方体又は厚板状の基板を用い、先端が尖った砥石9を基板長手方向に移動させて溝切り加工を施し、多数本のV溝2を形成するとともに、太く加工面が平坦な砥石10により基板の一部を研削加工し、V溝2の深さより低く平坦なテラス部1Aを形成して作製される。
本例では、このV溝基板1を被加工物18として図6(a)又は(b)に示すCOレーザ集光光学系にセットし、エッジ部13にCOレーザ光を集光照射して、エッジ部13を溶融させて滑らかな曲面に仕上げ、光ファイバ3が接した際に傷付けることのない曲面状加工部21を形成する。石英ガラスはCOレーザ光をよく吸収するので、レーザ加工し易い特性がある。
図6(a)に示すCOレーザ集光光学系は、COレーザ光源14と、レーザ光15を反射するミラー16と、レーザ光15を反射集光して被加工物18(V溝基板1)のエッジ部13に照射する集光凹面鏡17とを備えて構成されている。
また図6(b)に示すCOレーザ集光光学系は、COレーザ光源14と、レーザ光15を反射するミラー16と、ビームエキスパンダー19と、集光レンズ20とを備えて構成されている。このビームエキスパンダー19と集光レンズ20は、COレーザを透過する材質、例えばZnSe単結晶などで作られたレンズを用いている。
これらのCOレーザ集光光学系におけるCOレーザの調整項目としては、平均照射強度、照射時間、照射回数、集光位置が挙げられ、加工して得られる曲面状加工部21が光ファイバ3を傷付けることのない良好な曲面形状となるように、最適な条件を調整によって設定することが望ましい。
図7(b)に示すように、レーザ加工前のV溝2のエッジ部13は、図3に示す砥石9による溝切り加工したままの状態であり、エッジ部13は鋭角的に尖っている。さらに、溝切り加工時に微小なチッピングが発生し、光ファイバ3と接した際に光ファイバ3に傷を付ける可能性がある。一方、レーザ加工後は、エッジ部13の角が取れ、滑らかな曲面を有する曲面状加工部21となる。
本例によれば、曲面状加工部21を設けたV溝基板1を簡単に製造することができる。
この曲面状加工部21を設けたV溝基板1は、V溝2に光ファイバ3を収容し、その被覆11をテラス部1Aに置いた状態で固定した際に、光ファイバ3に鋭角的なエッジ部13が当たることがなく、光ファイバ3と曲面状加工部21との接点で光ファイバ3を傷付けることがない。
また、このV溝基板1と、該V溝2に並列された複数本の光ファイバ3とを備えてなる光ファイバアレイ8は、光ファイバ3と曲面状加工部21との接点で光ファイバ3が傷付くことがなく、光ファイバ3の破断を生じ難い信頼性の高いものとなる。
なお、前記例示において、レーザ光としてCOレーザを用いたが、V溝基板1のエッジ部13に照射することによってエッジ部13を溶融し、曲面状加工部21を形成可能であればCOレーザに限定されることなく、従来公知の他のレーザ光を用いることもできる。
図8は本発明に係るV溝基板の製造方法の第2の例を説明するための図であり、図8(a)はV溝基板1のエッジ部にエッチング液23を滴下した状態を示す斜視図、図8(b)はV溝2の正面図、図8(c)はエッジ部のエッチング加工前後の状態を示す断面図である。この第2の例では、エッジ部13にフッ酸水溶液などの基板材料を溶解可能なエッチング液23を滴下し、エッジ部13をエッチング加工し、エッジ部13の角が取れ、滑らかな曲面を有する曲面状加工部21を形成することを特徴としている。
この第2の例では、エッジ部13にエッチング液23を滴下することで局部的なエッチングを行うため、エッチング液23は、図8に示すようにマイクロピペット22のような適当な滴下供給手段を用いて要部に滴下供給し、V溝2全体にエッチング液23を浸透させないことが望ましい。このエッチング液23の濃度、滴下量、基板温度、エッチング時間などのエッチング条件は、加工して得られる曲面状加工部21が光ファイバ3を傷付けることのない良好な曲面形状となるように最適な条件に設定することが望ましい。
エッチング液23をエッジ部13に滴下すると、粗面の方が表面積が大きいため、フッ酸水溶液などのエッチング液23によって粗いエッジ部が平滑な部分よりも選択的にエッチングされ、その結果、溝切り加工により形成されたV溝2のエッジ部13は滑らかな曲面を有する曲面状加工部21となる。
本例によれば、曲面状加工部21を設けたV溝基板1を簡単に製造することができる。
また本例により曲面状加工部21を設けたV溝基板1は、V溝2に光ファイバ3を収容し、その被覆11をテラス部1Aに置いた状態で固定した際に、光ファイバ3に鋭角的なエッジ部13が当たることがなく、光ファイバ3と曲面状加工部21との接点で光ファイバ3を傷付けることがない。
また、このV溝基板1と、該V溝2に並列された複数本の光ファイバ3とを備えてなる光ファイバアレイ8は、光ファイバ3と曲面状加工部21との接点で光ファイバ3が傷付くことがなく、光ファイバ3の破断を生じ難い信頼性の高いものとなる。
図9は本発明に係るV溝基板の製造方法の第3の例を説明するための図であり、図9(a)はV溝2へのエッチング液の浸透状態を示す側面図、図9(b)は形成されたテーパー状加工部25を示す側面図である。この第3の例では、V溝2の途中までエッチング液23を浸透させ、所定時間放置してエッチングすることで、V溝2からテラス部1Aにかけて緩やかに広がるテーパ状加工部25を形成することを特徴としている。
エッジ部13に滴下したエッチング液23は、量によっては図9(a)に示すように、表面張力でV溝2の途中まで浸透する。なお、実際には図9(a)中の符号24で示す部分にもエッチング液23が溜まっている。
この状態で放置すると、V溝2上のエッチング液23の量の違いから、図9(b)に示すように、V溝2からテラス部1Aにかけて緩やかに広がるテーパ状加工部25が形成される。また、エッジ部13は前述した第2の例と同じく、滑らかな曲面を有する曲面状加工部21となる。
本例によれば、テーパー状加工部25及び曲面状加工部21を設けたV溝基板1を簡単に製造することができる。
この第3の例によりテーパー状加工部25及び曲面状加工部21を設けたV溝基板1は、V溝2に光ファイバ3を収容し、その被覆11をテラス部1Aに置いた状態で固定した際に、光ファイバ3に鋭角的なエッジ部13が当たることがなく、光ファイバ3と曲面状加工部21との接点で光ファイバ3を傷付けることがない。またテーパー状加工部25によって光ファイバ3に加わる応力をさらに低減させることが可能である。
また、このV溝基板1と、該V溝2に並列された複数本の光ファイバ3とを備えてなる光ファイバアレイ8は、光ファイバ3と曲面状加工部21との接点で光ファイバ3が傷付くことがなく、光ファイバ3の破断を生じ難い信頼性の高いものとなる。
図10は本発明に係るV溝基板の製造方法の第4の例を説明するための図であり、本例では、エッジ部13を、砥粒を付けた柔軟な材料で研磨して曲面状加工部を形成することを特徴としている。具体的には、図10に示すようなリューター26を用い、回転するバフ部27に砥粒を付け、それをエッジ部13に接触させ、回転研磨してエッジ部13を曲面状加工部21に仕上げる。
この研磨に用いる砥粒としては、使用するV溝基板1の研磨が可能であれば特に限定されないが、例えばダイヤモンド微粒子、窒化ホウ素微粒子、炭化ケイ素微粒子、アルミナ微粒子などが挙げられる。砥粒の粒度、付着量、バフ部27の素材、リューター26の回転数、研磨時間等は、光ファイバ3を傷付けない良好な曲面状加工部21が得られるように適宜設定することが望ましい。
本例によれば、曲面状加工部21を設けたV溝基板1を簡単に製造することができる。
また本例により曲面状加工部21を設けたV溝基板1は、V溝2に光ファイバ3を収容し、その被覆11をテラス部1Aに置いた状態で固定した際に、光ファイバ3に鋭角的なエッジ部13が当たることがなく、光ファイバ3と曲面状加工部21との接点で光ファイバ3を傷付けることがない。
また、このV溝基板1と、該V溝2に並列された複数本の光ファイバ3とを備えてなる光ファイバアレイ8は、光ファイバ3と曲面状加工部21との接点で光ファイバ3が傷付くことがなく、光ファイバ3の破断を生じ難い信頼性の高いものとなる。
図11は本発明に係るV溝基板の製造方法の第5の例を説明するための図であり、本例では、エッジ部13に、砥粒を含む研削液29を吹き付けて曲面状加工部21を形成することを特徴としている。具体的には、図11に示すように、ノズル28先端からエッジ部13に向けて研削液29を噴射し、研削液29に含まれる砥粒によりエッジ部13を研削し、曲面状加工部21を形成する。この研磨に用いる砥粒としては、使用するV溝基板1の研磨が可能であれば特に限定されないが、例えばダイヤモンド微粒子、窒化ホウ素微粒子、炭化ケイ素微粒子、アルミナ微粒子などが挙げられる。砥粒の粒度、吹き付け強さ、時間等は、光ファイバ3を傷付けない良好な曲面状加工部21が得られるように適宜設定することが望ましい。
本例によれば、曲面状加工部21を設けたV溝基板1を簡単に製造することができる。
また本例により曲面状加工部21を設けたV溝基板1は、V溝2に光ファイバ3を収容し、その被覆11をテラス部1Aに置いた状態で固定した際に、光ファイバ3に鋭角的なエッジ部13が当たることがなく、光ファイバ3と曲面状加工部21との接点で光ファイバ3を傷付けることがない。
また、このV溝基板1と、該V溝2に並列された複数本の光ファイバ3とを備えてなる光ファイバアレイ8は、光ファイバ3と曲面状加工部21との接点で光ファイバ3が傷付くことがなく、光ファイバ3の破断を生じ難い信頼性の高いものとなる。
図12は本発明に係るV溝基板の製造方法の第6の例を説明するための図であり、本例では、エッジ部13を砥石30で研削してテーパー状加工部25を形成することを特徴としている。
図12(a)〜(c)は、その研削の一例を示す。この例では、まず、図12(a)に示すように、先端が尖った砥石30を用いてV溝基板1の溝切り加工を行い、V溝2を形成する。図12(b)に示すように、V溝基板1に多数のV溝2を形成した後、同じ砥石30を用いて、図12(c)に示すように、砥石30の位置をずらしてエッジ部13のみを研削加工し、テーパー状加工部25を形成する。図12(c)に置いて、符号30aを付した破線は、溝切り加工時の砥石30の位置を示している。
図12(d)は、研削の別な例を示す。この例では、前記と同様にV溝基板1の溝切り加工を行った後、砥石30をエッジ部13側からV溝2に挿入させて、エッジ部13を研削し、エッジ部13の角を削ってテーパー状加工部25を形成する。
本例によれば、テーパー状加工部25を設けたV溝基板1を簡単に製造することができる。
このテーパー状加工部25を設けたV溝基板1は、V溝2に光ファイバ3を収容し、その被覆11をテラス部1Aに置いた状態で固定した際に、光ファイバ3に鋭角的なエッジ部13が当たることがなく、光ファイバ3とテーパー状加工部25との接点で光ファイバ3を傷付けることがない。
また、このV溝基板1と、該V溝2に並列された複数本の光ファイバ3とを備えてなる光ファイバアレイ8は、光ファイバ3とテーパー状加工部25との接点で光ファイバ3が傷付くことがなく、光ファイバ3の破断を生じ難い信頼性の高いものとなる。
図13は本発明に係るV溝基板の製造方法の第7の例を説明するための図であり、本例では、V溝2の長手方向中央からエッジ部13に向けて、V溝2の深さ及び幅が漸次大きくなるように研削してテーパー状加工部25を形成している。
本例によれば、テーパー状加工部25を設けたV溝基板1を簡単に製造することができる。
このテーパー状加工部25を設けたV溝基板1は、V溝2に光ファイバ3を収容し、その被覆11をテラス部1Aに置いた状態で固定した際に、光ファイバ3に鋭角的なエッジ部13が当たることがなく、光ファイバ3とテーパー状加工部25との接点で光ファイバ3を傷付けることがない。
また、このV溝基板1と、該V溝2に並列された複数本の光ファイバ3とを備えてなる光ファイバアレイ8は、光ファイバ3とテーパー状加工部25との接点で光ファイバ3が傷付くことがなく、光ファイバ3の破断を生じ難い信頼性の高いものとなる。
従来のV溝基板の斜視図である。 従来の光ファイバアレイの製造方法の一例を説明するための図であり、a−1,b−1,c−1,d−1,e−1及びf−1は各工程(a)〜(f)のV溝基板の平面図、a−2,b−2,c−2,d−2,e−2及びf−2は各工程(a)〜(f)のV溝基板の左側面図、a−3,b−3,c−3,d−3,e−3及びf−3は各工程(a)〜(f)のV溝基板の正面図である。 従来のV溝基板の作製方法を例示する斜視図である。 従来の光ファイバアレイにおける光ファイバとエッジ部との接点を示す側面図である。 従来の光ファイバアレイにおける光ファイバとエッジ部との接点を示す斜視図である。 本発明によるV溝基板の製造方法の第1の例において用いる2つのCOレーザ集光光学系を示す構成図である。 第1の例におけるエッジ部のレーザ加工を説明する図であり、(a)はV溝の斜視図、(b)はエッジ部のレーザ加工前後の状態を示す断面図である。 本発明によるV溝基板の製造方法の第2の例を示し、(a)はエッジ部にエッチング液を滴下した状態の斜視図、(b)はV溝の正面図、(c)はエッジ部のエッチング加工前後の状態を示す断面図である。 本発明によるV溝基板の製造方法の第3の例を示し、(a)はV溝のエッジ部側にエッチング液を浸した状態を示す側面図、(b)はエッチング後のテーパー状加工部を示す側面図である。 本発明によるV溝基板の製造方法の第4の例を示す斜視図である。 本発明によるV溝基板の製造方法の第5の例を示す斜視図である。 本発明によるV溝基板の製造方法の第6の例を説明するための図であり、(a)は溝切りしてV溝を形成した状態を示す正面図、(b)はV溝基板の斜視図、(c)はテーパー状加工部を研削する一例を示す正面図、(d)はテーパー状加工部を研削する別の例を示す平面図である。 本発明によるV溝基板の製造方法の第7の例を説明するための図であり、(a)はV溝基板の平面図、(b)は側面図である。
符号の説明
1…V溝基板、2…V溝、3…光ファイバ、4…接着剤、5…蓋、6…紫外線、7…端面、8…光ファイバアレイ、9,10,30…砥石、11…被覆、12…接点、13…エッジ部、14…COレーザ光源、15…レーザ光、16…ミラー、17…集光凹面鏡、18…被加工物、19…ビームエキスパンダー、20…集光レンズ、21…曲面状加工部、22…マイクロピペット、23…エッチング液、25…テーパー状加工部、26…リューター、27…バフ部、28…ノズル、29…研削液。

Claims (8)

  1. 複数本の光ファイバを並列させる光ファイバ位置決め用の多数のV溝と、該V溝の深さより低いテラス部が上面に設けられたV溝基板において、前記V溝に、V溝とテラス部をつなぐエッジ部を滑らかに加工した曲面状加工部とテーパー状加工部の一方又は両方が設けられたことを特徴とするV溝基板。
  2. 複数本の光ファイバを並列させる光ファイバ位置決め用の多数のV溝と、該V溝の深さより低いテラス部が上面に設けられたV溝基板を用意し、前記V溝に、V溝とテラス部をつなぐエッジ部を滑らかに加工して曲面状加工部とテーパー状加工部の一方又は両方を設けることを特徴とするV溝基板の製造方法。
  3. 前記エッジ部にレーザ光を照射して該エッジ部に曲面状加工部とテーパー状加工部の一方又は両方を形成することを特徴とする請求項2に記載のV溝基板の製造方法。
  4. 前記エッジ部にエッチング液を塗布して該エッジ部をエッチングして曲面状加工部とテーパー状加工部の一方又は両方を形成することを特徴とする請求項2に記載のV溝基板の製造方法。
  5. 前記エッジ部を、砥粒を付けた柔軟な材料で研磨して曲面状加工部とテーパー状加工部の一方又は両方を形成することを特徴とする請求項2に記載のV溝基板の製造方法。
  6. 前記エッジ部に、砥粒を含む研削液を吹き付けて曲面状加工部とテーパー状加工部の一方又は両方を形成することを特徴とする請求項2に記載のV溝基板の製造方法。
  7. 前記エッジ部を砥石で研削して曲面状加工部とテーパー状加工部の一方又は両方を形成することを特徴とする請求項2に記載のV溝基板の製造方法。
  8. 請求項1に記載のV溝基板と、該V溝に並列された複数本の光ファイバとを備えてなることを特徴とする光ファイバアレイ。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014510313A (ja) * 2011-04-05 2014-04-24 ナノプレシジョン プロダクツ インコーポレイテッド ファイバクランプ開溝を有する光ファイバコネクタフェルール

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52140345A (en) * 1976-05-18 1977-11-22 Sumitomo Electric Ind Ltd Optical fiber connecting device
JPH0691510A (ja) * 1992-09-07 1994-04-05 Furukawa Electric Co Ltd:The 傾斜面溝を有する部品の製造方法
JPH0819878A (ja) * 1994-07-05 1996-01-23 Ricoh Co Ltd 光ファイバー用ガイド溝の形成方法及び光ファイバー用ガイド基板
JPH08292332A (ja) * 1995-02-21 1996-11-05 Ngk Insulators Ltd 光ファイバー固定用基板、その製造方法および光デバイス
JPH1039157A (ja) * 1996-04-15 1998-02-13 Lucent Technol Inc 光学素子コネクタとそれに使用する支持部材の製造方法および取り付け方法
JPH1048476A (ja) * 1996-07-30 1998-02-20 Kyocera Corp 光ファイバ整列体
WO1999006865A1 (fr) * 1997-07-31 1999-02-11 Hoya Corporation Element de fixation de fibres optiques, faisceau de fibres optiques, et procedes de fabrication correspondant
JPH1172643A (ja) * 1997-08-27 1999-03-16 Nhk Spring Co Ltd 光ファイバ用v溝基板の製造方法および光ファイバの端末保持構造
JPH11153410A (ja) * 1997-11-21 1999-06-08 Copal Co Ltd 光ファイバ固定部材の検査方法及びその検査装置
JPH11326678A (ja) * 1998-05-18 1999-11-26 Fuji Elelctrochem Co Ltd 光ファイバアレイの製造方法
JPH11337760A (ja) * 1998-05-21 1999-12-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 光ファイバ位置決め部材
JP2003014980A (ja) * 2001-05-08 2003-01-15 Samsung Electronics Co Ltd 光学モジュール及びその製造方法
JP2003114359A (ja) * 2001-07-30 2003-04-18 Ibiden Co Ltd 光ファイバリボンの加工方法、積層光ファイバリボン、および、光ファイバアレイの製造方法
JP2003255171A (ja) * 2002-02-27 2003-09-10 Hata Kensaku:Kk 光ファイバアレイ

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52140345A (en) * 1976-05-18 1977-11-22 Sumitomo Electric Ind Ltd Optical fiber connecting device
JPH0691510A (ja) * 1992-09-07 1994-04-05 Furukawa Electric Co Ltd:The 傾斜面溝を有する部品の製造方法
JPH0819878A (ja) * 1994-07-05 1996-01-23 Ricoh Co Ltd 光ファイバー用ガイド溝の形成方法及び光ファイバー用ガイド基板
JPH08292332A (ja) * 1995-02-21 1996-11-05 Ngk Insulators Ltd 光ファイバー固定用基板、その製造方法および光デバイス
JPH1039157A (ja) * 1996-04-15 1998-02-13 Lucent Technol Inc 光学素子コネクタとそれに使用する支持部材の製造方法および取り付け方法
JPH1048476A (ja) * 1996-07-30 1998-02-20 Kyocera Corp 光ファイバ整列体
WO1999006865A1 (fr) * 1997-07-31 1999-02-11 Hoya Corporation Element de fixation de fibres optiques, faisceau de fibres optiques, et procedes de fabrication correspondant
JPH1172643A (ja) * 1997-08-27 1999-03-16 Nhk Spring Co Ltd 光ファイバ用v溝基板の製造方法および光ファイバの端末保持構造
JPH11153410A (ja) * 1997-11-21 1999-06-08 Copal Co Ltd 光ファイバ固定部材の検査方法及びその検査装置
JPH11326678A (ja) * 1998-05-18 1999-11-26 Fuji Elelctrochem Co Ltd 光ファイバアレイの製造方法
JPH11337760A (ja) * 1998-05-21 1999-12-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 光ファイバ位置決め部材
JP2003014980A (ja) * 2001-05-08 2003-01-15 Samsung Electronics Co Ltd 光学モジュール及びその製造方法
JP2003114359A (ja) * 2001-07-30 2003-04-18 Ibiden Co Ltd 光ファイバリボンの加工方法、積層光ファイバリボン、および、光ファイバアレイの製造方法
JP2003255171A (ja) * 2002-02-27 2003-09-10 Hata Kensaku:Kk 光ファイバアレイ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014510313A (ja) * 2011-04-05 2014-04-24 ナノプレシジョン プロダクツ インコーポレイテッド ファイバクランプ開溝を有する光ファイバコネクタフェルール

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