JP2005222952A - フィールドエミッタの製造方法 - Google Patents
フィールドエミッタの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005222952A JP2005222952A JP2005030921A JP2005030921A JP2005222952A JP 2005222952 A JP2005222952 A JP 2005222952A JP 2005030921 A JP2005030921 A JP 2005030921A JP 2005030921 A JP2005030921 A JP 2005030921A JP 2005222952 A JP2005222952 A JP 2005222952A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- field emission
- field
- conductive layer
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
- H01J2201/30453—Carbon types
- H01J2201/30469—Carbon nanotubes (CNTs)
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
【解決手段】(ア)基板上にパターニングされた伝導層を形成させる段階と、(イ)前記伝導層上に電界放出物質及び金属粉末を含む混合物質を塗布し、熱処理により前記伝導層との接着性を向上させる段階と、(ウ)前記伝導層を除外した領域の電界放出物質及び金属物質を除去する段階と、を含むフィールドエミッタの製造方法である。これにより、フィールドエミッタの寿命及びその電界放出特性が大きく向上され、従来に具現し難かった優秀な特性の大面積フィールドエミッタを製造できる。
【選択図】図1F
Description
12 PR層
12’ 溝
13 伝導性物質
14 伝導層
15 金属粉末及び電界放出物質の混合物
15’ 残留した金属粉末及び電界放出物質の混合物
17 電界放出物質
21 基板
22,23 炭素ナノチューブ及び金属の混合層
Claims (9)
- フィールドエミッタの製造方法において、
(ア)基板上にパターニングされた伝導層を形成する段階と、
(イ)前記伝導層上に電界放出物質及び金属粉末を含む混合物質を塗布し、熱処理により前記伝導層との接着性を向上させる段階と、
(ウ)前記伝導層を除く領域の電界放出物質及び金属物質を除去する段階と、を含むことを特徴とするフィールドエミッタの製造方法。 - 前記電界放出物質は、炭素系物質、金属または半導体のうちから選択されることを特徴とする請求項1に記載のフィールドエミッタの製造方法。
- 前記炭素系物質は、炭素ナノチューブまたは炭素ホーンのうち少なくとも一つの物質を含むことを特徴とする請求項2に記載のフィールドエミッタの製造方法。
- 前記(ア)段階は、
前記基板上の所定領域を露出させてフォトレジスト層を形成させる段階と、
前記基板及び前記フォトレジスト層上に伝導性物質を塗布する段階と、
前記フォトレジスト層及び前記フォトレジスト層上に塗布した伝導性物質を除去し、伝導層を形成させる段階と、を含むことを特徴とする請求項1に記載のフィールドエミッタの製造方法。 - 前記(イ)段階は、
前記電界放出物質、金属粉末及びその溶媒を所定の割合で混合した物質を前記基板及び前記伝導層上に塗布する段階と、
600℃ほど以下の温度で熱処理し、前記電界放出物質及び前記金属粉末を混合した物質と、前記伝導層との接着力を強める段階と、を含むことを特徴とする請求項1に記載のフィールドエミッタの製造方法。 - 前記金属粉末は、銅、亜鉛またはニッケルのうちから選択されることを特徴とする請求項5に記載のフィールドエミッタの製造方法。
- 前記金属粉末の直径は、約0.01ないし100μmであることを特徴とする請求項5に記載のフィールドエミッタの製造方法。
- 前記電界放出物質、金属粉末及び溶媒を所定の割合で混合した物質をスピンコーティングまたはプリンティングにより前記基板及び前記伝導層上に塗布することを特徴とする請求項5に記載のフィールドエミッタの製造方法。
- 前記基板は、シリコン基板、ガラス基板またはITO基板のうちから選択されることを特徴とする請求項1に記載のフィールドエミッタの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040007524A KR20050079339A (ko) | 2004-02-05 | 2004-02-05 | 필드 에미터의 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005222952A true JP2005222952A (ja) | 2005-08-18 |
Family
ID=34825070
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005030921A Pending JP2005222952A (ja) | 2004-02-05 | 2005-02-07 | フィールドエミッタの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7507135B2 (ja) |
JP (1) | JP2005222952A (ja) |
KR (1) | KR20050079339A (ja) |
CN (1) | CN1652284A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008124013A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Kofukin Seimitsu Kogyo (Shenzhen) Yugenkoshi | 電子放出素子の製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080299298A1 (en) * | 2005-12-06 | 2008-12-04 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Methods of Manufacturing Carbon Nanotube (Cnt) Paste and Emitter with High Reliability |
KR100911370B1 (ko) * | 2005-12-06 | 2009-08-10 | 한국전자통신연구원 | 고 신뢰성 cnt 페이스트의 제조 방법 및 cnt 에미터제조 방법 |
KR101390757B1 (ko) * | 2006-02-27 | 2014-04-30 | 도레이 카부시키가이샤 | 분쇄 매체를 사용하는 분말 입자의 제조 방법 |
KR101652850B1 (ko) * | 2015-01-30 | 2016-08-31 | 삼성전기주식회사 | 칩 전자부품, 그 제조방법 및 이를 구비한 기판 |
US11247504B2 (en) | 2019-07-10 | 2022-02-15 | Xerox Corporation | Distributed parallel processing system for make-on-demand book manufacturing |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08162013A (ja) * | 1994-12-05 | 1996-06-21 | Canon Inc | 電子放出素子、電子源、及びそれを用いた画像形成装置と、それらの製造方法 |
JP2000141056A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-05-23 | Lucent Technol Inc | 接着性カ―ボンナノチュ―ブ膜を有するデバイス |
JP2001130904A (ja) * | 1999-08-18 | 2001-05-15 | Lucent Technol Inc | パターン形成されたカーボンナノチューブ薄膜の作製方法 |
JP2001176380A (ja) * | 1999-12-10 | 2001-06-29 | Samsung Sdi Co Ltd | 電界放出表示素子の製造方法 |
JP2003203559A (ja) * | 2002-01-08 | 2003-07-18 | Hitachi Ltd | 表示装置の製造方法及び表示装置 |
JP2003249184A (ja) * | 2002-02-22 | 2003-09-05 | Hitachi Ltd | 電子源用ペースト、電子源およびこの電子源を用いた自発光パネル型表示装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3921022A (en) * | 1974-09-03 | 1975-11-18 | Rca Corp | Field emitting device and method of making same |
US4392013A (en) * | 1979-12-27 | 1983-07-05 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Fine-patterned thick film conductor structure and manufacturing method thereof |
US5536193A (en) * | 1991-11-07 | 1996-07-16 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of making wide band gap field emitter |
US5623180A (en) * | 1994-10-31 | 1997-04-22 | Lucent Technologies Inc. | Electron field emitters comprising particles cooled with low voltage emitting material |
CN1202271A (zh) * | 1995-11-15 | 1998-12-16 | 纳幕尔杜邦公司 | 利用颗粒状场致发射材料制造场致发射阴极的方法 |
KR100365444B1 (ko) * | 1996-09-18 | 2004-01-24 | 가부시끼가이샤 도시바 | 진공마이크로장치와이를이용한화상표시장치 |
EP0905737B1 (en) * | 1997-09-30 | 2004-04-28 | Noritake Co., Ltd. | Electron-emitting source |
JPH11213866A (ja) * | 1998-01-22 | 1999-08-06 | Sony Corp | 電子放出装置及びその製造方法並びにこれを用いた表示装置 |
KR20000074609A (ko) * | 1999-05-24 | 2000-12-15 | 김순택 | 카본 나노 튜브를 이용한 전계 방출 어레이 및 그 제조방법 |
JP2001043790A (ja) * | 1999-07-29 | 2001-02-16 | Sony Corp | 冷陰極電界電子放出素子の製造方法及び冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法 |
JP3481578B2 (ja) | 1999-10-12 | 2003-12-22 | 松下電器産業株式会社 | 電子放出素子およびそれを利用した電子源、電界放出型画像表示装置、蛍光灯、並びにそれらの製造方法 |
US6914372B1 (en) * | 1999-10-12 | 2005-07-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electron-emitting element and electron source, field emission image display device, and fluorescent lamp utilizing the same and methods of fabricating the same |
US6741019B1 (en) | 1999-10-18 | 2004-05-25 | Agere Systems, Inc. | Article comprising aligned nanowires |
US6682383B2 (en) * | 2000-05-17 | 2004-01-27 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Cathode structure for field emission device and method of fabricating the same |
US6436221B1 (en) * | 2001-02-07 | 2002-08-20 | Industrial Technology Research Institute | Method of improving field emission efficiency for fabricating carbon nanotube field emitters |
JP3465705B2 (ja) * | 2002-04-02 | 2003-11-10 | ソニー株式会社 | 冷陰極電界電子放出素子の製造方法、及び、冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法 |
US7147534B2 (en) * | 2004-06-04 | 2006-12-12 | Teco Nanotech Co., Ltd. | Patterned carbon nanotube process |
-
2004
- 2004-02-05 KR KR1020040007524A patent/KR20050079339A/ko not_active Application Discontinuation
-
2005
- 2005-01-31 CN CNA2005100064061A patent/CN1652284A/zh active Pending
- 2005-02-03 US US11/048,809 patent/US7507135B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-07 JP JP2005030921A patent/JP2005222952A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08162013A (ja) * | 1994-12-05 | 1996-06-21 | Canon Inc | 電子放出素子、電子源、及びそれを用いた画像形成装置と、それらの製造方法 |
JP2000141056A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-05-23 | Lucent Technol Inc | 接着性カ―ボンナノチュ―ブ膜を有するデバイス |
JP2001130904A (ja) * | 1999-08-18 | 2001-05-15 | Lucent Technol Inc | パターン形成されたカーボンナノチューブ薄膜の作製方法 |
JP2001176380A (ja) * | 1999-12-10 | 2001-06-29 | Samsung Sdi Co Ltd | 電界放出表示素子の製造方法 |
JP2003203559A (ja) * | 2002-01-08 | 2003-07-18 | Hitachi Ltd | 表示装置の製造方法及び表示装置 |
JP2003249184A (ja) * | 2002-02-22 | 2003-09-05 | Hitachi Ltd | 電子源用ペースト、電子源およびこの電子源を用いた自発光パネル型表示装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008124013A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Kofukin Seimitsu Kogyo (Shenzhen) Yugenkoshi | 電子放出素子の製造方法 |
US7927652B2 (en) | 2006-11-15 | 2011-04-19 | Tsinghua University | Method for manufacturing field emission electron source |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20050079339A (ko) | 2005-08-10 |
US20050176336A1 (en) | 2005-08-11 |
CN1652284A (zh) | 2005-08-10 |
US7507135B2 (en) | 2009-03-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7811149B2 (en) | Method for fabricating carbon nanotube-based field emission device | |
KR100944828B1 (ko) | 전계 방출 냉음극의 제조 방법 | |
JP3730476B2 (ja) | 電界放出型冷陰極及びその製造方法 | |
US7993180B2 (en) | Manufacturing method of field emission element having carbon nanotubes | |
JP4902666B2 (ja) | 高信頼性cntペーストの製造方法及びcntエミッタの製造方法 | |
JP2005222952A (ja) | フィールドエミッタの製造方法 | |
US20060118777A1 (en) | Electroric device, integrated circuit, and method of manufacturing the same | |
TW201734155A (zh) | 用於大型電子裝置之電子純單一空間螺旋特性之半導體單壁碳奈米管 | |
WO2004106223A1 (ja) | カーボンナノチューブデバイスおよびその製造方法、並びに、カーボンナノチューブ転写体 | |
TWI383419B (zh) | 具有高可靠性可細微圖案化碳奈米管放射器之製造方法 | |
JP2005353590A (ja) | 高分子材料を用いたフレキシブルエミッター及びその製造方法 | |
JP2003203557A (ja) | カーボンナノチューブを含むペースト用複合物及びこれを利用した電子放出素子及びその製造方法 | |
WO2006081715A1 (fr) | Suspension de cathode froide de taille nanométrique pour impression et utilisation de ladite suspension | |
KR101440396B1 (ko) | 전도성 나노 와이어를 이용한 투명 도전막의 제조 방법 | |
JP4903664B2 (ja) | 電子放出素子の製造方法 | |
KR20030000086A (ko) | 카본계 물질로 형성된 에미터를 갖는 전계 방출표시소자의 제조방법 | |
KR100355389B1 (ko) | 표면처리를 이용한 카본 나노튜브 필드 에미션 어레이의제조 방법 | |
KR101914382B1 (ko) | 금속 나노와이어 패턴의 제조 방법, 이를 이용한 금속 나노와이어 전극 | |
US20100133983A1 (en) | Method for manufacturing a field emitter electrode using the array of nanowires | |
JP2009065003A (ja) | 抵抗変化素子とその作製方法 | |
KR100464222B1 (ko) | 전계방출 소자 및 그의 제조방법 | |
JP7072204B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
KR101826419B1 (ko) | 이온빔 조사에 기반한 TMDs 2차원 시트의 개질 방법 | |
KR20050044164A (ko) | 접합부가 금속-코팅된 전계방출 캐소드 및 그 제조방법 | |
Moxley | Carbon Nanotube Based Vacuum Diode Characteristics at Elevated Temperatures |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100525 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100825 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100830 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100927 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110510 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111108 |