JP2005218997A - ガス発生装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 気化しない原料が加熱部上に滞留せず、耐食性、耐久性に優れたガス発生装置を提供する。
【解決手段】 シリカガラスからなる反応容器2と、前記反応容器の外側または前記反応容器の内側に配設されたヒータ3と、前記反応容器は、反応容器内部に収容され、ヒータからの熱を受け原料を加熱する、貫通孔を有する多孔質シリカガラスからなる加熱部5と、前記加熱部より上方向位置に設けられた、気化させる原料を反応容器に導入する原料導入口2aと、前記加熱部より下方向位置に設けられたキャリアガス導入口2bと、気化したガスとキャリアガスとが混合した混合ガスを反応容器の外部に導出する混合ガス導出口2cとを備えている。
【選択図】 図1

Description

本発明は、液体や固体の原料を導入し、加熱、気化させ、更にキャリアガスと混合し、混合ガスを発生させるガス発生装置に関する。
従来から、ガス発生装置は各種分野において用いられており、その一例を挙げれば、過酸化水素ガスを用いた殺菌装置等に用いられている。このガス発生装置を説明するにあたり、前記した過酸化水素ガスを用いた殺菌装置を例にとって説明する。
図8は、この殺菌装置を示した構成概略図であり、この殺菌装置50は、ガス発生装置である気化装置51を中心に構成され、過酸化水素水58はタンク57に貯留され、タンク57に圧縮エアーを供給することによって前記タンク57の内部を加圧し、前記過酸化水素58を押し出す構造になっている。
過酸化水素58の気化装置51内への噴霧は、二流体ノズル54によって行なわれる。二流体ノズル54には過酸化水素ライン59と圧縮エアーライン64が接続されており、それぞれ開閉バルブ55、56の開閉により過酸化水素水、エアーを流す構造になっている。前記バルブ55、56は、制御装置63によって開閉操作される。
前記過酸化水素ライン59及び圧縮エアーライン64には、予熱ヒータ62が取り付けており、これにより予め過酸化水素水及びエアーを加熱するように構成されている。
また圧縮エアーライン64には除菌フィルター60が設置されている。気化装置51の内部には、気化ヒータ52が設けられており、これによって過酸化水素水を加熱し、気化させる。気化装置51及びガス導管65には結露防止用ヒータ53が設けられており、これにより一端気化したガスの再凝縮を抑えている。容器67には、ガス導管65を介して殺菌ノズル66から過酸化水素ガスが吹き付けられる。
そして、過酸化水素ガスが容器67に吹き付けられると、過酸化水素ガスと容器67との温度差によって容器67表面に過酸化水素の凝縮膜が形成され、殺菌がなされる。
特開平10−152116号公報(第2欄45行乃至第3欄第16行)
ところで、従来のガス発生装置(気化装置)にあっては、その底面に気化ヒータが配置されると共に、圧縮エアーと過酸化水素水を供給する二流体ノズルが配置され、ヒータの上方からヒータに向けて噴霧するように構成されている。そして、噴霧された過酸化水素水を前記ヒータによって加熱することによって、所定の過酸化水素ガスが得られる。
そのため、二流体ノズルに供給される過酸化水素水が多い場合には、気化しない過酸化水素水がヒータ上に滞留し、所望の混合ガスを得ることができないという技術的課題があった。
また、特許文献1に示されたガス発生装置(気化装置)にあっては、ヒータの構成が明らかではないが、前記ヒータは、過酸化水素水等の原料及び原料が気化したガスに侵食されないものでなければならない。このヒータの侵食を防止するために保護部材等で覆えば、熱効率が劣る虞があるという技術的課題があった。
これら技術的課題を解決するために、本願発明者らは鋭意研究し、気化させる液体あるいは固体の原料を加熱部に供給し、気化後、キャリアガスと混合するという新規な構成を採用し、気化しない原料が加熱部上に滞留しないガス発生装置を完成するに至った。また、ヒータが気化したガス等で侵食されることのないガス発生装置を完成するに至った。
本発明は、気化しない原料が加熱部上に滞留せず、耐食性、耐久性に優れたガス発生装置を提供することを目的とする。
本発明は上記技術的課題を解決するためになされたものであり、本発明にかかるガス発生装置は、シリカガラスからなる反応容器と、前記反応容器の外側または前記反応容器の内側に配設されたヒータと、反応容器内部に収容され、ヒータからの熱を受け原料を加熱する、貫通孔を有する多孔質シリカガラスからなる加熱部と、前記加熱部より上方向位置に設けられた、気化させる原料を反応容器に導入する原料導入口と、前記加熱部より下方向位置に設けられた、キャリアガスを反応容器に導入するキャリアガス導入口と、気化したガスとキャリアガスとが混合した混合ガスを反応容器の外部に導出する混合ガス導出口とを備えることを特徴としている。
このように構成されているため、原料は加熱部上面に供給され、気化する。特に、前記加熱部が貫通孔を有する多孔質シリカガラスで構成されているため、加熱部上面で気化しなかった原料(液体原料)が加熱部内部に侵入する。その結果、原料は広面積の加熱部と接することになり(加熱面積が増加し)、原料の気化がより一層促進される。しかも、加熱部より下方向位置からキャリアガスが導入されるため、気化したガスとの混合が促進され、均一な混合ガスが得られる。
更に、反応容器、加熱部がシリカガラス体で構成されているため、赤外線、遠赤外線の透過性が良く、内部に侵入した原料(液体原料)も直接加熱できるため、熱効率に優れ、さらに不純物が混入しにくく、耐食性、耐久性に優れたガス発生装置を得ることができる。
ここで、前記ヒータが、加熱部に埋設されていることが望ましい。
このように、ヒータを加熱部に埋設することにより、熱効率をさらに向上させることができる。この場合のヒータは、シリカガラス管中にカーボンワイヤー発熱体が封入されたヒータであることが望ましい。シリカガラス管にカーボンワイヤー発熱体が封入されたヒータである場合には、シリカガラス管で覆っているために、前記した反応容器、加熱部と同様に、不純物が混入しにくく、耐食性、耐久性のあるガス発生装置を得ることができる。
また、前記加熱部の上面が凹状の曲面形状に形成されていることが望ましい。このように、加熱部の上面が凹状の曲面形状に形成されているため、特に固体状の原料をその中央部に集めることができ、安定して、気化させることができる。
尚、前記加熱部が、気孔率50%〜80%、気孔径が0.1mm〜2.5mmの多孔質シリカガラスで構成されていることが、前記加熱部内部に液体原料をより効率的に侵入させ、かつ加熱、気化させる観点から好ましい。
更に、前記原料導入口から加熱部の上面近傍、あるいは加熱部内部まで延びる原料導入パイプが設けられ、原料が加熱部上面近傍あるいは加熱部内部に供給されることが望ましい。このように構成することによって、原料の飛散を防止し、原料をその中央部に集めることができ、安定して、気化させることができる。
また、前記反応容器の加熱部より下方向位置に、残存した原料を排出する原料排出口が設けられていることが望ましい。このように構成することにより、気化しなかった原料を反応容器の外に排出することができる。
なお、熱効率を向上のため、前記反応容器の外側、あるいは反応容器の外側に設けられたヒータの外側に、反射部材あるいは断熱部材が設けられていることが好ましい。
本発明によれば、気化しない原料が加熱部上に滞留せず、耐食性、耐久性に優れたガス発生装置を得ることができる。
本発明の一実施形態について、図1乃至図3に基づいて説明する。なお、図1はガス発生装置の概略構成図、図2は、図1に示した変形例を示すガス発生装置の概略構成図、図3は、図1に示した変形例を示すガス発生装置の概略構成図である。
図1に示すように、このガス発生装置1は、シリカガラスからなる反応容器2と、前記反応容器2の外側に配設されたヒータ3とを備えている。また、このヒータ3の外側には、熱効率向上のため、熱反射板4が設けられている。尚、この熱反射板4の代わりに断熱材を設けても良い。
また、前記反応容器2には、貫通孔を有する多孔質シリカガラスからなる加熱部5が収容されている。この加熱部5は、前記ヒータ3からの熱を受け、原料を加熱し、気化させる機能を有している。
前記加熱部5の多孔質シリカガラスとしては、気孔率50%〜80%、気孔径が0.1mm〜2.5mmのものが用いられている。
気孔率50%未満の場合には、前記加熱部5内部への液体原料(特に水の場合)の拡散が十分でなくなる傾向があり、また80%を超えると前記加熱部5内部での液体原料(特に水の場合)の滞留が十分でなくなる傾向がある。
このように、前記加熱部内部に液体原料をより効率的に侵入させ、かつ加熱、気化させる観点から、加熱部の多孔質シリカガラス体としては、気孔率50%〜80%、気孔径が0.1mm〜2.5mmのものが好ましい。
なお、この多孔質シリカガラス体の製造方法は、特に限定されるものではなく、前記した性状を有する多孔質シリカガラスを得ることができる方法であれば良い。
また、前記反応容器2における加熱部5より上方向位置に、気化させる原料を内部に導入する原料導入口2aが設けられている。また、前記加熱部5より下方向位置にキャリアガス導入口2bが設けられ、気化したガスと混合するキャリアガスを導入できるように構成されている。更に、気化したガスとキャリアガスとが混合した混合ガスを反応容器2の外部に導出する混合ガス導出口2cが設けられている。更にまた、前記反応容器2の加熱部5より下方向位置に、原料を排出する原料排出口2dが設けられ、気化しなかった原料を反応容器2の外部に排出することができるように構成されている。
尚、図中の符号6は加熱部5の温度を測定する熱電対である。
次に、このように構成されたガス混合装置の動作、作用について説明する。
まず、ヒータ3により加熱部5を加熱し、所定温度に達した状態で、原料導入口2aから固体あるいは液体の原料を導入する。導入された原料は加熱部5によって加熱され、気化する。このとき、キャリアガスがキャリアガス導入口2bから反応容器2の内部に導入され、加熱部5を通過して気化したガスと混合する。しかも、加熱部5より下方向位置からキャリアガスが導入されるため、気化したガスとの混合が促進され、均一な混合ガスとなり、前記混合ガスは混合ガス導出口2cから導出される。
前記加熱部5が貫通孔を有する多孔質シリカガラスで構成されているため、気化しなかった原料(液体原料)は加熱部5の内部に侵入する。その結果、加熱面積が増加し、原料の気化がより一層促進される。
また、高温に加熱された加熱部5(多孔質シリカガラス)に、低温の液体や固体の原料が落下しても、反応容器(シリカガラス)や加熱部の(多孔質シリカガラス)の熱膨張係数が小さいために、割れ難いという利点がある。
更に、反応容器2、加熱部5がシリカガラスで構成されているため、赤外線、遠赤外線の透過性が良く、内部に侵入した原料(液体原料)を直接加熱でき、しかも、不純物が混入しにくく、耐食性、耐久性に優れている。
また、図2に示すように、前記加熱部5の上面5aを凹状の曲面形状に形成し、原料導入口2aから加熱部5の上面5aの近傍まで延びる原料導入パイプ8を設け、前記原料を加熱部5の上面5aの近傍に供給できるように構成しても良い。
このように、加熱部5の上面5aが凹状の曲面形状に形成されている場合には、固体の原料を無秩序に散乱することなく、その中央部に集めることができ、より安定して気化させることができる。また、原料導入パイプ8の先端部が、加熱部5の上面5aの近傍に位置しているため、液体原料の飛散を抑制でき、さらに安定して気化させることができる。
また、図3に示すように、加熱部5に凹部5bを形成し、原料導入パイプ8の先端部を加熱部の内部に挿入しても良い。このように構成することにより、気化させたい液体原料や固体原料を効率よく、一箇所に投入することができ、前記した場合と同様に、安定して、気化させることができる。
尚、前記凹部5bの径は、原料導入パイプ8径の110〜150%に形成され、前記原料導入パイプ8の先端部を凹部5bの略中間に位置するように挿入するのが好ましい。この場合、気化する量と投入量の調整により、凹部5bと原料導入パイプ8との間に空隙が、常に存在するように液体や固体を投入することが望ましい。
また、前記加熱部5の上面5aを凹状の曲面形状に形成した場合、また原料導入パイプ8を原料導入口2aから加熱部5の上面5aの近傍、あるいは加熱部内部にまで延設した場合には、原料を加熱部5の中央部で溶融、気化させることにより、キャリアガスを加熱部(多孔質シリカガラス)の外周辺部から安定的に通気させることができる。その結果、混合ガスを安定的に得ることができる。
次に、本発明にかかる第二の実施形態について、図4乃至図7に基づいて説明する。なお、この実施形態にあっては、ヒータを加熱部に埋設した点に特徴があり、他の構成は図1に示した構成と同等であるため、その詳細な説明は省略する。
即ち、第一の実施形態にあっては、反応容器2の外側からヒータ3によって加熱部5(多孔質シリカガラス)を加熱するため、加熱部5(多孔質シリカガラス)が所定温度まで昇温するのに時間を要するものであった。また、ヒータ3からの赤外光・遠赤外光が、直接に原料である液体や固体に照射されても、昇温が遅い加熱部5(多孔質シリカガラス)との接触部において昇温が妨げられ、気化ガスが発生するまでに時間を要した。
そのため、この第二の実施形態では、ヒータ10を加熱部5(多孔質シリカガラス)に埋設する構成を採用し、気化させたい原料である液体や固体を急速昇温させることを可能にした。尚、この第2の実施形態にあっては、ヒータ10が加熱部5に埋設されているため、第一の実施形態に比べて、加熱効率をより向上させることもできる。
具体的には、図4に示すように、このヒータ10は、シリカガラス管11中にカーボンワイヤー発熱体12が封入されたヒータであり、その外観形状はM字状に形成されている。そして、ヒータの一部が前記加熱部5の内部に埋設されている。なお、ヒータの外観形状は、M字状に限定されるものではなく、任意の形状を採用できるが、加熱部5との接触面積を増加させる形状であることが、急速昇温させる点から好ましい。
また、前記ヒータ10は、シリカガラス管11にカーボンワイヤー発熱体12が封入されたヒータであるため、不純物が混入しにくく、耐食性、耐久性を備えている。また、前記カーボンワイヤー発熱体12は、封止端子部13において、電力を供給する外側接続線14と接続されている。
更に、このカーボンワイヤー発熱体12について図5に基づいて説明すると、図5に示すように、前記カーボンワイヤー発熱体12は、カーボン繊維を束ねた繊維束を複数本編み上げてなる編紐または組紐から構成されている。カーボンワイヤー発熱体12としては、直径5乃至15μm程度のカーボン単繊維、例えば直径7μmのカーボン単繊維を約800乃至3500本程度束ねた繊維束を10束程度用いて直径1.0〜2.5mmの編紐、あるいは組紐形状に編み込んだものが好適である。
また、このカーボンワイヤー発熱体12の編み込みスパンは、2乃至5mm程度が好ましく、更に、カーボンワイヤー発熱体12表面におけるカーボン単繊維の毛羽立ち12aは長さ0.5乃至2.5mm程度である。
このように、カーボン単繊維の毛羽立ち12aが形成され、実質的にこの毛羽立ち12aによってガラス部材と接触するため、カーボンワイヤー発熱体21の本体部分との接触面積を少なくでき、シリカ(SiO2 )とカーボン(C)との反応を最小限にし、耐久性を向上させることができる。
また、発熱性状の均質性、耐久安定性等の観点及びダスト発生回避上の観点から、カーボンワイヤー発熱体12を構成するカーボン単繊維は、高純度であることが好ましく、カーボン単繊維中に含まれる不純物量が灰分(JIS R 7223−1979)として10ppm以下、特に、3ppm以下であることが好ましい。
なお、カーボンワイヤー発熱体21の固有抵抗値は、1000℃で、2〜20Ω/mであることが好ましい。抵抗が2〜20Ω/mであるために電流を5A〜15Aとし、電圧を100V程度とすることができる。このため電流が小さく抑えられ、ピンチングシールされた封止端子部に負担をかけないですむ。更に、電圧を100V以下にすることで、電源装置をコンパクトにできる。
このようなカーボンワイヤー発熱体12が用いられるのは、例えば従来の金属ヒータに比べて、熱容量が低いため急速昇降温させることができるからである。特に、加熱部5がガラス体で構成されているため、急速昇降温が可能である。また、カーボンワイヤー発熱体12の抵抗は金属ヒータと異なり常温で高く、高温になると低くなる傾向がある。その結果、急速昇温した際にも過電流が流れることがなく、ヒューズが切れる等の事故を防止できる。更に、カーボンワイヤー発熱体12はカーボン単繊維を組み上げたものであるため切断され難く、数本切れても抵抗値に変化がないため、ガス発生装置のヒータとしては好適である。
次に、ヒータ10の封止端子部13について、図6、7に基づいて説明する。なお、図6は封止端子部13の先端部分を示し、図7は封止端子部13の後端部分を示している。
図6、7に示すように、カーボンワイヤー発熱体12の端部を収容するガラス管16と、前記ガラス管15に圧縮されて収容され、前記カーボンワイヤー発熱体12の端部を挟持するワイヤーカーボン部材16とを備えている。このガラス管16はガラス管11の内部に収納されている。
なお、カーボンワイヤー発熱体12の端部を挟持するワイヤーカーボン部材15は、カーボンワイヤー発熱体12と同質のものが用いられ、前記したカーボンワイヤー発熱体12を2乃至4の複数本まとめて束にし、更にこの束を三束用いてワイヤーカーボン部材15としている。
また、封止端子部13の後端部分は、前記ガラス管16に端部が収容され、圧縮されたワイヤーカーボン部材15に挟持された電力供給用のMo(モリブデン)からなる内側接続線17と、前記内側接続線17と電気的に接続されるMo(モリブデン)箔18と、このMo(モリブデン)箔18に電気的に接続されるMo(モリブデン)からなる外側接続線14とを備えている。そして、Mo(モリブデン)箔18は前記ガラス管11に対していわゆるピンチングシールされている。
このように後端部分がピンチングシールされるため、前記シリカガラス管11は密閉される。なお、シリカガラス管11の内部には窒素ガスが充填され、カーボンワイヤー発熱体12等の酸化を抑制している。
また、このヒータ10にあっては、シリカガラス管11で覆っているために、前記した反応容器2、加熱部5と同様に、不純物が混入しにくく、耐食性、耐久性に優れている。
更に、前記したようにヒータ10が加熱部5に埋設されているため、加熱部(多孔質シリカガラス)が所定温度まで、短時間で昇温させることができる。また、ヒータ10からの赤外光・遠赤外光が、直接に原料である液体や固体に照射することができ、急速昇温ができ、気化ガスが短時間で発生させることができる。
図1に示した反応容器2(容器外形φ30mm、肉厚1.5mm)を製作し、更に熱電対6を下部より加熱部5の中心まで届くように、シリカガラスからなる原料導入パイプ8を設置した。またヒータ効率を向上させるために、ヒータ3の外側にCr/Tin/TiO2を蒸着したシリカ円筒(反射板4)を配置し、ヒータ3より反応容器2の外へ逃げる熱ロスを抑制した。反応容器2には、下部にキャリアガス導入管1bを配置し、キャリアガスは加熱部5の貫通孔を通過して、混合ガス導出口2cより反応容器2の外部に気化されたガスと共に導出した。また、反応容器2の下部に、残存した原料等を貯留する空間を設け、さらにその液体を抜き取ることができるように原料排出口2d及び弁7を設置した。
そして、6%、15%、30%の過酸化水素水を原料導入口1cより毎分0.1、0.5、1リットルを加熱部5(多孔質シリカガラス)上に滴下した。そのときの熱電対制御温度を150℃とした。また、キャリアガスとして、空気を毎分5リットル導入した。
その結果、どの場合においても、空気と過酸化水素水の混合ガスを円滑に導出することができ、容器下部へ過酸化水素水が溜まることはなかった。
実施例1の装置を用い、熱電対温度が300℃になるように制御し、原料導入口1aより毎分10gの尿素粉末を落下させた。また、この時、粉末を導入するにあたり、混合ガスが原料導入口1aへ逆流しないように粉体ストッカーを密閉容器とした。また、下部よりキャリアガスとして、窒素ガスを毎分5リットルで導入した。
その結果、粉末の尿素は加熱部5(多孔質シリカガラス)表面で液化し、加熱部5(多孔質シリカガラス)へ拡散しながら侵入し、円滑に分解、気化し、キャリアガスと共に混合ガスとなって、混合ガス導入口2cから導出することができた。
実施例1の加熱部5の上面にR=30mmの球面加工を施した。それ以外は、実施例1の装置と同一構成とした。この装置を用い、熱電対温度が300℃になるように制御し、原料導入口2aより毎分10gの尿素粒(粒径1mm)を落下させた。また、この時、尿素粒を導入するにあたり、混合ガスが原料導入口2aへ逆流しないように粒体ストッカーを密閉容器とした。また、下部よりキャリアガスとして、窒素ガスを毎分5リットルで導入した。
その結果、尿素粒は、加熱部5(多孔質シリカガラス)表面で飛散することなく、中央部に集中して液化し、加熱部5(多孔質シリカガラス)内部へ広がりながら侵入し、円滑に分解、気化し、キャリアガスと共に混合ガスとなって、混合ガス導出口2cより外部に導出された。
尚、加熱部5の上面が平坦な場合には、キャリアガスの通気量(フロート式流量計)が設定値毎分5リットルに対し、4.6〜5.1リットル毎分と乱れたが、この実施例の場合のようにR=30mmの球面加工が施された加熱部の場合、4.9〜5.0リットル毎分と略一定であった。
図4に示した反応容器(容器外形φ100mm、肉厚1.5mm)を製作し、更に熱電対を側面より加熱部の中心まで届くように設置した。また、カーボンワイヤーヒータ10を加熱部5に埋設した。それ以外は、実施例1に示したガス混合装置と同一の構成とした。
そして、6%、15%、30%の過酸化水素水を原料導入口2aより毎分0.1、0.5、1リットルを加熱部に滴下した。そのときの熱電対制御温度を150℃とした。また、キャリアガスとして、空気を毎分5リットル導入した。
その結果、どの場合においても,空気と過酸化水素水の混合ガスを円滑に導出でき、容器下部に過酸化水素水が溜まることはなかった。
さらに、実施例1と比較し、安定した気化ガスが発生するまでの時間が、前記実施例1では1分間要したのに対し、15秒で安定した混合ガスを導出することができた。
実施例4の装置を用い、熱電対温度が300℃になるように制御し、原料導入口2aより毎分10gの尿素粉末を落下させた。また、この時、粉末を導入するにあたり、混合ガスが原料導入口2aへ逆流しないように、粉体ストッカーを密閉容器とした。また、下部よりキャリアガスとして、窒素ガスを毎分5リットルで導入した。
その結果、実施例1の装置にあっては、混合ガスが安定して発生するまで3分間要したのに対し、この実施例4の装置にあっては20秒で安定させることができた。
このガス発生装置は、前記したように過酸化水素水を気化し、活性酸素を発生させ、殺菌消毒装置などに使用できる。また、尿素固体を溶融・気化させ、キャリアガスと共に混合ガスを発生させることができ、内燃機関の排気浄化装置等に使用できる。このように、このガス発生装置は各種分野において広く用いることができる。
図1は、本発明にかかる第一の実施形態を表した概略構成図である。 図2は、図1に示されたガス発生装置の変形例を示す概略構成図である。 図3は、図1に示されたガス発生装置の変形例を示す概略構成図である。 図4は、本発明にかかる第二の実施形態を表した概略構成図である。 図5は、カーボンワイヤー発熱体を示した図である。 図6は、ヒータ部の封止端子部の要部断面図である。 図7は、ヒータ部の封止端子部のピンチングシールの状態を示す斜視図である。 図8は、従来のガス発生装置を示す概略構成図である。
符号の説明
1 ガス発生装置
2 反応容器
2a 原料導入口
2b キャリアガス導入口
2c 混合ガス導出口
2d 原料排出口
3 ヒータ
4 熱反射板
5 加熱部
5a 上面
5b 凹部
6 熱電対
7 弁
8 原料導入パイプ
10 ヒータ(カーボンワイヤーヒータ)
11 シリカガラス管
12 カーボンワイヤー発熱体

Claims (8)

  1. シリカガラスからなる反応容器と、前記反応容器の外側または前記反応容器の内側に配設されたヒータと、反応容器内部に収容され、ヒータからの熱を受け原料を加熱する、貫通孔を有する多孔質シリカガラスからなる加熱部と、前記加熱部より上方向位置に設けられた、気化させる原料を反応容器に導入する原料導入口と、前記加熱部より下方向位置に設けられた、キャリアガスを反応容器に導入するキャリアガス導入口と、気化したガスとキャリアガスとが混合した混合ガスを反応容器の外部に導出する混合ガス導出口と
    を備えることを特徴とするガス発生装置。
  2. 前記ヒータが加熱部に埋設されていることを特徴とする請求項1に記載されたガス発生装置。
  3. 前記ヒータがシリカガラス管中にカーボンワイヤー発熱体が封入されたヒータであることを特徴とする請求項2に記載されたガス発生装置。
  4. 前記加熱部の上面が凹状の曲面形状に形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載されたガス発生装置。
  5. 前記加熱部が、気孔率50%〜80%、気孔径0.1mm〜2.5mmの多孔質シリカガラスで構成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載されたガス発生装置。
  6. 前記原料導入口から加熱部の上面近傍、あるいは加熱部内部まで延びる原料導入パイプが設けられ、原料が加熱部上面近傍あるいは加熱部内部に供給されることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載されたガス発生装置。
  7. 前記反応容器の加熱部より下方向位置に、残存した原料を排出する原料排出口が設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載されたガス発生装置。
  8. 前記反応容器の外側あるいは反応容器の外側に設けられたヒータの外側に、反射部材あるいは断熱部材が設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載されたガス発生装置。
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JP2011156485A (ja) * 2010-02-02 2011-08-18 Tokyo Gas Co Ltd 気化装置
JP2018054262A (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 澁谷工業株式会社 蒸気発生装置
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