JP2005215529A - Device with optical waveguide structure and manufacturing method therefor - Google Patents

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敦 鈴木
Yasuhiko Inui
靖彦 乾
Takeshi Ono
大野  猛
Toshifumi Kojima
敏文 小嶋
俊克 ▲高▼田
Toshikatsu Takada
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for obtaining an optical waveguide structure by using a near-infrared-ray setting composition and a device equipped with the optical waveguide structure having a core part made of near-infrared-ray setting resin obtained by the same method. <P>SOLUTION: This device 100 is equipped with an optical waveguide structure 10 having a core part 11 which is made of the near-infrared-ray setting resin having set and propagates light and a clad part 12 which surrounds the core part 11. Another device 100 is equipped with an optical waveguide structure 10 having a core part 11 which sets with near infrared rays and propagates light and a clad part 12 which surrounds the core part 11. This manufacturing method includes an unset layer forming stage of forming an unset layer made of a near-infrared-ray setting composition cured into near-infrared-ray setting resin and a core part forming stage of forming a core part by irradiating the unset layer with near infrared rays. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、光導波路構造付きデバイス及びその製造方法に関する。更に詳しくは、近赤外線硬化樹脂を用いた光導波路構造を有するデバイス及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a device with an optical waveguide structure and a manufacturing method thereof. More specifically, the present invention relates to a device having an optical waveguide structure using a near-infrared curable resin and a manufacturing method thereof.

従来、情報処理分野及び情報通信分野においては、電気信号を用いた処理が多くなされている。しかし、情報処理分野及び情報通信分野の進歩が著しく、扱われるデータ量等は増加しており、今後も益々大きくなることが予測される。また、これに伴う通信速度の高速化も求められている。このため、電気信号に比べて処理速度が大きい光信号を用いた情報処理及び情報通信への移行が望まれている。特に近年は、光通信ケーブルに代表される伝達距離の長い信号伝達経路及びこれに付随する専用デバイスだけでなく、汎用電子機器内の基板及び電子部品等の接続等の短い信号伝達経路に関しても、電気伝送媒体から、光伝送媒体への移行が検討されている。しかし、光伝送媒体を備えるデバイスを製造する際には、伝送ロスを極力低減するために極めて高い位置精度等を要するが、これにより製造工程は煩雑となり、コスト高等につながっている。   Conventionally, in an information processing field and an information communication field, many processes using electric signals have been performed. However, progress in the information processing field and the information communication field is remarkable, and the amount of data to be handled is increasing, and it is predicted that it will continue to increase in the future. Along with this, there is a demand for higher communication speed. For this reason, a shift to information processing and information communication using an optical signal having a processing speed larger than that of an electrical signal is desired. In particular, in recent years, not only signal transmission paths with long transmission distances typified by optical communication cables and dedicated devices associated therewith, but also short signal transmission paths such as connections of boards and electronic components in general-purpose electronic equipment, Migration from electrical transmission media to optical transmission media is being considered. However, when a device including an optical transmission medium is manufactured, extremely high position accuracy is required to reduce transmission loss as much as possible, which makes the manufacturing process complicated and leads to high costs.

この新たな情報処理及び情報通信において利用される光伝送媒体としては光導波路が知られており、更に、光導波路には有機系のものと、無機系のものとが知られている。このうち有機系のものは、加工性、可とう性等の材料特性及びコスト的な面等に優れるため有望視されている。この有機系の光導波路には光硬化樹脂が多く利用されており、これらは紫外線硬化樹脂である。一方、近赤外線硬化樹脂としては、下記特許文献1〜3に開示された技術が知られている。   An optical waveguide is known as an optical transmission medium used in the new information processing and information communication, and an organic type and an inorganic type are known as the optical waveguide. Of these, organic materials are promising because they are excellent in material properties such as processability and flexibility, and in terms of cost. For this organic optical waveguide, many photo-curing resins are used, and these are ultraviolet-curing resins. On the other hand, as the near infrared curable resin, techniques disclosed in the following Patent Documents 1 to 3 are known.

特開2003−195498号公報JP 2003-195498 A 特開2003−233178号公報JP 2003-233178 A 特開平9−137089号公報JP-A-9-137089

しかし、上記特許文献1〜3では、光導波路構造に関する示唆は認められない。
本発明は上記観点に鑑みてなされたものであり、近赤外線硬化樹脂を用いて形成された光導波路構造付きデバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。更に、光通信に用いられる近赤外線発光素子を利用して形成された、伝送ロスの抑制された光導波路構造付きデバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
However, in the said patent documents 1-3, the suggestion regarding an optical waveguide structure is not recognized.
This invention is made | formed in view of the said viewpoint, and it aims at providing the device with an optical waveguide structure formed using near-infrared curable resin, and its manufacturing method. Furthermore, it aims at providing the device with an optical waveguide structure in which the transmission loss was suppressed formed using the near-infrared light emitting element used for optical communication, and its manufacturing method.

本発明者らは、上記紫外線硬化樹脂を用いて形成する光導波路構造について検討を行い、製造工程における精度を向上させることで効率よく伝送ロスを低減できると考えた。そして、従来、紫外線硬化樹脂を使用しているために生じている伝送ロスがあることを見知した。即ち、通常、光通信では近赤外線が使用されているが、光導波路構造を形成するための光としては紫外線が使用されている。このため、例えば、位置合わせ精度が高いために注目されている自己形成手段により光導波路構造を形成しようとした場合、紫外線発光素子をまず光導波路構造を形成するためだけに取り付け、この紫外線発光素子を利用し、その後、この紫外線発光素子を、通信に使用する近赤外線発光素子にそのまま取り替える必要がある。従って、自己形成手段のメリットを十分に活かされていない場合がある。本発明者らは、この知見に基づき、近赤外線を用いた光導波路の形成について検討し、これに基づき本発明を完成させた。   The present inventors have studied an optical waveguide structure formed using the ultraviolet curable resin, and thought that transmission loss can be efficiently reduced by improving accuracy in the manufacturing process. In addition, it has been found that there is a transmission loss caused by using an ultraviolet curable resin. That is, normally, near-infrared light is used in optical communication, but ultraviolet light is used as light for forming the optical waveguide structure. For this reason, for example, when an optical waveguide structure is to be formed by self-forming means that has been attracting attention due to high alignment accuracy, the ultraviolet light emitting element is first attached only to form the optical waveguide structure. After that, it is necessary to replace the ultraviolet light emitting element with a near infrared light emitting element used for communication. Therefore, the merit of the self-forming means may not be fully utilized. Based on this finding, the present inventors studied the formation of an optical waveguide using near infrared rays, and based on this, completed the present invention.

即ち、本発明は、以下に示す通りである。
(1)硬化した近赤外線硬化樹脂からなり且つ光が伝搬するコア部と、該コア部を取り囲むクラッド部と、を有する光導波路構造を備えることを特徴とする光導波路構造付きデバイス。
(2)近赤外線により硬化され且つ光が伝搬するコア部と、該コア部を取り囲むクラッド部と、を有する光導波路構造を備えることを特徴とする光導波路構造付きデバイス。
(3)上記コア部の少なくとも1つの端部側に近赤外線を発する発光素子を備え、該コア部は、該発光素子から発せられた近赤外線により硬化されてなる上記(1)又は(2)に記載の光導波路構造付きデバイス。
(4)上記コア部内を伝搬する上記光を反射する光路変換部を有し、該コア部は該光路変換部において屈曲されている上記(1)乃至(3)のうちのいずれかに記載の光導波路構造付きデバイス。
(5)上記コア部と上記クラッド部とは、同種の樹脂からなる上記(1)乃至(4)のうちのいずれかに記載の光導波路構造付きデバイス。
(6)上記コア部は、アクリル系樹脂を含む上記(1)乃至(5)のうちのいずれかに記載の光導波路構造付きデバイス。
(7)上記コア部は、エポキシ系樹脂を含む上記(1)乃至(5)のうちのいずれかに記載の光導波路構造付きデバイス。
(8)硬化した近赤外線硬化樹脂からなり且つ光が伝搬するコア部と、該コア部を取り囲むクラッド部と、を有する光導波路構造を備える光導波路構造付きデバイスの製造方法であって、
硬化されて近赤外線硬化樹脂となる近赤外線硬化組成物からなる未硬化層を形成する未硬化層形成工程と、
該未硬化層に近赤外線を照射することにより上記コア部を形成するコア部形成工程と、を備えることを特徴とする光導波路構造付きデバイスの製造方法。
(9)上記(8)に記載の光導波路構造付きデバイスの製造方法であって、
上記未硬化層形成工程の後且つ上記コア部形成工程の前に、上記未硬化層上に、近赤外線を発する発光素子を配設する発光素子配設工程を備え、
上記コア部形成工程では、上記近赤外線を該発光素子を用いて照射し、該未硬化層の該近赤外線が照射及び透過された部位を選択的に硬化させて上記コア部を形成する光導波路構造付きデバイスの製造方法。
(10)上記(8)に記載の光導波路構造付きデバイスの製造方法であって、
上記コア部形成工程では、該未硬化層に該近赤外線を用いたフォトリソグラフィ法を施して上記コア部を形成する光導波路構造付きデバイスの製造方法。
That is, the present invention is as follows.
(1) A device with an optical waveguide structure comprising an optical waveguide structure made of a cured near infrared curable resin and having a core portion through which light propagates and a clad portion surrounding the core portion.
(2) A device with an optical waveguide structure comprising an optical waveguide structure having a core portion that is cured by near infrared rays and propagates light, and a clad portion that surrounds the core portion.
(3) The light emitting element that emits near infrared rays is provided on at least one end side of the core portion, and the core portion is cured by the near infrared rays emitted from the light emitting element. A device with an optical waveguide structure described in 1.
(4) The optical system according to any one of (1) to (3), further including an optical path conversion unit that reflects the light propagating in the core unit, wherein the core unit is bent at the optical path conversion unit. Device with optical waveguide structure.
(5) The device with an optical waveguide structure according to any one of (1) to (4), wherein the core portion and the cladding portion are made of the same kind of resin.
(6) The device with an optical waveguide structure according to any one of (1) to (5), wherein the core portion includes an acrylic resin.
(7) The device with an optical waveguide structure according to any one of (1) to (5), wherein the core portion includes an epoxy resin.
(8) A method of manufacturing a device with an optical waveguide structure comprising an optical waveguide structure comprising a core portion made of a cured near-infrared curable resin and propagating light, and a cladding portion surrounding the core portion,
An uncured layer forming step of forming an uncured layer comprising a near-infrared curable composition which is cured to become a near-infrared curable resin;
A core part forming step of forming the core part by irradiating the uncured layer with near-infrared rays.
(9) A method for manufacturing a device with an optical waveguide structure according to (8) above,
After the uncured layer forming step and before the core portion forming step, a light emitting element disposing step of disposing a light emitting element emitting near infrared rays on the uncured layer is provided.
In the core part forming step, an optical waveguide that irradiates the near infrared ray using the light emitting element and selectively cures a portion of the uncured layer irradiated and transmitted with the near infrared ray to form the core part. A method for manufacturing a structured device.
(10) A method for manufacturing a device with an optical waveguide structure according to (8) above,
In the core part forming step, a method of manufacturing a device with an optical waveguide structure, wherein the core part is formed by performing a photolithography method using the near infrared ray on the uncured layer.

本第1観点及び本第2観点に係る光導波路構造付きデバイスによれば、光により回路を作動させることができる。
コア部が発光素子から発せられた近赤外線により硬化されてなるものである場合は、光学素子とコア部とを高い精度で光学的に接続でき、特に伝送ロスが抑制された回路を得ることができる。また、製造工程を簡略化できる。これによりコスト面、歩留まり面等においても優れる。
コア部が光路変換部において屈曲されている場合は、最適な光路を得ることができ、通信効率を向上させること及び小型化することができる。
コア部とクラッド部とが同種の樹脂からなる場合は、製造工程を簡略化できる。これによりコスト面、歩留まり面等においても優れる。
コア部がアクリル系樹脂を含む場合は、製造時における感光性に優れ、また、透明性に特に優れたコア部を有する光導波路構造付きデバイスとなる。
コア部がエポキシ系樹脂を含む場合は、耐熱性、耐絶縁性及び耐水性に特に優れた光導波路構造付きデバイスとなる。
本発明の光導波路構造付きデバイスの製造方法によれば、効率よく光により作動される回路を得ることができる。
発光素子配設工程を備え、コア部形成工程では発光素子を用いて選択的に硬化させてコア部を形成する場合は、光学素子とコア部とを高い精度で光学的に接続でき、特に伝送ロスが抑制された回路を得ることができる。また、製造工程を簡略化できる。これによりコスト面、歩留まり面等においても優れる。
フォトリソグラフィ法を施してコア部を形成する場合は、効率よく平面の光通信回路パターンを形成することができる。
According to the device with an optical waveguide structure according to the first and second aspects, the circuit can be operated by light.
When the core part is cured by near infrared rays emitted from the light emitting element, the optical element and the core part can be optically connected with high accuracy, and in particular, a circuit with reduced transmission loss can be obtained. it can. In addition, the manufacturing process can be simplified. This is excellent in terms of cost, yield and the like.
When the core portion is bent at the optical path changing portion, an optimal optical path can be obtained, and communication efficiency can be improved and the size can be reduced.
When the core part and the clad part are made of the same kind of resin, the manufacturing process can be simplified. This is excellent in terms of cost, yield and the like.
When the core portion contains an acrylic resin, the device with an optical waveguide structure having a core portion that is excellent in photosensitivity at the time of manufacture and particularly excellent in transparency.
When the core portion contains an epoxy resin, the device with an optical waveguide structure that is particularly excellent in heat resistance, insulation resistance, and water resistance is obtained.
According to the method for manufacturing a device with an optical waveguide structure of the present invention, a circuit that is operated by light efficiently can be obtained.
When the core portion is formed by selectively curing using the light emitting element in the core portion forming step, the optical element and the core portion can be optically connected with high accuracy, particularly transmission. A circuit in which loss is suppressed can be obtained. In addition, the manufacturing process can be simplified. This is excellent in terms of cost, yield and the like.
When the core portion is formed by performing a photolithography method, a planar optical communication circuit pattern can be efficiently formed.

本発明について、以下詳細に説明する。
[1]光導波路構造付きデバイス
本第1観点に係る光導波路構造付きデバイスは、硬化した近赤外線硬化樹脂からなり且つ光が伝搬するコア部と、コア部を取り囲むクラッド部と、を有する光導波路構造を備えることを特徴とする。
The present invention will be described in detail below.
[1] Device with optical waveguide structure The device with an optical waveguide structure according to the first aspect includes an optical waveguide made of a cured near-infrared curable resin and having a core portion through which light propagates and a cladding portion surrounding the core portion. A structure is provided.

上記「光導波路構造」は、コア部とクラッド部とを備える。
上記「コア部」は、光が伝搬する部分である。コア部は、硬化された近赤外線硬化樹脂からなる。この「近赤外線硬化樹脂」は、後述する近赤外線硬化組成物が硬化されてなる樹脂であり、近赤外線の照射により重合(「重合」には「共重合」及び「単独重合」を含む。以下同様。)されて(「更に重合が進行されて」を含む意味である。)硬化する樹脂である。本発明でいう近赤外線硬化樹脂は、熱硬化性重合体(「重合体」には「共重合体」及び「単独重合体」を含む。以下同様。)並びに熱可塑性重合体等を含むものである。また、樹脂中の三次元構造の有無等も限定されない。
The “optical waveguide structure” includes a core portion and a cladding portion.
The “core part” is a part through which light propagates. A core part consists of hardened near-infrared curable resin. This “near-infrared curable resin” is a resin obtained by curing a near-infrared curable composition to be described later, and is polymerized by irradiation with near-infrared rays (“polymerization” includes “copolymerization” and “homopolymerization”). And the like (which means that the polymerization has further progressed). The near-infrared curable resin referred to in the present invention includes a thermosetting polymer ("polymer" includes "copolymer" and "homopolymer", the same shall apply hereinafter), a thermoplastic polymer, and the like. Further, the presence or absence of a three-dimensional structure in the resin is not limited.

コア部を構成する近赤外線硬化樹脂の種類は特に限定されない。例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素樹脂、ビスマレイミド系樹脂、ポリフェニレンエーテル系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、フェノキシ系樹脂及びポリオレフィン系樹脂等を用いることができる。また、これらの各樹脂の備える水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子に置換された各ハロゲン化樹脂、これらの樹脂の備える少なくとも一部の水素原子が重水素原子に置換された各重水素化樹脂等を用いることができる。これらの樹脂は1種のみを用いてもよく、2種以上を併用してもよい。   The kind of near-infrared curable resin which comprises a core part is not specifically limited. For example, acrylic resin, epoxy resin, polyimide resin, fluororesin, bismaleimide resin, polyphenylene ether resin, phenol resin, silicone resin, urethane resin, polyester resin, phenoxy resin and polyolefin resin Etc. can be used. In addition, each halogenated resin in which at least some of the hydrogen atoms included in each of these resins are substituted with halogen atoms, and each deuterated resin in which at least some of the hydrogen atoms included in these resins are replaced with deuterium atoms Etc. can be used. These resins may be used alone or in combination of two or more.

これらのなかでも、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ハロゲン化アクリル系樹脂、ハロゲン化エポキシ系樹脂、重水素化アクリル系樹脂、及び、重水素化エポキシ系樹脂が好ましい。これらの樹脂は近赤外線の透過性に優れるからである。これらのなかでも、特にフッ素化アクリル系樹脂、フッ素化エポキシ系樹脂、重水素化アクリル系樹脂、及び、重水素化エポキシ系樹脂がより好ましい。これらの樹脂は、後述する本発明による製造方法では特に伝送ロスの少ない接続を行うことができる。また、材料自体も近赤外線の透過率に優れるため伝送ロスを効果的に抑制できるからである。上記各ハロゲン化樹脂は、F、Cl及びBrの少なくとも1種による置換が好ましく、Fによる置換が特に好ましい。   Among these, acrylic resins, epoxy resins, halogenated acrylic resins, halogenated epoxy resins, deuterated acrylic resins, and deuterated epoxy resins are preferable. This is because these resins have excellent near-infrared transmittance. Among these, fluorinated acrylic resins, fluorinated epoxy resins, deuterated acrylic resins, and deuterated epoxy resins are more preferable. These resins can be connected with little transmission loss particularly in the production method according to the present invention described later. Moreover, since the material itself is excellent in the near infrared transmittance, transmission loss can be effectively suppressed. Each halogenated resin is preferably substituted with at least one of F, Cl and Br, and particularly preferably substituted with F.

コア部は、コア部を構成する近赤外線硬化樹脂の種類及びその種数に関わらず、全体にわたってほぼ均一な屈折率であってもよく、屈折率の異なる部分を有していてもよい。即ち、全体にわたってほぼ均一な屈折率であるとは、例えば、コア部とクラッド部との界面で屈折率が急激に変化する場合等である。また、屈折率の異なる部分を有するとは、例えば、コア部の中心部で最大の屈折率を有し、クラッド部に近づくに従い屈折率が小さくなる場合等である。但し、屈折率は、異種の樹脂間で異なることもあれば同じであることもあり、また、同じ単量体に由来する樹脂であってもその重合度により変化する。このため、均一な屈折率の部分及び屈折率の異なる部分は、各々同種の樹脂から得てもよく、異種の樹脂から得てもよい。
また、コア部の光に対する透過特性は特に限定されず、例えば、赤外線(近赤外線を含む)、可視光線及び紫外線等、どのような光が透過できるものであってもよい。なかでも、特に近赤外線(0.7〜25μm)が透過できるものであることが好ましく、更には近赤外線(0.7〜2μm)の透過に適したものであることがより好ましい。
Regardless of the type and number of near-infrared curable resins constituting the core portion, the core portion may have a substantially uniform refractive index or may have portions with different refractive indexes. That is, the substantially uniform refractive index throughout the entire case is, for example, a case where the refractive index changes abruptly at the interface between the core portion and the cladding portion. In addition, the phrase “having a portion having a different refractive index” means, for example, a case where the core portion has the maximum refractive index and the refractive index becomes smaller as it approaches the cladding portion. However, the refractive index may be different or the same between different types of resins, and even a resin derived from the same monomer changes depending on the degree of polymerization. Therefore, the uniform refractive index portion and the different refractive index portion may be obtained from the same kind of resin or from different kinds of resins.
Moreover, the transmission characteristic with respect to the light of a core part is not specifically limited, For example, what kind of light can be permeate | transmitted, such as infrared rays (a near infrared ray is included), visible light, and an ultraviolet-ray, may be used. Especially, it is preferable that it is what can permeate | transmit a near infrared ray (0.7-25 micrometers) especially, and it is more preferable that it is a thing suitable for transmission of a near infrared ray (0.7-2 micrometers).

コア部の形態は特に限定されないが、通常、光の入出力を行うことができる端面を有する。この端面の数は特に限定されないが、通常、2つ以上であり、少なくとも1つは入光面として、少なくとも他の1つは出光面として用いることができる。3つ以上の端面を有する場合には、2つ以上の入光面及び/又は出光面を有するコア部とすることができる。
また、平面形状は特に限定されず、直線状であってもよく、曲線状であってもよく、屈曲部を有してもよく、枝分かれを有してもよい。更に、端部近傍では端面に向かって広がるラッパ形状等とすることもできる。このうち、屈曲部とは、光路が曲がる部分を意味する。屈曲部を有することにより、最適な光路を得ることができ、通信効率を向上させること及び小型化すること等ができる。この屈曲部は、一連のコア部に1ヶ所のみを有してもよく、2ヶ所以上を有してもよい。この屈曲部における光路変換部については後述する。
更に、断面形状(光の伝搬方向に対する断面)も特に限定されず、四角形(正方形及び矩形など)及び円形等とすることができる。また、四角形以外の他の多角形とすることもでき、楕円形等のように完全な円形ではない断面形状であってもよい。
Although the form of a core part is not specifically limited, Usually, it has an end surface which can input and output light. The number of the end faces is not particularly limited, but is usually two or more, and at least one can be used as a light entrance surface and at least one other can be used as a light exit surface. In the case of having three or more end faces, the core portion can have two or more light incident surfaces and / or light exit surfaces.
The planar shape is not particularly limited, and may be linear, curved, may have a bent portion, or may have a branch. Furthermore, it can also be set as the trumpet shape etc. which spread toward an end surface in the vicinity of the end. Among these, the bent portion means a portion where the optical path is bent. By having the bent portion, an optimal optical path can be obtained, and communication efficiency can be improved and the size can be reduced. This bent part may have only one place in a series of core parts, or may have two or more places. The optical path changing part in this bent part will be described later.
Further, the cross-sectional shape (cross-section with respect to the light propagation direction) is not particularly limited, and may be a quadrangle (such as a square or a rectangle) or a circle. Moreover, it can also be made into polygons other than a rectangle, and cross-sectional shape which is not perfect circles like an ellipse etc. may be sufficient.

上記のように近赤外線硬化樹脂は、近赤外線重合組成物が近赤外線の照射により重合された樹脂である。このコア部はどのような方法により近赤外線重合組成物が、重合されたものであってもよいが、例えば、下記(1)〜(3)のコア部を挙げることができる。即ち、(1)近赤外線硬化組成物からなる未硬化層上に近赤外線発光素子を配設し、次いで、この近赤外線発光素子から近赤外線を発して未硬化層の所望の部位を選択的に硬化させて得られたコア部、(2)近赤外線硬化組成物からなる未硬化層に近赤外線を用いたフォトリソグラフィ法を施して未硬化層の所望の部位を選択的に硬化させて得られたコア部、(3)近赤外線硬化組成物からなる未硬化層の所望の部位が硬化するように近赤外線レーザーにより描画形成して得られたコア部である。   As described above, the near-infrared curable resin is a resin obtained by polymerizing a near-infrared polymerization composition by irradiation with near-infrared rays. The core part may be obtained by polymerizing the near infrared polymerization composition by any method, and examples thereof include the following core parts (1) to (3). That is, (1) a near-infrared light emitting element is disposed on an uncured layer comprising a near-infrared curable composition, and then a near infrared light is emitted from the near-infrared light emitting element to selectively select a desired portion of the uncured layer. A core obtained by curing, and (2) obtained by subjecting an uncured layer comprising a near-infrared curable composition to a desired portion of the uncured layer by subjecting the uncured layer to a photolithography method using near infrared rays. And (3) a core portion obtained by drawing with a near-infrared laser so that a desired portion of an uncured layer made of the near-infrared curable composition is cured.

これらのなかでは、上記(1)のコア部が好ましい。このコア部は、特に伝送ロスが抑制された精度の高い接続を近赤外線発光素子との間で得ることができるからである。即ち、従来公知の紫外線硬化樹脂からなるコア部は、紫外線発光素子を用いてコア部を形成した後、このコア部の形成のためだけに使用された紫外線発光素子を取り外し、その後、実際に通信光を発する近赤外線発光素子を高精度で位置決めした上で取り付けて、コア部と近赤外線発光素子とが接続されている。対して上記(1)のコア部は、近赤外線発光素子を用いて直接コア部が形成されている。このため、伝送ロスを生じ難く、また、伝送ロスを抑制するため大きなコストを要しない。即ち、より効率的に、より確実に、位置精度等に起因する伝導ロスが抑制された接続を得ることができる。   Among these, the core part (1) is preferable. This is because the core portion can obtain a highly accurate connection with a near-infrared light emitting element, in particular, with reduced transmission loss. That is, the core part made of a conventionally known ultraviolet curable resin is formed by using the ultraviolet light emitting element, and then the ultraviolet light emitting element used only for forming the core part is removed, and then the actual communication is performed. A near-infrared light-emitting element that emits light is positioned with high accuracy and attached, and the core portion and the near-infrared light-emitting element are connected. On the other hand, the core part of (1) is directly formed using a near-infrared light emitting element. For this reason, it is difficult to cause a transmission loss, and a large cost is not required to suppress the transmission loss. That is, it is possible to obtain a connection in which conduction loss due to position accuracy and the like is suppressed more efficiently and more reliably.

この上記(1)のコア部を形成する際に用いられる近赤外線発光素子の種類等は特に限定されず、用いる近赤外線重合組成物の構成等により適宜のものとすることができる。この発光素子としては、例えば、面発光レーザー(Vertical Cavity Surface Emitting Laser;VCSEL)、発光ダイオード(Light Emitting Diode;LED)、及び、半導体レーザダイオード(Laser Diode ;LD)等が挙げられる。これらは1種のみを用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
本発明の光導波路構造付きデバイスにおけるコアは、近赤外線により硬化されたものであるため、紫外線硬化によるコアに比べて損傷が少なく、信頼性が高い。紫外線照射は、近赤外線照射に比べて高いエネルギーを与えることとなるため、樹脂が酸化されたり、場合によっては分解及び変質されたりするおそれがある。また、樹脂を選択する際には紫外線照射に耐え得る特性を備えているものを選択する必要がある。しかし、近赤外線硬化によるコア及びそのための樹脂においてはこれらの制約がない点において優れる。
There are no particular limitations on the type of near-infrared light emitting element used when forming the core part of the above (1), and it can be appropriately determined depending on the configuration of the near-infrared polymerization composition used. Examples of the light emitting element include a surface emitting laser (VCSEL), a light emitting diode (LED), and a semiconductor laser diode (LD). These may use only 1 type and may use 2 or more types together.
Since the core in the device with an optical waveguide structure of the present invention is cured by near infrared rays, the core is less damaged and more reliable than the core cured by ultraviolet rays. Since ultraviolet irradiation gives higher energy than near-infrared irradiation, there is a possibility that the resin may be oxidized or possibly decomposed and altered. In addition, when selecting a resin, it is necessary to select a resin having a characteristic capable of withstanding ultraviolet irradiation. However, the core by near infrared curing and the resin therefor are excellent in that there are no such restrictions.

上記「クラッド部」は、コア部を取り囲む部分である。また、クラッド部は、コア部との界面においてコア部内を伝搬する光を反射できる部分である。例えば、クラッド部は、コア部に比べて屈折率を小さく(通常、0.2%以上)することで、この作用を得ることができる。
このクラッド部を構成する材料は特に限定されない。このクラッド部には無機系材料を用いてもよいが、加工が容易であり、コア部を構成する近赤外線硬化樹脂と熱膨張率の合わせこみがより容易であること等から有機系材料を用いることが好ましい。有機系材料としては、近赤外線を用いて硬化されたか否かに関係なく、上記近赤外線硬化樹脂として挙げた各樹脂を用いることができる。但し、コア部とクラッド部とは、同じ樹脂からなってもよく、異なる樹脂からなってもよい。
また、クラッド部の形状は特に限定されない。即ち、例えば、図6に例示するように所定の層及び部位においてコア部を除く部分全てがクラッド部となるように形成されていてもよく、図7に例示するように所定の層及び部位内の一部として、コア部及びクラッド部を備え、クラッド部はコア部の表面を薄く覆うように形成されていてもよい。更に、断面形状(光の伝搬方向に対する断面)も特に限定されず、コア部と同様な断面形状であってもよく、異なる形状であってもよい。
The “cladding portion” is a portion surrounding the core portion. The clad part is a part that can reflect light propagating in the core part at the interface with the core part. For example, the clad portion can obtain this effect by making the refractive index smaller (usually 0.2% or more) than the core portion.
The material constituting the clad portion is not particularly limited. An inorganic material may be used for this clad part, but an organic material is used because it is easy to process and it is easier to match the thermal expansion coefficient with the near infrared curable resin constituting the core part. It is preferable. As the organic material, any of the resins mentioned as the near-infrared curable resin can be used regardless of whether the resin is cured using near-infrared rays. However, the core part and the clad part may be made of the same resin or different resins.
Moreover, the shape of a clad part is not specifically limited. That is, for example, as illustrated in FIG. 6, all the portions except for the core portion in the predetermined layer and portion may be formed as the cladding portion, and in the predetermined layer and portion as illustrated in FIG. 7. As a part, a core part and a clad part may be provided, and the clad part may be formed so as to cover the surface of the core part thinly. Further, the cross-sectional shape (cross-section with respect to the light propagation direction) is not particularly limited, and may be a cross-sectional shape similar to that of the core portion or a different shape.

また、前述のようにコア部には必要に応じて屈曲部を設けることができるが、本デバイスにおける光導波路構造ではクラッド部を有するために、光路変換部を有さなくとも光路を変換(屈曲)することができる。しかし、クラッド部とコア部との屈折率差等によりクラッド部による反射が十分に得られない角度を生じ、コア部内から漏光する場合がある。このため、光路変換部を有することが好ましい(例えば、コア部とクラッド部の屈折率差が0.3%であり、7度以上の角度で光路変換をする場合等)。即ち、コア部内を伝搬する光を反射する光路変換部を有し、この光路変換部において屈曲する構造とすることが好ましい。この光路変換部は、光導波路構造中に1つのみを有してもよく、2つ以上を有してもよい。   As described above, the core portion can be provided with a bent portion as required. However, since the optical waveguide structure in this device has a cladding portion, the optical path can be converted (bended) without an optical path changing portion. )can do. However, an angle at which sufficient reflection from the clad part is not obtained due to a difference in refractive index between the clad part and the core part may occur, and light may leak from the core part. For this reason, it is preferable to have an optical path changing part (for example, when the refractive index difference between the core part and the clad part is 0.3% and the optical path is changed at an angle of 7 degrees or more). That is, it is preferable to have a structure that has an optical path changing portion that reflects light propagating in the core portion and is bent at the optical path changing portion. This optical path conversion part may have only one in an optical waveguide structure, and may have two or more.

上記「光路変換部」は、コア部内を伝搬する光を反射できる部分である。光路変換部を有することにより、漏光を防止しつつ、光路を効率よく変換できる。この光路変換部の構成及び形状等は特に限定されない。即ち、例えば、図8の43〜45に例示するように、傾斜された反射面を設ける(例えば、V字溝、V字凸部、台形溝及び台形凸部等の一面を利用する)ことにより構成できる。この反射面は、1つの光路変換部内に1つのみを備えてもよく、2つ以上を備えてもよい。また、この反射面は、光を反射できる面であればどのような材料から形成されてもよいが、例えば、金属等の反射率の高い材料で形成することが好ましく、なかでも、金、銀、銅、ロジウム及びニッケル等が好ましい。これらは1種のみを用いてもよく、2種以上を併用してもよい。   The “optical path changing part” is a part that can reflect light propagating in the core part. By having the optical path conversion unit, it is possible to efficiently convert the optical path while preventing light leakage. The configuration, shape, and the like of the optical path conversion unit are not particularly limited. That is, for example, by providing an inclined reflective surface (for example, using one surface such as a V-shaped groove, a V-shaped convex portion, a trapezoidal groove, and a trapezoidal convex portion) as illustrated in 43 to 45 of FIG. Can be configured. Only one reflection surface may be provided in one optical path conversion unit, or two or more reflection surfaces may be provided. The reflective surface may be formed of any material as long as it can reflect light. For example, the reflective surface is preferably formed of a material having high reflectivity such as metal. Copper, rhodium, nickel and the like are preferable. These may use only 1 type and may use 2 or more types together.

これらの光路変換部43〜45の形成方法は特に限定されないが、例えば、図8の光路変換部43は、金属塊をキャピラリ等を用いて所望形状に押圧成形して得ることができる。図8の光路変換部44は、クラッド部にダイシングブレード等を用いて切欠き(凹部)を設け、この切欠き内に金属等からなる反射層47を形成することで得ることができる。図8の光路変換部45及び46は、上記と同様に切欠き(凹部)内に反射層47を設けた後に、クラッド部と同じ材料又は異なるなんらかの材料を用いて切り欠き内を充填することで得ることができる。また、この図8の光路変換部45及び46は、傾斜面を有する凸部を樹脂等により形成し、凸部の表面を金属等からなる反射層47で覆って得ることもできる。   The method for forming these optical path conversion units 43 to 45 is not particularly limited. For example, the optical path conversion unit 43 in FIG. 8 can be obtained by pressing a metal block into a desired shape using a capillary or the like. The optical path conversion unit 44 in FIG. 8 can be obtained by providing a notch (concave portion) using a dicing blade or the like in the clad portion and forming a reflective layer 47 made of metal or the like in the notch. In the optical path conversion parts 45 and 46 of FIG. 8, after providing the reflective layer 47 in the notch (concave part) as described above, the inside of the notch is filled using the same material as the clad part or some different material. Can be obtained. 8 can also be obtained by forming a convex portion having an inclined surface with a resin or the like and covering the surface of the convex portion with a reflective layer 47 made of metal or the like.

本発明の光導波路構造付きデバイスは、光導波路構造、発光素子及び光路変換部以外にも他部を備えることができる。他部としては、受光素子等の光学部品が挙げられる。更に、各種電子部品等が挙げられる。
これらのうち受光素子としては、例えば、pinフォトダイオード(pin Photo Diode;pin PD)及びアバランシェフォトダイオード(APD)等が挙げられる。尚、前記発光素子と上記受光素子とは一体化されたものであってもよい。
また、電子部品としては、各種能動部品(集積回路素子及びトランジスタ等)、受動部品(コンデンサ、キャパシタ及びインダクタ等)、変換部品(フィルタ及びトランス等)及び接続部品等が挙げられる。
これらの光学部品及び電子部品の搭載方法等は特に限定されず、ワイヤボンディング及び/又はフリップチップボンディング等によるものとすることができる。
The device with an optical waveguide structure of the present invention can include other parts in addition to the optical waveguide structure, the light emitting element, and the optical path changing part. Examples of other parts include optical components such as light receiving elements. Furthermore, various electronic parts etc. are mentioned.
Among these, examples of the light receiving element include a pin photodiode (pin PD) and an avalanche photodiode (APD). The light emitting element and the light receiving element may be integrated.
Examples of electronic components include various active components (such as integrated circuit elements and transistors), passive components (such as capacitors, capacitors, and inductors), conversion components (such as filters and transformers), and connection components.
The method for mounting these optical components and electronic components is not particularly limited, and may be wire bonding and / or flip chip bonding.

更に、本光導波路構造付きデバイスは、導体部を備えることができる。特に前記発光素子及び上記受光素子等の光学素子を備える場合は、導体部を備えることが好ましい。導体部を備えることにより光学素子は、他の電子部品と電気的に接続でき、光導波路構造、光学素子及び電子部品等を一体物として扱えるようになる。また、本光導波路構造付きデバイス内に導体部を備えることにより、光学素子と電子部品との接続距離等を短く抑えることができ、応答性を向上させることができる。更に、光導波路構造付きデバイス自体の小型化にも寄与することとなる。   Furthermore, the device with an optical waveguide structure can include a conductor portion. In particular, when an optical element such as the light emitting element and the light receiving element is provided, it is preferable to provide a conductor portion. By providing the conductor portion, the optical element can be electrically connected to another electronic component, and the optical waveguide structure, the optical element, the electronic component, and the like can be handled as an integrated object. Further, by providing the conductor portion in the device with the optical waveguide structure, the connection distance between the optical element and the electronic component can be kept short, and the responsiveness can be improved. Furthermore, this contributes to miniaturization of the device with an optical waveguide structure itself.

導体部の種類は特に限定されず、例えば、通常配線、スルーホール導体、ビア導体、抵抗として機能する配線パターン、インダクタとして機能する配線パターン、キャパシタとして機能する配線パターン及びランド等が挙げられる。これらの導体部の配設場所は特に限定されないが、クラッド内、クラッド部表面及び後述する基体部内等に配設することができる。更に、導体部を構成する材料も特に限定されず、例えば、金、銀、銅、白金、ニッケル、クロム、チタン、アルミニウム、タングステン及びモリブデン等を用いることができる。これらは1種のみを用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
導体部の形成方法は特に限定されないが、例えば、スパッタ法、イオンプレーティング法、蒸着法(CVD法及びPVD法等を含む)、気相成長法及びめっき法等と、フォトリソグラフィ法等のパターニング法とを併用して得ることができる。
The type of the conductor portion is not particularly limited, and examples thereof include normal wiring, through-hole conductors, via conductors, wiring patterns that function as resistors, wiring patterns that function as inductors, wiring patterns that function as capacitors, lands, and the like. The arrangement place of these conductor parts is not particularly limited, but can be arranged in the clad, on the surface of the clad part, and in the base part to be described later. Furthermore, the material which comprises a conductor part is not specifically limited, For example, gold | metal | money, silver, copper, platinum, nickel, chromium, titanium, aluminum, tungsten, molybdenum etc. can be used. These may use only 1 type and may use 2 or more types together.
The method for forming the conductor part is not particularly limited. For example, sputtering, ion plating, vapor deposition (including CVD and PVD), vapor deposition and plating, and patterning such as photolithography. Can be obtained in combination with the law.

光導波路構造は単独で存在していてもよい。即ち、例えば、光導波路構造中のクラッド部が所望の目的において十分な機械的強度を有する場合には、このクラッド部が光導波路構造の形状を保持する基体部として機能することとなる。
一方、光導波路構造は基体部を備えていてもよい。即ち、例えば、上記のようにクラッド部が光導波路構造の形状を保持することができない場合、又は、保持できる場合であっても必要な場合、更には、剥離可能に保持されて後に他部と接合される目的である場合、等には、基体部を備えることができる。この基体部は、光導波路構造と接合されて一体化されていてもよく、剥離可能に保持されていてもよい。更に、基体部は、光導波路構造と直接接していてもよく、他部を介していてもよい。
The optical waveguide structure may exist alone. That is, for example, when the clad portion in the optical waveguide structure has sufficient mechanical strength for a desired purpose, the clad portion functions as a base portion that maintains the shape of the optical waveguide structure.
On the other hand, the optical waveguide structure may include a base portion. That is, for example, when the cladding portion cannot hold the shape of the optical waveguide structure as described above, or even if it can be held, if it is necessary, it is further held detachably and later with other portions. When it is the purpose to be joined, the base portion can be provided in the case. This base part may be joined and integrated with the optical waveguide structure, or may be held in a peelable manner. Furthermore, the base portion may be in direct contact with the optical waveguide structure or may be through another portion.

基体部を構成する材料は特に限定されず、有機系材料、無機系材料及びこれら両方を用いた複合材料等が挙げられる。
有機系材料は特に限定されず、例えば、エポキシ系樹脂、BT(ビスマレイミド・トリアジン)系樹脂、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂、キシレン系樹脂、熱硬化性PPE(ポリフェニレンエーテル)系樹脂、LCP(液層ポリマー)、BCB(ベンゾシクロブテン)及びポリノルボルネン等を挙げることができる。これらの有機系材料は1種のみを用いてもよく、2種以上を併用してもよい。また、これらの樹脂に改質のための各種ゴム等を含有することもできる。更に、基体部は芯材としてガラスクロス、ガラス不織布、樹脂(ポリアミド等)クロス、樹脂(ポリアミド等)不織布、樹脂(ポリアミド等)フィルム、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)等で形成された3次元網目構造を有するフッ素樹脂系芯材及び金属箔等を有していてもよい。
The material which comprises a base | substrate part is not specifically limited, The composite material etc. which used the organic material, the inorganic material, and both of these are mentioned.
The organic material is not particularly limited. For example, epoxy resin, BT (bismaleimide / triazine) resin, polyimide resin, phenol resin, xylene resin, thermosetting PPE (polyphenylene ether) resin, LCP ( Liquid layer polymer), BCB (benzocyclobutene), polynorbornene and the like. These organic materials may be used alone or in combination of two or more. These resins may also contain various rubbers for modification. Further, the base portion is made of glass cloth, glass nonwoven fabric, resin (polyamide, etc.) cloth, resin (polyamide, etc.) nonwoven fabric, resin (polyamide, etc.) film, PTFE (polytetrafluoroethylene), etc. as a core material. You may have the fluororesin-type core material and metal foil which have a structure.

無機系材料も特に限定されず、例えば、アルミナ、石英、チタニア、ジルコニア、ガーナイト、チタン酸塩(チタン酸マグネシウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等)、ムライト、コーディエライト、フォルステライト、ワラストナイト、アノーサイト、エンスタタイト、ジオプサイト、アーケルマナイト、ゲーレナイト及びスピネル等のセラミックス系材料が挙げられる。更に、結晶性又は非結晶性のガラス系材料が挙げられる。ガラス系材料を構成する成分としては、Si、Al、Na、K、Mg、Ca、B、Pb及びZn等が挙げられる。具体的には、アルミノケイ酸系ガラス及びアルミノホウケイ酸系ガラス等が挙げられる。これらのセラミック系材料及びガラス系材料は単独で用いてもよく、併用してもよい。併用する場合には、セラミックス系材料をフィラー等としてガラス系材料中に含有させることができる。これらの無機系材料は1種のみを用いてもよく、2種以上を併用してもよい。   The inorganic material is not particularly limited. For example, alumina, quartz, titania, zirconia, garnite, titanate (magnesium titanate, calcium titanate, strontium titanate, barium titanate, etc.), mullite, cordierite, and forte Examples thereof include ceramic materials such as stellite, wollastonite, anorthite, enstatite, diopsite, akermanite, gelenite, and spinel. Furthermore, crystalline or non-crystalline glass-based materials can be mentioned. Examples of the component constituting the glass material include Si, Al, Na, K, Mg, Ca, B, Pb, and Zn. Specific examples include aluminosilicate glass and aluminoborosilicate glass. These ceramic materials and glass materials may be used alone or in combination. When used in combination, a ceramic material can be contained in the glass material as a filler. These inorganic materials may be used alone or in combination of two or more.

また、本第2観点に係る光導波路構造付きデバイスは、近赤外線により硬化され且つ光が伝搬するコア部と、該コア部を取り囲むクラッド部と、を有する光導波路構造を備えることを特徴とする。本発明におけるコア部、クラッド部、光導波路構造及び他部等は前記本第1観点に係る光導波路構造付きデバイスにおける各々をそのまま適用できる。   The device with an optical waveguide structure according to the second aspect includes an optical waveguide structure having a core portion that is cured by near-infrared light and propagates light, and a cladding portion that surrounds the core portion. . Each of the core part, the clad part, the optical waveguide structure, the other part, etc. in the present invention can be applied as it is in the device with an optical waveguide structure according to the first aspect.

[2]光導波路構造付きデバイスの製造方法
上記本発明の光導波路構造付きデバイスはどのような方法により製造してもよいが、後述のように未硬化層形成工程において近赤外線硬化組成物を用いる。以下、先ず近赤外線硬化組成物について説明する。
〈1〉近赤外線硬化組成物
上記「近赤外線硬化組成物」は、近赤外線の照射により重合されて前記近赤外線硬化樹脂となる組成物である。この近赤外線硬化組成物に含有される成分は特に限定されないが、例えば、(1)重合されて近赤外線硬化樹脂を構成するモノマー及び/又はオリゴマーと、重合開始剤とを含有する組成物とすることができる。また、(2)近赤外線の照射により重合を開始することができる重合開始基を備え、且つ、重合されて近赤外線硬化樹脂を構成するモノマー及び/又はオリゴマーを含有する組成物とすることができる。
更に、これらのうち上記(1)の近赤外線硬化組成物では、例えば、下記(1−1)に後述するα,β−不飽和エチレン基含有重合性化合物と、ラジカル発生剤と、を含有する組成物(以下、単に「エチレン系組成物」という)とすることができる。また、下記(1−2)に後述するエポキシ系重合性化合物と、酸発生剤と、を含有する組成物(以下、単に「エポキシ系組成物」という)とすることができる。更に、下記(1−3)に後述するα,β−不飽和エチレン基エポキシ基両含有重合性化合物と、ラジカル発生剤と、酸発生剤と、を含有する組成物(以下、単に「エチレンエポキシ系組成物」という)とすることができる。
[2] Method for Producing Device with Optical Waveguide Structure The device with an optical waveguide structure of the present invention may be produced by any method, but a near-infrared curable composition is used in an uncured layer forming step as described later. . Hereinafter, the near-infrared curable composition will be described first.
<1> Near-infrared curable composition The "near-infrared curable composition" is a composition that is polymerized by irradiation with near-infrared rays to become the near-infrared curable resin. Although the component contained in this near-infrared curable composition is not specifically limited, For example, (1) It is set as the composition containing the monomer and / or oligomer which are polymerized and comprise a near-infrared curable resin, and a polymerization initiator. be able to. Moreover, (2) It can be set as the composition which contains the polymerization initiating group which can start superposition | polymerization by irradiation of near infrared rays, and contains the monomer and / or oligomer which are polymerized and comprise a near-infrared curable resin. .
Furthermore, among these, the near-infrared curable composition of the above (1) contains, for example, an α, β-unsaturated ethylene group-containing polymerizable compound described later in (1-1) and a radical generator. It can be a composition (hereinafter simply referred to as “ethylene-based composition”). Moreover, it can be set as the composition (henceforth only an "epoxy type composition") containing the epoxy-type polymeric compound mentioned later in (1-2), and an acid generator. Further, a composition containing an α, β-unsaturated ethylene group-epoxy group-containing polymerizable compound, a radical generator, and an acid generator described later in (1-3) (hereinafter simply referred to as “ethylene epoxy”). System composition)).

(1−1)エチレン系組成物
エチレン系組成物(アクリル系組成物等を含む)は、上記近赤外線硬化組成物の1種であり、α,β−不飽和エチレン基含有重合性化合物と、ラジカル発生剤と、を含有する組成物である。
(1-1) Ethylene-based composition An ethylene-based composition (including an acrylic composition) is one type of the near-infrared curable composition, and an α, β-unsaturated ethylene group-containing polymerizable compound; And a radical generator.

「α,β−不飽和エチレン基含有重合性化合物」は、下記化学式(1)で示されるα,β−エチレン性不飽和基を有することにより重合できる化合物(以下、単に「エチレン性化合物」という)をいう。このエチレン性化合物は、α,β−不飽和エチレン基を1つのみ有する単官能化合物であってもよく、この基を2つ以上備える多官能化合物であってもよい。   The “α, β-unsaturated ethylene group-containing polymerizable compound” is a compound that can be polymerized by having an α, β-ethylenically unsaturated group represented by the following chemical formula (1) (hereinafter simply referred to as “ethylenic compound”). ). This ethylenic compound may be a monofunctional compound having only one α, β-unsaturated ethylene group, or may be a polyfunctional compound having two or more such groups.

Figure 2005215529
但し、式(1)中のR〜Rは、各々有機基、水素原子、重水素原子又はハロゲン原子を表す。
Figure 2005215529
However, R < 1 > -R < 4 > in Formula (1) represents an organic group, a hydrogen atom, a deuterium atom, or a halogen atom, respectively.

α,β−不飽和エチレン基としては、例えば、アクリロイル基及びメタアクリロイル基が挙げられる。更にこれらの基を構成する水素原子の一部又は全部が重水素原子により置換された重水素化アクリロイル基及び重水素化メタアクリロイル基などが挙げられる。また、これらの基を構成する水素原子の一部又は全部がハロゲン原子により置換されたハロゲン化アクリロイル基及びハロゲン化メタアクリロイル基などが挙げられる。エチレン性化合物が多官能化合物である場合には、これらの基は、1種のみを備えてもよく、2種以上を備えてもよい。
このα,β−不飽和エチレン基を有するエチレン性化合物としては、アクリル酸エステル(例えば、アルコール性水酸基をアクリル酸によりエステル化して得ることができる)、メタクリル酸エステル(例えば、アルコール性水酸基をメタクリル酸によりエステル化して得ることができる)及びこれらの誘導体等が挙げられる。
Examples of the α, β-unsaturated ethylene group include an acryloyl group and a methacryloyl group. Furthermore, a deuterated acryloyl group and a deuterated methacryloyl group in which some or all of the hydrogen atoms constituting these groups are substituted with deuterium atoms are exemplified. In addition, a halogenated acryloyl group and a halogenated methacryloyl group in which a part or all of the hydrogen atoms constituting these groups are substituted with a halogen atom are exemplified. When the ethylenic compound is a polyfunctional compound, these groups may include only one type or two or more types.
Examples of the ethylenic compound having an α, β-unsaturated ethylene group include acrylic acid ester (for example, obtained by esterifying an alcoholic hydroxyl group with acrylic acid), and methacrylic acid ester (for example, alcoholic hydroxyl group is methacrylate). And a derivative thereof, which can be obtained by esterification with an acid).

「ラジカル発生剤」は、前述の重合開始剤の1種であって、近赤外線の照射によりラジカルを発生できる化合物、及び/又は、近赤外光増感剤への近赤外線の照射に起因してラジカルを発生できる化合物をいう。このラジカル発生剤は1種のみを用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
このラジカル発生剤は特に限定されないが、例えば、有機ホウ素系錯体、カルボニル化合物、有機過酸化物、アゾ化合物、s−トリアジン系化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物及びチタノセン化合物等が挙げられる。これらのなかでも、特に、有機ホウ素系錯体、カルボニル化合物及び有機過酸化物が好ましい。
The “radical generator” is one of the above-described polymerization initiators, and is caused by irradiation of near infrared light to a compound that can generate radicals by irradiation of near infrared light, and / or a near infrared photosensitizer. A compound that can generate radicals. This radical generator may use only 1 type and may use 2 or more types together.
The radical generator is not particularly limited, and examples thereof include organic boron complexes, carbonyl compounds, organic peroxides, azo compounds, s-triazine compounds, hexaarylbiimidazole compounds, and titanocene compounds. Of these, organoboron complexes, carbonyl compounds, and organic peroxides are particularly preferable.

このうち有機ホウ素系錯体としては、下記一般式で表される化合物が挙げられる。

Figure 2005215529
但し、式(2)中のR〜Rは、各々アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、脂環式基及び複素環基である。また、各基は各々置換基を有してもよく、有さなくてもよい。更に、R〜Rは互いに連結して環状構造であってもよく、連結していなくてもよい。一方、Lは、対カチオンである。 Among these, examples of the organic boron-based complex include compounds represented by the following general formula.
Figure 2005215529
However, R < 5 > -R < 8 > in Formula (2) is an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, an alicyclic group, and a heterocyclic group, respectively. In addition, each group may or may not have a substituent. Further, R 5 to R 8 may be linked to each other to have a cyclic structure, or may not be linked. On the other hand, L + is a counter cation.

上記R〜Rが備えることのできる上記置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基、アミノ基、重水素原子及びハロゲン原子が挙げられる。R〜Rとなり得る上記各基は、アルキル基では炭素数が1〜10であることが好ましい。アルケニル基、アルキニル基及び脂環式基では炭素数が3〜20であることが好ましい。アリール基及び複素環基では炭素数が6〜30であることが好ましい。
更に、R〜Rは、このうちの3つがアリール基であり、残りの1つがアルキル基であることが好ましい。これらアリール基及びアルキル基は各々上記各置換基を有していてもよく、有してしなくてもよい。
Examples of the substituent that R 5 to R 8 can have include an alkyl group, an alkoxy group, an acyloxy group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a hydroxyl group, an amino group, a deuterium atom, and a halogen atom. Each of the groups that can be R 5 to R 8 is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. The alkenyl group, alkynyl group and alicyclic group preferably have 3 to 20 carbon atoms. The aryl group and heterocyclic group preferably have 6 to 30 carbon atoms.
Further, it is preferable that three of R 5 to R 8 are aryl groups and the remaining one is an alkyl group. These aryl groups and alkyl groups may or may not have each of the above substituents.

即ち、有機ホウ素アニオンとしては、例えば、ブチルトリフェニルホウ素アニオン、ブチルトリス(メチルフェニル)ホウ素アニオン、ブチルトリス(トリメチルフェニル)ホウ素アニオン、ブチルトリス(メトキシフェニル)ホウ素アニオン、ブチルトリス(クロロフェニル)ホウ素アニオン、ブチルトリス(ジクロロフェニル)ホウ素アニオン、ブチルトリス(トリクロロフェニル)ホウ素アニオン、ブチルトリス(フルオロフェニル)ホウ素アニオン、ブチルトリス(ジフルオロフェニル)ホウ素アニオン、ブチルトリス(トリフルオロフェニル)ホウ素アニオン、ブチルトリス(フルオロメチルフェニル)ホウ素アニオン、及び、ブチルトリス(ジフルオロピロリルフェニル)ホウ素アニオン等が挙げられる。   That is, as the organic boron anion, for example, butyl triphenyl boron anion, butyl tris (methylphenyl) boron anion, butyl tris (trimethylphenyl) boron anion, butyl tris (methoxyphenyl) boron anion, butyl tris (chlorophenyl) boron anion, butyl tris (dichlorophenyl) ) Boron anion, butyl tris (trichlorophenyl) boron anion, butyl tris (fluorophenyl) boron anion, butyl tris (difluorophenyl) boron anion, butyl tris (trifluorophenyl) boron anion, butyl tris (fluoromethylphenyl) boron anion, and butyl tris ( And difluoropyrrolylphenyl) boron anion.

上記Lは、上記有機ホウ素アニオンに対する対カチオンとなることができるものであれば特に限定されないが、アンモニウムカチオン、ホスホニウムカチオン、オキソニウムカチオン、スルホニウムカチオン、アルソニウムカチオン、スチボニウムカチオン、セレニウムカチオン、スタンノニウムカチオン、ヨードニウムカチオン等のオニウム化合物、及び遷移金属配位カチオン等が挙げられる。これらのなかでもアンモニウムカチオンが好ましく、テトラアルキルアンモニウムカチオンが特に好ましい。このテトラアルキルアンモニウムカチオンにおけるアルキル基は炭素数1〜10が好ましい。 The L + is not particularly limited as long as it can be a counter cation with respect to the organoboron anion, but is not limited to ammonium cation, phosphonium cation, oxonium cation, sulfonium cation, arsonium cation, stibonium cation, selenium cation. , Onium compounds such as stannonium cations and iodonium cations, and transition metal coordination cations. Among these, an ammonium cation is preferable, and a tetraalkylammonium cation is particularly preferable. The alkyl group in the tetraalkylammonium cation preferably has 1 to 10 carbon atoms.

更に、上記Lとしては、700〜2500nmの範囲に吸収極大を有するカチオン性化合物が挙げられる。即ち、例えば、ヘテロ原子(N、O及びS等)がポリメチン鎖で結合された構造を有するカチオン性化合物を用いることができる。更には、ポリメチン鎖で結合されたヘテロ原子が、複素環構造を構成するカチオン性化合物であることが好ましい。
この複素環構造としては、ベンゾピロール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾピラゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトピロール、ナフトフラン、ナフトチオフェン、ナフトピラゾール、ナフトチアゾール、ナフトオキサゾール、キノリン、クロメン、ベンゾチオピラン、ベンゾキノリン、ベンゾクロメン及びナフトチオピラン等が挙げられる。更には、これらの複素環構造の一部又は全部の水素原子が重水素原子及び/又はハロゲン原子で置換されたものが挙げられる。
即ち、例えば、ポリメチン系色素、メロシアニン系色素、シアニン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、アントラキノン系色素、ナフトラクタム系色素、ペンセタン系色素、オキシインドリジン系色素、キノイド系色素及びインドアニリン系色素等が挙げられる。これらは1種のみを用いてもよく、2種以上を併用してもよい。尚、これらの化合物が中心金属を有する場合には、その中心金属の種類は特に限定されない。
Furthermore, as said L <+ >, the cationic compound which has an absorption maximum in the range of 700-2500 nm is mentioned. That is, for example, a cationic compound having a structure in which heteroatoms (N, O, S, etc.) are bonded by a polymethine chain can be used. Furthermore, it is preferable that the hetero atom bonded by the polymethine chain is a cationic compound constituting a heterocyclic structure.
This heterocyclic structure includes benzopyrrole, benzofuran, benzothiophene, benzopyrazole, benzothiazole, benzoxazole, naphthopyrrole, naphthofuran, naphthothiophene, naphthopyrazole, naphthothiazole, naphthoxazole, quinoline, chromene, benzothiopyran, benzoquinoline, Examples thereof include benzochromene and naphthothiopyran. Furthermore, those in which part or all of the hydrogen atoms of these heterocyclic structures are substituted with deuterium atoms and / or halogen atoms are exemplified.
That is, for example, polymethine dyes, merocyanine dyes, cyanine dyes, phthalocyanine dyes, naphthalocyanine dyes, anthraquinone dyes, naphtholactam dyes, pencetane dyes, oxyindolizine dyes, quinoid dyes and indoaniline dyes And pigments. These may use only 1 type and may use 2 or more types together. In addition, when these compounds have a central metal, the kind of the central metal is not particularly limited.

また、カルボニル化合物としては、ベンゾフェノン、2-メチルベンゾフェノンのようなベンゾフェノン誘導体、アセトフェノン誘導体、チオキサントン誘導体(2,4-ジエチルチオキサントン、2-クロロチオキサントン等)、安息香酸エステル誘導体(p−ジメチルアミノ安息香酸エチル等)、[4−(メチルフェニルチオ)フェニル]フェニルメタノン、及び、エチルアントラキノン等が挙げられる。
更に、有機過酸化物としては、メチルエチルケトンパーオキサイド、アセチルアセトンパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイド、過酸化ベンゾイル、クメンヒドロペルオキシド、ジクミルペルオキシド、及び、過酸化物−金属アルキル等が挙げられる。
Examples of the carbonyl compound include benzophenone derivatives such as benzophenone and 2-methylbenzophenone, acetophenone derivatives, thioxanthone derivatives (2,4-diethylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, etc.), benzoic acid ester derivatives (p-dimethylaminobenzoic acid). Ethyl and the like), [4- (methylphenylthio) phenyl] phenylmethanone, and ethylanthraquinone.
Furthermore, examples of the organic peroxide include methyl ethyl ketone peroxide, acetylacetone peroxide, cyclohexanone peroxide, benzoyl peroxide, cumene hydroperoxide, dicumyl peroxide, and peroxide-metal alkyl.

(1−2)エポキシ系組成物
エポキシ系組成物は、近赤外線硬化組成物の1種であり、エポキシ系重合性化合物と、酸発生剤と、を含有する組成物である。
これらのうち、エポキシ系重合性化合物は、エポキシ基を有することにより重合できる化合物(以下、単に「エポキシ化合物」という)をいう。このエポキシ化合物の種類は特に限定されない。即ち、例えば、オリゴマーでもよく、モノマーでもよく、これらの混合物であってもよい。また、モノマー(オリゴマーにおいてはオリゴマー化前のモノマーも)及びオリゴマーは、二官能性でも、多官能性でもよく、これらの混合物であってもよい。更に、これらのモノマー及びオリゴマーとして、一部又は全部の水素原子が重水素原子に置換された重水素化物を用いることができる。また、一部又は全部の水素原子がハロゲン原子に置換されたハロゲン化物を用いることができる。更に、分子内にシリコーン鎖を有してもよく、有さなくてもよい。
(1-2) Epoxy composition The epoxy composition is a kind of near-infrared curable composition, and is a composition containing an epoxy polymerizable compound and an acid generator.
Among these, the epoxy-based polymerizable compound refers to a compound that can be polymerized by having an epoxy group (hereinafter simply referred to as “epoxy compound”). The kind of this epoxy compound is not specifically limited. That is, for example, it may be an oligomer, a monomer, or a mixture thereof. The monomer (in the oligomer, the monomer before oligomerization) and the oligomer may be bifunctional, polyfunctional, or a mixture thereof. Furthermore, as these monomers and oligomers, deuterates in which some or all of the hydrogen atoms are substituted with deuterium atoms can be used. In addition, a halide in which some or all of the hydrogen atoms are substituted with halogen atoms can be used. Furthermore, it may or may not have a silicone chain in the molecule.

二官能性エポキシ化合物としては、グリシジルエーテル型、グリシジルアミン型、グリシジルエステル型及び脂環型(シクロヘキセンオキシド構造を持つエポキシ化合物等)等が挙げられる。このうちグリシジルエーテル型としては、各種ビスフェノール型、ビフェニル型、ナフタレン型及びフルオレン型等が挙げられる。これらのうちビスフェノール型としては、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、水添ビスフェノール型及びビスフェノールAF型、ビスフェノールS型、等が挙げられる。また、グリシジルアミン型としては、ヒダントイン型、アニリン型及びトルイジン型等が挙げられる。
一方、多官能性エポキシ化合物としては、グリシジルエーテル型及びグリシジルアミン型等が挙げられる。このうちグリシジルエーテル型としては、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、ジフェニルプロパン型、トリスヒドロキシフェニルメタン型及びテトラフェニロールエタン型等が挙げられる。また、グリシジルアミン型としては、アミノフェノール型、テトラグリシジルジアミニジフェニルメタン型、トリグリシジルイソシアヌレート型及び1,3−ビス(N,N−ジグリシジルアミノメチル)シクロヘキサン型等が挙げられる。
これらのグリシジルエーテル型の各エポキシ化合物には、1価脂肪族アルコール、多価脂肪族アルコール、1価芳香族アルコール及び多価芳香族アルコール、1価フェノール及び多価フェノールから誘導されたグリシジルエーテル型エポキシ化合物が含まれる。各芳香族アルコールを構成する芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環及びアントラセン環等が挙げられる。
これらの各エポキシ化合物の一部又は全部の水素原子が重水素原子及び/又はハロゲン原子に置換された化合物が挙げられる。
Examples of the bifunctional epoxy compound include glycidyl ether type, glycidyl amine type, glycidyl ester type, and alicyclic type (such as an epoxy compound having a cyclohexene oxide structure). Among these, examples of the glycidyl ether type include various bisphenol types, biphenyl types, naphthalene types, and fluorene types. Among these, examples of the bisphenol type include bisphenol A type, bisphenol F type, hydrogenated bisphenol type, bisphenol AF type, and bisphenol S type. Examples of the glycidylamine type include hydantoin type, aniline type, and toluidine type.
On the other hand, examples of the polyfunctional epoxy compound include glycidyl ether type and glycidyl amine type. Among these, examples of the glycidyl ether type include a phenol novolak type, a cresol novolak type, a diphenylpropane type, a trishydroxyphenylmethane type, and a tetraphenylolethane type. Examples of the glycidylamine type include aminophenol type, tetraglycidyldiaminidiphenylmethane type, triglycidyl isocyanurate type, and 1,3-bis (N, N-diglycidylaminomethyl) cyclohexane type.
These glycidyl ether type epoxy compounds include monovalent aliphatic alcohols, polyhydric aliphatic alcohols, monovalent aromatic alcohols and polyvalent aromatic alcohols, glycidyl ether types derived from monohydric phenols and polyhydric phenols. Epoxy compounds are included. Examples of the aromatic ring constituting each aromatic alcohol include a benzene ring, a naphthalene ring, and an anthracene ring.
A compound in which some or all of the hydrogen atoms of each of these epoxy compounds are substituted with deuterium atoms and / or halogen atoms is exemplified.

また、酸発生剤は、前述の重合開始剤の1種であって、近赤外線の照射、及び/又は、前述の近赤外光増感剤への近赤外線の照射に伴って酸を発生させることができる化合物をいう。この酸発生剤としては、イオン性酸発生剤及び非イオン性酸発生剤が挙げられる。イオン性酸発生剤としては、ルイス酸発生剤(アリールジアゾニウム塩等の各種ジアゾニウム塩)、ブレンステッド酸発生剤{各種オニウム塩(ジアリールヨードニウム塩等のヨードニウム塩、ジアリールスルホニウム塩等のスルホニウム塩、ジアリールセレノニウム塩等のセレノニウム塩、ジアルキルフェナシルスルホニウム塩等のスルホニウム塩など)}等が挙げられる。また、非イオン性酸発生剤としては、スルホン酸発生剤(スルホン酸エステルなど)、カルボン酸発生剤(カルボン酸エステルなど)、アミド誘導体等が挙げられる。これらの酸発生剤は、1種のみを用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
更に、このエポキシ系組成物には、上記(1−1)におけるエチレン系組成物と同様に近赤外線増感剤を含有させることができる。
The acid generator is one of the above-described polymerization initiators, and generates an acid with near-infrared irradiation and / or near-infrared irradiation to the above-mentioned near-infrared photosensitizer. Refers to a compound that can. Examples of the acid generator include ionic acid generators and nonionic acid generators. Examples of ionic acid generators include Lewis acid generators (various diazonium salts such as aryldiazonium salts), Bronsted acid generators {various onium salts (iodonium salts such as diaryliodonium salts, sulfonium salts such as diarylsulfonium salts, diaryls) Selenonium salts such as selenonium salts, sulfonium salts such as dialkylphenacylsulfonium salts, etc.)}. Examples of nonionic acid generators include sulfonic acid generators (such as sulfonic acid esters), carboxylic acid generators (such as carboxylic acid esters), and amide derivatives. These acid generators may be used alone or in combination of two or more.
Furthermore, the near infrared sensitizer can be contained in this epoxy-type composition similarly to the ethylene-type composition in said (1-1).

(1−3)エチレンエポキシ系組成物
エチレンエポキシ系組成物は、近赤外線硬化組成物の1種であり、α,β−不飽和エチレン基エポキシ基両含有重合性化合物と、ラジカル発生剤と、酸発生剤と、を含有する組成物である。
これらのうちα,β−不飽和エチレン基エポキシ基両含有重合性化合物は、上記(1−1)におけるα,β−エチレン性不飽和基と、上記(1−2)におけるエポキシ基との両方の基を備える化合物であり、例えば、エポキシ基を有する上記各エチレン性化合物、及び、α,β−不飽和エチレン基を有する上記エポキシ化合物が挙げられる。これらは1種のみを用いてもよく、2種以上を併用してもよい。即ち、例えば、エポキシ性オリゴマーの有する一部又は全部のエポキシ基に、α,β−エチレン性不飽和基を有するカルボン酸(アクリル酸及びメタクリル酸等)を付加した化合物(例えば、エポキシアクリレート等)が挙げられる。
また、ラジカル発生剤及び酸発生剤については、上記エチレン系組成物及び上記エポキシ系組成物における各々をそのまま適用できる。
(1-3) Ethylene epoxy-based composition The ethylene epoxy-based composition is a kind of near-infrared curable composition, an α, β-unsaturated ethylene group epoxy group-containing polymerizable compound, a radical generator, And an acid generator.
Among these, the α, β-unsaturated ethylene group epoxy group-containing polymerizable compound includes both the α, β-ethylenically unsaturated group in the above (1-1) and the epoxy group in the above (1-2). Examples thereof include the above-mentioned ethylenic compounds having an epoxy group and the above-described epoxy compounds having an α, β-unsaturated ethylene group. These may use only 1 type and may use 2 or more types together. That is, for example, a compound obtained by adding a carboxylic acid (such as acrylic acid or methacrylic acid) having an α, β-ethylenically unsaturated group to a part or all of the epoxy groups of the epoxy oligomer (for example, epoxy acrylate) Is mentioned.
Moreover, about a radical generator and an acid generator, each in the said ethylene-type composition and the said epoxy-type composition is applicable as it is.

上記(1−1)〜(1−3)のエチレン系組成物、エポキシ系組成物及びエチレンエポキシ系組成物の各組成物には、他の成分には関係なく近赤外線増感剤を含有させることができる。近赤外光増感剤は、近赤外線に対して増感作用を有し、重合開始剤を補助できるものである。この近赤外線増感剤は、重合開始剤又は重合開始基のみでは十分な近赤外線に対する感光性が得られ難い場合には効果的である。
近赤外線増感剤としては700〜2500nmの範囲に吸収極大を有する赤外吸収色素が挙げられる。即ち、例えば、ヘテロ原子(N、O及びS等)がポリメチン鎖で結合された構造を有する近赤外線増感剤を用いることができる。更には、ポリメチン鎖で結合されたヘテロ原子が、複素環構造を構成する近赤外線増感剤であることが好ましい。
この複素環構造としては、ベンゾピロール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾピラゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトピロール、ナフトフラン、ナフトチオフェン、ナフトピラゾール、ナフトチアゾール、ナフトオキサゾール、キノリン、クロメン、ベンゾチオピラン、ベンゾキノリン、ベンゾクロメン及びナフトチオピラン等が挙げられる。更には、これらの複素環構造の一部又は全部の水素原子が重水素原子及び/又はハロゲン原子で置換されたものが挙げられる。
即ち、例えば、ポリメチン系色素、メロシアニン系色素、シアニン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、アントラキノン系色素、ナフトラクタム系色素、ペンセタン系色素、オキシインドリジン系色素、キノイド系色素及びインドアニリン系色素等が挙げられる。これらは1種のみを用いてもよく、2種以上を併用してもよい。尚、これらの化合物が中心金属を有する場合には、その中心金属の種類は特に限定されない。
これらの近赤外線増感剤は、光硬化反応の進行に伴い、分解されるものを用いることができる。このため硬化に伴い近赤外線が次第に透過されるようになり、また、硬化後には近赤外線は十分な透過性を有することとなる。
Each of the ethylene-based composition, the epoxy-based composition and the ethylene-epoxy-based composition described in (1-1) to (1-3) above contains a near-infrared sensitizer regardless of other components. be able to. The near-infrared photosensitizer has a sensitizing action on near-infrared rays and can assist the polymerization initiator. This near-infrared sensitizer is effective when it is difficult to obtain sufficient near-infrared photosensitivity with only a polymerization initiator or a polymerization initiating group.
Examples of the near-infrared sensitizer include an infrared-absorbing dye having an absorption maximum in the range of 700 to 2500 nm. That is, for example, a near-infrared sensitizer having a structure in which heteroatoms (N, O, S, etc.) are bonded by a polymethine chain can be used. Furthermore, it is preferable that the hetero atom bonded by the polymethine chain is a near-infrared sensitizer that constitutes a heterocyclic structure.
This heterocyclic structure includes benzopyrrole, benzofuran, benzothiophene, benzopyrazole, benzothiazole, benzoxazole, naphthopyrrole, naphthofuran, naphthothiophene, naphthopyrazole, naphthothiazole, naphthoxazole, quinoline, chromene, benzothiopyran, benzoquinoline, Examples thereof include benzochromene and naphthothiopyran. Furthermore, those in which part or all of the hydrogen atoms of these heterocyclic structures are substituted with deuterium atoms and / or halogen atoms are exemplified.
That is, for example, polymethine dyes, merocyanine dyes, cyanine dyes, phthalocyanine dyes, naphthalocyanine dyes, anthraquinone dyes, naphtholactam dyes, pencetane dyes, oxyindolizine dyes, quinoid dyes and indoaniline dyes And pigments. These may use only 1 type and may use 2 or more types together. In addition, when these compounds have a central metal, the kind of the central metal is not particularly limited.
As these near infrared sensitizers, those which are decomposed as the photocuring reaction proceeds can be used. For this reason, near-infrared rays are gradually transmitted with curing, and the near-infrared rays have sufficient transparency after curing.

更に、上記(1−1)〜(1−3)のエチレン系組成物、エポキシ系組成物及びエチレンエポキシ系組成物の各組成物には、他の成分には関係なく近赤外線による硬化後に、最終的に熱硬化させるために、熱重合開始剤を含有させることができる。熱重合開始剤の種類等は特に限定されない。エチレン系組成物及びエチレンエポキシ系組成物に対しては、各種熱ラジカル発生剤等を用いることができる。即ち、例えば、各種有機過酸化物(過酸化ベンゾイル等)が挙げられる。一方、エポキシ系組成物及びエチレンエポキシ系組成物に対しては、芳香族スルホニウム塩系化合物(対アニオンとしては、例えば、SbF 及びPF 等)、チオフェン系化合物塩(対アニオンとしては、例えば、SbF 及びPF 等)、ピリジン系化合物、可溶性有機酸(例えば、トリフルオロ酢酸及びパラトルエンスルホン酸等)、及び、ルイス酸(例えば、三フッ化ホウ素モノエチルアミン、三フッ化ホウ素ベンジルアミン、四フッ化ホウ素酸塩等)などが挙げられる。具体的には、三新化学株式会社製のSI−100L、SI−80L、SI−60L、SI−110L及びSI−180L等、旭電化株式会社製のアデカオプトンCP−66及びCP−77、日本曹達株式会社製のCI−2639及びCI−2624、住友精化株式会社製のBSP(2−トリブロモメチルスルホニルピリジン)、BMPS(α,α,α−トリブロモメチルフェニルスルホン)等が挙げられる。
これらの熱重合開始剤の含有量は特に限定されないが、例えば、近赤外線硬化組成物全体に対して、0.1〜30質量%(好ましくは0.5〜20質量%、より好ましくは1〜10質量%、特に好ましくは1〜5質量%)含有させることができる。
Furthermore, in each of the ethylene-based composition, the epoxy-based composition, and the ethylene-epoxy-based composition described in (1-1) to (1-3), after curing with near infrared rays regardless of other components, A thermal polymerization initiator can be included for the final thermosetting. The kind etc. of thermal polymerization initiator are not specifically limited. Various thermal radical generators can be used for the ethylene-based composition and the ethylene-epoxy-based composition. That is, for example, various organic peroxides (benzoyl peroxide, etc.) can be mentioned. On the other hand, for epoxy-based compositions and ethylene-epoxy-based compositions, aromatic sulfonium salt compounds (for example, SbF 6 - and PF 6 - etc. as counter anions), thiophene compound salts (for counter anions) , for example, SbF 6 - and PF 6 -, etc.), pyridine compound, a soluble organic acid (e.g., trifluoroacetic acid and p-toluenesulfonic acid, etc.), and a Lewis acid (e.g., boron trifluoride monoethylamine trifluoride Boron benzylamine, tetrafluoroborate, etc.). Specifically, SI-100L, SI-80L, SI-60L, SI-110L and SI-180L manufactured by Sanshin Chemical Co., Ltd., Adeka Opton CP-66 and CP-77 manufactured by Asahi Denka Co., Ltd., Nippon Soda CI-2639 and CI-2624 manufactured by Corporation, BSP (2-tribromomethylsulfonylpyridine), BMPS (α, α, α-tribromomethylphenylsulfone) manufactured by Sumitomo Seika Co., Ltd. and the like can be mentioned.
Although content of these thermal polymerization initiators is not specifically limited, For example, it is 0.1-30 mass% (preferably 0.5-20 mass%, More preferably, it is 1-20 mass% with respect to the whole near-infrared curable composition. 10 mass%, particularly preferably 1 to 5 mass%).

〈2〉光導波路構造付きデバイスの製造方法
本発明の光導波路構造付きデバイスの製造方法は、硬化した近赤外線硬化樹脂からなり且つ光が伝搬するコア部と、コア部を取り囲むクラッド部と、を有する光導波路構造を備える光導波路構造付きデバイスの製造方法であって、硬化されて近赤外線硬化樹脂となる近赤外線硬化組成物からなる未硬化層を形成する未硬化層形成工程と、未硬化層に近赤外線を照射することによりコア部を形成するコア部形成工程と、を備えることを特徴とする。
<2> Manufacturing method of device with optical waveguide structure The manufacturing method of a device with an optical waveguide structure of the present invention comprises a core portion made of a cured near-infrared curable resin and propagating light, and a cladding portion surrounding the core portion. An uncured layer forming step for forming an uncured layer comprising a near-infrared curable composition that is cured to become a near-infrared curable resin, and a method for producing a device with an optical waveguide structure including the optical waveguide structure And a core part forming step of forming a core part by irradiating with near infrared rays.

上記「未硬化層形成工程」は、硬化されて近赤外線硬化樹脂となる近赤外線硬化組成物からなる未硬化層を形成する工程である。
上記「未硬化層」は、近赤外線硬化組成物からなる層である。この未硬化層の形成部位は特に限定されないが、例えば、前述のように基体部を有する場合には、基体部となる部位の表面に形成することができる。また、この層の平面形状は特に限定されない。更に、その厚さも特に限定されないが、通常、300μm以下である。
この未硬化層は、未硬化な層であって、重合が完了したものではないことを表す。即ち、未硬化層は、固体状であってもよく、液体状であってもよい。また、粘性の有無等も特に限定されない。
未硬化層の形成方法は特に限定されない。例えば、ドクターブレード法、スピンコート法、スプレー法、カーテンコート法及びロールコート法等の各種印刷法を用いて形成位置へ直接的に形成することができる。また、基層(剥離シート等)に剥離可能に保持された未硬化層を所望の位置へ転写して間接的に形成することができる。
The “uncured layer forming step” is a step of forming an uncured layer made of a near-infrared curable composition that is cured to become a near-infrared curable resin.
The “uncured layer” is a layer made of a near-infrared curable composition. Although the formation site of this uncured layer is not particularly limited, for example, when it has a base part as described above, it can be formed on the surface of the part to be the base part. Further, the planar shape of this layer is not particularly limited. Further, the thickness is not particularly limited, but is usually 300 μm or less.
This uncured layer is an uncured layer and represents that polymerization has not been completed. That is, the uncured layer may be solid or liquid. Also, the presence or absence of viscosity is not particularly limited.
The method for forming the uncured layer is not particularly limited. For example, it can be directly formed at the formation position using various printing methods such as a doctor blade method, a spin coating method, a spray method, a curtain coating method, and a roll coating method. In addition, the uncured layer releasably held on the base layer (release sheet or the like) can be transferred to a desired position and indirectly formed.

上記「コア部形成工程」は、未硬化層に近赤外線を照射することによりコア部を形成する工程である。このコア部形成工程におけるコア部の形成方法は特に限定されず、近赤外線硬化組成物を硬化することができる近赤外線を用いればよい。即ち、例えば、下記(1)〜(3)の方法等が挙げられる。即ち、
(1)未硬化層形成工程の後且つコア部形成工程の前に、未硬化層上に、近赤外線を発する発光素子を配設する発光素子配設工程を備え、コア部形成工程では、近赤外線を該発光素子を用いて照射し、未硬化層の近赤外線が照射及び透過された部位を選択的に硬化させてコア部を形成する方法(以下、単に「自己形成法」ともいう)、
(2)未硬化層に近赤外線を用いたフォトリソグラフィ法を施してコア部を形成する方法(以下、単に「フォトリソ法」ともいう)、
(3)近赤外線レーザーを照射してコア部を描画形成する方法(以下、単に「レーザー描画法」ともいう)である。
The “core portion forming step” is a step of forming the core portion by irradiating the uncured layer with near infrared rays. The formation method of the core part in this core part formation process is not specifically limited, What is necessary is just to use the near infrared rays which can harden | cure a near-infrared hardening composition. That is, for example, the following methods (1) to (3) are exemplified. That is,
(1) After the uncured layer forming step and before the core portion forming step, a light emitting element disposing step of disposing a light emitting element emitting near infrared rays on the uncured layer is provided. A method of irradiating infrared rays using the light emitting element and selectively curing a portion of the uncured layer irradiated and transmitted with near infrared rays to form a core part (hereinafter, also simply referred to as “self-forming method”),
(2) A method of forming a core part by applying a photolithography method using near infrared rays to an uncured layer (hereinafter, also simply referred to as “photolitho method”),
(3) A method of drawing and forming a core portion by irradiating a near infrared laser (hereinafter, also simply referred to as “laser drawing method”).

(1)自己形成法
自己形成法における上記「発光素子配設工程」は、未硬化層形成工程の後且つコア部形成工程の前に、未硬化層上に、近赤外線を発する発光素子を配設する工程である。発光素子は、特に限定されず前記本発明の光導波路構造付きデバイスにおける発光素子をそのまま適用できる。また、特にこの自己形成法では、発光素子の位置決定を正確に行うことにより光導波路構造の位置精度を向上させることができ、伝送ロスを低減できる。また、紫外線発光素子を用いる、従来法とは異なり、通信に利用できる近赤外線発光素子を利用するため、位置決め回数が少なくてすみ、位置精度を向上させることができる。
(1) Self-forming method In the self-forming method, the “light emitting element disposing step” includes arranging a light emitting element emitting near infrared rays on the uncured layer after the uncured layer forming step and before the core portion forming step. It is a process to install. The light emitting element is not particularly limited, and the light emitting element in the device with an optical waveguide structure of the present invention can be applied as it is. In particular, this self-forming method can improve the position accuracy of the optical waveguide structure by accurately determining the position of the light emitting element, and can reduce transmission loss. Further, unlike a conventional method using an ultraviolet light emitting element, a near infrared light emitting element that can be used for communication is used, so that the number of times of positioning can be reduced and the position accuracy can be improved.

この発光素子の取り付け位置をより正確に行うために、位置決め基準を用いることが好ましい。位置決め基準は特に限定されず、光導波路構造付きデバイスとなるものの一部を用いてもよく、光導波路構造付きデバイスとなるもの以外の他部を用いてもよい(光導波路構造付きデバイスを保持する治具の一部等)。光導波路構造付きデバイスとなるものの一部を用いる場合に、この位置決め基準のみを機能とする位置決め基準部を設けてもよく、既に光導波路構造付きデバイスとなるものの一部として含まれているもの(光路変換部、並びに、ランド、ビア導体及びスルーホール導体等の導体の一部等)を用いてもよい。
これら位置決め基準の利用方法も特に限定されないが、例えば、撮像手段(カメラ等)を用い位置決め基準を含む領域を撮影し、得られた映像又はこの映像を解析した結果に基づいて、発光素子を配置する方法が挙げられる。また、コア部の形成に用いる近赤外線を用いて自動焦点維持方式を用いることもできる。また、この位置決め基準は、発光素子の配設のためだけでなく、他の光学素子及び電子部品の搭載、導体部の形成等、種々の目的に用いることができる。
In order to more accurately perform the mounting position of the light emitting element, it is preferable to use a positioning reference. The positioning reference is not particularly limited, and a part of the device with the optical waveguide structure may be used, or another part other than the device with the optical waveguide structure may be used (holding the device with the optical waveguide structure) Part of the jig). When using a part of a device with an optical waveguide structure, a positioning reference part that functions only as a positioning reference may be provided, and it is already included as a part of a device with an optical waveguide structure ( An optical path conversion unit and a part of a conductor such as a land, a via conductor, and a through-hole conductor) may be used.
The method of using these positioning references is not particularly limited. For example, a region including the positioning references is imaged using an imaging means (camera, etc.), and light emitting elements are arranged based on the obtained image or the result of analyzing this image. The method of doing is mentioned. Further, an automatic focus maintaining method can be used by using near infrared rays used for forming the core portion. The positioning reference can be used not only for the arrangement of the light emitting elements but also for various purposes such as mounting of other optical elements and electronic components, formation of conductor portions, and the like.

更に、発光素子配設工程以外にも、コア部形成工程を行う以前には他部を配設する工程を備えることができる。他部は、前記本発明の光導波路構造付きデバイスで述べた他部及び上記の位置決め基準部等が挙げられる。なかでも、発光素子から発せられた近赤外線を受光する受光素子を配設する受光素子配設工程を備えることができる。コア部形成工程前に、受光素子を配設することで、位置決め精度を更に向上させることができるため、得られる光導波路構造付きデバイスにおける伝送ロスを効果的に低減できる。また、光路変換部を設けることができる。光路変換部を有することでコア部形成工程で容易且つ正確に屈曲部を有するコア部を形成することができる。   Further, in addition to the light emitting element arranging step, a step of arranging other portions can be provided before the core portion forming step. Examples of the other part include the other part described in the device with an optical waveguide structure of the present invention and the positioning reference part. Especially, the light receiving element arrangement | positioning process which arrange | positions the light receiving element which light-receives the near infrared rays emitted from the light emitting element can be provided. By disposing the light receiving element before the core portion forming step, the positioning accuracy can be further improved, so that the transmission loss in the obtained device with an optical waveguide structure can be effectively reduced. Moreover, an optical path conversion unit can be provided. By having the optical path changing portion, the core portion having the bent portion can be formed easily and accurately in the core portion forming step.

一方、「コア部形成工程」は、先の工程で配設した発光素子から近赤外線を発しせしめて、この近赤外線を未硬化層の所望の部分へ照射し、未硬化層の近赤外線が照射及び透過された部位を選択的に硬化させる工程である。   On the other hand, in the “core part forming step”, near infrared rays are emitted from the light emitting element arranged in the previous step, and this near infrared ray is irradiated to a desired portion of the uncured layer, and the near infrared ray of the uncured layer is irradiated. And a step of selectively curing the transmitted site.

(2)フォトリソ法
フォトリソ法とは、近赤外線を用いて所望のコア部パターンを未硬化層に露光して近赤外線硬化組成物の所望部分を硬化させ、その後、近赤外線が照射されなかったために未硬化のままである部分を除去する工程を含む方法をいう。露光の際には、マスクを未硬化層に密着させて露光を行う密着露光法を用いてもよく、マスクを未硬化層に密着させずに露光を行う投影露光法を用いてもよい。
(2) Photolithographic method The photolithographic method is a method in which a desired core portion pattern is exposed to an uncured layer using near infrared rays to cure a desired portion of the near infrared curable composition, and then the near infrared rays are not irradiated. A method including a step of removing a portion that remains uncured. At the time of exposure, a contact exposure method in which exposure is performed by bringing the mask into close contact with the uncured layer may be used, or a projection exposure method in which exposure is performed without bringing the mask into contact with the uncured layer may be used.

(3)レーザー描画法
レーザー描画法とは、近赤外線を発するレーザー発信源を未硬化層に対して移動させ、レーザー光の照射された経路の屈折率を他部よりも上昇させてコア部とする方法である。この際、レーザー光は集光せず照射してもよく、集光して照射してもよい。即ち、例えば、集光せず用いる場合は、未硬化層の表面からレーザー光が照射又は透過された部分を硬化させることができる。一方、集光して用いる場合は、未硬化層内のレーザー光の焦点近傍のみを硬化させることができる。また、レーザー発信源を未硬化層に対して移動させる際は、レーザー発信源を移動させてもよく、未硬化層を移動させてもよく、これらの両方を相対的に移動させてもよい。
(3) Laser drawing method The laser drawing method is a method in which a laser source that emits near infrared rays is moved with respect to an uncured layer, and the refractive index of the path irradiated with laser light is increased from the other parts to It is a method to do. At this time, the laser beam may be irradiated without being condensed, or may be condensed and irradiated. That is, for example, when used without condensing, the portion irradiated or transmitted with laser light from the surface of the uncured layer can be cured. On the other hand, when condensed and used, only the vicinity of the focal point of the laser light in the uncured layer can be cured. Further, when the laser transmission source is moved relative to the uncured layer, the laser transmission source may be moved, the uncured layer may be moved, or both of them may be moved relatively.

以下、実施例及び図により本発明を具体的に説明する。
[1]光導波路構造付きデバイス
図1は、本発明の光導波路構造付きデバイスの一例の断面を模式的に示す図である。この光導波路構造付きデバイス100は、光導波路構造10、多層セラミック配線基板20、光学素子31及び32、光路変換部41及び42、及び、導体部51及び52等を備える。
Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples and drawings.
[1] Device with Optical Waveguide Structure FIG. 1 is a diagram schematically showing a cross section of an example of a device with an optical waveguide structure according to the present invention. The device with an optical waveguide structure 100 includes an optical waveguide structure 10, a multilayer ceramic wiring board 20, optical elements 31 and 32, optical path conversion parts 41 and 42, conductor parts 51 and 52, and the like.

光導波路構造10は、コア部11と、クラッド部12とからなる。コア部11は、光路変換部41及び42により光路変換された屈曲部111及び112を有する。また、コア部11は近赤外線硬化樹脂からなり、後述する自己形成法により形成されている。一方、クラッド部12はコア部11と重合度のみが異なるアクリル系樹脂からなる。   The optical waveguide structure 10 includes a core part 11 and a clad part 12. The core portion 11 includes bent portions 111 and 112 whose optical paths are changed by the optical path changing portions 41 and 42. Moreover, the core part 11 consists of near-infrared curable resin, and is formed by the self-forming method mentioned later. On the other hand, the clad portion 12 is made of an acrylic resin that differs from the core portion 11 only in the degree of polymerization.

多層セラミック配線基板20は、内部に図示しない導体部(配線パターン及び層間接続のためのビアホール並びにスルーホール等)とアルミナ基焼結材とを有し、これらの導体部はアルミナ基焼結材により絶縁されている。この多層セラミック基板20の一面側には光導波路構造10が設けられ、他面側には複数の接続端子52が設けられている。この光導波路構造付きデバイスは、この接続端子52を用いて図示しないプリント配線等に搭載することができる。   The multilayer ceramic wiring board 20 has a conductor portion (via pattern and via hole for interlayer connection, etc.) and an alumina-based sintered material inside thereof, and these conductor portions are made of an alumina-based sintered material. Insulated. The optical waveguide structure 10 is provided on one side of the multilayer ceramic substrate 20, and a plurality of connection terminals 52 are provided on the other side. This device with an optical waveguide structure can be mounted on a printed wiring or the like (not shown) using the connection terminal 52.

光学素子として、発光素子31であるVCSELと、受光素子32であるフォトダイオードとを備える。発光素子31は近赤外線を発することができ、受光素子32はこの近赤外線を検知できるものである。また、発光素子31は発光部を備え、この発光部を下方に向けて搭載されている。一方、受光素子32は受光部を備え、この受光部を下方に向けて搭載されている。各光学素子は、クラッド部12の表面に形成された導体部51を介して接合されている。
これらの各光学素子は、図示しない外部回路からの電気信号を受けて発光素子31で光信号へ変換され、発光素子31から光信号として発せられた近赤外線はコア部11内を透過して受光素子32で受光される。受光素子32で受光された光信号は受光素子32により電気信号へ変換され、図示しない外部回路へと伝達されることとなる。
As optical elements, a VCSEL that is a light emitting element 31 and a photodiode that is a light receiving element 32 are provided. The light emitting element 31 can emit near infrared rays, and the light receiving element 32 can detect the near infrared rays. The light emitting element 31 includes a light emitting portion, and is mounted with the light emitting portion facing downward. On the other hand, the light receiving element 32 includes a light receiving portion and is mounted with the light receiving portion facing downward. Each optical element is bonded via a conductor portion 51 formed on the surface of the cladding portion 12.
Each of these optical elements receives an electrical signal from an external circuit (not shown) and is converted into an optical signal by the light emitting element 31, and near infrared rays emitted from the light emitting element 31 as an optical signal are transmitted through the core portion 11 and received. Light is received by the element 32. The optical signal received by the light receiving element 32 is converted into an electric signal by the light receiving element 32 and transmitted to an external circuit (not shown).

また、光変換部として、金からなり、互いに向き合う約45゜の傾斜面を有する四角錐形状の光路変換部41及び42とを備える。これら光路変換部41及び42は、多層セラミック配線基板20の一面に搭載されている。
更に、導体部として、発光素子31及び受光素子32とを図示しない電気回路へ接続するための導体部51と、光導波路構造付きデバイスを図示しないプリント配線板等に搭載するための接続端子である導体部52と、を備える。これら導体部51及び52は銅及び銀配線からなる。
Further, as the light conversion unit, there are provided quadrangular pyramid shaped optical path conversion units 41 and 42 made of gold and having inclined surfaces of about 45 ° facing each other. These optical path conversion units 41 and 42 are mounted on one surface of the multilayer ceramic wiring board 20.
Furthermore, as a conductor portion, there are a conductor portion 51 for connecting the light emitting element 31 and the light receiving element 32 to an electric circuit (not shown), and a connection terminal for mounting a device with an optical waveguide structure on a printed wiring board (not shown). And a conductor portion 52. These conductor portions 51 and 52 are made of copper and silver wiring.

[2]光導波路構造付きデバイスの製造方法(自己形成法)
上記[1]で説明した本発明の光導波路構造付きデバイスの一例の製造方法を以下に説明する。尚、以下の製造方法の説明においては便宜上、各部は製造後における光導波路構造付きデバイスの符号を用いて説明する。
(1)多層セラミック配線基板20
予め焼結された多層セラミック配線基板20を用意した。多層セラミック配線基板の構成については上記[1]における通りである。
[2] Manufacturing method of device with optical waveguide structure (self-forming method)
A method for manufacturing an example of the device with an optical waveguide structure of the present invention described in [1] will be described below. In the following description of the manufacturing method, for the sake of convenience, each part will be described using the reference numerals of the device with the optical waveguide structure after manufacturing.
(1) Multilayer ceramic wiring board 20
A pre-sintered multilayer ceramic wiring board 20 was prepared. The configuration of the multilayer ceramic wiring board is as described in [1] above.

(2)光路変換部用パッド71及び72並びに位置決め基準パッド61の形成
多層セラミック配線基板20の一面に、パッドを形成しない部位をめっきレジストであるドライフィルムで保護した後、金めっきを施し、その後、ドライフィルムを剥離して光路変換部用パッド71及び72、並びに、位置決め基準パッド61を形成した(図2における工程1参照)。
(2) Formation of optical path conversion part pads 71 and 72 and positioning reference pad 61 On one surface of the multilayer ceramic wiring board 20, a portion where no pad is formed is protected with a dry film, which is a plating resist, and then gold plating is applied. Then, the dry film was peeled off to form the optical path conversion part pads 71 and 72 and the positioning reference pad 61 (see step 1 in FIG. 2).

(3)光路変換部41及び42の形成
ワイヤボンディング装置に設けられたキャピラリ内に金ワイヤを供給し、この金ワイヤの先端部を塊状にする。その後、キャピラリを光路変換部用パッド71へ押し付けると同時に、キャピラリ先端部により押圧し、四角錐形状の光路変換部41を形成した。同様にして、光路変換部用パッド72上に、光路変換部41と向き合う略45゜の傾斜面を備える四角錐形状の光路変換部42を形成した。尚、この光路変換部41及び42の形成に際しては、映像手段を用いて位置決め基準61の座標に基づき、所望の位置に正確に形成した(図2における工程2参照)。尚、金属塊を押し付けた後、型押し治具を用いてこの金属塊を所定形状に成形してもよい。
(3) Formation of optical path conversion parts 41 and 42 A gold wire is supplied into the capillary provided in the wire bonding apparatus, and the tip part of this gold wire is made into a lump. Thereafter, the capillary was pressed against the optical path conversion portion pad 71 and simultaneously pressed by the tip of the capillary to form a quadrangular pyramid-shaped optical path conversion portion 41. Similarly, a quadrangular pyramid-shaped optical path conversion section 42 having an inclined surface of approximately 45 ° facing the optical path conversion section 41 was formed on the optical path conversion section pad 72. Note that when forming the optical path conversion units 41 and 42, they were accurately formed at desired positions based on the coordinates of the positioning reference 61 using image means (see step 2 in FIG. 2). In addition, after pressing a metal lump, this metal lump may be shape | molded into a predetermined shape using a stamping jig.

(4)近赤外線硬化組成物層13の形成
α,β−不飽和エチレン基含有重合性化合物であるエポキシアクリレートを下記のように調製した。即ち、エポキシ当量206のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(東都化成社製、品名「エポトートYDCN704」)206質量部、アクリル酸72質量部、テトラエチルアンモニウムクロライド0.2質量部及びメチルハイドロキノン0.5質量部からなる混合物を、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート192質量部に加えて100℃で10時間反応させてエポキシアクリレートを得た。
その後、得られたエポキシアクリレート90質量部、トリメチロールプロパンアクリレート(日本化薬社製、品名「KS−TMPTA」)10質量部、光ラジカル発生剤であるベンゾフェノン5質量部と、近赤外線増感剤である下記化学式(3)で示される陽イオン染料(吸収波長822nm)2質量部、熱ラジカル発生剤である過酸化ベンゾイル5質量部と混合して近赤外線硬化組成物を得た。
次いで、得られた近赤外線硬化組成物を、剥離シートに剥離可能に保持された厚さ150μmのフィルム状に成形し、近赤外線硬化組成物層となるフィルムを用意した。
(4) Formation of near-infrared curable composition layer 13 An epoxy acrylate which is an α, β-unsaturated ethylene group-containing polymerizable compound was prepared as follows. That is, from 206 parts by mass of cresol novolac type epoxy resin having an epoxy equivalent of 206 (product name “Epototo YDCN704” manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.), 72 parts by mass of acrylic acid, 0.2 parts by mass of tetraethylammonium chloride and 0.5 parts by mass of methyl hydroquinone. The resulting mixture was added to 192 parts by mass of diethylene glycol ethyl ether acetate and reacted at 100 ° C. for 10 hours to obtain an epoxy acrylate.
Thereafter, 90 parts by mass of the obtained epoxy acrylate, 10 parts by mass of trimethylolpropane acrylate (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., product name “KS-TMPTA”), 5 parts by mass of benzophenone as a photo radical generator, and a near infrared sensitizer A near-infrared curable composition was obtained by mixing 2 parts by weight of a cationic dye (absorption wavelength 822 nm) represented by the following chemical formula (3) and 5 parts by weight of benzoyl peroxide as a thermal radical generator.
Next, the obtained near-infrared curable composition was formed into a film having a thickness of 150 μm that was releasably held on a release sheet, and a film to be a near-infrared curable composition layer was prepared.

Figure 2005215529
但し、式(3)中の「Ph」はフェニル基を表す。
Figure 2005215529
However, “Ph” in the formula (3) represents a phenyl group.

得られたフィルムを多層セラミック配線基板の表面を覆うように貼り付け、圧着し、剥離シートを除去した。その後、80℃で1時間乾燥して、近赤外線硬化組成物層13を形成した(図2における工程3参照)。この段階で、近赤外線硬化組成物層13には実質的に流動性が無く、以下の工程(配線の転写等)を行うことが可能となった。これは、この時点で、既に硬化反応が始まっており、3次元的な架橋構造が形成され始めているためであると考えられる。   The obtained film was affixed so as to cover the surface of the multilayer ceramic wiring board and pressure-bonded, and the release sheet was removed. Then, it dried at 80 degreeC for 1 hour, and formed the near-infrared curable composition layer 13 (refer the process 3 in FIG. 2). At this stage, the near-infrared curable composition layer 13 has substantially no fluidity, and the following steps (wiring transfer, etc.) can be performed. This is probably because the curing reaction has already started at this point, and a three-dimensional crosslinked structure has begun to be formed.

(5)導体部51及び位置決め基準パッド62の形成
上記(4)で形成した近赤外線硬化組成物層13の表面に、導体部51及び位置決め基準パッド62となる銅からなる薄膜が、剥離シートの表面に剥離可能に保持された転写フィルムを用意した。その後、上記と同様に映像手段を用いて位置決め基準61に基づいて決定された位置に、この転写フィルムを近赤外線硬化組成物10の表面に転写し、導体部51及び位置決め基準パッド62を形成した(図2における工程4参照)。
(5) Formation of conductor part 51 and positioning reference pad 62 On the surface of near infrared curable composition layer 13 formed in (4) above, a thin film made of copper that becomes conductor part 51 and positioning reference pad 62 is a release sheet. A transfer film that was releasably held on the surface was prepared. Thereafter, the transfer film was transferred to the surface of the near-infrared curable composition 10 at the position determined based on the positioning reference 61 using the image means in the same manner as described above, and the conductor portion 51 and the positioning reference pad 62 were formed. (See step 4 in FIG. 2).

(6)発光素子31及び受光素子32の搭載(発光素子配設工程)
上記と同様に映像手段を用い位置決め基準62に基づき、導電部51上であって目的とする位置に正確に発光素子31を載置し、予め発光素子31の一面に設けられたハンダにより導体部51と接続した。同様に位置決め基準62に基づき、受光素子32を載置し、同様にハンダにより接続した(図3における工程5参照)。
(6) Mounting of the light emitting element 31 and the light receiving element 32 (light emitting element arranging step)
Similarly to the above, based on the positioning reference 62 using the image means, the light emitting element 31 is accurately placed on the conductive portion 51 at a target position, and the conductor portion is formed by solder provided on one surface of the light emitting element 31 in advance. 51. Similarly, based on the positioning reference 62, the light receiving element 32 was mounted and similarly connected by soldering (see step 5 in FIG. 3).

(7)コア部11の自己形成(コア部形成工程)
発光素子31から近赤外線を発し、近赤外線硬化組成物層13の近赤外線の照射及び透過された部分を硬化した。発光素子31から発せられた近赤外線により硬化された部分は、次第に延長され(図3における工程6参照)、光路変換部41まで伸び、光路変換部41で略90°光路変換されて、光路変換部42まで伸び、光路変換部42で再び光路変換されて受光素子32の直下まで達した。予め予測された近赤外線量が受光素子32に達することを確認して硬化を停止した(図3における工程7参照)。
(7) Self-formation of the core part 11 (core part formation process)
Near-infrared light was emitted from the light emitting element 31, and the near-infrared radiation of the near-infrared curable composition layer 13 and the transmitted portion were cured. The portion cured by the near infrared ray emitted from the light emitting element 31 is gradually extended (see step 6 in FIG. 3), extends to the optical path conversion unit 41, and is optically converted by the optical path conversion unit 41 by approximately 90 °. The optical path was changed again by the optical path changing section 42 and reached just below the light receiving element 32. Curing was stopped after confirming that the amount of near infrared rays predicted in advance reached the light receiving element 32 (see step 7 in FIG. 3).

(8)光導波路構造10の加熱硬化
上記(7)までに得られた構造物を、温度150℃の恒温槽に入れて、1時間加熱保持し、光導波路構造10全体の硬化を進行させた。そして、予め近赤外線により硬化されたコア部11となる部分と、熱ラジカル発生剤である過酸化ベンゾイルにより硬化したクラッド部12となる部分との重合度の差異による屈折率差を形成し、コア部11とクラッド部12とを完成させた。得られたコア部11とクラッド部12との屈折率差は0.3%であった。このようにして、本発明の光導波路構造付きデバイス100を得た(図3における工程8参照)。
(8) Heat-curing of optical waveguide structure 10 The structure obtained up to (7) above was placed in a thermostatic bath at a temperature of 150 ° C. and heated for 1 hour to advance the curing of the entire optical waveguide structure 10. . Then, a refractive index difference is formed by a difference in polymerization degree between a portion to be the core portion 11 previously cured by near infrared rays and a portion to be the cladding portion 12 cured by benzoyl peroxide which is a thermal radical generator, Part 11 and clad part 12 were completed. The refractive index difference between the obtained core part 11 and the clad part 12 was 0.3%. Thus, the device 100 with an optical waveguide structure of the present invention was obtained (see step 8 in FIG. 3).

[3]光導波路構造付きデバイスの製造方法(フォトリソ法)
本発明の光導波路構造付きデバイスの他例の製造方法を以下に説明する。尚、以下の製造方法の説明においては便宜上、各部は製造後における光導波路構造付きデバイスの符号を用いて説明する。
(1)多層セラミック配線基板20及び光路変換部等の形成
予め焼結された多層セラミック配線基板20を用意した。多層セラミック配線基板の構成については上記[1]と同様である。
その後、上記[2](2)と同様にして、光路変換部用パッド71及び72並びに位置決め基準パッド61を形成した(図4における工程1参照)。その後、上記[2](3)と同様にして、光路変換部41及び42を形成した(図4における工程2参照)。
[3] Manufacturing method of device with optical waveguide structure (photolithographic method)
The manufacturing method of the other example of the device with an optical waveguide structure of the present invention will be described below. In the following description of the manufacturing method, for the sake of convenience, each part will be described using the reference numerals of the device with the optical waveguide structure after manufacturing.
(1) Formation of multilayer ceramic wiring board 20 and optical path changing part etc. A multilayer ceramic wiring board 20 sintered in advance was prepared. The configuration of the multilayer ceramic wiring board is the same as [1] above.
Thereafter, in the same manner as in the above [2] (2), the optical path conversion unit pads 71 and 72 and the positioning reference pad 61 were formed (see step 1 in FIG. 4). Thereafter, in the same manner as in the above [2] (3), the optical path conversion units 41 and 42 were formed (see step 2 in FIG. 4).

(2)下部クラッド部12の形成
α,β−不飽和エチレン基含有重合性化合物として上記[2]の(4)で用いたエポキシアクリレートを用意した。このエポキシアクリレート70質量部、トリメチロールプロパンアクリレート(日本化薬社製、品名「KS−TMPTA」)30質量部、光ラジカル発生剤であるベンゾフェノン5質量部と、近赤外線増感剤である上記化学式(3)で示される陽イオン染料(吸収波長822nm)2質量部、熱ラジカル発生剤である過酸化ベンゾイル5質量部と混合して近赤外線硬化組成物を得た。
得られた近赤外線硬化組成物を多層セラミック配線基板20上にスピンコート法により塗工した。次いで、露光(露光量;1000mJ/cm、光源;クセノンショートアークランプ、露光時間;約10分間)を行って硬化させ、下部クラッド部12を形成した(図4における工程9参照)。
(2) Formation of the lower clad part 12 The epoxy acrylate used in (4) of the above [2] was prepared as the α, β-unsaturated ethylene group-containing polymerizable compound. 70 parts by mass of this epoxy acrylate, 30 parts by mass of trimethylolpropane acrylate (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., product name “KS-TMPTA”), 5 parts by mass of benzophenone which is a photoradical generator, and the above chemical formula which is a near infrared sensitizer A near-infrared curable composition was obtained by mixing with 2 parts by mass of the cationic dye (absorption wavelength 822 nm) represented by (3) and 5 parts by mass of benzoyl peroxide as a thermal radical generator.
The obtained near-infrared curable composition was coated on the multilayer ceramic wiring substrate 20 by a spin coat method. Next, exposure (exposure amount: 1000 mJ / cm 2 , light source: xenon short arc lamp, exposure time: about 10 minutes) was performed and cured to form the lower clad portion 12 (see step 9 in FIG. 4).

(3)コア部11の形成(コア部形成工程)
上記(2)で形成した下部クラッド部12上に、上記(2)で得られた近赤外線硬化組成物をスピンコート法により塗工した。次いで、露光(露光量;1000mJ/cm、光源;クセノンショートアークランプ、露光時間;約10分間)を行って硬化させた。その後、2−メトキシエタノールを用いて現像(30秒×2回)し、イソプロピルアルコール(IPA)にて洗浄し、コア部11を形成した(図4における工程10参照)。
(3) Formation of the core part 11 (core part formation process)
On the lower clad part 12 formed in the above (2), the near-infrared curable composition obtained in the above (2) was applied by a spin coating method. Next, exposure (exposure amount: 1000 mJ / cm 2 , light source: xenon short arc lamp, exposure time: about 10 minutes) was performed and cured. Thereafter, development was performed using 2-methoxyethanol (30 seconds × twice), and washing with isopropyl alcohol (IPA) was performed to form the core portion 11 (see step 10 in FIG. 4).

(4)上部クラッド部12’の形成
上記(3)で形成したコア部11上に、上記(2)で得られた近赤外線硬化組成物をスピンコート法により塗工した。次いで、露光(露光量;1000mJ/cm、光源;クセノンショートアークランプ、露光時間;約10分間)を行って硬化させ、上部クラッド部12’を形成した(図5における工程11参照)。
(4) Formation of upper clad part 12 'On the core part 11 formed by said (3), the near-infrared curable composition obtained by said (2) was apply | coated by the spin coat method. Next, exposure (exposure amount: 1000 mJ / cm 2 , light source: xenon short arc lamp, exposure time: about 10 minutes) was performed and cured to form an upper clad portion 12 ′ (see step 11 in FIG. 5).

(5)導体部51及び位置決め基準パッド62の形成
上記(4)で形成した上部クラッド部12’の表面に、導体部51及び位置決め基準パッド62となる銅からなる薄膜が、剥離シートの表面に剥離可能に保持された転写フィルムを用意した。その後、上記と同様に映像手段を用いて位置決め基準61に基づいて決定された位置に、この転写フィルムを上部クラッド部12’の表面に転写し、導体部51及び位置決め基準パッド62を形成した(図5における工程12参照)。
尚、これら導体部51及び位置決め基準パッド62は、上記[2](2)と同様に、めっき形成することもできる。
(5) Formation of conductor part 51 and positioning reference pad 62 A thin film made of copper that becomes conductor part 51 and positioning reference pad 62 is formed on the surface of the release sheet on the surface of upper clad part 12 'formed in (4) above. A transfer film held in a peelable manner was prepared. Thereafter, the transfer film was transferred to the surface of the upper clad portion 12 ′ at the position determined based on the positioning reference 61 using the image means in the same manner as described above, and the conductor portion 51 and the positioning reference pad 62 were formed ( (See step 12 in FIG. 5).
The conductor 51 and the positioning reference pad 62 can be formed by plating in the same manner as [2] (2).

(6)発光素子31及び受光素子32の搭載(発光素子配設工程)
上記と同様に映像手段を用い位置決め基準62に基づき、導電部51上であって目的とする位置に正確に発光素子31を載置し、予め発光素子31の一面に設けられたハンダにより導体部51と接続した。同様に位置決め基準62に基づき、受光素子32を載置し、同様にハンダにより接続した(図5における工程13参照)。このようにして、本発明の光導波路構造付きデバイス100’を得た。得られたコア部11とクラッド部12及び12’との屈折率差は1.2%であった。
(6) Mounting of the light emitting element 31 and the light receiving element 32 (light emitting element arranging step)
Similarly to the above, based on the positioning reference 62 using the image means, the light emitting element 31 is accurately placed on the conductive portion 51 at a target position, and the conductor portion is formed by solder provided on one surface of the light emitting element 31 in advance. 51. Similarly, based on the positioning reference 62, the light receiving element 32 was mounted and similarly connected by soldering (see step 13 in FIG. 5). Thus, a device 100 ′ with an optical waveguide structure of the present invention was obtained. The difference in refractive index between the obtained core portion 11 and the clad portions 12 and 12 ′ was 1.2%.

本発明の光導波路構造付きデバイス及びその製造方法は、光通信分野、電気電子分野等において広く利用できる。例えば、光導波路、光分岐結合器、光合分波器、光アイソレーター、光ファイバーアンプ、配線基板等として利用できる。   The device with an optical waveguide structure and the manufacturing method thereof according to the present invention can be widely used in the fields of optical communication, electric and electronics, and the like. For example, it can be used as an optical waveguide, an optical branching coupler, an optical multiplexer / demultiplexer, an optical isolator, an optical fiber amplifier, a wiring board, and the like.

本発明の光導波路構造付きデバイスの一例の模式的な断面図である。It is typical sectional drawing of an example of the device with an optical waveguide structure of this invention. 本発明の光導波路構造付きデバイスの一例の製造方法の模式的に説明する説明図である。It is explanatory drawing typically demonstrated of the manufacturing method of an example of the device with an optical waveguide structure of this invention. 本発明の光導波路構造付きデバイスの一例の製造方法の図2に続く工程を模式的に説明する説明図である。It is explanatory drawing which illustrates typically the process following FIG. 2 of the manufacturing method of an example of the device with an optical waveguide structure of this invention. 本発明の光導波路構造付きデバイスの他例の製造方法の模式的に説明する説明図である。It is explanatory drawing typically demonstrated of the manufacturing method of the other example of the device with an optical waveguide structure of this invention. 本発明の光導波路構造付きデバイスの他例の製造方法の図4に続く工程を模式的に説明する説明図である。It is explanatory drawing which illustrates typically the process of following FIG. 4 of the manufacturing method of the other example of the device with an optical waveguide structure of this invention. コア部とクラッド部との断面の一例を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining an example of the cross section of a core part and a clad part. コア部とクラッド部との断面の他例を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the other example of the cross section of a core part and a clad part. 光路変換部を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining an optical path conversion part.

符号の説明Explanation of symbols

100及び100’;光導波路構造付きデバイス、10;光導波路構造、11;コア部、111及び112;屈曲部、12及び12’;クラッド部、13;近赤外線硬化組成物層、20;多層セラミック配線基板、31;発光素子、32;受光素子、41〜45;光路変換部、51及び52;導体部、61及び62;位置決め基準、71及び72;光路変換部用パッド。   100 and 100 '; device with optical waveguide structure, 10; optical waveguide structure, 11; core portion, 111 and 112; bent portion, 12 and 12'; clad portion, 13; near infrared curable composition layer, 20; Wiring board, 31; light emitting element, 32; light receiving element, 41 to 45; optical path conversion unit, 51 and 52; conductor part, 61 and 62; positioning reference, 71 and 72;

Claims (10)

硬化した近赤外線硬化樹脂からなり且つ光が伝搬するコア部と、該コア部を取り囲むクラッド部と、を有する光導波路構造を備えることを特徴とする光導波路構造付きデバイス。   A device with an optical waveguide structure comprising an optical waveguide structure made of a cured near-infrared curable resin and having a core portion through which light propagates and a cladding portion surrounding the core portion. 近赤外線により硬化され且つ光が伝搬するコア部と、該コア部を取り囲むクラッド部と、を有する光導波路構造を備えることを特徴とする光導波路構造付きデバイス。   A device with an optical waveguide structure, comprising: an optical waveguide structure having a core portion that is cured by near infrared rays and propagates light; and a cladding portion that surrounds the core portion. 上記コア部の少なくとも1つの端部側に近赤外線を発する発光素子を備え、該コア部は、該発光素子から発せられた近赤外線により硬化されてなる請求項1又は2に記載の光導波路構造付きデバイス。   3. The optical waveguide structure according to claim 1, further comprising a light emitting element that emits near infrared light on at least one end side of the core part, wherein the core part is cured by near infrared light emitted from the light emitting element. Device. 上記コア部内を伝搬する上記光を反射する光路変換部を有し、該コア部は該光路変換部において屈曲されている請求項1乃至3のうちのいずれかに記載の光導波路構造付きデバイス。   4. The device with an optical waveguide structure according to claim 1, further comprising an optical path conversion unit that reflects the light propagating in the core unit, wherein the core unit is bent at the optical path conversion unit. 5. 上記コア部と上記クラッド部とは、同種の樹脂からなる請求項1乃至4のうちのいずれかに記載の光導波路構造付きデバイス。   The device with an optical waveguide structure according to claim 1, wherein the core part and the clad part are made of the same kind of resin. 上記コア部は、アクリル系樹脂を含む請求項1乃至5のうちのいずれかに記載の光導波路構造付きデバイス。   The device with an optical waveguide structure according to claim 1, wherein the core portion includes an acrylic resin. 上記コア部は、エポキシ系樹脂を含む請求項1乃至5のうちのいずれかに記載の光導波路構造付きデバイス。   The device with an optical waveguide structure according to claim 1, wherein the core portion includes an epoxy resin. 硬化した近赤外線硬化樹脂からなり且つ光が伝搬するコア部と、該コア部を取り囲むクラッド部と、を有する光導波路構造を備える光導波路構造付きデバイスの製造方法であって、
硬化されて近赤外線硬化樹脂となる近赤外線硬化組成物からなる未硬化層を形成する未硬化層形成工程と、
該未硬化層に近赤外線を照射することにより上記コア部を形成するコア部形成工程と、を備えることを特徴とする光導波路構造付きデバイスの製造方法。
A manufacturing method of a device with an optical waveguide structure comprising an optical waveguide structure having a core portion made of a cured near-infrared curable resin and having light propagated, and a cladding portion surrounding the core portion,
An uncured layer forming step of forming an uncured layer comprising a near-infrared curable composition which is cured to become a near-infrared curable resin;
A core part forming step of forming the core part by irradiating the uncured layer with near-infrared rays.
請求項8に記載の光導波路構造付きデバイスの製造方法であって、
上記未硬化層形成工程の後且つ上記コア部形成工程の前に、上記未硬化層上に、近赤外線を発する発光素子を配設する発光素子配設工程を備え、
上記コア部形成工程では、上記近赤外線を該発光素子を用いて照射し、該未硬化層の該近赤外線が照射及び透過された部位を選択的に硬化させて上記コア部を形成する光導波路構造付きデバイスの製造方法。
A method for manufacturing a device with an optical waveguide structure according to claim 8,
After the uncured layer forming step and before the core portion forming step, a light emitting element disposing step of disposing a light emitting element emitting near infrared rays on the uncured layer is provided.
In the core part forming step, an optical waveguide that irradiates the near infrared ray using the light emitting element and selectively cures a portion of the uncured layer irradiated and transmitted with the near infrared ray to form the core part. A method for manufacturing a structured device.
請求項8に記載の光導波路構造付きデバイスの製造方法であって、
上記コア部形成工程では、該未硬化層に該近赤外線を用いたフォトリソグラフィ法を施して上記コア部を形成する光導波路構造付きデバイスの製造方法。
A method for manufacturing a device with an optical waveguide structure according to claim 8,
In the core part forming step, a method of manufacturing a device with an optical waveguide structure, wherein the core part is formed by performing a photolithography method using the near infrared ray on the uncured layer.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006078606A (en) * 2004-09-07 2006-03-23 Tokai Univ Method for manufacturing optical connection device, and optical connection device thereof
JP2008038027A (en) * 2006-08-07 2008-02-21 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd Organic polymer composition and optical waveguide and method for producing optical waveguide
JP2011102919A (en) * 2009-11-11 2011-05-26 Hitachi Ltd Optical transmitter module and method of manufacturing the same
WO2014021411A1 (en) * 2012-08-02 2014-02-06 独立行政法人産業技術総合研究所 Optical waveguide and optical waveguide mirror
JP2017179128A (en) * 2016-03-30 2017-10-05 Jnc株式会社 Cured article of thermosetting resin composition, substrate having cured article and manufacturing method of electronic component
WO2022264322A1 (en) * 2021-06-16 2022-12-22 日本電信電話株式会社 Optical circuit device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006078606A (en) * 2004-09-07 2006-03-23 Tokai Univ Method for manufacturing optical connection device, and optical connection device thereof
JP4511291B2 (en) * 2004-09-07 2010-07-28 学校法人東海大学 Manufacturing method of optical connection device and optical connection device
JP2008038027A (en) * 2006-08-07 2008-02-21 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd Organic polymer composition and optical waveguide and method for producing optical waveguide
JP2011102919A (en) * 2009-11-11 2011-05-26 Hitachi Ltd Optical transmitter module and method of manufacturing the same
WO2014021411A1 (en) * 2012-08-02 2014-02-06 独立行政法人産業技術総合研究所 Optical waveguide and optical waveguide mirror
JP2017179128A (en) * 2016-03-30 2017-10-05 Jnc株式会社 Cured article of thermosetting resin composition, substrate having cured article and manufacturing method of electronic component
WO2022264322A1 (en) * 2021-06-16 2022-12-22 日本電信電話株式会社 Optical circuit device

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