JP2005215076A - 樹脂光導波路モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】 フッ素化ポリイミド等の樹脂基板上に形成された樹脂導波路のモジュール化において、温度変化や、高温高湿下での保存環境による、損失への影響が少ない、低損失で高品質な信頼性を兼ね備えた樹脂導波路モジュールを提供することを課題とする。
【解決手段】 樹脂基板上に形成された樹脂導波路と、ファイバアレイとのモジュール化において、ファイバアレイと樹脂基板の熱膨張率とを同等とすることにより、温度変化による損失への影響が少ない、低損失で高品質な信頼性を兼ね備えた樹脂導波路モジュールを作製できる。光導波路用基板材料はフッ素化ポリイミド樹脂、全フッ素化ポリイミド樹脂、重水素化ポリシロキサン樹脂、フッ素化エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などが使用できる。
【選択図】 なし
【解決手段】 樹脂基板上に形成された樹脂導波路と、ファイバアレイとのモジュール化において、ファイバアレイと樹脂基板の熱膨張率とを同等とすることにより、温度変化による損失への影響が少ない、低損失で高品質な信頼性を兼ね備えた樹脂導波路モジュールを作製できる。光導波路用基板材料はフッ素化ポリイミド樹脂、全フッ素化ポリイミド樹脂、重水素化ポリシロキサン樹脂、フッ素化エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などが使用できる。
【選択図】 なし
Description
本発明は、低損失で高品質な樹脂光導波路モジュールに関するものである。
情報通信システムの基盤技術として光通信技術が浸透していくにつれて光導波路は、光ネットワーク用キーデバイスとして益々その重要性が高まると同時に、電子回路配線基板等の分野への応用に向けて開発が進められている。光導波路デバイスの普及には低価格化と量産化が要望されており、樹脂製光導波路がその有力な候補として開発されている。 導波路用の樹脂材料としては、フッ素化ポリイミド樹脂、フッ素化アクリル樹脂、重水素化ポリシロキサン樹脂、フッ素化エポキシ樹脂、全フッ素化脂環式樹脂、シリコーン樹脂等が用いられ、近赤外の光通信波長帯域である1.3〜1.5ミクロン帯での透明性を確保するために、C−H結合をC−D結合やC−F結合に置換した樹脂材料が用いられている。なかでも、フッ素化ポリイミド樹脂は近赤外領域での透過特性がすぐれており、そのうえ、最も耐熱性が高く、強度も確保できるところから、樹脂光導波路用の材料としては最も適している。
従来、フッ素化ポリイミド樹脂導波路の作製方法としては、シリカガラス材料で作製される光導波路と同様な方法、即ち、シリコン等の基板上に下部クラッド層、コア層を成膜し、フォトリソグラフィと反応性イオンエッチング(RIE、Reactive Ion Etching)の技法によりリッジ型コアパターンを形成し、さらに上部クラッドを形成して導波路を埋め込む方法が一般的に知られている。(特許文献1参照)詳しくはシリコン等の基板上にクラッド用フッ素化ポリアミド酸ワニスをスピンコート法等により成膜し、加熱後その上にコア用フッ素化ポリアミド酸ワニスを同じくスピンコート法等成膜し加熱後フォトリソグラフィと反応性イオンエッチング(RIE、Reactive Ion Etching)の技法によりリッジ型コアパターンを形成し、さらにこの上にクラッド用フッ素化ポリアミド酸ワニスを同じくスピンコート法等により成膜し加熱して、リッジ型導波路が形成される。
しかしながら、このような方法で作製された、樹脂基板を用いた樹脂光導波路チップとファイバアレイとのモジュール化において、石英製ファイバアレイを用いた場合、温度変化、高温高湿下における保存により光損失が悪化・変動し、さらには接合部にクラックが発生するという問題が発生し、長期信頼性に欠け、ファイバアレイとのモジュールとしては実用に供することができないという問題があった。
特開2002−71989号公報
本発明は、フッ素化ポリイミドなどの樹脂基板上に形成された樹脂導波路のモジュールにおいて、温度変化、高温高湿下における保存により損失への影響が無い、低損失で高品質な信頼性を兼ね備えた樹脂導波路モジュールを提供することを課題とする。
本発明はフッ素化ポリイミドなどの樹脂基板上に形成された樹脂導波路のファイバアレイとのモジュール化において、ファイバアレイの部材の熱膨張率が樹脂基板の熱膨張率と近似したファイバアレイを用いることにより、課題を解決するものである。
また、フッ素化ポリイミド基板上に形成された樹脂導波路と、ファイバアレイとのモジュール化においては、ファイバアレイの部材がフッ素化ポリイミドであるファイバアレイを用い、導波路基板のフッ素化ポリイミドとファイバアレイの部材であるフッ素化ポリイミドの熱膨張率の差が20ppm/K以下、より好ましくは10ppm/K以下であるものを使用とすることにより、温度変化、高温高湿下における保存により損失への影響が無い、低損失で高品質な信頼性を兼ね備えた樹脂導波路モジュールを作製することができる。
光導波路用樹脂基板材料としてはフッ素化ポリイミド樹脂、全フッ素化ポリイミド樹脂、重水素化ポリシロキサン樹脂、フッ素化エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などが使用できる。
以下、本発明について詳述する。
光導波路用基板としては、量産化のための取り扱いが簡便な樹脂製基板開発されているが、その中でも300℃以上のガラス転移温度を持ち、さらに高透明性であるフッ素化ポリイミド基板が好適である。このフッ素化ポリイミド基板上に形成された樹脂導波路であって、ファイバアレイとのモジュール化において、既存の石英製ファイバアレイを用いた場合、温度変化、高温高湿下における保存により光損失が悪化・変動し、さらには接合部にクラックが発生という問題が発生し、長期信頼性に欠け、ファイバアレイとのモジュールとしては実用に供することができず、モジュール作製上の問題となっていた。
光導波路用基板としては、量産化のための取り扱いが簡便な樹脂製基板開発されているが、その中でも300℃以上のガラス転移温度を持ち、さらに高透明性であるフッ素化ポリイミド基板が好適である。このフッ素化ポリイミド基板上に形成された樹脂導波路であって、ファイバアレイとのモジュール化において、既存の石英製ファイバアレイを用いた場合、温度変化、高温高湿下における保存により光損失が悪化・変動し、さらには接合部にクラックが発生という問題が発生し、長期信頼性に欠け、ファイバアレイとのモジュールとしては実用に供することができず、モジュール作製上の問題となっていた。
この原因は導波路基板のフッ素化ポリイミドとファイバアレイの部材である石英の熱膨張率の差による、ファイバアレイと樹脂導波路の光軸ずれ、応力の発生により生じていると考えられる。なお、これまでは実用に供せるフッ素化ポリイミド基板上に形成された樹脂導波路が実現できていなかったため、これを用いたモジュール化の検討はなされておらず、この問題はこれまでは顕在化していなかった新規な問題点であることが判明した。
樹脂導波路を実用に供するためには、信頼性の観点から、Telcordia規格の温度サイクル試験(−40℃〜85℃の範囲)、高温高湿試験(85℃、85%)等で特性変化が小さいこと、生じないことが好ましい。
発明者らはこの温度変化、高温高湿下における保存により光損失の悪化・変動を防ぐ方法を検討した結果、ファイバアレイの部材がフッ素化ポリイミドであるファイバアレイを用いることにより、温度変化、高温高湿下における保存により光損失の悪化・変動を防ぐことが可能になることを見出したものである。
ファイバアレイの部材にフッ素化ポリイミドを選定した理由としては、300℃以上のガラス転移温度を持ち高い熱安定性を有すること、樹脂導波路の基材と同じ材料系とすることにより、モジュール化の際の応力低減および回避が可能となり、導波路とアレイとの密着力向上が計れること、熱膨張率の制御が容易であり、樹脂導波路の基材であるフッ素化ポリイミドとの熱膨張率をあわせることができるためである。
ファイバアレイを構成するフッ素化ポリイミドとしては以下のものが挙げられる。フッ素化ポリイミドの製造に使用されるテトラカルボン酸およびその誘導体の具体的な例としては次のようなものがある。ここではテトラカルボン酸としての例を挙げる。2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、3,3’,4,4’−テトラカルボキシジフェニルエーテル、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、3,3’,4,4’−テトラカルボキシジフェニルスルホン、ピロメリット酸などがあげられる。これらテトラカルボン酸およびその誘導体を単独で用いても良いし、混合して用いても良い。
ジアミン成分としては、例えば、次のジアミン、または、そのジイソシアネート誘導体等が使用される。2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2−ビス(p−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2’−ジメチルベンジジン、3,3’−ジメチルベンジジン、4,4’−オキシジアニリン等が挙げられるが、これらを単独で用いても良いし、混合して用いても良い。
具体的な組成としては、得られるフッ素化ポリイミドの線熱膨張率とガラス転移温度を測定して好適なものを選択する事ができる。
具体的な組成としては、得られるフッ素化ポリイミドの線熱膨張率とガラス転移温度を測定して好適なものを選択する事ができる。
導波路基板のフッ素化ポリイミドの熱膨張率は約60〜80ppm/K、これに対して、石英の熱膨張率は約1ppm/Kであり、熱膨張率の差は60ppm/K以上と非常に大きく、この部材の組み合わせで作製したモジュールは温度変化により光軸ずれを起こし、温度変化、高温高湿下における保存により光損失の悪化・変動を起こす。
本発明は、導波路基板のフッ素化ポリイミドとファイバアレイの部材であるフッ素化ポリイミドの熱膨張率を近似化することが重要であるが、両者の熱膨張率の差としては20ppm/K以下であって、より好ましくは10ppm/K以下である。21ppm/K以上では熱膨張率の差が大きく、温度変化により光軸ずれを起こし、光損失の悪化・変動を起こし、不適当である。
本発明により、導波路基板、導波路、ファイバアレイの構成部材がすべてフッ素化ポリイミドの低損失で高品質な樹脂光導波路モジュールを作製することができる。 また、他の樹脂基板を使用するときにおいても、導波路基板の樹脂とファイバアレイの部材との熱膨張率を近似化することが、性能が良く品質の安定した光導波路を製造するために好適である。
本発明でいう樹脂光導波路モジュールの例としては、1×8スプリッター、マルチモード干渉型合波器、方向性結合器、アレイ型光導波路格子、WDMなどが挙げられる。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
〔実施例1〕
4インチのフッ素化ポリイミド基板を使用し樹脂製の1×8スプリッターを製作する。基板は厚さ0.5mm、直径100mmであり、熱膨張率は80ppm/Kである。
4インチのフッ素化ポリイミド基板を使用し樹脂製の1×8スプリッターを製作する。基板は厚さ0.5mm、直径100mmであり、熱膨張率は80ppm/Kである。
光導波路に用いた樹脂はフッ素化ポリイミドである。この基板に、クラッド用のフッ素化ポリアミド酸ワニスをスピンコーティング装置により塗布した後、不活性雰囲気に保持したオーブンを用いて焼成して下部クラッド層を15ミクロン成膜し、次にコア用フッ素化ポリアミド酸ワニスをスピンコーティング装置により塗布した後、不活性雰囲気に保持したオーブンを用いて焼成し、コア層を7ミクロン成膜した。使用したコア層は屈折率が(1.51)であり、コア−クラッドの比屈折率差は0.33%とした。このコア層上にマスク層としてシリコンをマグネトロンスパッタにより0.5ミクロン成膜した。このマスク層上にはさらにレジスト層を成膜し、1×8スプリッターのパターンをフォトマスクを用い、アライナによって露光し、パターニングされたレジスト層を形成した。
次にレジスト層に保護されていないマスク層のシリコンをRIE装置を用いて、CF4ガスを流入させながらエッチングした。引き続いてO2ガスを流入させてマスク層のシリコンに保護されていないコア層部分をエッチングにより除去し、次に、基板をフッ酸を含有する剥離液に浸漬し、マスク層を除去した。さらに下部クラッドと同種のフッ素化ポリイミド樹脂をスピンコーティング装置により塗布した後、不活性雰囲気に保持したオーブンを用いて焼成して、厚さ18ミクロンの上部クラッド層を形成した。1×8スプリッターのチップのサイズは幅5mm×長さ17mmである。コアのサイズは7×7μmである。ダイサーにて切り出した1×8スプリッターのチップは、入射側には1芯ファイバーアレイを、出射側には8芯ファイバーアレイをUV硬化型接着剤を用いて接続した。
なお、ファイバーアレイの部材には熱膨張率80ppm/Kの導波路基板と同じフッ素化ポリイミド材料のものを使用した。ファイバーアレイのサイズは幅5mm×長さ10mmである。接続後のモジュールとして、22℃での光特性は波長1550nmにおいて、損失10.8dB、偏波依存損失0.2dB、各ポートにおける出力偏差は0.4dBであった。
このモジュールを恒温恒湿器(エスペック製)に入れ、70℃および−40℃での光特性を評価した。70℃での損失、偏波依存損失、各ポートにおける出力偏差はそれぞれ、11.0dB、0.4dB、0.5dBであった。また、−40℃ではそれぞれ10.7dB、0.3dB、0.4dBであった。温度変化においても光特性の悪化、変動は小さく、実用に供せる良好な光学特性を示した。また、−40℃と70℃の間の温度サイクル500回後においてもチップとファイバアレイとの接合部にクラックは認められなかった。
〔比較例1〕
実施例1と同様な方法で1×8スプリッターを作製し、石英製ファイバーアレイを使用しモジュールを作製した。22℃での光特性は波長1550nmにおいて、損失11.0dB、偏波依存損失0.3dB、各ポートにおける出力偏差は0.5dBであった。このモジュールを恒温恒湿器(エスペック製)に入れ、70℃および−40℃での光特性を評価した。70℃での損失、偏波依存損失、各ポートにおける出力偏差はそれぞれ、12.2dB、1.0dB、1.2dBであった。また、−40℃ではそれぞれ11.9dB、0.8dB、1.2dBであった。温度変化において光特性の悪化、変動は大きく、実用に供せる良好な光学特性を示さなかった。また、−40℃と70℃の間の温度サイクル50回後において、チップとファイバアレイとの接合部にクラックが認められた。
〔比較例1〕
実施例1と同様な方法で1×8スプリッターを作製し、石英製ファイバーアレイを使用しモジュールを作製した。22℃での光特性は波長1550nmにおいて、損失11.0dB、偏波依存損失0.3dB、各ポートにおける出力偏差は0.5dBであった。このモジュールを恒温恒湿器(エスペック製)に入れ、70℃および−40℃での光特性を評価した。70℃での損失、偏波依存損失、各ポートにおける出力偏差はそれぞれ、12.2dB、1.0dB、1.2dBであった。また、−40℃ではそれぞれ11.9dB、0.8dB、1.2dBであった。温度変化において光特性の悪化、変動は大きく、実用に供せる良好な光学特性を示さなかった。また、−40℃と70℃の間の温度サイクル50回後において、チップとファイバアレイとの接合部にクラックが認められた。
〔実施例2〕
4インチのフッ素化ポリイミド基板を使用し、樹脂光導波路と誘電体多層膜フィルタから構成されるWDM(Wavelength Division Multiplexing)素子を制作する。基板は厚さ0.5mm、直径100mmであり、熱膨張率は80ppm/Kである。
4インチのフッ素化ポリイミド基板を使用し、樹脂光導波路と誘電体多層膜フィルタから構成されるWDM(Wavelength Division Multiplexing)素子を制作する。基板は厚さ0.5mm、直径100mmであり、熱膨張率は80ppm/Kである。
実施例1と同様な方法で光導波路部分を作製し、次にダイサーによりフィルタ挿入のための溝をコアパターンのY分岐部分に作製し、UV硬化型接着剤を用いてフィルタを固定した。WDMのチップのサイズは幅4mm×長さ10mmである。コアのサイズは7×7μmである。ダイサーにて切り出したWDMのチップは、1芯ファイバーアレイ、および2芯ファイバーアレイをUV硬化型接着剤を用いて接続した。なお、ファイバーアレイの部材には熱膨張率80ppm/Kの導波路基板と同じフッ素化ポリイミド材料のものを使用した。
ファイバーアレイのサイズは幅4mm×長さ10mmである。接続後のモジュールとして、22℃での挿入損失は各波長1310nm、1490nmおよび1550nmにおいてそれぞれ、1.5dB、1.8dB、1.4dBであった。このモジュールを恒温恒湿器(エスペック製)に入れ、70℃および−40℃での光特性を評価した。70℃での挿入損失は、各波長1310nm、1490nmおよび1550nmにおいてそれぞれ、1.8dB、2.0dB、1.6dBであった。また、−40℃ではそれぞれ1.7dB、2.0dB、1.7dBであった。温度変化においても光特性の悪化、変動は小さく、実用に供せる良好な光学特性を示した。また、−40℃と70℃の間の温度サイクル500回後においてもチップとファイバーアレイとの接合部にクラックは認められず十分な耐久性が確認できた。
Claims (4)
- 樹脂基板上に形成された樹脂導波路であって、ファイバアレイとのモジュール化において、ファイバアレイの部材の熱膨張率が樹脂基板の熱膨張率と同等であることを特徴とする樹脂光導波路モジュール。
- フッ素化ポリイミド基板上に形成された樹脂導波路と、ファイバアレイとのモジュール化において、ファイバアレイの部材がフッ素化ポリイミドであるファイバアレイを用いることを特徴とする請求項1に記載の樹脂光導波路モジュール。
- 導波路基板のフッ素化ポリイミドとファイバアレイの部材であるフッ素化ポリイミドの熱膨張率の差が20ppm/K以下、より好ましくは10ppm/K以下であることを特徴とする、請求項1または請求項2のいずれかに記載の光導波路モジュール。
- 光導波路用樹脂基板の材料がフッ素化ポリイミド樹脂、全フッ素化ポリイミド樹脂、重水素化ポリシロキサン樹脂、フッ素化エポキシ樹脂、シリコーン樹脂のいずれかであることを特徴とする、請求項1に記載の光導波路モジュール。
Priority Applications (2)
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PCT/JP2005/001008 WO2005071456A1 (ja) | 2004-01-27 | 2005-01-26 | 樹脂光導波路モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2004018844A JP2005215076A (ja) | 2004-01-27 | 2004-01-27 | 樹脂光導波路モジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2005215076A true JP2005215076A (ja) | 2005-08-11 |
Family
ID=34805580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2004018844A Pending JP2005215076A (ja) | 2004-01-27 | 2004-01-27 | 樹脂光導波路モジュール |
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WO (1) | WO2005071456A1 (ja) |
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JP2000039541A (ja) * | 1998-07-23 | 2000-02-08 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 光ファイバアレイとその製造方法 |
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2004
- 2004-01-27 JP JP2004018844A patent/JP2005215076A/ja active Pending
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2005
- 2005-01-26 WO PCT/JP2005/001008 patent/WO2005071456A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
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