JP2005210014A5 - - Google Patents
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Claims (9)
- 成膜室に珪化物気体と、フッ素或いはフッ化ハロゲンガスとを原料ガスとして導入し、プラズマを発生させて結晶構造を含む半導体膜をガラス基板上に成膜し、
前記結晶構造を含む半導体膜にレーザー光を照射して結晶性を向上させることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 成膜室に珪化物気体と、希ガスと、フッ素或いはフッ化ハロゲンガスとを原料ガスとして導入し、プラズマを発生させて結晶構造を含む半導体膜をガラス基板上に成膜し、
前記結晶構造を含む半導体膜にレーザー光を照射して結晶性を向上させることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 成膜室に珪化物気体と、希ガスと、水素と、フッ素或いはフッ化ハロゲンガスとを原料ガスとして導入し、プラズマを発生させて結晶構造を含む半導体膜をガラス基板上に成膜し、
前記結晶構造を含む半導体膜にレーザー光を照射して結晶性を向上させることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項２または請求項３において、前記希ガスは、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 成膜室に珪化物気体と、水素と、フッ素或いはフッ化ハロゲンガスとを原料ガスとして導入し、プラズマを発生させて結晶構造を含む半導体膜をガラス基板上に成膜し、
前記結晶構造を含む半導体膜にレーザー光を照射して結晶性を向上させることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項３乃至５のいずれか一において、前記フッ素或いはフッ化ハロゲンガスの流量に対する水素の流量の比率を０．１以下に制御して結晶構造を含む半導体膜を成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１乃至６のいずれか一において、前記ガラス基板上には下地膜を形成し、
前記下地膜上に液滴吐出法によりＡｇ、Ａｌ、Ｃｕ又はＡｕからなる金属配線を形成し、
前記金属配線上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に前記結晶構造を含む半導体膜を成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至７のいずれか一において、前記珪化物気体は、モノシラン、ジシラン、またはトリシランのいずれかのガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項１乃至８のいずれか一において、前記フッ化ハロゲンガスは、ＣｌＦ、ＣｌＦ３、ＢｒＦ、ＢｒＦ３、ＩＦ、またはＩＦ３のいずれかのガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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