JP2005208510A - 素子劣化状態監視装置、発光素子の輝度制御装置及び素子劣化状態監視方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 動作温度に応じて劣化進行速度が変化する素子に対する劣化状態の監視を適切に行なう。
【解決手段】 サーミスタ８によって有機ＥＬパネル１の動作環境温度を検出し、その温度に応じてＶＣＯ７の制御電圧入力端子に与えられる制御電圧Ｖｔを変化させ、ＶＣＯ７の発振出力信号Clockをカウンタ１０に与える。コントローラ５は、有機ＥＬパネル１が駆動されている期間にカウンタ１０をイネーブル状態にしてカウント動作を実行させ、有機ＥＬパネル１の駆動が停止されるとカウンタ１０のカウント値を読み出して、メモリ６を利用して積算データを得る。
【選択図】 図１

Description

本発明は、動作温度に応じて劣化進行速度が変化する素子について動作時間を計測して積算することで、当該素子の劣化状態を監視する素子劣化状態監視装置及び素子劣化状態監視方法、並びに前記監視装置を備えてなる発光素子の輝度制御装置に関する。

例えば、特許文献１には、経年劣化する発光素子を動作させた積算時間を計測し、その積算時間に応じて駆動電流を変化させることで発光素子の輝度低下を防止するようにした表示装置が開示されている。
また、特許文献２には、駆動電流値が同じであっても動作温度に応じて輝度が異なる有機ＥＬ素子について、動作温度に応じて駆動電流を変化させることで輝度変化を防止するようにした駆動回路が開示されている。
特開２００３−２０２８３８号公報 特開２００３−３２６０７３号公報

ここで、有機ＥＬ素子については、図１３に示すように、高温環境下で動作し続けた場合には輝度低下速度が速くなるという性質があり、動作環境の温度に応じて劣化特性が異なることが知られている（例えば、特許文献２参照）。従って、特許文献１のように単に積算時間を考慮して駆動電流値を補正するだけでは、ユーザが素子を使用する実際の環境温度が変化する場合、素子の劣化状態を正確に把握することができなくなるという問題がある。また、例えば特許文献２に開示されている技術を加えることで、積算時間に応じた電流値補正と動作温度に応じた電流値補正を組み合わせたとしても、的確な補正を行うことは困難である。

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その第１の目的は、動作温度に応じて劣化進行速度が変化する素子に対する劣化状態の監視を適切に行なうことにある。
また本発明の第２の目的は、発光素子に適用した場合には、劣化状態の監視を適切に行うことで、その監視結果を発光素子の輝度制御に応用することにある。

請求項１記載の素子劣化状態監視装置によれば、動作温度に応じて劣化進行速度が変化する素子について動作時間を計測する時間計測手段は、検出された素子の動作温度に応じて動作時間の計測状態を変化させる。即ち、その動作時間は、実際の使用環境における素子の動作温度が変化するのに伴って異なるようになり、実質的には素子の温度特性を反映した劣化進行状態を示す指標となる。従って、上記のように計測された動作時間を積算することで、素子の経時劣化状態をより正確に監視することができる。

請求項２記載の素子劣化状態監視装置によれば、積算手段によって積算された動作時間のデータは不揮発性記憶手段に格納されて保持されるので、動作用電源が通断電されることで素子の動作が断続的となる場合でも、積算時間データを失うことなく保持することができる。

請求項３記載の素子劣化状態監視装置によれば、時間計測手段は、電圧変化手段が検出された動作温度に応じて指令電圧を変化させると、電圧制御発振器はその指令電圧に応じて発振周波数を変化させる。そして、計時手段は、電圧制御発振器より出力される発振信号に基づいて計時動作を行うので、計時される動作時間は、実際の使用環境における素子の動作温度変化に伴って変化するようになる。従って、電圧制御発振器を用いることで劣化状態監視に必要な構成を容易に実現することができる。

請求項４記載の素子劣化状態監視装置によれば、時間計測手段は、分周比設定手段が、検出された動作温度に応じて分周回路の分周比を設定することで、発振回路によって出力される発振信号の周波数を変化させる。従って、計時手段により計時される動作時間は、請求項３と同様に実際の使用環境における素子の動作温度変化に伴って変化するようになる。

請求項５記載の素子劣化状態監視装置によれば、前記素子を、表示パネルの画素を構成する自発光素子とするので、一般に、動作温度に応じて劣化進行速度が変化する傾向を示すことが多い自発光素子について本発明を有効に適用することができる。

請求項６記載の発光素子の輝度制御装置によれば、請求項５記載の素子劣化状態監視装置を備えて、輝度制御手段は、積算された動作時間に基づいて発光素子の輝度を制御する。即ち、前記積算時間は、上述したように素子の温度特性を反映した劣化進行状態を示しているので、その積算時間に基づき発光素子の輝度を制御すれば、その時点の劣化状態に応じた輝度の補正を適切に行なうことができる。

請求項７記載の発光素子の輝度制御装置によれば、輝度制御手段は、表示パネルがＲＧＢ三原色を夫々発光させる３つの発光素子を備えている場合に、積算された動作時間に基づき、各色対応の発光素子夫々について輝度制御を行う。即ち、発光色が異なる発光素子については、動作温度に応じた輝度劣化の進行度合いも異なる。従って、異なる発光色の発光素子夫々につき独立して輝度制御を行えば、各素子の劣化特性に応じた制御を行うことが可能となる。

請求項８記載の発光素子の輝度制御装置によれば、発光素子を有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子とする。即ち、自発光素子の１種である有機ＥＬ素子は、動作温度に応じて劣化進行状態が変化する素子の典型であるから、本発明を有効に適用することができる。

（第１実施例）
以下、本発明を、有機ＥＬ素子を画素とするドットマトリクス型表示パネルの輝度制御装置に適用した場合の第１実施例について図１乃至図４を参照して説明する。図１は、有機ＥＬパネル及びその輝度制御装置の構成を概略的に示す機能ブロック図である。有機ＥＬパネル（表示パネル）１は、有機ＥＬ素子を画素とする表示パネルであり、有機ＥＬ素子は、ロウドライバ２及びカラムドライバ３により駆動電圧が印加される複数のロウ電極と複数のカラム電極（何れも図示せず）との交点に形成されている。尚、ロウドライバ２は、出力電流値が外部より制御可能な電流源によって構成されている。

輝度制御装置（素子劣化状態監視装置）４は、コントローラ（積算手段，輝度制御手段）５、メモリ（不揮発性記憶手段）６、ＶＣＯ（電圧制御発振器）７などを中心として構成されている。動作用電源Ｖoutと回路グランドとの間には、サーミスタ（温度検出手段，電圧変化手段）８と抵抗（電圧変化手段）９との直列回路が接続されており、それらの共通接続点は、ＶＣＯ７の制御電圧入力端子に接続されている。

サーミスタ８は、有機ＥＬパネル１の動作環境温度を検出するもので、その検出温度に応じて、ＶＣＯ７の制御電圧入力端子に与えられる分圧電位（制御電圧）Ｖｔは上昇するように変化する（図２参照）。ＶＣＯ７は、発振出力信号（Clock）をコントローラ５に出力するようになっており、制御電圧Ｖｔが上昇するのに応じてその発振周波数を上昇させるように変化させる（図３参照）。

コントローラ５は、マイクロコンピュータで構成されている。そして、ＶＣＯ７によって出力される発振信号は、内部のカウンタ（計時手段）１０に与えられている。また、コントローラ５には、電圧低下検出回路１１の検出信号及びパネルスイッチ（ＳＷ）１２の操作信号が与えられている。電圧低下検出回路１１は、動作用電源Ｖoutの電圧レベルの低下を検出すると検出信号を出力する。

パネルスイッチ１２は、有機ＥＬパネル１の表示のＯＮ，ＯＦＦをユーザが操作するためのスイッチである。そして、コントローラ５は、それらの信号出力状態に基づいてカウンタ１０の動作を制御すると共に、カウンタ１０のカウント値を読み出してメモリ６に積算値データを書き込むようになっている。メモリ６は、例えばＥＥＰＲＯＭなどで構成されている。

また、コントローラ５は、メモリ６に記憶させた積算値データを読み出し、そのデータに基づいて、ロウドライバ２及びカラムドライバ３が有機ＥＬパネル１を駆動する際に有機ＥＬ素子に供給する駆動電流値を制御するようになっている。尚、ロウドライバ２及びカラムドライバ３に対して表示用の画像データを出力する制御系は別途存在するが、コントローラ５がその機能を兼用するように構成しても良いことは勿論である。また、以上の構成において、ＶＣＯ７，サーミスタ８及び抵抗９及びカウンタ１０は、時間計測手段１３を構成している。

次に、本実施例の作用について図４も参照して説明する。図４は、コントローラ５によって実行される有機ＥＬパネル１の輝度制御処理内容を示すフローチャートである。コントローラ５は、動作用電源Ｖoutが供給されて起動すると（スタート）、パネルスイッチ１２が「ＯＮ」に操作されるまで待機し（ステップＳ１）、「ＯＮ」になると（「ＹＥＳ」）カウンタ１０をイネーブル状態にしてＶＣＯ７により出力される発振信号に基づくカウント動作を開始させる（ステップＳ２）。尚、カウンタ１０は、初期状態でゼロクリアされているものとする。

続いて、コントローラ５は、メモリ６に記憶されている積算値データを読み出すと（ステップＳ３）、その積算値データに応じてカラムドライバ３に内蔵されている定電流源の駆動電流値を設定する（ステップＳ４）。この処理については、詳細を後述する。次に、コントローラ５は、電圧低下検出回路１１が動作用電源Ｖoutの低下を検出したか（ステップＳ５）、また、パネルスイッチ１２が「ＯＦＦ」に操作されるまで待機する（ステップＳ８）。

電圧低下検出回路１１が動作用電源Ｖoutの低下を検出した場合（ステップＳ５，「ＹＥＳ」）、コントローラ５は、その時点におけるカウンタ１０のカウンタ値をラッチして読み出す（ステップＳ６）。それから、ステップＳ３において読み出した積算データにカウンタ値を加えることで積算データを更新し、更新した積算データをメモリ６に書き込んで記憶させる。その後、動作用電源Ｖoutの低下が更に進むことでコントローラ５は動作不能となり、処理は終了する。尚、電源系は、ステップＳ５において電源電圧の低下が検出された時点から、少なくともコントローラ５がステップＳ６，Ｓ７の処理を実行するまでの時間が確保されるように構成されている。

一方、パネルスイッチ１２が「ＯＦＦ」に操作された場合（ステップＳ８，「ＹＥＳ」）、コントローラ５は、カウンタ１０をディスエーブル状態にしてカウント動作を停止させる（ステップＳ９）。それから、ステップＳ６，Ｓ７と同様の処理を実行すると（ステップＳ１０，Ｓ１１）ステップＳ１に戻る。
以上の処理において、カウンタ１０によってカウントされる値は、動作用電源Ｖoutが投入されて有機ＥＬパネル１における表示が行われている期間に、ＶＣＯ７によって出力された発振信号Clockをカウントしたものである。そして、発振信号Clockの発振周波数は、サーミスタ８によって検出される有機ＥＬパネル１の動作環境温度に応じて変化する。即ち、検出温度が上昇するのに応じて発振周波数が上昇し、カウント値の増加速度も上昇する。また、そのカウント値は、メモリ６を利用して累算される。

前述したように、有機ＥＬ素子は高温環境下で動作する場合に劣化が進む特性を備えているので、メモリ６に記憶される積算データは、動作環境温度に応じた有機ＥＬ素子の劣化進行状態を反映した指標となっている。従って、コントローラ５が、その積算時間データに基づいて有機ＥＬ素子に通電する駆動電流値を制御すれば、特性劣化に応じた表示輝度の低下を補正することができる。即ち、積算データ値が大きくなるにつれて有機ＥＬ素子の特性劣化は進行するので、ドライバ２及び３によって供給する駆動電流値を増加させて輝度の低下を補償すれば、常に略一定の表示輝度が維持されるようになる。

以上のように本実施例によれば、サーミスタ８によって有機ＥＬパネル１の動作環境温度を検出し、その検出温度に応じて、ＶＣＯ７の制御電圧入力端子に与えられる制御電圧Ｖｔを変化させ、ＶＣＯ７の発振出力信号Clockをカウンタ１０に与えて、コントローラ５は、有機ＥＬパネル１が駆動されている期間にカウンタ１０をイネーブル状態にしてカウント動作を実行させ、有機ＥＬパネル１の駆動が停止されるとカウンタ１０のカウント値を読み出して、メモリ６を利用して積算データを得るようにした。

従って、コントローラ５は、その積算データに基づいて有機ＥＬ素子の経時劣化状態をより正確に監視することができる。そして、動作温度に応じて劣化進行速度が変化する傾向を示す有機ＥＬ素子について本発明を有効に適用することができる。また、積算時間データをＥＥＰＲＯＭなどで構成されるメモリ６に格納して保持するので、動作用電源が通断電されることで有機ＥＬ素子の動作が断続的となる場合でも、積算時間データを失うことなく保持することができる。

更に、サーミスタ８により検出された動作温度に応じて、当該サーミスタ８及び抵抗９の直列回路がＶＣＯ７の指令電圧を変化させると、ＶＣＯ７はその指令電圧に応じて発振周波数を変化させ、カウンタ１０はＶＣＯ７より出力される発振信号に基づいてカウント動作を行うようにした。従って、ＶＣＯ７を用いることで劣化状態監視に必要な構成を容易に実現することができる。加えて、コントローラ５は、積算された動作時間に基づいて有機ＥＬ素子の輝度を制御するので、その時点の劣化状態に応じた輝度の補正を適切に行なうことができる。

（第２実施例）
図５乃至図１０は本発明の第２実施例を示すものであり、第１実施例と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分についてのみ説明する。第２実施例では、有機ＥＬパネル１に代えて、Ｒ，Ｇ，Ｂ三原色を夫々発光する３つの有機ＥＬ素子が１単位の画素を構成しており、カラー表示が可能に構成される有機ＥＬパネル（表示パネル）２１を用いている。そして、ドライバも、有機ＥＬパネル２１に対応したロウドライバ２２及びカラムドライバ２３が用いられている。

また、輝度制御装置（素子劣化状態監視装置）２４は、第１実施例の構成より、ＶＣＯ７，カウンタ１０，電圧低下検出回路１１が削除され、コントローラ５に代わってコントローラ（積算手段，輝度制御手段）２５が用意されている。コントローラ２５は、サーミスタ８及び抵抗９の分圧電位Ｖｔを直接Ａ／Ｄ変換して読み込むようになっている。
また、コントローラ２５は、外部のタイマ２６によって一定周期ｔで発生されるタイマ割込みを受けて、図６に示す処理を実行する。更に、メモリ６に代わるメモリ（不揮発性記憶手段）２７には、後述するように各種の補正用データテーブルが予め記憶されている。尚、以上の構成において、サーミスタ８及び抵抗９，タイマ２６及びメモリ２７は、時間計測手段２８を構成している。

次に、第２実施例の作用について図６乃至図１０も参照して説明する。図６に示すフローチャートにおいて、コントローラ２５は、動作用電源が投入されて起動され、第１実施例と同様にステップＳ１で「ＹＥＳ」と判断すると、続いて、タイマ２６によるタイマ割込みが発生するまで待機する（ステップＳ２１）。そして、周期ｔ毎のタイマ割込みが発生すると（「ＹＥＳ」）、分圧電位Ｖｔを参照して有機ＥＬパネル２１の動作環境温度Ｔを検出する（ステップＳ２２）。それから、検出した温度Ｔに基づいて、駆動電流値Ｉを、Ｒ，Ｇ，Ｂ三原色夫々の有機ＥＬ素子毎に決定する（ステップＳ２３）。

即ち、図７に示すように、有機ＥＬ素子は、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色を発光するものにより、動作環境温度に応じて、同一の駆動電流に対する発光輝度が夫々異なっている。そこで、メモリ２７には図８に示す補正用データテーブルを予め記憶させておき、温度Ｔに応じて各色毎の駆動電流値Ｉを設定する。尚、図８に示すテーブルは、図７の温度特性を補償するように傾きの正負を逆にしたものとなっている。また、図６のフローチャートにおいて、有機ＥＬ素子のＲ，Ｇ，Ｂの各色毎に処理を行なうものについては、処理ステップ内に（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を付して表示している。

次に、コントローラ２５は、ステップＳ２２で検出した温度Ｔに基づいて、時間の進み具合係数ｋを決定する（ステップＳ２４）。進み具合係数ｋは、図９に示すように、温度Ｔが２５℃の場合を基準「１」として、温度の高低に応じた有機ＥＬ素子の特性劣化の進み度合いの大小を反映させた係数である（これについては、発光色にかかわらず共通となっている）。温度が２５℃より高くなると係数ｋは大きくなり、逆に温度が２５℃より低くなると係数ｋは小さくなる。この図９の補正データテーブルをやはりメモリ２７に予め記憶させておき、温度Ｔに応じて係数ｋを取得する。

それから、コントローラ２５は、ステップＳ３と同様にメモリ２７に記憶させている積算データＳを読み出すと（ステップＳ２５）、その積算データを更新する（ステップＳ２６）。即ち、メモリ２７より読み出した積算データをＳ，更新の積算データをＳ’とすると、
Ｓ’＝Ｓ＋ｋ（Ｔ）×ｔ
となる。つまり、進み具合係数ｋ（Ｔ）をタイマ割込み周期ｔに乗じることで、積算データが動作環境温度に応じた値となるように補正を行っている。そして、更新後の積算データＳ’をメモリ２７に書き込んで記憶させる（ステップＳ２７）。

続いて、コントローラ２５は、更新された積算データＳ’に基づいて劣化補正係数Ｄｃを取得する（ステップＳ２８）。劣化補正係数Ｄｃは、図１０に示すように、積算データＳ’に応じて劣化していると想定される各色毎の有機ＥＬ素子の輝度低下割合を反映させた係数であり、積算時間データがゼロ、即ち、未使用の時点を基準「１」としている。この図１０の補正データテーブルもやはりメモリ２７に予め記憶させておき、積算データＳ’に応じて係数Ｄｃを取得する。即ち、有機ＥＬ素子は、発光色が異なると動作温度に応じた劣化進行の度合いも異なる特性を備えているからである。

最後に、コントローラ２５は、ステップＳ２３で設定した電流値Ｉを補正する（ステップＳ２９）。即ち、各色毎に、電流値Ｉに劣化補正係数Ｄｃを乗じることで、補正した電流値Ｉｃを得ると、カラムドライバ２３に駆動電流の制御指令を出力する。それから、ステップＳ１に戻る。従って、図６に示す処理は、タイマ割込み周期ｔごとに繰り返し実行されるようになっている。

以上のように第２実施例によれば、輝度制御装置２４は、有機ＥＬパネル２１がＲＧＢ三原色を夫々発光させる３つの有機ＥＬ素子を１つの画素単位とする場合に、積算された動作時間に基づいて、夫々発光色が異なる有機ＥＬ素子につき輝度制御を行うようにした。従って、各種有機ＥＬ素子について夫々の劣化特性に応じた制御を行うことができ、特性が経時的に夫々異なる度合で劣化する場合でも輝度むらが生じないように補正できるので、有機ＥＬパネル２１の表示品位を良好に維持することができる。

（第３実施例）
図１１及び図１２は本発明の第３実施例を示すものであり、第１又は第２実施例と異なる部分についてのみ説明する。輝度制御装置（素子劣化状態監視装置）３１の構成を示す図１１において、第２実施例と同様にＶＣＯ７は削除されており、コントローラ（積算手段，輝度制御手段，分周比設定手段）３２は、分圧電位Ｖｔを直接Ａ／Ｄ変換して読み込むようになっている。そして、カウンタ１０は、ＶＣＯ７の発振出力に代えて、分周回路３３を介して与えられる発振回路３４の発振信号に基づいてカウント動作を行なう。その分周回路３３は、コントローラ３２によって分周比が設定可能となるように構成されている。尚、以上の構成において、サーミスタ８及び抵抗９，カウンタ１０，分周回路３３及び発振回路３４は、時間計測手段３５を構成している。その他の構成は、第１実施例と同様である。

次に、第３実施例の作用について図１２も参照して説明する。コントローラ３２は、ステップＳ１において「ＹＥＳ」と判断すると、分圧電位Ｖｔを参照して有機ＥＬパネル１の動作環境温度を検出する（ステップＳ３１）。それから、検出した温度に応じて分周回路３３の分周比を内部のレジスタに書き込んで設定する（ステップＳ３２）。例えば、第２実施例のように、温度２５℃の場合の分周比を基準として、温度がより高くなると分周比が小さくなるように設定し、温度がより低くなると分周比がより大きくなるように設定する。その結果、カウンタ１０に与えられるカウンタクロックの周波数は、有機ＥＬパネル１の動作環境温度に応じて変化する。また、ステップＳ８において「ＮＯ」と判断した場合も、ステップＳ５に戻るまでの間にステップＳ３３，Ｓ３４にてステップＳ３１，Ｓ３２と同様の処理を行なう。その他の処理については、第１実施例と同様である。

以上のように第３実施例によれば、時間計測手段３５は、コントローラ３２が、検出された動作温度に応じて分周回路３３の分周比を設定することで、発振回路３４によって出力される発振信号の周波数を変化させる。従って、カウンタ１０により計時される積算時間は、第１実施例と同様に請求項３と同様に実際の使用環境における素子の動作温度変化に伴って変化するようになる。

本発明は上記し且つ図面に記載した実施例にのみ限定されるものではなく、次のような変形または拡張が可能である。
パネルスイッチ１２は、必要に応じて設ければ良い。即ち、動作用電源が投入されている場合、有機ＥＬパネル１は常時表示を行うような構成であっても良い。
また、パネルスイッチ１２が、電源投入用のスイッチと兼用であっても良い。その場合、パネルスイッチがＯＦＦされた時点から、コントローラ５がステップＳ６，Ｓ７の処理を実行するための時間が確保されるように電源電圧を維持する構成を採用すれば良い。

発光素子の輝度制御を行うものに限ることなく、素子の劣化状態を監視することで、例えば素子の交換を行うためのメンテナンス情報として利用しても良い。
表示パネルは、ドットマトリクス型に限ることなく、セグメント型であっても良い。
有機ＥＬ素子に限ることなく、その他の発光素子に適用しても良い。
また、発光素子に限ることなく、動作温度に応じて劣化進行速度が変化する素子であれば適用が可能である。

本発明を、有機ＥＬ素子を画素とする表示パネルの輝度制御装置に適用した場合の第１実施例であり、有機ＥＬパネル及びその輝度制御装置の構成を概略的に示す機能ブロック図 サーミスタが検出する温度に応じて分圧電位Ｖｔが変化する状態を示す図 同温度に応じてＶＣＯの発振出力周波数が変化する状態を示す図 コントローラによって実行される有機ＥＬパネルの輝度制御処理内容を示すフローチャート 本発明の第２実施例を示す図１相当図 図４相当図 動作環境温度により各発光色が異なる有機ＥＬ素子の輝度が変化する状態を示す図 予めメモリに記憶されている補正データテーブルを示す図（その１） 同データテーブルを示す図（その２） 同データテーブルを示す図（その３） 本発明の第３実施例を示す図１相当図 図４相当図 有機ＥＬ素子の動作環境温度が異なる場合に、動作時間に応じて輝度が低下する状態を示す図

符号の説明

図面中、１は有機ＥＬパネル（表示パネル）、４は輝度制御装置（素子劣化状態監視装置）、５はコントローラ（積算手段，輝度制御手段）、６はメモリ（不揮発性記憶手段）、７はＶＣＯ（電圧制御発振器）、８はサーミスタ（温度検出手段，電圧変化手段）、９は抵抗（電圧変化手段）、１０はカウンタ（計時手段）、１３は時間計測手段、２１は有機ＥＬパネル（表示パネル）、２４は輝度制御装置（素子劣化状態監視装置）、２５はコントローラ（積算手段，輝度制御手段）、２７はメモリ（不揮発性記憶手段）、２８は時間計測手段、３１は輝度制御装置（素子劣化状態監視装置）、３２はコントローラ（積算手段，輝度制御手段，分周比設定手段）、３３は分周回路、３４は発振回路、３５は時間計測手段を示す。

Claims (13)

1. 動作温度に応じて劣化進行速度が変化する素子について動作時間を計測する時間計測手段と、
   前記動作時間を積算する積算手段と、
   前記素子の動作温度を検出する温度検出手段とを備え、
   前記時間計測手段は、前記温度検出手段により検出された動作温度に応じて、前記動作時間の計測状態を変化させるように構成されていることを特徴とする素子劣化状態監視装置。
2. 前記積算手段によって積算された動作時間を格納して保持するための不揮発性記憶手段を備えたことを特徴とする請求項１記載の素子劣化状態監視装置。
3. 前記時間計測手段は、
   温度検出手段により検出された動作温度に応じて、指令電圧を変化させる電圧変化手段と、
   前記指令電圧に応じて発振周波数を変化させる電圧制御発振器と、
   この電圧制御発振器によって出力される発振信号に基づいて計時動作を行う計時手段とで構成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の素子劣化状態監視装置。
4. 前記時間計測手段は、
   発振回路と、
   この発振回路によって出力される発振信号を可変分周可能に構成される分周回路と、
   前記温度検出手段により検出された動作温度に応じて、前記分周回路の分周比を設定する分周比設定手段と、
   前記分周回路を介して出力される発振信号に基づいて計時動作を行う計時手段とで構成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の素子劣化状態監視装置。
5. 前記素子は、表示パネルの画素を構成する自発光素子であることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の素子劣化状態監視装置。
6. 請求項５記載の素子劣化状態監視装置を備えると共に、
   前記積算手段によって積算された動作時間に基づいて発光素子の輝度を制御する輝度制御手段を備えたことを特徴とする発光素子の輝度制御装置。
7. 前記表示パネルは、ＲＧＢ三原色を夫々発光させる３つの発光素子を備え、
   前記輝度制御手段は、前記積算された動作時間に基づき、各色対応の発光素子夫々について輝度制御を行うように構成されていることを特徴とする請求項６記載の発光素子の輝度制御装置。
8. 前記発光素子は、有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子であることを特徴とする請求項６又は７記載の発光素子の輝度制御装置。
9. 動作温度に応じて劣化進行速度が変化する素子について動作時間を計測し、その動作時間を積算することで前記素子の劣化状態を監視する方法において、
   前記動作時間の計測状態を、前記素子の動作温度に応じて変化させることを特徴とする素子劣化状態監視方法。
10. 前記素子は、表示パネルの画素を構成する自発光素子であることを特徴とする請求項９記載の素子劣化状態監視方法。
11. 前記積算された動作時間に基づいて、前記発光素子の輝度を制御することを特徴とする請求項１０記載の素子劣化状態監視方法。
12. 前記表示パネルが、ＲＧＢ三原色を夫々発光させる３つの発光素子を備える場合に、
    前記積算された動作時間に基づき、各色対応の発光素子夫々について輝度制御を行うことを特徴とする請求項１１記載の素子劣化状態監視方法。
13. 前記発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１０乃至１２の何れかに記載の素子劣化状態監視方法。
    
    

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