JP2005203804A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 活性層がｎ型層とｐ型層とで挟まれた構造を有する窒化物半導体からなる端面発光型のレーザ素子において、
   前記ｐ型層に、窒化物半導体のバンドギャップエネルギーを大きくする元素、窒化物半導体を高抵抗化するIII族元素、ｎ型不純物、ｐ型不純物から成る群から選ばれる少なくとも１つをイオン注入することによって電流狭窄層が形成されることを特徴とするレーザ素子。
2. 活性層がｎ型層とｐ型層とで挟まれた構造を有する窒化物半導体からなる端面発光型のレーザ素子において、
   前記ｐ型層に、Ａｌ、Ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｅ、Ｔｅから成る群から選ばれる少なくとも１つをイオン注入することによって電流狭窄層が形成されることを特徴とするレーザ素子。
3. 前記ｐ型層は、ｐ型クラッド層とｐ型コンタクト層とを有しており、前記電流狭窄層は、少なくともｐクラッド層１３とｐ型コンタクト層１４との境界面よりも下方に形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載のレーザ素子。
4. 前記イオン注入は、キャリアを集中させるストライプ領域を除いて行われることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のレーザ素子。
5. 前記電流狭窄層は、水平横方向の光閉じ込めを行っていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のレーザ素子。
6. 前記電流狭窄層の下部の前記ｐ型層の膜厚が発光波長以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のレーザ素子。
7. 活性層がｎ型層とｐ型層とで挟まれた構造を有する窒化物半導体からなる端面発光型のレーザ素子において、
   前記ｐ型層には、ｐ型クラッド層とｐ型コンタクト層を有しており、前記ｐ型クラッド層には電流狭窄層が形成されていることを特徴とするレーザ素子。
8. 前記電流狭窄層の上面から前記ｐ型コンタクト層の上面までの距離が０．０５μｍ以上である請求項７に記載のレーザ素子。
9. 前記電流狭窄層は、ｐクラッド層の上部からｐ型コンタクト層の下部にかけて形成されていることを特徴とする請求項７に記載のレーザ素子。
10. 前記電流狭窄層は、イオン注入により形成されていることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載のレーザ素子。