JP2005203384A5 - - Google Patents

Claims (18)

1. 半導体デバイスを載置する試料台と；
   微小試料を固定する第２試料台と；
   前記試料台、及び前記第２試料台が配置された試料室と；
   前記試料台に載置された前記半導体デバイス、及び前記第２試料台に固定された前記微小試料にイオンビームを照射できる集束イオンビーム光学系と；
   前記第２試料台に固定された前記微小試料に電子ビームを照射できる電子ビーム光学系と；
   前記微小試料を支持できるプローブと；
   を備え、
   前記集束イオンビーム光学系から前記イオンビームを前記半導体デバイスに照射して前記半導体デバイスから前記微小試料を摘出し、前記微小試料を前記プローブに支持された状態とし、
   前記プローブに支持された前記微小試料を前記第２試料台に固定し、
   前記第２試料台に固定された前記微小試料に前記イオンビームを照射し、観察断面を形成し、
   前記第２試料台の角度を変更し、
   前記第２試料台に固定された前記微小試料に前記電子ビームを照射し、前記観察断面を測定し、
   真空雰囲気の試料室内に前記半導体デバイスを置いたまま前記半導体デバイスの内部断面を測定するように構成された微小試料加工観察装置。
2. 試料台と；
   第２試料台と；
   前記試料台、及び前記第２試料台が配置された試料室と；
   イオンビームを照射できる集束イオンビーム光学系と；
   電子ビームを照射できる電子ビーム光学系と；
   プローブと；
   を備え、
   前記試料台に載置された半導体デバイスに前記集束イオンビーム光学系から前記イオンビームを照射し、前記半導体デバイスから前記微小試料を摘出し、前記微小試料を前記プローブに支持された状態とし、
   前記プローブに支持された前記微小試料を前記第２試料台に固定し、
   前記第２試料台に固定された前記微小試料に前記イオンビームを照射し、観察断面を形成し、
   前記第２試料台の角度を変更し、
   前記第２試料台に固定された前記微小試料に前記電子ビームを照射し、前記観察断面を測定し、
   真空雰囲気の試料室内に前記半導体デバイスを置いたまま前記半導体デバイスの内部断面を測定するように構成された微小試料加工観察装置。
3. 請求項１及び２記載の微小試料加工観察装置において、
   前記半導体デバイスが半導体チップであることを特徴とする微小試料加工観察装置。
4. 請求項１及び２記載の微小試料加工観察装置において、
   前記半導体デバイスが半導体ウェーハであることを特徴とする微小試料加工観察装置。
5. 請求項１−４記載の微小試料加工観察装置において、
   前記第２試料台が複数の前記微小試料を固定できることを特徴とする微小試料加工観察
   装置。
6. 請求項１−５記載の微小試料加工観察装置において、
   前記第２試料台が回転可能な柱状であることを特徴とする微小試料加工観察装置。
7. 請求項１−６記載の微小試料加工観察装置において、
   前記微小試料の形状が５面体であることを特徴とする微小試料加工観察装置。
8. 請求項１−６記載の微小試料加工観察装置において、
   前記微小試料の形状が４面体であることを特徴とする微小試料加工観察装置。
9. 請求項１−８記載の微小試料加工観察装置において、
   イオンビームの前記微小試料への照射角度を変更した後に、前記第２試料台に固定されている前記微小試料にイオンビームを照射することを特徴とする微小試料加工観察装置。
10. 半導体デバイスを載置する試料台と；
    微小試料を固定する第２試料台と；
    前記試料台、及び前記第２試料台が配置された試料室と；
    前記試料台に載置された前記半導体デバイス、及び前記第２試料台に固定された前記微小試料にイオンビームを照射できる集束イオンビーム光学系と；
    前記第２試料台に固定された前記微小試料に電子ビームを照射できる電子ビーム光学系と；
    前記微小試料を支持できるプローブと；
    を備えた装置における微小試料加工観察方法であって、
    前記集束イオンビーム光学系から前記イオンビームを前記半導体デバイスに照射して前記半導体デバイスから前記微小試料を摘出し、前記微小試料を前記プローブに支持された状態とし、
    前記プローブに支持された前記微小試料を前記第２試料台に固定し、
    前記第２試料台に固定された前記微小試料に前記イオンビームを照射し、観察断面を形成し、
    前記第２試料台の角度を変更し、
    前記第２試料台に固定された前記微小試料に前記電子ビームを照射し、前記観察断面を測定し、
    真空雰囲気の試料室内に前記半導体デバイスを置いたまま前記半導体デバイスの内部断面を測定する方法。
11. 試料台と；
    第２試料台と；
    前記試料台、及び前記第２試料台が配置された試料室と；
    イオンビームを照射できる集束イオンビーム光学系と；
    電子ビームを照射できる電子ビーム光学系と；
    プローブと；
    を備えた装置における微小試料加工観察方法であって、
    前記試料台に載置された半導体デバイスに前記集束イオンビーム光学系から前記イオンビームを照射し、前記半導体デバイスから前記微小試料を摘出し、前記微小試料を前記プローブに支持された状態とし、
    前記プローブに支持された前記微小試料を前記第２試料台に固定し、
    前記第２試料台に固定された前記微小試料に前記イオンビームを照射し、観察断面を形成し、
    前記第２試料台の角度を変更し、
    前記第２試料台に固定された前記微小試料に前記電子ビームを照射し、前記観察断面を測定し、
    真空雰囲気の試料室内に前記半導体デバイスを置いたまま前記半導体デバイスの内部断面を測定する方法。
12. 請求項１０及び１１記載の微小試料加工観察方法において、
    前記半導体デバイスが半導体チップであることを特徴とする微小試料加工観察方法。
13. 請求項１０及び１１記載の微小試料加工観察方法において、
    前記半導体デバイスが半導体ウェーハであることを特徴とする微小試料加工観察方法。
14. 請求項１０−１３記載の微小試料加工観察方法において、
    前記第２試料台が複数の前記微小試料を固定できることを特徴とする微小試料加工観察方法。
15. 請求項１０−１４記載の微小試料加工観察方法において、
    前記第２試料台が回転可能な柱状であることを特徴とする微小試料加工観察方法。
16. 請求項１０−１５記載の微小試料加工観察方法において、
    前記微小試料の形状が５面体であることを特徴とする微小試料加工観察方法。
17. 請求項１０−１５記載の微小試料加工観察方法において、
    前記微小試料の形状が４面体であることを特徴とする微小試料加工観察方法。
18. 請求項１０−１７記載の微小試料加工観察方法において、
    イオンビームの前記微小試料への照射角度を変更した後に、前記第２試料台に固定されている前記微小試料にイオンビームを照射することを特徴とする微小試料加工観察方法。