JP2005197761A - Bay of semiconductor wafer production line, the semiconductor wafer production line, bay of liquid crystal production line and the liquid crystal production line - Google Patents

Bay of semiconductor wafer production line, the semiconductor wafer production line, bay of liquid crystal production line and the liquid crystal production line Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a bay that can prevent rate control of wafer transport and wafer take up scrambling caused by wafer treatment differences between processors in the bay, and that can prevent lowering of throughput. <P>SOLUTION: The bay 100 of the semiconductor production line is equipped with a single wafer transport line 120 which has a loop-like planar shape that transports semiconductor wafers W on a single piece basis, and is composed of: a transport line 121 having a nearly horizontal plane for semiconductor wafer transport that transports wafers on a single wafer basis; and another transport line 122 having a semiconductor wafer plane that counters the semiconductor wafer transport plane of the transport line 121 in the vertical direction. Inside the single-wafer transport line 120, there are provided a control system that controls the proper use of the transport line 121 or 122, based on semiconductor wafer treatment information, and transport devices 11 to 16 used for wafer delivery on a single wafer basis between the transport lines 121 and 122 and multiple processors 101 to 106, arranged side by side to perform predetermined treatment of semiconductor wafers. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体基板、液晶基板または部品基板などの基板(以下、ウエハという。)を処理する装置間において、ウエハを一枚毎搬送(枚葉搬送)するのに好適な枚葉搬送方法及びその装置に関するものである。   The present invention relates to a single wafer transfer method suitable for transferring wafers one by one (single wafer transfer) between apparatuses for processing a substrate (hereinafter referred to as a wafer) such as a semiconductor substrate, a liquid crystal substrate or a component substrate. It relates to the device.

ウエハを処理する装置間でウエハを枚葉搬送する従来技術として、下記の技術が挙げられる(例えば、非特許文献1参照)。
この従来技術は、特につぎのようなことを開示している。
1.枚葉式処理装置やクラスタツールを効率的に利用できる自動化ライン。
2.ベイ内搬送を枚葉化して多品種変量生産を可能にする生産ラインの構想。
3.枚葉搬送で品種や生産量を可変にできる。
4.枚葉処理装置との組合わせでウエハの仕掛り枚数を削減できる。
5.ベイ間はロット搬送を使用する。
6.量産開始時点では1台のクラスタツールに異なるプロセス処理チャンバをつなぐ。
装置台数が少なければ生産能力も低く抑えられる。単独のクラスタツールでも同一の処理チャンバを複数接続したり、複数のプロセスの処理ができるモジュールを付加して処理能力をアナログ的に増やしていく。
The following technique is cited as a conventional technique for transferring a wafer between wafer processing apparatuses (see, for example, Non-Patent Document 1).
This prior art particularly discloses the following.
1. An automated line that allows efficient use of single-wafer processing equipment and cluster tools.
2. The concept of a production line that enables multi-variety variable-volume production by transporting sheets in the bay.
3. Variety and production volume can be changed by single wafer transfer.
4). In combination with the single wafer processing apparatus, the number of in-process wafers can be reduced.
5). Lot transport is used between bays.
6). At the start of mass production, different process processing chambers are connected to one cluster tool.
If the number of devices is small, the production capacity can be kept low. Even with a single cluster tool, the same processing chamber can be connected multiple times, or modules capable of processing multiple processes can be added to increase the processing capacity in an analog fashion.

さらに、次のことが図示されている。
平面形状が変形U字形のウエハ搬送システムの両サイドにマルチプロセス装置が複数台配置され、ベイが構成されている。つまり、ベイ内のU字形のウエハ搬送システムの二列の平行搬送ラインにそれぞれ沿ってマルチプロセス装置が複数台配置されている。ウエハ搬送システムには数ヶ所、ロボットを持ったシャトルが設けられている。この搬送ラインとそれぞれの処理装置の間にはI/Oが設けられている。また、このようなベイ間でのウエハの搬送にはロット搬送システムが採用されている。
Further, the following is illustrated.
A plurality of multi-process devices are arranged on both sides of the wafer transfer system whose plane shape is a deformed U-shape, thereby forming a bay. That is, a plurality of multi-process devices are arranged along each of two parallel transfer lines of the U-shaped wafer transfer system in the bay. The wafer transfer system has several shuttles with robots. An I / O is provided between the transfer line and each processing apparatus. In addition, a lot transfer system is adopted for transferring wafers between such bays.

図1に第2の従来技術を示す。図2は、ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors)が示したウエハ枚葉生産システムのモジュールオートメーション例である(例えば、非特許文献2参照)。工程間は、FOUPを採用した25枚単位搬送で、工程内をウエハ枚葉単位でダイレクト搬送している。図の黒い丸がウエハを表しており、プロセス装置内やプロセス装置間をウエハ単位で処理や搬送が行われる。このシステムによれば、ウエハ枚葉単位での処理やダイレクト搬送により、従来のFOUP搬送による25枚までのウエハの待ち時間がゼロとなり、FOUPオープナーやEFEMといった付属装置が不要となる。
尚、このような事例は、他にも同様に開示されている例えば、(非特許文献3参照)。
FIG. 1 shows a second prior art. FIG. 2 is an example of module automation of a wafer single wafer production system shown by ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors) (see, for example, Non-Patent Document 2). Between processes, the FOUP is used for 25-sheet unit conveyance, and the inside of the process is directly conveyed for each wafer. Black circles in the figure represent wafers, and processing and transfer are performed in wafer units between process apparatuses and between process apparatuses. According to this system, the wafer waiting time of up to 25 sheets by the conventional FOUP transfer becomes zero by processing in wafer wafer units and direct transfer, and an attached device such as a FOUP opener or EFEM is not required.
Such cases are also disclosed in the same manner, for example (see Non-Patent Document 3).

図2に第3の従来技術例を示す。図2で、被処理基板に対してレジスト塗布および露光後の現像を行うとともに、現像後の被処理基板をエッチングするための一連の処理を行う複数の処理ユニットを搬送路の両側に配置した処理部と、搬送路に沿って移動し、各処理ユニットとの間で基板の受渡しを行う主搬送装置と、主搬送装置に対して被処理基板を受渡しする搬送機構を有する搬入出部とを備え、これが処理部の各処理ユニットおよび搬送路ならびに搬入出部が一体的に設けられている。   FIG. 2 shows a third prior art example. In FIG. 2, a process in which a plurality of processing units for performing a series of processes for etching the processed substrate after development is disposed on both sides of the conveyance path while performing resist coating and development after exposure on the processed substrate. And a main transfer device that moves along the transfer path and delivers substrates to and from each processing unit, and a carry-in / out unit that has a transfer mechanism that transfers the substrate to be processed to the main transfer device This is integrally provided with each processing unit of the processing unit, the transport path, and the carry-in / out unit.

図3に第4の従来技術例を示す。図3で、例えば液晶ディスプレイ(Liquid Crystal Display : LCD)に使われるTFTアレイが形成されるガラス基板を搬送する搬送装置が走行する搬送路に沿って、ガラス基板の一のレイヤを形成するためのエッチング装置、第1の検査装置、レジスト剥離装置、基板待機用のバッファ、洗浄装置、成膜装置、第2の検査装置を配置し、搬送路の一端に基板搬入部を配置し、搬送路の他端に基板搬出部には、カセットを多段に収容し、かつ搬送装置が各カセットに対してアクセス可能となるように棚が昇降する昇降機構を設けた。
野崎勝弘「特集 LSIラインの生産技術革命」、NIKKEI MICRODEVICES 1993年8月号、25-32頁 半導体産業新聞2001年12月5日 林 武秀、「システムLSI製造は”俊敏さ“が命 枚葉生産・搬送でTATを大幅短縮」、Electronic Journal 2002年2月号、PP95〜99
FIG. 3 shows a fourth prior art example. In FIG. 3, for example, a layer for forming a glass substrate is formed along a conveyance path along which a conveyance device that conveys a glass substrate on which a TFT array used in a liquid crystal display (LCD) is formed travels. An etching apparatus, a first inspection apparatus, a resist stripping apparatus, a substrate standby buffer, a cleaning apparatus, a film forming apparatus, and a second inspection apparatus are arranged, a substrate carry-in portion is arranged at one end of the conveyance path, At the other end, the substrate carry-out section is provided with an elevating mechanism for raising and lowering the shelf so that the cassettes are accommodated in multiple stages and the transfer device can access each cassette.
Katsuhiro Nozaki "Special Issue on Production Technology Revolution of LSI Lines", NIKKEI MICRODEVICES August 1993, 25-32 Semiconductor Industry News December 5, 2001 Takehide Hayashi, “System LSI manufacturing is“ agility ”is vital. TAT is greatly shortened by single wafer production and transport”, Electronic Journal February 2002, PP95-99

上記の従来技術では、ベイの構成はそれぞれ異なるものの、ウエハ、ウエハ、被処理基板、ガラス基板をそれぞれのベイ内で搬送するためのウエハ搬送システム、ウエハ枚葉ダイレクト搬送システム、搬送路が、いずれの場合でも共通して単一体であるため、依然として次のような解決しなければならない課題を有している。
1.ベイ内でのウエハの搬送及びウエハの搬送手段と各処理装置とのウエハの取合いが、各処理装置でのウエハの処理時間(並びに処理装置内でのウエハ搬送時間)の中で最も長い時間に律速される。このため、ベイ内でのウエハの搬送及び各処理装置とのウエハの取合いに待ち時間が生じ、ベイ内でのスループットが低下する。このようなことは、上記従来技術例の、特に図1から図3に示した第2から第4の従来技術例のように、各処理装置ごとでウエハの処理が異なる場合においては顕著に生じる。
2.例えば、2個のFOUP内のウエハの処理内容が、FOUPごとに異なっている場合、例えば、一方のFOUP内のウエハがプラズマエッチング処理、他方のFOUP内のウエハがプラズマCVD処理のように異なっている場合、それらの処理に処理時間の長短が存在する。このため、ベイ内でのウエハの搬送、及びウエハの搬送手段と各処理装置とのウエハの取合いが処理時間の長い、この場合、プラズマCVD処理に律速される。このため、ベイ内でのウエハ、特にプラズマエッチング処理されるウエハの搬送及び各エッチング装置とのウエハの取合いに待ち時間が生じ、ベイ内でのスループットが低下する。
3.ベイ内での各処理装置でのウエハの処理が同一(例えば、処理内容、条件等)であったとしても、ベイ内搬送手段でのウエハの搬送時間と、各処理装置での処理時間+処理装置内でのウエハの搬送時間とが異なるため、ベイ内搬送手段と各処理装置とのウエハの取合い、及びベイ内でのウエハの搬送に混乱が生じる危険性があり、これによってベイ内でのスループットの低下が懸念される。
4.処理時間が長いウエハと処理時間が短いウエハとがベイ内搬送ラインに混在する場合、処理時間が短いウエハはその処理が終了しても、搬送ラインでその前にある処理時間が長いウエハの処理が終っていないために、処理装置から搬送ラインへ、そして、搬送ラインでの次の処理装置への搬送が出来ない。つまり、待ち時間が生じることになる。このような従来技術では、処理時間の短いウエハと処理時間の長いウエハとの搬送ラインの使い分けをするといった認識がない。従って、このような従来技術では、搬送時間は処理時間の長い方に律速されることになる。そのため処理時間も遅くなり、全体のスピードが低下する、ひいてはベイ全体のスループットが低下する。
5.多品種少量生産の場合、一つのウエハ搬送ラインで特急を要するウエハがきた場合、その前に通常の処理のウエハを有するロボットを持ったシャトルがあると、これが邪魔になり指定された装置に直ちに移動できない。このため特急を要するウエハにとって待ち時間が生じる。このため結果として、このウエハの処理に時間がかかり多品種少量生産に対応できずスループットが低下する。
6.ウエハ搬送ラインのロボットを持っているシャトルが、例えば、一つ故障するとベイ内の搬送ラインがストップし、ウエハをマルチプロセス装置に運ぶことが出来なくなる。そのためウエハをマルチプロセス装置で処理することが出来ず、ベイ内の各ウエハの処理がストップする。また、このベイ内の搬送ライン、各マルチプロセス装置のストップにより、このベイから他のベイへのウエハの搬送が出来なくなり、この他のベイでのウエハ処理もストップする。ひいては関連するベイでのウエハ処理が全てストップする。
本発明は、上記の問題点を解決し、次のような目的を達成しようとするものである。
In the above prior art, although the configuration of the bay is different, the wafer transfer system, the wafer single wafer direct transfer system, and the transfer path for transferring the wafer, the wafer, the substrate to be processed, and the glass substrate in each bay Even in the case of a single body, there is still a problem to be solved as follows.
1. Wafer transfer in the bay and wafer handling between the wafer transfer means and each processing apparatus is the longest of the wafer processing times in each processing apparatus (and the wafer transfer time in the processing apparatus). It is rate-limited. For this reason, a waiting time is generated in the wafer transfer in the bay and the wafer engagement with each processing apparatus, and the throughput in the bay is reduced. Such a problem occurs remarkably when the wafer processing is different for each processing apparatus as in the above-described prior art examples, particularly the second to fourth prior art examples shown in FIGS. .
2. For example, when the processing contents of the wafers in two FOUPs are different for each FOUP, for example, the wafer in one FOUP is different from the plasma etching process, and the wafer in the other FOUP is different from the plasma CVD process. In such a case, the processing time is long or short. For this reason, the transfer of the wafer in the bay and the wafer handling between the wafer transfer means and each processing apparatus take a long processing time. In this case, the rate is controlled by the plasma CVD process. For this reason, there is a waiting time in the transfer of wafers in the bay, in particular, wafers to be plasma-etched and the wafers in contact with the respective etching apparatuses, and the throughput in the bay is reduced.
3. Even if the wafer processing in each processing apparatus in the bay is the same (for example, processing contents, conditions, etc.), the wafer transport time in the bay transport means and the processing time + processing in each processing apparatus Since the wafer transfer time in the apparatus is different, there is a risk of confusion in wafer handling between the in-bay transfer means and each processing apparatus, and wafer transfer in the bay. There is concern about a decrease in throughput.
4). When a wafer with a long processing time and a wafer with a short processing time are mixed in the transfer line in the bay, even if the processing of a wafer with a short processing time is completed, the processing of the wafer with a long processing time preceding it in the transfer line Since the process is not completed, the transfer from the processing apparatus to the transfer line and to the next processing apparatus in the transfer line cannot be performed. That is, a waiting time occurs. In such a conventional technique, there is no recognition that a transfer line for a wafer having a short processing time and a wafer having a long processing time are selectively used. Therefore, in such a conventional technique, the conveyance time is limited to the longer processing time. As a result, the processing time is also slowed, the overall speed is lowered, and the throughput of the entire bay is lowered.
5). In the case of high-mix low-volume production, if a wafer requiring urgent delivery is received on one wafer transfer line, if there is a shuttle with a robot having a wafer for normal processing in front of it, this will get in the way and the designated device will be immediately I can't move. For this reason, a waiting time occurs for a wafer that requires an express train. For this reason, as a result, the processing of this wafer takes time, and it is not possible to cope with the high-mix low-volume production, thereby reducing the throughput.
6). For example, if one of the shuttles having a wafer transfer line robot fails, the transfer line in the bay stops and the wafer cannot be transferred to the multi-process apparatus. Therefore, the wafer cannot be processed by the multi-process apparatus, and processing of each wafer in the bay is stopped. In addition, the transfer of wafers from this bay to another bay cannot be performed by stopping the transfer line and each multi-process apparatus in this bay, and wafer processing in this other bay is also stopped. As a result, all wafer processing in the associated bay stops.
The present invention is intended to solve the above problems and achieve the following object.

本発明の第一の目的は、ベイ内での各処理装置ごとにウエハの処理が異なる場合でも、ベイ内でのウエハの搬送、及びウエハ搬送手段と各処理装置とのウエハの取合いが、これに律速されるのを防止でき、これによってスループットの低下を防ぐことができる枚葉搬送方法及びその装置を提供することにある。
また、本発明の第二の目的は、ウエハの処理内容が、ウエハを保持する手段ごとに異なっている場合でも、ベイ内でのウエハの搬送、及びウエハ搬送手段と各処理装置とのウエハの取合いが、これに律速されるのを防止でき、これによってスループットの低下を防ぐことができる枚葉搬送手段及びその装置を提供することにある。
また、本発明の第三の目的は、ベイ内でのウエハの処理が同一の場合に生じる危険性があるベイ内搬送手段と各処理装置とのウエハの取合い、及びベイ内でのウエハの搬送の混乱を防止でき、これによってベイ内でのスループットの低下を防ぐことができる枚葉搬送方法及びその装置を提供することにある。
The first object of the present invention is to carry out wafer transfer in the bay and wafer handling between the wafer transfer means and each processing apparatus even when wafer processing is different for each processing apparatus in the bay. It is an object of the present invention to provide a single-wafer transport method and apparatus capable of preventing the rate-determining rate and thereby preventing a decrease in throughput.
The second object of the present invention is to transfer a wafer in the bay and to transfer the wafer between the wafer transfer means and each processing apparatus even when the wafer processing contents differ for each means for holding the wafer. An object of the present invention is to provide a single-wafer carrying means and an apparatus for the same that can prevent the rate of the rate of contact from being limited thereby, thereby preventing a decrease in throughput.
In addition, a third object of the present invention is to carry out wafer handling between the processing means in the bay and each processing apparatus, which may occur when the wafer processing in the bay is the same, and to transfer the wafer in the bay. It is an object of the present invention to provide a single-wafer transport method and apparatus capable of preventing the confusion of the apparatus and thereby preventing a decrease in throughput in the bay.

本発明の第四の目的は、処理時間の違うウエハが混在した場合でも、処理時間の短いウエハと処理時間の長いウエハとの使い分けができ、スループットの低下を防ぐ枚葉搬送方法及びその装置を提供することにある。
また、本発明の第五の目的は、多品種少量生産の場合、特急を要するウエハがきた場合でも、そのウエハの処理に時間がかかるのを防止でき、スループットの低下を防ぐ枚葉搬送方法及びその装置を提供することにある。
本発明の第六の目的は、ウエハ搬送ラインが故障してもベイ内処理や他のベイでの処理がストップするのを防止できる枚葉搬送方法及びその装置を提供することにある。
A fourth object of the present invention is to provide a single wafer transfer method and apparatus capable of selectively using a wafer having a short processing time and a wafer having a long processing time even when wafers having different processing times are mixed, and preventing a decrease in throughput. It is to provide.
A fifth object of the present invention is to provide a single wafer transfer method that can prevent time-consuming processing of a wafer even when a wafer requiring urgent delivery is produced in the case of high-mix low-volume production, and prevents a reduction in throughput. The object is to provide such a device.
A sixth object of the present invention is to provide a single wafer transfer method and apparatus capable of preventing in-bay processing and processing in other bays from being stopped even if a wafer transfer line fails.

第一〜第三の目的は、ベイ内に少なくとももう一つ別の搬送ラインを並搬送可能に設けることによって達成することができる。つまり、ベイ内の各処理装置ごとにウエハの処理が異なる場合でも、並搬送可能な複数のベイ内搬送ラインを使い分けることで、ベイ内でのウエハの搬送及びウエハ搬送手段と各処理装置とのウエハの取合いが各処理装置ごとにウエハの処理が異なることで律速されるのを抑制できる。
また、ウエハの処理内容が、ウエハを保持する手段ごとに異なっている場合でも、これらに対応してベイ内搬送ラインの並搬送可能な搬送ラインを使い分けることで、それぞれのウエハ保持手段に収納されているウエハの処理内容に対応して、ベイ内でのウエハの搬送及びウエハ搬送手段と各処理装置とのウエハの取合いをスムーズに実施することができる。
さらに、ベイ内搬送ラインの並搬送可能な搬送ラインを使い分けることで、ベイ内でのウエハの処理が同一の場合に生じる危険性があるベイ内搬送手段と各処理装置とのウエハの取合い、及びベイ内でのウエハの搬送の混乱を防止することができる。
The first to third objects can be achieved by providing at least one other transport line in the bay so that it can be transported in parallel. In other words, even when wafer processing is different for each processing apparatus in the bay, by using a plurality of transfer lines in the bay that can be transferred in parallel, the wafer transfer in the bay and the wafer transfer means and each processing apparatus It is possible to prevent the wafer from being rate-limited by the wafer processing being different for each processing apparatus.
In addition, even when the wafer processing contents are different for each means for holding the wafer, it is accommodated in each wafer holding means by properly using the transfer lines that can be transferred in parallel in the transfer lines in the bay corresponding to these. Corresponding to the processing content of the wafer being processed, the wafer can be transferred in the bay and the wafer transfer between the wafer transfer means and each processing apparatus can be carried out smoothly.
Furthermore, by properly using the transfer lines that can be transferred in parallel in the bay transfer line, there is a risk that the wafers in the bay and each processing apparatus may be in contact with each other when there is a risk of wafer processing in the bay, and It is possible to prevent the wafer conveyance from being confused in the bay.

第四の目的は、ベイ内搬送ラインの並搬送可能な搬送ラインとして、ウエハ普通搬送ラインに他のウエハ特急搬送ラインを設けることによって達成することが出来る。ここで、ウエハ普通搬送ラインとは、処理装置での処理時間の長いウエハを枚葉搬送する搬送ラインのことを示す。ウエハ特急搬送ラインとは、処理装置での処理時間の短いウエハを枚葉搬送する搬送ラインを示す。つまり、処理時間の短いウエハと処理時間の長いウエハが混在した場合、処理時間の短いウエハはウエハ特急搬送ラインとし、処理時間の長いウエハはウエハ普通搬送ラインを使用するという使い分けによって達成することが出来る。
尚、処理速度の長短とは、定量的なものでなく、例えば、あるウエハの処理速度と他のウエハの処理速度の比較、また、あるウエハ収容手段に収容されているウエハの処理速度と他のウエハ収容手段に収容されている他のウエハの処理速度との比較によって決められるものである。このような処理速度の差異が制御装置により比較演算され、この結果に基づいてウエハ普通搬送ラインを使用するか、ウエハ特急搬送ラインを使用するかが選択される。
The fourth object can be achieved by providing another wafer express transfer line on the normal wafer transfer line as a transfer line that can be transferred in parallel with the transfer line in the bay. Here, the normal wafer transfer line indicates a transfer line for transferring a wafer having a long processing time in a processing apparatus. The wafer express transfer line refers to a transfer line for transferring a wafer having a short processing time in a processing apparatus. In other words, when a wafer with a short processing time and a wafer with a long processing time coexist, a wafer with a short processing time is used as an express wafer transfer line, and a wafer with a long processing time is used by using a normal wafer transfer line. I can do it.
The length of the processing speed is not quantitative. For example, the processing speed of a certain wafer is compared with the processing speed of another wafer, and the processing speed of a wafer accommodated in a certain wafer accommodating means is different from other processing speeds. This is determined by comparison with the processing speed of other wafers accommodated in the wafer accommodating means. Such a difference in processing speed is compared and calculated by the control device, and based on this result, it is selected whether to use the normal wafer transfer line or the wafer express transfer line.

第五の目的は、ベイ内にスキップ対応の別の枚葉搬送ラインを設けることで達成することが出来る。つまり、多品種少量生産の場合、特急を要するウエハがきた場合に、指定された装置にスキップラインを使うことによって移動することが出来る。
第六の目的に対して、ベイ内に別の枚葉搬送のラインを設けることによって達成することが出来る。つまり、ベイ内の枚葉搬送ラインが何らかの原因で故障した場合、その故障が直ちに検知され別の枚葉搬送ラインが作動を開始する。これによりベイ内のウエハはその搬送を停止されることがない。従って各処理装置での処理を停止することなく継続して処理、搬送され、ベイ内での全ての作業がスムーズに実施される。さらに、このようにベイ内のウエハの搬送・処理がストップされることがないので、他の関係するベイでもウエハの搬送・処理を全てストップさせずに実施することが出来る。
The fifth object can be achieved by providing another skip sheet handling line in the bay. That is, in the case of high-mix low-volume production, when a wafer requiring urgent delivery comes, it can be moved by using a skip line in a designated apparatus.
The sixth object can be achieved by providing a separate sheet feeding line in the bay. That is, when a single wafer conveyance line in the bay fails for some reason, the failure is immediately detected, and another single wafer conveyance line starts operating. As a result, the transfer of the wafers in the bay is not stopped. Therefore, the processing in each processing apparatus is continuously processed and transported without stopping, and all operations in the bay are smoothly performed. Further, since the transfer / processing of the wafer in the bay is not stopped as described above, the transfer / processing of the wafer can be performed without stopping in the other related bays.

以上、説明したように本発明によれば、ベイ内に並搬送可能に少なくとももう一つの別の搬送ラインを設けることで、ベイ内でのウエハ搬送に係り生じる問題を解決することができ、ベイ内でのスループットの低下、ひいてはベイ全体のスループットの低下を防止することができる。   As described above, according to the present invention, by providing at least one other transfer line in the bay so that it can be transferred in parallel, the problem relating to wafer transfer in the bay can be solved. Can be prevented from decreasing, and hence the throughput of the entire bay.

以下、本発明にかかる実施例を図面に基づいて説明する。
図4から図17までは、本発明の一実施例を示す。
図4で、複数のベイ100、200、300……を有する半導体製造ラインを部分的に示す。各ベイ100、200、300……は、各々がベイストッカー130、230、330……を介し、ベイ間搬送ライン400に接続されている。
以下、図4で、ベイ100を代表例にとりその構成・作用を詳細に説明する。尚、他のベイ200、300……は、それらの構成・作用が、ベイ100のそれと略同じであるため、説明を省略する。
図4で、ベイ100は、この場合、平面形状がループ状の枚葉搬送ライン120と、それの長手搬送方向(ベイ間搬送ライン400の搬送方向と交差する方向)に沿って配置、並設された処理装置101〜106で構成されている。この場合、処理装置101〜103は、枚葉搬送ライン120の一方側に一台毎それぞれ隣接して配置、並設されている。また、残りの処理装置104〜106は、その他方側に一台毎それぞれ隣接して配置、並設されている。処理装置101〜106は搬送ロボット11〜16をそれぞれ備えている。尚、処理装置101〜106はウエハWを一枚毎、つまり枚葉で処理するチャンバー(図示省略)を備えている。この例では、処理装置を6台用い配置しているが、この台数には、特に限定されない。枚葉搬送ライン120に沿って配置される装置の種類、台数及び装置配列は、先に従来技術例で示したようにウエハWのプロセス・フローによって選択、決定される。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
4 to 17 show an embodiment of the present invention.
4 partially shows a semiconductor production line having a plurality of bays 100, 200, 300. Each of the bays 100, 200, 300... Is connected to the inter-bay transfer line 400 via the bay stocker 130, 230, 330.
Hereinafter, the configuration and operation of the bay 100 as a representative example will be described in detail with reference to FIG. The other bays 200, 300,... Have substantially the same configuration / action as that of the bay 100, and thus description thereof is omitted.
In FIG. 4, the bay 100 is arranged and arranged in parallel in this case along the sheet conveyance line 120 whose loop shape is a loop shape and its longitudinal conveyance direction (direction intersecting the conveyance direction of the interbay conveyance line 400). The processing apparatuses 101 to 106 are configured. In this case, the processing apparatuses 101 to 103 are arranged adjacent to each other on one side of the single wafer conveyance line 120 and arranged in parallel. Further, the remaining processing devices 104 to 106 are arranged adjacent to each other on the other side and arranged in parallel. The processing apparatuses 101 to 106 are provided with transfer robots 11 to 16, respectively. The processing apparatuses 101 to 106 are provided with chambers (not shown) for processing the wafers W one by one, that is, by single wafers. In this example, six processing devices are used and arranged, but the number is not particularly limited. The type, number, and arrangement of the devices arranged along the single wafer transfer line 120 are selected and determined by the process flow of the wafer W as shown in the prior art example.

図4で、枚葉搬送ライン120は、ウエハWを枚葉搬送する搬送ライン121と、この搬送ライン121と並搬送可能に設けられウエハWを枚葉搬送する他の搬送ライン122との組合わせで構成されている。この場合、各搬送ラインは上下の位置関係にあり、搬送ライン121が下側位置、搬送ライン122は上側位置にセットされた構造になっている。この場合、搬送ライン122は、搬送ライン121のウエハ搬送面と相対するウエハ搬送面を有している。更に、この場合、搬送ライン121は、略水平面のウエハ搬送面を有し、搬送ライン122は、搬送ライン121のウエハ搬送面と上下方向に相対する略水平面のウエハ搬送面を有する。つまり、搬送ライン121、122は、ウエハWを水平面保持して搬送するようになっている。
以下の説明では、搬送ライン121、122のそれぞれのウエハ搬送面が、上下方向に相対する例につき説明するが、しかし、この関係は、これに特に限定されない。例えば、搬送ライン121、122両方のウエハ搬送面が、左右方向に相対するようになっていても良い。この場合、搬送ライン121、122でウエハWは、それらの構造上、被処理面縦型姿勢でそれぞれ搬送されることになる。尚、各処理装置とのウエハWの受け渡しは、縦型姿勢から姿勢変換して被処理面水平姿勢で実施するように構成しても、また、そのままの姿勢で実施するようにしても、本発明を実施する上で、特に問題を生じない。
In FIG. 4, a single wafer transfer line 120 is a combination of a transfer line 121 for transferring wafers W by a single wafer and another transfer line 122 that can be transferred in parallel with this transfer line 121 and transfers wafers W. It consists of In this case, the transport lines are in a vertical positional relationship, and the transport line 121 is set at the lower position and the transport line 122 is set at the upper position. In this case, the transfer line 122 has a wafer transfer surface opposite to the wafer transfer surface of the transfer line 121. Further, in this case, the transfer line 121 has a substantially horizontal wafer transfer surface, and the transfer line 122 has a substantially horizontal wafer transfer surface opposite to the wafer transfer surface of the transfer line 121 in the vertical direction. In other words, the transfer lines 121 and 122 are configured to transfer the wafer W while maintaining the horizontal plane.
In the following description, an example in which the respective wafer transfer surfaces of the transfer lines 121 and 122 are opposed to each other in the vertical direction will be described, but this relationship is not particularly limited thereto. For example, the wafer transfer surfaces of both transfer lines 121 and 122 may be opposed to each other in the left-right direction. In this case, the wafers W are transported in the vertical posture on the surface to be processed due to their structure on the transport lines 121 and 122. It should be noted that the transfer of the wafer W to / from each processing apparatus may be performed in a posture in which the posture is changed from a vertical posture and is performed in a horizontal posture on the surface to be processed, or may be performed in a posture as it is. There is no particular problem in carrying out the invention.

さらに、図4で、処理装置101〜106の搬送ロボット11〜16と搬送ライン121、122との間でウエハWを1枚、つまり、枚葉で受渡し可能となっている。さらに、ベイストッカー130のストッカー(図示省略)と搬送ライン121、122との間でウエハWを受渡し可能となっている。
図4で、ベイ100、200、300……間でのウエハの搬送は、ベイストッカー130、230、330……を利用しベイ間搬送ライン400で実施される。
Furthermore, in FIG. 4, one wafer W can be delivered between the transfer robots 11 to 16 of the processing apparatuses 101 to 106 and the transfer lines 121 and 122, that is, a single wafer. Further, the wafer W can be delivered between a stocker (not shown) of the bay stocker 130 and the transfer lines 121 and 122.
In FIG. 4, wafer transfer between the bays 100, 200, 300,...

図5、図6は、枚葉搬送ライン120の詳細構造を示す。図5は、枚葉搬送ライン120のベイストッカー130とは反対側の部分の斜視外観図である。図6は、図5のI−I視断面図である。
図6で、搬送ライン121は移動体121aとウエハ保持台121bを備えている。ウエハ保持台121bは移動体121aに設けられている。ウエハ保持台121bは、その上表面をウエハ保持面とし、その上にウエハWを1枚保持するようになっている。ウエハWは水平姿勢でそのウエハ保持台121bの上表面にコンタクトして置かれる。搬送ライン122は移動体122aとウエハ保持具122bを備えている。ウエハ保持具122bは、移動体122aに設けられている。ウエハ保持具122bは、ウエハWを水平姿勢で1枚保持するようになっている。図6でウエハ保持台121bのウエハ載置面とウエハ保持具122bとウエハ保持部との間隔Hは各処理処置の構造により決定される。これについては後述する。
5 and 6 show the detailed structure of the single wafer transfer line 120. FIG. FIG. 5 is a perspective external view of a portion of the single wafer conveyance line 120 on the side opposite to the bay stocker 130. 6 is a cross-sectional view taken along the line II of FIG.
In FIG. 6, the transfer line 121 includes a moving body 121a and a wafer holding table 121b. The wafer holder 121b is provided on the moving body 121a. The wafer holding table 121b has an upper surface as a wafer holding surface, and holds one wafer W thereon. The wafer W is placed in contact with the upper surface of the wafer holder 121b in a horizontal posture. The transfer line 122 includes a moving body 122a and a wafer holder 122b. The wafer holder 122b is provided on the moving body 122a. The wafer holder 122b is configured to hold one wafer W in a horizontal posture. In FIG. 6, the distance H between the wafer mounting surface of the wafer holder 121b, the wafer holder 122b, and the wafer holder is determined by the structure of each processing procedure. This will be described later.

図7で、例えば、移動体121aには、非接触移動体、この場合、リニアレール121a−1とリニア台車121a−2とでなるリニア移動体が用いられる。ウエハ保持台121bは、移動体121aのリニア台車121a−2に設けられている。ウエハ保持台121bは、その上表面をウエハ保持面とし、その上にウエハWを1枚保持するようになっている。ウエハWは水平姿勢でそのウエハ保持台121bの上表面にコンタクトして置かれる。
図7で、移動体122aには、非接触移動体、この場合、リニアレール122a−1とリニア台車122a−2とでなるリニア移動体が用いられる。ウエハ保持具122bは、移動体122aのリニア台車122a−2に設けられている。ウエハ保持具122bは、ウエハWの外周部であって、その裏面部分をコンタクトして、この場合、1枚保持するようになっている。
In FIG. 7, for example, a non-contact moving body, in this case, a linear moving body including a linear rail 121a-1 and a linear carriage 121a-2 is used as the moving body 121a. The wafer holding table 121b is provided on the linear carriage 121a-2 of the moving body 121a. The wafer holding table 121b has an upper surface as a wafer holding surface, and holds one wafer W thereon. The wafer W is placed in contact with the upper surface of the wafer holder 121b in a horizontal posture.
In FIG. 7, a non-contact moving body, in this case, a linear moving body composed of a linear rail 122a-1 and a linear carriage 122a-2 is used as the moving body 122a. The wafer holder 122b is provided on the linear carriage 122a-2 of the moving body 122a. The wafer holder 122b is an outer peripheral portion of the wafer W, contacts the back surface portion thereof, and in this case, holds one piece.

次に、搬送ライン121から搬送ライン122へウエハWの受渡しをする場合につき説明する。
図7で、まず、搬送ライン121のウエハ保持台121bにウエハWが1枚載置保持されている。一方、搬送ライン122のウエハ保持具122bはウエハを保持していない状態である。この状態でウエハ保持台121bとウエハ保持具122bの位置関係がウエハの受渡し可能な位置関係に調整される。次ぎに、ウエハ保持台121bのウエハWがウエハ保持具122bに向って上昇(矢印600)させられる。その上昇は、ウエハ保持具122bでウエハを受取り可能な位置に達した時点で停止される。この前に図10に示すように、ウエハ保持具122bは半径方向に開いた状態(矢印602)になっている。ウエハWが、その部位に来た時点で開いているウエハ保持具122bが半径方向に閉じられる(矢印602)。それによってウエハWはその外周裏面部をウエハ保持具122bのすくい部によってすくわれて受取られる。その後、ウエハWを上昇させた部材(図示省略)は下降させられて、例えば、ウエハ保持台121b内に収納される。
Next, a case where the wafer W is transferred from the transfer line 121 to the transfer line 122 will be described.
In FIG. 7, first, one wafer W is placed and held on the wafer holding table 121 b of the transfer line 121. On the other hand, the wafer holder 122b of the transfer line 122 is in a state where no wafer is held. In this state, the positional relationship between the wafer holding table 121b and the wafer holder 122b is adjusted to a positional relationship in which the wafer can be delivered. Next, the wafer W on the wafer holder 121b is raised (arrow 600) toward the wafer holder 122b. The raising is stopped when the wafer holder 122b reaches a position where the wafer can be received. Prior to this, as shown in FIG. 10, the wafer holder 122b has been opened in the radial direction (arrow 602). The wafer holder 122b that is opened when the wafer W reaches the part is closed in the radial direction (arrow 602). As a result, the wafer W is scooped and received by the scooping portion of the wafer holder 122b at the outer peripheral back surface portion. Thereafter, the member (not shown) that raises the wafer W is lowered and stored in, for example, the wafer holding table 121b.

図8に搬送ライン121の部分平面図を示す。
図8で、枚葉搬送ラインに沿ってその底面にリニアレール121a−1が設けられている。リニアレール121a−1には、この場合3個のリニア台車が走行可能(矢印603)にそれぞれ設けられている。それぞれのリニア台車121a−2には、ウエハ保持台121bが1個設けられている。
図8で、リニア台車121a−2の平面形状は、例えば、矩形となっている。ウエハ保持台121bの形状は、例えば、略円形である。このウエハ保持台121bの大きさは、ウエハの大きさによって選択される。例えば、ウエハの直径が8インチ、12インチ、14インチ……と変わって行く場合は、このウエハの直径によってウエハ保持台121bの大きさもそれに応じて変わる。リニア台車121a−2には前後の間隔を検知するセンサー(図示省略)がそれぞれ備えられている。これらのセンサーは、制御装置(図示省略)にそれぞれ接続されている。また、リニア台車121a−2またはウエハ保持台121bには、センサー(図示省略)が設けられている。このセンサーは、ウエハの有無とウエハ情報を検知する機能を有する。このセンサーは、制御装置(図示省略)に接続されている。このセンサーは、一つのセンサーが、ウエハの有無検知とウエハ情報検知の両方の検知機能を有しても良い。また、別々の機能を有しても良い。
さらに、リニア台車121a−2は、搬送ライン121における自身の位置情報を確認するためのセンサー(図示省略)をそれぞれ備えている。このセンサーは、制御装置(図示省略)に接続されている。例えば、このセンサーは、所定の処理装置に対応した位置にリニア台車121a−2が来たかどうかを検知する機能を有する。尚、このような検知機能を有するセンサーをそれぞれの処理装置が備えても良いし、また、それぞれのリニア台車、処理装置の双方で備えても良い。
FIG. 8 shows a partial plan view of the transfer line 121.
In FIG. 8, the linear rail 121a-1 is provided in the bottom face along the single wafer conveyance line. In this case, three linear carriages are provided on the linear rail 121a-1 so that they can travel (arrow 603). Each linear carriage 121a-2 is provided with one wafer holding stage 121b.
In FIG. 8, the planar shape of the linear carriage 121a-2 is, for example, a rectangle. The shape of the wafer holder 121b is, for example, a substantially circular shape. The size of the wafer holder 121b is selected according to the size of the wafer. For example, when the diameter of the wafer is changed to 8 inches, 12 inches, 14 inches,..., The size of the wafer holding table 121b is changed according to the diameter of the wafer. Each of the linear carriages 121a-2 is provided with a sensor (not shown) that detects the front-rear distance. These sensors are connected to a control device (not shown). Further, a sensor (not shown) is provided on the linear carriage 121a-2 or the wafer holding stage 121b. This sensor has a function of detecting the presence / absence of a wafer and wafer information. This sensor is connected to a control device (not shown). As for this sensor, one sensor may have detection functions of both the presence / absence detection of the wafer and the wafer information detection. Moreover, you may have a separate function.
Further, the linear carriage 121a-2 is provided with sensors (not shown) for confirming the position information of the linear carriage 121a-2. This sensor is connected to a control device (not shown). For example, this sensor has a function of detecting whether or not the linear carriage 121a-2 has come to a position corresponding to a predetermined processing device. In addition, each processing apparatus may be provided with the sensor which has such a detection function, and may be provided in both each linear trolley | bogie and processing apparatus.

図9に搬送ライン122の部分平面図を示す。
図9で、枚葉搬送ラインに沿ってその底面にリニアレール122a−1が設けられている。リニアレール122a−1には、この場合、3個のリニア台車122a−2が走行可能(矢印604)にそれぞれ設けられている。それぞれのリニア台車122a−2には、ウエハ保持具122bが設けられている。例えば、図10に示すようにウエハ保持具122bは、3個のすくい部122b−1を有している。このすくい部122b−1は円周上、120°間隔で配置されており、ウエハWの外周部分に位置する。このウエハ保持具122bはウエハWの受取りのためにウエハの半径方向(矢印602)に開閉することができる。
FIG. 9 shows a partial plan view of the transfer line 122.
In FIG. 9, a linear rail 122a-1 is provided on the bottom surface along the single wafer conveyance line. In this case, three linear carriages 122a-2 are provided on the linear rail 122a-1 so that they can travel (arrow 604). Each linear carriage 122a-2 is provided with a wafer holder 122b. For example, as shown in FIG. 10, the wafer holder 122b has three scoop portions 122b-1. The scooping portions 122b-1 are arranged at 120 ° intervals on the circumference, and are located on the outer peripheral portion of the wafer W. The wafer holder 122b can be opened and closed in the radial direction of the wafer (arrow 602) for receiving the wafer W.

図9で、リニア台車122a−2の平面形状は、例えば、矩形となっている。また、リニア台車122a−2には、前後の間隔を検知するセンサー(図示省略)がそれぞれ備えられている。このセンサーは、制御装置(図示省略)にそれぞれ接続されている。さらに、リニア台車122a−2には、ウエハの有無とウエハ情報を検知する機能を有するセンサー(図示省略)が設けられている。このセンサーは、制御装置(図示省略)にそれぞれ接続されている。このセンサーは、一つのセンサーが、ウエハ有無検知とウエハ情報検知の両方の検知機能を有しても良い。また、別々の機能を有しても良い。
さらに、各リニア台車122a−2は、搬送ライン122における自身の位置情報を確認するためのセンサー(図示省略)を備えている。このセンサーは、制御装置(図示省略)にそれぞれ接続されている。例えば、このセンサーは、所定の処理装置に対応した位置にリニア台車122a−2が来たかどうかを検知する機能を有する。尚、このような検知機能を有するセンサーをそれぞれの処理装置が備えても良いし、また、それぞれのリニア台車、処理装置の双方で備えても良い。
In FIG. 9, the planar shape of the linear carriage 122a-2 is, for example, a rectangle. In addition, the linear carriage 122a-2 is provided with sensors (not shown) for detecting the front-rear distance. Each sensor is connected to a control device (not shown). Further, the linear carriage 122a-2 is provided with a sensor (not shown) having a function of detecting the presence / absence of a wafer and wafer information. Each sensor is connected to a control device (not shown). As for this sensor, one sensor may have detection functions for both wafer presence detection and wafer information detection. Moreover, you may have a separate function.
Furthermore, each linear carriage 122a-2 includes a sensor (not shown) for checking its own position information in the transport line 122. Each sensor is connected to a control device (not shown). For example, this sensor has a function of detecting whether or not the linear carriage 122a-2 has come to a position corresponding to a predetermined processing device. In addition, each processing apparatus may be provided with the sensor which has such a detection function, and may be provided in both each linear trolley | bogie and processing apparatus.

図8、図9で、搬送ライン121でのリニア台車121a−2のリニアレール121a−1への設置台数と、搬送ライン122でのリニア台車122a−2のリニアレール122a−1への設置台数とは、同一であっても異なる台数であっても良い。図8、図9で、リニア台車がそれぞれ3台設けられた例を示したが、このリニア台車の台数は、適宜決められれば良い。また、それぞれのセンサー等が接続される制御装置は、個別のものであっても良いし、1台の装置あってもよい。
搬送ライン121のリニア台車121a−2と搬送ライン122のリニア台車122a−2との位置関係の制御がそれぞれのセンサーと制御装置の作用によって適宜実施される。
8 and 9, the number of linear carriages 121a-2 installed on the linear rails 121a-1 in the conveyance line 121 and the number of linear carriages 122a-2 installed on the linear rails 122a-1 in the conveyance line 122 May be the same or different numbers. FIGS. 8 and 9 show examples in which three linear carriages are provided, but the number of linear carriages may be determined as appropriate. Further, the control device to which each sensor or the like is connected may be an individual device or a single device.
Control of the positional relationship between the linear carriage 121a-2 of the conveyance line 121 and the linear carriage 122a-2 of the conveyance line 122 is appropriately performed by the action of each sensor and the control device.

図11、図12で、ベイストッカー130は、ベイ間搬送ライン400に接続されている。ベイ間搬送ライン400としてはこの場合AGV(Automatic Guided Vehicle)410が採用されている。AGV410は、ロボット411、台412、レール413、走行フレーム414を有している。走行レール413は、ベイ間搬送ライン400に設置されている。走行フレーム414がレール413に移動可能に設けられている。走行フレーム414にはロボット411と台412とが設けられている。走行フレーム414は、駆動装置(図示省略)を有している。この駆動装置は、制御装置(図示省略)に接続されている。走行フレーム414はベイストッカー130との位置検知センサーを備えている。このセンサーはベイストッカー130が備えていても良い。
図11、図12で、台412は、ウエハ収納手段、例えば、FOUP(Front Opening Unified Pod)500が、この場合、2個(500a、500b)載置可能な平面を有する。FOUP500は、その中に収納されているウエハの被処理面を水平姿勢で保持するように台412の載置面に置かれる。ロボット411は、この場合、例えば、その先端にFOUPの握み部を握むアーム416を有している。このロボット411は、アーム416を旋回動、左右往復動及び昇降動させる駆動手段(図示省略)を有する。この駆動手段は、制御装置(図示省略)に接続されている。尚、ウエハ収納装置としてはFOUPの他にオープンカセット等の他の収納装置も支障なく採用される。
In FIGS. 11 and 12, the bay stocker 130 is connected to the interbay transport line 400. In this case, an AGV (Automatic Guided Vehicle) 410 is employed as the interbay transport line 400. The AGV 410 includes a robot 411, a base 412, a rail 413, and a traveling frame 414. The traveling rail 413 is installed in the interbay transportation line 400. A travel frame 414 is movably provided on the rail 413. The traveling frame 414 is provided with a robot 411 and a table 412. The traveling frame 414 has a drive device (not shown). This drive device is connected to a control device (not shown). The traveling frame 414 includes a position detection sensor with the bay stocker 130. This sensor may be included in the bay stocker 130.
11 and 12, the table 412 has a plane on which a wafer storage means, for example, a FOUP (Front Opening Unified Pod) 500 can be mounted, in this case, two (500a, 500b). The FOUP 500 is placed on the mounting surface of the table 412 so that the processing surface of the wafer stored therein is held in a horizontal posture. In this case, for example, the robot 411 has an arm 416 that grips the grip portion of the FOUP at the tip thereof. The robot 411 includes driving means (not shown) that causes the arm 416 to turn, reciprocate left and right, and move up and down. This driving means is connected to a control device (not shown). In addition to the FOUP, other storage devices such as an open cassette can be used without any problem as the wafer storage device.

図11、図12で、ベイストッカー130は、台131、ゲート132、ロボット133、レール134を有している。ベイストッカー130は、この場合、台131部分と搬送ロボット部分136とに分れている。台131部分と搬送ロボット部分136とはゲート132で仕切られている。ゲート132のAGV410サイドに台131が設置されている。ゲート132の搬送ライン121サイドに搬送ロボット部分136が配置されている。台131は、FOUP500が、この場合3個載置可能な平面を有する。FOUPは、その中に収納されている複数個のウエハの被処理面を水平姿勢で保持するように台131の載置面に置かれる。台131の載置面は、AGV410の走行方向に沿ってFOUP500が隣接して置かれるようになっている。この場合、ゲート132が3個備えられ、それぞれのゲート132a〜132cは、FOUP500にそれぞれ対応して配設されている。搬送ロボット136のレール台137には、レール134が設けられている。レール134は、台131でのFOUP500の載置面に平行に置かれている。ロボット133が、レール134に載せられている。ロボット133は、レール134上を走行させる駆動手段(図示省略)を有している。この駆動手段は、制御装置(図示省略)に接続されている。このロボット133は、アーム138を有している。アーム138は、このアーム138を旋回動、左右往復動、及び昇降動させる駆動手段(図示省略)を有する。この駆動手段は制御装置(図示省略)に接続される。この場合、このアーム138は、ウエハの有無検知とウエハ情報検知の両方の検知機能を有するセンサー(図示省略)を備えている。このセンサーは制御装置(図示省略)に接続されている。   11 and 12, the bay stocker 130 includes a table 131, a gate 132, a robot 133, and a rail 134. In this case, the bay stocker 130 is divided into a base 131 portion and a transfer robot portion 136. The base 131 part and the transfer robot part 136 are partitioned by a gate 132. A stand 131 is installed on the AGV 410 side of the gate 132. A transfer robot portion 136 is disposed on the transfer line 121 side of the gate 132. The base 131 has a plane on which three FOUPs 500 can be placed. The FOUP is placed on the mounting surface of the table 131 so as to hold the processing surfaces of a plurality of wafers stored therein in a horizontal posture. The FOUP 500 is placed adjacent to the mounting surface of the table 131 along the traveling direction of the AGV 410. In this case, three gates 132 are provided, and each of the gates 132a to 132c is arranged corresponding to the FOUP 500. A rail 134 is provided on the rail base 137 of the transfer robot 136. The rail 134 is placed in parallel with the mounting surface of the FOUP 500 on the table 131. A robot 133 is placed on the rail 134. The robot 133 has drive means (not shown) that travels on the rail 134. This driving means is connected to a control device (not shown). The robot 133 has an arm 138. The arm 138 has a drive means (not shown) that causes the arm 138 to swing, reciprocate left and right, and move up and down. This driving means is connected to a control device (not shown). In this case, the arm 138 includes a sensor (not shown) having detection functions for both the presence / absence detection of the wafer and the wafer information detection. This sensor is connected to a control device (not shown).

このように構成されている装置システムでは、次のようなウエハの操作・処理がなされる。
図4〜図12で、ベイ100の上流側から、ベイ間搬送ライン400を通ってウエハがベイ100に搬送されてくる。具体的には、AGV410の台412の載置面にFOUP500a、500bが並んで置かれる。例えば、FOUP500bの中には処理速度の速いウエハが収納されている。FOUP500a、500bが台412に載置されたかどうかセンサーで検知する。この検知情報は、制御装置に送られる。これによって台412にFOUP500a、500bがそれぞれ適正に置かれたことが確認される。その後、制御装置から駆動手段に操作信号が出力され、駆動手段の作動が開始される。これによってAGV410は、ベイ間搬送ライン400の中をベイ100のベイストッカー130に向って走行させられる。その後、AGV410が、ベイストッカー130の所定位置に対応する場所に来たことを位置検知センサーで検知される。この検知信号は、制御装置に送られ、制御装置から停止信号が出力される。これによりAGV410は、停止させられる。この場合、台131のFOUP載置面には、FOUP500c、500dが載置されている。そして残されたFOUP載置面一ヶ所にはFOUPは載置されていない。この場合、ベイストッカー130の台131に置かれているFOUP500dのウエハ処理がほぼ終了状態にある。残りのFOUP500c内のウエハの処理は中途段階である。また、例えば、FOUP500dのウエハは、FOUP500bのウエハとは異なり、処理速度が遅いものである。台131のFOUPの載置面であって、残された1ヶ所の載置面、この場合FOUP500dのゲート132bに向って右側に位置する載置面にFOUPがあるか無いかセンサー(図示省略)で検知される。センサーでFOUP無しと検知された時点で制御装置からロボット411の駆動手段に操作信号が出力される。この操作信号を受けてロボット411が作動開始される。この作動は、図11のアーム416の状態からFOUP500bに対応する位置にアーム416が旋回させられた時点で停止される。その後アーム416がFOUP500bを掴持可能な間隔に広げられる。その後、アーム416がFOUP500bの握み部に対応する位置まで下降される。その後アーム416は閉じられ、これによってFOUP500bがアーム416に掴持される。アーム416がFOUP500bを掴持したことが、センサーで検知されて、この信号が制御装置に出力される。その後、FOUP500bはこの状態で台131の残りの載置面まで搬送される。この結果、FOUP500bはこの載置面に載置される。この載置された信号はセンサーから制御装置に出力される。一方、FOUP500dのウエハの処理が終了したことが制御装置に送信される。これを受けて、ロボット411のアーム416はFOUP500dを回収可能な位置まで移動させられて停止させられる。その後、ロボット411のアーム416は、その間隔を開いた状態でFOUP500dに向って移動させられる。この移動はアーム416でFOUP500dを側面キャッチできるようになった時点で制御装置によって停止させられる。その後、アーム416が閉じられ、これによってFOUP500dはアーム416に掴持される。この状態でFOUP500dは、もともとFOUP500bが載置されていた台412の載置面に載置される。つまり、この状態では台131のもともとFOUP500bが載置された面が、次のFOUP受取り面となる。FOUP500a、FOUP500dを保持したAGV410は次のベイ方向矢印605又は上流方向矢印606に移動されられる。
In the apparatus system configured as described above, the following wafer operations and processing are performed.
4 to 12, the wafer is transferred to the bay 100 from the upstream side of the bay 100 through the inter-bay transfer line 400. Specifically, the FOUPs 500a and 500b are placed side by side on the mounting surface of the base 412 of the AGV 410. For example, a wafer with high processing speed is stored in the FOUP 500b. A sensor detects whether the FOUPs 500a and 500b are placed on the table 412. This detection information is sent to the control device. Thus, it is confirmed that the FOUPs 500a and 500b are properly placed on the table 412. Thereafter, an operation signal is output from the control device to the driving means, and the operation of the driving means is started. As a result, the AGV 410 is caused to travel in the interbay transport line 400 toward the bay stocker 130 of the bay 100. Thereafter, the position detection sensor detects that the AGV 410 has come to a place corresponding to a predetermined position of the bay stocker 130. This detection signal is sent to the control device, and a stop signal is output from the control device. As a result, the AGV 410 is stopped. In this case, FOUPs 500c and 500d are placed on the FOUP placement surface of the base 131. The FOUP is not placed on the remaining FOUP placement surface. In this case, the wafer processing of the FOUP 500d placed on the base 131 of the bay stocker 130 is almost finished. The processing of the remaining wafers in the FOUP 500c is in the middle of processing. Further, for example, the FOUP 500d wafer has a lower processing speed than the FOUP 500b wafer. A sensor (not shown) for determining whether or not there is a FOUP on the mounting surface of the FOUP of the base 131, which is the remaining mounting surface, in this case, the mounting surface located on the right side of the FOUP 500d toward the gate 132b. Is detected. When the sensor detects that there is no FOUP, an operation signal is output from the control device to the driving means of the robot 411. In response to this operation signal, the robot 411 starts operating. This operation is stopped when the arm 416 is swung from the state of the arm 416 in FIG. 11 to a position corresponding to the FOUP 500b. Thereafter, the arm 416 is expanded to an interval at which the FOUP 500b can be gripped. Thereafter, the arm 416 is lowered to a position corresponding to the grip portion of the FOUP 500b. Thereafter, the arm 416 is closed, whereby the FOUP 500b is gripped by the arm 416. It is detected by the sensor that the arm 416 has gripped the FOUP 500b, and this signal is output to the control device. Thereafter, the FOUP 500b is conveyed to the remaining placement surface of the table 131 in this state. As a result, the FOUP 500b is placed on this placement surface. The placed signal is output from the sensor to the control device. On the other hand, the completion of the processing of the wafer of FOUP 500d is transmitted to the control device. In response to this, the arm 416 of the robot 411 is moved to a position where the FOUP 500d can be collected and stopped. Thereafter, the arm 416 of the robot 411 is moved toward the FOUP 500d with the gap therebetween being opened. This movement is stopped by the control device when the arm 416 can catch the side surface of the FOUP 500d. Thereafter, the arm 416 is closed, whereby the FOUP 500d is gripped by the arm 416. In this state, the FOUP 500d is placed on the placement surface of the table 412 on which the FOUP 500b was originally placed. That is, in this state, the surface of the table 131 on which the FOUP 500b is originally placed becomes the next FOUP receiving surface. The AGV 410 holding the FOUP 500a and the FOUP 500d is moved to the next bay direction arrow 605 or the upstream direction arrow 606.

次に制御装置の指令によりゲート132cが開かれる。この時、FOUP500bのドアも開かれる。これによりFOUP500b内は、搬送ロボット部136、枚葉搬送ライン120の雰囲気と連通状態となる。この状態で、制御装置の指令により、ロボット133がゲート132cに対応した位置まで移動されられて停止させられる。FOUP500b内に収納されているウエハの情報がアーム入138のセンサーにより読取られる。読取られた情報は制御装置に出力される。この情報信号により、FOUP500b内のウエハのどのウエハを次の処理に出すかが選択される。その選択された信号が、ロボット133に出力される。これによりロボット133はアーム138が所定の高さの位置になるよう調節される。その後、アーム138がゲート132cを通ってFOUP500b内に挿入される。このアーム138の動きはFOUP500b内の所定のウエハの裏面に、このアーム138のすくい部が到達した時点で制御装置により停止される。その後、このアーム138のすくい部は少しだけ上昇させられる。この上昇によってウエハはアーム138のすくい部に受取られる。その後、このアーム138は元の位置まで待避される。一方、枚葉搬送ライン120の上側位置にある搬送ライン122のリニア台車122a−2がウエハ受渡し可能な位置に停止させられる。この停止位置と情報はセンサーから制御装置に出力される。リニア台車122a−2のウエハ保持具122bは半径方向に開いた状態になっている。尚、この場合、このリニア台車122a−2の下側位置にリニア台車121a−2が有るか無いかは問題ではない。アーム138のすくい部にウエハを有するロボット133は、リニア台車122a−2に対応する位置までレール134上を走行させられる。この走行は、ロボット133がリニア台車122a−2に対応した位置に到達した時点で制御装置により停止させられる。この間、ウエハを有するアーム138は、そのすくい部を180°旋回させられる。その後、アーム138のすくい部はリニア台車122a−2に向って移動させられる。リニア台車121a−2の下方位置にアーム138のすくい部にすくわれたウエハが到達した時点で、このアーム138の移動は停止させられる。その後、アーム138のすくい部は上昇させられる。この上昇はアーム138のすくい部のウエハがリニア台車122a−2のウエハ保持具122bですくい可能な位置にきた時点で制御装置により停止させられる。この状態でウエハ保持具122bは半径方向に閉じられる(矢印602)。これによりウエハは、アーム138のすくい部からウエハ保持具122bに渡される。ウエハを渡したアーム138は元の位置に待避して待機させられる。   Next, the gate 132c is opened by a command from the control device. At this time, the door of the FOUP 500b is also opened. As a result, the inside of the FOUP 500b is in communication with the atmosphere of the transfer robot unit 136 and the single wafer transfer line 120. In this state, the robot 133 is moved to a position corresponding to the gate 132c and stopped by a command from the control device. Information on the wafer stored in the FOUP 500b is read by a sensor in the arm insertion 138. The read information is output to the control device. This information signal selects which of the wafers in the FOUP 500b is to be processed. The selected signal is output to the robot 133. As a result, the robot 133 is adjusted so that the arm 138 is at a predetermined height. Thereafter, the arm 138 is inserted into the FOUP 500b through the gate 132c. The movement of the arm 138 is stopped by the control device when the rake portion of the arm 138 reaches the back surface of a predetermined wafer in the FOUP 500b. Thereafter, the rake portion of the arm 138 is slightly raised. With this rise, the wafer is received by the scoop portion of the arm 138. Thereafter, the arm 138 is retracted to the original position. On the other hand, the linear carriage 122a-2 of the transfer line 122 at the upper position of the single wafer transfer line 120 is stopped at a position where the wafer can be delivered. The stop position and information are output from the sensor to the control device. The wafer holder 122b of the linear carriage 122a-2 is open in the radial direction. In this case, it does not matter whether the linear carriage 121a-2 is present at the lower position of the linear carriage 122a-2. The robot 133 having a wafer at the rake portion of the arm 138 is caused to travel on the rail 134 to a position corresponding to the linear carriage 122a-2. This traveling is stopped by the control device when the robot 133 reaches a position corresponding to the linear carriage 122a-2. During this time, the arm 138 having the wafer is rotated 180 ° in the rake portion. Thereafter, the scoop portion of the arm 138 is moved toward the linear carriage 122a-2. When the wafer scooped by the scooping portion of the arm 138 reaches a position below the linear carriage 121a-2, the movement of the arm 138 is stopped. Thereafter, the rake portion of arm 138 is raised. This rise is stopped by the control device when the wafer at the rake portion of the arm 138 reaches a position where the wafer holder 122b of the linear carriage 122a-2 can be raked. In this state, the wafer holder 122b is closed in the radial direction (arrow 602). As a result, the wafer is transferred from the scoop portion of the arm 138 to the wafer holder 122b. The arm 138 to which the wafer is transferred is retracted to the original position and waited.

図4でFOUP500bが、例えば、ベイストッカー130の台131にセットされた時点で、制御装置により処理装置の内103、106が処理速度の速いウエハの処理ができるように加工条件をセッティングされている。尚、残りの処理装置101、102、104、105では処理速度の遅いウエハの処理が続行される。   In FIG. 4, for example, when the FOUP 500b is set on the base 131 of the bay stocker 130, the processing conditions are set by the control device so that the processing units 103 and 106 can process a wafer having a high processing speed. . In the remaining processing apparatuses 101, 102, 104, and 105, processing of a wafer with a low processing speed is continued.

図13は、図4における枚葉搬送ライン120における処理装置101及び処理装置103の部分の詳細構成図である。図13で枚葉搬送ライン120の下側の搬送ライン121を示す。処理装置101の前方部分に位置するところにリニア台車121a−2がある。処理装置101の搬送ライン121側からゲート101d、ロック室101a、ゲート101c、処理室101bが順次配置されている。ロック室101aの中にはすくい部11−1を有したロボット11が配置されている。このすくい部11−1は、例えばゲート101dを通ってウエハの受渡しをするリンク機構と旋回してゲート101cを通って処理室101bにウエハを受渡しする機能を有する。
また、図13で枚葉搬送ライン120の上側の搬送ライン122を示す。処理装置103の前方部分に位置するところにリニア台車122a−2がある。処理装置103の搬送ライン122側からゲート103d、ロック室103a、ゲート103c、処理室103bが順次配置されている。ロック室103aの中にはすくい部13−1を有したロボット13が配置されている。このすくい部13−1は、例えばゲート103dを通ってウエハの受渡しをするリンク機構と旋回してゲート103cを通って処理室103bにウエハを受渡しする機能を有する。
この他に処理速度の遅いウエハを処理する処理装置102、104、105と搬送ライン121との取合い構造は、処理装置101と搬送ライン121との取合い構造と略同一であり、図示、説明を省略する。また、処理速度の速いウエハを処理する処理装置106と搬送ライン122との取合い構造は処理装置103と搬送ライン122との取合い構造と略同一のため、図示、説明を省略する。
FIG. 13 is a detailed configuration diagram of portions of the processing apparatus 101 and the processing apparatus 103 in the single wafer conveyance line 120 in FIG. FIG. 13 shows a lower conveyance line 121 of the single wafer conveyance line 120. A linear carriage 121a-2 is located at the front portion of the processing apparatus 101. A gate 101d, a lock chamber 101a, a gate 101c, and a processing chamber 101b are sequentially arranged from the transfer line 121 side of the processing apparatus 101. A robot 11 having a rake portion 11-1 is disposed in the lock chamber 101a. The scooping portion 11-1 has a function of rotating with a link mechanism for delivering a wafer through the gate 101d, for example, and delivering the wafer to the processing chamber 101b through the gate 101c.
In addition, FIG. 13 shows a conveyance line 122 on the upper side of the single wafer conveyance line 120. A linear carriage 122a-2 is located at the front portion of the processing apparatus 103. A gate 103d, a lock chamber 103a, a gate 103c, and a processing chamber 103b are sequentially arranged from the transfer line 122 side of the processing apparatus 103. A robot 13 having a rake portion 13-1 is disposed in the lock chamber 103a. The scooping portion 13-1 has a function of pivoting with, for example, a link mechanism for delivering a wafer through the gate 103d and delivering the wafer to the processing chamber 103b through the gate 103c.
In addition, the connection structure between the processing apparatuses 102, 104, 105 for processing wafers with a low processing speed and the transfer line 121 is substantially the same as the connection structure between the processing apparatus 101 and the transfer line 121, and illustration and description thereof are omitted. To do. Further, since the connection structure between the processing apparatus 106 for processing a wafer having a high processing speed and the transfer line 122 is substantially the same as the connection structure between the processing apparatus 103 and the transfer line 122, illustration and description thereof are omitted.

図14に処理装置103と枚葉搬送ライン122の取合い詳細を示す。図14で、枚葉搬送ライン120の空間とロック室103aは、ゲート103dで仕切られている。この場合、枚葉搬送ライン120とロック室103aの高さは略同一の高さである。ロック室103a内と処理室103b内とは、ゲート103cで仕切られている。
ロボット133のアーム138からFOUP500b内のウエハWb1を受取ったリニア台車122a−2は、図11の位置から図4の処理装置103に対応する位置まで移動させられる。この移動は、所定位置にリニア台車122a−2が来たことをセンサーで検知されることで制御装置で制御される(図14)。図14でロック室103a内は、清浄ガス、例えば、窒素ガスが導入され、これによりロック室103a内の圧力は枚葉搬送ライン120の雰囲気圧力とほぼ同圧力に調節される。その後、ゲート103dが開けられる。その後、ロボット13のすくい部13−1が、開けられているゲート103dを通って枚葉搬送ライン120へ繰り出される(矢印607)。このすくい部13−1が、ウエハ保持具122bに保持されているウエハWb1の下方位置に達した時点で、すくい部13−1の動きは停止される。その後、ウエハ保持具122bは下降させられる(矢印601)。この下降はウエハWb1の裏面がすくい部13−1に当接した時点で停止される(図15)。その後、ウエハ保持具122bが半径方向に開かれる(矢印602)。これによりウエハWb1はウエハ保持具122bからすくい部13−1に渡される。ウエハWb1を受取ったすくい部13−1はゲート103dを通ってロック室103aの元の位置に引戻される。その後、図15(b)に示すようにゲート103dが閉じられロック室103a内は減圧排気される。ロック室103aの圧力が処理室103bの圧力とほぼ同圧になった時点でゲート103cが開かれる。この状態でロボット13のすくい部13−1はロック室103aから処理室103bへ移動させられる。これによりウエハWb1はすくい部13−1ですくわれた状態で処理室103bに搬入させられる。さらに、このウエハWb1は処理室103bに内設されている試料台(図示省略)上に渡される。ウエハWb1を渡したすくい部13−1は、ゲート103cを通ってロック室103aに待避させられて、ロック室103aの元の位置に待機させられる。その後、ゲート103cが閉じられる。この状態で処理室103b内の試料台に載置されたウエハWb1は、処理室103bで所定処理、例えばプラズマエッチング処理される。処理室103bでプラズマエッチング処理が終ったウエハWb1は上述した搬入操作とは逆の操作によりゲート103c、ロック室103a、ゲート103dを順次通過し、枚葉搬送ライン120に搬出されてウエハ保持具122bに渡される。処理室103bでプラズマエッチング処理が終ったウエハWb1を保持したリニア台車122a−2はリニアレール122a−1にガイドされて搬送ライン122を処理装置106方向へ移動させられる。
FIG. 14 shows details of the connection between the processing apparatus 103 and the single wafer transfer line 122. In FIG. 14, the space of the single wafer transfer line 120 and the lock chamber 103a are partitioned by a gate 103d. In this case, the height of the single wafer transfer line 120 and the lock chamber 103a is substantially the same height. The lock chamber 103a and the processing chamber 103b are partitioned by a gate 103c.
The linear carriage 122a-2 that has received the wafer Wb1 in the FOUP 500b from the arm 138 of the robot 133 is moved from the position in FIG. 11 to a position corresponding to the processing apparatus 103 in FIG. This movement is controlled by the control device when the sensor detects that the linear carriage 122a-2 has come to a predetermined position (FIG. 14). In FIG. 14, clean gas, for example, nitrogen gas, is introduced into the lock chamber 103 a, and thereby the pressure in the lock chamber 103 a is adjusted to substantially the same pressure as the atmospheric pressure of the single wafer transfer line 120. Thereafter, the gate 103d is opened. Thereafter, the scooping portion 13-1 of the robot 13 is fed out to the single wafer transfer line 120 through the opened gate 103d (arrow 607). When the scooping portion 13-1 reaches a position below the wafer Wb1 held by the wafer holder 122b, the motion of the scooping portion 13-1 is stopped. Thereafter, the wafer holder 122b is lowered (arrow 601). This lowering is stopped when the back surface of the wafer Wb1 comes into contact with the scooping portion 13-1 (FIG. 15). Thereafter, the wafer holder 122b is opened in the radial direction (arrow 602). Thereby, the wafer Wb1 is transferred from the wafer holder 122b to the scooping portion 13-1. The scooping portion 13-1 that has received the wafer Wb1 is pulled back to the original position in the lock chamber 103a through the gate 103d. Thereafter, as shown in FIG. 15B, the gate 103d is closed, and the lock chamber 103a is evacuated. When the pressure in the lock chamber 103a becomes substantially the same as the pressure in the processing chamber 103b, the gate 103c is opened. In this state, the scooping portion 13-1 of the robot 13 is moved from the lock chamber 103a to the processing chamber 103b. As a result, the wafer Wb1 is loaded into the processing chamber 103b while being scooped by the scooping portion 13-1. Further, the wafer Wb1 is transferred onto a sample table (not shown) provided in the processing chamber 103b. The scooping portion 13-1 that has transferred the wafer Wb1 is retracted to the lock chamber 103a through the gate 103c, and is allowed to wait at the original position of the lock chamber 103a. Thereafter, the gate 103c is closed. In this state, the wafer Wb1 placed on the sample stage in the processing chamber 103b is subjected to predetermined processing, for example, plasma etching processing, in the processing chamber 103b. The wafer Wb1 that has been subjected to the plasma etching process in the processing chamber 103b sequentially passes through the gate 103c, the lock chamber 103a, and the gate 103d by an operation reverse to the above-described loading operation, and is unloaded to the single wafer transfer line 120 to be transferred to the wafer holder 122b. Passed to. The linear carriage 122a-2 holding the wafer Wb1 that has been subjected to the plasma etching process in the processing chamber 103b is guided by the linear rail 122a-1 and moved along the transfer line 122 toward the processing apparatus 106.

図11、12でFOUP500b内の次に選択されたウエハWb2が、上述した操作と同様の操作によりロボット133のアーム138のすくい部にすくわれてFOUP500bから抜出される。この抜出された第2のウエハWb2は上述した操作と同様の操作によりロボット133のアーム138のすくい部からリニア台車122a−2のウエハ保持具122bに渡される。ウエハ保持具122bにウエハWb2を受け取ったリニア台車122a−2は、上述した操作と同様の操作により処理装置103に対応する位置に移動させられて停止される。尚、処理装置103での処理と処理装置106の処理とでは、この場合異なっている。処理装置103でプラズマエッチング処理されたウエハWb1を保持したリニア台車122a−2は、搬送ライン122を処理装置106方向へ向って移動させられる。その後、リニア台車122a−2が処理装置106に達した時点で停止される。このリニア台車122a−2に保持されているウエハWb1は、処理装置103同様の操作により、処理装置106の処理室(図示省略)に、搬入される。この処理装置に搬入されたウエハWb1はここで所定処理、例えば成膜処理(CVD、PVD等)される。成膜処理済のウエハWb1は処理室からゲート(図示省略)、ロック室(図示省略)、ゲート(図示省略)を順次通って枚葉搬送ライン120に搬出される。この搬出されたウエハWb1はリニア台車122a−2のウエハ保持具122bに保持されて、ロボット133のアーム138にウエハを受渡し可能な位置にまで移動させられる。その後、リニア台車122a−2のウエハ保持具122bに保持されているウエハWb1は、上述した操作とは逆操作によりロボット133を介してFOUP500bの元の位置に回収される。   11 and 12, the wafer Wb2 selected next in the FOUP 500b is scooped by the scooping portion of the arm 138 of the robot 133 and extracted from the FOUP 500b by the same operation as described above. The extracted second wafer Wb2 is transferred from the scoop portion of the arm 138 of the robot 133 to the wafer holder 122b of the linear carriage 122a-2 by the same operation as described above. The linear carriage 122a-2 that has received the wafer Wb2 in the wafer holder 122b is moved to a position corresponding to the processing apparatus 103 by the same operation as described above and stopped. Note that the processing in the processing apparatus 103 and the processing in the processing apparatus 106 are different in this case. The linear carriage 122a-2 holding the wafer Wb1 plasma-etched by the processing apparatus 103 is moved along the transfer line 122 toward the processing apparatus 106. Then, it stops when the linear carriage 122a-2 reaches the processing device 106. The wafer Wb1 held on the linear carriage 122a-2 is carried into a processing chamber (not shown) of the processing apparatus 106 by the same operation as the processing apparatus 103. The wafer Wb1 carried into the processing apparatus is subjected to a predetermined process, for example, a film forming process (CVD, PVD, etc.). The film-formed wafer Wb1 is unloaded from the processing chamber to the single wafer transfer line 120 through a gate (not shown), a lock chamber (not shown), and a gate (not shown). The unloaded wafer Wb1 is held by the wafer holder 122b of the linear carriage 122a-2 and moved to a position where the wafer can be delivered to the arm 138 of the robot 133. Thereafter, the wafer Wb1 held on the wafer holder 122b of the linear carriage 122a-2 is recovered to the original position of the FOUP 500b via the robot 133 by an operation reverse to the above-described operation.

一方、処理装置103に対応する位置まで移動させられて停止されたリニア台車122a−2のウエハ保持具122bに保持されているウエハWb2は、上述したウエハWb1の場合と同様な操作により、処理装置103の処理室103bに搬入され、ここでプラズマエッチング処理される。その後、処理済ウエハWb1は処理室103bから枚葉搬送ライン120に搬出され、リニア台車122a−2のウエハ保持具122bに渡されて保持される。その後、このリニア台車122a−2は処理装置106に向って走行させられる。
このような操作が繰返し実施される。これによりFOUP500b内のウエハWb1、Wb2、……Wbnは、搬送ライン122により処理装置103、106に順次送られる。処理装置103、106で処理されたウエハWb1、Wb2、……WbnはFOUP500bに順次戻され、そしてFOUP500bの所定の位置に回収される。
On the other hand, the wafer Wb2 held by the wafer holder 122b of the linear carriage 122a-2 moved to a position corresponding to the processing apparatus 103 and stopped is processed by the same operation as that of the wafer Wb1 described above. 103 is carried into the processing chamber 103b, where plasma etching is performed. Thereafter, the processed wafer Wb1 is unloaded from the processing chamber 103b to the single wafer transfer line 120, and transferred to and held by the wafer holder 122b of the linear carriage 122a-2. Thereafter, the linear carriage 122a-2 is caused to travel toward the processing device 106.
Such an operation is repeatedly performed. Accordingly, the wafers Wb1, Wb2,... Wbn in the FOUP 500b are sequentially sent to the processing apparatuses 103 and 106 through the transfer line 122. The wafers Wb1, Wb2,... Wbn processed by the processing apparatuses 103 and 106 are sequentially returned to the FOUP 500b and collected at a predetermined position of the FOUP 500b.

図16に処理装置101と枚葉搬送ライン121の取合い詳細を示す。図16で、枚葉搬送ライン120の空間とロック室101aは、ゲート101dで仕切られている。この場合、枚葉搬送ライン120とロック室101aの高さは略同一の高さである。ロック室101a内と処理室101b内とは、ゲート101cで仕切られている。
FOUP500c内に収納されているウエハの情報が、センサーにより読み取られる。読み取られた情報は制御装置に出力される。この場合、FOUP500c内のウエハは、処理速度の遅いウエハである。従って、この場合、処理速度が遅いとの情報がセンサーにより読み取られ、この読み取られた情報が制御装置に出力される。一方、枚葉搬送ライン120aの下側位置にある搬送ライン121のリニア台車121a−2が、ウエハ受け渡し可能な位置に停止させられる。この停止位置と情報はセンサーから制御装置に出力される。リニア台車121a−2のウエハ保持台121bのウエハ押し上げピン121cは、この場合、ウエハ保持台121b内に収納された状態となっている。尚、ウエハ押し上げピンは、この場合3本あり、それぞれはウエハ保持台121bの中心を中心として120°間隔でウエハ保持台121bに配設されている。また、これらピンは所定間隔で昇降動可能となっている。アーム138のすくい部にウエハを有するロボット133は、リニア台車121a−2に対応する位置までレール134上を走行させられる。この走行はロボット133がリニア台車121a−2に対応した位置に到達した時点で、制御装置により停止させられる。この間、ウエハを有するアーム138の、そのすくい部は、リニア台車121a−2に向って移動させられる。リニア台車121a−2の上方位置にアーム138のすくい部にすくわれたウエハWcnが到達した時点で、このアーム138の移動は停止させられる。その後、ウエハ押し上げピン121cが上昇させられる。この上昇は、アーム138のすくい部のウエハWcnの裏面にその頂点が当接した時点で、このウエハ押し上げピンの上昇は停止させられる。これによりウエハWcnは、アーム138のすくい部からウエハ押し上げピンに受け渡される。その後アーム138は、元の位置に戻されて待機させられる。
ロボット133のアーム138からウエハWcnを受け取ったリニア台車121a−2は、処理装置101に対応する位置まで移動させられる。この移動は所定位置にリニア台車121a−2が来たことをセンサーで検知され、制御装置により制御される。
FIG. 16 shows details of the connection between the processing apparatus 101 and the single wafer transfer line 121. In FIG. 16, the space of the single wafer transfer line 120 and the lock chamber 101a are partitioned by a gate 101d. In this case, the height of the single wafer transfer line 120 and the lock chamber 101a is substantially the same height. The lock chamber 101a and the processing chamber 101b are partitioned by a gate 101c.
Information on the wafer stored in the FOUP 500c is read by a sensor. The read information is output to the control device. In this case, the wafer in the FOUP 500c is a wafer having a low processing speed. Accordingly, in this case, information indicating that the processing speed is low is read by the sensor, and the read information is output to the control device. On the other hand, the linear carriage 121a-2 of the transfer line 121 at the lower position of the single wafer transfer line 120a is stopped at a position where the wafer can be delivered. The stop position and information are output from the sensor to the control device. In this case, the wafer push-up pins 121c of the wafer holding table 121b of the linear carriage 121a-2 are stored in the wafer holding table 121b. In this case, there are three wafer push-up pins, and each is arranged on the wafer holding base 121b at an interval of 120 ° with the center of the wafer holding base 121b as the center. These pins can be moved up and down at predetermined intervals. The robot 133 having a wafer at the rake portion of the arm 138 is caused to travel on the rail 134 to a position corresponding to the linear carriage 121a-2. This traveling is stopped by the control device when the robot 133 reaches a position corresponding to the linear carriage 121a-2. During this time, the rake portion of the arm 138 having the wafer is moved toward the linear carriage 121a-2. When the wafer Wcn scooped by the scooping portion of the arm 138 reaches the upper position of the linear carriage 121a-2, the movement of the arm 138 is stopped. Thereafter, the wafer push-up pins 121c are raised. This rise is stopped when the apex of the rake portion of the arm 138 comes into contact with the back surface of the wafer Wcn. As a result, the wafer Wcn is transferred from the scoop portion of the arm 138 to the wafer push-up pins. Thereafter, the arm 138 is returned to the original position and is made to wait.
The linear carriage 121a-2 that has received the wafer Wcn from the arm 138 of the robot 133 is moved to a position corresponding to the processing apparatus 101. This movement is detected by the sensor that the linear carriage 121a-2 has come to a predetermined position, and is controlled by the control device.

図16で、ロック室101a内は、清浄ガス、例えば、窒素ガスが導入され、これによりロック室101a内の圧力は、枚葉搬送ライン120とほぼ同圧に調節される。その後、ゲート101dが開けられる。その後、ロボット11のすくい部11−1が開けられているゲート101dを通って、枚葉搬送ライン120へ繰り出される(矢印607)。一方、処理装置101に対応する位置にあるリニア台車121a−2のウエハ保持台121bに保持されているウエハWcnは、ウエハ押し上げピンの上昇によりウエハ保持台121bからウエハ押し上げピン121cに渡されて保持される。
この状態で、ロボット11のすくい部11−1が、ウエハ押し上げピン121cに保持されているウエハWcnの下方位置に達した時点で、すくい部11−1の動きは停止される(図17(a))。その後、ウエハ押し上げピン121cは下降させられる。この下降により、ウエハWcnはウエハ押し上げピン121cからすくい部11−1に渡される。ウエハWcnを受取ったすくい部11−1は、ゲート101dを通ってロック室101aの元に位置に引き戻される。その後、ゲート101dが閉じられ、ロック室101a内は減圧排気される(図17(b))。ロック室101aの圧力が、処理室101bの圧力とほぼ同圧になった時点でゲート101cが開かれる。この状態でロボット11のすくい部11−1は、ロック室101aから処理室101bへ移動させられる。これによりウエハWcnは、すくい部11−1ですくわれた状態で処理室101bに搬入させられる。さらに、ウエハWcnは処理室101bに内設されている試料台上に渡される。ウエハWcnを渡したすくい部11−1は、ゲート101cを通ってロック室101aに退避させられてロック室101aの元の位置に待機させられる。その後、ゲート101cが閉じられる。この状態で処理室101b内の試料台に載置されたウエハWcnは、処理室101bで所定処理、例えばプラズマエッチング処理される。
In FIG. 16, clean gas, for example, nitrogen gas, is introduced into the lock chamber 101 a, whereby the pressure in the lock chamber 101 a is adjusted to substantially the same pressure as that of the single wafer transfer line 120. Thereafter, the gate 101d is opened. Thereafter, the robot 11 is fed out to the single wafer transfer line 120 through the gate 101d where the rake portion 11-1 of the robot 11 is opened (arrow 607). On the other hand, the wafer Wcn held on the wafer holding table 121b of the linear carriage 121a-2 at the position corresponding to the processing apparatus 101 is transferred from the wafer holding table 121b to the wafer lifting pin 121c and held by the rising of the wafer lifting pin. Is done.
In this state, when the scooping part 11-1 of the robot 11 reaches the position below the wafer Wcn held by the wafer push-up pins 121c, the movement of the scooping part 11-1 is stopped (FIG. 17A). )). Thereafter, the wafer push-up pins 121c are lowered. By this lowering, the wafer Wcn is transferred from the wafer push-up pins 121c to the scooping part 11-1. The scooping part 11-1 that has received the wafer Wcn is pulled back to the position under the lock chamber 101a through the gate 101d. Thereafter, the gate 101d is closed, and the lock chamber 101a is evacuated (FIG. 17B). When the pressure in the lock chamber 101a becomes substantially the same as the pressure in the processing chamber 101b, the gate 101c is opened. In this state, the scooping part 11-1 of the robot 11 is moved from the lock chamber 101a to the processing chamber 101b. As a result, the wafer Wcn is loaded into the processing chamber 101b while being scooped by the scooping portion 11-1. Further, the wafer Wcn is transferred onto a sample table provided in the processing chamber 101b. The scooping portion 11-1 that has passed the wafer Wcn is retracted to the lock chamber 101a through the gate 101c and is kept at the original position of the lock chamber 101a. Thereafter, the gate 101c is closed. In this state, the wafer Wcn placed on the sample stage in the processing chamber 101b is subjected to predetermined processing, for example, plasma etching processing, in the processing chamber 101b.

尚、先に説明した処理室103b内でのウエハWbのプラズマエッチング処理条件と、この場合、処理室101b内でのウエハWcのプラズマエッチング処理条件とは当然異なっている。つまり、処理室103b内でのウエハWbのプラズマエッチング処理条件は、その処理時間が短いような条件であり、一方、処理室101b内でのウエハWcのプラズマエッチング処理条件は、その処理時間が長いようになっている。処理室101bでプラズマエッチング処理が終ったウエハWcnは、上述した搬入操作とは逆の操作により、ゲート101c、ロック室101a,、ゲート101dを順次通過し、枚葉搬送ライン120に搬出されてウエハ押し上げピン121cを介してウエハ保持台121bに受け渡される。
処理室101bでプラズマエッチング処理が終ったウエハWcnを保持したリニア台車121a−2はリニアレール121a−1にガイドされて搬送ライン121を処理室105の方向へ移動させられる。
It should be noted that the plasma etching processing conditions for the wafer Wb in the processing chamber 103b described above and the plasma etching processing conditions for the wafer Wc in the processing chamber 101b in this case are naturally different. In other words, the plasma etching processing conditions for the wafer Wb in the processing chamber 103b are such conditions that the processing time is short, while the plasma etching processing conditions for the wafer Wc in the processing chamber 101b are long in processing time. It is like that. The wafer Wcn that has been subjected to the plasma etching process in the processing chamber 101b sequentially passes through the gate 101c, the lock chamber 101a, and the gate 101d, and is transferred to the single wafer transfer line 120 by the operation opposite to the above-described loading operation. The wafer is transferred to the wafer holding table 121b through the push-up pins 121c.
The linear carriage 121 a-2 holding the wafer Wcn that has been subjected to the plasma etching process in the processing chamber 101 b is guided by the linear rail 121 a-1 to move the transfer line 121 toward the processing chamber 105.

図11、12で、FOUP500c内の次に選択されたウエハWcn+1が、上述した操作と同様の操作によりロボット133のアーム138aのすくい部にすくわれてFOUP500cから抜き出される。この抜き出されたウエハWcn+1は上述した操作と同様の操作によりロボット133のアーム138のすくい部からリニア台車121a−2のウエハ保持台121bに渡される。ウエハ保持台121bにウエハWcn+1を受け取ったリニア台車121a−2は、上述した同様の操作により処理装置101に対応する位置に移動させられて停止される。尚,処理装置101での処理と処理装置105の処理とでは、この場合異なっている。処理装置101でプラズマエッチング処理されたウエハWcnを保持したリニア台車121a−2は、搬送ライン121を処理装置105の方向へ向かって移動させられる。その後、リニア台車121a−2が処理装置105に対応する位置に達した時点で、この移動は停止させられる。リニア台車121a−2に保持されているウエハWcnは処理装置101と同様の操作により、処理装置105の処理室(図示省略)に搬入される。この処理装置に搬入されたウエハWcnは、ここで所定処理、例えば成膜処理(CVD、PVD等)される。成膜処理済のウエハWcnは処理室からゲート(図示省略)、ロック室(図示省略)、ゲート(図示省略)を順次通って枚葉搬送ライン120に搬出される。この搬出されたウエハWcnはリニア台車121a−2のウエハ保持台121bに保持されてロボット133のアーム138にウエハWcnを受け渡し可能な位置にまで移動させられる。その後、リニア台車121a−2のウエハ保持台121bに保持されているウエハWcnは、上述した操作とは逆操作によりロボット133を介してFOUP500cの元の位置に回収される。一方、処理装置101に対応する位置まで移動させられて停止されたリニア台車121a−2のウエハ保持台121bに保持されている次のウエハWcn+1は、上述したウエハWcnの場合と同様の操作により処理装置101の処理室101bに搬入され、ここでプラズマエッチング処理される。その後、処理済ウエハWcn+1は、処理室101bから枚葉搬送ライン120に搬出されリニア台車121a−2のウエハ保持台121bのウエハ保持台121bに渡されて保持される。その後、このリニア台車121a−2は、処理装置105に向かって移動させられる。このようにして、FOUP500c内のウエハは、上述したFOUP500b内のウエハの搬送・処理と平行して、搬送ライン121、処理装置101、102、104、105により1枚ごと順次処理される。この処理済ウエハはFOUP500cに1枚ごと戻され、そして所定の位置に回収される。
以上、FOUP500b内のウエハとFOUP500c内のウエハとの処理装置での処理条件が異なる例につき説明をした。次にFOUP500b、500c内のウエハの処理条件が同じ場合につき説明する。
11 and 12, the wafer Wcn + 1 selected next in the FOUP 500c is scooped by the scooping portion of the arm 138a of the robot 133 and extracted from the FOUP 500c by the same operation as described above. The extracted wafer Wcn + 1 is transferred from the scoop portion of the arm 138 of the robot 133 to the wafer holder 121b of the linear carriage 121a-2 by the same operation as described above. The linear carriage 121a-2 that has received the wafer Wcn + 1 on the wafer holding stage 121b is moved to a position corresponding to the processing apparatus 101 by the same operation as described above and stopped. In this case, the processing in the processing apparatus 101 and the processing in the processing apparatus 105 are different. The linear carriage 121 a-2 holding the wafer Wcn plasma-etched by the processing apparatus 101 is moved along the transfer line 121 toward the processing apparatus 105. Thereafter, when the linear carriage 121a-2 reaches a position corresponding to the processing apparatus 105, the movement is stopped. The wafer Wcn held on the linear carriage 121a-2 is carried into the processing chamber (not shown) of the processing apparatus 105 by the same operation as the processing apparatus 101. The wafer Wcn carried into the processing apparatus is subjected to a predetermined process, for example, a film forming process (CVD, PVD, etc.). The film-formed wafer Wcn is unloaded from the processing chamber to the single wafer transfer line 120 through a gate (not shown), a lock chamber (not shown), and a gate (not shown). The unloaded wafer Wcn is held on the wafer holding base 121b of the linear carriage 121a-2 and moved to a position where the wafer Wcn can be delivered to the arm 138 of the robot 133. Thereafter, the wafer Wcn held on the wafer holding table 121b of the linear carriage 121a-2 is recovered to the original position of the FOUP 500c via the robot 133 by an operation reverse to the above-described operation. On the other hand, the next wafer Wcn + 1 held on the wafer holding table 121b of the linear carriage 121a-2 that has been moved to a position corresponding to the processing apparatus 101 and stopped is processed by the same operation as that of the wafer Wcn described above. It is carried into the processing chamber 101b of the apparatus 101, where plasma etching is performed. Thereafter, the processed wafer Wcn + 1 is unloaded from the processing chamber 101b to the single wafer transfer line 120, and transferred to and held by the wafer holding table 121b of the wafer holding table 121b of the linear carriage 121a-2. Thereafter, the linear carriage 121 a-2 is moved toward the processing device 105. In this way, the wafers in the FOUP 500c are sequentially processed one by one by the transfer line 121 and the processing apparatuses 101, 102, 104, and 105 in parallel with the transfer / processing of the wafer in the FOUP 500b. The processed wafers are returned to the FOUP 500c one by one and collected at a predetermined position.
The example in which the processing conditions in the processing apparatus of the wafer in the FOUP 500b and the wafer in the FOUP 500c are different has been described. Next, a case where the processing conditions of the wafers in the FOUPs 500b and 500c are the same will be described.

図4で、処理装置101〜103が同一の処理装置、例えばプラズマエッチング装置、処理装置104〜106は、例えばプラズマCVD装置とする。処理装置101〜103は同じウエハの処理条件で運転される。処理装置104〜106は同じウエハの処理条件で運転される。図11で、FOUP500bには処理速度の速いウエハが収納されている。またFOUP500c、500dには処理速度の遅いウエハが収納されている。FOUP500bから500dにそれぞれ収納されているウエハの処理装置101〜103及び処理装置104〜106での処理条件等は同じである。   In FIG. 4, the processing apparatuses 101 to 103 are the same processing apparatus, for example, a plasma etching apparatus, and the processing apparatuses 104 to 106 are, for example, a plasma CVD apparatus. The processing apparatuses 101 to 103 are operated under the same wafer processing conditions. The processing apparatuses 104 to 106 are operated under the same wafer processing conditions. In FIG. 11, a wafer having a high processing speed is stored in the FOUP 500b. The FOUPs 500c and 500d store wafers with a low processing speed. The processing conditions and the like of the wafer processing apparatuses 101 to 103 and the processing apparatuses 104 to 106 stored in the FOUPs 500b to 500d are the same.

まず図11、12の状態から先述した操作と同様の操作で、台412のFOUP500bは、台131の空いている載置面にロボット411により搬送されて載置される。次にFOUP500dに収納されているウエハの処理が終了した時点で、このFOUP500dはロボット411により台131から台412の載置面に搬送されて載置される。その後、このAGV410は矢印604又は605方向に移動させられる。FOUP500bに収納されているウエハWb1が上述したような操作によりロボット133で取出され、搬送ライン122のリニア台車122a−2のウエハ保持具122bに渡される。一方、FOUP500bの搬送、載置により処理装置101〜103の中で処理待ちの状態にある処理装置がセンサーにより検知され、この信号は制御装置に出力される。例えば、処理装置101〜103で処理装置102が処理待ち状態にあると検知された場合、先程のウエハWb1を保持したリニア台車122a−2は、処理装置102に対応した位置まで走行させられて停止させられる。このウエハWb1はその後、処理装置102の処理室に搬入され、ここでプラズマエッチング処理される。エッチング処理済のウエハWb1は処理装置102外へ取出されてリニア台車122a−2のウエハ保持具122bに戻される。尚、処理装置101、103ではFOUP500cの処理速度の遅いウエハWcn…の処理が並行して実施される。   First, the FOUP 500b of the table 412 is transported and mounted on the vacant mounting surface of the table 131 by the same operation as described above from the state of FIGS. Next, when the processing of the wafers stored in the FOUP 500d is completed, the FOUP 500d is transferred from the table 131 to the mounting surface of the table 412 by the robot 411 and mounted thereon. Thereafter, the AGV 410 is moved in the direction of the arrow 604 or 605. The wafer Wb1 stored in the FOUP 500b is taken out by the robot 133 by the operation as described above, and transferred to the wafer holder 122b of the linear carriage 122a-2 of the transfer line 122. On the other hand, the processing device in the processing waiting state among the processing devices 101 to 103 is detected by the sensor by the conveyance and placement of the FOUP 500b, and this signal is output to the control device. For example, when the processing apparatuses 101 to 103 detect that the processing apparatus 102 is in a processing waiting state, the linear carriage 122a-2 holding the wafer Wb1 is moved to a position corresponding to the processing apparatus 102 and stopped. Be made. This wafer Wb1 is then carried into the processing chamber of the processing apparatus 102, where it is subjected to plasma etching. The etched wafer Wb1 is taken out of the processing apparatus 102 and returned to the wafer holder 122b of the linear carriage 122a-2. In the processing apparatuses 101 and 103, the processing of the wafer Wcn... With a low processing speed of the FOUP 500c is performed in parallel.

次に、処理装置104〜106で処理待ち状態にある処理装置がセンサーにより検知され、制御装置に出力される。処理装置104〜106の中で、例えば、処理装置104が処理待ちと検知された場合、先程のウエハWb1を保持したリニア台車122a−2は、処理装置104に対応した位置まで走行させられて停止させられる。このウエハWb1は、その後、処理装置104の処理室に搬入され、ここでプラズマCVD処理される。CVD処理済のウエハWb1は処理装置104外へ取出され、リニア台車122a−2のウエハ保持具122bに戻される。   Next, the processing devices waiting for processing in the processing devices 104 to 106 are detected by the sensor and output to the control device. For example, when the processing apparatus 104 is detected as waiting for processing among the processing apparatuses 104 to 106, the linear carriage 122a-2 holding the wafer Wb1 is moved to a position corresponding to the processing apparatus 104 and stopped. Be made. This wafer Wb1 is then carried into the processing chamber of the processing apparatus 104, where it is subjected to plasma CVD processing. The CVD-processed wafer Wb1 is taken out of the processing apparatus 104 and returned to the wafer holder 122b of the linear carriage 122a-2.

尚、処理装置105、106ではFOUP500cの処理速度の遅いウエハWcn…の処理が並行して実施される。処理装置104で処理が終ったウエハWb1は搬送ライン122、ロボット133によりFOUP500bの元の位置に戻され回収される。これとともに処理装置105、106でそれぞれ処理が終ったウエハWcn…は、搬送ライン121、ロボット133により、FOUP500cの元の位置に戻されて回収される。FOUP500bから次のウエハWb2が選択される。一方、処理装置101〜103で処理装置101が処理待ちの状態にある場合、ウエハWb2はロボット133、搬送ライン122により処理装置101の処理室に搬入されてプラズマエッチング処理される。処理装置101での処理が終了したウエハWb2は処理室101外へ取出される。ここで処理装置104〜106の中で、例えば処理装置105が処理待ち状態にある場合、処理装置101で処理が終了したウエハWb2は搬送ライン122により処理装置105まで搬送される。このウエハWb2は処理装置105の処理室内に搬入され、ここでプラズマCVD処理される。処理済のウエハWb2は処理装置105外へ取出され、搬送ライン122、ロボット133によりFOUP500bの元の位置に戻されて回収される。これとともに処理装置104、106では、処理速度の遅いウエハWcn+1…に対するプラズマCVD処理が実施される。これらの処理が終了したウエハWcn+1…は処理装置104、106からそれぞれ取出され、搬送ライン121、ロボット133によりFOUP500c内の所定の位置に戻されて回収される。このようにFOUP500b内のウエハWb1,Wb2……Wbnは処理装置101〜103で処理待ち状態にある処理装置で1枚ごと順次処理される。これらの処理装置で処理が終了したウエハWb1,Wb2……Wbnは、次に処理装置104〜106の中で処理待ち状態にあるいずれかの処理装置でプラズマCVD処理される。これらウエハWb1,Wb2……Wbnのベイ内における搬送は搬送ライン122により実施される。処理装置104〜106のいずれかで処理が終了したウエハWb1,Wb2……Wbnは1枚ごと搬送ライン122、ロボット133によりFOUP500b内の所定の位置に戻され回収される。これとともに、FOUP500c内の処理速度の遅いウエハWcn+1…Wcmの処理が処理装置101〜103のいずれかの装置及び処理装置104〜106のいずれかの装置で順次実施される。この場合、ベイ内でのウエハの搬送は搬送ライン121により行われる。処理装置104〜106のいずれかの装置でプラズマCVD処理が終了したウエハWcn、Wcn+1……Wcmは、搬送ライン121、ロボット133によりFOUP500c内の元の位置に戻されて回収される。   In the processing apparatuses 105 and 106, the processing of the wafer Wcn... With a low processing speed of the FOUP 500c is performed in parallel. The wafer Wb1 processed by the processing apparatus 104 is returned to the original position of the FOUP 500b by the transfer line 122 and the robot 133 and collected. At the same time, the wafers Wcn... Processed by the processing apparatuses 105 and 106 are returned to the original position of the FOUP 500c by the transfer line 121 and the robot 133 and collected. The next wafer Wb2 is selected from the FOUP 500b. On the other hand, when the processing apparatus 101 is waiting for processing in the processing apparatuses 101 to 103, the wafer Wb2 is carried into the processing chamber of the processing apparatus 101 by the robot 133 and the transfer line 122 and subjected to plasma etching. The wafer Wb <b> 2 that has been processed in the processing apparatus 101 is taken out of the processing chamber 101. Here, in the processing apparatuses 104 to 106, for example, when the processing apparatus 105 is in a process waiting state, the wafer Wb 2 that has been processed by the processing apparatus 101 is transferred to the processing apparatus 105 by the transfer line 122. This wafer Wb2 is carried into the processing chamber of the processing apparatus 105, where it is subjected to plasma CVD processing. The processed wafer Wb2 is taken out of the processing apparatus 105, returned to the original position of the FOUP 500b by the transfer line 122 and the robot 133, and collected. At the same time, in the processing apparatuses 104 and 106, plasma CVD processing is performed on the wafers Wcn + 1. The wafers Wcn + 1... After these processes are taken out from the processing apparatuses 104 and 106, returned to a predetermined position in the FOUP 500c by the transfer line 121 and the robot 133, and collected. In this way, the wafers Wb1, Wb2,... Wbn in the FOUP 500b are sequentially processed one by one by the processing apparatus in the processing waiting state in the processing apparatuses 101 to 103. The wafers Wb1, Wb2,... Wbn processed by these processing apparatuses are next subjected to plasma CVD processing in any of the processing apparatuses 104 to 106 that are in a processing waiting state. Transfer of these wafers Wb1, Wb2,... Wbn in the bay is performed by a transfer line 122. Wafers Wb1, Wb2,... Wbn that have been processed by any of the processing apparatuses 104 to 106 are returned to a predetermined position in the FOUP 500b by the transfer line 122 and the robot 133, and collected. At the same time, the processing of the wafers Wcn + 1... Wcm having a low processing speed in the FOUP 500c is sequentially performed in any one of the processing apparatuses 101 to 103 and any one of the processing apparatuses 104 to 106. In this case, the transfer of the wafer in the bay is performed by the transfer line 121. Wafers Wcn, Wcn + 1... Wcm, for which plasma CVD processing has been completed in any of the processing apparatuses 104 to 106, are returned to their original positions in the FOUP 500c by the transfer line 121 and the robot 133 and collected.

図11、12で、FOUP500cが台131のFOUP載置面にAGV410のロボット411により載置されたものとする。FOUP500c内には処理速度が速いウエハ、すなわち処理時間が短いウエハと処理速度が遅いウエハ、すなわち処理時間が長いウエハとが混在されている。ここで、それぞれのウエハの処理室での処理条件は異なっているものとする。まず、図4で処理装置101〜103はプラズマエッチング装置、処理装置104〜106はプラズマCVD装置とする。さらに、プラズマエッチング装置101〜103で、処理装置103が処理時間が短いウエハの処理条件に設定されている。処理装置101、102は、処理時間が長いウエハの処理条件に設定されている。また、処理装置104〜106で、この場合、処理装置104が、処理時間が短いウエハの処理条件に設定されている。処理装置105、106は、処理時間の長いウエハの処理条件に設定されている。また、搬送ライン121が処理時間が長いウエハの搬送に使用され、搬送ライン122が処理時間が短いウエハの搬送に使用される。   11 and 12, it is assumed that the FOUP 500c is placed on the FOUP placement surface of the base 131 by the robot 411 of the AGV 410. In the FOUP 500c, a wafer having a high processing speed, that is, a wafer having a short processing time and a wafer having a low processing speed, that is, a wafer having a long processing time are mixed. Here, it is assumed that the processing conditions in the processing chamber of each wafer are different. First, in FIG. 4, the processing apparatuses 101 to 103 are plasma etching apparatuses, and the processing apparatuses 104 to 106 are plasma CVD apparatuses. Further, in the plasma etching apparatuses 101 to 103, the processing apparatus 103 is set to wafer processing conditions with a short processing time. The processing apparatuses 101 and 102 are set to wafer processing conditions with a long processing time. In the processing apparatuses 104 to 106, in this case, the processing apparatus 104 is set to a wafer processing condition with a short processing time. The processing apparatuses 105 and 106 are set to wafer processing conditions having a long processing time. Further, the transfer line 121 is used for transferring a wafer having a long processing time, and the transfer line 122 is used for transferring a wafer having a short processing time.

図11〜図17で、FOUP 500c内にロボット133のアーム138が挿入される。この時点で、アーム138の上方に位置するウエハ情報がセンサーにより検知され、これは制御装置に出力される。これにより制御装置では、このウエハは、例えば、処理時間が短いウエハWcS1と判定される。この処理時間が短いウエハWcS1は、その後、ロボット133により搬送ライン122のリニア台車122a−2のウエハ保持具122bに渡される。ウエハ保持具122bでウエハWcS1を受け取ったリニア台車122a−2は、搬送ライン122を処理装置103に向かって走行させられる。その後、ウエハWcS1を有するリニア台車122a−2が、処理装置103に対応する位置に到達したことがセンサーで検知され、この走行は停止される。その後、このウエハWcS1は、処理装置103に搬入されプラズマエッチング処理される。プラズマエッチング処理済のWcS1は処理装置103外へ取り出され、リニア台車122a−2のウエハ保持具122bに渡される。その後、そのウエハWcS1を受け取ったリニア台車122a−2は、搬送ライン122より処理装置104に向かって走行させられる。一方、FOUP 500C内にロボット133のアーム138が挿入される。この時点で、アーム138の上方に位置するウエハ情報はセンサーにより検知され、これは制御装置に出力される。これにより制御装置では、このウエハは、例えば、処理速度が遅いウエハと判定される。この処理速度の遅いウエハWcL1は、その後、ロボット133により搬送ライン121のリニア台車121a−2のウエハ保持台121bに渡される。ウエハ保持台121bでウエハWcL1を受け取ったリニア台車121a−2は、搬送ライン121を処理装置102に向かって走行させられる。その後、ウエハWcL1を有するリニア台車121a−2が処理装置102に対応する位置に到着したことがセンサーで検知され、この走行は停止される。その後、このウエハWcL1は、処理装置102に搬入されプラズマエッチング処理される。プラズマエッチング処理済のウエハWcL1は、処理装置102外へ取り出され、リニア台車121a−2のウエハ保持台121bに渡される。その後、そのウエハWcL1を受け取ったリニア台車121a−2は、搬送ライン121より処理装置105に向かって走行させられる。その後、ウエハWcL1は、処理装置105に搬入されプラズマCVD処理される。プラズマCVD処理済のウエハWcL1は、処理装置105外へ取り出され、リニア台車121a−2のウエハ保持具121bに渡される。その後、そのウエハWcL1は、FOUP 500cの元の位置に戻される。一方、FOUP 500c内に、ロボット133のアーム138が挿入される。この時点で、アーム138の上方に位置するウエハ情報はセンサーにより検知され、これは制御装置に出力される。これにより制御装置では、このウエハは、例えば、処理時間が長いウエハと判定される。この処理時間が長いウエハWcL2は、その後、ロボット133により搬送ライン121のリニア台車121a−2のウエハ保持台121bに渡される。ウエハ保持台121bでウエハWcL2を受け取ったリニア台車121a−2は、搬送ライン121を処理装置101に向かって走行させられる。その後、ウエハWcL2を有するリニア台車121a−2が処理装置101に対応する位置に到着したことがセンサーで検知され、この走行は停止される。その後、このウエハWcL2は、処理装置101に搬入されプラズマエッチング処理される。プラズマエッチング処理済のウエハWcL2は、処理装置101外へ取り出され、リニア台車121a−2のウエハ保持台121bに渡される。その後、そのウエハWcL2を受け取ったリニア台車121a−2は、搬送ライン121より処理装置106に向かって走行させられる。その後、ウエハWcL2は、処理装置106に搬入されプラズマCVD処理される。プラズマCVD処理済のウエハWcL2は、処理装置106外へ取り出され、リニア台車121a−2のウエハ保持具121bに渡される。その後、そのウエハWcL2はFOUP 500cの元の位置に戻される。一方、FOUP 500c内にロボット133のアーム138が挿入される。この時点で、アーム138の上方に位置するウエハ情報はセンサーにより検知され、これは制御装置に出力される。これにより制御装置では、ウエハは、例えば、処理時間が短いウエハと判定される。この処理時間が短いウエハWcS2は、その後、ロボット133により搬送ライン122のリニア台車122a−2のウエハ保持具122bに渡される。ウエハ保持具122bでウエハWcS2を受け取ったリニア台車122a−2は、搬送ライン122を処理装置103に向かって走行させられる。その後、ウエハWcS2を有するリニア台車122a−2が処理装置103に対応する位置に到達したことがセンサーで検知され、この走行は停止される。その後、このウエハWcS2は、処理装置103に搬入されプラズマエッチング処理される。このとき、ウエハWcS1は、処理装置104に搬入されプラズマCVD処理される。プラズマCVD処理済のウエハWcS1は、処理装置104外へ取り出され、リニア台車122a−2のウエハ保持具122bに渡される。その後、そのウエハWcS1はFOUP 500cの元の位置に戻される。その後、プラズマエッチング処理済のウエハWcS2は、処理装置103外へ取り出され、リニア台車122a−2のウエハ保持具122bに渡される。その後そのウエハWcS1を受け取ったリニア台車122a−2は、搬送ライン122より処理装置104に向かって走行させられる。この後、ウエハWcS2は、処理装置104に搬入されプラズマCVD処理される。プラズマCVD処理済のウエハWcS2は、処理装置104外へ取り出され、リニア台車122a−2のウエハ保持具122bに渡される。その後、そのウエハWcS2は、FOUP 500Cの元の位置に戻される。
このようにして、FOUP 500cの内の処理時間が短いウエハWcS1、WcS2…WcSnならびに、処理時間が長いウエハWcL1、WcL2…WcLnの枚葉搬送ライン120での搬送処理装置101〜106での処理が順次実施され、そしてFOUP 500Cの元の位置に戻され回収される。
11 to 17, the arm 138 of the robot 133 is inserted into the FOUP 500c. At this time, the wafer information located above the arm 138 is detected by the sensor, and this is output to the control device. As a result, the control apparatus determines that the wafer is, for example, the wafer WcS1 having a short processing time. The wafer WcS1 having a short processing time is then transferred by the robot 133 to the wafer holder 122b of the linear carriage 122a-2 on the transfer line 122. The linear carriage 122a-2 that has received the wafer WcS1 by the wafer holder 122b is caused to travel along the transfer line 122 toward the processing apparatus 103. Thereafter, the sensor detects that the linear carriage 122a-2 having the wafer WcS1 has reached a position corresponding to the processing apparatus 103, and the traveling is stopped. Thereafter, the wafer WcS1 is loaded into the processing apparatus 103 and subjected to plasma etching. The plasma-etched WcS1 is taken out of the processing apparatus 103 and transferred to the wafer holder 122b of the linear carriage 122a-2. Thereafter, the linear carriage 122a-2 that has received the wafer WcS1 is caused to travel toward the processing apparatus 104 from the transfer line 122. On the other hand, the arm 138 of the robot 133 is inserted into the FOUP 500C. At this time, the wafer information located above the arm 138 is detected by the sensor, and this is output to the control device. As a result, the control apparatus determines that the wafer is, for example, a wafer having a low processing speed. The wafer WcL1 having a low processing speed is then transferred by the robot 133 to the wafer holding table 121b of the linear carriage 121a-2 of the transfer line 121. The linear carriage 121a-2 that has received the wafer WcL1 by the wafer holding stage 121b is caused to travel along the transfer line 121 toward the processing apparatus 102. Thereafter, the sensor detects that the linear carriage 121a-2 having the wafer WcL1 has arrived at a position corresponding to the processing apparatus 102, and this traveling is stopped. Thereafter, the wafer WcL1 is loaded into the processing apparatus 102 and subjected to plasma etching. The plasma etched wafer WcL1 is taken out of the processing apparatus 102 and transferred to the wafer holder 121b of the linear carriage 121a-2. Thereafter, the linear carriage 121a-2 that has received the wafer WcL1 is caused to travel from the transfer line 121 toward the processing apparatus 105. Thereafter, the wafer WcL1 is loaded into the processing apparatus 105 and subjected to plasma CVD processing. The plasma CVD processed wafer WcL1 is taken out of the processing apparatus 105 and transferred to the wafer holder 121b of the linear carriage 121a-2. Thereafter, the wafer WcL1 is returned to the original position of the FOUP 500c. On the other hand, the arm 138 of the robot 133 is inserted into the FOUP 500c. At this time, the wafer information located above the arm 138 is detected by the sensor, and this is output to the control device. As a result, the control apparatus determines that the wafer is, for example, a wafer having a long processing time. The wafer WcL2 having a long processing time is then transferred to the wafer holding table 121b of the linear carriage 121a-2 of the transfer line 121 by the robot 133. The linear carriage 121a-2 that has received the wafer WcL2 by the wafer holding stage 121b is caused to travel along the transfer line 121 toward the processing apparatus 101. Thereafter, the sensor detects that the linear carriage 121a-2 having the wafer WcL2 has arrived at a position corresponding to the processing apparatus 101, and the traveling is stopped. Thereafter, the wafer WcL2 is loaded into the processing apparatus 101 and subjected to plasma etching. The plasma etched wafer WcL2 is taken out of the processing apparatus 101 and transferred to the wafer holder 121b of the linear carriage 121a-2. Thereafter, the linear carriage 121a-2 that has received the wafer WcL2 is caused to travel from the transfer line 121 toward the processing apparatus 106. Thereafter, wafer WcL2 is carried into processing apparatus 106 and subjected to plasma CVD processing. The plasma CVD-processed wafer WcL2 is taken out of the processing apparatus 106 and transferred to the wafer holder 121b of the linear carriage 121a-2. Thereafter, the wafer WcL2 is returned to the original position of the FOUP 500c. On the other hand, the arm 138 of the robot 133 is inserted into the FOUP 500c. At this time, the wafer information located above the arm 138 is detected by the sensor, and this is output to the control device. As a result, the control apparatus determines that the wafer is, for example, a wafer with a short processing time. The wafer WcS2 having a short processing time is then delivered to the wafer holder 122b of the linear carriage 122a-2 of the transfer line 122 by the robot 133. The linear carriage 122a-2 that has received the wafer WcS2 by the wafer holder 122b is caused to travel along the transfer line 122 toward the processing apparatus 103. Thereafter, the sensor detects that the linear carriage 122a-2 having the wafer WcS2 has reached a position corresponding to the processing apparatus 103, and the traveling is stopped. Thereafter, the wafer WcS2 is loaded into the processing apparatus 103 and subjected to plasma etching. At this time, the wafer WcS1 is loaded into the processing apparatus 104 and subjected to plasma CVD processing. The plasma CVD processed wafer WcS1 is taken out of the processing apparatus 104 and transferred to the wafer holder 122b of the linear carriage 122a-2. Thereafter, the wafer WcS1 is returned to the original position of the FOUP 500c. Thereafter, the plasma-etched wafer WcS2 is taken out of the processing apparatus 103 and transferred to the wafer holder 122b of the linear carriage 122a-2. Thereafter, the linear carriage 122a-2 that has received the wafer WcS1 is caused to travel from the transfer line 122 toward the processing apparatus 104. Thereafter, wafer WcS2 is carried into processing apparatus 104 and subjected to plasma CVD processing. The plasma CVD processed wafer WcS2 is taken out of the processing apparatus 104 and transferred to the wafer holder 122b of the linear carriage 122a-2. Thereafter, the wafer WcS2 is returned to the original position of the FOUP 500C.
In this way, the wafers WcS1, WcS2,... WcSn in the FOUP 500c having a short processing time and the wafers WcL1, WcL2,. It is carried out sequentially and then returned to the original position of the FOUP 500C and collected.

図11〜図14で、AGV 410の台412に、FOUP 500a、500bが載置されている。この状態でAGV 410は矢印604方向に走行させられる。ベイ100のベイストッカー130に対応した位置に到着した時点でこのAGV 410の走行は停止される。FOUP 500b内には、特急仕様のウエハWhb1、Whb2…Wbhnが収納されている。このウエハの情報にもとづき図4での、処理装置101〜106でこのウエハを処理する装置が選択され加工条件が設定される。この場合、例えば、処理装置101、105は、この特急ウエハの処理に使用される装置として選択される。尚、残りの処理装置102、103、104、106は、FOUP 500c、500d内の処理に継続して使用される。また、枚葉搬送ライン120で特急ウエハを搬送するラインとして、この場合、搬送ライン122が選択される。搬送ライン121では、FOUP 500c、500d内のウエハの搬送が行われる。   In FIGS. 11 to 14, FOUPs 500 a and 500 b are mounted on the base 412 of the AGV 410. In this state, AGV 410 is caused to travel in the direction of arrow 604. When the vehicle arrives at a position corresponding to the bay stocker 130 of the bay 100, the traveling of the AGV 410 is stopped. In the FOUP 500b, limited express wafers Whb1, Whb2,... Wbhn are stored. Based on the wafer information, the processing apparatuses 101 to 106 in FIG. 4 select an apparatus for processing the wafer and set processing conditions. In this case, for example, the processing apparatuses 101 and 105 are selected as apparatuses used for processing this express wafer. The remaining processing devices 102, 103, 104, and 106 are continuously used for processing in the FOUPs 500c and 500d. In this case, the transfer line 122 is selected as a line for transferring the express wafer on the single wafer transfer line 120. In the transfer line 121, the wafers in the FOUPs 500c and 500d are transferred.

図11〜図14でFOUP 500bは、ベイストッカー130の台131のFOUP 500dの右横側のFOUP 載置面に載置される。このFOUP 500bに対応するゲート132cが開けられ、これに伴いFOUP 500bのドア(図示省略)も開けられる。FOUP 500b内にロボット133のアーム138が挿入される。この時点で、アーム138の上方に位置するウエハ情報はセンサーにより検知され、これは制御装置に出力される。これにより制御装置では、このウエハは、例えば、処理速度が特急のウエハと判定される。この処理速度の特急のウエハWbh1は、その後、ロボット133により搬送ライン122のリニア台車122a−2のウエハ保持具122bに渡される。このウエハ保持具122bでウエハWbh1を受け取ったリニア台車122a−2には、搬送ライン122を処理装置101に向かって走行させられる。その後、ウエハWbh1を有するリニア台車122a−2が処理装置101に対応する位置に到達したことがセンサーで検知され、この走行は停止される。その後、このウエハWbh1は、処理装置101に搬入され、ここで、プラズマエッチング処理される。エッチング処理済みのウエハWbh1は、処理装置101外へ取り出され、リニア台車122a−2のウエハ保持具122bに渡される。その後、そのウエハWbh1を受け取ったリニア台車122a−2は、搬送ライン122より処理装置105に向かって走行させられる。この後、ウエハWbh1は、処理装置105に搬入されプラズマCVD処理される。プラズマCVD処理済のウエハWbh1は、処理装置105外へ取り出され、リニア台車122a−2のウエハ保持具122bに渡される。その後、そのウエハWbh1はFOUP 500bの元の位置に戻される。その後、FOUP 500b内にロボット133のアーム138が挿入される。この時点でアーム138の上方に位置するウエハ情報はセンサーにより検知され、これは制御装置に出力される。これにより制御装置では、このウエハは、例えば、処理速度が特急のウエハと判定される。この処理速度の特急のウエハWbh2は、その後、ロボット133により搬送ライン122のリニア台車122a−2のウエハ保持具122bに渡される。このウエハ保持具122bでウエハWbh2を受け取ったリニア台車122a−2は、搬送ライン122を処理装置101に向かって走行させられる。その後、ウエハWbh2を有するリニア台車122a−2が、処理装置101に対応する位置に到達したことがセンサーで検知され、この走行は停止される。その後、このウエハWbh2は、処理装置101に搬入されプラズマエッチング処理される。エッチング処理済みのウエハWbh2は、処理装置101外へ取り出され、リニア台車122a−2のウエハ保持具122bに渡される。その後、そのウエハWbh2を受け取ったリニア台車122a−2は、搬送ライン122より処理装置105に向かって走行させられる。この後、ウエハWbh2は、処理装置105に搬入されプラズマCVD処理される。プラズマCVD処理済のウエハWbh2は、処理装置105外へ取り出され、リニア台車122a−2のウエハ保持具122bに渡される。その後、そのウエハWbh2は、FOUP 500bの元の位置に戻される。FOUP 500bには、これらの特急のウエハが5枚収納されているものとする。残りの3枚の特急のウエハは、先程のウエハWbh1、Wbh2と同様に搬送処理されてFOUP 500bの元の位置に戻される。   11 to 14, the FOUP 500 b is placed on the FOUP placement surface on the right side of the FOUP 500 d of the base 131 of the bay stocker 130. The gate 132c corresponding to the FOUP 500b is opened, and accordingly, the door (not shown) of the FOUP 500b is also opened. The arm 138 of the robot 133 is inserted into the FOUP 500b. At this time, the wafer information located above the arm 138 is detected by the sensor, and this is output to the control device. As a result, the control apparatus determines that the wafer is, for example, a wafer with an express processing speed. The express wafer Wbh1 at this processing speed is then transferred to the wafer holder 122b of the linear carriage 122a-2 of the transfer line 122 by the robot 133. The linear carriage 122a-2 that has received the wafer Wbh1 by the wafer holder 122b is caused to travel along the transfer line 122 toward the processing apparatus 101. Thereafter, the sensor detects that the linear carriage 122a-2 having the wafer Wbh1 has reached a position corresponding to the processing apparatus 101, and the traveling is stopped. Thereafter, the wafer Wbh1 is carried into the processing apparatus 101, where it is subjected to plasma etching. The etched wafer Wbh1 is taken out of the processing apparatus 101 and transferred to the wafer holder 122b of the linear carriage 122a-2. Thereafter, the linear carriage 122a-2 that has received the wafer Wbh1 is caused to travel toward the processing apparatus 105 from the transfer line 122. Thereafter, wafer Wbh1 is loaded into processing apparatus 105 and subjected to plasma CVD processing. The plasma CVD processed wafer Wbh1 is taken out of the processing apparatus 105 and transferred to the wafer holder 122b of the linear carriage 122a-2. Thereafter, the wafer Wbh1 is returned to the original position of the FOUP 500b. Thereafter, the arm 138 of the robot 133 is inserted into the FOUP 500b. At this time, the wafer information located above the arm 138 is detected by the sensor, and this is output to the control device. As a result, the control apparatus determines that the wafer is, for example, a wafer with an express processing speed. The express wafer Wbh2 at this processing speed is then transferred to the wafer holder 122b of the linear carriage 122a-2 of the transfer line 122 by the robot 133. The linear carriage 122a-2 that has received the wafer Wbh2 by the wafer holder 122b is caused to travel along the transfer line 122 toward the processing apparatus 101. Thereafter, the sensor detects that the linear carriage 122a-2 having the wafer Wbh2 has reached a position corresponding to the processing apparatus 101, and the traveling is stopped. Thereafter, the wafer Wbh2 is loaded into the processing apparatus 101 and subjected to plasma etching. The etched wafer Wbh2 is taken out of the processing apparatus 101 and transferred to the wafer holder 122b of the linear carriage 122a-2. Thereafter, the linear carriage 122a-2 that has received the wafer Wbh2 is caused to travel toward the processing apparatus 105 from the transfer line 122. Thereafter, wafer Wbh2 is carried into processing apparatus 105 and subjected to plasma CVD processing. The plasma CVD processed wafer Wbh2 is taken out of the processing apparatus 105 and transferred to the wafer holder 122b of the linear carriage 122a-2. Thereafter, the wafer Wbh2 is returned to the original position of the FOUP 500b. Assume that the FOUP 500b stores five of these express wafers. The remaining three express wafers are transported in the same manner as the previous wafers Wbh1 and Wbh2, and returned to their original positions in the FOUP 500b.

尚、ここでFOUP500dに先程の処理速度が速い、すなわち処理時間が短いウエハか、または、処理速度が遅い、すなわち処理時間が長いウエハのどちらかが収納されているものとする。例えば、処理時間が短いウエハが収納されている場合、このウエハWdSは搬送ライン122で搬送され処理装置103でプラズマエッチング処理、引続き処理装置105でプラズマCVD処理される。その後、処理済ウエハはFOUP500dの元の位置に戻されて回収される。一方、処理時間が長いウエハが収納されている場合、このウエハWdL1は、搬送ライン121で搬送され処理装置101、102でプラズマエッチング処理、引続き処理装置104、106でプラズマCVD処理される。その後、処理済みウエハFOUP500dの元の位置に戻されて回収される。尚、このような処理は、上述したFOUP500c内のウエハの処理の合間(待ち時間)を利用して実施される。この様なことはセンサー、制御装置により円滑に処理される。   In this case, it is assumed that either the wafer having the fast processing speed, that is, the processing time is short, or the wafer having the slow processing speed, that is, the processing time is long, is stored in the FOUP 500d. For example, when a wafer having a short processing time is stored, the wafer WdS is transferred by the transfer line 122 and is subjected to plasma etching processing by the processing apparatus 103 and subsequently plasma CVD processing by the processing apparatus 105. Thereafter, the processed wafer is returned to the original position of the FOUP 500d and collected. On the other hand, when a wafer having a long processing time is stored, this wafer WdL1 is transferred by the transfer line 121 and is subjected to plasma etching processing by the processing apparatuses 101 and 102 and subsequently plasma CVD processing by the processing apparatuses 104 and 106. Thereafter, the processed wafer FOUP 500d is returned to the original position and collected. Such processing is performed by using the interval (waiting time) between wafer processing in the FOUP 500c described above. This is handled smoothly by the sensor and the control device.

この様にして処理が完了したウエハを全て回収したFOUP 500bは、その後、AGV 410の台412に載置される。その後、このAGV 410は、別のベイ等、別の場所へ移動させられる(矢印604または605)。尚、この間FOUP 500cおよび500dにあるウエハは、搬送ライン121により搬送され、その途中、処理装置102または103及び処理装置104または106にて順次処理される。この処理ウエハは、FOUP 500cおよび500dの元の位置に戻される。その後、FOUP 500b内の特急のウエハのベイ100での処理が全て終了した時点で、特急のウエハに対応して選択された処理装置101と105の加工条件がFOUP 500cおよび500d内の加工条件が元に戻される。その後、FOUP 500cおよび500d内の未処理のウエハは、搬入ライン121により搬送され処理装置101〜106により処理される。処理済のウエハはFOUP 500c、500dの元の位置に戻され回収される。   The FOUP 500b that collects all the wafers that have been processed in this manner is then placed on the stage 412 of the AGV 410. The AGV 410 is then moved to another location, such as another bay (arrow 604 or 605). During this time, the wafers in the FOUPs 500c and 500d are transferred by the transfer line 121, and are sequentially processed by the processing apparatus 102 or 103 and the processing apparatus 104 or 106 during the transfer. The processed wafer is returned to the original position of the FOUPs 500c and 500d. Thereafter, when all processing of the express wafer in the FOUP 500b in the bay 100 is completed, the processing conditions of the processing apparatuses 101 and 105 selected corresponding to the express wafer are the processing conditions in the FOUP 500c and 500d. It will be restored. Thereafter, unprocessed wafers in the FOUPs 500c and 500d are transported by the carry-in line 121 and processed by the processing apparatuses 101 to 106. The processed wafer is returned to the original position of the FOUPs 500c and 500d and collected.

以上、本発明の一実施例につき説明をした。
このような一実施例では次のような効果が得られる。
1.処理時間が長いウエハと処理時間が短いウエハとが同じベイ内の搬送ラインに混在したとしても、ベイ内搬送ラインとして、この場合、並搬送可能に2つの搬送ラインを有しているため、処理時間が長いウエハの搬送・処理と処理時間が短いウエハの搬送・処理とを別々に分離して行うことができる。このように、ウエハの加工・処理条件により2つの搬送ラインの使い分けができる、つまり、処理時間が長いウエハと処理時間が短いウエハとの搬送ラインの使い分けができるため、従来技術でのように、ウエハの搬送・処理待ち時間が生じるのを防止できる。つまり従来技術では、搬送時間は処理時間の長い方に律速されるが、本実施例では2つの搬送ラインをそれぞれ個別に使用するため、このような律速が生じない。従って、処理時間が遅くなることがなく、全体のスピードが低下することがなく、ひいてはベイ全体のスループットが低下するのを防ぐことができる。
2.処理条件が同じで、処理時間が長いウエハと処理時間が短いウエハとが同じベイ内の搬送ラインに混在したとしても、ベイ内搬送ラインとして、この場合、並搬送可能に2つの搬送ラインを有しているため、処理時間が長いウエハの搬送・処理と処理時間が短いウエハの搬送・処理とを別々に分離して行うことができる。このように、処理条件が同じでも処理時間が長いウエハと処理時間が短いウエハとの搬送ラインの使い分けができるため、従来技術でのように、ウエハの搬送・処理待ち時間が生じるのを防止できる。つまり従来技術では、搬送時間は、処理時間の長い方に律速されるが、本実施例では2つの搬送ラインをそれぞれ個別に使用するためこのような律速が生じない。従って、処理時間が遅くなることがなく、全体のスピードが低下することがなく、ひいてはベイ全体のスループットが低下するのを防ぐことができる。
3.処理条件が違うもので、処理時間が長いウエハと処理時間が短いウエハとが同じベイ内の搬送ラインに混在したとしても、ベイ内搬送ラインとして、この場合、並搬送可能に2つの搬送ラインを有しているため、処理時間が長いウエハの搬送・処理と処理時間が短いウエハの搬送・処理とを別々に分離して行うことができる。このように、処理条件が違うもので、処理時間が長いウエハと処理時間が短いウエハとの搬送ラインの使い分けがげきるため、従来技術でのような、ウエハの搬送処理待ち時間が生じるのを防止できる。つまり従来技術では、搬送時間は処理時間の長い方に律速されるが、本実施例では2つの搬送ラインをそれぞれ個別に使用するためこのような律速が生じない。従って、処理時間が遅くなることがなく、全体のスピードが低下することがなく、ひいてはベイ全体のスループットが低下するのを防ぐことができる。
The embodiment of the present invention has been described above.
In such an embodiment, the following effects can be obtained.
1. Even if a wafer having a long processing time and a wafer having a short processing time are mixed in a transfer line in the same bay, the transfer line in the bay has two transfer lines that can be transferred in parallel in this case. The transfer and processing of a wafer with a long time and the transfer and processing of a wafer with a short processing time can be performed separately. In this way, the two transfer lines can be properly used depending on the processing / processing conditions of the wafer, that is, the transfer line for the wafer having a long processing time and the wafer having a short processing time can be used properly. It is possible to prevent the wafer transfer / processing waiting time from occurring. That is, in the prior art, the conveyance time is limited to the longer processing time, but in this embodiment, since two conveyance lines are used individually, such a rate limitation does not occur. Therefore, the processing time is not delayed, the overall speed is not lowered, and consequently the throughput of the entire bay can be prevented from being lowered.
2. Even if a wafer with a long processing time and a wafer with a short processing time are mixed in the transfer line in the same bay, the transfer line in the bay has two transfer lines that can be transferred in parallel. Therefore, the transfer / processing of a wafer having a long processing time and the transfer / processing of a wafer having a short processing time can be performed separately. In this way, even if the processing conditions are the same, a transfer line for a wafer having a long processing time and a wafer having a short processing time can be selectively used, so that it is possible to prevent a wafer transfer / processing waiting time from occurring as in the prior art. . That is, in the prior art, the transport time is limited to the longer processing time. However, in this embodiment, since the two transport lines are used individually, such a speed limit does not occur. Therefore, the processing time is not delayed, the overall speed is not lowered, and the overall throughput of the bay can be prevented from being lowered.
3. Even if a wafer with a long processing time and a wafer with a short processing time are mixed in the same bay transport line because of different processing conditions, the two transport lines can be transported in parallel in this case. Therefore, wafer transfer / processing with a long processing time and wafer transfer / processing with a short processing time can be separately performed. In this way, because the processing conditions are different and the transfer line for a wafer with a long processing time and a wafer with a short processing time can be used properly, there is a waiting time for wafer transfer processing as in the prior art. Can be prevented. That is, in the prior art, the transport time is limited to the longer processing time, but in this embodiment, since the two transport lines are used individually, such speed control does not occur. Therefore, the processing time is not delayed, the overall speed is not lowered, and the overall throughput of the bay can be prevented from being lowered.

4.同一FOUP内に処理内容が違うウエハが混在した場合で、処理時間が長いウエハと処理時間が短いウエハとが同じベイ内の搬送ラインに混在したとしても、ベイ内搬送ラインとして、この場合、並搬送可能に2つの搬送ラインを有しているため、処理時間が長いウエハの搬送・処理と処理時間が短いウエハの搬送・処理とを別々に分離して行うことができる。このように、同一FOUP内であって処理時間が違う処理時間が長いウエハと処理時間が短いウエハとの搬送ラインの使い分けを有するため、従来技術でのような、ウエハの搬送処理待ち時間が生じるのを防止できる。つまり、従来技術では、搬送時間は処理時間の長い方に律速されるが、本実施例では2つの搬送ラインをそれぞれ個別に使用するため、このような律速が生じない。従って、処理時間が遅くなることがなく、全体のスピードが低下することがなく、ひいてはベイ全体のスループットが低下するのを防ぐことができる。
5.特急のウエハ処理で、処理時間が長いウエハと処理時間が短いウエハとが同じベイ内の搬送ラインに混在したとしても、ベイ内搬送ラインとして、この場合、並搬送可能に2つの搬送ラインを有しているため、処理時間が長いウエハの搬送・処理と処理時間が短いウエハの搬送・処理とを別々に分離して行うことができる。このように、処理時間が長いウエハと処理時間が短いウエハとの搬送ラインの使い分けができるため、従来技術でのような、ウエハの搬送処理待ち時間が生じるのを防止できる。つまり従来技術では、搬送時間は、処理時間の長い方に律速されるが、本実施例では、2つの搬送ラインをそれぞれ個別に使用するためこのような律速が生じない。従って、処理時間が遅くなることがなく、全体のスピードが低下することがなく、ひいてはベイ全体のスループットが低下するのを防ぐことができる。
4). When wafers with different processing contents are mixed in the same FOUP, even if a wafer with a long processing time and a wafer with a short processing time are mixed in the transfer line in the same bay, as a transfer line in the bay, Since the two transfer lines are provided so that transfer is possible, transfer / processing of a wafer with a long processing time and transfer / processing of a wafer with a short processing time can be performed separately. As described above, since the transfer lines for the wafer having the long processing time and the wafer having the short processing time are used in the same FOUP, the wafer transfer processing waiting time as in the prior art occurs. Can be prevented. In other words, in the prior art, the transport time is limited to the longer processing time, but in this embodiment, since two transport lines are used individually, such a speed limit does not occur. Therefore, the processing time is not delayed, the overall speed is not lowered, and the overall throughput of the bay can be prevented from being lowered.
5). Even if a wafer with a long processing time and a wafer with a short processing time are mixed in a transfer line in the same bay during express wafer processing, the transfer line in the bay has two transfer lines that can be transferred in parallel. Therefore, wafer transfer / processing with a long processing time and wafer transfer / processing with a short processing time can be separately performed. As described above, since the transfer line for a wafer having a long processing time and a wafer having a short processing time can be selectively used, it is possible to prevent occurrence of a wafer transfer processing waiting time as in the prior art. That is, in the prior art, the transport time is limited to the longer processing time. However, in this embodiment, since the two transport lines are used individually, such a speed limit does not occur. Therefore, the processing time is not delayed, the overall speed is not lowered, and the overall throughput of the bay can be prevented from being lowered.

更に、このような一実施例では、次のような効果も得られる。
6.枚葉搬送ラインが、この場合、並搬送可能に2つの搬送ラインで構成され、しかも、この2つの搬送ラインが、上下位置でセットされた構造であるため、もう1つの搬送ラインに追設によるクリーンルーム占有床面積(フットプリント)の増大も抑制することができる。このため、フットプリント当りのスループットの低下を防止することができる。
7.枚葉搬送ラインを構成する、この場合、上下2つの搬送ラインの搬送空間が、清浄ガス雰囲気に保持される構造のため、これが設置されるクリーンルームの清浄度をより低く緩和できる。このため、クリーンルームも建造費を節減できる。
8.ベイ間搬送ラインとベイ内搬送ライン(枚葉搬送ライン)とを大気ローダタイプのベイストッカーで連結した構造であるため、ベイ間搬送ラインとベイストッカーとの間でのFOUPの取扱いを自動化・容易化できる。
9.ベイストッカーを大気ローダ(大気−清浄ガス雰囲気間ローダ)で構成すれば良く、ベイ内の各処理装置毎に大気ローダ部を設ける必要がないため、装置構成を簡略化でき、その設備費を低減することができる。
Furthermore, in such an embodiment, the following effects can also be obtained.
6). In this case, the single wafer transfer line is composed of two transfer lines so that they can be transferred in parallel, and the two transfer lines are set at the upper and lower positions. An increase in the floor area (footprint) occupied by the clean room can also be suppressed. For this reason, a decrease in throughput per footprint can be prevented.
7). In this case, the transport space of the upper and lower transport lines constituting the single wafer transport line is maintained in a clean gas atmosphere, so that the cleanliness of the clean room in which the transport space is installed can be further reduced. For this reason, a clean room can also reduce construction costs.
8). The bay-to-bay transportation line and the bay transportation line are connected by an atmospheric loader type bay stocker. Can be
9. The bay stocker only needs to be configured with an atmospheric loader (loader between the atmosphere and clean gas atmosphere), and it is not necessary to provide an atmospheric loader section for each processing device in the bay. can do.

10.ベイストッカーの大気ローダ部の清浄ガス雰囲気と枚葉搬送ラインの搬送空間の洗浄ガス雰囲気とが連通しているため、これら空間に清浄ガスを供給する装置を集約でき、これによる設備費及び運転費を節減することができる。
11.枚葉搬送ラインを構成する二つの搬送ラインが、この場合上下位置でセットされ、そして、それぞれの搬送ラインと対応する処理装置との間でウエハが独立して受渡しできるため、それぞれの搬送ラインでのウエハの搬送、それぞれの搬送ラインと対応する処理装置との間でのウエハの受渡し及び各処理装置でのウエハの処理をスムーズに行うことができる。これにより、処理時間が違うウエハが混在した場合でも、特急処理が必要なウエハが来た場合でもベイ内のスループット及び全体でのスループットの低下を抑制できる。
12.本実施例では、枚葉搬送ラインの空間の高さと各処理室のロック室の高さが略同一高さであるため、枚葉搬送ラインに、各処理装置を特別なインターフェース部を用いなくとも連設できる。したがって、各ベイの構築が容易になり、各ベイの構築に要する時間を短縮でき、その費用を節減できる。
10. The clean gas atmosphere in the air loader section of the bay stocker communicates with the cleaning gas atmosphere in the transfer space of the single wafer transfer line. Can be saved.
11. In this case, the two transfer lines constituting the single wafer transfer line are set at the upper and lower positions, and the wafer can be transferred independently between each transfer line and the corresponding processing apparatus. It is possible to smoothly transfer the wafers, transfer the wafers between the respective transfer lines and the corresponding processing apparatuses, and process the wafers in the respective processing apparatuses. Thereby, even when wafers with different processing times are mixed, even when a wafer that requires express processing comes, it is possible to suppress a decrease in throughput in the bay and overall throughput.
12 In this embodiment, the height of the space of the single wafer transfer line and the height of the lock chamber of each processing chamber are substantially the same, so that each processing apparatus is not used in the single wafer transfer line without using a special interface unit. Can be installed continuously. Therefore, construction of each bay becomes easy, the time required for construction of each bay can be shortened, and the cost can be reduced.

尚、上記の一実施例で、枚葉搬送ラインに故障を検知する故障検知装置を取り付けるようにする(図4)。このような構成で、例えば、搬送ライン121が、何らかの原因で故障した場合、この故障が、故障検知装置で直ちに検知される。この検知信号は、制御装置(図示省略)に送られ、これにより、例えば、搬送ライン122の作動が開始される。このため、このような異常事態が発生しても、ベイ内でのウエハの枚葉搬送は、停止されることなく継続される。従って、各処理装置での処理を停止することなく継続して処理・搬送でき、ベイ内での全ての作業がスムーズに実施される。さらに、このようにベイ内でのウエハの搬送・処理がストップされることがないので、他の関係するベイでのウエハの搬送・処理を全てストップさせずに実施することができる。   In the above-described embodiment, a failure detection device for detecting a failure is attached to the single wafer conveyance line (FIG. 4). With such a configuration, for example, when the conveyance line 121 fails for some reason, this failure is immediately detected by the failure detection device. This detection signal is sent to a control device (not shown), whereby, for example, the operation of the transport line 122 is started. For this reason, even if such an abnormal situation occurs, the wafer single wafer transfer in the bay is continued without being stopped. Accordingly, the processing in each processing apparatus can be continuously processed and transported without stopping, and all operations in the bay are smoothly performed. Further, since the wafer conveyance / processing in the bay is not stopped in this way, the wafer conveyance / processing in other related bays can be performed without stopping.

また、上記の一実施例では、枚葉搬送ラインを上下位置にそれぞれ配置された搬送ラインの組合わせで構成したが、この他に例えば、下側位置の搬送ラインは一実施例と同じものを使用し、そして上側位置の搬送ラインにOHTを使用するようにしても良い。   Further, in the above-described embodiment, the single-wafer transport line is configured by a combination of the transport lines arranged at the upper and lower positions. For example, the transport line at the lower position is the same as that of the first embodiment. And OHT may be used for the transport line at the upper position.

図18、図19は、本発明の第2の実施例を示すものである。図18、図19で本発明の一実施例を示す図4、図6、図7、図14等と異なる点は、枚葉搬送ライン120bが、この場合、ループ状の搬送ライン121とその長手方向中央部に配置された直線上の搬送ライン123とで構成されている点である。
図18で処理装置101〜106が、搬送ライン121の長手搬送方向並びに搬送ライン123の搬送方向に沿って、その両側に各3台毎それぞれ配置されている。
図18で、搬送ライン123にはウエハのすくい部を有するロボット123−1、123−2が、この場合、2台、搬送ライン123の搬送方向の両サイドに1台ずつ可動に配置されている。
18 and 19 show a second embodiment of the present invention. 18 and 19 are different from FIGS. 4, 6, 7 and 14 showing one embodiment of the present invention in that the single wafer transfer line 120b has a loop-like transfer line 121 and its longitudinal length. It is a point comprised with the conveyance line 123 on the straight line arrange | positioned in the direction center part.
In FIG. 18, the processing apparatuses 101 to 106 are arranged on each side of the three units along the longitudinal conveyance direction of the conveyance line 121 and the conveyance direction of the conveyance line 123.
In FIG. 18, in this case, two robots 123-1 and 123-2 having a wafer scooping portion are movably disposed on both sides of the transfer line 123 in the transfer direction. .

図19で、搬送ライン121のループ状の搬送室700の底壁部には、例えば、上記一実施例と同様にリニアレール121a−1、リニア台車121a−2でなる移動体121aが設けられている。この移動体121aのリニア台車121a−2にはウエハ保持台121bが設けられている。ここで、移動体121a、ウエハ保持台121bは、上記一実施例のそれらと同様であるため、詳細な説明を省略する。
図19で、搬送室700の各々対面するサイドにはゲート701a、701bが設けられている。そして、これとは反対サイドには、例えば、ロック室102a、105aがゲート102d、105dを介してそれぞれ設けられている。ロック室102a、105aの中にはすくい部12−1、15−1を有したロボット12、15がそれぞれ配置されている。ロック室102a、105aにはゲート102c、105cを介してそれぞれ処理室102b、105bが設けられている。尚、図19で、その他の構成等については上記一実施例を示す図13でのそれらと同様であり、詳細な説明を省略する。図19で、搬送室700内には、清浄ガス、例えば窒素ガスが供給され、窒素ガス雰囲気に保持されている。
In FIG. 19, a moving body 121a including a linear rail 121a-1 and a linear carriage 121a-2 is provided on the bottom wall portion of the loop-shaped transfer chamber 700 of the transfer line 121, for example, as in the above embodiment. Yes. The linear carriage 121a-2 of the moving body 121a is provided with a wafer holding base 121b. Here, since the moving body 121a and the wafer holding base 121b are the same as those in the above-described embodiment, detailed description thereof is omitted.
In FIG. 19, gates 701 a and 701 b are provided on the facing sides of the transfer chamber 700. On the opposite side, for example, lock chambers 102a and 105a are provided via gates 102d and 105d, respectively. Robots 12 and 15 having rake portions 12-1 and 15-1 are arranged in the lock chambers 102a and 105a, respectively. The lock chambers 102a and 105a are provided with process chambers 102b and 105b through gates 102c and 105c, respectively. In FIG. 19, the other configurations are the same as those in FIG. 13 showing the above-described embodiment, and detailed description thereof is omitted. In FIG. 19, clean gas, for example, nitrogen gas, is supplied into the transfer chamber 700 and maintained in a nitrogen gas atmosphere.

図19で、搬送ライン123をその内部に含む搬送室702が設けられている。搬送室702の、この場合、頂壁部には搬送ライン123が設けられている。つまり、搬送室702の頂壁部には移動体123aが設けられている。この移動体123aには非接触移動体、この場合、リニアレール123a−1とリニア台車123a−2とでなる移動体123aが用いられる。搬送室702の頂壁部には、リニアレール123a−1が設けられている。リニア台車123a−2は、リニアレール123a−1にガイドされ移動可能に設けられている。リニア台車123a−2には、ウエハのすくい部を有するロボット123−2が設けられている。搬送室702内の雰囲気は大気雰囲気であっても清浄ガス雰囲気であっても良い。   In FIG. 19, a transfer chamber 702 including the transfer line 123 therein is provided. In this case, a transfer line 123 is provided on the top wall of the transfer chamber 702. That is, the moving body 123 a is provided on the top wall portion of the transfer chamber 702. As the moving body 123a, a non-contact moving body, in this case, a moving body 123a including a linear rail 123a-1 and a linear carriage 123a-2 is used. A linear rail 123 a-1 is provided on the top wall portion of the transfer chamber 702. The linear carriage 123a-2 is guided and moved by the linear rail 123a-1. The linear carriage 123a-2 is provided with a robot 123-2 having a wafer rake portion. The atmosphere in the transfer chamber 702 may be an air atmosphere or a clean gas atmosphere.

図18、図19で、ベイストッカー部130で所定のウエハを受け取った直線状の搬送ライン123のロボット123−2は、リニア台車123a−2を移動させることで搬送ライン123を直線状に移動させられる。その後、この移動は、所定の処理装置に対応する位置にリニア台車123a−2が到達した時点で停止させられる。その後、すくい部にウエハを有するロボット123−2は搬送室702の底壁に向かって下降させられる。この下降は、ロック室102aのロボット12のウエハのすくい部12−1との間でウエハを受け渡し可能な高さで停止させられる。その後、ゲート701aが開けられ、ウエハを有するすくい部はゲート701aを通して搬送室700内に繰り出され停止させられる。一方、ゲート102dが開けられ、ロック室102aのロボット12のすくい部12−1がゲート102dを通して搬送室700内に繰り出され、ウエハの受け渡しのために停止させられる。すくい部からウエハを渡したロボット123−2はゲート701aを通って引き戻され、その後、元の位置(高さ)に戻されて待機させられる。ウエハを受け取ったロボット12のすくい部12−1は、ゲート102dを通ってロック室102a内に引き戻される。その後、ゲート102dが閉じられ、ロック室102a内は処理室102b内と同圧力に減圧排気される。その後、ゲート102cが開けられ、ウエハは、ロック室102aから処理室102bへ搬送され、ここで所定処理される。尚、処理後のウエハは上記操作と逆操作によりベイストッカー部130に戻される。
図18で直線状の搬送ライン123のもう一つのロボット123−1も同様の構成、作用をなすので、詳細説明を省略する。
図18で、例えば、左側に配置されたロボット123−1が、左辺部及び中央部に配置された処理装置を受持ち、また、右側に配置されたロボット123−2が右辺部及び中央部に配置された処理装置を受持つよう制御しても良い。
18 and 19, the robot 123-2 of the linear transfer line 123 that has received a predetermined wafer by the bay stocker unit 130 moves the transfer line 123 linearly by moving the linear carriage 123a-2. It is done. Thereafter, this movement is stopped when the linear carriage 123a-2 reaches a position corresponding to a predetermined processing apparatus. Thereafter, the robot 123-2 having the wafer in the rake portion is lowered toward the bottom wall of the transfer chamber 702. This lowering is stopped at a height at which the wafer can be delivered to and from the wafer scoop portion 12-1 of the robot 12 in the lock chamber 102a. Thereafter, the gate 701a is opened, and the scooping portion having the wafer is drawn into the transfer chamber 700 through the gate 701a and stopped. On the other hand, the gate 102d is opened, and the scooping portion 12-1 of the robot 12 in the lock chamber 102a is fed into the transfer chamber 700 through the gate 102d and stopped for wafer transfer. The robot 123-2 that has transferred the wafer from the scooping portion is pulled back through the gate 701a, and then returned to the original position (height) and waited. The scooping portion 12-1 of the robot 12 that has received the wafer is pulled back into the lock chamber 102a through the gate 102d. Thereafter, the gate 102d is closed, and the lock chamber 102a is evacuated to the same pressure as that in the processing chamber 102b. Thereafter, the gate 102c is opened, and the wafer is transferred from the lock chamber 102a to the processing chamber 102b where it is subjected to predetermined processing. The processed wafer is returned to the bay stocker unit 130 by the reverse operation to the above operation.
In FIG. 18, the other robot 123-1 of the linear transfer line 123 has the same configuration and action, and thus detailed description thereof is omitted.
In FIG. 18, for example, the robot 123-1 arranged on the left side has a processing device arranged on the left side and the center, and the robot 123-2 arranged on the right side is arranged on the right side and the center. You may control to handle the processed apparatus.

図18、図19で、例えば、
A.ベイ内での各処理装置毎にウエハの処理が異なる場合でも、ループ状の搬送ラインと直線状の搬送ラインとを使い分けることで、ベイ内でのウエハの搬送及びウエハ搬送装置と各処理装置とのウエハの取合いがウエハの処理が異なることに律速されるのを防止でき、これによってスループットの低下を抑制することができる。
B.ウエハの処理内容が、例えば、FOUP毎に異なっている場合でも、ループ状の搬送ラインと直線状の搬送ラインとを使い分けることで、ベイ内でのウエハの搬送及びウエハ搬送装置と各処理装置とのウエハの取合いがFOUP毎にウエハの処理内容が異なっていたとしても、これに律速されるのを防止でき、これによりスループットの低下を抑制することができる。
C.ベイ内でのウエハの処理が同一の場合に生じる危険性がある、ベイ内搬送装置と各処理装置とのウエハの取合い及びベイ内でのウエハの搬送の混乱を、ループ状の搬送ラインと直線状の搬送ラインとを使い分けることで防止でき、これによってベイ内でのスループットの低下を抑制することができる。
18 and 19, for example,
A. Even when wafer processing is different for each processing apparatus in the bay, by using a loop-shaped transfer line and a linear transfer line properly, the wafer transfer in the bay and the wafer transfer apparatus and each processing apparatus It is possible to prevent the wafer handling of the wafers from being rate-limited by different wafer processing, thereby suppressing a decrease in throughput.
B. For example, even when the processing contents of a wafer are different for each FOUP, by using a loop-shaped transfer line and a straight-line transfer line properly, the wafer transfer in the bay and the wafer transfer apparatus and each processing apparatus Even if the wafer handling is different for each FOUP, it is possible to prevent the wafer handling from being limited by this, thereby suppressing a decrease in throughput.
C. There is a danger that occurs when the wafer processing in the bay is the same. The wafer transfer between the transfer device and each processing device in the bay and the wafer transfer in the bay may be confused with the loop transfer line. This can be prevented by properly using the line-shaped transport line, and this can suppress a decrease in throughput in the bay.

D.処理時間の違うウエハが混在した場合でも、ループ状の搬送ラインと直線状の搬送ラインとを使い分けることで、処理時間の短いウエハと処理時間の長いウエハとの使い分けができるため、スループットの低下を抑制することができる。
E.多品種少量生産の場合、特急を要するウエハが来た場合、例えば、直線状の搬送ラインを活用することで、特急を要するウエハの搬送処理を普通に処理されるウエハの搬送処理と独立して行うことができるため、そのウエハの処理に時間がかかるのを防止でき、スループットの低下を抑制することができる。
F.ウエハ搬送ラインが故障してもループ状の搬送ラインと直線状の搬送ラインとのどちらかを使用できるので、ベイ内処理や他のベイでの処理がストップするのを防止できる。
G.枚葉搬送ラインが、この場合、ループ状の搬送ラインと直線状の搬送ラインの二つの搬送ラインで構成され、しかも、直線状の搬送ラインをループ状搬送ラインの設置範囲内で追設できるため、フットプリントの増大を抑制でき、フットプリント当たりのスループットの低下を防止することができる。
また、本実施例では、上記一実施例に比べ、直線状の搬送ラインとしたため、枚葉搬送ラインの構成、構造がより簡単となり、その追設費用を削減することができる。
尚、その他、上記一実施例の効果と同様の効果を得ることができる。
D. Even when wafers with different processing times are mixed, by using a loop-shaped transfer line and a linear transfer line properly, it is possible to selectively use a wafer with a short processing time and a wafer with a long processing time. Can be suppressed.
E. In the case of high-mix low-volume production, when a wafer that requires an express train arrives, for example, by utilizing a linear transport line, the wafer transport process requiring an express train is performed independently of the wafer transport process that is normally processed. Since it can be performed, it is possible to prevent the processing of the wafer from taking time and to suppress a decrease in throughput.
F. Even if the wafer transfer line breaks down, either the loop transfer line or the straight transfer line can be used, so that it is possible to prevent the processing in the bay or the processing in another bay from stopping.
G. In this case, the single wafer conveyance line is composed of two conveyance lines, a loop conveyance line and a linear conveyance line, and the linear conveyance line can be additionally installed within the installation range of the loop conveyance line. Thus, an increase in footprint can be suppressed, and a decrease in throughput per footprint can be prevented.
Further, in this embodiment, since the straight conveyance line is used as compared with the above-described one embodiment, the configuration and structure of the single wafer conveyance line becomes simpler, and the additional cost can be reduced.
In addition, the same effects as those of the above-described one embodiment can be obtained.

図20、図21は本発明の第3の実施例を示すものである。図20、図21で、本発明の一実施例を示す図4、図6、図7、図14等と異なる点は、枚葉搬送ラインが、この場合、直線状の搬送ラインと、同じく直線状の搬送ラインとで構成されている点である。
図20、図21で、この場合、各搬送ライン124、125は上下の位置関係にあり、搬送ライン125が下側位置、搬送ライン124が上側位置にセットされた構造となっている。更に、図20で、このような枚葉搬送ライン120bはベイ間搬送ライン400a、400bに挟まれて設置されており、それぞれと対応にその両端部にはベイストッカー部130a、130bが設けられている。
図20、図21で、このような枚葉搬送ライン120bの具体的な構造は、先の一実施例を示した図6、図7と略同様であり、詳細な説明を省略する。また、図20で、この場合、6台の処理装置101〜106が枚葉搬送ラインにそれの搬送方向に対してその両側に各3台それぞれ配置されている。
更に、ベイ間搬送ライン、ベイストッカー部の構成、これと枚葉搬送ラインとの取り合い構造、及び枚葉搬送ラインと各処理装置との取り合い構造は、例えば、先に説明した一実施例のそれらと略同様であり、詳細説明を省略する。
20 and 21 show a third embodiment of the present invention. 20 and 21 are different from FIGS. 4, 6, 7, 14, etc. showing one embodiment of the present invention in that the single wafer transfer line is the same as the straight transfer line in this case. It is a point comprised by the shape-like conveyance line.
20 and FIG. 21, in this case, the transport lines 124 and 125 are in a vertical positional relationship, and the transport line 125 is set at the lower position and the transport line 124 is set at the upper position. Furthermore, in FIG. 20, such a single wafer transfer line 120b is installed between the interbay transfer lines 400a and 400b, and bay stocker sections 130a and 130b are provided at both ends corresponding to each. Yes.
20 and 21, the specific structure of such a single wafer transfer line 120b is substantially the same as FIGS. 6 and 7 showing the previous embodiment, and detailed description thereof is omitted. In FIG. 20, in this case, six processing apparatuses 101 to 106 are arranged on each side of the single wafer conveyance line on the both sides with respect to the conveyance direction.
Furthermore, the configuration of the interbay transport line, the configuration of the bay stocker unit, the connection structure between this and the single wafer transfer line, and the connection structure between the single wafer transfer line and each processing apparatus are, for example, those of the embodiment described above. The detailed description is omitted.

図20、図21で、例えば、
A.ベイ内での各処理装置毎にウエハの処理が異なる場合でも、二つの直線状の搬送ラインを使い分けることで、ベイ内でのウエハの搬送及びウエハ搬送装置と各処理装置とのウエハの取り合いが、ウエハの処理が異なることにより律速されるのを防止でき、これによってスループットの低下を抑制することができる。
B.ウエハの処理室内が、例えば、FOUP毎に異なっている場合でも、二つの直線状の搬送ラインを使い分けることで、ベイ内でのウエハの搬送、及びウエハ搬送装置と各処理装置とのウエハの取り合いが、FOUP毎にウエハの処理内容が異なっていたとしても、これによって律速されるのを防止でき、これによってベイ内でのスループットの低下を抑制することができる。
C.ベイ内でのウエハの処理が同一の場合に生じる危険性があるベイ内搬送装置と各処理装置とのウエハの取り合い及びベイ内でのウエハの搬送の混乱を、二つの直線状の搬送ラインを使い分けることで防止でき、これによってベイ内でのスループットの低下を抑制することができる。
20 and 21, for example,
A. Even when wafer processing is different for each processing device in the bay, by using two linear transfer lines properly, wafer transfer in the bay and wafer handling between the wafer transfer device and each processing device can be performed. Therefore, it is possible to prevent the wafer from being rate-limited by different processing of the wafer, thereby suppressing a reduction in throughput.
B. Even when the wafer processing chamber is different for each FOUP, for example, by using two linear transfer lines properly, wafer transfer in the bay and wafer interaction between the wafer transfer apparatus and each processing apparatus However, even if the processing contents of the wafer are different for each FOUP, it is possible to prevent the rate from being limited by this, and it is possible to suppress a decrease in throughput in the bay.
C. There is a risk that the wafer processing in the bay may occur when the wafer processing is the same. It can be prevented by properly using it, and this can suppress a decrease in throughput in the bay.

D.処理時間の違うウエハが混在した場合でも、二つの直線状の搬送ラインを使い分けることで、処理時間の短いウエハと処理時間の長いウエハとの使い分けができるため、スループットの低下を抑制することができる。
E.多品種少量生産の場合、特急を要するウエハが来た場合、例えば、直線状の搬送ラインのいずれか一方を活用することで、特急を要するウエハの搬送処理を普通に処理されるウエハの搬送処理と独立して行うことができるため、そのウエハの処理に時間がかかるのを防止でき、スループットの低下を抑制することができる。
F.ウエハ搬送ラインが故障しても直線状の搬送ラインのどちらかを使用できるので、ベイ内でのウエハの搬送、処理や他のベイでの処理がストップするのを防止できる。
D. Even when wafers with different processing times are mixed, by using two linear transfer lines, it is possible to selectively use a wafer with a short processing time and a wafer with a long processing time, thereby suppressing a decrease in throughput. .
E. In the case of high-mix low-volume production, when a wafer that requires an express train arrives, for example, by using one of the linear transport lines, the wafer transport process that requires an express train is processed normally. Therefore, it is possible to prevent the processing of the wafer from taking time and suppress a decrease in throughput.
F. Even if the wafer transfer line breaks down, either one of the linear transfer lines can be used, so that it is possible to prevent wafer transfer and processing in the bay and processing in other bays from being stopped.

また、本実施例では、上記一実施例、第2の実施例に比べ、枚葉搬送ラインを、この場合、二つの直線状の搬送ラインで構成できるため、フットプリントの増大を更に抑制でき、フットプリント当たりのスループットの低下を更に防止することができる。また、枚葉搬送ラインを、この場合、二つの直線状の搬送ラインで構成できるため、枚葉搬送ラインの構成、構造をより簡単化でき、費用を削減することができる。
更に、図20に示すようなベイからベイ間搬送ラインを横切り隣り合った他のベイへウエハを搬送する場合、どちらかの対応するベイストッカー部を使用することで、最短搬送距離でベイから他のベイへウエハを搬送することができる。このため、ウエハの搬送時間を短縮できスループットを向上させることができる。
Further, in this embodiment, compared to the above-described one embodiment, the second embodiment, the single wafer transfer line can be configured with two linear transfer lines in this case, so that the increase in footprint can be further suppressed. A decrease in throughput per footprint can be further prevented. Further, in this case, since the single wafer conveyance line can be constituted by two linear conveyance lines, the structure and structure of the single wafer conveyance line can be further simplified, and the cost can be reduced.
Furthermore, when a wafer is transferred from a bay to another adjacent bay across the interbay transfer line as shown in FIG. The wafer can be transferred to the bay. For this reason, the wafer transfer time can be shortened and the throughput can be improved.

図22〜図25は、本発明の第4の実施例を示すものである。
図22〜図25で、本発明の一実施例を示す図13〜17と異なる点は、枚葉搬送ライン120の下方位置に処理装置107のロック室107aを配置したことにある。
22 to 25 show a fourth embodiment of the present invention.
22 to 25 are different from FIGS. 13 to 17 showing one embodiment of the present invention in that a lock chamber 107a of the processing apparatus 107 is arranged at a position below the single wafer transfer line 120. FIG.

図22、図23は、枚葉搬送ライン120の上方搬送ライン122と例えば処理装置107との取合い構造およびウエハの搬送例を示すものである。また、図24、図25は、枚葉搬送ライン120の下方位置にある搬送ライン126と例えば処理装置107との取合い構造およびウエハの搬送例を示すものである。
図22、図23で、枚葉搬送ライン120の空間の下方位置に処理装置107のロック室107aが配置されている。枚葉搬送ラインの空間とロック室107aとはゲート107eで仕切られている。この場合、ウエハ保持台122a−2とウエハ保持具122bとの中心とゲート107eの開口部中心とは、垂直位置で一致させられている。ゲート107eの開口部の大きさは、少なくともウエハWの大きさよりも大きい、つまりウエハWが通過可能な大きさとなっている。この場合、搬送ライン126のリニアレール126a−1は、二つに分離されている。このリニアレールは、ゲート107eをまたぎ配置されている。尚、搬送ライン122の構成は、一実施例の場合と同様であり、説明を省略する。ロック室107aの底壁部には、ウエハ保持台107gが設けられている。ウエハ保持台107gの上表面がウエハ保持面となり、そのウエハ保持面は、ゲート107eの開口部に対応している。ロック室107aにはゲート107cを介して搬送室107fが連設され、また、搬送室107fには、ゲート107dを介して処理室107bが連設されている。搬送室107fには、ロボット107hが設けられている。
FIGS. 22 and 23 show an example of a connection structure between the upper transfer line 122 of the single wafer transfer line 120 and the processing apparatus 107 and an example of wafer transfer. FIG. 24 and FIG. 25 show an example of a connection structure between the transfer line 126 below the single wafer transfer line 120 and the processing apparatus 107 and an example of wafer transfer.
22 and 23, the lock chamber 107 a of the processing apparatus 107 is disposed at a position below the space of the single wafer transfer line 120. The space of the single wafer transfer line and the lock chamber 107a are partitioned by a gate 107e. In this case, the center of the wafer holder 122a-2 and the wafer holder 122b and the center of the opening of the gate 107e are aligned at a vertical position. The size of the opening of the gate 107e is at least larger than the size of the wafer W, that is, the size through which the wafer W can pass. In this case, the linear rail 126a-1 of the conveyance line 126 is separated into two. This linear rail is disposed across the gate 107e. Note that the configuration of the transfer line 122 is the same as in the embodiment, and a description thereof is omitted. A wafer holder 107g is provided on the bottom wall of the lock chamber 107a. The upper surface of the wafer holder 107g is a wafer holding surface, and the wafer holding surface corresponds to the opening of the gate 107e. A transfer chamber 107f is connected to the lock chamber 107a through a gate 107c, and a processing chamber 107b is connected to the transfer chamber 107f through a gate 107d. A robot 107h is provided in the transfer chamber 107f.

図22で、ウエハ保持具122bにウエハWが保持され、この状態でウエハ保持台122a−2は処理装置107に向って搬送ライン122を移動させられる。このウエハ保持台122a−2が図22に示すように処理装置107に対応する位置に到着した時点でウエハ保持台122a−2の移動は停止させられる(図23(a))。その後、ロック室107a内に清浄ガス、例えば、窒素ガスが導入され、これによりロック室107a内は、枚葉搬送ラインの空間の圧力、略大気圧に調整される。その後、ゲート107eが開かれる。その後、ロック室107aのウエハ保持台107gに収納されていたウエハ押し上げピン107jが上昇させられる。このウエハ押し上げピン107jの上昇は、ゲート107eの開口部を通過しその先端がウエハ保持具122bに外周面を保持されているウエハWの裏面に到達する状態まで続けられる(図23(b))。その後、ウエハ保持具122bを半径方向に開くことでウエハWは、ウエハ保持具122bからウエハ押上げピン107jに受け渡される。その後、ウエハWを受取ったウエハ押し上げピン107jは下降させられる。この下降は、ウエハ保持台107gにウエハWを渡した時点で停止させられる。その後、ゲート107eが閉じられる(図23(c))。この状態で、ロック室107a内は減圧排気される。搬送室107fと同圧力となった時点でゲート107cが開かれる。その後、押し上げピン107jが再起動され、これによりウエハWはウエハ保持台107gより浮かされた状態となる。その後、ロボット107hのすくい部が、ゲート107cの開口部を通ってロック室107a内に繰り出される。ロック室107a内に繰り出されたロボット107hのすくい部が、ウエハWの裏面に到達された時点で移動が停止される(図23(d))。その後、ウエハ押上げピン107jは、下降させられてウエハ保持台107gに収納させられる。その後、すくい部にウエハWを受取ったロボット107hは、ゲート107cを通って搬送室107f内に引き戻される。その後、ゲート107cは閉じられる(図23(e))。尚、その後の運転操作は、一実施例と同様であり説明を省略する。また、処理室107bで処理されたウエハは、上記操作と逆の操作により処理室107bから107h、搬送室107hからロック室107aそしてロック室107aから枚葉搬送ラインの空間に戻され搬送ライン122のウエハ保持具122bに受け渡され保持される。その後、このウエハは別の処理装置または、FOUPに搬送される。   In FIG. 22, the wafer W is held by the wafer holder 122 b, and in this state, the wafer holder 122 a-2 is moved along the transfer line 122 toward the processing apparatus 107. When the wafer holding table 122a-2 arrives at a position corresponding to the processing apparatus 107 as shown in FIG. 22, the movement of the wafer holding table 122a-2 is stopped (FIG. 23A). Thereafter, clean gas, for example, nitrogen gas, is introduced into the lock chamber 107a, whereby the pressure in the lock chamber 107a is adjusted to the atmospheric pressure of the single wafer transfer line. Thereafter, the gate 107e is opened. Thereafter, the wafer push-up pins 107j stored in the wafer holder 107g of the lock chamber 107a are raised. The raising of the wafer push-up pins 107j continues until the tip reaches the back surface of the wafer W whose outer peripheral surface is held by the wafer holder 122b through the opening of the gate 107e (FIG. 23B). . Thereafter, the wafer W is transferred from the wafer holder 122b to the wafer push-up pins 107j by opening the wafer holder 122b in the radial direction. Thereafter, the wafer push-up pins 107j that have received the wafer W are lowered. This lowering is stopped when the wafer W is transferred to the wafer holder 107g. Thereafter, the gate 107e is closed (FIG. 23C). In this state, the lock chamber 107a is evacuated. When the same pressure as the transfer chamber 107f is reached, the gate 107c is opened. Thereafter, the push-up pins 107j are restarted, so that the wafer W is floated from the wafer holder 107g. Thereafter, the scoop portion of the robot 107h is fed into the lock chamber 107a through the opening of the gate 107c. When the scooping portion of the robot 107h that has been drawn into the lock chamber 107a reaches the back surface of the wafer W, the movement is stopped (FIG. 23 (d)). Thereafter, the wafer push-up pins 107j are lowered and stored in the wafer holding base 107g. Thereafter, the robot 107h that has received the wafer W in the scooping portion is pulled back into the transfer chamber 107f through the gate 107c. Thereafter, the gate 107c is closed (FIG. 23 (e)). The subsequent driving operation is the same as that of the embodiment, and the description thereof is omitted. The wafer processed in the processing chamber 107b is returned to the space of the processing chamber 107b to 107h, the transfer chamber 107h to the lock chamber 107a, and the lock chamber 107a to the single wafer transfer line by the reverse operation to the above operation. It is transferred to and held by the wafer holder 122b. Thereafter, the wafer is transferred to another processing apparatus or FOUP.

図24、図25でゲート107eをまたぎ配置されたリニアレール126a−1にウエハ保持台が移動可能に設けられている。ウエハ保持台には、ウエハ保持具が設けられている。この場合、ウエハ保持具はウエハの裏面外周辺部をすくう、すくい具を有している。すくい具は120°間隔で3個配置され、半径方向に開閉動可能となっている。この場合、ウエハ保持台、ウエハ保持具の中心とゲート107eの開口部中心とは垂直位置で一致させられている。尚、その他の構造は図22、図23と略同様であり説明を省略する。図24で、ウエハ保持台のウエハ保持具にウエハWが保持され、この状態でウエハ保持台は処理装置107に向かって搬送ラインを移動させられる。このウエハ保持台が図24に示すように処理装置107に対応する位置に到着した時点でウエハ保持台の移動は停止させられる(図25(a))。その後、ロック室107a内に清浄ガス例えば窒素ガスが導入され、これによりロック室107a内は枚葉搬送ラインの空間の圧力、略大気圧に調整される。その後、ゲート107eが開かれる。その後、ロック室107aのウエハ保持台107gに収納されていたウエハ押し上げピン107jが上昇させられる。このウエハ押し上げピン107jの上昇は、ゲート107eの開口部を通過し、その先端がウエハ保持具に外周面を保持されているウエハWの裏面に到達する状態まで続けられる。その後、ウエハ保持具を半径方向に開くことで、ウエハWは、ウエハ保持具からウエハ押し上げピン107jに受け渡される。(図25(b))その後、ウエハWを受け取ったウエハ押し上げピン107jは下降させられる。その後、ゲート107eが閉じられる(図25(c))。
尚、その後のウエハの搬送・処理は図23(d)(e)と略同様であるため説明を省略する。
In FIGS. 24 and 25, a wafer holding table is movably provided on the linear rail 126a-1 disposed across the gate 107e. A wafer holder is provided on the wafer holder. In this case, the wafer holder has a scooping tool that scoops the outer periphery of the back surface of the wafer. Three scooping tools are arranged at intervals of 120 ° and can be opened and closed in the radial direction. In this case, the center of the wafer holder and wafer holder and the center of the opening of the gate 107e are aligned at a vertical position. Other structures are substantially the same as those in FIGS. 22 and 23, and a description thereof will be omitted. In FIG. 24, the wafer W is held by the wafer holder of the wafer holding table, and in this state, the wafer holding table is moved along the transfer line toward the processing apparatus 107. The movement of the wafer holding table is stopped when the wafer holding table arrives at a position corresponding to the processing apparatus 107 as shown in FIG. 24 (FIG. 25A). Thereafter, a clean gas such as nitrogen gas is introduced into the lock chamber 107a, whereby the inside of the lock chamber 107a is adjusted to the pressure in the space of the single wafer transfer line, which is approximately atmospheric pressure. Thereafter, the gate 107e is opened. Thereafter, the wafer push-up pins 107j stored in the wafer holder 107g of the lock chamber 107a are raised. The raising of the wafer push-up pins 107j is continued until it passes through the opening of the gate 107e and reaches the back surface of the wafer W whose outer peripheral surface is held by the wafer holder. Thereafter, by opening the wafer holder in the radial direction, the wafer W is transferred from the wafer holder to the wafer push-up pins 107j. (FIG. 25B) Thereafter, the wafer push-up pins 107j that have received the wafer W are lowered. Thereafter, the gate 107e is closed (FIG. 25C).
Subsequent wafer transfer / processing is substantially the same as that shown in FIGS.

このような本実施例では、上記一実施例での効果の他に次のような効果が得られる。
1.真空処理室のロック室を枚葉搬送ラインの下方位置に直接配置した構造であるため、この分真空処理装置の奥行寸法を小さくでき、フットプリントをこの分、狭小化でき、フットプリント当たりのスループットを更に向上できる。
2.真空処理装置の真空搬送室の搬送ロボットの動作から上下動作を省略できるため、その価格の低減と共に故障等の発生率を低下させることができる。
尚、本実施例では、処理装置のロック室を枚葉搬送ラインの下方位置に配置した例につき説明したが、この他に処理装置のロック室を枚葉搬送ラインの上方位置に配置した構造としても良い。この場合も、本実施例での効果と同様の効果を得ることができる。
In this embodiment, the following effects can be obtained in addition to the effects of the one embodiment.
1. Since the vacuum chamber lock chamber is located directly below the single wafer transfer line, the depth of the vacuum chamber can be reduced by this amount, and the footprint can be reduced accordingly, and the throughput per footprint can be reduced. Can be further improved.
2. Since the vertical movement can be omitted from the operation of the transfer robot in the vacuum transfer chamber of the vacuum processing apparatus, it is possible to reduce the price and the occurrence rate of failure.
In this embodiment, the example in which the lock chamber of the processing apparatus is disposed below the single wafer transfer line has been described. However, in addition to this, the lock chamber of the processing apparatus is disposed above the single wafer transfer line. Also good. Also in this case, the same effect as in the present embodiment can be obtained.

図26は、本発明の第5の実施例を示すもので、ベイ間搬送ラインとベイストッカー部と枚葉搬送ラインとの取合い構成に係わるものである。
本発明の一実施例を示す図11と異なる点は次の通りである。
まず、本実施例と一実施例との大きな相違点は、ベイ間搬送ライン400c、ベイストッカー部130c、枚葉搬送ライン120dでのウエハの搬送が全て枚葉で実施されるように構成された点にある。
図26で、ベイ間搬送ライン400cは、ウエハが枚葉で搬送されるように構成されている。例えば、ベイ間搬送ライン400cは、清浄ガス雰囲気または減圧雰囲気の空間を形成するトンネル状の搬送室(図示省略)と、該搬送室内に設置されウエハを一枚毎保持し搬送する手段(図示省略)を有している。このウエハ搬送手段は、例えば、先に一実施例で説明したようなリニア移動体と、このリニア移動体に設けられたウエハ保持具を有している。ウエハは、例えば、被処理面上向き姿勢にてウエハ保持具に保持される。複数台のウエハ保持具が連動して、または、独立して移動可能にリニア移動体に設けられている。
FIG. 26 shows a fifth embodiment of the present invention, and relates to a configuration for connecting the interbay transport line, the bay stocker portion, and the single wafer transport line.
The difference from FIG. 11 showing an embodiment of the present invention is as follows.
First, the major difference between the present embodiment and one embodiment is that the wafers are all transferred by the single wafer in the interbay transfer line 400c, the bay stocker unit 130c, and the single wafer transfer line 120d. In the point.
In FIG. 26, the interbay transfer line 400c is configured such that the wafer is transferred in a single wafer. For example, the interbay transfer line 400c includes a tunnel-like transfer chamber (not shown) that forms a clean gas atmosphere or a decompressed atmosphere space, and means (not shown) that is installed in the transfer chamber and holds and transfers wafers one by one. )have. This wafer transfer means has, for example, a linear moving body as previously described in one embodiment, and a wafer holder provided on the linear moving body. For example, the wafer is held by the wafer holder in an upward posture on the surface to be processed. A plurality of wafer holders are provided on the linear moving body so as to be movable in conjunction or independently.

図26で、このベイ間搬送ライン400cの搬送室及びリニア移動体はベイストッカー部130cの前流側で分岐させられ、そして、その後流側でベイ間搬送ライン400cの搬送室及びリニア移動体にそれぞれ合流連結されている。また、この場合、ループ状の枚葉搬送ライン120dのベイストッカーサイド部分が、ベイストッカー部130cの分岐搬送ライン130c−1に連結されている。枚葉搬送ライン120dは、ループ状の搬送室(図示省略)と、この搬送室内に設置されウエハを一枚毎保持し搬送する手段(図示省略)であって、この場合、上下方向の2ヶ所に設置された搬送手段とを有している。ループ状の搬送室内は、清浄ガス雰囲気または減圧雰囲気に調整される。この場合の2セットのウエハ搬送手段は、先に説明したようなリニア移動体と、このリニア移動体に設けられたウエハ保持具を有している。下側のウエハ保持具では、ウエハは、例えば、被処理面上向き水平姿勢にて保持される。また、上側のウエハ保持具では、ウエハは、例えば、被処理面上向き水平姿勢、または、被処理面下向き水平姿勢にて保持される。下側には、複数台のウエハ保持具が連動して、または、独立して移動可能に下側のリニア移動体に設けられている。また、上側には複数台のウエハ保持具が連動して、または、独立して移動可能に上側のリニア移動体に取り付けられている。   In FIG. 26, the transfer chamber and linear moving body of the inter-bay transfer line 400c are branched on the upstream side of the bay stocker unit 130c, and then moved to the transfer chamber and linear moving body of the inter-bay transfer line 400c on the downstream side. Each is joined and connected. In this case, the bay stocker side portion of the loop-shaped single wafer conveyance line 120d is connected to the branch conveyance line 130c-1 of the bay stocker portion 130c. The single wafer transfer line 120d includes a loop-shaped transfer chamber (not shown) and means (not shown) installed in the transfer chamber for holding and transferring wafers one by one. And conveying means installed in the. The loop-shaped transfer chamber is adjusted to a clean gas atmosphere or a reduced pressure atmosphere. The two sets of wafer transfer means in this case have a linear moving body as described above and a wafer holder provided on the linear moving body. In the lower wafer holder, the wafer is held, for example, in an upward horizontal posture on the surface to be processed. Further, in the upper wafer holder, the wafer is held in, for example, a processing surface upward horizontal posture or a processing surface downward horizontal posture. On the lower side, a plurality of wafer holders are provided on the lower linear moving body so as to be movable in conjunction or independently. In addition, a plurality of wafer holders are attached to the upper linear moving body so as to be able to move in conjunction or independently on the upper side.

図26で、枚葉搬送ライン120dの搬送室及びリニア移動体は、ベイストッカー部130cの分岐搬送ライン130c−1の搬送室及びリニア移動体にそれぞれ連結されている。枚葉搬送ライン120dの搬送室とベイストッカー部130cの分岐搬送ライン130c−1の搬送室とは連通状態となっている。
図26で、枚葉搬送ライン120dの例えば、上側位置の搬送ラインのリニア移動体が、分岐搬送ライン130c−1のリニア移動体にウエハを受渡し可能に連結されている。この場合、分岐搬送ライン130c−1と枚葉搬送ライン120dとの間でのウエハ受渡しは、上側位置の搬送ラインを用いて実施される。また、上側位置の搬送ラインと下側位置の搬送ラインとの間で、ウエハの受け渡しが可能な構造となっている。つまり、このような場合、分岐搬送ライン130c−1を搬送されてきたウエハは、分岐搬送ライン130c−1から上側位置の搬送ラインに渡される。その後、ウエハが有する処理情報により、このウエハはそのまま上側位置の搬送ラインを搬送されて、所定の処理装置に搬送されたり、また、上側位置の搬送ラインから下側位置の搬送ラインに渡され、その後、この搬送ラインを搬送されて所定の処理装置に搬送される。その後、ベイ内での所定処理が終了したウエハは、上側位置の搬送ラインを搬送された後に、この搬送ラインからベイストッカー部130cに渡されたり、また、下側位置の搬送ラインを搬送された後に、この搬送ラインから上側位置の搬送ラインへ、そして、この搬送ラインからベイストッカー部130cに渡される。
尚、このような搬送ラインの使い分けの制御は、例えば、上記一実施例の場合と略同様にして実施されるので、その詳細は省略する。
In FIG. 26, the transfer chamber and the linear moving body of the single wafer transfer line 120d are connected to the transfer chamber and the linear moving body of the branch transfer line 130c-1 of the bay stocker unit 130c, respectively. The transfer chamber of the single wafer transfer line 120d and the transfer chamber of the branch transfer line 130c-1 of the bay stocker unit 130c are in communication with each other.
In FIG. 26, for example, the linear moving body of the upper transfer line of the single wafer transfer line 120d is connected to the linear moving body of the branch transfer line 130c-1 so that the wafer can be delivered. In this case, the wafer delivery between the branch transfer line 130c-1 and the single wafer transfer line 120d is performed using the transfer line at the upper position. Further, the wafer can be transferred between the transfer line at the upper position and the transfer line at the lower position. That is, in such a case, the wafer that has been transferred along the branch transfer line 130c-1 is transferred from the branch transfer line 130c-1 to the transfer line at the upper position. Thereafter, according to the processing information possessed by the wafer, the wafer is transferred as it is on the upper transfer line and transferred to a predetermined processing apparatus, or is transferred from the upper transfer line to the lower transfer line. Thereafter, the transfer line is transferred to a predetermined processing apparatus. After that, the wafer that has been subjected to the predetermined processing in the bay is transferred to the bay stocker unit 130c from the transfer line after being transferred through the transfer line at the upper position, or is transferred to the transfer line at the lower position. Later, the transfer line is transferred from the transfer line to the upper transfer line, and then transferred from the transfer line to the bay stocker unit 130c.
Note that such control of proper use of the transport line is performed, for example, in substantially the same manner as in the case of the above-described one embodiment, and the details thereof are omitted.

図26で、更に、ベイストッカー部130cにおいて分岐搬送ライン130c−1の後流サイドから分岐された搬送ラインが、その後、分岐搬送ラインの前流側で分岐搬送ラインに合流連結されている。この搬送ライン130c−2は、トンネル状の搬送室(図示省略)と、この搬送室内に設置され、先に説明したリニア移動体のリニアレールとを有している。この場合、搬送室は分岐搬送室に、また、リニアレールは分岐搬送ラインのリニアレールにそれぞれ連結されている。搬送室と分岐搬送室とは連通状態となっている。
この場合、搬送室内がストッカ的機能及び搬送を整理するためのバッファ機能を有している。
In FIG. 26, the conveyance line branched from the downstream side of the branch conveyance line 130c-1 in the bay stocker unit 130c is then joined and connected to the branch conveyance line on the upstream side of the branch conveyance line. The transfer line 130c-2 includes a tunnel-shaped transfer chamber (not shown) and the linear rail of the linear moving body described above installed in the transfer chamber. In this case, the transfer chamber is connected to the branch transfer chamber, and the linear rail is connected to the linear rail of the branch transfer line. The transfer chamber and the branch transfer chamber are in communication.
In this case, the transfer chamber has a stocker function and a buffer function for organizing the transfer.

図26で、ベイ間搬送ライン400cを一枚毎搬送されてきたウエハの内でベイでの処理が必要と判断されたウエハは、ベイ間搬送ライン400cから分岐搬送ライン130c−1に分流搬送される。この分岐搬送ライン130c−1に搬送されてきたウエハは、その処理内容等により枚葉搬送ライン120dの上側、または、下側に配置されて搬送ラインを一枚毎搬送される。このようにしてウエハは一枚毎、所定の処理装置に搬送され、そして所定処理される。処理済みのウエハは、枚葉搬送ライン120dの搬送ラインを一枚毎搬送されベイストッカー部130cを介してベイ間搬送ライン400cに搬送合流させられる。その後、このウエハは、ベイ間搬送ライン400cにより別のベイ等へ搬送される。
図26で、必要に応じ処理前または処理済みのウエハはベイストッカー部130cに一時保管されるようになっている。図26では2枚のウエハを一時保管可能となっているが、この枚数については適宜決められる。
In FIG. 26, among the wafers that have been transferred through the inter-bay transfer line 400c one by one, the wafer that is determined to require processing in the bay is diverted and transferred from the inter-bay transfer line 400c to the branch transfer line 130c-1. The The wafers transferred to the branch transfer line 130c-1 are arranged on the upper side or the lower side of the single wafer transfer line 120d depending on the processing contents and the like, and are transferred one by one on the transfer line. In this way, each wafer is transferred to a predetermined processing apparatus and subjected to predetermined processing. The processed wafers are transferred one by one through the transfer line of the single wafer transfer line 120d and transferred to the inter-bay transfer line 400c via the bay stocker unit 130c. Thereafter, the wafer is transferred to another bay or the like by an interbay transfer line 400c.
In FIG. 26, the wafer before processing or after processing is temporarily stored in the bay stocker unit 130c as necessary. In FIG. 26, two wafers can be temporarily stored, but this number can be determined as appropriate.

以上のような実施例では、上記一実施例での効果を得ることができると共に、更に次のような効果を得ることができる。
1.ベイ間搬送ラインと枚葉搬送ラインとがウエハを一枚毎搬送するラインであるため、これらラインと連結するベイストッカー部の構成、構造を一実施例に比べ大幅に簡素化、小型化できる。このため、一実施例に比べ、搬送ラインの構築費用を節減できる。また、フットプリントを狭小化できるので、フットプリント当たりのスループットを向上させることができる。
2.ベイ間搬送ライン、ベイストッカー部、枚葉搬送ラインを清浄ガス雰囲気、または減圧雰囲気とするため、これらが設置されるクリーンルームの清浄度をより緩やかなものとすることができ、この面での設備費等の費用を節減することができる。
In the embodiment as described above, the effect of the above-described embodiment can be obtained, and further the following effect can be obtained.
1. Since the inter-bay transfer line and the single wafer transfer line are lines for transferring wafers one by one, the configuration and structure of the bay stocker unit connected to these lines can be greatly simplified and downsized as compared with the embodiment. For this reason, the construction cost of a conveyance line can be reduced compared with one Example. Moreover, since the footprint can be reduced, the throughput per footprint can be improved.
2. Since the transfer line between bays, the bay stocker section, and the single wafer transfer line are in a clean gas atmosphere or a reduced pressure atmosphere, the cleanliness of the clean room in which these are installed can be made more gradual. Costs such as expenses can be saved.

以上の実施例ではウエハ自体を一枚毎搬送し処理する例について説明したが、この他に、例えば、清浄ガス雰囲気又は減圧雰囲気を保持された空間であって、ウエハを一枚のみ収容可能な空間を備えたウエハ保持具を用い、ウエハを一枚毎搬送し処理するように構成しても良い。
この場合、図16を用いて説明した搬送室、つまりベイ間搬送ライン、ベイストッカー部、ベイ内の枚葉搬送ラインを構成する搬送室は、特に必要とされない。ただし、ウエハ保持具を移動させる移動体、例えば、リニアレールとリニア台車とでなるリニア移動体の設置は、勿論、この場合も必要である。更に、この場合、各処理装置の、例えば、ロック室内とウエハ保持具内とを連通させ、及びその連通を遮断する手段が必要となる。
In the above embodiment, an example in which the wafers are transferred and processed one by one has been described. However, in addition to this, for example, in a space in which a clean gas atmosphere or a reduced pressure atmosphere is maintained, only one wafer can be accommodated. A wafer holder having a space may be used to transfer and process wafers one by one.
In this case, the transfer chamber described with reference to FIG. 16, that is, the transfer chamber between the bays, the bay stocker portion, and the single wafer transfer line in the bay is not particularly required. However, it is necessary to install a moving body for moving the wafer holder, for example, a linear moving body including a linear rail and a linear carriage. Furthermore, in this case, for example, a means for connecting the communication between the lock chamber and the wafer holder in each processing apparatus and blocking the communication is required.

例えば、ウエハを一枚収容したウエハ保持具は、ベイ間搬送ライン、ベイストッカー部、ベイ内の搬送ラインのどちらかの搬送ラインのリニアレール上をリニア台車に載せられて所定の処理装置の所まで搬送される。その後、ウエハ保持具内とロック室内とは連通させられ、ウエハ保持具内のウエハはロック室内に搬入され、その後、ロック室から処理室に搬入されてここで所定処理される。処理済みのウエハは処理室からロック室へ搬出され、ウエハ保持具内に戻されて収容される。その後、ウエハ保持具内とロック室内との連通は遮断され、ウエハ保持具はロック室から分離させられる。その後、このウエハ保持具は、例えば、他の処理装置やベイストッカー部に向かって搬送される。ベイストッカー部に搬送されてきたウエハ保持具は、その後、ベイ間搬送ラインにより他のベイ等へ搬送される。   For example, a wafer holder that contains one wafer is placed on a linear carriage on a linear rail of a transfer line between the transfer line between bays, a bay stocker unit, or a transfer line in the bay, and placed in a predetermined processing apparatus. It is conveyed to. Thereafter, the inside of the wafer holder and the lock chamber are communicated, and the wafer in the wafer holder is carried into the lock chamber, and is then carried from the lock chamber into the processing chamber where it is subjected to predetermined processing. The processed wafer is carried out from the processing chamber to the lock chamber, and returned to the wafer holder to be accommodated. Thereafter, the communication between the wafer holder and the lock chamber is blocked, and the wafer holder is separated from the lock chamber. Thereafter, the wafer holder is transported toward, for example, another processing apparatus or a bay stocker unit. The wafer holder that has been transferred to the bay stocker is then transferred to another bay or the like by an interbay transfer line.

このような例の場合、図26を用いて説明した実施例での効果の他に、更に、次のような効果を得ることができる。
1.ベイ間搬送ライン、ベイストッカー部、ベイ内の枚葉搬送ラインを全て開放構造とできるため、これらの構成、構造を更に簡素化でき、それらの構築費を節減することができる。
2.ベイ間搬送ライン、ベイストッカー部、ベイ内の枚葉搬送ラインを全て開放構造とでき、ウエハはウエハ保持具に収容して搬送するため、これら搬送室内の清浄度をより緩やかなものとすることができ、この面での設備費等の費用を節減することができる。
3.ベイ間搬送ライン、ベイストッカー部、ベイ内の枚葉搬送ラインを全て開放構造、つまり、クリーンルーム内に開放構造にできるため、メンテナンス、修理を容易に行うことができる。
In the case of such an example, in addition to the effect of the embodiment described with reference to FIG. 26, the following effect can be obtained.
1. Since the interbay transfer line, the bay stocker unit, and the single wafer transfer line in the bay can all be opened, these configurations and structures can be further simplified, and their construction costs can be reduced.
2. The interbay transfer line, the bay stocker unit, and the single wafer transfer line in the bay can all be opened, and wafers are housed in wafer holders and transferred, so the cleanliness in these transfer chambers should be more gradual. It is possible to reduce costs such as equipment costs.
3. Since the interbay transfer line, the bay stocker section, and the single wafer transfer line in the bay can all be opened, that is, open in the clean room, maintenance and repair can be easily performed.

図27は、本発明の第6の実施例を示すものである。図27で、本発明の一実施例を示す図4、図13等と異なる点は、次のとおりである。
図27で、枚葉搬送ライン120に沿って配置された処理装置108は次のような構成となっている。図27で、この場合、共通の真空搬送室108cを備え、これに、真空処理室、例えば、ウエハが一枚毎処理される枚葉タイプの真空処理室108dが複数室設けられている。図27で、真空搬送室108cの形状は、例えば、六角形である。真空処理室108dが4室、この場合、各辺に対応し、それぞれゲート108hを介して真空搬送室108cの、この場合、側壁部に設けられている。真空搬送室内108cには、ウエハの搬送ロボット、この場合、2つのウエハすくい部を別々に有するダブルアームタイプのロボット108iが設けられている。
FIG. 27 shows a sixth embodiment of the present invention. 27 differs from FIG. 4 and FIG. 13 showing an embodiment of the present invention in the following manner.
In FIG. 27, the processing apparatus 108 arranged along the single wafer conveyance line 120 has the following configuration. In FIG. 27, in this case, a common vacuum transfer chamber 108c is provided, and a plurality of vacuum processing chambers, for example, single-wafer type vacuum processing chambers 108d in which wafers are processed one by one are provided. In FIG. 27, the shape of the vacuum transfer chamber 108c is, for example, a hexagon. There are four vacuum processing chambers 108d, in this case, corresponding to the respective sides, and are provided on the side walls of the vacuum transfer chamber 108c via the gates 108h. The vacuum transfer chamber 108c is provided with a wafer transfer robot, in this case, a double arm type robot 108i having two wafer scooping portions separately.

図27で、その左辺部、つまり、ベイ間搬送ライン400側に配置された処理装置108は、真空搬送室108cの残された二辺の側壁部に対応しそれぞれゲート108gを介してウエハ保持室108bが2室設けられている。それぞれのウエハ保持室108bには、それぞれゲート108fを介してロック室108aが設けられている。それぞれのロック室108a内には、ウエハ搬送用のロボット108jが設けられている。また、それぞれのロック室108aと枚葉搬送ライン120とはゲート108eを介してウエハを、この場合は、一枚毎に受渡し可能な取合い構造となっている。この取合い構造等は上記の一実施例の場合と略同様であり説明を省略する。
図27で、その左辺部に配置された処理装置108では、枚葉搬送ライン120の搬送ラインのいずれかを搬送されてきたウエハは、開けられているゲート108eを通してロック室108aのロボット108jにより受取られ(ゲート108e閉)、ウエハ保持室108bにて一時保持される。このウエハ保持室108bでは、真空処理室108dでのウエハの処理内容によるが、ウエハの清浄処理、ベーク処理、加熱等が実施される。その後、このウエハは、開けられているゲート108hを通して真空搬送室108cのロボット108iによりウエハ保持室108bから真空搬送室108cへ、そして、真空搬送室108cから真空処理室108dのいずれかへ搬送されて処理される。このようにして各真空処理室でのウエハの処理が実施される。真空処理室108dでの処理が終了したウエハは開けられているゲート108hを通して真空搬送室108cのロボット108iによりウエハ保持室108bに搬送され、ここで一時保持される(ゲート108h閉)。例えば、ウエハが加熱処理された場合は、このウエハ保持室108bが冷却室として使用される。その後、このウエハは、開けられているゲート108fを通してロボット108jによりウエハ保持室108bからロック室108aへ搬送される(ゲート108f閉)。その後、このウエハは、開けられるゲート108eを通してロック室108aから枚葉搬送ライン120の搬送ラインのいずれかに渡され、別の場所、例えば、別の処理装置やFOUP等に搬送される。
In FIG. 27, the processing apparatus 108 disposed on the left side, that is, on the inter-bay transfer line 400 side, corresponds to the remaining two side walls of the vacuum transfer chamber 108c, and the wafer holding chamber via gates 108g. Two rooms 108b are provided. Each wafer holding chamber 108b is provided with a lock chamber 108a via a gate 108f. A wafer transfer robot 108j is provided in each lock chamber 108a. In addition, each lock chamber 108a and single wafer transfer line 120 have a joint structure in which a wafer can be delivered via a gate 108e, in this case, one by one. The connection structure and the like are substantially the same as those in the above-described embodiment, and the description thereof is omitted.
In the processing apparatus 108 arranged on the left side in FIG. 27, the wafer transferred on one of the transfer lines of the single wafer transfer line 120 is received by the robot 108j in the lock chamber 108a through the opened gate 108e. (Gate 108e is closed) and temporarily held in wafer holding chamber 108b. In the wafer holding chamber 108b, depending on the processing contents of the wafer in the vacuum processing chamber 108d, cleaning processing, baking processing, heating, and the like of the wafer are performed. Thereafter, the wafer is transferred from the wafer holding chamber 108b to the vacuum transfer chamber 108c by the robot 108i in the vacuum transfer chamber 108c through the opened gate 108h, and from the vacuum transfer chamber 108c to one of the vacuum processing chambers 108d. It is processed. In this way, the wafer is processed in each vacuum processing chamber. The wafer that has been processed in the vacuum processing chamber 108d is transferred to the wafer holding chamber 108b by the robot 108i in the vacuum transfer chamber 108c through the opened gate 108h, and temporarily held therein (the gate 108h is closed). For example, when the wafer is heated, the wafer holding chamber 108b is used as a cooling chamber. Thereafter, the wafer is transferred from the wafer holding chamber 108b to the lock chamber 108a by the robot 108j through the opened gate 108f (the gate 108f is closed). Thereafter, the wafer is transferred from the lock chamber 108a to one of the transfer lines of the single wafer transfer line 120 through the gate 108e to be opened, and transferred to another place, for example, another processing apparatus or FOUP.

このような構成では、ウエハ保持室を備えているため、本発明の一実施例の構成に比べ、真空搬送室、各真空処理室内の汚染を防止することができ、汚染によるスループットの低下を抑制することができる。
また、例えば、左側のロック室108aを枚葉搬送ライン120の、例えば、下側位置の搬送ライン121にゲート108eを介して取合いとし、また、右側のロック室108aと枚葉搬送ライン120の上側位置の搬送ライン122にゲート108eを介して取合いをすることもできる。
このように構成した場合、搬送処理ラインを、下側位置の搬送ライン121⇔左側のロック室108a⇔左側のウエハ保持室108b⇔真空搬送室108c⇔左側の2つの真空処理室108dと、上側位置の搬送ライン122⇔右側のロック室108a⇔右側のウエハ保持室108b⇔真空搬送室108c⇔右側の2つの真空処理室108dとの2つのラインに分離し使い分けすることができる。このため、2つのラインで異なるウエハの処理を並列にて実施でき、ウエハの処理にとって裕度を更に確保することができる。また、2つのラインの内、どちらかのラインが故障等により停止したとしても残りのラインによりウエハの搬送・処理を続行させることができ、ウエハの生産性の低下を抑制することができる。
In such a configuration, since the wafer holding chamber is provided, it is possible to prevent contamination in the vacuum transfer chamber and each vacuum processing chamber as compared with the configuration of one embodiment of the present invention, and suppress a decrease in throughput due to contamination. can do.
Further, for example, the left lock chamber 108a is engaged with the lower transfer line 121 of the single wafer transfer line 120, for example, via the gate 108e, and the upper right side of the right lock chamber 108a and the single wafer transfer line 120 is used. It is also possible to engage with the position transfer line 122 via the gate 108e.
When configured in this way, the transfer processing line is divided into a transfer line 121 at the lower position, a lock chamber 108a on the left side, a wafer holding chamber 108b on the left side, a vacuum transfer chamber 108c, two vacuum processing chambers 108d on the left side, and an upper position. The transfer line 122 can be separated into two lines: a lock chamber 108a on the right side, a wafer holding chamber 108b on the right side, a vacuum transfer chamber 108c, and two vacuum processing chambers 108d on the right side. For this reason, different wafers can be processed in parallel on the two lines, and a margin for the wafer processing can be further ensured. Further, even if one of the two lines is stopped due to a failure or the like, the remaining lines can continue to carry and process the wafer, thereby suppressing a decrease in wafer productivity.

また、図27で、その中央部に配置された処理装置109では、真空搬送室109cの残されたニ辺の側壁部に対応してそれぞれゲート109gを介してロック室109aが設けられている。それぞれのロック室109a内にはウエハ搬送用のロボット109jが設けられている。また、それぞれのロック室109aと枚葉搬送ライン120とはゲート109eをそれぞれ介しウエハを、この場合、一枚毎に受渡し可能な取合い構造となっている。この取合い構造、その他の構造については左辺部の処理装置108と同様であり説明を省略する。
図27で、その中央部に配置された処理装置109では、枚葉搬送ライン120の搬送ラインのいずれかを搬送されてきたウエハは、開けられているゲート109eを通ってロック室109aに受け取られる(ゲート109e開)。その後、このウエハは、開けられているゲート109gを通ってロック室109aから真空搬送室109cへ、そして真空搬送室109cのロボット109jにより真空搬送室109cから真空処理室109dのいずれかに搬送される。このようにして、各真空処理室109dでのウエハの処理が実施される。真空処理室109dでの処理が終了したウエハは、真空搬送室109cのロボット109iにより開いているゲート109gを通って真空搬送室109cからロック室109aに搬送される(ゲート閉)。その後、このウエハは、開かれているゲート109eを通ってロボット109jによりロック室109aから枚葉搬送ライン120の搬送ラインのいずれかに渡され、別の場所、例えば、別の処理装置やFOUP等に搬送される。
このような構成では、先述した左辺部に配置した例に比べ、ウエハ保持室108bを備えていないため、この分、処理装置の奥行寸法を小さくでき、フットプリントを減少させることができる。従って、このような構成では、左辺部に配置した例に比べ、フットプリント当りのスループットを向上させることができる。尚、このような作用効果は、本発明の一実施例でのそれと略同様である。
Further, in FIG. 27, in the processing apparatus 109 arranged at the center portion thereof, a lock chamber 109a is provided via a gate 109g corresponding to the remaining side wall portion of the vacuum transfer chamber 109c. A wafer transfer robot 109j is provided in each lock chamber 109a. In addition, each lock chamber 109a and single wafer transfer line 120 have a joint structure in which wafers can be delivered one by one through a gate 109e. Since this connection structure and other structures are the same as those of the processing device 108 on the left side, description thereof will be omitted.
In FIG. 27, in the processing apparatus 109 disposed in the center portion, the wafer transferred through one of the transfer lines of the single wafer transfer line 120 is received by the lock chamber 109a through the opened gate 109e. (Gate 109e is opened). Thereafter, the wafer is transferred from the lock chamber 109a to the vacuum transfer chamber 109c through the opened gate 109g, and from the vacuum transfer chamber 109c to one of the vacuum processing chambers 109d by the robot 109j in the vacuum transfer chamber 109c. . In this way, wafer processing is performed in each vacuum processing chamber 109d. The wafer which has been processed in the vacuum processing chamber 109d is transferred from the vacuum transfer chamber 109c to the lock chamber 109a through the gate 109g opened by the robot 109i in the vacuum transfer chamber 109c (gate closed). Thereafter, the wafer passes through the opened gate 109e and is transferred from the lock chamber 109a to one of the transfer lines of the single wafer transfer line 120 by the robot 109j, and is transferred to another place, for example, another processing apparatus or FOUP. It is conveyed to.
In such a configuration, since the wafer holding chamber 108b is not provided as compared with the example arranged on the left side portion described above, the depth dimension of the processing apparatus can be reduced accordingly, and the footprint can be reduced. Therefore, in such a configuration, the throughput per footprint can be improved as compared with the example arranged on the left side. Such an effect is substantially the same as that in the embodiment of the present invention.

図27で、ベイ間搬送ライン400から最も離れたサイド、つまり、その右辺部に配置された処理装置110では、それぞれのロック室110bにはそれぞれゲート110fを介してウエハ搬送室110aが設けられている。それぞれのウエハ搬送室110aには、ウエハ搬送用のロボット110jが設けられている。この場合、ウエハ搬送室110aはロック機能を有しておらず枚葉搬送ライン120の空間と常に連通状態となっている。   In FIG. 27, in the processing apparatus 110 disposed on the side farthest from the inter-bay transfer line 400, that is, on the right side thereof, each lock chamber 110b is provided with a wafer transfer chamber 110a via a gate 110f. Yes. Each wafer transfer chamber 110a is provided with a wafer transfer robot 110j. In this case, the wafer transfer chamber 110a does not have a lock function and is always in communication with the space of the single wafer transfer line 120.

図27で、その右辺部に配置された処理装置110では、枚葉搬送ライン120の搬送ラインのいずれかを搬送されてきたウエハは、ウエハ搬送室110aのロボット110jにより受取られ、開かれたゲート110fを通ってロック室110b内に搬入される(ゲート110f閉)。その後、ロック室110b内のウエハは、開かれたゲート110gを通って真空搬送室110cのロボット110iにより真空搬送室110cへ搬送され、更に、真空搬送室110cから真空処理室110dのいずれかに搬送されて処理される。真空処理室110dでの処理が終了したウエハは、開かれたゲート110hを通って真空搬送室110dのロボット110iにより真空搬送室110cからロック室110bに搬送される(ゲート閉110g)。その後、このウエハは、ウエハ搬送室110aのロボット110jによりロック室110bから枚葉搬送ライン120の搬送ラインのいずれかに渡されて別の場所、例えば、別の処理装置やFOUP等に搬送される。   In the processing apparatus 110 arranged on the right side in FIG. 27, the wafer transferred on one of the transfer lines of the single wafer transfer line 120 is received by the robot 110j in the wafer transfer chamber 110a and opened. It is carried into the lock chamber 110b through 110f (the gate 110f is closed). Thereafter, the wafer in the lock chamber 110b is transferred to the vacuum transfer chamber 110c by the robot 110i in the vacuum transfer chamber 110c through the opened gate 110g, and further transferred from the vacuum transfer chamber 110c to one of the vacuum processing chambers 110d. To be processed. The wafer that has been processed in the vacuum processing chamber 110d is transferred from the vacuum transfer chamber 110c to the lock chamber 110b by the robot 110i in the vacuum transfer chamber 110d through the opened gate 110h (gate closed 110g). Thereafter, this wafer is transferred from the lock chamber 110b to one of the transfer lines of the single wafer transfer line 120 by the robot 110j of the wafer transfer chamber 110a and transferred to another place, for example, another processing apparatus or FOUP. .

このような構成では、ウエハ搬送室110aが枚葉搬送ライン120と各処理装置とのインターフェースとしての機能を有するため、ベイ内での各処理装置の据付け工事が容易となる。例えば、各処理装置は、各処理装置の製造メーカでロック室を含む範囲で製造されるため、ベイ内での枚葉搬送ラインとの取合いにおいて寸法的なずれや誤差を生じ、据付けが極めて困難なものとなる。しかし、本実施例のように、それらのインターフェース部を設けることで、この問題を解決することができる。また、このような構成では、ロック室を備えているため、本発明の一実施例の構成に比べ、真空搬送室、各真空処理室内の汚染を防止でき、汚染によるスループットの低下を抑制することができる。また、例えば、左側のウエハ搬送室を枚葉搬送ラインの、例えば、下側位置の搬送ラインと取合いとし、また、右側のウエハ搬送室を枚葉搬送ラインの上側位置の搬送ラインと取合いとすることもできる。   In such a configuration, since the wafer transfer chamber 110a has a function as an interface between the single wafer transfer line 120 and each processing apparatus, installation work of each processing apparatus in the bay is facilitated. For example, each processing device is manufactured in a range that includes the lock chamber by the manufacturer of each processing device, resulting in dimensional deviations and errors in the connection with the single wafer transfer line in the bay, making installation extremely difficult It will be something. However, this problem can be solved by providing those interface units as in this embodiment. In addition, since the lock chamber is provided in such a configuration, contamination in the vacuum transfer chamber and each vacuum processing chamber can be prevented and the decrease in throughput due to contamination can be suppressed as compared with the configuration of the embodiment of the present invention. Can do. Further, for example, the left wafer transfer chamber is in contact with the transfer line at the lower position of the single wafer transfer line, and the right wafer transfer chamber is in contact with the transfer line at the upper position of the single wafer transfer line. You can also.

このように構成した場合、搬送処理ラインを、下側位置の搬送ライン121⇔左側のウエハ搬送室110a⇔左側のロック室110b⇔真空搬送室110c⇔左側の2つの真空処理室110dと、上側位置の搬送ライン122⇔右側のウエハ搬送室110a⇔右側のロック室110b⇔真空搬送室110c⇔右側の2つの真空処理室110cとの2つのラインに分離し使い分けすることができる。このため、左辺部に配置された例の場合の作用効果と同様の作用効果を得ることができる。
尚、このような構成の場合、ウエハ搬送室に減圧手段を設ける必要はなく、枚葉搬送ラインの空間雰囲気が清浄ガス雰囲気である場合はこれと連通するウエハ搬送室内に清浄ガスを供給する手段を設ければ良い。また、枚葉搬送ラインの空間が開放空間である場合には、これと同じく開放構造とすれば良い。
When configured in this manner, the transfer processing line is divided into a transfer line 121 at the lower position, a wafer transfer chamber 110a on the left side, a lock chamber 110b on the left side, a vacuum transfer chamber 110c on the left side, two vacuum processing chambers 110d on the left side, and an upper position. The transfer line 122 can be separated into two lines: a wafer transfer chamber 110a on the right side, a lock chamber 110b on the right side, a vacuum transfer chamber 110c on the right side, and two vacuum processing chambers 110c on the right side. For this reason, the effect similar to the effect in the case of the example arrange | positioned at the left side part can be obtained.
In such a configuration, it is not necessary to provide a decompression means in the wafer transfer chamber. If the space atmosphere of the single wafer transfer line is a clean gas atmosphere, a means for supplying the clean gas into the wafer transfer chamber communicating therewith. Should be provided. In addition, when the space of the single wafer transfer line is an open space, an open structure may be used similarly to this.

以上、図27を用い本発明の第7の実施例を説明したが、図27で、本発明の一実施例を示す図4、図13等と同様の構成、作用等については説明を省略した。
更に、図27での実施例に対し、次のような変形、改良を行うことができる。
A.図27では、共通の真空搬送室に複数室の枚葉処理用の真空処理室を設けたタイプの処理装置を例にとり説明したが、特にこれには限定されない。例えば、真空処理室が複数のウエハを同時に処理する、つまり、バッチ処理室のみであったり、このようなバッチ処理室と枚葉処理室との組合わせであったりしても、本発明を実施する上で、特に問題を生じない。
B.ベイを、枚葉マルチタイプの処理装置やバッチ処理装置や、(バッチ処理+枚葉処理)装置や真空処理室が1室である単一処理装置等の組合わせで構成しても、本発明を実施する上で、特に問題を生じない。
C.ベイを、このような真空処理装置とそれ以外の処理装置、例えば、常圧でウエハが処理される処理装置や、加圧状態でウエハが処理される処理装置等の組合わせで構成しても、本発明を実施する上で、特に問題を生じない。
The seventh embodiment of the present invention has been described with reference to FIG. 27. However, in FIG. 27, the description of the same configuration, operation, etc. as those of FIG. 4, FIG. .
Furthermore, the following modifications and improvements can be made to the embodiment shown in FIG.
A. In FIG. 27, an example of a processing apparatus in which a plurality of single-wafer processing vacuum processing chambers are provided in a common vacuum transfer chamber has been described, but the present invention is not particularly limited thereto. For example, the present invention can be implemented even when the vacuum processing chamber processes a plurality of wafers at the same time, that is, only the batch processing chamber or a combination of such a batch processing chamber and a single wafer processing chamber. In particular, no problem occurs.
B. Even if the bay is constituted by a combination of a single-wafer multi-type processing device, a batch processing device, a (batch processing + single-wafer processing) device, a single processing device having one vacuum processing chamber, or the like, the present invention There is no particular problem in carrying out.
C. The bay may be configured by a combination of such a vacuum processing apparatus and other processing apparatuses, for example, a processing apparatus that processes a wafer under normal pressure, or a processing apparatus that processes a wafer under pressure. In implementing the present invention, no particular problem occurs.

例えば、リソグラフィ、プラズマCVD装置、スパッタ装置、プラズマエッチング装置、検査・評価装置、CMP(Chemical Mechanical Polisher)、真空蒸着装置、メッキ装置等がベイの構成に採用される。
尚、このような処理装置としては、ベイでのウエハの処理に必要な処理装置が、実用上、選択されて配置されることは言うまでもない。
For example, lithography, a plasma CVD apparatus, a sputtering apparatus, a plasma etching apparatus, an inspection / evaluation apparatus, a CMP (Chemical Mechanical Polisher), a vacuum deposition apparatus, a plating apparatus, and the like are employed for the bay configuration.
Needless to say, as such a processing apparatus, a processing apparatus necessary for processing a wafer in the bay is practically selected and arranged.

図28は本発明の第7の実施例を示すものである。図28は枚葉搬送ライン部を横切った状態の断面図である。
図28で左側の搬送室703には、その左方向でロック室、処理室がゲートを介して順次連設されている。図28で右側の搬送室703には、その右方向でロック室、処理室がゲートを介して順次連設されている。図28で、この場合、搬送室703、例えば、ロック室102a、処理室102cのそれぞれの底壁面は略同一高さである。この場合、基礎(床)面からの高さHである。一方、図28で、この場合、搬送室703、例えば、ロック室105a’、処理室105b’のそれぞれの頂壁面は、略同一高さである。この場合、基礎(床)面からの高さHである。従って、図28で搬送室703の高さHは、H−Hとなる。
FIG. 28 shows a seventh embodiment of the present invention. FIG. 28 is a cross-sectional view of the sheet crossing the sheet conveyance line section.
In FIG. 28, a lock chamber and a processing chamber are sequentially connected to the left transfer chamber 703 via a gate in the left direction. In FIG. 28, a lock chamber and a processing chamber are sequentially connected to the right transfer chamber 703 via a gate in the right direction. In FIG. 28, in this case, the bottom wall surfaces of the transfer chamber 703, for example, the lock chamber 102a and the processing chamber 102c, have substantially the same height. In this case, the height H 1 from the foundation (floor) surface. On the other hand, in FIG. 28, in this case, the top wall surfaces of the transfer chamber 703, for example, the lock chamber 105a ′ and the processing chamber 105b ′ are substantially the same height. In this case, the height H 2 from the foundation (floor) surface. Accordingly, the height H 3 of the transfer chamber 703 in FIG. 28 is a H 2 -H 1.

図28でこのような搬送室703内には、下側の搬送ライン121の、例えば、、非接触移動体のリニアレール121a−1が、その底壁面に設けられ、上側の搬送ライン122の、例えば、非接触移動体のリニアレール122a−2が、その頂壁部に設けられている。ここで、各搬送ライン121、122の構成、構造は、先の一実施例と略同様であり、詳細説明を省略する。また、各搬送室703内は、先の一実施例と同様に清浄ガス雰囲気となっている。
図28で、左側及び右側のロック室102a、105a’内には、一実施例と同様のウエハすくい部12−1、15−1’を有する搬送用のロボット12、15’が設けられている。一般的にロック室102a、105a’までを含む処理装置が装置メーカによって別々に製造され、例えば、半導体工場のベイに各々搬入、設置される。ここで、例えば、ロック室の高さがそれぞれの装置に係わらず略同一高さに統一されている場合には、特に問題ない。しかし多くの場合、それぞれの装置においてロック室の高さが異なっている。
In such a transfer chamber 703 in FIG. 28, for example, a non-contact moving body linear rail 121a-1 of the lower transfer line 121 is provided on the bottom wall surface of the upper transfer line 122. For example, the non-contact moving body linear rail 122a-2 is provided on the top wall portion. Here, the configuration and structure of each of the transfer lines 121 and 122 are substantially the same as in the previous embodiment, and detailed description thereof is omitted. Each transfer chamber 703 has a clean gas atmosphere as in the previous embodiment.
In FIG. 28, transfer robots 12 and 15 ′ having wafer scooping portions 12-1 and 15-1 ′ similar to those of the embodiment are provided in the left and right lock chambers 102a and 105a ′. . In general, processing apparatuses including the lock chambers 102a and 105a ′ are separately manufactured by an apparatus manufacturer, and are carried into and installed in a bay of a semiconductor factory, for example. Here, for example, when the height of the lock chamber is unified to substantially the same height regardless of each device, there is no particular problem. However, in many cases, the height of the lock chamber is different in each device.

図28に示す実施例では、このような点を考慮したもので、枚葉搬送ラインをインターフェイス部とすることで、先述したように装置毎にロック室の高さが異なっていても、これによる問題を解決でき、ベイの構築をスムーズに行うことができる。
図28で、例えば、左側の搬送室703で、下側の搬送ライン121を搬送されてきた、または、搬送されるウエハのロック室102aのロボット12との受け渡しは、先の一実施例での場合と同様に行われる。一方、上側の搬送ライン122を搬送されてきたウエハのロック室102aのロボット12との受け渡しは、次のようにして実施される。まず、ウエハを保持している状態でウエハ保持具122bが下降させられる。この下降は、ロック室102aのロボット12の間でウエハ受け渡し可能な高さ(位置)で停止させられる。その後、ゲート102dが開けられ、ロック室102aのロボット12のウエハのすくい部12−1がウエハ保持具122bに向かって繰り出され、その結果、ウエハ保持具122bのウエハはロボット12のすくい部12−1にすくい渡される。その後、このウエハは先の一実施例での場合と同様に、処理室102bで所定処理される。この間、ウエハを渡したウエハ保持具122bは、下側の搬送ライン121でのウエハの搬送を阻害しないように元の高さの所に戻されて待機させられる。処理室102bでの処理が終了したウエハは処理室102bからロック室102aへ戻される。また、待機させられているウエハ保持具122bは下降させられ、所定の高さ(位置)で停止させられる。その後、ロック室102a内は圧力をリークされてゲート102dが開けられる。この状態でロック室102a内の処理済みのウエハはロボット12を繰り出すことでロック室102a内から搬送室703内に搬送され、そして、ウエハ保持具122bに再び渡される。その後、このウエハはウエハ保持具122bに保持されて、例えば、搬送室内を右側のロック室105a’に対応する位置まで搬送される。このウエハは、ウエハ保持具122bからロック室105a’のロボット15’のウエハすくい部15−1’に渡される。その後、このウエハは先の一実施例と同様に処理室105b’で所定処理される。処理室105b’での処理が終了したウエハは処理室105b’からロック室105a’へ戻される。その後、ロック室105a’内は圧力をリークされてゲートが開けられる。この状態で、ロック室105a’内の処理済みのウエハはロボット15’を繰り出すことでロック室105a’から搬送室703内に搬送され、そしてウエハ保持具122bに再び渡される。その後、このウエハは搬送室703内を、例えば、他の処理装置で処理するために搬送されたり、例えば、ベイストッカー部のFOUPに戻すために搬送される。
In the embodiment shown in FIG. 28, such a point is taken into consideration, and even if the height of the lock chamber is different for each apparatus as described above by using the single wafer transfer line as the interface unit, it depends on this. The problem can be solved and the bay can be constructed smoothly.
In FIG. 28, for example, the lower transfer line 121 has been transferred in the transfer chamber 703 on the left side, or the transfer of the transferred wafer to the robot 12 in the lock chamber 102a is the same as in the previous embodiment. Done as if. On the other hand, the transfer of the wafer transferred on the upper transfer line 122 to the robot 12 in the lock chamber 102a is performed as follows. First, the wafer holder 122b is lowered while holding the wafer. This lowering is stopped at a height (position) at which the wafer can be delivered between the robots 12 in the lock chamber 102a. Thereafter, the gate 102d is opened, and the wafer scoop portion 12-1 of the robot 12 in the lock chamber 102a is fed toward the wafer holder 122b. As a result, the wafer of the wafer holder 122b is fed to the scoop portion 12- of the robot 12. 1 scooped. Thereafter, the wafer is subjected to predetermined processing in the processing chamber 102b, as in the previous embodiment. During this time, the wafer holder 122b that has transferred the wafer is returned to its original height and is kept in a standby state so as not to hinder the transfer of the wafer on the lower transfer line 121. The wafer that has been processed in the processing chamber 102b is returned from the processing chamber 102b to the lock chamber 102a. Further, the wafer holder 122b that has been waiting is lowered and stopped at a predetermined height (position). Thereafter, the pressure in the lock chamber 102a is leaked and the gate 102d is opened. In this state, the processed wafer in the lock chamber 102a is transferred from the lock chamber 102a into the transfer chamber 703 by feeding out the robot 12, and is transferred again to the wafer holder 122b. Thereafter, the wafer is held by the wafer holder 122b and is transferred to, for example, a position corresponding to the right lock chamber 105a ′ in the transfer chamber. This wafer is transferred from the wafer holder 122b to the wafer scooping portion 15-1 ′ of the robot 15 ′ in the lock chamber 105a ′. Thereafter, the wafer is subjected to predetermined processing in the processing chamber 105b ′ as in the previous embodiment. The wafer that has been processed in the processing chamber 105b ′ is returned from the processing chamber 105b ′ to the lock chamber 105a ′. Thereafter, pressure is leaked in the lock chamber 105a ′, and the gate is opened. In this state, the processed wafer in the lock chamber 105a ′ is transferred from the lock chamber 105a ′ into the transfer chamber 703 by feeding the robot 15 ′, and is again transferred to the wafer holder 122b. Thereafter, the wafer is transferred in the transfer chamber 703 for processing by another processing apparatus, for example, or returned to the FOUP of the bay stocker unit.

図28で、更に下側の搬送ライン121を搬送されてきたウエハのロック室122aのロボット12との受け渡しは、次のようにして実施される。まず、下側の搬送ライン121でウエハを保持するウエハ保持台121bが搬送され、この搬送は、所定の処理装置102のロック室102aに対応する位置に到着した時点で停止させられる。その後、ゲート102dが開けられ、ロック室102aのロボット12のウエハすくい部12−1がウエハ保持台121bに向かって繰り出され、その結果、ウエハ保持台121bのウエハは、ロボット12のすくい部12−1にすくい渡される。その後、このウエハは先の一実施例での場合と同様に処理室102bで所定処理される。この間、例えば、ウエハを渡したウエハ保持台121bは、次のウエハの搬送を阻害しないように、搬送室703内を前に進められる。処理室102bでの処理が終了したウエハは、処理室102bからロック室102aへ戻される。一方、このロック室102aに対応した位置には、ウエハ受け取りのためのウエハ保持台121bが移動させられている。その後、ロック室102a内は圧力をリークされてゲート102dが開けられる。この状態で、ロック室102a内の処理済みのウエハはロボット12を繰り出すことで、ロック室102a内から搬送室703内に搬送され、そして、ウエハ保持台121bに渡される。その後、このウエハはウエハ保持台121bに保持されて、例えば、搬送室703内を右側のロック室105a’に対応する位置まで搬送される。その後、このウエハは一実施例での場合と同様に押し上げピンにより搬送室703内をその頂壁部に向かって上昇させられる。この上昇は、所定の高さに達した時点で停止させられる。その後、ゲート105d’が開けられ、ロック室105a’のロボット15’のウエハのすくい部15−1’がウエハ保持台121bに向かって繰り出され、その結果、ウエハ保持台121bのウエハは、ロボット15’のすくい部15−1’にすくい渡される。その後、このウエハは、先の一実施例での場合と同様に処理室105b’で所定処理される。この間、例えば、ウエハを渡したウエハ保持台121bは、次のウエハの搬送を阻害しないように、搬送室703内を更に前へ進められる。処理室105b’での処理が終了したウエハは、処理室105b’からロック室105a’へ戻される。一方、このロック室105a’に対応した位置には、ウエハ受け取りのためのウエハ保持台121bが移動させられている。その後、ロック室105a’内は圧力をリークされてゲートが開けられる。この状態で、ロック室105a’内の処理済みのウエハはロボット15’を繰り出すことで、ロック室105a’内から搬送室703内へ搬送され、そして、ウエハ保持台121bに渡される。その後、このウエハは搬送室703内を、例えば、他の処理装置で処理するために搬送されたり、例えば、ベイストッカー部のFOUPに戻すために搬送される。   In FIG. 28, the transfer of the wafer, which has been further transferred on the lower transfer line 121, to the robot 12 in the lock chamber 122a is performed as follows. First, the wafer holding table 121b for holding the wafer is transferred on the lower transfer line 121, and this transfer is stopped when it reaches a position corresponding to the lock chamber 102a of the predetermined processing apparatus 102. Thereafter, the gate 102d is opened, and the wafer scooping part 12-1 of the robot 12 in the lock chamber 102a is fed out toward the wafer holding base 121b. 1 scooped. Thereafter, this wafer is subjected to predetermined processing in the processing chamber 102b as in the previous embodiment. During this time, for example, the wafer holding table 121b that has transferred the wafer is moved forward in the transfer chamber 703 so as not to hinder the transfer of the next wafer. The wafer that has been processed in the processing chamber 102b is returned from the processing chamber 102b to the lock chamber 102a. On the other hand, a wafer holding table 121b for receiving a wafer is moved to a position corresponding to the lock chamber 102a. Thereafter, the pressure in the lock chamber 102a is leaked and the gate 102d is opened. In this state, the processed wafer in the lock chamber 102a is transferred from the lock chamber 102a into the transfer chamber 703 by being fed out of the robot 12, and then transferred to the wafer holding table 121b. Thereafter, the wafer is held on the wafer holding table 121b and is transferred to the position corresponding to the right lock chamber 105a 'in the transfer chamber 703, for example. Thereafter, the wafer is raised in the transfer chamber 703 toward the top wall portion by a push-up pin as in the case of the embodiment. This rise is stopped when a predetermined height is reached. Thereafter, the gate 105d ′ is opened, and the wafer scoop portion 15-1 ′ of the robot 15 ′ in the lock chamber 105a ′ is fed out toward the wafer holding base 121b. As a result, the wafer on the wafer holding base 121b is transferred to the robot 15 It is scooped to 'no scoop part 15-1'. Thereafter, the wafer is subjected to predetermined processing in the processing chamber 105b 'as in the previous embodiment. During this time, for example, the wafer holding table 121b that has passed the wafer is advanced further forward in the transfer chamber 703 so as not to hinder the transfer of the next wafer. The wafer that has been processed in the processing chamber 105b 'is returned from the processing chamber 105b' to the lock chamber 105a '. On the other hand, a wafer holder 121b for receiving a wafer is moved to a position corresponding to the lock chamber 105a '. Thereafter, pressure is leaked in the lock chamber 105a ', and the gate is opened. In this state, the processed wafer in the lock chamber 105a 'is transferred from the lock chamber 105a' into the transfer chamber 703 by being fed out of the robot 15 ', and then transferred to the wafer holding table 121b. Thereafter, the wafer is transferred in the transfer chamber 703 for processing by another processing apparatus, for example, or returned to the FOUP of the bay stocker unit.

このような実施例では、上記の一実施例での効果と同様の効果が得られると共に、更に次のような効果が得られる。
1.ベイ内に設置される各処理装置の、例えば、ロック室の高さが異なっていたとしても、このような枚葉搬送ラインをインターフェイス部とすることで、ベイの構築をスムーズに行うことができる。これによってベイの構築工程を短縮でき、ベイの構築費用を節減することができる。また、ベイの立ち上げ時間を短縮することができ、スループットを向上させることができる。
このような本実施例では、処理装置のロック室で、高さが低いロック室に搬送室の底壁の高さを合わせ、処理装置のロック室で高さの高いロック室に搬送室の頂壁の高さを合わせるように構成しているが、このようなことは、本実施例に特に限定されない。つまり、各処理装置の高さに対応するインターフェイス部を持つように枚葉搬送ラインを構成すれば、いかなる構造であっても良い。
In such an embodiment, the same effect as in the above-described one embodiment can be obtained, and the following effect can be further obtained.
1. For example, even if the heights of the lock chambers of each processing apparatus installed in the bay are different, the bay can be constructed smoothly by using such a single wafer transfer line as an interface unit. . This can shorten the bay construction process and reduce the construction cost of the bay. In addition, the bay start-up time can be shortened, and the throughput can be improved.
In this embodiment, in the lock chamber of the processing apparatus, the height of the bottom wall of the transfer chamber is adjusted to the lock chamber having a low height, and the top of the transfer chamber is set to the lock chamber having a high height in the lock chamber of the processing apparatus. Although it is configured to match the height of the wall, this is not particularly limited to the present embodiment. That is, any structure may be used as long as the single wafer conveyance line is configured to have an interface unit corresponding to the height of each processing apparatus.

図29、図30は本発明の第8の実施例を示すものである。図29、図30は、特に図22、23で示し説明した実施例、つまり、枚葉搬送ライン120の空間の下方位置に処理装置のロック室704が配置された構成の、また、別の実施例を示すものである。   29 and 30 show an eighth embodiment of the present invention. FIGS. 29 and 30 are the embodiments shown and described in particular in FIGS. 22 and 23, that is, another embodiment of the configuration in which the lock chamber 704 of the processing apparatus is disposed below the space of the single wafer transfer line 120. An example is given.

図29、図30で、先の実施例を示した図22、図23と異なる点は、次の通りである。
この異なる点は、特に図29により明らかに説明される。図29で枚葉搬送ライン120、この場合、下の搬送ライン126の下方位置に配置されているロック室704が、1つの処理装置のみでなく、複数の処理装置(101、102)、この場合、二台の処理装置に共通して構成されている。ロック室704内には、ウエハの搬送手段が設けられている。搬送手段には、この場合、非接触移動体、この場合、リニアレール127a−1とリニア台車127a−2とでなる移動体127aが用いられる。ロック室704の底壁部には、リニアレール127a−1が設けられている。リニアレール127a−1はロック室704の長手方向で処理装置が並べられている方向に設けられている。リニアレール127a−1には、少なくとも1台、リニア台車127a−2が移動可能に設けられている。このリニア台車127a−2のウエハ保持台127bは、ロック室704と搬送室101aとの間に設けられたゲート101dの開口部に対応させられている。この場合、このゲート107eは処理装置1台、この場合、左側の処理装置1台にのみ対応して設けられている。尚、図29、図30で、先の実施例を示した図22、図23と同様の構成、構造は同一符号で示し説明を省略した。
29 and 30 differ from FIGS. 22 and 23 showing the previous embodiment in the following points.
This difference is clearly illustrated in particular by FIG. In FIG. 29, the single-wafer transfer line 120, in this case, the lock chamber 704 disposed below the lower transfer line 126 is not only one processing apparatus, but also a plurality of processing apparatuses (101, 102). The two processing devices are configured in common. In the lock chamber 704, a wafer transfer means is provided. In this case, a non-contact moving body, in this case, a moving body 127a composed of a linear rail 127a-1 and a linear carriage 127a-2 is used as the conveying means. A linear rail 127 a-1 is provided on the bottom wall portion of the lock chamber 704. The linear rail 127 a-1 is provided in the direction in which the processing devices are arranged in the longitudinal direction of the lock chamber 704. At least one linear carriage 127a-2 is movably provided on the linear rail 127a-1. The wafer holding table 127b of the linear carriage 127a-2 is made to correspond to the opening of the gate 101d provided between the lock chamber 704 and the transfer chamber 101a. In this case, the gate 107e is provided corresponding to only one processing apparatus, in this case, one processing apparatus on the left side. 29 and 30, the same configurations and structures as those in FIGS. 22 and 23 showing the previous embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

図29、図30で、枚葉搬送ライン120の、例えば、下側の搬送ライン126で搬送されてきたウエハは、ロック室704に搬入される。このロック室704内に搬入されたウエハは、この中のウエハ保持台127bに渡される。ウエハを受け取ったウエハ保持台127bは、例えば、右側に配置された処理装置102の搬送室102aに向かってロック室704内を移動させられる。このウエハ保持台127bの移動は、このウエハ保持台127bが、右側に配置された処理装置102のゲート102dに対応する位置に到着した時点で停止される。その後、ゲート102dが開かれ、ウエハ保持台127bのウエハは、搬送室102aそして処理室102bへ搬送されて所定処理される。処理済みのウエハは、先程の操作と逆操作により処理室102b→搬送室102a→ロック室704、そして下側の搬送ライン126に搬送されてウエハ保持台126bに渡される。処理済みのウエハを受け取ったウエハ保持台126bは、下側の搬送ライン126を別の処理装置やベイストッカー部等へ向かって搬送される。   In FIG. 29 and FIG. 30, for example, the wafer transferred on the lower transfer line 126 of the single wafer transfer line 120 is transferred into the lock chamber 704. The wafer carried into the lock chamber 704 is transferred to the wafer holder 127b. The wafer holding table 127b that has received the wafer is moved in the lock chamber 704 toward the transfer chamber 102a of the processing apparatus 102 arranged on the right side, for example. The movement of the wafer holding table 127b is stopped when the wafer holding table 127b arrives at a position corresponding to the gate 102d of the processing apparatus 102 arranged on the right side. Thereafter, the gate 102d is opened, and the wafers on the wafer holding table 127b are transferred to the transfer chamber 102a and the processing chamber 102b for predetermined processing. The processed wafer is transferred to the processing chamber 102b → the transfer chamber 102a → the lock chamber 704 and the lower transfer line 126 by the reverse operation to the previous operation, and is transferred to the wafer holder 126b. The wafer holder 126b that has received the processed wafer is transported along the lower transport line 126 toward another processing apparatus, a bay stocker unit, or the like.

図29、図30で、枚葉搬送ライン120の、例えば、下側の搬送ライン126で搬送されてきた次のウエハは、ロック室704内に搬入される。このロック室704内に搬入されたウエハは、この中のウエハ保持台127bに渡される。ウエハを受け取ったウエハ保持台127bは、この場合、移動させられない。つまり、このウエハは、この場合、左側の処理装置101で処理される必要があり、このゲート101dに対応した位置にウエハ保持台127bが停止されている。その後、ゲート101dが開けられ、ウエハ保持台127bのウエハは搬送室101a、そして処理室101bへ搬送されて所定処理される。処理済みのウエハは、先程の操作と逆操作により処理室101b→搬送室101a→ロック室704、そして下側の搬送ライン126に搬送されウエハ保持台126bに渡される。この処理済みのウエハを受け取ったウエハ保持台126bは、下側の搬送ライン126を別の処理装置やベイストッカー部へ向かって搬送される。   In FIG. 29 and FIG. 30, for example, the next wafer transferred by the lower transfer line 126 of the single wafer transfer line 120 is transferred into the lock chamber 704. The wafer carried into the lock chamber 704 is transferred to the wafer holder 127b. In this case, the wafer holder 127b that has received the wafer cannot be moved. That is, in this case, the wafer needs to be processed by the processing apparatus 101 on the left side, and the wafer holding table 127b is stopped at a position corresponding to the gate 101d. Thereafter, the gate 101d is opened, and the wafer on the wafer holding table 127b is transferred to the transfer chamber 101a and then to the processing chamber 101b for predetermined processing. The processed wafer is transferred to the processing chamber 101b → the transfer chamber 101a → the lock chamber 704 and the lower transfer line 126 by the reverse operation to the previous operation, and is transferred to the wafer holder 126b. The wafer holding table 126b that has received the processed wafer is transported on the lower transport line 126 toward another processing apparatus or a bay stocker unit.

図29、図30で、図22、図23の実施例に比べ、処理装置毎に枚葉搬送ラインとのゲート等の取り合いを少なくして簡素化できるため、ベイの構築費を節減することができる。
尚、図29、図30で枚葉搬送ラインで、下側の搬送ラインを使用する場合につき説明したが、上側の搬送ラインを使用、また、上側、下側の搬送ラインを使用する場合も同様に操作でき、特に問題は生じない。
図29、図30で次のような使用も有効である。
A.処理装置内のウエハの搬送をロック室を介して実施する。例えば、左側の処理装置で所定処理されたウエハを、ロック室内を搬送して右側の処理装置の処理室へ搬送し、ここで、次の所定処理する。また、この逆操作も実施できる。
29 and 30, compared with the embodiments of FIGS. 22 and 23, each gate can be simplified by reducing the number of gates and the like with the single wafer transfer line for each processing apparatus. it can.
In addition, although the case where the lower conveyance line is used in the single wafer conveyance line in FIGS. 29 and 30 has been described, the same applies to the case where the upper conveyance line is used and the upper and lower conveyance lines are used. Can be operated without any problem.
The following use is also effective in FIGS. 29 and 30. FIG.
A. The wafer is transferred in the processing apparatus through the lock chamber. For example, a wafer that has been subjected to predetermined processing by the left processing apparatus is transferred into the lock chamber and transferred to the processing chamber of the right processing apparatus, where the next predetermined processing is performed. This reverse operation can also be performed.

図31、図32は、本発明の第9の実施例を示すものである。図31、図32は特に図22、図23で示し説明した実施例、つまり、枚葉搬送ラインの空間の下方位置に処理装置のロック室が配置された構成の、更に別の実施例を示すものである。
図31、図32で、先の実施例を示す図22、図23と異なる点は、処理装置の搬送室101a、102aが、ゲート800を介して連設された点である。尚、この他、図22、図23と同様の構成は同一符号で示し説明を省略する。
図31、図32で、このような構成は、
A.矢印610で示すように処理装置毎に独立してウエハを搬送、処理する。
B.矢印611で示すように、他の装置のロック室、搬送室を介して一方の搬送室、処理室へウエハを搬送し処理できる。このような場合は、ウエハを所定処理装置に搬送または処理済みのウエハを枚葉搬送ライン120に取り出す場合、搬送ラインの都合による悪影響を小さく抑制できる。例えば、搬送ラインのリニア台車がウエハを保持した状態で右側の処理装置102のロック室706に対応した場所に何等かの原因で停止した場合、左側の搬送室101a、ロック室705を使用することで、右側の処理装置102の処理室102bからの処理済みウエハを枚葉搬送ライン120にスムーズに受け渡しすることができる。また、例えば、同様の状態で、搬送ラインで搬送されてきたウエハを右側の処理装置102の処理室102bに搬送する必要が生じた場合、左側のロック室706、搬送室101aを使用することで、右側の処理装置102の処理室102bにウエハを搬送することができる。
C.更に、処理装置が3台並設されたものでは、例えば、中央部の処理装置のロック室に対応した位置に何等かの原因で、リニア台車が停止した場合、左側のロック室→左側の搬送室→中央部搬送室→右側搬送室→右側のロック室→リニア台車のウエハ保持台というように、この停止したリニア台車をスキップしてウエハを搬送することができる。
31 and 32 show a ninth embodiment of the present invention. FIGS. 31 and 32 show another embodiment in which the embodiment shown and described in FIGS. 22 and 23, that is, a configuration in which the lock chamber of the processing apparatus is arranged below the space of the single wafer transfer line. Is.
31 and 32 are different from FIGS. 22 and 23 showing the previous embodiment in that transfer chambers 101a and 102a of the processing apparatus are connected via a gate 800. FIG. In addition, the same components as those in FIGS. 22 and 23 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
In FIG. 31 and FIG.
A. As indicated by an arrow 610, the wafer is transferred and processed independently for each processing apparatus.
B. As indicated by an arrow 611, the wafer can be transferred and processed to one transfer chamber and the processing chamber via the lock chamber and transfer chamber of another apparatus. In such a case, when a wafer is transferred to a predetermined processing apparatus or a processed wafer is taken out to the single wafer transfer line 120, adverse effects due to the convenience of the transfer line can be suppressed to a small extent. For example, if the linear carriage of the transfer line holds the wafer and stops at a place corresponding to the lock chamber 706 of the right processing apparatus 102 for some reason, the left transfer chamber 101a and the lock chamber 705 should be used. Thus, the processed wafer from the processing chamber 102b of the right processing apparatus 102 can be smoothly transferred to the single wafer transfer line 120. Further, for example, when it is necessary to transfer the wafer transferred on the transfer line to the processing chamber 102b of the right processing apparatus 102 in the same state, the left lock chamber 706 and the transfer chamber 101a are used. The wafer can be transferred to the processing chamber 102b of the processing apparatus 102 on the right side.
C. Furthermore, in the case where three processing apparatuses are arranged side by side, for example, when the linear carriage stops for some reason at a position corresponding to the lock chamber of the central processing apparatus, the left lock chamber → the left transfer Wafers can be transferred while skipping the stopped linear carriage such as: chamber → central transfer chamber → right transfer chamber → right lock chamber → linear carriage wafer holding table.

D.また、一方の処理装置で処理されたウエハをこの搬送室→ゲート→他方の搬送室→他方の処理室に搬送し、同一ウエハを連続して処理することができる。
E.尚、A.のようなウエハのパラレル搬送処理、D.のようなウエハのシリーズ搬送処理を、それぞれ独立して実施できるように構成しても、また、併せて実施できるように構成しても良い。
D. Further, a wafer processed by one processing apparatus can be transferred to the transfer chamber → gate → the other transfer chamber → the other process chamber, and the same wafer can be processed continuously.
E. In addition, A. D. Wafer parallel transfer processing, Such a series transfer process of wafers may be configured to be performed independently or may be configured to be performed together.

以上の本実施例においては、搬送ラインとして移動体とウエハ保持台(具)とを備えたものを用い、移動体に、スループットに影響を及ぼすパーティクル発生を抑制するため、リニアレールとリニア台車とでなるリニア移動体を用いているが、特にこれに限定されない。例えば、移動体に、ガイドテープとこのガイドテープを検知し移動する手段とでなるものを用いて良い。
また、枚葉搬送ラインの搬送空間の雰囲気を、以上の実施例では清浄ガス、例えば、窒素ガス雰囲気として説明しているが、本発明の主旨、目的からしてこれは必要な要件ではない。例えば、この搬送空間の雰囲気は、減圧雰囲気であっても良い。このような場合、ベイストッカー部での取り合い構造がやや複雑になる。例えば、FOUPとこの搬送空間とをロック室で連結する必要が生じる。一方、この搬送空間と各処理装置との取り合い構造は、これらの処理装置が真空処理装置(例えば、プラズマエッチング装置、プラズマCVD装置、スパッタ装置等)である場合、ロック室等が不要になり、より構造を簡素化できる。ただし、これらの処理装置の内で大気雰囲気での処理装置(例えば、リソグラフィ、CMP、検査・評価装置等)がある場合は、逆にロック室等の連設用の手段が必要となる。更にこの搬送空間を減圧雰囲気とするための減圧排気装置等の設置が必要となり、また、これら設備の運転費用が必要である。
In the above-described embodiment, a linear rail and a linear carriage are used in order to suppress the generation of particles that affect the throughput of the moving body using a moving body and a wafer holding table (tool) as a transfer line. Although the linear moving body which consists of is used, it is not limited to this in particular. For example, a moving body comprising a guide tape and a means for detecting and moving the guide tape may be used.
Moreover, although the atmosphere of the conveyance space of the single wafer conveyance line has been described as a clean gas, for example, nitrogen gas atmosphere in the above embodiments, this is not a necessary requirement for the purpose and purpose of the present invention. For example, the atmosphere of the transfer space may be a reduced pressure atmosphere. In such a case, the connection structure in the bay stocker portion is somewhat complicated. For example, it is necessary to connect the FOUP and the transfer space with a lock chamber. On the other hand, the connection structure between the transfer space and each processing apparatus is such that when these processing apparatuses are vacuum processing apparatuses (for example, a plasma etching apparatus, a plasma CVD apparatus, a sputtering apparatus, etc.), a lock chamber or the like is unnecessary. The structure can be further simplified. However, if there is a processing apparatus (for example, lithography, CMP, inspection / evaluation apparatus, etc.) in an air atmosphere among these processing apparatuses, conversely, means for connecting a lock chamber or the like is necessary. Furthermore, it is necessary to install a decompression exhaust device or the like for making the transfer space into a decompressed atmosphere, and the operation cost of these facilities is necessary.

例えば、この搬送空間の雰囲気は、例えば、クリーンルーム内と同様の雰囲気、つまり、特段の対応をしない雰囲気であっても良い。このような場合、FOUPと、この搬送空間とをお互いの雰囲気調整用のロック室で連結する必要が生じる。ただ、この搬送空間と各処理装置との取り合い構造は、上記実施例の場合と同じようにすることができる。また、このような搬送空間の場合、清浄ガスの供給手段や低圧排気手段等の設置が不要であり、従って運転費用も不要にできる。   For example, the atmosphere of the transfer space may be, for example, the same atmosphere as in a clean room, that is, an atmosphere that does not have a special response. In such a case, it is necessary to connect the FOUP and the transfer space with a lock chamber for adjusting the atmosphere of each other. However, the connection structure between the transfer space and each processing apparatus can be made the same as in the above embodiment. Further, in the case of such a transfer space, it is not necessary to install a clean gas supply means, a low pressure exhaust means, and the like.

以上、枚葉搬送ラインの搬送空間の雰囲気の各種例について述べたが、処理装置が真空処理装置、大気雰囲気での処理装置等であった場合、これらの装置への搬送途中において、ウエハへのパーティクルの付着が生じ、これによる歩留まり低下を防止するためには、この搬送空間の雰囲気は、清浄ガス雰囲気か減圧雰囲気に制御されるのが好ましい。ただし、一枚のみウエハを収容できるFOUPを用いてウエハを搬送する場合は、先に説明したようにこの限りではない。
また、上記の実施例では、ベイ間搬送ラインにAGVを使用した例を説明したが、この他にOHT(Over Head Transfer) 等の搬送手段を使用しても良い。
In the above, various examples of the atmosphere in the transfer space of the single wafer transfer line have been described. However, when the processing apparatus is a vacuum processing apparatus, a processing apparatus in an air atmosphere, etc., during transfer to these apparatuses, In order to prevent the adhesion of particles and the decrease in yield due to this, it is preferable to control the atmosphere of the transfer space to a clean gas atmosphere or a reduced pressure atmosphere. However, as described above, this is not the case when a wafer is transferred using a FOUP that can accommodate only one wafer.
In the above embodiment, an example in which AGV is used for the interbay transport line has been described, but other transport means such as OHT (Over Head Transfer) may be used.

第2の従来技術を示すウエハ枚葉生産システムの平面図。The top view of the wafer single wafer production system which shows a 2nd prior art. 第3の従来技術を示す露光後の被処理基板の処理ラインの平面図。The top view of the processing line of the to-be-processed substrate after the exposure which shows 3rd prior art. 第4の従来技術を示すTFTアレイ形成ラインの平面図。The top view of the TFT array formation line which shows a 4th prior art. 本発明による半導体製造ラインの一実施例を部分的に示す平面図。The top view which shows partially one Example of the semiconductor manufacturing line by this invention. 図4の一実施例の枚葉搬送ラインのベイストッカーとは反対側の部分の斜視外観図。The perspective external view of the part on the opposite side to the bay stocker of the single wafer conveyance line of one Example of FIG. 図5のI−I視断面図。II sectional drawing of FIG. 図5の詳細な縦断面図。FIG. 6 is a detailed vertical sectional view of FIG. 5. 図4の本発明の一実施例の枚葉搬送ラインの下側位置の搬送ラインの部分平面図。The partial top view of the conveyance line of the lower position of the single wafer conveyance line of one Example of this invention of FIG. 図4の本発明の一実施例の枚葉搬送ラインの上側位置の搬送ラインの部分平面図。The fragmentary top view of the conveyance line of the upper position of the single wafer conveyance line of one Example of this invention of FIG. 図9のウエハ保持部分のウエハ保持具及びその作用を説明するための平面図。The top view for demonstrating the wafer holder of the wafer holding part of FIG. 9, and its effect | action. 図4の本発明の一実施例の枚葉搬送ラインを説明するもので、ベイ間搬送ラインとベイ内の枚葉搬送ラインとの取合いを示す部分的な平面図。FIG. 5 is a partial plan view illustrating a connection between an inter-bay transfer line and a single-wafer transfer line in the bay, illustrating the single-sheet transfer line according to the embodiment of the present invention in FIG. 4. 図11の正面図。The front view of FIG. 図4の本発明の一実施例の枚葉搬送ラインと真空処理装置との取合い例を示す部分的な平面図。The partial top view which shows the example of a connection with the single wafer conveyance line of one Example of this invention of FIG. 4, and a vacuum processing apparatus. 図13の上側位置の搬送ラインと真空処理装置との取合い構造を示す縦断面図。The longitudinal cross-sectional view which shows the connection structure of the conveyance line and vacuum processing apparatus of the upper position of FIG. 図14のウエハの搬送状況を模式的に示した縦断面図。The longitudinal cross-sectional view which showed typically the conveyance condition of the wafer of FIG. 図13の下側位置の搬送ラインと真空処理装置との取合い例を示す部分的な平面図。FIG. 14 is a partial plan view showing an example of a connection between a conveyance line at a lower position in FIG. 図16のウエハの搬送状況を模式的に示した縦断面図。FIG. 17 is a longitudinal sectional view schematically showing the state of conveyance of the wafer in FIG. 16. 本発明による半導体製造ラインの第2の実施例を部分的に示す平面図。The top view which shows partially the 2nd Example of the semiconductor manufacturing line by this invention. 図18の要部の縦断面図。The longitudinal cross-sectional view of the principal part of FIG. 本発明による半導体製造ラインの第3の実施例を部分的に示す平面図。The top view which shows partially the 3rd Example of the semiconductor manufacturing line by this invention. 図20の要部の縦断面図。The longitudinal cross-sectional view of the principal part of FIG. 本発明による半導体製造ラインの第4の実施例を示すもので、上側位置の搬送ラインと真空処理装置との取合い構造の第2の実施例を示す縦断面図。The longitudinal cross-sectional view which shows the 4th Example of the semiconductor manufacturing line by this invention, and shows 2nd Example of the connection structure of the conveyance line and vacuum processing apparatus of an upper position. 図22のウエハの搬送状況を模式的に示した縦断面図。The longitudinal cross-sectional view which showed typically the conveyance condition of the wafer of FIG. 本発明による半導体製造ラインの第4の実施例を示すもので、下側位置の搬送ラインを真空搬送装置との取合い構造の第2の実施例を示す縦断面図。The longitudinal cross-sectional view which shows the 4th Example of the semiconductor manufacturing line by this invention, and shows the 2nd Example of the connection structure of the conveyance line of a lower side position with a vacuum conveyance apparatus. 図24のウエハの搬送状況を模式的に示した縦断面図。The longitudinal cross-sectional view which showed typically the conveyance condition of the wafer of FIG. 本発明による半導体製造ラインの第5の実施例を示すもので、ベイ間搬送ラインとベイ内の枚葉搬送ラインとの取合いを示す部分的な平面図。The partial top view which shows the 5th Example of the semiconductor manufacturing line by this invention, and shows the connection with the conveyance line between bays, and the single wafer conveyance line in a bay. 本発明による半導体製造ラインの第6の実施例を示すもので、ベイ内枚葉搬送ラインと各処理装置との取合いを示すベイ部分の平面図。The top view of the bay part which shows the 6th Example of the semiconductor manufacturing line by this invention, and shows the connection with the sheet | seat conveyance line in a bay, and each processing apparatus. 本発明による半導体製造ラインの第7の実施例を示すもので、枚葉搬送ライン部を横切った状態の断面図。Sectional drawing which shows the 7th Example of the semiconductor manufacturing line by this invention, and crossed the single wafer conveyance line part. 本発明による半導体製造ラインの第8の実施例を示すもので、枚葉搬送ラインと各処理装置との取合いの別の実施例を示す部分的な平面図。The partial top view which shows the 8th Example of the semiconductor manufacturing line by this invention, and shows another Example of a contact with a single wafer conveyance line and each processing apparatus. 図29の要部の縦断面図。The longitudinal cross-sectional view of the principal part of FIG. 本発明による半導体製造ラインの第9の実施例を示すもので、枚葉搬送ラインと各処理装置との取合いの更に別の実施例を示す部分的な平面図。The partial top view which shows the 9th Example of the semiconductor manufacturing line by this invention, and shows another Example of the connection with a single wafer conveyance line and each processing apparatus. 図31の要部の縦断面図。The longitudinal cross-sectional view of the principal part of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

100、200、300……ベイ、101〜111……処理装置、107a、704〜706……ロック室、120、120a、102b……枚葉搬送ライン、121〜126……搬送ライン、130、130a〜130c、230、330……ベイストッカー、400、400a〜400c……ベイ間搬送ライン、410……AGV、500a〜500d……FOUP、110a、101a、102a、700、702、703……搬送室、800……ゲート、900〜902……故障検知装置 100, 200, 300 ... Bay, 101-111 ... Processing device, 107a, 704-706 ... Lock chamber, 120, 120a, 102b ... Single wafer transfer line, 121-126 ... Transfer line, 130, 130a ˜130c, 230, 330... Bay stocker, 400, 400a to 400c .. Bay-to-bay transfer line, 410... AGV, 500a to 500d. , 800 ... Gate, 900 to 902 ... Failure detection device

Claims (6)

半導体ウエハを所定処理する処理装置と、前記半導体ウエハを枚葉で搬送する枚葉搬送ラインとを有し、及び前記処理装置を複数並設し、並設された複数の処理装置に沿って前記枚葉搬送ラインが配設されてなる半導体ウエハ製造ラインのベイであって、
前記枚葉搬送ラインを、略水平面の半導体ウエハ搬送面を有し前記半導体ウエハを枚葉搬送する搬送ラインと、該搬送ラインの半導体ウエハ搬送面と上下方向で相対する半導体ウエハ搬送面を有し前記半導体ウエハを枚葉搬送する他の搬送ラインとで構成し、
前記枚葉搬送ラインの内で、前記搬送ラインと前記他の搬送ラインとの使い分けを前記半導体ウエハの処理情報で制御する制御系と、
前記搬送ライン、前記他の搬送ラインと、前記処理装置との間で前記半導体ウエハを枚葉で受け渡し搬送する搬送装置と
を備えた半導体製造ラインのベイ。
A processing apparatus that performs predetermined processing of a semiconductor wafer; and a single wafer transfer line that transfers the semiconductor wafer in a single wafer; and a plurality of the processing apparatuses are arranged side by side, along the plurality of processing apparatuses arranged in parallel A bay of a semiconductor wafer production line in which a single wafer transfer line is arranged,
The single wafer transfer line has a substantially horizontal semiconductor wafer transfer surface, a transfer line for transferring the semiconductor wafer in a single wafer, and a semiconductor wafer transfer surface facing the semiconductor wafer transfer surface of the transfer line in the vertical direction. Consists of other transfer lines that transfer the semiconductor wafer one by one,
Within the single wafer transfer line, a control system for controlling the use of the transfer line and the other transfer line by processing information of the semiconductor wafer,
A bay of a semiconductor production line, comprising: the transfer line; the other transfer line; and a transfer device that transfers and transfers the semiconductor wafer in a single sheet between the processing device.
半導体ウエハを所定処理する処理装置と、前記半導体ウエハを枚葉で搬送する枚葉搬送ラインとを有し、及び前記処理装置を複数並設し、並設された複数の処理装置に沿って前記枚葉搬送ラインが配設されてなるベイを複数備えた半導体製造ラインであって、
前記ベイ間で前記半導体ウエハを搬送するベイ間搬送装置と、
略水平面の半導体ウエハ搬送面を有し前記半導体ウエハを枚葉搬送する搬送ラインと、該搬送ラインの半導体ウエハ搬送面と上下方向に相対する半導体ウエハ搬送面を有し前記半導体ウエハを枚葉搬送する他の搬送ラインとで構成した前記枚葉搬送ラインと、
該枚葉搬送ラインの内で、前記搬送ラインと前記他の搬送ラインとの使い分けを、前記ベイ間搬送装置で当該ベイに搬送された前記半導体ウエハの処理情報で制御する制御系と、
前記搬送ライン、前記他の搬送ラインと、前記処理装置との間で前記半導体ウエハを枚葉で受け渡し搬送する搬送装置と、
を備えた半導体製造ライン。
A processing apparatus that performs predetermined processing of a semiconductor wafer; and a single wafer transfer line that transfers the semiconductor wafer in a single wafer; and a plurality of the processing apparatuses are arranged side by side, A semiconductor production line comprising a plurality of bays each having a single wafer transfer line,
An inter-bay transfer device for transferring the semiconductor wafer between the bays;
A semiconductor wafer transfer surface having a substantially horizontal semiconductor wafer transfer surface and a semiconductor wafer transfer surface facing the semiconductor wafer transfer surface of the transfer line in a vertical direction. The single-wafer transport line configured with other transport lines,
Among the single wafer transfer lines, a control system for controlling the proper use of the transfer line and the other transfer line by processing information of the semiconductor wafer transferred to the bay by the inter-bay transfer device;
A transfer apparatus for transferring and transferring the semiconductor wafer in a single wafer between the transfer line, the other transfer line, and the processing apparatus;
A semiconductor production line equipped with.
半導体ウエハを所定処理する処理装置と、前記半導体ウエハを枚葉で搬送する枚葉搬送ラインとを有し、及び前記処理装置を複数並設し、並設された複数の処理装置に沿って前記枚葉搬送ラインが配設されてなるベイを複数備えた半導体製造ラインであって、
前記ベイ間で前記半導体ウエハを搬送するベイ間搬送装置と、
略水平面の半導体ウエハ搬送面を有し前記半導体ウエハを枚葉搬送する搬送ラインと、該搬送ラインの半導体ウエハ搬送面と上下方向に相対する半導体ウエハ搬送面を有し前記半導体ウエハを枚葉搬送する他の搬送ラインとで構成した前記枚葉搬送ラインと、
前記ベイ間搬送装置と前記枚葉搬送ラインとの間で前記基板を受け渡し搬送するベイストッカー部と、
前記枚葉搬送ラインの内で、前記搬送ラインと前記他の搬送ラインとの使い分けを、前記ベイ間搬送装置から前記ベイストッカー部に搬送された前記半導体ウエハの処理情報で制御する制御系と、
前記搬送ライン、前記他の搬送ラインと、前記処理装置との間で前記半導体ウエハを枚葉で受け渡し搬送する搬送装置と、
を備えた半導体製造ライン。
A processing apparatus that performs predetermined processing of a semiconductor wafer; and a single wafer transfer line that transfers the semiconductor wafer in a single wafer; and a plurality of the processing apparatuses are arranged side by side, A semiconductor production line comprising a plurality of bays each having a single wafer transfer line,
An inter-bay transfer device for transferring the semiconductor wafer between the bays;
A semiconductor wafer transfer surface having a substantially horizontal semiconductor wafer transfer surface and a semiconductor wafer transfer surface facing the semiconductor wafer transfer surface of the transfer line in a vertical direction. The single-wafer transport line configured with other transport lines,
A bay stocker unit that delivers and conveys the substrate between the inter-bay conveyance device and the single wafer conveyance line;
Among the single wafer transfer line, the control system for controlling the use of the transfer line and the other transfer line by processing information of the semiconductor wafer transferred from the inter-bay transfer device to the bay stocker unit,
A transfer apparatus for transferring and transferring the semiconductor wafer in a single wafer between the transfer line, the other transfer line, and the processing apparatus;
A semiconductor production line equipped with.
半導体ウエハを所定処理する処理装置と、前記半導体ウエハを枚葉で搬送する枚葉搬送ラインとを有し、及び前記処理装置を複数並設し、並設された複数の処理装置に沿って前記枚葉搬送ラインが配設されてなるベイを備えた半導体製造ラインであって、
前記半導体ウエハを枚葉搬送する搬送ラインと、該搬送ラインと並搬送可能に設けた前記半導体ウエハを枚葉搬送する他の搬送ラインとで構成した前記枚葉搬送ラインと、
該枚葉搬送ラインの内で、前記搬送ラインと前記他の搬送ラインとの使い分けを、当該ベイに搬送された前記半導体ウエハの処理情報で制御する制御系と、
前記搬送ライン、前記他の搬送ラインと、前記処理装置との間で前記半導体ウエハを枚葉で受け渡し搬送する搬送装置と、
を備えた半導体製造ライン。
A processing apparatus that performs predetermined processing of a semiconductor wafer; and a single wafer transfer line that transfers the semiconductor wafer in a single wafer; and a plurality of the processing apparatuses are arranged side by side, A semiconductor production line having a bay in which a single wafer transfer line is disposed,
The single wafer transfer line constituted by a transfer line for transferring the semiconductor wafer in a single sheet, and another transfer line for transferring the semiconductor wafer in a single wafer to be transferred in parallel with the transfer line;
Among the single wafer transfer lines, a control system for controlling the proper use of the transfer line and the other transfer line by processing information of the semiconductor wafer transferred to the bay,
A transfer apparatus for transferring and transferring the semiconductor wafer in a single wafer between the transfer line, the other transfer line, and the processing apparatus;
A semiconductor production line equipped with.
液晶基板を所定処理する処理装置と、前記液晶基板を枚葉で搬送する枚葉搬送ラインとを有し、及び前記処理装置を複数並設し、並設された複数の処理装置に沿って前記枚葉搬送ラインが配設されてなる液晶製造ラインのベイであって、
前記枚葉搬送ラインを、前記液晶基板を枚葉搬送する搬送ラインと、該搬送ラインと並搬送可能に設けた前記液晶基板を枚葉搬送する他の搬送ラインとで構成し、
前記枚葉搬送ラインの内で、前記搬送ラインと前記他の搬送ラインとの使い分けを前記液晶基板の処理情報で制御する制御系と、
前記搬送ライン、前記他の搬送ラインと、前記処理装置との間で前記液晶基板を枚葉で受け渡し搬送する搬送装置と
を備えた液晶製造ラインのベイ。
A processing apparatus that performs a predetermined process on the liquid crystal substrate; and a single-wafer transfer line that transfers the liquid crystal substrate in a single sheet, and a plurality of the processing apparatuses are arranged side by side, A bay of a liquid crystal production line in which a single wafer transfer line is arranged,
The single-wafer transport line is composed of a transport line that transports the liquid crystal substrate one by one, and another transport line that transports the liquid crystal substrate that is provided so as to be transportable in parallel with the transport line,
Within the single wafer transfer line, a control system for controlling the proper use of the transfer line and the other transfer line with the processing information of the liquid crystal substrate,
A bay of a liquid crystal production line, comprising: the transfer line, the other transfer line, and a transfer device that transfers and transfers the liquid crystal substrate in a single sheet between the processing device.
液晶基板を所定処理する処理装置と、前記液晶基板を枚葉で搬送する枚葉搬送ラインとを有し、及び前記処理装置を複数並設し、並設された複数の処理装置に沿って前記枚葉搬送ラインが配設されてなるベイを複数備えた液晶製造ラインで、
前記ベイ間で前記液晶基板を搬送するベイ間搬送装置と、
該ベイ間搬送装置と前記枚葉搬送ラインとの間で前記液晶基板を受け渡し搬送するベイストッカー部と、
前記液晶基板」を枚葉搬送する搬送ラインと、該搬送ラインと並搬送可能に設けた前記液晶基板を枚葉搬送する他の搬送ラインとで構成した前記枚葉搬送ラインと、
前記枚葉搬送ラインの内で、前記搬送ラインと前記他の搬送ラインとの使い分けを、前記ベイ間搬送装置から前記ベイストッカー部に搬送された前記液晶基板の処理情報で制御する制御系と、
前記搬送ライン、前記他の搬送ラインと、前記処理装置との間で前記液晶基板を枚葉で受け渡し搬送する搬送装置と、
を備えた液晶製造ライン。
A processing apparatus that performs a predetermined process on the liquid crystal substrate; and a single-wafer transfer line that transfers the liquid crystal substrate in a single sheet, and a plurality of the processing apparatuses are arranged side by side, In a liquid crystal production line with multiple bays with single-wafer transport lines,
An interbay transport device for transporting the liquid crystal substrate between the bays;
A bay stocker section for delivering and transporting the liquid crystal substrate between the inter-bay transport device and the single wafer transport line;
The single-wafer transport line configured by a transport line that transports the liquid crystal substrate as a single sheet, and another transport line that transports the liquid crystal substrate that can be transported in parallel with the transport line,
Among the single wafer transfer line, the control system for controlling the proper use of the transfer line and the other transfer line by the processing information of the liquid crystal substrate transferred from the inter-bay transfer device to the bay stocker unit,
A transfer device for transferring and transferring the liquid crystal substrate in a single sheet between the transfer line, the other transfer line, and the processing device;
LCD production line equipped with.
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