JP2005194130A - カーボンナノ構造体の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 基板4と触媒8との付着力が強い場合でも、カーボンナノ構造体を成長させることができるカーボンナノ構造体作製方法を提供する。
【解決手段】 炭素を含む原料ガスを導入して熱分解し、触媒金属が形成された基板上にカーボンナノ構造体を化学気相成長させるカーボンナノ構造体作製方法であって、炭素を含む原料ガスを導入する前に炭素を含まないガスをイオン化して基板に衝突させる表面処理を行うようにして、触媒金属を微粒子化した後にカーボンナノ構造体を成長させる。
【選択図】図3
【解決手段】 炭素を含む原料ガスを導入して熱分解し、触媒金属が形成された基板上にカーボンナノ構造体を化学気相成長させるカーボンナノ構造体作製方法であって、炭素を含む原料ガスを導入する前に炭素を含まないガスをイオン化して基板に衝突させる表面処理を行うようにして、触媒金属を微粒子化した後にカーボンナノ構造体を成長させる。
【選択図】図3
Description
本発明は、炭素を含む原料ガスを熱分解して化学気相成長(CVD)させることにより、カーボンナノ構造体を作製する方法に関する。
カーボンナノチューブ(CNT)を始めとするカーボンナノ構造体(カーボンナノチューブの他にカーボンナノファイバー、カーボンナノコイルなど)は、その特異な形状、電子物性から注目されており、多くの研究がなされている。例えばその形状は直径が数nm〜数十nmであるのに対し、長手方向は数μm〜数十μmであり、高いアスペクト比を有している。
CNTは、最初発見された当初はアーク放電法により合成されていたが、その後の研究により熱CVD(熱分解による化学気相成長法)でもCNTが作製されるようになってきている。
CNTは、最初発見された当初はアーク放電法により合成されていたが、その後の研究により熱CVD(熱分解による化学気相成長法)でもCNTが作製されるようになってきている。
熱CVDを用いたCNTの作製法は、基本的にNi、Fe等の触媒金属と炭素源であるC2H2(アセチレン)等の炭化水素ガスとを共存させて、500℃〜1300℃のプロセス温度で合成させるものである。熱CVDによるCNTの作製は、たとえば特許文献1に開示されている。
図1は、CNTを成長させるための熱CVD装置の一種であるHF−CVD装置(ホットフィラメントCVD装置)の概略構成を示す図である。
この装置は、原料ガスを混合して供給するガスブレンダー1、密閉可能な反応チャンバー2、反応チャンバー2内のガスを熱分解するためのフィラメント3、CNTを成長させる基板4(例えば先端が先鋭化されたSPMプローブ)に電圧を印加する電源5、基板4を加熱するヒーター6が内蔵された支持体7から構成される。
この装置は、原料ガスを混合して供給するガスブレンダー1、密閉可能な反応チャンバー2、反応チャンバー2内のガスを熱分解するためのフィラメント3、CNTを成長させる基板4(例えば先端が先鋭化されたSPMプローブ)に電圧を印加する電源5、基板4を加熱するヒーター6が内蔵された支持体7から構成される。
ガスブレンダー1は、炭素源としてのアセチレンガス(C2H2)やメタンガス(CH4)と、反応速度を制御するための水素とがそれぞれ流量計により適当な流量比で混合されて反応チャンバー2に供給することができるようにしてある。
反応チャンバー2は、真空排気装置に接続され、減圧した状態でフィラメントが加熱できるようにしてある。基板4は、表面にNiやFe等の触媒金属が蒸着してある。
反応チャンバー2は、真空排気装置に接続され、減圧した状態でフィラメントが加熱できるようにしてある。基板4は、表面にNiやFe等の触媒金属が蒸着してある。
そして、基板4をヒーター6により400℃〜1000℃程度に加熱し、ガスブレンダー1から導入した炭素源のC2H2および成長を制御するためのH2を含む原料ガスをフィラメント3により加熱して熱分解することで活性化し、これを基板4に接触させることにより、触媒金属と反応して基板上にCNTを成長させることができる。
この一連のプロセスでは、H2は上述したように炭素源であるC2H2などの反応を制御する目的(異常成長を抑える等の目的)で導入されており、CNT以外の異常粒の発生を防ぐのに役立っている。
この一連のプロセスでは、H2は上述したように炭素源であるC2H2などの反応を制御する目的(異常成長を抑える等の目的)で導入されており、CNT以外の異常粒の発生を防ぐのに役立っている。
X線顕微鏡には、X線の励起用に電子源が搭載されている。この電子源には、従来は先鋭化したタングステン材(W材)が陰極部材として用いられていることが多い。このX線顕微鏡の分解能を向上させるには、電子源において、できる限り狭い領域から電子を飛び出させることが必要であり、そのため電子が飛び出す陰極の先端を先鋭化する工夫がなされている。
電子源の陰極先端を先鋭化する技術のひとつとして、CNTを利用することを検討した。すなわち、従来からのタングステン材を先鋭化した陰極の径は、通常、数10ナノメートルから100ナノメートルであるが、CNTは直径が数ナノメートル程度にすることができるので、CNTを陰極先端に用いることにより分解能を格段に向上させることができるようになる。
しかしながらタングステン材(W材)に成長触媒のNiを蒸着した場合には、CNTの成長が非常に困難であった。これは、NiとWとの間の付着力が強く、成長プロセス時にCNTを成長させる核となるNiの微粒子化が起り難いためと考えられる。
すなわち、Niを触媒として用いた場合、まず基板上でNiの微粒子化が起こり、そこからCNTが成長する。W材を用いた場合のようにNiがW材(基板)に強く付着してしまう場合には、Niは移動し難く、微細化されにくいため、CNTの成長が進まないものと考えられる。このことは、W材とNi触媒との組み合わせに限らず、要するに、基材(基板)と触媒金属との間で付着力が強い材料の組み合わせとなる場合は、成長が進まないものと考えられる。
また、W材を用いた基材(基板)の場合に限らず、表面が清浄でない基材(基板)を使用して、上述したHF−CVDを用いてCNT成長を行うと、図2に示すようにCNTとは全く構造が異なるアモルファスカーボンと思われる炭化物の異常粒が成長することが多く、歩留まりが悪かった。
そこで、本発明は、W材とNi触媒との組み合わせのようにCNTが成長し難い場合であっても、容易にCNTを成長させることができるCNT作製方法、さらにはカーボンナノ構造体作製方法を提供することを目的とする。
また、本発明は基板上にCNTを歩留まりよく成長させるCNT作製方法、さらにはカーボンナノ構造体作製方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するためになされた本発明のカーボンナノ構造体作製方法は、炭素を含む原料ガスを導入して熱分解し、触媒金属が形成された基板上にカーボンナノ構造体を化学気相成長させるカーボンナノ構造体作製方法であって、炭素を含む原料ガスを導入する前に炭素を含まないガスをイオン化して基板に衝突させる表面処理を行うようにしている。
ここで、化学気相成長はホットフィラメントCVDであるようにしてもよい。
また、触媒金属がニッケル(Ni)であり、基板がタングステン(W)であってもよい。
また、表面処理に用いる炭素を含まないガスには、CNT成長時にも使用するH2を用いることができ、またH2自体がイオン化しやすいため好適であるが、これに限られず、クリーニング作用を有するガスであればよい。
また、基板は表面処理効果を高めるため、少なくとも一部に凸部や先鋭化部を設けるようにしてもよい。
また、触媒金属がニッケル(Ni)であり、基板がタングステン(W)であってもよい。
また、表面処理に用いる炭素を含まないガスには、CNT成長時にも使用するH2を用いることができ、またH2自体がイオン化しやすいため好適であるが、これに限られず、クリーニング作用を有するガスであればよい。
また、基板は表面処理効果を高めるため、少なくとも一部に凸部や先鋭化部を設けるようにしてもよい。
この発明によれば、触媒金属が形成された基板上にカーボンナノ構造体を化学気相成長させるとき、炭素を含む原料ガスを導入して熱分解し成長を起こさせる前に、まず炭素を含まないガスをイオン化して基板に衝突させる表面処理を行うようにしている。
炭素を含まないガスをイオン化して基板に衝突させる表面処理を行うことにより、基板と触媒金属との間の付着力を弱めることができ、触媒金属が微粒子化され、基板上に膜成長の核となる触媒金属微粒子を形成することができる。
また、炭素を含まないガスをイオン化して基板に衝突させることにより、基板表面に付着する汚れやコンタミ物質が除去されてクリーニング効果を奏するようになる。
その後、炭素を含む原料ガスを導入して熱分解し、触媒金属と反応させて成長させることにより、触媒金属微粒子が核となり、カーボンナノ構造体を化学気相成長させることができる。
炭素を含まないガスをイオン化して基板に衝突させる表面処理を行うことにより、基板と触媒金属との間の付着力を弱めることができ、触媒金属が微粒子化され、基板上に膜成長の核となる触媒金属微粒子を形成することができる。
また、炭素を含まないガスをイオン化して基板に衝突させることにより、基板表面に付着する汚れやコンタミ物質が除去されてクリーニング効果を奏するようになる。
その後、炭素を含む原料ガスを導入して熱分解し、触媒金属と反応させて成長させることにより、触媒金属微粒子が核となり、カーボンナノ構造体を化学気相成長させることができる。
また、基板の一部が先鋭化されることにより、電界が先鋭化した部分に集中することからイオンによる表面処理が促進され、CNTを歩留まりよく成長させることができる。先鋭化部分は電界集中を起こす凸形状を有していればよいが、先端部の曲率半径が1μm以下のものであればより効果的である。
以下、本発明を実施するための形態について図面を用いて説明する。なお、以下に説明する実施例は、一例にすぎず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で変形実施することが可能である。
なお、図3は、本発明の一実施形態であるCNTの作製方法を説明する図であり、図1のHF−CVD装置を用いてCNTを基板上に作製するときの基板の表面処理状態を説明する模式図である。ここで、図3(a)は表面処理前、図3(b)は表面処理中、図3(c)は表面処理後の基板状態である。
なお、HF−CVD装置自体の構成は図1と同様であるので同符号を付すことにより説明を省略する。
なお、HF−CVD装置自体の構成は図1と同様であるので同符号を付すことにより説明を省略する。
図3(a)に示すように、基板4はタングステン基板(W基板)であり、基板4表面にはNi触媒8が蒸着されている。また、Ni触媒8の表面には、汚染物9が点在しているものとする。
基板4には電源5からバイアス電圧が印加できるようにしてあり、接地電位の対向電極10に対して負のバイアス電圧が印加される。なお、図1には対向電極10を記載していないが、これは反応チャンバーの金属壁面などを接地することにより実質的に対向電極10として機能することになるからである。そして、図3には図示しないガスブレンダー1からC2H2、CH4の炭素を含む原料ガス、およびH2が供給されるようにしてある。
基板4には電源5からバイアス電圧が印加できるようにしてあり、接地電位の対向電極10に対して負のバイアス電圧が印加される。なお、図1には対向電極10を記載していないが、これは反応チャンバーの金属壁面などを接地することにより実質的に対向電極10として機能することになるからである。そして、図3には図示しないガスブレンダー1からC2H2、CH4の炭素を含む原料ガス、およびH2が供給されるようにしてある。
成長開始前に、まず、基板4を400℃〜1300℃の範囲まで昇温し(図1のヒーター6による加熱)、続いてガスブレンダー1からH2ガスのみを反応チャンバー2に導入する。
図3(b)に示すように、H2を熱分解して(図1のフィラメント3で加熱)、水素イオン化(H+)させる。そして対向電極6と基板4との間に基板4が負となるようにバイアス電圧を印加して水素イオン15(H+)を基板4の表面に衝突させる。このとき、汚染物9は除去され、さらにNi触媒8は水素イオン(H+)の衝突により微粒子化が促進される。この処理を約10分程度続ける。
図3(c)に示すように、表面処理後の基板4の表面は微粒子化したNi触媒7が形成されている。
その後、原料ガス(ここではH2、C2H2とする)を混合して導入する。このときの成長条件は、例えば以下のとおりである。
H2 54.1 SCCM
C2H2 9.6 SCCM
圧力 30 Pa
温度 650 ℃
バイアス電圧 300 V
成長時間 20 分
その後、原料ガス(ここではH2、C2H2とする)を混合して導入する。このときの成長条件は、例えば以下のとおりである。
H2 54.1 SCCM
C2H2 9.6 SCCM
圧力 30 Pa
温度 650 ℃
バイアス電圧 300 V
成長時間 20 分
図4は、Ni触媒を蒸着したW基板上に、上記成長条件でCNTを成長したときの表面の状態を示す図(SEM写真)である。W基板のNi蒸着面はNiが微粒子化され点在するようになっており、点在するNi微粒子が存在する位置にCNTが成長している。このように従来、CNT成長が困難であった基板と触媒金属との組み合わせの場合であっても、CNTを成長させることができている。また、基板表面には炭化物の異常粒成長は観察されなかった。
図5は本発明の他の一実施形態であるCNTの作製方法を説明する図であり、図1のHF−CVD装置を用いてCNTを先端が先鋭化された基板上に作製するときの基板処理の状態を説明する模式図である。ここで、図5(a)は表面処理前、図5(b)は表面処理中、図5(c)は表面処理後の基板状態である。なお、図1あるいは図3と同様のものは同符号を付すことにより説明を省略する。
この実施形態では、先鋭化された基板が使用される。すなわち、図5(a)に示す鋭利な先端部11を有する基板4にNi触媒12が形成され、その表面に汚染物13が点在している。基板4には電源14から負のバイアス電圧が印加されるようにしてある。
図3の場合と同様に、成長開始前に、基板4をヒーター(図1のヒーター6)により400℃〜1300℃の範囲まで昇温し、ガスブレンダー(図1のガスブレンダー1)からH2ガスのみを反応チャンバー(図1の反応チャンバー2)に導入する。
図5(b)に示すように、加熱(図1のフィラメント3により加熱)によりH2を熱分解してイオン化させる。そして対向電極(接地電位のチャンバー金属壁面が対向電極に相当する)と基板4の先端部11との間に先端部11が負となるようにバイアス電圧を印加して水素イオン15(H+)を基板4の先端部11の表面に衝突させる。
この場合、先端部11に電界が集中しているため、水素イオン(H+)は先端部11に集中するようになり、表面処理の効果をさらに高めることができる。
また、表面処理により、汚染物13は除去され、さらにNi触媒12は水素イオン(H+)により微粒子化が促進される。この処理を約10分程度続ける。
また、表面処理により、汚染物13は除去され、さらにNi触媒12は水素イオン(H+)により微粒子化が促進される。この処理を約10分程度続ける。
図5(c)に示すように、表面処理後の基板4の表面は微粒子化したNi触媒16が形成されている。
その後、図3の場合と同様に原料ガス(ここではH2、C2H2とする)をガスブレンダー(図1のガスブレンダー1)で混合し、図3と同様の成長条件で成長させることにより、先端部11にCNTを成長させることができるが、図5では基板の先鋭化部分に電界集中が生じているため、イオンによる表面処理が促進され、CNTを歩留まりよく成長させることができる。また、炭化物の異常粒の発生が抑えられている。
その後、図3の場合と同様に原料ガス(ここではH2、C2H2とする)をガスブレンダー(図1のガスブレンダー1)で混合し、図3と同様の成長条件で成長させることにより、先端部11にCNTを成長させることができるが、図5では基板の先鋭化部分に電界集中が生じているため、イオンによる表面処理が促進され、CNTを歩留まりよく成長させることができる。また、炭化物の異常粒の発生が抑えられている。
本実施形態では、CNT(カーボンナノチューブ)について説明したが、成長条件を変えることにより、カーボンナノファイバー、カーボンナノコイルなど他のカーボンナノ構造体を作製する場合であっても本発明の成長前の基板処理を適用することが有用である。
本発明にかかるカーボンナノ構造体の作製方法は、成長が困難なNiやFeなどの触媒が蒸着されたW基板上にカーボンナノ構造体を作製する場合に適用できる。
1:ガスブレンダー
2:反応チャンバー
3:フィラメント
4:基板(タングステン基板)
5:電源
6:ヒーター
7:支持体
8:Ni触媒
9:汚染物
2:反応チャンバー
3:フィラメント
4:基板(タングステン基板)
5:電源
6:ヒーター
7:支持体
8:Ni触媒
9:汚染物
Claims (4)
- 炭素を含む原料ガスを導入して熱分解し、触媒金属が形成された基板上にカーボンナノ構造体を化学気相成長させるカーボンナノ構造体作製方法であって、
炭素を含む原料ガスを導入する前に炭素を含まないガスをイオン化して基板に衝突させる表面処理を行うことを特徴とするカーボンナノ構造体作製方法。 - 化学気相成長がホットフィラメントCVDであることを特徴とする請求項1に記載のカーボンナノ構造体作製方法。
- 触媒金属がニッケル(Ni)であり、基板がタングステン(W)であることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載のカーボンナノ構造体作製方法。
- 基板は電界集中を生じさせる凸部を有する形状としたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のカーボンナノ構造体作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004001414A JP2005194130A (ja) | 2004-01-06 | 2004-01-06 | カーボンナノ構造体の作製方法 |
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JP2004001414A JP2005194130A (ja) | 2004-01-06 | 2004-01-06 | カーボンナノ構造体の作製方法 |
Publications (1)
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---|---|
JP2005194130A true JP2005194130A (ja) | 2005-07-21 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102320590A (zh) * | 2011-06-22 | 2012-01-18 | 天津大学 | 铜基体上直接生长单双螺旋纳米碳纤维的方法 |
-
2004
- 2004-01-06 JP JP2004001414A patent/JP2005194130A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN102320590A (zh) * | 2011-06-22 | 2012-01-18 | 天津大学 | 铜基体上直接生长单双螺旋纳米碳纤维的方法 |
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