JP2005190790A - 平面型の画像表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高い真空度を維持することができ、信頼性の向上した平面型の画像表示装置を提供する。
【解決手段】隙間を置いて対向配置された２枚のガラス基板１１、１２と、ガラス基板の所定位置を封着し２枚のガラス基板間に密閉空間を規定した封着部３３と、を備えている。封着部は、所定位置に沿って充填された低融点金属３２と、ガラス基板表面と低融点金属との間に設けられ、ガラスとの結合性および前記低融点金属との親和性を有し、かつ、５００℃以下の温度において、溶融する前記低融点金属に対する溶解度が１％未満の金属で形成された金属層３１ａ、３１ｂと、を有している。
【選択図】 図２

Description

この発明は、対向配置された基板と基板同士を封着した真空シール構造とを有した平面型の画像表示装置に関する。

近年、画像表示装置として、効率的な空間利用あるいはデザイン的な要素から、平面型の画像表示装置が注目されている。中でも、フィールド・エミッション・デバイス（以下、ＦＥＤと称する）のような電子放出型の画像表示装置は、高輝度、高分解能、低消費電力等のメリットから優れたディスプレイであると期待されている。

一般に、平面型の画像表示装置は、所定の間隔をおいて対向配置されているとともにそれぞれガラス板で構成された２枚の基板を備えている。これらの基板は周縁部同士が互いに封着され外囲器を構成している。２枚の基板間の空間、すなわち外囲器内部は、高い真空度に維持されることが重要となる。真空度が低い場合、電子放出素子の寿命、ひいては、装置の寿命が低下してしまう。

このような狭い閉空間の内部を高真空に維持する場合、封着材として、微量でも気体が通過する有機系の封着材を使用することは難しい。そのため、封着材として、無機系の接着材あるいはシール材を用いることが不可欠となっている。そこで、ガラス基板同士の接合あるいは真空シールには、封着材として、Ｉｎ、Ｇａのような低融点金属が用いられている（例えば、特許文献１）。これらの低融点金属は、その融点以上に加熱されて溶融すると、ガラスに対して高い濡れ性を示すため、気密性の高い封着が可能となる。
特開２００２−３１９３４６号

しかしながら、平面型の画像表示装置は、基板の周長が３ｍを越える場合もあり、従来の陰極線管等に比較して大きな面積を封着する必要がある。そのため、陰極線管等に比較して、封着欠陥の導入要因は二桁近く増大することになり、基板の封着は非常に困難な作業となる。また、平面型の画像表示装置は、その特徴から、外囲器の真空仕様が厳しく、封着材の融点よりも遥かに高い温度で熱処理がなされる場合もある。このような高温の熱処理下では、ガラスに対する封着材の濡れ性が低下し、封着材は、十分な接合あるいはシール効果を発揮できなくなる。その結果、高い真空度に維持された大型の装置を製造できないという問題が生じ始めている。

この発明は、以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、高い真空度を維持することができ、信頼性の向上した平面型の画像表示装置を提供することにある。

前記目的を達成するため、この発明の態様に係る平面型の画像表示装置は、隙間を置いて対向配置された２枚のガラス基板と、前記ガラス基板の所定位置を封着し２枚のガラス基板間に密閉空間を規定した封着部と、を備え、前記封着部は、前記所定位置に沿って充填された低融点金属と、前記ガラス基板表面と前記低融点金属との間に設けられ、ガラスとの結合性および前記低融点金属との親和性を有し、かつ、５００℃以下の温度において、溶融する前記低融点金属に対する溶解度が１％未満の金属で形成された金属層と、を有している。

この発明の他の態様に係る平面型の画像表示装置は、隙間を置いて対向配置された２枚のガラス基板と、前記ガラス基板の所定位置を封着し２枚のガラス基板間に密閉空間を規定した封着部と、を備え、前記封着部は、前記所定位置に沿って充填された低融点金属と、前記ガラス基板表面と前記低融点金属との間に設けられ、ガラスとの結合性および前記低融点金属との親和性を有し、かつ、５００℃以下の温度において、溶融する前記低融点金属に対する溶解度が１％未満の金属で形成された金属層と、前記金属層と低融点金属との間に設けられ、前記低融点金属に対して親和性を有した保護層と、を有している。

この発明によれば、高い真空度を維持することができ、信頼性の向上した平面型の画像表示装置を提供することができる。

以下図面を参照しながら、この発明に係る平面型の画像表示装置をＦＥＤに適用した実施形態について詳細に説明する。
図１および図２に示すように、ＦＥＤは、それぞれ矩形状のガラス基板からなる第１基板１１および第２基板１２を備え、これらの基板は約１．０〜２．０ｍｍの隙間をおいて対応配置されている。第１基板１１および第２基板１２は、ガラスからなる矩形枠状の側壁１３を介して周縁部同士が接合され、内部が真空に維持された偏平な真空外囲器１０を構成している。

接合部材として機能する側壁１３は、例えば、フリットガラス等の低融点ガラス３０により、第２基板１２の内面周縁部に封着されている。また、側壁１３は、後述するように、封着材としての低融点金属を含んだ封着部３３により、第１基板１１の内面周縁部に封着されている。これにより、側壁１３および封着部３３は、第１基板１１および第２基板１２の周縁部同士を気密に接合し、第１および第２基板間に密閉空間を規定している。

真空外囲器１０の内部には、第１基板１１および第２基板１２に加わる大気圧荷重を支えるため、例えば、ガラスからなる複数の板状の支持部材１４が設けられている。これらの支持部材１４は、真空外囲器１０の短辺と平行な方向に延在しているとともに、長辺と平行な方向に沿って所定の間隔を置いて配置されている。なお、支持部材１４の形状については特にこれに限定されるものではなく、柱状の支持部材を用いてもよい。

第１基板１１の内面には蛍光面として機能する蛍光体スクリーン１６が形成されている。この蛍光体スクリーン１６は、赤、緑、青に発光する複数の蛍光体層１５、および蛍光体層の間に形成された複数の遮光層１７を備えている。各蛍光体層１５は、ストライプ状、ドット状あるいは矩形状に形成されている。蛍光体スクリーン１６上には、アルミニウム等からなるメタルバック１８およびゲッタ膜１９が順に形成されている。

第２基板１２の内面上には、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層１５を励起する電子源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の電子放出素子２２が設けられている。詳細に述べると、第２基板１２の内面上には、導電性カソード層２４が形成され、この導電性カソード層上には多数のキャビティ２５を有した二酸化シリコン膜２６が形成されている。二酸化シリコン膜２６上には、モリブデン、ニオブ等からなるゲート電極２８が形成されている。そして、第２基板１２の内面上において各キャビティ２５内に、モリブデン等からなるコーン状の電子放出素子２２が設けられている。これらの電子放出素子２２は、画素毎に対応して複数列および複数行に配列されている。その他、第２基板１２上には、電子放出素子２２に電位を供給する多数本の配線２１がマトリックス状に設けられ、その端部は真空外囲器１０の外部に引出されている。

上記のように構成されたＦＥＤにおいて、映像信号は、電子放出素子２２とゲート電極２８に入力される。電子放出素子２２を基準とした場合、最も輝度の高い状態の時、＋１００Ｖのゲート電圧が印加される。また、蛍光体スクリーン１６には＋１０ｋＶが印加される。そして、電子放出素子２２から放出される電子ビームの大きさは、ゲート電極２８の電圧によって変調され、この電子ビームが蛍光体スクリーン１６の蛍光体層を励起して発光させることにより画像を表示する。なお、蛍光体スクリーン１６には高電圧が印加されるため、第１基板１１、第２基板１２、側壁１３、および支持部材１４用の板ガラスには、高歪点ガラスが使用されている。

次に、第１基板１１と側壁１３との間を封着した封着部３３について詳細に説明する。
図２に示すように、封着部３３は、第１基板１１の所定位置、すなわち、第１基板の内面周縁部に沿って、矩形枠状に形成された金属層３１ａ、側壁１３の第１基板側の端面に沿って矩形枠状に形成された金属層３１ｂ、およびこれらの金属層３１ａ、３１ｂ間に位置し低融点金属により形成された封着層３２とを有している。金属層３１ａ、３１ｂの各々は、ガラスとの結合性および低融点金属との親和性を有し、かつ、５００℃以下の温度において、溶融する低融点金属に対する溶解度が１％未満の金属で形成されている。

本発明者らはガラスと金属の接合に関わるメカニズムについて研究を重ね、その１つとして、封着材に用いられてきたインジウム（Ｉｎ）のガラスに対する濡れの現象を系統的に観察した。その結果、溶融したＩｎは、ガラスと濡れる能力を有するが表面張力が大きいためにガラス面上を濡れ広がることは出来ずに半球状になろうとすることが分かった。このため、長い距離をＩｎでシールすることは困難であり、Ｉｎを一定の場所に固着させかつ表面張力を相対的に和らげる物質がガラスとＩｎとの間に必要であることが分かった。

そこで、本発明者等はガラス表面に金属層を形成することに思い至り、多くの種類の金属層を用いて実験を重ねた。その結果、金属であれば相対的にＩｎの表面張力を下げられるが、多くの物質はＩｎが凝固する際、ガラス面から剥離してしまうことが分かった。更に、５００℃未満の低温においても、金属層がＩｎに対してある程度の溶解度を有していると、時間の経過と共にガラス面から消失してしまい効力が無くなる事が分かった。このことから、金属層として、ガラスとの密着性にすぐれＩｎに対する溶解度が低く、かつ、Ｉｎに対して親和性の良い材料を用いることにより、上記二つの問題を解決できることを見出した。また、この条件を満たす材料であれば、Ｉｎに限らず低融点の金属あるいは合金でも高い真空シール能力を得られることを見出した。

ガラスとの密着性の優れた金属としては、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ａｌ等の活性な遷移金属の単体、あるいはこれらの金属を２種類以上含む合金、又は、あるいはＹ、Ｃｅ等の希土類金属の単体あるいは２種類以上含む合金が有効である。また、低融点金属に対する溶解度の低い材料としてはＦｅ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ等の遷移金属単体あるいはそれらを主成分とする合金を用いることができる。

前記二つの機能を持つ金属層は、基本的には、それぞれの機能を有した複数の金属層を積層して構成される。例えば、図３に示すように、金属層３１ａ、３１ｂの各々は、ガラスとの結合性に優れたＣｒからなる第１金属層３４ａと、低融点金属３２との親和性を有し、かつ、５００℃以下の温度において、溶融する低融点金属に対する溶解度が１％未満のＦｅからなる第２金属層３４ｂとを積層して構成される。この場合、第１金属層３４ａはガラス面上に形成され、第２金属層３４ｂは第１金属層上に積層され第１金属層と低融点金属３２との間に設けられる。特に、金属層を蒸着によって成膜する場合、ステンレス鋼あるいはＣｒ鋼を蒸発源に用いると、これら金属の成分であるＣｒは蒸気圧が高いため、他要な成分であるＦｅあるいはＮｉより先に蒸発する。従って、Ｃｒが、ガラス面に富化されて付着した後、ＦｅあるいはＮｉが重ねて形成される。そのため、１回の処理で多層の処理に近い効果を得ることができる。

また、金属層は、前記二つの機能を持つ元素が混ざり合う形態の単一層としても効果を発揮することができる。例えば、図４に示すように、金属層３１ａ、３１ｂとして、Ｃｒからなる単一金属層を用いることもできる。

低融点金属あるいは合金としては、Ｉｎ、Ｇａ、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｓｂの中から選ばれる少なくとも１種類、あるいはこれらにＡｇ、Ｃｕ、Ａｌ等の金属を含むものが有用である。また、ガラス基板との結合性の優れた金属の中でもＡｌを除く金属は、低融点合金に対する溶解度が低く、前記二つの機能を有している。しかし、これらの金属に、低融点金属との濡れ性を図る処理、例えば、清浄化処理あるいは濡れ性の高い材料の被覆、を施すことが有効である。

金属層をガラス面上に配置する手段としては、蒸着、スパッタ、低圧不活性雰囲気溶射等のドライプロセス、ならびに無電解メッキのようなウェットプロセスを用いることができる。いずれのプロセスにおいても、複数の層を連続的に形成できることが望ましい。また、金属膜は、成膜後、不活性雰囲気中あるいは還元雰囲気中で熱処理を施すことにより、ガラスとの結合性、密着性を高めることができる。

本実施形態において、第１基板１１の表面および側壁１３の表面に形成された金属層３１ａ、３１ｂは、ガラスに対する結合性と、溶融した低融点金属３２による減耗防止との役割を果たすが、更に低融点金属との濡れ性を向上させるために、低融点金属に対する親和性を有し低融点金属と合金化しやすい物質の膜、つまり、金属保護層を形成することが望ましい。

すなわち、金属層は、形成した直後からその最外表面層が酸化を主体とした非金属物質となり、封着用の低融点金属３２との濡れ性が低下してしまう恐れがある。そこで、本発明者らは、この問題を解決するために種々の材料の組み合わせ、プロセスの検討ならびに実験を繰り返し、ガラスとの結合性の高い金属層３１ａ、３１ｂを形成した後、直ちに、つまり、表面状態が変化する以前に、耐酸化性および低融点金属に対する親和性を有した金属保護層３６を形成することで解決できることを見出した。そこで、他の実施形態によれば、図５および図６に示すように、金属層３１ａ、３１ｂに重ねて金属保護層３６を形成し、金属層外表面の酸化を防止するとともに、金属保護層を金属層と低融点金属３２との間に設けている。金属保護層３６としては、低融点金属成分あるいはＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｓｎ等の金属が有効である。金属保護層３６をドライプロセスによって形成するに当たっては、金属層３１ａ、３１ｂを形成した後、この金属層を大気に晒すことなく連続して、金属保護層１を形成することが望ましい。

以下、ＦＥＤの構成について実施例を用いて詳細に説明する。
（実施例１）
ＦＥＤを構成するため、それぞれ縦６５ｃｍ、横１１０ｃｍのガラス板からなる第１および第２基板を用意し、その内の１枚、例えば、第２基板の内面周縁部に、ガラスからなる矩形枠状の側壁１３をフリットガラスにより接合した。次いで、側壁１３の上面、および、第１基板１１の内面周縁部、つまり、側壁１３と対向する所定の位置に、真空蒸着装置により、第１金属層としてＣｒを０．４μｍの厚さで成膜し、引き続き第２金属層としてＦｅを０．４μｍ厚さに形成した。次いで、側壁１３に形成した金属層上に、低融点金属として５３重量％Ｂｉ、４７重量％Ｓｎ組成の合金を窒素雰囲気のもとで溶融させコテで塗った。

この２枚のガラス基板の間を１００ｍｍ開け、５ｘ１０^-6Ｐａの真空中で加熱処理した。Ｂｉ−Ｓｎと成膜との親和性が良いために、Ｂｉ−Ｓｎが濡れた。その後、冷却の過程で上記合金の位置が合うように２枚のガラス基板を密着させ、Ｂｉ−Ｓｎ合金が両方の面に連続となるようにした。この状態で冷却して合金を凝固させることにより、側壁１３と第１基板とを封着した。

その後、予め設けておいた測定用の孔を介して真空シール特性を評価したところ、１ｘ１０^-9ａｔｍ・ｃｃ/ｓｅｃ以下のリーク量を示し、十分なシール効果を発揮していることが分かった。また、この結果と外見のいずれからも、金属の封着に起因するガラス基板内の亀裂が発生していないことが明らかとなった。

（実施例２）
ＦＥＤを構成するため、それぞれ縦６５ｃｍ、横１１０ｃｍのガラス板からなる第１および第２基板を用意した。続いて、ガラス基板の対向する所定の場所、ここでは、ガラス基板の内面周縁部に、蒸着装置によりＣｒの金属層を０．６μｍの厚さで成膜し、引き続き金属層上に金属保護層としてＣｕを０．４μｍの厚さで成膜した。各金属保護層上に、低融点金属として分解揮発性のバインダーを含む５３重量％Ｂｉ、４７重量％Ｓｎ組成の合金ペーストを０．３ｍｍ厚さで塗布した。次に、一方のガラス基板の低融点金属層上に、側壁として、Ａｇメッキの施されたＦｅ−３７重量％Ｎｉ合金のワイヤ（直径１．５ｍｍ）を設置した。

２枚のガラス基板の間を１００ｍｍ開け、これらのガラス基板を１０^-3Ｐａ程度の真空中で１３０℃、３０分仮焼成し、その後、５ｘ１０^-6Ｐａの真空中で加熱脱気処理を行なった。次いで、冷却過程で２００℃に至った際、これら２枚のガラス基板を所定の位置で貼り合わせたところ、溶融しているＢｉ−Ｓｎ合金がＦｅ−Ｎｉ合金ワイヤを介して相互に親和性が良いために濡れ広がり隙間のない状態になった。この状態で凝固させ、２枚のガラス基板を封着した。このＦＥＤについて、実施例１と同様の真空リーク試験を実施したところ同様の結果を得た。

（実施例３）
それぞれ縦６５ｃｍ、横１１０ｃｍのガラス板からなる第１および第２基板を用意した。続いて、ガラス基板の対向する所定の場所、ここでは、ガラス基板の内面周縁部に、蒸着装置により１３Ｃｒ鋼を蒸発源として、Ｃｒの金属層を０．６μｍの厚さで成膜し、引き続き、金属保護層としてＡｇを０．４μｍの厚さで成膜した。一方のガラス基板の金属保護層上に、低融点金属としての厚さ０．２ｍｍの７０重量％Ｂｉ、３０重量％Ｉｎ合金で被覆された直径１．５ｍｍのＴｉワイヤを側壁として設置した。

２枚のガラス基板を水平に保つと共に、両者の間を１００ｍｍ開けて５ｘ１０^-6Ｐａの真空中で加熱脱気処理を行なった。冷却過程で２００℃に至った際、これら２枚のガラス基板を所定の位置で合わせた後、この操作により溶融しているＢｉ−Ｉｎ合金がＴｉワイヤを介して相互に親和性が良いために濡れ広がり隙間のない状態になった。この状態で凝固させ、２枚のガラス基板を封着した。このＦＥＤについて、実施例１と同様の真空リーク試験を実施したところ同様の結果を得た。

（実施例４）
それぞれ縦６５ｃｍ、横１１０ｃｍのガラス板からなる第１および第２基板を用意した。続いて、ガラス基板の対向する所定の場所、ここでは、ガラス基板の内面周縁部に、蒸着装置によりＣｅを蒸発源として、Ｃｅの金属層を０．４μｍの厚さで成膜し、引き続き、金属保護層としてＣｕを０．４μｍの厚さで成膜した。各金属保護層上に、低融点金属として分解揮発性のバインダーを含む５３重量％Ｂｉ、４７重量％Ｓｎ組成の合金ペーストを０．３ｍｍ厚さで塗布した。次に、一方のガラス基板の低融点金属層上に、側壁として、Ａｇメッキの施されたフェライト系ステンレス鋼（ＳＵＳ４１０）のワイヤ（直径１．５ｍｍ）を設置した。

２枚のガラス基板の間を１００ｍｍ開け、これらのガラス基板を１０^-3Ｐａ程度の真空中で１３０℃で３０分仮焼成し、その後、５ｘ１０^-6Ｐａの真空中で加熱脱気処理を行なった。次いで、冷却過程で２００℃に至った際、これら２枚のガラス基板を所定の位置で貼り合わせたところ、溶融しているＢｉ−Ｓｎ合金がＳＵＳ４１０ワイヤを介して相互に親和性が良いために濡れ広がり隙間のない状態になった。この状態で凝固させ、２枚のガラス基板を封着した。このＦＥＤについて、実施例１と同様の真空リーク試験を実施したところ同様の結果を得た。

（実施例５）
実施例１と同じ条件において、低融点金属としてＢｉ−Ｓｎ合金の替わりにＩｎを用いたところ、同様の結果を得ることができた。

（実施例６）
ＦＥＤを構成するため、それぞれ縦６５ｃｍ、横１１０ｃｍのガラス板からなる第１および第２基板を用意した。続いて、ガラス基板の対向する所定の場所、ここでは、ガラス基板の内面周縁部に、蒸着装置によりＣｒの金属層を０．６μｍの厚さで成膜し、引き続き金属層上に金属保護層としてＡｇを０．４μｍの厚さで成膜した。各金属保護層上に、超音波半田ごてを用い低融点金属としてのＩｎを０．３ｍｍ厚さで塗布した。次に、一方のガラス基板のＩｎ上に、側壁としてＡｇメッキの施されたＦｅ−３７重量％Ｎｉ合金のワイヤ（直径１．５ｍｍ）を設置した。

２枚のガラス基板の間を１００ｍｍ開け、これらのガラス基板を１０^-3Ｐａ程度の真空中で１３０℃、３０分仮焼成し、その後、５ｘ１０^-6Ｐａの真空中で加熱脱気処理を行なった。次いで、冷却過程で２００℃に至った際、これら２枚のガラス基板を所定の位置で貼り合わせたところ、溶融しているＩｎ合金がＦｅ−Ｎｉ合金ワイヤを介して相互に親和性が良いために濡れ広がり隙間のない状態になった。この状態で凝固させ、２枚のガラス基板を封着した。このＦＥＤについて、実施例１と同様の真空リーク試験を実施したところ同様の結果を得た。

（実施例７）
それぞれ縦６５ｃｍ、横１１０ｃｍのガラス板からなる第１および第２基板を用意した。続いて、ガラス基板の対向する所定の場所、ここでは、ガラス基板の内面周縁部に、蒸着装置により１３Ｃｒ鋼を蒸発源として、Ｃｒの金属層を０．６μｍの厚さで成膜し、引き続き、金属保護層としてＡｇを０．４μｍの厚さで成膜した。一方のガラス基板の金属保護層上に、低融点金属としての厚さ０．２ｍｍの５３重量％Ｂｉ、４７重量％Ｓｎ合金で被覆された直径１．５ｍｍのＴｉワイヤを側壁として設置した。

２枚のガラス基板を水平に保つと共に、両者の間を１００ｍｍ開けて５ｘ１０^-6Ｐａの真空中で加熱脱気処理を行なった。冷却過程で２００℃に至った際、これら２枚のガラス基板を所定の位置で合わせた後、この操作により溶融しているＢｉ−Ｓｎ合金がＴｉワイヤを介して相互に親和性が良いために濡れ広がり隙間のない状態になった。この状態で凝固させ、２枚のガラス基板を封着した。このＦＥＤについて、実施例１と同様の真空リーク試験を実施したところ同様の結果を得た。

以上のように、本実施形態および各実施例によれば、高真空を必要とするガラス製容器の封着が可能となり、高い真空度を維持することができ、信頼性の向上した平面型の画像表示装置を得ることができる。

なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

本発明において、側壁、その他の構成要素の寸法、材質等は上述した実施形態に限定されることなく、必要に応じて適宜選択可能である。この発明は、電子源として電界放出型電子放出素子を用いたものに限らず、表面伝導型、カーボンナノチューブ等の他の電子源を用いた画像表示装置、および内部が真空に維持された他の平面型の画像表示装置にも適用可能である。

この発明の第１の実施形態に係るＳＥＤを示す斜視図。 図１の線Ａ−Ａに沿って破断した前記ＳＥＤの斜視図。 前記ＳＥＤの封着部を拡大して示す断面図。 前記封着部の他の実施形態を示す断面図。 前記封着部の更に他の実施形態を示す断面図。 前記封着部の他の実施形態を示す断面図。

符号の説明

１０…真空外囲器、 １１…第１基板、 １２…第２基板、 １３…側壁、
１４…支持部材、 １６…蛍光体スクリーン、 ２２…電子放出素子、
３３…封着部、 ３１ａ、３１ｂ…金属層、 ３２…封着層、 ３４ａ…第１金属層、
３４ｂ…第２金属層、 ３６…金属保護層。

Claims (11)

1. 隙間を置いて対向配置された２枚のガラス基板と、前記ガラス基板の所定位置を封着し２枚のガラス基板間に密閉空間を規定した封着部と、を備え、
   前記封着部は、前記所定位置に沿って充填された低融点金属と、前記ガラス基板表面と前記低融点金属との間に設けられ、ガラスとの結合性および前記低融点金属との親和性を有し、かつ、５００℃以下の温度において、溶融する前記低融点金属に対する溶解度が１％未満の金属で形成された金属層と、を有している平面型の画像表示装置。
2. 隙間を置いて対向配置された２枚のガラス基板と、前記ガラス基板の所定位置を封着し２枚のガラス基板間に密閉空間を規定した封着部と、を備え、
   前記封着部は、前記所定位置に沿って充填された低融点金属と、前記ガラス基板表面と前記低融点金属との間に設けられ、ガラスとの結合性および前記低融点金属との親和性を有し、かつ、５００℃以下の温度において、溶融する前記低融点金属に対する溶解度が１％未満の金属で形成された金属層と、前記金属層と低融点金属との間に設けられ、前記低融点金属に対して親和性を有した金属保護層と、を有している平面型の画像表示装置。
3. 前記保護層は、少なくともＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｓｎの１つの単体あるいはそれらを主成分とする合金であることを特徴とする請求項２に記載の平面型の画像表示装置。
4. 前記金属層は、少なくともＣｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ａｌのいずれか１つを主成分として含む活性な遷移金属、あるいは少なくともＹ、Ｃｅの１つを含む希土類金属、あるいはそれらを主成分とする合金で形成されている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の平面型の画像表示装置。
5. 前記金属層は、少なくともＦｅ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏの１つを含む遷移金属単体あるいはそれらを主成分とし、請求項４の活性金属を含有する合金で形成されている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の平面型の画像表示装置。
6. 前記金属層は、複数の金属層を積層した多層金属層である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の平面型の画像表示装置。
7. 前記金属層は、前記ガラス基板表面上に形成されガラスとの結合性を有した第１金属層と、前記第１金属層に積層され第１金属層と低融点金属との間に設けられ、前記低融点金属との親和性を有し、かつ、５００℃以下の温度において、溶融する前記低融点金属に対する溶解度が１％未満の金属で形成された第２金属層とを含んでいる請求項６に記載の平面型の画像表示装置。
8. 前記第１金属層は、少なくともＣｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ａｌの１つを含む活性な遷移金属の単体、あるいは少なくともＹ、Ｃｅの１つを含む希土類金属の単体、あるいはそれらを主成分とする合金で形成されている請求項７に記載の平面型の画像表示装置。
9. 前記第２金属層は、少なくともＦｅ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏの１つを含む遷移金属単体あるいはそれらを主成分とする合金で形成されている請求項７又は８に記載の平面型の画像表示装置。
10. 前記低融点金属は、少なくともＩｎ、Ｇａ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂの１つを含む金属の単独あるいはそれらの合金である請求項１ないし９のいずれか１項に記載の平面型の画像表示装置。
11. 一方の前記ガラス基板の内面に設けられた蛍光体層と、他方のガラス基板の内面上に設けられ前記蛍光体層を励起する複数の電子源と、を備えている請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の平面型の画像表示装置。

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