JP2005190585A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、ビット線ツイスト方式の半導体メモリ装置において、リダンダンシ置き換えを行うワード線のアドレスによらず、リダンダンシ置き換えを行ったワード線に接続されているセルのデータ方向を外部からの制御により保証できるようにすることを最も主要な特徴としている。
【解決手段】たとえば、データスクランブル回路51より、Rowアドレス、リダンダンシアドレスおよびリダンダンシヒット信号を入力とする、データ反転制御信号Dinv(“H”が出力されたとする。すると、そのデータ反転制御信号Dinv(“H”)を受け取ったDQバッファ25a,25bは、たとえばリード動作時に、リダンダンシ置き換えを行ったセル(RMC)から読み出されたデータを反転させる。そして、その反転データをDQパッド11より外部に出力するように構成されている。
【選択図】 図3
【解決手段】たとえば、データスクランブル回路51より、Rowアドレス、リダンダンシアドレスおよびリダンダンシヒット信号を入力とする、データ反転制御信号Dinv(“H”が出力されたとする。すると、そのデータ反転制御信号Dinv(“H”)を受け取ったDQバッファ25a,25bは、たとえばリード動作時に、リダンダンシ置き換えを行ったセル(RMC)から読み出されたデータを反転させる。そして、その反転データをDQパッド11より外部に出力するように構成されている。
【選択図】 図3
Description
本発明は、半導体記憶装置に関するもので、特に、ビット線ツイスト方式の半導体メモリ装置において、レギュラーアレイの不良セルをリダンダンシセルにより救済する場合の、メモリテスト(特性評価)のためのオンチップスクランブル回路に関する。
周知のように、ビット線の少なくとも一部をツイストさせたビット線ツイスト方式を採用する半導体メモリ装置が提案されている(たとえば、特許文献1参照)。ビット線ツイスト方式は、メモリセルに対するデータの読み出しおよび書き込みを行うビット線の動作時において、隣接するビット線からのカップリングノイズを軽減するのに非常に有効である。
ところで、ビット線ツイスト方式を採用する際の問題点として、リダンダンシセルデータの整合性があげられる。つまり、ビット線ツイスト方式を採用した場合、リダンダンシ置き換えを行ったワード線に接続されているセルのデータ方向(相)が、置き換えを行うワード線のアドレスにより変化することになる。なぜならば、ワード線に接続されるセルには、相補のいずれかのビット線が接続されるようになっている。そのため、ワード線のアドレスによっては、セルのデータ方向が逆になる場合がある。このように、リダンダンシ置き換えを行うワード線のアドレスに制限を設けない限り、リダンダンシセルのデータ方向を、リダンダンシ置き換えが行われたワード線に接続されているセル(レギュラーセル)のデータ方向に合致させることができない。
上記したように、隣接するビット線同士の干渉によるノイズ対策として、たくさんの種類のビット線ツイスト方式が提案されている。しかしながら、ビット線ツイスト方式を採用する半導体メモリ装置の場合、リダンダンシ置き換えを行うワード線のアドレスに制限を設けない限り、置き換えを行ったリダンダンシセルのデータ方向をレギュラーセルのデータ方向に合致させるのが困難であった。そのため、たとえばリダンダンシ置き換えを行った後のメモリテストにおいて、置き換えを行ったワード線に接続されているセルを正当に評価することができないという問題があった。
特開昭62−51096号
本発明は、リダンダンシ置き換えを行うワード線のアドレスによらず、リダンダンシ置き換えを行ったワード線に接続されているセルのデータ方向を外部からの制御により保証でき、リダンダンシ置き換えを行ったセルを正当に評価することが可能となる半導体記憶装置を提供することを目的としている。
本願発明の一態様によれば、少なくとも一部のビット線をツイストさせたビット線ツイスト方式の半導体記憶装置であって、データを格納するための、複数のメモリセルを有するメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイにおける不良セルを救済するための、複数のリダンダンシセルを有するリダンダンシセルアレイと、前記リダンダンシセルのデータを反転させるように制御する制御回路と、前記制御回路の制御にしたがって、前記リダンダンシセルのデータを反転させる反転回路とを具備したことを特徴とする半導体記憶装置が提供される。
この発明によれば、リダンダンシ置き換えを行うワード線のアドレスによらず、リダンダンシ置き換えを行ったワード線に接続されているセルのデータ方向を外部からの制御により保証でき、リダンダンシ置き換えを行ったセルを正当に評価することが可能となる半導体記憶装置を提供できる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
[第1の実施形態]
図1は、この発明の第1の実施形態にしたがった、ビット線ツイスト方式を採用する半導体メモリ装置(メモリチップ)の基本構成を示すものである。すなわち、メモリチップ10には、複数のDQパッド(DQ Pad)11が設けられている。各DQパッド11には、入力レシーバ(Input Receiver)13をそれぞれ介して、書き込みデータ(Write Data)線15が接続されている。また、各DQパッド11には、出力ドライバ(Output Driver)17をそれぞれ介して、読み出しデータ(Read Data)線19が接続されている。上記書き込みデータ線15および上記読み出しデータ線19は、それぞれ、マルチプレクサ21に接続されている。このマルチプレクサ21は、データ読み出し用のRead Multiplexer(Read MUX回路)21A、および、データ書き込み用のWrite Multiplexer(Write MUX回路)21Bを有して構成されている。
図1は、この発明の第1の実施形態にしたがった、ビット線ツイスト方式を採用する半導体メモリ装置(メモリチップ)の基本構成を示すものである。すなわち、メモリチップ10には、複数のDQパッド(DQ Pad)11が設けられている。各DQパッド11には、入力レシーバ(Input Receiver)13をそれぞれ介して、書き込みデータ(Write Data)線15が接続されている。また、各DQパッド11には、出力ドライバ(Output Driver)17をそれぞれ介して、読み出しデータ(Read Data)線19が接続されている。上記書き込みデータ線15および上記読み出しデータ線19は、それぞれ、マルチプレクサ21に接続されている。このマルチプレクサ21は、データ読み出し用のRead Multiplexer(Read MUX回路)21A、および、データ書き込み用のWrite Multiplexer(Write MUX回路)21Bを有して構成されている。
上記マルチプレクサ21には、RWD線23をそれぞれ介して、DQバッファ(Buffer)25a,25bが接続されている。DQバッファ25a,25bには、それぞれ、複数のメインDQ線対MDQ,/MDQが接続されている。また、上記DQバッファ25a,25bには、後述するデータスクランブル回路(制御回路)51の出力信号線が接続されている。メインDQ線対MDQ,/MDQには、MDQスイッチ(switch)29をそれぞれ介して、ローカルDQ線対LDQ,/LDQが接続されている。ローカルDQ線対LDQ,/LDQは、上記メインDQ線対MDQ,/MDQと直交する方向に配設されている。上記ローカルDQ線対LDQ,/LDQには、DQゲート(Gate)33がそれぞれ接続されている。上記メインDQ線対MDQ,/MDQおよび上記ローカルDQ線対LDQ,/LDQのそれぞれは、セルアレイ(Cell Array)領域41の上層に配設されている。
上記セルアレイ領域41は、第1および第2のメモリセルアレイ部41a,41bを備えて構成されている。第1および第2のメモリセルアレイ部41a,41bは、それぞれ、複数のセルアレイ(レギュラーアレイ)部43と少なくとも1つのリダンダンシアレイ部45とを有して構成されている。上記複数のセルアレイ部43および上記少なくとも1つのリダンダンシアレイ部45のサイドには、それぞれ、複数のセンスアンプ(S/A)47が配設されている。複数のセンスアンプ47には、上記DQゲート33およびビット線対BL,/BLがそれぞれ接続されている。これにより、上記複数のセルアレイ部43における不良セル(レギュラーセルMC)が、たとえばロウ(Row)単位で、少なくとも1つのリダンダンシアレイ部45のリダンダンシセル(RMC)によって置き換えられる。
ここで、上記複数のセルアレイ部43は、たとえば図2に示すように、複数のメモリセルアレイ43aを有している。メモリセルアレイ43aのそれぞれは、“3回ツイスト方式”のビット線対BL,/BLとワード線WLとの各交点に、メモリセルMCが配置されている。メモリセルMCのそれぞれは、セルトランジスタ(T)とセルキャパシタ(C)とから構成されている。
なお、上記した“3回ツイスト方式”の場合、たとえば、メモリセルアレイ43aの左右のほぼ1/2の位置で1回ツイストされたビット線対BL,/BLと、メモリセルアレイ43aの左右のほぼ1/3および2/3の位置で2回ツイストされたビット線対BL,/BLとが交互に配置されている。また、上記セルアレイ部43とほぼ同様の構成を有して、上記リダンダンシアレイ部45が構成されている。
図3は、上記した半導体メモリ装置の構成を示すブロック図である。たとえば、DQパッド11より入力されたデータは、ロウ,カラム(Column)アドレスで指定されたメモリセルMCに書き込まれ、ロウ,カラムアドレスで指定されたメモリセルMCから読み出されたデータは、DQパッド11より出力される。すなわち、このような構成の半導体メモリ装置において、ライト動作とは、DQパッド11から入力されたデータを、ロウ,カラムアドレスで指定されたメモリセルMCに書き込むための一連の動作であり、リード動作とは、ロウ,カラムアドレスで指定されたメモリセルMCのセルデータを読み出して、DQパッド11より出力させるための一連の動作である。
ライト動作時およびリード動作時においては、ロウアドレスに応じて、1つのワード線WLが活性化される。これにより、所望のメモリセルMCが、ビット線対BL,/BLの一方のビット線と電気的に接続される。つまり、上記メモリセルMCには、ワード線WLのアドレスによって、ビット線BLにつながるメモリセルMCa(WL0)と、ビット線/BLにつながるメモリセルMCb(WL1)とが存在する。ライト動作時、ビット線BLと接続されるメモリセルMCaには、DQパッド11から入力されたデータと同じ方向(相)のデータが書き込まれる。これに対し、ビット線/BLと接続されるメモリセルMCbには、DQパッド11から入力されたデータとは逆方向のデータが書き込まれる。
一方、上記データスクランブル回路51は、Rowアドレス、リダンダンシアドレスおよびリダンダンシヒット信号を入力とし、たとえばリダンダンシセル(RMC)に書き込まれているデータの方向を反転制御するためのデータ反転制御信号Dinvを出力(活性化)するように構成されている。なお、リダンダンシアドレスとは、上記リダンダンシアレイ部45のどのセル(RMC)で不良セルを置き換えたかを示すアドレス情報であり、リダンダンシヒット信号とは、リダンダンシ置き換えを行ったセル(RMC)へのアクセスを内部的に検知して活性化する信号である。
本実施形態の場合、上記データスクランブル回路51からのデータ反転制御信号Dinvは、上記DQバッファ(反転回路)25a,25bに供給されるようになっている。すなわち、データ反転制御信号Dinvを受け取った上記DQバッファ25a,25bは、たとえばリード動作時に、リダンダンシ置き換えを行ったセル(RMC)に書き込まれているデータの方向を反転させることが可能である。これにより、リダンダンシ置き換えを行ったセル(RMC)から、実際に書き込まれているデータとは方向が異なるデータを読み出せるようになる。したがって、たとえばメモリテストの際には、リダンダンシセル(RMC)に書き込まれているデータの方向にかかわらず、常に、置き換えが行われたメモリセルアレイ43aのセル(レギュラーセルMC)のデータと同じ方向のデータを読み出すことが可能となる。
図4は、上記したDQバッファ25a,25bの回路構成例を示すものである。ここでは、DQバッファ25a,25bにおけるリード用回路についてのみ示している。すなわち、DQバッファ25a,25bのリード用回路は、たとえば、トランスファゲート25-1,25-2,25-3,25-4、増幅器25-5、インバータ回路25-6、ナンド(nand)回路25-7、ノア(nor)回路25-8、PMOSトランジスタ25-9、および、NMOSトランジスタ25-10 を有して構成されている。
通常のリード動作時(データ反転しない場合)は、上記ナンド回路25-7の一方の入力端に供給される信号Readが“H(High)”、上記ノア回路25-8の一方の入力端に供給される信号/Readが“L(Low)”となる。また、上記データスクランブル回路51からのデータ反転制御信号Dinvが“L”となって(/Dinv=“H”)、上記トランスファゲート25-1,25-3がオン状態、上記トランスファゲート25-2,25-4がオフ状態となる。これにより、上記トランスファゲート25-1,25-3を介して、上記メインDQ線対MDQ,/MDQの各データが、それぞれ、データMDQ2,/MDQ2として、上記増幅器25-5に送られる。
増幅器25-5の一方の出力(データMDQ2の増幅信号RD)は、上記ノア回路25-8の他方の入力端に供給される。また、増幅器25-5の他方の出力(データ/MDQ2の増幅信号/RD)は、上記インバータ回路25-6を介して、上記ナンド回路25-7の他方の入力端に供給される。これにより、上記PMOSトランジスタ25-9のゲートが上記ナンド回路25-7の出力によって、上記NMOSトランジスタ25-10 のゲートが上記ノア回路25-8の出力によって、それぞれ制御される。その結果、上記PMOSトランジスタ25-9と上記NMOSトランジスタ25-10 とを直列に接続した中間ノードにつながるRWD線23には、上記メインDQ線MDQのデータが伝えられる。
一方、リード動作時にデータ反転を行う場合には、上記データスクランブル回路51からのデータ反転制御信号Dinvが“H”となって(/Dinv=“L”)、上記トランスファゲート25-1,25-3がオフ状態、上記トランスファゲート25-2,25-4がオン状態となる。これにより、上記メインDQ線MDQのデータがデータ/MDQ2として、また、上記メインDQ線/MDQのデータがデータMDQ2として、上記増幅器25-5に送られる。その結果、上記メインDQ線/MDQのデータが、上記RWD線23に伝えられることになる。
図5は、上記したDQバッファ25a,25bの他の回路構成例を示すものである。ここでは、DQバッファ25a,25bにおけるリード用回路についてのみ示している。すなわち、このリード用回路は、たとえば、増幅器25-11 、インバータ回路25-12 、イクスクルーシブOR回路25-13 ,25-14 、ナンド回路25-15 、ノア回路25-16 、PMOSトランジスタ25-17 、および、NMOSトランジスタ25-18 を有して構成されている。
この回路の場合、通常のリード動作時(データ反転しない場合)には、上記ナンド回路25-15 の一方の入力端に供給される信号Readが“H(High)”、上記ノア回路25-16 の一方の入力端に供給される信号/Readが“L(Low)”となる。また、上記データスクランブル回路51からのデータ反転制御信号Dinvが“L”となって、上記イクスクルーシブOR回路25-13 ,25-14 の一方の入力端にそれぞれ供給される。また、上記イクスクルーシブOR回路25-13 の他方の入力端には、上記増幅器25-11 の一方の出力(データMDQの増幅信号RD)が供給される。上記イクスクルーシブOR回路25-14 の他方の入力端には、上記増幅器25-11 の他方の出力(データ/MDQの増幅信号/RD)が、上記インバータ回路25-12 を介して供給される。これにより、上記イクスクルーシブOR回路25-13 ,25-14 からは、増幅信号RDと同相のデータRD2,/RD2がそれぞれ出力される。
上記イクスクルーシブOR回路25-13 の出力RD2は、上記NMOSトランジスタ25-18 のゲートを制御するための、上記ノア回路25-16 の他方の入力端に供給される。また、上記イクスクルーシブOR回路25-14 の出力/RD2は、上記PMOSトランジスタ25-17 のゲートを制御するための、上記ナンド回路25-15 の他方の入力端に供給される。その結果、上記PMOSトランジスタ25-17 と上記NMOSトランジスタ25-18 との中間ノード(接続点)につながるRWD線23には、上記メインDQ線MDQのデータが伝えられる。
一方、リード動作時にデータ反転を行う場合には、上記データスクランブル回路51からのデータ反転制御信号Dinvが“H”となる。これにより、上記イクスクルーシブOR回路25-13 ,25-14 の出力RD2,/RD2が、上記増幅器25-11 の他方の出力(データ/MDQの増幅信号/RD)と同相になる。すなわち、上記イクスクルーシブOR回路25-13 ,25-14 からは、増幅信号RDと逆相のデータ(RD2,/RD2)がそれぞれ出力される。その結果、増幅信号RDとは逆相の、上記メインDQ線/MDQのデータが上記RWD線23に伝えられる。
図6は、上記したDQバッファ25a,25bのさらに別の回路構成例を示すものである。ここでは、DQバッファ25a,25bにおけるリード用回路についてのみ示している。すなわち、このリード用回路は、たとえば、増幅器25-21 、トランスファゲート25-22 ,25-23 、クロックトインバータ回路25-24 ,25-25 、ナンド回路25-26 、ノア回路25-27 、PMOSトランジスタ25-28 、および、NMOSトランジスタ25-29 を有して構成されている。
この回路の場合、通常のリード動作時(データ反転しない場合)には、上記ナンド回路25-26 の一方の入力端に供給される信号Readが“H(High)”、上記ノア回路25-27 の一方の入力端に供給される信号/Readが“L(Low)”となる。また、上記データスクランブル回路51からのデータ反転制御信号Dinvが“L”となって(/Dinv=“H”)、上記トランスファゲート25-22 および上記クロックトインバータ回路25-25 がオン状態、上記トランスファゲート25-23 および上記クロックトインバータ回路25-24 がオフ状態となる。これにより、上記NMOSトランジスタ25-29 のゲートを制御するための、上記ノア回路25-27 の他方の入力端に供給される信号RD2、および、上記PMOSトランジスタ25-28 のゲートを制御するための、上記ナンド回路25-26 の他方の入力端に供給される信号/RD2が、ともに、上記増幅器25-21 の他方の出力(データ/MDQの増幅信号/RD)と同相になる。その結果、上記PMOSトランジスタ25-28 と上記NMOSトランジスタ25-29 との中間ノード(接続点)につながるRWD線23には、上記メインDQ線MDQのデータが伝えられる。
一方、リード動作時にデータ反転を行う場合には、上記データスクランブル回路51からのデータ反転制御信号Dinvが“H”となる(/Dinv=“L”)。これにより、上記トランスファゲート25-23 および上記クロックトインバータ回路25-24 がオン状態、上記トランスファゲート25-22 および上記クロックトインバータ回路25-25 がオフ状態となる。すなわち、上記NMOSトランジスタ25-29 のゲートを制御するための、上記ノア回路25-27 の他方の入力端に供給される信号RD2、および、上記PMOSトランジスタ25-28 のゲートを制御するための、上記ナンド回路25-26 の他方の入力端に供給される信号/RD2が、ともに、上記増幅器25-21 の他方の出力(データ/MDQの増幅信号/RD)と同相になる。その結果、上記PMOSトランジスタ25-28 と上記NMOSトランジスタ25-29 との中間ノード(接続点)につながるRWD線23には、上記メインDQ線/MDQのデータが伝えられる。
図7は、上記したDQバッファ25a,25bのまた別の回路構成例を示すものである。ここでは、DQバッファ25a,25bにおけるリード用回路についてのみ示している。すなわち、このリード用回路は、たとえば、増幅器25-30 と第1の回路25-40 と第2の回路25-50 と信号変換回路25-59 を有して構成されている。第1の回路25-40 は、通常のリード動作時に動作するもので、たとえば、インバータ回路25-41 、ナンド回路25-42 、ノア回路25-43 、PMOSトランジスタ25-44 、および、NMOSトランジスタ25-45 を有して構成されている。第2の回路25-50 は、データ反転を行う場合に動作するもので、たとえば、インバータ回路25-51 、ナンド回路25-52 、ノア回路25-53 、PMOSトランジスタ25-54 、および、NMOSトランジスタ25-55 を有して構成されている。
上記信号変換回路25-59 は、入力信号Readが“L(Low)”(/Read=“H(High)”)の場合、上記データスクランブル回路51からのデータ反転制御信号Dinvの“L”,“H”に関わらず、出力信号Read_norm,Read_invをともに“L”、出力信号/Read_norm,/Read_invをともに“H”にする。リード動作時は、入力信号Readが“H”(/Read=“L”)となるが、この場合、上記データ反転制御信号Dinvの信号状態によって出力信号の状態が変化する。つまり、通常のリード動作時(データ反転しない場合)には、上記入力信号Readが“H”、上記データ反転制御信号Dinvが“L”となることにより、出力信号Read_normが“H”、出力信号/Read_normが“L”となって、第1の回路25-40 がオン状態となる。また、出力信号Read_invが“L”、出力信号/Read_invが“H”となって、第2の回路25-50 はオフ状態となる。一方、リード動作時にデータ反転を行う場合には、上記データ反転制御信号Dinvが“H”となることにより、出力信号Read_normが“L”、出力信号/Read_normが“H”となって、第1の回路25-40 がオフ状態となる。また、出力信号Read_invが“H”、出力信号/Read_invが“L”となって、第2の回路25-50 がオン状態となる。以上のような信号変換動作を、上記信号変換回路25-59 は実行する。
この回路の場合、通常のリード動作時(データ反転しない場合)には、上記信号変換回路25-59 に入力される、上記データスクランブル回路51からのデータ反転制御信号Dinvが“L”になることにより、上記第1の回路25-40 における、上記ナンド回路25-42 の一方の入力端に供給される信号Read_normが“H(High)”、上記ノア回路25-43 の一方の入力端に供給される信号/Read_normが“L(Low)”となる。また、上記第2の回路25-50 における、上記ナンド回路25-52 の一方の入力端に供給される信号Read_invが“L”となり、上記ノア回路25-53 の一方の入力端に供給される信号/Read_invが“H”となる。これにより、上記第1の回路25-40 がオン状態、上記第2の回路25-50 がオフ状態となる。
上記第1の回路25-40 においては、上記NMOSトランジスタ25-45 のゲートを制御するための、上記ノア回路25-43 の他方の入力端に、上記増幅器25-30 の一方の出力(データMDQの増幅信号RD)が供給される。また、上記PMOSトランジスタ25-44 のゲートを制御するための、上記ナンド回路25-42 の他方の入力端には、上記増幅器25-30 の他方の出力(データ/MDQの増幅信号/RD)を上記インバータ回路25-41 によって反転させた信号が供給される。その結果、上記PMOSトランジスタ25-44 と上記NMOSトランジスタ25-45 との中間ノード(接続点)につながるRWD線23には、上記メインDQ線MDQのデータが伝えられる。この場合、上記メインDQ線MDQのデータと上記増幅器25-30 の一方の出力(RD)および上記RWD線23に現われるデータは、同相のデータとなる。
一方、リード動作時にデータ反転を行う場合には、上記信号変換回路25-59 に入力される、上記データスクランブル回路51からのデータ反転制御信号Dinvが“H”になることにより、上記第1の回路25-40 における、上記ナンド回路25-42 の一方の入力端に供給される信号Read_normが“L”、上記ノア回路25-43 の一方の入力端に供給される信号/Read_normが“H”となる。また、上記第2の回路25-50 における、上記ナンド回路25-52 の一方の入力端に供給される信号Read_invが“H”となり、上記ノア回路25-53 の一方の入力端に供給される信号/Read_invが“L”となる。これにより、上記第1の回路25-40 がオフ状態、上記第2の回路25-50 がオン状態となる。
上記第2の回路25-50 においては、上記NMOSトランジスタ25-55 のゲートを制御するための、上記ノア回路25-53 の他方の入力端に、上記増幅器25-30 の一方の出力(RD)が上記インバータ回路25-51 を介して供給される。また、上記PMOSトランジスタ25-54 のゲートを制御するための、上記ナンド回路25-52 の他方の入力端には、上記増幅器25-30 の他方の出力(/RD)が供給される。その結果、上記PMOSトランジスタ25-54 と上記NMOSトランジスタ25-55 との中間ノード(接続点)につながるRWD線23には、上記メインDQ線/MDQのデータが伝えられる。この場合、上記RWD線23に現われるデータは、上記メインDQ線MDQのデータおよび上記増幅器25-30 の一方の出力(RD)の反転信号となる。
上記したように、DQバッファ25a,25bのリード用回路によって、リード動作時のデータ反転制御、つまり、リード動作時にセルから読み出したデータの方向(相)を反転させて出力することが可能となる。
また、上記したDQバッファ25a,25bにおいては、ライト動作時のデータ反転制御、つまり、ライト動作時にDQパッドから入力されたデータの方向を反転させてセルに書き込むように制御することも可能である。
[第2の実施形態]
図8は、この発明の第2の実施形態にしたがった、DQバッファ(反転回路)の回路構成例を示すものである。ここでは、上記DQバッファ25a,25bにおけるライト用回路についてのみ示している。なお、本実施形態において、半導体メモリ装置(メモリチップ)としての基本的な構成は図3に示した通りである。ただし、上記データスクランブル回路51のデータ反転制御信号Dinvは、セルに書き込まれるデータの方向を反転制御するための信号となっている。
図8は、この発明の第2の実施形態にしたがった、DQバッファ(反転回路)の回路構成例を示すものである。ここでは、上記DQバッファ25a,25bにおけるライト用回路についてのみ示している。なお、本実施形態において、半導体メモリ装置(メモリチップ)としての基本的な構成は図3に示した通りである。ただし、上記データスクランブル回路51のデータ反転制御信号Dinvは、セルに書き込まれるデータの方向を反転制御するための信号となっている。
すなわち、DQバッファ25a,25bのライト用回路は、たとえば、ナンド回路25-60 ,25-61 、ノア回路25-62 ,25-63 、インバータ回路25-64 ,25-65 、PMOSトランジスタ25-66 ,25-67 、NMOSトランジスタ25-68 ,25-69 、および、イクスクルーシブOR回路25-70 を有して構成されている。なお、図中に示す信号VBLHは、メインDQ線対MDQ,/MDQのハイ電位である。
通常のライト動作時(データ反転しない場合)には、上記ナンド回路25-60 ,25-61 の一方の入力端にそれぞれ供給される信号Writeが“H(High)”、上記ノア回路25-62 ,25-63 の一方の入力端にそれぞれ供給される信号/Writeが“L(Low)”となる。また、上記データスクランブル回路51からのデータ反転制御信号Dinvが“L”となって、上記イクスクルーシブOR回路25-70 の一方の入力端に供給される。また、上記イクスクルーシブOR回路25-70 の他方の入力端には、上記RWD線23のデータが供給される。これにより、上記イクスクルーシブOR回路25-70 からは、上記RWD線23のデータと同相のデータRWD_Iが出力される。
上記イクスクルーシブOR回路25-70 の出力(RWD_I)は上記インバータ回路25-65 によって反転され、信号/WDに変換された後、上記インバータ回路25-64 に供給される。上記インバータ回路25-65 から出力される上記信号/WDは、上記インバータ回路25-64 によってさらに反転されて、信号WDに変換された後、上記PMOSトランジスタ25-67 のゲートを制御するための上記ナンド回路25-61 の他方の入力端、および、上記NMOSトランジスタ25-69 のゲートを制御するための上記ノア回路25-63 の他方の入力端に、それぞれ供給される。また、上記信号/WDは、上記PMOSトランジスタ25-66 のゲートを制御するための上記ナンド回路25-60 の他方の入力端、および、上記NMOSトランジスタ25-68 のゲートを制御するための上記ノア回路25-62 の他方の入力端に、それぞれ供給される。この場合、上記RWD線23のデータは、上記イクスクルーシブOR回路25-70 の出力(RWD_I)と同相のデータとなる。その結果、上記RWD線23のデータは、上記PMOSトランジスタ25-67 と上記NMOSトランジスタ25-69 との中間ノード(接続点)につながる上記メインDQ線MDQに伝えられる。また、上記PMOSトランジスタ25-66 と上記NMOSトランジスタ25-68 との中間ノード(接続点)につながる上記メインDQ線/MDQには、上記RWD線23のデータの逆相のデータ(反転データ)が伝えられる。
一方、ライト動作時にデータ反転を行う場合には、上記データスクランブル回路51からのデータ反転制御信号Dinvが“H”となる。これにより、上記イクスクルーシブOR回路25-70 の出力RWD_Iは、上記RWD線23のデータの逆相のデータ(反転データ)となる。その結果、上記メインDQ線MDQには上記RWD線23のデータの逆相のデータが伝えられ、上記メインDQ線/MDQには上記RWD線23のデータと同相のデータが伝えられる。
図9は、上記したDQバッファ25a,25bの他の回路構成例を示すものである。ここでは、DQバッファ25a,25bにおけるライト用回路についてのみ示している。すなわち、このライト用回路は、たとえば、ナンド回路25-60 ,25-61 、ノア回路25-62 ,25-63 、インバータ回路25-64 、PMOSトランジスタ25-66 ,25-67 、NMOSトランジスタ25-68 ,25-69 、クロックトインバータ回路25-71 、および、トランスファゲート25-72 を有して構成されている。なお、図中に示す信号VBLHは、メインDQ線対MDQ,/MDQのハイ電位である。
この回路の場合、通常のライト動作時(データ反転しない場合)には、上記ナンド回路25-60 ,25-61 の一方の入力端にそれぞれ供給される信号Writeが“H(High)”に、上記ノア回路25-62 ,25-63 の一方の入力端にそれぞれ供給される信号/Writeが“L(Low)”となる。また、上記データスクランブル回路51からのデータ反転制御信号Dinvが“L”となって(/Dinv=“H”)、上記クロックトインバータ回路25-71 がオン状態、上記トランスファゲート25-72 がオフ状態となる。そして、上記クロックトインバータ回路25-71 の入力端には、上記RWD線23のデータが供給される。これにより、上記クロックトインバータ回路25-71 からは、上記RWD線23のデータと逆相の信号/WDが出力される。
上記クロックトインバータ回路25-71 の出力(/WD)は、上記インバータ回路25-64 によってさらに反転されて、信号WDに変換された後、上記PMOSトランジスタ25-67 のゲートを制御するための上記ナンド回路25-61 の他方の入力端、および、上記NMOSトランジスタ25-69 のゲートを制御するための上記ノア回路25-63 の他方の入力端に、それぞれ供給される。また、上記信号/WDは、上記PMOSトランジスタ25-66 のゲートを制御するための上記ナンド回路25-60 の他方の入力端、および、上記NMOSトランジスタ25-68 のゲートを制御するための上記ノア回路25-62 の他方の入力端に、それぞれ供給される。この場合、上記RWD線23のデータは、上記クロックトインバータ回路25-71 の出力(/WD)と逆相のデータとなる。その結果、上記RWD線23のデータは、上記PMOSトランジスタ25-67 と上記NMOSトランジスタ25-69 との中間ノード(接続点)につながる上記メインDQ線MDQに伝えられる。また、上記PMOSトランジスタ25-66 と上記NMOSトランジスタ25-68 との中間ノード(接続点)につながる上記メインDQ線/MDQには、上記RWD線23のデータの逆相のデータ(反転データ)が伝えられる。
一方、ライト動作時にデータ反転を行う場合には、上記データスクランブル回路51からのデータ反転制御信号Dinvが“H”となる(/Dinv=“L”)。これにより、上記クロックトインバータ回路25-71 はオフ状態、上記トランスファゲート25-72 がオン状態となる。その結果、上記メインDQ線MDQには上記RWD線23のデータの逆相のデータが伝えられ、上記メインDQ線/MDQには上記RWD線23のデータと同相のデータが伝えられる。
上記したように、DQバッファ25a,25bのライト用回路によって、ライト動作時のデータ反転制御、つまり、ライト動作時にセルに書き込まれるデータの方向(相)を反転させることが可能となる。
[第3の実施形態]
図10は、この発明の第3の実施形態にしたがった、ビット線ツイスト方式を採用する半導体メモリ装置(メモリチップ)の構成を示すブロック図である。ここでは、データスクランブル回路51からのデータ反転制御信号Dinvが、MDQスイッチ制御回路52に供給されるように構成した場合について説明する。すなわち、メインDQ線対MDQ,/MDQとローカルDQ線対LDQ,/LDQとを電気的に接続するMDQスイッチ29によって、一連のデータ反転制御を可能にした場合の例である。
図10は、この発明の第3の実施形態にしたがった、ビット線ツイスト方式を採用する半導体メモリ装置(メモリチップ)の構成を示すブロック図である。ここでは、データスクランブル回路51からのデータ反転制御信号Dinvが、MDQスイッチ制御回路52に供給されるように構成した場合について説明する。すなわち、メインDQ線対MDQ,/MDQとローカルDQ線対LDQ,/LDQとを電気的に接続するMDQスイッチ29によって、一連のデータ反転制御を可能にした場合の例である。
図11は、上記したMDQスイッチ29の回路構成例を示すものである。本実施形態の場合、上記MDQスイッチ29は、たとえば、4つのNMOSトランジスタ29a,29b,29c,29dを有して構成されている。すなわち、メインDQ線MDQには、NMOSトランジスタ29aを介してローカルDQ線LDQ、および、NMOSトランジスタ29cを介してローカルDQ線/LDQが接続されている。また、メインDQ線/MDQには、NMOSトランジスタ29bを介して上記ローカルDQ線LDQ、および、NMOSトランジスタ29dを介して上記ローカルDQ線/LDQが接続されている。このような構成のMDQスイッチ29が、Rowアドレスごとに設けられている。
上記NMOSトランジスタ29a,29b,29c,29dの各ゲートは、上記データスクランブル回路51からのデータ反転制御信号DinvとMDQスイッチ制御用信号MDQSWとを入力とした、上記MDQスイッチ制御回路52内の信号変換回路52aの出力信号MDQSW1,MDQSW_INVにより制御される。上記MDQスイッチ制御用信号MDQSWが“L”の場合、データ反転制御信号Dinvの信号状態に関わらず、上記信号変換回路52aからの出力信号MDQSW1,MDQSW_INVはともに“L”となる。上記MDQスイッチ制御用信号MDQSWが“H”となった場合、データ反転制御信号Dinvが“L”であれば、上記信号変換回路52aからの出力信号MDQSW1が“H”、出力信号MDQSW_INVが“L”となる。また、データ反転制御信号Dinvが“H”ならば、上記信号変換回路52aからの出力信号MDQSW1が“L”、出力信号MDQSW_INVが“H”となる。
たとえば、通常のリード動作時および通常のライト動作時には、Rowアドレスが選択され、それに対応するセンスアンプ47が活性化される際、上記MDQスイッチ制御信号MDQSWが“H”、上記データ反転制御信号Dinvが“L”となる。この場合、上記信号変換回路52aの出力信号MDQSW1が“H”となり、出力信号MDQSW_INVが“L”となる。これにより、Rowアドレスに対応する、メインDQ線MDQとローカルDQ線LDQとがNMOSトランジスタ29aを介して、また、メインDQ線/MDQとローカルDQ線/LDQとがNMOSトランジスタ29dを介して、それぞれ電気的に接続される。続いて、カラム選択線CSLが選択される(CSL=“H”)と、DQゲート33のNMOSトランジスタ33a,33bがオンする。これにより、ローカルDQ線対LDQ,/LDQとビット線対BL,/BLとが、電気的に接続される。つまり、ローカルDQ線対LDQ,/LDQを介して、メインDQ線対MDQ,/MDQとビット線対BL,/BLとが電気的に接続される。
これに対し、通常のリード動作時および通常のライト動作時を除く、たとえばデータ反転を行う場合には、上記MDQスイッチ制御信号MDQSWが“H”、上記データ反転制御信号Dinvが“H”となる。この場合、上記信号変換回路52aの出力信号MDQSW1は“L”となり、出力信号MDQSW_INVは“H”となる。これにより、Rowアドレスに対応する、メインDQ線/MDQとローカルDQ線LDQとがNMOSトランジスタ29bを介して、また、メインDQ線MDQとローカルDQ線/LDQとがNMOSトランジスタ29cを介して、それぞれ電気的に接続される。つまり、カラム選択線CSLの選択によって、ローカルDQ線LDQを介して、メインDQ線/MDQとビット線BLとが電気的に接続され、ローカルDQ線/LDQを介して、メインDQ線MDQとビット線/BLとが電気的に接続されることになる。
上記したように、リード動作時およびライト動作時において、それぞれ、データ反転を行う場合には、上記データスクランブル回路51からのデータ反転制御信号Dinvが“H”となる。これにより、上記メインDQ線MDQに対して、ビット線/BLにつながるメモリセルMCbを電気的に接続することが可能な状態となる。また、上記メインDQ線/MDQに対して、ビット線BLにつながるメモリセルMCaを電気的に接続することが可能な状態となる。その結果、ワード線WL1の活性化に応じて、ライト動作時のデータ反転制御、つまり、ライト動作時にはセルMCbに書き込まれるデータの方向(相)を反転させることが可能となるとともに、リード動作時のデータ反転制御、つまり、リード動作時にはセルMCbから読み出されるデータの方向(相)を反転させることが可能となる。
[第4の実施形態]
図12は、この発明の第4の実施形態にしたがった、ビット線ツイスト方式を採用する半導体メモリ装置(メモリチップ)の構成を示すブロック図である。ここでは、データスクランブル回路51からのデータ反転制御信号Dinvが、マルチプレクサ(多バンクデータ多重化回路)21に供給されるように構成した場合について説明する。すなわち、データ読み出し用のRead Multiplexer(Read MUX回路)21A、および、データ書き込み用のWrite Multiplexer(Write MUX回路)21Bによって、一連のデータ反転制御を可能にした場合の例である。
図12は、この発明の第4の実施形態にしたがった、ビット線ツイスト方式を採用する半導体メモリ装置(メモリチップ)の構成を示すブロック図である。ここでは、データスクランブル回路51からのデータ反転制御信号Dinvが、マルチプレクサ(多バンクデータ多重化回路)21に供給されるように構成した場合について説明する。すなわち、データ読み出し用のRead Multiplexer(Read MUX回路)21A、および、データ書き込み用のWrite Multiplexer(Write MUX回路)21Bによって、一連のデータ反転制御を可能にした場合の例である。
図13は、上記したRead Multiplexer21A、および、Write Multiplexer21Bの回路構成例を示すものである。本実施形態の場合、上記Read Multiplexer21Aは、たとえば、イクスクルーシブOR回路21-1、ナンド回路21-2、ノア回路21-3、PMOSトランジスタ21-4、および、NMOSトランジスタ21-5を有して構成されている。また、上記Write Multiplexer21Bは、たとえば、イクスクルーシブOR回路21-6、ナンド回路21-7、ノア回路21-8、PMOSトランジスタ21-9、および、NMOSトランジスタ21-10 を有して構成されている。
通常のリード動作時(データ反転しない場合)には、上記ナンド回路21-2の一方の入力端に供給される信号Readが“H(High)”、上記ノア回路21-3の一方の入力端に供給される信号/Readが“L(Low)”となる。また、上記データスクランブル回路51からのデータ反転制御信号Dinvが“L”となって、上記イクスクルーシブOR回路21-1の一方の入力端に供給される。また、上記イクスクルーシブOR回路21-1の他方の入力端には、上記DQバッファ25a,25bの出力(RWD線23のデータ)が供給される。これにより、上記イクスクルーシブOR回路21-1からは、上記RWD線23のデータと同相のデータが、それぞれ、上記ナンド回路21-2の他方の入力端および上記ノア回路21-3の他方の入力端に供給される。
すなわち、上記イクスクルーシブOR回路21-1の出力は、上記PMOSトランジスタ21-4のゲートを制御するための、上記アンド回路21-2の他方の入力端に供給される。また、上記イクスクルーシブOR回路21-1の出力は、上記NMOSトランジスタ21-5のゲートを制御するための、上記ノア回路21-3の他方の入力端に供給される。その結果、電源ノードVINTと接地ノードVSSとの間に直列に接続された、上記PMOSトランジスタ21-4と上記NMOSトランジスタ21-5との中間ノード(接続点)から、上記RWD線23のデータと同相のデータ(RDOUT)が、上記読み出しデータ(Read Data)線19上に出力される。
一方、リード動作時にデータ反転を行う場合には、上記データスクランブル回路51からのデータ反転制御信号Dinvが“H”となる。これにより、上記イクスクルーシブOR回路21-1の出力が、上記DQバッファ25a,25bの出力(RWD線23のデータ)と逆相になる。すなわち、上記イクスクルーシブOR回路21-1からは、RWD線23のデータと逆相のデータがそれぞれ出力される。その結果、RWD線23のデータとは逆相のデータ(RDOUT)が、上記読み出しデータ(Read Data)線19上に出力される。
また、通常のライト動作時(データ反転しない場合)には、上記ナンド回路21-7の一方の入力端に供給される信号Writeが“H(High)”、上記ノア回路21-8の一方の入力端に供給される信号/Writeが“L(Low)”となる。また、上記データスクランブル回路51からのデータ反転制御信号Dinvが“L”となって、上記イクスクルーシブOR回路21-6の一方の入力端に供給される。また、上記イクスクルーシブOR回路21-6の他方の入力端には、上記入力レシーバ(Input Receiver)13の出力WDINが供給される。これにより、上記イクスクルーシブOR回路21-6からは、上記出力WDINと同相のデータが、それぞれ、上記ナンド回路21-7の他方の入力端および上記ノア回路21-8の他方の入力端に供給される。
すなわち、上記イクスクルーシブOR回路21-6の出力は、上記PMOSトランジスタ21-9のゲートを制御するための、上記アンド回路21-7の他方の入力端に供給される。また、上記イクスクルーシブOR回路21-6の出力は、上記NMOSトランジスタ21-10 のゲートを制御するための、上記ノア回路21-8の他方の入力端に供給される。その結果、電源ノードVINTと接地ノードVSSとの間に直列に接続された、上記PMOSトランジスタ21-9と上記NMOSトランジスタ21-10 との中間ノード(接続点)から、上記出力WDINと同相のデータ(RWD線23のデータ)が出力される。
一方、ライト動作時にデータ反転を行う場合には、上記データスクランブル回路51からのデータ反転制御信号Dinvが“H”となる。これにより、上記イクスクルーシブOR回路21-6の出力が、上記入力レシーバ13の出力WDINと逆相になる。すなわち、上記イクスクルーシブOR回路21-6からは、出力WDINと逆相のデータがそれぞれ出力される。その結果、上記PMOSトランジスタ21-9と上記NMOSトランジスタ21-10 との中間ノード(接続点)から、出力WDINのデータとは逆相のデータ(RWD線23のデータ)が出力される。
上記したように、マルチプレクサ(Read Multiplexer21AおよびWrite Multiplexer21B)21によって、ライト動作時のデータ反転制御、つまり、ライト動作時にセルに書き込まれるデータの方向(相)を反転させることが可能になるとともに、リード動作時のデータ反転制御、つまり、リード動作時にセルから読み出されたデータの方向(相)を反転させることが可能となる。
次に、上述したデータ反転制御を行った場合の効果について説明する。ここでは、たとえば図14に示すように、ビット線ツイスト方式のメモリ(レギュラー)セルアレイのワード線WL0,1,2,3を、リダンダンシセルアレイのワード線RWL4,5,6,7によって置き換えた場合について考える。
図15は、テスターを用いて、全セルに対して“1”を書き込むようにした場合の動作例を示すものである。なお、同図(a)は本実施形態にしたがった動作例を、同図(b)は従来例の動作を、それぞれ示している。
同図(b)に示すように、従来、レギュラーセルアレイのワード線WLに接続されるメモリセルに対しては、外部のテスター60により、正しく“1”を書き込むことができる。また、レギュラーセルアレイのワード線WL0,1,2,3を、たとえば、リダンダンシセルアレイのワード線RWL0,1,2,3によって置き換えた場合にも、ワード線RWL0,1,2,3につながるセルに対しては、正しく“1”を書き込むことができる。しかし、置き換えられたワード線RWLにつながるセルには、“1”ではなく、“0”が書き込まれてしまうものが存在する。このように、リダンダンシ置き換え後は、置き換え先のリダンダンシセルのデータを外部から制御することができなくなる。そのため、後のメモリテストにおいて、狙い通りのテストが実行できなくなり、場合によっては、不良セルをチェックできなくなるなど、正当な評価が行えなくなる可能性がある。
これに対し、たとえば同図(a)に示すように、上述したデータスクランブル回路51によるデータ反転制御によって、全セルに対して、外部のテスター60から“1”を書き込むことができるようにした場合、リダンダンシセルに置き換える前のレギュラーセルと同相のデータを書き込むことが可能となる。したがって、後のメモリテストにおいて、狙い通りのテストが実行できるようになるとともに、結果について正当に評価することが可能となる。
図16は、テスターを用いて、全セルに対して“1”を書き込むようにした場合の他の動作例を示すものである。ここでは、メモリテストの際に、ビット線ストレート方式を採用する半導体メモリ装置(メモリチップ)で既に用いられているデータスクランブルプログラムが準備されているテスター61を使用するようにした場合について説明する。
上述したように、データスクランブル回路51によるデータ反転制御を可能にした場合、たとえばメモリテストの際に、ストレート方式のビット線のためのデータスクランブルプログラムを備えたテスター61を使用することが可能となる。この場合、単に、リダンダンシセルに置き換え前のレギュラーセルと同相のデータを書き込むことが可能となるだけでなく、従来のデータスクランブルプログラムを変更することなく共有化できるようになる。
図17は、テスターを用いて、全セルに対して“1”を書き込むようにした場合のさらに別の動作例を示すものである。ここでは、テスター側のデータスクランブル回路を省略できるようにした場合について説明する。
上述したように、データスクランブル回路51によるデータ反転制御を可能にした場合、テスター62のピンデータが絶えずセルデータと同じになるように、メモリチップ10の内部でデータスクランブル(データ反転制御)をかけることにより、データスクランブル回路を用いることなく、外部のテスター62から、全セルに対して、“1”を書き込むことが可能となる。
いずれの場合においても、リダンダンシ置き換え後も、外部のテスターから全セルのデータを保証することが可能である。
なお、ここでの説明には、便宜上、1つのビット線対だけをツイストさせた“1回ツイスト方式”を例に示したが、これに限らず、たとえば特開昭62−51096号公報に開示されているようなツイスト方式など、各種のタイプのビット線ツイスト方式を採用する半導体メモリ装置に適用できる。
また、上記各実施形態の場合、tcct型やttcc型といったセルの配置に関係なく、適用が可能である。
さらに、上記各実施形態は、複数のリダンダンシアレイを一か所に集中的に配置した集中配置型のリダンダンシアレイに限らず、複数のリダンダンシアレイを分散配置した分散配置型のリダンダンシアレイにも適用することが可能である。
その他、本願発明は、上記(各)実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。さらに、上記(各)実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。たとえば、(各)実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題(の少なくとも1つ)が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果(の少なくとも1つ)が得られる場合には、その構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
11…DQ Pad、13…Input Receiver、15…Write Data線、17…Output Driver、19…Read Data線、21…マルチプレクサ、21A…Read Multiplexer(Read MUX回路)、21B…Write Multiplexer(Write MUX回路)、23…RWD線、25a,25b…DQバッファ、29…MDQ switch、33…DQ Gate、43…セルアレイ(レギュラーアレイ)部、45…リダンダンシアレイ部、47…センスアンプ(S/A)、51…データスクランブル回路、MDQ,/MDQ…メインDQ線対、LDQ,/LDQ…ローカルDQ線対、BL,/BL…ビット線対、WL…ワード線、MC,MCa,MCb…メモリセル、T…セルトランジスタ、C…セルキャパシタ、Dinv(/Dinv)…データ反転制御信号。
Claims (5)
- 少なくとも一部のビット線をツイストさせたビット線ツイスト方式の半導体記憶装置であって、
データを格納するための、複数のメモリセルを有するメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイにおける不良セルを救済するための、複数のリダンダンシセルを有するリダンダンシセルアレイと、
前記リダンダンシセルのデータを反転させるように制御する制御回路と、
前記制御回路の制御にしたがって、前記リダンダンシセルのデータを反転させる反転回路と
を具備したことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記制御回路は、前記不良セルとの置き換えを行った前記リダンダンシセルへのアクセスに応じて、前記反転回路を制御するものであることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記反転回路は、前記不良セルとの置き換えを行った前記リダンダンシセルのデータを、実際に書き込もうとしたデータに一致させるものであることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記反転回路は、読み出し時に、前記不良セルとの置き換えを行った前記リダンダンシセルに書き込まれたデータを反転させるものであることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記反転回路は、書き込み時に、前記不良セルとの置き換えを行った前記リダンダンシセルに書き込もうとするデータを反転させるものであることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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