JP2005183078A - Organic el display device and manufacturing method of same - Google Patents

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JP2005183078A JP2003419785A JP2003419785A JP2005183078A JP 2005183078 A JP2005183078 A JP 2005183078A JP 2003419785 A JP2003419785 A JP 2003419785A JP 2003419785 A JP2003419785 A JP 2003419785A JP 2005183078 A JP2005183078 A JP 2005183078A
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Naoki Kato
直樹 加藤
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Kyocera Display Corp
AGC Inc
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Asahi Glass Co Ltd
Kyocera Display Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a an organic EL display device with excellent display characteristics and a manufacturing method of the same. <P>SOLUTION: The organic EL display device is provided with a base plate 11, positive electrode wirings 1, insulation films 22 each with an opening formed, barrier ribs 10 formed on the insulation films 22 and inside the openings of the same, organic compound layers formed in the openings of the insulation films 22, negative electrode wirings 5 formed inside the openings of the insulation films 22. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は有機EL(Electro Luminescence)表示装置及び有機EL表示装置の製造方法に関し、特に、液状材料を使用して有機発光層を形成する有機EL表示装置及び有機EL表示装置の製造方法に関する。   The present invention relates to an organic EL (Electro Luminescence) display device and an organic EL display device manufacturing method, and more particularly to an organic EL display device that forms an organic light emitting layer using a liquid material and an organic EL display device manufacturing method.

近年、有機EL素子を使用した有機EL表示装置の開発が盛んに行われている。有機EL表示装置は、液晶表示装置と比較して視野角が広く、また、応答速度も速く、有機物が有する発光性の多様性から、次世代の表示装置として期待されている。有機EL表示装置に用いられる有機EL素子は、基板上に陽極が形成され、陽極の上に薄膜状の有機化合物が積層され有機発光層が形成される。その有機化合物の層の上に、基板上に形成された陽極と対向するように陰極が形成された構造である。有機EL素子は、陽極と陰極との間に配置された有機化合物の層に電流が供給されると自発光する電流駆動型の表示素子である。以下、積層される有機化合物の薄膜を有機薄膜層と記す。陽極、複数の有機薄膜層および陰極を重ねて配置した個所が表示画素となる。   In recent years, organic EL display devices using organic EL elements have been actively developed. An organic EL display device has a wider viewing angle than a liquid crystal display device, has a high response speed, and is expected as a next-generation display device because of the variety of light-emitting properties of organic substances. In an organic EL element used in an organic EL display device, an anode is formed on a substrate, and a thin-film organic compound is laminated on the anode to form an organic light emitting layer. A cathode is formed on the organic compound layer so as to face the anode formed on the substrate. An organic EL element is a current-driven display element that emits light when a current is supplied to an organic compound layer disposed between an anode and a cathode. Hereinafter, a thin film of an organic compound to be laminated is referred to as an organic thin film layer. A display pixel is a portion where an anode, a plurality of organic thin film layers, and a cathode are stacked.

基板に設けられた電極上に有機化合物を積層する場合、有機材料を真空蒸着させて有機薄膜層を形成する場合がある。しかし、有機材料を蒸着させる場合、有機薄膜層の下地となる電極の表面に異物の付着や突起、窪みがあると、その影響により、有機薄膜層を所望の状態にできないことがある。   When an organic compound is stacked on an electrode provided on a substrate, an organic thin film layer may be formed by vacuum evaporation of an organic material. However, when an organic material is deposited, if the surface of the electrode serving as the base of the organic thin film layer has foreign matters attached, protrusions, or depressions, the organic thin film layer may not be in a desired state due to the influence.

この問題を解決する方法として、有機薄膜層となる有機材料を液体中に分散または溶解させ、溶液として塗布することで異物、突起、窪み等を被覆し、所望の有機薄膜層を形成する技術(湿式塗布方法、以下、単に塗布法と記す。)が知られている。例えば、特許文献1には、有機薄膜層のうち少なくとも一層を塗布法により形成することが記載されている。   As a method for solving this problem, a technique for forming a desired organic thin film layer by dispersing or dissolving an organic material to be an organic thin film layer in a liquid and coating it as a solution to cover foreign matters, protrusions, depressions, etc. A wet coating method, hereinafter simply referred to as a coating method) is known. For example, Patent Document 1 describes that at least one of the organic thin film layers is formed by a coating method.

塗布法としては、例えば、オフセット印刷法、凸版印刷法、マスクスプレー法等がある。オフセット印刷法や凸版印刷法では、有機材料を溶媒中に分散または溶解させた溶液(以下、有機材料の溶液、あるいは単に溶液という)の層を所定の領域のみに形成する。また、マスクスプレー法では、所望の領域に合致するような開口部を有するガラス・マスクや金属マスク等を配置し、有機材料を分散または溶解させた溶液を噴出する。この場合、溶液を窒素等の気体媒体中に分散させ、または二流体ノズル等を用いて溶液を霧状にする。   Examples of the coating method include an offset printing method, a relief printing method, and a mask spray method. In the offset printing method and the relief printing method, a layer of a solution in which an organic material is dispersed or dissolved in a solvent (hereinafter referred to as an organic material solution or simply a solution) is formed only in a predetermined region. In the mask spray method, a glass mask, a metal mask, or the like having an opening that matches a desired region is disposed, and a solution in which an organic material is dispersed or dissolved is ejected. In this case, the solution is dispersed in a gaseous medium such as nitrogen, or the solution is atomized using a two-fluid nozzle or the like.

また、有機EL表示装置では、有機薄膜層の上に設けられる陰極配線が隔離配置されるように隔離構造体(以下、隔壁と記す。)が設けられる。このような構成は、例えば、特許文献1に記載されている。図8は、特許文献1に記載された隔壁の例を示す断面図である。図8は、有機EL表示装置における基板内の一部を抜き出したものを示している。基板111上には、陽極配線101が設けられ、その後、隔壁100が設けられる。隔壁100は、例えば、基板111から離れるにつれて断面が広がるように形成される。このような隔壁100の構造は、逆テーパ構造あるいはオーバハング構造と称されている。   In the organic EL display device, an isolation structure (hereinafter referred to as a partition) is provided so that the cathode wiring provided on the organic thin film layer is isolated. Such a configuration is described in Patent Document 1, for example. FIG. 8 is a cross-sectional view showing an example of a partition wall described in Patent Document 1. As shown in FIG. FIG. 8 shows a part extracted from the substrate in the organic EL display device. An anode wiring 101 is provided on the substrate 111, and then a partition wall 100 is provided. The partition wall 100 is formed, for example, so that the cross section increases as the distance from the substrate 111 increases. Such a structure of the partition wall 100 is called an inverted taper structure or an overhang structure.

隔壁100を逆テーパ構造とすることで、陰極配線の分離をより確実なものとすることができる。隔壁100が設けられた状態で各有機薄膜層(ホール注入輸送層102、発光層103、電子注入輸送層104)を塗布法等により形成すると、隔壁100により有機薄膜層が分離され、この結果、各隔壁100の間に各有機薄膜層から構成される有機発光層が形成される。その後、陰極配線105が、蒸着法等によって形成される。陰極配線105も隔壁100により分離され、パターニングされた陰極配線105が形成される。   By making the partition wall 100 have an inversely tapered structure, the cathode wiring can be more reliably separated. When each organic thin film layer (hole injection transport layer 102, light emitting layer 103, electron injection transport layer 104) is formed by a coating method or the like in a state where the partition wall 100 is provided, the organic thin film layer is separated by the partition wall 100. As a result, Between each partition 100, the organic light emitting layer comprised from each organic thin film layer is formed. Thereafter, the cathode wiring 105 is formed by a vapor deposition method or the like. The cathode wiring 105 is also separated by the partition wall 100, and a patterned cathode wiring 105 is formed.

また、開口部を有する絶縁膜を陽極配線上に形成し、表示画素となる位置を開口部の位置によって定める場合もある。図9は、特許文献1に記載された構成に、開口部を有する絶縁膜を設けた場合の構成例を示す説明図である。図9(a)は、電極が配置される側から基板を観察した状況を示す模式図であり、図9(b)は、図9(a)のA−A'における断面図である。ここでは、図9(b)に示される基板111の端部と、図9(a)に示される基板111の端部は等しいものである。図9(a)では、上層に設けられた陰極配線等によって隠れてしまう構成部も示している。   In some cases, an insulating film having an opening is formed over the anode wiring, and a position to be a display pixel is determined by the position of the opening. FIG. 9 is an explanatory diagram showing a configuration example in the case where an insulating film having an opening is provided in the configuration described in Patent Document 1. In FIG. Fig.9 (a) is a schematic diagram which shows the condition which observed the board | substrate from the side by which an electrode is arrange | positioned, FIG.9 (b) is sectional drawing in AA 'of Fig.9 (a). Here, the end portion of the substrate 111 shown in FIG. 9B and the end portion of the substrate 111 shown in FIG. 9A are the same. FIG. 9A also shows components that are hidden by cathode wiring or the like provided in the upper layer.

図9に示す例において、基板111上には、まず陽極配線101と、陰極配線105に接続される陰極接続配線121とが形成される。続いて、開口部123を有する絶縁膜122が形成される。開口部123は、陽極配線101と陰極配線105とが交差することになる位置に設けられる。そして、陽極配線101と直交するように隔壁100が形成される。続いて、有機材料の溶液塗布または蒸着により、有機薄膜層124が形成される。   In the example shown in FIG. 9, first, the anode wiring 101 and the cathode connection wiring 121 connected to the cathode wiring 105 are formed on the substrate 111. Subsequently, an insulating film 122 having an opening 123 is formed. The opening 123 is provided at a position where the anode wiring 101 and the cathode wiring 105 intersect. A partition wall 100 is formed so as to be orthogonal to the anode wiring 101. Subsequently, the organic thin film layer 124 is formed by solution application or vapor deposition of an organic material.

なお、有機薄膜層として複数の層が形成されるが、図9(b)では、複数の層をまとめて有機薄膜層124として示している。溶液は、有機薄膜層を形成すべき領域に一定の厚みで有機薄膜層が形成されるように、有機材料濃度等を調整される。有機薄膜層124を形成後、陰極配線105が有機薄膜層上に蒸着される。隔壁100が有機薄膜層124や陰極配線105を分離することにより、隔壁間に有機薄膜層124が形成され、また、パターニングされた陰極配線105が形成される。   Although a plurality of layers are formed as the organic thin film layer, in FIG. 9B, the plurality of layers are collectively shown as the organic thin film layer 124. The concentration of the organic material is adjusted so that the organic thin film layer is formed with a certain thickness in the region where the organic thin film layer is to be formed. After the organic thin film layer 124 is formed, the cathode wiring 105 is deposited on the organic thin film layer. The partition wall 100 separates the organic thin film layer 124 and the cathode wiring 105, whereby the organic thin film layer 124 is formed between the partition walls, and the patterned cathode wiring 105 is formed.

陰極配線105を形成した後、有機EL素子を保護するために、ポリマー等で構成される有機薄膜層を陰極配線105上に形成する場合もある。この有機薄膜層(図示せず。)も、塗布法等によって形成される。   After forming the cathode wiring 105, an organic thin film layer made of a polymer or the like may be formed on the cathode wiring 105 in order to protect the organic EL element. This organic thin film layer (not shown) is also formed by a coating method or the like.

また、基板111の電極等が配置された面には、もう一枚の基板(図示せず。)が対向するように配置される。この基板において、基板111の有機EL素子に対向する領域の外周にシール材(図示せず。)が塗布される。このシール材によって、基板111ともう一枚の基板は接着される。有機EL素子は、基板およびシール材によって封止されることで、水分や酸素にさらされないように保たれる。   In addition, another substrate (not shown) is disposed so as to face the surface of the substrate 111 on which electrodes and the like are disposed. In this substrate, a sealing material (not shown) is applied to the outer periphery of the region of the substrate 111 facing the organic EL element. With this sealing material, the substrate 111 and another substrate are bonded. The organic EL element is kept from being exposed to moisture and oxygen by being sealed with a substrate and a sealing material.

隔壁100を形成した状態において、開口部123の周辺部分は、図10に示す構成となっている。図10は、図9に示される基板111内の一部を抜き出したものを示している。図10(a)は、隔壁100が形成される側から基板111を観察した状況を拡大して示す模式図であり、図10(b)は、図10(a)のB−B’における断面図である。   In the state where the partition wall 100 is formed, the peripheral portion of the opening 123 has a configuration shown in FIG. FIG. 10 shows a part extracted from the substrate 111 shown in FIG. FIG. 10A is a schematic diagram showing an enlarged view of a state in which the substrate 111 is observed from the side where the partition wall 100 is formed, and FIG. 10B is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. FIG.

図10において、基板111上には、陽極配線101、開口部123を有する絶縁膜122及び隔壁100が形成されている。隔壁100は、上述のように逆テーパ構造となるように形成されており、絶縁膜122は、逆テーパ構造とは反対に、基板111から離れるにつれて断面が狭くなる順テーパ構造となるように形成されている。また、絶縁膜122は、開口部123を形成するように格子状に設けられている。   In FIG. 10, an anode wiring 101, an insulating film 122 having an opening 123, and a partition wall 100 are formed on a substrate 111. The partition wall 100 is formed to have a reverse taper structure as described above, and the insulating film 122 is formed to have a forward taper structure whose cross section becomes narrower as the distance from the substrate 111 is opposite to the reverse taper structure. Has been. The insulating film 122 is provided in a lattice shape so as to form the opening 123.

図11乃至図13を用いて、図10に示した隔壁が形成された基板上に有機薄膜層及び陰極配線を形成する例について説明する。図11乃至図13は、図9に示される基板111内の一部を抜き出したものを示しており、図10(a)のB−B’における断面図である。   An example of forming the organic thin film layer and the cathode wiring on the substrate on which the partition wall shown in FIG. 10 is formed will be described with reference to FIGS. FIGS. 11 to 13 show a part extracted from the substrate 111 shown in FIG. 9, and are cross-sectional views taken along line B-B ′ of FIG.

まず、絶縁膜の説明のために、図11に示す例は、図10で示した構成と異なっている。この例では、陽極配線101及び隔壁100のみが形成された基板111上に、有機薄膜層及び陰極配線105を形成している。つまり、基板11上に絶縁膜を形成していない。また、有機薄膜層は、有機材料を蒸着して形成した蒸着有機膜128のみである。   First, for the description of the insulating film, the example shown in FIG. 11 is different from the configuration shown in FIG. In this example, the organic thin film layer and the cathode wiring 105 are formed on the substrate 111 on which only the anode wiring 101 and the partition wall 100 are formed. That is, no insulating film is formed on the substrate 11. Moreover, the organic thin film layer is only the vapor-deposited organic film 128 formed by vapor-depositing an organic material.

蒸着有機膜128及び陰極配線105は、図に示されるように、陽極配線101の上に形成され、隔壁100によって分離される。隔壁100が逆テーパ構造をしていることから、隔壁100の側面の部分において、蒸着の際に影となり、蒸着される量が少なくなる。このため、蒸着有機膜128及び陰極配線105の膜厚は、隔壁100の側面に近づくにしたがい薄くなる。そして、隔壁100の側面と陽極配線101の表面が交差する部分(図の破線部分)において、陰極配線105は、絶縁膜122とほぼ接することとなる。したがって、この部分において、陰極配線105と陽極配線101が短絡しやすくなるという問題がある。   The vapor-deposited organic film 128 and the cathode wiring 105 are formed on the anode wiring 101 and separated by the partition wall 100 as shown in the figure. Since the partition wall 100 has an inverted taper structure, the side surface portion of the partition wall 100 becomes a shadow during deposition and the amount deposited is reduced. For this reason, the film thickness of the vapor-deposited organic film 128 and the cathode wiring 105 becomes thinner as it approaches the side surface of the partition wall 100. The cathode wiring 105 is substantially in contact with the insulating film 122 at a portion where the side surface of the partition wall 100 and the surface of the anode wiring 101 intersect (dashed line portion in the figure). Accordingly, there is a problem that the cathode wiring 105 and the anode wiring 101 are easily short-circuited in this portion.

この問題を解決するために、図10で示したような絶縁膜が設けられている。図12に示す例は、図10で示した陽極配線101、絶縁膜122及び隔壁100が形成された基板111上に、有機薄膜層及び陰極配線105を形成している。この例では、有機薄膜層は、図11と同様に蒸着有機膜128のみである。蒸着有機膜128及び陰極配線105は、図に示されるように、陽極配線101及び絶縁膜122の上に形成され、隔壁100により分離される。   In order to solve this problem, an insulating film as shown in FIG. 10 is provided. In the example shown in FIG. 12, the organic thin film layer and the cathode wiring 105 are formed on the substrate 111 on which the anode wiring 101, the insulating film 122, and the partition wall 100 shown in FIG. 10 are formed. In this example, the organic thin film layer is only the deposited organic film 128 as in FIG. The vapor-deposited organic film 128 and the cathode wiring 105 are formed on the anode wiring 101 and the insulating film 122 and separated by the partition wall 100 as shown in the figure.

蒸着有機膜128及び陰極配線105は、絶縁膜122の順テーパ構造に応じた形状で形成され、図11と同様に、隔壁100の側面に近づくにしたがい膜厚が薄くなる。そして、陰極配線105は、絶縁膜122とほぼ接することとなる。このように、蒸着有機膜128及び陰極配線105の膜厚が薄くなっても、陽極配線101上に絶縁膜122が形成されているため、陰極配線105と陽極配線101と短絡することはない。   The deposited organic film 128 and the cathode wiring 105 are formed in a shape corresponding to the forward taper structure of the insulating film 122, and the film thickness decreases as the side of the partition wall 100 is approached, as in FIG. The cathode wiring 105 is almost in contact with the insulating film 122. As described above, even if the deposited organic film 128 and the cathode wiring 105 are thin, the cathode wiring 105 and the anode wiring 101 are not short-circuited because the insulating film 122 is formed on the anode wiring 101.

また、上述のように、有機薄膜層の一層を有機材料の溶液を用いて形成する場合もある。図13に示す例においては、図10で示した陽極配線101、絶縁膜122及び隔壁100が形成された基板111上に、有機薄膜層124及び陰極配線105を形成している。この例では、有機薄膜層124は、有機材料の溶液を塗布して形成された塗布有機膜127と、蒸着有機膜128から構成されている。塗布有機膜127、蒸着有機膜128及び陰極配線105は、図に示されるように、陽極配線101及び絶縁膜122の上に形成され、隔壁100により分離される。   Further, as described above, one layer of the organic thin film layer may be formed using a solution of an organic material. In the example shown in FIG. 13, the organic thin film layer 124 and the cathode wiring 105 are formed on the substrate 111 on which the anode wiring 101, the insulating film 122, and the partition wall 100 shown in FIG. 10 are formed. In this example, the organic thin film layer 124 includes a coating organic film 127 formed by applying a solution of an organic material and a vapor deposition organic film 128. The coated organic film 127, the deposited organic film 128, and the cathode wiring 105 are formed on the anode wiring 101 and the insulating film 122 and separated by the partition wall 100 as shown in the figure.

蒸着有機膜128及び陰極配線105は、図11、12と同様に、隔壁100の側面に近づくにしたがい膜厚が薄くなるのに対し、塗布有機膜127は、隔壁100の側面と絶縁膜122の表面が交差する部分で、膜厚が他の部分よりも急に厚くなる。これは、有機材料の溶液を塗布した際に、隔壁100の側面と絶縁膜122の表面の交差する部分の近傍空間によって、毛細管現象と同様の現象が発生し、溶液が吸い寄せられているためと考えられる。そして、この吸い寄せられた溶液は、隔壁100の側面と絶縁膜122の表面とが交差する部分に沿って、広がってしまう。特に、陰極配線105等を確実に分離するために逆テーパ構造を有するように隔壁100を形成すると、隔壁100の側面と絶縁膜122の表面の交差する部分の近傍空間は狭くなり、溶液がより広がりやすくなってしまう。   11 and 12, the deposited organic film 128 and the cathode wiring 105 become thinner as they approach the side surface of the partition wall 100, whereas the coated organic film 127 forms the side surface of the partition wall 100 and the insulating film 122. At the part where the surfaces intersect, the film thickness suddenly becomes thicker than other parts. This is because, when an organic material solution is applied, a phenomenon similar to a capillary phenomenon occurs due to a space near a portion where the side surface of the partition wall 100 and the surface of the insulating film 122 intersect, and the solution is sucked. Conceivable. The sucked solution spreads along a portion where the side surface of the partition wall 100 and the surface of the insulating film 122 intersect. In particular, when the partition wall 100 is formed so as to have an inverted taper structure in order to reliably separate the cathode wiring 105 and the like, the space near the intersection of the side surface of the partition wall 100 and the surface of the insulating film 122 becomes narrower, and the solution is more concentrated. It becomes easy to spread.

図14は、隔壁に沿って、有機材料の溶液が広がった状態を示す説明図である。図14では、隔壁100と有機材料の溶液125を示し、他の構成部の図示は省略した。図14において、126は溶液125の塗布領域であり、塗布した溶液125が広がらずに留まっているべき範囲を示している。すなわち、溶液125は、塗布領域126よりも広がらないことが理想的である。しかし、既に説明したように、溶液125は、隔壁100に沿って広がってしまう。その結果、図14に示すように、溶液は、塗布領域126よりも広がってしまう。   FIG. 14 is an explanatory diagram showing a state in which the organic material solution has spread along the partition walls. In FIG. 14, the partition wall 100 and the organic material solution 125 are shown, and other components are not shown. In FIG. 14, reference numeral 126 denotes an application region of the solution 125, which indicates a range where the applied solution 125 should stay without spreading. That is, it is ideal that the solution 125 does not spread more than the application region 126. However, as already described, the solution 125 spreads along the partition wall 100. As a result, as shown in FIG. 14, the solution spreads more than the application region 126.

溶液125は一定の厚みが得られるように濃度等を調整されるが、隔壁100に沿って広がってしまうために、所望の厚みを実現することが困難になってしまう。特に、塗布領域126の外周部付近の溶液は、より外側に広がってしまうため、有機薄膜層の厚さは、塗布領域126の外周部になるほど薄くなる。このように、有機薄膜層の厚さにムラが生じるため、各表示画素を発光させたときに発光ムラが生じてしまうという問題がある。   The concentration and the like of the solution 125 are adjusted so that a constant thickness can be obtained, but the solution 125 spreads along the partition wall 100, so that it becomes difficult to achieve a desired thickness. In particular, since the solution in the vicinity of the outer peripheral portion of the application region 126 spreads outward, the thickness of the organic thin film layer becomes thinner as the outer peripheral portion of the application region 126 is reached. As described above, since the thickness of the organic thin film layer is uneven, there is a problem that uneven light emission occurs when each display pixel emits light.

また、表示領域から塗布した溶液が流出することによって、溶液の流動による画素内膜厚のムラが生じ、画素内において発光輝度のムラが生ずる。特に、表示領域の外周部の画素において、この傾向が顕著に現れる。   Further, when the solution applied from the display area flows out, unevenness of the film thickness in the pixel due to the flow of the solution occurs, and unevenness of the light emission luminance occurs in the pixel. In particular, this tendency appears remarkably in the pixels in the outer peripheral portion of the display area.

他方、絶縁膜の開口部が発光し画素となるため、絶縁膜の部分は発光しない部分である。したがって、絶縁膜を設けることにより、絶縁膜がない場合と比べて、画素の発光面積の割合(開口率あるいは発光面積率)が悪いという問題もある。
特開2001−351779号公報(段落0012−0017、第1図および第2図)
On the other hand, since the opening of the insulating film emits light and becomes a pixel, the portion of the insulating film is a portion that does not emit light. Therefore, there is a problem in that the ratio of the light emitting area of the pixel (the aperture ratio or the light emitting area ratio) is poor by providing the insulating film as compared with the case without the insulating film.
Japanese Patent Laid-Open No. 2001-351799 (paragraphs 0012-0017, FIGS. 1 and 2)

このように従来の有機EL表示装置では、有機層となる液状材料が表示領域から流出することによって、膜厚ムラに起因する発光ムラが生じてしまい、表示品質が劣化し、さらに、開口率も悪いという問題点があった。   As described above, in the conventional organic EL display device, when the liquid material serving as the organic layer flows out of the display region, the light emission unevenness is caused due to the film thickness unevenness, the display quality is deteriorated, and the aperture ratio is also reduced. There was a problem of being bad.

本発明は上述の問題点に鑑みてなされたものであって、表示特性の優れた有機EL表示装置及び有機EL表示装置の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide an organic EL display device having excellent display characteristics and a method for manufacturing the organic EL display device.

本発明にかかる有機EL表示装置は、基板と、前記基板上に形成された第1の電極と、前記第1の電極上に、開口を有するように形成された絶縁膜と、前記第1の電極と交差するように延在し、前記絶縁膜上及び前記絶縁膜の開口内に形成された隔壁と、前記絶縁膜の開口内に、前記隔壁が形成された前記基板上に形成された有機化合物層と、前記隔壁により隔離され、前記絶縁膜の開口内における前記第1の電極との間において前記有機化合物層を挟むように形成された第2の電極と、を備えるものである。これにより、表示特性を向上することができる。なお、「基板上」や「電極上」、「絶縁膜上」等には、当該基板等の直接上である場合に限らず、当該基板等の上に他の層を介在している場合も含まれる。以下においても同様である。   The organic EL display device according to the present invention includes a substrate, a first electrode formed on the substrate, an insulating film formed to have an opening on the first electrode, and the first electrode. A partition extending to intersect the electrode and formed on the insulating film and in the opening of the insulating film; and an organic layer formed on the substrate on which the partition is formed in the opening of the insulating film And a second electrode formed by sandwiching the organic compound layer between the first electrode in the opening of the insulating film and separated by the partition wall. Thereby, display characteristics can be improved. Note that “on the substrate”, “on the electrode”, “on the insulating film”, etc. are not limited to being directly on the substrate or the like, and other layers may be interposed on the substrate or the like. included. The same applies to the following.

上述の有機EL表示装置において、前記絶縁膜は、前記第1の電極と平行な方向に延在していてもよい。これにより、発光ムラを低減することができる。   In the above-described organic EL display device, the insulating film may extend in a direction parallel to the first electrode. Thereby, unevenness in light emission can be reduced.

上述の有機EL表示装置において、前記絶縁膜は、前記第1の電極の両端を覆うように形成されていてもよい。これにより、陰極配線と陽極配線の短絡を防止することができる。   In the organic EL display device described above, the insulating film may be formed so as to cover both ends of the first electrode. Thereby, a short circuit between the cathode wiring and the anode wiring can be prevented.

上述の有機EL表示装置において、前記隔壁は、前記絶縁膜の開口内において前記第1の電極上に、直接形成されていてもよい。これにより、発光ムラを低減することができる。   In the organic EL display device described above, the partition may be formed directly on the first electrode in the opening of the insulating film. Thereby, unevenness in light emission can be reduced.

上述の有機EL表示装置において、前記第1の電極と前記第2の電極が交差する表示画素部は、対向する前記絶縁膜及び対向する前記隔壁の間の領域において表示してもよい。これにより、開口率を向上することができる。   In the organic EL display device described above, the display pixel portion where the first electrode and the second electrode intersect may be displayed in a region between the opposing insulating film and the opposing partition. Thereby, an aperture ratio can be improved.

上述の有機EL表示装置において、前記有機化合物層は、塗布膜であってもよい。これにより、有機材料の溶液の流出を抑制し、発光ムラを低減することができる。   In the organic EL display device described above, the organic compound layer may be a coating film. Thereby, the outflow of the solution of the organic material can be suppressed, and light emission unevenness can be reduced.

上述の有機EL表示装置において、前記有機化合物層は、正孔注入層に重量平均分子量が1000以上の高分子有機材料が5重量%以上含まれていてもよい。これにより、有機材料の溶液の流出を抑制し、発光ムラを低減することができる。   In the organic EL display device described above, the organic compound layer may include 5% by weight or more of a polymer organic material having a weight average molecular weight of 1000 or more in the hole injection layer. Thereby, the outflow of the solution of the organic material can be suppressed, and light emission unevenness can be reduced.

上述の有機EL表示装置において、前記有機化合物層と前記第2の電極との間に、さらに、蒸着膜である蒸着有機化合物層を有していてもよい。   In the above-described organic EL display device, a vapor-deposited organic compound layer that is a vapor-deposited film may be further provided between the organic compound layer and the second electrode.

本発明にかかる有機EL表示装置は、基板と、前記基板上に形成された第1の電極と、前記第1の電極と交差するように延在し、前記第1の電極上に、直接形成された隔壁と、前記隔壁が形成された基板上において、前記第1の電極上に形成された有機化合物層と、前記隔壁により隔離され、前記第1の電極との間において前記有機化合物層を挟むように形成された第2の電極とを備えるものである。これにより、表示特性を向上することができる。   An organic EL display device according to the present invention includes a substrate, a first electrode formed on the substrate, and extends so as to intersect the first electrode, and is formed directly on the first electrode. And the organic compound layer formed on the first electrode on the substrate on which the partition is formed and the organic compound layer separated from the first electrode by the partition. And a second electrode formed so as to be sandwiched therebetween. Thereby, display characteristics can be improved.

上述の有機EL表示装置において、前記有機化合物層は、塗布膜であってもよい。これにより、有機材料の溶液の流出を抑制し、発光ムラを低減することができる。   In the organic EL display device described above, the organic compound layer may be a coating film. Thereby, the outflow of the solution of the organic material can be suppressed, and light emission unevenness can be reduced.

本発明にかかる有機EL表示装置の製造方法は、基板上に第1の電極を形成するステップと、前記第1の電極が形成された基板上に、開口を有するように絶縁膜を形成するステップと、前記絶縁膜が形成された基板上に、前記第1の電極と交差し延在するように、前記絶縁膜上及び前記絶縁膜の開口内に隔壁を形成するステップと、前記絶縁膜の開口内に、前記隔壁が形成された基板上に、液状材料を塗布し、有機化合物層を形成するステップと、前記有機化合物層が形成された基板上に、前記隔壁により隔離され、前記絶縁膜の開口内における前記第1の電極との間において前記有機化合物層を挟むように第2の電極を形成するステップとを備えるものである。これにより、表示特性のすぐれた有機EL表示装置を製造することができる。   The method of manufacturing an organic EL display device according to the present invention includes a step of forming a first electrode on a substrate and a step of forming an insulating film on the substrate on which the first electrode is formed so as to have an opening. Forming a partition on the insulating film and in the opening of the insulating film so as to cross and extend on the substrate on which the insulating film is formed; and Applying a liquid material on the substrate on which the partition wall is formed in the opening to form an organic compound layer; and isolating the insulating film on the substrate on which the organic compound layer is formed by the partition wall Forming a second electrode so as to sandwich the organic compound layer with the first electrode in the opening. Thereby, an organic EL display device with excellent display characteristics can be manufactured.

本発明にかかる有機EL表示装置の製造方法は、基板上に第1の電極を形成するステップと、前記第1の電極が形成された基板上に、前記第1の電極と交差し延在するように、前記第1の電極の上に直接、隔壁を形成するステップと、前記隔壁が形成された基板上に、液状材料を塗布し、前記第1の電極上に有機化合物層を形成するステップと、前記有機化合物層が形成された基板上に、前記隔壁により隔離され、前記第1の電極との間において前記有機化合物層を挟むように第2の電極を形成するステップとを備えるものである。これにより、表示特性のすぐれた有機EL表示装置を製造することができる。   The method for manufacturing an organic EL display device according to the present invention includes a step of forming a first electrode on a substrate, and a crossing and extending of the first electrode on the substrate on which the first electrode is formed. Forming a partition directly on the first electrode, applying a liquid material on the substrate on which the partition is formed, and forming an organic compound layer on the first electrode And forming a second electrode on the substrate on which the organic compound layer is formed, separated by the partition and sandwiching the organic compound layer with the first electrode. is there. Thereby, an organic EL display device with excellent display characteristics can be manufactured.

上述の有機EL表示装置の製造方法は、前記有機化合物層と前記第2の電極との間に、蒸着有機化合物層を蒸着により形成するステップをさらに備えるものである。   The manufacturing method of the organic EL display device further includes a step of forming a vapor-deposited organic compound layer by vapor deposition between the organic compound layer and the second electrode.

本発明によれば、表示特性の優れた有機EL表示装置及び有機EL表示装置の製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the organic electroluminescence display which was excellent in the display characteristic, and an organic electroluminescence display can be provided.

以下に、本発明を適用可能な実施の形態が説明される。以下の説明は、本発明の実施形態を説明するものであり、本発明が以下の実施形態に限定されるものではない。説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略及び簡略をしている。又、当業者であれば、以下の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することができる。   Hereinafter, embodiments to which the present invention can be applied will be described. The following description is to describe the embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to the following embodiment. For clarity of explanation, the following description and drawings are omitted and simplified as appropriate. Further, those skilled in the art can easily change, add, and convert each element of the following embodiments within the scope of the present invention.

本実施形態にかかる有機EL表示装置の有機EL発光素子が形成されている素子基板について図1を用いて説明する。図1は有機EL表示装置の素子基板110の構成を示す平面図である。1は陽極配線、5は陰極配線、10は隔壁、11は基板、21は陰極接続配線、22は絶縁膜、23は表示画素部、24は破線によって示される表示領域、25はコンタクトホールである。   An element substrate on which an organic EL light emitting element of the organic EL display device according to the present embodiment is formed will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a plan view showing the configuration of the element substrate 110 of the organic EL display device. 1 is an anode wiring, 5 is a cathode wiring, 10 is a partition, 11 is a substrate, 21 is a cathode connection wiring, 22 is an insulating film, 23 is a display pixel portion, 24 is a display area indicated by a broken line, and 25 is a contact hole. .

基板11上には、基板11の表面に接するように複数の陽極配線1と、陰極に接続される陰極接続配線21とが形成されている。複数の陽極配線1はそれぞれ平行に形成されている。陰極接続配線21は陰極配線5の本数に対応して形成され、それぞれの陽極配線1と垂直に形成されている。陽極配線1と陰極接続配線21は、例えばITO等などの透明導電膜により形成される。   A plurality of anode wirings 1 and cathode connection wirings 21 connected to the cathodes are formed on the substrate 11 so as to be in contact with the surface of the substrate 11. The plurality of anode wirings 1 are formed in parallel. The cathode connection wirings 21 are formed corresponding to the number of the cathode wirings 5 and are formed perpendicular to the respective anode wirings 1. The anode wiring 1 and the cathode connection wiring 21 are formed of a transparent conductive film such as ITO, for example.

陽極配線1および陰極接続配線21が形成された基板上には、絶縁膜22が形成されている。絶縁膜22の膜厚は、例えば、0.7μmである。本実施形態では、絶縁膜22は、陽極配線1と平行な方向に複数形成されている。また、絶縁膜22は、各陽極配線1の両端を覆うようにして形成されており、陽極配線1の両端における段差を被覆し、陰極配線5と陽極配線1の短絡を防止している。   An insulating film 22 is formed on the substrate on which the anode wiring 1 and the cathode connection wiring 21 are formed. The film thickness of the insulating film 22 is 0.7 μm, for example. In the present embodiment, a plurality of insulating films 22 are formed in a direction parallel to the anode wiring 1. In addition, the insulating film 22 is formed so as to cover both ends of each anode wiring 1 and covers the steps at both ends of the anode wiring 1 to prevent a short circuit between the cathode wiring 5 and the anode wiring 1.

絶縁膜22の上層には、複数の有機薄膜層(有機化合物層)から構成される有機発光層と、陰極配線5が順に積層される。従って、有機発光層は陰極配線5と陽極配線1に挟まれる構成となる。ただし、図1では有機発光層の図示を省略している。また、有機発光層を形成する前に、隣接する陰極配線5同士を区分する隔離構造体(以下、隔壁10と記す。)が設けられる。隔壁10は、陰極配線5を蒸着等により形成する前に、所望のパターンに形成される。例えば、図1に示すように、陽極配線1と直交する複数の陰極配線5を形成するため、陽極配線1と直交する複数の隔壁10が陽極配線1の上に形成される。   On the insulating film 22, an organic light emitting layer composed of a plurality of organic thin film layers (organic compound layers) and the cathode wiring 5 are sequentially laminated. Therefore, the organic light emitting layer is sandwiched between the cathode wiring 5 and the anode wiring 1. However, in FIG. 1, illustration of the organic light emitting layer is omitted. In addition, before the organic light emitting layer is formed, an isolation structure (hereinafter referred to as a partition wall 10) for separating adjacent cathode wirings 5 is provided. The barrier rib 10 is formed in a desired pattern before the cathode wiring 5 is formed by vapor deposition or the like. For example, as shown in FIG. 1, a plurality of partition walls 10 orthogonal to the anode wiring 1 are formed on the anode wiring 1 in order to form a plurality of cathode wirings 5 orthogonal to the anode wiring 1.

隔壁10は、逆テーパ構造を有していることが好ましい。すなわち、基板11から離れるにつれて断面が広がるように形成されることが好ましい。これにより、隔壁10の側壁及び立ち上がり部分が蒸着の陰となり、陰極配線5を分離することができる。隔壁10は例えば、高さが3.4μmで、幅が10μmで形成することができる。   The partition wall 10 preferably has an inverted taper structure. That is, it is preferable that the cross-section is formed so as to be separated from the substrate 11. Thereby, the side wall and the rising portion of the partition wall 10 are shadowed by vapor deposition, and the cathode wiring 5 can be separated. The partition wall 10 can be formed with a height of 3.4 μm and a width of 10 μm, for example.

本実施形態では、陽極配線1と陰極配線5とが交差する位置となる表示画素部23は、各絶縁膜22の間及び各隔壁10の間の領域となる。表示領域24は複数の表示画素部23から構成されており、各表示画素部23が駆動回路(不図示)からの駆動信号に従って有機発光層の発光量を制御することによって、表示領域24は画像表示を行う。なお、表示画素部23周辺の構成については、後に詳述する。   In the present embodiment, the display pixel portion 23 at a position where the anode wiring 1 and the cathode wiring 5 intersect each other is a region between the insulating films 22 and between the partition walls 10. The display area 24 includes a plurality of display pixel units 23. Each display pixel unit 23 controls the light emission amount of the organic light emitting layer in accordance with a drive signal from a drive circuit (not shown). Display. The configuration around the display pixel unit 23 will be described in detail later.

有機発光層を形成する有機薄膜層の少なくとも一つは、有機材料の溶液である液状の有機発光層材料を塗布し、有機薄膜材料を濃縮乾燥硬化することによって形成される。有機薄膜層は、各隔壁10によって分離される。   At least one of the organic thin film layers forming the organic light emitting layer is formed by applying a liquid organic light emitting layer material which is a solution of an organic material, and concentrating and curing the organic thin film material. The organic thin film layer is separated by each partition wall 10.

隔壁10を形成した後、有機薄膜層の上から陰極配線5となる金属材料等を蒸着する。逆テーパ構造の隔壁10により、陰極パターンが分離され複数の陰極配線5を形成することができる。隔壁10によって分断された陰極配線5は陽極配線1と垂直に形成される。これにより、陰極配線5と陽極配線1の交差点では陰極配線5と陽極配線1との間に有機発光層が配置される。   After the partition wall 10 is formed, a metal material or the like that becomes the cathode wiring 5 is deposited from above the organic thin film layer. A plurality of cathode wirings 5 can be formed by separating the cathode pattern by the partition wall 10 having a reverse taper structure. The cathode wiring 5 divided by the partition 10 is formed perpendicular to the anode wiring 1. Thereby, an organic light emitting layer is disposed between the cathode wiring 5 and the anode wiring 1 at the intersection of the cathode wiring 5 and the anode wiring 1.

表示領域24の外側には陰極接続配線21と陰極配線5とを接続するため、絶縁膜22にコンタクトホール25が形成されている。このコンタクトホール25は、陰極配線5と陰極接続配線21とが重なる箇所に形成される。これにより、表示画素部23において陽極配線1と陰極配線5に挟まれる有機薄膜層に電流を流すことができ、有機発光層が発光する。   A contact hole 25 is formed in the insulating film 22 to connect the cathode connection wiring 21 and the cathode wiring 5 to the outside of the display region 24. The contact hole 25 is formed at a location where the cathode wiring 5 and the cathode connection wiring 21 overlap. Thereby, in the display pixel part 23, an electric current can be sent through the organic thin film layer sandwiched between the anode wiring 1 and the cathode wiring 5, and the organic light emitting layer emits light.

次に、図2及び図3を用いて、本実施形態にかかる絶縁膜の構成と、この構成において、形成された有機薄膜層等について説明する。   Next, the configuration of the insulating film according to the present embodiment and the organic thin film layer formed in this configuration will be described with reference to FIGS.

基板11上に隔壁10を形成した状態において、表示画素部23の周辺部分は、図2に示す構成となっている。図2は、図1に示される基板11内の一部を抜き出したものを示している。図2(a)は、隔壁10が形成される側から基板10を観察した状況を拡大して示す模式図であり、図2(b)は、図2(a)のB−B’における断面図である。   In a state where the partition wall 10 is formed on the substrate 11, the peripheral portion of the display pixel portion 23 has a configuration shown in FIG. FIG. 2 shows a part extracted from the substrate 11 shown in FIG. FIG. 2A is a schematic diagram showing an enlarged view of the situation where the substrate 10 is observed from the side where the partition wall 10 is formed, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. FIG.

図2において、基板11上に陽極配線1が形成され、その上に、絶縁膜22または隔壁10が形成されている。本実施形態では、絶縁膜22が陽極配線1と平行な方向にのみ形成されている。このため、隔壁10と絶縁膜22が交差しない部分、例えば、図2(a)のB−B’においては、陽極配線1の上に直接隔壁10が形成される。また、隔壁10と絶縁膜22が交差する部分においては、陽極配線1の上に絶縁膜22が形成され、その上に隔壁10が形成される。   In FIG. 2, the anode wiring 1 is formed on the substrate 11, and the insulating film 22 or the partition 10 is formed thereon. In the present embodiment, the insulating film 22 is formed only in the direction parallel to the anode wiring 1. For this reason, the partition 10 is formed directly on the anode wiring 1 in a portion where the partition 10 and the insulating film 22 do not intersect, for example, B-B ′ in FIG. Further, in the portion where the partition wall 10 and the insulating film 22 intersect, the insulating film 22 is formed on the anode wiring 1, and the partition wall 10 is formed thereon.

このように、絶縁膜22を陽極配線1と平行な方向にのみ形成することにより、表示画素部23が隔壁10の間の領域となり、従来の格子状の絶縁膜を形成した場合と比べて、開口率を向上することができる。   Thus, by forming the insulating film 22 only in the direction parallel to the anode wiring 1, the display pixel portion 23 becomes a region between the partition walls 10, compared with the case where a conventional grid-like insulating film is formed. The aperture ratio can be improved.

基板11上に有機薄膜層28及び陰極配線5を形成した状態を図3に示す。図3は、図1に示される基板11内の一部を抜き出したものを示しており、図2(a)のB−B’における断面図である。   A state in which the organic thin film layer 28 and the cathode wiring 5 are formed on the substrate 11 is shown in FIG. FIG. 3 shows a part extracted from the substrate 11 shown in FIG. 1, and is a cross-sectional view taken along line B-B ′ of FIG.

図3においては、図2で示した陽極配線1、隔壁10が形成された基板11上に、有機薄膜層28及び陰極配線5を形成している。ここでは、有機薄膜層28は、有機材料の溶液を塗布して形成された塗布有機膜26と、有機材料を蒸着して形成された蒸着有機膜27から構成されている。塗布有機膜26、蒸着有機膜27及び陰極配線5は、図に示されるように、陽極配線1の上に形成され、隔壁10により分離される。   In FIG. 3, the organic thin film layer 28 and the cathode wiring 5 are formed on the substrate 11 on which the anode wiring 1 and the partition 10 shown in FIG. 2 are formed. Here, the organic thin film layer 28 includes a coated organic film 26 formed by applying a solution of an organic material and a deposited organic film 27 formed by vapor-depositing an organic material. The coated organic film 26, the deposited organic film 27, and the cathode wiring 5 are formed on the anode wiring 1 and separated by the partition 10 as shown in the figure.

塗布有機膜26は、隔壁10の側面と陽極配線1の表面が交差する部分において、毛細管現象と同様の現象により有機材料の溶液が吸い寄せられるため、膜厚が他の部分よりも厚くなる。本実施形態では、陽極配線1の上に直接隔壁10が形成されているために、より多くの溶液が吸い寄せ、さらに、吸い寄せられた溶液の流出を抑制することができる。これにより、塗布有機膜26の膜厚ムラを低減することができる。   The coating organic film 26 is thicker than the other portions because the solution of the organic material is sucked by a phenomenon similar to the capillary phenomenon at the portion where the side surface of the partition wall 10 and the surface of the anode wiring 1 intersect. In the present embodiment, since the partition wall 10 is formed directly on the anode wiring 1, more solution is sucked up, and further, the outflow of the sucked-up solution can be suppressed. Thereby, the film thickness nonuniformity of the coating organic film 26 can be reduced.

また、蒸着有機膜27及び陰極配線5は、隔壁10の側面の部分において、隔壁10により蒸着の際に影となるため、膜厚が薄くなる。このように、蒸着有機膜27及び陰極配線5の膜厚が薄くなっても、陽極配線1の上に塗布有機膜27が形成されているため、陰極配線5と陽極配線1の短絡を防止することができる。特に、短絡の発生しやすい隔壁10の側面と陽極配線1の表面が交差する部分において、塗布有機膜27の膜厚がその他の部分よりも厚いため、より確実に短絡を防止することができる。   Further, since the vapor-deposited organic film 27 and the cathode wiring 5 are shaded during vapor deposition by the barrier ribs 10 at the side portions of the barrier ribs 10, the film thickness is reduced. As described above, even if the vapor-deposited organic film 27 and the cathode wiring 5 are thin, the coated organic film 27 is formed on the anode wiring 1, thereby preventing a short circuit between the cathode wiring 5 and the anode wiring 1. be able to. In particular, since the film thickness of the coated organic film 27 is thicker than other portions at the portion where the side surface of the partition wall 10 where the short circuit is likely to occur and the surface of the anode wiring 1 intersect, the short circuit can be prevented more reliably.

次に、図4を用いて、本実施形態にかかる有機EL表示装置の製造方法について説明する。図4は、本実施形態にかかる有機EL表示装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。   Next, a method for manufacturing the organic EL display device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a flowchart showing an example of a method for manufacturing the organic EL display device according to the present embodiment.

まず、基板11上に陽極配線1および陰極接続配線21を形成する(ステップS101)。基板11として、例えばガラス基板等の透明基板を用いる。陽極配線1および陰極接続配線21は、基板11上にITOを成膜して、そのITO膜にエッチングを施すことによって形成する。ITOはスパッタや蒸着によって、ガラス基板全面に均一性よく成膜することができる。フォトリソグラフィー及びエッチングによりITOパターンを形成する。このITOパターンが陽極となる。レジストとしてはフェノールノボラック樹脂を使用し、露光現像を行う。エッチングはウェットエッチングあるいはドライエッチングのいずれでもよいが、例えば、塩酸及び硝酸の混合溶液を使用してITOをパターニングすることができる。レジスト剥離材としては例えば、モノエタノールアミンを使用することができる。   First, the anode wiring 1 and the cathode connection wiring 21 are formed on the substrate 11 (step S101). As the substrate 11, for example, a transparent substrate such as a glass substrate is used. The anode wiring 1 and the cathode connection wiring 21 are formed by forming an ITO film on the substrate 11 and etching the ITO film. ITO can be formed on the entire surface of the glass substrate with good uniformity by sputtering or vapor deposition. An ITO pattern is formed by photolithography and etching. This ITO pattern becomes the anode. A phenol novolac resin is used as the resist, and exposure development is performed. Etching may be either wet etching or dry etching. For example, ITO can be patterned using a mixed solution of hydrochloric acid and nitric acid. As the resist stripping material, for example, monoethanolamine can be used.

また、陰極接続配線21にはAlあるいはAl合金などの低抵抗な金属材料を用いることも可能である。例えば、陽極配線1となるITOをパターニングした後に、Al等をスパッタ又は蒸着により成膜する。あるいは陰極接続配線21を形成した後に陽極配線1を形成しても良い。そして、Al膜をフォトリソグラフィー及びエッチングによりパターニングして陰極接続配線21を形成することができる。これにより、陰極接続配線21の配線抵抗を低減することができる。   The cathode connection wiring 21 may be made of a low resistance metal material such as Al or an Al alloy. For example, after patterning the ITO to be the anode wiring 1, Al or the like is formed by sputtering or vapor deposition. Alternatively, the anode wiring 1 may be formed after the cathode connection wiring 21 is formed. Then, the Al connection film 21 can be formed by patterning the Al film by photolithography and etching. Thereby, the wiring resistance of the cathode connection wiring 21 can be reduced.

さらには陰極接続配線21の構成をITOと金属材料との多層構成としてもよい。例えば、150nmのITO層の上に400〜500nmのMoやMo合金の金属薄膜を形成してもよい。これにより、配線抵抗及びコンタクト抵抗を低減することができる。   Furthermore, the configuration of the cathode connection wiring 21 may be a multilayer configuration of ITO and a metal material. For example, a metal thin film of 400 to 500 nm of Mo or Mo alloy may be formed on a 150 nm ITO layer. Thereby, wiring resistance and contact resistance can be reduced.

次に、陽極配線1及び陰極接続配線21を設けた基板11の面に絶縁膜22を成膜する(ステップS102)。例えば、感光性のポリイミドの溶液をスピンコーティングにより塗布する。この絶縁膜22の膜厚は、例えば、0.7μmになるようにすればよい。絶縁膜22の層をフォトリソグラフィー工程でパターニングした後、キュアし、陽極配線1と平行な方向にのみ絶縁膜が残るように除去する。   Next, an insulating film 22 is formed on the surface of the substrate 11 provided with the anode wiring 1 and the cathode connection wiring 21 (step S102). For example, a photosensitive polyimide solution is applied by spin coating. The thickness of the insulating film 22 may be set to 0.7 μm, for example. After the layer of the insulating film 22 is patterned by a photolithography process, it is cured and removed so that the insulating film remains only in the direction parallel to the anode wiring 1.

後述するステップS105で形成される陰極配線5と、陽極配線1との交差部分が、表示画素が形成される位置である。同時に陰極配線5と陰極接続配線21とのコンタクトホール25を形成する。例えば、開口部23は300μm×300μm程度で形成することができる   The intersection between the cathode wiring 5 and the anode wiring 1 formed in step S105, which will be described later, is a position where a display pixel is formed. At the same time, a contact hole 25 between the cathode wiring 5 and the cathode connection wiring 21 is formed. For example, the opening 23 can be formed with a size of about 300 μm × 300 μm.

続いて、絶縁膜(ポリイミドの層)22の表面において、陰極配線5を分離配置できるように隔壁10を形成する(ステップS103)。隔壁10は、絶縁膜22の上層にノボラック樹脂、アクリル樹脂膜等の感光性樹脂を塗布することにより形成する。例えば、感光性樹脂をスピンコートして、フォトリソグラフィー工程でパターニングした後、光反応させて隔壁10を形成する。隔壁10が逆テーパ構造を有するようネガタイプの感光性樹脂を用いることが望ましい。   Subsequently, a partition wall 10 is formed on the surface of the insulating film (polyimide layer) 22 so that the cathode wiring 5 can be separated and disposed (step S103). The partition wall 10 is formed by applying a photosensitive resin such as a novolac resin or an acrylic resin film on the insulating film 22. For example, the partition wall 10 is formed by spin coating a photosensitive resin, patterning in a photolithography process, and photoreacting. It is desirable to use a negative type photosensitive resin so that the partition 10 has a reverse taper structure.

ネガタイプの感光性樹脂を用いると、上から光を照射した場合、深い場所ほど光反応が不十分となる。その結果、上から見た場合、硬化部分の断面積が上の方より下の方が狭い構造を有する。これが逆テーパ構造を有するという意味である。このような構造にすると、その後、陰極の蒸着時に蒸着源から見て陰になる部分は蒸着が及ばないため、陰極配線5同士を分離することが可能になる。さらに、開口部23のITO層の表面改質を行うために、酸素プラズマ又は紫外線を照射してもよい。例えば、隔壁10の高さは3.4μmとすることができる。   When a negative photosensitive resin is used, when light is irradiated from above, the photoreaction becomes insufficient at deeper locations. As a result, when viewed from above, the cross-sectional area of the cured portion has a structure that is narrower on the lower side than on the upper side. This means that it has an inverted taper structure. With this structure, the cathode wiring 5 can be separated from each other because the portion that is shaded when viewed from the vapor deposition source during vapor deposition of the cathode does not reach the vapor deposition. Further, in order to modify the surface of the ITO layer in the opening 23, oxygen plasma or ultraviolet light may be irradiated. For example, the height of the partition wall 10 can be 3.4 μm.

その後、有機薄膜層を積層する(ステップS104)。まず、開口部を有する金属マスクをガラス基板に取り付ける。このとき、金属マスクの開口部と液状の有機薄膜層を設けるべき表示領域24が重なるように配置する。また、金属マスクとガラス基板との間に所定距離、例えば60μmの空間が空くように取り付ける。そして、0.5%(質量百分率)の平均分子量5000のポリビニルカルバゾールを溶解した安息香酸エチル溶液をマスクスプレー法によって塗布する。   Thereafter, an organic thin film layer is stacked (step S104). First, a metal mask having an opening is attached to a glass substrate. At this time, it arrange | positions so that the display area 24 which should provide the opening part of a metal mask and a liquid organic thin film layer may overlap. Moreover, it attaches so that the space of predetermined distance, for example, 60 micrometers, may be vacant between a metal mask and a glass substrate. Then, an ethyl benzoate solution in which polyvinyl carbazole having an average molecular weight of 5000 of 0.5% (mass percentage) is dissolved is applied by a mask spray method.

図5は、表示領域24端部における、素子基板110の構造を示す断面図である。図5は、陰極配線5と平行な方向における断面構造を示し、図1に示される基板11内の一部を抜き出したものを示しており、図1におけるA−A´に示された部分に相当する断面構造である。図5において、図1と同一の符号は、図1において示された要素と同一の要素を指示しており、説明は省略される。   FIG. 5 is a cross-sectional view showing the structure of the element substrate 110 at the end of the display region 24. FIG. 5 shows a cross-sectional structure in a direction parallel to the cathode wiring 5, shows a part extracted from the substrate 11 shown in FIG. 1, and shows a portion indicated by AA ′ in FIG. 1. The corresponding cross-sectional structure. 5, the same reference numerals as those in FIG. 1 designate the same elements as those shown in FIG. 1, and the description thereof will be omitted.

図5において、29は有機材料溶液を示しており、有機材料溶液29は絶縁膜22の上から、金属マスクを介して表示領域24の全体に塗布される。有機材料溶液29の塗布端は、表示領域24と同じ位置となる。上述のように、絶縁膜22を陽極配線1と平行な方向にのみ形成したことにより、溶液の流出を抑制することができるため、表示領域24の内側において溶液の膜厚がほぼ一定となる。従って、発光ムラを低減することができる。また、表示領域24の外側で、溶液は隔壁10に沿って広がり、コンタクトホール25の近傍まで流出する。   In FIG. 5, 29 indicates an organic material solution, and the organic material solution 29 is applied to the entire display region 24 from above the insulating film 22 through a metal mask. The application end of the organic material solution 29 is at the same position as the display area 24. Since the insulating film 22 is formed only in the direction parallel to the anode wiring 1 as described above, the outflow of the solution can be suppressed, so that the film thickness of the solution becomes almost constant inside the display region 24. Therefore, light emission unevenness can be reduced. Further, outside the display area 24, the solution spreads along the partition wall 10 and flows out to the vicinity of the contact hole 25.

なお、上述の例では、有機材料溶液はスプレー法により塗布する例について説明したが、有機薄膜層となる有機材料を液体中に分散または溶解させ、溶液として塗布する他の湿式塗布方法を利用することができる。例えば、有機材料を溶媒中に分散または溶解させた溶液の層を所定の領域のみに形成する、オフセット印刷法、凸版印刷法、あるいはインクジェット塗布法等を利用することができる。   In the above-described example, the organic material solution is applied by spraying. However, other wet application methods are used in which the organic material to be the organic thin film layer is dispersed or dissolved in a liquid and applied as a solution. be able to. For example, an offset printing method, a relief printing method, an ink jet coating method, or the like that forms a layer of a solution in which an organic material is dispersed or dissolved in a solvent only in a predetermined region can be used.

そして、この有機材料溶液29を濃縮乾燥することによって硬化処理し、有機薄膜層である正孔注入層を形成する。続いて、正孔注入層の上層にα−NPD(N,N'−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N'−ジフェニル−ベンジジン)を蒸着して膜厚40nmの正孔輸送層を形成する。さらに、その上層に、発光層のホスト化合物となるAlq(トリス(8−ヒドロキシナト)アルミニウム)と、ゲスト化合物の蛍光性色素となるクマリン6とを同時に蒸着して、膜厚60nmの発光層を形成する。続いて、発光層の上層にLiFを蒸着して、膜厚0.5nmの陰極界面層を形成する。   Then, the organic material solution 29 is hardened by concentrating and drying to form a hole injection layer which is an organic thin film layer. Subsequently, α-NPD (N, N′-di (naphthalen-1-yl) -N, N′-diphenyl-benzidine) is deposited on the upper layer of the hole injection layer to form a hole transport layer having a thickness of 40 nm. Form. Further, Alq (tris (8-hydroxynato) aluminum) serving as the host compound of the light emitting layer and coumarin 6 serving as the fluorescent dye of the guest compound are simultaneously vapor deposited on the upper layer to form a light emitting layer having a thickness of 60 nm. Form. Subsequently, LiF is deposited on the light emitting layer to form a cathode interface layer having a thickness of 0.5 nm.

その後、アルミニウム等の金属材料を蒸着して、例えば膜厚100nmの陰極配線5を形成する(ステップS105)。この結果、隔壁10によってアルミニウム膜は分離され、それぞれの隔壁間に陽極配線1と交差する陰極配線5を形成することができる。図6は、表示領域24端部における、素子基板110の構造を示す断面図である。図6は、陰極配線5と平行な方向における断面構造を示し、図1に示される基板11内の一部を抜き出したものを示しており、図1におけるA−A´に示された部分に相当する断面構造である。図6において、図1と同一の符号は、図1において示された要素と同一の要素を指示しており、説明は省略される。   Thereafter, a metal material such as aluminum is vapor-deposited to form, for example, a cathode wiring 5 having a film thickness of 100 nm (step S105). As a result, the aluminum film is separated by the barrier ribs 10, and the cathode wiring 5 that intersects the anode wiring 1 can be formed between the barrier ribs. FIG. 6 is a cross-sectional view showing the structure of the element substrate 110 at the end of the display area 24. FIG. 6 shows a cross-sectional structure in a direction parallel to the cathode wiring 5, shows a part extracted from the substrate 11 shown in FIG. 1, and shows a portion indicated by AA ′ in FIG. 1. The corresponding cross-sectional structure. 6, the same reference numerals as those in FIG. 1 designate the same elements as those shown in FIG. 1, and the description thereof will be omitted.

図6において、28は複数の有機薄膜層から形成されている有機発光層である。有機発光層28は絶縁膜22の上に形成され、表示画素部23において陽極配線1と接触する。有機発光層28の上には陰極配線5が配置される。この表示画素部23において、陽極配線1と接触した部分の有機発光層28は陰極と陽極に流れる電流によって発光する。なお、本実施形態では陰極接続配線21はITO層と金属層の2層構成としている。表示領域24外の絶縁膜22に形成されたコンタクトホール25を介して、表示領域24に設けられている陰極配線5と表示領域24外に通じる陰極接続配線21が電気的に接続される。   In FIG. 6, reference numeral 28 denotes an organic light emitting layer formed of a plurality of organic thin film layers. The organic light emitting layer 28 is formed on the insulating film 22 and is in contact with the anode wiring 1 in the display pixel portion 23. On the organic light emitting layer 28, the cathode wiring 5 is disposed. In the display pixel portion 23, the organic light emitting layer 28 in a portion in contact with the anode wiring 1 emits light by a current flowing through the cathode and the anode. In the present embodiment, the cathode connection wiring 21 has a two-layer structure of an ITO layer and a metal layer. Via the contact hole 25 formed in the insulating film 22 outside the display area 24, the cathode wiring 5 provided in the display area 24 and the cathode connection wiring 21 communicating outside the display area 24 are electrically connected.

次に上述の工程により形成された有機EL発光素子を封止するため、封止用の対向基板を製造する工程について説明する。まず。素子基板とは別のガラス基板を用意する。このガラス基板を加工して捕水材を収納するための捕水材収納部を形成する。捕水材収納部はガラス基板にレジストを塗布し、露光、現像により基板の一部を露出させる。この露出部分をエッチングにより薄くすることにより捕水材収納部を形成する。   Next, in order to seal the organic EL light emitting element formed by the above-mentioned process, a process for manufacturing a sealing counter substrate will be described. First. A glass substrate different from the element substrate is prepared. The glass substrate is processed to form a water catching material storage for storing the water catching material. The water catching material storage part applies a resist to the glass substrate and exposes a part of the substrate by exposure and development. The exposed part is formed by etching to form a water catching material storage part.

この捕水材収納部に酸化カルシウム等の捕水材を配置した後、2枚の基板を重ね合わせて接着する(ステップS106)。具体的には、対向基板の捕水材収納部が設けられた面に、ディスペンサを用いてシール材を塗布する。シール材として、例えば、エポキシ系紫外線硬化性樹脂を用いることができる。また、シール材は、有機EL素子と対向する領域の外周全体に塗布する。二枚の基板を位置合わせして対向させた後、紫外線を照射してシール材を硬化させ、基板同士を接着する。この後、シール材の硬化をより促進させるために、例えば、80℃のクリーンオーブン中で1時間熱処理を施す。この結果、シール材および一対の基板によって、有機EL素子が存在する基板間と、基板の外部とが隔離される。捕水材を配置することにより、封止された空間に残留または侵入してくる水分等による有機EL素子の劣化を防止することができる。   After arranging a water catching material such as calcium oxide in the water catching material storage part, the two substrates are overlapped and bonded (step S106). Specifically, a sealing material is applied to the surface of the counter substrate on which the water catching material storage unit is provided using a dispenser. For example, an epoxy-based ultraviolet curable resin can be used as the sealing material. The sealing material is applied to the entire outer periphery of the region facing the organic EL element. After the two substrates are aligned and face each other, the sealing material is cured by irradiating ultraviolet rays, and the substrates are bonded to each other. Thereafter, in order to further accelerate the curing of the sealing material, for example, heat treatment is performed in a clean oven at 80 ° C. for 1 hour. As a result, the sealing material and the pair of substrates separate the substrate where the organic EL element is present from the outside of the substrate. By disposing the water catching material, it is possible to prevent the organic EL element from being deteriorated due to moisture remaining or entering the sealed space.

基板の外周付近の不要部分を切断除去し、陽極配線1に信号電極ドライバを接続し、陰極接続配線に走査電極ドライバを接続する。基板端部において各配線に接続される端子部が形成されている。この端子部に異方性導電フィルム(ACF)を貼付け、駆動回路が設けられたTCP(Tape Carrier Package)を接続する。具体的には端子部にACFを仮圧着する。ついで駆動回路が内蔵されたTCPを端子部に本圧着する。これにより駆動回路が実装される。この有機EL表示パネルが筐体に取り付けられ、有機EL表示装置が完成する。   Unnecessary portions near the outer periphery of the substrate are cut and removed, a signal electrode driver is connected to the anode wiring 1, and a scanning electrode driver is connected to the cathode connection wiring. A terminal portion connected to each wiring is formed at the substrate end. An anisotropic conductive film (ACF) is attached to this terminal portion, and a TCP (Tape Carrier Package) provided with a drive circuit is connected. Specifically, ACF is temporarily crimped to the terminal portion. Next, the TCP with the built-in drive circuit is finally bonded to the terminal portion. Thereby, a drive circuit is mounted. This organic EL display panel is attached to the housing, and the organic EL display device is completed.

このような有機EL表示装置の製造方法によれば、絶縁膜を陽極配線と平行な方向にのみ形成することにより、有機材料の溶液の流出を抑制し、有機薄膜層の膜厚のムラが軽減され、有機EL表示装置を駆動したときに各表示画素の発光ムラを軽減することができる。また、隔壁と平行な方向には絶縁膜がないため、開口率を向上することができる。さらに、有機薄膜層のうち一層を有機材料の溶液を塗布し形成することにより、陰極配線と陽極配線の短絡を防止することができる。

Figure 2005183078
According to such a method for manufacturing an organic EL display device, by forming the insulating film only in the direction parallel to the anode wiring, the outflow of the organic material solution is suppressed, and the unevenness of the film thickness of the organic thin film layer is reduced. In addition, when the organic EL display device is driven, light emission unevenness of each display pixel can be reduced. Further, since there is no insulating film in the direction parallel to the partition wall, the aperture ratio can be improved. Furthermore, a short circuit between the cathode wiring and the anode wiring can be prevented by forming one layer of the organic thin film layer by applying an organic material solution.
Figure 2005183078

表1は、本実施形態にかかる有機EL表示装置と従来の有機EL表示装置における、陰極配線と陽極配線の短絡、開口率及び塗布有機膜の膜厚ムラについての比較を示している。上述のように、図3に示した本実施形態にかかる有機EL表示装置は、塗布有機膜により陰極配線と陽極配線の短絡を防止し、絶縁膜が陽極配線と平行な方向のみのため、絶縁膜が格子状のものと比べて開口率が高く、有機材料の溶液の流出を抑制するため、塗布有機膜の膜厚ムラが低減する。   Table 1 shows a comparison of the short-circuit between the cathode wiring and the anode wiring, the aperture ratio, and the film thickness unevenness of the coated organic film in the organic EL display device according to this embodiment and the conventional organic EL display device. As described above, the organic EL display device according to the present embodiment shown in FIG. 3 prevents the short circuit between the cathode wiring and the anode wiring by the coated organic film, and the insulating film is insulated only in the direction parallel to the anode wiring. Since the film has a higher aperture ratio than a lattice-shaped film and suppresses the outflow of the organic material solution, the film thickness unevenness of the coated organic film is reduced.

図11に示した従来の有機EL表示装置では、本実施形態と比べて、陰極配線と陽極配線が短絡しやすく、図12に示した従来の有機EL表示装置では、本実施形態と比べて、格子状の絶縁膜により開口率が低い。また、図11及び図12の従来例では、有機薄膜層が蒸着有機膜のみのため、陽極配線の表面の凹凸を被覆することができない。図13に示した従来の有機EL表示装置では、本実施形態と比べて、格子状の絶縁膜により開口率が低く、有機材料の溶液が流出するため、塗布有機膜の膜厚ムラによる表示ムラが生じる。   In the conventional organic EL display device shown in FIG. 11, the cathode wiring and the anode wiring are easily short-circuited as compared with the present embodiment. In the conventional organic EL display device shown in FIG. The aperture ratio is low due to the lattice-like insulating film. Moreover, in the conventional example of FIG.11 and FIG.12, since the organic thin film layer is only a vapor deposition organic film, the unevenness | corrugation on the surface of an anode wiring cannot be covered. In the conventional organic EL display device shown in FIG. 13, since the aperture ratio is lower due to the lattice-like insulating film and the organic material solution flows out as compared with the present embodiment, the display unevenness due to the uneven film thickness of the coated organic film. Occurs.

なお、上述の例では、絶縁膜を陽極配線と平行な方向にのみ絶縁膜を形成したが、これに限らず、表示領域や表示画素部の一部において、隔壁と平行な方向にも絶縁膜を形成してもよい。例えば、有機材料の溶液が流出し易い部分には、隔壁の下に絶縁膜を設けず、溶液が流出し難い部分には、隔壁の下に絶縁膜を設けてもよい。さらに、表示領域において絶縁膜を全く形成しなくてもよい。   In the above example, the insulating film is formed only in the direction parallel to the anode wiring. However, the present invention is not limited to this, and the insulating film is also formed in a direction parallel to the partition wall in a part of the display region or the display pixel portion. May be formed. For example, an insulating film may not be provided under the partition in a portion where the organic material solution easily flows out, and an insulating film may be provided under the partition in a portion where the solution does not easily flow out. Furthermore, no insulating film may be formed in the display region.

次に、図7を用いて、有機EL表示装置の輝度を測定した実施例1について説明する。図7は、有機EL表示装置の表示領域における輝度の測定結果を示す分布図である。図7(a)は、図13で示した従来の格子状の絶縁膜を有する有機EL表示装置の輝度、図7(b)は、図3で示した本発明にかかる陽極配線と平行な方向のみに絶縁膜を有する有機EL表示装置の輝度を示している。また、図の右側が、陰極接続配線が形成される側であり、有機材料の溶液は右の外側へ流出する。   Next, Example 1 in which the luminance of the organic EL display device is measured will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a distribution diagram showing the measurement results of luminance in the display area of the organic EL display device. FIG. 7A shows the luminance of the organic EL display device having the conventional lattice-like insulating film shown in FIG. 13, and FIG. 7B shows the direction parallel to the anode wiring according to the present invention shown in FIG. Only the brightness | luminance of the organic electroluminescence display which has an insulating film is shown. The right side of the figure is the side where the cathode connection wiring is formed, and the organic material solution flows out to the right outside.

輝度の測定に当たって、両方の有機EL表示装置の駆動回路には、PWM(Pulse Width Modulation)方式により低階調制御を行う回路を使用した。   In measuring the luminance, a circuit that performs low gradation control by a PWM (Pulse Width Modulation) method was used for the drive circuits of both organic EL display devices.

図7(a)に示されるように、従来の有機EL表示装置では、表示領域の中央から右端にかけて輝度が高くなった。表示領域の中央において約1.5cd/m、右端において約2.4cd/mである。特に、右端近傍における輝度が、顕著に高い値となった。これは、有機材料の溶液が流出し有機薄膜層に膜厚ムラが生じているためである。 As shown in FIG. 7A, in the conventional organic EL display device, the luminance increased from the center of the display region to the right end. About 1.5 cd / m 2 in the center of the display area is about 2.4 cd / m 2 at the right end. In particular, the luminance in the vicinity of the right end is a remarkably high value. This is because the organic material solution flows out and the film thickness unevenness occurs in the organic thin film layer.

図7(b)に示されるように、本発明にかかる有機EL表示装置では、表示領域の中央よりも右端の方が輝度は高くなった。表示領域の中央において約1.5cd/m、右端において約2.0cd/mである。また、図7(a)のように右端近傍で輝度が顕著に高くはならず、中央から右端にかけてほぼ一様の輝度となった。これは、有機材料の溶液の流出が抑制され、有機薄膜層の膜厚ムラが低減していることを示している。 As shown in FIG. 7B, in the organic EL display device according to the present invention, the luminance is higher at the right end than at the center of the display region. About 1.5 cd / m 2 in the center of the display area is about 2.0 cd / m 2 at the right end. Further, as shown in FIG. 7A, the luminance does not increase remarkably in the vicinity of the right end, and the luminance is almost uniform from the center to the right end. This indicates that the outflow of the organic material solution is suppressed, and the film thickness unevenness of the organic thin film layer is reduced.

また、本発明にかかる有機EL表示装置において、1000時間の通電試験を行ったが、陰極配線と陽極配線の短絡は発生しなかった。これは、塗布有機膜によって短絡が防止されていることを示している。   Further, in the organic EL display device according to the present invention, a current test for 1000 hours was performed, but no short circuit between the cathode wiring and the anode wiring occurred. This indicates that a short circuit is prevented by the coated organic film.

本実施形態にかかる有機EL表示装置の素子基板の概略構造を示す上面図である。It is a top view which shows schematic structure of the element substrate of the organic electroluminescence display concerning this embodiment. 本実施形態にかかる有機EL表示装置の隔壁形成後における表示画素部の構成を示す拡大概略図である。It is an enlarged schematic diagram which shows the structure of the display pixel part after the partition formation of the organic electroluminescent display apparatus concerning this embodiment. 本実施形態にかかる有機EL表示装置の陰極配線形成後における表示画素部の構成を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view which shows the structure of the display pixel part after cathode wiring formation of the organic electroluminescent display apparatus concerning this embodiment. 本実施形態にかかる有機EL表示装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescent display apparatus concerning this embodiment. 本実施形態にかかる有機EL表示装置の有機材料溶液塗布後における素子基板端部の構成を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view which shows the structure of the element substrate edge part after the organic material solution application | coating of the organic electroluminescence display concerning this embodiment. 本実施形態にかかる有機EL表示装置の陰極配線形成後における素子基板端部の構成を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view which shows the structure of the element substrate edge part after cathode wiring formation of the organic electroluminescent display apparatus concerning this embodiment. 本実施形態にかかる有機EL表示装置の輝度の測定結果を示す分布図である。It is a distribution map which shows the measurement result of the brightness | luminance of the organic electroluminescence display concerning this embodiment. 従来の有機EL表示装置の素子基板の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the element substrate of the conventional organic electroluminescence display. 従来の有機EL表示装置の素子基板の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the element substrate of the conventional organic EL display apparatus. 従来の有機EL表示装置の隔壁形成後における表示画素部の構成を示す拡大概略図である。It is an enlarged schematic diagram which shows the structure of the display pixel part after the partition formation of the conventional organic EL display apparatus. 従来の有機EL表示装置の陰極配線形成後における表示画素部の構成を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view which shows the structure of the display pixel part after cathode wiring formation of the conventional organic electroluminescence display. 従来の有機EL表示装置の陰極配線形成後における表示画素部の構成を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view which shows the structure of the display pixel part after cathode wiring formation of the conventional organic electroluminescence display. 従来の有機EL表示装置の陰極配線形成後における表示画素部の構成を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view which shows the structure of the display pixel part after cathode wiring formation of the conventional organic electroluminescence display. 隔壁に沿って、有機材料の溶液が広がった状態を示す図である。It is a figure which shows the state which the solution of the organic material spread along the partition.

符号の説明Explanation of symbols

1 陽極配線
5 陰極配線
10 隔壁
11 基板
21 陰極接続配線
22 絶縁膜
23 表示画素部
24 表示領域
25 コンタクトホール
110 素子基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Anode wiring 5 Cathode wiring 10 Partition 11 Board | substrate 21 Cathode connection wiring 22 Insulating film 23 Display pixel part 24 Display area 25 Contact hole 110 Element substrate

Claims (13)

基板と、
前記基板上に形成された第1の電極と、
前記第1の電極上に、開口を有するように形成された絶縁膜と、
前記第1の電極と交差するように延在し、前記絶縁膜上及び前記絶縁膜の開口内に形成された隔壁と、
前記絶縁膜の開口内に、前記隔壁が形成された前記基板上に形成された有機化合物層と、
前記隔壁により隔離され、前記絶縁膜の開口内における前記第1の電極との間において前記有機化合物層を挟むように形成された第2の電極と、
を備える有機EL表示装置。
A substrate,
A first electrode formed on the substrate;
An insulating film formed on the first electrode so as to have an opening;
A partition wall extending to intersect the first electrode and formed on the insulating film and in the opening of the insulating film;
An organic compound layer formed on the substrate in which the partition wall is formed in the opening of the insulating film;
A second electrode formed by sandwiching the organic compound layer between the first electrode in the opening of the insulating film and separated by the partition;
An organic EL display device.
前記絶縁膜は、前記第1の電極と平行な方向に延在する、請求項1に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, wherein the insulating film extends in a direction parallel to the first electrode. 前記絶縁膜は、前記第1の電極の両端を覆うように形成されている、請求項1又は2に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, wherein the insulating film is formed so as to cover both ends of the first electrode. 前記隔壁は、前記絶縁膜の開口内において前記第1の電極上に直接形成されている、請求項1、2又は3に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, wherein the partition is formed directly on the first electrode in the opening of the insulating film. 前記第1の電極と前記第2の電極が交差する表示画素部は、対向する前記絶縁膜及び対向する前記隔壁の間の領域において表示する、請求項2、3又は4に記載の有機EL表示装置。   5. The organic EL display according to claim 2, wherein the display pixel portion where the first electrode and the second electrode intersect is displayed in a region between the facing insulating film and the facing partition. 6. apparatus. 前記有機化合物層は、塗布膜である、請求項1、2、3、4又は5に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, wherein the organic compound layer is a coating film. 前記有機化合物層は、正孔注入層に重量平均分子量が1000以上の高分子有機材料が5重量%以上含まれる、請求項1、2、3、4、5又は6に記載の有機EL表示装置。   7. The organic EL display device according to claim 1, wherein the organic compound layer includes 5% by weight or more of a polymer organic material having a weight average molecular weight of 1000 or more in the hole injection layer. . 前記有機化合物層と前記第2の電極との間に、さらに、蒸着膜である蒸着有機化合物層を有する、請求項6に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 6, further comprising a vapor-deposited organic compound layer that is a vapor-deposited film between the organic compound layer and the second electrode. 基板と、
前記基板上に形成された第1の電極と、
前記第1の電極と交差するように延在し、前記第1の電極上に直接形成された隔壁と、
前記隔壁が形成された基板上において、前記第1の電極上に形成された有機化合物層と、
前記隔壁により隔離され、前記第1の電極との間において前記有機化合物層を挟むように形成された第2の電極と、
を備える有機EL表示装置。
A substrate,
A first electrode formed on the substrate;
A partition wall extending to intersect the first electrode and formed directly on the first electrode;
On the substrate on which the partition wall is formed, an organic compound layer formed on the first electrode;
A second electrode isolated by the partition and formed so as to sandwich the organic compound layer with the first electrode;
An organic EL display device.
前記有機化合物層は、塗布膜である、請求項9に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 9, wherein the organic compound layer is a coating film. 基板上に第1の電極を形成するステップと、
前記第1の電極が形成された基板上に、開口を有するように絶縁膜を形成するステップと、
前記絶縁膜が形成された基板上に、前記第1の電極と交差し延在するように、前記絶縁膜上及び前記絶縁膜の開口内に隔壁を形成するステップと、
前記絶縁膜の開口内に、前記隔壁が形成された基板上に液状材料を塗布し、有機化合物層を形成するステップと、
前記有機化合物層が形成された基板上に、前記隔壁により隔離され、前記絶縁膜の開口内における前記第1の電極との間において前記有機化合物層を挟むように第2の電極を形成するステップと、
を備える有機EL表示装置の製造方法。
Forming a first electrode on a substrate;
Forming an insulating film on the substrate on which the first electrode is formed so as to have an opening;
Forming a partition on the insulating film and in the opening of the insulating film so as to cross and extend on the substrate on which the insulating film is formed;
Applying a liquid material on the substrate on which the partition wall is formed in the opening of the insulating film to form an organic compound layer;
Forming a second electrode on the substrate on which the organic compound layer is formed, separated by the partition and sandwiching the organic compound layer with the first electrode in the opening of the insulating film; When,
A method for manufacturing an organic EL display device comprising:
基板上に第1の電極を形成するステップと、
前記第1の電極が形成された基板上に、前記第1の電極と交差し延在するように、前記第1の電極の上に直接、隔壁を形成するステップと、
前記隔壁が形成された基板上に液状材料を塗布し、前記第1の電極上に有機化合物層を形成するステップと、
前記有機化合物層が形成された基板上に、前記隔壁により隔離され、前記第1の電極との間において前記有機化合物層を挟むように第2の電極を形成するステップと、
を備える有機EL表示装置の製造方法。
Forming a first electrode on a substrate;
Forming a partition directly on the first electrode on the substrate on which the first electrode is formed so as to intersect and extend the first electrode;
Applying a liquid material on the substrate on which the partition walls are formed, and forming an organic compound layer on the first electrode;
Forming a second electrode on the substrate on which the organic compound layer is formed, separated by the partition and sandwiching the organic compound layer with the first electrode;
A method for manufacturing an organic EL display device comprising:
前記有機化合物層と前記第2の電極との間に、蒸着有機化合物層を蒸着により形成するステップをさらに備える、請求項11又は12に記載の有機EL表示装置の製造方法。   The method for manufacturing an organic EL display device according to claim 11, further comprising a step of forming a vapor-deposited organic compound layer by vapor deposition between the organic compound layer and the second electrode.
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