JP2005181910A - レジスト用剥離剤組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】主として金属配線を有する電子基板に対して、銅等の金属配線にエッチング及び表面荒れ等のダメージを与えず、残存する変質レジスト、埋め込み材、及びエッチング残渣物等のいわゆるポリマーを除去するレジスト用剥離剤組成物、及びそれらを用いたレジスト剥離工程を有する電子基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】酸化剤と炭素数７〜２２の脂肪酸の塩と有機溶剤とを含有するレジスト用剥離剤組成物、及び前記レジスト用剥離剤組成物を用いて、基板のレジストを剥離する工程を有する電子基板の製造方法。
【選択図】なし

Description

本発明は、レジスト用剥離剤組成物及びそれを用いたレジスト剥離工程を有する電子基板の製造方法に関する。より詳しくは、ガラス等のＬＣＤ基板上に液晶素子を形成する工程やシリコンウェハ等の半導体基板上に半導体素子を形成する工程、中でもドライエッチングを行った後、アッシングをしないか又はアッシングを低減した場合に残存する変質レジストあるいはデュアルダマシン構造形成時に用いるビィアホール底の埋め込み材等を剥離するレジスト用剥離剤組成物に関し、さらにはそれらを用いたレジスト剥離工程を有する電子基板、特に半導体基板の製造方法に関する。

近年、電子機器の小型化に伴い、半導体素子の高速化及び高集積化が進んでおり、高集積化では配線の微細化が要求されている。その結果、配線はアルミニウムからより電気抵抗の低い銅へ、また絶縁膜はプラズマＴＥＯＳ酸化膜からより絶縁性の高い低誘電率膜へ移行しつつある。これに伴って、従来のアルミニウム配線用途に使われてきたレジスト用の剥離剤や剥離条件を銅配線電子基板のレジスト除去に適用しようとすると、銅配線が腐食されてしまい半導体の製造においては大きな課題となっている。たとえば、特許文献１には過酸化水素及び水溶性有機溶剤と接触させてレジストを剥離する方法、また、特許文献２にはＮ−メチルエタノールアミンとガリック酸と尿素とを含有するレジスト剥離剤が記載されているが、これらの方法や剥離剤ではレジストの剥離性と銅配線のエッチングや表面荒れなどの損傷防止との両立という面で不十分であり、銅配線電子基板には適用できない。
特開昭６２−９６３０号公報 特開２００１−２０９１９１号公報

本発明の目的は、主として金属配線を有する電子基板に対して、銅等の金属配線にエッチング及び表面荒れ等のダメージを与えず、残存する変質レジスト、埋め込み材、及びエッチング残渣物等のいわゆるポリマーを除去するレジスト用剥離剤組成物、及びそれらを用いたレジスト剥離工程を有する電子基板の製造方法を提供することにある。

即ち、本発明の要旨は、
〔１〕 酸化剤と炭素数７〜２２の脂肪酸の塩と有機溶剤とを含有するレジスト用剥離剤組成物、及び
〔２〕 前記〔１〕記載のレジスト用剥離剤組成物を用いて、基板のレジストを剥離する工程を有する電子基板の製造方法、
に関する。

本発明の剥離剤組成物を用いることで、銅等の金属配線のダメージを抑制しながら、残存する変質レジスト、埋め込み材、及びポリマーを剥離でき、さらには該剥離剤組成物を用いたレジスト剥離工程を通じて、より経済的に、電子基板、特に半導体基板を製造することができるという効果が奏される。

本発明のレジスト用剥離剤組成物（以下、単に剥離剤組成物という）は、酸化剤と炭素数７〜２２の脂肪酸の塩と有機溶剤とを含有することを特徴とする。これらの組合せにより金属配線のエッチング（膜厚の減少）と荒れを防止し、同時に、残存する変質レジスト、埋め込み材、及びポリマーを除去できるという優れた剥離特性を示す。

酸化剤を用いることでレジストの剥離性は向上するが、一方では銅等の金属配線のエッチング及び表面荒れの課題を有する。しかし、有機溶媒の存在下で酸化剤と特定の脂肪酸塩とを併用することにより、意外にも剥離性と配線防食性が両立することを見出した。該脂肪酸塩が銅等の金属配線表面に吸着し、酸化剤や酸化剤由来の分解物等による金属配線への攻撃を防止し同時に界面活性効果により変質レジスト、埋め込み材、及びポリマーに浸透し、剥離性をも相乗的に向上していると推定している。

本発明の酸化剤としては、過酸化物、アゾ化合物、アルキルチウラムジスルフィド、ペルオキソ酸及びその塩、次亜塩素酸、過沃素酸等及びそれらの塩、オゾン等が挙げられる。また、過酸化水素又はｔｅｒｔ−ブチルヒドロパーオキサイド／２価の鉄塩の併用、ベンゾイルパーオキサイド／ジメチルアニリンの併用、前記過硫酸塩／亜硫酸水素ナトリウムの併用、過硫酸アンモニウム／アスコルビン酸の併用、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキサイド／アスコルビン酸の併用等の併用系の酸化剤も使用できる。これらの内で、銅等の金属配線のエッチング防止及び表面荒れ防止の観点から、好ましくは過酸化物又はオゾンを含有してなる酸化剤であり、より好ましくは過酸化水素、過硫酸アンモニウム、アシルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキサイド、ヒドロパーオキサイド等の過酸化物、過硫酸アンモニウム／アスコルビン酸や、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキサイド／アスコルビン酸等の併用系の酸化剤、及びオゾンであり、更に好ましくは過酸化水素、過硫酸アンモニウム、ｔｅｒｔ−ブチルパ−オキサイド、過硫酸アンモニウム／アスコルビン酸の併用、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキサイド／アスコルビン酸の併用の酸化剤、及びオゾンであり、更に好ましくは過酸化水素、過硫酸アンモニウム、過硫酸アンモニウム／アスコルビン酸の併用の酸化剤、及びオゾンである。なお、前記併用の酸化剤について、それを構成するの２種の化合物の重量比としては２／１〜１／２であることが好ましい。

また、これらの内の塩を形成している酸化剤の陽イオンとしては、アンモニウム、ナトリウム、カリウム及び有機アンモニウムが好ましく、より好ましくはアンモニウム及び有機アンモニウムである。

前記酸化剤は、強酸化活性種であるパーヒドロキシイオン（ＨＯ₂ ^- ）が変質レジスト、埋め込み材及びポリマーを酸化分解させ、剥離性を向上させるものと推察する。

本発明で用いられる酸化剤としては、あらかじめ分解を防止するために無機酸や有機酸によって酸性水溶液にしたもの、例えば、旭電化工業（株）の「アデカスーパーＥＬ」（商品名）等を使用できるし、その他の分解抑制剤を含む物でもよく、特に限定はない。

また、これらの酸化剤は、単独で又は２種以上を併用してもよい。

上記酸化剤の総含有量は、銅等の金属配線のエッチング防止及び表面荒れ防止の観点から、剥離剤組成物中好ましくは０．０１〜４５重量％、より好ましくは０．０１〜３０重量％、更に好ましくは０．１〜３０重量％、さらに好ましくは０．１〜１０重量％、さらに好ましくは０．１〜５重量％である。

本発明に用いられる脂肪酸の塩に係る脂肪酸としては、飽和もしくは不飽和でもよく、また脂肪族（脂環式を含む）もしくは芳香族でもよく、カルボキシル基の数は限定しない。脂肪酸の炭素数は剥離性と浸透性の観点から７〜２２であり、例えば、ヘプタン酸、ヘプタンジカルボン酸、オクタン酸、オクタンジカルボン酸、ノナン酸、デカン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸及びヤシ油、パーム油、牛脂等をケン化して得られる高級脂肪酸の混合物が挙げられる。変質レジスト及び埋め込み材の剥離性並びに銅等の金属配線のエッチング防止及び表面荒れ防止の観点からは、脂肪酸の炭素数は好ましくは７〜１５、より好ましくは７〜１０である。また、脂肪酸のアルキル鎖は直鎖でも分岐でもよい。

該脂肪酸の塩としては、アンモニウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、有機アミン塩が挙げられ、銅等の金属配線のエッチングを防止する観点から、有機アミン塩が好ましくは、具体的にはアルキルアミン塩、アルキルジアミン塩、アルカノールアミン塩が好ましい。

前記脂肪酸塩の含有量は、変質レジスト剥離性、銅等の金属配線のエッチング防止及び表面荒れ防止の観点から、剥離剤組成物中好ましくは０．００１〜１０重量％、より好ましくは０．００１〜５重量％、更に好ましくは０．０５〜３重量％、さらに好ましくは０．０１〜１重量％、さらに好ましくは０．０３〜０．５重量％である。

本発明の剥離剤組成物は有機溶剤を媒体として用いる。有機溶剤としては、オーム社刊「新版 溶剤ポケットハンドブック」（１９９４年）のＰ. １９７〜Ｐ．７９３に記載されている有機溶剤が使用できる。これらの内で、銅等の金属配線のエッチング防止及び表面荒れ防止の観点から、好ましくはアルコール類、エステル類、多価アルコールとその誘導体、フェノール類、含窒素化合物、含硫黄化合物、フッ素化合物等であり、より好ましくはフェノール、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ブチルジグリコール、アセトニトリル、炭酸エチレン及び炭酸プロピレンであり、更に好ましくはＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド及びＮ−メチル−２−ピロリドンである。また、これらを２種以上混合して用いてもよい。

前記有機溶剤の含有量は、変質レジスト剥離性、銅等の金属配線のエッチング防止及び表面荒れ防止の観点から、剥離剤組成物中好ましくは４０〜９９．９重量％、より好ましくは５０〜９９重量％、更に好ましくは６０〜９９重量％、更に好ましくは８０〜９９重量％である。

また、媒体として有機溶剤以外に水を用いてもよく、イオン交換水、蒸留水、超純水等が用いられる。水の含有量は、変質レジストの剥離性の観点から、剥離剤組成物中好ましくは２０重量％以下であり、より好ましくは０〜１５重量％、更に好ましくは０〜１０重量％である。

媒体の総含有量は、銅等の金属配線のエッチング防止及び表面荒れ防止の観点から、剥離剤組成物中好ましくは４０〜９９．９重量％、より好ましくは６０〜９９重量％、更に好ましくは８０〜９９重量％、さらに好ましくは９０〜９９重量％である。

更に、酸化剤を分解させる金属を捕捉し、酸化剤の分解を防止する観点から、キレート剤及び／又はラジカル捕捉剤を添加することができる。

キレート剤としては、例えば、包摂化合物、アセチルアセトン、ヘキサフルオロアセチルアセトン、アルキルスルホン酸、カルボン酸類、アミノ酸、有機リン酸、及びそれらの塩が挙げられる。これらの内、酸化剤の分解防止の観点から、好ましくはクラウンエーテル、アミノカルボン酸、アミノ酸、有機リン酸及びそれらの塩であり、より好ましくはクラウンエーテル−５、ＥＤＴＡ、アミノ酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）の有機リン酸及びそれらの塩、更に好ましくはＥＤＴＡ、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）である。

前記キレート剤の含有量は、酸化剤の分解防止の観点から、剥離剤組成物中好ましくは０．０００１〜１重量％、より好ましくは０．００１〜１重量％、更に好ましくは０．００５〜１重量％、更に好ましくは０．００５〜０．５重量％、更に好ましくは０．００５〜０．１重量％である。

ラジカル捕捉剤としては、２，２−ジフェニル−１−ピクリルヒドラジル、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−Ｎ−オキシル（ＴＥＭＰＯ）等の分子中にラジカルを有する化合物、カテコールや１，２，３−トリヒドロキシベンゼン等のフェノール性水酸基を２つ以上有する化合物、ハイドロキノン、酢酸、リン酸、亜リン酸及びそれら酸の塩、炭酸アンモニウム、重炭酸アンモニウム、化学工業日報社刊「１３７００の化学商品」（２０００年）のＰ．１０５４〜Ｐ．１０６３に記載されている酸化防止剤、またＰ．１０６３〜Ｐ．１０７０に記載されている紫外線吸収剤等の分子中にラジカルを有しない化合物等を使用できる。

これらの内で、酸化剤の分解防止の観点から、好ましくは分子中にラジカルを有する化合物及びフェノール性水酸基を２つ以上有する化合物であり、より好ましくはカテコールである。前記ラジカル捕捉剤は単独でも２種以上を併用してもよい。また、キレート剤及びラジカル捕捉剤が塩の場合は、酸化剤の分解防止の観点から、アンモニウム塩、有機アミン塩が好ましい。

ラジカル捕捉剤の含有量は、酸化剤の分解防止の観点から、剥離剤組成物中好ましくは０．０００１〜５重量％、より好ましくは０．０００１〜３重量％、更に好ましくは０．０００１〜１重量％である。

また、本発明の剥離剤組成物は、含有される酸化剤が分解しにくいという特性を有する。酸化剤の分解は該剥離剤組成物中の酸化剤残存率で定量評価することができる。例えば、該剥離剤組成物を開放系にて、一日間攪拌（洗浄温度下、２００ｒｐｍ）した後における酸化剤残存率が、剥離剤組成物の安定性の観点から、５０〜１００％であることが好ましく、より好ましくは６０〜１００％、更に好ましくは８０〜１００％である。

剥離剤組成物のｐＨは、銅等の金属配線のエッチング防止と表面荒れ防止の観点から、好ましくは２〜１２であり、より好ましくは４〜１２、更に好ましくは４〜１０である。

また、本発明の剥離剤組成物には、他の成分を配合することができる。例えば、フッ化水素酸、硝酸、燐酸、亜燐酸等の無機酸及びそれらの塩、ヒドロキシルアミン、アルキレンジアミン、アルキルヒドロキシルアミン、アルカノールアミン、アルキルアンモニウムヒドロキシド等の塩基、化学工業日報社刊「１３７００の化学商品」（２０００年）のＰ. １０３３〜１０４９に記載されている可塑剤、同書Ｐ. １２１６〜Ｐ．１２４６に記載されている界面活性剤、及び４，５，６，７−テトラヒドロトリルトリアゾールや同書Ｐ. １０３３〜１０４９に記載されている腐食防止剤等が挙げられる。更に、殺菌剤、抗菌剤及び低級アルコール系やシリコーン樹脂系の消泡剤等を配合することができる。

尚、以上のような構成を有する本発明の剥離剤組成物は、高濃度で製造した後、使用時に希釈して用いてもよい。

本発明の電子基板の製造方法は、前記剥離剤組成物を用いて、基板のレジストを剥離する工程を有するものである。

本発明で剥離の対象とする電子基板の製造に関わるレジストとしては、ポジ型、ネガ型及びポジ−ネガ兼用型のフォトレジストが挙げられ、後記埋め込み材も含む。また、ビィアホール及びビィアトレンチホールの形成時に好適に用いることができる。例えば、リアライズ社刊「半導体集積回路用レジスト材料ハンドブック」（１９９６年）のＰ. ６７〜１６９に記載されているレジストを使用できる。これらの内でも、ポジ型レジストが適しており、特に金属含有のトリフェニルホスホニウム塩等のオニウム塩、Ｎ−イミノスルホン酸エステル等のスルホン酸エステル類等の露光により酸を発生する化合物、例えば、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチル基等の酸により分解する基を有する樹脂であるポリビニルフェノール、ポリヒドロキシスチレン等の芳香族樹脂及びメタクリル樹脂の側鎖にアダマンチル基、イソボルニル基を有する脂環樹脂、ポリ（ノルボルネン−５−メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール−無水マレイン酸）、ポリ（テトラフルオロチレン−ノルボルネン誘導体）等のフッ素樹脂等の樹脂に、金属含有のトリフェニルホスホニウム塩等のオニウム塩、Ｎ−イミノスルホン酸エステル等のスルホン酸エステル類等の露光により酸を発生する化合物が含まれてなる化学増幅型レジストである。

レジストは、Ｌｏｗ−ｋ膜等の絶縁膜、ストッパー膜、及び窒化珪素膜等のバリア膜のエッチングに使用するドライガスの種類、並びにエッチング条件によってその変質の程度が影響されるが、本明細書でいう変質レジストは、レジストの表面層あるいは内部までが架橋等により硬化、又は灰化したものを示す。本発明の剥離剤組成物は、特にレジストの変質が促進されるフッ素系のエッチングガス等を使用した場合の変質レジストの剥離、また硼素、リン及び砒素等のイオンがドープされたレジストをエッチングした後の変質レジストの剥離に好適であるが、これに限定されるものではない。

また、本発明の剥離対象物の一つである埋め込み材は、デュアルダマシン構造形成時にビィアホール底にスピンコート法で埋め込められ、反射防止膜の機能を有するものであり、例えば、公知の反射防止膜、前記レジスト、前記レジストに珪素等が含有されているもの及びＤｕＯ（商品名、Ｈｏｎｅｙｗｅｌｌ社製）等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、該埋め込み材は、前記変質レジストと同様に、エッチングガス等で埋め込み材の表面層あるいは内部までが硬化、又は灰化したものも含む。

更に、本発明の剥離対象物の一つであるポリマーは、エッチングによりデュアルダマシン構造形成時に形成されたビィアホールやビィアトレンチホール等のホール頂上部若しくは側壁部に付着したポリマー、バリア膜をエッチングした時に銅配線上、ホール頂上部、若しくは側壁部に付着した銅系のポリマー、又はチタン系のポリマー等を示すが、電子基板の製造過程で生成するポリマーであれば、これらに限定されるものではない。

本発明に関わる電子基板の金属配線は、メッキ、ＣＶＤ及びＰＶＤ等によって形成され、例えば、アルミニウム、銅、タングステン、チタン、タンタル、クロム等の配線が挙げられる。中でも、アルミニウム配線と銅配線が適しており、さらには銅配線が適している。尚、用いられる金属配線は異種の金属を含む合金であっても、また純金属でもよく、また配線形状にも限定されるものではない。

本発明において電子基板の製造に関わる絶縁膜としては、比誘電率５．０以下の絶縁膜が挙げられ、具体的には、プラズマＴＥＯＳ酸化膜及び比誘電率４．０以下のＬｏｗ−ｋ膜（ポーラスＬｏｗ−ｋ膜やＵｌｔｒａ Ｌｏｗ−ｋ膜を含む）が挙げられる。Ｌｏｗ−ｋ膜としては、例えば、ヒドロゲンシルセスキオキサン系のＨＳＱ、メチルシルセスキオキサン系のＭＳＱやＬＫＤ（ＪＳＲ社製）、ＳｉＯＦ等のフッ素系樹脂（例えば、ＦＳＧ）、ＳｉＯＣ系のＢｌａｃｋ Ｄｉａｍｏｎｄ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社製）、Ａｕｒｏｒａ（ＡＳＭ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ社製）、Ｃｏｒａｌ（Ｎｏｖｅｌｌｕｓ Ｓｙｓｔｅｍｓ社製）、Ｆｌｏｗｆｉｌｌ及びＯｒｉｏｎ（Ｔｒｉｋｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）等の無機Ｌｏｗ−ｋ膜、また有機ＳＯＧ、芳香族ポリアリールエーテル系のＳｉＬＫ（ダウ ケミカル社製）等の有機系Ｌｏｗ−ｋ膜が挙げられ、ポーラスＬｏｗ−ｋ膜及びＵｌｔｒａ−Ｌｏｗ−ｋ膜の具体例としてはそれぞれ前記記載のＬｏｗ−ｋ膜の多孔質化したもの及びさらに低誘電率化したものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。尚、前記の絶縁膜は、バリア膜、ストッパー膜、層間絶縁膜等に用いることができる。

更に、本発明の剥離剤組成物は、バッチ式、シャワー式、枚葉式等の剥離装置に用いることができ、これらの内でも、バッチ式及び枚葉式の剥離装置に好適に用いられる。

該剥離剤組成物を用いて電子基板を洗浄する際の洗浄温度は、変質レジスト、埋め込み材及びポリマーの剥離性の観点から、２０〜９０℃が好ましく、より好ましくは４０〜９０℃であり、更に好ましくは６０〜９０℃である。また、洗浄時間は、変質レジスト、埋め込み材及びポリマーの剥離性並びに銅等の金属配線のエッチング防止の観点から、好ましくは１〜６０分、より好ましくは１０〜６０分、更に好ましくは１０〜４０分である。

本発明の剥離剤組成物は、主として銅等の金属配線又は絶縁膜を有する、即ち銅等の金属配線又は絶縁膜を形成する工程前後の半導体基板のレジストをアッシングした後、ライトアッシングした後、又はアッシングしなかった場合のいずれにおいても、該レジストの剥離に好適に使用することができる。

本発明の剥離剤組成物を用いて得られる電子基板としては、例えば、半導体基板及び液晶パネル基板等が挙げられる。中でも、銅配線を有する半導体基板が適しており、特に銅配線上に窒化珪素や窒化タンタル等のバリア膜を蒸着させ、その上に絶縁膜であるＬｏｗ−ｋ膜等を堆積し、アッシングを受けたあるいは全くアッシングを受けていない変質レジストが最上層にある半導体基板に適する。

実施例１〜１３及び比較例１〜３
シリコンウェハ上に、銅、バリア膜としてＢｌａｃｋＤｉａｍｏｎｄ膜（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社製）、層間絶縁膜（Ｏｒｉｏｎ２．２（Ｔｒｉｋｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）、及びストッパー膜としてプラズマＴＥＯＳ酸化膜を順次積層し、更にビィアホールを形成したウェハのホール内にポジ型レジスト系の埋め込み材を埋め込み、乾燥後、そのウェハ上にポリビニルフェノール樹脂系のポジ型レジストを塗布、乾燥してレジスト膜を形成した。その後、トレンチパターンを転写し、これをマスクとして、絶縁膜、埋め込み材、引き続いて窒化珪素膜をエッチングガスでエッチング除去し、ビィアトレンチパターンを有するアッシングを受けていない洗浄評価用ウェハを作製した。

次に、表１に示す剥離条件下、剥離剤組成物を用いて洗浄評価用ウェハを洗浄後、超純水を用いて室温下で３０秒間リンス洗浄し、次いで室温下で窒素ブロー乾燥を行った。

乾燥後のウェハをＳＥＭ（走査型電子顕微鏡、１００，０００倍）で観察し、残存する変質レジスト・埋め込み材及びポリマーの剥離性、銅配線のエッチング量、並びに銅配線の表面荒れ性を以下のように３段階で評価した。

（１）変質レジスト・埋め込み材及びポリマーの剥離性
◎：大部分剥離している。
○：一部剥離している。
×：剥離していない。

（２）銅配線のエッチング量
◎：膜厚減少量が２５Å未満
○：膜厚減少量が２５Å以上５０Å未満
×：膜厚減少量が５０Å以上

（３）銅配線の表面荒れ性
◎：全く表面荒れが認められない
○：一部表面荒れが認められる
×：表面荒れが認められる

（４）酸化剤残存率
表１記載の２５０ｇの剥離剤組成物を開放系にて、一日間攪拌（８０℃、２００ｒｐｍ）後、約２ｇの該剥離剤組成物を正確に秤量・分取し、硫酸でｐＨ２に調整した。その後、０．０２規定の過マンガン酸カリウム水溶液（片山化学工業（株）社製）で滴定することにより一日後の酸化剤量を求めた。また、同様にして先に求めた一日撹拌前の初期酸化剤量で除することで、酸化剤残存率を算出した。

また、表中の各用語は以下の通りである。
Ｈ₂ Ｏ₂ ：過酸化水素（旭電化工業（株）製、アデカスーパーＥＬ）
ＡＰＳ：過硫酸アンモニウム
ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン
ＤＭＡｃ：Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド
ＥＤＴＡ：エチレンジアミン四酢酸

表１〜２に示した結果から、実施例１〜１３で得られた剥離剤組成物は、比較例１〜３のものに比べて、銅配線にダメージを与えずに、残存する変質したレジスト・埋め込み材及びポリマーを剥離できるという優れた剥離剤組成物であることがわかる。

本発明の剥離剤組成物は、電子基板、特に半導体基板の製造等に好適に使用することができる。

Claims (5)

1. 酸化剤と炭素数７〜２２の脂肪酸の塩と有機溶剤とを含有するレジスト用剥離剤組成物。
2. 酸化剤０．０１〜４５重量％と脂肪酸の塩０．００１〜１０重量％と有機溶剤４０〜９９．９重量％とを含有する請求項１記載のレジスト用剥離剤組成物。
3. さらにキレート剤及びラジカル捕捉剤からなる群より選ばれる少なくとも１つを含有する請求項１又は２記載のレジスト用剥離剤組成物。
4. 請求項１〜３いずれか記載のレジスト用剥離剤組成物を用いて、基板のレジストを剥離する工程を有する電子基板の製造方法。
5. 電子基板が銅配線を有する半導体基板である請求項４記載の電子基板の製造方法。