JP2005180969A - トランジスタ対の特性差測定装置および特性差測定方法 - Google Patents

トランジスタ対の特性差測定装置および特性差測定方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005180969A
JP2005180969A JP2003418249A JP2003418249A JP2005180969A JP 2005180969 A JP2005180969 A JP 2005180969A JP 2003418249 A JP2003418249 A JP 2003418249A JP 2003418249 A JP2003418249 A JP 2003418249A JP 2005180969 A JP2005180969 A JP 2005180969A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor pair
transistor
transistors
amplifier circuit
differential
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003418249A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4151572B2 (ja
Inventor
Masumi Horie
真清 堀江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2003418249A priority Critical patent/JP4151572B2/ja
Publication of JP2005180969A publication Critical patent/JP2005180969A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4151572B2 publication Critical patent/JP4151572B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

【課題】 所望のドレイン・ソース間電圧の条件下で高精度にミスマッチを測定する。
【解決手段】 ミスマッチ測定回路1を、切替回路9を具備した差動増幅回路2とその後段に位置する出力増幅回路3とから構成し、信号入力端子7に適当な電圧VINを印加する。切替信号VPTをL、VPTNをHに設定すると、トランジスタQ1とQ3のドレイン同士、トランジスタQ2とQ4のドレイン同士が接続され、トランジスタQ1のゲートが出力端子14に接続され、トランジスタQ2のゲートに電圧VINが印加される。この状態で出力電圧VOUT1を測定する。次に、切替信号VPTをH、VPTNをLに設定すると、上記状態に対してトランジスタQ1とQ2をそっくり入れ替えた状態となる。この状態で出力電圧VOUT2を測定する。(VOUT1−VOUT2)/2によりミスマッチΔVGSが求められる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、トランジスタ対のミスマッチを測定するトランジスタ対の特性差測定装置および特性差測定方法に関する。
半導体ウェーハ上に形成されるICチップ内の回路においては、同一サイズ、同一バイアス条件で動作するトランジスタ対がしばしば用いられる。こうしたトランジスタ対は全く同一の特性を示すことが期待され、このためにこれらのトランジスタは近接して配置され、あるいは対称性を向上するためにいわゆるたすきがけ配置とされる。しかしながら、実際には動作特性に微少な誤差が存在する。この特性の誤差をトランジスタのミスマッチという。特許文献1には、このミスマッチを測定する特性測定回路が開示されている
この特性測定回路は、ドレインとゲートがそれぞれ共通に接続され、かつ、ソース同士が共通に接続されたトランジスタ対の一方のドレイン(ゲート)を順次選択して電流源に接続し、そのときのゲート・ソース間電圧の測定値に基づいて両トランジスタのゲート・ソース間電圧VGSの違いを測定するようになっている。
特開2001−242214号公報
しかし、上記特許文献1記載の方法では、第1に、インピーダンスの高い被測定トランジスタ対のドレインがチップ外部に引き出されることになり、例えばICテスタからウェーハへの接続線(プローブカード)へのノイズの侵入などにより外乱の影響を受け易いという問題がある。第2に、ゲートとドレインとを接続した条件でのみ測定可能であるため、オペアンプの差動増幅回路に前置して用いられるソースフォロア対などドレイン・ソース間電圧VDSが他の条件で用いられる場合のゲート・ソース間電圧VGSのミスマッチを測定できないという問題がある。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、所望のドレイン・ソース間電圧の条件下で高精度に特性差を測定できるトランジスタ対の特性差測定装置および特性差測定方法を提供することにある。
請求項1、10に記載した手段によれば、特性差の測定対象であるトランジスタ対を、差動増幅回路の中に差動入力トランジスタ対として組み入れ、その差動増幅回路において、負荷トランジスタおよび信号入力端子に対する差動入力トランジスタの接続状態を差動入力トランジスタ同士で入れ替え、それぞれの接続状態について差動増幅回路の出力電圧を測定することができる。
測定した2つの出力電圧には、上記トランジスタ対の特性の違いが差分量として含まれる一方、種々の測定誤差要因が同等に含まれている。従って、これら出力電圧に基づいて、種々の測定誤差要因をキャンセルしながら高精度且つ安定に特性差(ミスマッチ)を測定することができる。また、本手段によれば、測定に際し入力する差動信号の大きさを任意に設定することができるため、所望のバイアス電圧(ドレイン・ソース間電圧)を与えた状態で被測定トランジスタの特性差を測定することができる。
請求項2に記載した手段によれば、第1、第4、第6、第7のスイッチ回路からなるスイッチ群を全てオンとし、第2、第3、第5、第8のスイッチ回路からなるスイッチ群を全てオフとすると、第1の差動入力トランジスタは、第2の信号入力端子および第1の負荷トランジスタに接続され、第2の差動入力トランジスタは、第1の信号入力端子および第2の負荷トランジスタに接続される。
一方、第1、第4、第6、第7のスイッチ回路からなるスイッチ群を全てオフとし、第2、第3、第5、第8のスイッチ回路からなるスイッチ群を全てオンとすると、第1の差動入力トランジスタは、第1の信号入力端子および第2の負荷トランジスタに接続され、第2の差動入力トランジスタは、第2の信号入力端子および第1の負荷トランジスタに接続される。
請求項3に記載した手段によれば、選択回路が、複数存在する差動入力トランジスタ対のうちから1つを選択して負荷トランジスタ対と切替回路に接続する(または接続するように制御する)ので、回路の増大を抑えつつ多種多様の構成(レイアウト、サイズ等)を有する複数のトランジスタ対の特性差を容易に測定することができる。
請求項4、11に記載した手段によれば、特性差の測定対象であるトランジスタ対を負荷トランジスタ対として組み入れ、その差動増幅回路において、差動入力トランジスタに対する負荷トランジスタの接続状態を負荷トランジスタ同士で入れ替え、それぞれの接続状態について差動増幅回路の出力電圧を測定することができる。
測定した2つの出力電圧には、上記トランジスタ対の特性の違いが差分量として含まれる一方、種々の測定誤差要因が同等に含まれている。従って、これら出力電圧に基づいて、種々の測定誤差要因をキャンセルしながら高精度且つ安定に特性差(ミスマッチ)を測定することができる。
請求項5に記載した手段によれば、第1、第4、第6のスイッチ回路からなるスイッチ群を全てオンとし、第2、第3、第5のスイッチ回路からなるスイッチ群を全てオフすると、第1の負荷トランジスタは第1の差動入力トランジスタに接続され、第2の負荷トランジスタは第2の差動入力トランジスタに接続される。一方、第1、第4、第6のスイッチ回路からなるスイッチ群を全てオフとし、第2、第3、第5のスイッチ回路からなるスイッチ群を全てオンとすると、第1の負荷トランジスタは第2の差動入力トランジスタに接続され、第2の負荷トランジスタは第1の差動入力トランジスタに接続される。
請求項6に記載した手段によれば、選択回路が、複数存在する負荷トランジスタ対のうちから1つを選択して負荷トランジスタ対と切替回路に接続する(または接続するように制御する)ので、回路の増大を抑えつつ多種多様の構成(レイアウト、サイズ等)を有するトランジスタ対の特性差を測定することができる。
請求項7に記載した手段によれば、差動増幅回路の後段に出力増幅回路を設けて演算増幅回路を構成し、その演算増幅回路において、差動入力トランジスタ同士または負荷トランジスタ同士で入れ替え、それぞれの接続状態について演算増幅回路の出力電圧を測定することができる。演算増幅回路の出力インピーダンスは低いため、トランジスタ対の特性差をより容易に高精度に測定できる。
請求項8に記載した手段によれば、演算増幅回路の出力電圧が第2の信号入力端子(反転入力端子)に与えられ、外部電圧が第1の信号入力端子(非反転入力端子)に与えられるボルテージフォロアの回路形態となる。この構成によれば、第1の信号入力端子に所望のバイアス条件に応じた外部電圧を与え、切替回路を切り替えながら演算増幅回路の出力電圧を測定し、2つの測定値の差分から直接的にミスマッチすなわちゲート・ソース間電圧の差を求めることができる。これにより、任意バイアス条件の下で、外乱の影響を受けることなく、トランジスタ対のゲート・ソース間電圧の差を容易且つ高精度に測定することが可能となる。
請求項9に記載した手段によれば、測定対象であるトランジスタ対のゲート・ソース間電圧の差を測定できる。このゲート・ソース間電圧の差は、利得係数βの差およびしきい値電圧Vthの差に応じた値となり、利得係数βおよびしきい値電圧Vthはドレイン・ソース間電圧に依存する。このため、任意のバイアス電圧(ドレイン・ソース間電圧)を与えた状態で測定できる本手段を用いれば、所望するバイアス条件の下で精度よくゲート・ソース間電圧の差を測定できる。
(第1の実施形態)
以下、本発明の第1の実施形態について図1および図2を参照しながら説明する。
図1は、MOS製造プロセスのプロセスパラメータ特にトランジスタ対のミスマッチ(特性差に相当)を測定するために用いられるミスマッチ測定回路である。ここでいうミスマッチとは、トランジスタ対のゲート・ソース間電圧VGSの差ΔVGSをいう。このミスマッチ測定回路1は、半導体ウェーハのチップ間に設けられる約100μm幅のスクライブ線の部分に、MOS製造プロセスによって作られるダイシングラインTEG(Test Element Group)に組み込まれるものである。
ミスマッチ測定回路1は、ボルテージフォロアの接続形態を持つオペアンプ(演算増幅回路)の回路構成を有しており、差動増幅回路2とその後段に位置する出力増幅回路3とから構成されている。ミスマッチの測定対象であるトランジスタ対は、差動増幅回路2の第1、第2の差動入力トランジスタQ1、Q2として用いられており、ミスマッチ測定回路1の出力電圧(出力端子14の電圧)は外部から測定することができるようになっている。
差動増幅回路2において、電圧VDDが供給される電源線4には、第1、第2の負荷トランジスタであるトランジスタQ3、Q4が接続されている。ここで、トランジスタQ3のゲートとドレインは接続されており、トランジスタQ4のドレインは差動増幅回路2の出力ノードNaとなっている。また、共通に接続されたトランジスタQ1、Q2のソースは、定電流回路として動作するトランジスタQ5を介して電源線5(グランド線)に接続されている。このトランジスタQ5のゲートには、後述するバイアス回路6(図2参照)からバイアス電圧VTNLが与えられている。
この差動増幅回路2は、トランジスタQ3、Q4および信号入力端子7、8に対する接続状態をトランジスタQ1、Q2同士で入れ替えるための切替回路9を備えている。すなわち、トランジスタQ1のドレインとトランジスタQ3、Q4の各ドレインとの間には、それぞれトランジスタQ6、Q7が接続されており、トランジスタQ2のドレインとトランジスタQ3、Q4の各ドレインとの間には、それぞれトランジスタQ8、Q9が接続されている。
また、トランジスタQ1のゲートと信号入力端子7、8との間には、それぞれトランジスタQ10とQ11からなるアナログスイッチ10、トランジスタQ12とQ13からなるアナログスイッチ11が接続されており、トランジスタQ2のゲートと信号入力端子7、8との間には、それぞれトランジスタQ14とQ15からなるアナログスイッチ12、トランジスタQ16とQ17からなるアナログスイッチ13が接続されている。
トランジスタQ6、Q9、Q10、Q13、Q15、Q16の各ゲートには切替信号VPTが与えられ、トランジスタQ7、Q8、Q11、Q12、Q14、Q17の各ゲートには、切替信号VPTに対し反転した論理を持つ切替信号VPTNが与えられている。その結果、トランジスタQ6、Q9とアナログスイッチ11、12は、全て同じオンオフ状態を持つ第1のスイッチ群を構成し、トランジスタQ7、Q8とアナログスイッチ10、13は、全て第1のスイッチ群とは逆のオンオフ状態を持つ第2のスイッチ群を構成している。
なお、トランジスタQ6、Q7、Q8、Q9は、それぞれ本発明でいう第1、第2、第3、第4のスイッチ回路に相当し、アナログスイッチ10、11、12、13は、それぞれ第5、第6、第7、第8のスイッチ回路に相当する。また、信号入力端子7、8は、それぞれ第1の信号入力端子(オペアンプの非反転入力端子)、第2の信号入力端子(オペアンプの反転入力端子)に相当する。
一方、出力増幅回路3において、電源線4と5との間には、トランジスタQ18とQ19とが出力端子14を挟んで直列に接続されている。差動増幅回路2の出力ノードNaは、トランジスタQ18のゲートに接続されており、出力ノードNaと出力端子14との間には位相補償用のコンデンサC1が接続されている。出力端子14は、信号入力端子8に接続されており、トランジスタQ19のゲートには、バイアス回路6からバイアス電圧VTNLが与えられている。
図2は、バイアス回路6の電気的構成を示している。電源線4には、トランジスタQ20、Q21からなるカレントミラー回路15が接続されている。トランジスタQ20のゲート・ドレイン間は接続されており、そのドレインと電源線5との間には、電流値を設定するための抵抗R1が接続されている。また、トランジスタQ21のドレインからバイアス電圧VTNLが出力されるようになっており、そのドレインと電源線5との間には、ゲート・ドレイン間が接続されたトランジスタQ22が接続されている。
次に、トランジスタ対Q1、Q2のミスマッチの測定方法について説明する。
ウェーハの検査工程においては、ICテスタ等を用いて各チップの電気的特性や性能が測定される。このウェーハの検査工程あるいはその前の段階で、ダイシングラインTEGに搭載されたミスマッチ測定回路1についての測定が、以下の手順によって行われる。
まず、電源線4、5間に適当な電源電圧VDDを印加するとともに、信号入力端子7に適当な電圧VINを印加する。この電圧VINは、トランジスタ対Q1、Q2のドレイン・ソース間電圧を決定するものである。続いて、切替信号VPTをLレベル(0V)、切替信号VPTNをHレベル(VDD)に設定すると、トランジスタQ6、Q9とアナログスイッチ11、12とからなる第1のスイッチ群が全てオンとなり、トランジスタQ7、Q8とアナログスイッチ10、13とからなる第2のスイッチ群が全てオフとなる。
このとき、トランジスタQ1とQ3のドレイン同士、トランジスタQ2とQ4のドレイン同士が接続され、トランジスタQ1のゲートが出力端子14に接続され、トランジスタQ2のゲートに電圧VINが印加される。この第1の接続状態で、出力電圧VOUT1を測定する。この場合、入力電圧VINと出力電圧VOUT1との差が当該第1の接続状態におけるオペアンプのオフセット電圧VOFFSET1であるが、このオフセット電圧VOFFSET1にはトランジスタQ1、Q2のミスマッチ以外にトランジスタQ3、Q4のミスマッチも含まれている。
続いて、電源電圧VDDと入力電圧VINを維持したままで、切替信号VPTをHレベル(VDD)、切替信号VPTNをLレベル(0V)に設定すると、トランジスタQ6、Q9とアナログスイッチ11、12とからなる第1のスイッチ群が全てオフとなり、トランジスタQ7、Q8とアナログスイッチ10、13とからなる第2のスイッチ群が全てオンとなる。この第2の接続状態は、上記第1の接続状態に対し、トランジスタQ1とQ2のみをそっくり入れ替えた状態となっている。
すなわち、トランジスタQ1とQ4のドレイン同士、トランジスタQ2とQ3のドレイン同士が接続され、トランジスタQ2のゲートが出力端子14に接続され、トランジスタQ1のゲートに電圧VINが印加される。この第2の接続状態で、出力電圧VOUT2を測定する。この場合、入力電圧VINと出力電圧VOUT2との差が当該第2の接続状態におけるオペアンプのオフセット電圧VOFFSET2であるが、上述したように、このオフセット電圧VOFFSET2にはトランジスタQ1、Q2のミスマッチ以外にトランジスタQ3、Q4のミスマッチも含まれている。
オフセット電圧VOFFSET1とVOFFSET2との差電圧は、トランジスタQ1とQ2が入れ替わったことによる差であって、トランジスタQ1、Q2のミスマッチによる影響が差分量として含まれ、トランジスタQ3、Q4のミスマッチによる影響が同等に含まれている。そして、上記オフセット電圧VOFFSET1、VOFFSET2の測定において入力電圧VINは共通であるため、次の(1)式に示すように、出力電圧VOUT1と出力電圧VOUT2との差を2で除すことにより、トランジスタ対Q1、Q2のミスマッチすなわちゲート・ソース間電圧VGSの差ΔVGSを求めることができる。このように、極めてシンプルな式でミスマッチを測定できる点が本発明の特徴である。
ΔVGS=(VOUT1−VOUT2)/2 …(1)
さらに、本発明では、入力電圧VINを任意に与えることができ、これによりトランジスタ対Q1、Q2に対し任意のドレイン・ソース間電圧VDSを与えたバイアス条件の下で、ミスマッチを測定することができる。この利点について以下に説明する。飽和領域で動作するトランジスタのドレイン電流Idは、次の(2)式で表すことができる。
Id=β・(VGS−Vth)2 …(2)
ここで利得係数βは、次の(3)式で表すことができる。
β=(1/2)・μ・COX・W/L …(3)
μ:移動度、COX:ゲート容量、W:ゲート幅、L:ゲート長
これをVGSについて解くと(4)式が得られる。
VGS=(Id/β)1/2+Vth …(4)
この(4)式は、一定の電流Idを流すために必要なゲート・ソース間電圧VGSを表している。トランジスタQ1、Q2の利得係数およびしきい値電圧をそれぞれβ1、β2およびVth1、Vth2とすれば、これら2つのトランジスタのミスマッチは、次の(5)式、(6)式で表すことができる。
ΔVGS=VGS1−VGS2
=(Id/β1)1/2−(Id/β2)1/2+ΔVth …(5)
ΔVth=Vth1−Vth2 …(6)
このように、ミスマッチは利得係数βおよびしきい値電圧Vthに依存して定まり、これら利得係数βおよびしきい値電圧Vthは、トランジスタQ1、Q2のドレイン・ソース間電圧VDSに依存するものである。従って、任意のドレイン・ソース間電圧VDSを与えてミスマッチを測定することができる本発明によれば、より正確なミスマッチを求めることができる。
以上説明した本実施形態によれば、ミスマッチの測定対象であるトランジスタ対Q1、Q2を、オペアンプとして構成したミスマッチ測定回路1の差動増幅回路2の中に差動入力トランジスタ対として組み入れ、トランジスタQ1とQ2を入れ替えながらミスマッチ測定回路1の出力電圧VOUT1、VOUT2を測定することにより、その測定値の差分から直接的にミスマッチすなわちゲート・ソース間電圧の差ΔVGSを求めることができる。
この測定に際し、任意の入力電圧VINを与えて任意のドレイン・ソース間電圧VDSをバイアス条件として設定できるので、目的に応じたバイアス条件の下で高精度且つ容易にミスマッチを求めることができる。さらに、トランジスタQ5のゲートに与えるバイアス電圧VTNLを適宜設定することにより、所望のドレイン電流Idを流した状態でのミスマッチ測定も可能となる。
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態について図3ないし図5を参照しながら説明する。
本実施形態は、複数のトランジスタ対のミスマッチを測定するためにダイシングラインTEGに組み込まれたミスマッチ測定回路16に係るもので、図3は、その全体的な電気的構成を示している。また、図4、図5は、それぞれ図3に示す回路ブロック17、18の具体的な回路構成を示している。これら図3ないし図5において、図1と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
ミスマッチ測定回路16は、デコーダ19(選択回路に相当)を備えており、2本の選択信号SEL1、SEL2に基づいて生成される4つのデコード信号SELにより4つのトランジスタ対の中から1つを選択し、その選択したトランジスタ対についてのミスマッチを測定する回路である。1つのトランジスタ対が選択されたときの当該トランジスタ対に対する測定回路の構成は、図1に示すミスマッチ測定回路1と同じである。各トランジスタ対は、必要により種々のレイアウト構成、レイアウトサイズとすればよい。ここで特徴的なのは、各トランジスタ対の測定に際し共通化できる回路を共通化した点である。
すなわち、各トランジスタ対Q1、Q2とそれに付随して必要となる回路を回路ブロック17として独立して4つ設け、共通化可能な負荷トランジスタQ3、Q4、切替回路(トランジスタQ6〜Q9)および出力増幅回路3を回路ブロック18として1つのみ設けている。また、トランジスタQ1、Q2と信号入力端子7、8との間に介在する切替回路(アナログスイッチ10〜13)も1つのみ設けている。
図4において、回路ブロック17の入力端子INA、INBとトランジスタQ1、Q2の各ゲートとの間には、それぞれトランジスタQ23とQ24からなるアナログスイッチ20、トランジスタQ25とQ26からなるアナログスイッチ21が接続されている。また、トランジスタQ1、Q2の各ゲートと電源線5(グランド線)との間には、それぞれトランジスタQ27、Q28が接続されている。トランジスタQ23、Q25の各ゲートにはデコード信号SELが直接与えられ、トランジスタQ24、Q26、Q27、Q28の各ゲートには、デコード信号SELがインバータ22を介して与えられるようになっている。これらの付随回路は、当該回路ブロック17が非選択状態の時に、トランジスタ対Q1、Q2を電気的に切り離し、そのゲートをグランドに短絡して保護するように機能する。
次に、ミスマッチの測定方法について説明する。
まず、電源線4、5間(図5参照)に適当な電源電圧VDDを印加するとともに、信号入力端子7に適当な電圧VINを印加する。続いて、選択信号SEL1、SEL2をともにLレベルとし、第1の回路ブロック17をアナログスイッチ10〜13および回路ブロック18に電気的に接続する。この場合、他の回路ブロック18は電気的に切り離される。その後、第1の実施形態と同様に、切替信号VPTをLレベル、切替信号VPTNをHレベルに設定して出力電圧VOUT1を測定し、さらに切替信号VPTをHレベル、切替信号VPTNをLレベルに設定して出力電圧VOUT2を測定する。
続いて、選択信号SEL1をLレベル、SEL2をHレベルとし、第2の回路ブロック17をアナログスイッチ10〜13および回路ブロック18に電気的に接続し、上述したように出力電圧VOUT1、VOUT2を測定する。以下同様にして第3、第4の回路ブロック17を順次電気的に接続して出力電圧VOUT1、VOUT2を測定する。各トランジスタ対Q1、Q2のミスマッチは、既述した(5)式を用いて算出すればよい。
本実施形態によれば、トランジスタQ6〜Q9とアナログスイッチ10〜13からなる切替回路9、負荷トランジスタQ3、Q4および出力増幅回路3を共通化してダイシングラインTEGに搭載するので、回路規模を抑えつつ種々の構成(レイアウト、サイズ等)を有する複数のトランジスタ対Q1、Q2についてのミスマッチを容易に且つ精度よく測定することができる。
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態について図6を参照しながら説明する。
本実施形態は、ミスマッチの測定対象であるトランジスタ対を差動増幅回路の負荷トランジスタ対として組み入れたミスマッチ測定回路であって、図6に示す回路構成となっている。この図6において、図1と同一部分には同一符号を付して構成説明を省略する。
このミスマッチ測定回路23は、ボルテージフォロアの接続形態を持つオペアンプ(演算増幅回路)の回路構成を有しており、差動増幅回路24とその後段に位置する出力増幅回路3とから構成されている。差動増幅回路24において、トランジスタQ1、Q2のゲートは、それぞれ信号入力端子7、8に接続されており、トランジスタQ1のドレインは差動増幅回路24の出力ノードNaとなっている。
この差動増幅回路24は、トランジスタQ1、Q2に対する接続状態を負荷トランジスタQ3、Q4同士で入れ替えるための切替回路25を備えている。すなわち、トランジスタQ3とトランジスタQ1、Q2との間には、それぞれトランジスタQ29、Q30が接続されており、負荷トランジスタQ4とトランジスタQ1、Q2との間には、それぞれトランジスタQ31、Q32が接続されている。また、トランジスタQ3、Q4のゲート・ドレイン間には、それぞれトランジスタQ33、Q34が接続されている。
トランジスタQ29、Q32、Q34の各ゲートには切替信号VPTが与えられ、トランジスタQ30、Q31、Q33の各ゲートには、切替信号VPTに対し反転した論理を持つ切替信号VPTNが与えられている。その結果、トランジスタQ29、Q32、Q34は、全て同じオンオフ状態を持つ第1のスイッチ群を構成し、トランジスタQ30、Q31、Q33は、全て第1のスイッチ群とは逆のオンオフ状態を持つ第2のスイッチ群を構成している。ここで、トランジスタQ29、Q30、Q31、Q32は、それぞれ本発明でいう第1、第2、第3、第4のスイッチ回路に相当し、トランジスタQ33、Q34は、それぞれ第5、第6のスイッチ回路に相当する。
次に、ミスマッチの測定方法について説明する。
まず、電源線4、5間に適当な電源電圧VDDを印加するとともに、信号入力端子7に適当な電圧VINを印加する。続いて、切替信号VPTをLレベル(0V)、切替信号VPTNをHレベル(VDD)に設定すると、トランジスタQ29、Q32、Q34からなる第1のスイッチ群が全てオンとなり、トランジスタQ30、Q31、Q33からなる第2のスイッチ群が全てオフとなる。このとき、トランジスタQ1とQ3のドレイン同士、トランジスタQ2とQ4のドレイン同士が接続され、トランジスタQ4のゲート・ドレイン間が接続される。この第1の接続状態で、出力電圧VOUT1を測定する。
続いて、電源電圧VDDと入力電圧VINを維持したままで、切替信号VPTをHレベル(VDD)、切替信号VPTNをLレベル(0V)に設定すると、トランジスタQ29、Q32、Q34からなる第1のスイッチ群が全てオフとなり、トランジスタQ30、Q31、Q33からなる第2のスイッチ群が全てオンとなる。このとき、トランジスタQ1とQ4のドレイン同士、トランジスタQ2とQ3のドレイン同士が接続され、トランジスタQ3のゲート・ドレイン間が接続される。この第2の接続状態は、上記第1の接続状態に対し、トランジスタQ3とQ4のみをそっくり入れ替えた状態となっている。この第2の接続状態で、出力電圧VOUT2を測定する。
これら出力電圧VOUT1、VOUT2の差電圧は、トランジスタQ3とQ4が入れ替わったことによる差であって、トランジスタQ3、Q4のミスマッチによる影響が差分量として含まれ、トランジスタQ1、Q2のミスマッチによる影響が同等に含まれている。従って、上記出力電圧VOUT1、VOUT2の差電圧に基づいても、測定対象であるトランジスタ対Q3、Q4のミスマッチすなわちゲート・ソース間電圧VGSの差ΔVGSを容易に且つ高精度に求めることができる。
(その他の実施形態)
なお、本発明は上記し且つ図面に示す各実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のように変形または拡張が可能である。
ミスマッチ測定回路1、16、23は、ダイシングラインTEG以外の種類のTEGに設けてもよく、オペアンプやコンパレータに付随してICチップ内に設けてもよい。ICチップ内に設けた場合、ミスマッチの測定結果に応じて、ミスマッチに起因する誤差を補償する回路を設けてもよい。
ミスマッチ測定回路1、16、23において、出力増幅回路3は必ずしも必要ではない。
第2の実施形態と同様に、第3の実施形態に対してもデコーダ19(選択手段)を設け、複数の負荷トランジスタ対を順次切り替えながら各トランジスタ対のミスマッチを測定できるように構成してもよい。
MOSトランジスタのみならずバイポーラトランジスタに対しても適用可能である。
上記第1、第2の実施形態では測定対象としてNチャネル型トランジスタ対の場合を考えたが、Pチャネル型トランジスタ対であってもトランジスタQ3からQ9、Q18、Q19をそれぞれ逆タイプのトランジスタで置き替えることにより可能である。
本発明の第1の実施形態を示すミスマッチ測定回路の電気的構成図 バイアス回路の電気的構成図 本発明の第2の実施形態を示す図1相当図 被測定トランジスタ対を含む回路ブロックの電気的構成図 共通化する回路ブロックの電気的構成図 本発明の第3の実施形態を示す図1相当図
符号の説明
1、16、23はミスマッチ測定回路(トランジスタ対の特性差測定装置)、2、24は差動増幅回路、3は出力増幅回路、4、5は電源線、7は信号入力端子(第1の信号入力端子)、8は信号入力端子(第2の信号入力端子)、9、25は切替回路、10ないし13はアナログスイッチ(第5ないし第8のスイッチ回路)、19はデコーダ(選択回路)、Q1はトランジスタ(第1の差動入力トランジスタ)、Q2はトランジスタ(第2の差動入力トランジスタ)、Q3はトランジスタ(第1の負荷トランジスタ)、Q4はトランジスタ(第2の負荷トランジスタ)、Q6ないしQ9はトランジスタ(第1ないし第4のスイッチ回路)、Q29ないしQ34はトランジスタ(第1ないし第6のスイッチ回路)である。

Claims (11)

  1. 特性差の測定対象であるトランジスタ対を、信号入力端子から入力信号が与えられる差動入力トランジスタ対として使用し、この差動入力トランジスタ対と電源線との間に負荷トランジスタ対を設けて構成される差動増幅回路であって、
    この差動増幅回路において、前記負荷トランジスタおよび前記信号入力端子に対する接続状態を前記差動入力トランジスタ同士で入れ替える切替回路を備え、
    前記差動増幅回路の出力電圧を測定可能に構成したトランジスタ対の特性差測定装置。
  2. 前記切替回路は、
    第1の差動入力トランジスタと第1、第2の負荷トランジスタとの間にそれぞれ設けられた第1、第2のスイッチ回路と、
    第2の差動入力トランジスタと第1、第2の負荷トランジスタとの間にそれぞれ設けられた第3、第4のスイッチ回路と、
    第1の差動入力トランジスタと第1、第2の信号入力端子との間にそれぞれ設けられた第5、第6のスイッチ回路と、
    第2の差動入力トランジスタと第1、第2の信号入力端子との間にそれぞれ設けられた第7、第8のスイッチ回路と、
    前記第1、第4、第6、第7のスイッチ回路が同一のオンオフ状態であり、前記第2、第3、第5、第8のスイッチ回路が同一のオンオフ状態であり、これら両スイッチ群のオンオフ状態が相反した動作となるように構成されていることを特徴とする請求項1記載のトランジスタ対の特性差測定装置。
  3. 前記差動増幅回路は、
    複数の差動入力トランジスタ対と、
    共通に用いられる1つの負荷トランジスタ対と、
    共通に用いられる1つの切替回路と、
    前記複数の差動入力トランジスタ対から1つを選択して前記負荷トランジスタ対と前記切替回路に接続する選択回路とから構成されていることを特徴とする請求項1または2記載のトランジスタ対の特性差測定装置。
  4. 信号入力端子から入力信号が与えられる差動入力トランジスタ対を備え、特性差の測定対象であるトランジスタ対を、前記差動入力トランジスタ対と電源線との間に設けられた負荷トランジスタ対として使用した差動増幅回路であって、
    この差動増幅回路において、前記差動入力トランジスタに対する接続状態を前記負荷トランジスタ同士で入れ替える切替回路を備え、
    前記差動増幅回路の出力電圧を測定可能に構成したトランジスタ対の特性差測定装置。
  5. 前記切替回路は、
    第1の負荷トランジスタと第1、第2の差動入力トランジスタとの間にそれぞれ設けられた第1、第2のスイッチ回路と、
    第2の負荷トランジスタと第1、第2の差動入力トランジスタとの間にそれぞれ設けられた第3、第4のスイッチ回路と、
    第1の負荷トランジスタのゲート・ドレイン間に設けられた第5のスイッチ回路と、
    第2の負荷トランジスタのゲート・ドレイン間に設けられた第6のスイッチ回路とを備えており、
    前記第1、第4、第6のスイッチ回路が同一のオンオフ状態であり、前記第2、第3、第5のスイッチ回路が同一のオンオフ状態であり、これら両スイッチ群のオンオフ状態が相反した動作となるように構成されていることを特徴とする請求項4記載のトランジスタ対の特性差測定装置。
  6. 前記差動増幅回路は、
    複数の負荷トランジスタ対と、
    共通に用いられる1つの差動入力トランジスタ対と、
    共通に用いられる1つの切替回路と、
    前記複数の負荷トランジスタ対から1つを選択して前記差動入力トランジスタ対と前記切替回路に接続する選択回路とから構成されていることを特徴とする請求項4または5記載のトランジスタ対の特性差測定装置。
  7. 前記差動増幅回路の後段に出力増幅回路を設けて構成した演算増幅回路において、前記信号入力端子を当該演算増幅回路の信号入力端子とし、当該演算増幅回路の出力電圧を測定可能に構成した請求項1ないし6の何れかに記載のトランジスタ対の特性差測定装置。
  8. 前記演算増幅回路の出力電圧が第2の信号入力端子に与えられ、外部電圧が第1の信号入力端子に与えられるように構成されていることを特徴とする請求項7記載のトランジスタ対の特性差測定装置。
  9. 前記測定対象であるトランジスタ対のゲート・ソース間電圧の差を測定することを特徴とする請求項1ないし8の何れかに記載のトランジスタ対の特性差測定装置。
  10. 特性差の測定対象であるトランジスタ対を、信号入力端子から入力信号が与えられる差動入力トランジスタ対として使用し、この差動入力トランジスタ対と電源線との間に負荷トランジスタ対を設けて構成される差動増幅回路に対し、
    前記負荷トランジスタおよび前記信号入力端子に対する接続状態を差動入力トランジスタ同士で入れ替え、各接続状態における差動増幅回路の出力電圧を測定し、その測定した出力電圧に基づいて前記トランジスタ対の特性差を測定することを特徴とするトランジスタ対の特性差測定方法。
  11. 信号入力端子から入力信号が与えられる差動入力トランジスタ対を備え、特性差の測定対象であるトランジスタ対を、前記差動入力トランジスタ対と電源線との間に設けられた負荷トランジスタ対として使用した差動増幅回路に対し、
    前記差動入力トランジスタに対する接続状態を前記負荷トランジスタ同士で入れ替え、各接続状態における差動増幅回路の出力電圧を測定し、その測定した出力電圧に基づいて前記トランジスタ対の特性差を測定することを特徴とするトランジスタ対の特性差測定方法。

JP2003418249A 2003-12-16 2003-12-16 トランジスタ対の特性差測定装置および特性差測定方法 Expired - Fee Related JP4151572B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003418249A JP4151572B2 (ja) 2003-12-16 2003-12-16 トランジスタ対の特性差測定装置および特性差測定方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003418249A JP4151572B2 (ja) 2003-12-16 2003-12-16 トランジスタ対の特性差測定装置および特性差測定方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005180969A true JP2005180969A (ja) 2005-07-07
JP4151572B2 JP4151572B2 (ja) 2008-09-17

Family

ID=34780510

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003418249A Expired - Fee Related JP4151572B2 (ja) 2003-12-16 2003-12-16 トランジスタ対の特性差測定装置および特性差測定方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4151572B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011027535A (ja) * 2009-07-24 2011-02-10 Toppan Printing Co Ltd 演算増幅器評価回路及び評価方法
JP4870211B2 (ja) * 2006-06-12 2012-02-08 カスケード マイクロテック インコーポレイテッド 差動信号用テスト構造及びプローブ
RU2450280C2 (ru) * 2009-01-19 2012-05-10 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский государственный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" Способ и устройство экспресс-диагностики идентичности транзисторов при их подборе в пару
CN105954596A (zh) * 2016-04-21 2016-09-21 上海华力微电子有限公司 一种用于小电容失配检测及绝对值测量的电路及方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4870211B2 (ja) * 2006-06-12 2012-02-08 カスケード マイクロテック インコーポレイテッド 差動信号用テスト構造及びプローブ
RU2450280C2 (ru) * 2009-01-19 2012-05-10 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский государственный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" Способ и устройство экспресс-диагностики идентичности транзисторов при их подборе в пару
JP2011027535A (ja) * 2009-07-24 2011-02-10 Toppan Printing Co Ltd 演算増幅器評価回路及び評価方法
CN105954596A (zh) * 2016-04-21 2016-09-21 上海华力微电子有限公司 一种用于小电容失配检测及绝对值测量的电路及方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4151572B2 (ja) 2008-09-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7710190B2 (en) Apparatus and method for compensating change in a temperature associated with a host device
US11099081B2 (en) Current generating circuits capable of generating currents with different temperature coefficients and flexibly adjusting slope of the temperature coefficient
US6844772B2 (en) Threshold voltage extraction circuit
KR20170110534A (ko) 전압 레귤레이터
JPH052037A (ja) ゼロクロス検出回路
US8035427B2 (en) Signal generating apparatus capable of measuring trip point of power-up signal and method of measuring trip point of power-up signal using the same
JP4151572B2 (ja) トランジスタ対の特性差測定装置および特性差測定方法
JP2006230192A (ja) 半導体メモリ装置のチャージポンプ回路
US20110133812A1 (en) Physical quantity sensor
US20070024367A1 (en) Operational amplifier and constant-current generation circuit using the same
JP2006345230A (ja) 最大電圧検出回路及び最小電圧検出回路
JP2001217692A (ja) 電圧比較回路およびこれを用いた基板バイアス調整回路
JPH02294998A (ja) サンプル・アンド・ホールド増幅器を有する回路装置
US7439796B2 (en) Current mirror with circuitry that allows for over voltage stress testing
JP2007040771A (ja) ノイズ測定用半導体装置
US7397265B2 (en) MOS transistor characteristic detection apparatus and CMOS circuit characteristic automatic adjustment apparatus
US20220393645A1 (en) Low off-leakage current switch
US10006958B2 (en) Semiconductor device and method of inspecting a semiconductor device
US11249504B2 (en) Current generation circuit
US10914780B2 (en) Methods and apparatuses for threshold voltage measurement and related semiconductor devices and systems
TW201346300A (zh) 臨界電壓量測裝置
KR100744229B1 (ko) 차동 증폭기를 가진 집적 다이나믹 메모리
JP4245102B2 (ja) しきい値検出回路、しきい値調整回路、および二乗回路
KR100468715B1 (ko) 높은 출력 임피던스와 큰 전류비를 제공하는 전류 반복기및 이를 구비하는 차동증폭기
JP4501555B2 (ja) 電流検出回路

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051228

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080307

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080401

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080522

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080610

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080623

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120711

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120711

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130711

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees