JP2005166893A - 微小ボール配列用マスク及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、電子部品の所定の位置に確実に微小な導電性ボールを配列可能な徴小ボール配列用マスク及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の微小ボール配列用マスクは、半導体部品または基板、それらのパッケージなどの電子部品に所定のパターンで微小な導電性ボールを配列するためのマスクであって、前記パターンに対応して配列され前記導電性ボールが挿通可能な貫通孔を有し、前記貫通孔は、その中間部に狭部を備え、前記狭部は、少なくともその一部が直線状の中間壁面を有している。
【選択図】図１

Description

本願発明は、多数の微小ボールを所定箇所に配列するためのマスク及びその製造方法に係わり、特に電子部品のバンプ形成に用いられる半田ボールに対し好適な配列用マスク及びその製造方法に関する。

近年、携帯端末機器やノート型パソコンの高速化と高機能化及び軽量化、小型化と薄型化が進むにつれ、それらに内蔵される半導体部品や半導体部品を実装する基板（以下、電子部品と称する）に対しては、その小型化、薄型化と接続端子数の増加という相反する性能が要求されている。その要求に応ずるものとして、電極に導電性ボールを搭載して突起状接続端子（以下バンプとも言う）を形成したＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）型又はＦＣ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ）型の半導体部品又は基板がある。

一般に前記バンプは、電極に半田ペーストもしくはフラックスを印刷する印刷工程と、半田ペーストもしくはフラックスが印刷された電極に導電性ボールの一種である半田ボールを搭載する半田ボール搭載工程と、半田ボールを加熱し溶解する半田ボール加熱工程を経て形成される。

半田ボールを電極に搭載する方法としては、吸着方式と振込み方式が知られている。吸着方式は、例えば特開２００１−２２３２３４号公報（特許文献１）に記載されているように、負圧を利用した吸着ヘッドで半田ボールを吸着して電子部品へ移送し、電極へ搭載する方式である。振込み方式は、例えば特開２００１−２６７７３１公報（特許文献２）に記載されているように、電極の配列パターンに対応した貫通孔を備えたマスクを電子部品に配設し、貫通孔に半田ボールを振込むことにより電極に搭載する方式である。

特開２００１−２２３２３４号公報（段落番号００１４） 特開２００１−２６７７３１公報（段落番号００２０、００２４〜００２８）

最近ではバンプの数は数万から数十万個と膨大となってその配列は高密度化され、半田ボールも１００μｍ以下というような径小のものが使用されるようになってきている。そのように径小な半田ボールを吸着方式で電子部品に搭載した場合には、多数の微小な吸着孔に対する吸着力の制御が難しく、半田ボールの吸着ヘッドへの吸着及び吸着ヘッドからの分離の信頼性が劣るという問題がある。さらに、吸着時の空気流により半田ボールが帯電して電磁気力を帯び、その電磁気力のために団子状態となった半田ボールが吸着されて、その集合体が電極に搭載されたり、或いは余剰半田ボール（いわゆるエクストラボール）が吸着孔以外に付着し、電極以外の電子部品表面に搭載されるという問題があり、半田ボールの径小化に伴い特に顕著になってきている。

一方、振込み方式では、半田ボールは、重力の作用により貫通孔に装入され電子部品に搭載されること、また、貫通孔の規制により半田ボールの集合体は搭載されないこと、電子部品の電極以外の部分はマスクで覆われていることから上記吸着方式の問題が生じないという利点がある。しかしながら、１００μｍ以下という非常に径小な半田ボールを精度よく位置決めされた状態で電極に搭載するためには半田ボールとほぼ同じ程度の大きさの貫通孔とする必要がある。そのような貫通孔に半田ボールを装入した場合には、半田ボールと貫通孔の内壁との間隙が少ないために貫通孔の途中で半田ボールが引っ掛かり電極に搭載されず、結果として、バンプが形成されない可能性がある。

本発明は、電子部品の所定の位置に確実に微小な導電性ボールを配列可能な徴小ボール配列用マスク及びその製造方法を提供することを目的としている。

本発明の微小ボール配列用マスクは、半導体部品または基板、それらのパッケージなどの電子部品に所定のパターンで微小な導電性ボールを配列するためのマスクであって、前記パターンに対応して配列され前記導電性ボールが挿通可能な貫通孔を有し、前記貫通孔は、その中間部に狭部を備え、前記狭部は、少なくともその一部が直線状の中間壁面を有していることを特徴としている。ここで、前記狭部とは、貫通孔の上方と下方の開口の間で貫通孔の軸芯に対しほぼ直交する方向の断面積が小さな部位のことを指すが、近似した断面積を有し挟部に隣接する部位を含んでいる。その挟部は、貫通孔の軸芯に沿う断面視においてほぼ直線状の稜線を一部に備えた中間壁面を有している。該稜線は、貫通孔の軸芯に対し平行な垂直状のものだけでなく、傾斜したものなどを含み、さらに、該稜線を形成するうえで不可避の凹凸や曲がりを含んでいる。

前記微小ボール配列用マスクは、前記狭部の中間壁面に交差する上部壁面または下部壁面を有していれば好ましい。ここで、上部壁面とは、前記挟部の軸芯とほぼ同心に挟部の上方に挟部と連接された上孔部の壁面のことである。該上部壁面は、貫通孔の軸芯に沿う断面視においてほぼ直線に近似される稜線を一部に備えている。この上部壁面の稜線は、前記中間壁面の稜線に交差するとともにその交差角の内角は１８０度未満とされる。したがって、上孔部は、貫通孔の軸芯方向において貫通孔の上方の開口から挟部の上方側の端に向かい大きさが縮小する孔となっている。また、下部壁面とは、前記挟部の軸芯とほぼ同心に挟部の下方に挟部と連接された下孔部の壁面のことである。該下部壁面は、貫通孔の軸芯に沿う断面視においてほぼ直線に近似される稜線を一部に備えている。この下部壁面の稜線は、前記中間壁面の稜線に交差するとともにその交差角の内角は１８０度未満とされる。したがって、下孔部は、貫通孔の軸芯方向において貫通孔の下方の開口から挟部の下方側の端に向かい大きさが縮小する孔、別の言い方をすれば挟部の下方側の端から貫通孔の下方の開口に向かい大きさが拡大する孔となっている。

さらに、前記微小ボール配列用マスクに用いるマスク基材は積層材であることが望ましい。

さらに加えて、前記積層材は、被除去加工性の異なる層を含んでいることが望ましい。

さらに加えて、前記積層材に３層クラッド材を用い、その中間層が、両表面層のエッチングバリア層であることが望ましい。この時の３層クラッド材は、微小ボールが振込まれる側の面である第1層の厚さが、反対面となる第３層の厚さより薄く、中間層の厚さは５μｍ以下とするとよい。

本発明の微小ボール配列用マスクの製造方法は、半導体部品または基板、それらのパッケージなどの電子部品に所定のパターンで微小な導電性ボールを配列するためのマスクの製造方法であって、貫通した孔の中間部にレーザ光を照射し、中間部に少なくとも一部が直線状の中間壁面を形成することを特徴としている。

本発明の微小ボール配列用マスクの製造方法は、半導体部品または基板、それらのパッケージなどの電子部品に所定のパターンで微小な導電性ボールを配列するためのマスクの製造方法であって、マスク基材の両面から開口して初期貫通孔を形成し、次いでこの初期貫通孔にレーザ光を照射し、該貫通孔中間部を拡大することを特徴としている。

さらに、前記製造方法において、マスク基材の両面に化学的エッチングを施して初期貫通孔を形成することが好ましい。

さらに加えて、前記マスク基材として前記３層クラッド材を用い、両表面層をエッチングで中間層まで開口した後、中間層をエッチングで開口して、マスク基材に初期貫通孔を形成することが望ましい。さらに加えて、前記製造方法において、最終的に少なくとも貫通孔の壁面に電解研磨を施すことが好ましい。

本発明の微小ボール配列用マスクによれば、その貫通孔は、中間部に挟部を備えているので、導電性ボールは、貫通孔の挟部以外の部分は余裕をもって装入されつつも、挟部で位置が規制されて電子部品に精度よく位置決めされる。前記挟部は直線状の中間壁面を備えており、導電性ボールは該中間壁面をガイドとしながら装入されるので、該挟部に引っ掛かることなく円滑に貫通孔を通り、電子部品に確実に搭載され配列されることとなる。さらに、前記貫通孔は、前記狭部の中間壁面に交差する上部壁面を有していれば、該上部壁面を通じて導電性ボールは円滑に貫通孔へ導入され、さらに確実に電子部品に配列される。また、前記貫通孔は、前記狭部の中間壁面に交差する下部壁面を有していれば、電子部品からマスクを取外す際に電子部品に配列された導電性ボールが該マスクとともに離脱することがなく、また、導電性ボールを振込む際にも該下部壁面の規制により貫通孔から振動などで飛び出すことが少なく、さらに確実に導電性ボールは電子部品に配列される。

本発明の微小ボール配列用マスクの製造方法は、最初に形成された初期貫通孔の中間部にレーザ光を照射して狭部を修正加工するものである。これにより、初期貫通孔に形成された狭部の横断面形状や寸法に多少の誤差があっても、修正後の狭部には、微小ボール径の大きさよりわずかに大きい直径が寸法精度高く形成され、さらに直線状の中間壁面が形成されるので、この貫通孔を落下してきた微小ボールは中間部で引っ掛かることなく搭載され、また飛出しも防止できる。特に、エッチングを用いて両面から開口して初期貫通孔を形成する場合には効果的であり、さらに、マスク材として３層クラッド材を用いると、両面エッチングによる両面からの開口深さが中間層で規制されるので、狭部を所定の高さ位置に精度高く、容易に形成することができる。

本発明について、その実施態様に基づき図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明では、ＢＧＡ型又はＦＣ型の半導体部品又は基板などの電子部品の突起状接続端子として採用される徴小な導電性ボールである半田ボール（以下、ボールと総称する）を該電子部品に搭載するためのマスクを例とするが、本発明はそれに限定されることなく、下記の各構成要素は、単独に或いはそれぞれ適宜組合せて実施することができる。

ここで、以下説明に使用する図面について説明する。
図１は、本発明に係る第１態様のマスクの要部を示す拡大断面図であり、電子部品に位置決めされた第１態様のマスクにボールが装填された状態を示している。図２は、図１のマスクの製造方法を説明する図である。図３は、本発明に係る第２態様のマスクの要部を示す拡大断面図であり、電子部品に位置決めされた第２態様のマスクにボールが装填された状態を示している。図４は、図３のマスクの製造方法を説明する図である。

（第1の実施形態）
第１態様の微小ボール配列用マスク（以下、マスクと略す）は、図１に示すように、電子部品１の電極１１の配列パターンに対応し形成されボール３を挿通可能な貫通孔２２を有し、貫通孔２２が電子部品１の電極１１に一致するように位置合わせされ、マスク２の上面に供給されたボール３を貫通孔２２に振込むことで電極１１に配列するものである。

通常、リフローのために仮固定膜であるフラックス５が電極１１に塗布される。したがって、マスク２は、フラックス５の粘着を防止するためその下面を電子部品１の上面とは接触しないようにした構造を取ることができる。また、粘着の問題がない場合には電子部品１の上面と接触するような構造などをとることもできる。そのいずれの構造であっても、マスク２は、その厚さをボール３の直径ｄとほぼ同一寸法にすることを基本とし、電子部品１へ位置合わせしたときに、その上面が電極面から０．８ｄ以上で１．２ｄ以下の高さになるようにすることが好ましい。マスク２に供給されたボール３は、例えばスキージやブラシを用いて、或いはマスク２と電子部品１を一体に傾動させて貫通孔２２へ振込まれる。

貫通孔２２は略鼓状で、中間部には狭部２５が形成されており、狭部２５にはほぼ垂直状の中間壁面２８が形成されている。実際の貫通孔２２の形状は、マスク基材２１の厚さや材質、貫通孔２２の形成方法などによって微妙に異なり、またマスク上の貫通孔全てが同じ形状であるとは限らないが、説明を容易にするために、図１は、上部開口２３から狭部２５への上部壁面２６の輪郭を逆円錐状、下部開口２４から狭部への下部壁面２７の輪郭を円錐状（山型）、狭部２５の中間壁面２８の輪郭を上下壁面２６、２７の輪郭と交差する円筒状で表している。

上部開口２３の直径は、ボール３が振込まれ易くするためには大きい方がよいが、大きくしすぎると電極１１上に搭載されたボール位置のバラツキが大きくなるだけでなく、既に搭載されたボール上部との間に余分なボールが停滞し易くなり、マスク１の取り外し時にこのボールが電子部品１上へ落下し、電極１１上に搭載されたボールを弾き飛ばしたりして配列不良を起こす恐れがあるため、１．２〜１．４ｄ程度とするとよい。下部開口２４の直径は、貫通孔形成部の下面が電極１１と接触しないよう大きくする方が好ましいが、マスク１の強度及び貫通孔２２のピッチ寸法で制約され、１．５〜１．８ｄ程度とするとよい。

狭部２５に存する中間壁面２８は、上部開口２３から落下してくるボール３が引っ掛かることなく振込まれるような直線状のガイドとなる。また、一旦貫通孔２２に入り込んだボール３に対しては、接触距離が長くてかつ斜め上方への移動を妨げる抵抗となるので飛出し難くすることができる。従って、正確に貫通孔の軸心に平行な垂直状でなくても、わずかに山型又は逆山型のテーパ状などになっていてもよく、また必ずしも全周に亘って形成されていなくてもよい。また、狭部２５の直径は、小さい方がボール３の電極１１上への落下位置が規制されて中央部分に搭載できるので好ましく、例えば１．０２〜１．１８程度とするとよい。

また、狭部２５の高さ方向位置は、中央部よりも上面に近い方が好ましく、中間壁面２８の下部が、装入されたボール３の中心位置より上方になることが望ましい。これは、山型に傾斜した下部壁面２７が、貫通孔２２に装入されたボール３の中心位置より上で接触し、上から押え付けるようになり、より貫通孔２２から飛出し難くするからである。また、マスク１を上方に取り外す時、ボール３が下部壁面２７に接触したままであっても、下部壁面２７はボール３から離れる方向に移動するので、マスク１に引きずられて電極１１から持ち去られることがないからである。

上記第１態様のマスク１の製造方法について説明する。
図２に示すように、所定縦横寸法のマスク基材２１を用意する。マスク基材２１としては、例えば直径が８０μｍのボールを対象とした場合、厚さが約８０μｍのステンレスシートやニッケル合金シート、銅合金シートなどの金属板を用いるとよいが、樹脂板を用いることもできる。なお、マスクを磁気で電子部品に位置決め固定する場合は磁性材料を選択する。
次に、図２（ａ）に示すように、電子部品の電極形成位置に合わせて、マスク基材２１の所定箇所に両面からエッチングを施し、略鼓状の初期貫通孔２２ａを形成する。この時、上部開口２３の直径が約１００μｍ、下部開口２４の直径が約１２０μｍとなるようにレジスト７を塗布し、両面からの開口孔が合致して形成される初期貫通孔２２ａの狭部２５ａの直径が、ボール公称直径より小さい例えば約７０μｍとなるようにエッチング時間を制御する。このようにして形成された狭部２５ａは水平方向突起部となるが、エッチングにおいては、全ての加工部に対してエッチング条件や両面からの開口孔芯ズレ程度を同一とすることは難しいため、突起部形状は一定せず、横断面形状の真円度程度も異なるなど、形状にばらつきがある。また、開口部の寸法も１０μｍ程度の誤差が発生する。

次に、図２（ｂ）に示すように、上部開口２３又は下部開口２４からレーザ光８を初期貫通孔２２ａに沿って照射し、狭部２５ａに形成された突起を除去しつつ直径を拡大し、ボール振込用貫通孔２２を形成する。レーザ照射は、例えば０．３μｍ波長のＵＶＹＡＧレーザ光をスポット径２５μｍとし、ボール３が通過できる例えば外周が９０μｍとなるように円周上を所定回数走査して行なう。これにより、狭部２５ａは、ほぼ垂直で外周直径が９０μｍの真円状の中間壁面２８を有する狭部２５へと修正される。このレーザ加工により修正加工された孔部は、寸法精度が高いので、確実にボールを通過させることができる。なお、エッチング加工における位置精度、形状精度はあまり高くないので、レーザ加工時にエッチングで形成した初期貫通孔２２ａの狭部２５ａ全周にわたって中間壁面２８が形成されるとは限らないが、狭部２５には少なくとも中間壁面２８の一部が存するようにする。このように、中間壁面２８は、レーザ光の直進性により壁面の少なくとも一部は直線状となっている。また、レーザ光の照射方向、光束の大きさによっては、壁面は必ずしも貫通孔の軸心に平行な垂直状だけでなく僅かに傾いたりテーパ状となっている。また、中間壁面２８は、少なくとも上部壁面２６又は下部壁面２７の一部を除去して形成されるため、中間壁面２８の輪郭線と、上部壁面２６又は下部壁面２７の輪郭線は、マクロ的に例えば直線近似して見れば交差している。

なお、初期貫通孔２２ａの形成において、両面エッチングで行なうと、狭部２５ａはほぼマスクの厚さの中央部に形成されるが、狭部２５ａを上面側に形成するためには次のようにするとよい。即ち、片面づつのエッチングとし上面側のエッチング時間を下面側のそれよりも短くした穿孔プロセスとしたり、また、下面側をエッチング、上面側をレーザ加工、或いはその逆というように異なる穿孔プロセスとしたり、また、エッチングを用いずに、片面ずつ強度や時間などを違えて制御したレーザ加工とするなどで実現することもできる。
また、マスク基材として電鋳シートを用い、電鋳プロセスで形成された略鼓状の初期貫通孔に対して、その狭部をレーザ光で修正加工するような形態をとることもできる。

（第２の実施形態）
第２態様のマスクは、上面に近い所定位置に精度よく狭部を形成する場合に適したものであり、以下、マスク基材６１として３層のクラッド材を用いた場合を例に説明する。なお、図３に示すように、マスク基材６１として３層のクラッド材を用いることの他は、基本的には第1の実施の形態と同様であり、同様な構成要素については説明を省略する。

第２態様のマスク６は、上部の第１層６１ａに上部開口６３から狭部６５へ連なる逆円錐状壁面６６が、下部の第３層６１ｃに下部開口６４から狭部６５へ連なる円錐状壁面６７が形成され、第２層（中間層）６１ｂを挟んで、或いは境界にして狭部６５が形成されている。即ち、中間層６１ｂは、第１層６１ａ及び第３層６１ｃのエッチング時に除去されないような材質が用いられ、両層６１ａ、６１ｃからの円錐状孔の深さを規制するバリア層である。なお、上部開口６３の直径、下部開口６４の直径、狭部６５の中間壁面６８などについては、前述した第1の実施形態におけるものと同様であり、説明は省略する。

狭部６５の位置は、中間層６１ｃの位置で決定されるので、用いる３層クラッド材６１の第１層６１ａの厚さと第３層６１ｃの厚さを規定することで、ほぼ希望する位置に狭部６５を形成することができる。また、中間層６１ｂの厚さが薄い程、狭部が形成される位置精度は高くなるので、厚さは１０μｍ以下することが好ましく、望ましくは５μｍ以下がよい。即ち、狭部６５の位置を、電極上に搭載されたボール３の中心より上方に設定することは容易にかつ確実に実現することができる。

次に、第２態様のマスク６の製造方法について説明する。
図４に示すように、マスク基材として所定寸法の３層クラッド板６１を用意する。例えば直径が８０μｍのボール３を対象とした場合、第１層６１ａに厚さ約２５μｍのニッケル合金、中間層６１ｂに厚さ約５μｍのチタン合金、第３層６１ｃに厚さ約５０μｍのニッケル合金が積層されたクラッド材を用いる。

次に、図４(ａ）に示すように、電子部品１の電極形成位置に合わせて、第１層６１ａ及び第３層６１ｃの所定箇所に両面からエッチングを施す。この時、上部開口６３の直径が約１００μｍ、下部開口６４の直径が約１２０μｍとなるようにレジスト７を塗布し、中間層６１ｂが直径で約７０μｍ露出するようにエッチング時間を制御する。この時、中間層６１ｂのチタン合金はこのエッチングでは除去されない。第１層６１ａ及び第３層６１ｃからの中間層６１ｂに臨んだ対向する開口孔底面６３ａ、６４ｃは、エッチング条件や両面からの開口孔の芯ズレなどでばらつき、必ずしも同一直径の同芯形状とはならない。

次に、図４（ｂ）に示すように、中間層６１ｂのチタン合金露出部を除去するエッチングを施す。この時、第１層６１ａ及び第３層６１ｃのニッケル合金は除去されないので、中間層６１ｂの直径約７０μｍの露出部が除去できるようにエッチング時間を制御する。これにより、マスク基材６１には図４（ｂ）に模式的に示すような初期貫通孔６２ａが形成される。上述したように、中間層６１ｂを挟んで対向した第１層６１ａ及び第３層６１ｃからの開口孔底面６３ａ、６４ｃは、必ずしも同一直径の同芯形状とはならないので、中間層の露出部を除去した後の壁面は凹凸状となり、最狭位置がどの層に形成されるのかは不定であるが、中間層６１ｂの近辺部が狭部６５ａとなる。

次いで、図４（ｃ）に示すように、上部開口６３又は下部開口６４からレーザ光８を貫通孔に沿って照射し、狭部６５ａに形成された凹凸部を除去するとともに直径を拡大し、ボール振込用貫通孔６２を形成する。レーザ照射は、例えば０．３μｍ波長のＵＶＹＡＧレーザ光をスポット径２５μｍとし、ボール３が通過できる例えば外周が９０μｍとなるように円周上を所定回数走査して行なう。これにより、狭部６５ａは、ほぼ垂直で外周直径が９０μｍの真円状の中間壁面６８を有する狭部６５へと修正される。

この第２の実施形態で説明した発明の技術的特徴は、貫通孔中間部の所定高さ位置に、精度よく、容易に狭部を形成することであり、上述した両層を同じ材質とした３層クラッド材を用いた例だけでなく、３層クラッド材であっても、３層とも異なる被エッチング加工性を有する材質を用いて、片面エッチングで順次両層を加工してから初期貫通孔を形成するような形態としてもよい。また、異なる被エッチング加工性を有した所定厚さの材料を２層積層した２層クラッド材を用い、片面づつのエッチングで初期貫通孔を形成するような形態としてもよい。さらには、既に初期貫通孔が穿孔された所定厚さのシート材を２枚貼り合わせて形成したマスク基材を用いることもできる。

また、前記狭部の拡大は、スポット径の小さいレーザを用いたトレパニング加工で行なう例を説明したが、スポット径を所定狭部孔寸法となるようにして一発照射で加工するようにしてもよく、貫通孔の直径や深さ、用いるレーザ装置の仕様に合わせて適宜選定すればよい。また、レーザ加工後、電界研磨等の表面粗さをより小さくする処理を行うと、さらに滑らかなボール通過面を得ることができるので、必要に応じて施すとよい。
以上、バンプ形成用の半田ボールなどの導電性微小ボールを例にして、電極と同じ配列になるようにボールを配列する場合を説明したが、この他、電子部品組立時のスペーサとして用いられる微小ボールを所定位置に配列するような場合などにも適用できることは言うまでもない。

本発明に係る第１態様のマスクの要部拡大断面図である。 図１のマスクの製造方法を説明するための図である。 本発明に係る第２態様のマスクの要部拡大断面図である。 図３のマスクの製造方法を説明するための図である。

符号の説明

１ 電子部品
１１ 電極
２（６） マスク
２１（６１） マスク基材
２２（６２） 貫通孔、
２３（６３） 上部開口
２４（６４） 下部開口
２５（６５） 狭部
２６（６６） 上部壁面
２７（６７） 下部壁面
２８（６８） 中間壁面
２２ａ（６２ａ） 初期貫通孔
３ ボール、
５ 仮固定膜
７ レジスト膜
８ レーザ

Claims (9)

1. 半導体部品または基板、それらのパッケージなどの電子部品に所定のパターンで微小な導電性ボールを配列するためのマスクであって、
   前記パターンに対応して配列され前記導電性ボールが挿通可能な貫通孔を有し、
   前記貫通孔は、その中間部に狭部を備え、
   前記狭部は、少なくともその一部が直線状の中間壁面を有していることを特徴とする微小ボール配列用マスク。
2. 請求項１に記載の微小ボール配列用マスクにおいて、
   前記狭部の中間壁面に交差する上部壁面または下部壁面を有していることを特徴とする微小ボール配列用マスク。
3. 請求項１または２のいずれかに記載のマスクにおいて、
   マスクに用いるマスク基材は積層材であることを特徴とする微小ボール配列用マスク。
4. 請求項３に記載のマスクにおいて、
   前記積層材は、被除去加工性の異なる層を含んでいることを特徴とする請求項３記載の微小ボール配列用マスク。
5. 請求項４に記載のマスクにおいて、
   前記積層材は３層クラッド材であり、
   前記３層クラッド材の中間層は、該３層クラッド材の両表面層のエッチングバリア層であることを特徴とする微小ボール配列用マスク。
6. 半導体部品または基板、それらのパッケージなどの電子部品に所定のパターンで微小な導電性ボールを配列するためのマスクの製造方法であって、
   貫通した孔の中間部にレーザ光を照射し中間部に少なくとも一部が直線状の中間壁面を形成することを特徴とする微小ボール配列用マスクの製造方法。
7. 半導体部品または基板、それらのパッケージなどの電子部品に所定のパターンで微小な導電性ボールを配列するためのマスクの製造方法であって、
   マスク基材の両面から開口して初期貫通孔を形成し、
   該初期貫通孔にレーザ光を照射して中間部を拡大することを特徴とする微小ボール配列用マスクの製造方法。
8. 請求項７に記載のマスクの製造方法において、
   マスク基材の両面に化学的エッチングを施して初期貫通孔を形成することを特徴とする微小ボール配列用マスクの製造方法。
9. 請求項８に記載のマスクの製造方法において、
   請求項５に記載の３層クラッド材をマスク基材として用い、
   両表面層をエッチングで中間層まで開口し、
   中間層をエッチングで開口してマスク基材に初期貫通孔を形成することを特徴とする微小ボール配列用マスクの製造方法。

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