JP2005166870A - 光素子及びその製造方法、光モジュール、光伝送装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 素子内部における不要な光吸収を軽減し、素子効率の向上を図った光素子を提供する。
【解決手段】 主面110aに凹部220が設けられた第1導電型の半導体基板110と、凹部220内に設けられ、真性半導体の多層膜からなるDBRミラー層101と、少なくともDBRミラー層101の上に設けられた第1導電型の半導体層102と、第1導電型の半導体層102の上方に設けられた第2導電型の半導体層104と、半導体基板110の主面110aと反対側の面110b上に設けられた第1電極109と、第2導電型の半導体層104の上に設けられた第2電極107と、を含む光素子である。凹部220の深さd1は、少なくともDBRミラー層101の厚さd2と同じもしくはDBRミラー層101の厚さd2よりも大きくなるように形成されており、第1導電型の半導体層102は、半導体基板110と接するように形成されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 主面110aに凹部220が設けられた第1導電型の半導体基板110と、凹部220内に設けられ、真性半導体の多層膜からなるDBRミラー層101と、少なくともDBRミラー層101の上に設けられた第1導電型の半導体層102と、第1導電型の半導体層102の上方に設けられた第2導電型の半導体層104と、半導体基板110の主面110aと反対側の面110b上に設けられた第1電極109と、第2導電型の半導体層104の上に設けられた第2電極107と、を含む光素子である。凹部220の深さd1は、少なくともDBRミラー層101の厚さd2と同じもしくはDBRミラー層101の厚さd2よりも大きくなるように形成されており、第1導電型の半導体層102は、半導体基板110と接するように形成されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、少なくとも1つのDBRミラー層を備えた光素子及びその製造方法、ならびに前記光素子を含む光モジュールおよび光伝送装置に関する。
例えば、面発光レーザーあるいは面発光型LEDは、基板に対して垂直な方向に光を出射する発光デバイスであり、フォトダイオードは、受光面に対して垂直な方向から入射する光の強度に応じた電流を出力する受光デバイスである。両者とも2次元的に多数の素子を集積化できるため、空間的に並列に情報を伝送する並列光伝送システム、並列光インターコネクションなどの発光・受光素子として用いられる。
また、面発光レーザーは、共振器を形成するために活性層を上下のDBRミラー層で挟んだ構造が一般的である。また、フォトダイオードにおいても効率を向上させるために、光吸収層の下部にDBRミラー層が設けられることがある。これらのDBRミラー層を備えた光素子において、アノード・カソードの各電極は、基板の表面側と裏面側にそれぞれ別々に形成されることが多い。すなわち、基板を挟んで両面側に各電極を設ける構造では、DBRミラー層に垂直な方向に流れる電流パスを必要とするため、DBRミラー層にはp型あるいはn型の導電性不純物がドーピングされることになる。しかしながら、光ファイバの損失や分散が少ない長波長帯で使用される光デバイスでは、導電性不純物に起因するDBRミラー層での光吸収が無視できなくなり、デバイスの効率が低下してしまうという問題がある。
Dubravko I. Babic et al,「Design and Analysis of Double-Fused 1.55μm Vertical-Cavity Lasers」,IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS,VOL.33,NO.8,AUGUST 1997,1369-1383 H.C.Huang and M.Soma,「The carrier effects on the change of refractive index for n-type GaAs at λ=1.06,1.3,and 1.55μm」,J. Appl. Phys.,Vol.67,No.3,February,1,1990,1497-1503
Dubravko I. Babic et al,「Design and Analysis of Double-Fused 1.55μm Vertical-Cavity Lasers」,IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS,VOL.33,NO.8,AUGUST 1997,1369-1383 H.C.Huang and M.Soma,「The carrier effects on the change of refractive index for n-type GaAs at λ=1.06,1.3,and 1.55μm」,J. Appl. Phys.,Vol.67,No.3,February,1,1990,1497-1503
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、素子内部における導電性不純物による不要な光吸収を軽減し、素子効率の向上を図った光素子及びその製造方法を提供することにある。また、本発明の他の目的としては、上記光素子を含む光モジュール及び光伝送装置を提供することにある。
(1)本発明は、主面に凹部が設けられた第1導電型の半導体基板と、前記凹部内に設けられ、真性半導体の多層膜からなるDBRミラー層と、少なくとも前記DBRミラー層の上に設けられた第1導電型の半導体層と、前記第1導電型の半導体層の上方に設けられた第2導電型の半導体層と、前記半導体基板の前記主面と反対側の面上に設けられた第1電極と、前記第2導電型の半導体層の上に設けられた第2電極と、を含み、前記凹部の深さは、少なくとも前記DBRミラー層の厚さと同じもしくは該DBRミラー層の厚さよりも大きくなるように形成されており、前記第1導電型の半導体層は、前記半導体基板と接するように形成されている光素子に関するものである。
本発明では、DBRミラー層が真性半導体の多層膜からなるため、DBRミラー層にはキャリアが流れにくい状態となっている。しかし、第1導電型の半導体基板は、第1導電型の半導体層と接するように形成されているため、DBRミラー層に導電性不純物が添加されていなくても、素子内部に第1電極から第2電極に至る電流パスが確実に確保されている。従って、本発明の光素子によれば、両面電極構造を採用してもDBRミラー層での導電性不純物に起因する光吸収を防ぐことで素子内部の不要な光吸収を軽減し、素子効率の向上を図ることができる。特に、光素子が面発光型レーザーである場合には、DBRミラー層での光吸収が低減されることにより、共振器の損失が小さくなり、しきい値を低下させることができ、光素子の高出力化あるいは低電圧駆動を達成することができる。
(2)本発明の光素子では、前記第1導電型の半導体層と前記第2導電型の半導体層との間に、前記DBRミラー層を構成する真性半導体よりもバンドギャップエネルギーの小さい真性半導体からなる光機能層を含むことができる。またかかる態様において、前記光素子が受光素子の場合、前記光機能層は、光を吸収する吸収層であることができる。また、かかる態様において、前記光素子が発光素子である場合、前記光機能層は、光を発生する活性層であることができる。光吸収は、層を構成する半導体のバンドギャップエネルギーよりもエネルギーの大きな波長帯の光に対して発生する。従って、この態様によれば、光素子で取り扱われる光のエネルギーがDBRミラー層を構成する真性半導体のバンドギャップエネルギーよりも小さいため、DBRミラー層での光吸収を効果的に防ぐことができる。
(3)本発明の光素子において、前記第1導電型の半導体層は、前記凹部内に設けられ、前記半導体基板と前記凹部の側壁において接していてもよい。また、前記第1導電型の半導体層は、前記半導体基板と前記主面において接していてもよい。このようにすれば、光素子に第1電極から第2電極に至る電流パスを確実に確保することができる。
(4)本発明は、上記いずれかの光素子を含む光モジュール、あるいは当該光モジュールを含む光伝送装置に適用することができる。
(5)本発明は、第1導電型の半導体基板の主面に、深さd1の凹部を形成すること、少なくとも前記凹部内に、厚さd2(d2≦d1)の真性半導体の多層膜からなるDBRミラー層を形成すること、少なくとも前記DBRミラー層の上に、第1導電型の半導体層を前記半導体基板と接するように形成すること、前記第1導電型の半導体層の上方に、第2導電型の半導体層を形成すること、前記半導体基板の主面と反対側の面上に第1電極を形成すること、前記第2導電型の半導体層の上に第2電極を形成すること、を含む光素子の製造方法に関するものである。
本発明によれば、第1電極と第2電極との間の電流パスを確保しつつ、素子内部における不要な光吸収を軽減し、素子効率の向上が達成可能な両面電極構造の光素子を簡便な方法で製造することができる。
(6)本発明の製造方法では、少なくとも前記DBRミラー層を形成する前に、前記半導体基板の主面上にマスク層を形成することを含むことができる。このようにすれば、マスク層が形成されていない領域である凹部内にDBRミラー層などを選択的に形成することができるため、資源節約によるコスト低減を図ることができる。なお、マスク層は、光素子を構成する各種の半導体がエピタキシャル成長しにくい素材を選択することが好ましく、例えば、酸化物、窒化物、または金属を用いることができる。またかかる態様においては、前記マスク層を用いて前記半導体基板の主面に前記凹部を形成することを含むことができる。
以下、本発明に好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
1.光素子およびその製造方法
図1は、本発明の実施の形態に係る光素子100を模式的に示す断面図である。図2は、図1に示す光素子100を模式的に示す平面図である。図1は、図2のA−A線における断面を示すものである。
図1は、本発明の実施の形態に係る光素子100を模式的に示す断面図である。図2は、図1に示す光素子100を模式的に示す平面図である。図1は、図2のA−A線における断面を示すものである。
本実施の形態の光素子100は、図1,図2に示すように、第1導電型の半導体基板110、DBRミラー層101、第1導電型半導体層102、光機能層103、及び第2導電型半導体層104を含む。本実施の形態では、第1導電型をp型、第2導電型をn型とする。すなわち、半導体基板110及び第1導電型半導体層は、p型であり、第2導電型層104は、n型である。また、本実施の形態の光素子100は、半導体基板110の裏面(主面110aと反対側の面)110b上においてオーミック接触している第1電極109が設けられ、第2導電型半導体層104上においてオーミック接触している第2電極107が設けられた両面電極構造を有している。
半導体基板110には凹部220が設けられている。凹部220は、図3に示すように、底面220aおよび側壁220bを有する。底面220aと側壁220bとは、凹部220に形成される層の面内均一性を担保するため、両者のなす角がほぼ直角になるように形成されていることが望ましい。
DBRミラー層101は、導電性不純物がドーピングされていない複数種類の真性半導体が交互に積層された多層膜からなる。DBRミラー層101は、半導体基板110の凹部220内に設けられている。ここで、凹部220の深さをd1とし、DBRミラー層の層厚をd2としたとき、d1≧d2となるように凹部220は形成される。d1<d2となると、DBRミラー層101の最上層が半導体基板110の主面110aより突出してしまい、DBRミラー層101の上に設けられる第1導電型半導体層102と半導体基板110との通電領域を確保することが困難となる。このため、図1に示す光素子100では、d1>d2であって、第1導電型半導体層102についても凹部220に配置されている。すなわち、光素子100では、凹部220の側壁220bにおいて、半導体基板110と第1導電型半導体層102との間の通電領域が確保される。
第1導電型半導体層と第2導電型半導体層との間には、真性半導体からなる光機能層103が設けられている。光機能層103は、光素子100を受光素子(フォトダイオード)とする場合、光吸収層として機能し、光素子100を発光素子(レーザー、発光ダイオード)とする場合、活性層として機能する。
また、光機能層103は、DBRミラー層101を構成する真性半導体よりもバンドギャップエネルギーの小さい真性半導体から形成されている。すなわち、光素子100では、第1導電型半導体層102、光機能層103、及び第2導電型半導体層104によりpinダイオード構造が形成される。また光吸収は、層を構成する半導体のバンドギャップエネルギーよりもエネルギーの大きな波長帯の光に対して発生する。従って、光素子100では、光機能層103において吸収あるいは発光する光のエネルギーがDBRミラー層101を構成する真性半導体のバンドギャップエネルギーよりも小さいため、DBRミラー層101での光吸収を効果的に防ぐことができる。なお、光機能層103を構成する真性半導体は、光ファイバの損失特性や分散特性などを考慮して1.3μm帯(約0.95eV)あるいは1.5μm帯(約0.8eV)付近の波長に対応するバンドギャップエネルギーを有しているものが好ましい。
また、図1,図2に示すように、光素子100には柱状部130が設けられている。柱状部130は、凹部220の底面220a上に設けられている。柱状部130の一部は、凹部220内に埋め込まれている。本実施の形態の光素子100において、柱状部130は、DBRミラー層101、第1導電型半導体層102、光機能層103、及び第2導電型半導体層104から構成されている。図1に示すように、柱状部130のうちDBRミラー層101及び第1導電型半導体層102が凹部220内に埋め込まれており、光機能層103及び第2導電型半導体層104が半導体基板110の主面110aよりも上に突出している。なお、本実施の形態においては、図2に示すように、柱状部130が円柱状である場合を示しているが、柱状部130の形状はこれに限定されるものではない。
また、柱状部130の上面には、光の入出射面108が設けられている。入出射面108は、光素子100が受光素子として用いられる場合は光の入射面となり、光素子100が発光素子として用いられる場合は光の出射面となる。入出射面108は、柱状部130の上面に開口領域を有するように第2電極107をリング状に形成して設けられる。
また、本実施の形態の光素子100を構成する各層の例は以下のとおりである。
例えば、半導体基板110は、p型のGaAs基板であり、DBRミラー層101は、ノンドープのAlAsとGaAsとを交互に34ペア積層された半導体多層膜であり、第1導電型半導体層102は、導電性不純物としてCがドーピングされたp型のGaAsからなり、光機能層103は、ノンドープ(i型)のGa0.65In0.35N0.03As0.97からなり、第2導電型半導体層104は、導電性不純物としてSiがドーピングされたn型のGaAsからなる。第1電極109は、例えばAuとZnの合金とAuとの積層膜からなる。また、第2電極107は、例えばAuとGeの合金とNiとAuとの積層膜からなる。なお、各層の組成や層数は上述したものに限定されない。例えば、光機能層103は、InGaAsあるいはInGaAsPであってもよい。また例えば、第1および第2電極には、例えばTiやPtなどの金属やこれらの合金などが使用可能である。また例えば、光素子100を発光素子として用いる場合、第2導電型半導体層104は、第2導電型(n型)の導電性不純物がドープされた半導体多層膜からなるDBRミラーとして機能するように形成してもよい。これにより光機能層103を1対の反射鏡で挟んだ垂直共振器構造を実現することができる。また、光素子100を発光素子として用いる場合、第2導電型半導体層104をDBRミラーとして機能させる代わりに、柱状部130の光入出射面108上に真性半導体の半導体多層膜からなる他のDBRミラー層(図示省略)が設けられてもよい。このようにすれば、他のDBRミラー層における光吸収も軽減でき、素子効率の向上を図るのに有効である。
また、図示しないが、光入出射面108上にレンズ構造を設けてもよい。この場合、例えばインクジェットヘッドを用いて、熱または光等のエネルギーを付与することにより硬化する液体材料(例えば、紫外線硬化性樹脂あるいは熱硬化性樹脂の前駆体)を光入出射面108上に着弾させた後、この液体材料を硬化させることにより、光入出射面108上にレンズ構造を設けることができる。また、上述の手法を用いてレンズ構造を作製する場合、液体樹脂材料の濡れ性と第2電極107が有する開口部とを利用して光入出射面108上にレンズ構造を安定した状態で設置することができる。レンズ構造を作製するために用いられる紫外線硬化性樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂あるいはエポキシ系樹脂などが挙げられる。また、熱硬化性樹脂としては、例えば、ポリイミド系樹脂などが挙げられる。
また、紫外線硬化性樹脂の前駆体は、短時間の紫外線照射によって硬化させることができる。すなわち、紫外線硬化性樹脂は、熱処理など素子にダメージを与えやすい工程を介さずに硬化させることができるため、レンズ構造形成時において光素子100の特性に与える影響を少なくすることができる。
また、図示しないが、柱状部130のうち半導体基板110の主面110aよりも上方に突出している部分(本実施の形態では、光機能層103及び第2導電型半導体層104)の周囲を絶縁層で覆ってもよい。この場合、絶縁層は、例えば、ポリイミド樹脂、フッ素系樹脂、アクリル樹脂、あるいはエポキシ樹脂などで形成することができ、特に加工の容易性や絶縁性の観点から、ポリイミド系樹脂またはフッ素系樹脂であるのが望ましい。
次に、本実施の形態の光素子100の製造方法の一例について、図3〜図5を用いて説明する。図3〜図5は、図1,図2に示す本実施の形態の光素子100の一製造工程を模式的に示す断面図であり、それぞれ図1に示す断面図に対応している。
まず、p型GaAsからなる半導体基板110に深さd1の凹部220を形成する(図3参照)。凹部220は、底面220aおよび側壁220bから構成される。本実施の形態においては、凹部220の底面220aと側壁220bとがほぼ直角になるように形成する。凹部220の形成方法は特に限定されないが、半導体基板110の材質ならびに凹部220の形状および大きさによって種々の手法を選択することができる。
また、凹部220の深さd1は、後述する工程において形成するDBRミラー層101の層厚d2と同じもしくは層厚d2よりも大きくなるように凹部220を形成する。本実施の形態においては、凹部220の深さd1を、後述する工程において形成されるDBRミラー層101の層厚d2より大きくなるように形成する。
次に、凹部220の主面110a及び底面220a上にDBRミラー層101、第1導電型半導体層102、光機能層103、および第2導電型半導体層104をエピタキシャル成長により順次積層して形成する(図4参照)。各層は、組成を変調させながら形成される。この場合、凹部220の底面220aと側壁220bとのなす角がほぼ直角となるように形成されていれば、各層の層厚の面内均一性を良好なものとすることができる。凹部220が極端なテーパーを有していると、側壁220bに半導体材料が堆積してしまい、凹部220内に形成されるDBRミラー層101や第1導電型半導体層の層厚制御が困難となる場合がある。また、上述の工程の結果、凹部220内にDBRミラー層101と第1導電型半導体層102とが埋め込まれた状態となり、半導体基板110上の積層体は凹部320を有することになる。
ここで、エピタキシャル成長を行う際の温度は、成長方法や原料、半導体基板110の種類、あるいは形成する層の組成、厚さ、およびキャリア濃度によって適宜決定されるが、一般に、基板温度が450℃〜800℃であるのが好ましい。また、エピタキシャル成長を行う際の所要時間も、温度と同様に適宜決定される。また、エピタキシャル成長を行う方法としては、有機金属気相成長法(MOVPEあるいはMOCVD)、分子線エピタキシー法(MBE)、あるいは液相エピタキシー法(LPE)などを用いることができる。
なお、第1導電型半導体層102を成長する際には、例えば、Cを導電性不純物として導入してp型とし、第2導電型半導体層104を成長する際には、例えば、Siを導電性不純物として導入してn型とする。
次に、第2導電型半導体層104のうち凹部320の底部分に、フォトレジスト(図示せず)を塗布した後、公知のフォトリソグラフィー技術を用いて該フォトレジストをパターニングする。これにより、所定のパターンのレジスト層R1を形成する。すなわち、このレジスト層R1は凹部320の底部分上にのみ形成される。そして、レジスト層R1をマスクとして、例えばドライエッチングにより、半導体基板110の主面110a上の第2導電型半導体層104、光機能層103、第1導電型半導体層102、およびDBRミラー層101を除去することにより、柱状の積層体(柱状部)130を形成する(図5参照)。その後、レジストR1を除去する。
次に、半導体基板110の裏面上に第2電極107を形成するとともに、第2導電型半導体層104上にリング状の第1電極109を形成する。
第2電極107を形成する前には、必要に応じて、プラズマ処理法等を用いて、柱状部130の上面130a(図5参照)を洗浄する。これにより、安定したオーミック接触を確保することができ、特性の良好な素子を形成することができる。また、第2電極107は、柱状部130の上面130a上に、例えば、AuとGeの合金とNiとAuとの積層膜を形成した後、リフトオフ法により、開口領域を有するリング状電極として形成することができる(図示せず)。この開口領域が光素子100の光入出射面となる。なお、第2電極107は、上述のリフトオフ法の代わりにドライエッチングでパターニングしてもよい。
また、第1電極109は、半導体基板110の裏面110b上に、例えば真空蒸着法により、AuとZnの合金とAuとの積層膜から形成することができる。なお、半導体基板110と第1電極109および第2電極107のオーミック接触を確実にするためにはアニール処理を行うことが好ましい。アニール処理の温度は電極材料に依存する。本実施形態で用いた電極材料の場合は、通常400℃前後で行う。
以上の工程により、両面電極構造を有する光素子100を得ることができる(図1,図2参照)。
次に、本実施の形態の光素子100の一般的な動作を示す。ここでは、第1導電型p型であり、第2導電型がn型である場合を示す。なお、下記の光素子100の駆動方法は一例であり、本発明の趣旨を逸脱しない限り、種々の変更が可能である。
まず、光素子100を発光素子とする場合、第1電極109と第2電極107に順方向バイアスが印加されると、光素子100の内部において順方向電流I1は、図6に示すように、半導体基板110から凹部220の側壁を介して第1導電型半導体層102、光機能層103、および第2導電型半導体層104へ向かって流れる。このとき、光機能層103にはキャリアが注入され、これが再結合する際に自然放出光を発生する。発光ダイオードの場合、これが光入出射面108から出射され、半導体基板110側へ向かう光もDBRミラー層101に反射されて光入出射面108から出射される。また、光素子100が面発光型レーザーの場合、光機能層103で発生した自然放出光がDBRミラー層101を含む垂直共振器内で共振することにより誘導放出による増幅を受けて利得飽和状態となると、光入出射面108から所定の発振波長のレーザー光が出射される。
また、光素子100を受光素子とする場合、第1電極109と第2電極107に逆バイアスが印加された状態で光入出射面108に光機能層103の吸収波長帯に属する波長の光が入射すると、図6に示す順方向電流I1とは逆の向きに光電流が流れる。
以上に述べたように、本実施の形態の光素子100では、DBRミラー層101が真性半導体の多層膜からなるため、DBRミラー層101にはキャリアが流れにくい状態となっているが、半導体基板110は、第1導電型半導体層102と凹部220の側壁において接するように形成されているため、DBRミラー層101に導電性不純物が添加されていなくても、素子内部に第1電極109から第2電極107(あるいは第2電極107から第1電極109)に至る電流パスが確実に確保されている。従って、本実施の形態の光素子100によれば、両面電極構造を採用した場合においても、DBRミラー層101での導電性不純物に起因する光吸収を防ぐことで素子内部の不要な光吸収を軽減し、素子効率の向上を図ることができる。特に、光素子100が面発光型レーザーである場合には、DBRミラー層101での光吸収が低減されることにより、共振器の損失を小さくすることができ、またしきい値を低下させることができ、光素子100の高出力化あるいは低電圧駆動を達成することができる。
また、本実施の形態の光素子100では、光機能層103で取り扱われる光のエネルギーがDBRミラー層101を構成する真性半導体のバンドギャップエネルギーよりも小さいため、DBRミラー層101での光吸収を効果的に防ぐことができる。
以下では、本実施の形態の変形例について説明する。
(変形例1)
図7は、本実施の形態の変形例1に係る光素子200を模式的に示す断面図である。なお、本例では、上述の実施の形態で説明した光素子100と実質的に同一の機能を有する部材には同一記号を付して詳細な説明を省略し、主要な相違点を説明する。
図7は、本実施の形態の変形例1に係る光素子200を模式的に示す断面図である。なお、本例では、上述の実施の形態で説明した光素子100と実質的に同一の機能を有する部材には同一記号を付して詳細な説明を省略し、主要な相違点を説明する。
本例の光素子200では、図7に示すように、凹部220の深さd1´がDBRミラー層101の層厚d2と等しくなるように形成され、凹部220の内部にDBRミラー層101のみが埋め込まれている点が上述の光素子100(図1参照)と異なる。また、本例の光素子200では、第1導電型半導体層102がDBRミラー層101の上のみならず半導体基板110の主面110aをも覆うように形成されており、半導体基板110と主面110aにおいて接している点が異なる。そして、本例の光素子200は、光機能層103および第2導電型半導体層104によりなる柱状部131を含んで構成される。本例においても、DBRミラー層101は、真性半導体からなるため電流が流れにくい状態となっているが、光素子200が発光素子である場合には、半導体基板110の主面110aを介して第1導電型半導体層102へ至る順方向電流I2の電流パスが確保される。光素子200が受光素子の場合においても、同様に、逆方向電流の電流パスが確保される。従って、本例の光素子200においても、上述の光素子100と同様の作用効果を得ることができる。
次に、本例の光素子200の製造方法の一例について、図8,図9を用いて説明する。図8,図9は、図7に示す本例の光素子200の一製造工程を模式的に示す断面図であり、それぞれ図7に示す断面図に対応している。
まず、半導体基板110の主面110a側に凹部220を形成して、半導体基板110上にDBRミラー層101をエピタキシャル成長によって形成する(図8参照)。本例における凹部220の深さd1´は、DBRミラー層101の厚さd2と等しくなるように形成される(図7参照)。凹部220の形成方法は、上述の光素子100を作製する場合と同様である。
次に、図示しないが、半導体基板110の主面110a上に形成されているDBRミラー層101を選択的に除去する。例えば、凹部220内に形成されたDBRミラー層101の上にレジストが残るようにレジストパターニングを行い、ドライエッチングなどにより半導体基板110の主面110a上に形成されたDBRミラー層101を除去することができる。この工程により、後述する工程にて形成される第1導電型半導体層102と半導体基板110とのコンタクトを半導体基板110の主面110aにおいて確保することができる。
次に、DBRミラー層110ならびに前述の工程で露出した半導体基板110の主面110a上に第1導電型半導体層102、光機能層103、および第2導電型半導体層104をエピタキシャル成長により積層形成し、第2導電型半導体層104の上に柱状構造を形成するためのレジストR2をパターニング形成する(図9参照)。すなわち、この工程により第1導電型半導体層102は、半導体基板110と主面110aにおいて接するように形成される。
最終的には、光機能層103および第2導電型半導体層104をレジストR2のパターンに従ってエッチングすることにより柱状部131が形成され、その後第1電極109および第2電極107を形成することにより本例の光素子200を得ることができる(図7参照)。なお、本例の光素子200の作製は、後述する変形例2で説明するマスク層を用いて凹部220の上方に選択的にエピタキシャル成長を行う手法を適用して行うこともできる。
(変形例2)
図10は、本実施の形態の変形例2に係る光素子300を模式的に示す断面図である。図11は、図10に示す光素子300を模式的に示す平面図である。図10は、図11のA−A線における断面を示す図である。なお、本例では、上述の実施の形態で説明した光素子100と実質的に同一の機能を有する部材には同一記号を付して詳細な説明を省略し、主要な相違点を説明する。
図10は、本実施の形態の変形例2に係る光素子300を模式的に示す断面図である。図11は、図10に示す光素子300を模式的に示す平面図である。図10は、図11のA−A線における断面を示す図である。なお、本例では、上述の実施の形態で説明した光素子100と実質的に同一の機能を有する部材には同一記号を付して詳細な説明を省略し、主要な相違点を説明する。
本例の光素子300では、図10,図11に示すように、半導体基板110の主面110a上にマスク層210が形成されている点が上述の光素子100(図1,図2参照)と異なる。
マスク層210は、後述する光素子300の製造工程において、凹部220の上のみに柱状部130をエピタキシャル成長により選択的に形成するために設けられる。すなわち、マスク層210は、半導体基板110の主面110a上にエピタキシャル層が形成されるのを防止することができるものであれば、その材質は特に限定されない。マスク層210は、例えば、酸化シリコン(SiO2)などの酸化物、窒化シリコン(SiN)などの窒化物、あるいはタングステン(W)などの金属を材料として形成することができる。
次に、本例の光素子300の製造方法の一例について、図12,図13を用いて説明する。図12,図13は、図10,図11に示す本例の光素子300の一製造工程を模式的に示す断面図であり、それぞれ図10に示す断面図に対応している。
まず、p型GaAsからなる半導体基板110の主面110aにマスク層210を形成し、凹部220を形成する(図12参照)。本例では、マスク層210を凹部220を形成するためのマスクとして用いることができる。例えば、半導体基板110の主面110a上に全面的にマスク層210を形成した後、マスク層210の上にレジストを塗布形成する。次に、凹部220を形成する領域上に開口領域を有するように、レジストをパターニングする。そして、凹部220を形成する領域(レジストの開口領域)上のマスク層210をドライエッチングによって除去することにより、半導体基板110の主面110aの特定の領域を露出させるマスク層210を形成する。凹部220は、本例ではマスク層210をマスクとしてドライエッチングによって形成することができる。なお、本例においてマスク層210の形成方法は、特に限定されないが、例えば、マスク層210を酸化シリコンから形成する場合、CVD法を用いることができる。
次に、エピタキシャル成長により、凹部220の底面220aの上に、DBRミラー層101、第1導電型半導体層102、光機能層103、および第2導電型半導体層104を順次積層して形成する(図13参照)。この工程では、マスク層210が半導体基板110の凹部220を除く主面110aを被覆しているため、凹部220の底面220aの上方において選択的にエピタキシャル成長が行われる。続いて、上述の光素子100の場合と同様に、第1電極109および第2電極107を形成し、本例の光素子300を得ることができる(図10参照)。
以上に述べたように、本例における光素子300の製造方法によれば、マスク層210が形成されていない領域である凹部220内にDBRミラー層101などを選択的に形成することができるため、資源節約によるコスト低減を図ることができる。
2.光モジュール
図14は、本実施の形態の光素子を適用した光モジュールを示す図である。
図14は、本実施の形態の光素子を適用した光モジュールを示す図である。
この光モジュールは、図14(A)に示すように金属製のステム401と接合(あるいは一体化)された容器402と、容器402と反対側に突出されて設けられたリード404とを有する、いわゆるCANパッケージ型の光モジュールである。容器402には、上面に入射光を取り入れ、あるいは外部に光を出射させるためのガラス製の窓403が設けられている。
図14(B)には、本実施の形態の光モジュールの模式的な断面図が示されている。容器402には、本実施の形態の光素子400がステム401上に配置されていて、ボンディングワイヤなどによりリード404と電極とが接続されている。なお、光素子400は、金属製のサブマウントを介してステム401上に配置されていてもよい。
この光モジュールでは、光素子400が受光素子の場合、窓403から入射光を取り入れ、光素子400で光信号を電気信号に変換してリード404から取り出すことができる。またこの光モジュールでは、光素子400が発光素子の場合、リード404を通じて電気信号が入力され、窓103から出射光を出力することができる。なお、本実施の形態の光モジュールとしては、図14(A)に示すようなCANパッケージ型のものに限られず、SMD(表面実装デバイス)型や光コネクタ一体型、さらには先端部に光ファイバが接合されたピグテール型の光モジュールであってもよい。また、本実施の形態の光モジュールは、光素子400として受光素子および発光素子の双方を備えたトランシーバ型のモジュールであってもよい。
3.光伝送装置
図15は、本実施の形態の光モジュールを適用した光伝送装置を示す図である。
図15は、本実施の形態の光モジュールを適用した光伝送装置を示す図である。
光伝送装置90は、コンピュータ、ディスプレイ、記憶装置、プリンタ等の電子機器92を相互に接続するものである。電子機器92は、情報通信機器であってもよい。光伝送装置90は、ケーブル94の両端にプラグ96が設けられたものであってもよい。ケーブル94は、具体的には、マルチモード光ファイバである。プラグ96は、受信用の光検出器、送信用の光源、あるいは光検出器及び光源を備えたトランシーバとして本実施の形態の光モジュールを含んで構成される。この光伝送装置によれば、光信号によって、電子機器間のデータ伝送を行うことができる。
なお、本実施の形態の光伝送装置により相互接続される電子機器は、液晶表示モニタ、ディジタル対応のCRT(金融、通信販売、医療、教育の分野で使用されることがある。)、液晶プロジェクタ、プラズマディスプレイパネル(PDP)。ディジタルTV、小売店のレジ(POS用)、ビデオ、チューナー、ゲーム装置などであってもよい。
以上に本発明に好適な実施の形態について説明したが、本発明は上述したものに限られず、発明の要旨の範囲内で種々の変形態様により実施することが可能である。
例えば、上記の実施の形態において、各半導体層におけるp型とn型とを入れ替えても本発明の趣旨を逸脱するものではない。また、上記実施の形態では、複数の光素子がアレイ化されている場合でも、同様の作用効果を有する。また、光素子を構成する各半導体層の材料は、上述したものに限られず、例えば、Si、Ge、Ga、As、Al、N、P、Sb、Zn、S、Seなどの任意の組合せによる材料系の半導体を用いることができる。
100,200,300 光素子、101 DBRミラー層、102 p型半導体層(第1導電型の半導体層)、103 光機能層(吸収層,活性層)、104 n型半導体層
(第2導電型の半導体層)、107 第2電極、109 第1電極、110 半導体基板、110a 主面、110b 裏面、130 柱状部、220 凹部
(第2導電型の半導体層)、107 第2電極、109 第1電極、110 半導体基板、110a 主面、110b 裏面、130 柱状部、220 凹部
Claims (11)
- 主面に凹部が設けられた第1導電型の半導体基板と、
前記凹部内に設けられ、真性半導体の多層膜からなるDBRミラー層と、
少なくとも前記DBRミラー層の上に設けられた第1導電型の半導体層と、
前記第1導電型の半導体層の上方に設けられた第2導電型の半導体層と、
前記半導体基板の前記主面と反対側の面上に設けられた第1電極と、
前記第2導電型の半導体層の上に設けられた第2電極と、
を含み、
前記凹部の深さは、少なくとも前記DBRミラー層の厚さと同じもしくは該DBRミラー層の厚さよりも大きくなるように形成されており、
前記第1導電型の半導体層は、前記半導体基板と接するように形成されている、光素子。 - 請求項1において、
前記第1導電型の半導体層と前記第2導電型の半導体層との間に、前記DBRミラー層を構成する真性半導体よりもバンドギャップエネルギーの小さい真性半導体からなる光機能層を含む、光素子。 - 請求項2において、
前記光素子は、受光素子であり、
前記光機能層は、光を吸収する吸収層である、光素子。 - 請求項2において、
前記光素子は、発光素子であり、
前記光機能層は、光を発生する活性層である、光素子。 - 請求項1〜4のいずれかにおいて、
前記第1導電型の半導体層は、前記凹部内に設けられ、前記半導体基板と前記凹部の側壁において接している、光素子。 - 請求項1〜4のいずれかにおいて、
前記第1導電型の半導体層は、前記半導体基板と前記主面において接している、光素子。 - 請求項1〜6のいずれかに記載の光素子を含む、光モジュール。
- 請求項7に記載の光モジュールを含む、光伝送装置。
- 第1導電型の半導体基板の主面に、深さd1の凹部を形成すること、
少なくとも前記凹部内に、厚さd2(d2≦d1)の真性半導体の多層膜からなるDBRミラー層を形成すること、
少なくとも前記DBRミラー層の上に、第1導電型の半導体層を前記半導体基板と接するように形成すること、
前記第1導電型の半導体層の上方に、第2導電型の半導体層を形成すること、
前記半導体基板の主面と反対側の面上に第1電極を形成すること、
前記第2導電型の半導体層の上に第2電極を形成すること、
を含む、光素子の製造方法。 - 請求項9において、
少なくとも前記DBRミラー層を形成する前に、前記半導体基板の主面上にマスク層を形成することを含む、光素子の製造方法。 - 請求項10において、
前記マスク層を用いて前記半導体基板の主面に前記凹部を形成することを含む、光素子の製造方法。
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JP2007027559A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Sharp Corp | 表面実装型電子部品、その製造方法および光学電子機器 |
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-
2003
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