JP2005162526A - Method for making gallium nitride crystal - Google Patents
Method for making gallium nitride crystal Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005162526A JP2005162526A JP2003402601A JP2003402601A JP2005162526A JP 2005162526 A JP2005162526 A JP 2005162526A JP 2003402601 A JP2003402601 A JP 2003402601A JP 2003402601 A JP2003402601 A JP 2003402601A JP 2005162526 A JP2005162526 A JP 2005162526A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gallium nitride
- crystal
- substrate
- nitride crystal
- producing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
本発明は、任意の結晶面方位を表面に有する窒化ガリウム結晶作成方法に関する。 The present invention relates to a method for producing a gallium nitride crystal having an arbitrary crystal plane orientation on its surface.
Al、Ga、In等のIII族元素とV族元素との化合物である半導体は、ワイドギャップを有する直接遷移型半導体であり、可視から紫外域の発光材料として、最も有望であると考えられる。これら、光半導体デバイスの材料となる窒化ガリウムGaN等の、結晶学的に優れた制作手法が求められている。有機金属気相成長法(MOCVD:Metalorganic Chemical Vapor Phase Deposition法)は、これを産業レベルで実現できる有力な手法として、各方面で研究開発が進められている。 A semiconductor that is a compound of a group III element such as Al, Ga, and In and a group V element is a direct transition semiconductor having a wide gap, and is considered most promising as a light emitting material in the visible to ultraviolet region. There is a need for crystallographically superior production techniques such as gallium nitride GaN, which is a material for optical semiconductor devices. The metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method has been researched and developed in various fields as an effective method for realizing this at the industrial level.
従来の窒化ガリウム結晶作成方法として、例えば以下のような方法があった。図10は非特許文献1に記載されているような典型的な窒化ガリウム結晶作成方法を示す図である。結晶炉内底部に、表面がC面であるサファイア基板1を設置する。サファイア基板1上に、下から順に、GaNバッファ層2を0.1ミクロン、この上にGaN結晶3を10ミクロン、有機金属気相成長結晶法(MOCVD法)を用いて結晶成長させる。用いた原料ガスは、Ga源としてトリメチルガリウム(TMG)を、また窒素源としてアンモニア(NH3)である。
As a conventional method for producing a gallium nitride crystal, for example, there has been the following method. FIG. 10 is a diagram showing a typical method for producing a gallium nitride crystal as described in
これらの原料ガスを、窒素ガスあるいは水素ガスで希釈しながら有機金属気相成長結晶炉に供給し、ヒーター加熱した炉内で熱化学反応を生ぜしめ、結晶成長を行う。成長温度は、GaNバッファ層2を作製する際には550℃、GaN結晶3を作製する際には960℃である。
These source gases are supplied to an organic metal vapor phase growth crystal furnace while being diluted with nitrogen gas or hydrogen gas, and a thermochemical reaction is caused in a heater-heated furnace to perform crystal growth. The growth temperature is 550 ° C. when producing the
一方、別の手法として、次のような手段もとられている。すなわち、特許文献1に記載されているように、表面がC面であるサファイア基板上に、GaNからなる低温バッファ層を介してELOG用のGaNからなるシード層を形成し、このシード層の上部に基板面方向に互いに間隔をおいて延びるストライプ状の凸部を形成する。続いて、凸部同士に挟まれてなる各凹部の底面及び壁面上に窒化シリコンからなるマスク膜を形成し、その後、シード層の上に、各凸部と接するようにGaNからなる選択成長層をその下面と溝部の底面との間に空隙部が設けられるように形成する。
しかしながら前記従来の窒化ガリウム結晶作成方法においては、作成される結晶の面方位が、用いる基板の面方位により制限されるため、任意の面方位を表面に有する窒化ガリウム結晶を作成することが困難であった。 However, in the conventional gallium nitride crystal production method, since the plane orientation of the crystal to be produced is limited by the plane orientation of the substrate to be used, it is difficult to produce a gallium nitride crystal having an arbitrary plane orientation on the surface. there were.
本発明は上記問題点を解決するために、任意の面方位を表面に有する微細な窒化ガリウム(GaN)結晶塊4を結晶種として選択横方向成長させることにより、任意の面方位を表面に有する窒化ガリウム結晶作成方法を提供することを目的とする。
In order to solve the above problems, the present invention has an arbitrary plane orientation on the surface by selectively growing the fine gallium nitride (GaN)
上記問題点を解決するための、本特許出願に係わる請求項1に記載の発明は、任意の面方位を表面に有する微細な窒化ガリウム(GaN)結晶塊4を複数個作製する工程と、窒化ガリウム結晶成長のための基板にマスク膜を被覆する工程と、前記マスク膜を被覆した基板に対し、前記窒化ガリウムからなる結晶塊4を埋め込むことのできる複数個の凹部を形成する工程と、前記複数個の窒化ガリウムからなる結晶塊4を、その上部表面が同一面方位となるようにして、前記基板の複数個の凹部に埋め込み固定する工程と、さらに熱処理を行う工程と、その後、前記同一面方位を表面に有する複数個の窒化ガリウムからなる結晶塊4を種として、気相成長法を用い、任意の結晶面方位を表面に有する窒化ガリウム結晶を成長させる工程とを有する窒化ガリウム結晶作成方法である。
In order to solve the above problems, the invention according to
本特許出願に係わる請求項2に記載の発明は、前記埋め込まれた窒化ガリウムからなる結晶塊4表面と、前記マスク膜を被覆後の基板表面とが、ほぼ同一の高さとなるようにすることを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム結晶作成方法である。
The invention according to
本特許出願に係わる請求項3に記載の発明は、前記複数個の凹部は、基板にまで到達する深さであることを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム結晶作成方法である。
The invention according to
本特許出願に係わる請求項4に記載の発明は、窒化ガリウム結晶成長のための基板にマスク膜を被覆する工程を省くことを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム結晶作成方法である。
The invention described in
本特許出願に係わる請求項5に記載の発明は、任意の面方位を表面に有する微細な窒化ガリウム(GaN)結晶塊4を複数個作製する工程と、窒化ガリウム結晶成長のための基板に、前記窒化ガリウムからなる結晶塊4を埋め込むことのできる複数個の凹部を形成する工程と、前記複数個の窒化ガリウムからなる結晶塊4を、その上部表面が同一面方位となるようにし、かつ前記窒化ガリウムからなる結晶塊4の表面が前記基板の表面より高くなるようにして、前記基板の複数個の凹部に前記窒化ガリウムからなる結晶塊4を埋め込み固定する工程と、さらに熱処理を行う工程と、前記複数個の窒化ガリウムからなる結晶塊4を埋め込んだ前記基板にマスク膜を被覆する工程と、その後前記複数個の窒化ガリウムからなる結晶塊4の頂部表面のマスク膜をエッチングにより除去する工程と、前記同一面方位を有する複数個の窒化ガリウムからなる結晶塊4を種として、気相成長法を用い、任意の面方位を表面に有する窒化ガリウム結晶を成長させる工程とを有する窒化ガリウム結晶作成方法である。
The invention according to
本特許出願に係わる請求項6に記載の発明は、前記複数個の窒化ガリウムからなる結晶塊4の、前記基板表面より上に飛び出している側壁部分には、マスク膜を被覆しないことを特徴とする請求項5に記載の窒化ガリウム結晶作成方法である。
The invention described in
本特許出願に係わる請求項7に記載の発明は、前記マスク膜として、シリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜を用いることを特徴とする請求項1及び5に記載の窒化ガリウム結晶作成方法である。
The invention according to
本特許出願に係わる請求項8に記載の発明は、任意の面方位を表面に有する微細な窒化ガリウム(GaN)結晶塊4を複数個作製する工程と、窒化ガリウム結晶成長のための基板に対し、前記窒化ガリウムからなる結晶塊4を埋め込むことのできる複数個の凹部を形成する工程と、前記複数個の窒化ガリウムからなる結晶塊4を、その上部表面が同一面方位となるようにして、前記基板の複数個の凹部に埋め込み固定する工程と、さらに熱処理を行う工程と、その後前記同一面方位を表面に有する複数個の窒化ガリウムからなる結晶塊4を種として、気相成長法を用い、任意の結晶面方位を表面に有する窒化ガリウム結晶を成長させる工程とを有する窒化ガリウム結晶作成方法である。
The invention according to
本特許出願に係わる請求項9に記載の発明は、前記窒化ガリウムからなる結晶塊4は、別途作製した窒化ガリウム結晶から、所望の面が現れるように研削研磨して切り出すことを特徴とする請求項1、5及び8に記載の窒化ガリウム結晶作成方法である。
The invention according to
本特許出願に係わる請求項10に記載の発明は、前記窒化ガリウムからなる結晶塊4は、基板上に、第1の窒化ガリウム結晶層を形成する工程と、前記第1の窒化ガリウム結晶層の上部に、基板面方向に延びる複数の凸部を形成する工程と、互いに隣接する前記凸部同士に挟まれてなる凹部の底面を覆うマスク膜を形成する工程と、前記第1の窒化ガリウム結晶層の上に、前記マスク膜から露出する前記各凸部の頂面を種結晶として第2の窒化ガリウム結晶層を形成する工程と、隣接する前記第2の窒化ガリウム結晶層同士が接触しない段階で結晶成長を中止する工程と、前記第2の窒化ガリウム結晶層のみを切り出す工程と、切り出した前記第2の窒化ガリウム結晶層を、さらに前記基板面に対してほぼ垂直方向に切ることにより分割して作製することを特徴とする請求項1、5、8及び9に記載の窒化ガリウム結晶作成方法である。
The invention according to
本特許出願に係わる請求項11に記載の発明は、前記各凸部の頂面をC面(0001)とし、前記各凸部の断面をM面(1−100)とすることにより、前記第2の窒化ガリウム結晶層に現れる(11−22)面もしくは(11−20)面を利用して、M面(1−100)、(11−22)面もしくは(11−20)面を持つ複数の前記窒化ガリウムからなる結晶塊4を作製することを特徴とする請求項10に記載の窒化ガリウム結晶作成方法である。
The invention according to
本特許出願に係わる請求項12に記載の発明は、前記各凸部の頂面をC面(0001)とし、前記各凸部の断面をA面(11−20)とすることにより、前記第2の窒化ガリウム結晶層に現れる(1−101)面もしくは(1−100)面を利用して、A面(11−20)、(1−101)面もしくは(1−100)面を持つ複数の前記窒化ガリウムからなる結晶塊4を作製することを特徴とする請求項10に記載の窒化ガリウム結晶作成方法である。
The invention according to claim 12 of the present patent application is characterized in that the top surface of each convex portion is a C plane (0001), and the cross section of each convex portion is an A plane (11-20). A plurality of A planes (11-20), (1-101) planes, or (1-100) planes using the (1-101) plane or the (1-100) plane appearing in the gallium
本特許出願に係わる請求項13に記載の発明は、前記複数個の窒化ガリウムからなる結晶塊4を、その上部表面が同一面方位となるようにして、前記基板の複数個の凹部に埋め込むための主たるあるいは補助的な方法として、密閉可能な容器を準備し、凹部が形成されている基板を前記容器底部に固定し、前記容器の中を、アセトン、ソルファイン、メタノール等の有機溶媒で満たし、さらに前記容器の中に凹部の数よりも多い任意の結晶塊4を入れて密閉し、その後、一定時間、この容器を良く振動させることを特徴とする請求項1〜12に記載の窒化ガリウム結晶作成方法である。
The invention according to
本特許出願に係わる請求項14に記載の発明は、前記振動の周波数は0.2〜1000Hzぐらいにて、また振動時間を5分から1時間程度行うことを特徴とする請求項13に記載の窒化ガリウム結晶作成方法である。
The invention according to
本特許出願に係わる請求項15に記載の発明は、サファイア、シリコン、SiC、GaAsあるいはGaNを基板として用いることを特徴とする請求項1及び5に記載の窒化ガリウム結晶作成方法である。
The invention according to
本特許出願に係わる請求項16に記載の発明は、シリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜を基板として用いることを特徴とする請求項8に記載の窒化ガリウム結晶作成方法である。
The invention described in
本特許出願に係わる請求項17に記載の発明は、結晶成長手段として、有機金属気相成長法やHVPE法を用いることを特徴とする請求項1、5,8,10,11及び12に記載の窒化ガリウム結晶作成方法である。
The invention described in
本特許出願に係わる請求項18に記載の発明は、結晶塊4のたて、横、及び高さ寸法がお互いに異なった結晶塊4を用いることを特徴とする請求項1〜17に記載の窒化ガリウム結晶作成方法である。
The invention described in claim 18 according to the present patent application uses
本特許出願に係わる請求項19に記載の発明は、前記窒化ガリウムからなる結晶塊4は、直方体、三角柱構造、四角柱構造、台形構造、三角錐構造や四角錐構造であることを特徴とする請求項1〜18に記載の窒化ガリウム結晶作成方法である。
The invention described in claim 19 according to the present patent application is characterized in that the
本特許出願に係わる請求項20に記載の発明は、前記結晶塊4において、その表側あるいは裏側が、その逆側よりも若干面積を小さくした相似形状にすることを特徴とする請求項1〜19に記載の窒化ガリウム結晶作成方法である。
The invention described in claim 20 according to the present patent application is characterized in that the front side or the back side of the
本特許出願に係わる請求項21に記載の発明は、前記窒化ガリウムからなる結晶塊4の特徴的な長さが、1〜300ミクロン程度であることを特徴とする請求項1〜20に記載の窒化ガリウム結晶作成方法である。
The invention according to claim 21 according to the present patent application is characterized in that the characteristic length of the
本特許出願に係わる請求項22に記載の発明は、前記窒化ガリウムからなる結晶塊4は、前記基板上に、ほぼ等間隔に配置することを特徴とする請求項1〜21に記載の窒化ガリウム結晶作成方法である。 The invention according to claim 22 according to the present patent application is characterized in that the crystal lumps 4 made of gallium nitride are arranged on the substrate at substantially equal intervals. This is a crystal production method.
本特許出願に係わる請求項23に記載の発明は、前記窒化ガリウムからなる結晶塊4の、前記基板上への配置間隔は、前記窒化ガリウムからなる結晶塊4の特徴的な長さの0.1倍から10倍程度であることを特徴とする請求項1〜22に記載の窒化ガリウム結晶作成方法である。
According to a twenty-third aspect of the present invention, the disposition interval of the crystal lumps 4 made of gallium nitride on the substrate is set to 0. 0 which is a characteristic length of the crystal lumps 4 made of gallium nitride. The method for producing a gallium nitride crystal according to
本特許出願に係わる請求項24に記載の発明は、前記熱処理方法として、600℃〜900℃の窒素雰囲気で、10秒から7分、加熱することを特徴とする請求項1、5及び8に記載の窒化ガリウム結晶作成方法である。 The invention according to claim 24 related to the present patent application is characterized in that, as the heat treatment method, heating is performed in a nitrogen atmosphere at 600 ° C. to 900 ° C. for 10 seconds to 7 minutes. The gallium nitride crystal preparation method described.
本特許出願に係わる請求項25に記載の発明は、前記熱処理方法として、マイクロ波で加熱することを特徴とする請求項1、5及び8に記載の窒化ガリウム結晶作成方法である。
The invention according to claim 25 relating to the present patent application is the gallium nitride crystal production method according to
本発明は上述した構成によって、任意の結晶面方位を表面に有する窒化ガリウム結晶を作成することが可能となる。これにより、例えば、c面である(0001)あるいは(000−1)以外の面を表面に持つ窒化ガリウム結晶を作成することにより、無極性基板を作製し、これにより、発光デバイスにおける発光効率を上げることができる。また、電子の走行するチャネルのモビリティが大きくなる方向の結晶面方位を表面に有する窒化ガリウム結晶を作成することにより、優れた高速電子デバイスを実現することができる。 According to the present invention, a gallium nitride crystal having an arbitrary crystal plane orientation on the surface can be formed by the above-described configuration. Thereby, for example, a non-polar substrate is produced by producing a gallium nitride crystal having a surface other than (0001) or (000-1) which is the c-plane, thereby improving the luminous efficiency of the light emitting device. Can be raised. In addition, an excellent high-speed electronic device can be realized by forming a gallium nitride crystal having a crystal plane orientation in the direction in which mobility of a channel in which electrons travel increases.
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1は、本発明の実施例1における任意の結晶面方位を表面に有する窒化ガリウム結晶の製作工程を模式的に示した図である。図1において、図10と同じ構成部については、同じ符号を用いる。 FIG. 1 is a diagram schematically showing a manufacturing process of a gallium nitride crystal having an arbitrary crystal plane orientation on the surface in Example 1 of the present invention. 1, the same reference numerals are used for the same components as those in FIG. 10.
図1(a)に示すように、サファイア基板1上に、下から順に、GaNバッファ層2を0.1ミクロン、この上にGaN結晶3を20ミクロン、有機金属気相成長結晶法(MOCVD法)を用いて結晶成長させた。用いた原料ガスは、Ga源としてトリメチルガリウム(TMG)を、また窒素源としてアンモニア(NH3)であった。これらの原料ガスを、窒素ガスあるいは水素ガスで希釈しながら有機金属気相成長結晶炉に供給し、ヒーター加熱した炉内で熱化学反応を生ぜしめ、結晶成長を行った。成長温度は、GaNバッファ層2を作製する際には550℃、GaN結晶3を作製する際には960℃であった。
As shown in FIG. 1 (a), on the
次に、図1(b)に示すように、作製したGaN結晶3から、(11−20)の表面が現われるような、一辺がおよそ5ミクロンの長さを持つ複数個の直方体の結晶塊4を、研削研磨加工を施して切り出した。図1(c)は、切り出した直方体の結晶塊4を示している。
Next, as shown in FIG. 1B, a plurality of rectangular
一方、図1(d)に示すように、窒化ガリウム結晶成長のための基板として、別途サファイア基板5を準備し、この上に、プラズマCVD法を用いて、マスク膜であるシリコン酸化膜6を0.3ミクロンの厚さで被覆した。シリコン酸化膜を被覆したサファイヤ基板5に対し、窒化ガリウムからなる結晶塊4を埋め込むことができる、基板に達する深さ2ミクロン、一辺がおよそ5ミクロンの長さを持つ正方形状の複数個の凹部7を形成する。この凹部7の形成にあたっては、レジストマスクを用い、CF4またはCHF3ガスによりシリコン酸化膜6をドライエッチングし、さらにサファイア基板5をシリコン酸化膜6をマスクに用いることによりArガスによりドライエッチングした。
On the other hand, as shown in FIG. 1D, a
その後、図1(e)に示すように、シリコン酸化膜6を被覆したサファイヤ基板5の正方形状の複数個の凹部に、直方体の結晶塊4を、その上部表面が(11−20)の同一面方位となるようにして、サファイヤ基板5の複数個の凹部7に埋め込んだ。この際に、埋め込まれた窒化ガリウムからなる結晶塊4の表面と、シリコン酸化膜6を被覆後の表面とが、ほぼ同一の高さとなるようにした。さらに、650℃の窒素雰囲気で、15分、熱処理を行い、直方体の結晶塊4とサファイヤ基板5との間の密着性を高めた。
Thereafter, as shown in FIG. 1 (e), a rectangular
最後に、図1(f)に示すように、(11−20)の同一面方位を表面に有する複数個の窒化ガリウムからなる結晶塊4を種として、気相成長法を用い、(11−20)の結晶面方位を表面に有する窒化ガリウム結晶8を選択横方向成長させた。
Finally, as shown in FIG. 1 (f), a vapor phase growth method is used with a
本実施例1においては、(11−20)の同一面方位を表面に有する複数個の窒化ガリウムからなる結晶塊4を種として、(11−20)の結晶面方位を表面に有する窒化ガリウム結晶を選択横方向成長させたが、他の任意の面、例えば、(1−100)、(11−22)、(1―101)等の面であっても、同様に結晶成長させることができる。
In the first embodiment, a gallium nitride crystal having a crystal plane orientation of (11-20) on the surface with a
窒化ガリウムからなる結晶塊4は、ほぼ直方体であったが、表面が所望の任意の同一面方位を有する平らな面でありさえすれば、例えば、三角柱構造、四角柱構造、円柱、断面視台形構造、三角錐構造や四角錐構造であっても、同様な効果が期待できる。この際には、サファイヤ基板5に形成する複数個の凹部7も、結晶塊4と一致した、それぞれ三角柱構造、四角柱構造、台形構造、三角錐構造や四角錐構造であることが望ましい。
The
本実施例においては、一辺がおよそ5ミクロンの長さを持つ正方形状の窒化ガリウムからなる結晶塊4を用いたが、窒化ガリウムからなる結晶塊4の特徴的な長さは、1〜300ミクロン程度であっても、同様な効果が期待できる。
In the present embodiment, the
任意の面を有する直方体の結晶塊4の作製方法としては、図1(a)〜(c)において説明した方法以外に、例えば特許文献1に記載されているような窒化ガリウム結晶作成方法を用い、成長温度、成長圧力及びIII族とV族とのガス供給比を変えることにより、種々の面方位を持つ結晶を作り、これを用いる方法も有効であった。
In addition to the method described in FIGS. 1A to 1C, for example, a gallium nitride crystal manufacturing method as described in
図2に、その具体的な作製方法を示す。図2(a)のような断面がM面(1−100)となり、紙面に垂直に奥行き方向に延びるストライプ構造を用い、成長温度950℃及び成長圧力220Torrの条件にて成長させると、側面が(11−22)となるような三角柱構造11が成長してくる。この三角柱構造11を、図2(b)のように切り出し、その後、図2(c)のようにM面(1−100)に平行となる面で分割することにより、M面(1−100)を有する三角柱構造の結晶塊412が形成された。なお、側面(11−22)を利用することもできた。この結晶塊4を用いることにより、M面(1−100)及び(11−22)を表面に持つ結晶を、選択横方向成長させることができた。
FIG. 2 shows a specific manufacturing method thereof. When the cross-section as shown in FIG. 2 (a) is an M plane (1-100), and a stripe structure extending in the depth direction perpendicular to the paper surface is used and grown under conditions of a growth temperature of 950 ° C. and a growth pressure of 220 Torr, the side surface becomes The
図3は、成長温度及びストライプ方向を変えることにより、特許文献1に基づいてどのような面方位を持つ結晶を作ることができたかを示している。(11−20)、(1−100)、(11−22)、(1―101)等の結晶面方位を表面に有する三角柱構造、四角柱構造、台形構造の結晶塊4を、これにより作製することができた。
FIG. 3 shows what plane orientation a crystal can be made based on
図4は、任意の結晶塊13と、これを埋め込む凹部7との関係を示したものである。結晶塊13は、凹部7より、幾分小さい方が、埋め込みやすかった。典型的には、凹部7と結晶塊13との間には0.01ミクロン〜0.3ミクロンぐらいの隙間がある方が、容易に埋め込むことができた。
FIG. 4 shows the relationship between an
図5は、任意の結晶塊13を、凹部7に効率良く埋め込むために用いた1つの方法を示したものである。すなわち、容器15の中に、凹部7が形成されている基板14を底部に固定し、この中を、アセトン、ソルファイン、メタノール等の有機溶媒で満たし、さらにこの中に凹部7の数よりも多い所望の面方位を有する結晶塊13を入れて密閉し、その後この容器を、周波数0.2〜1000Hzぐらいの周波数にて、5分から1時間程度良く振動させる。これにより、大部分の凹部7に結晶塊13が、ほぼ所望の方向に入った。
FIG. 5 shows one method used to efficiently embed an
凹部7に入る結晶塊13の方向が所望の方向となるようにするためには、結晶塊13のたて、横、及び高さがお互いに1.5倍程度以上異なる方が好ましかった。さらに、結晶塊13の表裏までを制御して凹部7に埋め込むために、結晶塊13において、その表側あるいは裏側が、その逆側よりも若干面積を小さくした相似形状にすることが有効であった。
In order to make the direction of the
本実施例1においては、基板5として、サファイアを用いたが、シリコン、SiCあるいはGaAsを基板として用いても、同様な効果が期待できる。さらに、基板上の結晶成長手段として、MOCVDを用いたが、HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)法やMBE法(Molecular Beam Epitaxy法)等の成長手段を用いても構わない。さらに、GaN基板そのものを用いることも有効である。また、マスク膜として、シリコン酸化膜6を用いたが、シリコン窒化膜を用いることも有効である。窒化ガリウムからなる結晶塊4は、基板5上に、ほぼ等間隔に配置すると、より効果的である。また、窒化ガリウムからなる結晶塊4の、基板5上への配置間隔については、図1(e)に示すように、隣接する2つの結晶塊4との間の距離cを結晶塊4の横方向の長さaにより除して得られた値が0.1以上10以下であることが有効である。熱処理方法として、600℃〜900℃の窒素雰囲気で、10秒から30分、加熱する場合であっても、同様な効果が期待できる。また、熱処理方法として、マイクロ波で加熱することも有効である。
In the first embodiment, sapphire is used as the
さらに、本実施例1においては、図1(d)〜(f)で説明したように、基板5の上にマスク膜6を被覆したが、これは図1(f)で示される選択横方向成長する際に、窒化ガリウム結晶8とマスク膜6との間に働く界面ストレスが、窒化ガリウム結晶8と基板5との間に働く界面ストレスよりも小さいため、マスク膜6を被覆することにより、転位発生や結晶の傾き等の結晶性劣化が抑制されるためである。
Further, in the first embodiment, as described with reference to FIGS. 1D to 1F, the
図6は、本実施例1において、マスク膜6を被覆せずに行った場合の2つの例である。図6(a)は、埋め込まれた窒化ガリウムからなる結晶塊4の表面が、基板5の表面より高くなるようにした場合である。また、図6(b)は、埋め込まれた窒化ガリウムからなる結晶塊4の表面と、基板5の表面とが、ほぼ同一の高さとなるようにした場合である。両者とも、同様に、比較的良好な結晶が得られたが、接合面16近傍において、転位発生や結晶の傾き等の結晶性劣化が観測された。
FIG. 6 shows two examples in the case where the first embodiment is performed without covering the
(実施例2)
図7は、本発明の実施例2における任意の結晶面方位を表面に有する窒化ガリウム結晶の製作工程を模式的に示した図である。図7において、図1と同じ構成部については、同じ符号を用いて説明する。
(Example 2)
FIG. 7 is a diagram schematically showing a manufacturing process of a gallium nitride crystal having an arbitrary crystal plane orientation on the surface in Example 2 of the present invention. In FIG. 7, the same components as those in FIG. 1 will be described using the same reference numerals.
図7(a)に示すように、サファイア基板1上に、下から順に、GaNバッファ層2を0.1ミクロン、この上にGaN結晶3を400ミクロン、HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)法を用いて結晶成長させた。用いた原料ガスは、GaとHClの反応で得られるGaClと窒素源であるアンモニア(NH3)であった。基板を反応管にセットし、これらの原料ガスを、水素ガスで希釈しながら供給し、ヒーター加熱した炉内で熱化学反応を生ぜしめ、結晶成長を行った。成長温度は、GaNバッファ層2を作製する際には500℃、GaN結晶3を作製する際には1000℃であった。
As shown in FIG. 7A, on the
次に、図7(b)に示すように、作製したGaN結晶3から、(11−22)の表面が現われるような、一辺がおよそ30ミクロン×50ミクロンの長さを持つ複数個の直方体の結晶塊4を、研削研磨加工を施してして切り出す。図7(c)は、切り出した直方体の結晶塊4を示している。
Next, as shown in FIG. 7B, a plurality of rectangular parallelepipeds each having a length of about 30 μm × 50 μm so that the surface of (11-22) appears from the produced
一方、図7(d)に示すように、窒化ガリウム結晶成長のための基板として、別途サファイア基板5を準備し、サファイヤ基板5に対し、窒化ガリウムからなる結晶塊4を埋め込むことのできる深さ5ミクロン、一辺がおよそ30ミクロン×50ミクロンの長さを持つ長方形状の複数個の凹部7を形成する。この凹部7の形成にあたっては、レジストマスクを用いArガスによりサファイア基板5をドライエッチングした。
On the other hand, as shown in FIG. 7D, a
その後、図7(e)に示すように、サファイヤ基板5の長方形状の複数個の凹部7に、直方体の結晶塊4を、その上部表面が(11−22)の同一面方位となるようにして、基板5の複数個の凹部7に埋め込んだ。この際に、埋め込まれた窒化ガリウムからなる結晶塊4の表面は、基板5の表面よりも、ほぼ1ミクロン程高くなるようにした。さらに、700℃の窒素雰囲気で、15分、熱処理を行い、直方体の結晶塊4とサファイヤ基板5との間の密着性を高めた。次に、プラズマCVD法を用いて、マスク膜であるシリコン窒化膜9を0.2ミクロンの厚さで被覆する。フォトリソグラフィとドライエッチングを組み合わせて用いることにより、直方体の結晶塊4の頂部シリコン窒化膜9を除去し、上部表面(11−22)が現れるようにする。
Thereafter, as shown in FIG. 7 (e), a rectangular
最後に、図7(f)に示すように、(11−22)の同一面方位を表面に有する複数個の窒化ガリウムからなる結晶塊4を種として、気相成長法を用い、(11−22)の結晶面方位を表面に有する窒化ガリウム結晶8を選択横方向成長させた。
Finally, as shown in FIG. 7 (f), a vapor phase growth method is used with a
本実施例2においては、図7(e)及び(f)で示されるように、埋め込まれた窒化ガリウムからなる結晶塊4の表面より飛び出した部分の側壁にもマスク膜9が被覆されているが、結晶塊4の側壁にマスク膜9が被覆されていない場合であっても同等に近いレベルの効果が期待できる。図8は、本発明の実施例2において、側壁にマスク膜9が被覆されていない場合の例である。結晶塊4の側壁にもマスク膜9が被覆されている図7(f)で示される場合には、空隙部17が形成され、窒化ガリウム結晶8とマスク膜6との間に働く界面ストレスが少なくなるため、結晶性が特に良かったが、側壁にマスク膜が被覆されていない図8で示される場合には、接合面16近傍において、転位発生や結晶の傾き等の結晶性劣化が若干観測された。
In the second embodiment, as shown in FIGS. 7E and 7F, the
(実施例3)
図9は、本発明の実施例3における任意の結晶面方位を表面に有する窒化ガリウム結晶の製作工程を模式的に示した図である。図9において、図1と同じ構成部については、同じ符号を用いて説明する。
(Example 3)
FIG. 9 is a diagram schematically showing a manufacturing process of a gallium nitride crystal having an arbitrary crystal plane orientation on the surface in Example 3 of the present invention. 9, the same components as those in FIG. 1 will be described using the same reference numerals.
図9(a)に示すように、サファイア基板1上に、下から順に、GaNバッファ層2を0.1ミクロン、この上にGaN結晶3を20ミクロン、有機金属気相成長結晶法(MOCVD法)を用いて結晶成長させた。用いた原料ガスは、Ga源としてトリメチルガリウム(TMG)を、また窒素源としてアンモニア(NH3)である。これらの原料ガスを、窒素ガスあるいは水素ガスで希釈しながら有機金属気相成長結晶炉に供給し、ヒーター加熱した炉内で熱化学反応を生ぜしめ、結晶成長を行った。成長温度は、GaNバッファ層2を作製する際には550℃、GaN結晶3を作製する際には960℃であった。
As shown in FIG. 9 (a), on the
次に、図9(b)に示すように、作製したGaN結晶3から、(1−100)の表面が現われるような、一辺がおよそ5ミクロンの長さを持つ複数個の直方体の結晶塊4を、研削研磨加工を施してして切り出す。図9(c)は、切り出した直方体の結晶塊4を示している。
Next, as shown in FIG. 9B, a plurality of rectangular
一方、図9(d)に示すように、窒化ガリウム結晶成長のための基板として、別途シリコン酸化膜基板10を準備し、SiO2基板10に対し、窒化ガリウムからなる結晶塊4を埋め込むことのできる深さ3ミクロン、一辺がおよそ5ミクロンの長さを持つ正方形状の複数個の凹部7を形成する。この凹部7の形成にあたっては、レジストマスクを用い、CF4またはCHF3ガスによりシリコン酸化膜基板10をドライエッチングした。
On the other hand, as shown in FIG. 9D, a silicon
その後、図9(e)に示すように、SiO2基板10の正方形状の複数個の凹部7に、直方体の結晶塊4を、その上部表面が(1−100)の同一面方位となるようにして、基板の複数個の凹部7に埋め込んだ。この際に、埋め込まれた窒化ガリウムからなる結晶塊4の表面と、SiO2基板10の表面とが、ほぼ同一の高さとなるようにした。
Thereafter, as shown in FIG. 9 (e), a rectangular
最後に、図9(f)に示すように、(1−100)の同一面方位を表面に有する複数個の窒化ガリウムからなる結晶塊4を種として、気相成長法を用い、(1−100)の結晶面方位を表面に有する窒化ガリウム結晶8を選択横方向成長させた。
Finally, as shown in FIG. 9F, a vapor phase growth method is used by using as a seed a
本実施例3においては、基板として、シリコン酸化膜を用いたが、シリコン窒化膜を基板として用いても、同様な効果が期待できる。さらに、GaNよりも熱膨張率の大きなAl等の金属基板を用いることも有効であった。これは、基板として、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜を用いた場合には、窒化ガリウム結晶8と基板との界面ストレスは小さくなるものの、結晶塊4と凹部7との間の付着が十分に満足されず、場合によっては結晶塊4が凹部7からはずれやすくなるため、まず結晶塊4と基板をある程度高温にしてから結晶塊4を凹部7に埋め込み、その後冷却すると、凹部7の寸法収縮量が結晶塊4のそれより大きいため、結晶塊4と凹部7との間の付着固定が改善されるためである。
In the third embodiment, a silicon oxide film is used as the substrate, but the same effect can be expected even when a silicon nitride film is used as the substrate. Furthermore, it is also effective to use a metal substrate such as Al having a higher thermal expansion coefficient than GaN. This is because, when a silicon oxide film or silicon nitride film is used as the substrate, the interface stress between the
さらに、本実施例1〜3においては、窒化ガリウムからなる結晶塊4を、基板上の窒化ガリウム結晶成長により作製し、これを切り出して作製したが、バルク窒化ガリウム結晶から切り出して作製しても同様の効果が期待でき、その場合には、小型のバルク窒化ガリウム結晶を大型化する手段となり得る。
Further, in Examples 1 to 3, the
本発明は、任意の結晶面方位を表面に有する窒化ガリウム結晶を作成することができ、その産業上の利用可能性は非常に広くかつ大きい。 The present invention can produce a gallium nitride crystal having an arbitrary crystal plane orientation on its surface, and its industrial applicability is very wide and large.
このようにして得られた窒化ガリウム結晶8の表面にn型半導体、活性層、およびp型半導体を成長させて窒化ガリウム半導体レーザ素子や半導体発光素子を形成し得る。また、結晶塊4にレーザなどを照射したり、基板5や酸化シリコン膜6を研磨することにより、得られた窒化ガリウム結晶8と基板5とを分離して、窒化ガリウム結晶8からなる窒化ガリウム基板を得てもよい。もちろん、このようにして基板5から分離された窒化ガリウム結晶8からなる窒化ガリウム基板の表面に、n型半導体、活性層、およびp型半導体を成長させて窒化ガリウム半導体レーザ素子や半導体発光素子を形成し得る。得られた窒化ガリウム半導体レーザ素子は、光ディスク等の書き込みおよび読み出し用の光源として用いられ得る。
An n-type semiconductor, an active layer, and a p-type semiconductor can be grown on the surface of the
1 サファイア基板
2 GaNバッファ層
3GaN結晶
4 直方体の結晶塊
5 サファイア基板
6 シリコン酸化膜
7 凹部
8 窒化ガリウム結晶
9 シリコン窒化膜
10 シリコン酸化膜基板
11 三角柱構造
12 三角柱構造の結晶塊
13 任意の結晶塊
14 基板
15 容器
16 接合面
17 空隙部
DESCRIPTION OF
Claims (25)
前記マスク膜を被覆した基板に対し、前記窒化ガリウムからなる結晶塊4を埋め込むことのできる複数個の凹部を形成する工程と、
前記複数個の窒化ガリウムからなる結晶塊4を、その上部表面が同一面方位となるようにして、前記基板の複数個の凹部に埋め込み固定する工程と、
さらに熱処理を行う工程と、
その後、前記同一面方位を表面に有する複数個の窒化ガリウムからなる結晶塊4を種として、気相成長法を用い、任意の結晶面方位を表面に有する窒化ガリウム結晶を成長させる工程と
を有する窒化ガリウム結晶作成方法。 Producing a plurality of fine gallium nitride (GaN) crystal masses 4 having arbitrary plane orientations on the surface;
Forming a plurality of recesses capable of embedding the crystal mass 4 made of gallium nitride in the substrate coated with the mask film;
Embedding and fixing the plurality of gallium nitride crystal masses 4 in the plurality of recesses of the substrate such that the upper surface thereof has the same plane orientation;
A further heat treatment step,
And a step of growing a gallium nitride crystal having an arbitrary crystal plane orientation on the surface by using a vapor phase growth method using the crystal mass 4 made of a plurality of gallium nitrides having the same plane orientation on the surface as a seed. Method for making gallium nitride crystal.
窒化ガリウム結晶成長のための基板に、前記窒化ガリウムからなる結晶塊4を埋め込むことのできる複数個の凹部を形成する工程と、
前記複数個の窒化ガリウムからなる結晶塊4を、その上部表面が同一面方位となるようにし、かつ前記窒化ガリウムからなる結晶塊4の表面が前記基板の表面より高くなるようにして、前記基板の複数個の凹部に前記窒化ガリウムからなる結晶塊4を埋め込み固定する工程と、
さらに熱処理を行う工程と、
前記複数個の窒化ガリウムからなる結晶塊4を埋め込んだ前記基板にマスク膜を被覆する工程と、
その後前記複数個の窒化ガリウムからなる結晶塊4の頂部表面のマスク膜をエッチングにより除去する工程と、
前記同一面方位を有する複数個の窒化ガリウムからなる結晶塊4を種として、気相成長法を用い、任意の面方位を表面に有する窒化ガリウム結晶を成長させる工程と
を有する窒化ガリウム結晶作成方法。 Producing a plurality of fine gallium nitride (GaN) crystal masses 4 having arbitrary plane orientations on the surface;
Forming a plurality of recesses capable of embedding the crystal mass 4 made of gallium nitride in a substrate for gallium nitride crystal growth;
The plurality of gallium nitride crystal masses 4 are arranged so that the upper surface thereof has the same plane orientation, and the surface of the gallium nitride crystal mass 4 is higher than the surface of the substrate. A step of embedding and fixing the crystal mass 4 made of gallium nitride in the plurality of recesses;
A further heat treatment step,
A step of coating a mask film on the substrate embedded with the crystal lumps 4 made of the plurality of gallium nitrides;
A step of removing the mask film on the top surface of the plurality of gallium nitride crystal masses 4 by etching;
A method of growing a gallium nitride crystal having a surface having an arbitrary plane orientation by using a vapor phase growth method, using the plurality of gallium nitride crystals 4 having the same plane orientation as a seed. .
窒化ガリウム結晶成長のための基板に対し、前記窒化ガリウムからなる結晶塊4を埋め込むことのできる複数個の凹部を形成する工程と、
前記複数個の窒化ガリウムからなる結晶塊4を、その上部表面が同一面方位となるようにして、前記基板の複数個の凹部に埋め込み固定する工程と、
さらに熱処理を行う工程と、
その後前記同一面方位を表面に有する複数個の窒化ガリウムからなる結晶塊4を種として、気相成長法を用い、任意の結晶面方位を表面に有する窒化ガリウム結晶を成長させる工程と
を有する窒化ガリウム結晶作成方法。 Producing a plurality of fine gallium nitride (GaN) crystal masses 4 having arbitrary plane orientations on the surface;
Forming a plurality of recesses capable of embedding the gallium nitride crystal mass 4 in a substrate for gallium nitride crystal growth;
Embedding and fixing the plurality of gallium nitride crystal masses 4 in the plurality of recesses of the substrate such that the upper surface thereof has the same plane orientation;
A further heat treatment step,
And a step of growing a gallium nitride crystal having an arbitrary crystal plane orientation on the surface by using a vapor phase growth method using the plurality of gallium nitride crystals 4 having the same plane orientation on the surface as a seed. Gallium crystal production method.
前記第1の窒化ガリウム結晶層の上部に、基板面方向に延びる複数の凸部を形成する工程と、
互いに隣接する前記凸部同士に挟まれてなる凹部の底面を覆うマスク膜を形成する工程と、
前記第1の窒化ガリウム結晶層の上に、前記マスク膜から露出する前記各凸部の頂面を種結晶として第2の窒化ガリウム結晶層を形成する工程と、
隣接する前記第2の窒化ガリウム結晶層同士が接触しない段階で結晶成長を中止する工程と、
前記第2の窒化ガリウム結晶層のみを切り出す工程と、
切り出した前記第2の窒化ガリウム結晶層を、さらに前記基板面に対してほぼ垂直方向に切ることにより分割して作製することを特徴とする請求項1、5、8及び9に記載の窒化ガリウム結晶作成方法。 Forming a first gallium nitride crystal layer on a substrate;
Forming a plurality of protrusions extending in the substrate surface direction on the first gallium nitride crystal layer;
Forming a mask film covering a bottom surface of a concave portion sandwiched between the convex portions adjacent to each other;
Forming a second gallium nitride crystal layer on the first gallium nitride crystal layer by using a top surface of each convex portion exposed from the mask film as a seed crystal;
Stopping the crystal growth at a stage where the adjacent second gallium nitride crystal layers are not in contact with each other;
Cutting out only the second gallium nitride crystal layer;
10. The gallium nitride according to claim 1, 5, 8, or 9, wherein the cut second gallium nitride crystal layer is further divided by cutting in a direction substantially perpendicular to the substrate surface. 11. Crystal production method.
9. The method for producing a gallium nitride crystal according to claim 1, wherein heating is performed by microwaves as the heat treatment method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003402601A JP2005162526A (en) | 2003-12-02 | 2003-12-02 | Method for making gallium nitride crystal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003402601A JP2005162526A (en) | 2003-12-02 | 2003-12-02 | Method for making gallium nitride crystal |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005162526A true JP2005162526A (en) | 2005-06-23 |
Family
ID=34726125
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003402601A Pending JP2005162526A (en) | 2003-12-02 | 2003-12-02 | Method for making gallium nitride crystal |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005162526A (en) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008059875A1 (en) | 2006-11-17 | 2008-05-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process for producing group iii element nitride crystal |
JP2008133151A (en) * | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Method of growing crystal, crystal substrate, and semiconductor device |
EP2128309A1 (en) | 2008-05-28 | 2009-12-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing III nitride crystal, III nitride crystal substrate, and semiconductor device |
US8524575B2 (en) | 2009-06-29 | 2013-09-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Group III nitride crystal and method for producing the same |
JP2014039028A (en) * | 2007-07-19 | 2014-02-27 | Mitsubishi Chemicals Corp | Group iii nitride semiconductor substrate and cleaning method of the same |
US9064706B2 (en) | 2006-11-17 | 2015-06-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Composite of III-nitride crystal on laterally stacked substrates |
JP2016150864A (en) * | 2015-02-17 | 2016-08-22 | 古河機械金属株式会社 | Group iii nitride semiconductor substrate, and production method of group iii nitride semiconductor substrate |
JP2016150865A (en) * | 2015-02-17 | 2016-08-22 | 古河機械金属株式会社 | Group iii nitride semiconductor substrate, and production method of group iii nitride semiconductor substrate |
-
2003
- 2003-12-02 JP JP2003402601A patent/JP2005162526A/en active Pending
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9064706B2 (en) | 2006-11-17 | 2015-06-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Composite of III-nitride crystal on laterally stacked substrates |
US8258051B2 (en) | 2006-11-17 | 2012-09-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing III-nitride crystal, and semiconductor device utilizing the crystal |
WO2008059875A1 (en) | 2006-11-17 | 2008-05-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process for producing group iii element nitride crystal |
US8872309B2 (en) | 2006-11-17 | 2014-10-28 | Sumitomo Electronic Industries, Ltd. | Composite of III-nitride crystal on laterally stacked substrates |
US8709923B2 (en) * | 2006-11-17 | 2014-04-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing III-nitride crystal |
US8404042B2 (en) * | 2006-11-17 | 2013-03-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Group-III nitride crystal composite |
US20130160699A1 (en) * | 2006-11-17 | 2013-06-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of Manufacturing III-Nitride Crystal |
JP2008133151A (en) * | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Method of growing crystal, crystal substrate, and semiconductor device |
JP2014039028A (en) * | 2007-07-19 | 2014-02-27 | Mitsubishi Chemicals Corp | Group iii nitride semiconductor substrate and cleaning method of the same |
US7964477B2 (en) | 2008-05-28 | 2011-06-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing III nitride crystal, III nitride crystal substrate, and semiconductor device |
EP2128309A1 (en) | 2008-05-28 | 2009-12-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing III nitride crystal, III nitride crystal substrate, and semiconductor device |
US8524575B2 (en) | 2009-06-29 | 2013-09-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Group III nitride crystal and method for producing the same |
US8847363B2 (en) | 2009-06-29 | 2014-09-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for producing group III nitride crystal |
US9368568B2 (en) | 2009-06-29 | 2016-06-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Group III nitride crystal substrates and group III nitride crystal |
JP2016150864A (en) * | 2015-02-17 | 2016-08-22 | 古河機械金属株式会社 | Group iii nitride semiconductor substrate, and production method of group iii nitride semiconductor substrate |
JP2016150865A (en) * | 2015-02-17 | 2016-08-22 | 古河機械金属株式会社 | Group iii nitride semiconductor substrate, and production method of group iii nitride semiconductor substrate |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5638198B2 (en) | Laser diode orientation on miscut substrates | |
JP5406871B2 (en) | Method of manufacturing nitride semiconductor structure and light emitting diode | |
JP3139445B2 (en) | GaN-based semiconductor growth method and GaN-based semiconductor film | |
JP3987660B2 (en) | Nitride semiconductor structure, manufacturing method thereof, and light emitting device | |
KR101470809B1 (en) | Manufacturing of low defect density free-standing gallium nitride substrates and devices fabricated thereof | |
JP5244487B2 (en) | Gallium nitride growth substrate and method for manufacturing gallium nitride substrate | |
US20080099781A1 (en) | Method of manufacturing III group nitride semiconductor thin film and method of manufacturing III group nitride semiconductor device using the same | |
KR20080075914A (en) | Process for growth of low dislocation density gan | |
JP2008177586A (en) | GaN SYSTEM SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD | |
KR101020473B1 (en) | Light Emitting Device and Method For Fabricating The Same | |
JP2006347863A (en) | Manufacturing method of group 3-5 nitride semiconductor laminated substrate, and group 3-5 nitride semiconductor independence substrate, and semiconductor element | |
JP4996448B2 (en) | Method for creating a semiconductor substrate | |
JP2010521810A (en) | Semiconductor heterostructure and its manufacture | |
JP3795771B2 (en) | Group III nitride semiconductor substrate for ELO | |
JP2017522721A (en) | Method of manufacturing a semiconductor material including a semipolar group III nitride layer | |
JP2006060164A (en) | Nitride semiconductor device and method of growing nitride semiconductor crystal | |
JP2005162526A (en) | Method for making gallium nitride crystal | |
KR19990016925A (en) | Baline single crystal manufacturing method | |
JP4016062B2 (en) | Nitride semiconductor structure, manufacturing method thereof, and light emitting device | |
JP2001148348A (en) | Gab SEMICONDUCTOR ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD | |
JP4055303B2 (en) | Gallium nitride compound semiconductor and semiconductor device | |
JP3634243B2 (en) | Method for producing group III nitride semiconductor single crystal and method for using group III nitride semiconductor single crystal | |
JP4140595B2 (en) | Gallium nitride compound semiconductor | |
JP2003007627A (en) | Method of manufacturing gallium nitride compound semiconductor | |
JP2002338396A (en) | Nitride semiconductor substrate and method for producing the same |