JP2005150687A - 半導体記憶装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 115
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 87
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 84
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 72
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 49
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 49
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 28
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 3
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 53
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 56
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 42
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 24
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 14
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 6
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】半導体基板101上の所定の領域に素子分離領域102を形成した後、不揮発性メモリ部のトラップ膜となるONO膜121を不揮発性メモリ部及び論理回路部に形成することにより素子分離領域102を保護する。続いて、不揮発性メモリ部の形成を行い、さらに論理回路部において周辺トランジスタのウェル形成及びしきい値電圧の調整のためのイオン注入を行った後、ONO膜121を除去し、所定の位置にゲート電極を形成する。
【選択図】図1
Description
図1〜図3は本発明の第1の実施形態に係る半導体記憶装置の製造方法の各工程における断面構造を示している。なお図1〜図3において左側の領域は不揮発性メモリ部を示し、右側の領域は論理回路部を示す。
図4〜図6は本発明の第2の実施形態に係る半導体記憶装置の製造方法の各工程における断面構造を示している。なお図1〜図3において左側の領域は不揮発性メモリ部を示し、右側の領域は論理回路部を示す。
図7〜図11は本発明の第3の実施形態に係る半導体記憶装置の製造方法の各工程における断面構造を示している。なお図7〜図11において左側の領域は不揮発性メモリ部を示し、右側の領域は論理回路部を示す。
図12〜図16は本発明の第4の実施形態に係る半導体記憶装置の製造方法の各工程における断面構造を示している。なお図12〜図16において左側の領域は不揮発性メモリ部を示し、右側の領域は論理回路部を示す。
図17は、本発明に係る半導体記憶装置の製造方法により製造された半導体記憶装置のゲート絶縁膜の総破壊電荷量(Qbd)をワイブルプロットした結果を示している。なお、測定に用いた半導体記憶装置は、第1の実施形態において示した方法により製造し、比較のための従来の半導体記憶装置としては、論理回路部にONO膜を設けずに製造した半導体記憶装置を用いた。ただし、いずれもゲート絶縁膜の膜厚は15nmとしている。また、測定に用いた半導体記憶装置のトランジスタアレイの合計面積は0.04cm2であり、測定の際の印加電流は−100mA/cm2とした。
102 素子分離領域
103 下部酸化膜
104 シリコン窒化膜
105 上部酸化膜
106A フォトレジスト
106B フォトレジスト
106C フォトレジスト
106D フォトレジスト
106E フォトレジスト
107 n型不純物拡散層
108 拡散層上絶縁膜
109 ゲート絶縁膜
111 サイドウォール
112 低濃度拡散層
113 高濃度拡散層
121 ONO膜
301 半導体基板
302 素子分離領域
303 下部酸化膜
304 シリコン窒化膜
305 上部酸化膜
306A フォトレジスト
306B フォトレジスト
306C フォトレジスト
306D フォトレジスト
306E フォトレジスト
306F フォトレジスト
306G フォトレジスト
306H フォトレジスト
306I フォトレジスト
309 ゲート絶縁膜
311 サイドウォール
312 低濃度拡散層
313 高濃度拡散層
314 トンネル絶縁膜
315 多結晶シリコン膜
316 多結晶シリコン膜
317 ソース及びドレイン拡散層
321 ONO膜
322 2重ゲート構造
323 ゲート電極
Claims (10)
- 半導体基板の上に論理回路部と不揮発性メモリ部とが設けられた半導体記憶装置の製造方法であって、
前記半導体基板にトレンチ溝を形成し、形成した前記トレンチ溝に絶縁膜を埋め込むことにより、素子分離領域を形成する工程と、
前記半導体基板における前記論理回路部及び前記不揮発性メモリ部の上に絶縁性材料からなる保護膜を形成する工程と、
前記半導体基板における前記論理回路部の所定の領域に不純物イオンを選択的に導入する工程と、
前記論理回路部の上に形成した保護膜を除去する工程とを備え、
前記不純物イオンを導入する工程は、前記保護膜を除去する工程よりも前に行うことを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。 - 前記保護膜は、前記不揮発性メモリ部において電荷を蓄積するトラップ膜として機能することを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置の製造方法。
- 前記素子分離領域を形成する工程よりも後で且つ前記保護膜を形成する工程よりも前に、前記半導体基板における前記不揮発性メモリ部の上に第1の導電性膜を形成する工程と、
前記保護膜を形成する工程よりも後に、前記保護膜の上に第2の導電性膜を形成する工程とをさらに備え、
前記保護膜は、前記第1の導電性膜と第2の導電性膜との間を絶縁する絶縁膜として機能することを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置の製造方法。 - 前記保護膜は、前記トレンチ溝に埋め込まれた前記絶縁膜と比べてフッ化水素酸に対するエッチングレートが低い材料からなることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体記憶装置の製造方法。
- 前記保護膜は、前記トレンチ溝に埋め込まれた前記絶縁膜と比べてアンモニア水と過酸化水素水との混合溶液に対するエッチングレートが低い材料からなることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体記憶装置の製造方法。
- 前記保護膜は、シリコン窒化膜又はシリコン酸窒化膜の単層であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体記憶装置の製造方法。
- 前記保護膜は、シリコン窒化膜又はシリコン酸窒化膜を含む複数の絶縁膜からなる積層膜であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体記憶装置の製造方法。
- 前記積層膜は、シリコン酸化膜と、シリコン窒化膜又はシリコン酸窒化膜と、シリコン酸化膜とが順次積層されて構成されていることを特徴とする請求項7に記載の半導体記憶装置の製造方法。
- 前記不純物を導入する工程は、ウェルを形成する第1の不純物導入工程と、しきい値電圧を制御する第2の不純物導入工程とを含み、
前記第2の不純物導入工程よりも前に、前記複数の絶縁膜のうちの少なくとも1つを選択的に除去する工程を有していることを特徴とする請求項7又は8に記載の半導体記憶装置の製造方法。 - 前記保護膜を選択的に除去する工程よりも後に、
前記論理回路部及び不揮発性メモリ部の上に導電性材料を形成する工程と、
前記導電性材料を選択的にエッチングすることにより前記論理回路部及び前記不揮発性メモリ部にゲート電極を形成する工程とをさらに備えていることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の半導体記憶装置の製造方法
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004222977A JP4117272B2 (ja) | 2003-10-20 | 2004-07-30 | 半導体記憶装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003359641 | 2003-10-20 | ||
JP2004222977A JP4117272B2 (ja) | 2003-10-20 | 2004-07-30 | 半導体記憶装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005150687A true JP2005150687A (ja) | 2005-06-09 |
JP4117272B2 JP4117272B2 (ja) | 2008-07-16 |
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ID=34703015
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004222977A Expired - Fee Related JP4117272B2 (ja) | 2003-10-20 | 2004-07-30 | 半導体記憶装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4117272B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008042170A (ja) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 非揮発性メモリ素子及びその製造方法 |
US7799645B2 (en) | 2007-09-17 | 2010-09-21 | Samsung Electronics Co., Ltd | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2012004403A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体素子の製造方法、半導体メモリの製造方法、及び半導体素子 |
JP2015099892A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008042170A (ja) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 非揮発性メモリ素子及びその製造方法 |
US7799645B2 (en) | 2007-09-17 | 2010-09-21 | Samsung Electronics Co., Ltd | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
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JP2015099892A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
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JP4117272B2 (ja) | 2008-07-16 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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