JP2005149767A - 薄膜形成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 薄膜を形成する部分としない部分とが存在する場合であっても、マスクを用いることなく所定の部分に、厚さが均一な薄膜を形成することができる薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 薄膜を形成しない部分表面の濡れ性を、薄膜を形成する部分表面の濡れ性よりも低くする。
【選択図】 図２
【解決手段】 薄膜を形成しない部分表面の濡れ性を、薄膜を形成する部分表面の濡れ性よりも低くする。
【選択図】 図２
Description
本発明は、薄膜形成方法に関する。
従来から、様々な分野において、ある基板上の所定の部分（つまり、薄膜を形成したい部分）に薄膜を形成することが行われており、その方法としても、印刷法やマスクを用いたスプレー法、さらにはスピンコート法など、多種多様な方法が開発されている。
例えば、有機ＥＬ素子においては、リーク電流の発生を防止するために、画素部分（透明電極上）に高分子正孔注入層を形成することが検討されている（非特許文献１）。
月刊ディスプレイ 2003年9月号 ｐ18〜21
月刊ディスプレイ 2003年9月号 ｐ18〜21
しかしながら、例えば、前記の有機ＥＬ素子における画素部分に印刷法やマスクを用いたスプレー法等によって高分子正孔注入層を形成しようとした場合には、高分子正孔注入層を形成したい部分、つまり画素部分のみに薄膜を形成することは比較的容易であるが、形成された膜の厚さを均一にすることが困難であり、また、マスクを用いた場合には、当該マスクを取り去る際にゴミが発生するといった問題が生じてしまう。
一方、スピンコート法によって高分子正孔注入層を形成しようとした場合には、膜厚を均一に形成することは比較的容易であるが、画素部分にのみ成膜することは非常に困難である。
本発明は、このような問題に鑑みなされたものであり、有機ＥＬ素子における高分子正孔注入層のように、薄膜を形成する部分としない部分とが存在する場合であっても、マスク等を用いることなく所定の部分に、厚さが均一な薄膜を形成することができる薄膜形成方法を提供することを課題の一例とする。
上記課題を解決するための、請求項１に記載の発明は、薄膜を形成する部分としない部分とが存在する場合における薄膜形成方法であって、当該方法は、薄膜を形成しない部分表面の濡れ性を、薄膜を形成する部分表面の濡れ性よりも低くする、濡れ性制御工程を有することを特徴とする。
以下に、本願の薄膜形成方法について、さらに具体的に説明する。
本願の薄膜形成方法は、薄膜を形成する部分としない部分とが存在する場合に特に有効な薄膜形成方法であって、薄膜を形成しない部分表面の濡れ性を、薄膜を形成する部分表面の濡れ性よりも低くする、濡れ性制御工程を有することを特徴とする。
このような薄膜形成方法によれば、濡れ性制御工程を有することで、薄膜を形成する部分としない部分とが存在する場合であっても、薄膜を形成しない部分表面は、その濡れ性が他の部分（つまり、薄膜を形成する部分）よりも低くなっているので、これらの部分を区別することなくその全体に薄膜材料を塗布しても、当該部分に塗布された薄膜材料は、自然と弾かれて薄膜を形成する部分へ移動するか、スピンコートの場合は、薄膜を形成しない部分の外に弾かれることとなり、その結果、薄膜材料を塗布する際にマスクを用いる必要がない。また、薄膜材料を塗布する際には、塗布する部分を区別することなく適当に塗布すればよいので、塗布効率を向上することができ、また、均一に塗布することも可能となる。
以下、本願の薄膜形成方法について、有機ＥＬ素子を製造する場合を例に挙げて説明する。
図１（ａ）は、有機ＥＬ素子の概略正面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す有機ＥＬ素子１０の概略断面図である。図１に示すように、有機ＥＬ素子１０は、基板１１上に、複数の薄層が積層されてなる画素部分１２が形成された構造を呈しており、画素部分１２の周囲には引き出し電極１３’、１８’が配置されている。なお、有機ＥＬ素子１０における画素部分１２とは、基板１１側から順に積層された透明電極（陽極）１３、高分子正孔注入層１４、正孔輸送層１５、発光層１６、電子輸送層１７、および電極（陰極）１８、等の画像を形成する部分の総称である。以下の説明は、有機ＥＬ素子１０の画素部分の中でも特に、透明電極上に高分子正孔注入層を形成する場合について説明をする。つまり、本願の薄膜形成方法を用いて、有機ＥＬ素子１０の画素部分１２に、高分子正孔注入層１４（つまり薄膜）を形成する場合においては、その透明電極１３上が「薄膜を形成する部分」となり、基板１１（引き出し電極１３’を含む）などの透明電極１３以外の部分が「薄膜を形成しない部分」となる。
図２は、本願の方法を、図１に示すような有機ＥＬ素子１０の高分子正孔注入層１４を形成する場合に用いた場合の工程を説明するためのフローチャート図である。
図２に示すように、まず透明基板１１に透明電極（陽極）１３、および引き出し電極１３’を形成するための陽極パターンニング工程が行われる。なお、このパターンニング工程については、本発明の薄膜形成方法は特に限定することはなく、従来公知の方法を任意に採用することができる。
次に、前記陽極パターンニング工程によって透明基板１１上に形成された透明電極１３に対して、濡れ性制御工程Ｓ１を行う。
この濡れ性制御工程Ｓ１は、後述する薄膜材料塗布工程Ｓ２において、高分子正孔注入層形成材料を透明電極１３がすでに形成された透明基板１１表面全体に塗布した際に、高分子正孔注入層を形成しない部分（つまり、基板１１や透明電極１３）表面に塗布された高分子正孔注入層形成材料が自然と弾かれて、高分子正孔注入層を形成する部分（つまり、この後画素部分１２となる部分）表面のみに高分子正孔注入層形成材料が残存するようにするために、高分子正孔注入層を形成しない部分表面の濡れ性を、薄膜を形成する部分表面の濡れ性よりも低くするための工程である。よって、当該工程Ｓ１は、後述する薄膜材料塗布工程Ｓ２において、前記のような作用効果を奏する程度に、薄膜を形成する部分としない部分の表面の濡れ性を制御できればよく、その具体的な方法については、特に限定されることはなく、いかなる方法であってもよい。
薄膜を形成する部分としない部分の表面の濡れ性を制御する（薄膜を形成しない部分表面の濡れ性を、薄膜を形成する部分表面の濡れ性よりも低くする）ための第１の方法としては、薄膜を形成しない部分の表面、言い換えると濡れ性を低くする部分の表面をフッ化物処理することにより、当該部分表面をフッ素で置換する方法を挙げることができる。このようにフッ素処理によるフッ素置換をすることで、当該部分の表面に撥水性を付与することができる。
例えば、図１に示す有機ＥＬ素子１０において、その透明電極１３表面のみに高分子正孔注入層を形成する場合においては、まず、透明基板１３が形成された透明基板１１全体にＵＶオゾン処理等を行い、表面を清浄化する。そして、透明基板１３表面をマスクで覆い、透明基板１３が浸食を受けない程度の短時間にフッ酸（ＨＦ）により処理を行う。
このようなフッ化物処理を施すことにより、マスクで覆われた透明電極１３上（画素部分１２表面）以外の部分の表面がフッ素置換し、この後、当該部分に塗布される高分子正孔注入層形成材料に対する濡れ性を低くすることができる。
また、薄膜を形成する部分としない部分の表面の濡れ性を制御するための第２の方法としては、薄膜を形成しない部分の表面、言い換えると濡れ性を低くする部分の表面にフッ素系の重合膜を成膜する方法を挙げることができる。フッ素置換するのではなく、フッ素系の重合膜を成膜することによっても、前記第１の方法と同様の作用効果を得ることができる。
この第２の方法によって、前記と同様に、有機ＥＬ素子１０の透明電極１３上（画素部分１２表面）のみに高分子正孔注入層１４を形成する場合においては、まず、透明電極１３が形成された透明基板１１全体にＵＶオゾン処理等を行い、表面を清浄化し、その後透明電極１３表面をマスクで覆い、Ｃ４Ｆ８ガスとＨ２ガスを原料としてプラズマ重合法（例えば、ＲＦパワー：０．５９Ｗ／ｃｍ２（１３．５６ＭＨｚ）、成膜時の圧力：１．２Ｔｏｒｒ、Ｃ４Ｆ８ガスの流量：６０ｓｃｃｍ、Ｈ２ガスの流量：５０ｓｃｃｍ）で成膜を行う。
このようなフッ素系重合膜を成膜すことによって、当該部分の濡れ性を低くすることができる。
さらに、薄膜を形成する部分としない部分の表面の濡れ性を制御するための第３の方法としては、薄膜を形成しない部分表面をシランカップリング処理する方法を挙げることができる。前述した第１、第２の方法と異なり、シランカップリング処理することによっても前記方法と同様の作用効果を得ることができる。この第３の方法は、塗膜材料（例えば、高分子正孔注入層形成材料）が水溶性の場合に有効である。
この第３の方法によって、前記と同様に、有機ＥＬ素子１０の透明電極１３上（画素部分１２表面）のみに高分子正孔注入層１４を形成する場合においては、例えば、透明電極１３表面をマスクで覆った状態で基板全体をＨＭＤＳ雰囲気中に１０分間程度放置することで、透明電極１３表面以外の部分にシランカップリング処理を施すか、透明電極１３が形成されている基板全体をマスクすることなく、ＨＭＤＳ雰囲気中に放置し、その後、透明電極１３（画素部分）意外の部分にマスクをして、透明電極１３表面のみをＵＶオゾン処理することにより、透明電極１３表面のシラン化合物を除去することができる。
本願の方法においては、前述してきたような濡れ性制御工程Ｓ１によって、薄膜を形成する部分としない部分の表面の濡れ性を制御しているが、薄膜を形成する部分および薄膜を形成しない部分のそれぞれの表面の濡れ性の具体的数値についても特に限定することはない。つまり、薄膜をしない部分表面の濡れ性が、後述する薄膜材料塗布工程Ｓ２において薄膜材料を全体に塗布した際に、薄膜を形成しない部分表面に塗布された薄膜材料が自然と弾かれて、薄膜を形成する部分表面のみに薄膜材料が残存する程度の濡れ性となっていればよく、塗布する薄膜材料の種類や膜厚などによって、さらには、後述する薄膜材料塗布工程Ｓ２において行われる塗布方法などによって、適宜選択すればよい。
例えば、前述してきた有機ＥＬ素子１０の透明電極１３上（画素部分１２）に高分子正孔注入層を形成する場合においては、透明電極１３（画素部分１２）以外の部分の濡れ性を、「高分子正孔注入層形成材料と、透明電極１３（画素部分１２）以外の部分表面との接触角が４５°以上」となるように濡れ性制御工程Ｓ１を行うことが好ましい。なお、この接触角は、ＪＩＳ Ｒ３２５７（基板ガラス表面のぬれ性試験方法）により測定した値である。
本願の方法においては、前述のような濡れ性制御工程Ｓ１の後、薄膜材料塗布工程Ｓ２を行う。
この薄膜材料塗布工程Ｓ２は、前述してきた濡れ性制御工程Ｓ１によって薄膜を形成する部分としない部分との濡れ性が変化している表面に、薄膜材料に塗布することで、実際に薄膜を形成する工程である。
本願の方法においては、当該薄膜材料塗布工程Ｓ２の具体的な方法を特に限定することはなく、従来公知の様々な方法を任意に選択して用いることができ、例えば、印刷法やスプレー法、さらにはスピンコート法等を挙げることができる。中でも、スピンコート法は、薄膜材料を均一に塗布することができるので好ましい。なお、従来の方法によればスピンコート法は、薄膜を形成する部分としない部分との塗り分けが困難であるため、図１に示すような有機ＥＬ素子１０における画素部分１２にのみ高分子正孔注入層を形成する場合などには不向きな方法であったが、本願の方法は、薄膜材料塗布工程Ｓ２を行う前処理として、濡れ性制御工程Ｓ１を行っているため、薄膜を形成する部分、しない部分にかかわらず、全体にスピンコートしても、薄膜を形成する部分にのみ薄膜材料が付着することとなる。また、薄膜材料塗布工程Ｓ２として、スプレー法を採用する場合においては、従来のようにマスクを用いる必要はない。さらに、印刷法を採用する場合においては、印刷精度が多少低くても所定の部分にのみ薄膜を形成することが可能となる。
また、薄膜材料塗布工程Ｓ２において使用する薄膜材料についても、本願は特に限定することはなく、上述してきた高分子正孔注入層材料以外の材料も適宜選択して使用することができる。
なお、有機ＥＬ素子１０を製造する場合においては、図２に示すように、薄膜材料塗布工程Ｓ２終了後、塗布した高分子正孔注入層材料を焼成させる焼成工程Ｓ３、および他の薄膜（正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電極（陰極））の成膜工程Ｓ４が順次行われる。
このように、薄膜を形成する部分としない部分とが存在する場合における薄膜形成方法であって、薄膜を形成しない部分表面の濡れ性を、薄膜を形成する部分表面の濡れ性よりも低くする、濡れ性制御工程を有することにより、薄膜を形成しない部分表面は、その濡れ性が他の部分（つまり、薄膜を形成する部分）よりも低くなっているので、これらの部分を区別することなくその全体に薄膜材料を塗布しても、当該部分に塗布された薄膜材料は、自然と弾かれて薄膜を形成する部分へ移動することとなり、その結果、薄膜材料を塗布する際にマスクを用いる必要がない。また、薄膜材料を塗布する際には、塗布する部分を区別することなく適当に塗布すればよいので、塗布効率を向上することができ、また、均一に塗布することも可能となる。
また、濡れ性制御工程を薄膜を形成しない部分表面に含フッ素膜を形成する工程としたり、薄膜を形成しない部分表面をフッ素置換する工程とすることによって、効率よく濡れ性をコントロールすることができる。
さらに、このような薄膜形成方法を有機ＥＬ素子の画素部分に高分子正孔注入層を形成する際に用いる、つまり薄膜を形成する部分を有機ＥＬ素子の画素部分とし、形成する薄膜を、高分子正孔注入層とすることにより、画素部分にのみ選択的に高分子正孔注入層を形成することができ、ピンホールやカバーレッジ不足に起因するリーク電流を生じることがない有機ＥＬ素子を提供することが可能となる。
なお、本願は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本願の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本願の技術的範囲に包含される。
例えば、上記実施形態においては、本願を、有機ＥＬ素子の画素部分に高分子正孔注入層を形成する場合に用いる場合を具体例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、液晶表示装置に用いられるカラーフィルタのレジスト形成に本願を応用することも可能である。また、上記実施形態においては、高分子正孔注入層１４を透明電極１３上に形成する場合を具体例に挙げて説明したが、高分子正孔注入層１４は、必ずしも透明電極１３上のみに形成されるものではなく、有機ＥＬ素子１０の種類によっては、絶縁膜上や画素部分の周囲にはみ出して形成される場合もある。
また、上記実施形態においては、濡れ性制御工程として、フッ素置換、およびフッ素系重合膜形成を具体例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、例えば、フッ素系重合膜に代えてポリイミド膜を形成し、その後ポリイミド膜表面をフッ素ガスを用いたプラズマ処理することにより、当該表面に撥水性を付与することで、当該ポリイミド膜を形成した部分としない部分との濡れ性を制御してもよい。なお、この場合においては、薄膜材料塗布工程終了後にポリイミド膜をレーザや酸素プラズマでエッチングして除去することもできる。
１０ 有機ＥＬ素子
１１ 基板
１２ 画素部分
１３ 透明電極（陽極）
１４ 高分子正孔注入層
１５ 正孔輸送層
１６ 発光層
１７ 電子輸送層
１８ 電極（陰極）
１１ 基板
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Claims (5)
- 薄膜を形成する部分としない部分とが存在する場合における薄膜形成方法であって、
当該方法は、薄膜を形成しない部分表面の濡れ性を、薄膜を形成する部分表面の濡れ性よりも低くする、濡れ性制御工程を有することを特徴とする薄膜形成方法。 - 前記濡れ性制御工程が、薄膜を形成しない部分表面に含フッ素膜を形成する工程であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成方法。
- 前記濡れ性制御工程が、薄膜を形成しない部分表面をフッ素置換する工程であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成方法。
- 前記濡れ性制御工程が、薄膜を形成しない部分表面をシランカップリング処理する工程であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成方法。
- 前記薄膜を形成する部分が有機ＥＬ素子の画素部分であり、
形成する薄膜が、高分子正孔注入層である、
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか一の請求項に記載の薄膜形成方法。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09228063A (ja) * | 1996-02-19 | 1997-09-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 撥水・撥油処理方法 |
| JP2000187111A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-07-04 | Seiko Epson Corp | カラーフィルタ基板 |
| JP2003282244A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-10-03 | Seiko Epson Corp | 薄膜、薄膜の製造方法、薄膜製造装置、有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置の製造装置、及び電子機器 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4902645A (en) * | 1987-08-24 | 1990-02-20 | Fujitsu Limited | Method of selectively forming a silicon-containing metal layer |
| US5112439A (en) * | 1988-11-30 | 1992-05-12 | Mcnc | Method for selectively depositing material on substrates |
| JPH07115130A (ja) * | 1993-10-14 | 1995-05-02 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2003309344A (ja) * | 2002-04-18 | 2003-10-31 | Dainippon Printing Co Ltd | 導電性パターン基材の製造方法 |
-
2003
- 2003-11-11 JP JP2003381755A patent/JP2005149767A/ja active Pending
-
2004
- 2004-11-04 US US10/980,806 patent/US20050101041A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09228063A (ja) * | 1996-02-19 | 1997-09-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 撥水・撥油処理方法 |
| JP2000187111A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-07-04 | Seiko Epson Corp | カラーフィルタ基板 |
| JP2003282244A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-10-03 | Seiko Epson Corp | 薄膜、薄膜の製造方法、薄膜製造装置、有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置の製造装置、及び電子機器 |
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