JP2005148415A - El display device - Google Patents

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Hiroshi Takahara
博司 高原
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that there is dispersion of output current and occurrence of display variations in an EL (electroluminescence) display panel caused by displacement of a threshold in a source driver circuit with respect to a light emission display panel such as an EL display panel (a display device) or the like using organic or inorganic EL element. <P>SOLUTION: An electronic volume 501 which generates a precharge voltage is incorporated in a source driver IC14 that outputs a program current. A zero-th gradation precharge voltage is outputted by the operation of an S1 switch. The zero-th gradation precharge voltage is set by an externally attached resistor Ra. Moreover, the range of the precharge voltage is set by externally attached resistors Rb and Rc. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、有機または無機エレクトロルミネッセンス(EL)素子などを用いたEL表示パネル(表示装置)などの自発光表示パネルに関するものである。また、これらの表示パネルなどの駆動回路(IC)などに関するものである。EL表示パネル(表示装置)などの駆動方法と駆動回路およびそれらを用いた情報表示装置などに関するものである。   The present invention relates to a self-luminous display panel such as an EL display panel (display device) using an organic or inorganic electroluminescence (EL) element. The present invention also relates to a drive circuit (IC) such as these display panels. The present invention relates to a driving method and a driving circuit of an EL display panel (display device) and the like, an information display device using them, and the like.

一般に、アクティブマトリクス型表示装置では、多数の画素をマトリクス状に並べ、与えられた映像信号に応じて画素毎に光強度を制御することによって画像を表示する。たとえば、電気光学物質として液晶を用いた場合は、各画素に書き込まれる電圧に応じて画素の透過率が変化する。   In general, in an active matrix display device, an image is displayed by arranging a large number of pixels in a matrix and controlling the light intensity for each pixel in accordance with a given video signal. For example, when liquid crystal is used as the electro-optical material, the transmittance of the pixel changes according to the voltage written to each pixel.

電気光学変換物質として有機エレクトロルミネッセンス(EL)材料を用いたアクティブマトリクス型の画像表示装置は画素に書き込まれる電流に応じて発光輝度が変化する。
液晶表示パネルは、各画素はシャッタとして動作し、バックライトからの光を画素であるシャッタでオンオフさせることにより画像を表示する。有機EL表示パネルは各画素に発光素子を有する自発光型である。そのため、有機EL表示パネルは、液晶表示パネルに比べて画像の視認性が高い、バックライトが不要、応答速度が速い等の利点を有する。
In an active matrix image display device using an organic electroluminescence (EL) material as an electro-optic conversion substance, light emission luminance changes according to a current written to a pixel.
In the liquid crystal display panel, each pixel operates as a shutter, and an image is displayed by turning on and off light from a backlight with a shutter that is a pixel. The organic EL display panel is a self-luminous type having a light emitting element in each pixel. Therefore, the organic EL display panel has advantages such as higher image visibility than the liquid crystal display panel, no backlight, and high response speed.

有機EL表示パネルは各発光素子(画素)の輝度は電流量によって制御される。つまり、発光素子が電流駆動型あるいは電流制御型であるという点で液晶表示パネルとは大きく異なる。   In the organic EL display panel, the luminance of each light emitting element (pixel) is controlled by the amount of current. That is, it is greatly different from the liquid crystal display panel in that the light emitting element is a current drive type or a current control type.

有機EL表示パネルも単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式の構成が可能である。前者は構造が単純であるものの大型かつ高精細の表示パネルの実現が困難である。しかし、安価である。後者は大型、高精細表示パネルを実現できる。しかし、制御方法が技術的に難しい、比較的高価であるという課題がある。現在では、アクティブマトリクス方式の開発が盛んに行われている。アクティブマトリクス方式は、各画素に設けた発光素子に流れる電流を画素内部に設けた薄膜トランジスタ(トランジスタ)によって制御する。   The organic EL display panel can also be configured in a simple matrix system and an active matrix system. Although the former has a simple structure, it is difficult to realize a large and high-definition display panel. However, it is cheap. The latter can realize a large, high-definition display panel. However, there is a problem that the control method is technically difficult and relatively expensive. At present, active matrix systems are actively developed. In the active matrix system, a current flowing through a light emitting element provided in each pixel is controlled by a thin film transistor (transistor) provided in the pixel.

アクティブマトリクス方式の有機EL表示パネルの一画素分の等価回路を図2に示す(たとえば、特許文献1参照)。画素16は発光素子であるEL素子15、第1のトランジスタ(駆動用トランジスタ)11a、第2のトランジスタ(スイッチング用トランジスタ)11bおよび蓄積容量(コンデンサ)19からなる。発光素子15は有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子である。本明細書では、EL素子15に電流を供給(制御)するトランジスタ11aを駆動用トランジスタ11と呼ぶ。また、図2のトランジスタ11bのように、スイッチとして動作するトランジスタをスイッチ用トランジスタ11と呼ぶ。   An equivalent circuit for one pixel of an active matrix organic EL display panel is shown in FIG. 2 (see, for example, Patent Document 1). The pixel 16 includes an EL element 15 that is a light emitting element, a first transistor (driving transistor) 11 a, a second transistor (switching transistor) 11 b, and a storage capacitor (capacitor) 19. The light emitting element 15 is an organic electroluminescence (EL) element. In this specification, the transistor 11 a that supplies (controls) current to the EL element 15 is referred to as a driving transistor 11. A transistor that operates as a switch, such as the transistor 11b in FIG.

有機EL素子15は多くの場合、整流性があるため、OLED(有機発光ダイオード)と呼ばれることがある。図1、図2などでは発光素子15としてダイオードの記号を用いている。   Since the organic EL element 15 often has a rectifying property, it is sometimes called an OLED (organic light emitting diode). In FIG. 1, FIG. 2, etc., the symbol of a diode is used as the light emitting element 15.

本発明における発光素子15はOLEDに限るものではなく、素子15に流れる電流量によって輝度が制御されるものであればよい。たとえば、無機EL素子が例示される。その他、半導体で構成される白色発光ダイオードが例示される。また、発光トランジスタでもよい。また、発光素子15は必ずしも整流性が要求されるものではない。双方向性素子であってもよい。   The light-emitting element 15 in the present invention is not limited to the OLED, and any element can be used as long as the luminance is controlled by the amount of current flowing through the element 15. For example, an inorganic EL element is illustrated. In addition, a white light emitting diode made of a semiconductor is exemplified. Further, a light emitting transistor may be used. In addition, the light emitting element 15 is not necessarily required to have rectification. A bidirectional element may be used.

図2の例では、Pチャンネル型のトランジスタ11aのソース端子(S)をアノードVddとし、EL素子15のカソード(陰極)は接地電位(Vss)に接続される。Nチャンネル型のトランジスタ11aのゲート端子(G)はトランジスタ11bの一端子に接続され、ソース端子(S)はEL素子15に接続され、ドレイン端子(D)はカソード電極に接続されている。   In the example of FIG. 2, the source terminal (S) of the P-channel transistor 11a is the anode Vdd, and the cathode (cathode) of the EL element 15 is connected to the ground potential (Vss). The gate terminal (G) of the N-channel transistor 11a is connected to one terminal of the transistor 11b, the source terminal (S) is connected to the EL element 15, and the drain terminal (D) is connected to the cathode electrode.

画素16を動作させるために、まず、ゲート信号線17を選択状態とし、ソース信号線18に輝度情報を表す電圧の映像信号を印加する。トランジスタ11aが導通し、映像信号が蓄積容量19に充電される。ゲート信号線17を非選択状態とすると、トランジスタ11aがオフになり、トランジスタ11bは電気的にソース信号線18から切り離される。しかし、トランジスタ11aのゲート端子電位は蓄積容量(コンデンサ)19によって安定に保持される。トランジスタ11aを介して発光素子15に流れる電流は、トランジスタ11aのゲート/ドレイン端子間電圧Vgdに応じた値となり、発光素子15はトランジスタ11aを通って供給される電流量に応じた輝度で発光し続ける。
特開平8−234683号公報
In order to operate the pixel 16, first, the gate signal line 17 is selected, and a video signal having a voltage representing luminance information is applied to the source signal line 18. The transistor 11 a is turned on, and the video signal is charged in the storage capacitor 19. When the gate signal line 17 is not selected, the transistor 11a is turned off and the transistor 11b is electrically disconnected from the source signal line 18. However, the gate terminal potential of the transistor 11 a is stably held by the storage capacitor (capacitor) 19. The current flowing through the transistor 11a to the light emitting element 15 has a value corresponding to the gate / drain terminal voltage Vgd of the transistor 11a, and the light emitting element 15 emits light with luminance corresponding to the amount of current supplied through the transistor 11a. to continue.
JP-A-8-234683

液晶表示パネルは、自発光デバイスではないため、バックライトを用いないと画像を表示できないという問題点がある。バックライトを構成するためには所定の厚みが必要であるため、表示パネルの厚みが厚くなるという問題があった。また、液晶表示パネルでカラー表示を行うためには、カラーフィルターを使用する必要がある。そのため、光利用効率が低いという問題点があった。また、色再現範囲が狭いという問題点があった。   Since the liquid crystal display panel is not a self-luminous device, there is a problem that an image cannot be displayed unless a backlight is used. Since a predetermined thickness is required to configure the backlight, there is a problem that the thickness of the display panel is increased. In order to perform color display on the liquid crystal display panel, it is necessary to use a color filter. Therefore, there is a problem that the light utilization efficiency is low. There is also a problem that the color reproduction range is narrow.

有機EL表示パネルは、低温ポリシリコントランジスタアレイを用いてパネルを構成する。しかし、有機EL素子は、電流により発光するため、トランジスタの特性にバラツキがあると、表示ムラが発生するという課題があった。   The organic EL display panel is configured by using a low-temperature polysilicon transistor array. However, since the organic EL element emits light by current, there is a problem that display unevenness occurs when the transistor characteristics vary.

図2に図示する画素構成では、電圧の映像信号をトランジスタ11aで電流信号に変換する。したがって、トランジスタ11aに特性バラツキがあると、変換される電流信号にもバラツキが発生する。通常、トランジスタ11aは50%以上の特性バラツキが発生している。したがって、図2の構成では表示ムラが発生してしまう。   In the pixel configuration shown in FIG. 2, the voltage video signal is converted into a current signal by the transistor 11a. Therefore, if the transistor 11a has a characteristic variation, the current signal to be converted also varies. Normally, the transistor 11a has a characteristic variation of 50% or more. Therefore, display unevenness occurs in the configuration of FIG.

表示ムラは、画素を電流プログラム方式の構成を採用することにより低減することが可能である。電流プログラムを実施するためには、電流駆動方式のドライバ回路が必要である。しかし、電流駆動方式のドライバ回路にも電流出力段を構成するトランジスタ素子にバラツキが発生する。そのため、各出力端子からの階調出力電流にバラツキが発生し、良好な画像表示ができないという課題があった。   Display unevenness can be reduced by adopting a current programming system for the pixels. In order to implement the current program, a current drive type driver circuit is required. However, variation also occurs in the transistor elements constituting the current output stage in the current drive type driver circuit. For this reason, there is a problem in that the gradation output current from each output terminal varies and a good image display cannot be performed.

本発明は、画素がマトリックス状に配置された表示領域と、
前記画素に映像信号としての電流を印加するソースドライバ回路と、
前記ソースドライバ回路内に構成されたプリチャージ電圧を発生する電子ボリウム回路と、
前記画素の書き込みタイミングを制御するゲートドライバ回路とを具備し、
前記電子ボリウムの出力電圧範囲は、ソースドライバ回路の外部に接続する抵抗により規定されるEL表示装置である。
The present invention includes a display area in which pixels are arranged in a matrix,
A source driver circuit for applying a current as a video signal to the pixels;
An electronic volume circuit for generating a precharge voltage configured in the source driver circuit;
A gate driver circuit for controlling the writing timing of the pixel,
The output voltage range of the electronic volume is an EL display device defined by a resistor connected to the outside of the source driver circuit.

また、この目的を達成するために本発明のEL表示パネル(EL表示装置)のドライバ回路は、主として単位電流を出力する複数のトランジスタを具備し、このトランジスタの個数を変化させることにより出力電流を出力するものである。また、duty比制御、基準電流を操作あるいは制御することにより、画素16に流れる電流を制御(調整)する。   In order to achieve this object, the driver circuit of the EL display panel (EL display device) of the present invention comprises a plurality of transistors that mainly output unit currents, and the output current is changed by changing the number of these transistors. Output. Further, the current flowing through the pixel 16 is controlled (adjusted) by manipulating or controlling the duty ratio control and the reference current.

本発明のソースドライバ回路は、基準電流源を有し、また、ゲートドライバ回路を制御することにより、電流制御、輝度制御を実現する。また、画素は、複数あるいは単独の駆動用トランジスタを有し、EL素子に流れる電流バラツキが発生しないように駆動する。したがって、しきい値のずれによる出力電流のばらつきが小さく、EL表示パネルの表示むらの発生を抑制することが可能となる。また、ダイナミックレンジが広い画像表示を実現でき、実用的効果は大きい。   The source driver circuit of the present invention has a reference current source, and realizes current control and luminance control by controlling the gate driver circuit. Further, the pixel has a plurality of or single drive transistors, and is driven so as not to cause variation in current flowing in the EL element. Therefore, variation in output current due to threshold shift is small, and occurrence of display unevenness in the EL display panel can be suppressed. Moreover, an image display with a wide dynamic range can be realized, and the practical effect is great.

また、本発明の表示パネル、表示装置等は、高画質、良好な動画表示性能、低消費電力、低コスト化、高輝度化等のそれぞれの構成に応じて特徴ある効果を発揮する。   In addition, the display panel, the display device, and the like of the present invention exhibit distinctive effects according to their respective configurations such as high image quality, good moving image display performance, low power consumption, low cost, and high luminance.

なお、本発明を用いれば、低消費電力の情報表示装置などを構成できるので、電力を消費しない。また、小型軽量化できるので、資源を消費しない。したがって、地球環境、宇宙環境に優しいことになる。   Note that if the present invention is used, a low power consumption information display device or the like can be configured, so that power is not consumed. Moreover, since it can be reduced in size and weight, resources are not consumed. Therefore, it is friendly to the global environment and space environment.

本明細書において各図面は理解を容易にまたは/および作図を容易にするため、省略または/および拡大縮小した箇所がある。たとえば、図4に図示する表示パネルの断面図では薄膜封止膜41などを十分厚く図示している。一方、図3において、封止フタ40は薄く図示している。また、省略した箇所もある。たとえば、本発明の表示パネルなどでは、反射防止のために円偏光板などの位相フィルム(38、39)が必要である。しかし、本明細書の各図面では省略している。以上のことは以下の図面に対しても同様である。また、同一番号または、記号等を付した箇所は同一もしくは類似の形態もしくは材料あるいは機能もしくは動作を有する。   In the present specification, each drawing is omitted or / and enlarged or reduced for easy understanding and / or drawing. For example, in the cross-sectional view of the display panel shown in FIG. 4, the thin film sealing film 41 and the like are shown to be sufficiently thick. On the other hand, in FIG. 3, the sealing lid 40 is shown thinly. Also, there are some omitted parts. For example, in the display panel of the present invention, a phase film (38, 39) such as a circularly polarizing plate is necessary for preventing reflection. However, it is omitted in each drawing of this specification. The same applies to the following drawings. Moreover, the part which attached | subjected the same number or the symbol etc. has the same or similar form, material, function, or operation | movement.

なお、各図面等で説明した内容は特に断りがなくとも、他の実施例等と組み合わせることができる。たとえば、図3、図4の本発明の表示パネルにタッチパネルなどを付加し、図154から図157に図示する情報表示装置とすることができる。また、たとえば一例として図19、図21、図22、図24、図27、図32、図39、図40、図85、図89、図93、図98、図108、図116、図117、図128、図149(a)(b)、図163などで説明した本発明の駆動方法あるいは装置(回路)は、いずれの本発明の表示装置または表示パネルに適用することができる。   Note that the contents described in the drawings and the like can be combined with other embodiments and the like without particular notice. For example, a touch panel or the like is added to the display panels of the present invention shown in FIGS. 3 and 4 so that the information display device shown in FIGS. 154 to 157 can be obtained. For example, as an example, FIGS. 19, 21, 22, 24, 27, 32, 39, 40, 85, 89, 93, 98, 108, 116, 117, The driving method or apparatus (circuit) of the present invention described with reference to FIGS. 128, 149 (a), (b), and 163 can be applied to any display device or display panel of the present invention.

なお、本明細書では、駆動用トランジスタ11、スイッチング用トランジスタ11は薄膜トランジスタとして説明するが、これに限定するものではない。薄膜ダイオード(TFD)、リングダイオードなどでも構成することができる。また、薄膜素子に限定するものではなく、シリコンウエハに形成したトランジスタでもよい。もちろん、FET、MOS−FET、MOSトランジスタ、バイポーラトランジスタでもよい。これらも基本的に薄膜トランジスタである。その他、バリスタ、サイリスタ、リングダイオード、ホトダオード、ホトトランジスタ、PLZT素子などでもよいことは言うまでもない。つまり、本発明のトランジスタ素子11、ゲートドライバ回路12、ソースドライバ回路14などは、これらのいずれでも使用することができる。図3、図4などにおいて、基板30はシリコンウエハで形成すればよい。   Note that in this specification, the driving transistor 11 and the switching transistor 11 are described as thin film transistors, but the present invention is not limited thereto. A thin film diode (TFD), a ring diode, or the like can also be used. The transistor is not limited to a thin film element, and may be a transistor formed on a silicon wafer. Of course, an FET, a MOS-FET, a MOS transistor, or a bipolar transistor may be used. These are also basically thin film transistors. In addition, it goes without saying that varistors, thyristors, ring diodes, photodiodes, phototransistors, PLZT elements may be used. That is, any of these can be used for the transistor element 11, the gate driver circuit 12, the source driver circuit 14, and the like of the present invention. In FIGS. 3 and 4, the substrate 30 may be formed of a silicon wafer.

以下、本発明のEL表示パネルについて図面を参照しながら説明をする。有機EL表示パネルは、図3に示すように、画素電極としての透明電極35が形成されたガラス板30(アレイ基板30)上に、電子輸送層、発光層、正孔輸送層などからなる少なくとも1層の有機機能層(EL層)29、及び金属電極(反射膜)(カソード)36が積層されたものである。透明電極(画素電極)35である陽極(アノード)にプラス、金属電極(反射電極)36の陰極(カソード)にマイナスの電圧を加え、透明電極35及び金属電極36間に直流を印加することにより、有機機能層(EL膜)29が発光する。   Hereinafter, the EL display panel of the present invention will be described with reference to the drawings. As shown in FIG. 3, the organic EL display panel includes at least an electron transport layer, a light emitting layer, a hole transport layer, and the like on a glass plate 30 (array substrate 30) on which a transparent electrode 35 as a pixel electrode is formed. One organic functional layer (EL layer) 29 and a metal electrode (reflective film) (cathode) 36 are laminated. By applying a positive voltage to the anode (anode) which is the transparent electrode (pixel electrode) 35 and a negative voltage to the cathode (cathode) of the metal electrode (reflection electrode) 36, and applying a direct current between the transparent electrode 35 and the metal electrode 36. The organic functional layer (EL film) 29 emits light.

金属電極36には、リチウム、銀、アルミニウム、マグネシウム、インジウム、銅または各々の合金等の仕事関数が小さなものを用いることが好ましい。特に、例えばAl−Li合金を用いることが好ましい。また、透明電極35には、ITO等の仕事関数の大きな導電性材料または金等を用いることができる。なお、金を電極材料として用いた場合、電極は半透明の状態となる。なお、ITOはIZOなどの他の材料でもよい。この事項は他の画素電極35に対しても同様である。   The metal electrode 36 is preferably made of a material having a small work function such as lithium, silver, aluminum, magnesium, indium, copper, or an alloy thereof. In particular, for example, an Al—Li alloy is preferably used. The transparent electrode 35 can be made of a conductive material having a high work function such as ITO or gold. When gold is used as an electrode material, the electrode is in a semitransparent state. ITO may be other materials such as IZO. The same applies to the other pixel electrodes 35.

なお、封止フタ40とアレイ基板30との空間には乾燥剤37を配置する。これは、有機EL膜29は湿度に弱いためである。乾燥剤37によりシール剤を浸透する水分を吸収し有機EL膜29の劣化を防止する。また、封止フタ40とアレイ基板30とは図251に図示するように周辺部を封止樹脂2511で封止する。   A desiccant 37 is disposed in the space between the sealing lid 40 and the array substrate 30. This is because the organic EL film 29 is vulnerable to humidity. The desiccant 37 absorbs moisture penetrating the sealing agent and prevents the organic EL film 29 from deteriorating. Further, as shown in FIG. 251, the sealing lid 40 and the array substrate 30 have their peripheral portions sealed with a sealing resin 2511.

図251に図示するように、封止フタ40とアレイ基板30間に、薄型のスピーカ2512を配置または形成してもよい。スピーカはモバイル機器などで使用している薄膜型のものを使用する。封止フタ40の凹部には空間2514があるため、この空間2514にスピーカ2512を配置することにより、空間2514を有効利用できる。また、空間2514内でスピーカ2512が振動するため、パネルの表面から音響を発生するように構成できる。スピーカ2512は乾燥剤37と同時に固定するか、乾燥剤37以外の箇所に封止フタ40に貼り付けて固定する。そのた、封止フタ40に直接にスピーカ2512を形成する構成でもよい。また、封止フタ40の空間2514あるいは封止フタ40の面などに温度センサを形成または配置し、この温度センサの出力結果により、以降に説明するduty比制御、基準電流比制御、点灯率制御などを実施してもよい。   As illustrated in FIG. 251, a thin speaker 2512 may be disposed or formed between the sealing lid 40 and the array substrate 30. The speaker is a thin film type used in mobile devices. Since there is a space 2514 in the recess of the sealing lid 40, the space 2514 can be used effectively by disposing the speaker 2512 in this space 2514. Further, since the speaker 2512 vibrates in the space 2514, sound can be generated from the surface of the panel. The speaker 2512 is fixed at the same time as the desiccant 37 or attached to the sealing lid 40 at a place other than the desiccant 37 and fixed. Alternatively, the speaker 2512 may be formed directly on the sealing lid 40. Further, a temperature sensor is formed or arranged in the space 2514 of the sealing lid 40 or the surface of the sealing lid 40, and the duty ratio control, the reference current ratio control, and the lighting rate control, which will be described later, are performed based on the output result of the temperature sensor. Etc. may be implemented.

スピーカからの端子配線はアルミニウムの蒸着膜で形成し、封止フタ40外部に引き出し電源あるいは信号源に接続する。なお、スピーカ2512の代りに薄型のマイクを配置または形成してもよい。また、圧電振動子をスピーカとして用いてもよい。なお、スピーカ、マイクなどの駆動回路はポリシリコン技術を用いてアレイ30に直接形成あるいは配置してもよいことは言うまでもない。   Terminal wiring from the speaker is formed of an aluminum vapor deposition film, and is drawn out of the sealing lid 40 and connected to a power source or a signal source. Note that a thin microphone may be arranged or formed instead of the speaker 2512. A piezoelectric vibrator may be used as a speaker. Needless to say, drive circuits such as speakers and microphones may be directly formed or arranged on the array 30 using polysilicon technology.

なお、スピーカ2512あるいはマイクなどの表面は無機材料あるいは有機材料もしくは金属材料の1種類あるいは複数種類からなる薄膜あるいは厚膜2513を蒸着あるいは塗布し、封止することによりスピーカ2512などから発生するガスなどによる有機EL膜などの劣化を抑制する。   Note that the surface of the speaker 2512 or the microphone is a gas generated from the speaker 2512 or the like by depositing or applying a thin film or thick film 2513 made of one or more kinds of inorganic material, organic material, or metal material and sealing the surface. Deterioration of the organic EL film and the like due to.

EL表示パネル(EL表示装置)の課題として、パネル内部で発生するハレーションを原因とするコントラスト低下がある。EL素子15(EL膜29)から発生した光がパネル内部に閉じ込められ乱反射するために発生する。   A problem of an EL display panel (EL display device) is a reduction in contrast caused by halation occurring inside the panel. It is generated because light generated from the EL element 15 (EL film 29) is confined inside the panel and diffusely reflected.

この課題を解決するために、本発明のEL表示パネルでは、画像表示に非有効な表示領域(無効領域)に光吸収膜(光吸収手段)を形成または配置している。光吸収膜を形成することにより、画素16から発生した光が基板30などで乱反射することにより発生するハレーションによる表示コントラスト低下を抑制することができる。   In order to solve this problem, in the EL display panel of the present invention, a light absorption film (light absorption means) is formed or arranged in a display area (ineffective area) ineffective for image display. By forming the light absorption film, it is possible to suppress a decrease in display contrast due to halation that occurs when light generated from the pixels 16 is diffusely reflected by the substrate 30 or the like.

なお、無効領域とは、基板30あるいは封止フタ40の側面が例示される。また、基板30かつ表示領域以外(たとえば、ゲートドライバ回路12、ソースドライバ回路14が形成された領域およびその近傍など)、フタ40の全面(下取り出しの場合)などが例示される。   The invalid region is exemplified by the side surface of the substrate 30 or the sealing lid 40. Moreover, the entire surface of the lid 40 (in the case of taking out the bottom), etc., other than the substrate 30 and the display region (for example, the region where the gate driver circuit 12 and the source driver circuit 14 are formed and the vicinity thereof) are exemplified.

また、フタ40、基板30は放熱性を良好にするため、サファイアガラスなどを用いてもよいことは言うまでもない。   Needless to say, sapphire glass or the like may be used for the lid 40 and the substrate 30 to improve heat dissipation.

光吸収膜を構成する物質としては、アクリル樹脂などの有機材料にカーボンを含有させたもの、黒色の色素あるいは顔料を有機樹脂中に分散させたもの、カラーフィルターの様にゼラチンやカゼインを黒色の酸性染料で染色したものが例示される。その他、単一で黒色となるフルオラン系色素を発色させて用いたものでもよく、緑色系色素と赤色系色素とを混合した配色ブラックを用いることもできる。また、スパッタにより形成されたPrMnO3膜、プラズマ重合により形成されたフタロシアニン膜等が例示される。   Substances that make up the light absorption film include organic materials such as acrylic resins containing carbon, black pigments or pigments dispersed in organic resins, and gelatin or casein as a color filter. What was dye | stained with the acid dye is illustrated. In addition, a single black fluoran dye may be used, and a color scheme black obtained by mixing a green dye and a red dye may also be used. Examples thereof include a PrMnO3 film formed by sputtering and a phthalocyanine film formed by plasma polymerization.

以上の材料はすべて黒色の材料であるが、光吸収膜としては、表示素子が発生する光色に対し、補色の関係の材料を用いても良い。例えば、カラーフィルター用の光吸収材料を望ましい光吸収特性が得られるように改良して用いれば良い。基本的には前記した黒色吸収材料と同様に、色素を用いて天然樹脂を染色したものを用いても良い。   The above materials are all black materials, but as the light absorption film, a material having a complementary color with respect to the light color generated by the display element may be used. For example, a light-absorbing material for a color filter may be used so as to obtain desired light absorption characteristics. Basically, a material obtained by dyeing a natural resin with a pigment may be used in the same manner as the black absorbing material described above.

また、色素を合成樹脂中に分散した材料を用いることができる。色素の選択の範囲は黒色色素よりもむしろ幅広く、アゾ染料、アントラキノン染料、フタロシアニン染料、トリフェニルメタン染料などから適切な1種、もしくはそれらのうち2種類以上の組み合わせでも良い。   Further, a material in which a pigment is dispersed in a synthetic resin can be used. The selection range of the pigment is wider than the black pigment, and may be one suitable from azo dye, anthraquinone dye, phthalocyanine dye, triphenylmethane dye, or a combination of two or more thereof.

また、光吸収膜としては金属材料を用いてもよい。たとえば、六価クロムが例示される。六価クロムは黒色であり、光吸収膜として機能する。その他、オパールガラス、酸化チタンなどの光散乱材料であってもよい。光を散乱させることにより、結果的に光を吸収することと等価になるからである。   Further, a metal material may be used as the light absorption film. For example, hexavalent chromium is exemplified. Hexavalent chromium is black and functions as a light absorbing film. In addition, light scattering materials such as opal glass and titanium oxide may be used. This is because scattering the light is equivalent to absorbing the light as a result.

以上の事項は、図4などの構成にも適用することができることは言うまでもない。   Needless to say, the above items can also be applied to the configuration of FIG.

図3の本発明の有機EL表示パネルは、ガラスのフタ40を用いて封止する構成である。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図4に図示するようにフィルム41(薄膜でもよい。つまり、薄膜封止膜41である)41を用いた封止構造であってもよい。   The organic EL display panel of the present invention shown in FIG. 3 is configured to be sealed using a glass lid 40. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 4, a sealing structure using a film 41 (which may be a thin film, that is, a thin film sealing film 41) 41 may be used.

封止フィルム(薄膜封止膜)41としては電解コンデンサのフィルムにDLC(ダイヤモンド ライク カーボン)を蒸着したものを用いることが例示される。このフィルムは水分浸透性が極めて悪い(防湿性能が高い)。このフィルムを封止膜41として用いる。また、DLC(ダイヤモンド ライク カーボン)膜などを電極36の表面に直接蒸着する構成ものよいことは言うまでもない。その他、樹脂薄膜と金属薄膜を多層に積層して、薄膜封止膜を構成してもよい。   Examples of the sealing film (thin film sealing film) 41 include a film of an electrolytic capacitor on which DLC (diamond-like carbon) is vapor-deposited. This film has extremely poor moisture permeability (high moisture resistance). This film is used as the sealing film 41. Needless to say, a structure in which a DLC (diamond-like carbon) film or the like is directly deposited on the surface of the electrode 36 is preferable. In addition, a thin film sealing film may be configured by laminating a resin thin film and a metal thin film in multiple layers.

薄膜41の膜厚はn・d(nは薄膜の屈折率、複数の薄膜が積層されている場合はそれらの屈折率を総合(各薄膜のn・dを計算)にして計算する。dは薄膜の膜厚、複数の薄膜が積層されている場合はそれらの屈折率を総合して計算する。)が、EL素子15の発光主波長λ以下となるようにするとよい。この条件を満足させることにより、EL素子15からの光取り出し効率が、ガラス基板で封止した場合に比較して2倍以上になる。また、アルミニウムと銀の合金あるいは混合物あるいは積層物を形成してもよい。   The film thickness of the thin film 41 is calculated by n · d (n is the refractive index of the thin film, and when a plurality of thin films are stacked, the refractive indexes thereof are combined (calculating n · d of each thin film). When the thickness of the thin film and a plurality of thin films are stacked, the refractive index of the thin films is calculated to be equal to or less than the emission main wavelength λ of the EL element 15. By satisfying this condition, the light extraction efficiency from the EL element 15 becomes twice or more as compared with the case of sealing with a glass substrate. Further, an alloy or a mixture or a laminate of aluminum and silver may be formed.

なお、薄膜41あるいは封止構造を形成する膜の厚みは、上記干渉領域の膜厚には限定されない。5〜10μm以上あるいは、100μm以上の厚みを有するように構成あるいは形成してもよいことは言うまでもない。また、封止構成の薄膜41などが透過性を有する場合は、図4のA側が光出射側となり、不透過性あるいは光反射性の機能あるいは構造を有する場合は、B側が光出射側となる。   Note that the thickness of the thin film 41 or the film forming the sealing structure is not limited to the thickness of the interference region. Needless to say, the thickness may be 5 to 10 μm or more, or 100 μm or more. In addition, when the sealed thin film 41 or the like has transparency, the A side in FIG. 4 is the light emission side, and when it has an opaque or light reflective function or structure, the B side is the light emission side. .

もちろん、A側とB側からの両方から光が出射されるように構成してもよい。この構成を採用する場合は、A側からEL表示パネルの画像を見る場合と、B側からEL表示パネルの画像を見る場合とでは画像が左右反転する。したがって、A側からEL表示パネルの画像を見る場合と、B側からEL表示パネルの画像を見る場合では、手動であるいはオートマチックに画像の左右を反転させる機能を付加する。この機能の実現は、映像信号の1画素行あるいは複数画素行分をラインメモリに蓄積し、ラインメモリの読み出し方向を反転させればよい。   Of course, you may comprise so that light may be radiate | emitted from both A side and B side. In the case of adopting this configuration, the image is reversed horizontally when viewing the image of the EL display panel from the A side and when viewing the image of the EL display panel from the B side. Therefore, when viewing the image of the EL display panel from the A side and when viewing the image of the EL display panel from the B side, a function of inverting the left and right of the image manually or automatically is added. This function can be realized by storing one pixel row or a plurality of pixel rows of the video signal in the line memory and inverting the reading direction of the line memory.

図4のように封止フタ40を用いず、封止膜41で封止する構成を薄膜封止と呼ぶ。基板30側から光を取り出す「下取り出し(図3を参照のこと。光取り出し方向は図3のB矢印方向である)」の場合の薄膜封止41は、EL膜を形成後、EL膜上にカソードとなるアルミ電極を形成する。次にこのアルミ膜上に緩衝層としての樹脂層を形成する。緩衝層としては、アクリル、エポキシなどの有機材料が例示される。また、膜厚は1μm以上10μm以下の厚みが適する。さらに好ましくは、膜厚は2μm以上6μm以下の厚みが適する。この緩衝膜上の封止膜74を形成する。   A configuration in which the sealing lid 40 is not used as shown in FIG. 4 and the sealing film 41 is sealed is called thin film sealing. The thin film sealing 41 in the case of “lower extraction (see FIG. 3; the light extraction direction is the direction indicated by the arrow B in FIG. 3)” for extracting light from the substrate 30 side is the EL film after forming the EL film. An aluminum electrode to be a cathode is formed. Next, a resin layer as a buffer layer is formed on the aluminum film. Examples of the buffer layer include organic materials such as acrylic and epoxy. Further, the film thickness is suitably 1 μm or more and 10 μm or less. More preferably, the film thickness is 2 μm or more and 6 μm or less. A sealing film 74 on the buffer film is formed.

緩衝膜がないと、応力によりEL膜の構造が崩れ、筋状に欠陥が発生する。封止膜41は前述したように、DLC(ダイヤモンド ライク カーボン)、あるいは電界コンデンサの層構造(誘電体薄膜とアルミ薄膜とを交互に多層蒸着した構造)が例示される。   Without the buffer film, the structure of the EL film collapses due to the stress, and a line-like defect occurs. As described above, the sealing film 41 is exemplified by DLC (Diamond Like Carbon) or a layer structure of an electric field capacitor (a structure in which dielectric thin films and aluminum thin films are alternately deposited).

有機EL膜29側から光を取り出す「上取り出し(図4を参照のこと。光取り出し方向は図4のA矢印方向である)」の場合の薄膜封止は、有機EL膜29を形成後、有機EL膜29上にカソード(もしくはアノード)となるAg−Mg膜を20オングストローム以上300オングストロームの膜厚で形成する。その上に、ITOなどの透明電極を形成して低抵抗化する。次に、好ましくはこの電極膜上に緩衝層としての樹脂層を形成する。この緩衝膜上に封止膜41を形成する。   Thin film sealing in the case of “upward extraction (see FIG. 4, the light extraction direction is the direction of arrow A in FIG. 4)” for extracting light from the organic EL film 29 side is as follows: An Ag—Mg film serving as a cathode (or anode) is formed on the organic EL film 29 with a film thickness of 20 angstroms or more and 300 angstroms. A transparent electrode such as ITO is formed thereon to reduce the resistance. Next, a resin layer as a buffer layer is preferably formed on this electrode film. A sealing film 41 is formed on the buffer film.

図3などにおいて、有機EL膜29から発生した光の半分は、反射膜(カソード電極)36で反射され、アレイ基板30と透過して出射される。しかし、反射膜(カソード電極)36には外光を反射し写り込みが発生して表示コントラストを低下させる。この対策のために、アレイ基板30にλ/4板(位相フィルム)38および偏光板(偏光フィルム)39を配置している。偏光板39と位相フィルム38を一体したものは円偏光板(円偏光シート)と呼ばれる。   In FIG. 3 and the like, half of the light generated from the organic EL film 29 is reflected by the reflective film (cathode electrode) 36 and transmitted through the array substrate 30 to be emitted. However, external light is reflected on the reflective film (cathode electrode) 36, and reflection occurs to reduce display contrast. For this measure, a λ / 4 plate (phase film) 38 and a polarizing plate (polarizing film) 39 are arranged on the array substrate 30. What united the polarizing plate 39 and the phase film 38 is called a circularly-polarizing plate (circularly polarizing sheet).

なお、画素が反射電極の場合はEL膜29から発生した光は上方向に出射される(図4のA方向に光が出射)。したがって、位相板38および偏光板39は光出射側に配置することはいうまでもない。   When the pixel is a reflective electrode, light generated from the EL film 29 is emitted upward (light is emitted in the direction A in FIG. 4). Therefore, it goes without saying that the phase plate 38 and the polarizing plate 39 are arranged on the light emitting side.

なお、反射型画素は、画素電極35を、アルミニウム、クロム、銀などで構成して得られる。また、画素電極35の表面に、凸部(もしくは凹凸部)を設けることで有機EL膜29との界面が広くなり発光面積が大きくなり、また、発光効率が向上する。なお、カソード36(アノード35)となる反射膜を透明電極に形成する、あるいは反射率を30%以下に低減できる場合は、円偏光板は不要である。写り込みが大幅に減少するからである。また、光の干渉も低減し望ましい。凸部(もしくは凹凸部)は、回折格子にすることは光取り出しに効果がある。回折格子は2次元あるいは3次元構造にする。回折格子のピッチは0.2μm以上2μm以下にすることが好ましい。この範囲で光効率が良好な結果が得られる。特に回折格子のピッチは0.3μm以上0.8μm以下にすることが好ましい。また、回折格子の形状は、サインカーブ状にすることが好ましい。   The reflective pixel is obtained by configuring the pixel electrode 35 with aluminum, chromium, silver, or the like. Further, by providing a convex portion (or a concave-convex portion) on the surface of the pixel electrode 35, the interface with the organic EL film 29 is widened, the light emission area is increased, and the light emission efficiency is improved. Note that the circularly polarizing plate is not necessary when the reflective film to be the cathode 36 (anode 35) is formed on the transparent electrode, or when the reflectance can be reduced to 30% or less. This is because the reflection is greatly reduced. It is also desirable to reduce light interference. Protruding portions (or uneven portions) having a diffraction grating is effective for light extraction. The diffraction grating has a two-dimensional or three-dimensional structure. The pitch of the diffraction grating is preferably 0.2 μm or more and 2 μm or less. In this range, a result with good light efficiency can be obtained. In particular, the pitch of the diffraction grating is preferably 0.3 μm or more and 0.8 μm or less. Further, the shape of the diffraction grating is preferably a sine curve.

図1などにおいて、トランジスタ11はLDD(lightly doped drain)構造を採用することが好ましい。   In FIG. 1 and the like, the transistor 11 preferably adopts an LDD (lightly doped drain) structure.

EL表示パネルは、R、G、Bで発光効率が異なる場合が多い。そのため、駆動用トランジスタ11aが流す電流がR、G、Bで異なる。たとえば、図235に図示するように、Bの画素16を駆動する駆動用トランジスタ11aが点線とすると、Gの画素16を駆動する駆動用トランジスタ11aが実線となる。図235の縦軸は、駆動用トランジスタ11aが流す電流(S−D電流)(μA)つまりプログラム電流Iwであり、横軸は駆動用トランジスタ11aのゲート端子電圧である。   EL display panels often have different luminous efficiencies for R, G, and B. Therefore, the currents flowing through the driving transistor 11a are different for R, G, and B. For example, as shown in FIG. 235, when the driving transistor 11a for driving the B pixel 16 is a dotted line, the driving transistor 11a for driving the G pixel 16 is a solid line. The vertical axis in FIG. 235 is the current (SD current) (μA) that the driving transistor 11a flows, that is, the program current Iw, and the horizontal axis is the gate terminal voltage of the driving transistor 11a.

しかし、図235に図示するように、R、G、Bでゲート端子電圧に対するSーD電流の大きさが異なると電流(電圧)プログラム精度が低下する(図235では実線の特性の精度がなくなる)。この課題に対して、駆動用トランジスタ11aのチャンネル幅(W)とチャンネル長(L)からなるWL比を調整してトランジスタ11aの設計を行い、同一ゲート端子電圧に対し、R、G、Bの駆動用トランジスタ11aが出力するS−D電流の差が2倍以内となるようにすることが好ましい。   However, as shown in FIG. 235, the current (voltage) programming accuracy decreases when the S-D current magnitude with respect to the gate terminal voltage differs between R, G, and B (in FIG. 235, the accuracy of the characteristic of the solid line is lost). ). To solve this problem, the transistor 11a is designed by adjusting the WL ratio composed of the channel width (W) and the channel length (L) of the driving transistor 11a, and R, G, and B for the same gate terminal voltage. It is preferable that the difference between the S-D currents output from the driving transistor 11a is within twice.

また、本明細書ではEL素子15として有機EL素子(OEL、PEL、PLED、OLEDなど多種多様な略称で記述される)を例にあげて説明するがこれに限定するものではなく、無機EL素子にも適用されることは言うまでもない。   In this specification, an organic EL element (described in various abbreviations such as OEL, PEL, PLED, and OLED) is described as an example of the EL element 15, but the present invention is not limited to this, and an inorganic EL element is not limited thereto. Needless to say, this also applies.

まず、有機EL表示パネルに用いられるアクティブマトリックス方式は、特定の画素を選択し、必要な表示情報を与えられること。1フレーム期間を通じてEL素子に電流を流すことができることという2つの条件を満足させなければならない。   First, the active matrix method used for the organic EL display panel is to select a specific pixel and provide necessary display information. Two conditions must be satisfied that current can flow through the EL element throughout one frame period.

この2つの条件を満足させるため、図2に図示する従来の有機ELの画素構成では、第1のトランジスタ11bは画素を選択するためのスイッチング用トランジスタとして機能させる。また、第2のトランジスタ11aはEL素子15に電流を供給するための駆動用トランジスタとして機能させている。   In order to satisfy these two conditions, in the pixel configuration of the conventional organic EL shown in FIG. 2, the first transistor 11b functions as a switching transistor for selecting a pixel. Further, the second transistor 11 a functions as a driving transistor for supplying current to the EL element 15.

この構成を用いて階調を表示させる場合、駆動用トランジスタ11aのゲート電圧として階調に応じた電圧を印加する必要がある。したがって、駆動用トランジスタ11aのオン電流のばらつきがそのまま表示に現れる。   In the case of displaying gradation using this configuration, it is necessary to apply a voltage corresponding to the gradation as the gate voltage of the driving transistor 11a. Therefore, the variation in the on-state current of the driving transistor 11a appears in the display as it is.

トランジスタのオン電流は単結晶で形成されたトランジスタであれば、きわめて均一であるが、安価なガラス基板に形成することのできる形成温度が450度以下の低温ポリシリ技術で形成した低温多結晶トタンジスタでは、そのしきい値のばらつきが±0.2V〜0.5Vの範囲でばらつきがある。そのため、駆動用トランジスタ11aを流れるオン電流がこれに対応してばらつき、表示にムラが発生する。これらのムラは、しきい値電圧のばらつきのみならず、トランジスタの移動度、ゲート絶縁膜の厚みなどでも発生する。また、トランジスタ11の劣化によっても特性は変化する。   The on-current of a transistor is very uniform if it is a transistor formed of a single crystal, but in a low-temperature polycrystalline transistor formed by low-temperature polysilicon technology that can be formed on an inexpensive glass substrate with a formation temperature of 450 degrees or less. The threshold value varies in the range of ± 0.2V to 0.5V. For this reason, the on-current flowing through the driving transistor 11a varies correspondingly, and the display is uneven. These irregularities are caused not only by variations in threshold voltage, but also by transistor mobility, gate insulating film thickness, and the like. The characteristics also change due to deterioration of the transistor 11.

この現象は、低温ポリシリコン技術に限定されるものではなく、プロセス温度が450度(摂氏)以上の高温ポリシリコン技術でも、固相(CGS)成長させた半導体膜を用いてトランジスタなどを形成したものでも発生する。その他、有機トランジスタでも発生する。アモルファスシリコントランジスタでも発生する。   This phenomenon is not limited to low-temperature polysilicon technology, and transistors and the like are formed using solid-phase (CGS) grown semiconductor films even in high-temperature polysilicon technology with a process temperature of 450 degrees Celsius or higher. Even things can occur. In addition, it occurs in organic transistors. It also occurs in amorphous silicon transistors.

以下に説明する本発明は、これらの技術に対応し、対策できる構成あるいは方式である。なお、本明細書では低温ポリシリコン技術で形成したトランジスタを主として説明する。   The present invention described below is a configuration or method that can cope with these techniques. In this specification, a transistor formed by low-temperature polysilicon technology will be mainly described.

したがって、図2のように、電圧を書き込むことにより、階調を表示させる方法では、均一な表示を得るために、デバイスの特性を厳密に制御する必要がある。しかし、現状の低温多結晶ポリシリコントランジスタなどではこのバラツキを所定範囲以内の抑えるというスペックを満足できない。   Therefore, as shown in FIG. 2, in the method of displaying gradation by writing a voltage, it is necessary to strictly control the device characteristics in order to obtain a uniform display. However, the current low-temperature polycrystalline polysilicon transistor and the like cannot satisfy the specification of suppressing this variation within a predetermined range.

EL表示装置のカラー化は、マスク蒸着により行うが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、ELのカラー化には、青色発光のEL層を形成し、発光する青色光を、R、G、Bの色変換層(CCM:カラーチェンジミディアムズ)でR、G、B光に変換してもよい。たとえば、図4において、薄膜封止膜41上あるいは下にカラーフィルターを配置する。もちろん、プレシジェンシャドーマスクを利用したRGB有機材料(EL材料)の打ち分け方式を採用してもよい。本発明のカラーEL表示パネルはこれらのいずれの方式を用いても良い。   The EL display device is colored by mask vapor deposition, but the present invention is not limited to this. For example, for EL colorization, a blue light emitting EL layer is formed, and the emitted blue light is converted into R, G, B light by an R, G, B color conversion layer (CCM: Color Change Mediums). May be. For example, in FIG. 4, a color filter is disposed on or below the thin film sealing film 41. Of course, an RGB organic material (EL material) placement method using a precision shadow mask may be employed. Any of these methods may be used for the color EL display panel of the present invention.

本発明のEL表示装置の画素構造は、具体的には図1などに示すように、1つの画素が最低4つからなる複数のトランジスタ11ならびにEL素子15により形成される。画素電極35はソース信号線18と重なるように構成する。つまり、ソース信号線18上に絶縁膜あるいはアクリル材料からなる平坦化膜32を形成して絶縁し、平坦化膜32上に画素電極35を形成する。このようにソース信号線18上の少なくとも1部に画素電極35を重ねる構成をハイアパーチャ(HA)構造と呼ぶ。不要な干渉光などが低減し、良好な発光状態が期待できる。平坦化膜32は層間絶縁膜としても機能する。平坦化膜32は、0.4μm以上2.0μm以下の膜厚に構成あるいは形成する。平坦化膜32の膜厚が0.4μm以下であれば、層間絶縁が不良になりやすい(歩留まり低下)。2.0μm以上であればコンタクト接続部34の形成が困難になり、コンタクト不良が発生しやすい(歩留まり低下)。   Specifically, as shown in FIG. 1 and the like, the pixel structure of the EL display device of the present invention is formed by a plurality of transistors 11 and EL elements 15 each having at least four pixels. The pixel electrode 35 is configured to overlap the source signal line 18. That is, a planarization film 32 made of an insulating film or an acrylic material is formed on the source signal line 18 for insulation, and a pixel electrode 35 is formed on the planarization film 32. A configuration in which the pixel electrode 35 is overlaid on at least a part of the source signal line 18 in this way is called a high aperture (HA) structure. Unnecessary interference light and the like are reduced, and a good light emission state can be expected. The planarizing film 32 also functions as an interlayer insulating film. The planarizing film 32 is configured or formed with a film thickness of 0.4 μm or more and 2.0 μm or less. If the thickness of the planarization film 32 is 0.4 μm or less, the interlayer insulation tends to be defective (yield reduction). If the thickness is 2.0 μm or more, formation of the contact connecting portion 34 becomes difficult, and contact failure is likely to occur (decrease in yield).

アクティブマトリックスを構成するトランジスタ11は、p−チャンネルポリシリコン薄膜トランジスタに構成され、トランジスタ11bがデュアルゲート以上であるマルチゲート構造とすることが好ましい。トランジスタ11bは、トランジスタ11aのソース−ドレイン間のスイッチとして作用するため、できるだけON/OFF比の高い特性が要求される。トランジスタ11bのゲートの構造をデュアルゲート構造以上のマルチゲート構造とすることによりON/OFF比の高い特性を実現できる。   The transistor 11 constituting the active matrix is preferably a p-channel polysilicon thin film transistor, and preferably has a multi-gate structure in which the transistor 11b has a dual gate or more. Since the transistor 11b functions as a switch between the source and drain of the transistor 11a, the transistor 11b is required to have as high a ON / OFF ratio as possible. By setting the gate structure of the transistor 11b to a multi-gate structure that is equal to or higher than the dual gate structure, a characteristic with a high ON / OFF ratio can be realized.

画素16のトランジスタ11を構成する半導体膜は、低温ポリシリコン技術において、レーザーアニールにより形成するのが一般的である。このレーザーアニールの条件のバラツキがトランジスタ11特性のバラツキとなる。しかし、1画素16内のトランジスタ11の特性が一致していれば、電流プログラムを行う方式では、所定の電流がEL素子15に流れるように駆動することができる。この点は、電圧プログラムにない利点である。レーザーとしてはエキシマレーザーを用いることが好ましい。   The semiconductor film constituting the transistor 11 of the pixel 16 is generally formed by laser annealing in the low temperature polysilicon technology. Variations in the laser annealing conditions result in variations in transistor 11 characteristics. However, if the characteristics of the transistors 11 in one pixel 16 match, the current programming method can drive the EL element 15 so that a predetermined current flows. This is an advantage not found in voltage programming. An excimer laser is preferably used as the laser.

なお、本発明において、半導体膜の形成は、レーザーアニール方法に限定するものではなく、熱アニール方法、固相(CGS)成長による方法でもよい。その他、低温ポリシリコン技術に限定するものではなく、高温ポリシリコン技術を用いても良いことはいうまでもない。また、アモルファスシリコン技術を用いて形成した半導体膜であってもよい。   In the present invention, the formation of the semiconductor film is not limited to the laser annealing method, but may be a thermal annealing method or a method by solid phase (CGS) growth. In addition, the present invention is not limited to the low temperature polysilicon technology, and it goes without saying that the high temperature polysilicon technology may be used. Further, it may be a semiconductor film formed using amorphous silicon technology.

この課題に対して、本発明ではアニールの時のレーザー照射スポット(レーザー照射範囲)をソース信号線18に平行に照射する。また、1画素列に一致するようにレーザー照射スポットを移動させる。もちろん、1画素列に限定するものではなく、たとえば、RGB画素を1画素という単位でレーザーを照射してもよい(この場合は、3画素列ということになる)。また、複数の画素に同時に照射してもよい。また、レーザーの照射範囲の移動がオーバーラップしてもよいことは言うまでもない(通常、移動するレーザー光の照射範囲はオーバーラップするのが普通である)。   In order to deal with this problem, in the present invention, a laser irradiation spot (laser irradiation range) at the time of annealing is irradiated in parallel to the source signal line 18. Further, the laser irradiation spot is moved so as to coincide with one pixel column. Of course, the present invention is not limited to one pixel column, and for example, the laser beam may be irradiated in units of one RGB pixel (in this case, it is a three pixel column). In addition, a plurality of pixels may be irradiated simultaneously. It goes without saying that the movement of the laser irradiation range may overlap (usually, the irradiation range of the moving laser light is usually overlapped).

画素はRGBの3画素で正方形の形状となるように作製されている。したがって、R、G、Bの各画素は縦長の画素形状となる。したがって、レーザー照射スポットを縦長にしてアニールすることにより、1画素内ではトランジスタ11の特性バラツキが発生しないようにすることができる。   The pixels are made of three pixels of RGB and have a square shape. Accordingly, each of the R, G, and B pixels has a vertically long pixel shape. Therefore, by annealing the laser irradiation spot in a vertically long shape, the characteristic variation of the transistor 11 can be prevented from occurring within one pixel.

また、1つのソース信号線18に接続されたトランジスタ11の特性(モビリティ、Vt、S値など)を均一にすることができる(つまり、隣接したソース信号線18のトランジスタ11とは特性が異なる場合があるが、1つのソース信号線に接続されたトランジスタ11の特性はほぼ等しくすることができる)。   Further, the characteristics (mobility, Vt, S value, etc.) of the transistor 11 connected to one source signal line 18 can be made uniform (that is, the characteristics are different from those of the transistor 11 of the adjacent source signal line 18). However, the characteristics of the transistor 11 connected to one source signal line can be made substantially equal).

図1に図示する本発明のEL表示パネルの画素構成などについて説明をする。ゲート信号線(第1の走査線)17aをアクティブ(ON電圧を印加)とする。同時に、駆動用のトランジスタ11aには、スイッチ用トランジスタ11cを通して、前記EL素子15に流すべき電流値Iwをソースドライバ回路14から流す。また、駆動用トランジスタ11aのゲート端子(G)とドレイン端子(D)間を短絡するようにトランジスタ11bが動作する。同時に、トランジスタ11aのゲート端子(G)とソース端子(S)間に接続されたコンデンサ(キャパシタ、蓄積容量、付加容量)19にトランジスタ11aのゲート電圧(あるいはドレイン電圧)を記憶する(図5(a)を参照のこと)。   The pixel configuration of the EL display panel of the present invention shown in FIG. 1 will be described. The gate signal line (first scanning line) 17a is activated (ON voltage is applied). At the same time, the current value Iw to be supplied to the EL element 15 is supplied from the source driver circuit 14 to the driving transistor 11a through the switching transistor 11c. Further, the transistor 11b operates so as to short-circuit the gate terminal (G) and the drain terminal (D) of the driving transistor 11a. At the same time, the gate voltage (or drain voltage) of the transistor 11a is stored in the capacitor (capacitor, storage capacitor, additional capacitor) 19 connected between the gate terminal (G) and the source terminal (S) of the transistor 11a (FIG. 5 ( see a)).

なお、コンデンサ(蓄積容量)19の大きさは、0.2pF以上2pF以下とすることがよく、中でもコンデンサ(蓄積容量)19の大きさは、0.4pF以上1.2pF以下とすることがよい。好ましくは、画素サイズを考慮してコンデンサ19の容量を決定する。1画素に必要な容量をCs(pF)とし、1画素が占める面積をSpとする。なお、Spとは開口率ではない。各RGBの1つの画素が占める面積である。たとえば、R画素が200μm×67μmであれば、Sp=13400平方μmである。   Note that the size of the capacitor (storage capacitor) 19 is preferably 0.2 pF or more and 2 pF or less, and in particular, the size of the capacitor (storage capacitor) 19 is preferably 0.4 pF or more and 1.2 pF or less. . Preferably, the capacitance of the capacitor 19 is determined in consideration of the pixel size. The capacity required for one pixel is Cs (pF), and the area occupied by one pixel is Sp. Note that Sp is not an aperture ratio. The area occupied by one pixel of each RGB. For example, if the R pixel is 200 μm × 67 μm, then Sp = 13400 square μm.

Sp(平方μm)とすれば、1500/Sp ≦ Cs ≦ 30000/Spとし、さらに好ましくは、3000/Sp ≦ Cs ≦ 15000/Spとなるようにする。なお、トランジスタ11のゲート容量は小さいので、ここでいうQとは、蓄積容量(コンデンサ)19単独の容量である。Csが1500/Spよりも小さいと、ゲート信号線17の突き抜け電圧の影響が大きくなり、また、電圧の保持特性が低下し、輝度傾斜などが発生する。また、TFTの補償性能が低下する。Csが30000/Spよりも大きいと、画素16の開口率が低下する。そのため、EL素子15の電界密度が高くなり、EL素子15の寿命が低下するなど悪影響が発生する。また、コンデンサ容量により、電流プログラムの書込み時間が長くなり、低階調領域で書込み不足が発生する。   Assuming that Sp (square μm), 1500 / Sp ≦ Cs ≦ 30000 / Sp, and more preferably 3000 / Sp ≦ Cs ≦ 15000 / Sp. Since the gate capacity of the transistor 11 is small, Q here is the capacity of the storage capacitor (capacitor) 19 alone. When Cs is smaller than 1500 / Sp, the influence of the punch-through voltage of the gate signal line 17 becomes large, the voltage holding characteristic is lowered, and a luminance gradient is generated. In addition, the compensation performance of the TFT is degraded. When Cs is larger than 30000 / Sp, the aperture ratio of the pixel 16 decreases. Therefore, the electric field density of the EL element 15 is increased, and adverse effects such as a reduction in the life of the EL element 15 occur. In addition, due to the capacitor capacity, the write time of the current program becomes long, and insufficient writing occurs in the low gradation region.

本特許の発明の目的は、トランジスタ特性のばらつきが表示に影響を与えない回路構成を提案するものであり、そのために4トランジスタ以上が必要である。これらのトランジスタ特性により、回路定数を決定する場合、4つのトランジスタの特性がそろわなければ、適切な回路定数を求めることが困難である。レーザー照射の長軸方向に対して、チャンネル方向が水平の場合と垂直の場合では、トランジスタ特性の閾値と移動度が異なって形成される。なお、どちらの場合もばらつきの程度は同じである。水平方向と、垂直方向では移動度、閾値のあたいの平均値が異なる。したがって、画素を構成するすべてのトランジスタのチャンネル方向は同一であるほうが望ましい。   The object of the invention of this patent is to propose a circuit configuration in which variations in transistor characteristics do not affect display, and for that purpose four or more transistors are required. When circuit constants are determined based on these transistor characteristics, it is difficult to obtain appropriate circuit constants if the characteristics of the four transistors do not match. When the channel direction is horizontal and vertical with respect to the major axis direction of laser irradiation, the threshold value and mobility of transistor characteristics are different. In both cases, the degree of variation is the same. The average value of mobility and threshold value differs between the horizontal direction and the vertical direction. Therefore, it is desirable that the channel directions of all the transistors constituting the pixel are the same.

また、蓄積容量19の容量値をCs、第2のトランジスタ11bのオフ電流値をIoffとした場合、次式を満足させることが好ましい。   Further, when the capacitance value of the storage capacitor 19 is Cs and the off-current value of the second transistor 11b is Ioff, it is preferable to satisfy the following equation.

3 < Cs/Ioff < 24
さらに好ましくは、次式を満足させることが好ましい。
3 <Cs / Ioff <24
More preferably, it is preferable to satisfy the following formula.

6 < Cs/Ioff < 18
トランジスタ11bのオフ電流を5pA以下とすることにより、ELを流れる電流値の変化を2%以下に抑えることが可能である。これはリーク電流が増加すると、電圧非書き込み状態においてゲート−ソース間(コンデンサの両端)に貯えられた電荷を1フィールド間保持できないためである。したがって、コンデンサ19の蓄積用容量が大きければオフ電流の許容量も大きくなる。前記式を満たすことによって隣接画素間の電流値の変動を2%以下に抑えることができる。
6 <Cs / Ioff <18
By setting the off-state current of the transistor 11b to 5 pA or less, the change in the current value flowing through the EL can be suppressed to 2% or less. This is because when the leakage current increases, the electric charge stored between the gate and the source (both ends of the capacitor) cannot be held for one field in the voltage non-writing state. Therefore, if the storage capacity of the capacitor 19 is large, the allowable amount of off-current is also large. By satisfying the above equation, the fluctuation of the current value between adjacent pixels can be suppressed to 2% or less.

以上の蓄積容量Csに関する事項は、図1の画素構成に限定されるものではなく、その他の電流プログラム方式の画素構成にも適用できることは言うまでもない。たとえば、適用される電流プログラム画素構成としては、図6から図13、図31から図36などが例示される。   Needless to say, the above-described matters relating to the storage capacitor Cs are not limited to the pixel configuration of FIG. 1 but can be applied to other current programming pixel configurations. For example, FIG. 6 to FIG. 13, FIG. 31 to FIG.

EL素子15の発光期間では、ゲート信号線17aを非アクティブ(OFF電圧を印加)、ゲートち信号線17bをアクティブとして、電流Iw=Ieの流れる経路を並びにEL素子15に接続されたトランジスタ11dならびに前記EL素子15を含む経路に切り替えて、記憶した電流Iwを前記EL素子15に流すように動作させる(図5(b)を参照のこと)。   In the light emission period of the EL element 15, the gate signal line 17a is inactive (OFF voltage is applied), the gate signal line 17b is active, the path through which the current Iw = Ie flows, and the transistor 11d connected to the EL element 15 and Switching to the path including the EL element 15 causes the stored current Iw to flow through the EL element 15 (see FIG. 5B).

図1の画素回路は、1画素内に4つのトランジスタ11を有している。駆動用トランジスタ11a のゲート端子はトランジスタ11bのソース端子に接続されている。また、トランジスタ11bおよびトランジスタ11cのゲート端子はゲート信号線17aに接続されている。トランジスタ11bのドレイン端子はトランジスタ11cのソース端子ならびにトランジスタ11dのソース端子に接続され、トランジスタ11cのドレイン端子はソース信号線18に接続されている。トランジスタ11dのゲート端子はゲート信号線17bに接続され、トランジスタ11dのドレイン端子はEL素子15のアノード電極に接続されている。   The pixel circuit in FIG. 1 has four transistors 11 in one pixel. The gate terminal of the driving transistor 11a is connected to the source terminal of the transistor 11b. The gate terminals of the transistors 11b and 11c are connected to the gate signal line 17a. The drain terminal of the transistor 11 b is connected to the source terminal of the transistor 11 c and the source terminal of the transistor 11 d, and the drain terminal of the transistor 11 c is connected to the source signal line 18. The gate terminal of the transistor 11d is connected to the gate signal line 17b, and the drain terminal of the transistor 11d is connected to the anode electrode of the EL element 15.

なお、図1ではすべてのトランジスタはPチャンネルで構成している。Pチャンネルは多少Nチャンネルのトランジスタに比較してモビリティが低いが、耐圧が大きくまた劣化も発生しにくいので好ましい。しかし、本発明はEL素子構成をPチャンネルで構成することのみに限定するものではない。Nチャンネルのみで構成してもよい。また、NチャンネルとPチャンネルの両方を用いて構成してもよい。たとえば、図9から図13の画素構成などが例示される。   In FIG. 1, all the transistors are P-channel. The P channel has a lower mobility than an N channel transistor, but is preferable because it has a high breakdown voltage and is less likely to deteriorate. However, the present invention is not limited to the configuration of the EL element with the P channel. You may comprise only N channel. Moreover, you may comprise using both N channel and P channel. For example, the pixel configurations of FIGS. 9 to 13 are exemplified.

好ましくは、画素を構成するトランジスタ11をすべてPチャンネルで形成し、内蔵ゲートドライバ回路12もPチャンネルで形成することが好ましい。このようにアレイをPチャンネルのみのトランジスタで形成することにより、マスク枚数が5枚となり、低コスト化、高歩留まり化を実現できる。   Preferably, all of the transistors 11 constituting the pixel are formed with a P channel, and the built-in gate driver circuit 12 is also formed with a P channel. By forming the array with only P-channel transistors in this way, the number of masks becomes five, and cost reduction and high yield can be realized.

以上の事項は、図1の画素構成に限定されるものではなく、その他の電流プログラム方式の画素構成にも適用できることは言うまでもない。たとえば、適用される電流プログラム画素構成としては、図6から図13、図31から図36などが例示される。   Needless to say, the above items are not limited to the pixel configuration of FIG. 1 and can be applied to other current programming pixel configurations. For example, FIG. 6 to FIG. 13, FIG. 31 to FIG.

以下、さらに本発明の理解を容易にするために、本発明のEL素子構成について図5を用いて説明する。本発明のEL素子構成は2つのタイミングにより制御される。第1のタイミングは必要な電流値を記憶させるタイミングである。このタイミングでトランジスタ11bならびにトランジスタ11cがONすることにより、等価回路として図5(a)となる。ここで、信号線より所定の電流Iwが書き込まれる。これによりトランジスタ11aはゲートとドレインが接続された状態となり、このトランジスタ11aとトランジスタ11cを通じて電流Iwが流れる。したがって、トランジスタ11aのゲート−ソースの電圧はI1が流れるような電圧となる。   Hereinafter, in order to facilitate understanding of the present invention, the EL element configuration of the present invention will be described with reference to FIG. The EL device configuration of the present invention is controlled by two timings. The first timing is a timing for storing a necessary current value. When the transistor 11b and the transistor 11c are turned on at this timing, an equivalent circuit is shown in FIG. Here, a predetermined current Iw is written from the signal line. As a result, the gate and drain of the transistor 11a are connected, and a current Iw flows through the transistor 11a and the transistor 11c. Therefore, the gate-source voltage of the transistor 11a is a voltage at which I1 flows.

第2のタイミングはトランジスタ11aとトランジスタ11cが閉じ、トランジスタ11dが開くタイミングであり、そのときの等価回路は図5(b)となる。トランジスタ11aのソース−ゲート間の電圧は保持されたままとなる。この場合、トランジスタ11aは常に飽和領域で動作するため、Iwの電流は一定となる。   The second timing is a timing at which the transistor 11a and the transistor 11c are closed and the transistor 11d is opened, and the equivalent circuit at that time is shown in FIG. The voltage between the source and gate of the transistor 11a remains held. In this case, since the transistor 11a always operates in the saturation region, the current Iw is constant.

以上の動作を図示すると、図19に図示するようになる。図19(a)の191aは、表示画面144における、ある時刻での電流プログラムされている画素(行)(書き込み画素行)を示している。画素(行)191aは、図5(b)に図示するように非点灯(非表示画素(行))とする。   The above operation is illustrated in FIG. Reference numeral 191a in FIG. 19A denotes a pixel (row) (write pixel row) in which current is programmed at a certain time on the display screen 144. The pixel (row) 191a is not lit (non-display pixel (row)) as illustrated in FIG.

図1の画素構成の場合は、図5(a)に示すように、電流プログラム時は、プログラム電流Iwがソース信号線18に流れる。この電流Iwが駆動用トランジスタ11aを流れ、プログラム電流Iwを流す電流が保持されるように、コンデンサ19に電圧設定(プログラム)される。このとき、トランジスタ11dはオープン状態(オフ状態)である。   In the case of the pixel configuration of FIG. 1, as shown in FIG. 5A, the program current Iw flows through the source signal line 18 during current programming. The voltage is set (programmed) in the capacitor 19 so that the current Iw flows through the driving transistor 11a and the current through which the program current Iw flows is held. At this time, the transistor 11d is in an open state (off state).

次に、EL素子15に電流を流す期間は図5(b)のように、トランジスタ11c、11bがオフし、トランジスタ11dが動作する。つまり、ゲート信号線17aにオフ電圧(Vgh)が印加され、トランジスタ11b、11cがオフする。一方、ゲート信号線17bにオン電圧(Vgl)が印加され、トランジスタ11dがオンする。   Next, during a period in which a current flows through the EL element 15, the transistors 11c and 11b are turned off and the transistor 11d is operated as shown in FIG. That is, the off voltage (Vgh) is applied to the gate signal line 17a, and the transistors 11b and 11c are turned off. On the other hand, an on voltage (Vgl) is applied to the gate signal line 17b, and the transistor 11d is turned on.

このタイミングチャートを図21に図示する。図21などにおいて、括弧内の添え字(たとえば、(1)など)は画素行の番号を示している。つまり、ゲート信号線17a(1)とは、画素行(1)のゲート信号線17aを示している。また、図4の上段の*H(「*」には任意の記号、数値が当てはまり、水平走査線の番号を示す)とは、水平走査期間を示している。つまり、1Hとは第1番目の水平走査期間である。なお、以上の事項は、説明を容易にするためであって、限定(1Hの番号、1H周期、画素行番号の順番など)するものではない。   This timing chart is shown in FIG. In FIG. 21 and the like, subscripts in parentheses (for example, (1) and the like) indicate pixel row numbers. That is, the gate signal line 17a (1) indicates the gate signal line 17a of the pixel row (1). Also, * H in the upper part of FIG. 4 (an arbitrary symbol or numerical value is applied to “*” and indicates a horizontal scanning line number) indicates a horizontal scanning period. That is, 1H is the first horizontal scanning period. The above items are for ease of explanation and are not limited (1H number, 1H cycle, order of pixel row numbers, etc.).

図21でわかるように、各選択された画素行(選択期間は、1Hとしている)において、ゲート信号線17aにオン電圧が印加されている時には、ゲート信号線17bにはオフ電圧が印加されている。また、この期間は、EL素子15には電流が流れていない(非点灯状態)。選択されていない画素行において、ゲート信号線17aにオフ電圧が印加され、ゲート信号線17bにはオン電圧が印加されている。   As can be seen from FIG. 21, when a turn-on voltage is applied to the gate signal line 17a in each selected pixel row (selection period is 1H), a turn-off voltage is applied to the gate signal line 17b. Yes. During this period, no current flows through the EL element 15 (non-lighting state). In an unselected pixel row, an off voltage is applied to the gate signal line 17a, and an on voltage is applied to the gate signal line 17b.

なお、トランジスタ11aのゲートとトランジスタ11cのゲートは同一のゲート信号線11aに接続している。しかし、トランジスタ11aのゲートとトランジスタ11cのゲートとを異なるゲート信号線11に接続してもよい(図6を参照のこと)。図6において、1画素のゲート信号線は3本となる(図1の構成は2本である)。   Note that the gate of the transistor 11a and the gate of the transistor 11c are connected to the same gate signal line 11a. However, the gate of the transistor 11a and the gate of the transistor 11c may be connected to different gate signal lines 11 (see FIG. 6). In FIG. 6, one pixel has three gate signal lines (the configuration in FIG. 1 is two).

図6の画素構成では、トランジスタ11bのゲートのON/OFFタイミングとトランジスタ11cのゲートのON/OFFタイミングを個別に制御することにより、トランジスタ11aのばらつきによるEL素子15の電流値バラツキをさらに低減することができる。   In the pixel configuration of FIG. 6, the ON / OFF timing of the gate of the transistor 11b and the ON / OFF timing of the gate of the transistor 11c are individually controlled, thereby further reducing the current value variation of the EL element 15 due to variations in the transistor 11a. be able to.

図6の画素構成において、画素16に電流プログラムを行う際は、ゲート信号線17a1、17a2を同時に選択し、トランジスタ11b、11cをオンさせる。なお、電流プログラムを実施している画素16のゲート信号線17bにはオフ電圧を印加し、トランジスタ11dをオフさせておく。   In the pixel configuration of FIG. 6, when current programming is performed on the pixel 16, the gate signal lines 17a1 and 17a2 are simultaneously selected to turn on the transistors 11b and 11c. Note that a turn-off voltage is applied to the gate signal line 17b of the pixel 16 that is executing the current program to turn off the transistor 11d.

選択した画素行における電流プログラム期間(通常、1水平走査期間)を完了する時は、まず、ゲート信号線17a1にオフ電圧(Vgh)を印加して、トランジスタ11bをオフする。この時は、ゲート信号線17a2はオン電圧(Vgl)が印加されており、トランジスタ11cはオン状態である。次に、ゲート信号線17a2にオフ電圧を印加し、トランジスタ11cをオフさせる。以上のように、トランジスタ11b、11cの両方がオン状態から、トランジスタ11b、11cをオフ状態にする際(該当画素行の電流プログラム期間を終了させる時)は、まず、トランジスタ11bをオフにし、駆動用トランジスタ11aのゲート端子(G)とドレイン端子(D)間をオープンにする(ゲート信号線17a1にオフ電圧(Vgh)を印加する)。次に、トランジスタ11cをオフにして、ソース信号線18と駆動用トランジスタ11aのドレイン端子(D)を切り離す(ゲート信号線17a2にもオフ電圧(Vgh)を印加する)。   When the current program period (usually one horizontal scanning period) in the selected pixel row is completed, first, the off voltage (Vgh) is applied to the gate signal line 17a1 to turn off the transistor 11b. At this time, an ON voltage (Vgl) is applied to the gate signal line 17a2, and the transistor 11c is in an ON state. Next, an off voltage is applied to the gate signal line 17a2 to turn off the transistor 11c. As described above, when both the transistors 11b and 11c are turned on and the transistors 11b and 11c are turned off (when the current program period of the corresponding pixel row is ended), the transistor 11b is first turned off and driven. The gate terminal (G) and the drain terminal (D) of the transistor 11a are opened (off voltage (Vgh) is applied to the gate signal line 17a1). Next, the transistor 11c is turned off, and the source signal line 18 and the drain terminal (D) of the driving transistor 11a are disconnected (an off voltage (Vgh) is also applied to the gate signal line 17a2).

ゲート信号線17a1にオフ電圧を印加してから、ゲート信号線17a2にオフ電圧を印加するまでの期間Twは、0.1μsec以上10μsec以下の期間とすることが好ましい。0.1μsec以上10μsec以下の期間とすることが好ましい。もしくは、1Hの期間をThとした時、Twは、Th/500以上Th/10以下とすることが好ましい。特に、Twは、Th/200以上Th/50以下とすることが好ましい。   The period Tw from when the off voltage is applied to the gate signal line 17a1 to when the off voltage is applied to the gate signal line 17a2 is preferably 0.1 μsec or more and 10 μsec or less. It is preferable that the period be 0.1 μsec or more and 10 μsec or less. Alternatively, when the period of 1H is Th, Tw is preferably set to Th / 500 or more and Th / 10 or less. In particular, Tw is preferably set to Th / 200 or more and Th / 50 or less.

以上の事項は、図6の画素構成に限定されるものではない。たとえば、図12の画素構成にも適用される。図12の画素構成において、画素16に電流プログラムを行う際は、ゲート信号線17a1、17a2を同時に選択し、トランジスタ11d、11cをオンさせる。なお、電流プログラムを実施している画素16のゲート信号線17bにはオフ電圧を印加し、トランジスタ11eをオフさせておく。   The above items are not limited to the pixel configuration of FIG. For example, the present invention is also applied to the pixel configuration of FIG. In the pixel configuration of FIG. 12, when current programming is performed on the pixel 16, the gate signal lines 17a1 and 17a2 are simultaneously selected to turn on the transistors 11d and 11c. Note that a turn-off voltage is applied to the gate signal line 17b of the pixel 16 that is executing the current program to turn off the transistor 11e.

選択した画素行における電流プログラム期間(通常、1水平走査期間)を完了する時は、まず、ゲート信号線17a1にオフ電圧(Vgh)を印加して、トランジスタ11dをオフする。この時は、ゲート信号線17a2はオン電圧(Vgl)が印加されており、トランジスタ11cはオン状態である。次に、ゲート信号線17a2にオフ電圧を印加し、トランジスタ11cをオフさせる。以上のように、トランジスタ11d、11cの両方がオン状態から、トランジスタ11d、11cをオフ状態にする際(該当画素行の電流プログラム期間を終了させる時)は、まず、トランジスタ11dをオフにし、トランジスタ11aのゲート端子(G)とドレイン端子(D)間をオープンにする(ゲート信号線17a1にオフ電圧(Vgh)を印加する)。次に、トランジスタ11cをオフにして、ソース信号線18とトランジスタ11aのドレイン端子(D)を切り離す(ゲート信号線17a2にもオフ電圧(Vgh)を印加する)。   When the current program period (usually one horizontal scanning period) in the selected pixel row is completed, first, the off voltage (Vgh) is applied to the gate signal line 17a1 to turn off the transistor 11d. At this time, an ON voltage (Vgl) is applied to the gate signal line 17a2, and the transistor 11c is in an ON state. Next, an off voltage is applied to the gate signal line 17a2 to turn off the transistor 11c. As described above, when both the transistors 11d and 11c are turned on and the transistors 11d and 11c are turned off (when the current program period of the pixel row is ended), the transistor 11d is first turned off. The gate terminal (G) and the drain terminal (D) of 11a are opened (off voltage (Vgh) is applied to the gate signal line 17a1). Next, the transistor 11c is turned off to disconnect the source signal line 18 from the drain terminal (D) of the transistor 11a (an off voltage (Vgh) is also applied to the gate signal line 17a2).

図12でも図6と同様に、ゲート信号線17a1にオフ電圧を印加してから、ゲート信号線17a2にオフ電圧を印加するまでの期間Twは、0.1μsec以上10μsec以下の期間とすることが好ましい。0.1μsec以上10μsec以下の期間とすることが好ましい。もしくは、1Hの期間をThとした時、Twは、Th/500以上Th/10以下とすることが好ましい。特に、Twは、Th/200以上Th/50以下とすることが好ましい。   In FIG. 12, similarly to FIG. 6, the period Tw from when the off voltage is applied to the gate signal line 17a1 to when the off voltage is applied to the gate signal line 17a2 is 0.1 μsec or more and 10 μsec or less. preferable. It is preferable that the period be 0.1 μsec or more and 10 μsec or less. Alternatively, when the period of 1H is Th, Tw is preferably set to Th / 500 or more and Th / 10 or less. In particular, Tw is preferably set to Th / 200 or more and Th / 50 or less.

以上の事項は、図10などの画素構成にあっても適用できることは言うまでもない。また、図12では駆動用トランジスタ11bとEL素子15間にスイッチング用トランジスタ11eを配置しているが、図13に図示するように、スイッチング用トランジスタ11eを省略してもよいことは言うまでもない。   Needless to say, the above matters can be applied to the pixel configuration shown in FIG. In FIG. 12, the switching transistor 11e is arranged between the driving transistor 11b and the EL element 15, but it goes without saying that the switching transistor 11e may be omitted as shown in FIG.

なお、本発明の画素構成は図1、図2の構成に限定されるものではない。たとえば、図7のように構成してもよい。図7は、図1の構成に比較してスイッチング用トランジスタ11dがない。替わりに切り替えスイッチ71が形成または配置されている。図1のスイッチ11dは駆動用トランジスタ11aからEL素子15に流れる電流をオンオフ(流す、流さない)制御する機能を有する。以降の実施例でも説明をするが、本発明はこのトランジスタ11dのオンオフ制御機能が重要な構成要素である。トランジスタ11dを形成せず、オンオフ機能を実現するのが、図7の構成である。   Note that the pixel configuration of the present invention is not limited to the configurations of FIGS. For example, you may comprise as FIG. 7 does not have the switching transistor 11d as compared with the configuration of FIG. Instead, a changeover switch 71 is formed or arranged. The switch 11d in FIG. 1 has a function of controlling on / off (flow or not flow) of a current flowing from the driving transistor 11a to the EL element 15. As will be described in the following embodiments, the on / off control function of the transistor 11d is an important component of the present invention. The configuration in FIG. 7 realizes the on / off function without forming the transistor 11d.

図7において、切り替えスイッチ71のa端子は、アノード電圧Vddに接続されている。なお、a端子に印加する電圧はアノード電圧Vddに限定されるものではなく、EL素子15に流れる電流をオフできる電圧であればいずれでもよい。   In FIG. 7, the terminal a of the changeover switch 71 is connected to the anode voltage Vdd. The voltage applied to the terminal a is not limited to the anode voltage Vdd, and any voltage that can turn off the current flowing through the EL element 15 may be used.

切り替えスイッチ71のb端子は、カソード電圧(図7ではグランドと図示している)に接続されている。なお、b端子に印加する電圧はカソード電圧に限定されるものではなく、EL素子15に流れる電流をオンできる電圧であればいずれでもよい。   The b terminal of the changeover switch 71 is connected to the cathode voltage (shown as ground in FIG. 7). The voltage applied to the b terminal is not limited to the cathode voltage, and any voltage that can turn on the current flowing through the EL element 15 may be used.

切り替えスイッチ71のc端子にはEL素子15のカソード端子が接続されている。なお、切り替えスイッチ71はEL素子15に流れる電流をオンオフさせる機能を持つものであればいずれでもよい。したがって、図7の形成位置に限定されるものではなく、EL素子15の電流が流れる経路であればいずれでもよい。また、スイッチの機能の限定されるものでもなく、EL素子15に流れる電流をオンオフできればいずれでもよい。つまり、本発明では、EL素子15の電流経路にEL素子15に流す電流をオンオフできるスイッチング手段を具備すれば、いずれの画素構成でもよい。   The cathode terminal of the EL element 15 is connected to the c terminal of the changeover switch 71. Note that the change-over switch 71 may be any as long as it has a function of turning on and off the current flowing through the EL element 15. Therefore, it is not limited to the formation position of FIG. 7, and any path may be used as long as the current of the EL element 15 flows. Further, the function of the switch is not limited, and any function may be used as long as the current flowing through the EL element 15 can be turned on and off. In other words, in the present invention, any pixel configuration may be used as long as switching means capable of turning on and off the current flowing through the EL element 15 is provided in the current path of the EL element 15.

本明細書において、オフとは完全に電流が流れない状態を意味するものではない。EL素子15に流れる電流を通常よりも低減できるものであればよい。以上の事項は本発明の他の構成においても同様である。つまり、トランジスタ11dはEL素子15が発光するリーク電流を流しても良い。   In this specification, “off” does not mean a state in which no current flows completely. Any current can be used as long as the current flowing through the EL element 15 can be reduced more than usual. The above matters are the same in other configurations of the present invention. That is, the transistor 11d may pass a leakage current that is emitted from the EL element 15.

切り替えスイッチ71は、PチャンネルとNチャンネルのトランジスタを組み合わせることにより容易に実現できるので説明は必要ないであろう。もちろん、スイッチ71はEL素子15に流れる電流をオンオフするだけであるから、PチャンネルトランジスタあるいはNチャンネルトランジスタでも形成することができることは言うまでもない。   Since the change-over switch 71 can be easily realized by combining P-channel and N-channel transistors, description thereof will not be necessary. Of course, since the switch 71 only turns on and off the current flowing through the EL element 15, it is needless to say that the switch 71 can be formed of a P-channel transistor or an N-channel transistor.

スイッチ71がa端子に接続されている時は、EL素子15のカソード端子にアノード電圧Vddが印加される。したがって、駆動用トランジスタ11aのゲート端子Gがいずれの電圧保持状態であってもEL素子15には電流が流れない。したがって、EL素子15は非点灯状態となる。もちろん、駆動用トランジスタ11aのソース端子(S)−ドレイン端子(D)間の電圧が、カットオフあるいはその近傍にすることができるように、切り換え回路71のa端子の電圧を設定すればよい。   When the switch 71 is connected to the terminal a, the anode voltage Vdd is applied to the cathode terminal of the EL element 15. Therefore, no current flows through the EL element 15 regardless of the voltage holding state of the gate terminal G of the driving transistor 11a. Therefore, the EL element 15 is not turned on. Of course, the voltage at the a terminal of the switching circuit 71 may be set so that the voltage between the source terminal (S) and the drain terminal (D) of the driving transistor 11a can be cut off or in the vicinity thereof.

スイッチ71がb端子に接続されている時は、EL素子15のカソード端子にカソード電圧Vssが印加される。したがって、駆動用トランジスタ11aのゲート端子Gに保持された電圧状態に応じてEL素子15に電流が流れる。したがって、EL素子15は点灯状態となる。   When the switch 71 is connected to the b terminal, the cathode voltage Vss is applied to the cathode terminal of the EL element 15. Therefore, a current flows through the EL element 15 in accordance with the voltage state held at the gate terminal G of the driving transistor 11a. Therefore, the EL element 15 is turned on.

以上のことより図7の画素構成では、駆動用トランジスタ11aとEL素子15間にはスイッチング用トランジスタ11dが形成されていない。しかし、スイッチ71を制御することによりEL素子15の点灯制御を行うことができる。   From the above, in the pixel configuration of FIG. 7, the switching transistor 11 d is not formed between the driving transistor 11 a and the EL element 15. However, the lighting control of the EL element 15 can be performed by controlling the switch 71.

なお、スイッチング用トランジスタ11などはホトトランジスタであってもよい。たとえば、外光の強弱によりホトトランジスタ11をオンオフさせ、EL素子15に流れる電流を制御することにより、表示パネルの輝度を変化させることができる。   Note that the switching transistor 11 or the like may be a phototransistor. For example, the luminance of the display panel can be changed by turning on / off the phototransistor 11 according to the intensity of external light and controlling the current flowing through the EL element 15.

図1、図2、図6、図11、図12などの画素構成では、駆動用トランジスタ11aもしくは11bは1画素につき1個である。本発明はこれに限定するものではなく、駆動用トランジスタ11aは1画素に複数個を形成または配置してもよい。   In the pixel configurations of FIGS. 1, 2, 6, 11, and 12, the number of driving transistors 11a or 11b is one per pixel. The present invention is not limited to this, and a plurality of driving transistors 11a may be formed or arranged in one pixel.

図8は1画素16に複数個の駆動用トランジスタ11aが形成または構成された実施例である。図8では1画素に2個の駆動用トランジスタ素子11a1、11a2が形成され、2個の駆動用トランジスタ11a1、11a2のゲート端子は共通のコンデンサ19に接続されている。駆動用トランジスタ11aを複数個形成することにより、プログラムされる電流バラツキが低減するという効果がある。他の構成は、図1などと同様であるので説明を省略する。なお、図8において、駆動用トランジスタ11aは3個以上で構成(形成)してもよいことは言うまでもない。また、複数の駆動用トランジスタ11aはNチャンネルとPチャンネルの両方を用いて構成(形成)してもよい。   FIG. 8 shows an embodiment in which a plurality of driving transistors 11 a are formed or configured in one pixel 16. In FIG. 8, two drive transistor elements 11 a 1 and 11 a 2 are formed in one pixel, and the gate terminals of the two drive transistors 11 a 1 and 11 a 2 are connected to a common capacitor 19. By forming a plurality of driving transistors 11a, there is an effect that variation in programmed current is reduced. Other configurations are the same as those in FIG. In FIG. 8, it goes without saying that the drive transistor 11a may be configured (formed) with three or more transistors. The plurality of driving transistors 11a may be configured (formed) using both the N channel and the P channel.

図1、図2は駆動用トランジスタ11aが出力する電流をEL素子15に流し、前記電流を駆動用トランジスタ11aとEL素子15間に配置されたスイッチング素子11dでオンオフ制御するものであった。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。たとえば、図9の構成が例示される。   1 and 2, the current output from the driving transistor 11a is supplied to the EL element 15, and the current is on / off controlled by the switching element 11d disposed between the driving transistor 11a and the EL element 15. In FIG. However, the present invention is not limited to this. For example, the configuration of FIG. 9 is illustrated.

図9の実施例では、EL素子15に流す電流が駆動用トランジスタ11aで制御される。EL素子15に流れる電流をオンオフさせるのはVdd端子とEL素子15間に配置されたスイッチング素子11dで制御される。したがって、本発明はスイッチング素子11dの配置はどこでもよく、EL素子15に流れる電流を制御できるものであればいずれでもよい。動作などは図1などと同様あるいは類似であるので説明を省略する。   In the embodiment of FIG. 9, the current flowing through the EL element 15 is controlled by the driving transistor 11a. Switching on and off the current flowing through the EL element 15 is controlled by the switching element 11 d disposed between the Vdd terminal and the EL element 15. Therefore, in the present invention, the arrangement of the switching element 11d may be anywhere, and any arrangement can be used as long as the current flowing through the EL element 15 can be controlled. The operation is the same as or similar to that shown in FIG.

また、図10の画素構成において、すべてのトランジスタはNチャンネルで構成している。しかし、本発明はEL素子構成をNチャンネルで構成することのみに限定するものではない。NチャンネルとPチャンネルの両方を用いて構成してもよい。   Further, in the pixel configuration of FIG. 10, all the transistors are configured with N channels. However, the present invention is not limited to the configuration of the EL element composed of N channels. You may comprise using both N channel and P channel.

図10の画素構成は、2つのタイミングにより制御される。第1のタイミングは必要な電流値を記憶させるタイミングである。第1のタイミングではゲート信号線17a1、17a2にオン電圧(Vgh)が印加されることにより、トランジスタ11bならびにトランジスタ11cがONする。また、ゲート信号線17bにオフ電圧(Vgl)が印加され、トランジスタ11dがOFFする。したがって、ソース信号線18より所定の電流Iwが書き込まれる。これによりトランジスタ11aはゲートとドレインが短絡された状態となり、駆動用トランジスタ11aはトランジスタ11cを通じてプログラム電流が流れる。   The pixel configuration in FIG. 10 is controlled by two timings. The first timing is a timing for storing a necessary current value. At the first timing, an ON voltage (Vgh) is applied to the gate signal lines 17a1 and 17a2, so that the transistor 11b and the transistor 11c are turned on. Further, an off voltage (Vgl) is applied to the gate signal line 17b, and the transistor 11d is turned off. Therefore, a predetermined current Iw is written from the source signal line 18. As a result, the gate and drain of the transistor 11a are short-circuited, and a program current flows through the transistor 11c through the transistor 11c.

選択した画素行における電流プログラム期間(通常、1水平走査期間)を完了する時は、まず、ゲート信号線17a1にオフ電圧(Vgh)を印加して、トランジスタ11bをオフする。この時は、ゲート信号線17a2はオン電圧(Vgl)が印加されており、トランジスタ11cはオン状態である。次に、ゲート信号線17a2にオフ電圧を印加し、トランジスタ11cをオフさせる。以上のように、トランジスタ11b、11cの両方がオン状態から、トランジスタ11b、11cをオフ状態にする際(該当画素行の電流プログラム期間を終了させる時)は、まず、トランジスタ11bをオフにし、トランジスタ11aのゲート端子(G)とドレイン端子(D)間をオープンにする(ゲート信号線17a1にオフ電圧(Vgh)を印加する)。次に、トランジスタ11cをオフにして、ソース信号線18とトランジスタ11aのドレイン端子(D)を切り離す(ゲート信号線17a2にもオフ電圧(Vgh)を印加する)。   When the current program period (usually one horizontal scanning period) in the selected pixel row is completed, first, the off voltage (Vgh) is applied to the gate signal line 17a1 to turn off the transistor 11b. At this time, an ON voltage (Vgl) is applied to the gate signal line 17a2, and the transistor 11c is in an ON state. Next, an off voltage is applied to the gate signal line 17a2 to turn off the transistor 11c. As described above, when both the transistors 11b and 11c are turned on and the transistors 11b and 11c are turned off (when the current program period of the pixel row is ended), the transistor 11b is first turned off. The gate terminal (G) and the drain terminal (D) of 11a are opened (off voltage (Vgh) is applied to the gate signal line 17a1). Next, the transistor 11c is turned off to disconnect the source signal line 18 from the drain terminal (D) of the transistor 11a (an off voltage (Vgh) is also applied to the gate signal line 17a2).

第2のタイミングはゲート信号線17a1、17a2にオフ電圧が印加され、ゲート信号線17bにオン電圧が印加される。したがって、トランジスタ11bとトランジスタ11cがオフし、トランジスタ11dがオンする。この場合、トランジスタ11aは常に飽和領域で動作するため、Iwの電流は一定となる。   In the second timing, an off voltage is applied to the gate signal lines 17a1 and 17a2, and an on voltage is applied to the gate signal line 17b. Therefore, the transistor 11b and the transistor 11c are turned off, and the transistor 11d is turned on. In this case, since the transistor 11a always operates in the saturation region, the current Iw is constant.

電流プログラム方式の画素(図1、図6から図13、図31から図36など)では、駆動用トランジスタ11a(図11、図12などではトランジスタ11b)の特性のバラツキはトランジスタサイズに相関がある。特性バラツキを小さくするため、駆動用トランジスタ11のチャンネル長Lが5μm以上100μm以下とすることが好ましい。さらに好ましくは、駆動用トランジスタ11のチャンネル長Lが10μm以上50μm以下とすることが好ましい。これは、チャンネル長Lを長くした場合、チャンネルに含まれる粒界が増えることによって電界が緩和されキンク効果が低く抑えられるためであると考えられる。   In current-programmed pixels (FIGS. 1, 6 to 13, FIG. 31 to FIG. 36, etc.), variations in characteristics of the driving transistor 11a (transistor 11b in FIGS. 11, 12, etc.) are correlated with the transistor size. . In order to reduce the characteristic variation, the channel length L of the driving transistor 11 is preferably set to 5 μm or more and 100 μm or less. More preferably, the channel length L of the driving transistor 11 is 10 μm or more and 50 μm or less. This is considered to be because when the channel length L is increased, the grain boundary included in the channel increases, the electric field is relaxed, and the kink effect is suppressed to a low level.

以上のように、本発明は、EL素子15に電流が流れこむ経路、またはEL素子15から電流が流れ出す経路(つまり、EL素子15の電流経路である)にEL素子15に流れる電流を制御する回路手段を構成または形成もしくは配置したものである。   As described above, the present invention controls the current flowing through the EL element 15 in the path through which current flows into the EL element 15 or the path through which current flows from the EL element 15 (that is, the current path of the EL element 15). The circuit means is configured, formed or arranged.

電流プログラム方式の1つであるカレントミラー方式であっても、図11に図示すうように、駆動用トランジスタ11bとEL素子15間にスイッチング素子としてのトランジスタ11eを形成または配置することによりEL素子15に流れる電流をオンオフすることができる(制御することができる)。もちろん、トランジスタ11eは図7の切り換え回路71に置き換えても良い。   Even in the current mirror method which is one of current programming methods, as shown in FIG. 11, an EL element is formed by forming or arranging a transistor 11e as a switching element between the driving transistor 11b and the EL element 15. The current flowing through 15 can be turned on and off (can be controlled). Of course, the transistor 11e may be replaced with the switching circuit 71 of FIG.

図11のスイッチング用トランジスタ11d、11cは1本のゲート信号線17aに接続されているが、図12に図示するように、トランジスタ11cはゲート信号線17a2で制御し、トランジスタ11dはゲート信号線17a1で制御するように構成してもよい。先にも説明したように、図12の画素構成の方が、画素16の制御の汎用性が高くなり、駆動用トランジスタ11bの特性補償性能も向上する。   The switching transistors 11d and 11c in FIG. 11 are connected to one gate signal line 17a. As shown in FIG. 12, the transistor 11c is controlled by the gate signal line 17a2, and the transistor 11d is controlled by the gate signal line 17a1. You may comprise so that it may control by. As described above, the pixel configuration shown in FIG. 12 is more versatile in controlling the pixel 16, and the characteristic compensation performance of the driving transistor 11b is improved.

次に、本発明のEL表示パネルあるいはEL表示装置について説明をする。図14はEL表示装置の回路を中心とした説明図である。画素16はマトリックス状に配置または形成されている。各画素16には各画素の電流プログラムを行うプログラム電流を出力するソースドライバ回路14が接続されている。ソースドライバ回路14の出力段は映像信号のビット数に対応したカレントミラー回路が形成されている(後に説明する)。たとえば、64階調であれば、63個のカレントミラー回路が各ソース信号線に形成され、これらのカレントミラー回路の個数を選択することにより所望の電流をソース信号線18に印加できるように構成されている(図15、図57、図58、図59などを参照のこと)。   Next, the EL display panel or EL display device of the present invention will be described. FIG. 14 is an explanatory diagram focusing on the circuit of the EL display device. The pixels 16 are arranged or formed in a matrix. Each pixel 16 is connected to a source driver circuit 14 that outputs a program current for performing current programming of each pixel. A current mirror circuit corresponding to the number of bits of the video signal is formed at the output stage of the source driver circuit 14 (described later). For example, in the case of 64 gradations, 63 current mirror circuits are formed in each source signal line, and a desired current can be applied to the source signal line 18 by selecting the number of these current mirror circuits. (See FIGS. 15, 57, 58, 59, etc.).

なお、単位トランジスタ154の最小出力電流は5nA以上100nAにしている。特に単位トランジスタ154の最小出力電流は15nA以上50nAにすることがよい。ドライバIC14内の単位トランジスタ群431cを構成する単位トランジスタ154の精度を確保するためである。   The minimum output current of the unit transistor 154 is 5 nA or more and 100 nA. In particular, the minimum output current of the unit transistor 154 is preferably 15 nA or more and 50 nA. This is to ensure the accuracy of the unit transistors 154 constituting the unit transistor group 431 c in the driver IC 14.

また、ソース信号線18の電荷を強制的に放出または充電するプリチャージ回路を内蔵する(図16などを参照のこと)。ソース信号線18の電荷を強制的に放出または充電するプリチャージあるいはディスチャージ回路の電圧(電流)出力値は、R、G、Bで独立に設定できるように構成することが好ましい。EL素子15の閾値がRGBで異なるからである。   In addition, a precharge circuit for forcibly releasing or charging the source signal line 18 is incorporated (see FIG. 16 and the like). The voltage (current) output value of the precharge or discharge circuit that forcibly releases or charges the source signal line 18 is preferably configured to be set independently by R, G, and B. This is because the threshold value of the EL element 15 differs between RGB.

なお、プリチャージによる電圧は、駆動用トランジスタ11aのゲート(G)端子に立ち上がり電圧あるいは立ち上がり電圧以下の電圧を印加する方法とも考えることができる。つまり、駆動用トランジスタ11aをオフ状態にすることによりプログラム電流Iwが0になる状態を発生さえ、EL素子15に電流が流れないようにする。ソース信号線18の電荷の充放電は副次てきなものである。   Note that the precharge voltage can be considered as a method of applying a rising voltage or a voltage equal to or lower than the rising voltage to the gate (G) terminal of the driving transistor 11a. That is, even when a state in which the program current Iw becomes 0 is generated by turning off the driving transistor 11a, the current is prevented from flowing through the EL element 15. Charge / discharge of the charge of the source signal line 18 is secondary.

本発明において、ソースドライバ回路14は半導体シリコンチップで形成し、ガラスオンチップ(COG)技術で基板30のソース信号線18の端子と接続されている。一方、ゲートドライバ回路12は低温ポリシリコン技術で形成している。つまり、画素のトランジスタと同一のプロセスで形成している。これは、ソースドライバ回路14に比較して内部の構造が容易で、動作周波数も低いためである。したがって、低温ポリシリ技術で形成しても容易に形成することができ、また、表示パネルの狭額縁化を実現できる。もちろん、ゲートドライバ回路12をシリコンチップで形成し、COG技術などを用いて基板30上に実装してもよいことは言うまでもない。また、ドライバ12、14をCOFあるいはTAB技術で実装してもよい。また、画素トランジスタなどのスイッチング素子、ゲートドライバなどは高温ポリシリコン技術で形成してもよく、有機材料で形成(有機トランジスタ)してもよい。   In the present invention, the source driver circuit 14 is formed of a semiconductor silicon chip, and is connected to the terminal of the source signal line 18 of the substrate 30 by a glass-on-chip (COG) technique. On the other hand, the gate driver circuit 12 is formed by low-temperature polysilicon technology. That is, it is formed by the same process as the pixel transistor. This is because the internal structure is easier and the operating frequency is lower than that of the source driver circuit 14. Therefore, even if it is formed by low-temperature polysilicon technology, it can be formed easily, and a narrow frame of the display panel can be realized. Of course, it goes without saying that the gate driver circuit 12 may be formed of a silicon chip and mounted on the substrate 30 using COG technology or the like. Further, the drivers 12 and 14 may be mounted by COF or TAB technology. In addition, switching elements such as pixel transistors, gate drivers, and the like may be formed by high-temperature polysilicon technology or organic materials (organic transistors).

ゲートドライバ回路12はゲート信号線17a用のシフトレジスタ回路141aと、ゲート信号線17b用のシフトレジスタ回路141bとを内蔵する。なお、説明を容易にするため、画素構成は図1を例にあげて説明をする。また、図6、図12のようにゲート信号線17aがゲート信号線17a1と17a2で構成される場合は、それぞれ独立にシフトレジスタ回路141を形成するか、いつのシフトレジスタ回路141の出力信号をロジック回路でゲート信号線17a1、17a2の制御信号を発生させる。   The gate driver circuit 12 includes a shift register circuit 141a for the gate signal line 17a and a shift register circuit 141b for the gate signal line 17b. For ease of explanation, the pixel configuration will be described using FIG. 1 as an example. 6 and 12, when the gate signal line 17a is composed of the gate signal lines 17a1 and 17a2, the shift register circuit 141 is formed independently or when the output signal of the shift register circuit 141 is logic The circuit generates control signals for the gate signal lines 17a1 and 17a2.

各シフトレジスタ回路141は正相と負相のクロック信号(CLKxP、CLKxN)、スタートパルス(STx)で制御される(図14を参照のこと)。その他、ゲート信号線の出力、非出力を制御するイネーブル(ENABL)信号、シフト方向を上下逆転するアップダウン(UPDWM)信号を付加することが好ましい。他に、スタートパルスがシフトレジスタ回路141にシフトされ、そして出力されていることを確認する出力端子などを設けることが好ましい。なお、シフトレジスタ回路141のシフトタイミングはコントロールIC760(後述する)からの制御信号で制御される。また、外部データのレベルシフトを行うレベルシフト回路141を内蔵する。なお、クロック信号は正相のみとしてもよい。正相のみのクロック信号とすることにより信号線数が削減でき、狭額縁化を実現できる。   Each shift register circuit 141 is controlled by positive-phase and negative-phase clock signals (CLKxP, CLKxN) and a start pulse (STx) (see FIG. 14). In addition, it is preferable to add an enable (ENABL) signal for controlling the output and non-output of the gate signal line and an up / down (UPDWM) signal for reversing the shift direction up and down. In addition, it is preferable to provide an output terminal for confirming that the start pulse is shifted to the shift register circuit 141 and output. Note that the shift timing of the shift register circuit 141 is controlled by a control signal from a control IC 760 (described later). Further, a level shift circuit 141 that performs level shift of external data is incorporated. Note that the clock signal may have only a positive phase. By using only positive phase clock signals, the number of signal lines can be reduced, and a narrow frame can be realized.

シフトレジスタ回路141のバッファ容量は小さいため、直接にはゲート信号線17を駆動することができない。そのため、シフトレジスタ回路141の出力とゲート信号線17を駆動する出力ゲート143間には少なくとも2つ以上のインバータ回路142が形成されている。   Since the buffer capacity of the shift register circuit 141 is small, the gate signal line 17 cannot be driven directly. Therefore, at least two or more inverter circuits 142 are formed between the output of the shift register circuit 141 and the output gate 143 that drives the gate signal line 17.

ソースドライバ回路14を低温ポリシリなどのポリシリ技術で基板30上に直接形成する場合も同様であり、ソース信号線18を駆動するトランスファーゲートなどのアナログスイッチのゲートとソースドライバ回路14のシフトレジスタ間には複数のインバータ回路が形成される。以下の事項(シフトレジスタの出力と、信号線を駆動する出力段(出力ゲートあるいはトランスファーゲートなどの出力段間に配置されるインバータ回路に関する事項)は、ソースドライブおよびゲートドライバ回路に共通の事項である。   The same applies to the case where the source driver circuit 14 is directly formed on the substrate 30 by a polysilicon technique such as low-temperature polysilicon, and between the gate of an analog switch such as a transfer gate that drives the source signal line 18 and the shift register of the source driver circuit 14. A plurality of inverter circuits are formed. The following items (the output of the shift register and the output stage that drives the signal line (items related to the inverter circuit arranged between the output stages such as the output gate or transfer gate) are common to the source drive and gate driver circuits. is there.

本発明のEL表示パネルにおいて、各画素の色はR、G、Bの3原色としたがこれに限定するものではなく、シアン、イエロー、マゼンダなどの3色でもよい。また、Bとイエローなどの2色でもよい。Bとイエロー(Y)を用いれば白黒表示が可能である。もちろん、単色でもよい。また、R、G、B、シアン、イエロー、マゼンダなどの6色でもよい。R、G、B、シアン、マゼンダなどの5色でもよい。これらはナチュラルカラーとして色再現範囲が拡大し良好な表示を実現できる。以上のように本発明のEL表示装置は、RGBの3原色でカラー表示を行うものに限定されるものではない。   In the EL display panel of the present invention, the colors of each pixel are the three primary colors of R, G, and B, but are not limited to this, and may be three colors such as cyan, yellow, and magenta. Also, two colors such as B and yellow may be used. If B and yellow (Y) are used, black and white display is possible. Of course, it may be a single color. Also, six colors such as R, G, B, cyan, yellow, and magenta may be used. Five colors such as R, G, B, cyan, and magenta may be used. These are natural colors, and the color reproduction range is expanded to achieve a good display. As described above, the EL display device of the present invention is not limited to one that performs color display with the three primary colors RGB.

有機EL表示パネルのカラー化には主に三つの方式がある。そのうち、色変換方式はこのうちの一つである。発光層として青色のみの画素16を形成すればよく、フルカラー化に必要な残りの緑色と赤色は、青色光から色変換によって作り出す。したがって、RGBの各層を塗り分ける必要がない、RGBの各色の有機EL材料をそろえる必要がないという利点がある。色変換方式は、塗り分け方式のようは歩留まり低下がない。本発明のEL表示パネルはいずれの方式でもよい。また、インクジェット方式で形成してもよい。   There are mainly three methods for colorizing organic EL display panels. Of these, the color conversion method is one of them. It is only necessary to form the pixel 16 of only blue as the light emitting layer, and the remaining green and red necessary for full color are generated from the blue light by color conversion. Therefore, there is an advantage that it is not necessary to separately coat each layer of RGB, and it is not necessary to prepare organic EL materials of each color of RGB. The color conversion method does not cause a decrease in yield unlike the color separation method. The EL display panel of the present invention may be any type. Moreover, you may form by an inkjet system.

RGBなどの3原色を1組の画素をする場合であっても、各色の画素電極の面積は異ならせることが好ましい。もちろん、各色の発光効率がバランスよく、色純度もバランスがよければ、同一面積でもかまわない。しかし、1つまたは複数の色のバランスが悪ければ、画素電極(発光面積)を調整することが好ましい。各色の電極面積は電流密度を基準に決定すればよい。また、R、G、Bを構成する画素16の駆動用トランジスタ11aはサイズを変化させてもよい。最も効率の悪い画素色の駆動用トランジスタ11aを大きく構成する。   Even in the case of forming a set of pixels for three primary colors such as RGB, it is preferable that the areas of the pixel electrodes of the respective colors are different. Of course, if the luminous efficiency of each color is well balanced and the color purity is well balanced, the same area may be used. However, if the balance of one or more colors is bad, it is preferable to adjust the pixel electrode (light emitting area). The electrode area of each color may be determined based on the current density. Further, the size of the driving transistor 11a of the pixel 16 constituting R, G, and B may be changed. The driving transistor 11a having the least efficient pixel color is configured to be large.

EL表示パネルの色温度は、色温度が7000K(ケルビン)以上12000K以下の範囲で、ホワイトバランスを調整した時、各色の電流密度の差が±30%以内となるようにする。さらに好ましくは±15%以内となるようにする。たとえば、電流密度が100A/平方メーターをすれば、3原色がいずれも70A/平方メーター以上130A/平方メーター以下となるようにする。さらに好ましくは、3原色がいずれも85A/平方メーター以上115A/平方メーター以下となるようにする。   The color temperature of the EL display panel is set so that the difference in current density of each color is within ± 30% when the white balance is adjusted in the range of 7000 K (Kelvin) to 12000 K. More preferably, it is within ± 15%. For example, if the current density is 100 A / square meter, the three primary colors are all set to 70 A / square meter or more and 130 A / square meter or less. More preferably, the three primary colors are all set to 85 A / square meter or more and 115 A / square meter or less.

有機EL素子15は自己発光素子である。この発光による光がスイッチング素子としてのトランジスタに入射するとホトコンダクタ現象(ホトコン)が発生する。ホトコンとは、光励起によりトランジスタなどのスイッチング素子のオフ時でのリーク(オフリーク)が増える現象を言う。   The organic EL element 15 is a self-light emitting element. When light emitted by this light emission enters a transistor as a switching element, a photoconductor phenomenon (photoconversion) occurs. “Photocon” refers to a phenomenon in which leakage (off leak) increases when a switching element such as a transistor is turned off by photoexcitation.

この課題に対処するため、本発明ではゲートドライバ回路12(場合によってはソースドライバ回路14)の下層、画素トランジスタ11の下層の遮光膜を形成している。特に駆動用トランジスタ11aのゲート端子の電位位置(cで示す)とドレイン端子の電位位置(aで示す)間に配置されたトランジスタ11bを遮光することが好ましい。この構成を図314(a)(b)に示している。特に表示パネルが黒表示の場合は、図314(a)(b)におけるEL素子15のアノード端子の電位位置bの電位がカソード電位に近い。そのため、TFT17bがオン状態であると、電位aも低くなる。そのため、トランジスタ11bのソース端子とドレイン端子間の電位(c電位とa電位間)が大きくなり、トランジスタ11bがリークしやすくなる。この課題に対しては、図314(a)(b)に図示するように遮光膜3141を形成することが有効である。   In order to cope with this problem, the present invention forms a light shielding film under the gate driver circuit 12 (or the source driver circuit 14 in some cases) and under the pixel transistor 11. In particular, it is preferable to shield light from the transistor 11b disposed between the potential position (shown by c) of the gate terminal and the drain terminal (shown by a) of the driving transistor 11a. This configuration is shown in FIGS. 314 (a) and (b). In particular, when the display panel displays black, the potential at the potential position b of the anode terminal of the EL element 15 in FIGS. 314 (a) and 314 (b) is close to the cathode potential. Therefore, when the TFT 17b is in the on state, the potential “a” is also lowered. Therefore, the potential between the source terminal and the drain terminal of the transistor 11b (between the c potential and the a potential) is increased, and the transistor 11b is likely to leak. For this problem, it is effective to form a light shielding film 3141 as shown in FIGS.

遮光膜3141はクロムなどの金属薄膜で形成し、その膜厚は50nm以上150nm以下にする。膜厚3141が薄いと遮光効果が乏しく、厚いと凹凸が発生して上層のトランジスタ11のパターニングが困難になる。   The light-shielding film 3141 is formed using a metal thin film such as chromium, and the thickness thereof is 50 nm or more and 150 nm or less. When the film thickness 3141 is thin, the light shielding effect is poor, and when it is thick, unevenness is generated and patterning of the upper transistor 11 becomes difficult.

ドライバ回路12などは裏面だけでなく、表面からの光の進入も抑制するべきである。ホトコンの影響により誤動作するからである。したがって、本発明では、カソード電極が金属膜の場合は、ドライバ回路12などの表面にもカソード電極を形成し、この電極を遮光膜として用いている。   The driver circuit 12 and the like should suppress light from not only the back surface but also the front surface. This is because malfunction occurs due to the influence of the photocon. Therefore, in the present invention, when the cathode electrode is a metal film, the cathode electrode is also formed on the surface of the driver circuit 12 and the like, and this electrode is used as a light shielding film.

しかし、ドライバ回路12の上にカソード電極を形成すると、このカソード電極からの電界によるドライバの誤動作あるいはカソード電極とドライバ回路の電気的接触が発生する可能性がある。この課題に対処するため、本発明ではドライバ回路12などの上に少なくとも1層、好ましくは複数層の有機EL膜を画素電極上の有機EL膜形成と同時に形成する。   However, when a cathode electrode is formed on the driver circuit 12, a malfunction of the driver due to an electric field from the cathode electrode or an electrical contact between the cathode electrode and the driver circuit may occur. In order to cope with this problem, in the present invention, an organic EL film of at least one layer, preferably a plurality of layers, is formed simultaneously with the formation of the organic EL film on the pixel electrode on the driver circuit 12 or the like.

以下、本発明の駆動方法について説明をする。図1に示すように、ゲート信号線17aは行選択期間に導通状態(ここでは図1のトランジスタ11がPチャネルトランジスタであるためローレベルで導通となる)となり、ゲート信号線17bは非選択期間時にオン電圧を印加する。   Hereinafter, the driving method of the present invention will be described. As shown in FIG. 1, the gate signal line 17a becomes conductive during the row selection period (here, since the transistor 11 of FIG. 1 is a P-channel transistor, it becomes conductive at a low level), and the gate signal line 17b remains in the non-selection period. Sometimes an on-voltage is applied.

ソース信号線18には寄生容量(図示せず)が存在する。寄生容量は、ソース信号線18とゲート信号線17との交差部の容量、トランジスタ11b、トランジスタ11cのチャンネル容量などにより発生する。   The source signal line 18 has a parasitic capacitance (not shown). The parasitic capacitance is generated by the capacitance at the intersection of the source signal line 18 and the gate signal line 17, the channel capacitance of the transistors 11b and 11c, and the like.

寄生容量はソース信号線18だけでなく、ソースドライバIC14でも発生する。図17に図示するように、保護ダイオード171が主原因である。保護ダイオード171は、IC14を静電気保護する目的を有するが、コンデンサとなり寄生容量ともなってしまう。一般的な保護ダイオードの容量は3〜5pFである。   The parasitic capacitance is generated not only in the source signal line 18 but also in the source driver IC 14. As shown in FIG. 17, the protection diode 171 is the main cause. The protection diode 171 has a purpose of protecting the IC 14 from static electricity, but becomes a capacitor and also becomes a parasitic capacitance. The capacity of a general protection diode is 3 to 5 pF.

本発明のソースドライバIC(後に詳細に説明をする)では、図17に図示するように、接続端子155と電流出力回路164間にサージ低減抵抗172を形成または配置している。抵抗172はポリシリコンまたは拡散抵抗で形成する。抵抗172の抵抗値は、1KΩ以上1MΩ以下とする。この抵抗172により、外部からの静電気が抑制される。したがって、保護ダイオード171のサイズが小さくともよい。保護ダイオード171が小さければ保護ダイオードのよる寄生容量の大きさも小さくなる。   In the source driver IC of the present invention (which will be described in detail later), a surge reduction resistor 172 is formed or arranged between the connection terminal 155 and the current output circuit 164 as shown in FIG. The resistor 172 is formed of polysilicon or a diffused resistor. The resistance value of the resistor 172 is 1 KΩ to 1 MΩ. The resistor 172 suppresses static electricity from the outside. Therefore, the size of the protection diode 171 may be small. If the protective diode 171 is small, the parasitic capacitance due to the protective diode is also small.

なお、図17ではソースドライバIC14内に抵抗172を形成または配置しているように図示しているがこれに限定するものではなく、抵抗172は、アレイ30に形成または配置してもよいことはいうまでもない。また、ダイオード(トランジスタをダイオード構成にしたものを含む)171についても同様である。   In FIG. 17, the resistor 172 is illustrated or formed in the source driver IC 14. However, the present invention is not limited to this, and the resistor 172 may be formed or disposed in the array 30. Needless to say. The same applies to the diode 171 (including a transistor having a diode configuration).

ダイオード171は抵抗171としてみなされる。抵抗171aと171bはトリミングにより抵抗値を調整できるように構成することが好ましい。トリミングにより、抵抗値171aと171bの抵抗値を調整でき、ソース信号線18に流れるリーク電流をなくすことができる。トリミング以外で抵抗値などを調整することも可能である。たとえば、抵抗171を拡散抵抗で形成することより、加熱することにより抵抗値を調整できる。たとえば、抵抗にレーザー光を照射し、加熱することにより抵抗値を変化させることができる。また、ICチップを全体的にあるいは部分的に加熱することによりICチップ内に形成または構成された抵抗値を全体的にあるいは一部の抵抗の抵抗値を調整あるいは変化させることができる。また、複数の抵抗171aなどを形成し、1つ以上の抵抗171aとソース信号線18との接続をカットすることにより全体として抵抗値の調整を実現でき、リーク電流などをなくすことができる。以上のトリミング、調整などに関する事項は抵抗172に対しても適用されることは言うまでもない。   The diode 171 is regarded as the resistor 171. The resistors 171a and 171b are preferably configured so that the resistance value can be adjusted by trimming. By trimming, the resistance values of the resistance values 171a and 171b can be adjusted, and the leakage current flowing through the source signal line 18 can be eliminated. It is also possible to adjust the resistance value other than trimming. For example, the resistance value can be adjusted by heating by forming the resistor 171 as a diffused resistor. For example, the resistance value can be changed by irradiating the resistor with laser light and heating it. Further, by heating the IC chip entirely or partially, the resistance value formed or configured in the IC chip can be adjusted or changed in whole or in part. Further, by forming a plurality of resistors 171a and the like and cutting the connection between the one or more resistors 171a and the source signal line 18, it is possible to adjust the resistance value as a whole and to eliminate a leakage current. Needless to say, the above-described matters relating to trimming, adjustment, and the like apply to the resistor 172.

ソース信号線18の電流値変化に要する時間tは浮遊容量の大きさをC、ソース信号線の電圧をV、ソース信号線に流れる電流をIとするとt=C・V/Iである。たとえば、プログラム電流を10倍大きくすれば、電流値変化に要する時間が10分の1に短くできる。したがって、短い水平走査期間内に所定の電流値を書きこむためには電流値を増加させることが有効である。   The time t required to change the current value of the source signal line 18 is t = C · V / I where C is the magnitude of the stray capacitance, V is the voltage of the source signal line, and I is the current flowing through the source signal line. For example, if the program current is increased 10 times, the time required for the current value change can be shortened to 1/10. Therefore, it is effective to increase the current value in order to write a predetermined current value within a short horizontal scanning period.

プログラム電流をN倍にするとEL素子15に流れる電流もN倍となる。そのため、EL素子15の輝度もN倍となる。そこで、所定の輝度を得るために、たとえば、図1のトランジスタ17dの導通期間を1/Nにする。   When the program current is increased N times, the current flowing through the EL element 15 is also increased N times. Therefore, the luminance of the EL element 15 is also N times. Therefore, in order to obtain a predetermined luminance, for example, the conduction period of the transistor 17d in FIG. 1 is set to 1 / N.

以上のように、ソース信号線18の寄生容量の充放電を十分に行い、所定の電流値を画素16のトランジスタ11aに電流プログラムを行うためには、ソースドライバ回路14から比較的大きな電流を出力する必要がある。しかし、N倍のプログラム電流をソース信号線18に流すとこのプログラム電流値が画素16にプログラムされてしまい、所定の電流に対しN倍の大きな電流がEL素子15に流れる。たとえば、10倍の電流でプログラムすれば、当然、10倍の電流がEL素子15に流れ、EL素子15は10倍の輝度で発光する。所定の発光輝度にするためには、EL素子15に流れる時間を1/10にすればよい。このように駆動することにより、ソース信号線18の寄生容量を十分に充放電できるし、所定の発光輝度を得ることができる。   As described above, a relatively large current is output from the source driver circuit 14 in order to sufficiently charge and discharge the parasitic capacitance of the source signal line 18 and to perform a current program to the transistor 11a of the pixel 16 with a predetermined current value. There is a need to. However, if a program current of N times is passed through the source signal line 18, this program current value is programmed in the pixel 16, and a current N times as large as a predetermined current flows through the EL element 15. For example, if programming is performed with 10 times the current, naturally, 10 times the current flows through the EL element 15, and the EL element 15 emits light with 10 times the luminance. In order to obtain a predetermined light emission luminance, the time required to flow through the EL element 15 may be reduced to 1/10. By driving in this way, the parasitic capacitance of the source signal line 18 can be sufficiently charged and discharged, and a predetermined light emission luminance can be obtained.

なお、10倍の電流値を画素のトランジスタ11a(正確にはコンデンサ19の端子電圧を設定している)に書き込み、EL素子15のオン時間を1/10にするとしたがこれは一例である。場合によっては、10倍の電流値を画素のトランジスタ11aに書き込み、EL素子15のオン時間を1/5にしてもよい。逆に10倍の電流値を画素のトランジスタ11aに書き込み、EL素子15のオン時間を1/2倍にする場合もあるであろう。また、1倍の電流値を画素のトランジスタ11aに書き込み、EL素子15のオン時間を1/5にしてもよい。   It should be noted that although 10 times the current value is written in the pixel transistor 11a (more precisely, the terminal voltage of the capacitor 19 is set) and the on-time of the EL element 15 is reduced to 1/10, this is merely an example. In some cases, a 10 times larger current value may be written in the pixel transistor 11a, and the on-time of the EL element 15 may be reduced to 1/5. On the contrary, there may be a case where a 10 times larger current value is written in the pixel transistor 11a and the on-time of the EL element 15 is halved. Alternatively, a one-time current value may be written to the pixel transistor 11a, and the on-time of the EL element 15 may be reduced to 1/5.

本発明は、画素への書き込み電流を所定値以外の値にし、EL素子15に流れる電流を間欠状態にして駆動することに特徴がある。本明細書では説明を容易にするため、N倍の電流値を画素16の駆動用トランジスタ11に書き込み、EL素子15のオン時間を1/N倍にするとして説明する。しかし、これに限定するものではなく、N1倍(N1は1以上には限定されない)の電流値を画素16の駆動用トランジスタ11に書き込み、EL素子15のオン時間を1/(N2)倍(N2は1以上である。N1とN2とは異なる)でもよいことは言うまでもない。   The present invention is characterized in that the pixel write current is set to a value other than a predetermined value and the current flowing through the EL element 15 is driven intermittently. In this specification, for ease of explanation, it is assumed that the current value of N times is written in the driving transistor 11 of the pixel 16 and the ON time of the EL element 15 is 1 / N times. However, the present invention is not limited to this, and a current value of N1 times (N1 is not limited to 1 or more) is written to the driving transistor 11 of the pixel 16, and the ON time of the EL element 15 is 1 / (N2) times ( Needless to say, N2 may be equal to or greater than 1. N1 may be different from N2.

本発明の駆動方法は、たとえば、白ラスター表示とし、表示画面144の1フィールド(フレーム)期間の平均輝度をB0と仮定した場合、各画素16の輝度B1が平均輝度B0よりも高くなるように電流プログラムを行う駆動方法である。かつ、少なくとも1フィールド(フレーム)期間において、非表示領域192が発生するようにする駆動方法である。したがって、本発明の駆動方法では、1フィールド(フレーム)期間の平均輝度はB1よりも低くなる。   In the driving method of the present invention, for example, when white raster display is used and the average luminance in one field (frame) period of the display screen 144 is assumed to be B0, the luminance B1 of each pixel 16 is higher than the average luminance B0. This is a driving method for performing current programming. In addition, the non-display area 192 is generated in at least one field (frame) period. Therefore, in the driving method of the present invention, the average luminance in one field (frame) period is lower than B1.

また、1フィールド(フレーム)期間において、通常輝度で電流プログラムを画素16に対し実施し、非表示領域192が発生するようにする駆動方法である。この方式では、1フィールド(フレーム)期間の平均輝度は通常の駆動方法(従来の駆動方法)よりも低くなる。しかし、動画表示性能を向上できる効果が発揮される。   In addition, the current program is performed on the pixel 16 with normal luminance in one field (frame) period, and the non-display area 192 is generated. In this method, the average luminance during one field (frame) period is lower than that of a normal driving method (conventional driving method). However, the effect of improving the moving image display performance is exhibited.

なお、本発明は、画素構成が電流プログラム方式のみに限定されない。たとえば、図26のような電圧プログラム方式の画素構成にも適用できる。1フレーム(フィールド)の所定期間を高い輝度で表示し、他の期間を非点灯状態にすることが、電圧駆動方式においても、動画表示性能の向上などに有効だからである。また、電圧駆動方式においても、ソース信号線18の寄生容量の影響は無視できない。特に大型EL表示パネルにおいて、寄生容量が大きいため、本発明の駆動方法を実施することは効果がある。   In the present invention, the pixel configuration is not limited to the current program method. For example, the present invention can be applied to a voltage-programmed pixel configuration as shown in FIG. This is because displaying a predetermined period of one frame (field) with high luminance and turning off the other period is effective in improving the moving image display performance even in the voltage driving method. Even in the voltage drive system, the influence of the parasitic capacitance of the source signal line 18 cannot be ignored. Particularly in a large EL display panel, since the parasitic capacitance is large, it is effective to implement the driving method of the present invention.

なお、図23に図示するように、間欠する間隔(非表示領域192/表示領域193)は等間隔に限定するものではない。たとえば、ランダムでもよい(全体として、表示期間もしくは非表示期間が所定値(一定割合)となればよい)。また、RGBで異なっていてもよい。つまり、白(ホワイト)バランスが最適になるように、R、G、B表示期間もしくは非表示期間が所定値(一定割合)となるように調整(設定)すればよい。   As shown in FIG. 23, the intermittent interval (non-display area 192 / display area 193) is not limited to an equal interval. For example, it may be random (as a whole, the display period or the non-display period may be a predetermined value (a constant ratio)). Also, it may be different for RGB. That is, it is only necessary to adjust (set) the R, G, B display period or the non-display period to a predetermined value (a constant ratio) so that the white balance is optimal.

非表示領域192とは、ある時刻において非点灯EL素子15の画素16領域である。表示領域193とは、ある時刻において点灯EL素子15の画素16領域である。非表示領域192、表示領域193は、水平同期信号に同期して、1画素行ずつ位置がシフトしていく。   The non-display area 192 is a pixel 16 area of the non-lighting EL element 15 at a certain time. The display area 193 is the pixel 16 area of the lighting EL element 15 at a certain time. The positions of the non-display area 192 and the display area 193 are shifted by one pixel row in synchronization with the horizontal synchronization signal.

本発明の駆動方法の説明を容易にするため、1/Nとは、1F(1フィールドまたは1フレーム)を基準にしてこの1Fを1/Nにするとして説明する。しかし、1画素行が選択され、電流値がプログラムされる時間(通常、1水平走査期間(1H))があるし、また、走査状態によっては誤差も生じることは言うまでもない。もちろん、ゲート信号線17aからの突き抜け電圧によっても、理想状態から変化する。ここでは説明を容易にするため、理想状態として説明をする。   In order to facilitate the description of the driving method of the present invention, 1 / N is described on the assumption that 1F is set to 1 / N on the basis of 1F (one field or one frame). However, there is a time during which one pixel row is selected and the current value is programmed (usually, one horizontal scanning period (1H)), and it goes without saying that an error may occur depending on the scanning state. Of course, it changes from the ideal state also by the penetration voltage from the gate signal line 17a. Here, in order to facilitate the description, the description will be made in an ideal state.

液晶表示パネルは、1F(1フィールドあるいは1フレーム)の期間の間は、画素に書き込んだ電流(電圧)を保持する。そのため、動画表示を行うと表示画像の輪郭ぼけが発生するという課題が発生する。   The liquid crystal display panel holds the current (voltage) written to the pixel for a period of 1F (one field or one frame). For this reason, when a moving image is displayed, there is a problem that the outline of the display image is blurred.

有機(無機)EL表示パネル(表示装置)も1F(1フィールドあるいは1フレーム)の期間の間は、画素に書き込んだ電流(電圧)を保持する。したがって、液晶表示パネルと同様の課題が発生する。一方、CRTのように電子銃で線表示の集合として画像を表示するディスプレイは、人間の眼の残像特性を用いて画像表示を行うため、動画表示画像の輪郭ぼけは発生しない。   The organic (inorganic) EL display panel (display device) also holds the current (voltage) written in the pixel during the period of 1F (one field or one frame). Therefore, the same problem as the liquid crystal display panel occurs. On the other hand, a display that displays an image as a set of line displays with an electron gun, such as a CRT, displays an image using the afterimage characteristics of the human eye, so that the outline blur of a moving image display image does not occur.

本発明の駆動方法では、1F/Nの期間の間だけ、EL素子15に電流を流し、他の期間(1F(N−1)/N)は電流を流さない。本発明の駆動方式を実施し画面の一点を観測した場合を考える。この表示状態では1Fごとに画像データ表示、黒表示(非点灯)が繰り返し表示される。つまり、画像データ表示状態が時間的に間欠表示状態となる。動画データ表示を、間欠表示状態でみると画像の輪郭ぼけがなくなり良好な表示状態を実現できる。つまり、CRTに近い動画表示を実現することができる。   In the driving method of the present invention, current is passed through the EL element 15 only during the period of 1F / N, and no current is passed during the other period (1F (N-1) / N). Consider a case where the driving method of the present invention is implemented and one point on the screen is observed. In this display state, image data display and black display (non-lighting) are repeatedly displayed every 1F. That is, the image data display state is intermittently displayed over time. When the moving image data display is viewed in the intermittent display state, the outline of the image is not blurred and a good display state can be realized. That is, a moving image display close to a CRT can be realized.

本発明の駆動方法では、間欠表示を実現する。しかし、間欠表示を実施するにあたり、トランジスタ11dは最大でも1H周期でオンオフ制御するだけでよい。したがって、回路のメインクロックは従来と変わらないため、回路の消費電力が増加することもない。液晶表示パネルでは、間欠表示を実現するために画像メモリが必要である。本発明は、画像データは各画素16に保持されている。そのため、本発明の駆動方法において、間欠表示を実施するための画像メモリは不要である。   In the driving method of the present invention, intermittent display is realized. However, when performing intermittent display, the transistor 11d only needs to be on / off controlled at a maximum of 1H period. Therefore, the main clock of the circuit is not different from the conventional one, and the power consumption of the circuit does not increase. In the liquid crystal display panel, an image memory is necessary to realize intermittent display. In the present invention, image data is held in each pixel 16. Therefore, in the driving method of the present invention, an image memory for performing intermittent display is unnecessary.

本発明の駆動方法はスイッチングのトランジスタ11d、あるいはトランジスタ11e(図12など)などをオンオフさせるだけでEL素子15に流す電流を制御する。つまり、EL素子15に流れる電流Iwをオフしても、画像データはそのまま画素16のコンデンサ19の保持されている。したがって、次のタイミングでスイッチング素子11dなどをオンさせ、EL素子15に電流を流せば、その流れる電流は前に流れていた電流値と同一である。   The driving method of the present invention controls the current flowing through the EL element 15 only by turning on and off the switching transistor 11d or the transistor 11e (FIG. 12 and the like). That is, even if the current Iw flowing through the EL element 15 is turned off, the image data is held in the capacitor 19 of the pixel 16 as it is. Therefore, if the switching element 11d and the like are turned on at the next timing and a current flows through the EL element 15, the flowing current is the same as the previously flowing current value.

本発明では黒挿入(黒表示などの間欠表示)を実現する際においても、回路のメインクロックをあげる必要がない。また、時間軸伸張を実施する必要もないための画像メモリも不要である。また、有機EL素子15は電流を印加してから発光するまでの時間が短く、高速に応答する。そのため、動画表示に適し、さらに間欠表示を実施することのより従来のデータ保持型の表示パネル(液晶表示パネル、EL表示パネルなど)の問題である動画表示の問題を解決できる。   In the present invention, it is not necessary to increase the main clock of the circuit even when black insertion (intermittent display such as black display) is realized. Further, there is no need for an image memory because it is not necessary to perform time axis expansion. Further, the organic EL element 15 has a short time from application of current to light emission, and responds at high speed. Therefore, it is suitable for moving image display and can solve the problem of moving image display, which is a problem of conventional data retention type display panels (liquid crystal display panel, EL display panel, etc.) by performing intermittent display.

さらに、大型の表示装置でソース信号線18の配線長が長くなり、ソース信号線18の寄生容量が大きくなる場合は、N値を大きくすることのより対応できる。ソース信号線18に印加するプログラム電流値をN倍にした場合、ゲート信号線17b(トランジスタ11d)の導通期間を1F/Nとすればよい。これによりテレビ、モニターなどの大型表示装置などにも適用が可能である。   Further, when the wiring length of the source signal line 18 is increased and the parasitic capacitance of the source signal line 18 is increased in a large display device, it is possible to cope with the problem by increasing the N value. When the program current value applied to the source signal line 18 is increased N times, the conduction period of the gate signal line 17b (transistor 11d) may be set to 1 F / N. Accordingly, the present invention can be applied to large display devices such as televisions and monitors.

電流駆動では特に黒レベルの画像表示では20nA以下の微小電流で画素のコンデンサ19をプログラムする必要がある。したがって、寄生容量が所定値以上の大きさで発生すると、1画素行にプログラムする時間(基本的には1H以内である。ただし、2画素行を同時に書き込む場合もあるので1H以内に限定されるものではない。)内に寄生容量を充放電することができない。1H期間で充放電できなれば、画素への書き込み不足となり、解像度がでない。   In current driving, it is necessary to program the capacitor 19 of the pixel with a very small current of 20 nA or less, particularly for black level image display. Therefore, if the parasitic capacitance is generated with a magnitude greater than or equal to a predetermined value, the time for programming to one pixel row (basically within 1H. However, it is limited to within 1H since two pixel rows may be written simultaneously. The parasitic capacitance cannot be charged or discharged within. If charging / discharging is not possible in the 1H period, writing into the pixel is insufficient and the resolution is not high.

図1の画素構成の場合、図6(a)に示すように、電流プログラム時は、プログラム電流Iwがソース信号線18に流れる。この電流Iwがトランジスタ11aを流れ、Iwを流す電流が保持されるように、コンデンサ19に電圧設定(プログラム)される。このとき、トランジスタ11dはオープン状態(オフ状態)である。   In the pixel configuration of FIG. 1, as shown in FIG. 6A, the program current Iw flows through the source signal line 18 during current programming. The voltage is set (programmed) in the capacitor 19 so that the current Iw flows through the transistor 11a and the current flowing through Iw is maintained. At this time, the transistor 11d is in an open state (off state).

次に、EL素子15に電流を流す期間は図6(b)のように、トランジスタ11c、11bがオフし、トランジスタ11dが動作する。つまり、ゲート信号線17aにオフ電圧(Vgh)が印加され、トランジスタ11b、11cがオフする。一方、ゲート信号線17bにオン電圧(Vgl)が印加され、トランジスタ11dがオンする。   Next, during a period in which a current flows through the EL element 15, the transistors 11c and 11b are turned off and the transistor 11d operates as shown in FIG. 6B. That is, the off voltage (Vgh) is applied to the gate signal line 17a, and the transistors 11b and 11c are turned off. On the other hand, an on voltage (Vgl) is applied to the gate signal line 17b, and the transistor 11d is turned on.

プログラム電流Iwが本来流す電流(所定値)のN倍であるとすると、図6(b)のEL素子15に流れる電流Ieも10倍になる。したがって、所定値の10倍の輝度でEL素子15は発光する。つまり、図18に図示するように、倍率Nを高くするほど、画素16の瞬時の表示輝度Bも高くなる。基本的には倍率Nと画素16の輝度とは比例関係となる。   Assuming that the program current Iw is N times the current (predetermined value) that flows originally, the current Ie that flows through the EL element 15 in FIG. Therefore, the EL element 15 emits light with a luminance 10 times the predetermined value. That is, as shown in FIG. 18, as the magnification N is increased, the instantaneous display brightness B of the pixel 16 is also increased. Basically, the magnification N and the luminance of the pixel 16 are in a proportional relationship.

そこで、トランジスタ11dを本来オンする時間(約1F)の1/Nの期間だけオンさせ、他の期間(N−1)/N期間はオフさせれば、1F全体の平均輝度は所定の輝度となる。この表示状態は、CRTが電子銃で画面を走査しているのと近似する。異なる点は、画像を表示している範囲が画面全体の1/N(全画面を1とする)が点灯している点である(CRTでは、点灯している範囲は1画素行(厳密には1画素である)。   Therefore, if the transistor 11d is turned on only for a period of 1 / N of the time for which the transistor 11d is originally turned on (about 1F) and is turned off for the other periods (N-1) / N, the average brightness of the entire 1F becomes a predetermined brightness. Become. This display state approximates that the CRT is scanning the screen with an electron gun. The difference is that the range in which the image is displayed is 1 / N of the entire screen (the whole screen is 1) is lit (in CRT, the lit range is one pixel row (strictly Is one pixel).

本発明では、この1F/Nの表示(点灯)領域193が図19(b)に示すように表示画面144の上から下に移動する。なお、表示領域193の走査方向は表示画面144の下から上であってもよい。また、ランダムであってもよい。   In the present invention, the 1F / N display (lighting) area 193 moves from the top to the bottom of the display screen 144 as shown in FIG. Note that the scanning direction of the display area 193 may be from the bottom to the top of the display screen 144. Further, it may be random.

本発明では、1F/Nの期間の間だけ、EL素子15に電流が流れ、他の期間(1F・(N−1)/N)は該当画素行のEL素子15には電流が流れない。したがって、各画素16は間欠表示となる。しかし、人間の目には残像により画像が保持された状態となるので、全画面が均一に表示されているように見える。   In the present invention, current flows through the EL element 15 only during the period of 1F / N, and no current flows through the EL element 15 in the corresponding pixel row during the other period (1F · (N−1) / N). Accordingly, each pixel 16 is intermittently displayed. However, since the image is retained by the afterimage to the human eye, the entire screen appears to be displayed uniformly.

なお、図19に図示するように、書き込み画素行191aは非点灯表示領域192とする。しかし、これは、図1、図2などの画素構成の場合である。図11、図12などで図示するカレントミラーの画素構成では、書き込み画素行191は点灯状態としてもよい。しかし、本明細書では、説明を容易にするため、主として、図1の画素構成を例示して説明をする。   Note that, as illustrated in FIG. 19, the writing pixel row 191 a is a non-lighting display region 192. However, this is the case of the pixel configuration shown in FIGS. In the pixel configuration of the current mirror illustrated in FIGS. 11 and 12, the writing pixel row 191 may be lit. However, in this specification, for ease of explanation, the pixel configuration in FIG.

以上のように、図19、図23などのように所定駆動電流Iwよりも大きい電流でプログラムし、間欠駆動する駆動方法をN倍パルス駆動と呼ぶ。図19の駆動方法では1Fごとに画像データ表示、黒表示(非点灯)が繰り返し表示される。つまり、画像データ表示状態が時間的に飛び飛び表示(間欠表示)状態となる。   As described above, the driving method in which the program is programmed with a current larger than the predetermined drive current Iw and is intermittently driven as shown in FIGS. 19 and 23 is called N-fold pulse drive. In the driving method of FIG. 19, image data display and black display (non-lighting) are repeatedly displayed every 1F. That is, the image data display state is a temporal display (intermittent display) state.

液晶表示パネル(本発明以外のEL表示パネル)では、1Fの期間、画素にデータが保持されているため、動画表示の場合は画像データが変化してもその変化に追従することができず、動画ボケとなっていた(画像の輪郭ボケ)。しかし、本発明では画像を間欠表示するため、画像の輪郭ぼけがなくなり良好な表示状態を実現できる。つまり、CRTに近い動画表示を実現することができる。   In a liquid crystal display panel (an EL display panel other than the present invention), since data is held in pixels for a period of 1F, even if image data changes in the case of moving image display, the change cannot be followed. The video was blurred (outline blur in the image). However, since the image is intermittently displayed in the present invention, the outline of the image is not blurred and a good display state can be realized. That is, a moving image display close to a CRT can be realized.

図19に図示するように、駆動するためには、画素16の電流プログラム期間(図1の画素構成においては、ゲート信号線17aのオン電圧Vglが印加されている期間)と、EL素子15をオフまたはオン制御している期間(図1の画素構成においては、ゲート信号線17bのオン電圧Vglまたはオフ電圧Vghが印加されている期間)とを独立に制御できる必要がある。したがって、ゲート信号線17aとゲート信号線17bは分離されている必要がある。   As shown in FIG. 19, in order to drive, the current programming period of the pixel 16 (period in which the on-voltage Vgl of the gate signal line 17a is applied in the pixel configuration of FIG. 1), and the EL element 15 It is necessary to be able to control independently the period during which the off or on control is performed (in the pixel configuration of FIG. 1, the period during which the on voltage Vgl or the off voltage Vgh of the gate signal line 17b is applied). Therefore, the gate signal line 17a and the gate signal line 17b need to be separated.

たとえば、ゲートドライバ回路12から画素16に配線されたゲート信号線17が1本である場合、ゲート信号線17に印加されたロジック(VghまたはVgl)をトランジスタ11bに印加し、ゲート信号線17に印加されたロジックをインバータで変換して(VglまたはVgh)して、トランジスタ11dに印加するという構成では、本発明の駆動方法は実施できない。したがって、本発明では、ゲート信号線17aを操作するゲートドライバ回路12aと、ゲート信号線17bを操作するゲートドライバ回路12bが必要となる。   For example, when there is one gate signal line 17 wired from the gate driver circuit 12 to the pixel 16, the logic (Vgh or Vgl) applied to the gate signal line 17 is applied to the transistor 11 b, and the gate signal line 17 is applied. The driving method of the present invention cannot be implemented in a configuration in which the applied logic is converted (Vgl or Vgh) by an inverter and applied to the transistor 11d. Therefore, the present invention requires the gate driver circuit 12a for operating the gate signal line 17a and the gate driver circuit 12b for operating the gate signal line 17b.

図19の駆動方法のタイミングチャートを図20に図示する。なお、本発明などにおいて、説明を容易にするため、特に断りがない時の画素構成は図1であるとする。図20でわかるように、各選択された画素行(選択期間は、1Hとしている)において、ゲート信号線17aにオン電圧(Vgl)が印加されている時(図20(a)を参照)には、ゲート信号線17bにはオフ電圧(Vgh)が印加されている(図20(b)を参照)。この期間は、EL素子15には電流が流れていない(非点灯状態)。   FIG. 20 shows a timing chart of the driving method of FIG. In the present invention and the like, the pixel configuration when there is no particular notice is assumed to be FIG. 1 for ease of explanation. As can be seen from FIG. 20, when an on-voltage (Vgl) is applied to the gate signal line 17a in each selected pixel row (selection period is 1H) (see FIG. 20A). In FIG. 20, an off voltage (Vgh) is applied to the gate signal line 17b (see FIG. 20B). During this period, no current flows through the EL element 15 (non-lighting state).

選択されていない画素行において、ゲート信号線17aにオフ電圧(Vgh)が印加され、ゲート信号線17bにはオン電圧(Vgl)が印加されている。また、この期間は、EL素子15に電流が流れている(点灯状態)。また、点灯状態では、EL素子15は所定のN倍の輝度(N・B)で点灯し、その点灯期間は1F/Nである。したがって、1Fを平均した表示パネルの表示輝度は、(N・B)×(1/N)=B(所定輝度)となる。なお、Nは1以上であればいずれの値でもよい。   In an unselected pixel row, an off voltage (Vgh) is applied to the gate signal line 17a, and an on voltage (Vgl) is applied to the gate signal line 17b. Further, during this period, a current flows through the EL element 15 (lighting state). In the lighting state, the EL element 15 is lit with a predetermined N times luminance (N · B), and the lighting period is 1 F / N. Therefore, the display luminance of the display panel that averages 1F is (N · B) × (1 / N) = B (predetermined luminance). N may be any value as long as N is 1 or more.

図21は、図20の動作を各画素行に適用した実施例である。ゲート信号線17に印加する電圧波形を示している。電圧波形はオフ電圧をVgh(Hレベル)とし、オン電圧をVgl(Lレベル)としている。(1)(2)などの添え字は選択している画素行番号を示している。   FIG. 21 shows an embodiment in which the operation of FIG. 20 is applied to each pixel row. A voltage waveform applied to the gate signal line 17 is shown. In the voltage waveform, the off voltage is Vgh (H level) and the on voltage is Vgl (L level). Subscripts such as (1) and (2) indicate the selected pixel row number.

図21において、ゲート信号線17a(1)が選択され(Vgl電圧)、選択された画素行のトランジスタ11aからソースドライバ回路14に向かってソース信号線18にプログラム電流が流れる。このプログラム電流は所定値のN倍である。ただし、所定値とは画像を表示するデータ電流であるから、白ラスター表示などでない限り固定値ではない。コンデンサ19にはN倍に電流がトランジスタ11aに流れるようにプログラムされる。画素行(1)が選択されている時は、図1の画素構成ではゲート信号線17b(1)はオフ電圧(Vgh)が印加され、EL素子15には電流が流れない。   In FIG. 21, the gate signal line 17 a (1) is selected (Vgl voltage), and a program current flows from the transistor 11 a in the selected pixel row to the source driver circuit 14 through the source signal line 18. This program current is N times a predetermined value. However, since the predetermined value is a data current for displaying an image, it is not a fixed value unless white raster display or the like is used. Capacitor 19 is programmed so that N times the current flows through transistor 11a. When the pixel row (1) is selected, in the pixel configuration of FIG. 1, the gate signal line 17b (1) is applied with the off voltage (Vgh), and no current flows through the EL element 15.

1H後には、ゲート信号線17a(2)が選択され(Vgl電圧)、選択された画素行のトランジスタ11aからソースドライバ回路14に向かってソース信号線18にプログラム電流が流れる。このプログラム電流は所定値のN倍である。したがって、コンデンサ19にはN倍に電流がトランジスタ11aに流れるようにプログラムされる。画素行(2)が選択されている時は、図1の画素構成ではゲート信号線17b(2)はオフ電圧(Vgh)が印加され、EL素子15には電流が流れない。しかし、先の画素行(1)のゲート信号線17a(1)にはオフ電圧(Vgh)が印加され、ゲート信号線17b(1)にはオン電圧(Vgl)が印加されるため、点灯状態となっている。   After 1H, the gate signal line 17a (2) is selected (Vgl voltage), and a program current flows through the source signal line 18 from the transistor 11a in the selected pixel row toward the source driver circuit. This program current is N times a predetermined value. Therefore, the capacitor 19 is programmed so that N times the current flows through the transistor 11a. When the pixel row (2) is selected, the gate signal line 17b (2) is applied with the off voltage (Vgh) in the pixel configuration of FIG. 1, and no current flows through the EL element 15. However, the off voltage (Vgh) is applied to the gate signal line 17a (1) of the previous pixel row (1), and the on voltage (Vgl) is applied to the gate signal line 17b (1). It has become.

次の1H後には、ゲート信号線17a(3)が選択され、ゲート信号線17b(3)はオフ電圧(Vgh)が印加され、画素行(3)のEL素子15には電流が流れない。しかし、先の画素行(1)(2)のゲート信号線17a(1)(2)にはオフ電圧(Vgh)が印加され、ゲート信号線17b(1)(2)にはオン電圧(Vgl)が印加されるため、点灯状態となっている。   After the next 1H, the gate signal line 17a (3) is selected, the off voltage (Vgh) is applied to the gate signal line 17b (3), and no current flows through the EL elements 15 in the pixel row (3). However, the off voltage (Vgh) is applied to the gate signal lines 17a (1) (2) of the previous pixel rows (1) (2), and the on voltage (Vgl) is applied to the gate signal lines 17b (1) (2). ) Is applied, and is in a lighting state.

以上の動作を1Hの同期信号に同期して画像を表示していく。しかし、図21の駆動方式では、EL素子15にはN倍の電流が流れる。したがって、表示画面144はN倍の輝度で表示される。もちろん、この状態で所定の輝度表示を行うためには、プログラム電流を1/Nにしておけばよいことは言うまでもない。1/Nの電流であれば寄生容量などにより書き込み不足が発生するため、高い電流でプログラムし、黒画面(非点灯表示領域)192の挿入により所定の輝度を得るのは本発明の基本的な主旨である。   The above operation is displayed in synchronization with the 1H synchronization signal. However, in the driving method of FIG. 21, N times the current flows through the EL element 15. Therefore, the display screen 144 is displayed with N times the luminance. Of course, in order to perform a predetermined luminance display in this state, it is needless to say that the program current may be set to 1 / N. If the current is 1 / N, writing shortage occurs due to parasitic capacitance or the like. Therefore, programming with a high current and obtaining a predetermined luminance by inserting a black screen (non-lighting display area) 192 is a basic feature of the present invention. The main point.

しかし、寄生容量の影響が無視できるあるいは影響が軽微の場合は、N=1として、本発明の駆動方法を実施してもよいことはいうまでもない。この駆動方法は、図99から図116などを用いて後ほど説明をする。   However, when the influence of the parasitic capacitance is negligible or the influence is slight, it is needless to say that the driving method of the present invention may be implemented with N = 1. This driving method will be described later with reference to FIGS.

なお、本発明の駆動方法において、所定電流よりも高い電流がEL素子15に流れるようにし、ソース信号線18の寄生容量を十分に充放電するという概念である。つまり、EL素子15にN倍の電流を流さなくともよい。たとえば、EL素子15に並列に電流経路を形成し(ダミーのEL素子を形成し、このEL素子は遮光膜を形成して発光させないなど)、ダミーEL素子とEL素子15に分流してプログラム電流を流しても良い。たとえば、プログラム対象の画素16に書き込むプログラム電流が0.2μAとする。ソースドライバ回路14から出力するプログラム電流を2.0μAとする。したがって、ソースドライバ回路14から見れば、N=2.0/0.2=10である。ソースドライバ回路14から出力されたプログラム電流のうち、1.8μA(2.0−0.2)をダミー画素に流す。残りの0.2μAを対象画素16の駆動用トランジスタ11aに流す。ダミー画素行は発光させないか、もしくは、遮光膜などを形成し、発光していても視覚的に見えないように構成する。   In the driving method of the present invention, the concept is that a current higher than a predetermined current flows in the EL element 15 and the parasitic capacitance of the source signal line 18 is sufficiently charged and discharged. That is, it is not necessary to flow N times the current through the EL element 15. For example, a current path is formed in parallel with the EL element 15 (a dummy EL element is formed, and this EL element does not emit light by forming a light-shielding film), and the program current is shunted between the dummy EL element and the EL element 15. May be used. For example, the program current written to the pixel 16 to be programmed is 0.2 μA. The program current output from the source driver circuit 14 is 2.0 μA. Therefore, N = 2.0 / 0.2 = 10 when viewed from the source driver circuit 14. Of the program current output from the source driver circuit 14, 1.8 μA (2.0−0.2) is passed through the dummy pixel. The remaining 0.2 μA is passed through the driving transistor 11 a of the target pixel 16. The dummy pixel row is configured not to emit light, or to form a light shielding film or the like so that it cannot be visually seen even if it emits light.

以上のように構成することにより、ソース信号線18に流す電流をN倍に増加させることにより、駆動用トランジスタ11aにN倍の電流が流れるようにプログラムすることができる。また、EL素子15には、N倍よりは十分小さい電流を流すことができることになる。   With the configuration as described above, the current flowing through the source signal line 18 is increased N times, so that the driving transistor 11a can be programmed to flow N times as much current. In addition, a current sufficiently smaller than N times can be supplied to the EL element 15.

図19(a)は表示画面144への書き込み状態を図示している。図19(a)において、191aは書き込み画素行である。ソースドライバIC14から各ソース信号線18にプログラム電流が供給される。なお、図19などでは1H期間に書き込む画素行は1行である。しかし、何ら1Hに限定するものではなく、0.5H期間でも、2H期間でもよい。また、ソース信号線18にプログラム電流を書き込むとしたが、本発明は電流プログラム方式に限定するものではなく、ソース信号線18に書き込まれるのは電圧である電圧プログラム方式(図28など)でもよい。   FIG. 19A illustrates a writing state on the display screen 144. In FIG. 19A, 191a is a writing pixel row. A program current is supplied from the source driver IC 14 to each source signal line 18. Note that in FIG. 19 and the like, one pixel row is written in the 1H period. However, it is not limited to 1H at all, and it may be 0.5H period or 2H period. Although the program current is written to the source signal line 18, the present invention is not limited to the current program method, and a voltage program method (such as FIG. 28) in which the voltage is written to the source signal line 18 may be used. .

図19(a)において、ゲート信号線17aが選択されるとソース信号線18に流れる電流がトランジスタ11aにプログラムされる。この時、ゲート信号線17bはオフ電圧が印加されEL素子15には電流が流れない。これは、EL素子15側にトランジスタ11dがオン状態であると、ソース信号線18からEL素子15の容量成分が見え、この容量に影響されてコンデンサ19に十分に正確な電流プログラムができなくなるためである。したがって、図1の構成を例にすれば、図19(b)で示すように電流を書き込まれている画素行は非点灯領域192となる。   In FIG. 19A, when the gate signal line 17a is selected, the current flowing through the source signal line 18 is programmed into the transistor 11a. At this time, an off voltage is applied to the gate signal line 17 b and no current flows through the EL element 15. This is because, when the transistor 11d is in the ON state on the EL element 15 side, the capacitance component of the EL element 15 can be seen from the source signal line 18, and the capacitor 19 cannot be sufficiently accurately programmed due to the capacitance. It is. Therefore, taking the configuration of FIG. 1 as an example, a pixel row in which current is written becomes a non-lighting region 192 as shown in FIG.

今、N(ここでは、先に述べたようにN=10とする)倍の電流でプログラムしたとすれば、画面の輝度は10倍になる。したがって、表示画面144の90%の範囲を非点灯領域192とすればよい。表示パネルの表示画面144の水平走査線がQCIFの220本(S=220)とすれば、22本を表示領域193とし、220−22=198本を非表示領域192とすればよい。一般的に述べれば、水平走査線(画素行数)をSとすれば、S/Nの領域を表示領域193とし、この表示領域193をN倍の輝度で発光させる(Nは1以上の値である)。この表示領域193を画面の上下方向に走査する。したがって、S(N−1)/Nの領域は非点灯領域192とする。この非点灯領域は黒表示(非発光)である。また、この非発光部192はトランジスタ11dをオフさせることにより実現する。なお、N倍の輝度で点灯させるとしたが、当然のことながら明るさ調整、ガンマ調整によりN倍の値は変化することは言うまでもない。   Now, if the current is programmed with N times (N = 10 as described above), the screen brightness will be 10 times. Therefore, a 90% range of the display screen 144 may be the non-lighting area 192. If the horizontal scanning lines of the display screen 144 of the display panel are 220 QCIF (S = 220), 22 lines may be the display area 193 and 220-22 = 198 lines may be the non-display area 192. Generally speaking, if the horizontal scanning line (number of pixel rows) is S, the S / N area is the display area 193, and the display area 193 emits light with N times the luminance (N is a value of 1 or more). Is). The display area 193 is scanned in the vertical direction of the screen. Therefore, the S (N−1) / N region is a non-lighting region 192. This non-lighting area is black display (non-light emitting). The non-light emitting portion 192 is realized by turning off the transistor 11d. Although it is assumed that the light is lit at N times the luminance, it goes without saying that the N times value changes due to the brightness adjustment and the gamma adjustment.

また、先の実施例で、10倍の電流でプログラムしたとすれば、画面の輝度は10倍になり、表示画面144の90%の範囲を非点灯領域192とすればよいとした。しかし、これは、RGBの画素を共通に非点灯領域192とすることに限定するものではない。例えば、Rの画素は、1/8を非点灯領域192とし、Gの画素は、1/6を非点灯領域192とし、Bの画素は、1/10を非点灯領域192と、それぞれの色により変化させてもよい。また、RGBの色で個別に非点灯領域192(あるいは点灯領域193)を調整できるようにしてもよい。これらを実現するためには、R、G、Bで個別のゲート信号線17bが必要になる。しかし、以上のRGBの個別調整を可能にすることにより、ホワイトバランスを調整することが可能になり、各階調において色のバランス調整が容易になる。この実施例を図22に示す。   Further, in the previous embodiment, if programming was performed with 10 times the current, the brightness of the screen would be 10 times, and the 90% range of the display screen 144 should be the non-lighting area 192. However, this is not limited to the common use of the RGB pixels as the non-lighting region 192. For example, the R pixel has 1/8 as the non-lighting area 192, the G pixel has 1/6 as the non-lighting area 192, and the B pixel has 1/10 as the non-lighting area 192. You may change by. Further, the non-lighting area 192 (or the lighting area 193) may be individually adjusted with RGB colors. In order to realize these, separate gate signal lines 17b are required for R, G, and B. However, by enabling individual adjustment of RGB as described above, it is possible to adjust white balance, and color balance adjustment is facilitated at each gradation. This embodiment is shown in FIG.

図19(b)に図示するように、書き込み画素行191aを含む画素行が非点灯領域192とし、書き込み画素行191aよりも上画面のS/N(時間的には1F/N)の範囲を表示領域193とする(書き込み走査が画面の上から下方向の場合、画面を下から上に走査する場合は、その逆となる)。画像表示状態は、表示領域193が帯状になって、画面の上から下に移動する。   As shown in FIG. 19B, the pixel row including the writing pixel row 191a is a non-lighting region 192, and the S / N (1F / N in terms of time) range of the upper screen from the writing pixel row 191a is set. Display area 193 (when the writing scan is from the top to the bottom of the screen, the opposite is true when the screen is scanned from the bottom to the top). In the image display state, the display area 193 has a band shape and moves from the top to the bottom of the screen.

図19の表示では、1つの表示領域193が画面の上から下方向に移動する。フレームレートが低いと、表示領域193が移動するのが視覚的に認識される。特に、まぶたを閉じた時、あるいは顔を上下に移動させた時などに認識されやすくなる。   In the display of FIG. 19, one display area 193 moves downward from the top of the screen. When the frame rate is low, it is visually recognized that the display area 193 moves. In particular, it becomes easier to recognize when the eyelid is closed or when the face is moved up and down.

この課題に対しては、図23に図示するように、表示領域193を複数に分割するとよい。この分割された総和がS(N−1)/Nの面積となれば、図19の明るさと同等になる。なお、分割された表示領域193は等しく(等分に)する必要はない。また、分割された非表示領域192も等しくする必要はない。   To solve this problem, the display area 193 may be divided into a plurality of parts as shown in FIG. If the divided sum is an area of S (N-1) / N, it is equivalent to the brightness of FIG. Note that the divided display areas 193 do not have to be equal (equally divided). Further, the divided non-display areas 192 need not be equal.

以上のように、表示領域193を複数に分割することにより画面のちらつきは減少する。したがって、フリッカの発生はなく、良好な画像表示を実現できる。なお、分割はもっと細かくしてもよい。しかし、分割するほど動画表示性能は低下する。   As described above, screen flickering is reduced by dividing display area 193 into a plurality of parts. Therefore, no flicker occurs and a good image display can be realized. The division may be made finer. However, the moving image display performance decreases as it is divided.

図24はゲート信号線17の電圧波形およびELの発光輝度を図示している。図24で明らかなように、ゲート信号線17bをVglにする期間(1F/N)を複数に分割(分割数K)している。つまり、Vglにする期間は1F/(K・N)の期間をK回実施する。このように制御すれば、フリッカの発生を抑制でき、低フレームレートの画像表示を実現できる。   FIG. 24 shows the voltage waveform of the gate signal line 17 and the light emission luminance of EL. As is apparent from FIG. 24, the period (1F / N) during which the gate signal line 17b is set to Vgl is divided into a plurality of numbers (the number of divisions K). That is, a period of 1 gl / (K · N) is performed K times for the period of Vgl. By controlling in this way, the occurrence of flicker can be suppressed and an image display with a low frame rate can be realized.

画像の分割数は可変できるように構成することが好ましい。たとえば、ユーザーが明るさ調整スイッチを押すことにより、あるいは明るさ調整ボリウムを回すことにより、この変化を検出してKの値を変更してもよい。また、ユーザーが輝度を調整するように構成してもよい。表示する画像の内容、データにより手動で、あるいは自動的に変化させるように構成してもよい。   It is preferable that the number of image divisions is variable. For example, this change may be detected and the value of K may be changed by the user pressing a brightness adjustment switch or turning the brightness adjustment volume. Moreover, you may comprise so that a user may adjust a brightness | luminance. You may comprise so that it may change manually or automatically by the content and data of the image to display.

図24などにおいて、ゲート信号線17bをVglにする期間(1F/N)を複数に分割(分割数K)し、Vglにする期間は1F/(K・N)の期間をK回実施するとしたがこれ限定するものではない。1F/(K・N)の期間をL(L≠K)回実施してもよい。つまり、本発明は、EL素子15に流す期間(時間)を制御することにより表示画面144を表示するものである。したがって、1F/(K・N)の期間をL(L≠K)回実施することは本発明の技術的思想に含まれる。また、Lの値を変化させることにより、表示画面144の輝度をデジタル的に変更することができる。たとえば、L=2とL=3では50%の輝度(コントラスト)変化となる。また、画像の表示領域193を分割する時、ゲート信号線17bをVglにする期間は同一期間に限定するものではない。   In FIG. 24 and the like, the period (1F / N) in which the gate signal line 17b is set to Vgl is divided into a plurality (number of divisions K), and the period of 1F / (K · N) is executed K times in the period to set Vgl. However, this is not a limitation. The period of 1F / (K · N) may be performed L (L ≠ K) times. In other words, the present invention displays the display screen 144 by controlling the period (time) flowing through the EL element 15. Therefore, it is included in the technical idea of the present invention to execute the period of 1F / (K · N) L (L ≠ K) times. Further, by changing the value of L, the luminance of the display screen 144 can be changed digitally. For example, when L = 2 and L = 3, the luminance (contrast) changes by 50%. Further, when the image display region 193 is divided, the period during which the gate signal line 17b is set to Vgl is not limited to the same period.

以上の実施例は、トランジスタ11dまたは切り換え回路71などによりEL素子15に流れる電流を遮断し、また、EL素子15に流れる経路を形成することにより、表示画面144をオンオフ(点灯、非点灯)するものであった。つまり、コンデンサ19に保持された電荷により駆動用トランジスタ11aに複数回、略同一電流を流すものである。本発明はこれに限定するものではない。たとえば、コンデンサ19に保持された電荷を充放電させることにより、表示画面144をオンオフ(点灯、非点灯)する方式でもよい。   In the above embodiment, the current flowing through the EL element 15 is cut off by the transistor 11d or the switching circuit 71, and the display screen 144 is turned on / off (lit or not lit) by forming a path flowing through the EL element 15. It was a thing. That is, substantially the same current is caused to flow through the driving transistor 11a a plurality of times by the electric charge held in the capacitor 19. The present invention is not limited to this. For example, the display screen 144 may be turned on / off (lighted or not lighted) by charging / discharging the charge held in the capacitor 19.

図25は図23の画像表示状態を実現するための、ゲート信号線17に印加する電圧波形である。図25と図21の差異は、ゲート信号線17bの動作である。ゲート信号線17bは画面を分割する個数に対応して、その個数分だけオンオフ(VglとVgh)動作する。他の点は図21と同一であるので説明を省略する。   FIG. 25 shows voltage waveforms applied to the gate signal line 17 for realizing the image display state of FIG. The difference between FIG. 25 and FIG. 21 is the operation of the gate signal line 17b. The gate signal lines 17b are turned on / off (Vgl and Vgh) corresponding to the number of divided screens. The other points are the same as in FIG.

なお、本発明の明細書において、表示画面144において、表示領域193と全表示領域144の割合をduty比と呼ぶことがある。つまり、duty比は表示領域193の面積/全表示領域144の面積である。あるいは、duty比はオン電圧が印加されているゲート信号線17bの本数/全ゲート信号線17bの本数でもある。また、ゲート信号線17bにオン電圧が印加され、このゲート信号線17bに接続されている選択画素行数/表示領域144の全画素行数でもある。   In the specification of the present invention, the ratio of the display area 193 and the total display area 144 on the display screen 144 may be referred to as a duty ratio. That is, the duty ratio is the area of the display area 193 / the area of the entire display area 144. Alternatively, the duty ratio is also the number of gate signal lines 17b to which an ON voltage is applied / the number of all gate signal lines 17b. Further, the ON voltage is applied to the gate signal line 17b, and the number of selected pixel rows connected to the gate signal line 17b / the total number of pixel rows in the display region 144 is also obtained.

duty比の逆数(全画素行数/選択画素行数)は一定以下でないと、フリッカが発生する。この関係を図266に図示する。図266において、横軸は、全画素行数/選択画素行数つまりduty比の逆数である。縦軸はフリッカの発生比である。1が最も小さく、大きくなるほどフリッカの発生が顕著になることを示している。   If the inverse of the duty ratio (the total number of pixel rows / the number of selected pixel rows) is not less than a certain value, flicker occurs. This relationship is illustrated in FIG. In FIG. 266, the horizontal axis represents the total number of pixel rows / the number of selected pixel rows, that is, the reciprocal of the duty ratio. The vertical axis represents the flicker generation ratio. It is shown that flicker is more prominent as 1 is smallest and larger.

図266の結果によれば、全画素行数/選択画素行数は8以下にすることが適切である。つまり、duty比は、1/8以上にすることが好ましい。また、多少フリッカが発生してもよい場合(実用上問題ない範囲)は、全画素行数/選択画素行数は10以下にすることが適切である。つまり、duty比は、1/10以上にすることが好ましい。   According to the result of FIG. 266, it is appropriate that the total number of pixel rows / the number of selected pixel rows is 8 or less. That is, the duty ratio is preferably 1/8 or more. In addition, when some flicker may occur (a practically acceptable range), it is appropriate to set the total number of pixel rows / number of selected pixel rows to 10 or less. That is, the duty ratio is preferably 1/10 or more.

図271、図272は2画素行を同時に選択する駆動方法の実施例である。図271において、書き込み画素行が(1)画素行目である時、ゲート信号線17aは(1)(2)が選択されている(図272を参照のこと)。つまり、画素行(1)(2)のスイッチングトランジスタ11b、トランジスタ11cがオン状態である。また、各画素行のゲート信号線17aにオン電圧が印加されている時、ゲート信号線17bにはオフ電圧が印加される。   271 and 272 show an embodiment of a driving method for selecting two pixel rows at the same time. In FIG. 271, when the writing pixel row is the (1) pixel row, (1) and (2) are selected for the gate signal line 17a (see FIG. 272). That is, the switching transistors 11b and the transistors 11c in the pixel rows (1) and (2) are on. Further, when a turn-on voltage is applied to the gate signal line 17a of each pixel row, a turn-off voltage is applied to the gate signal line 17b.

したがって、1Hおよび2H番目の期間では、画素行(1)(2)のスイッチングトランジスタ11dがオフ状態であり、対応する画素行のEL素子15には電流が流れていない。つまり、非点灯状態192である。なお、図271では、フリッカの発生を低減するため、表示領域193を5分割している。   Therefore, in the 1H and 2H-th periods, the switching transistors 11d in the pixel rows (1) and (2) are in the off state, and no current flows through the EL elements 15 in the corresponding pixel rows. That is, the non-lighting state 192. In FIG. 271, the display area 193 is divided into five parts in order to reduce the occurrence of flicker.

理想的には、2画素(行)のトランジスタ11aが、それぞれがIw×5(N=10の場合。つまり、K=2であるから、ソース信号線18に流れる電流はIw×K×5=Iw×10となる)の電流をソース信号線18に流す。そして、各画素16のコンデンサ19には、5倍の電流がプログラムされ保持される。   Ideally, the transistors 11a of two pixels (rows) each have Iw × 5 (N = 10. That is, since K = 2, the current flowing through the source signal line 18 is Iw × K × 5 = Iw × 10) is passed through the source signal line 18. Then, the capacitor 19 of each pixel 16 is programmed and held with 5 times the current.

同時に選択する画素行が2画素行(K=2)であるから、2つの駆動用トランジスタ11aが動作する。つまり、1画素あたり、10/2=5倍の電流がトランジスタ11aに流れる。ソース信号線18には、2つのトランジスタ11aのプログラム電流を加えた電流が流れる。   Since two pixel rows (K = 2) are selected at the same time, the two driving transistors 11a operate. That is, a current of 10/2 = 5 times flows through the transistor 11a per pixel. A current obtained by adding the program currents of the two transistors 11a flows through the source signal line 18.

たとえば、書き込み画素行191aに、本来、書き込む電流Idとし、ソース信号線18には、Iw×10の電流を流す。書き込み画素行191bは後に正規の画像データが書き込まれるので問題がない。画素行191bは、1H期間の間は191aと同一表示である。そのため、書き込み画素行191aと電流を増加させるために選択した画素行191bとを少なくとも非表示状態192とするのである。   For example, the write current Id is originally written in the write pixel row 191 a, and a current of Iw × 10 is passed through the source signal line 18. There is no problem in the writing pixel row 191b because normal image data is written later. The pixel row 191b has the same display as that of 191a during the 1H period. Therefore, at least the non-display state 192 is set for the writing pixel row 191a and the pixel row 191b selected to increase the current.

次の、1H後には、ゲート信号線17a(1)は非選択となり、ゲート信号線17bにはオン電圧(Vgl)が印加される。また、同時に、ゲート信号線17a(3)が選択され(Vgl電圧)、選択された画素行(3)のトランジスタ11aからソースドライバ14に向かってソース信号線18にプログラム電流が流れる。このように動作することのより、画素行(1)には正規の画像データが保持される。   After the next 1H, the gate signal line 17a (1) is not selected, and the ON voltage (Vgl) is applied to the gate signal line 17b. At the same time, the gate signal line 17 a (3) is selected (Vgl voltage), and a program current flows from the transistor 11 a of the selected pixel row (3) toward the source driver 14 through the source signal line 18. By operating in this way, regular image data is held in the pixel row (1).

次の、1H後には、ゲート信号線17a(2)は非選択となり、ゲート信号線17bにはオン電圧(Vgl)が印加される。また、同時に、ゲート信号線17a(4)が選択され(Vgl電圧)、選択された画素行(4)のトランジスタ11aからソースドライバ14に向かってソース信号線18にプログラム電流が流れる。このように動作することのより、画素行(2)には正規の画像データが保持される。以上の動作と1画素行ずつシフト(もちろん、複数画素行ずつシフトしてもよい。たとえば、擬似インターレース駆動であれば、2行ずつシフトするであろう。また、画像表示の観点から、複数の画素行に同一画像を書き込む場合もあるであろう)しながら走査することにより1画面が書き換えられる。   After the next 1H, the gate signal line 17a (2) is not selected, and the ON voltage (Vgl) is applied to the gate signal line 17b. At the same time, the gate signal line 17 a (4) is selected (Vgl voltage), and a program current flows from the transistor 11 a of the selected pixel row (4) toward the source driver 14 through the source signal line 18. By operating in this way, regular image data is held in the pixel row (2). The above operation and shift by one pixel row (of course, multiple pixel rows may be shifted. For example, if pseudo-interlace driving is used, the shift will be performed by two rows. One screen is rewritten by scanning while the same image may be written in the pixel row.

図271の駆動方法では、各画素には5倍の電流(電圧)でプログラムを行うため、各画素のEL素子15の発光輝度は理想的には5倍となる。したがって、表示領域193の輝度は所定値よりも5倍となる。これを所定の輝度とするためには、以前に説明したように、書き込み画素行191を含み、かつ表示画面1の1/5の範囲を非表示領域192とすればよい。   In the driving method of FIG. 271, since each pixel is programmed with a current (voltage) five times that of the pixel, the light emission luminance of the EL element 15 of each pixel is ideally five times. Therefore, the brightness of the display area 193 is five times higher than the predetermined value. In order to set this to a predetermined luminance, the non-display area 192 may be set so as to include the writing pixel row 191 and the 1/5 range of the display screen 1 as described above.

図274(a)(b)に図示するように、2本の書き込み画素行191(191a、191b)が選択され、画面144の上辺から下辺に順次選択されていく(図273も参照のこと。図273では画素行16aと16bが選択されている)。しかし、図274(b)のように、画面の下辺までくると書き込み画素行191aは存在するが、191bはなくなる。つまり、選択する画素行が1本しかなくなる。そのため、ソース信号線18に印加された電流は、すべて画素行191aに書き込まれる。したがって、画素行191aに比較して、2倍の電流が画素にプログラムされてしまう。   As shown in FIGS. 274 (a) and 274 (b), two write pixel rows 191 (191a and 191b) are selected and sequentially selected from the upper side to the lower side of the screen 144 (see also FIG. 273). In FIG. 273, the pixel rows 16a and 16b are selected). However, as shown in FIG. 274 (b), when reaching the lower side of the screen, the writing pixel row 191a exists, but 191b disappears. That is, only one pixel row is selected. Therefore, all the current applied to the source signal line 18 is written in the pixel row 191a. Therefore, twice as much current is programmed in the pixel as compared with the pixel row 191a.

この課題に対して、本発明は、図274(b)に図示するように画面144の下辺にダミー画素行2741を形成(配置)している。したがって、選択画素行が画面144の下辺まで選択された場合は、画面144の最終画素行とダミー画素行2741が選択される。そのため、図274(b)の書き込み画素行には、規定どおりの電流が書き込まれる。なお、ダミー画素行2741は表示領域144の上端あるいは下端に隣接して形成したように図示したが、これに限定するものではない。表示領域144から離れた位置に形成されていてもよい。また、ダミー画素行2741は、図1のスイッチングトランジスタ11d、EL素子15などは形成する必要はない。形成しないことにより、ダミー画素行2741のサイズは小さくなるからパネルの額縁を短くすることができる。   In response to this problem, the present invention forms (places) a dummy pixel row 2741 on the lower side of the screen 144 as shown in FIG. 274 (b). Therefore, when the selected pixel row is selected up to the lower side of the screen 144, the last pixel row and the dummy pixel row 2741 on the screen 144 are selected. Therefore, a prescribed current is written into the writing pixel row in FIG. 274 (b). Although the dummy pixel row 2741 is illustrated as being formed adjacent to the upper end or the lower end of the display region 144, the present invention is not limited to this. It may be formed at a position away from the display area 144. Further, it is not necessary to form the switching transistor 11d, the EL element 15 and the like in FIG. By not forming the panel, the size of the dummy pixel row 2741 is reduced, so that the frame of the panel can be shortened.

図275は図274(b)の状態を示している。図275で明らかのように、選択画素行が画面144の下辺の画素16c行まで選択された場合は、画面144の最終画素行2741が選択される。ダミー画素行2741は表示領域144外に配置する。つまり、ダミー画素行2741は点灯しない、あるいは点灯させない、もしくは点灯しても表示として見えないように構成する。たとえば、画素電極とトランジスタ11とのコンタクトホールをなくすとか、ダミー画素行にはEL素子15を形成しないとかである。図275のダミー画素行2741はEL素子15、トランジスタ11d、ゲート信号線17bを図示しているが、駆動方法の実施には不必要である。実際に開発した本発明の表示パネルでは、ダミー画素行2741にはEL素子15、トランジスタ11d、ゲート信号線17bを形成していない。ただし、画素電極を形成することが好ましい。画素内の寄生容量が他の画素16と同一にならず、保持されるプログラム電流に差異が発生する場合があるからである。   FIG. 275 shows the state of FIG. 274 (b). As is clear from FIG. 275, when the selected pixel row is selected up to the pixel 16c row on the lower side of the screen 144, the last pixel row 2741 of the screen 144 is selected. The dummy pixel row 2741 is arranged outside the display area 144. That is, the dummy pixel row 2741 is configured not to be lit, not to be lit, or not to be displayed as a display even when lit. For example, the contact hole between the pixel electrode and the transistor 11 is eliminated, or the EL element 15 is not formed in the dummy pixel row. The dummy pixel row 2741 in FIG. 275 illustrates the EL element 15, the transistor 11d, and the gate signal line 17b, but is not necessary for the implementation of the driving method. In the actually developed display panel of the present invention, the EL element 15, the transistor 11d, and the gate signal line 17b are not formed in the dummy pixel row 2741. However, it is preferable to form a pixel electrode. This is because the parasitic capacitance in the pixel is not the same as that of the other pixels 16 and a difference may occur in the retained program current.

図274(a)(b)では、画面144の下辺にダミー画素(行)2741を設ける(形成する、配置する)としたが、これに限定するものではない。たとえば、図276(a)に図示するように、画面の下辺から上辺に走査する。上下逆転走査する場合は、図276(b)に図示するように画面144の上辺にもダミー画素行2741を形成すべきである。つまり、画面144の上辺を下辺のそれぞれにダミー画素行2741を形成(配置)する。以上のように構成することにより、画面の上下反転走査にも対応できるようになる。   In FIGS. 274 (a) and 274 (b), dummy pixels (rows) 2741 are provided (formed or arranged) on the lower side of the screen 144, but the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 276 (a), scanning is performed from the lower side to the upper side of the screen. In the case of scanning upside down, a dummy pixel row 2741 should be formed on the upper side of the screen 144 as shown in FIG. 276 (b). That is, the dummy pixel row 2741 is formed (arranged) on the upper side and the lower side of the screen 144, respectively. With the configuration described above, it is possible to cope with upside down scanning of the screen.

以上の実施例は、2画素行を同時選択する場合であった。本発明はこれに限定するものではなく、たとえば、5画素行を同時選択する方式でもよい。つまり、5画素行同時駆動の場合は、ダミー画素行2741は4行分形成すればよい。   In the above embodiment, two pixel rows are selected simultaneously. The present invention is not limited to this. For example, a method of simultaneously selecting five pixel rows may be used. That is, in the case of simultaneous driving of five pixel rows, four dummy pixel rows 2741 may be formed.

ダミー画素行2741数は、同時に選択する画素行数M−1の画素行を形成すればよい。たとえば、同時に選択する画素行が5画素行であれば、書き込み画素行191は4画素行である。同時に選択する画素行が10画素行であれば、10−1=9画素行である。   The number of dummy pixel rows 2741 may be formed as many as M-1 pixel rows to be selected simultaneously. For example, if the pixel rows to be selected simultaneously are 5 pixel rows, the write pixel row 191 is 4 pixel rows. If the simultaneously selected pixel rows are 10 pixel rows, 10-1 = 9 pixel rows.

図274、図276はダミー画素行2741を形成する場合において、ダミー画素行の配置位置の説明図である。基本的に、表示パネルは上下反転駆動するとして、ダミー画素行2741を画面144の上下に配置している。   FIGS. 274 and 276 are explanatory diagrams of the arrangement positions of the dummy pixel rows when the dummy pixel row 2741 is formed. Basically, the display panel is driven upside down, and dummy pixel rows 2741 are arranged above and below the screen 144.

EL表示装置における黒表示は完全に非点灯であるから、液晶表示パネルを間欠表示した場合のように、コントラスト低下もない。また、図1、図6、図7、図8、図9、図10、図11、図12、図28、図271などの構成においては、トランジスタ11dあるいはトランジスタ11eもしくは切り換え回路71をオンオフ操作するだけで間欠表示を実現できる。これは、コンデンサ19に画像データがメモリ(アナログ値であるから階調数は無限大)されているからである。つまり、各画素16に、画像データは1Fの期間中は保持されている。この保持されている画像データに相当する電流をEL素子15に流すか否かをトランジスタ11d、11eなどの制御により実現しているのである。   Since the black display in the EL display device is completely unlit, there is no reduction in contrast as in the case of intermittent display of the liquid crystal display panel. 1, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 12, 28, 271, etc., the transistor 11d, the transistor 11e, or the switching circuit 71 is turned on / off. Intermittent display can be achieved with just This is because the image data is stored in the capacitor 19 (the number of gradations is infinite because it is an analog value). That is, the image data is held in each pixel 16 during the period of 1F. Whether or not a current corresponding to the stored image data is supplied to the EL element 15 is realized by controlling the transistors 11d and 11e.

したがって、以上の駆動方法は、電流駆動方式に限定されるものではなく、電圧駆動方式にも適用できるものである。つまり、EL素子15に流す電流が各画素内で保存している構成において、駆動用トランジスタ11をEL素子15間の電流経路をオンオフすることにより、間欠駆動を実現するものである。   Therefore, the above driving method is not limited to the current driving method, but can also be applied to the voltage driving method. That is, in the configuration in which the current flowing through the EL element 15 is stored in each pixel, the driving transistor 11 is intermittently driven by turning on and off the current path between the EL elements 15.

コンデンサ19の端子電圧を維持することはフリッカ低減と低消費電力化に重要である。1フィールド(フレーム)期間でコンデンサ19の端子電圧が変化(充放電)すると、画面輝度が変化し、フレームレートが低下した時にちらつき(フリッカなど)が発生するからである。トランジスタ11aが1フレーム(1フィールド)期間でEL素子15に流す電流は、少なくとも65%以下に低下しないようにする必要がある。この65%とは、画素16に書き込み、EL素子15に流す電流の最初が100%とした時、次のフレーム(フィールド)で前記画素16に書き込む直前のEL素子15に流す電流が65%以上とすることである。   Maintaining the terminal voltage of the capacitor 19 is important for reducing flicker and reducing power consumption. This is because if the terminal voltage of the capacitor 19 changes (charges / discharges) in one field (frame) period, the screen brightness changes, and flickering (flicker or the like) occurs when the frame rate decreases. It is necessary that the current that the transistor 11a passes through the EL element 15 in one frame (one field) period does not decrease to at least 65% or less. This 65% means that when the current written to the pixel 16 and the current flowing to the EL element 15 is 100%, the current flowing to the EL element 15 immediately before writing to the pixel 16 in the next frame (field) is 65% or more. It is to do.

図1の画素構成では、間欠表示を実現する場合としない場合では、1画素を構成するトランジスタ11の個数に変化はない。つまり、画素構成はそのままで、ソース信号線18の寄生容量の影響と除去し、良好な電流プログラムを実現している。その上、CRTに近い動画表示を実現しているのである。   In the pixel configuration of FIG. 1, there is no change in the number of transistors 11 that constitute one pixel, in the case where intermittent display is realized or not. That is, the current configuration is realized by removing the influence of the parasitic capacitance of the source signal line 18 without changing the pixel configuration. In addition, a moving image display close to a CRT is realized.

また、ゲートドライバ回路12の動作クロックはソースドライバ回路14の動作クロックに比較して十分に遅いため、回路のメインクロックが高くなるということはない。また、Nの値の変更も容易である。   Further, since the operation clock of the gate driver circuit 12 is sufficiently slower than the operation clock of the source driver circuit 14, the main clock of the circuit does not increase. Further, it is easy to change the value of N.

なお、画像表示方向(画像書き込み方向)は、1フィールド(1フレーム)目では画面の上から下方向とし、つぎの第2フィールド(フレーム)目では画面の下から上方向としてもよい。つまり、上から下方向と、下から上方向とを交互にくりかえす。   The image display direction (image writing direction) may be from the top to the bottom in the first field (one frame) and from the bottom to the top in the second field (frame). In other words, the top-to-bottom direction and the bottom-to-top direction are alternately repeated.

また、1フィールド(1フレーム)目では画面の上から下方向とし、いったん、全画面を黒表示(非表示)とした後、つぎの第2フィールド(フレーム)目では画面の下から上方向としてもよい。また、いったん、全画面を黒表示(非表示)としてもよい。また、画面の中央部から走査してもよい。また、走査開始位置をランダム化してもよい。   In the first field (one frame), the screen is directed downward from the top. Once the entire screen is displayed in black (not displayed), the second field (frame) is oriented upward from the bottom of the screen. Also good. Alternatively, the entire screen may be displayed black (not displayed) once. Further, scanning may be performed from the center of the screen. Further, the scan start position may be randomized.

なお、以上の駆動方法の説明では、画面の書き込み方法を画面の上から下あるいは下から上としたが、これに限定するものではない。画面の書き込み方向は絶えず、画面の上から下あるいは下から上と固定し、非表示領域192の動作方向を1フィールド目では画面の上から下方向とし、つぎの第2フィールド目では画面の下から上方向としてもよい。また、1フレームを3フィールドに分割し、第1のフィールドではR、第2のフィールドではG、第3のフィールドではBとして、3フィールドで1フレームを形成するとしてもよい。また、1水平走査期間(1H)ごとに、R、G、Bを切り替えて表示してもよい(図25から図39とその説明などを参照のこと)。以上の事項は他の本発明の実施例でも同様である。   In the above description of the driving method, the screen writing method is set from the top to the bottom or from the bottom to the top, but the present invention is not limited to this. The screen writing direction is constantly fixed from top to bottom or from bottom to top, and the non-display area 192 moves from top to bottom in the first field and in the second field, the bottom of the screen. It is good also as an upward direction. Further, one frame may be divided into three fields, and R is formed in the first field, G is formed in the second field, and B is formed in the third field. In addition, R, G, and B may be switched and displayed for each horizontal scanning period (1H) (see FIGS. 25 to 39 and the description thereof). The above matters are the same in other embodiments of the present invention.

非表示領域192は完全に非点灯状態である必要はない。微弱な発光あるいは低輝度の画像表示があっても実用上は問題ない。つまり、表示(点灯)領域193よりも表示輝度が低い領域と解釈するべきである。また、非表示領域192とは、R、G、B画像表示のうち、1色または2色のみが非表示状態という場合も含まれる。また、R、G、B画像表示のうち、1色または2色のみが低輝度の画像表示状態という場合も含まれる。   The non-display area 192 does not need to be completely non-lighted. Even if there is weak light emission or low luminance image display, there is no practical problem. That is, it should be interpreted that the display luminance is lower than that of the display (lighting) region 193. In addition, the non-display area 192 includes a case where only one or two colors of the R, G, and B image display are in the non-display state. In addition, the case where only one or two colors of the R, G, and B image displays are in a low luminance image display state is also included.

基本的には表示領域193の輝度(明るさ)が所定値に維持される場合、表示領域193の面積が広くなるほど、表示画面144の輝度は高くなる。たとえば、表示領域193の輝度が100(nt)の場合、表示領域193が全表示画面144に占める割合が10%から20%にすれば、画面の輝度は2倍となる。したがって、全表示画面144に占める表示領域193の面積を変化させることにより、画面の表示輝度を変化することができる。表示画面144の表示輝度は表示画面144に占める表示領域193の割合に比例する。   Basically, when the luminance (brightness) of the display area 193 is maintained at a predetermined value, the luminance of the display screen 144 increases as the area of the display area 193 increases. For example, when the luminance of the display area 193 is 100 (nt), if the ratio of the display area 193 to the entire display screen 144 is changed from 10% to 20%, the luminance of the screen is doubled. Therefore, the display brightness of the screen can be changed by changing the area of the display area 193 occupying the entire display screen 144. The display brightness of the display screen 144 is proportional to the proportion of the display area 193 occupying the display screen 144.

表示領域193の面積は図14に図示するシフトレジスタ回路141へのデータパルス(ST2)を制御することにより、任意に設定できる。また、データパルスの入力タイミング、周期を変化させることにより、図23の表示状態と図19の表示状態とを切り替えることができる。1F周期でのデータパルス数を多くすれば、表示画面144は明るくなり、少なくすれば、表示画面144は暗くなる。また、連続してデータパルスを印加すれば図19の表示状態となり、間欠にデータパルスを入力すれば図23の表示状態となる。   The area of the display region 193 can be arbitrarily set by controlling the data pulse (ST2) to the shift register circuit 141 shown in FIG. Further, the display state of FIG. 23 and the display state of FIG. 19 can be switched by changing the input timing and period of the data pulse. If the number of data pulses in the 1F cycle is increased, the display screen 144 is brightened, and if it is decreased, the display screen 144 is darkened. If the data pulse is continuously applied, the display state shown in FIG. 19 is obtained, and if the data pulse is input intermittently, the display state shown in FIG. 23 is obtained.

従来の画面の輝度調整では、表示画面144の輝度が低い時は、階調性能が低下する。つまり、高輝度表示の時は64階調表示を実現できても、低輝度表示の時は、半分以下の階調数しか表示できない場合がほとんどである。これに比較して、本発明の駆動方法では、画面の表示輝度に依存せず、最高の64階調表示を実現できる。   In the conventional brightness adjustment of the screen, when the brightness of the display screen 144 is low, the gradation performance is degraded. That is, even when 64 gradation display can be realized during high brightness display, only half or less of the number of gradations can be displayed during low brightness display. Compared to this, the driving method of the present invention can realize the highest 64 gradation display without depending on the display brightness of the screen.

以上の実施例は、主として、N=2倍、4倍などにする実施例であった。しかし、本発明は整数倍に限定されるものではないことは言うまでもない。また、N=1より大きいことに限定されるものでもない。たとえば、ある時刻で表示画面144の半分以下の領域を非点灯領域192とすることもある。所定値の5/4倍の電流Iwで電流プログラムし、1Fの4/5期間点灯させれば、所定の輝度を実現できる。   The above embodiments are mainly embodiments in which N = 2 times, 4 times, and the like. However, it goes without saying that the present invention is not limited to integer multiples. Moreover, it is not limited to being larger than N = 1. For example, an area less than half of the display screen 144 at a certain time may be set as the non-lighting area 192. If the current is programmed with a current Iw that is 5/4 times the predetermined value and the light is turned on for 4/5 of 1F, a predetermined luminance can be realized.

本発明はこれに限定されるものではない。一例として、10/4倍の電流Iwで電流プログラミングし、1Fの4/5期間の間点灯させるという方法もある。この場合は、所定輝度の2倍で点灯する。また、5/4倍の電流Iwで電流プログラミングし、1Fの2/5期間の間点灯させるという方法もある。この場合は、所定輝度の1/2倍で点灯する。また、5/4倍の電流Iwで電流プログラミングし、1Fの1/1期間の間点灯させるという方法もある。この場合は、所定輝度の5/4倍で点灯する。また、1倍の電流Iwで電流プログラミングし、1Fの1/4期間の間点灯させるという方法もある。この場合は、所定輝度の1/4倍で点灯する。   The present invention is not limited to this. As an example, there is a method in which current programming is performed with a current Iw that is 10/4 times, and lighting is performed for a 4/5 period of 1F. In this case, it is lit at twice the predetermined luminance. There is also a method in which current programming is performed with a current Iw that is 5/4 times, and lighting is performed for a period of 2/5 of 1F. In this case, the light is lit at half the predetermined luminance. There is also a method in which current programming is performed with a current Iw that is 5/4 times, and lighting is performed for a 1/1 period of 1F. In this case, it is lit at 5/4 times the predetermined luminance. There is also a method in which current programming is performed with a current Iw that is 1 times and lighting is performed for a quarter period of 1F. In this case, it is lit at 1/4 times the predetermined luminance.

つまり、本発明は、プログラム電流の大きさと、1Fの点灯期間を制御することにより、表示画面の輝度を制御する方式である。1F期間よりも短い期間点灯させることにより、黒画面192を挿入でき、動画表示性能を向上できる。逆に、Nを1以上とし、1Fの期間、常時点灯させることにより明るい画面を表示できる。   That is, the present invention is a method for controlling the luminance of the display screen by controlling the magnitude of the program current and the lighting period of 1F. By lighting for a period shorter than the 1F period, the black screen 192 can be inserted, and the moving image display performance can be improved. On the contrary, a bright screen can be displayed by setting N to 1 or more and always lighting it for a period of 1F.

好ましくは、画素に書き込む電流(ソースドライバ回路14から出力するプログラム電流)は、画素サイズがA平方mmとし、白ラスター表示所定輝度をB(nt)とした時、プログラム電流I(μA)は、
(A×B)/20 ≦ I ≦ (A×B)
の範囲とすることが好ましい。発光効率が良好となり、かつ、電流書込み不足が解消する。
Preferably, the current written to the pixel (program current output from the source driver circuit 14) is set such that when the pixel size is A square mm and the white raster display predetermined luminance is B (nt), the program current I (μA) is
(A × B) / 20 ≦ I ≦ (A × B)
It is preferable to set it as the range. Luminous efficiency is improved and insufficient current writing is eliminated.

さらに、好ましくは、プログラム電流I(μA)は、
(A×B)/10 ≦ I ≦ (A×B)
の範囲とすることが好ましい。
Further preferably, the program current I (μA) is
(A × B) / 10 ≦ I ≦ (A × B)
It is preferable to set it as the range.

図20、図24では、ゲート信号線17aの動作タイミングとゲート信号線17bの書込みタイミングには言及していない。しかし、ある画素が選択されているとした時(前記画素が接続されているゲート信号線17aにオン電圧が印加されている時)、その前後の1H期間(1水平走査期間)はゲート信号線17b(EL側のトランジスタ11dを制御するゲート信号線)には、オフ電圧を印加する。前後1H期間にゲート信号線17bにオフ電圧を印加した状態にすることにより、パネルにクロストークが発生せず、安定した画像表示を実現できる。   20 and 24, the operation timing of the gate signal line 17a and the write timing of the gate signal line 17b are not mentioned. However, when a certain pixel is selected (when a turn-on voltage is applied to the gate signal line 17a to which the pixel is connected), the 1H period (one horizontal scanning period) before and after that is the gate signal line. An off voltage is applied to 17b (a gate signal line for controlling the EL-side transistor 11d). By setting the off voltage to the gate signal line 17b during the 1H period before and after, a crosstalk does not occur in the panel, and a stable image display can be realized.

この駆動方法のタイミングチャートを図26に示す。図26では、ゲート信号線17aには、1H(選択期間)にオン電圧(Vgl)が印加されている。該当画素行が選択されている1H期間の前後1H期間(計3H期間)には、ゲート信号線17bにはオフ電圧(Vgh)が印加されている。   A timing chart of this driving method is shown in FIG. In FIG. 26, an on-voltage (Vgl) is applied to the gate signal line 17a during 1H (selection period). The off voltage (Vgh) is applied to the gate signal line 17b during the 1H period (total 3H period) before and after the 1H period in which the pixel row is selected.

なお、以上の実施例は選択期間の前後1H期間の間は、ゲート信号線17bにはオフ電圧を印加するとした。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図27に図示するように、選択期間の前の1H期間と選択期間後の2H期間に、ゲート信号線17bにオフ電圧を印加するように構成してもよい。以上の実施例は、本発明の他の実施例にも適用できることは言うまでもない。   In the above embodiment, the off voltage is applied to the gate signal line 17b during the 1H period before and after the selection period. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 27, the off voltage may be applied to the gate signal line 17b in the 1H period before the selection period and in the 2H period after the selection period. It goes without saying that the above embodiment can be applied to other embodiments of the present invention.

EL素子15をオンオフする周期は0.5msec以上にする必要がある。この周期が短いと、人間の目の残像特性により完全な黒表示状態とならず、画像がぼやけたようになり、あたかも解像度が低下したようになる。また、データ保持型の表示パネルの表示状態となる。しかし、オンオフ周期を100msec以上になると、点滅状態に見える。したがって、EL素子のオンオフ周期は0.5μsec以上100msec以下にすべきである。さらに好ましくは、オンオフ周期を2msec以上30msec以下にすべきである。さらに好ましくは、オンオフ周期を3msec以上20msec以下にすべきである。   The cycle for turning on and off the EL element 15 needs to be 0.5 msec or more. When this period is short, the image is not completely displayed due to the afterimage characteristics of the human eye, and the image becomes blurred, as if the resolution is lowered. Further, the display state of the data holding type display panel is set. However, when the on / off cycle is 100 msec or more, it appears to blink. Therefore, the on / off cycle of the EL element should be 0.5 μsec or more and 100 msec or less. More preferably, the on / off cycle should be 2 msec or more and 30 msec or less. More preferably, the on / off cycle should be 3 msec or more and 20 msec or less.

先にも記載したが、黒画面192の分割数は、1つにすると良好な動画表示を実現できるが、画面のちらつきが見えやすくなる。したがって、黒挿入部を複数に分割することが好ましい。しかし、分割数をあまりに多くすると動画ボケが発生する。分割数は1以上8以下とすべきである。さらに好ましくは1以上5以下とすることが好ましい。   As described above, if the number of divisions of the black screen 192 is 1, good moving image display can be realized, but the flickering of the screen can be easily seen. Therefore, it is preferable to divide the black insertion portion into a plurality. However, if the number of divisions is too large, motion blur will occur. The number of divisions should be between 1 and 8. More preferably, it is 1 or more and 5 or less.

なお、黒画面の分割数は静止画と動画で変更できるように構成することが好ましい。分割数とは、N=4では、75%が黒画面であり、25%が画像表示である。このとき、75%の黒表示部を75%の黒帯状態で画面の上下方向に走査するのが分割数1である。25%の黒画面と25/3%の表示画面の3ブロックで走査するのが分割数3である。静止画は分割数を多くする。動画は分割数を少なくする。切り替えは入力画像に応じて自動的(動画検出など)に行っても良く、ユーザーが手動で行ってもよい。また、表示装置の映像などに入力コンセントに対応して切り替ええするように構成すればよい。   It should be noted that the number of black screen divisions is preferably configured so that it can be changed between a still image and a moving image. With N = 4, 75% is a black screen and 25% is an image display. At this time, the division number is 1 to scan the 75% black display portion in the vertical direction of the screen in the 75% black belt state. The number of divisions is 3 for scanning with 3 blocks of a 25% black screen and a 25/3% display screen. Increase the number of divisions for still images. Reduce the number of divisions for movies. Switching may be performed automatically (moving image detection or the like) according to the input image, or may be performed manually by the user. Further, it may be configured to switch the video of the display device in accordance with the input outlet.

たとえば、携帯電話などにおいて、壁紙表示、入力画面では、分割数を10以上とする(極端には1Hごとにオンオフしてもよい)。NTSCの動画を表示するときは、分割数を1以上5以下とする。なお、分割数は3以上の多段階に切り替えできるように構成することが好ましい。たとえば、分割数なし、2、4、8などである。   For example, in a mobile phone or the like, the number of divisions is set to 10 or more on the wallpaper display and input screen (extremely, it may be turned on / off every 1H). When displaying NTSC moving images, the number of divisions is set to 1 or more and 5 or less. It should be noted that the number of divisions is preferably configured so that it can be switched to multiple stages of 3 or more. For example, no division number, 2, 4, 8, etc.

また、全表示画面に対する黒画面の割合は、全画面144の面積を1とした時、0.2以上0.9以下(Nで表示すれば1.2以上9以下)とすることが好ましい。また、特に0.25以上0.6以下(Nで表示すれば1.25以上6以下)とすることが好ましい。0.20以下であると動画表示での改善効果が低い。0.9以上であると、表示部分の輝度が高くなり、表示部分が上下に移動することが視覚的に認識されやすくなる。   The ratio of the black screen to the entire display screen is preferably 0.2 or more and 0.9 or less (1.2 or more and 9 or less if displayed in N) when the area of the entire screen 144 is 1. In particular, it is preferably 0.25 or more and 0.6 or less (in the case of N, it is 1.25 or more and 6 or less). If it is 0.20 or less, the improvement effect in moving image display is low. If it is 0.9 or more, the luminance of the display portion increases, and it is easy to visually recognize that the display portion moves up and down.

また、1秒あたりのフレーム数は、10以上100以下(10Hz以上100Hz以下)が好ましい。さらには12以上65以下(12Hz以上65Hz以下)が好ましい。フレーム数が少ないと、画面のちらつきが目立つようになり、あまりにもフレーム数が多いと、ソースドライバ回路14などからの書き込みが苦しくなり解像度が劣化する。   The number of frames per second is preferably 10 or more and 100 or less (10 Hz or more and 100 Hz or less). Furthermore, 12 or more and 65 or less (12 Hz or more and 65 Hz or less) are preferable. If the number of frames is small, the flickering of the screen becomes conspicuous. If the number of frames is too large, writing from the source driver circuit 14 becomes difficult and the resolution deteriorates.

ゲート信号線17bの1F/Nの期間だけ、Vglにする時刻は1F(1Fに限定するものではない。単位期間でよい。)の期間のうち、どの時刻でもよい。単位時間にうち、所定の期間だけEL素子15をオンさせることにより、所定の平均輝度を得るものだからである。ただし、電流プログラム期間(1H)後、すぐにゲート信号線17bをVglにしてEL素子15を発光させる方がよい。図1のコンデンサ19の保持率特性の影響を受けにくくなるからである。   The time to set Vgl only during the period of 1F / N of the gate signal line 17b may be any time in the period of 1F (not limited to 1F; it may be a unit period). This is because a predetermined average luminance is obtained by turning on the EL element 15 for a predetermined period of time in the unit time. However, it is better to set the gate signal line 17b to Vgl immediately after the current program period (1H) and cause the EL element 15 to emit light. This is because it is less susceptible to the retention characteristics of the capacitor 19 of FIG.

トランジスタ11b、11cを駆動するゲート信号線17aとトランジスタ11dを駆動するゲート信号線17bの駆動電圧は変化させるとよい。ゲート信号線17aの振幅値(オン電圧とオフ電圧との差)は、ゲート信号線17bの振幅値よりも小さくする。   The driving voltage of the gate signal line 17a for driving the transistors 11b and 11c and the gate signal line 17b for driving the transistor 11d may be changed. The amplitude value of the gate signal line 17a (difference between the on voltage and the off voltage) is made smaller than the amplitude value of the gate signal line 17b.

ゲート信号線17aの振幅値が大きいと、ゲート信号線17aと画素16との突き抜け電圧が大きくなり、黒浮きが発生する。ゲート信号線17aの振幅は、ソース信号線18の電位が画素16に印加されるように制御できればよい。ソース信号線18の電位変動は小さいから、ゲート信号線17aの振幅値は小さくすることができる。   If the amplitude value of the gate signal line 17a is large, the punch-through voltage between the gate signal line 17a and the pixel 16 increases, and black floating occurs. The amplitude of the gate signal line 17 a may be controlled so that the potential of the source signal line 18 is applied to the pixel 16. Since the potential fluctuation of the source signal line 18 is small, the amplitude value of the gate signal line 17a can be reduced.

一方、ゲート信号線17bはEL素子15のオンオフ制御を実施する必要がある。したがって、振幅値は大きくなる。これに対応するため、図6のシフトレジスタ回路141aと141bとの出力電圧を変化させる。画素がPチャンネルトランジスタで形成されている場合は、シフトレジスタ回路141aと141bのVgh(オフ電圧)を略同一にし、シフトレジスタ回路141aのVgl(オン電圧)をシフトレジスタ回路141bのVgl(オン電圧)よりも低くする。   On the other hand, the gate signal line 17b needs to perform on / off control of the EL element 15. Therefore, the amplitude value becomes large. To cope with this, the output voltages of the shift register circuits 141a and 141b in FIG. 6 are changed. When the pixel is formed of a P-channel transistor, Vgh (off voltage) of the shift register circuits 141a and 141b is made substantially the same, and Vgl (on voltage) of the shift register circuit 141a is set to Vgl (on voltage) of the shift register circuit 141b. ).

以上の実施例は、1画素行ごとに1本の選択画素行を配置(形成)する構成であった。本発明は、これに限定するものではなく、複数の画素行で1本のゲート信号線17aを配置(形成)してもよい。   In the above embodiment, one selected pixel row is arranged (formed) for each pixel row. The present invention is not limited to this, and one gate signal line 17a may be arranged (formed) in a plurality of pixel rows.

図22はその実施例である。なお、説明を容易にするため、画素構成は図1の場合を主として例示して説明をする。図22ではゲート信号線17aは3つの画素(16R、16G、16B)を同時に選択する。Rの記号とは赤色の画素関連を意味し、Gの記号とは緑色の画素関連を意味し、Bの記号とは青色の画素関連を意味するものとする。   FIG. 22 shows the embodiment. In order to facilitate the description, the pixel configuration will be described mainly using the case of FIG. In FIG. 22, the gate signal line 17a simultaneously selects three pixels (16R, 16G, 16B). The symbol “R” means a red pixel relationship, the symbol “G” means a green pixel relationship, and the symbol “B” means a blue pixel relationship.

ゲート信号線17aの選択により、画素16R、画素16Gおよび画素16Bが同時に選択されデータ書き込み状態となる。画素16Rはソース信号線18Rから映像データをコンデンサ19Rに書き込み、画素16Gはソース信号線18Gから映像データをコンデンサ19Gに書き込む。画素16Bはソース信号線18Bから映像データをコンデンサ19Bに書き込む。   By selecting the gate signal line 17a, the pixel 16R, the pixel 16G, and the pixel 16B are simultaneously selected to enter a data writing state. The pixel 16R writes video data from the source signal line 18R to the capacitor 19R, and the pixel 16G writes video data from the source signal line 18G to the capacitor 19G. The pixel 16B writes video data from the source signal line 18B to the capacitor 19B.

画素16Rのトランジスタ11dはゲート信号線17bRに接続されている。また、画素16Gのトランジスタ11dはゲート信号線17bGに接続され、画素16Bのトランジスタ11dはゲート信号線17bBに接続されている。画素16RのEL素子15R、画素16GのEL素子15G、画素16BのEL素子15Bは別個にオンオフ制御することができる。つまり、EL素子15R、EL素子15G、EL素子15Bはそれぞれのゲート信号線17bR、17bG、17bBを制御することにより、点灯時間、点灯周期を個別に制御可能である。   The transistor 11d of the pixel 16R is connected to the gate signal line 17bR. The transistor 11d of the pixel 16G is connected to the gate signal line 17bG, and the transistor 11d of the pixel 16B is connected to the gate signal line 17bB. The EL element 15R of the pixel 16R, the EL element 15G of the pixel 16G, and the EL element 15B of the pixel 16B can be separately controlled on and off. That is, the EL element 15R, the EL element 15G, and the EL element 15B can individually control the lighting time and the lighting cycle by controlling the gate signal lines 17bR, 17bG, and 17bB.

この動作を実現するためには、図6の構成において、ゲート信号線17aを走査するシフトレジスタ回路141と、ゲート信号線17bRを走査するシフトレジスタ回路141R(図示せず)と、ゲート信号線17bGを走査するシフトレジスタ回路141G(図示せず)と、ゲート信号線17bBを走査するシフトレジスタ回路141B(図示せず)の4つを形成(配置)することが適切である。   In order to realize this operation, in the configuration of FIG. 6, a shift register circuit 141 that scans the gate signal line 17a, a shift register circuit 141R (not shown) that scans the gate signal line 17bR, and a gate signal line 17bG It is appropriate to form (place) four shift register circuits 141G (not shown) that scan the gate signal lines and shift register circuits 141B (not shown) that scan the gate signal lines 17bB.

ソース信号線18に所定電流のN倍の電流を流し、EL素子15に所定電流のN倍の電流を1/Nの期間流すとしたが、これは理想状態である。実際にはゲート信号線17に印加した信号パルスがコンデンサ19に突き抜け、コンデンサ19に所望の電圧値(電流値)を設定できないからである。一般的にコンデンサ19には所望の電圧値(電流値)よりも低い電圧値(電流値)が設定される。たとえば、10倍の電流値を設定するように駆動しても、10倍以下の電流しかコンデンサ19には設定されない。たとえば、N=10としても実際にEL素子15に流れる電流はN=10未満の場合と同一となる。   A current N times the predetermined current is passed through the source signal line 18 and a current N times the predetermined current is passed through the EL element 15 for a period of 1 / N. This is an ideal state. This is because the signal pulse applied to the gate signal line 17 actually penetrates the capacitor 19 and a desired voltage value (current value) cannot be set in the capacitor 19. Generally, a voltage value (current value) lower than a desired voltage value (current value) is set for the capacitor 19. For example, even if it is driven to set a current value 10 times, only a current 10 times or less is set in the capacitor 19. For example, even if N = 10, the current that actually flows through the EL element 15 is the same as when N = 10.

しかし、本明細書では、説明を容易にするため、突き抜け電圧などの影響がなく、理想状態として説明をする。実際には本発明はN倍の電流値を設定し、N倍に比例したあるいは対応する電流をEL素子15に流れるように駆動する方法である。   However, in this specification, in order to facilitate the description, the description is made in an ideal state without the influence of the punch-through voltage or the like. In practice, the present invention is a method of setting a current value N times and driving the EL element 15 so that a current proportional to or corresponding to the N times flows.

また、本発明は、所望値より大きな電流(そのまま、EL素子15に連続して電流を流すと所望輝度よりも高くなるような電流)を駆動用トランジスタ11a(図1を例示する場合)に電流(電圧)プログラムを行い、EL素子15に流れる電流を間欠にすることにより、所望のEL素子の発光輝度を得るものである。   Further, the present invention applies a current larger than a desired value (a current that is higher than a desired luminance when a current is continuously passed through the EL element 15 as it is) to the driving transistor 11a (in the case of FIG. 1). (Voltage) programming is performed, and the current flowing through the EL element 15 is made intermittent to obtain the desired light emission luminance of the EL element.

図1のスイッチング用トランジスタ11b、11cをPチャンネルにすることのより突き抜けを発生させて、より黒表示を良好にする方法も有効である。Pチャンネルトランジスタ11bがオフするときにはVgh電圧となる。そのため、コンデンサ19の端子電圧がVdd側に少しシフトする。そのため、トランジスタ11aのゲート(G)端子電圧は上昇し、より黒表示となる。また、第1階調表示とする電流値を大きくすることができるから(階調1までに一定のベース電流を流すことができる)、電流プログラム方式で書き込み電流不足を軽減できる。   It is also effective to make the black display better by causing the switching transistors 11b and 11c of FIG. When the P-channel transistor 11b is turned off, the voltage becomes Vgh. Therefore, the terminal voltage of the capacitor 19 is slightly shifted to the Vdd side. For this reason, the gate (G) terminal voltage of the transistor 11a rises, resulting in a black display. In addition, since the current value for the first gradation display can be increased (a constant base current can be made to flow until gradation 1), a shortage of write current can be reduced by the current programming method.

図1におけるトランジスタ11bは駆動用トランジスタ11aが流す電流をコンデンサ19に保持するために動作する。つまり、駆動用トランジスタ11aのゲート端子(G)とドレイン端子(D)もしくはソース端子(S)間をプログラム時にショートさせる機能を有する。   The transistor 11b in FIG. 1 operates to hold the current flowing in the driving transistor 11a in the capacitor 19. That is, it has a function of shorting between the gate terminal (G) and the drain terminal (D) or the source terminal (S) of the driving transistor 11a at the time of programming.

トランジスタ11bはソース端子またはドレイン端子が保持用のコンデンサ19に接続されている。トランジスタ11bはゲート信号線17aに印加された電圧により、オンオフ制御される。課題は、オフ電圧が印加された時にゲート信号線17aの電圧がコンデンサ19に突き抜けることである。この突き抜け電圧により、コンデンサ19の電位(=駆動用トランジスタ11aのゲート端子(G)電位)が変動する。そのため、電流プログラムによるトランジスタ11aの特性補償ができなくなる。したがって、突き抜け電圧は小さくする必要がある。   The transistor 11b has a source terminal or drain terminal connected to the holding capacitor 19. The transistor 11b is ON / OFF controlled by the voltage applied to the gate signal line 17a. The problem is that the voltage of the gate signal line 17a penetrates the capacitor 19 when the off-voltage is applied. Due to this punch-through voltage, the potential of the capacitor 19 (= the potential of the gate terminal (G) of the driving transistor 11a) varies. Therefore, it becomes impossible to compensate the characteristics of the transistor 11a by current programming. Therefore, it is necessary to reduce the punch-through voltage.

突き抜け電圧を小さくするためには、トランジスタ11bのサイズを小さくするとよい。今、トランジスタのサイズSccをチャンネル幅W(μm)、チャンネル長L(μm)とし、Scc=W・L(平方μm)とする。トランジスタが複数直列接続されて構成されている場合は、Sccは接続されたトランジスタサイズの総和である。たとえば、1つのトランジスタのW=5(μm)、L=6(μm)とし、個数(n=4)が接続されて構成されていれば、Scc=5×6×4=120(平方μm)である。   In order to reduce the penetration voltage, the size of the transistor 11b may be reduced. Now, the transistor size Scc is defined as channel width W (μm) and channel length L (μm), and Scc = W · L (square μm). When a plurality of transistors are connected in series, Scc is the sum of the connected transistor sizes. For example, if W = 5 (μm) and L = 6 (μm) of one transistor and the number (n = 4) is connected, Scc = 5 × 6 × 4 = 120 (square μm) It is.

トランジスタのサイズと突き抜け電圧は相関がある。この関係を図29に示す。なお、トランジスタはPチャンネルトランジスタであるとする。ただし、Nチャンネルトランジスタであっても適用できる。   There is a correlation between transistor size and punch-through voltage. This relationship is shown in FIG. Note that the transistor is a P-channel transistor. However, even an N-channel transistor can be applied.

図29において、横軸はScc/nとしている。Sccは先に説明したようにトランジスタのサイズの総和せある。nは接続されたトランジスタ数である。図29ではSccをn個でわったものを横軸にしている。つまり、トランジスタが1個あたりのサイズである。   In FIG. 29, the horizontal axis is Scc / n. Scc is the sum of the transistor sizes as described above. n is the number of connected transistors. In FIG. 29, the horizontal axis represents n pieces of Scc. That is, the size per transistor is.

先に実施例では、トランジスタのサイズSccをチャンネル幅W(μm)、チャンネル長L(μm)とし、トランジスタ数がn=4であれば、Scc/n=5×6×4/4=30(平方μm)である。図29において、縦軸は突き抜け電圧(V)である。   In the first embodiment, if the transistor size Scc is the channel width W (μm) and the channel length L (μm) and the number of transistors is n = 4, then Scc / n = 5 × 6 × 4/4 = 30 ( Square μm). In FIG. 29, the vertical axis represents the penetration voltage (V).

突き抜け電圧は0.3(V)以内にしないと、レーザーショットムラが発生し、視覚的に許容できない。したがって、1つあたりのトランジスタのサイズは25(平方μm)以下にする必要がある。一方で、トランジスタは5(平方μm)以上にしないと、トランジスタの加工精度がでず、ばらつきが大きくなる。また、駆動能力にも課題を生じる。以上のことからトランジスタ11bは5(平方μm)以上25(平方μm)以下にする必要がある。さらに好ましくは、トランジスタ11bは5(平方μm)以上20(平方μm)以下にする必要がある。   If the punch-through voltage is not within 0.3 (V), laser shot unevenness occurs and is not visually acceptable. Therefore, the size of each transistor needs to be 25 (square μm) or less. On the other hand, unless the transistor is set to 5 (square μm) or more, the processing accuracy of the transistor cannot be achieved, and the variation becomes large. There is also a problem with drive capability. Thus, the transistor 11b needs to be 5 (square μm) or more and 25 (square μm) or less. More preferably, the transistor 11b needs to be 5 (square μm) or more and 20 (square μm) or less.

トランジスタによる突き抜け電圧は、トランジスタを駆動する電圧(Vgh、Vgl)の振幅値(Vgh−Vgl)とも相関がある。振幅値が大きいほど突き抜け電圧は大きくなる。この関係を図30に図示している。図30において、横軸を振幅値(Vgh−Vhl)(V)としている。縦軸は突き抜け電圧である。図29でも説明したように、突き抜け電圧は0.3(V)以下となるようにする必要がある。   The punch-through voltage by the transistor is also correlated with the amplitude value (Vgh−Vgl) of the voltage (Vgh, Vgl) for driving the transistor. The larger the amplitude value, the larger the punch-through voltage. This relationship is illustrated in FIG. In FIG. 30, the horizontal axis represents the amplitude value (Vgh−Vhl) (V). The vertical axis represents the penetration voltage. As described with reference to FIG. 29, the punch-through voltage needs to be 0.3 (V) or less.

なお、突き抜け電圧の許容値0.3(V)は言い換えると、ソース信号線18の振幅値の1/5以下(20%以下)である。ソース信号線18はプログラム電流が白表示の場合は、1.5(V)であり、プログラム電流が黒表示の場合は3.0(V)である。したがって、(3.0−1.5)/5=0.3(V)となる。   In other words, the permissible voltage 0.3 (V) of the penetration voltage is 1/5 or less (20% or less) of the amplitude value of the source signal line 18. The source signal line 18 is 1.5 (V) when the program current is white, and 3.0 (V) when the program current is black. Therefore, (3.0−1.5) /5=0.3 (V).

一方、ゲート信号線の振幅値(Vgh−Vhl)は4(V)以上ないと十分に画素16に書き込むことができない。以上のことから、ゲート信号線の振幅値(Vgh−Vgl)は、4(V)以上15(V)以下の条件と満足させる必要がある。さらに好ましくは、ゲート信号線の振幅値(Vgh−Vgl)は、5(V)以上12(V)以下の条件と満足させる必要がある。   On the other hand, if the amplitude value (Vgh−Vhl) of the gate signal line is 4 (V) or more, the pixel 16 cannot be sufficiently written. From the above, the amplitude value (Vgh−Vgl) of the gate signal line needs to satisfy the condition of 4 (V) or more and 15 (V) or less. More preferably, the amplitude value (Vgh−Vgl) of the gate signal line needs to satisfy the condition of 5 (V) or more and 12 (V) or less.

トランジスタ11bを複数のトランジスタを直列に接続して構成する場合は、駆動用トランジスタ11aのゲート端子(G)に近いトランジスタ(トランジスタ11bxと呼ぶ)のチャンネル長Lを長くすることが好ましい。ゲート信号線17aにオン電圧(Vgl)からオフ電圧(Vgh)に変化させた時、トランジスタ11bxが他のトランジスタ11bよりも速くオフ状態になる。そのため、突き抜け電圧の影響が軽減される。たとえば、複数のトランジスタ11bとトランジスタ11bxのチャンネル幅Wが3μmであれば、複数のトランジスタ11b(トランジスタ11bx以外)のチャンネル長Lは5μmとし、トランジスタ11bxのチャンネル長Lxは10μmとする。トランジスタ11bはトランジスタ11c側から配置し、トランジスタ11bxは駆動用トランジスタ11aのゲート端子(G)側に配置する。   When the transistor 11b is formed by connecting a plurality of transistors in series, it is preferable to increase the channel length L of a transistor (referred to as a transistor 11bx) close to the gate terminal (G) of the driving transistor 11a. When the gate signal line 17a is changed from the on voltage (Vgl) to the off voltage (Vgh), the transistor 11bx is turned off faster than the other transistors 11b. Therefore, the influence of the punch-through voltage is reduced. For example, if the channel width W of the plurality of transistors 11b and 11bx is 3 μm, the channel length L of the plurality of transistors 11b (other than the transistor 11bx) is 5 μm, and the channel length Lx of the transistor 11bx is 10 μm. The transistor 11b is disposed from the transistor 11c side, and the transistor 11bx is disposed on the gate terminal (G) side of the driving transistor 11a.

なお、トランジスタ11bxのチャンネル長Lxはトランジスタ11bのチャンネル長Lの1.4倍以上4倍以下にすることが好ましい。さらに好ましくは、トランジスタ11bxのチャンネル長Lxはトランジスタ11bのチャンネル長Lの1.5倍以上3倍以下にすることが好ましい。   Note that the channel length Lx of the transistor 11bx is preferably 1.4 to 4 times the channel length L of the transistor 11b. More preferably, the channel length Lx of the transistor 11bx is 1.5 to 3 times the channel length L of the transistor 11b.

突き抜け電圧は、画素16を選択するゲートドライバ回路12aの電圧振幅に依存する。つまり、図1の画素構成では、オン電圧(Vgl1)とオフ電圧(Vgh1)の電位差に依存する。この電位差が小さい方が、コンデンサ19への突き抜け電圧は減少し、トランジスタ11aのゲート端子の電位シフトも小さくなる。   The punch-through voltage depends on the voltage amplitude of the gate driver circuit 12a that selects the pixel 16. In other words, the pixel configuration in FIG. 1 depends on the potential difference between the on voltage (Vgl1) and the off voltage (Vgh1). When this potential difference is smaller, the penetration voltage to the capacitor 19 is reduced, and the potential shift of the gate terminal of the transistor 11a is also reduced.

したがって、Vgl1とVgh1との電位差は小さい方が、’突き抜け電圧’を減少させる意味では効果がある。しかし、電位差が小さければトランジスタ11cが完全にオンしなくなる。たとえば、図1の画素構成を例にすれば、ソース信号線18に印加される電圧が、5(V)〜0(V)の範囲である場合は、ゲート信号線17aに印加される電圧は、Vgh1=+6(V)以上、Vgl1=−2(V)以下にすることが望ましい。この電圧をゲート信号線17aに印加することにより選択スイッチとして動作するトランジスタ11cは良好なオンオフ状態を維持できる。   Therefore, a smaller potential difference between Vgl1 and Vgh1 is effective in reducing the “push-through voltage”. However, if the potential difference is small, the transistor 11c is not completely turned on. For example, taking the pixel configuration of FIG. 1 as an example, when the voltage applied to the source signal line 18 is in the range of 5 (V) to 0 (V), the voltage applied to the gate signal line 17a is Vgh1 = + 6 (V) or higher and Vgl1 = −2 (V) or lower. By applying this voltage to the gate signal line 17a, the transistor 11c operating as a selection switch can maintain a good on / off state.

一方で、駆動用トランジスタ11aに電流プログラムを行うトランジスタ11bにはほとんど電流が流れない。したがって、トランジスタ11bはスイッチとして動作させなくともよい。つまり、オンが比較的十分でなくてもよい。トランジスタ11bはオン電圧(Vgl1)が高くとも動作としては十分機能する。   On the other hand, almost no current flows through the transistor 11b that performs current programming in the driving transistor 11a. Therefore, the transistor 11b may not be operated as a switch. That is, the ON may not be relatively sufficient. The transistor 11b functions sufficiently even when the on-voltage (Vgl1) is high.

以上のことから、図1に図示するようにゲート信号線17aでトランジスタ11bとトランジスタ11cを同時に動作させるのではなく、図281に図示するように、トランジスタ11bを制御するゲート信号線17a1と、トランジスタ11cを動作させるゲート信号線17a2に分離することが好ましい。   From the above, the gate signal line 17a does not operate the transistor 11b and the transistor 11c simultaneously as shown in FIG. 1, but the gate signal line 17a1 for controlling the transistor 11b and the transistor as shown in FIG. It is preferable to separate the gate signal line 17a2 for operating 11c.

ゲートドライバ回路(IC)12a1はゲート信号線17a1を制御し、ゲートドライバ回路(IC)12a2はゲート信号線17a2を制御する。ゲート信号線17a1はトランジスタ11bのオンオフ状態を制御する。制御する電圧はオン電圧Vgh1a、オフ電圧Vgl1aとする。ゲート信号線17a2はトランジスタ11cのオンオフ状態を制御する。制御する電圧はオン電圧Vgh1b、オフ電圧Vgl1bとする。   The gate driver circuit (IC) 12a1 controls the gate signal line 17a1, and the gate driver circuit (IC) 12a2 controls the gate signal line 17a2. The gate signal line 17a1 controls the on / off state of the transistor 11b. The voltages to be controlled are an on voltage Vgh1a and an off voltage Vgl1a. The gate signal line 17a2 controls the on / off state of the transistor 11c. The voltages to be controlled are an on voltage Vgh1b and an off voltage Vgl1b.

ゲート信号線17a1の電圧振幅|Vgh1a−Vgl1a|を小さくすることにより、トランジスタ11bの寄生容量によるコンデンサ19への突き抜け電圧が減少する。ゲート信号線17a2の電圧振幅|Vgh1b−Vgl1b|を大きくすることにより、トランジスタ11cが完全にオンオフし、良好なスイッチとして動作する。|Vgh1a−Vgl1a|と|Vgh1a−Vgl1a|の関係は、|Vgh1a−Vgl1a|<|Vgh1a−Vgl1a|の関係が維持されるように設定あるいは構成する。   By reducing the voltage amplitude | Vgh1a-Vgl1a | of the gate signal line 17a1, the penetration voltage to the capacitor 19 due to the parasitic capacitance of the transistor 11b is reduced. By increasing the voltage amplitude | Vgh1b−Vgl1b | of the gate signal line 17a2, the transistor 11c is completely turned on and off, and operates as a good switch. The relationship between | Vgh1a-Vgl1a | and | Vgh1a-Vgl1a | is set or configured so that the relationship | Vgh1a-Vgl1a | <| Vgh1a-Vgl1a | is maintained.

オフ電圧Vgh1とオフ電圧Vgh2は同一にすることが好ましい。電源数が減少し、回路コストを低減できるからである。また、オフ電圧Vgh1はアノード電圧Vddを基準とすることにより、トランジスタ11の動作が安定するからである。一方、ゲートドライバ回路12a1のオン電圧Vgl1は、ソースドライバ回路(IC)14のグランド電圧(GND)に対して、+1(V)以下−6(V)以上の関係を維持することが好ましい。突き抜け電圧が減少し、良好な均一表示を実現できるからである。また、ゲートドライバ回路12a2のオン電圧Vgl2は、ソースドライバ回路(IC)14のグランド電圧(GND)に対して、0(V)以下−10(V)以上の関係を維持することが好ましい。トランジスタ11cを完全にオン状態にすることができ、良好な電流(電圧)プログラムを実現できるからである。また、Vgl2は、Vgl1よりも−1(V)以下の関係となるように電圧設定が行うことが好ましい。   The off voltage Vgh1 and the off voltage Vgh2 are preferably the same. This is because the number of power supplies is reduced and the circuit cost can be reduced. Further, the off voltage Vgh1 is based on the anode voltage Vdd, so that the operation of the transistor 11 is stabilized. On the other hand, the ON voltage Vgl1 of the gate driver circuit 12a1 preferably maintains a relationship of +1 (V) or less and −6 (V) or more with respect to the ground voltage (GND) of the source driver circuit (IC) 14. This is because the punch-through voltage is reduced and good uniform display can be realized. The on-voltage Vgl2 of the gate driver circuit 12a2 preferably maintains a relationship of 0 (V) or less and −10 (V) or more with respect to the ground voltage (GND) of the source driver circuit (IC) 14. This is because the transistor 11c can be completely turned on and a good current (voltage) program can be realized. Moreover, it is preferable that the voltage setting is performed so that Vgl2 has a relationship of −1 (V) or less than Vgl1.

なお、ゲート信号線17aにオン電圧が印加されて画素行が選択され、その後ゲート信号線17aにオフ電圧が印加されるタイミングは、以下のようにすることが好ましい。つまり、ゲート信号線17a1にオフ電圧(Vgh1a)を印加した後、0.05μsec以上10μsec以下(もしくは1H時間の1/400以上1/10以下)後に、ゲート信号線17a2にオフ電圧(Vgh1b)を印加する。トランジスタ11bをトランジスタ11cよりも先にオフさせることにより、突き抜け電圧の影響が大幅に軽減されるからである。   It is preferable that the on-voltage is applied to the gate signal line 17a to select a pixel row and the off-voltage is subsequently applied to the gate signal line 17a as follows. That is, after the off voltage (Vgh1a) is applied to the gate signal line 17a1, the off voltage (Vgh1b) is applied to the gate signal line 17a2 after 0.05 μsec to 10 μsec (or from 1/400 to 1/10 of 1H time). Apply. This is because the influence of the punch-through voltage is greatly reduced by turning off the transistor 11b before the transistor 11c.

また、図281ではゲートドライバ回路12a1とゲートドライバ回路12a2の2つを図示したがこれに限定するものではなく、一体としてもよい。以上の事項は、ゲートドライバ回路12aとゲートドライバ回路12bとの関係にも適用される。例えば、図14に図示するようにゲートドライバ回路12を一体としてもよい。以上の事項は本発明の他の実施例にも適用できることは言うまでもない。   In FIG. 281, two gate driver circuits 12a1 and 12a2 are shown, but the present invention is not limited to this and may be integrated. The above items also apply to the relationship between the gate driver circuit 12a and the gate driver circuit 12b. For example, the gate driver circuit 12 may be integrated as shown in FIG. Needless to say, the above matters can be applied to other embodiments of the present invention.

以上の実施例で説明した事項は、図1の画素構成に限定されるものではない。たとえば、図6、図7、図8、図9、図10、図11、図12、図13、図28、図31、図36、図193、図194、図215、図314(a)(b)の画素構成にも適用できることは言うまでもない。つまり、電圧保持用のコンデンサ19に一端子が接続されトランジスタを動作させるゲート端子(図1ではトランジスタ1bのゲート端子)の電圧変動を、画素選択トランジスタ(図1ではトランジスタ11c)のゲート端子を動作させる電圧変動と異ならせる。なお、以上の実施例は、画素16のトランジスタ動作について記述したが、本発明は画素構成に限定されるものではなく、図231などで説明した保持回路2280についても適用できることは言うまでもない。構成が同一あるいは類似であり、技術的思想が同一であるからである。   The matters described in the above embodiments are not limited to the pixel configuration in FIG. For example, FIGS. 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 12, 13, 28, 31, 36, 193, 194, 215, 314 (a) ( Needless to say, the present invention can also be applied to the pixel configuration b). That is, the voltage variation of the gate terminal (the gate terminal of the transistor 1b in FIG. 1) is connected to one terminal of the voltage holding capacitor 19 to operate the transistor, and the gate terminal of the pixel selection transistor (the transistor 11c in FIG. 1) is operated. Different from the voltage fluctuation. Although the above embodiment describes the transistor operation of the pixel 16, it is needless to say that the present invention is not limited to the pixel configuration and can be applied to the holding circuit 2280 described with reference to FIG. This is because the configuration is the same or similar, and the technical idea is the same.

また、以上の実施例では、駆動用トランジスタ11aをPチャンネルトランジスタとして説明している。駆動用トランジスタ11aがNチャンネルの場合は、オン電圧の電位、オフ電圧の電位を適用できるように読み替えればよいので、説明を省略する。   In the above embodiment, the driving transistor 11a is described as a P-channel transistor. In the case where the driving transistor 11a is an N-channel, the on-voltage potential and the off-voltage potential may be read so that description thereof is omitted.

図1などで説明した画素構成では、駆動用トランジスタ11aは各画素16に1つの構成である。しかし、本発明において、駆動用トランジスタ11aは1つに限定されるものでなない。たとえば、図31の画素構成が例示される。   In the pixel configuration described with reference to FIG. 1 and the like, the driving transistor 11 a has one configuration for each pixel 16. However, in the present invention, the driving transistor 11a is not limited to one. For example, the pixel configuration of FIG. 31 is illustrated.

図31は画素16を構成するトランジスタ数を6個とし、プログラム用トランジスタ11anはトランジスタ11b2とトランジスタ11cの2個のトランジスタを経由してソース信号線18に接続されるように構成し、駆動用トランジスタ11a1はトランジスタ11b1とトランジスタ11cの2個のトランジスタを経由してソース信号線18に接続されるように構成した実施例である。   In FIG. 31, the number of transistors constituting the pixel 16 is six, and the program transistor 11an is configured to be connected to the source signal line 18 via two transistors 11b2 and 11c. 11a1 is an embodiment configured to be connected to the source signal line 18 via two transistors 11b1 and 11c.

図31において、駆動用トランジスタ11a1のゲート端子とプログラム用トランジスタ11anのゲート端子とを共通にしている。トランジスタ11b1は電流プログラム時に駆動用トランジスタ11a1のドレイン端子とゲート端子とを短絡するように動作する。トランジスタ11b2は電流プログラム時にプログラム用トランジスタ11anのドレイン端子とゲート端子とを短絡するように動作する。   In FIG. 31, the gate terminal of the driving transistor 11a1 and the gate terminal of the programming transistor 11an are made common. The transistor 11b1 operates so as to short-circuit the drain terminal and the gate terminal of the driving transistor 11a1 during current programming. The transistor 11b2 operates so as to short-circuit the drain terminal and the gate terminal of the programming transistor 11an during current programming.

トランジスタ11cは駆動用トランジスタ11a1のゲート端子に接続されており、トランジスタ11dは駆動用トランジスタ11a1とEL素子15間に形成または配置され、EL素子15に流れる電流を制御する。また、駆動用トランジスタ11a1のゲート端子とアノード(Vdd)端子間には付加コンデンサ19が形成または配置されており、駆動用トランジスタ11a1とプログラム用トランジスタ11anのソース端子はアノード(Vdd)端子に接続されている。   The transistor 11c is connected to the gate terminal of the driving transistor 11a1, and the transistor 11d is formed or arranged between the driving transistor 11a1 and the EL element 15, and controls the current flowing through the EL element 15. An additional capacitor 19 is formed or disposed between the gate terminal and the anode (Vdd) terminal of the driving transistor 11a1, and the source terminals of the driving transistor 11a1 and the programming transistor 11an are connected to the anode (Vdd) terminal. ing.

以上のように、駆動用トランジスタ11a1とプログラム用トランジスタ11anが同一数のトランジスタを通過するように構成することにより、精度を向上させることができる。つまり、駆動用トランジスタ11a1を流れる電流は、トランジスタ11b1、トランジスタ11cを通じてソース信号線18に流れる。また、プログラム用トランジスタ11anを流れる電流は、トランジスタ11b2、トランジスタ11cを通じてソース信号線18に流れる。したがって、駆動用トランジスタ11a1の電流と、プログラム用トランジスタ11anの電流は、同数の2つのトランジスタを通過してソース信号線18に流れるように構成されている。   As described above, by configuring the driving transistor 11a1 and the programming transistor 11an to pass through the same number of transistors, the accuracy can be improved. That is, the current flowing through the driving transistor 11a1 flows to the source signal line 18 through the transistors 11b1 and 11c. The current flowing through the programming transistor 11an flows to the source signal line 18 through the transistor 11b2 and the transistor 11c. Therefore, the current of the driving transistor 11a1 and the current of the programming transistor 11an pass through the same number of two transistors and flow to the source signal line 18.

図31では、駆動用トランジスタ11anを1つのトランジスタとして図示しているが、これに限定するものではない。駆動用トランジスタ11anは、同一チャンネル幅W、同一チャンネル長Lあるいは同一WL比の複数のトランジスタから構成してもよい。また、駆動用トランジスタ11a1の駆動用トランジスタ11anと、同一チャンネル幅W、同一チャンネル長Lあるいは同一WL比にすることが好ましい。同一WLあるいはWL比のトランジスタを複数形成する方が、各トランジスタ11aの出力バラツキが小さくなり、また画素16間のばらつきも少なくなり好ましい。   In FIG. 31, the driving transistor 11an is illustrated as one transistor, but the present invention is not limited to this. The driving transistor 11an may be composed of a plurality of transistors having the same channel width W, the same channel length L, or the same WL ratio. Further, it is preferable that the drive transistor 11an of the drive transistor 11a1 has the same channel width W, the same channel length L, or the same WL ratio. It is preferable to form a plurality of transistors having the same WL or WL ratio because the output variation of each transistor 11a is reduced and the variation between the pixels 16 is reduced.

ゲート信号線17aに選択電圧(オン電圧)が印加されると、トランジスタ11anとトランジスタ11a1からの電流が合成されたものがプログラム電流Iwとなる。このプログラム電流Iwを、駆動用トランジスタ11a1からEL素子15に流れる電流Ieの所定倍率にする。   When a selection voltage (ON voltage) is applied to the gate signal line 17a, a combination of currents from the transistors 11an and 11a1 becomes the program current Iw. The program current Iw is set to a predetermined magnification of the current Ie flowing from the driving transistor 11a1 to the EL element 15.

Iw=n・Ie(nは1以上の自然数)
上式において、表示パネルの最大白ラスターでの表示輝度B(nt)、表示パネルの画素面積S(平方ミリメートル)(画素面積は、RGBを1単位として取り扱う。したがって、各R、G、Bの絵素が縦0.1mm、横0.05mmであれば、S=0.1×(0.05×3)(平方ミリメートル)である)、表示パネルの1画素行選択期間(1水平走査(1H)期間)をH(ミリ秒)としたとき、以下の条件を満足するようにする。なお、表示輝度Bは、パネル仕様に規定する表示できる最大輝度である。
Iw = n · Ie (n is a natural number of 1 or more)
In the above formula, the display brightness B (nt) at the maximum white raster of the display panel, the pixel area S (square millimeter) of the display panel (the pixel area is treated with RGB as one unit. Therefore, each of R, G, B If the picture element is 0.1 mm long and 0.05 mm wide, S = 0.1 × (0.05 × 3) (square millimeter)), one pixel row selection period (one horizontal scanning ( 1H) When the period) is H (milliseconds), the following conditions are satisfied. Note that the display brightness B is the maximum displayable brightness specified in the panel specification.

5 ≦ (B・S)/(n・H) ≦ 150
さらに好ましくは、以下の条件と満足するようにする。
5 ≦ (B · S) / (n · H) ≦ 150
More preferably, the following conditions are satisfied.

10 ≦ (B・S)/(n・H) ≦ 100
IwはソースドライバIC(回路)14が出力するプログラム電流であり、このプログラム電流に対応する電圧が、画素16のコンデンサ19にホールドされる。また、Ieは駆動用トランジスタ11a1がEL素子15に流す電流である。
10 ≦ (B · S) / (n · H) ≦ 100
Iw is a program current output from the source driver IC (circuit) 14, and a voltage corresponding to this program current is held in the capacitor 19 of the pixel 16. Ie is a current that the driving transistor 11a1 passes through the EL element 15.

トランジスタ11a1、トランジスタ11anの出力ばらつきに関しては、トランジスタ11anと駆動用トランジスタ11a1を近接させて形成または配置することにより改善できる。また、トランジスタ11an、トランジスタ11a1の特性は形成方向によっても特性が異なる場合がある。したがって、同一方向に形成することが好ましい。   The output variations of the transistors 11a1 and 11an can be improved by forming or arranging the transistors 11an and the driving transistor 11a1 close to each other. Further, the characteristics of the transistor 11an and the transistor 11a1 may differ depending on the formation direction. Therefore, it is preferable to form in the same direction.

ゲート信号線17aが選択されると、駆動用トランジスタ11a1およびプログラム用トランジスタ11anの両方がオンする。駆動用トランジスタ11a1が流す電流Iw1と、プログラム用トランジスタ11a1が流す電流Iw2とは、略一致させることが好ましい。最もこのましくは、プログラム用トランジスタ11anと駆動用トランジスタ11a1のサイズ(W、L)を一致させることである。つまり、Iw1=Iw2、Iw=2Ieの関係を満足させることが好ましい。もちろん、Iw1=Iw2の関係を満足させるには、トランジスタサイズ(W、L)を一致させることに限定されるものではなく、サイズを変化することにより一致させてもよい。これは、トランジスタのWLを調整することにより容易に実現できる。略Iw2/Iw1=1であれば、トランジスタ11b1とトランジスタ11b1のサイズは略一致して構成あるいは形成することができる。   When the gate signal line 17a is selected, both the driving transistor 11a1 and the programming transistor 11an are turned on. It is preferable that the current Iw1 flowing through the driving transistor 11a1 and the current Iw2 flowing through the programming transistor 11a1 are substantially matched. Most preferably, the sizes (W, L) of the programming transistor 11an and the driving transistor 11a1 are matched. That is, it is preferable to satisfy the relationship of Iw1 = Iw2 and Iw = 2Ie. Of course, satisfying the relationship of Iw1 = Iw2 is not limited to matching the transistor sizes (W, L), but may be matched by changing the size. This can be easily realized by adjusting the WL of the transistor. If approximately Iw2 / Iw1 = 1, the sizes of the transistors 11b1 and 11b1 can be configured or formed to be substantially the same.

なお、Iw2/Iw1は、1以上10以下の関係を満足させておくことが好ましい。Iw2/Iw1は、1以上10以下の関係を満足させておくことが好ましい。さらに好ましくは、1.5以上5以下の関係を満足させておくことが好ましい。   It should be noted that Iw2 / Iw1 preferably satisfies the relationship of 1 or more and 10 or less. Iw2 / Iw1 preferably satisfies a relationship of 1 or more and 10 or less. More preferably, the relationship of 1.5 to 5 is preferably satisfied.

Iw2/Iw1が1以下では、ほとんど、ソース信号線18の寄生容量の影響を改善する効果は見込めない。一方Iw2/Iwが10以上となると、Iwに対するIeの関係に画素ごとにばらつきが発生し、均一な画像表示が実現できない。また、トランジスタ11bのオン抵抗の影響を大きく受けるようになり、画素設計も困難になる。   When Iw2 / Iw1 is 1 or less, the effect of improving the influence of the parasitic capacitance of the source signal line 18 is hardly expected. On the other hand, if Iw2 / Iw is 10 or more, the relationship between Ie and Iw varies from pixel to pixel, and a uniform image display cannot be realized. In addition, the transistor 11b is greatly affected by the on-resistance, and pixel design becomes difficult.

プログラム用トランジスタ11anが流す電流Iw2が、駆動用トランジスタ11a1が流す電流Iw1に比較して一定以上大きい場合は(Iw2 > Iw1)、スイッチング用トランジスタ11b2のオン抵抗を、スイッチング用トランジスタ11b1のオン抵抗よりも小さくする必要がある。スイッチング用トランジスタ11b2は、トランジスタ11b1よりも大きな電流を、同一のゲート信号線17aの電圧にたいして流すように構成する必要があるからである。   When the current Iw2 flowing through the programming transistor 11an is larger than the current Iw1 flowing through the driving transistor 11a1 (Iw2> Iw1), the on-resistance of the switching transistor 11b2 is set higher than the on-resistance of the switching transistor 11b1. Need to be smaller. This is because the switching transistor 11b2 needs to be configured so that a current larger than that of the transistor 11b1 flows to the voltage of the same gate signal line 17a.

つまり、駆動用トランジスタ11a1の出力電流の大きさに対するトランジスタ11b1の大きさと、プログラム用トランジスタ11anの出力電流の大きさに対するトランジスタ11b2の大きさをマッチングさせる必要がある。   That is, it is necessary to match the magnitude of the transistor 11b1 with respect to the magnitude of the output current of the driving transistor 11a1 and the magnitude of the transistor 11b2 with respect to the magnitude of the output current of the programming transistor 11an.

言い換えれば、プログラム電流Iw2、プログラム電流Iw1に対して、トランジスタ11bのオン抵抗を変化させる必要がある。また、プログラム電流Iw2、プログラム電流Iw1に対して、トランジスタ11b1と11b2のサイズを変化させる必要がある。   In other words, it is necessary to change the on-resistance of the transistor 11b with respect to the program current Iw2 and the program current Iw1. Further, it is necessary to change the sizes of the transistors 11b1 and 11b2 with respect to the program current Iw2 and the program current Iw1.

プログラム電流Iw2がプログラム電流Iw1よりも大きければ、トランジスタ11b2のオン抵抗はトランジスタ11b1のオン抵抗よりも小さくする必要がある(トランジスタ11b1とトランジスタ11b2のゲート端子電圧が同一の場合である)。プログラム電流Iw2がプログラム電流Iw1よりも大きければ、トランジスタ11b2のオン電流(Iw2)はトランジスタ11b1のオン電流(Iw1)よりも大きくする必要がある(トランジスタ11b1とトランジスタ11b2のゲート端子電圧が同一の場合である)。   If the program current Iw2 is larger than the program current Iw1, the on-resistance of the transistor 11b2 needs to be smaller than the on-resistance of the transistor 11b1 (in the case where the gate terminal voltages of the transistor 11b1 and the transistor 11b2 are the same). If the program current Iw2 is larger than the program current Iw1, the on-current (Iw2) of the transistor 11b2 needs to be larger than the on-current (Iw1) of the transistor 11b1 (when the gate terminal voltages of the transistor 11b1 and the transistor 11b2 are the same) Is).

Iw2:Iw1=n:1とし、ゲート信号線17aにオン電圧が印加され、トランジスタ11b1とトランジスタ11b2がオンしたときのトランジスタ11b2のオン抵抗をR2、トランジスタ11b1のオン抵抗をR1とする。この時、R2は、R1/(n+5)以上、R1/(n)以下の関係を満足するように構成する。構成するとは、トランジスタ11bの所定のサイズに形成するあるいは配置するもしくは動作させるの意味である。ただし、nは1よりも大きな値である。   When Iw2: Iw1 = n: 1, an on-voltage is applied to the gate signal line 17a, and when the transistor 11b1 and the transistor 11b2 are turned on, the on-resistance of the transistor 11b2 is R2, and the on-resistance of the transistor 11b1 is R1. At this time, R2 is configured to satisfy the relationship of R1 / (n + 5) or more and R1 / (n) or less. To configure means to form, arrange or operate the transistor 11b in a predetermined size. However, n is a value larger than 1.

なお、上記事項は、トランジスタ11b1とトランジスタ11b2のオン抵抗Rあるいは、プログラム電流Iwの説明である。したがって、上記条件を満足するように画素構成を実現すればいずれの構成でもよい。たとえば、トランジスタ11b1のゲート端子に接続されたゲート信号線17と、トランジスタ11b2のゲート端子に接続されたゲート信号線17とが異なる信号線の場合は、各ゲート信号線に印加する電圧を変化させれば、オン抵抗などを変化でき、本発明の条件を満足させることできる。   Note that the above item is an explanation of the on-resistance R or the program current Iw of the transistors 11b1 and 11b2. Accordingly, any configuration is possible as long as the pixel configuration is realized so as to satisfy the above-described conditions. For example, when the gate signal line 17 connected to the gate terminal of the transistor 11b1 and the gate signal line 17 connected to the gate terminal of the transistor 11b2 are different signal lines, the voltage applied to each gate signal line is changed. As a result, the on-resistance and the like can be changed, and the conditions of the present invention can be satisfied.

図32は図31の画素構成の動作の説明図である。図32(a)は電流プログラム状態であり、図31(b)はEL素子15に電流を供給している状態である。なお、図32(b)の状態で、トランジスタ11dをオンオフさせて間欠表示を実施してもよいことは言うまでもない。   FIG. 32 is an explanatory diagram of the operation of the pixel configuration of FIG. FIG. 32A shows a current program state, and FIG. 31B shows a state where a current is supplied to the EL element 15. Needless to say, intermittent display may be performed by turning on and off the transistor 11d in the state of FIG.

図32(a)では、ゲート信号線17aにオン電圧が印加され、トランジスタ11b1、11b2、11cがオンする。トランジスタ11a1は電流Ieを供給し、トランジスタ11anは電流Iw−Ieを供給し、合成した電流IwがソースドライバIcにプログラム電流となる。以上の動作により、プログラム電流Iwに対応する電圧がコンデンサ19に保持される。電流プログラム時にはトランジスタ11dはオフ状態に保持される(ゲート信号線17bにはオフ電圧が印加されている)。   In FIG. 32A, an ON voltage is applied to the gate signal line 17a, and the transistors 11b1, 11b2, and 11c are turned on. The transistor 11a1 supplies a current Ie, the transistor 11an supplies a current Iw-Ie, and the combined current Iw becomes a program current for the source driver Ic. With the above operation, a voltage corresponding to the program current Iw is held in the capacitor 19. During current programming, the transistor 11d is held in the off state (the off voltage is applied to the gate signal line 17b).

EL素子15に電流を流す場合が、図32(b)の動作状態にされる。ゲート信号線17aにオフ電圧が印加され、ゲート信号線17bにオン電圧が印加される。この状態では、トランジスタ11b1、11b2、11cがオフ状態になり、トランジスタ11dがオン状態になる。EL素子15にIe電流が供給される。   The case where a current is passed through the EL element 15 is set to the operation state shown in FIG. An off voltage is applied to the gate signal line 17a, and an on voltage is applied to the gate signal line 17b. In this state, the transistors 11b1, 11b2, and 11c are turned off, and the transistor 11d is turned on. An Ie current is supplied to the EL element 15.

図33は図31の変形例である。図33は、トランジスタ11cがソース信号線18とトランジスタ11a1のドレイン端子間に配置されている。以上のように図31には多数の変形例が例示することができる。   FIG. 33 is a modification of FIG. In FIG. 33, the transistor 11c is arranged between the source signal line 18 and the drain terminal of the transistor 11a1. As described above, a large number of modifications can be illustrated in FIG.

図31はゲート信号線17aにオンオフ電圧を印加することにより、トランジスタ11b1、11b2、11cが制御される。しかし、電流プログラム状態から電流プログラム状態以外に変化する時、トランジスタ11b1、11b2とトランジスタ11cが同時にオフする場合、トランジスタ11cの方が、トランジスタ11b1、11b2よりも先にオフになる場合とでは、コンデンサ19に保持される電圧が規定の値から変化する場合がある。変化により駆動用トランジスタ11aからEL素子15に供給する電流Ieに誤差が発生する。   In FIG. 31, the transistors 11b1, 11b2, and 11c are controlled by applying an on / off voltage to the gate signal line 17a. However, when the transistors 11b1 and 11b2 and the transistor 11c are turned off at the same time when the current program state is changed to a state other than the current program state, the transistor 11c is turned off before the transistors 11b1 and 11b2. The voltage held at 19 may change from a specified value. Due to the change, an error occurs in the current Ie supplied from the driving transistor 11a to the EL element 15.

この課題に対しては、図34のように構成することが好ましい。図34では、ゲート信号線17a1のトランジスタ11b1と11b2のゲート端子が接続されている。また、ゲート信号線17a2にトランジスタ11cのゲート端子が接続されている。したがって、ゲート信号線17a1にオンオフ電圧を印加することにより、トランジスタ11b1と11b2がオンオフ制御される。また、ゲート信号線17a2にオンオフ電圧を印加することによりトランジスタ11cがオンオフ制御される。   For this problem, a configuration as shown in FIG. 34 is preferable. In FIG. 34, the gate terminals of the transistors 11b1 and 11b2 of the gate signal line 17a1 are connected. The gate terminal of the transistor 11c is connected to the gate signal line 17a2. Therefore, the transistors 11b1 and 11b2 are on / off controlled by applying an on / off voltage to the gate signal line 17a1. Further, the transistor 11c is on / off controlled by applying an on / off voltage to the gate signal line 17a2.

電流プログラム状態から電流プログラム状態以外に変化させる時(ゲート信号線17a1、17a2にオン電圧が印加されている状態から、ゲート信号線17a1、17a2にオフ電圧を印加する状態に変化させる時)、まず、ゲート信号線17a1の印加電圧をオン電圧からオフ電圧にする。したがって、トランジスタ11b1と11b2がオフ状態になる。次に、ゲート信号線17a2をオン電圧印加状態からオフ電圧印加状態に変化させる。したがって、トランジスタ11cがオフ状態になる。   When changing from the current programming state to a state other than the current programming state (when changing from the state in which the on-voltage is applied to the gate signal lines 17a1 and 17a2 to the state in which the off-voltage is applied to the gate signal lines 17a1 and 17a2) The applied voltage of the gate signal line 17a1 is changed from the on voltage to the off voltage. Accordingly, the transistors 11b1 and 11b2 are turned off. Next, the gate signal line 17a2 is changed from the on-voltage applied state to the off-voltage applied state. Accordingly, the transistor 11c is turned off.

以上のように、トランジスタ11b1、11b2をオフ状態にしてから、トランジスタ11cをオフ状態にすることにより、突き抜け電圧の影響が小さくなり、また、リーク電流量なども低減するため、コンデンサ19に保持される電圧が規定値どおりとなる。なお、ゲート信号線17a1とゲート信号線17a2にオフ電圧を印加するタイミングのずれは、0.1μsec以上5μsec以下にすることが好ましい。   As described above, by turning off the transistors 11b1 and 11b2 and then turning off the transistor 11c, the influence of the punch-through voltage is reduced and the amount of leakage current is also reduced. The voltage is as specified. Note that it is preferable that the difference in timing of applying the off voltage to the gate signal line 17a1 and the gate signal line 17a2 is 0.1 μsec or more and 5 μsec or less.

図34は駆動用トランジスタ11aが1個の構成であったが、本発明はこれに限定するものではなく、図193に図示するように2個以上であってもよい。図193はEL素子15を駆動するトランジスタ11aが2個(駆動用トランジスタ11a1、11a2)で構成され、また、プログラム用トランジスタ11anの2個(11an1、11an2)で構成されている。図193のように構成することにより画素の特性バラツキをより低減することができる。なお、駆動用トランジスタ11aとプログラム用トランジスタ11anとは交互のならびになるようにレイアウト配置を行ってもよい。   In FIG. 34, the number of driving transistors 11a is one, but the present invention is not limited to this, and two or more may be used as shown in FIG. FIG. 193 includes two transistors 11a (driving transistors 11a1 and 11a2) for driving the EL element 15, and two transistors 11an (11an1 and 11an2) for programming. With the configuration as shown in FIG. 193, pixel characteristic variation can be further reduced. It should be noted that the layout arrangement may be performed so that the driving transistor 11a and the programming transistor 11an are arranged alternately.

図194に図示するように、画素構成することも有効である。図194は2の駆動用トランジスタ11a(11a1、11a2)を有している。この2つの駆動用トランジスタ11a(11a1、11a2)の両方はEL素子15に電流Ieを供給し、この電流によりEL素子は輝度Bで発光する。   As shown in FIG. 194, a pixel configuration is also effective. FIG. 194 has two driving transistors 11a (11a1, 11a2). Both of the two driving transistors 11a (11a1, 11a2) supply a current Ie to the EL element 15, and the EL element emits light with luminance B by this current.

図195は図194の画素の動作を説明するためのタイミング図である。以下、図194の動作について説明をする。なお、図194の画素はマトリックス状に配置され、順次ゲート信号線が選択されることにより該当画素が選択される。ここでは説明を容易にするために、図1と同様に1画素について説明を行う。   FIG. 195 is a timing chart for explaining the operation of the pixel in FIG. Hereinafter, the operation of FIG. 194 will be described. Note that the pixels in FIG. 194 are arranged in a matrix, and the corresponding pixels are selected by sequentially selecting the gate signal lines. Here, for ease of explanation, one pixel will be explained as in FIG.

まず、ゲート信号線17aが選択され、Vgl電圧が印加されると、トランジスタ11b2、11b1、11cがオンし、導通状態となる。この状態で、ソース信号線18に印加されたプログラム電流がトランジスタ11a2、11a1に流れ、このプログラム電流Iwが流れるように、コンデンサ19に電圧が保持される(図195のゲート信号線17aの欄を参照のこと)。以上で電流プログラムが完了する。1Hの期間のゲート信号線17aには、オン電圧(Vgl)が印加され、選択期間経過後、オフ電圧(Vgh)が印加される。以上は、基本的な動作であって、実際にはゲート信号線のオンオフタイミングなどは、図26、図27などが適用されることは言うまでもない。   First, when the gate signal line 17a is selected and the Vgl voltage is applied, the transistors 11b2, 11b1, and 11c are turned on and become conductive. In this state, the program current applied to the source signal line 18 flows to the transistors 11a2 and 11a1, and the voltage is held in the capacitor 19 so that the program current Iw flows (see the column of the gate signal line 17a in FIG. 195). See This completes the current program. An ON voltage (Vgl) is applied to the gate signal line 17a in the 1H period, and an OFF voltage (Vgh) is applied after the selection period has elapsed. The above is the basic operation, and it goes without saying that FIG. 26, FIG. 27, and the like are actually applied to the on / off timing of the gate signal line.

次に、駆動用トランジスタ11a1の電流Ie1をEL素子15に流す期間は、ゲート信号線17b1が選択される(Vgl電圧が印加される)。また、EL素子15に電流を流さない期間には、ゲート信号線17b1にはオフ電圧(Vgh電圧)が印加される。以上の状態を定常的に繰り返すことあるいは周期的あるいはランダム的に行うことによりEL素子15が発光する。図195では、EL素子15の発光を輝度Bで示している。なお、ゲート信号線17b1のタイミングチャートを図195のゲート信号線17b1で示している。   Next, during a period in which the current Ie1 of the driving transistor 11a1 flows through the EL element 15, the gate signal line 17b1 is selected (Vgl voltage is applied). Further, an off voltage (Vgh voltage) is applied to the gate signal line 17b1 during a period in which no current flows through the EL element 15. The EL element 15 emits light by repeating the above state regularly or periodically or randomly. In FIG. 195, the light emission of the EL element 15 is indicated by luminance B. Note that a timing chart of the gate signal line 17b1 is indicated by a gate signal line 17b1 in FIG.

駆動用トランジスタ11a2の電流Ie2をEL素子15に流す期間は、ゲート信号線17b2が選択される(Vgl電圧が印加される)。また、EL素子15に電流を流さない期間には、ゲート信号線17b2にはオフ電圧(Vgh電圧)が印加される。以上の状態を定常的に繰り返すことあるいは周期的あるいはランダム的に行うことによりEL素子15が発光する(図195では、EL素子15の発光を輝度Bで示している。なお、ゲート信号線17b2のタイミングチャートを図195のゲート信号線17b2で示している。   During the period in which the current Ie2 of the driving transistor 11a2 flows through the EL element 15, the gate signal line 17b2 is selected (the Vgl voltage is applied). Further, an off voltage (Vgh voltage) is applied to the gate signal line 17b2 during a period in which no current flows through the EL element 15. The EL element 15 emits light by repeating the above state regularly or periodically or randomly (in FIG. 195, the light emission of the EL element 15 is indicated by luminance B. Note that the gate signal line 17b2 A timing chart is shown by a gate signal line 17b2 in FIG.

なお、図194、図195の実施例において、駆動用トランジスタ11aは2つとし、この2つを切り換えると説明したがこれに限定するものではなく、駆動用トランジスタ11aを3個以上形成または配置し、3個以上の駆動用トランジスタ11aを切り換えて、EL素子15に電流Ieを供給してもよい。また、2つ以上の駆動用トランジスタ11aが同時にEL素子に電流Ieを供給してもよい。また、駆動用トランジスタ11a1がEL素子15に供給する電流Ie1と、駆動用トランジスタ11a2がEL素子15に供給する電流Ie2とはその電流の大きさを異ならせてもよい。   In the embodiment shown in FIGS. 194 and 195, it has been described that there are two drive transistors 11a and these two are switched. However, the present invention is not limited to this, and three or more drive transistors 11a are formed or arranged. The current Ie may be supplied to the EL element 15 by switching three or more driving transistors 11a. Two or more driving transistors 11a may simultaneously supply the current Ie to the EL element. The current Ie1 supplied from the driving transistor 11a1 to the EL element 15 may be different from the current Ie2 supplied from the driving transistor 11a2 to the EL element 15.

また、複数の駆動用トランジスタ11aはサイズを異ならせてもよい。また、複数の駆動用トランジスタ11aがEL素子15に電流を流す時間は同一である必要はなく、異なっていてもよい。たとえば、駆動用トランジスタ11a1が10μsecの時間(10μ秒)の間、EL素子15に電流を供給し、駆動用トランジスタ11a2が20μsecの時間(20μ秒)の間、EL素子15に電流を供給するように構成してもよい。図194において、また、駆動用トランジスタ194において、駆動用トランジスタ11a1のゲート端子と駆動用トランジスタ11a2のゲート端子は共通に接続されているがこれに限定するものではなく、各ゲート端子が別のゲート電位に設定できるものであってもよいことは言うまでもない。以上の実施例は、図31から図36の画素構成にも適用できる。この場合は、プログラム用トランジスタと駆動用トランジスタに適用される。   The plurality of driving transistors 11a may be different in size. Further, the time for the plurality of driving transistors 11a to flow current to the EL element 15 does not need to be the same and may be different. For example, the driving transistor 11a1 supplies current to the EL element 15 for a time of 10 μsec (10 μsec), and the driving transistor 11a2 supplies current to the EL element 15 for a time of 20 μsec (20 μsec). You may comprise. In FIG. 194, in the driving transistor 194, the gate terminal of the driving transistor 11a1 and the gate terminal of the driving transistor 11a2 are connected in common. However, the present invention is not limited to this. Needless to say, the potential may be set. The above embodiments can also be applied to the pixel configurations of FIGS. In this case, the present invention is applied to a program transistor and a drive transistor.

以上の実施例は、主として図1の変形例の実施例であった。本発明はこれに限定するものではなく、図13などのカレントミラーの画素構成にも適用することができる。   The above embodiment is mainly an embodiment of the modification of FIG. The present invention is not limited to this, and can be applied to a pixel configuration of a current mirror as shown in FIG.

図35は本発明の実施例である。図35は駆動用トランジスタ11bが1個で、プログラム用トランジスタ11anが4個で画素が構成された実施例である。他の構成は図12または図13の実施例と同様である。   FIG. 35 shows an embodiment of the present invention. FIG. 35 shows an embodiment in which a pixel is constituted by one driving transistor 11b and four programming transistors 11an. Other configurations are the same as those of the embodiment of FIG.

図35の実施例では、ゲート信号線17a1、17a2が選択されると、トランジスタ11c、11dが動作状態となり、プログラム用トランジスタ11anとソース信号線18との電流経路が形成される。なお、4つのプログラム用トランジスタ11anは、同一サイズ(同一チャンネル幅W、同一チャンネル長L)で形成することが好ましい。ただし、本発明において、プログラム用トランジスタ11anは1つで構成してもよい。この場合は、1つのプログラム用トランジスタ11anの形状あるいはWL比を考慮し、所定のプログラム電流Iwが実現できるようにすることが好ましい。   In the embodiment of FIG. 35, when the gate signal lines 17a1 and 17a2 are selected, the transistors 11c and 11d are activated, and a current path between the programming transistor 11an and the source signal line 18 is formed. The four programming transistors 11an are preferably formed with the same size (the same channel width W and the same channel length L). However, in the present invention, the programming transistor 11an may be composed of one. In this case, it is preferable to realize a predetermined program current Iw in consideration of the shape or WL ratio of one program transistor 11an.

図35の実施例では、プログラム電流Iwは、4つのプログラム用トランジスタ11anの電流が合成されたものとなる。説明を容易にするため、各プログラム用トランジスタ11aに流れる電流が等しいとする。なお、説明を容易にするため、EL素子15に電流を供給するトランジスタ11aを駆動用トランジスタ11bと呼び、電流プログラム時に動作するトランジスタ11anなどをプログラム用トランジスタ11anと呼ぶことにする。   In the embodiment of FIG. 35, the program current Iw is a combination of the currents of the four program transistors 11an. For ease of explanation, it is assumed that the currents flowing through the programming transistors 11a are equal. For ease of explanation, the transistor 11a that supplies current to the EL element 15 is referred to as a driving transistor 11b, and the transistor 11an that operates during current programming is referred to as a programming transistor 11an.

図35では、駆動用トランジスタ11bと1つのプログラム用トランジスタ11anは同一出力電流となるようにしている(駆動用トランジスタおよびプログラム用トランジスタのゲート端子に印加された電圧が同一の場合)。出力電流を等しくするためにはトランジスタ11anおよび11bのWL(チャンネル幅Wとチャンネル長L)同一にすればよい。同一WLあるいはWL比のトランジスタ11aを複数形成する方が、各トランジスタ11aの出力バラツキが小さくなり、また画素16間のばらつきも少なくなり好ましい。   In FIG. 35, the driving transistor 11b and one programming transistor 11an have the same output current (when the voltages applied to the gate terminals of the driving transistor and the programming transistor are the same). In order to make the output currents equal, the transistors 11an and 11b have the same WL (channel width W and channel length L). It is preferable to form a plurality of transistors 11a having the same WL or WL ratio because the output variation of each transistor 11a is reduced and the variation between the pixels 16 is reduced.

ゲート信号線17a1、17a2に選択電圧(オン電圧)が印加されると、複数のプログラム用トランジスタ11anからの電流が合成されたものがプログラム電流Iwとなる。このプログラム電流Iwを、駆動用トランジスタ11bからEL素子15に流れる電流Ieの所定倍率にする。   When a selection voltage (ON voltage) is applied to the gate signal lines 17a1 and 17a2, a combination of currents from the plurality of programming transistors 11an becomes the programming current Iw. The program current Iw is set to a predetermined magnification of the current Ie flowing from the driving transistor 11b to the EL element 15.

Iw=n・Ie(nは1より大きい自然数)
上式において、表示パネルの最大白ラスターでの表示輝度B(nt)、表示パネルの画素面積S(平方ミリメートル)(画素面積は、RGBを1単位として取り扱う。したがって、各RGBの絵素が縦0.1mm、横0.05mmであれば、S=0.1×(0.05×3)(平方ミリメートル)である)、表示パネルの1画素行選択期間(1水平走査(1H)期間)をH(ミリ秒)としたとき、以下の条件を満足するようにする。なお、表示輝度Bは、パネル仕様に規定する表示できる最大輝度である。
Iw = n · Ie (n is a natural number greater than 1)
In the above equation, the display brightness B (nt) at the maximum white raster of the display panel, the pixel area S (square millimeter) of the display panel (the pixel area is handled with RGB as one unit. If 0.1 mm and 0.05 mm in width, S = 0.1 × (0.05 × 3) (square millimeter)), one pixel row selection period (one horizontal scanning (1H) period) of the display panel When H is H (milliseconds), the following conditions are satisfied. Note that the display brightness B is the maximum displayable brightness specified in the panel specification.

5 ≦ (B・S)/(n・H) ≦ 150
さらに好ましくは、以下の条件と満足するようにする。
5 ≦ (B · S) / (n · H) ≦ 150
More preferably, the following conditions are satisfied.

10 ≦ (B・S)/(n・H) ≦ 100
IwはソースドライバIC(回路)14が出力するプログラム電流であり、このプログラム電流に対応する電圧が、画素16のコンデンサ19にホールドされる。また、Ieは駆動用トランジスタ11aがEL素子15に流す電流である。
10 ≦ (B · S) / (n · H) ≦ 100
Iw is a program current output from the source driver IC (circuit) 14, and a voltage corresponding to this program current is held in the capacitor 19 of the pixel 16. Ie is a current that the driving transistor 11a passes through the EL element 15.

したがって、駆動用トランジスタ11bおよびプログラム用トランジスタ11aのWLまたは大きさ(形状)、出力電流は上記の関係式を満足するように構成または形成する。なお、説明を容易にするため、図35の構成では、駆動用トランジスタ11bのサイズもしくは供給電流と、プログラム用トランジスタ11anのサイズ(形状)もしくは1つあたりの供給電流が等しいとすると、n−1個のプログラム用トランジスタ11aを形成することにより上式の関係を満足させることができる。特に図35の画素構成では、駆動用トランジスタ11aの電流もプログラム電流にすることができ、画素16の開口率をカレントミラーの画素構成に比較して高くすることができる。   Therefore, the WL or size (shape) of the driving transistor 11b and the programming transistor 11a and the output current are configured or formed so as to satisfy the above relational expression. For ease of explanation, in the configuration of FIG. 35, if the size or supply current of the driving transistor 11b is equal to the size (shape) of the programming transistor 11an or the supply current per one, n−1. The relationship of the above equation can be satisfied by forming the programming transistors 11a. In particular, in the pixel configuration of FIG. 35, the current of the driving transistor 11a can also be set to the program current, and the aperture ratio of the pixel 16 can be increased as compared with the pixel configuration of the current mirror.

以上のように画素16を構成することにより、プログラム電流Iwは、Ieに対してn倍になる。したがって、ソース信号線18に寄生容量が存在しても、書き込み不足はなくなる。   By configuring the pixel 16 as described above, the program current Iw becomes n times as large as Ie. Therefore, even if parasitic capacitance exists in the source signal line 18, there is no shortage of writing.

各トランジスタ11b、11anの出力ばらつきに関しては、プログラム用トランジスタ11anと駆動用トランジスタ11bとを近接させて形成または配置することにより改善できる。また、トランジスタ11an、トランジスタ11bの特性は形成方向によっても特性が異なる場合がある。したがって、トランジスタのチャンネル形成方向を横方向または縦方向に統一することが好ましい。   The output variations of the transistors 11b and 11an can be improved by forming or arranging the programming transistor 11an and the driving transistor 11b close to each other. Further, the characteristics of the transistors 11an and 11b may differ depending on the formation direction. Therefore, it is preferable to unify the channel formation direction of the transistors in the horizontal direction or the vertical direction.

EL表示パネルでは、RGBのEL素子は異なる材料で構成する。したがって、各色で発光効率が異なる場合が多い。そのため、各RGBのプログラム電流Iwも異なる。ソース信号線18の寄生容量は、一般的にRGBに対する変化はなく、同一である場合が多い。各RGBのプログラム電流Iwが異なり、ソース信号線18の寄生容量がRGBで同一であれば、プログラム電流の書き込み時定数が異なることになる。   In the EL display panel, the RGB EL elements are made of different materials. Therefore, the luminous efficiency is often different for each color. Therefore, each RGB program current Iw is also different. The parasitic capacitance of the source signal line 18 generally does not change with respect to RGB and is often the same. If the RGB program currents Iw are different and the parasitic capacitances of the source signal lines 18 are the same in RGB, the program current write time constants are different.

図35の画素構成に関しても、各RGBのプログラム用トランジスタ11anの個数を変化させればよい。また、各RGBのプログラム用トランジスタ11anのサイズ(WLなど)あるいは供給電流の大きさを変化させてもよいことはいうまでもない。また、駆動用トランジスタ11bの個数あるいはサイズを変化させてもよい。   Regarding the pixel configuration of FIG. 35, the number of RGB programming transistors 11an may be changed. Needless to say, the size (WL or the like) or the magnitude of the supply current of each of the RGB programming transistors 11an may be changed. Further, the number or size of the driving transistor 11b may be changed.

以上の事項は、図31、図33、図34などの画素構成においても同様に適用できることは言うまでもない。各RGBのプログラム用トランジスタ11anの個数を変化させればよい。また、各RGBのプログラム用トランジスタ11anのサイズ(WLなど)あるいは供給電流の大きさを変化させてもよいことはいうまでもない。また、駆動用トランジスタ11aの個数あるいはサイズを変化させてもよい。   Needless to say, the above matters can be similarly applied to the pixel configurations of FIG. 31, FIG. 33, FIG. The number of the RGB programming transistors 11an may be changed. Needless to say, the size (WL or the like) or the magnitude of the supply current of each of the RGB programming transistors 11an may be changed. Further, the number or size of the driving transistor 11a may be changed.

図35は、ゲート信号線17a2でトランジスタ11cを制御し、ゲート信号線17a1でトランジスタ11dを制御する。電流プログラム状態から電流プログラム状態以外に変化する時、トランジスタ11cとトランジスタ11dが同時にオフすることを抑制することができる。   In FIG. 35, the transistor 11c is controlled by the gate signal line 17a2, and the transistor 11d is controlled by the gate signal line 17a1. When the current programming state changes to a state other than the current programming state, it is possible to suppress the transistor 11c and the transistor 11d from being turned off simultaneously.

電流プログラム状態から電流プログラム状態以外に変化させる時(ゲート信号線17a1、17a2にオン電圧が印加されている状態から、ゲート信号線17a1、17a2にオフ電圧を印加する状態に変化させる時)、まず、ゲート信号線17a2の印加電圧をオン電圧からオフ電圧にする。したがって、トランジスタ11dがオフ状態になる。次に、ゲート信号線17a1をオン電圧印加状態からオフ電圧印加状態に変化させる。したがって、トランジスタ11cがオフ状態になる。   When changing from the current programming state to a state other than the current programming state (when changing from the state in which the on-voltage is applied to the gate signal lines 17a1 and 17a2 to the state in which the off-voltage is applied to the gate signal lines 17a1 and 17a2) The applied voltage of the gate signal line 17a2 is changed from the on voltage to the off voltage. Accordingly, the transistor 11d is turned off. Next, the gate signal line 17a1 is changed from the on-voltage applied state to the off-voltage applied state. Accordingly, the transistor 11c is turned off.

以上のように、トランジスタ11dをオフ状態にしてから、トランジスタ11cをオフ状態にすることにより、突き抜け電圧の影響が小さくなり、また、リーク電流量なども低減するため、コンデンサ19に保持される電圧が規定値どおりとなる。なお、ゲート信号線17a1とゲート信号線17a2にオフ電圧を印加するタイミングのずれは、0.1μsec以上5μsec以下にすることが好ましい。   As described above, when the transistor 11d is turned off and then the transistor 11c is turned off, the influence of the punch-through voltage is reduced and the amount of leakage current is also reduced. Is as specified. Note that it is preferable that the difference in timing of applying the off voltage to the gate signal line 17a1 and the gate signal line 17a2 is 0.1 μsec or more and 5 μsec or less.

図36は、トランジスタ11cとトランジスタ11dをゲート信号線17aに印加する電圧により制御できるようにした構成である。図36の構成では、画素16を駆動するゲート信号線17は1本ですむため、配線信号線数が少なくてすむ。図36の画素構成では、非表示領域192を発生させることはできない。しかし、画素の制御は容易であり、画素の開口率も向上できる。   FIG. 36 shows a configuration in which the transistor 11c and the transistor 11d can be controlled by a voltage applied to the gate signal line 17a. In the configuration shown in FIG. 36, only one gate signal line 17 is required to drive the pixel 16, so the number of wiring signal lines can be reduced. In the pixel configuration of FIG. 36, the non-display area 192 cannot be generated. However, the control of the pixel is easy and the aperture ratio of the pixel can be improved.

以上の実施例は、電流プログラムの画素構成であった。本発明はこれに限定するものではなく、電圧駆動と電流駆動の画素構成を組み合わせてもよい。図211は電圧駆動と電流駆動の両方を実施できる画素構成である。電流駆動では低下階調領域で電流書き込みが発生する。一方で電圧駆動では、低階調でも書き込み不足はない。しかし、電圧駆動では、表示画面に形成された駆動用トランジスタ11aの特性バラツキを吸収することができないため、レーザーアニールのムラが表示されてしまう。電流駆動ではこの問題がない。したがって、図213に図示するように、低階調領域で電圧駆動を実施し、高階調領域で電流駆動を実施し、その中間の階調領域で電圧駆動の後、電流駆動を実施することにより、電流駆動と電圧駆動の双方の課題を解決することができる。   The above embodiment has a pixel configuration for current programming. The present invention is not limited to this, and a pixel configuration of voltage driving and current driving may be combined. FIG. 211 shows a pixel configuration capable of performing both voltage driving and current driving. In current driving, current writing occurs in the lowered gradation region. On the other hand, in voltage driving, there is no shortage of writing even at a low gradation. However, in the voltage drive, since the characteristic variation of the driving transistor 11a formed on the display screen cannot be absorbed, the unevenness of laser annealing is displayed. Current drive does not have this problem. Therefore, as shown in FIG. 213, voltage driving is performed in the low gradation region, current driving is performed in the high gradation region, and voltage driving is performed in the intermediate gradation region, and then current driving is performed. The problems of both current driving and voltage driving can be solved.

図211は電圧駆動と電流駆動の両方が実施することができる画素構成である。ただし、説明を容易にするため、図1と同様に1画素のみを記載している。また、ドライバ回路12なども概念的に記載している。   FIG. 211 shows a pixel configuration in which both voltage driving and current driving can be performed. However, for ease of explanation, only one pixel is shown as in FIG. The driver circuit 12 and the like are also conceptually described.

図211でトランジスタ11eを削除すると電圧オフセットキャンセル駆動の画素構成となる。図211の画素構成は基本的には電圧オフセットキャンセル構成において、コンデンサ19bをショートするトランジスタ11eを形成または配置したものである。   When the transistor 11e is deleted in FIG. 211, a pixel configuration of voltage offset cancel driving is obtained. The pixel configuration of FIG. 211 is basically a voltage offset canceling configuration in which a transistor 11e that shorts the capacitor 19b is formed or arranged.

図212は、図211の画素構成を説明する説明図である。図212(a)は電流駆動方式でのプログラム時の画素状態である。図212(b)は電圧駆動方式でのプログラム時の状態である。   FIG. 212 is an explanatory diagram illustrating the pixel configuration of FIG. FIG. 212A shows a pixel state at the time of programming in the current driving method. FIG. 212 (b) shows a state at the time of programming in the voltage drive system.

まず、図212(a)の電流プログラム状態について説明をする。図212(a)ではトランジスタ11eがオン状態にされる。そのため、コンデンサ19bの両端がショートされる。また、ゲートドライバ回路12dと12aは同一の動作が実施される(図212(a)では、ゲートドライバ回路12a+12dとして示している)。つまり、各画素行を選択される時は、ゲートドライバ回路12a+12dからオン電圧はゲート信号線17bと17aに印加される。したがって、トランジスタ11e、11c、11bが同時にオン状態になる。つまり、図212(a)は図1の画素構成と同一である。そのため、ソースドライバ回路14から出力されたプログラム電流Iwが駆動用トランジスタ11aに書き込まれる。以降の動作(ゲート信号線17bの選択状態、動作)は、図1と同様であるので説明を省略する。なお、図212(a)において、本発明で説明する図1に対応した駆動方式はいずれも適用できることは言うまでもない。   First, the current program state of FIG. 212 (a) will be described. In FIG. 212 (a), the transistor 11e is turned on. Therefore, both ends of the capacitor 19b are short-circuited. Further, the gate driver circuits 12d and 12a perform the same operation (in FIG. 212 (a), they are shown as gate driver circuits 12a + 12d). That is, when each pixel row is selected, the ON voltage is applied from the gate driver circuits 12a + 12d to the gate signal lines 17b and 17a. Accordingly, the transistors 11e, 11c, and 11b are simultaneously turned on. That is, FIG. 212A is the same as the pixel configuration of FIG. Therefore, the program current Iw output from the source driver circuit 14 is written in the driving transistor 11a. Subsequent operations (selection state and operation of the gate signal line 17b) are the same as those in FIG. In FIG. 212 (a), it goes without saying that any of the driving methods corresponding to FIG. 1 described in the present invention can be applied.

次に図212(b)はゲート信号線17aとゲート信号線17cは別個に動作する。なお、この画素構成は電圧オフセットキャンセラとして知られているので動作については説明を省略する。   Next, in FIG. 212 (b), the gate signal line 17a and the gate signal line 17c operate separately. Since this pixel configuration is known as a voltage offset canceller, description of the operation is omitted.

本発明は、図213に図示するように、低階調領域では図212(b)の画素回路構成で動作させ、高階調領域では図212(a)の画素回路構成で動作させる。高階調領域と低階調領域の中間階調の領域では、図212(b)の回路構成で1Hの最初に行い、その後、図212(a)の回路構成で実施することが好ましい。図212(a)と図212(b)の切り換え範囲は評価によって決定する必要がある。検討の結果によれば、全階調範囲のうち、最も低階調(階調0)から、全階調の1/10以上1/4の範囲以下のいずれかでは、図212(b)の電圧駆動のみを実施し、全階調の1/6以上1/3以下のいずれかの範囲から最高階調までは、図212(a)の電流プログラムを実施することが好ましい。   As shown in FIG. 213, the present invention operates with the pixel circuit configuration of FIG. 212 (b) in the low gradation region and operates with the pixel circuit configuration of FIG. 212 (a) in the high gradation region. In the intermediate gradation region between the high gradation region and the low gradation region, it is preferable to perform the first 1H in the circuit configuration of FIG. 212 (b) and then perform the circuit configuration of FIG. 212 (a). The switching range of FIG. 212 (a) and FIG. 212 (b) needs to be determined by evaluation. According to the result of the examination, in any one of the gradation range, the lowest gradation (gradation 0) to 1/10 or more and ¼ of the whole gradation is not shown in FIG. 212 (b). It is preferable that only voltage driving is performed, and the current program shown in FIG. 212 (a) is performed from any range from 1/6 to 1/3 of all gradations to the highest gradation.

なお、この電流駆動のみあるいは電圧駆動のみを実施する階調範囲以外では図212(b)の電圧プログラムを実施した後、図212(a)の電流プログラムを実施する。高階調の領域においても図212(b)の電圧プログラムを実施した後、図212(a)の電流プログラムを実施してもよい。なお、低階調領域においても、図212(b)の電圧プログラムを実施した後、図212(a)の電流プログラムを実施してもよい。低階調領域では電圧プログラム状態が支配的であり、電圧プログラムの後に電流プログラムを実施しても電流プログラムの状態は画素16へのプログラム状態に影響を与えないからである。   It should be noted that the current program shown in FIG. 212A is executed after the voltage program shown in FIG. 212B is executed outside the gradation range where only the current drive or voltage drive is executed. Even in the high gradation region, the current program shown in FIG. 212A may be executed after the voltage program shown in FIG. 212B is executed. In the low gradation region, the current program shown in FIG. 212A may be executed after the voltage program shown in FIG. 212B is executed. This is because the voltage program state is dominant in the low gradation region, and even if the current program is executed after the voltage program, the current program state does not affect the program state of the pixel 16.

以上のように本発明は、低階調領域では、まず、1Hの最初には電圧プログラムの画素構成を実現して少なくとも電圧プログラムを実施し、高階調領域では、1Hの最後には電流プログラムの画素構成を実施して少なくとも電流プログラムを実施するものである。なお、電流プログラムと電圧プログラムの組合せによる画素16へのプログラムは、図127から図143で説明しているので説明を省略する。図211および図212と、図127から図143の駆動方式とを組み合わせてもよいことはいうまでもない。   As described above, according to the present invention, in the low gradation region, first, at least the voltage program is implemented by realizing the pixel configuration of the voltage program at the beginning of 1H, and at the end of 1H in the high gradation region. A pixel configuration is implemented and at least a current program is implemented. Note that the program for the pixel 16 by a combination of the current program and the voltage program has been described with reference to FIGS. Needless to say, FIGS. 211 and 212 may be combined with the drive systems shown in FIGS. 127 to 143.

図1などは、電流プログラムの画素構成であるとして説明した。しかし、図1のほか図6、図7、図8、図9、図10、図31などの画素構成においても以下の方法は適用できることは言うまでもない。以上の事項は本発明の他の実施例でも同様に適用できることは言うまでもない。   1 and the like have been described as having a pixel configuration for current programming. However, it goes without saying that the following method can also be applied to the pixel configurations of FIG. 6, FIG. 7, FIG. 8, FIG. 9, FIG. Needless to say, the above items can be similarly applied to other embodiments of the present invention.

図214は電流駆動の画素構成で電圧プログラムを行う実施例である。図214(a)は電圧プログラムを実施している状態であり、図214(b)はEL素子15にプログラム電流Iwを流して発光している状態である。   FIG. 214 shows an example in which voltage programming is performed with a current-driven pixel configuration. FIG. 214A shows a state in which voltage programming is being performed, and FIG. 214B shows a state in which light emission is caused by flowing a program current Iw through the EL element 15.

図214(a)では、ゲート信号線17aにオン電圧を印加し、トランジスタ11bとトランジスタ11cとをオン状態にする。この状態でソース信号線18にプログラム電圧Vを印加し、この電圧Vを画素16のコンデンサ19に保持させる。この時、ゲート信号線17bにはオフ電圧を印加してトランジスタ17dをオフ(オープン)状態にする。   In FIG. 214A, an on-voltage is applied to the gate signal line 17a to turn on the transistor 11b and the transistor 11c. In this state, a program voltage V is applied to the source signal line 18 and this voltage V is held in the capacitor 19 of the pixel 16. At this time, a turn-off voltage is applied to the gate signal line 17b to turn off the transistor 17d.

図214(b)はEL素子15を発光させている時のトランジスタの状態を示している。ゲート信号線17aにはオフ電圧を印加し、トランジスタ11b、トランジスタ11cはオープン状態にする。ゲート信号線17bにはオン電圧を印加し、トランジスタ11dは短絡(オン状態)にする。   FIG. 214B shows the state of the transistor when the EL element 15 is caused to emit light. An off voltage is applied to the gate signal line 17a, and the transistors 11b and 11c are opened. An ON voltage is applied to the gate signal line 17b, and the transistor 11d is short-circuited (ON state).

以上のように駆動することにより電圧プログラムを実施できる。つまり、低階調領域ではソース信号線に少なくも1Hの最初にはプログラム電圧Vを印加し、高階調領域では、少なくとも1Hの最後にはプログラム電流Iwを印加する。   A voltage program can be implemented by driving as described above. That is, in the low gradation region, the program voltage V is applied to the source signal line at the beginning of at least 1H, and in the high gradation region, the program current Iw is applied at least at the end of 1H.

なお、電圧駆動と電流駆動の切り換えタイミングは図212、図127から図143などで説明しているので説明を省略する。以上の事項は本発明の他の実施例でも同様である。   Note that switching timing between voltage driving and current driving has been described with reference to FIGS. 212, 127 to 143, and the like, and thus description thereof will be omitted. The above matters are the same in other embodiments of the present invention.

図215は図211の変形例である。また、図1と図2との組合せとも考えることができる。図1にトランジスタ11eが追加された画素構成であるからである。トランジスタ11eを制御するゲート信号線17cが追加され、このゲート信号線17cに順次オンオフ電圧を走査状態で印加するゲートドライバ回路12cを具備する。   FIG. 215 is a modification of FIG. It can also be considered as a combination of FIG. 1 and FIG. This is because the pixel configuration is obtained by adding the transistor 11e to FIG. A gate signal line 17c for controlling the transistor 11e is added, and a gate driver circuit 12c for sequentially applying an ON / OFF voltage to the gate signal line 17c in a scanning state is provided.

図216(a)(b)は図215の動作の説明図である。図216(a)は電流プログラムの駆動状態である。図216(b)は電圧プログラムの駆動状態である。   216 (a) and 216 (b) are explanatory diagrams of the operation of FIG. FIG. 216 (a) shows the driving state of the current program. FIG. 216 (b) shows the driving state of the voltage program.

図216(a)では、ゲート信号線17cにオフ電圧が印加され、トランジスタ11eがオフ(オープン状態)になる。この状態は、図1の画素構成と同一である。したがって、ゲート信号線17cに絶えずオフ電圧を印加した状態で駆動することにより、図1で説明した駆動方法などを実現できることになり、電流プログラムを実施できる。   In FIG. 216 (a), a turn-off voltage is applied to the gate signal line 17c, and the transistor 11e is turned off (open state). This state is the same as the pixel configuration in FIG. Therefore, the driving method described with reference to FIG. 1 can be realized by driving the gate signal line 17c with the off-voltage constantly applied, and the current program can be implemented.

図216(b)では、ゲート信号線17には常時オフ電圧が印加される。したがって、ゲート信号線17aに接続されたトランジスタ11bとトランジスタ11cは常時オフ(オープン状態)にされる。この状態で、ゲート信号線17cにはゲートドライバ回路12cにより順次走査状態でオン電圧が印加されていく。選択された画素行のトランジスタ11eがオン状態となり、ソース信号線18に印加されたプログラム電圧Vがコンデンサ19に印加される。なお、図216(b)での駆動方式では、電圧プログラム時にトランジスタ11dは必ずしもオフ(オープン)状態にすることはなく、図216(b)に図示するようにオン状態でもオフ状態のいずれでもよい。ただし、EL素子15に電流を流す時はトランジスタ11dをオン状態にする必要があることは言うまでもない。他の動作などに関しては先の実施例と動作と同様であるので説明を省略する。   In FIG. 216 (b), the off voltage is always applied to the gate signal line 17. Therefore, the transistors 11b and 11c connected to the gate signal line 17a are always turned off (open state). In this state, an ON voltage is sequentially applied to the gate signal line 17c in the scanning state by the gate driver circuit 12c. The transistor 11e in the selected pixel row is turned on, and the program voltage V applied to the source signal line 18 is applied to the capacitor 19. In the driving method shown in FIG. 216 (b), the transistor 11d is not necessarily turned off (open) during voltage programming, and may be either on or off as shown in FIG. 216 (b). . However, it goes without saying that the transistor 11d needs to be turned on when a current is passed through the EL element 15. Other operations and the like are the same as those in the previous embodiment, and the description thereof is omitted.

図217は図212もしくは図215の変形例である。図217は駆動用トランジスタ11aとトランジスタ11d間にトランジスタ11eが形成または配置されている。トランジスタ11eはゲートドライバ回路12cに接続されたゲート信号線17cによってオンオフ制御される。   FIG. 217 is a modification of FIG. 212 or 215. In FIG. 217, the transistor 11e is formed or arranged between the driving transistor 11a and the transistor 11d. The transistor 11e is on / off controlled by a gate signal line 17c connected to the gate driver circuit 12c.

図218は図217の動作の説明図である。図218(a)は電流プログラムの状態を示しており、図218(b)は電圧プログラムの状態を示している。   FIG. 218 is an explanatory diagram of the operation of FIG. FIG. 218 (a) shows the state of the current program, and FIG. 218 (b) shows the state of the voltage program.

図218(a)では、ゲート信号線17cには常時オン電圧が印加され(図212と同様に、画素行が選択される時にトランジスタ11eをオン状態にしてもよいことは言うまでもない。このことは図215についても同様である。)、選択された画素行のゲート信号線17aにはオン電圧が印加される。そのため、トランジスタ11b、トランジスタ11cがオンとなる。この状態でソース信号線18にプログラム電流Iwが印加され、このプログラム電流Iwが選択された画素16のコンデンサ19に書き込まれる。   In FIG. 218 (a), an on-voltage is always applied to the gate signal line 17c (similar to FIG. 212, it goes without saying that the transistor 11e may be turned on when a pixel row is selected. The same applies to FIG. 215.) On-voltage is applied to the gate signal line 17a of the selected pixel row. Therefore, the transistor 11b and the transistor 11c are turned on. In this state, a program current Iw is applied to the source signal line 18, and this program current Iw is written into the capacitor 19 of the selected pixel 16.

図218(b)は電圧プログラム時の画素書き込み状態を図示している。基本的には図2の電圧プログラム状態となる。ゲート信号線17cにはオフ電圧が印加されトランジスタ11eがオフ(オープン状態)となる。また、図28(a)と同様にゲート信号線17bにはオフ電圧が印加され、トランジスタ11dがオフ状態となる。この状態でソース信号線18に印加されたプログラム電圧Vが選択された画素16のコンデンサ19に書き込まれる。他の動作などに関しては先の実施例と動作と同様であるので説明を省略する。   FIG. 218 (b) illustrates a pixel writing state during voltage programming. Basically, the voltage program state of FIG. A turn-off voltage is applied to the gate signal line 17c, and the transistor 11e is turned off (open state). Similarly to FIG. 28A, a turn-off voltage is applied to the gate signal line 17b, and the transistor 11d is turned off. In this state, the program voltage V applied to the source signal line 18 is written to the capacitor 19 of the selected pixel 16. Other operations and the like are the same as those in the previous embodiment, and the description thereof is omitted.

図2の画素構成において特に問題となる事項に電源(パネルに供給するカソード電圧、アノード電圧)をオンオフする際に、過渡電流がEL素子15に流れるということがある。つまり、トランジスタ11bのオンオフ状態が確定せす、また、コンデンサ19の電位状態が不定の状態で電源がオンされるからである。この課題は電源オフ時でも発生する。   In the pixel configuration of FIG. 2, a particularly problematic item is that a transient current flows to the EL element 15 when a power source (a cathode voltage or an anode voltage supplied to the panel) is turned on / off. That is, the on / off state of the transistor 11b is determined, and the power supply is turned on while the potential state of the capacitor 19 is indefinite. This problem occurs even when the power is turned off.

この課題に対しては、図219に図示するように、アノードとトランジスタ11a間にスイッチ用トランジスタ219aと配置または形成し、駆動用トランジスタ11aからEL素子15あるいはカソード間にトランジスタ219bを形成または配置することにより解決することができる。   To deal with this problem, as shown in FIG. 219, a switching transistor 219a is disposed or formed between the anode and the transistor 11a, and a transistor 219b is formed or disposed between the driving transistor 11a and the EL element 15 or the cathode. Can be solved.

電源オフする際は、図220に図示するように電源をオフする前に、コントローラによりトランジスタ2191をオフにする。トランジスタ2191のオフは図220(a)に図示するように、と2191aまたは図2191bのいずれか一方をオフにしてもよいし、図220(b)に図示するようにトランジスタ2191aとトランジスタ2191bの両方をオフにした後、電源回路をオフ状態にしてもよい。   When the power is turned off, the transistor 2191 is turned off by the controller before the power is turned off as shown in FIG. As shown in FIG. 220 (a), the transistor 2191 may be turned off by either turning off either 2191a or 2191b, or both the transistor 2191a and the transistor 2191b as shown in FIG. 220 (b). After turning off, the power supply circuit may be turned off.

電源オンする際は、コントローラによりトランジスタ2191をオフにする。その後、電源回路をオンしてから、トランジスタ2191をオン状態にすることが好ましい。   When the power is turned on, the transistor 2191 is turned off by the controller. After that, the transistor 2191 is preferably turned on after the power supply circuit is turned on.

以上の、図219、図220で説明した事項は、本発明の他の画素構成にも適用できることはいうまでもない。図219のトランジスタ219aとトランジスタ219bのいずれか一方を配置または形成すれば効果が得られることは言うまでもない。   Needless to say, the items described above with reference to FIGS. 219 and 220 can be applied to other pixel configurations of the present invention. Needless to say, the effect can be obtained by disposing or forming either the transistor 219a or the transistor 219b in FIG.

また、図219は各画素16にスイッチ用のトランジスタ2191を形成または配置するとしたがこれに限定するものではなく、アノード端子に1個のスイッチ2191aを配置し、カソード端子に1個のスイッチ2191bを配置してもよい。また、図219において2191はトランジスタであるとしたがこれに限定するものではなく、サイリスタのような他の素子、ホトダイオード、リレー素子などでもよいことは言うまでもない。   In FIG. 219, the switching transistor 2191 is formed or arranged in each pixel 16. However, the present invention is not limited to this. One switch 2191a is arranged at the anode terminal, and one switch 2191b is arranged at the cathode terminal. You may arrange. In FIG. 219, 2191 is a transistor. However, the present invention is not limited to this, and it goes without saying that another element such as a thyristor, a photodiode, a relay element, or the like may be used.

以上の実施例は、表示領域に形成あるいは配置された画素16は電流駆動方式の画素または電圧駆動方式の画素構成か、もしくは、電圧駆動と電流駆動とを切り換えることができるものであった。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図221にように構成してもよい。   In the above embodiment, the pixels 16 formed or arranged in the display area have a current driving type pixel or a voltage driving type pixel configuration, or can be switched between voltage driving and current driving. However, the present invention is not limited to this. For example, it may be configured as shown in FIG.

図221は1本のソース信号線18に電流駆動の画素(図1など)16bと電圧駆動の画素(図2など)16aが接続された構成である。電流駆動の画素16bはソース信号線18の一端に配置または形成され、また、形成位置はソースドライバ回路(IC)14から遠い位置に配置または形成される。また、電流駆動の画素16bの駆動用トランジスタ11aのWLと電圧駆動の画素16aの駆動用トランジスタ11aのWLとは一致させる。   FIG. 221 shows a configuration in which a current-driven pixel (such as FIG. 1) 16 b and a voltage-driven pixel (such as FIG. 2) 16 a are connected to one source signal line 18. The current-driven pixel 16 b is disposed or formed at one end of the source signal line 18, and the formation position is disposed or formed at a position far from the source driver circuit (IC) 14. The WL of the driving transistor 11a of the current-driven pixel 16b and the WL of the driving transistor 11a of the voltage-driven pixel 16a are matched.

電流駆動の画素16bは、プログラム電流(電圧)の大きさななど場合に応じてオン状態にされ、ソース信号線18に電流を供給し、ソース信号線18の充放電を実施して、画素16へのプログラム書き込みを実施する。   The current-driven pixel 16b is turned on according to the case of the magnitude of the program current (voltage), supplies current to the source signal line 18, and performs charge / discharge of the source signal line 18, thereby the pixel 16 Write program to.

なお、図222は図221の電圧画素16aと電流画素16bの関係を入れ替えた構成である。以上のように本発明は、表示領域に電圧画素16aと電流画素16bの両方を形成または配置するものである。   222 shows a configuration in which the relationship between the voltage pixel 16a and the current pixel 16b in FIG. 221 is switched. As described above, the present invention forms or arranges both the voltage pixel 16a and the current pixel 16b in the display area.

本発明の画素構成によれば、トランジスタ11d(図1の場合)などのスイッチング手段を制御することにより、RGB画像を順次表示することができる(図22の構成も参照のこと)。図37(a)は1フレーム(1フィールド)期間にR表示領域193R、G表示領域193G、B表示領域193Bを画面の上から下方向(下方向から上方向でもよい)に走査する。RGBの表示領域以外の領域は非表示領域52とする。つまり、間欠駆動を実施する。R、G、Bの表示領域193は個別に間欠表示が実施される。   According to the pixel configuration of the present invention, RGB images can be sequentially displayed by controlling switching means such as the transistor 11d (in the case of FIG. 1) (see also the configuration of FIG. 22). In FIG. 37A, the R display area 193R, the G display area 193G, and the B display area 193B are scanned from the top to the bottom (or from the bottom to the top) in one frame (one field) period. An area other than the RGB display area is a non-display area 52. That is, intermittent driving is performed. R, G, and B display areas 193 are intermittently displayed individually.

図37(b)は1フィールド(1フレーム)期間にR、G、B表示領域193を複数発生するように実施した実施例である。この駆動方法は、図23の駆動方法と類似である。したがって、説明を必要としないであろう。図37(b)に表示領域193を複数に分割することにより、フリッカの発生はより低フレームレートでもなくなる。   FIG. 37B shows an example in which a plurality of R, G, and B display areas 193 are generated in one field (one frame) period. This driving method is similar to the driving method of FIG. Therefore, no explanation will be required. By dividing the display area 193 into a plurality of parts in FIG. 37B, the occurrence of flicker is eliminated even at a lower frame rate.

図38(a)は、RGBの表示領域193で表示領域193の面積を異ならせたものである。なお、表示領域193の面積は点灯期間に比例することは言うまでもない。図38(a)では、R表示領域193RとG表示領域193Gと面積を同一にしている。G表示領域193GよりB表示領域193Bの面積を大きくしている。   FIG. 38A shows the display area 193 with different areas in the RGB display area 193. Needless to say, the area of the display region 193 is proportional to the lighting period. In FIG. 38A, the R display area 193R and the G display area 193G have the same area. The area of the B display area 193B is larger than that of the G display area 193G.

有機EL表示パネルでは、Bの発光効率が悪い場合が多い。図38(a)のようにB表示領域193Bを他の色の表示領域193よりも大きくすることにより、効率よくホワイトバランスをとることができるようになる。また、R、G、B表示領域193の面積を変化させることにより、ホワイトバランス調整、色温度調整を容易に実現できる。   In organic EL display panels, the light emission efficiency of B is often poor. As shown in FIG. 38A, by making the B display area 193B larger than the display areas 193 of other colors, white balance can be efficiently achieved. Further, by changing the area of the R, G, B display region 193, white balance adjustment and color temperature adjustment can be easily realized.

図38(b)は、1フィールド(フレーム)期間で、B表示期間193Bが複数(193B1、193B2)となるようにした実施例である。図38(a)は1つのB表示領域193Bを変化させる方法であった。変化させることによりホワイトバランスを良好に調整できるようにする。図38(b)は、同一面積のB表示領域193Bを複数表示させることにより、ホワイトバランス調整(補正)を良好にする。また、色温度補正(調整)を良好にする。たとえば、屋外と屋内で色温度を変化させることは有効である。たとえば、屋内では、色温度を低下させ、屋外では色温度を高くする。   FIG. 38B shows an example in which the B display period 193B is plural (193B1, 193B2) in one field (frame) period. FIG. 38A shows a method of changing one B display area 193B. By changing it, the white balance can be adjusted well. In FIG. 38B, white balance adjustment (correction) is improved by displaying a plurality of B display regions 193B having the same area. In addition, color temperature correction (adjustment) is improved. For example, it is effective to change the color temperature outdoors and indoors. For example, the color temperature is decreased indoors and the color temperature is increased outdoors.

本発明の駆動方式は図37、図38のいずれに限定するものではない。R、G、Bの表示領域193を発生し、また、間欠表示する。結果として動画ボケを対策し、画素16への書き込み不足を改善する。なお、図23の駆動方法では、R、G、Bが独立の表示領域193は発生しない。RGBが同時に表示される(W表示領域193が表示されると表現すべきである)。なお、図38(a)と図38(b)とは組み合わせてもよいことはいうまでもない。たとえば、図38(a)のRGBの表示面積193を変化し、かつ図38(b)のRGBの表示領域193を複数発生させる駆動方法の実施である。   The drive system of the present invention is not limited to either FIG. 37 or FIG. R, G, and B display areas 193 are generated and intermittently displayed. As a result, the moving image blur is dealt with, and insufficient writing to the pixel 16 is improved. In the driving method shown in FIG. 23, the display area 193 independent of R, G, and B is not generated. RGB is displayed simultaneously (should be expressed when the W display area 193 is displayed). Needless to say, FIG. 38 (a) and FIG. 38 (b) may be combined. For example, a drive method is implemented in which the RGB display area 193 in FIG. 38A is changed and a plurality of RGB display areas 193 in FIG. 38B are generated.

なお、図37から図38の駆動方式は、図22のように、RGBごとにEL素子15(EL素子15R、EL素子15G、EL素子15B)に流れる電流を制御できる構成あれば、図37、図38の駆動方式を容易に実施できることは言うでもないであろう。   37 to 38, as long as the current flowing in the EL element 15 (EL element 15R, EL element 15G, EL element 15B) can be controlled for each RGB as shown in FIG. Needless to say, the driving method of FIG. 38 can be easily implemented.

図22の表示パネルの構成において、ゲート信号線17bRにオンオフ電圧を印加することにより、R画素16Rをオンオフ制御することができる。ゲート信号線17bGにオンオフ電圧を印加することにより、G画素16Gをオンオフ制御することができる。ゲート信号線17bBにオンオフ電圧を印加することにより、B画素16Bをオンオフ制御することができる。   In the configuration of the display panel of FIG. 22, the R pixel 16R can be controlled to be turned on / off by applying an on / off voltage to the gate signal line 17bR. By applying an on / off voltage to the gate signal line 17bG, the G pixel 16G can be on / off controlled. By applying an on / off voltage to the gate signal line 17bB, the B pixel 16B can be on / off controlled.

また、以上の駆動を実現するためには、図39に図示するように、ゲート信号線17bRを制御するゲートドライバ回路12bR、ゲート信号線17bGを制御するゲートドライバ回路12bG、ゲート信号線17bBを制御するゲートドライバ回路12bBを形成または配置すればよい。   In order to realize the above driving, as shown in FIG. 39, the gate driver circuit 12bR for controlling the gate signal line 17bR, the gate driver circuit 12bG for controlling the gate signal line 17bG, and the gate signal line 17bB are controlled. The gate driver circuit 12bB to be formed may be formed or arranged.

図39のゲートドライバ回路12bR、12bG、12bBを、図19、図20などで説明した方法で駆動することにより、図37、図38の駆動方法を実現できる。もちろん、図39の表示パネルの構成で、図23の駆動方法なども実現できることは言うまでもない。   The gate driver circuits 12bR, 12bG, and 12bB in FIG. 39 are driven by the method described in FIG. 19, FIG. 20, and the like, thereby realizing the driving method in FIGS. Of course, it is needless to say that the driving method shown in FIG. 23 can be realized with the configuration of the display panel shown in FIG.

図20、図24、図26、図27などでは、ゲート信号線17b(EL側選択信号線)は1水平走査期間(1H)を単位として、オン電圧(Vgl)、オフ電圧(Vgh)を印加するとして説明をした。しかし、EL素子15の発光量は、流す電流が定電流の時、流す時間に比例する。したがって、流す時間は1H単位に限定する必要はない。なお、以下の事項はゲート信号線17a(17a1、17a2)にも適用される。   In FIG. 20, FIG. 24, FIG. 26, FIG. 27, etc., the gate signal line 17b (EL-side selection signal line) applies an on voltage (Vgl) and an off voltage (Vgh) in units of one horizontal scanning period (1H). I explained as you do. However, the light emission amount of the EL element 15 is proportional to the flow time when the flow current is a constant current. Therefore, it is not necessary to limit the flowing time to 1H unit. The following matters also apply to the gate signal lines 17a (17a1, 17a2).

まず、アウトプットイネーブル(OEV)の概念を導入するため、以下のように規定する。OEV制御を行うことにより、1水平走査期間(1H)以内のゲート信号線17a、17bにオンオフ電圧(Vgl電圧、Vgh電圧)を画素16に印加できるようになる。
説明を容易にするため、本発明の表示パネルでは、電流プログラムを行う画素行を選択するゲート信号線17a(図1の場合)であるとして説明をする。また、ゲート信号線17aを制御するゲートドライバ回路12aの出力をWR側選択信号線と呼ぶ。EL素子15を選択するゲート信号線17b(図1の場合)であるとして説明をする。また、ゲート信号線17bを制御するゲートドライバ回路12bの出力をEL側選択信号線と呼ぶ。
First, in order to introduce the concept of output enable (OEV), it is defined as follows. By performing the OEV control, an on / off voltage (Vgl voltage, Vgh voltage) can be applied to the pixel 16 to the gate signal lines 17a and 17b within one horizontal scanning period (1H).
For ease of explanation, the display panel of the present invention will be described on the assumption that it is the gate signal line 17a (in the case of FIG. 1) for selecting a pixel row for current programming. The output of the gate driver circuit 12a that controls the gate signal line 17a is called a WR-side selection signal line. The description will be made assuming that the gate signal line 17b (in the case of FIG. 1) for selecting the EL element 15 is used. The output of the gate driver circuit 12b that controls the gate signal line 17b is called an EL-side selection signal line.

ゲートドライバ回路12は、スタートパルスが入力され、入力されたスタートパルスが保持データとして順次シフトレジスタ内をシフトする。ゲートドライバ回路12aのシフトレジスタ内の保持データにより、WR側選択信号線に出力される電圧がオン電圧(Vgl)かオフ電圧(Vgh)かが決定される。さらに、ゲートドライバ回路12aの出力段には、強制的に出力をオフにするOEV1回路(図示せず)が形成または配置されている。OEV1回路がLレベルの時には、ゲートドライバ回路12aの出力であるWR側選択信号をそのままゲート信号線17aに出力する。   The gate driver circuit 12 receives a start pulse, and the input start pulse sequentially shifts in the shift register as retained data. Data held in the shift register of the gate driver circuit 12a determines whether the voltage output to the WR side selection signal line is the on voltage (Vgl) or the off voltage (Vgh). Further, an OEV1 circuit (not shown) that forcibly turns off the output is formed or arranged at the output stage of the gate driver circuit 12a. When the OEV1 circuit is at the L level, the WR side selection signal that is the output of the gate driver circuit 12a is output to the gate signal line 17a as it is.

以上の関係をロジック的に図示すれば、OR回路の関係となる(図40(b)を参照のこと)。なお、オン電圧をロジックレベルのL(0)とし、オフ電圧をロジック電圧のH(1)としている。ゲートドライバ回路12aがオフ電圧を出力している場合は、ゲート信号線17aにオフ電圧が印加される。ゲートドライバ回路12aがオン電圧(ロジックではLレベル)を出力している場合は、OR回路でOEV1回路の出力とORが取られてゲート信号線17aに出力される。OEV1回路は、Hレベルの時、ゲートドライバ信号線17aに出力する電圧をオフ電圧(Vgh)にする(図40(a)のタイミングチャートの例を参照のこと)。   If the above relationship is illustrated logically, it becomes an OR circuit relationship (see FIG. 40B). The on-voltage is a logic level L (0), and the off-voltage is a logic voltage H (1). When the gate driver circuit 12a outputs an off voltage, the off voltage is applied to the gate signal line 17a. When the gate driver circuit 12a outputs an on-voltage (logic L level), the OR circuit takes an OR with the output of the OEV1 circuit and outputs it to the gate signal line 17a. When the OEV1 circuit is at the H level, the voltage output to the gate driver signal line 17a is set to the off voltage (Vgh) (see the timing chart example in FIG. 40A).

ゲートドライバ回路12bのシフトレジスタ内の保持データにより、ゲート信号線17b(EL側選択信号線)に出力される電圧がオン電圧(Vgl)かオフ電圧(Vgh)かが決定される。さらに、ゲートドライバ回路12bの出力段には、強制的に出力をオフにするOEV2回路(図示せず)が形成または配置されている。OEV2回路がLレベルの時には、ゲートドライバ回路12bの出力をそのままゲート信号線17bに出力する。以上の関係をロジック的に図示すれば、図40(a)の関係となる。なお、オン電圧をロジックレベルのL(0)とし、オフ電圧をロジック電圧のH(1)としている。   Data held in the shift register of the gate driver circuit 12b determines whether the voltage output to the gate signal line 17b (EL-side selection signal line) is the on voltage (Vgl) or the off voltage (Vgh). Further, an OEV2 circuit (not shown) for forcibly turning off the output is formed or arranged at the output stage of the gate driver circuit 12b. When the OEV2 circuit is at L level, the output of the gate driver circuit 12b is output as it is to the gate signal line 17b. If the above relation is illustrated logically, the relation shown in FIG. The on-voltage is a logic level L (0), and the off-voltage is a logic voltage H (1).

ゲートドライバ回路12bがオフ電圧を出力している場合(EL側選択信号はオフ電圧)は、ゲート信号線17bにオフ電圧が印加される。ゲートドライバ回路12bがオン電圧(ロジックではLレベル)を出力している場合は、OR回路でOEV2回路の出力とORが取られてゲート信号線17bに出力される。つまり、OEV2回路は、入力信号がHレベルの時、ゲートドライバ信号線17bに出力する電圧をオフ電圧(Vgh)にする。したがって、OEV2回路のよりEL側選択信号がオン電圧出力状態であっても、強制的にゲート信号線17bに出力される信号はオフ電圧(Vgh)になる。なお、OEV2回路の入力がLであれば、EL側選択信号がスルーでゲート信号線17bに出力される(図40(a)のタイミングチャートの例を参照のこと)。   When the gate driver circuit 12b outputs the off voltage (the EL side selection signal is the off voltage), the off voltage is applied to the gate signal line 17b. When the gate driver circuit 12b outputs an ON voltage (logic L level), the OR circuit takes an OR with the output of the OEV2 circuit and outputs it to the gate signal line 17b. That is, the OEV2 circuit sets the voltage output to the gate driver signal line 17b to the off voltage (Vgh) when the input signal is at the H level. Therefore, even if the EL side selection signal of the OEV2 circuit is in the ON voltage output state, the signal forcibly output to the gate signal line 17b becomes the OFF voltage (Vgh). If the input of the OEV2 circuit is L, the EL side selection signal is output through to the gate signal line 17b (see the example of the timing chart in FIG. 40A).

ゲート信号線17b(EL側選択信号線)にオン電圧を印加する期間を調整することにより、表示画面144の輝度をリニアに調整することができる。これはOEV2回路を制御することにより容易に実現できる。たとえば、図41では、図41(a)よりも図41(b)の方が表示輝度は低くなる。また、図41(b)よりも図41(c)の方が表示輝度は低くなる。   The luminance of the display screen 144 can be linearly adjusted by adjusting the period during which the ON voltage is applied to the gate signal line 17b (EL-side selection signal line). This can be easily realized by controlling the OEV2 circuit. For example, in FIG. 41, the display brightness is lower in FIG. 41 (b) than in FIG. 41 (a). In addition, the display luminance is lower in FIG. 41C than in FIG.

また、図42に図示するように、1H期間にオン電圧を印加する期間とオフ電圧を印加する期間の組を複数回設けてもよい。図42(a)は6回設けた実施例である。図42(b)は3回設けた実施例である。図42(c)は1回設けた実施例である。図42では、図42(a)よりも図42(b)の方が表示輝度は低くなる。また、図42(b)よりも図42(c)の方が表示輝度は低くなる。したがって、オン期間の回数を制御することにより表示輝度を容易に調整(制御)できる。   Further, as illustrated in FIG. 42, a set of a period for applying the on-voltage and a period for applying the off-voltage may be provided a plurality of times in the 1H period. FIG. 42A shows an embodiment provided six times. FIG. 42B shows an embodiment provided three times. FIG.42 (c) is the Example provided once. In FIG. 42, the display brightness is lower in FIG. 42B than in FIG. Also, the display brightness is lower in FIG. 42C than in FIG. Therefore, the display luminance can be easily adjusted (controlled) by controlling the number of ON periods.

以後、本発明の電流駆動方式のソースドライバIC(回路)14について説明をする。本発明のソースドライバICは、以前に説明した本発明の駆動方法、駆動回路を実現するために用いる。また、本発明の駆動方法、駆動回路、表示装置と組み合わせて用いる。なお、説明は、ICチップとして説明をするがこれに限定するものではなく、高温彫りシリコン技術、低温ポリシリコン技術、CGS技術、アモルファスシリコン技術などを用いて、表示パネルの基板30上に作製してもよいことは言うまでもない。また、シリコンウエハなどに形成したソースドライバ回路14を基板30に転写してもよい。   Hereinafter, the current driver type source driver IC (circuit) 14 of the present invention will be described. The source driver IC of the present invention is used to realize the driving method and driving circuit of the present invention described above. Further, it is used in combination with the driving method, driving circuit, and display device of the present invention. Although the description will be made on an IC chip, the present invention is not limited to this, and it is fabricated on the substrate 30 of the display panel using a high-temperature engraved silicon technology, a low-temperature polysilicon technology, a CGS technology, an amorphous silicon technology, or the like. Needless to say. Further, the source driver circuit 14 formed on a silicon wafer or the like may be transferred to the substrate 30.

図43はソースドライバIC(回路)14の1出力段の構造図である。つまり、1つのソース信号線18に接続される出力部である。複数の同一サイズの単位トランジスタ154(1単位)で構成されており、その個数が画像データのビットに対応して、ビット重み付けされている。図43は一例として64階調表示の実施例である。1出力段に相当するトランジスタ群431cには、単位トランジスタ154は63個で構成されている。   FIG. 43 is a structural diagram of one output stage of the source driver IC (circuit) 14. That is, the output unit is connected to one source signal line 18. It is composed of a plurality of unit transistors 154 (one unit) of the same size, the number of which is bit-weighted corresponding to the bits of the image data. FIG. 43 shows an example of 64-gradation display as an example. The transistor group 431c corresponding to one output stage includes 63 unit transistors 154.

なお、本発明のソースドライバIC(回路)14を構成するトランジスタあるいはトランジスタ群は、MOSタイプに限定するものではなく、バイポーラタイプでもよい。また、シリコン半導体に限定するものではなく、ガリ砒素半導体でもよい。また、ゲルマニウム半導体でもよい。   The transistor or transistor group constituting the source driver IC (circuit) 14 of the present invention is not limited to the MOS type, but may be a bipolar type. Moreover, it is not limited to a silicon semiconductor, and a gallium arsenide semiconductor may be used. Further, a germanium semiconductor may be used.

図43は本発明の1実施例として、6ビットのデジタル入力の場合を図示している。つまり、2の6乗であるから、64階調表示である。このソースドライバIC14をアレイ基板に積載することにより、赤(R)、緑(G)、青(B)が各64階調であるから、64×64×64=約26万色を表示できることになる。   FIG. 43 shows a case of 6-bit digital input as one embodiment of the present invention. That is, since it is 2 6, it is a 64 gradation display. By mounting this source driver IC 14 on the array substrate, red (R), green (G), and blue (B) have 64 gradations, so that 64 × 64 × 64 = about 260,000 colors can be displayed. Become.

64階調の場合は、D0ビットの単位トランジスタ154は1個、D1ビットの単位トランジスタ154は2個、D2ビットの単位トランジスタ154は4個、D3ビットの単位トランジスタ154は8個、D4ビットの単位トランジスタ154は16個、D5ビットの単位トランジスタ154は32個であるから、計単位トランジスタ154は63個である。つまり、本発明は階調の表現数(この実施例の場合は、64階調)−1個の単位トランジスタ154を1出力と構成(形成)する。   In the case of 64 gradations, there are one D0 bit unit transistor 154, two D1 bit unit transistors 154, four D2 bit unit transistors 154, eight D3 bit unit transistors 154, and D4 bit units. Since there are 16 unit transistors 154 and 32 D5-bit unit transistors 154, the total number of unit transistors 154 is 63. That is, the present invention configures (forms) one unit transistor 154 with the number of gradations expressed (in this example, 64 gradations) minus one unit transistor 154.

なお、単位トランジスタ1個が複数のサブ単位トランジスタに分割されている場合であっても、単位トランジスタが単にサブ単位トランジスタに分割されているだけである。たとえば、1つの単位トランジスタ154が、4つのサブ単位トランジスタで構成される場合が例示される。したがって、本発明が、階調の表現数−1個の単位トランジスタで構成されていることには差異はない(同義である)。   Even when one unit transistor is divided into a plurality of sub-unit transistors, the unit transistor is simply divided into sub-unit transistors. For example, a case where one unit transistor 154 includes four sub-unit transistors is illustrated. Therefore, there is no difference (synonymous) in that the present invention is composed of unit transistors with the number of grayscale representations minus one.

また、図43において、D5ビット目の単位トランジスタ154の32個は、密集させて配置(形成)しているように図示しているが、本発明はこれに限定するこのではない。たとえば、8個の単位トランジスタ154の群(つまり、8個のトランジスタの集まりが4組)に分割し、分割されたトランジスタ群を分散させて配置(構成)してもよい。この方が、出力電流のバラツキが低減する。   In FIG. 43, 32 unit transistors 154 of the D5th bit are illustrated as being densely arranged (formed), but the present invention is not limited to this. For example, it may be divided into a group of eight unit transistors 154 (that is, a group of eight transistors is four sets), and the divided transistor groups may be dispersed (arranged). This reduces the variation in output current.

図43において、D0はLSB入力を示しており、D5はMSB入力を示している。D0入力端子にHレベル(正論理時)の時、スイッチ151a(オンオフ手段である。もちろん、単体トランジスタで構成してもよいし、PチャンネルトランジスタとNチャンネルトランジスタとを組み合わせたアナログスイッチなどでもよい)がオンする。すると、カレントミラーを構成する単位トランジスタ154に向かって電流が流れる。この電流はIC14内の内部配線153に流れる。この内部配線153はIC14の端子電極を介してソース信号線18に接続されているから、この内部配線153に流れる電流が画素16のプログラム電流となる。   In FIG. 43, D0 indicates an LSB input, and D5 indicates an MSB input. When the D0 input terminal is at the H level (positive logic), the switch 151a (on / off means. Of course, it may be constituted by a single transistor or an analog switch combining a P-channel transistor and an N-channel transistor). ) Turns on. Then, a current flows toward the unit transistor 154 constituting the current mirror. This current flows through the internal wiring 153 in the IC 14. Since the internal wiring 153 is connected to the source signal line 18 via the terminal electrode of the IC 14, the current flowing through the internal wiring 153 becomes the program current of the pixel 16.

たとえば、D1入力端子にHレベル(正論理時)の時、スイッチ151がオンする。すると、カレントミラーを構成する2つの単位トランジスタ154に向かって電流が流れる。この電流はIC14内の内部配線153に流れる。この内部配線153はIC14の端子電極を介してソース信号線18に接続されているから、この内部配線153に流れる電流が画素16のプログラム電流となる。   For example, when the D1 input terminal is at the H level (positive logic), the switch 151 is turned on. Then, a current flows toward the two unit transistors 154 constituting the current mirror. This current flows through the internal wiring 153 in the IC 14. Since the internal wiring 153 is connected to the source signal line 18 via the terminal electrode of the IC 14, the current flowing through the internal wiring 153 becomes the program current of the pixel 16.

他のスイッチ151でも同様である。D2入力端子にHレベル(正論理時)の時は、スイッチ151cがオンする。すると、カレントミラーを構成する4つの単位トランジスタ154に向かって電流が流れる。D5入力端子にHレベル(正論理時)の時は、スイッチ151fがオンする。すると、カレントミラーを構成する32つの単位トランジスタ154に向かって電流が流れる。   The same applies to the other switches 151. When the D2 input terminal is at the H level (positive logic), the switch 151c is turned on. Then, a current flows toward the four unit transistors 154 constituting the current mirror. When the D5 input terminal is at the H level (positive logic), the switch 151f is turned on. Then, a current flows toward the 32 unit transistors 154 constituting the current mirror.

以上のように、外部からのデータ(D0〜D5)に応じて、それに対応する単位トランジスタに向かって電流が流れる。したがって、データに応じて、0個から63個に単位トランジスタに電流が流れるように構成されている。   As described above, according to data (D0 to D5) from the outside, a current flows toward the corresponding unit transistor. Therefore, the current flows through the unit transistors from 0 to 63 according to the data.

なお、本発明は説明を容易にするため、電流源は6ビットの63個としているが、これに限定するものではない。8ビットの場合は、255個の単位トランジスタ154を形成(配置)すればよい。また、4ビットの時は、15個の単位トランジスタ154を形成(配置)すればよい。もちろん、8ビットの場合は、255×2個の単位トランジスタ154を形成(配置)してもよい。1つの単位トランジスタ154が2個で1単位電流を出力する。単位電流源を構成する単位トランジスタ154は同一のチャンネル幅W、チャンネル幅Lとする。このように同一のトランジスタで構成することにより、ばらつきの少ない出力段を構成することができる。   In the present invention, for ease of explanation, the number of current sources is 63, which is 6 bits. However, the present invention is not limited to this. In the case of 8 bits, 255 unit transistors 154 may be formed (arranged). In the case of 4 bits, 15 unit transistors 154 may be formed (arranged). Of course, in the case of 8 bits, 255 × 2 unit transistors 154 may be formed (arranged). Two unit transistors 154 output one unit current. The unit transistors 154 constituting the unit current source have the same channel width W and channel width L. By configuring with the same transistor in this way, an output stage with little variation can be configured.

また、単位トランジスタ154はすべてが、同一の電流を流すことに限定するものではない。たとえば、各単位トランジスタ154を重み付けしてもよい。たとえば、1単位の単位トランジスタ154と、2倍の単位トランジスタ154と、4倍の単位トランジスタ154などを混在させて電流出力回路を構成してもよい。   Further, all the unit transistors 154 are not limited to flowing the same current. For example, each unit transistor 154 may be weighted. For example, the current output circuit may be configured by mixing one unit unit transistor 154, two times unit transistor 154, four times unit transistor 154, and the like.

しかし、単位トランジスタ154を重み付けして構成すると、各重み付けした電流源が重み付けした割合にならず、バラツキが発生する可能性がある。したがって、重み付けする場合であっても、各電流源は、1単位の電流源となるトランジスタを複数個形成することにより構成することが好ましい。   However, if the unit transistors 154 are weighted, the weighted current sources do not have a weighted ratio and may vary. Therefore, even in the case of weighting, each current source is preferably configured by forming a plurality of transistors serving as one unit of current source.

6ビットの画像データD0、D1、D2、・・・、D5で制御されるスイッチを介してプログラム電流Iwはソース信号線に出力される(電流を引き込む)。したがって、6ビットの画像データD0、D1、D2、・・・、D5のON、OFFに応じて、出力線には、1倍、2倍、4倍、・・・、32倍の電流が加算されて出力される。すなわち、6ビットの画像データD0、D1、D2、・・・、D5により、出力線153よりプログラム電流が出力される(ソース信号線18から電流を引き込む。)。   The program current Iw is output to the source signal line through the switch controlled by the 6-bit image data D0, D1, D2,..., D5 (current is drawn). Therefore, according to ON / OFF of 6-bit image data D0, D1, D2,..., D5, the current is added to the output line by 1 time, 2 times, 4 times,. Is output. That is, a program current is output from the output line 153 by 6-bit image data D0, D1, D2,..., D5 (current is drawn from the source signal line 18).

EL表示パネルで、フルカラー表示を実現するためには、RGBのそれぞれに基準電流を形成(作成)する必要がある。RGBの基準電流の比率でホワイトバランスを調整できる。基準電流は、単位トランジスタ154が流す電流値を決定する。したがって、基準電流の大きさを決定すれば、単位トランジスタ154が流す電流を決定することができる。そのため、R、G、Bのそれぞれの基準電流を設定すれば、すべての階調におけるホワイトバランスが取れることになる。以上の事項は、ソースドライバ回路14が電流きざみ出力(電流駆動)であることから発揮される効果である。   In order to realize full color display on an EL display panel, it is necessary to form (create) a reference current for each of RGB. White balance can be adjusted by the ratio of RGB reference currents. The reference current determines a current value that the unit transistor 154 flows. Therefore, if the magnitude of the reference current is determined, the current flowing through the unit transistor 154 can be determined. For this reason, if R, G, and B reference currents are set, white balance can be obtained in all gradations. The above items are the effects that are exhibited because the source driver circuit 14 has a current step output (current drive).

トランジスタ群431c内の単位トランジスタ154のゲート端子(G)は共通のゲート配線153と接続されている。また、単位トランジスタ154のソース端子(S)は共通の内部配線150に接続され、内部配線150の一端に端子155が構成されている。単位トランジスタ154のドレイン端子(D)はグランド電位(GND)に接地されている。   The gate terminal (G) of the unit transistor 154 in the transistor group 431 c is connected to the common gate wiring 153. The source terminal (S) of the unit transistor 154 is connected to the common internal wiring 150, and a terminal 155 is configured at one end of the internal wiring 150. The drain terminal (D) of the unit transistor 154 is grounded to the ground potential (GND).

1つのトランジスタ群431cは1本のソース信号線18に対応して構成(形成)されている。また、図47に図示するように、単位トランジスタ154はトランジスタ158b1または158b2とカレントミラー回路を構成している。トランジスタ158bには基準電流Icが流れ、この基準電流Icのより単位トランジスタ154の出力電流が決定される。   One transistor group 431 c is configured (formed) corresponding to one source signal line 18. Further, as shown in FIG. 47, the unit transistor 154 forms a current mirror circuit with the transistor 158b1 or 158b2. A reference current Ic flows through the transistor 158b, and an output current of the unit transistor 154 is determined by the reference current Ic.

図47に図示するように、トランジスタ158bのゲート端子(G)と単位トランジスタのゲート端子(G)とは共通のゲート配線153で接続されている。そのため、トランジスタ158bと各トランジスタ群431cとはカレントミラー回路を構成している。
図47に図示するように、トランジスタ群431cの両側にトランジスタ158b1とトランジスタ158b2を配置することにより、ゲート配線153の電位勾配が小さくなる。したがって、左右のトランジスタ群(431c1、431cn)の出力電流の大きさが等しくなる(同一階調の時)。また、基準電流Ic1とIc2の大きさを調整することにより、ゲート配線153の電位勾配を変化させることができる。基準電流Ic1、Ic2の大きさを調整することにより、左右のトランジスタ群(431c1、431cn)の出力電流の大きさを調整できる。
As shown in FIG. 47, the gate terminal (G) of the transistor 158b and the gate terminal (G) of the unit transistor are connected by a common gate wiring 153. Therefore, the transistor 158b and each transistor group 431c form a current mirror circuit.
As illustrated in FIG. 47, the potential gradient of the gate wiring 153 is reduced by disposing the transistors 158b1 and 158b2 on both sides of the transistor group 431c. Therefore, the magnitudes of the output currents of the left and right transistor groups (431c1, 431cn) are equal (at the same gradation). Further, the potential gradient of the gate wiring 153 can be changed by adjusting the magnitudes of the reference currents Ic1 and Ic2. By adjusting the magnitudes of the reference currents Ic1 and Ic2, the magnitudes of the output currents of the left and right transistor groups (431c1 and 431cn) can be adjusted.

図47ではトランジスタ群431cとトランジスタ158bがカレントミラー回路を構成するとしたが、実際には、トランジスタ158bは複数のトランジスタから構成されている。つまり、複数のトランジスタ158bによるトランジスタ群431bと、トランジスタ群431cがカレントミラー回路を構成している。つまり、複数のトランジスタ158bのゲート端子と複数の単位トランジスタ154のゲート端子が共通のゲート配線153で結線されている。   In FIG. 47, the transistor group 431c and the transistor 158b constitute a current mirror circuit, but actually, the transistor 158b is composed of a plurality of transistors. That is, the transistor group 431b including the plurality of transistors 158b and the transistor group 431c constitute a current mirror circuit. That is, the gate terminals of the plurality of transistors 158 b and the gate terminals of the plurality of unit transistors 154 are connected by the common gate wiring 153.

図48はトランジスタ群431bのトランジスタ483bの配置構成である。1つのトランジスタ群431bには、トランジスタ群431cの単位トランジスタ154と同一数の63個のトランジスタ158bが形成されている。   FIG. 48 shows an arrangement configuration of the transistors 483b of the transistor group 431b. In one transistor group 431b, 63 transistors 158b having the same number as the unit transistors 154 of the transistor group 431c are formed.

もちろん、1つのトランジスタ群431b内のトランジスタ158bの個数は63個に限定するものではない。単位トランジスタ群431cの単位トランジスタ154数が階調数−1で構成される場合は、トランジスタ群431b内のトランジスタ158bの個数も階調数−1あるいはこれと同様もしくは類似個数が形成される。また、図48の構成に限定されるものではなく、図49のようにマトリックス状に形成または配置してもよい。   Of course, the number of transistors 158b in one transistor group 431b is not limited to 63. When the number of unit transistors 154 in the unit transistor group 431c is configured with the number of gradations −1, the number of transistors 158b in the transistor group 431b is the number of gradations −1 or the same or similar number. Further, the configuration is not limited to that shown in FIG. 48, and may be formed or arranged in a matrix as shown in FIG.

以上の構成を図44に模式図的にしめす。単位トランジスタ群431cが出力端子数分、並列に配置される。単位トランジスタ群431cの両脇にトランジスタ群431bが複数ブロック形成されている。トランジスタ群431bのトランジスタ158bのゲート端子と、単位トランジスタ群431cの単位トランジスタ154のゲート端子とはゲート配線153で接続される。   The above configuration is schematically shown in FIG. The unit transistor groups 431c are arranged in parallel by the number of output terminals. A plurality of transistor groups 431b are formed on both sides of the unit transistor group 431c. A gate wiring 153 connects the gate terminal of the transistor 158b of the transistor group 431b and the gate terminal of the unit transistor 154 of the unit transistor group 431c.

なお、以上の説明は、説明を容易にするため、単色のソースドライバIC14のように説明したが、本来は、図45のように構成される。つまり、トランジスタ群431bおよび単位トランジスタ群431cは赤(R)、緑(G)、青(B)のトランジスタ群が交互に配置される(図45において、添え字Rが付加されたトランジスタ群は赤(R)用を示しており、添え字Gが付加されたトランジスタ群は緑(G)用を示しており、添え字Bが付加されたトランジスタ群は青(B)用を示している)。以上のように、RGB用のトランジスタ群を交互に配置することによりRGB間の出力バラツキが低減する。この構成もソースドライバIC14内のレイアウトとして重要な要件である。   In the above description, for the sake of simplicity, the description has been made for the single-color source driver IC 14, but it is originally configured as shown in FIG. 45. That is, in the transistor group 431b and the unit transistor group 431c, red (R), green (G), and blue (B) transistor groups are alternately arranged (in FIG. 45, the transistor group to which the subscript R is added is red. (R) is shown, the transistor group to which the subscript G is added indicates green (G), and the transistor group to which the subscript B is added indicates blue (B)). As described above, output variations between RGB are reduced by alternately arranging RGB transistor groups. This configuration is also an important requirement for the layout in the source driver IC 14.

図47では、各トランジスタ群431c1と431cnの両側にトランジスタ158b(158b1、158b2)が形成または配置されている。本発明はこれに限定するものではない。図46に図示するようにトランジスタ158bは片側であってもよい。   In FIG. 47, transistors 158b (158b1, 158b2) are formed or arranged on both sides of each of the transistor groups 431c1 and 431cn. The present invention is not limited to this. As illustrated in FIG. 46, the transistor 158b may be on one side.

基準電流Icは図50に図示するように、電子ボリウム501とオペアンプ502などで発生させることが好ましい。電子ボリウム501とオペアンプ502などはソースドライバIC14に内蔵させる。電子ボリウム501の内部にはラダー抵抗Rが構成(形成)されており、ラダー抵抗Rは基準電圧Vs(もしくはIC電源電圧)を分割している。ラダー抵抗で分圧された電圧は、スイッチSで選択され、オペアンプ502の正極性端子に印加される。印加された電圧とソースドライバIC14の外付け抵抗R1により、基準電流Icが発生する。抵抗R1を外付けすることによりR1の値により、容易に基準電流の値を調整でき、また、RGB回路の外付け抵抗を調整することにより容易にホワイトバランスを取ることができる。   The reference current Ic is preferably generated by an electronic volume 501 and an operational amplifier 502 as shown in FIG. The electronic volume 501 and the operational amplifier 502 are built in the source driver IC 14. A ladder resistor R is configured (formed) inside the electronic volume 501, and the ladder resistor R divides the reference voltage Vs (or IC power supply voltage). The voltage divided by the ladder resistor is selected by the switch S and applied to the positive terminal of the operational amplifier 502. The reference current Ic is generated by the applied voltage and the external resistor R1 of the source driver IC14. By externally attaching the resistor R1, the value of the reference current can be easily adjusted by the value of R1, and white balance can be easily achieved by adjusting the external resistor of the RGB circuit.

図50の構成では電子ボリウム501aと電子ボリウム501bを独立に動作させることができる。したがって、トランジスタ158a1とトランジスタ158a2とが流す電流の値を変更することができる。したがって、チップの左右のトランジスタ158b(158b1、158b2)に流す電流を調整でき、ゲート配線153の電位傾きを調整可能である。   50, the electronic volume 501a and the electronic volume 501b can be operated independently. Therefore, the value of the current flowing through the transistor 158a1 and the transistor 158a2 can be changed. Therefore, the current flowing through the left and right transistors 158b (158b1, 158b2) of the chip can be adjusted, and the potential gradient of the gate wiring 153 can be adjusted.

単位トランジスタ154を構成するトランジスタの大きさは一定以上の大きさが必要である。トランジスタサイズが小さいほど出力電流のバラツキが大きくなる。単位トランジスタ154の大きさとは、チャンネル長Lとチャンネル幅Wをかけたサイズをいう。たとえば、チャンネル幅W=3μm、チャンネル長L=4μmであれば、1つの単位電流源を構成する単位トランジスタ154のサイズは、W×L=12平方μmである。   The size of the transistor constituting the unit transistor 154 needs to be a certain size or more. The smaller the transistor size, the greater the variation in output current. The size of the unit transistor 154 is a size obtained by multiplying the channel length L and the channel width W. For example, if the channel width W = 3 μm and the channel length L = 4 μm, the size of the unit transistor 154 constituting one unit current source is W × L = 12 square μm.

トランジスタサイズが小さくなるほどバラツキが大きくなるのはシリコンウエハの結晶界面の状態が影響しているためと考えられる。したがって、1つのトランジスタが複数の結晶界面にまたがって形成されているとトランジスタの出力電流バラツキは小さくなる。   The reason why the variation increases as the transistor size decreases is considered to be due to the influence of the crystal interface state of the silicon wafer. Therefore, when one transistor is formed across a plurality of crystal interfaces, the output current variation of the transistor is reduced.

図44、図48において、トランジスタ群431bのトランジスタ158bの総面積(トランジスタ群431bの個数×トランジスタ群431b内のトランジスタ158bのWLサイズ×トランジスタ158b数)をSbとする。トランジスタ群431bが1個のトランジスタ158bで構成される場合は、Sbは、トランジスタ群431bの個数×トランジスタ158bのWLサイズであることは言うまでもない。以上のように、トランジスタ158bの総面積をSbとする。   44 and 48, the total area of the transistors 158b in the transistor group 431b (the number of the transistor groups 431b × the WL size of the transistors 158b in the transistor group 431b × the number of transistors 158b) is Sb. Needless to say, when the transistor group 431b includes one transistor 158b, Sb is the number of the transistor group 431b × the WL size of the transistor 158b. As described above, the total area of the transistor 158b is Sb.

また、トランジスタ群431cの単位トランジスタ154の総面積(トランジスタ群431c内の単位トランジスタ154のWLサイズ×単位トランジスタ154数)をSc(平方μm)とする。トランジスタ群431cの個数をn(nは整数)とする。nはQCIF+パネルの場合は176である(RGBごとに基準電流回路が形成されている場合)。したがって、n×Sc(平方μm)は、トランジスタ群431bのトランジスタ158bとカレントミラー回路を形成する(トランジスタ158bとゲート配線153を共通にする)単位トランジスタ154の総面積である。   The total area of the unit transistors 154 in the transistor group 431c (WL size of the unit transistors 154 in the transistor group 431c × number of unit transistors 154) is Sc (square μm). The number of transistor groups 431c is n (n is an integer). n is 176 in the case of the QCIF + panel (when a reference current circuit is formed for each RGB). Therefore, n × Sc (square μm) is the total area of the unit transistors 154 that form a current mirror circuit with the transistor 158b of the transistor group 431b (the transistor 158b and the gate wiring 153 are shared).

Sc×n/Sbが大きくなるにしたがって、ゲート配線153の揺れが大きくなる。Sc×n/Sbが大きくなることは、出力端子数nを一定とすると、トランジスタ群431cの単位トランジスタ154総面積が、トランジスタ群431bのトランジスタ158b総面積に対して大きくなることを示す。ゲート配線153の揺れが大きくなる。大きくなるにつれ、ゲート配線153の揺れが大きくなる。   As Sc × n / Sb increases, the swing of the gate wiring 153 increases. An increase in Sc × n / Sb indicates that the total area of the unit transistors 154 in the transistor group 431c is larger than the total area of the transistors 158b in the transistor group 431b when the number of output terminals n is constant. The swing of the gate wiring 153 increases. As it increases, the swing of the gate wiring 153 increases.

Sc×n/Sbが小さくなることは、出力端子数nを一定とすると、トランジスタ群431cの単位トランジスタ154総面積が、トランジスタ群431bのトランジスタ158b総面積に対して狭いことを示す。この場合はゲート配線153の揺れが小さくなる。   The smaller Sc × n / Sb indicates that the total area of the unit transistors 154 in the transistor group 431c is smaller than the total area of the transistors 158b in the transistor group 431b when the number of output terminals n is constant. In this case, the swing of the gate wiring 153 is reduced.

ゲート配線153の揺れの許容範囲は、Sc×n/Sbが50以下である。Sc×n/Sbが50以下であれば、変動比率は許容範囲内であり、ゲート配線153の電位変動は極めて小さくなる。したがって、横クロストークの発生もなく、出力バラツキも許容範囲内となり良好な画像表示を実現できる。   As for the allowable range of the swing of the gate wiring 153, Sc × n / Sb is 50 or less. If Sc × n / Sb is 50 or less, the variation ratio is within an allowable range, and the potential variation of the gate wiring 153 becomes extremely small. Accordingly, there is no occurrence of lateral crosstalk, and output variation is within an allowable range, so that a good image display can be realized.

図67はIC耐圧を単位トランジスタ154の出力バラツキの関係を図示してものである。縦軸のバラツキ比率とは、1.8(V)耐圧プロセスで作製して単位トランジスタ154のバラツキを1としている。   FIG. 67 illustrates the relationship between the IC withstand voltage and the output variation of the unit transistor 154. With respect to the variation ratio of the vertical axis, the variation of the unit transistor 154 is set to 1 by the 1.8 (V) breakdown voltage process.

なお、図67は単位トランジスタ154の形状L/Wを12(μm)/6(μm)とし、各耐圧プロセスで製造した単位トランジスタ154の出力バラツキを示している。また、各IC耐圧プロセスで複数の単位トランジスタを形成し、出力電流バラツキを求めている。ただし、耐圧プロセスは、1.8(V)耐圧、2.5(V)耐圧、3.3(V)耐圧、5(V)耐圧、8(V)耐圧、10(V)耐圧、15(V)耐圧などとびとびである。しかし、説明を容易にするため、各耐圧で形成したトランジスタのバラツキをグラフに記入し、直線で結んでいる。   FIG. 67 shows the output variation of the unit transistor 154 manufactured by each withstand voltage process when the shape L / W of the unit transistor 154 is 12 (μm) / 6 (μm). In addition, a plurality of unit transistors are formed in each IC withstand voltage process, and output current variation is obtained. However, the breakdown voltage process is 1.8 (V) breakdown voltage, 2.5 (V) breakdown voltage, 3.3 (V) breakdown voltage, 5 (V) breakdown voltage, 8 (V) breakdown voltage, 10 (V) breakdown voltage, 15 ( V) Breakdown such as withstand voltage. However, for ease of explanation, the variation of the transistors formed at each breakdown voltage is entered in a graph and connected by a straight line.

耐圧と出力バラツキに相関があるのは、トランジスタのゲート絶縁膜と関係しているためと推定される。耐圧が高い場合は、ゲート絶縁膜が厚い。ゲート絶縁膜が厚いとモビリティも低くなり、膜厚に対するバラツキも大きくなる。   The reason why there is a correlation between the breakdown voltage and the output variation is presumed to be related to the gate insulating film of the transistor. When the breakdown voltage is high, the gate insulating film is thick. If the gate insulating film is thick, the mobility is lowered and the variation with respect to the film thickness is also increased.

図67からIC耐圧が13(V)程度までは、ICプロセスに対するバラツキ比率(単位トランジスタ154の出力電流バラツキ)の増加割合は小さい。しかし、IC耐圧が15(V)以上になるとIC耐圧に対するバラツキ比率の傾きが大きくなる。   From FIG. 67, until the IC withstand voltage is about 13 (V), the increase ratio of the variation ratio (output current variation of the unit transistor 154) with respect to the IC process is small. However, when the IC breakdown voltage is 15 (V) or more, the slope of the variation ratio with respect to the IC breakdown voltage increases.

図67におけるバラツキ比率は3以内が、64階調から256階調表示でのバラツキ許容範囲である。ただし、このばらつき比率は、単位トランジスタ154の面積、L/Wにより異なる。しかし、単位トランジスタ154の形状などを変化させても、IC耐圧に対するバラツキ比率の変化傾向はほとんど差がない。IC耐圧13〜15(V)以上でバラツキ比率が大きくなる傾向がある。   In FIG. 67, the variation ratio within 3 is the variation allowable range in the 64 gradation to 256 gradation display. However, this variation ratio varies depending on the area of the unit transistor 154 and L / W. However, even if the shape of the unit transistor 154 is changed, there is almost no difference in the variation tendency of the variation ratio with respect to the IC breakdown voltage. When the IC withstand voltage is 13 to 15 (V) or more, the variation ratio tends to increase.

一方、ソースドライバIC(回路)14の出力端子155の電位は、画素16の駆動用トランジスタ11aのプログラム電流により変化する。画素16の駆動用トランジスタ11aが白ラスター(最大白表示)の電流を流す時のゲート端子電位Vwとする。画素16の駆動用トランジスタ11aが黒ラスター(完全黒表示)の電流を流す時のゲート端子電位Vbとする。Vw−Vbの絶対値は2(V)以上必要である。また、Vw電圧が出力端子155に印加されている時、単位トランジスタ154のチャンネル間電圧は、0.5(V)必要である。   On the other hand, the potential of the output terminal 155 of the source driver IC (circuit) 14 changes according to the program current of the driving transistor 11 a of the pixel 16. The gate terminal potential Vw when the driving transistor 11a of the pixel 16 passes white raster (maximum white display) current is used. A gate terminal potential Vb when the driving transistor 11a of the pixel 16 passes a black raster (full black display) current is used. The absolute value of Vw−Vb needs to be 2 (V) or more. When the Vw voltage is applied to the output terminal 155, the voltage between the channels of the unit transistor 154 needs to be 0.5 (V).

したがって、出力端子155(端子155はソース信号線18と接続され、電流プログラム時、画素16の駆動用トランジスタ11aのゲート端子電圧が印加される)には、0.5(V)から((Vw−Vb)+0.5)(V)の電圧が印加される。Vw−Vbは2(V)であるから、端子155は最大2(V)+0.5(V)=2.5(V)印加される。したがって、ソースドライバIC14の出力電圧(電流)がrail−to−rail出力であっても、IC耐圧としては2.5(V)必要である。出力端子155の振幅必要範囲は、2.5(V)以上必要である。   Therefore, the output terminal 155 (the terminal 155 is connected to the source signal line 18 and the gate terminal voltage of the driving transistor 11a of the pixel 16 is applied during current programming) from 0.5 (V) to ((Vw A voltage of −Vb) +0.5) (V) is applied. Since Vw−Vb is 2 (V), a maximum of 2 (V) +0.5 (V) = 2.5 (V) is applied to the terminal 155. Therefore, even if the output voltage (current) of the source driver IC 14 is a rail-to-rail output, the IC withstand voltage needs to be 2.5 (V). The required amplitude range of the output terminal 155 needs to be 2.5 (V) or more.

以上のことから、ソースドライバIC14の耐圧は、2.5(V)以上15(V)以下のプロセスを使用することが好ましい。さらに好ましくは、ソースドライバIC14の耐圧は、3(V)以上12(V)以下のプロセスを使用することが好ましい。さらに好ましくは、駆動用トランジスタ11aの振幅値を比較的大きくし、プログラム電流に対するトランジスタ11aのゲート端子電圧変化を大きくし、プログラム精度を向上させるという観点から、最低耐圧は4.5(V)以上にすることが好ましい。IC耐圧とは、使用できる電源電圧の最大値と同等である。なお、使用できる電源電圧とは、常時使用できる電圧であり、瞬時耐圧ではない。   From the above, it is preferable to use a process with a breakdown voltage of the source driver IC 14 of 2.5 (V) to 15 (V). More preferably, the source driver IC 14 has a withstand voltage of 3 (V) or more and 12 (V) or less. More preferably, the minimum breakdown voltage is 4.5 (V) or more from the viewpoint of relatively increasing the amplitude value of the driving transistor 11a, increasing the gate terminal voltage change of the transistor 11a with respect to the program current, and improving the program accuracy. It is preferable to make it. The IC withstand voltage is equivalent to the maximum power supply voltage that can be used. The power supply voltage that can be used is a voltage that can be used at all times and is not an instantaneous withstand voltage.

なお、以上の説明は、ソースドライバIC12の使用耐圧プロセスは、2.5(V)以上13(V)以下のプロセスを使用するとした。しかし、この耐圧は、アレイ基板30に直接にソースドライバ回路14が形成された実施例(低温ポリシリコンプロセスなど)にも適用される。アレイ基板30に形成されたソースドライバ回路14の使用耐圧は15(V)以上と高い場合がある。この場合は、ソースドライバ回路14に使用する電源電圧を図67に図示するIC耐圧に置き換えてもよい。また、ソースドライバIC14にあっても、IC耐圧とせず、使用する電源電圧に置き換えても良い。   In the above explanation, the withstand voltage process of the source driver IC 12 is assumed to be a process of 2.5 (V) or more and 13 (V) or less. However, this withstand voltage is also applied to an embodiment (such as a low-temperature polysilicon process) in which the source driver circuit 14 is formed directly on the array substrate 30. The use withstand voltage of the source driver circuit 14 formed on the array substrate 30 may be as high as 15 (V) or more. In this case, the power supply voltage used for the source driver circuit 14 may be replaced with the IC withstand voltage shown in FIG. Even in the source driver IC 14, the IC withstand voltage may be replaced with the power supply voltage to be used.

単位トランジスタ154に一定のトランジスタサイズが必要な理由は、ウエハにモビリティの特性分布があるからである。   The reason why the unit transistor 154 needs to have a constant transistor size is that the wafer has a mobility characteristic distribution.

単位トランジスタ154のチャンネル幅Wは、出力電流のバラツキと相関がある。図51は単位トランジスタ154の面積を一定とし、単位トランジスタ154のトランジスタ幅Wを変化させた時のグラフである。図51は単位トランジスタ154のチャンネル幅W=2(μm)のバラツキを1としている。   The channel width W of the unit transistor 154 correlates with variations in output current. FIG. 51 is a graph when the area of the unit transistor 154 is constant and the transistor width W of the unit transistor 154 is changed. In FIG. 51, the variation of the channel width W = 2 (μm) of the unit transistor 154 is 1.

図51で示すようにバラツキ比率は、単位トランジスタのWが2(μm)から9〜10(μm)まで緩やかに増加し、10(μm)以上でバラツキ比率の増加は大きくなる傾向がある。また、チャンネル幅W=2(μm)以下でバラツキ比率が増加する傾向がある。
図51におけるバラツキ比率は3以内が、64階調から256階調表示でのバラツキ許容範囲である。ただし、このばらつき比率は、単位トランジスタ154の面積により異なる。しかし、単位トランジスタ154の面積を変化させても、IC耐圧に対するバラツキ比率の変化傾向はほとんど差がない。
As shown in FIG. 51, the variation ratio of the unit transistor gradually increases from 2 (μm) to 9 to 10 (μm), and the increase of the variation ratio tends to increase when it is 10 (μm) or more. Also, the variation ratio tends to increase when the channel width W = 2 (μm) or less.
In FIG. 51, the variation ratio within 3 is a variation allowable range in 64 gradation to 256 gradation display. However, this variation ratio varies depending on the area of the unit transistor 154. However, even if the area of the unit transistor 154 is changed, there is almost no difference in the variation tendency of the variation ratio with respect to the IC breakdown voltage.

以上のことから、単位トランジスタ154のチャンネル幅Wは2(μm)以上10(μm)以下とすることが好ましい。さらに好ましくは、単位トランジスタ154のチャンネル幅Wは2(μm)以上9(μm)以下とすることが好ましい。また、単位トランジスタ154のチャンネル幅Wは図52のゲート配線153のリンキング抑制対策からも上記範囲で形成することが好ましい。   From the above, the channel width W of the unit transistor 154 is preferably 2 (μm) or more and 10 (μm) or less. More preferably, the channel width W of the unit transistor 154 is 2 (μm) or more and 9 (μm) or less. Further, the channel width W of the unit transistor 154 is preferably formed in the above range in order to prevent linking of the gate wiring 153 in FIG.

図53は単位トランジスタ154のL/Wと目標値からのずれ(ばらつき)のグラフである。単位トランジスタ154のL/W比が2以下では、目標値からのずれが大きい(直線の傾きが大きい)。しかし、L/Wが大きくなるにつれて、目標値のずれが小さくなる傾向にある。単位トランジスタ154のL/Wが2以上では目標値からのずれの変化は小さくなる。また、目標値からのずれ(ばらつき)はL/W=2以上で、0.5%以下となる。したがって、トランジスタの精度としてソースドライバ回路14に採用できる。   53 is a graph of L / W of the unit transistor 154 and a deviation (variation) from the target value. When the L / W ratio of the unit transistor 154 is 2 or less, the deviation from the target value is large (the slope of the straight line is large). However, as L / W increases, the deviation of the target value tends to decrease. When the L / W of the unit transistor 154 is 2 or more, the change in deviation from the target value is small. The deviation (variation) from the target value is L / W = 2 or more and 0.5% or less. Therefore, it can be adopted in the source driver circuit 14 as transistor accuracy.

以上のことから、単位トランジスタ154のL/Wは2以上にすることが好ましい。しかし、L/Wが大きいということはLが長くなることを意味しているからトランジスタサイズが大きくなる。したがって、L/Wは40以下にすることが好ましい。さらに好ましくは、L/Wは3以上12以下にすることが好ましい。   From the above, it is preferable that the L / W of the unit transistor 154 is 2 or more. However, large L / W means that L becomes long, so that the transistor size becomes large. Therefore, L / W is preferably 40 or less. More preferably, L / W is preferably 3 or more and 12 or less.

L/Wが比較的大きな値の時に、出力バラツキが小さくなるのは、該当単位トランジスタ154のゲート電圧が高くなり、ゲート電圧の変動に対する出力電流変化が小さくなるためと思われる。   The reason why the output variation becomes small when L / W is a relatively large value is considered to be that the gate voltage of the corresponding unit transistor 154 becomes high and the change in the output current with respect to the change in the gate voltage becomes small.

また、L/Wの大きさは階調数にも依存する。階調数が少ない場合は、階調と階調との差が大きいため、キンクの影響により単位トランジスタ154の出力電流がばらついても問題がない。しかし、階調数が多い表示パネルでは、階調と階調との差が小さいため、キンクの影響により単位トランジスタ154の出力電流が少しでもばらつくと階調数が低減する。   The magnitude of L / W also depends on the number of gradations. When the number of gradations is small, there is no problem even if the output current of the unit transistor 154 varies due to the kink because the difference between the gradations is large. However, in a display panel having a large number of gradations, since the difference between gradations is small, the number of gradations is reduced if the output current of the unit transistor 154 varies even slightly due to the influence of kink.

以上のことを勘案し、本発明のドライバ回路14は、階調数をKとし、単位トランジスタ154のL/W(Lは単位トランジスタ154のチャンネル長、Wは単位トランジスタのチャンネル幅)とした時、
(√(K/16))≦L/W ≦ (√(K/16))×20
の関係を満足させるように構成(形成)している。
In consideration of the above, the driver circuit 14 according to the present invention has the number of gradations as K and L / W of the unit transistor 154 (L is the channel length of the unit transistor 154 and W is the channel width of the unit transistor). ,
(√ (K / 16)) ≦ L / W ≦ (√ (K / 16)) × 20
It is configured (formed) to satisfy this relationship.

64階調(RGB各6ビット)の場合は、63個の単位トランジスタ154を形成するとした。したがって、256階調(RGB各8ビット)の場合、255個の単位トランジスタ154が必要になることになる。   In the case of 64 gradations (6 bits for each of RGB), 63 unit transistors 154 are formed. Therefore, in the case of 256 gradations (8 bits for each of RGB), 255 unit transistors 154 are required.

電流駆動方式では、電流の加算ができるという特徴ある効果がある。また、単位トランジスタ154において、チャンネル長Lを一定にし、チャンネル幅Wを1/2にすれば、単位トランジスタ154が流す電流がおよそ1/2になるという特徴ある効果がある(特徴ある構成がある)。同様に、チャンネル長Lを一定にし、チャンネル幅Wを1/4にすれば、単位トランジスタ154が流す電流がおよそ1/4になるという特徴ある効果がある。   The current driving method has a characteristic effect that current can be added. Further, in the unit transistor 154, if the channel length L is made constant and the channel width W is halved, there is a characteristic effect that the current flowing through the unit transistor 154 becomes about ½ (there is a characteristic configuration). ). Similarly, if the channel length L is made constant and the channel width W is made 1/4, there is a characteristic effect that the current flowing through the unit transistor 154 becomes about 1/4.

図55(b)は、各ビットに対して同一のサイズの単位トランジスタ154を配置したトランジスタ群431cの構成である。説明を容易にするため、図55(a)は63個の単位トランジスタ154が構成され、6ビットのトランジスタ群431cを構成(形成)しているとする。また、図55(b)は8ビットであるとする。   FIG. 55B shows a configuration of a transistor group 431c in which unit transistors 154 having the same size are arranged for each bit. For ease of explanation, it is assumed that FIG. 55A includes 63 unit transistors 154 and configures (forms) a 6-bit transistor group 431c. FIG. 55 (b) is 8 bits.

図55(b)では、下位2ビット(Aで示す)は、単位トランジスタ154よりも小さいサイズのトランジスタで構成している。最小ビット目の第0ビット目は、単位トランジスタ154のチャンネル幅Wの1/4で形成している(単位トランジスタ154bで示す)。また、第1ビット目は、単位トランジスタ154のチャンネル幅Wの1/2で形成している(単位トランジスタ154aで示す)。   In FIG. 55 (b), the lower 2 bits (indicated by A) are composed of transistors having a size smaller than that of the unit transistor 154. The 0th bit of the minimum bit is formed by 1/4 of the channel width W of the unit transistor 154 (indicated by the unit transistor 154b). The first bit is formed with a half of the channel width W of the unit transistor 154 (indicated by the unit transistor 154a).

以上のように、下位2ビットは上位の単位トランジスタ154よりも小さいサイズの単位トランジスタ(154a、154b)で形成している。また、正規の単位トランジスタ154の個数は63個で変化がない。したがって、6ビットから8ビットに変更しても、トランジスタ群431cの形成面積は図55(a)と図55(b)で大差はない。   As described above, the lower 2 bits are formed by unit transistors (154a, 154b) having a size smaller than that of the upper unit transistor 154. Further, the number of regular unit transistors 154 is 63, which is not changed. Therefore, even if the bit size is changed from 6 bits to 8 bits, the formation area of the transistor group 431c is not significantly different between FIG. 55A and FIG.

図55(b)に図示するように、6ビットから8ビット仕様に変化させても出力段のトランジスタ群431cのサイズが大きくならないのは、電流の加算ができるという点、単位トランジスタ154において、チャンネル長Lを一定にし、チャンネル幅Wを1/nにすれば、単位トランジスタ154が流す電流がおよそ1/nになるという点をうまく利用しているからである。   As shown in FIG. 55B, the size of the output stage transistor group 431c does not increase even when the 6-bit specification is changed to the 8-bit specification because the current can be added. This is because if the length L is constant and the channel width W is 1 / n, the current flowing through the unit transistor 154 is approximately 1 / n.

また、図55(b)に図示するように、単位トランジスタ154a、154bのようにトランジスタサイズが小さくなると、出力電流バラツキも大きくなる。しかし、いかにバラツキが大きくとも、単位トランジスタ154aまたは154bの出力電流は加算される。したがって、図55(a)の6ビット仕様より、図55(b)の8ビット仕様のほうが高階調出力を実現できる。もちろん、単位トランジスタ154a、154bの出力バラツキが大きいから、正確な8ビット表示を実現することはできない可能性はある。でも、かならず、図55(a)よりは高精細表示を実現できる。   As shown in FIG. 55B, when the transistor size is reduced as in the unit transistors 154a and 154b, the output current variation is also increased. However, no matter how large the variations are, the output currents of the unit transistors 154a or 154b are added. Therefore, the 8-bit specification of FIG. 55 (b) can realize higher gradation output than the 6-bit specification of FIG. 55 (a). Of course, since the output variations of the unit transistors 154a and 154b are large, there is a possibility that accurate 8-bit display cannot be realized. However, it is possible to realize a high-definition display as compared with FIG.

なお、実際にはチャンネル幅Wを1/2にしても出力電流は正確には1/2にはならない。多少の補正が必要である。補正は、テストトランジスタを形成し、測定することのより補正係数を容易に把握することができる。   Actually, even if the channel width W is halved, the output current is not exactly halved. Some correction is required. In the correction, a correction coefficient can be easily grasped by forming a test transistor and measuring it.

本発明は、下位のビットを作製(構成)するために、上位のビットの単位トランジスタ154に比較して小さい小単位トランジスタを形成または配置するのもである。この小さいという概念は、上位ビットを構成する単位トランジスタ154の出力電流よりも小さいという意味である。したがって、単位トランジスタ154に比較してチャンネル幅Wが小さいだけでなく、同時にチャンネル長Lも小さい場合も含まれる。また、他の形状も含まれる。   In the present invention, in order to produce (configure) a lower bit, a small unit transistor smaller than the unit transistor 154 of the upper bit is formed or arranged. This concept of small means that it is smaller than the output current of the unit transistor 154 constituting the upper bit. Therefore, not only the channel width W is smaller than that of the unit transistor 154, but also the case where the channel length L is also small is included. Other shapes are also included.

図55はトランジスタ群431cを構成する単位トランジスタ154のサイズを複数種類とするものであった。図55では2種類としている。2種類とするのは単位トランジスタ154のサイズが異なると出力電流の大きさが形状に比例しないため、設計が難しくなるからである。したがって、トランジスタ431cを構成する単位トランジスタ154のサイズは低階調用と高階調用の2種類とすることが好ましい。しかし、本発明はこれに限定するものではない。3種類以上であってもよいことは言うまでもない。   FIG. 55 shows a plurality of types of unit transistors 154 constituting the transistor group 431c. In FIG. 55, there are two types. The reason for the two types is that if the size of the unit transistor 154 is different, the magnitude of the output current is not proportional to the shape, which makes it difficult to design. Therefore, the size of the unit transistor 154 included in the transistor 431c is preferably two types for low gradation and high gradation. However, the present invention is not limited to this. Needless to say, there may be three or more types.

図43でも図示しているように、トランジスタ群431cを構成する単位トランジスタ154のゲート端子は、1つのゲート配線153で接続されている。ゲート配線153に印加された電圧により単位トランジスタ154の出力電流が決定される。したがって、トランジスタ群431c内の単位トランジスタ154の形状が同一であれば、各単位トランジスタ154は同一の単位電流を出力する。   As shown in FIG. 43, the gate terminals of the unit transistors 154 constituting the transistor group 431 c are connected by one gate wiring 153. The output current of the unit transistor 154 is determined by the voltage applied to the gate wiring 153. Therefore, if the unit transistors 154 in the transistor group 431c have the same shape, each unit transistor 154 outputs the same unit current.

本発明は、トランジスタ群431cを構成する単位トランジスタ154のゲート配線153を共通にすることには限定されない。たとえば、図56(a)のように構成してもよい。図56(a)において、トランジスタ158b1とカレントミラーをなす単位トランジスタ154と、トランジスタ158b2とカレントミラーをなす単位トランジスタ154とが配置されている。   The present invention is not limited to the common gate wiring 153 of the unit transistors 154 constituting the transistor group 431c. For example, it may be configured as shown in FIG. In FIG. 56A, a unit transistor 154 that forms a current mirror with the transistor 158b1, and a unit transistor 154 that forms a current mirror with the transistor 158b2.

トランジスタ158b1はゲート配線153aで接続されている。トランジスタ158b2はゲート配線153bで接続されている。図56(a)の一番上の1個の単位トランジスタ154はLSB(0ビット目)であり、2段目の2個の単位トランジスタ154は1ビット目、3段目の4個の単位トランジスタ154は2ビット目である。また、4段目の組の8個の単位トランジスタ154は3ビット目である。   The transistor 158b1 is connected to the gate wiring 153a. The transistor 158b2 is connected to the gate wiring 153b. In FIG. 56A, the uppermost unit transistor 154 is LSB (0th bit), and the second stage two unit transistors 154 are the first bit and the third stage four unit transistors. 154 is the second bit. The eight unit transistors 154 in the fourth set are the third bit.

図56(a)において、ゲート配線153aとゲート配線153bの印加電圧を変化させることにより、各単位トランジスタ154のサイズ、形状が同一であっても、各単位トランジスタ154の出力電流をゲート配線153の印加電圧により変化(変更)することができる。   In FIG. 56A, by changing the applied voltage of the gate wiring 153a and the gate wiring 153b, the output current of each unit transistor 154 is changed to the current of the gate wiring 153 even if the size and shape of each unit transistor 154 are the same. It can be changed (changed) by the applied voltage.

図56(a)において、単位トランジスタ154のサイズなどを同一にして、ゲート配線153a、153bの電圧を異ならせるとしたが、本発明はこれに限定するものではない。単位トランジスタ154のサイズなどを異ならせ、印加するゲート配線153a、153bの電圧を調整することにより、異なる形状の単位トランジスタ154の出力電流を同一となるようにしてもよい。   56A, the unit transistors 154 have the same size and the like, and the voltages of the gate wirings 153a and 153b are different. However, the present invention is not limited to this. The unit transistors 154 may have different sizes and the like, and by adjusting the voltages of the gate wirings 153a and 153b to be applied, the output currents of the unit transistors 154 having different shapes may be made the same.

図55では、低階調のビットを構成する単位トランジスタ154サイズは、高階調を構成する単位トランジスタ154よりも小さくした。単位トランジスタ154のサイズが小さくなると、出力バラツキが大きくなる。この課題を解決するため、実際には、低階調の単位トランジスタ154はチャンネル長Lを高階調よりも大きくし、単位トランジスタ154の面積を小さくならないようにしてバラツキを抑制している。   In FIG. 55, the size of the unit transistor 154 constituting the low gradation bit is made smaller than the unit transistor 154 constituting the high gradation. As the size of the unit transistor 154 decreases, the output variation increases. In order to solve this problem, in practice, the unit transistor 154 having a low gradation has a channel length L larger than that of the high gradation, so that the area of the unit transistor 154 is not reduced, thereby suppressing variations.

図57に図示するように低階調領域Aの範囲の単位トランジスタ154のサイズと、高階調領域Bの範囲の単位トランジスタ154のサイズを異ならせると出力ばらつきは2の曲線が組み合わさったものとなる。しかし、実用上は問題ない。逆に、低階調部の単位トランジスタ154のサイズを高階調部の単位トランジスタ154のサイズよりも大きくすることにより、単位トランジスタ154あたりの出力バラツキを小さくすることができて好ましい。   As shown in FIG. 57, when the size of the unit transistor 154 in the range of the low gradation region A is different from the size of the unit transistor 154 in the range of the high gradation region B, the output variation is a combination of two curves. Become. However, there is no problem in practical use. On the contrary, it is preferable that the size of the unit transistor 154 in the low gradation part is larger than the size of the unit transistor 154 in the high gradation part, so that the output variation per unit transistor 154 can be reduced.

図56のように構成すれば、低階調と高階調の単位トランジスタ154のサイズに関わらず、ゲート配線153への印加電圧調整により、単位トランジスタ154の出力電流を同一にすることができる。   With the configuration as shown in FIG. 56, the output current of the unit transistor 154 can be made the same by adjusting the voltage applied to the gate wiring 153 regardless of the size of the unit transistor 154 of low gradation and high gradation.

なお、本発明において、ゲート配線153は153aと153bの2種類として説明しているがこれに限定するものではない。3種類以上であってもよい。また、単位トランジスタ154の形状なども3種類以上であってもよい。   In the present invention, the gate wiring 153 is described as two types of 153a and 153b, but is not limited thereto. There may be three or more types. Also, the unit transistor 154 may have three or more shapes.

図56(b)は単位トランジスタ154サイズを同一にし、2つのゲート配線153で構成した実施例である。図56(b)の一番上の2個の単位トランジスタ154はLSB(0ビット目)であり、2段目の4個の単位トランジスタ154は1ビット目、3段目の8個の単位トランジスタ154の組は2ビット目である。また、ゲート配線153bに接続された4組目の8個の単位トランジスタ154は3ビット目である。   FIG. 56B shows an embodiment in which the unit transistors 154 have the same size and are constituted by two gate wirings 153. The top two unit transistors 154 in FIG. 56B are LSB (0th bit), and the four unit transistors 154 in the second stage are the eight unit transistors in the first bit and the third stage. The group of 154 is the second bit. The fourth set of eight unit transistors 154 connected to the gate wiring 153b is the third bit.

図56(b)においても、ゲート配線153aとゲート配線153bの印加電圧を変化させることにより、各単位トランジスタ154のサイズ、形状が同一であっても、各単位トランジスタ154の出力電流をゲート配線153の印加電圧により変化(変更)することができる。   In FIG. 56B as well, by changing the applied voltage of the gate wiring 153a and the gate wiring 153b, the output current of each unit transistor 154 is changed to the gate wiring 153 even if the size and shape of each unit transistor 154 are the same. It can be changed (changed) by the applied voltage.

図56(b)では低階調部に該当するゲート配線153aに接続された単位トランジスタ154aの1つの出力電流は、高階調部に該当するゲート配線153bに接続された単位トランジスタ154の出力電流の1/2となるように構成している。単位トランジスタ154aと単位トランジスタ154とは同一形状としている。   In FIG. 56B, one output current of the unit transistor 154a connected to the gate wiring 153a corresponding to the low gradation part is the output current of the unit transistor 154 connected to the gate wiring 153b corresponding to the high gradation part. It is configured to be 1/2. The unit transistor 154a and the unit transistor 154 have the same shape.

単位トランジスタ154aの出力電流を単位トランジスタ154の1/2とするためにゲート配線153aに印加する電圧をゲート配線153bよりも低くしている。ゲート配線153に印加する電圧を調整することにより単位トランジスタ154aと単位トランジスタ154の形状が略同一であっても出力電流を変化あるいは調整することができる。   In order to make the output current of the unit transistor 154a ½ that of the unit transistor 154, the voltage applied to the gate wiring 153a is set lower than that of the gate wiring 153b. By adjusting the voltage applied to the gate wiring 153, the output current can be changed or adjusted even when the unit transistor 154a and the unit transistor 154 have substantially the same shape.

なお、図56の実施例において、ゲート配線153の印加電圧を変化するとして説明をした。ゲート配線153の印加電圧はソースドライバIC(回路)14の外部から印加することもできることは言うまでもない。しかし、一般的には単位トランジスタ154とカレントミラー対をなすトランジスタ158b(トランジスタ群431b)の構成あるいはサイズを変化あるいは設計もしくは構成を行うことにより、ゲート配線153の電圧を調整もしくは変更することができる。また、単位トランジスタ154とカレントミラー対をなすトランジスタ158b(トランジスタ群431b)に流す電流Icを変更あるいは調整できることは言うまでもない。   In the embodiment of FIG. 56, it has been described that the voltage applied to the gate wiring 153 is changed. It goes without saying that the voltage applied to the gate wiring 153 can also be applied from outside the source driver IC (circuit) 14. However, in general, the voltage or voltage of the gate wiring 153 can be adjusted or changed by changing or designing or configuring the configuration or size of the transistor 158b (transistor group 431b) forming a current mirror pair with the unit transistor 154. . It goes without saying that the current Ic flowing through the transistor 158b (transistor group 431b) forming a current mirror pair with the unit transistor 154 can be changed or adjusted.

図58は、高階調側の単位トランジスタ154a(D2、D3、D4・・・・・・)は2の乗数個を配置している。一方、低階調側の単位トランジスタ154b(D1、D2)も2の乗数個を配置している。単位トランジスタ154aと単位トランジスタ154bの単位出力電流は異ならせている(154bの単位電流のほうが、154aよりも小さい。たとえば、単位トランジスタのWを低階調側のほうを狭くしている)。低階調側も高階調側の単位トランジスタ154も共通のゲート配線153で接続されており、カレントミラー回路を構成するトランジスタ158bに流れる基準電流Icで制御される。   In FIG. 58, unit multipliers 154a (D2, D3, D4,...) On the high gradation side are arranged with a multiplier of 2. On the other hand, unit transistors 154b (D1, D2) on the low gradation side are also arranged with a multiplier of 2. The unit transistor 154a and the unit transistor 154b have different unit output currents (the unit current of 154b is smaller than 154a. For example, the unit transistor W is narrower on the low gradation side). The low gradation side and high gradation side unit transistors 154 are connected by a common gate wiring 153, and are controlled by a reference current Ic flowing in the transistor 158b constituting the current mirror circuit.

図59は、高階調側の単位トランジスタ154a(D2、D3、D4・・・・・・)は2の乗数個を配置している。一方、低階調側の単位トランジスタ154b(D1、D2)も2の乗数個を配置している。高階調側の単位トランジスタ154aはトランジスタ158bhとカレントミラー回路を構成している。また、トランジスタ158bhに流れる基準電流はIchである。一方、低階調側の単位トランジスタ154bはトランジスタ158blとカレントミラー回路を構成している。また、トランジスタ158blに流れる基準電流はIclである。   In FIG. 59, unit transistors 154a (D2, D3, D4,...) On the high gradation side are arranged with a multiplier of 2. On the other hand, unit transistors 154b (D1, D2) on the low gradation side are also arranged with a multiplier of 2. The unit transistor 154a on the high gradation side forms a current mirror circuit with the transistor 158bh. The reference current flowing through the transistor 158bh is Ich. On the other hand, the unit transistor 154b on the low gradation side forms a current mirror circuit with the transistor 158bl. The reference current flowing through the transistor 158bl is Icl.

以上に構成することにより、単位トランジスタ154aと単位トランジスタ154bの単位出力電流は異ならせている(154bの単位電流のほうが、154aよりも小さい)。低階調側と高階調側の単位トランジスタ154は異なるゲート配線153で接続されている。   With the above configuration, the unit output currents of the unit transistor 154a and the unit transistor 154b are made different (the unit current of 154b is smaller than 154a). The low gradation side and high gradation side unit transistors 154 are connected by different gate wirings 153.

以上のように、本発明では多数の変形実施例がある。たとえば、図58と図59との組合せも例示される。以上の事項は、本発明の他の実施例にも適用できることは言うまでもない。また、一部の単位トランジスタ154を大きくしてもよく、また小さくしてもよい。   As described above, there are many modified embodiments in the present invention. For example, the combination of FIG. 58 and FIG. 59 is also illustrated. It goes without saying that the above matters can be applied to other embodiments of the present invention. Further, some unit transistors 154 may be made larger or smaller.

単位トランジスタ群431cを構成する単位トランジスタ154、トランジスタ群431bを構成するトランジスタ158bは、Nチャンネルトランジスタで構成(形成)することが好ましい。これは、Nチャンネルトランジスタは、Pチャンネルトランジスタに比較して単位トランジスタ面積あたりに対する出力バラツキが小さいからである。したがって、単位トランジスタ154などをNチャンネルで構成することにより、ソースドライバICサイズを小さくすることができる。   The unit transistors 154 constituting the unit transistor group 431c and the transistors 158b constituting the transistor group 431b are preferably constituted (formed) by N-channel transistors. This is because the N channel transistor has less output variation per unit transistor area than the P channel transistor. Therefore, the source driver IC size can be reduced by configuring the unit transistors 154 and the like with N channels.

なお、単位トランジスタ154をNチャンネルで形成することは、ソースドライバIC14をシンクタイプ(吸い込み電流方式)にすることになる。したがって、画素16の駆動用トランジスタ11aはPチャンネルトランジスタで構成することが好ましい。   Note that forming the unit transistor 154 with an N channel makes the source driver IC 14 a sink type (sink current method). Therefore, the driving transistor 11a of the pixel 16 is preferably composed of a P-channel transistor.

図159のグラフはPチャンネルトランジスタとNチャンネルトランジスタのサイズ(WL)を同一にし、出力電流を同一にした場合の出力バラツキをしめしている。横軸は、1出力を構成するトランジスタ群431cの総面積Scの面積比である。面積Scが大きくなるほど、出力バラツキは小さいなる。   The graph of FIG. 159 shows the output variation when the size (WL) of the P-channel transistor and the N-channel transistor are the same and the output current is the same. The horizontal axis represents the area ratio of the total area Sc of the transistor group 431c constituting one output. The larger the area Sc, the smaller the output variation.

縦軸は、出力バラツキの比を示している。図159では、Nチャンネルトランジスタの総面積Scを1の時の出力バラツキを1としている。   The vertical axis represents the output variation ratio. In FIG. 159, the output variation is 1 when the total area Sc of the N-channel transistors is 1.

図159に図示するように、Nチャンネルトランジスタの総面積Scが4倍になると出力バラツキは0.5になる。Nチャンネルトランジスタの総面積Scが8倍になると出力バラツキは0.25になる。つまり、本発明の結果から出力バラツキは1/√Scに比例する。   As shown in FIG. 159, when the total area Sc of the N-channel transistors is quadrupled, the output variation becomes 0.5. When the total area Sc of the N-channel transistor is 8 times, the output variation becomes 0.25. That is, the output variation is proportional to 1 / √Sc from the result of the present invention.

Nチャンネルトランジスタの総面積ScとPチャンネルトランジスタの総面積Scが同一の時、出力バラツキは1.4倍になる。Pチャンネルトランジスタの総面積ScがNチャンネルトランジスタの総面積Scの2倍の時、出力バラツキは同一になる。つまり、出力バラツキは、Nチャンネルトランジスタの総面積Sc/2=Pチャンネルトランジスタの総面積Scの関係がある。   When the total area Sc of the N-channel transistor and the total area Sc of the P-channel transistor are the same, the output variation is 1.4 times. When the total area Sc of the P-channel transistor is twice the total area Sc of the N-channel transistor, the output variation is the same. That is, the output variation has a relationship of the total area Sc / 2 of the N-channel transistor = the total area Sc of the P-channel transistor.

以上の結果から単位トランジスタ群431cを構成する単位トランジスタ154、トランジスタ群431bを構成するトランジスタ158bは、Nチャンネルトランジスタで構成(形成)することが好ましい。   From the above results, the unit transistor 154 constituting the unit transistor group 431c and the transistor 158b constituting the transistor group 431b are preferably constituted (formed) by N-channel transistors.

出力段は単位トランジスタ154などで形成し、トンジスタ群431cとトランジスタ158bもしくはトランジスタ158bから構成されるトランジスタ群とは、カレントミラー回路を構成する。トランジスタ154cとトランジスタ158bとを近接させることによりカレントミラー比は一定値にほぼなる。しかし、バラツキの範囲で変動する場合がある。この場合は、図160に図示するように、トリミング(レーザートリミング、サンドブラストトリミングなど)により、トランジスタ158bなどを切り離し所定範囲内のカレントミラー比に調整することが有効である。   The output stage is formed of unit transistors 154 and the like, and the transistor group 431c and the transistor group including the transistor 158b or the transistor 158b constitute a current mirror circuit. By bringing the transistor 154c and the transistor 158b close to each other, the current mirror ratio becomes almost a constant value. However, it may vary within the range of variation. In this case, as shown in FIG. 160, it is effective to cut off the transistor 158b and adjust the current mirror ratio within a predetermined range by trimming (laser trimming, sandblast trimming, etc.).

トリミングは図160のA点に実施し、トランジスタ158b2を切り離すことにより実施する。トランジスタ158bを多く形成し、この複数のトランジスタ158bのうち、1つ以上をきり流すことによりカレントミラー比を高くすることできる。   Trimming is performed at point A in FIG. 160, and the transistor 158b2 is disconnected. A large number of transistors 158b are formed, and one or more of the plurality of transistors 158b are swept away, whereby the current mirror ratio can be increased.

なお、好ましくは、図161に図示するように、配線153の両側にトランジスタ158bを形成または配置する。トリミング点、A1またはA2をカットすることにより、ICチップの出力端子155aと115nからの出力電流の差を均一化させる。   Note that preferably, a transistor 158 b is formed or arranged on both sides of the wiring 153 as illustrated in FIG. 161. By cutting the trimming point, A1 or A2, the difference in output current from the output terminals 155a and 115n of the IC chip is made uniform.

また、各出力段のトランジスタ431cの出力バラツキを調整するためには、図162のように構成することも有効である。図162では各出力トランジスタ群431c(トランジスタ群に限定するものではない。電流出力回路であればいずれの構成でもよい)とゲート配線153との間に、高抵抗1623を形成または配置している。高抵抗であるため、出力段からの出力電流が微小であっても、抵抗1623で電圧降下する。電圧降下により出力電流を変化させることができる。   In order to adjust the output variation of the transistor 431c in each output stage, it is effective to configure as shown in FIG. In FIG. 162, a high resistance 1623 is formed or disposed between each output transistor group 431 c (not limited to a transistor group; any configuration is acceptable as long as it is a current output circuit) and a gate wiring 153. Since the resistance is high, even if the output current from the output stage is very small, the voltage drops at the resistor 1623. The output current can be changed by the voltage drop.

抵抗1623のトリミングは、トリミング装置1621からのレーザー光1622で行う。抵抗1623をトリミングして高抵抗値に調整する。   The trimming of the resistor 1623 is performed with a laser beam 1622 from the trimming device 1621. The resistor 1623 is trimmed and adjusted to a high resistance value.

なお、本発明の実施例ではトランジスタ群431cは単位トランジスタ154で構成するとしたがこれに限定するものはない。単体トランジスタで構成してもよいし、電流保持回路(後に説明する)で構成してもよい。また、電圧−電流変換(V−I変換)回路であってもよい。つまり、本明細書では出力段はトランジスタ群431cで構成するとして説明するが、これに限定するものではなく、電流出力回路であればいずれの構成であってもよい。   In the embodiment of the present invention, the transistor group 431c is composed of the unit transistors 154, but the present invention is not limited to this. A single transistor or a current holding circuit (described later) may be used. Alternatively, a voltage-current conversion (VI conversion) circuit may be used. That is, in this specification, the output stage is described as being configured by the transistor group 431c, but the present invention is not limited to this, and any configuration may be used as long as it is a current output circuit.

図163は、トランジスタ157bと複数のトランジスタ158aとカレントミラー回路を構成し、トランジスタ158aとトランジスタ158bとをカレントミラー回路を構成している。また、トランジスタ158bとトランジスタ431cともカレントミラー回路を構成している。   In FIG. 163, the transistor 157b and the plurality of transistors 158a constitute a current mirror circuit, and the transistor 158a and the transistor 158b constitute a current mirror circuit. The transistors 158b and 431c also form a current mirror circuit.

以上の図163ような構成も本発明の範疇である。トリミングによる調整は、各出力段のトランジスタ158bまたはトランジスタ群431cに実施すればよい。   The configuration as shown in FIG. 163 is also within the scope of the present invention. Adjustment by trimming may be performed on the transistor 158b or the transistor group 431c in each output stage.

他の構成として、図164の構成も例示される。図164は本発明のソースドライバICの出力段を概念的に図示したものである。基準電圧(もしくはIC(回路)14電源電圧)Vsと外づけ抵抗Ra、Rbによりゲート配線153aの電位が決定される(調整される)。   As another configuration, the configuration in FIG. 164 is also exemplified. FIG. 164 conceptually shows the output stage of the source driver IC of the present invention. The potential of the gate wiring 153a is determined (adjusted) by the reference voltage (or IC (circuit) 14 power supply voltage) Vs and the external resistors Ra and Rb.

各出力段は抵抗Rnと、トランジスタ158a、158bで電流回路が構成される。この電流回路に流れる電流は抵抗Rnにより決定される。トランジスタ158bとトランジスタ群431cはカレントミラー回路を構成する。トランジスタ群431cの出力端子155から出力される電流は抵抗Rnをトリミングすることにより行われる。抵抗Rnをレーザートリミングすることにより、カレントミラー回路(トランジスタ158bとトランジスタ群431c)に流れる電流を調整することができる。なお、もちろん、トランジスタ158a、158b部はトランジスタ群を構成してもよい。   Each output stage forms a current circuit with a resistor Rn and transistors 158a and 158b. The current flowing through the current circuit is determined by the resistor Rn. The transistor 158b and the transistor group 431c constitute a current mirror circuit. The current output from the output terminal 155 of the transistor group 431c is performed by trimming the resistor Rn. By laser trimming the resistor Rn, the current flowing through the current mirror circuit (the transistor 158b and the transistor group 431c) can be adjusted. Of course, the transistors 158a and 158b may constitute a transistor group.

ICチップの左右の出力電流の傾きを調整する(出力端子155a〜155nを同一にする(出力バラツキがないようにする)ためには、図165の構成も例示される。トランジスタ158bの電流Ic1経路に抵抗Ra、トランジスタ158bの電流Ic2経路に抵抗Rbを配置している。抵抗Ra、Rbは内蔵、外づけのいずれでもよい。RaまたはRb、もしくはRaとRbの両方をトリミングすることにより、ゲート配線153に流れる電流Idが変化する。したがって、ゲート配線153の電圧降下により、出力段431の単位トランジスタ154のゲート信号線の電位が変化する。したがって、出力段431a〜431nの出力電流の傾斜分布を補正することができる。   In order to adjust the slopes of the output currents on the left and right of the IC chip (in order to make the output terminals 155a to 155n the same (so that there is no output variation), the configuration of Fig. 165 is also exemplified. Current Ic1 path of the transistor 158b The resistor Ra and the resistor Rb are arranged in the current Ic2 path of the transistor 158b, and the resistors Ra and Rb may be built-in or externally connected to the gate by trimming Ra or Rb or both Ra and Rb. The current Id flowing through the wiring 153 changes, so that the voltage drop of the gate wiring 153 changes the potential of the gate signal line of the unit transistor 154 in the output stage 431. Accordingly, the slope distribution of the output currents in the output stages 431a to 431n. Can be corrected.

なお、トリミングの概念には、ボリウムも含まれる。たとえば、図165において、抵抗RaとRbをボリウムで形成し(配置し)、ボリウムを調整することによって、電流Idの大きさを調整できる。また、抵抗が拡散抵抗の場合は加熱により抵抗値を調整あるいは変化させることができる。たとえば、抵抗にレーザー光を照射し、加熱することにより抵抗値を変化させることができる。また、ICチップを全体的にあるいは部分的に加熱することによりICチップ内に形成または構成された抵抗値を全体的にあるいは一部の抵抗の抵抗値を調整あるいは変化させることができる。   Note that the concept of trimming includes volume. For example, in FIG. 165, the magnitudes of the current Id can be adjusted by forming (arranging) the resistors Ra and Rb with volume and adjusting the volume. Further, when the resistance is a diffusion resistance, the resistance value can be adjusted or changed by heating. For example, the resistance value can be changed by irradiating the resistor with laser light and heating it. Further, by heating the IC chip entirely or partially, the resistance value formed or configured in the IC chip can be adjusted or changed in whole or in part.

以上の事項は、本発明の他の実施例にも適用できることはいうまでもない。また、トリミングとは、抵抗値を変化させる素子トリミングあるいは機能を変化させる機能トリミング、トランジスタなどの素子を配線から切り離す切断トリミング、1つの抵抗素子を複数に分割する分割トリミング、非接続箇所にレーザー光を照射することにより短絡させ接続するトリミング、ボリウムなどの抵抗値を調整する調整トリミングも含まれる。また、トランジスタであれば、S値を変化させること、μを変化させること、WL比を変化させ出力電流の大きさを変化させること、立ち上がり電圧位置を変更することなどが例示される。その他、発振周波数を変化すること、カットオフ位置を変化させることも含まれる。つまり、トリミングとは加工、調整、変更の概念である。以上の事項は本発明の他の実施例でも同様である。   It goes without saying that the above matters can be applied to other embodiments of the present invention. Trimming means element trimming for changing resistance values or function trimming for changing functions, cutting trimming for separating elements such as transistors from wiring, divided trimming for dividing one resistance element into a plurality of parts, and laser light at non-connected portions. Trimming for short-circuiting and connecting by irradiating and adjusting trimming for adjusting the resistance value of a volume or the like. In the case of a transistor, examples include changing the S value, changing μ, changing the WL ratio to change the magnitude of the output current, and changing the rising voltage position. In addition, changing the oscillation frequency and changing the cutoff position are also included. That is, trimming is a concept of processing, adjustment, and change. The above matters are the same in other embodiments of the present invention.

他の構成として、図166の構成も例示される。図166は本発明のソースドライバICの出力段を概念的に図示したものである。電子ボリウム回路501とオペアンプ502によって、ゲート配線152aの電位が決定(調整)される。オペアンプ502、抵抗R1、トランジスタ158aで定電流回路が構成されている。抵抗R1には基準電流Icが流れる。R1に流れる電流値は、オペアンプ502の正極端子印加電圧と、抵抗値R1の値によって決定される。したがって、抵抗R1をトリミングすることによって、基準電流Icの大きさを変化させることができる。変化により出力端子155からの出力電流の大きさを変更あるいは調整できる。抵抗R1は外づけ抵抗にし、ボリウムとしてもよい。また、電子ボリウム回路としてもよい。また、アナログ的に入力してもよい。   As another configuration, the configuration in FIG. 166 is also exemplified. FIG. 166 conceptually shows the output stage of the source driver IC of the present invention. The potential of the gate wiring 152a is determined (adjusted) by the electronic volume circuit 501 and the operational amplifier 502. The operational amplifier 502, the resistor R1, and the transistor 158a constitute a constant current circuit. A reference current Ic flows through the resistor R1. The value of the current flowing through R1 is determined by the voltage applied to the positive terminal of the operational amplifier 502 and the resistance value R1. Therefore, the magnitude of the reference current Ic can be changed by trimming the resistor R1. The magnitude of the output current from the output terminal 155 can be changed or adjusted by the change. The resistor R1 may be an external resistor and may be a volume. Also, an electronic volume circuit may be used. Moreover, you may input in analog.

オペアンプ502からの出力電圧は複数のトランジスタ158aのゲート端子に印加され、抵抗R1に電流Icが流れる。この電流Icは分割され、トランジスタ158bに流れる。この電流によりゲート配線153bを所定の電位にする。ゲート配線153bを複数の箇所に配置されたトランジスタ158bにより電位が固定される。そのため、ゲート配線153bに電位傾きが発生しにくく、出力端子155からの出力バラツキが減少する。   The output voltage from the operational amplifier 502 is applied to the gate terminals of the plurality of transistors 158a, and a current Ic flows through the resistor R1. This current Ic is divided and flows to the transistor 158b. With this current, the gate wiring 153b is set to a predetermined potential. The potential is fixed by the transistor 158b in which the gate wiring 153b is arranged at a plurality of locations. Therefore, a potential gradient is hardly generated in the gate wiring 153b, and output variation from the output terminal 155 is reduced.

以上の実施例は、図43に図示するように、階調ビットに対応して単位トランジスタ154が形成され、オン(端子155に電流を出力する)する単位トランジスタ154の個数を変化させることにより出力電流を変化させるものである。たとえば、図43では、D5ビットには32個の単位トランジスタ154が配置されており、D0ビットには1個の単位トランジスタ154が配置(形成)されており、D1ビットには2個の単位トランジスタ154が配置(形成)されている。   In the above embodiment, as shown in FIG. 43, unit transistors 154 are formed corresponding to gradation bits, and output is performed by changing the number of unit transistors 154 that are turned on (output current to the terminal 155). The current is changed. For example, in FIG. 43, 32 unit transistors 154 are arranged in the D5 bit, one unit transistor 154 is arranged (formed) in the D0 bit, and two unit transistors are arranged in the D1 bit. 154 is arranged (formed).

しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図167に図示するように、各ビットを大きさの異なるトランジスタで構成してもよい。図167において、トランジスタ154bはトランジスタ154aの略2倍の電流を出力し、トランジスタ154fはトランジスタ154eの略2倍の電流を出力する。以上のように、本発明は出力段431cが単位トランジスタ154で構成されていることに限定するものではない。   However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 167, each bit may be composed of transistors having different sizes. In FIG. 167, the transistor 154b outputs approximately twice the current of the transistor 154a, and the transistor 154f outputs approximately twice the current of the transistor 154e. As described above, the present invention is not limited to the case where the output stage 431c includes the unit transistor 154.

図165はゲート配線153の両端をトランジスタ158bで保持する構成であり、図166はゲート配線153の複数のトランジスタ158bで電位保持する構成である。本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図168に図示するように、ゲート配線153の一端をトランジスタ1681で保持し、トランジスタ1681に流れる電流Idでゲート配線153の電位傾きを調整してもよい。トランジスタ1681はゲート端子に接続された抵抗RaとRbの分圧電圧で流れる電流が調整される。抵抗Rbはボリウムに構成するか、トリミングにより抵抗値を調整する。基本的には、トランジスタ1681に流れる電流は微小である。しかし、特殊な動作方法として、トランジスタ1681を完全にすることにより、ゲート配線153の電位をグランド電圧近くに低下される方法が例示される。ゲート配線153をグランド電圧近くに低下させることによりトランジスタ群431cの単位トランジスタ154をオフ状態にできる。つまり、トランジスタ1681の動作により、出力端子155の出力電流をオンオフ制御することができる。   FIG. 165 shows a structure in which both ends of the gate wiring 153 are held by the transistors 158b, and FIG. 166 shows a structure in which potentials are held by the plurality of transistors 158b in the gate wiring 153. The present invention is not limited to this. For example, as illustrated in FIG. 168, one end of the gate wiring 153 may be held by a transistor 1681, and the potential gradient of the gate wiring 153 may be adjusted by a current Id flowing through the transistor 1681. In the transistor 1681, the current flowing by the divided voltage of the resistors Ra and Rb connected to the gate terminal is adjusted. The resistor Rb is configured as a volume, or the resistance value is adjusted by trimming. Basically, the current flowing through the transistor 1681 is very small. However, as a special operation method, a method in which the potential of the gate wiring 153 is lowered to near the ground voltage by completing the transistor 1681 is exemplified. By reducing the gate wiring 153 to near the ground voltage, the unit transistors 154 of the transistor group 431c can be turned off. In other words, the output current of the output terminal 155 can be on / off controlled by the operation of the transistor 1681.

以上の実施例では、トランジスタ(158、154など)をトリミングあるいは調整することにより出力電流などを変化あるいは変更もしくは調整するとした。調整などするトランジスタは具体的には図169に図示するように構成することが好ましい。図169は調整などするトランジスタ1694の構成を概念的に図示したものである。トランジスタ1694はゲート端子1692、ソース端子1691、ドレイン端子1693で構成される。ドレイン端子1693はトリミングしやすいように、複数に分割されている(ドレイン端子1693a、1693b、1693c・・・・・)。図169(a)のA線でカットすることにより、ドレイン端子1693eはカットされ、トランジスタ1693の出力電流を減少させることができる。   In the above embodiment, the output current or the like is changed, changed, or adjusted by trimming or adjusting the transistors (158, 154, etc.). Specifically, the transistor to be adjusted is preferably configured as shown in FIG. FIG. 169 conceptually illustrates the structure of the transistor 1694 to be adjusted. The transistor 1694 includes a gate terminal 1692, a source terminal 1691, and a drain terminal 1693. The drain terminal 1693 is divided into a plurality of pieces (drain terminals 1693a, 1693b, 1693c,...) So as to be easily trimmed. By cutting along line A in FIG. 169 (a), the drain terminal 1693e is cut and the output current of the transistor 1693 can be reduced.

図169(b)はドレイン端子1693のトリミングする間隔を変化させたものである。減少させる電流の大きさに応じて、1箇所以上のドレイン端子1693をトリミングし、出力電流を調整する。図169(b)ではB線の箇所とトリミングしている。   FIG. 169 (b) shows an example in which the trimming interval of the drain terminal 1693 is changed. In accordance with the magnitude of the current to be reduced, one or more drain terminals 1693 are trimmed to adjust the output current. In FIG. 169 (b), the line B is trimmed.

図170は図169の変形例である。図170(a)はゲート端子1692を1692aと1692bに分割した例である。また、図170(b)はドレイン端子1693とソース端子1691にトリミング箇所(C線、D線)を設けた実施例である。   FIG. 170 is a modification of FIG. FIG. 170A shows an example in which the gate terminal 1692 is divided into 1692a and 1692b. FIG. 170B shows an example in which trimming portions (C line and D line) are provided in the drain terminal 1693 and the source terminal 1691.

なお、以上の実施例では、ドレイン端子1693あるいはソース端子1691を1箇所あるいは複数箇所をトリミングするとしたが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、ゲート端子1692をトリミングしてもよい。また、トリミングだけに限定するものではなく、トランジスタ1694の半導体膜に、レーザー光あるいは熱的エネルギーを照射し、トランジスタ1694を劣化させることにより、出力電流などを調整してもよいことは言うまでもない。また、図169、図170などの実施例はトランジスタだけに限定されるものではなく、ダイオード、水晶、サイリスタ、コンデンサ、抵抗などに適用してもよいことはいうまでもない。   In the above embodiments, the drain terminal 1693 or the source terminal 1691 is trimmed at one place or a plurality of places, but the present invention is not limited to this. For example, the gate terminal 1692 may be trimmed. Further, the invention is not limited to trimming. Needless to say, output current or the like may be adjusted by irradiating the semiconductor film of the transistor 1694 with laser light or thermal energy to degrade the transistor 1694. Further, it is needless to say that the embodiments of FIGS. 169 and 170 are not limited to transistors, but may be applied to diodes, crystals, thyristors, capacitors, resistors, and the like.

また、図167に図示するように、各ビットでトランジスタサイズが異なる場合(ビットの大きさに比例する場合など)は、トリミングする長さ(ドレインなどの長さ)もビットの大きさに比例するように構成することが好ましい。この実施例を図175(a)(b)(c)に図示している。   As shown in FIG. 167, when the transistor size is different for each bit (such as when proportional to the bit size), the trimming length (such as the drain length) is also proportional to the bit size. It is preferable to configure as described above. This embodiment is shown in FIGS. 175 (a) (b) (c).

図175(a)(b)(c)では、図175(a)が下位ビットであり、図175(c)が上位ビットである。また、図175(b)が図175(a)と図175(c)の中間ビットの状態(構成)である。下位ビットのトリミング長さAは、上位ビットのトリミング長さCよりも短くなるように構成している。トリミング長さは、トランジスタの電流変化量に比例する。したがって、上位ビットのトランジスタの方がトリミング変化量は大きくなるように構成している。以上のように、本発明はトランジスタの大きさ、ビット位置などに応じて変化させてもよいことはいうまでもない。つまり、各ビットで一様にすることに限定されるものではない。   In FIGS. 175 (a) (b) (c), FIG. 175 (a) is the lower bit and FIG. 175 (c) is the upper bit. FIG. 175 (b) shows the state (configuration) of the intermediate bits in FIGS. 175 (a) and 175 (c). The lower bit trimming length A is configured to be shorter than the upper bit trimming length C. The trimming length is proportional to the current change amount of the transistor. Therefore, the upper bit transistor is configured to have a larger trimming change amount. As described above, it goes without saying that the present invention may be changed according to the size of the transistor, the bit position, and the like. That is, it is not limited to making it uniform for each bit.

図43は、各ビットに必要数の単位トランジスタ154を形成または配置した例である。しかし、単位トランジスタ154は形成バラツキがある。そのため、出力端子155からの出力はばらつく。このばらつきを低減するためには、各ビットの出力電流を調整する必要がある。出力電流の調整には、あらかじめ余分の単位トランジスタ154を形成しておき、この余分の単位トランジスタ154を出力端子155から切断することにより調整すればよい。なお、余分の単位トランジスタ154は他の単位トランジスタ154と同一サイズにする必要はない。余分の単位トランジスタ154は小さめに形成(分担する出力電流を小さく)することが好ましい。   FIG. 43 shows an example in which the required number of unit transistors 154 are formed or arranged for each bit. However, the unit transistor 154 has a variation in formation. For this reason, the output from the output terminal 155 varies. In order to reduce this variation, it is necessary to adjust the output current of each bit. To adjust the output current, an extra unit transistor 154 is formed in advance, and the extra unit transistor 154 may be adjusted by disconnecting from the output terminal 155. The extra unit transistors 154 need not have the same size as the other unit transistors 154. It is preferable that the extra unit transistor 154 is formed smaller (ie, the shared output current is reduced).

図171は上記説明の実施例である。D0ビットには3つの単位トランジスタ154が形成されている。3つのうち、1つが正規の単位トランジスタ154であり、他の2つがトリミングにより調整され、必要があるときは、切り離される単位トランジスタ154(単位トランジスタ154と呼ぶよりは調整用トランジスタである)である。   FIG. 171 shows the embodiment described above. Three unit transistors 154 are formed in the D0 bit. Of the three, one is a regular unit transistor 154, and the other two are unit transistors 154 that are adjusted by trimming and are disconnected when necessary (referred to as adjustment transistors rather than unit transistors 154). .

同様に、D1ビットには4つの単位トランジスタ154が形成されている。4つのうち、2つが正規の単位トランジスタ154であり、他の2つがトリミングにより調整され、必要があるときは、切り離される単位トランジスタ154(単位トランジスタ154と呼ぶよりは調整用トランジスタである)である。また、同様に、D2ビットには8つの単位トランジスタ154が形成されている。8つのうち、4つが正規の単位トランジスタ154であり、他の4つがトリミングにより調整され、必要があるときは、切り離される単位トランジスタ154(単位トランジスタ154と呼ぶよりは調整用トランジスタである)である。   Similarly, four unit transistors 154 are formed in the D1 bit. Of the four, two are regular unit transistors 154, and the other two are unit transistors 154 that are adjusted by trimming and are disconnected when necessary (adjustment transistors rather than unit transistors 154). . Similarly, eight unit transistors 154 are formed in the D2 bit. Of the eight, four are regular unit transistors 154 and the other four are unit transistors 154 that are adjusted by trimming and are disconnected when necessary (adjustment transistors rather than unit transistors 154). .

以上のように調整用トランジスタ154(図171でBで示す)は出力電流を調整するためにトリミングなどが施される。Bで示すトランジスタはAの矢印が示すライン上に配置されている。したがって、レーザー光などでスキャンする際に、スキャン方向を一方向に移動させるだけで調整用トランジスタをトリミングすることができる。したがって、高速トリミングを実施することができる。   As described above, the adjustment transistor 154 (indicated by B in FIG. 171) is trimmed to adjust the output current. The transistor indicated by B is arranged on the line indicated by the arrow A. Therefore, when scanning with a laser beam or the like, the adjustment transistor can be trimmed only by moving the scanning direction in one direction. Therefore, high-speed trimming can be performed.

以上の実施例は、出力段が単位トランジスタ154などで構成された実施例である。しかし、トリミングなどにより出力電流を調整する方法などは、本発明はこれに限定されるものではない。図172に図示するように、各出力端子155に接続される出力段をオペアンプ502とトランジスタ158bおよび抵抗R1で形成した実施例にも適用できる。   In the above embodiment, the output stage is configured by the unit transistor 154 and the like. However, the method of adjusting the output current by trimming or the like is not limited to this. As shown in FIG. 172, the present invention can also be applied to an embodiment in which an output stage connected to each output terminal 155 is formed by an operational amplifier 502, a transistor 158b, and a resistor R1.

図172で図示する各出力段は、オペアンプ502とトランジスタ158bおよび抵抗R1で電流回路を構成している。電流の大きさは抵抗R1で調整され、階調は、回路862から出力される階調電圧により表現される。   In each output stage illustrated in FIG. 172, an operational amplifier 502, a transistor 158b, and a resistor R1 form a current circuit. The magnitude of the current is adjusted by the resistor R1, and the gradation is expressed by a gradation voltage output from the circuit 862.

図172で図示する各出力段は、レーザー装置1621などによりレーザー光1622などが照射されトリミングされる。各出力段に対応する抵抗R1を順次トリミングしていくことにより、出力電流のバラツキが発生しないようにすることができる。   Each output stage illustrated in FIG. 172 is trimmed by being irradiated with laser light 1622 or the like by a laser device 1621 or the like. By sequentially trimming the resistor R1 corresponding to each output stage, variations in output current can be prevented.

なお、図172では、回路862から出力されるアナログ電圧で出力電流が決定される。ただし、本発明はこれに限定するものではなく、図174に図示するように、デジタル8ビットのデジタルデータをDA回路661でアナログ電圧に変換し、オペアンプ502aに印加してもよいことは言うまでもない。   Note that in FIG. 172, the output current is determined by the analog voltage output from the circuit 862. However, the present invention is not limited to this, and it goes without saying that digital 8-bit digital data may be converted into an analog voltage by the DA circuit 661 and applied to the operational amplifier 502a as shown in FIG. .

また、図209に図示するように、出力段は、映像データに対応する電流Icを流すトランジスタ158bと1対1で構成されるトランジスタ154からなるカレントミラー回路で構成してもよい。各出力段には、DA回路501とオペアンプ502、内蔵抵抗R1、トランジスタ158aなどからなる電流回路が構成されている。抵抗R1にトリミングなどを施すことにより出力ばらつきは極めて小さくすることができる。   In addition, as illustrated in FIG. 209, the output stage may be configured by a current mirror circuit including a transistor 154 configured to have a one-to-one relationship with a transistor 158b that supplies a current Ic corresponding to video data. Each output stage includes a current circuit including a DA circuit 501, an operational amplifier 502, a built-in resistor R1, a transistor 158a, and the like. The output variation can be made extremely small by trimming the resistor R1.

図210は図209の類似の構成である。サンプリング回路862から映像データに対応する電流Icがトランジスタ158bに供給される。トランジスタ158bとトランジスタ154とはN倍のカレントミラー回路を構成している。   FIG. 210 is a configuration similar to that of FIG. A current Ic corresponding to the video data is supplied from the sampling circuit 862 to the transistor 158b. The transistor 158b and the transistor 154 constitute an N-fold current mirror circuit.

図172は抵抗R1を必要に応じて順次トリミングするとしたが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図173に図示するように出力段431cを必要に応じてトリミングしてもよいことはいうまでもない。トリミングの必要度の判断は、端子155を検査用の端子1734などに接触させ、選択スイッチ1731、共通線1732を介して電流計(電流測定手段)1733に接続する。選択スイッチ1731は順次オンし、出力段431cからの電流を電流計1733に印加する。トリミング手段1632は電流計1733の測定電流値に基づき、単位トランジスタ、抵抗などをトリミングして所定値に調整する。   In FIG. 172, the resistor R1 is sequentially trimmed as necessary, but the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 173, it goes without saying that the output stage 431c may be trimmed as necessary. In determining the necessity of trimming, the terminal 155 is brought into contact with the inspection terminal 1734 and the like, and connected to an ammeter (current measuring means) 1733 via the selection switch 1731 and the common line 1732. The selection switch 1731 is sequentially turned on, and the current from the output stage 431 c is applied to the ammeter 1733. The trimming means 1632 trims unit transistors, resistors, and the like based on the measured current value of the ammeter 1733 and adjusts them to a predetermined value.

以上の実施例は、電流の出力段などをトリミングして出力電流バラツキなどを変更あるいは調整するものであった。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図176に図示するように基準電流を発生あるいは所定値にする抵抗Ra、Rbなどをトリミングすることにより、基準電流Icを調整し、出力電流を変化あるいは調整してもよいことは言うまでもない。   In the above embodiment, the output current variation or the like is changed or adjusted by trimming the current output stage or the like. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 176, it is needless to say that the reference current Ic may be adjusted and the output current may be changed or adjusted by trimming resistors Ra and Rb that generate the reference current or set a predetermined value. .

図60などの回路構成ではホワイトバランス調整が容易である。まず、RGBの電子ボリウム501を同一の設定値に調整する。次に外付け抵抗R1r、R1g、R1bを調整してホワイトバランスを調整する。   In the circuit configuration shown in FIG. 60 and the like, white balance adjustment is easy. First, the RGB electronic volume 501 is adjusted to the same set value. Next, the white balance is adjusted by adjusting the external resistors R1r, R1g, and R1b.

電流ドライバIC(回路)14では、いずれかの電子ボリウムの設定値でホワイトバランスをとれば電子ボリウム501の値を同一にすればホワイトバランスを維持したまま、表示画面144の輝度調整を行えるという特徴がある。なお、601は基準電流回路である。   The current driver IC (circuit) 14 is characterized in that if white balance is achieved with any electronic volume setting value, the luminance of the display screen 144 can be adjusted while maintaining the white balance if the value of the electronic volume 501 is the same. There is. Reference numeral 601 denotes a reference current circuit.

図60は、トランジスタ群431cの両側から給電する構成であるが、上記事項はこれに限定するものではない。図61に図示するように、片側給電構成でも同様である。まず、R、G、Bの電子ボリウム501が同一の設定値で、外付け抵抗R1r、R1g、R1bを調整してホワイトバランスをとる。一般的にR回路のIcr、G回路のIcg、B回路のIcbを各RGBのEL素子の発光効率を考慮して所定の比率とすることによりホワイトバランスをとる。   FIG. 60 shows a configuration in which power is supplied from both sides of the transistor group 431c, but the above items are not limited to this. As shown in FIG. 61, the same applies to the one-side power feeding configuration. First, the R, G, B electronic controls 501 are set to the same setting value, and the external resistors R1r, R1g, R1b are adjusted to achieve white balance. Generally, white balance is achieved by setting Icr of the R circuit, Icg of the G circuit, and Icb of the B circuit to a predetermined ratio in consideration of the light emission efficiency of each RGB EL element.

電流ドライバIC(回路)14では、どこかの電子ボリウムの設定値でホワイトバランスをとれば電子ボリウム501の値を同一にすればホワイトバランスを維持したまま、表示画面144の輝度調整を行えるという特徴がある。なお、RGBの電子ボリウムは、R、G、B独立に形成または配置することが好ましいが、これに限定するものではない。たとえば、R、G、Bで1つの電子ボリウム501でもホワイトバランスを維持したまま画面輝度を調整することが可能である。   The current driver IC (circuit) 14 is characterized in that if the white balance is set at a set value of some electronic volume, the luminance of the display screen 144 can be adjusted while maintaining the white balance if the value of the electronic volume 501 is made the same. There is. In addition, although it is preferable to form or arrange | position R, G, and B independently, the electronic volume of RGB is not limited to this. For example, it is possible to adjust the screen brightness while maintaining white balance even with one electronic volume 501 for R, G, and B.

本発明では、ソースドライバIC(回路)14の内部に電子ボリウムを形成または配置することのより、ソースドライバIC(回路)14の外部からのデジタルデータ制御により基準電流を可変あるいは変更することができる。この事項は、電流駆動ドライバにおいて重要な事項である。電流駆動では、映像データがEL素子15に流れる電流に比例する。したがって、映像データをロジック処理することにより全EL素子に流れる電流を制御できる。基準電流もEL素子15に流れる電流に比例するから、基準電流をデジタル制御することにより、全EL素子15に流れる電流を制御できる。以上のことから、映像データに基づき、基準電流制御を実施することにより、表示輝度のダイナミックレンジの拡大などを容易に実現できる。   In the present invention, by forming or arranging an electronic volume inside the source driver IC (circuit) 14, the reference current can be varied or changed by digital data control from the outside of the source driver IC (circuit) 14. . This matter is an important matter in the current drive driver. In current driving, video data is proportional to the current flowing through the EL element 15. Therefore, the current flowing through all the EL elements can be controlled by performing logic processing on the video data. Since the reference current is also proportional to the current flowing through the EL elements 15, the current flowing through all the EL elements 15 can be controlled by digitally controlling the reference current. From the above, by performing the reference current control based on the video data, it is possible to easily realize the expansion of the dynamic range of display luminance.

基準電流の変更あるいは変化させることにより、単位トランジスタ154の出力電流を変化することができる。たとえば、基準電流Icが100μAの時に、1つの単位トランジスタ154がオン状態での出力電流が1μAとする。この状態で、基準電流Icを50μAにすれば、1つの単位トランジスタ154の出力電流は0.5μAとなる。同様に、基準電流Icを200μAにすれば、1つの単位トランジスタ154の出力電流は2.0μAとなる。つまり、基準電流Icと単位トランジスタ154の出力電流Idは比例関係を満足することが好ましい(図62の実線aを参照のこと)。   By changing or changing the reference current, the output current of the unit transistor 154 can be changed. For example, when the reference current Ic is 100 μA, the output current when one unit transistor 154 is on is 1 μA. In this state, if the reference current Ic is 50 μA, the output current of one unit transistor 154 is 0.5 μA. Similarly, if the reference current Ic is 200 μA, the output current of one unit transistor 154 is 2.0 μA. That is, it is preferable that the reference current Ic and the output current Id of the unit transistor 154 satisfy a proportional relationship (see a solid line a in FIG. 62).

基準電流Icを設定する設定データと基準電流Icとは比例関係となるように構成することが好ましい。たとえば、設定データが1の時、基準電流Icが100μAとし、これと基底とするならば、設定データが100の時、基準電流Icが200μAとなるようにする。つまり、設定データが1増加すると、基準電流Icが1μA増加するように構成することが好ましい。   The setting data for setting the reference current Ic and the reference current Ic are preferably configured to have a proportional relationship. For example, when the setting data is 1, the reference current Ic is 100 μA, and if this is the base, the reference current Ic is 200 μA when the setting data is 100. That is, it is preferable that the reference current Ic increase by 1 μA when the setting data increases by one.

以上のように構成することにより、電子ボリウム501の設定データにより、RGBの基準電流(Icr、Icg、Icb)は線形関係を保持したまま変化することができる。したがって、線形関係を保持していることから、いずれかの設定データ時に、ホワイトバランスを調整すれば、どの設定データの時でもホワイトバランスが維持される。この構成において、先に説明した外付け抵抗R1r、R1g、R1bを調整してホワイトバランスを構成は重要性がある(特徴ある構成である)。   With the configuration described above, the RGB reference currents (Icr, Icg, Icb) can be changed while maintaining a linear relationship according to the setting data of the electronic volume 501. Accordingly, since the linear relationship is maintained, if the white balance is adjusted at any setting data, the white balance is maintained at any setting data. In this configuration, it is important to configure the white balance by adjusting the external resistors R1r, R1g, and R1b described above (this is a characteristic configuration).

以上の実施例では、外付け抵抗でホワイトバランスを調整するとしたが、抵抗R1はICチップに内蔵させてもよいことは言うまでもない。   In the above embodiment, the white balance is adjusted by an external resistor, but it goes without saying that the resistor R1 may be built in the IC chip.

また、図63に図示するように、抵抗値を調整あるいは制御するスイッチSを付加してもよい。たとえば、図63(a)はスイッチS1の選択により外付け抵抗はR1となる。また、スイッチS2の選択により、外付け抵抗はR2となる。また、スイッチS1とS2の両方野の選択により、外付け抵抗はR1とR2とを並列に接続した抵抗値になる。   Further, as shown in FIG. 63, a switch S for adjusting or controlling the resistance value may be added. For example, in FIG. 63 (a), the external resistor is R1 due to the selection of the switch S1. Further, the external resistor becomes R2 depending on the selection of the switch S2. Further, by selecting both the switches S1 and S2, the external resistance becomes a resistance value in which R1 and R2 are connected in parallel.

図63(b)は直列に抵抗R1とR2を接続し、スイッチSの制御により外付け抵抗をR1+R2としたり、R1としたりできるように構成したものである。   FIG. 63B shows a configuration in which resistors R1 and R2 are connected in series, and an external resistor can be set to R1 + R2 or R1 by the control of the switch S.

図63のように構成することにより、基準電流Icの変化範囲を拡大することができる。つまり、電子ボリウム501の設定データだけでなく、スイッチSの制御により基準電流を調整できるからである。したがって、本発明のEL表示パネルの輝度調整範囲(ダイナミックレンジ)を拡大できる。   With the configuration as shown in FIG. 63, the change range of the reference current Ic can be expanded. That is, the reference current can be adjusted not only by the setting data of the electronic volume 501 but also by the control of the switch S. Therefore, the luminance adjustment range (dynamic range) of the EL display panel of the present invention can be expanded.

本発明において、電子ボリウム501の1ステップ変化による基準電流の変化は3%程度にしている。たとえば、基準電流が1倍から3倍まで変化し、電子ボリウムのステップ数が6ビットの64ステップであれば、(3−1)/64=0.03となり、約3%である。   In the present invention, the change in the reference current due to the one-step change in the electronic volume 501 is set to about 3%. For example, if the reference current changes from 1 to 3 times and the number of steps of the electronic volume is 64 steps of 6 bits, (3-1) /64=0.03, which is about 3%.

1ステップあたりの基準電流の変化が大きいと、電子ボリウムを変化させた時の表示画面144輝度変化が大きく、変化した時にフリッカとして認識されてしまう。逆に、1ステップあたりの基準電流変化が小さいと、表示画面144輝度変化が小さく輝度調整のダイナミック変化が乏しくなる。また、ステップ数を大きくすることは、電子ボリウム501サイズを大きくすることに直結し、ソースドライバIC14のサイズを大きくなりコストが高くなる。   If the change in the reference current per step is large, the change in luminance of the display screen 144 when the electronic volume is changed is large, and the change is recognized as flicker. Conversely, if the change in the reference current per step is small, the change in luminance of the display screen 144 is small and the dynamic change in luminance adjustment is poor. In addition, increasing the number of steps is directly connected to increasing the size of the electronic volume 501, which increases the size of the source driver IC 14 and increases the cost.

以上のことから、1ステップあたりの基準電流の変化は、1%以上8%以下のきざみにすることが好ましい(ただい、基底を基準としている)。さらには、1%以上5%以下のきざみにすることが好ましい。たとえば、電子ボリウム501が8ビット(256ステップ)とし、基準電流の変化が1倍から10倍までとすると、(10−1)/256=3.5%きざみとなり、条件1%以上5%以下を満足している。   From the above, it is preferable that the change in the reference current per step is in increments of 1% or more and 8% or less (although it is based on the base). Furthermore, it is preferable to make a unit of 1% or more and 5% or less. For example, if the electronic volume 501 is 8 bits (256 steps) and the change in the reference current is from 1 to 10 times, (10-1) /256=3.5% increments, and the condition is 1% or more and 5% or less. Is satisfied.

以上の実施例では1ステップあたりの基準電流の変化として説明したが、基準電流の変化は、画面輝度の変化であるから、電子ボリウム501の1ステップあたりの表示画面144輝度変化あるいはアノード(もしくはカソード)電流の変化としても言い換えることができることは言うまでもない。   In the above embodiment, the change in the reference current per step has been described. However, since the change in the reference current is a change in screen luminance, the change in the display screen 144 luminance per step of the electronic volume 501 or the anode (or cathode). It goes without saying that it can be rephrased as a change in current.

以上の実施例において、図62の実線aに図示するように、基準電流Icと単位トランジスタ154の出力電流Idは比例関係を満足することが好ましいとしたが、これに限定するものではない。たとえば、図62の点線bで示すように、非線形(1.8乗から2.8乗の範囲が好ましい)としてもよい。非線形(1.8乗から2.8乗の範囲が好ましい)とすることにより、電子ボリウム501の設計データに対する基準電流の変化が人間の視覚特性の2乗カーブに近づくため、階調特性が良好となる。   In the above embodiment, as shown by the solid line a in FIG. 62, it is preferable that the reference current Ic and the output current Id of the unit transistor 154 satisfy the proportional relationship, but the present invention is not limited to this. For example, as indicated by a dotted line b in FIG. 62, non-linearity (preferably in the range of 1.8 to 2.8) may be used. By making it non-linear (preferably in the range of 1.8 to 2.8), the change in the reference current with respect to the design data of the electronic volume 501 approaches the square curve of human visual characteristics, so the gradation characteristics are good It becomes.

なお、以上の実施例では、電子ボリウム501の設定データで基準電流を変化させるとしたが、これに限定するものではない。図64、図65に図示するように電圧入出力端子643により基準電流を変化あるいは調整もしくは制御してもよいことは言うまでもない。   In the above embodiment, the reference current is changed by the setting data of the electronic volume 501. However, the present invention is not limited to this. Needless to say, the reference current may be changed, adjusted, or controlled by the voltage input / output terminal 643 as shown in FIGS.

図50、図60、図61などのの電子ボリウム501の構成は、図64のように構成してもよい。図64において、ラダー抵抗641(抵抗アレイあるいはトランジスタアレイ)とスイッチ642が電子ボリウム501に対応する。なお、ラダー抵抗641は一定間隔あるいは所定の間隔きざみの電圧を発生する手段であればいずれでもよい。たとえば、トランジスタをダイオード接続してもよいし、トランジスタのオン抵抗で構成あるいは形成してよいことはいうまでもない。   The electronic volume 501 shown in FIGS. 50, 60, 61 and the like may be configured as shown in FIG. In FIG. 64, a ladder resistor 641 (resistance array or transistor array) and a switch 642 correspond to the electronic volume 501. Note that the ladder resistor 641 may be any means that generates a voltage at a constant interval or a predetermined interval. For example, it goes without saying that the transistor may be diode-connected, or may be configured or formed by the on-resistance of the transistor.

なお、以上のラダー抵抗641とスイッチ回路642などからなる構成、方式あるいは電圧入出力端子643の構成、方式などは、図75などのプリチャージ構成に適用できることはいうまでもない。また、図146、図147などのカラーマネージメント処理構成にも適用できる。また、図140、図141、図143などの電圧プログラム構成にも適用できることはいうまでもない。   Needless to say, the configuration and method including the ladder resistor 641 and the switch circuit 642 described above or the configuration and method of the voltage input / output terminal 643 can be applied to the precharge configuration shown in FIG. Further, the present invention can be applied to the color management processing configuration shown in FIGS. 146 and 147. Needless to say, the present invention can also be applied to the voltage program configuration shown in FIGS. 140, 141, 143, and the like.

また、図64、図65の構成は、図56、図57の構成にも適用できる。また、図50などのように、ソースドライバIC(回路)14の両側から基準電流を印加する構成にも適用できる。また、図46、図61などにも適用できることはいうまでもない。   The configurations of FIGS. 64 and 65 can also be applied to the configurations of FIGS. 56 and 57. Further, the present invention can also be applied to a configuration in which a reference current is applied from both sides of a source driver IC (circuit) 14 as shown in FIG. Needless to say, the present invention can also be applied to FIGS.

図64において、トランジスタ158arがR回路の基準電流Icrを発生させ、トランジスタ158agがG回路の基準電流Icgを発生させる。また、トランジスタ158abがB回路の基準電流Icbを発生させる。   In FIG. 64, a transistor 158ar generates a reference current Icr for the R circuit, and a transistor 158ag generates a reference current Icg for the G circuit. The transistor 158ab generates a reference current Icb for the B circuit.

図64ではラダー抵抗641をRGBの3つのスイッチ回路(642r、642g、642b)で共用している。したがって、ソースドライバIC(回路)14内のラダー抵抗641の形成面積を小さくすることができる。   In FIG. 64, the ladder resistor 641 is shared by the three RGB switch circuits (642r, 642g, 642b). Therefore, the formation area of the ladder resistor 641 in the source driver IC (circuit) 14 can be reduced.

図64、図65においても、スイッチ回路642の設定データにより、RGBの基準電流(Icr、Icg、Icb)は線形関係を保持したまま変化することができる。したがって、線形関係を保持していることから、いずれかの設定データ時に、ホワイトバランスを調整すれば、どの設定データの時でもホワイトバランスが維持される。この構成において、先に説明した外付け抵抗R1r、R1g、R1bを調整してホワイトバランスをとることができる。   Also in FIGS. 64 and 65, the RGB reference currents (Icr, Icg, Icb) can be changed while maintaining the linear relationship according to the setting data of the switch circuit 642. Accordingly, since the linear relationship is maintained, if the white balance is adjusted at any setting data, the white balance is maintained at any setting data. In this configuration, white balance can be achieved by adjusting the external resistors R1r, R1g, and R1b described above.

図64において、電圧入出力端子643はドライバIC(回路)14の外部からのアナログ電圧を入力する端子である。アナログ電圧により基準電流Icを変化あるいは調整することができる。したがって、スイッチ回路642のよらず、ホワイトバランス調整、表示画面144輝度調整を実施することができる。   In FIG. 64, a voltage input / output terminal 643 is a terminal for inputting an analog voltage from the outside of the driver IC (circuit) 14. The reference current Ic can be changed or adjusted by the analog voltage. Therefore, white balance adjustment and display screen 144 brightness adjustment can be performed without using the switch circuit 642.

図346は図65の変形例である。図346では電子ボリウム501を赤色緑色青色用の基準電流発生回路(RGB回路)で共通にし、RGBの基準電流の大きさは内蔵あるいは外づけ抵抗R(赤用R1、緑用R2、青用R3)もしくはソースドライバ回路(IC)14の内蔵抵抗で調整してホワイトバランスを維持している。抵抗Rが内蔵の場合は、トリミングなどによりホワイトバランスが取れるように調整する。もちろん、外づけ抵抗Rをボリウムとしてもよいことは言うまでもない。   FIG. 346 is a modification of FIG. In FIG. 346, the electronic volume 501 is shared by the reference current generation circuit (RGB circuit) for red, green, and blue, and the reference current of RGB is set to a built-in or external resistor R (red R1, green R2, and blue R3). ) Or the white balance is maintained by adjusting the internal resistance of the source driver circuit (IC) 14. When the resistor R is built-in, the white balance is adjusted by trimming or the like. Of course, it goes without saying that the external resistor R may be a volume.

また、抵抗Rは基準電流を調整あるいは設定する手段であればいずれの構成でもよい。ツエナーダイオード、トランジスタ、サイリスタなどの非線形素子であってもよい。また、定電圧レギュレータ、スイッチング電源などの回路あるいは素子であってもよい。また、抵抗Rの替わりにポジスタ、サーミスタなどの素子でもよい。基準電流の調整あるいは設定とともに、温度補償も同時に実施することができる。その他、基準電流を発生する定電流回路であってもよい。   The resistor R may have any configuration as long as it is a means for adjusting or setting the reference current. Nonlinear elements such as Zener diodes, transistors, and thyristors may be used. Further, it may be a circuit or an element such as a constant voltage regulator or a switching power supply. Instead of the resistor R, an element such as a posistor or thermistor may be used. The temperature compensation can be performed simultaneously with the adjustment or setting of the reference current. In addition, a constant current circuit that generates a reference current may be used.

図346では、IDATA(基準電流を設定するデータ)により電子ボリウム501の内蔵スイッチが指定され、Vx電圧(基準電流を設定する電圧)が電子ボリウム501から出力される。Vx電圧がオペアンプ502(赤用502R、緑用502R、青用502R)の正極端子に印加される。したがって、赤の基準電流Icr=Vx/R1、緑の基準電流Icr=Vx/R2、青の基準電流Icr=Vx/R3となる。これらの基準電流でホワイトバランスをとる。また、これらの基準電流がRGBのプログラム電流の大きさが決定される(図60、図61などを参照のこと)。なお、基準電流の設定は、1フレーム(1フィールド)ごとなど比較的長周期で設定するだけでよい。変化する画面(画像)に対応して設定すれば十分だからである。   In FIG. 346, the internal switch of the electronic volume 501 is designated by IDATA (data for setting the reference current), and the Vx voltage (voltage for setting the reference current) is output from the electronic volume 501. The Vx voltage is applied to the positive terminal of the operational amplifier 502 (red 502R, green 502R, blue 502R). Therefore, the red reference current Icr = Vx / R1, the green reference current Icr = Vx / R2, and the blue reference current Icr = Vx / R3. A white balance is obtained with these reference currents. Also, the magnitudes of the RGB program currents are determined based on these reference currents (see FIGS. 60 and 61). The reference current need only be set at a relatively long period, such as every frame (one field). This is because it is sufficient to set corresponding to the changing screen (image).

IDATAによりRGBの基準電流の大きさは変化するが、IDATAの大きさと、RGBの基準電流Icとは線形の関係で変化する。したがって、IDATAが変化してもホワイトバランスは維持される。また、IDATAの大きさに比例して画面144の輝度が変化する(duty比が固定の場合)。つまり、IDATAにより画面輝度144をリニアかつホワイトバランスを維持したまま制御することができる。リニアに変化するため、duty比制御との組合せ制御も非常に容易になる(図93〜図116などを参照のこと)。この点は本発明の有効な特徴である。他の点は、図64、図65などと同様であるので説明を省略する。   Although the magnitude of the RGB reference current varies with IDATA, the magnitude of IDATA and the RGB reference current Ic vary in a linear relationship. Therefore, white balance is maintained even if IDATA changes. In addition, the brightness of the screen 144 changes in proportion to the size of IDATA (when the duty ratio is fixed). In other words, the screen brightness 144 can be controlled by IDATA while maintaining the linear and white balance. Since it changes linearly, the combination control with the duty ratio control becomes very easy (see FIGS. 93 to 116, etc.). This is an effective feature of the present invention. The other points are the same as in FIG. 64, FIG.

なお、図64、図65などにおいて、スイッチ回路642は設定データが0の時、すべてのスイッチがオープン状態になるように構成されている。したがって、スイッチ回路642の設定データが0で電圧入出力端子642の入力電圧が有効になるように制御される。逆に、スイッチ回路642の設定データが0以外の場合は、ラダー抵抗641からの電圧がオペアンプ502の正極端子に入力される。   In FIG. 64, FIG. 65, etc., the switch circuit 642 is configured such that when the setting data is 0, all the switches are open. Therefore, the setting data of the switch circuit 642 is 0 and the input voltage of the voltage input / output terminal 642 is controlled to be valid. Conversely, when the setting data of the switch circuit 642 is other than 0, the voltage from the ladder resistor 641 is input to the positive terminal of the operational amplifier 502.

電圧入出力端子643はスイッチ回路642からの出力電圧のモニター端子とも機能する。つまり、ラダー抵抗641の選択電圧がスイッチ回路642で選択され、選択されたいずれの電圧がオペアンプ502に入力されているかをモニターできる。   The voltage input / output terminal 643 also functions as a monitor terminal for the output voltage from the switch circuit 642. That is, the selection voltage of the ladder resistor 641 is selected by the switch circuit 642, and it can be monitored which selected voltage is input to the operational amplifier 502.

図64は、ラダー抵抗641(きざみ電圧出力手段)とRGBのスイッチ回路642間の配線が多いため、チップ面積を必要とする。図65は、RGBで1つのスイッチ回路642とした実施例である。以上の構成によっても、ホワイトバランス調整などは実用上問題なく実現できる。   In FIG. 64, since there are many wirings between the ladder resistor 641 (step voltage output means) and the RGB switch circuit 642, a chip area is required. FIG. 65 shows an embodiment in which one switch circuit 642 is used for RGB. Even with the above configuration, white balance adjustment and the like can be realized without any problem in practice.

以上の実施例は、電子ボリウム501、スイッチ回路642をデジタルの設定データにより変化させるものであった。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図66(a)(b)に図示するように、デジタル−アナログ変換回路(D/A回路)661により、オペアンプ502の入力電圧(c点で示す)を変化(変更)して基準電流Icを制御してもよいことは言うまでもない。   In the above embodiment, the electronic volume 501 and the switch circuit 642 are changed by digital setting data. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIGS. 66 (a) and 66 (b), the digital-analog conversion circuit (D / A circuit) 661 changes (changes) the input voltage (indicated by point c) of the operational amplifier 502 to change the reference current. It goes without saying that Ic may be controlled.

図44に図示するようなソースドライバ回路14では、特に表示パネルに画像を表示するとソース信号線18に印加された電流によりソース信号線18電位が変動する。この電位変動によいソースドライバIC14のゲート配線153がゆれる課題がある(図52を参照のこと)。図52に図示するように、ソース信号線18に印加される映像信号が変化するポイントでゲート配線153にリンキングが発生する。リンキングによりゲート配線153の電位が変化するから、単位トランジスタ154のゲート電位が変化し、出力電流が変動する。特に、ゲート配線153の電位変動は、ゲート信号線14に沿ったクロストーク(横クロストーク)となる。   In the source driver circuit 14 as shown in FIG. 44, particularly when an image is displayed on the display panel, the potential of the source signal line 18 varies depending on the current applied to the source signal line 18. There is a problem that the gate wiring 153 of the source driver IC 14 which is good against this potential fluctuation is swayed (see FIG. 52). As shown in FIG. 52, linking occurs in the gate wiring 153 at the point where the video signal applied to the source signal line 18 changes. Since the potential of the gate wiring 153 changes due to linking, the gate potential of the unit transistor 154 changes and the output current fluctuates. In particular, the potential fluctuation of the gate wiring 153 becomes crosstalk (lateral crosstalk) along the gate signal line 14.

この揺れ(ゲート配線153のリンキング(図52を参照のこと))は、ソースドライバIC14の電源電圧が影響する。電源電圧が高いほどリンキングする波高値が大きくなるからでる。最悪、電源電圧も振幅する。ゲート配線153の電圧は、定常値が0.55〜0.65(V)である。したがって、わずかなリンキングの発生でも出力電流の大きさの変動値は大きい。   This fluctuation (linking of the gate wiring 153 (see FIG. 52)) is influenced by the power supply voltage of the source driver IC 14. This is because the peak value of linking increases as the power supply voltage increases. Worst, the power supply voltage also swings. The voltage of the gate wiring 153 has a steady value of 0.55 to 0.65 (V). Therefore, even if slight linking occurs, the fluctuation value of the magnitude of the output current is large.

図67はソースドライバIC14の電源電圧が1.8(V)の時を基準にしたゲート配線の電位変動比率である。変動比率はソースドライバIC14の電源電圧が高くなるにつれて変動比率も大きくなる。変動比率の許容範囲は3程度である。これ以上変動比率が大きいと、横クロストークが発生する。また、変動比率はIC電源電圧が13〜15(V)以上で電源電圧に対する変化割合が大きくなる傾向がある。したがって、ソースドライバIC14の電源電圧は13(V)以下にする必要がある。   FIG. 67 shows the potential fluctuation ratio of the gate wiring with reference to the time when the power supply voltage of the source driver IC 14 is 1.8 (V). The variation ratio increases as the power supply voltage of the source driver IC 14 increases. The allowable range of the fluctuation ratio is about 3. If the fluctuation ratio is larger than this, lateral crosstalk occurs. The variation ratio tends to increase with respect to the power supply voltage when the IC power supply voltage is 13 to 15 (V) or higher. Therefore, the power supply voltage of the source driver IC 14 needs to be 13 (V) or less.

一方、駆動用トランジスタ11aが白表示から黒表示の電流を流すために、ソース信号線18の電位は一定の振幅変化させる必要がある。この振幅必要範囲は、2.5(V)以上必要である。振幅必要範囲は電源電圧以下である。ソース信号線18の出力電圧がICの電源電圧を越えることはできないからである。   On the other hand, in order for the driving transistor 11a to pass a current from white display to black display, the potential of the source signal line 18 needs to be changed by a constant amplitude. This required amplitude range is 2.5 (V) or more. The required amplitude range is below the power supply voltage. This is because the output voltage of the source signal line 18 cannot exceed the power supply voltage of the IC.

以上のことから、ソースドライバIC14の電源電圧は、2.5(V)以上13(V)以下にする必要がある。さらに好ましくはIC14の電源電圧(使用する電圧)は、6(V)以上10(V)以下にすることが好ましい。この範囲とすることによりゲート配線153の変動が規定範囲に抑制され、横クロストークが発生せず、良好な画像表示を実現できる。   From the above, the power supply voltage of the source driver IC 14 needs to be 2.5 (V) or more and 13 (V) or less. More preferably, the power supply voltage (voltage used) of the IC 14 is preferably 6 (V) or more and 10 (V) or less. By setting it within this range, fluctuations in the gate wiring 153 are suppressed within a specified range, and horizontal crosstalk does not occur, and a good image display can be realized.

ゲート配線153の配線抵抗も課題となる。ゲート配線153の配線抵抗R(Ω)とは、図47では、トランジスタ158b1からトランジスタ158b2までの配線全長の抵抗値である。または、ゲート配線全長の抵抗である。また、図46ではトランジスタ158b(トランジスタ群431b)からトランジスタ群431cnまでの配線全長の抵抗値である。   The wiring resistance of the gate wiring 153 is also a problem. In FIG. 47, the wiring resistance R (Ω) of the gate wiring 153 is the resistance value of the total wiring length from the transistor 158b1 to the transistor 158b2. Alternatively, the resistance is the total length of the gate wiring. In FIG. 46, the resistance value is the total wiring length from the transistor 158b (transistor group 431b) to the transistor group 431cn.

ゲート配線153の過渡現象の大きさは、1水平走査期間(1H)にも依存する。1H期間が短ければ、過渡現象の影響も大きいからである。配線抵抗R(Ω)が高いほど過渡現象は発生しやすい。この現象は特に、図44から図47の1段カレントミラー接続の構成のソースドライバ回路(IC)14で課題となる。ゲート配線153が長く、1つのゲート配線153に接続された単位トランジスタ154の数が多いためである。   The magnitude of the transient phenomenon of the gate wiring 153 also depends on one horizontal scanning period (1H). This is because if the 1H period is short, the influence of the transient phenomenon is large. The higher the wiring resistance R (Ω), the more likely the transient phenomenon occurs. This phenomenon becomes a problem particularly in the source driver circuit (IC) 14 having the configuration of the one-stage current mirror connection shown in FIGS. This is because the gate wiring 153 is long and the number of unit transistors 154 connected to one gate wiring 153 is large.

図68は、ゲート配線153の配線抵抗R(Ω)と1水平走査期間(1H期間)T(sec)との掛算(R・T)を横軸にとり、縦軸に変動比率をとったグラフである。変動比率の1は、R・T=100を基準にしている。図68でわかるように、R・Tが5以下で変動比率が大きくなる傾向がある。また、R・Tが1000以上で変動比率が大きくなる傾向がある。したがって、R・Tは5以上1000以下にすることが好ましい。さらに好ましくは、R・Tは10以上500以下の条件を満足することが好ましい。   FIG. 68 is a graph in which the horizontal axis represents the multiplication (R · T) of the wiring resistance R (Ω) of the gate wiring 153 and one horizontal scanning period (1H period) T (sec), and the vertical axis represents the variation ratio. is there. The fluctuation ratio of 1 is based on R · T = 100. As can be seen from FIG. 68, when R · T is 5 or less, the variation ratio tends to increase. Further, when R · T is 1000 or more, the variation ratio tends to increase. Therefore, R · T is preferably 5 or more and 1000 or less. More preferably, R · T satisfies the condition of 10 or more and 500 or less.

duty比も課題となる。duty比によりソース信号線18の変動も大きくなるからである。なお、duty比に関しては後ほど説明をする。ここでは、duty比とは間欠駆動の割合であるとする。トランジスタ群431cの単位トランジスタ154の総面積(トランジスタ群431c内の単位トランジスタ154のWLサイズ×単位トランジスタ154数)をSc(平方μm)とする。   The duty ratio is also a problem. This is because the fluctuation of the source signal line 18 also increases due to the duty ratio. The duty ratio will be described later. Here, it is assumed that the duty ratio is a ratio of intermittent driving. The total area of the unit transistors 154 in the transistor group 431c (WL size of the unit transistors 154 in the transistor group 431c × number of unit transistors 154) is Sc (square μm).

図69は横軸をSc×duty比とし、縦軸を変動比率としている。図69でわかるようにSc×duty比が500以上で変動比率が大きくなる傾向がある。また、変動比率が3以下の時が変動許容範囲である。したがって、Sc×duty比は500以下で駆動できるように制御することが好ましい。   In FIG. 69, the horizontal axis represents the Sc × duty ratio, and the vertical axis represents the variation ratio. As can be seen from FIG. 69, when the Sc × duty ratio is 500 or more, the variation ratio tends to increase. Further, the fluctuation allowable range is when the fluctuation ratio is 3 or less. Therefore, it is preferable to control so that the Sc × duty ratio can be driven at 500 or less.

変動許容範囲は、Sc×duty比が500以下である。Sc×duty比が500以下であれば、変動比率は許容範囲内であり、ゲート配線153の電位変動は極めて小さくなる。したがって、横クロストークの発生もなく、出力バラツキも許容範囲内となり良好な画像表示を実現できる。Sc×duty比が500以下であれば許容範囲であるが、Sc×duty比を50以下としてもほとんど効果がない。逆に、ソースドライバIC14のチップ面積が増加する。したがって、Sc×duty比は50以上500以下にすることが好ましい。   As for the allowable range of variation, the Sc × duty ratio is 500 or less. If the Sc × duty ratio is 500 or less, the variation ratio is within an allowable range, and the potential variation of the gate wiring 153 becomes extremely small. Accordingly, there is no occurrence of lateral crosstalk, and output variation is within an allowable range, so that a good image display can be realized. If the Sc × duty ratio is 500 or less, the tolerance is acceptable, but even if the Sc × duty ratio is 50 or less, there is almost no effect. Conversely, the chip area of the source driver IC 14 increases. Therefore, the Sc × duty ratio is preferably 50 or more and 500 or less.

本発明のソースドライバIC(回路)14において、単位トランジスタ群431cとカレントミラー回路をなすトランジスタ158bあるいはトランジスタ158bを構成するトランジスタ群431b(図48、図49を参照のこと)には図70の関係を満足させることが好ましい。   In the source driver IC (circuit) 14 of the present invention, the transistor group 431b forming the current mirror circuit with the unit transistor group 431c or the transistor group 431b constituting the transistor 158b (see FIGS. 48 and 49) has the relationship of FIG. Is preferably satisfied.

トランジスタ158bあるいはトランジスタ158bを構成するトランジスタ群431b(図48、図49を参照のこと)に供給する電流をIcとし、1つの単位トランジスタ群431cから出力される電流をIdとする。Idはソース信号線18に出力されるプログラム電流(吸い込みあるいは吐き出し電流)であり、トランジスタ群431cを構成する単位トランジスタ154のすべてが選択状態の時の電流である。したがって、Idは画素16に印加する最大階調での電流である。   The current supplied to the transistor 158b or the transistor group 431b constituting the transistor 158b (see FIGS. 48 and 49) is Ic, and the current output from one unit transistor group 431c is Id. Id is a program current (suction or discharge current) output to the source signal line 18, and is a current when all the unit transistors 154 constituting the transistor group 431c are in a selected state. Therefore, Id is the current at the maximum gradation applied to the pixel 16.

なお、図46のように158bが1つの場合は、そのままIcとして用いてよいが、図47のように、トランジスタ158が複数個ある(複数群ある)場合は、加算したものをIcとして用いる。つまり、図47ではIc=Ic1+Ic2である。以上のように電流Icはトランジスタ群431cとカレントミラー回路を構成するトランジスタ群431bに流れる電流Icの総和である。   Note that when there is one 158b as shown in FIG. 46, it may be used as Ic as it is. However, when there are a plurality of transistors 158 (a plurality of groups) as shown in FIG. 47, the sum is used as Ic. That is, in FIG. 47, Ic = Ic1 + Ic2. As described above, the current Ic is the sum of the currents Ic flowing through the transistor group 431c and the transistor group 431b constituting the current mirror circuit.

この電流IdとIcの比(Ic/Id)は5以上にする必要がある。図70において、縦軸はクロストーク比である。クロストークは、画像表示によるソース信号線18の電位変化がソースドライバIC(回路)14のゲート配線153を伝播し、表示画面144に横お引き(クロストーク)が発生する現象である。クロストークは、画像が白表示から黒表示になるポイント、黒表示から白表示になるポイント(たとえば、白ウインドウ表示の上エッジ部、下エッジ部など)に発生しやすい。Ic/Idが5以下では急激にクロストークの発生は強くなる(クロストーク比が大きくなる)が、5以上では曲線の傾きが小さくなる。   The ratio (Ic / Id) of the currents Id and Ic needs to be 5 or more. In FIG. 70, the vertical axis represents the crosstalk ratio. Crosstalk is a phenomenon in which a potential change of the source signal line 18 due to image display propagates through the gate wiring 153 of the source driver IC (circuit) 14 and horizontal pulling (crosstalk) occurs on the display screen 144. Crosstalk is likely to occur at a point where an image changes from white display to black display and from a black display to white display (for example, an upper edge portion and a lower edge portion of a white window display). When Ic / Id is 5 or less, the occurrence of crosstalk suddenly increases (crosstalk ratio increases), but when it is 5 or more, the slope of the curve decreases.

図70から理解できるように、Ic/Idは5以上にする必要がある。しかし、100以上にすると、トランジスタ158bを構成するトランジスタ群431bのサイズが大きく実用的でない。したがって、Ic/Idは5以上100以下にする必要がある。さらに好ましくは、8以上50以下にすることが好ましい。   As can be understood from FIG. 70, Ic / Id needs to be 5 or more. However, when the number is 100 or more, the size of the transistor group 431b constituting the transistor 158b is large and not practical. Therefore, Ic / Id needs to be 5 or more and 100 or less. More preferably, it is preferably 8 or more and 50 or less.

Ic/Idは水平走査時間も考慮する必要がある。1水平走査期間Hが短いほどゲート配線153の時定数が小さくする必要があるからである。なお、1水平走査期間とは、画素行にプログラム電流(プログラム電圧)を書き込む期間と考えても良い。つまり、各画素が選択され、各画素16に電流(電圧)が書き込まれている期間である。したがって、2画素行を同時に選択する駆動方法では、2水平走査期間が該当する。   For Ic / Id, it is necessary to consider the horizontal scanning time. This is because the shorter the one horizontal scanning period H, the smaller the time constant of the gate wiring 153 is. Note that one horizontal scanning period may be considered as a period during which a program current (program voltage) is written in a pixel row. That is, this is a period in which each pixel is selected and current (voltage) is written to each pixel 16. Therefore, in the driving method in which two pixel rows are simultaneously selected, two horizontal scanning periods correspond.

水平走査期間HをH(ミリ秒)としたとき(1画素行を選択する時間)、以下の関係を満足させることが好ましい。なお、IcおよびIdの単位はμAである。   When the horizontal scanning period H is H (milliseconds) (time for selecting one pixel row), it is preferable to satisfy the following relationship. The unit of Ic and Id is μA.

0.3≦ (Ic・H)/Id ≦ 6.0
さらに好ましくは、以下の関係を満足させることが好ましい。
0.3 ≦ (Ic · H) /Id≦6.0
More preferably, it is preferable to satisfy the following relationship.

0.5≦ (Ic・H)/Id ≦ 5.0
また、さらに好ましくは、以下の関係を満足させることが好ましい。
0.5 ≦ (Ic · H) /Id≦5.0
More preferably, the following relationship is satisfied.

0.6≦ (Ic・H)/Id ≦ 3.0
以上の関係を満足させるように、Ic、Id電流を設定し、また、トランジスタ群431あるいは単位トランジスタ154、158を設計することにより、クロストークの発生は極めて少なくなる。
0.6 ≦ (Ic · H) /Id≦3.0
By setting the Ic and Id currents so as to satisfy the above relationship and designing the transistor group 431 or the unit transistors 154 and 158, the occurrence of crosstalk is extremely reduced.

たとえば、QVGAパネルの場合は、およそH=1000(ミリ秒)/(60(Hz)・240画素行)=0.07(ミリ秒)である。Ic=18(μA)、最大プログラム電流Id=1(μA)とすれば、(Ic・H)/Id=(18・0.07)/1=1.3となり、上式を満足する。   For example, in the case of a QVGA panel, approximately H = 1000 (milliseconds) / (60 (Hz) · 240 pixel rows) = 0.07 (milliseconds). If Ic = 18 (μA) and the maximum program current Id = 1 (μA), then (Ic · H) / Id = (18 · 0.07) /1=1.3, which satisfies the above equation.

また、XGAパネルの場合は、およそH=0.025(ミリ秒)である。Ic=18(μA)、最大プログラム電流Id=1(μA)とすれば、(Ic・H)/Id=(60・0.025)/1=1.5となり、上式を満足する。   In the case of the XGA panel, H = 0.025 (milliseconds). If Ic = 18 (μA) and the maximum program current Id = 1 (μA), then (Ic · H) / Id = (60 · 0.025) /1=1.5, which satisfies the above equation.

Hはパネルの画素行数で固定値であり、Idはプログラム電流の最大値であるので、該当表示パネルのEL素子の効率および表示輝度が決定されれば固定値である。したがって、上式を満足するように、Icを決定すればよい。たとえば、H=0.07(ミリ秒)、Id=1(μA)であれば、0.3≦ (Ic・H)/Id ≦ 6.0を満足するIcは、4(μA)以上86(μA)以下となる。また、H=0.025(ミリ秒)、Id=1(μA)であれば、0.3≦ (Ic・H)/Id ≦ 8.0を満足するIcは、12(μA)以上240(μA)以下となる。   H is a fixed value in terms of the number of pixel rows in the panel, and Id is the maximum value of the program current. Therefore, it is a fixed value if the efficiency and display luminance of the EL element of the display panel are determined. Therefore, Ic may be determined so as to satisfy the above equation. For example, if H = 0.07 (milliseconds) and Id = 1 (μA), Ic satisfying 0.3 ≦ (Ic · H) /Id≦6.0 is 4 (μA) or more and 86 ( μA) or less. If H = 0.025 (milliseconds) and Id = 1 (μA), Ic satisfying 0.3 ≦ (Ic · H) /Id≦8.0 is 12 (μA) or more and 240 ( μA) or less.

なお、以上の実施例は、出力段が単位トランジスタ154で構成されるトランジスタ群431cとして説明をしているが、本発明はこれに限定するものではない。後に図160から図176などの構成においても適用できることは言うまでもない。以上の事項は以下の本発明においても同様に適用できる。   In the above embodiment, the output stage is described as the transistor group 431c including the unit transistors 154, but the present invention is not limited to this. Needless to say, the present invention can be applied to the configurations shown in FIGS. 160 to 176 later. The above matters can be similarly applied to the present invention described below.

トランジスタ群431cの出力電流の大きさと出力バラツキをは相関がある。出力電流が大きいほど、出力バラツキが小さいなる。以上の関係を図182に示す。出力電流が10倍になれば、出力バラツキは約1/2(=0.5)になり、出力電流が100倍になれば約1/4(=0.25)となる。   The magnitude of the output current of the transistor group 431c has a correlation with the output variation. The larger the output current, the smaller the output variation. The above relationship is shown in FIG. When the output current becomes 10 times, the output variation becomes about 1/2 (= 0.5), and when the output current becomes 100 times, it becomes about 1/4 (= 0.25).

また、出力電流のバラツキは、1つの出力段のトランジスタ面積Sc(単位トランジスタ154で構成される場合は、トランジスタ群431c)の面積(WLあるいは1出力電流を発生する全トランジスタの総面積Sc)と相関がある。この関係を図183に図示する。図183は出力バラツキを一定とした場合に、この出力バラツキを得るためのトランジスタ面積Scと出力電流との関係をしめしたものである。出力電流が大きいほど、ある出力バラツキを得るためのトランジスタ面積Scは小さくすむ。出力電流が10倍になれば、トランジスタ面積Scは約1/2(=0.5)でよい。出力電流が100倍になれば、所定の出力バラツキを得るためのトランジスタ面積Scは約1/4(=0.25)でよい。   Also, the variation in output current is the area (WL or the total area Sc of all the transistors that generate one output current) of the transistor area Sc of one output stage (in the case of the unit transistor 154, the transistor group 431c). There is a correlation. This relationship is illustrated in FIG. FIG. 183 shows the relationship between the transistor area Sc and the output current for obtaining this output variation when the output variation is constant. The larger the output current, the smaller the transistor area Sc for obtaining a certain output variation. If the output current is increased 10 times, the transistor area Sc may be about ½ (= 0.5). If the output current becomes 100 times, the transistor area Sc for obtaining a predetermined output variation may be about 1/4 (= 0.25).

本発明の検討の結果によれば、1端子の出力電流の最高出力電流の大きさは、0.2μA以上20μA以下にすることが好ましい。0.2μA以下では、出力バラツキが大きく実用的でない。20μA以上では出力段のトランジスタのゲート端子電圧が高くなり、またソース端子電圧も低下するとになり、ICの耐圧などを高くする必要がある。そのため、出力バラツキが大きくなり好ましくない。なお、最高出力電流とは、最大階調での出力電流である。たとえば、256階調あれば、255階調目であり、64階調であれば63階調目である。   According to the result of the study of the present invention, the magnitude of the maximum output current of one terminal output current is preferably 0.2 μA or more and 20 μA or less. If it is 0.2 μA or less, the output variation is large and it is not practical. If it is 20 μA or more, the gate terminal voltage of the transistor in the output stage increases and the source terminal voltage also decreases, and it is necessary to increase the breakdown voltage of the IC. Therefore, the output variation becomes large, which is not preferable. The maximum output current is an output current at the maximum gradation. For example, if there are 256 gradations, it is the 255th gradation, and if it is 64 gradations, it is the 63rd gradation.

また、本発明の検討の結果である図182および図183の関係から、1出力の最高出力電流をId(μA)とし、出力段を構成するトランジスタ(単位トランジスタ154で構成される場合は、トランジスタ群431c)の面積(WLあるいは1出力電流を発生する全トランジスタの総面積)をSc(平方μm)としたとき、以下の条件を満足させることが好ましい。   Further, from the relationship between FIG. 182 and FIG. 183 which is the result of the study of the present invention, the maximum output current of one output is Id (μA), and the transistor constituting the output stage ( When the area of the group 431c) (WL or the total area of all the transistors generating one output current) is Sc (square μm), it is preferable to satisfy the following conditions.

500 ≦ Sc × Id ≦ 10000
さらに好ましくは、以下の条件を満足させることが好ましい。
500 ≦ Sc × Id ≦ 10000
More preferably, it is preferable to satisfy the following conditions.

800 ≦ Sc × Id ≦ 8000
さらに好ましくは、以下の条件を満足させることが好ましい。
800 ≦ Sc × Id ≦ 8000
More preferably, it is preferable to satisfy the following conditions.

1000 ≦ Sc × Id ≦ 5000
以上の条件を満足することにより、出力端子155から出力される電流の隣接間バラツキは1%以下にすることができ、実用上十分な性能を得ることができる。
1000 ≦ Sc × Id ≦ 5000
By satisfying the above conditions, the variation between adjacent currents output from the output terminal 155 can be 1% or less, and practically sufficient performance can be obtained.

なお、以上の実施例は、出力段が単位トランジスタ154で構成されるトランジスタ群431cとして説明をしているが、本発明はこれに限定するものではない。図160から図176などの構成においても適用できることは言うまでもない。以上の事項は以下の本発明においても同様に適用できる。   In the above embodiment, the output stage is described as the transistor group 431c including the unit transistors 154, but the present invention is not limited to this. Needless to say, the present invention can also be applied to the configurations shown in FIGS. 160 to 176. The above matters can be similarly applied to the present invention described below.

以上のように本発明の記載事項は、他の実施例に相互に適用あるいは組み合わせて使用できるものである。複数の組み合わせはすべてを記載することが不可能であるので、記載していないだけである。   As described above, the description of the present invention can be applied to or combined with other embodiments. Since it is impossible to describe all of a plurality of combinations, they are not described.

図47でトランジスタ158b1に流す基準電流Ic1と、トランジスタ158b2に流す基準電流Ic2とを調整することにより、図212に図示するように、ソースドライバIC14aと14bとのカスケード接続を良好に行えることを説明した。   47, adjusting the reference current Ic1 that flows through the transistor 158b1 and the reference current Ic2 that flows through the transistor 158b2 in FIG. 47 demonstrates that the cascade connection between the source driver ICs 14a and 14b can be satisfactorily performed as illustrated in FIG. did.

カスケードは図208に図示するように、ソースドライバIC14間をカスケード配線2081で結線する。カスケード配線2081はアレイ30上で行う。   In the cascade, as shown in FIG. 208, the source driver ICs 14 are connected by a cascade wiring 2081. The cascade wiring 2081 is performed on the array 30.

なお、基準電流を印加あるいは出力するカスケード配線2081は、図249(a)に図示するように、ソースドライバ回路(IC)14に個別に入力してもよい。また、図249(b)に図示するようにソースドライバ回路(IC)14aとソースドライバ回路(IC)14b間で受け渡すように構成してもよい。図249(b)のようにカスケード配線2081を介して、各ビットに対応する基準電流(図199、図230、図246などを参照のこと)を受け渡す場合は、各カスケード配線2081が交差しないように端子(I0〜I5で図示している)を配置する。   Note that the cascade wiring 2081 for applying or outputting the reference current may be individually input to the source driver circuit (IC) 14 as illustrated in FIG. Further, as shown in FIG. 249 (b), it may be configured to pass between the source driver circuit (IC) 14a and the source driver circuit (IC) 14b. When the reference current corresponding to each bit (see FIGS. 199, 230, and 246) is passed through the cascade wiring 2081 as shown in FIG. 249 (b), the cascade wirings 2081 do not intersect. Terminals (illustrated by I0 to I5) are arranged as described above.

また、基準電流を調整する必要がある場合は、カスケード配線2081aと2081b間にトランジスタなどからなるトリミング調整部2501を形成または配置する。このトリミング調整部2501はレーザー1621などを用いてレーザー光1622で調整することにより、基準電流の大きさの調整を実施する。   When the reference current needs to be adjusted, a trimming adjustment unit 2501 including a transistor or the like is formed or arranged between the cascade wirings 2081a and 2081b. The trimming adjustment unit 2501 adjusts the magnitude of the reference current by adjusting the laser light 1622 using a laser 1621 or the like.

カスケードで受け渡す基準電流は精度が求められる。そのため、本発明では、カスケード部において基準電流を出力する電流源部は、トリミングを行い、所定の基準電流を出力されるように調整している。トリミングはレーザートリミングにより実施している。   The reference current passed in cascade requires accuracy. Therefore, in the present invention, the current source unit that outputs the reference current in the cascade unit performs trimming and adjusts so that a predetermined reference current is output. Trimming is performed by laser trimming.

カスケード接続を良好に行うためには、製造されたソースドライバIC14の特性を測定することが必要になる場合がある。特性が測定できれば、トリミングなどにより調整あるいは加工を実施することが可能になる。以下に本発明のソースドライバIC(回路)14の特性測定方式について説明をする。また、隣接ソース信号線18間の出力電流バラツキを測定することができる(把握することができる)。   In order to perform the cascade connection satisfactorily, it may be necessary to measure the characteristics of the manufactured source driver IC 14. If the characteristics can be measured, adjustment or processing can be performed by trimming or the like. The characteristic measurement method of the source driver IC (circuit) 14 of the present invention will be described below. Moreover, the output current variation between the adjacent source signal lines 18 can be measured (can be grasped).

図299(a)に図示するように、カスケード接続のための端子155を有している。端子155aにはカスケード接続のための基準電流IcR(赤色用)が出力される。端子155bにはカスケード接続のための基準電流IcG(緑色用)が出力される。端子155cにはカスケード接続のための基準電流IcB(青色用)が出力される。基準電流IcはソースドライバICの特性を示している。基準電流Icが小さければプログラム電流Iwの大きさが小さい。一方、基準電流Icが大きければプログラム電流Iwの大きさが大きい。   As shown in FIG. 299 (a), a terminal 155 for cascade connection is provided. A reference current IcR (for red) for cascade connection is output to the terminal 155a. A reference current IcG (for green) for cascade connection is output to the terminal 155b. A reference current IcB (for blue) for cascade connection is output to the terminal 155c. The reference current Ic indicates the characteristics of the source driver IC. If the reference current Ic is small, the program current Iw is small. On the other hand, if the reference current Ic is large, the program current Iw is large.

以上のことから、図299(b)に図示するように端子155に既知の抵抗値の抵抗Rを接続し、各端子155の電圧を測定することのよりソースドライバIC14の特定を把握することができる。なお、端子155に電流計を直接に接続して基準電流Icを測定してもよい。   From the above, it is possible to grasp the identification of the source driver IC 14 by connecting the resistor R having a known resistance value to the terminal 155 and measuring the voltage of each terminal 155 as shown in FIG. 299 (b). it can. The reference current Ic may be measured by connecting an ammeter directly to the terminal 155.

以上の実施例は、カスケード電流の出力端子でソースドライバ回路(IC)14の特性などを測定するものであった。しかし、本発明はこれに限定するものはなく、図300に図示するように特性測定用の専用端子155を形成または構成もしくは配置してもよい。   In the above embodiment, the characteristics of the source driver circuit (IC) 14 are measured at the output terminal of the cascade current. However, the present invention is not limited to this, and a dedicated terminal 155 for measuring characteristics may be formed, configured, or arranged as shown in FIG.

図300では、ソース信号線18にプログラム電流Iwを出力するトランジスタ群431cに隣接して特性測定用のトランジスタ群431c(431cR(赤)、431cG(緑)431cB(青))を有している。トランジスタ群431cR、トランジスタ群431cG、トランジスタ群431cBとトランジスタ群431cとは隣接して形成させているため特性がほぼ一致する。したがって、図301(a)に図示するように、端子155にに既知の抵抗値の抵抗Rを接続し、各端子155(a、b、c)の電圧を測定することのよりソースドライバIC14の特定を把握することができる。なお、端子155に電流計を直接に接続して基準電流Icを測定してもよい。   In FIG. 300, a transistor group 431c (431cR (red), 431cG (green) 431cB (blue)) for characteristic measurement is provided adjacent to the transistor group 431c that outputs the program current Iw to the source signal line 18. Since the transistor group 431cR, the transistor group 431cG, the transistor group 431cB, and the transistor group 431c are formed adjacent to each other, the characteristics are almost the same. Therefore, as shown in FIG. 301A, a resistor R having a known resistance value is connected to the terminal 155, and the voltage of each terminal 155 (a, b, c) is measured, whereby the source driver IC 14 is connected. You can grasp the specific. The reference current Ic may be measured by connecting an ammeter directly to the terminal 155.

また、図301(b)に図示するように抵抗RをICチップ14に内蔵させてもよいことは言うまでもない。ただし、抵抗Rを内蔵させる場合は、既知の抵抗値とするため、トリミングを実施することが好ましい。図301(b)のように構成することにより、端子155dを所定電位(図301ではグランド電位)にすることにより、端子155a、端子155b、端子155cで電圧を測定することができる。したがって、ソースドライバIC14の各端子155に接続されたトランジスタ群431cの特性を測定あるいは予測することができる。また、カスケード接続した特性を想定あるいは予測もしくは測定することができる。   Needless to say, the resistor R may be built in the IC chip 14 as shown in FIG. However, when the resistor R is built-in, trimming is preferably performed in order to obtain a known resistance value. With the configuration shown in FIG. 301B, the voltage can be measured at the terminals 155a, 155b, and 155c by setting the terminal 155d to a predetermined potential (the ground potential in FIG. 301). Therefore, the characteristics of the transistor group 431c connected to each terminal 155 of the source driver IC 14 can be measured or predicted. In addition, it is possible to assume, predict, or measure the cascaded characteristics.

図301の実施例は、端子155に接続されたトランジスタ群431cなどの測定を実施するものであった。同様の構成でカスケード接続の性能あるいは特性もしくは評価を実現することができる。図302はその実施例である。図302において抵抗Rはチップ14内に内蔵されている。Rはトリミングされ所定の抵抗値にされている。スイッチS(Sa、Sb、Sc)を閉じることにより基準電流Icが抵抗Rに流れ込む。したがって、端子155の出力電圧から基準電流Icの値を測定することができる。測定後、トリミングなどを実施して、基準電流Ic(IcR、IcG、IcB)が所定値になるように調整などする。   In the example of FIG. 301, the transistor group 431c and the like connected to the terminal 155 are measured. Cascade connection performance or characteristics or evaluation can be realized with the same configuration. FIG. 302 shows an example. In FIG. 302, the resistor R is built in the chip 14. R is trimmed to a predetermined resistance value. The reference current Ic flows into the resistor R by closing the switch S (Sa, Sb, Sc). Therefore, the value of the reference current Ic can be measured from the output voltage of the terminal 155. After the measurement, trimming or the like is performed to adjust the reference current Ic (IcR, IcG, IcB) to a predetermined value.

本発明のソースドライバIC(回路)14は基準電流Icを所定値にすることにより、RGBのホワイトバランスを規定でき、所定値にすることができる。また、プログラム電流Iwも所定値にすることができるため、画像の表示輝度も所低値にすることができる。したがって、基準電流Icを所低値にする重要度は大きい。   The source driver IC (circuit) 14 of the present invention can define the white balance of RGB by setting the reference current Ic to a predetermined value, and can set it to the predetermined value. In addition, since the program current Iw can be set to a predetermined value, the display brightness of the image can also be set to a low value. Therefore, the importance of setting the reference current Ic to a low value is large.

この課題に対して本発明は、図303に図示するように、RGBごとに基準電流を調整する電子ボリウム回路501を具備している。また、電子ボリウム501の値を調整して固定することにより基準電流Icを所定値にするためフラシュメモリ3031を有している。フラシュメモリ3031をFDATA(FDATAR、FDATAG、FDATAB)で書き換えることにより電子ボリウム501(501R、501G、501B)の値を固定あるいは一時保持させることができる。したがって、基準電流Ic(IcR、IcG、IcB)を所定値に容易に調整することができる。この調整はIc電流を直接測定(図299、図302など)して目標の調整値をだしてもよいが、図306に図示するようにパネルの画面144の表示輝度を測定して実施してもよい。   As shown in FIG. 303, the present invention includes an electronic volume circuit 501 that adjusts the reference current for each of RGB. Further, a flash memory 3031 is provided to adjust the reference value Ic to a predetermined value by adjusting and fixing the value of the electronic volume 501. By rewriting the flash memory 3031 with FDATA (FDATAAR, FDATAAG, FDATAB), the value of the electronic volume 501 (501R, 501G, 501B) can be fixed or temporarily held. Therefore, the reference current Ic (IcR, IcG, IcB) can be easily adjusted to a predetermined value. This adjustment may be performed by directly measuring the Ic current (FIGS. 299, 302, etc.) to obtain a target adjustment value, but by measuring the display brightness of the panel screen 144 as shown in FIG. Also good.

図303ではフラシュメモリ3031によって電子ボリウム501の値を所低値にし、目標の基準電流Icを得るとしたが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図304に図示するように、外部のボリウムVR(赤用VR1、緑用VR2、青用VR3)で基準電流Icを調整してもよいことは気宇までもない。また、図305に図示するように、トランジスタ158b(図58、図59、図60などを参照のこと)に流れる基準電流Ic(IcR、IcG、IcB)を電流源I(Ia、Ib、Ic)で調整してもよいことは言うまでもない。   In FIG. 303, the value of the electronic volume 501 is set to a low value by the flash memory 3031 to obtain the target reference current Ic, but the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 304, it is needless to say that the reference current Ic may be adjusted by an external volume VR (VR1 for red, VR2 for green, VR3 for blue). Further, as shown in FIG. 305, a reference current Ic (IcR, IcG, IcB) flowing in the transistor 158b (see FIGS. 58, 59, 60, etc.) is supplied to a current source I (Ia, Ib, Ic). Needless to say, you can adjust it.

なお、図47では、基準電流Ic1とIc2とを調整するとした。しかし、ゲート配線153が所定値以上の抵抗値を有していると、トランジスタ158b1に流す基準電流Ic1と、トランジスタ158b2に流す基準電流Ic2とを同一にしても、図47のように出力電流の傾斜が補正される。   In FIG. 47, reference currents Ic1 and Ic2 are adjusted. However, if the gate wiring 153 has a resistance value greater than or equal to a predetermined value, even if the reference current Ic1 flowing through the transistor 158b1 and the reference current Ic2 flowing through the transistor 158b2 are the same, the output current of FIG. The tilt is corrected.

理解を容易にするため、具体的な数値で説明する。Ic1=Ic2=10(μA)とし、この時、トランジスタ158b1のゲート端子電圧V1=0.60(V)、トランジスタ158b2のゲート端子電圧V2=0.61(V)とする。トランジスタ158b2に流れる基準電流とトランジスタ158b1に流れる基準電流との差を1%以内にする必要があるから、基準電流=10(μA)の1%は0.1(μA)である。したがって、(V2−V1)/0.1(μA)=(0.61−0.60)(V)/0.1(μA)=100(KΩ)となる。したがって、ゲート配線153の抵抗値を100(KΩ)とすることにより、出力電流の傾きは調整され、隣接して配置されたIC14の出力電流の差は1%以内の差におさまる。   In order to facilitate understanding, specific numerical values will be described. Ic1 = Ic2 = 10 (μA). At this time, the gate terminal voltage V1 of the transistor 158b1 = 0.60 (V) and the gate terminal voltage V2 of the transistor 158b2 = 0.61 (V). Since the difference between the reference current flowing through the transistor 158b2 and the reference current flowing through the transistor 158b1 needs to be within 1%, 1% of the reference current = 10 (μA) is 0.1 (μA). Therefore, (V2−V1) /0.1 (μA) = (0.61−0.60) (V) /0.1 (μA) = 100 (KΩ). Therefore, by setting the resistance value of the gate wiring 153 to 100 (KΩ), the slope of the output current is adjusted, and the difference between the output currents of the ICs 14 arranged adjacent to each other is kept within 1%.

ゲート配線153が高抵抗であるほど、補正電流Idの大きさは小さくてよい。しかし、ゲート配線153の抵抗値をあまりに高くすると、図52のリンキングの波高値も大きくなり、横クロストークの発生が顕著となる。したがって、ゲート配線153の抵抗値には適切な範囲が存在する。   The higher the resistance of the gate wiring 153, the smaller the magnitude of the correction current Id. However, if the resistance value of the gate wiring 153 is too high, the peak value of linking in FIG. 52 also increases, and the occurrence of lateral crosstalk becomes significant. Therefore, an appropriate range exists for the resistance value of the gate wiring 153.

本発明は、ゲート配線153のうちすべてを、または、少なくともゲート配線153の一部はポリシリコンからなる配線で形成したことを特徴としている。好ましくは、単位トランジスタ154のゲート端子とのコンタクト部あるいは近傍以外をポリシリコンで形成する。ゲート配線153は配線幅を調整することにより、あるいは、蛇行させることにより目標の抵抗値に形成あるいは構成する。   The present invention is characterized in that all of the gate wiring 153 or at least a part of the gate wiring 153 is formed of a wiring made of polysilicon. Preferably, the portion other than the contact portion with or near the gate terminal of the unit transistor 154 is formed of polysilicon. The gate wiring 153 is formed or configured to have a target resistance value by adjusting the wiring width or meandering.

ゲート配線のリンキング発生を抑制するには、ゲート配線153を所定値以下の抵抗値にすることで達成できる。また、トランジスタ158bの総面積Sb(トランジスタ群431bの総面積Sb)を大きくすることにより、達成できる。また、基準電流Icを大きくすることにより達成できる。   The suppression of the occurrence of linking of the gate wiring can be achieved by setting the gate wiring 153 to have a resistance value equal to or lower than a predetermined value. Further, this can be achieved by increasing the total area Sb of the transistor 158b (total area Sb of the transistor group 431b). Further, this can be achieved by increasing the reference current Ic.

1出力の単位トランジスタ154の面積(1つのトランジスタ群431c内の単位トランジスタ154の総面積)をS0とし、トランジスタ群431bのトランジスタ158bの総面積Sb(図44のようにトランジスタ群431bが複数ある時は、複数のトランジスタ群431bのトランジスタ158bの総面積)とする。   When the area of one output unit transistor 154 (total area of unit transistors 154 in one transistor group 431c) is S0, the total area Sb of transistors 158b of the transistor group 431b (when there are a plurality of transistor groups 431b as shown in FIG. 44) Is the total area of the transistors 158b of the plurality of transistor groups 431b).

図71はSb/S0を横軸とし、許容できるゲート配線抵抗(KΩ)を縦軸とした時の関係を示している。図71の実線の下側の範囲が許容範囲である(リンキングの発生の影響を受けない範囲である)。言い換えれば、横クロストークが実用上、許容できる範囲である。   FIG. 71 shows the relationship when Sb / S0 is on the horizontal axis and allowable gate wiring resistance (KΩ) is on the vertical axis. The range below the solid line in FIG. 71 is an allowable range (a range that is not affected by the occurrence of linking). In other words, lateral crosstalk is practically acceptable.

図71の横軸は、総トランジスタ群431bの大きさSbに対する1出力あたりの単位トランジスタ154の大きさS0である(64階調の場合は、単位トランジスタ154が63個分)。S0を固定値であるとすると、Sbが大きいほど、ゲート配線153が許容できる抵抗値も大きくなる。これは、Sbが大きくなるほどゲート配線153に対するインピーダンスが低くなり、安定度が増加するためである。   The horizontal axis of FIG. 71 is the size S0 of the unit transistor 154 per output with respect to the size Sb of the total transistor group 431b (in the case of 64 gradations, 63 unit transistors 154). Assuming that S0 is a fixed value, the resistance value that the gate wiring 153 can tolerate increases as Sb increases. This is because as Sb increases, the impedance with respect to the gate wiring 153 decreases and the stability increases.

S0は出力電流(プログラム電流)を発生させるものであり、また、出力バラツキを一定値以下にする必要から、S0の大きさは設計上の変更範囲は狭い。一方でゲート配線153の抵抗値を所定値とするためには設計制約がある。   Since S0 generates an output current (program current), and the output variation needs to be a certain value or less, the size of S0 has a narrow design change range. On the other hand, there are design restrictions in order to set the resistance value of the gate wiring 153 to a predetermined value.

ゲート配線153を高抵抗にするには、配線が細くなり断線が発生する課題、安定度の課題がある。また、Sbを大きくするとチップ面積が大きくなり、コストが高くなる。したがって、IC14のチップサイズの課題から、Sb/S0は50以下にすることが好ましい、また、ゲート配線153の安定した設計、リンキングの課題などの制約から、Sb/S0は5以上にすることが好ましい。したがって、5≦ Sb/S0 ≦ 50の条件を満足させる必要がある。   In order to increase the resistance of the gate wiring 153, there are a problem that the wiring becomes thin and disconnection occurs, and a problem of stability. Further, increasing Sb increases the chip area and the cost. Therefore, it is preferable to set Sb / S0 to 50 or less from the problem of the chip size of the IC 14, and Sb / S0 should be set to 5 or more because of restrictions such as stable design of the gate wiring 153 and linking problems. preferable. Therefore, it is necessary to satisfy the condition of 5 ≦ Sb / S0 ≦ 50.

図71のグラフ(実線)から、Sb/S0が小さくなるほど実線カーブの傾きは緩やかになる。また、Sb/S0が15以上では傾きが一定になる傾向がある。したがって、Sb/S0が5以上15以下では、ゲート配線153の抵抗値は400(KΩ)以下にする必要がある。また、Sb/S0が15以上50以下では、Sb/S0×24(KΩ)以下にする必要がある。たとえば、Sb/S0=50の時は、50×24=1200(KΩ)以下にする必要がある。   From the graph (solid line) in FIG. 71, the slope of the solid line curve becomes gentler as Sb / S0 becomes smaller. Further, when Sb / S0 is 15 or more, the inclination tends to be constant. Therefore, when Sb / S0 is 5 or more and 15 or less, the resistance value of the gate wiring 153 needs to be 400 (KΩ) or less. Further, when Sb / S0 is 15 or more and 50 or less, it is necessary to set Sb / S0 × 24 (KΩ) or less. For example, when Sb / S0 = 50, it is necessary to set it to 50 × 24 = 1200 (KΩ) or less.

トランジスタ158bに流れる基準電流Icと、許容ゲート配線抵抗には相関がある。基準電流Icが大きいほどトランジスタ158bからゲート配線153をみたときのインピーダンスが低くなるからである。図72にその関係を示す。図72は横軸をトランジスタ158b(もしくはトランジスタ群431b)に流れる基準電流Ic(μA)である。縦軸が許容できるゲート配線抵抗(KΩ)を示している。図72の実線の下側の範囲が許容範囲である(リンキングの発生の影響を受けない範囲である)。言い換えれば、横クロストークが実用上、許容できる範囲である。   There is a correlation between the reference current Ic flowing through the transistor 158b and the allowable gate wiring resistance. This is because the larger the reference current Ic, the lower the impedance when the gate wiring 153 is viewed from the transistor 158b. FIG. 72 shows the relationship. FIG. 72 shows the reference current Ic (μA) flowing through the transistor 158b (or transistor group 431b) on the horizontal axis. The vertical axis represents allowable gate wiring resistance (KΩ). The range below the solid line in FIG. 72 is the allowable range (the range not affected by the occurrence of linking). In other words, lateral crosstalk is practically acceptable.

基準電流Icを大きくすれば、ゲート配線153の安定度は向上する。しかし、ソースドライバIC14で消費する無効電流が増加し、また、ゲート配線153の電位も高くなる。このことから、基準電流Icは50(μA)以下にする必要がある。   If the reference current Ic is increased, the stability of the gate wiring 153 is improved. However, the reactive current consumed by the source driver IC 14 increases, and the potential of the gate wiring 153 increases. For this reason, the reference current Ic needs to be 50 (μA) or less.

基準電流Icを小さくすれば、ゲート配線153の安定度は低下するため、ゲート配線153の抵抗値を下げる必要がある。しかし、一定値以下に基準電流を下げると単位トランジスタ431cからの出力電流のバラツキが大きくなる。つまり出力電流の安定度がなくなる。このことから、基準電流Icは2(μA)以上にする必要がある。以上のことから、トランジスタ158bに流す基準電流Icは2(μA)以上50(μA)以下にする必要がある。   If the reference current Ic is reduced, the stability of the gate wiring 153 is lowered, so that the resistance value of the gate wiring 153 needs to be lowered. However, when the reference current is lowered below a certain value, the variation in output current from the unit transistor 431c increases. That is, the stability of the output current is lost. Therefore, the reference current Ic needs to be 2 (μA) or more. From the above, the reference current Ic flowing through the transistor 158b needs to be 2 (μA) or more and 50 (μA) or less.

図72のグラフ(実線)は、2つの直線に近似できる。Icが2(μA)以上15(μA)以下では、ゲート配線153の抵抗値(MΩ)は、0.04×Ic(MΩ)以下にする必要がある。たとえば、Ic=15(μA)であれば、ゲート配線153の抵抗値は、0.04×15=0.6(MΩ)以下の条件を満足させる必要がある。   The graph (solid line) in FIG. 72 can be approximated by two straight lines. When Ic is 2 (μA) or more and 15 (μA) or less, the resistance value (MΩ) of the gate wiring 153 needs to be 0.04 × Ic (MΩ) or less. For example, if Ic = 15 (μA), the resistance value of the gate wiring 153 needs to satisfy the condition of 0.04 × 15 = 0.6 (MΩ) or less.

Icが15(μA)以上50(μA)以下では、ゲート配線153の抵抗値(MΩ)は、0.025×Ic(MΩ)以下にする必要がある。たとえば、Ic=50(μA)であれば、ゲート配線153の抵抗値は、0.025×50=1.25(MΩ)以下の条件を満足させる必要がある。   When Ic is 15 (μA) or more and 50 (μA) or less, the resistance value (MΩ) of the gate wiring 153 needs to be 0.025 × Ic (MΩ) or less. For example, if Ic = 50 (μA), the resistance value of the gate wiring 153 needs to satisfy the condition of 0.025 × 50 = 1.25 (MΩ) or less.

1画素行が選択される期間(1水平走査期間(1H))と、ゲート配線153の抵抗R(KΩ)×ゲート配線153の長さD(m)にも相関がある。1H期間が短いほど、ゲート配線153の電位が正常値に戻るのに要する期間を短くする必要があるからである。また、図47のようにゲート配線153長D(=ドライバICのチップ長さ)が長くなると、トランジスタ158bから最も遠い単位トランジスタ群431cの電位変動が許容範囲を越えるからである。この現象は、単位トランジスタ154とソース信号線18間の寄生容量が影響を与えているためと推定される。つまり、ドライバIC14のチップ長Dが長くなると単純なゲート配線153の抵抗値だけでなく、寄生容量によるゲート配線153の電位変動も考慮する必要があることを示している。   There is a correlation between a period in which one pixel row is selected (one horizontal scanning period (1H)) and the resistance R (KΩ) of the gate wiring 153 × the length D (m) of the gate wiring 153. This is because the shorter the period of 1H, the shorter the period required for the potential of the gate wiring 153 to return to the normal value. Further, as shown in FIG. 47, when the gate wiring 153 length D (= chip length of the driver IC) becomes longer, the potential fluctuation of the unit transistor group 431c farthest from the transistor 158b exceeds the allowable range. This phenomenon is presumed to be caused by the parasitic capacitance between the unit transistor 154 and the source signal line 18. That is, when the chip length D of the driver IC 14 is increased, it is necessary to consider not only the simple resistance value of the gate wiring 153 but also the potential fluctuation of the gate wiring 153 due to parasitic capacitance.

図73は横軸を1水平走査期間(μ秒)としている。縦軸がゲート配線抵抗(KΩ)とチップ長D(m)の掛算値である。図73の実線の下側の範囲が許容範囲である。R・Dは9(KΩ・m)がソースドライバICの作製限界である。これ以上は、コストが高くなり実用的でない。一方、R・Dが0.05以下では、図191の電流Idが大きくなりすぎ、隣接出力電流の偏差が大きくなりすぎる。したがって、R・D(KΩ・m)は0.05以上9以下にする必要がある。   In FIG. 73, the horizontal axis represents one horizontal scanning period (μ seconds). The vertical axis represents the product of gate wiring resistance (KΩ) and chip length D (m). The range below the solid line in FIG. 73 is the allowable range. As for R · D, 9 (KΩ · m) is the production limit of the source driver IC. Above this, the cost increases and is not practical. On the other hand, when R · D is 0.05 or less, the current Id in FIG. 191 becomes too large, and the deviation of the adjacent output current becomes too large. Therefore, R · D (KΩ · m) needs to be 0.05 or more and 9 or less.

画素16を構成するトランジスタ11をPチャンネルで構成すると、プログラム電流は画素16からソース信号線18に流れ出す方向になる。そのため、ソースドライバ回路の単位トランジスタ154(図15、図57、図58、図59などを参照のこと)は、Nチャンネルのトランジスタで構成する必要がある。つまり、ソースドライバ回路14はプログラム電流Iwを引き込むように回路構成する必要がある。   When the transistor 11 constituting the pixel 16 is configured by a P channel, the program current flows in the direction from the pixel 16 to the source signal line 18. Therefore, the unit transistor 154 (see FIGS. 15, 57, 58, 59, etc.) of the source driver circuit needs to be formed of an N-channel transistor. In other words, the source driver circuit 14 needs to be configured to draw the program current Iw.

画素16の駆動用トランジスタ11a(図1の場合)がPチャンネルトランジスタの場合は、必ず、ソースドライバ回路14はプログラム電流Iwを引き込むように、単位トランジスタ154をNチャンネルトランジスタで構成する。   When the driving transistor 11a (in the case of FIG. 1) of the pixel 16 is a P-channel transistor, the unit transistor 154 is configured by an N-channel transistor so that the source driver circuit 14 always draws the program current Iw.

ソースドライバ回路14をアレイ基板30に形成するには、Nチャンネル用マスク(プロセス)とPチャンネル用マスク(プロセス)の両方を用いる必要がある。概念的に述べれば、画素16とゲートドライバ回路12をPチャンネルトランジスタで構成し、ソースドライバの引き込み電流源のトランジスタはNチャンネルで構成するのが本発明の表示パネル(表示装置)である。   In order to form the source driver circuit 14 on the array substrate 30, it is necessary to use both an N channel mask (process) and a P channel mask (process). Describing conceptually, the display panel (display device) of the present invention comprises the pixel 16 and the gate driver circuit 12 by P-channel transistors, and the source current source transistor of the source driver by N-channel.

本発明の1実施形態は、画素16のトランジスタ11をPチャンネルトランジスタで形成し、ゲートドライバ回路12をPチャンネルトランジスタで形成する。このように画素16のトランジスタ11とゲートドライバ回路12の両方をPチャンネルトランジスタで形成することにより、基板30を低コスト化できる。   In one embodiment of the present invention, the transistor 11 of the pixel 16 is formed by a P-channel transistor, and the gate driver circuit 12 is formed by a P-channel transistor. Thus, by forming both the transistor 11 and the gate driver circuit 12 of the pixel 16 with P-channel transistors, the cost of the substrate 30 can be reduced.

ソースドライバ回路14は、単位トランジスタ154をNチャンネルトランジスタで形成することが必要になる。しかし、Pチャンネルのみのプロセスでは、ソースドライバ回路14は基板30に直接形成することができない。そこで別途、シリコンチップなどでソースドライバ回路14を作製し、基板30に積載する。つまり、本発明は、ソースドライバIC14(映像信号としてのプログラム電流を出力する手段)を外付けする構成である。   The source driver circuit 14 needs to form the unit transistor 154 with an N-channel transistor. However, the source driver circuit 14 cannot be formed directly on the substrate 30 in the process of only the P channel. Therefore, the source driver circuit 14 is separately manufactured using a silicon chip or the like and mounted on the substrate 30. That is, the present invention has a configuration in which a source driver IC 14 (means for outputting a program current as a video signal) is externally attached.

また、単位トランジスタ154の面積を同一とした場合、Nチャンネルで形成した単位トランジスタ154のばらつきは、Pチャンネルで形成した単位トランジスタのばらつきに比較して、70%になる。つまり、Nチャンネルで単位トランジスタ154を形成する方が、同一トランジスタ形成面積でバラツキを小さくすることができる。検討の結果によれば、Pチャンネルの単位トランジスタのバラツキをNチャンネルの単位トランジスタと同一にするためには、2倍の形成面積が必要であった(図159参照のこと)。   When the area of the unit transistor 154 is the same, the variation of the unit transistor 154 formed by the N channel is 70% compared to the variation of the unit transistor formed by the P channel. That is, when the unit transistor 154 is formed with the N channel, the variation can be reduced with the same transistor formation area. According to the result of the examination, in order to make the variation of the P-channel unit transistor the same as that of the N-channel unit transistor, a double formation area is required (see FIG. 159).

ソースドライバ回路14はシリコンチップで構成するとしたがこれに限定するものではない。たとえば、低温ポリシリコン技術などでガラス基板に多数個を同時に形成し、チップ状に切断して、基板30に積載してもよい。   Although the source driver circuit 14 is composed of a silicon chip, it is not limited to this. For example, a large number of glass substrates may be simultaneously formed by low-temperature polysilicon technology, cut into chips, and loaded on the substrate 30.

また、基板30にソースドライバ回路を積載するとして説明しているが、積載に限定するものではない。ソースドライバ回路14の出力端子431を基板30のソース信号線18に接続するのであればいずれの形態でもよい。たとえば、TAB技術でソースドライバ回路14をソース信号線18に接続する方式が例示される。シリコンチップなどに別途ソースドライバ回路14を形成することにより、出力電流のバラツキが低減し、良好な画像表示を実現できる。また、低コスト化が可能である。   Further, although it has been described that the source driver circuit is mounted on the substrate 30, it is not limited to stacking. Any form may be used as long as the output terminal 431 of the source driver circuit 14 is connected to the source signal line 18 of the substrate 30. For example, a method of connecting the source driver circuit 14 to the source signal line 18 by TAB technology is exemplified. By separately forming the source driver circuit 14 on a silicon chip or the like, variation in output current can be reduced and a good image display can be realized. Moreover, cost reduction is possible.

また、画素16の選択トランジスタをPチャンネルで構成し、ゲートドライバ回路をPチャンネルトランジスタで構成するという構成は、有機ELなどの自己発光デバイス(表示パネルあるいは表示装置)に限定されるものではない。たとえば、液晶表示デバイス、FED(フィールドエミッションディスプレイ)にも適用することができる。   Further, the configuration in which the selection transistor of the pixel 16 is configured by a P channel and the gate driver circuit is configured by a P channel transistor is not limited to a self-luminous device (display panel or display device) such as an organic EL. For example, the present invention can be applied to a liquid crystal display device and FED (field emission display).

画素16のスイッチング用トランジスタ11b、11cがPチャンネルトランジスタで形成されていると、Vghで画素16が選択状態となる。Vglで画素16が非選択状態となる。以前にも説明したが、ゲート信号線17aがオン(Vgl)からオフ(Vgh)になる時に電圧が突き抜ける(突き抜け電圧)。画素16の駆動用トランジスタ11aがPチャンネルトランジスタで形成されていると、黒表示状態の時、この突き抜け電圧によりトランジスタ11aがより電流が流れないようになる。したがって、良好な黒表示を実現できる。黒表示を実現することが困難であるという点が、電流駆動方式の課題である。   When the switching transistors 11b and 11c of the pixel 16 are formed of P-channel transistors, the pixel 16 is selected by Vgh. The pixel 16 is in a non-selected state by Vgl. As described before, the voltage penetrates when the gate signal line 17a changes from on (Vgl) to off (Vgh) (penetration voltage). When the driving transistor 11a of the pixel 16 is formed of a P-channel transistor, the current does not flow through the transistor 11a due to the punch-through voltage in the black display state. Therefore, good black display can be realized. It is difficult to realize black display, which is a problem of the current driving method.

本発明では、ゲートドライバ回路12をPチャンネルトランジスタで構成することにより、オン電圧はVghとなる。したがって、Pチャンネルトランジスタで形成された画素16とマッチングがよい。また、黒表示を良好にする効果を発揮させるためには、図1、図2、図6、図7、図8の画素16の構成のように、アノード電圧Vddから駆動用トランジスタ11a、ソース信号線18を介してソースドライバ回路14の単位トランジスタ154にプログラム電流Iwが流入するように構成することが重要である。   In the present invention, the on-voltage is Vgh by configuring the gate driver circuit 12 with a P-channel transistor. Therefore, matching with the pixel 16 formed by the P channel transistor is good. Further, in order to exert the effect of improving the black display, the driving transistor 11a and the source signal are generated from the anode voltage Vdd as in the configuration of the pixel 16 in FIGS. 1, 2, 6, 7, and 8. It is important to configure the program current Iw to flow into the unit transistor 154 of the source driver circuit 14 via the line 18.

したがって、ゲートドライバ回路12および画素16をPチャンネルトランジスタで構成し、ソースドライバ回路14を基板に積載し、かつソースドライバ回路14の単位トランジスタ154をNチャンネルトランジスタで構成することは、すぐれた相乗効果を発揮する。   Therefore, it is excellent synergistic effect that the gate driver circuit 12 and the pixel 16 are configured by P-channel transistors, the source driver circuit 14 is mounted on the substrate, and the unit transistors 154 of the source driver circuit 14 are configured by N-channel transistors. Demonstrate.

また、Nチャンネルで形成した単位トランジスタ154はPチャンネルで形成した単位トランジスタ154に比較して出力電流のバラツキが小さい。同一面積(W・L)の単位トランジスタ154で比較した場合、Nチャンネルの単位トランジスタ154はPチャンネルの単位トランジスタ154に比較して、出力電流のばらつきは、1/1.5から1/2になる。この理由からもソースドライバIC14の単位トランジスタ154はNチャンネルで形成することが好ましい。   Further, the unit transistor 154 formed by the N channel has less variation in output current than the unit transistor 154 formed by the P channel. When compared with the unit transistors 154 of the same area (W · L), the N-channel unit transistor 154 has a variation in output current from 1 / 1.5 to 1/2 compared to the P-channel unit transistor 154. Become. For this reason, the unit transistor 154 of the source driver IC 14 is preferably formed of an N channel.

なお、図42(b)においても同様である。図42(b)は駆動用トランジスタ11bを介してソースドライバ回路14の単位トランジスタ154に電流が流入するのではない。しかし、アノード電圧Vddからプログラム用トランジスタ11a、ソース信号線18を介してソースドライバ回路14の単位トランジスタ154にプログラム電流Iwが流入するように構成である。したがって、図1と同様に、ゲートドライバ回路12および画素16をPチャンネルトランジスタで構成し、ソースドライバ回路14を基板に積載し、かつソースドライバ回路14の単位トランジスタ154をNチャンネルトランジスタで構成することは、すぐれた相乗効果を発揮する。   The same applies to FIG. 42B. In FIG. 42B, current does not flow into the unit transistor 154 of the source driver circuit 14 via the driving transistor 11b. However, the configuration is such that the program current Iw flows from the anode voltage Vdd into the unit transistor 154 of the source driver circuit 14 via the programming transistor 11 a and the source signal line 18. Therefore, as in FIG. 1, the gate driver circuit 12 and the pixel 16 are configured by P-channel transistors, the source driver circuit 14 is mounted on the substrate, and the unit transistors 154 of the source driver circuit 14 are configured by N-channel transistors. Exerts an excellent synergistic effect.

本発明では、画素16の駆動用トランジスタ11aをPチャンネルで構成し、スイッチングトランジスタ11b、11cをPチャンネルで構成する。また、ソースドライバIC14の出力段の単位トランジスタ154をNチャンネルで構成するとした。また、好ましくは、ゲートドライバ回路12はPチャンネルトランジスタで構成するとした。   In the present invention, the driving transistor 11a of the pixel 16 is configured by a P channel, and the switching transistors 11b and 11c are configured by a P channel. Further, the unit transistor 154 in the output stage of the source driver IC 14 is configured by N channels. Preferably, the gate driver circuit 12 is composed of a P-channel transistor.

前述の逆の構成でも効果を発揮することは言うまでもない。画素16の駆動用トランジスタ11aをNチャンネルで構成し、スイッチングトランジスタ11b、11cをNチャンネルで構成する。また、ソースドライバIC14の出力段の単位トランジスタ154をPチャンネルとする構成である。なお、好ましくは、ゲートドライバ回路12はNチャンネルトランジスタで構成する。この構成も本発明の構成である。   Needless to say, the above-described reverse configuration is effective. The driving transistor 11a of the pixel 16 is configured with an N channel, and the switching transistors 11b and 11c are configured with an N channel. Further, the unit transistor 154 in the output stage of the source driver IC 14 is configured as a P channel. Preferably, the gate driver circuit 12 is composed of an N channel transistor. This configuration is also a configuration of the present invention.

次に、プリチャージ回路について説明をする。先にも説明しているが、電流駆動方式では、黒表示時で、画素に書き込む電流が小さい。そのため、ソース信号線18などに寄生容量があると、1水平走査期間(1H)に画素16に十分な電流を書き込むことができないという問題点があった。一般に、電流駆動型発光素子では、黒レベルの電流値は数nA程度と微弱であるため、その信号値で数10pF程度あると思われる寄生容量(配線負荷容量)を駆動することは困難である。   Next, the precharge circuit will be described. As described above, in the current driving method, the current written to the pixel is small during black display. For this reason, if the source signal line 18 or the like has a parasitic capacitance, there is a problem that a sufficient current cannot be written to the pixel 16 in one horizontal scanning period (1H). In general, a current-driven light-emitting element has a weak black level current value of about several nA, and thus it is difficult to drive a parasitic capacitance (wiring load capacitance) that seems to be about several tens of pF in its signal value. .

この課題を解決するためには、ソース信号線18に画像データを書き込む前に、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を印加し、ソース信号線18の電位レベルを画素のトランジスタ11aの黒表示電流(基本的にはトランジスタ11aはオフ状態)にすることが有効である。このプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)の形成(作成)には、画像データの上位ビットをデコードすることにより、黒レベルの定電圧出力を行うことが有効である。   In order to solve this problem, a precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is applied before image data is written to the source signal line 18, and the potential level of the source signal line 18 is set to the black level of the transistor 11a of the pixel. It is effective to set the display current (basically, the transistor 11a is off). For the formation (creation) of this precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage), it is effective to output a black level constant voltage by decoding the upper bits of the image data.

プリチャージとは、ソース信号線18に1Hの始めなどに、強制的に電圧を印加する方法である。電圧は、駆動用トランジスタ11a(図1の場合を例示するが、これに限定されない。電圧駆動の画素構成でもよい)をオフ状態にするものである。駆動用トランジスタ11aがPチャンネルの場合は、アノード電圧に近い電圧を印加する。つまり、オフ状態にする電圧を印加する。Nチャンネルの場合は、カソード電圧に近い電圧を印加する。   The precharge is a method for forcibly applying a voltage to the source signal line 18 at the beginning of 1H. The voltage is used to turn off the driving transistor 11a (illustrated in the case of FIG. 1, but is not limited thereto, and may be a voltage-driven pixel configuration). When the driving transistor 11a is a P channel, a voltage close to the anode voltage is applied. That is, a voltage for turning off is applied. In the case of the N channel, a voltage close to the cathode voltage is applied.

プリチャージとは駆動用トランジスタ11aをオフ状態(立ち上がり電流以下の状態)またはその近傍の電圧を印加するものである。もしくは、図135〜139などのように複数のプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を用いる(低階調プリチャージ駆動)場合は、駆動用トランジスタ11aのゲート端子(G)に電圧を印加し、印加した電圧に応じて駆動用トランジスタ11aの出力電流を変化(制御)させるものである。また、プリチャージ駆動は、画素トランジスタ11aに黒電圧を書き込むものである。また、画素トランジスタ11aをカットオフ状態にする駆動方法である。また、コンデンサ11aの端子電圧をトランジスタ11aがオフする電圧を書き込むものである。   The precharge is to apply a voltage in the vicinity of the driving transistor 11a in an off state (a state below the rising current) or in the vicinity thereof. Alternatively, when a plurality of precharge voltages (synonymous with or similar to the program voltage) are used as shown in FIGS. 135 to 139 (low gradation precharge drive), a voltage is applied to the gate terminal (G) of the drive transistor 11a. The output current of the driving transistor 11a is changed (controlled) according to the applied voltage. In the precharge drive, a black voltage is written to the pixel transistor 11a. In addition, this is a driving method in which the pixel transistor 11a is cut off. Further, the voltage at which the transistor 11a is turned off is written as the terminal voltage of the capacitor 11a.

以上のようにプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を印加するとは、駆動用トランジスタ11aを強制的にオフ状態にする電圧を印加する方式である。また、ソース信号線18に電圧を印加し、強制的に充放電させることをいう。   Applying a precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) as described above is a method of applying a voltage for forcibly turning off the driving transistor 11a. Further, it means that a voltage is applied to the source signal line 18 to forcibly charge and discharge.

また、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を印加するとしたが、ソース信号線18の電位を変化させるには、電圧の印加だけでなく、電流を印加(充電又は放電)してもソース信号線18の電位を変化させることができる。したがって、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を印加する技術的思想は、プリチャージ電流を印加することも含まれる。   Also, a precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is applied. However, in order to change the potential of the source signal line 18, not only the voltage but also the current (charge or discharge) is applied to the source. The potential of the signal line 18 can be changed. Therefore, the technical idea of applying a precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) includes applying a precharge current.

また、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)(電流)は1水平走査期間に1度印加することに限定するものではなく、1水平走査期間に複数回分割して印加してもよい。また、複数水平走査期間に1度印加するように制御してもよい。また、1フレームまたは1フィールド期間に1度以上印加してもよく、複数フィールドまたは1フレームに複数回あるいは1回印加してもよいことは言うまでもない。また、1水平走査期間または1フレームなどに複数回印加する場合は、複数回内でプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)の大きさを変化してもよく、複数回内で印加期間を変化させてもよいことは言うまでもない。また、印加位置(ソース信号線18の両端と中央部など)を変化させてもよい。印加位置はフレームまたは水平走査期間で変化させてもよい。   Further, the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) (current) is not limited to being applied once in one horizontal scanning period, and may be applied by being divided into a plurality of times in one horizontal scanning period. Further, it may be controlled so as to be applied once in a plurality of horizontal scanning periods. Needless to say, it may be applied once or more in one frame or one field period, or may be applied multiple times or once in a plurality of fields or one frame. In addition, when applying a plurality of times in one horizontal scanning period or one frame, the magnitude of the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) may be changed within a plurality of times. Needless to say, it may be changed. Further, the application position (such as both ends and the center of the source signal line 18) may be changed. The application position may be changed in a frame or a horizontal scanning period.

なお、本発明は、駆動用トランジスタがPチャンネルにし、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)をアノード電圧Vdd以下(アノード電圧Vdd−1.5(V)とすることを特徴としている。また、R、G、Bで少なくとも1つは他のプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を異ならせることができるように構成していることを特徴としている。たとえば、R、G、Bごとに図75の構成をソースドライバIC14内に構成あるいは形成する。   The present invention is characterized in that the driving transistor is a P-channel and the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is equal to or lower than the anode voltage Vdd (anode voltage Vdd-1.5 (V)). , R, G, and B, at least one of the other precharge voltages (synonymous with or similar to the program voltage) can be made different, for example, for each of R, G, and B 75 is configured or formed in the source driver IC 14.

なお、本発明は、1つのソースドライバIC(回路)14内にR、G、Bの出力回路(プログラム電流(電圧)出力回路など)を具備するとして説明しているが、これに限定するものではない。たとえば、R、G、Bそれぞれ個別の出力をだす3つのソースドライバIC(回路)14を設け、1つのアレイ基板30などに実装してもよい。また、図75などで説明するプリチャージ回路構成は、各R、G、BのICチップ(回路)14内にそれぞれ配置する。また、本発明は、1つのソースドライバIC(回路)14内にR、G、Bの3つのプリチャージ回路などを配置することに限定されない。R、G、Bのうち、1つ以上のプリチャージ回路を配置または形成すればよい。RGBすべてにプリチャージしなくとも黒表示が良好に実施できる色のEL素子15があるからである。   Although the present invention has been described as including R, G, and B output circuits (program current (voltage) output circuits, etc.) in one source driver IC (circuit) 14, the present invention is not limited to this. is not. For example, three source driver ICs (circuits) 14 that output individual outputs of R, G, and B may be provided and mounted on one array substrate 30 or the like. The precharge circuit configuration described with reference to FIG. 75 and the like is arranged in each R, G, B IC chip (circuit) 14. Further, the present invention is not limited to arranging three R, G, and B precharge circuits in one source driver IC (circuit) 14. One or more precharge circuits among R, G, and B may be arranged or formed. This is because there is an EL element 15 of a color that can perform black display well without precharging all of RGB.

図186はプリチャージ駆動の説明図である。図186(a)は駆動用トランジスタ11aがPチャンネルの場合である。画素構成は図1を例示して説明しているが、これに限定するものではない。図2、図7、図11、図12、図13、図28、図31などの他の画素構成のEL表示パネルあるいはEL表示装置にも適用できることは言うまでもない。   FIG. 186 is an explanatory diagram of precharge driving. FIG. 186 (a) shows a case where the driving transistor 11a is a P channel. Although the pixel configuration has been described with reference to FIG. 1, the present invention is not limited to this. Needless to say, the present invention can also be applied to EL display panels or EL display devices having other pixel configurations such as those shown in FIGS. 2, 7, 11, 12, 13, 28, and 31.

プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)はソースドライバ回路14が発生する。この点も本発明の特徴である。また、ソースドライバ回路14はシリコンチップのICである。また、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)は、駆動用トランジスタ11aがPチャンネルの場合、Vdd電圧以下でVdd−5.0(V)以上の電圧である。プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)Vpは、画素選択トランジスタ11cがオンし、駆動用トランジスタ11aのゲート端子とドレイン端子に印加される。もしくはゲート端子に印加される。プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)は駆動用トランジスタ11aをオフ状態(電流が流れないようにする電圧)にする電圧である。プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を印加された画素のトランジスタ11dはオフ状態にされ、EL素子15にはプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)が印加されないように制御されている。そのため、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)によりEL素子15が不要な発光を行うことはない。   A precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is generated by the source driver circuit 14. This point is also a feature of the present invention. The source driver circuit 14 is a silicon chip IC. Further, the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is a voltage equal to or lower than the Vdd voltage and equal to or higher than Vdd−5.0 (V) when the driving transistor 11a is a P channel. A precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) Vp is applied to the gate terminal and the drain terminal of the driving transistor 11a when the pixel selection transistor 11c is turned on. Alternatively, it is applied to the gate terminal. The precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is a voltage that turns the driving transistor 11a off (voltage that prevents current from flowing). The transistor 11d of the pixel to which the precharge voltage (synonymous or similar to the program voltage) is applied is turned off, and the EL element 15 is controlled so that the precharge voltage (synonymous or similar to the program voltage) is not applied. . Therefore, the EL element 15 does not perform unnecessary light emission due to the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage).

図186(b)は駆動用トランジスタ11aがNチャンネルの場合である。プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)はソースドライバ回路14が発生する。プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)は、駆動用トランジスタ11aがNチャンネルの場合、Vss電圧以上Vss+5.0(V)以下の電圧である。プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)Vpは、画素選択トランジスタ11cがオンし、駆動用トランジスタ11aのゲート端子とドレイン端子に印加される。もしくはゲート端子に印加される。プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)は駆動用トランジスタ11aをオフ状態(電流が流れないようにする電圧)にする電圧である。プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を印加された画素のトランジスタ11dはオフ状態にされ、EL素子15にはプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)が印加されないように制御されている。そのため、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)によりEL素子15が不要な発光を行うことはない。   FIG. 186 (b) shows the case where the driving transistor 11a is an N channel. A precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is generated by the source driver circuit 14. The precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is a voltage not lower than Vss voltage and not higher than Vss + 5.0 (V) when the driving transistor 11a is an N channel. A precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) Vp is applied to the gate terminal and the drain terminal of the driving transistor 11a when the pixel selection transistor 11c is turned on. Alternatively, it is applied to the gate terminal. The precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is a voltage that turns the driving transistor 11a off (voltage that prevents current from flowing). The transistor 11d of the pixel to which the precharge voltage (synonymous or similar to the program voltage) is applied is turned off, and the EL element 15 is controlled so that the precharge voltage (synonymous or similar to the program voltage) is not applied. . Therefore, the EL element 15 does not perform unnecessary light emission due to the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage).

図187(a)は、図13のように画素構成がカレントミラー構成の場合である。駆動用トランジスタ11bがPチャンネルの場合である。プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)はソースドライバ回路14が発生する。プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)は、駆動用トランジスタ11aがPチャンネルの場合、Vdd電圧以下でVdd−5.0(V)以上の電圧である。プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)Vpは、画素選択トランジスタ11cがオンし、駆動用トランジスタ11aのゲート端子とドレイン端子に印加される。もしくはゲート端子に印加される。プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)は駆動用トランジスタ11aをオフ状態(電流が流れないようにする電圧)にする電圧である。プリチャージ電圧を印加された画素のトランジスタ11dはオフ状態にされ、EL素子15にはプリチャージ電圧が印加されないように制御されている。そのため、プリチャージ電圧によりEL素子15が不要な発光を行うことはない。   FIG. 187 (a) shows a case where the pixel configuration is a current mirror configuration as shown in FIG. This is a case where the driving transistor 11b is a P channel. A precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is generated by the source driver circuit 14. The precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is a voltage equal to or lower than the Vdd voltage and equal to or higher than Vdd−5.0 (V) when the driving transistor 11a is a P channel. A precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) Vp is applied to the gate terminal and the drain terminal of the driving transistor 11a when the pixel selection transistor 11c is turned on. Alternatively, it is applied to the gate terminal. The precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is a voltage that turns the driving transistor 11a off (voltage that prevents current from flowing). The transistor 11 d of the pixel to which the precharge voltage is applied is turned off, and the EL element 15 is controlled so that the precharge voltage is not applied. Therefore, the EL element 15 does not emit unnecessary light due to the precharge voltage.

なお、図187(b)に図示するように、トランジスタ11dは必ずしも必要ではない。特に、図13のようにカレントミラー回路構成では不要である。また、図186(b)で図示するように、図187においても駆動用トランジスタ11bをNチャンネルで構成できることも言うまでもない。   Note that the transistor 11d is not necessarily required as illustrated in FIG. In particular, it is not necessary in the current mirror circuit configuration as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 186 (b), it goes without saying that the driving transistor 11b can also be constituted by an N channel in FIG. 187.

図75に、本発明のプリチャージ機能を有した電流出力方式のソースドライバIC(回路)14の一例を示す。図75では、6ビットの定電流出力回路164の出力段にプリチャージ機能を搭載した場合を示している。   FIG. 75 shows an example of a current output type source driver IC (circuit) 14 having a precharge function of the present invention. FIG. 75 shows a case where a precharge function is mounted on the output stage of the 6-bit constant current output circuit 164.

図75では、プリチャージ電圧を印加すると、内部配線150のB点にプリチャージ電圧が印加される。したがって、プリチャージ電圧は電流出力段164にも印加されることになる。しかし、電流出力段164は定電流回路であるから、高インピーダンスである。そのため、定電流回路164にプリチャージ電圧が印加されても回路の動作上問題は発生しない。   In FIG. 75, when the precharge voltage is applied, the precharge voltage is applied to the point B of the internal wiring 150. Therefore, the precharge voltage is also applied to the current output stage 164. However, since the current output stage 164 is a constant current circuit, it has a high impedance. Therefore, even if a precharge voltage is applied to the constant current circuit 164, there is no problem in circuit operation.

プリチャージは全階調範囲で実施してもよいが、好ましくは、プリチャージを行う階調は、黒表示領域に限定すべきである。つまり、書き込み画像データを判定し、黒領域階調(低輝度、つまり、電流駆動方式では、書き込み電流が小さい(微小))を選択しプリチャージする(選択プリチャージと呼ぶ)。全階調データに対し、プリチャージすると、今度は、白表示領域で、輝度の低下(目標輝度に到達しない)が発生する。また、画像に縦筋が表示されるという課題が発生する場合がある。   The precharge may be performed in the entire gradation range, but preferably, the gradation for precharging should be limited to the black display region. That is, the writing image data is determined, and the black region gradation (low luminance, that is, the writing current is small (small) in the current driving method) is selected and precharged (referred to as selective precharging). When pre-charging is performed on all gradation data, this time, a decrease in luminance (not reaching the target luminance) occurs in the white display area. Moreover, the subject that a vertical stripe is displayed on an image may generate | occur | produce.

好ましくは、階調データの階調0から全階調の1/8の領域の階調領域で、選択プリチャージを行う(たとえば、64階調の時は、0階調目から7階調目までの画像データの時、プリチャージを行ってから、画像データを書き込む)。さらに、好ましくは、階調データの階調0から1/16の領域の階調で、選択プリチャージを行う(たとえば、64階調の時は、0階調目から3階調目までの画像データと時、プリチャージを行ってから、画像データを書き込む)。   Preferably, selective precharge is performed in a gradation region from gradation 0 to 1/8 of all gradations of gradation data (for example, in the case of 64 gradations, the 0th to 7th gradations are performed). In the case of image data up to, after precharging, the image data is written). Further, it is preferable that selective precharge is performed with gradations in a region of gradations 0 to 1/16 of gradation data (for example, in the case of 64 gradations, images from the 0th gradation to the 3rd gradation are used. Data and time, precharge and then write image data).

特に黒表示で、コントラストを高くするためには、階調0のみを検出してプリチャージする方式も有効である。極めて黒表示が良好になる。階調0のみをプリチャージする方法は、画像表示に与える弊害の発生が少ない。したがって、最もプリチャージ技術として採用することが好ましい。   In particular, in order to increase the contrast in black display, it is also effective to detect only the gradation 0 and precharge. The black display is extremely good. The method of precharging only the gradation 0 has less adverse effects on image display. Therefore, it is preferable to adopt as the most precharge technology.

プリチャージの電圧、階調範囲は、R、G、Bで異ならせることも有効である。EL表示素子15は、R、G、Bで発光開始電圧、発光輝度が異なっているからである。たとえば、Rは、階調データの階調0から1/8の領域の階調で、選択プリチャージを行う(たとえば、64階調の時は、0階調目から7階調目までの画像データの時、プリチャージを行ってから、画像データを書き込む)。他の色(G、B)は、階調データの階調0から1/16の領域の階調で、選択プリチャージを行う(たとえば、64階調の時は、0階調目から3階調目までの画像データと時、プリチャージを行ってから、画像データを書き込む)などの制御を行う。また、プリチャージ電圧も、Rは7(V)であれば、他の色(G、B)は、7.5(V)の電圧をソース信号線18に書き込むようにする。   It is also effective to vary the precharge voltage and gradation range for R, G, and B. This is because the EL display element 15 has different emission start voltages and emission luminances for R, G, and B. For example, R is a selective precharge with the gradation in the range of gradations 0 to 1/8 of the gradation data (for example, in the case of 64 gradations, the images from the 0th gradation to the 7th gradation are used. When data, pre-charge and then write image data). Other colors (G, B) are selectively precharged with gradations in the range of gradations 0 to 1/16 of gradation data (for example, in the case of 64 gradations, the 3rd floor from the 0th gradation) The image data up to the time of the adjustment and the control such as writing the image data after precharging are performed. As for the precharge voltage, if R is 7 (V), a voltage of 7.5 (V) is written to the source signal line 18 for the other colors (G, B).

最適なプリチャージ電圧は、EL表示パネルの製造ロットで異なることが多い。したがって、プリチャージ電圧は、外部ボリウムなどで調整できるように構成しておくことが好ましい。この調整回路も電子ボリウム回路を用いることにより容易に実現できる。   The optimum precharge voltage is often different depending on the production lot of the EL display panel. Therefore, it is preferable that the precharge voltage is configured to be adjustable with an external volume or the like. This adjustment circuit can also be easily realized by using an electronic volume circuit.

なお、プリチャージ電圧は、図1のアノード電圧Vdd−0.5(V)以下、アノード電圧Vdd−2.5(V)以上にすることが好ましい。   Note that the precharge voltage is preferably not more than the anode voltage Vdd-0.5 (V) and not less than the anode voltage Vdd-2.5 (V) in FIG.

階調0のみをプリチャージする方法にあっても、R、G、Bの一色あるいは2色を選択してプリチャージする方法も有効である。画像表示に与える弊害の発生が少ない。また、画面輝度が所定輝度以下あるいは所定輝度以上の時に、プリチャージすることも有効である。特に表示画面144の輝度が低輝度の時は、黒表示が困難である。低輝度の時に、0階調プリチャージなどのプリチャージ駆動を実施することにより画像のコントラスト感が良好になる。   Even in the method of precharging only gradation 0, a method of precharging by selecting one or two colors of R, G, B is also effective. Less harmful to image display. It is also effective to precharge when the screen brightness is less than or equal to a predetermined brightness. In particular, when the brightness of the display screen 144 is low, black display is difficult. By performing precharge driving such as 0 gradation precharge when the luminance is low, the contrast of the image is improved.

また、全くプリチャージしない第0モード、階調0のみをプリチャージする第1モード、階調0から階調3の範囲でプリチャージする第2モード、階調0から階調7の範囲でプリチャージする第3モード、全階調の範囲でプリチャージする第4モードなどを設定し、これらをコマンドで切り替えるように構成することが好ましい。これらは、ソースドライバIC(回路)14内においてロジック回路を構成(設計)することにより容易に実現できる。   In addition, the 0th mode in which no precharge is performed, the first mode in which only the gradation 0 is precharged, the second mode in which the precharge is performed in the range from the gradation 0 to the gradation 3, and the precharging is performed in the range from the gradation 0 to the gradation 7. It is preferable that a third mode to be charged, a fourth mode to be precharged in a range of all gradations, and the like are set, and these are switched by a command. These can be easily realized by configuring (designing) a logic circuit in the source driver IC (circuit) 14.

以上の信号の印加状態により、スイッチ151aがオンオフ制御され、スイッチ151aオンの時、プリチャージ電圧PVがソース信号線18に印加される。なお、プリチャージ電圧PVを印加する時間は、別途形成したカウンタ(図示せず)により設定される。このカウンタはコマンドにより設定できるように構成されている。また、プリチャージ電圧の印加時間は1水平走査期間(1H)の1/100以上1/5以下の時間に設定することが好ましい。たとえば、1Hが100μsecとすれば、1μsec以上20μsec(1Hの1/100以上1Hの1/5以下)とする。さらに好ましくは、2μsec以上10μsec(1Hの2/100以上1Hの1/10以下)とする。   The switch 151a is controlled to be turned on / off by the application state of the above signal, and the precharge voltage PV is applied to the source signal line 18 when the switch 151a is turned on. The time for applying the precharge voltage PV is set by a separately formed counter (not shown). This counter is configured to be set by a command. The precharge voltage application time is preferably set to 1/100 or more and 1/5 or less of one horizontal scanning period (1H). For example, if 1H is 100 μsec, it is 1 μsec or more and 20 μsec (1/100 of 1H or more and 1/5 or less of 1H). More preferably, it is 2 μsec or more and 10 μsec (2/100 of 1H or more and 1/10 or less of 1H).

一致回路161の出力と、カウンタ回路162の出力とが、AND回路163でANDされ、一定期間、黒レベル電圧Vpを出力するように構成されている。   The output of the coincidence circuit 161 and the output of the counter circuit 162 are ANDed by an AND circuit 163, and the black level voltage Vp is output for a certain period.

図75は、プリチャージ電圧を階調に応じて変化できるように構成した実施例である。図75では印加する画像データに応じてプリチャージ電圧を変化させることが容易に実現できる。プリチャージ電圧は画像データ(D3〜D0)によって、電子ボリウム501により変化させることができる。図75では、D3〜D0ビットは電子ボリウムに接続されていることから、低階調のプリチャージ電圧が変更できるようにしていることがわかる。これは、黒表示の書き込み電流は微小であり、白表示の書き込み電流は大きいからである。したがって、低階調領域になるにしたがって、プリチャージ電圧を高くする。画素16の駆動用トランジスタ11aをPチャンネルとしているため、アノード電圧(Vdd)がもっと黒表示電圧である。高階調領域になるにしたがって、プリチャージ電圧を低く(画素トランジスタ11aがPチャンネルの時)する。つまり、低階調表示では、電圧プログラム方式が実施され、高階調表示(白表示)では、電流プログラム方式が実施されていることになる。もちろん、図75は階調に応じてプリチャージ電圧を変化するだけでなく、温度あるいは点灯率、基準電流比、duty比に応じてプリチャージ電圧を変化あるいは制御してもよい。また、温度あるいは点灯率、基準電流比、duty比に応じてプリチャージ電圧の印加時間を変化あるいは制御してもよい
図75のプリチャージ回路では、階調0のみをプリチャージするとか、階調0から階調7の範囲でプリチャージするとかを選択できる。また、各階調に対するプリチャージ電圧も電子ボリウム501で変更できる。
FIG. 75 shows an embodiment in which the precharge voltage can be changed according to the gradation. In FIG. 75, it is possible to easily change the precharge voltage in accordance with the applied image data. The precharge voltage can be changed by the electronic volume 501 according to the image data (D3 to D0). In FIG. 75, since the D3 to D0 bits are connected to the electronic volume, it can be seen that the low gradation precharge voltage can be changed. This is because the black display write current is very small and the white display write current is large. Therefore, the precharge voltage is increased as the low gradation region is reached. Since the driving transistor 11a of the pixel 16 is a P channel, the anode voltage (Vdd) is a black display voltage. As the high gradation region is reached, the precharge voltage is lowered (when the pixel transistor 11a is in the P channel). That is, the voltage programming method is implemented in the low gradation display, and the current programming method is implemented in the high gradation display (white display). Of course, in FIG. 75, not only the precharge voltage is changed according to the gradation, but the precharge voltage may be changed or controlled according to the temperature or the lighting rate, the reference current ratio, and the duty ratio. In addition, the precharge voltage application time may be changed or controlled according to temperature, lighting rate, reference current ratio, or duty ratio. In the precharge circuit of FIG. It is possible to select whether to precharge in the range of 0 to gradation 7. Also, the precharge voltage for each gradation can be changed by the electronic volume 501.

ソース信号線18に印加する画像データにより、プリチャージ電圧PV印加時間を可変することによっても良好な結果が得られる。たとえば、完全黒表示の階調0では印加時間を長くし、階調4ではそれよりも短くするなどである。また、1H前の画像データと次に印加する画像データの差を考慮して、印加時間を設定することも良好な結果を得ることができる。   Good results can also be obtained by varying the precharge voltage PV application time according to the image data applied to the source signal line 18. For example, the application time is lengthened in gradation 0 for full black display, and shorter than that in gradation 4. It is also possible to obtain a good result by setting the application time in consideration of the difference between the image data before 1H and the image data to be applied next.

たとえば、1H前にソース信号線に画素を白表示にする電流と書き込み、次の1Hに、画素に黒表示にする電流を書き込む時は、プリチャージ時間を長くする。黒表示の電流は微小であるからである。逆に、1H前にソース信号線に画素を黒表示にする電流と書き込み、次の1Hに、白素に黒表示にする電流を書き込む時は、プリチャージ時間を短くするか、もしくはプリチャージを停止する(行わない)。白表示の書き込み電流は大きいからである。   For example, when writing a current to display a pixel in white on the source signal line 1H before and writing a current to display a black in the pixel to the next 1H, the precharge time is lengthened. This is because the black display current is very small. On the other hand, when writing the current to make the pixel display black on the source signal line 1H before, and writing the current to make the black display on white next 1H, shorten the precharge time or precharge the current. Stop (do not do). This is because the white display write current is large.

印加する画像データに応じてプリチャージ電圧を変化かえることも有効である。黒表示の書き込み電流は微小であり、白表示の書き込み電流は大きいからである。したがって、低階調領域になるにしたがって、プリチャージ電圧を高く(Vddに対して。なお、画素トランジスタ11aがPチャンネルの時)し、高階調領域になるにしたがって、プリチャージ電圧を低く(画素トランジスタ11aがPチャンネルの時)するという制御方法も有効である。   It is also effective to change the precharge voltage according to the image data to be applied. This is because the writing current for black display is very small and the writing current for white display is large. Therefore, the precharge voltage is increased (with respect to Vdd when the pixel transistor 11a is in the P channel) as the low gradation region is reached, and the precharge voltage is decreased (pixel) as the high gradation region is obtained. A control method in which the transistor 11a is in the P channel) is also effective.

画面に白表示領域(一定の輝度を有する領域)の面積(白面積)と、黒表示領域(所定以下の輝度の領域)の面積(黒面積)が混在し、白面積と黒面積の割合が一定の範囲の時、プリチャージを停止するという機能を付加することは有効である(適正プリチャージ)。この一定の範囲で、画像に縦筋が発生するからである。もちろん、逆に一定の範囲で、プリチャージするという場合もある。また、画像が動いた時、画像がノイズ的になるからである。適正プリチャージは、演算回路で白面積と黒面積に該当する画素のデータをカウント(演算)することにより、容易に実現することができる。   The screen has a white display area (area with a certain luminance) area (white area) and a black display area (area with a luminance below a certain level) (black area). It is effective to add a function of stopping the precharge when in a certain range (appropriate precharge). This is because vertical stripes occur in the image within this certain range. Of course, conversely, precharging may be performed within a certain range. Also, when the image moves, the image becomes noise-like. Appropriate precharging can be easily realized by counting (calculating) data of pixels corresponding to the white area and the black area with an arithmetic circuit.

プリチャージ制御は、R、G、Bで異ならせることも有効である。EL表示素子15は、R、G、Bで発光開始電圧、発光輝度が異なっているからである。たとえば、Rは、所定輝度の白面積:所定輝度の黒面積の比が1:20以上でプリチャージを停止または開始し、GとBは、所定輝度の白面積:所定輝度の黒面積の比が1:16以上でプリチャージを停止または開始するという方法が例示される。なお、実験および検討結果によれば、有機EL表示パネルの場合、所定輝度の白面積:所定輝度の黒面積の比が1:100以上(つまり、黒面積が白面積の100倍以上)でプリチャージを停止することが好ましい。さらには、所定輝度の白面積:所定輝度の黒面積の比が1:200以上(つまり、黒面積が白面積の200倍以上)でプリチャージを停止することが好ましい。   It is also effective to make the precharge control different for R, G, and B. This is because the EL display element 15 has different emission start voltages and emission luminances for R, G, and B. For example, R is the ratio of the white area of the predetermined luminance: the black area of the predetermined luminance is stopped or started when the ratio is 1:20 or more, and G and B are the ratio of the white area of the predetermined luminance: the black area of the predetermined luminance. Is a method of stopping or starting the precharge at 1:16 or more. According to the experiment and examination results, in the case of the organic EL display panel, the pre-processing is performed when the ratio of the white area with the predetermined luminance to the black area with the predetermined luminance is 1: 100 or more (that is, the black area is 100 times or more of the white area). It is preferable to stop charging. Furthermore, it is preferable to stop the precharge when the ratio of the white area with the predetermined luminance to the black area with the predetermined luminance is 1: 200 or more (that is, the black area is 200 times or more of the white area).

以前にも説明をしたが、図76に図示するように、RGBの画像データ(RDATA、GDATA、BDATA)は各8ビットである。RGB各8ビットの画像データは、ガンマ回路764でガンマ変換されて、10ビット信号となる。ガンマ変換された信号は、フレームレートコントロール(FRC)回路765でFRC処理されて、6ビットの画像データに変換される。プリチャージ制御回路(PC)761は、変換された6ビットの画像データからプリチャージ制御信号(プリチャージする時はHレベルとし、プリチャージしない時はLレベルとする)を発生させる。このプリチャージを発生させる方式については後に説明をする。   As described before, as shown in FIG. 76, RGB image data (RDATA, GDATA, and BDATA) are each 8 bits. The RGB 8-bit image data is gamma-converted by the gamma circuit 764 to become a 10-bit signal. The signal subjected to gamma conversion is subjected to FRC processing by a frame rate control (FRC) circuit 765 and converted to 6-bit image data. A precharge control circuit (PC) 761 generates a precharge control signal (set to H level when precharging and set to L level when not precharging) from the converted 6-bit image data. A method for generating this precharge will be described later.

なお、FRCは10ビット信号を8ビットもしくは6ビット処理することが、画像の破綻もなく好ましい。   Note that it is preferable for the FRC to process a 10-bit signal for 8 bits or 6 bits without image failure.

図77は、ソースドライバIC(回路)14のプリチャージ回路773を中心とするブロック図である。プリチャージ回路773とは、プリチャージ制御回路761によりプリチャージ制御信号PC信号(赤(RPC)、緑(GPC)、青(BPC))が出力される。このPC信号は図76に図示するコントロールIC81のプリチャージ制御回路761により発生し、PC信号は、図77に図示するソースドライバIC14のセレクタ回路772に入力される。   FIG. 77 is a block diagram centering on the precharge circuit 773 of the source driver IC (circuit) 14. The precharge circuit 773 outputs a precharge control signal PC signal (red (RPC), green (GPC), blue (BPC)) by the precharge control circuit 761. The PC signal is generated by the precharge control circuit 761 of the control IC 81 shown in FIG. 76, and the PC signal is input to the selector circuit 772 of the source driver IC 14 shown in FIG.

セレクタ回路772は、メインクロックに同期して出力段に対応するラッチ回路771に順次ラッチしていく。ラッチ回路771はラッチ回路771aとラッチ回路771bの2段構成である。ラッチ回路771bは水平走査クロック(1H)に同期してプリチャージ回路773にデータを送出する。つまり、セレクタは、1画素行分の画像データおよびPCデータを順次ラッチしていき、水平走査クロック(1H)に同期して、ラッチ回路771bでデータをストアする。   The selector circuit 772 sequentially latches in the latch circuit 771 corresponding to the output stage in synchronization with the main clock. The latch circuit 771 has a two-stage configuration of a latch circuit 771a and a latch circuit 771b. The latch circuit 771b sends data to the precharge circuit 773 in synchronization with the horizontal scanning clock (1H). That is, the selector sequentially latches image data and PC data for one pixel row, and stores the data in the latch circuit 771b in synchronization with the horizontal scanning clock (1H).

なお、図77では、ラッチ回路771のR、G、BはRGBの画像データ6ビットのラッチ回路であり、Pはプリチャージ信号(RPC、GPC、BPC)の3ビットをラッチするラッチ回路である。   In FIG. 77, R, G, and B in the latch circuit 771 are RGB image data 6-bit latch circuits, and P is a latch circuit that latches 3 bits of the precharge signals (RPC, GPC, and BPC). .

プリチャージ回路773は、ラッチ回路771bの出力がHレベルの時、スイッチ151aをオンさせ、ソース信号線18にプリチャージ電圧を出力する。電流出力回路164は画像データに応じて、プログラム電流をソース信号線18に出力する。   The precharge circuit 773 turns on the switch 151a and outputs a precharge voltage to the source signal line 18 when the output of the latch circuit 771b is at the H level. The current output circuit 164 outputs a program current to the source signal line 18 according to the image data.

図76、図77の構成を概略的に図示すれば、図78の構成となる。なお、図78、図79は1つの表示パネルに複数のソースドライバIC(回路)14を積載した構成(ソースドライバICのカソード接続)である。また、図78、図79のCSEL1、CSEL2はICチップのセレクト信号である。CSEL信号によりどちらにICチップを選択し、画像データおよびPC信号を入力するかを決定する。   76 and 77 schematically shows the configuration of FIG. 78. 78 and 79 show a configuration in which a plurality of source driver ICs (circuits) 14 are stacked on one display panel (cathode connection of source driver ICs). In addition, CSEL1 and CSEL2 in FIGS. 78 and 79 are select signals for the IC chip. The IC chip is selected by the CSEL signal to determine which image data and PC signal are input.

図77、図78の構成では、各RGB画像データに対応して、プリチャージコントロール(PC)信号を発生させている。プリチャージの印加は、以上のようにRGBごとに行うことが好ましい。しかし、動画表示、自然画表示では、RGBごとにプリチャージするかしないかを判断する必要がない場合が多い。つまり、RGBを輝度信号に変換し(換算し)、輝度によりプリチャージをするかしないかを判断してもよい。このようにしたのが、図79の構成である。   77 and 78, a precharge control (PC) signal is generated corresponding to each RGB image data. The precharge is preferably applied for each RGB as described above. However, in moving image display and natural image display, it is often unnecessary to determine whether or not to precharge for each RGB. That is, RGB may be converted (converted) into a luminance signal, and it may be determined whether or not to precharge based on the luminance. This is the configuration of FIG. 79.

図78の構成では、PC信号は3ビット必要である(RPC、GPC、BPC)が、図79の構成では、PC信号はRGBPCの1ビットでよい。したがって、図77のラッチ回路771においても、Pは1ビットのラッチでよい。なお、以降の説明では、説明を容易にする点、作図を容易にする観点から、RGBを考慮せずに説明を行う。   In the configuration of FIG. 78, the PC signal requires 3 bits (RPC, GPC, BPC), but in the configuration of FIG. 79, the PC signal may be 1 bit of RGBPC. Therefore, in the latch circuit 771 of FIG. 77, P may be a 1-bit latch. In the following description, the description will be made without considering RGB from the viewpoint of facilitating the explanation and drawing.

以上の本発明の構成は、コントローラ760が画像データに基づいてPC信号(プリチャージ制御信号)を発生する点、ソースドライバIC14がPC信号をラッチし1Hの同期信号に同期してソース信号線18に印加する点に特徴がある。また、コントローラ81は図76に図示するように、プリチャージモード(PMODE)信号により、プリチャージ信号の発生を容易に変更することができる。   In the configuration of the present invention described above, the controller 760 generates the PC signal (precharge control signal) based on the image data, and the source driver IC 14 latches the PC signal and synchronizes with the 1H synchronization signal in the source signal line 18. It is characterized in that it is applied to. Further, as shown in FIG. 76, the controller 81 can easily change the generation of the precharge signal by a precharge mode (PMODE) signal.

たとえば、PMODEとは、階調0のみをプリチャージするモード、階調0−7など一定の階調範囲をプリチャージするモード、画像データが明るい画像データから暗い画像データに変化する時にプリチャージするモード、一定のフレームで連続して低階調表示となる時に、プリチャージするモードなどが例示される。   For example, PMODE is a mode in which only gradation 0 is precharged, a mode in which a certain gradation range such as gradation 0-7 is precharged, and precharge when image data changes from bright image data to dark image data. Examples include a mode for precharging when low gradation display is continuously performed in a certain frame.

なお、1画素のデータについてプリチャージするかしないかを判断することに限定するものではない。たとえば、複数画素行の画像データにもとづいてプリチャージ判断をおこなってもよい。また、プリチャージを行う周辺画素の画像データを勘案して(たとえば、重み付け処理など)プリチャージ判断を行っても良い。また、動画と静止画でプリチャージ判断を変化する方法も例示される。以上事項は、画像データに基づき、コントローラがプリチャージ信号を発生することにより、良好な汎用性が発揮される点が重要である。以降、このプリチャージ判断とプリチャージモードを中心に説明をする。   Note that the present invention is not limited to determining whether or not to precharge one pixel data. For example, the precharge determination may be performed based on the image data of a plurality of pixel rows. In addition, the precharge determination may be performed in consideration of the image data of the surrounding pixels to be precharged (for example, weighting processing). Further, a method of changing the precharge judgment between a moving image and a still image is also exemplified. The above matter is important in that good versatility is exhibited when the controller generates a precharge signal based on image data. Hereinafter, the precharge determination and the precharge mode will be mainly described.

なお、プリチャージをするかしないかの判定は、1画素行前の画像データ(あるいは、直前にソース信号線に印加された画像データ)にもとづいて行っても良い。たとえば、あるソース信号線18に印加される画像データが白→黒→黒であれば、白から黒になる時は、プリチャージ電圧を印加する。黒階調は書込みにくいからである。黒から黒の場合は、プリチャージ電圧を印加しない。先に黒表示でソース信号線18の電位が次に書き込む黒表示の電位となっているからである。以上の動作は、コントローラ81に1画素行分(FIFOのため2ラインのメモリが必要)のラインメモリを形成(配置)することのより容易に実現できる。   Note that whether or not to precharge may be determined based on the image data of the previous pixel row (or the image data applied to the source signal line immediately before). For example, if the image data applied to a certain source signal line 18 is white-> black-> black, a precharge voltage is applied when changing from white to black. This is because black gradation is difficult to write. In the case of black to black, no precharge voltage is applied. This is because the potential of the source signal line 18 in the black display first is the black display potential to be written next. The above operation can be realized more easily by forming (arranging) a line memory for one pixel row (requires two lines of memory for FIFO) in the controller 81.

また、本発明において、プリチャージ駆動では、プリチャージ電圧を出力するとして説明をするが、これに限定するものではない。1水平走査期間よりも短く、プログラム電流よりも大きい電流をソース信号線18に書き込む方式でもよい。つまり、プリチャージ電流をソース信号線18に書込み、その後にプログラム電流をソース信号線18に書き込む方式でもよい。プリチャージ電流も物理的には電圧変化を引き起こしていることには差異はない。プリチャージをプリチャージ電流で行う方式も本発明のプリチャージ駆動の範疇である。   In the present invention, the precharge drive is described as outputting a precharge voltage, but the present invention is not limited to this. A method of writing a current shorter than one horizontal scanning period and larger than the program current to the source signal line 18 may be used. That is, a method of writing the precharge current to the source signal line 18 and then writing the program current to the source signal line 18 may be used. There is no difference in that the precharge current also physically causes a voltage change. A method of performing precharge with a precharge current is also within the category of precharge driving of the present invention.

たとえば、図75では電子ボリウム501を切り換えることによりプリチャージ電圧が変化する。この電子ボリウム501を電流出力の電子ボリウムに変更すればよい。変更は複数のカレントミラー回路を組み合わせることにより容易に実現できる。本発明では説明を容易にするため、プリチャージ駆動はプリチャージ電圧で行うとして説明をする。   For example, in FIG. 75, the precharge voltage changes by switching the electronic volume 501. This electronic volume 501 may be changed to an electronic volume with current output. The change can be easily realized by combining a plurality of current mirror circuits. In the present invention, for ease of explanation, it is assumed that precharge driving is performed with a precharge voltage.

また、プリチャージ電圧(電流)の印加は、一定のプリチャージ電圧(電流)を印加することに限定するものではない。たとえば、複数のプリチャージ電圧をソース信号線に印加してもよい。たとえば、第1のプリチャージ電圧5(V)を5(μsec)印加した後、第2のプリチャージ電圧4.5(V)を5(μsec)印加する方法である。その後に、プログラム電流Iwをソース信号線18に印加する。   The application of the precharge voltage (current) is not limited to the application of a constant precharge voltage (current). For example, a plurality of precharge voltages may be applied to the source signal line. For example, after applying the first precharge voltage 5 (V) for 5 (μsec), the second precharge voltage 4.5 (V) is applied for 5 (μsec). Thereafter, the program current Iw is applied to the source signal line 18.

また、プリチャージ電圧を鋸波状に変化させたものでもよい。また、矩形波を印加してもよい。また、正規のプログラム電流(電圧)にプリチャージ電圧(電流)を重畳させてもよい。また、プリチャージ電圧(電流)の大きさ、プリチャージ電圧(電流)の印加期間は、画像データに対応させて変化させてもよい。また、画像データの値などに応じて、印加波形の種類、プリチャージ電圧の値などを変化させてもよい。   Alternatively, the precharge voltage may be changed in a sawtooth shape. A rectangular wave may be applied. Further, a precharge voltage (current) may be superimposed on a regular program current (voltage). Further, the magnitude of the precharge voltage (current) and the application period of the precharge voltage (current) may be changed according to the image data. Further, the type of applied waveform, the value of the precharge voltage, and the like may be changed according to the value of the image data.

本発明は電流駆動方式において、プリチャージ電圧(電流)を印加するとして説明をするが、プリチャージ駆動は、電圧駆動方式でも効果を発揮する。電圧駆動方式では、EL素子15を駆動する駆動用トランジスタサイズが大きいため、ゲート容量が大きい。そのため、正規のプログラム電圧が書き込みにくいという課題がある。この課題に対して、プログラム電圧を印加する前に、プリチャージを実施することにより、駆動用トランジスタをリセット状態にすることができ、良好な書込みを実現できる。   Although the present invention will be described assuming that a precharge voltage (current) is applied in the current drive method, the precharge drive is also effective in the voltage drive method. In the voltage driving method, the size of the driving transistor for driving the EL element 15 is large, so that the gate capacitance is large. Therefore, there is a problem that it is difficult to write a regular program voltage. In response to this problem, by performing precharge before applying the program voltage, the driving transistor can be reset, and good writing can be realized.

したがって、本発明のプリチャージ駆動方式は、電流プログラム駆動に限定されるものではない。本発明の実施例では、説明を容易にするために、電流プログラム駆動の画素構成(図1などを参照のこと)を例示して説明をする。   Therefore, the precharge driving method of the present invention is not limited to current program driving. In the embodiments of the present invention, for ease of explanation, the current program driving pixel configuration (see FIG. 1 and the like) will be described as an example.

本発明の実施例において、プリチャージ駆動方式は、駆動用トランジスタ11aのみに作用するものではない。たとえば、図11、図12、図13の画素構成において、カレントミラー回路を構成するトランジスタ11aにも作用して効果を発揮する。本発明のプリチャージ駆動方式は、ソースドライバIC(回路)14からみたソース信号線18の寄生容量を充放電することを1つの目的としているが、当然のことながらソースドライバIC(回路)14内の寄生容量も充放電されることも目的としている。   In the embodiment of the present invention, the precharge driving method does not act only on the driving transistor 11a. For example, in the pixel configurations shown in FIGS. 11, 12, and 13, the transistor 11a that forms the current mirror circuit is also acted to exert the effect. The precharge drive system of the present invention is intended to charge and discharge the parasitic capacitance of the source signal line 18 as viewed from the source driver IC (circuit) 14, but of course, in the source driver IC (circuit) 14. The purpose is to charge and discharge the parasitic capacitance.

また、プリチャージ電圧(電流)は、黒表示を良好にすることを1つの目的としているが、これに限定されるものではない。白表示を書込み易くする白書込みプリチャージ電圧(電流)を印加すれば、良好な白表示も実現できる。つまり、本発明のプリチャージ駆動とは、プログラム電流(プログラム電圧)を書き込む前に、前記プログラム電流(プログラム電圧)を書込み易くするための、所定の電圧(電流)を印加し、予備充電するものである。   The precharge voltage (current) is intended to improve black display, but is not limited thereto. If a white write precharge voltage (current) that makes white display easy to write is applied, good white display can be realized. In other words, the precharge driving of the present invention applies pre-charging by applying a predetermined voltage (current) for facilitating writing of the program current (program voltage) before writing the program current (program voltage). It is.

また、本発明は、黒表示でプリチャージするとして説明をするが、これは、基本的には駆動用トランジスタ11aからソースドライバIC(回路)14に吸い込み電流で実施する場合である。駆動用トランジスタ11aなどがNチャンネルトランジスタの場合は、ソースドライバIC(回路)14からは吐き出し電流でプログラムすることになる。この場合は、白表示で書込みにくい画素構成の場合も発生する。したがって、本発明のプリチャージ駆動方法は、ソース信号線18などを所定電位に変化させるものであって、白表示でプリチャージするとか、黒表示でプリチャージするとかは実施形態にすぎない。したがって、これらに限定されるものではない。   Although the present invention is described as precharging with black display, this is basically a case where the current is sucked from the driving transistor 11a into the source driver IC (circuit) 14 by a sink current. When the driving transistor 11a or the like is an N-channel transistor, the source driver IC (circuit) 14 is programmed with a discharge current. In this case, a pixel configuration that is white and difficult to write may occur. Therefore, the precharge driving method of the present invention changes the source signal line 18 and the like to a predetermined potential, and precharging with white display or precharging with black display is merely an embodiment. Therefore, it is not limited to these.

プリチャージ電圧(電流)の印加タイミングは、プログラム電圧(電流)を書き込む画素行を選択した状態でプリチャージ電圧(電流)を書き込むことが好ましいが、これに限定するものではなく、画素行が非選択の状態で、ソース信号線18にプリチャージ電圧(電流)を印加して予備充電を行ない、その後、プログラム電流(電圧)を書き込む画素行を選択してもよい。   The application timing of the precharge voltage (current) is preferably written while the pixel row to which the program voltage (current) is written is selected. However, the precharge voltage (current) is not limited to this. In a selected state, a precharge voltage (current) may be applied to the source signal line 18 to perform precharge, and then a pixel row in which a program current (voltage) is written may be selected.

プリチャージ電圧は、ソース信号線18に印加するとしているが、他の方式も例示される。たとえば、アノード端子への印加電圧(Vdd)またはカソード端子への印加電圧(Vss)を変化させてもよい(プリチャージ電圧を印加)。アノード電圧またはカソード電圧を変化させることにより、駆動用トランジスタ11aの書込み能力が拡大される。したがって、プリチャージ効果が発揮される。特に、アノード電圧(Vdd)をパルス的に変化させる方式を実施する効果が高い。   The precharge voltage is applied to the source signal line 18, but other methods are also exemplified. For example, the applied voltage (Vdd) to the anode terminal or the applied voltage (Vss) to the cathode terminal may be changed (a precharge voltage is applied). By changing the anode voltage or the cathode voltage, the writing capability of the driving transistor 11a is expanded. Therefore, the precharge effect is exhibited. In particular, the effect of implementing a method of changing the anode voltage (Vdd) in a pulse manner is high.

また、図236に図示するように点灯率に対して、アノード電圧とプリチャージ電圧とを変化させてもよい。また、図238に図示するように基準電流比に対してプリチャージ基準電圧(Vbv)の大きさを変化させてもよい。プリチャージ基準電圧(Vbv)は図239に図示するように(図127から図143およびその説明を参照のこと)、基準電流Icを用いたI−V変換回路2391で発生することができる。   Further, as shown in FIG. 236, the anode voltage and the precharge voltage may be changed with respect to the lighting rate. Further, as shown in FIG. 238, the magnitude of the precharge reference voltage (Vbv) may be changed with respect to the reference current ratio. As shown in FIG. 239 (see FIGS. 127 to 143 and the description thereof), the precharge reference voltage (Vbv) can be generated by the IV conversion circuit 2391 using the reference current Ic.

また、点灯率、基準電流、アノード(カソード)端子のアノード(カソード)電流に対して、ゲートドライバ回路12のオン電圧(Vgl)、オフ電圧(Vgh)も変化させてもよい。特にアノード電圧Vddが上昇させるときは連動してVgh電圧も上昇させることが好ましい。   The on-voltage (Vgl) and off-voltage (Vgh) of the gate driver circuit 12 may be changed with respect to the lighting rate, the reference current, and the anode (cathode) current of the anode (cathode) terminal. In particular, when the anode voltage Vdd is increased, it is preferable to increase the Vgh voltage in conjunction with the increase.

また、本発明の実施例では、点灯率あるいはアノード(カソード)端子のアノード(カソード)電流によりduty比、基準電流比などを可変あるいは制御するとして説明するが、点灯率あるいはアノード端子などの電流は電流駆動方式ではプログラム電流Iwに比例する。したがって、プログラム電流Iwあるいはプログラム電流の総和あるいは所定期間の和により、基準電流比(プリチャージ制御など以前あるいは以降に説明することも含む。たとえば、図127などの電圧プログラムと電流プログラムの切り換えタイミングなども含む)などを制御などすることも本発明の技術的範疇であることは明らかである。   In the embodiment of the present invention, the duty ratio, the reference current ratio, etc. are variable or controlled according to the lighting rate or the anode (cathode) current of the anode (cathode) terminal. In the current driving method, it is proportional to the program current Iw. Therefore, the reference current ratio (including pre-charge control or the like before or after the pre-charge control, etc., including the program current Iw, the sum of the program currents, or the sum of the predetermined periods is included. It is obvious that the control of the above and the like is also a technical category of the present invention.

また、図75などにおいて、プリチャージ電圧(もしくはプリチャージ電流)は、1水平走査期間(1H)ごとに変化させることも有効である(図257(a)に図示する)。また、図257(b)に図示するように、複数水平走査期間で変化させてもよい。また、ランダムにプリチャージ電圧を印加し、平均の実効電圧が目標のプリチャージ電圧となるようにしてもよい。また、プリチャージ電圧を印加する画素行の画像データを演算(加算など)し、特に低階調の画像(映像)データの割合が多い時に、プリチャージ電圧(電流)を印加するように制御または構成してもよい。また、このプリチャージ電圧(電流)は、演算結果により変化さえる。これは、比較的階調が高い場合は、EL表示パネル内でハレーションが発生し、一定の低階調の画素は輝度が浮いて高くなるからである。したがって、一定の低階調以下の画素16にはプリチャージ電圧を印加することにより、より完全な黒表示を実現し、画像のコントラスト感を高くすることができる。   In FIG. 75 and the like, it is also effective to change the precharge voltage (or precharge current) every horizontal scanning period (1H) (illustrated in FIG. 257 (a)). In addition, as shown in FIG. 257 (b), it may be changed in a plurality of horizontal scanning periods. Alternatively, a precharge voltage may be applied at random so that the average effective voltage becomes the target precharge voltage. Also, the image data of the pixel row to which the precharge voltage is applied is calculated (addition or the like), and control is performed so that the precharge voltage (current) is applied, particularly when the ratio of low gradation image (video) data is large. It may be configured. The precharge voltage (current) can be changed depending on the calculation result. This is because, when the gradation is relatively high, halation occurs in the EL display panel, and a certain low gradation pixel has a high brightness. Therefore, by applying a precharge voltage to the pixels 16 having a certain low gradation or lower, a more complete black display can be realized and the contrast of the image can be increased.

また、印加するプリチャージ電圧は一定の低階調の画素には一定の電圧を印加(一定の低階調の画素は黒つぶれ表示になる)してもよいし、また、図75のプリチャージ電圧の変更データDの値を制御してプリチャージ電圧を画素に印加する画像データに応じて変化させてもよい。   Further, the precharge voltage to be applied may be a constant voltage applied to a pixel having a certain low gradation (a pixel having a certain low gradation is blacked out), or the precharge in FIG. The value of the voltage change data D may be controlled to change the precharge voltage according to the image data applied to the pixel.

このように場合に応じて、プリチャージ電圧(電流)を変化できるのは、図75に図示するように、ソースドライバIC(回路)14内に電子ボリウム501を内蔵していることに起因する効果が大きい。つまり、ソースドライバ回路(IC)14の外部からデジタル的にプリチャージ電圧などを変化させることができるからである。この変化を実現するデジタルデータDはコントローラIC(回路)760で発生させる。したがって、ソースドライバ回路(IC)14とコントローラIC(回路)76とは機能分離され、設計あるいは変更が容易となる。   As described above, the precharge voltage (current) can be changed depending on the case, as shown in FIG. 75, because the electronic volume 501 is incorporated in the source driver IC (circuit) 14. Is big. That is, the precharge voltage and the like can be changed digitally from the outside of the source driver circuit (IC) 14. Digital data D for realizing this change is generated by a controller IC (circuit) 760. Therefore, the source driver circuit (IC) 14 and the controller IC (circuit) 76 are functionally separated and can be easily designed or changed.

以上は1H期間内にプリチャージ電圧などを変化させるとしたが、本発明はこれに限定するものではない。複数画素行(たとえば、10画素行)内の画像(映像)データを演算し、変更データDを設定してプリチャージ電圧(電流)を印加してもよい(図257(b)を参照のこと)。また、1フレーム(フィールド)あるいは複数フレーム(フィールド)内の画像(映像)データを演算し、プリチャージ電圧(電流)を印加してもよい。
なお、プリチャージ電圧(電流)は画像(映像)データを演算することにより、変更あるいは所定の電圧として、画素16あるいは画素行に印加するとしたが、これに限定するものではない。たとえば、あらかじめ、印加するプリチャージ電圧(電流)を固定しておき、このプリチャージ電圧などを印加してもよく、また、複数のプリチャージ電圧などをあらかじめ選択しておき、このプリチャージ電圧などを順次あるいはランダムに画素あるいは画素行あるいは画面全体に印加できるように制御してもよいことは言うまでもない。また、演算結果などにより、プリチャージ電圧などを印加しない場合もあることはいうまでもない。
Although the precharge voltage and the like are changed within the 1H period as described above, the present invention is not limited to this. Image (video) data in a plurality of pixel rows (for example, 10 pixel rows) may be calculated, change data D may be set, and a precharge voltage (current) may be applied (see FIG. 257 (b)). ). Further, image (video) data in one frame (field) or a plurality of frames (field) may be calculated and a precharge voltage (current) may be applied.
Note that the precharge voltage (current) is changed or applied as a predetermined voltage by calculating image (video) data to the pixel 16 or the pixel row. However, the present invention is not limited to this. For example, a precharge voltage (current) to be applied may be fixed in advance, and this precharge voltage may be applied, or a plurality of precharge voltages may be selected in advance, and the precharge voltage, etc. It is needless to say that control may be applied to pixels, pixel rows, or the entire screen sequentially or randomly. Needless to say, the precharge voltage may not be applied depending on the calculation result.

また、プリチャージ電圧(電流)などは、フレームレートコントロール(FRC)の技術を用いて実施してもよい。つまり、プリチャージ電圧などを印加する画素あるいは画素行に対して、複数のフレーム(フィールド)で、プリチャージ電圧などを印加したり、印加しなかったりすることにより、複数フレーム(フィールド)で階調表示できる(この場合は、プリチャージ電圧などの印加により階調表示されることになる)。以上のようにFRCを実施することにより、少ないプリチャージ電圧(電流)の種類で適切な黒表示あるいは階調表示を実現することができる。   Further, the precharge voltage (current) or the like may be implemented using a frame rate control (FRC) technique. That is, gradation is applied to a plurality of frames (fields) by applying or not applying a precharge voltage or the like in a plurality of frames (fields) to a pixel or pixel row to which a precharge voltage is applied. (In this case, gradation is displayed by applying a precharge voltage or the like). By performing FRC as described above, appropriate black display or gradation display can be realized with a small number of precharge voltages (currents).

なお、プリチャージ電圧Vpcは、図258などで図示するように、電子ボリウム501の出力をオペアンプ回路502に印加し、オペアンプ回路502を介して発生させる。この電子ボリウム501の電源電圧(基準電圧)Vsと駆動用トランジスタ11aのソース端子電位(アノード端子電圧)Vddとは共通にすることが好ましい。プリチャージ電圧Vpcは、駆動用トランジスタ11aのアノード電位を基準としているからである。   The precharge voltage Vpc is generated via the operational amplifier circuit 502 by applying the output of the electronic volume 501 to the operational amplifier circuit 502 as shown in FIG. The power supply voltage (reference voltage) Vs of the electronic volume 501 and the source terminal potential (anode terminal voltage) Vdd of the driving transistor 11a are preferably made common. This is because the precharge voltage Vpc is based on the anode potential of the driving transistor 11a.

以上の実施例では、プリチャージ電圧などを演算などし、画素16などに印加するとした。印加は演算後すぐに行うのではなく、遅延時間をもたせて実施してもよい。また、プリチャージ電圧などを順次あるいはランダムに変化などさせる時は、徐々にあるいは変化をゆっくりと、もしくは、ヒステリシスをもたせて行うことが好ましい。急激なプリチャージ電圧の変化は画像にスジ状の表示が発現すること、画像表示にフリッカが発生することがあるからである遅延時間などの技術的思想は図98あるいは他の実施例で説明しているので、この思想を直接にあるいは類似に適用すればよいので説明を省略する。   In the above embodiment, the precharge voltage or the like is calculated and applied to the pixel 16 or the like. The application is not performed immediately after the calculation, but may be performed with a delay time. Further, when changing the precharge voltage or the like sequentially or randomly, it is preferable to perform the change gradually or slowly or with hysteresis. The technical idea such as delay time, which is because steep changes in the precharge voltage cause streaky display in the image and flicker may occur in the image display, will be described in FIG. 98 or other embodiments. Therefore, since this idea may be applied directly or similarly, the description is omitted.

また、FRCの動作も点灯率に応じて変化などしてもよいことは言うまでもない。変化とは、FRCをするかしないかの制御、FRCをどの階調に実施するかの制御、FRCの変換ビット数の制御などである。   Needless to say, the FRC operation may also be changed according to the lighting rate. The change includes control of whether or not to perform FRC, control of which gradation FRC is performed, and control of the number of FRC conversion bits.

たとえば、点灯率が高いときは、白ラスターに近い表示である。したがって、画面全体が白っぽく、FRCをする必要がない場合が多い。一方で点灯率が低い場合は、画面全体的に黒表示部が多い。この場合は、FRCを実施し、階調の再現性を高める必要がある。
以上は、点灯率によりFRCを変化させるとして説明したが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、基準電流を上昇させると、面全体が白っぽく、FRCをする必要がない場合が多い。一方で基準電流が低い場合は、画面全体的に黒表示部が多い。この場合は、FRCを実施し、階調の再現性を高める必要がある。以上の事項はduty比制御にも適用できる。また、アノード(カソード)電流に変化に対応してFRC変化を実施してもよいことは言うまでもない。
For example, when the lighting rate is high, the display is close to a white raster. Therefore, the entire screen is whitish and it is often unnecessary to perform FRC. On the other hand, when the lighting rate is low, there are many black display portions on the entire screen. In this case, it is necessary to perform FRC and improve the reproducibility of gradation.
The above is described as changing the FRC according to the lighting rate, but the present invention is not limited to this. For example, when the reference current is increased, the entire surface is whitish and there is often no need for FRC. On the other hand, when the reference current is low, there are many black display portions on the entire screen. In this case, it is necessary to perform FRC and improve the reproducibility of gradation. The above items can also be applied to duty ratio control. It goes without saying that the FRC change may be performed in response to the change in the anode (cathode) current.

また、図259に図示するように点灯率に応じて、FRCを変化させることも有効である。図259において、点灯率0〜25%では、8FRC(8フレームまたは8フィールドを用いて階調表示するFRC)を実施している。したがって、階調表示数が向上する。点灯率25〜50%では、4FRC(4フレームまたは4フィールドを用いて階調表示するFRC)を実施している。同様に、点灯率50〜75%では、2FRC(2フレームまたは2フィールドを用いて階調表示するFRC)を実施し、点灯率75〜100%では、FRCしない。つまり、点灯率に応じて最適なFRC制御を実施する。一般的に低点灯率では、暗い画像が多いため、ガンマ係数を小さくするとともに、FRCのフレーム数を多くして階調表現を向上させることが必要である。   It is also effective to change the FRC in accordance with the lighting rate as shown in FIG. In FIG. 259, 8FRC (FRC for gradation display using 8 frames or 8 fields) is performed at a lighting rate of 0 to 25%. Therefore, the gradation display number is improved. At a lighting rate of 25 to 50%, 4FRC (FRC for gradation display using 4 frames or 4 fields) is performed. Similarly, when the lighting rate is 50 to 75%, 2FRC (FRC that performs gradation display using two frames or two fields) is performed, and when the lighting rate is 75 to 100%, FRC is not performed. That is, optimal FRC control is performed according to the lighting rate. In general, at a low lighting rate, there are many dark images, so it is necessary to improve the gradation expression by reducing the gamma coefficient and increasing the number of FRC frames.

以上の実施例は、画像(映像)データなどにより、プリチャージ電圧、FRCなどを変化あるいは制御するとしたが、本発明はこれに限定するものではない。例えば、点灯率あるいはアノード(カソード)端子に流れる電流あるいは基準電流あるいはduty比あるいはパネル温度もしくはこれらの組合せにより、プリチャージ電圧(電流)の大きさを変化させてもよい。また、プリチャージ電圧の印加時間を変化させてもよい。   In the above embodiment, the precharge voltage, FRC, and the like are changed or controlled by image (video) data or the like, but the present invention is not limited to this. For example, the magnitude of the precharge voltage (current) may be changed according to the lighting rate, the current flowing through the anode (cathode) terminal, the reference current, the duty ratio, the panel temperature, or a combination thereof. Further, the application time of the precharge voltage may be changed.

たとえば、基準電流の大きさに応じてプログラム電流の大きさが変化し、駆動用トランジスタ11aを流れる電流が変化するからプリチャージ電圧の大きさも変化させることが好ましい。また、点灯率が高い時は、画面に白表示に近く、画面全体にハレーションが発生しているから黒浮きが発生している。そのため、画素16にプリチャージ電圧などを印加しても効果がない。この場合は、プリチャージ電圧などの印加をやめた方が低消費電力化を実現できる。一方で低点灯率の場合は、画面に黒表示部が多く、ハレーションの発生も少ないため、画素16に十分なプリチャージを行い、コントラスト感を向上させる必要がる。   For example, it is preferable to change the magnitude of the precharge voltage since the magnitude of the program current changes according to the magnitude of the reference current and the current flowing through the driving transistor 11a changes. Further, when the lighting rate is high, the screen is close to white display, and halation is generated on the entire screen, so that black floating occurs. Therefore, applying a precharge voltage or the like to the pixel 16 has no effect. In this case, power consumption can be reduced by stopping application of the precharge voltage or the like. On the other hand, when the lighting rate is low, there are many black display portions on the screen and little halation is generated. Therefore, it is necessary to sufficiently precharge the pixels 16 to improve the contrast.

同様に、アノード(カソード)電流が大きい時は、画面に白表示部分が多いため、ハレーションが発生しやすい。この場合は、プリチャージ電圧などの印加が必要でない場合が多い。逆にアノード(カソード)電流が小さい時は、プリチャージ電圧などの印加が必須となる場合が多い。   Similarly, when the anode (cathode) current is large, halation is likely to occur because there are many white display portions on the screen. In this case, it is often unnecessary to apply a precharge voltage or the like. Conversely, when the anode (cathode) current is small, it is often necessary to apply a precharge voltage or the like.

なお、上記実施例では、画像(映像)データ、点灯率あるいはアノード(カソード)端子に流れる電流あるいは基準電流あるいはduty比あるいはパネル温度もしくはこれらの組合せにより、FRCあるいはプリチャージ電圧(電流)の大きさを変化させるとしたが、これに限定するものではない。画像(映像)データ、点灯率、アノード(カソード)端子に流れる電流、アノード(カソード)端子電圧(図122など)、アノード端子電圧とカソード端子電圧の電位差(図280など)、duty比、パネル温度などの変化の割合あるいは変化を予測して、FRC、プリチャージ電圧などの制御を実施してもよいことはいうまでのない。   In the above embodiment, the magnitude of FRC or precharge voltage (current) is determined by image (video) data, lighting rate, current flowing through the anode (cathode) terminal, reference current, duty ratio, panel temperature, or a combination thereof. However, the present invention is not limited to this. Image (video) data, lighting rate, current flowing through anode (cathode) terminal, anode (cathode) terminal voltage (such as FIG. 122), potential difference between anode terminal voltage and cathode terminal voltage (such as FIG. 280), duty ratio, panel temperature It goes without saying that control of FRC, precharge voltage, etc. may be performed by predicting the rate of change or the change.

以上のように、本発明は、画素(映像)データなどにより、FRCあるいは点灯率あるいはアノード(カソード)端子に流れる電流あるいは基準電流あるいはduty比あるいはパネル温度などもしくはこれらの組合せにより、その結果などに対応してプリチャージ電圧(電流)の大きさ、プリチャージ電圧などの印加の有無、プリチャージ電圧などのFRC制御、プリチャージ電圧などの変化状態、プリチャージ印加期間などを制御する駆動方法である。なお、変化あるいは変更は図98で説明するようにゆっくりとあるいは遅延させて実施することが好ましい。   As described above, according to the present invention, according to pixel (video) data or the like, the FRC or lighting rate, the current flowing through the anode (cathode) terminal, the reference current, the duty ratio, the panel temperature, or a combination thereof can be used to obtain the result. Correspondingly, this is a driving method for controlling the magnitude of the precharge voltage (current), the presence / absence of application of the precharge voltage, the FRC control of the precharge voltage, the change state of the precharge voltage, the precharge application period, etc. . It should be noted that the change or change is preferably carried out slowly or with a delay as described with reference to FIG.

以上のように、本発明は第1の点灯率(アノード端子のアノード電流などでもよい)もしくは点灯率範囲(アノード端子のアノード電流範囲などでもよい)において、第1のFRCあるいは点灯率あるいはアノード(カソード)端子に流れる電流あるいは基準電流あるいはduty比あるいはパネル温度などもしくはこれらの組合せとして変化させる。また、第2の点灯率(アノード端子のアノード電流などでもよい)もしくは点灯率範囲(アノード端子のアノード電流範囲などでもよい)において、第2のFRCあるいは点灯率あるいはアノード(カソード)端子に流れる電流あるいは基準電流あるいはduty比あるいはパネル温度などもしくはこれらの組合せとして変化させる。もしくは、点灯率(アノード端子のアノード電流などでもよい)もしくは点灯率範囲(アノード端子のアノード電流範囲などでもよい)に応じて(適応して)、FRCあるいは点灯率あるいはアノード(カソード)端子に流れる電流あるいは基準電流あるいはduty比あるいはパネル温度などもしくはこれらの組合せとして変化させるものである。以上の事項は本発明の他の実施例においても適用できることは言うまでもない。   As described above, according to the present invention, in the first lighting rate (which may be the anode current of the anode terminal) or the lighting rate range (which may be the anode current range of the anode terminal), the first FRC or lighting rate or anode ( The current flowing through the cathode terminal is changed as a reference current, a duty ratio, a panel temperature, or a combination thereof. Further, in the second lighting rate (which may be the anode current of the anode terminal) or the lighting rate range (which may be the anode current range of the anode terminal), the current flowing through the second FRC, the lighting rate, or the anode (cathode) terminal. Alternatively, it is changed as a reference current, a duty ratio, a panel temperature, or a combination thereof. Or, depending on the lighting rate (which may be the anode current of the anode terminal) or the lighting rate range (which may be the anode current range of the anode terminal) (adapted), it flows to the FRC or the lighting rate or the anode (cathode) terminal. The current, the reference current, the duty ratio, the panel temperature, or the like or a combination thereof is changed. It goes without saying that the above matters can be applied to other embodiments of the present invention.

以上のように、本発明は第1の点灯率(アノード端子のアノード電流などでもよい)もしくは点灯率範囲(アノード端子のアノード電流範囲などでもよい)において、第1のFRCあるいは点灯率あるいはアノード(カソード)端子に流れる電流あるいは基準電流あるいはduty比あるいはパネル温度などもしくはこれらの組合せとして変化させる。また、第2の点灯率(アノード端子のアノード電流などでもよい)もしくは点灯率範囲(アノード端子のアノード電流範囲などでもよい)において、第2のFRCあるいは点灯率あるいはアノード(カソード)端子に流れる電流あるいは基準電流あるいはduty比あるいはパネル温度などもしくはこれらの組合せとして変化させるとしたが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、点灯率によりゲートドライバ回路12のオン電圧またはオフ電圧もしくは両方の電圧を変化させてもよい。   As described above, according to the present invention, in the first lighting rate (which may be the anode current of the anode terminal) or the lighting rate range (which may be the anode current range of the anode terminal), the first FRC or lighting rate or anode ( The current flowing through the cathode terminal is changed as a reference current, a duty ratio, a panel temperature, or a combination thereof. Further, in the second lighting rate (which may be the anode current of the anode terminal) or the lighting rate range (which may be the anode current range of the anode terminal), the current flowing through the second FRC, the lighting rate, or the anode (cathode) terminal. Alternatively, the reference current, the duty ratio, the panel temperature, or the like is changed or a combination thereof, but the present invention is not limited to this. For example, the on-voltage and / or off-voltage of the gate driver circuit 12 may be changed depending on the lighting rate.

以上の記載で点灯率とは、画像の表示状態を示している。点灯率が低いとは黒表示が多い画像(低階調が多い画素または画像)を示しており、点灯率が高いとは、白表示が多い画像(高階調が多い画素または画像)を示している。また、点灯率とは、アノード端子に流れ込む電流(カソード端子から流れ出す電流)の大きさを示している。点灯率が低いとは黒表示が多い画像のため、アノード端子に流れ込む電流(カソード端子から流れ出す電流)は小さい。点灯率が高いとは白表示が多い画像のため、アノード端子に流れ込む電流(カソード端子から流れ出す電流)が大きい。本発明は、以上の事項を利用して、duty比、パネル温度、FRC、基準電流などを変化させる。   In the above description, the lighting rate indicates an image display state. A low lighting rate indicates an image with many black displays (pixels or images with many low gradations), and a high lighting rate indicates an image with many white displays (pixels or images with many high gradations). Yes. The lighting rate indicates the magnitude of current flowing into the anode terminal (current flowing out from the cathode terminal). When the lighting rate is low, an image with a lot of black display is present, so the current flowing into the anode terminal (current flowing out from the cathode terminal) is small. When the lighting rate is high, an image with many white displays, the current flowing into the anode terminal (current flowing out from the cathode terminal) is large. In the present invention, the duty ratio, the panel temperature, the FRC, the reference current, and the like are changed using the above items.

点灯率が低いとは黒表示が多い画像(低階調が多い画素または画像)を示している。黒表示が多い画像は、トランジスタ11のリークにより輝点が発生したり、黒浮きが発生したりする。この対策のために、ゲートドライバ回路12のオンオフ電圧を操作することは有効である。以下、その実施例について説明をする。   A low lighting rate indicates an image with many black displays (pixels or images with many low gradations). In an image with a lot of black display, a bright spot is generated due to leakage of the transistor 11 or black floating occurs. For this countermeasure, it is effective to manipulate the on / off voltage of the gate driver circuit 12. Hereinafter, the embodiment will be described.

有機EL素子15は自己発光素子である。この発光による光がスイッチング素子としてのトランジスタに入射するとホトコンダクタ現象(ホトコン)が発生する。ホトコンとは、光励起によりトランジスタなどのスイッチング素子のオフ時でのリーク(オフリーク)が増える現象を言う。   The organic EL element 15 is a self-light emitting element. When light emitted by this light emission enters a transistor as a switching element, a photoconductor phenomenon (photoconversion) occurs. “Photocon” refers to a phenomenon in which leakage (off leak) increases when a switching element such as a transistor is turned off by photoexcitation.

この課題に対処するため、本発明ではゲートドライバ回路12(場合によってはソースドライバ回路14)の下層、画素トランジスタ11の下層の遮光膜を形成している。特に駆動用トランジスタ11aのゲート端子の電位位置(cで示す)とドレイン端子の電位位置(aで示す)間に配置されたトランジスタ11bを遮光することが好ましい。この構成を図314(a)(b)に示している。特に表示パネルが黒表示の場合は、図314(a)(b)におけるEL素子15のアノード端子の電位位置bの電位がカソード電位に近い。そのため、TFT17bがオン状態であると、電位aも低くなる。そのため、トランジスタ11bのソース端子とドレイン端子間の電位(c電位とa電位間)が大きくなり、トランジスタ11bがリークしやすくなる。この課題に対しては、図314(a)(b)に図示するように遮光膜3141を形成することが有効である。なお、遮光膜3141はクロムなどの金属薄膜で形成し、その膜厚は50nm以上150nm以下にする。膜厚3141が薄いと遮光効果が乏しく、厚いと凹凸が発生して上層のトランジスタ11のパターニングが困難になる。   In order to cope with this problem, the present invention forms a light shielding film under the gate driver circuit 12 (or the source driver circuit 14 in some cases) and under the pixel transistor 11. In particular, it is preferable to shield light from the transistor 11b disposed between the potential position (shown by c) of the gate terminal and the drain terminal (shown by a) of the driving transistor 11a. This configuration is shown in FIGS. 314 (a) and (b). In particular, when the display panel displays black, the potential at the potential position b of the anode terminal of the EL element 15 in FIGS. 314 (a) and 314 (b) is close to the cathode potential. Therefore, when the TFT 17b is in the on state, the potential “a” is also lowered. Therefore, the potential between the source terminal and the drain terminal of the transistor 11b (between the c potential and the a potential) is increased, and the transistor 11b is likely to leak. For this problem, it is effective to form a light shielding film 3141 as shown in FIGS. Note that the light-shielding film 3141 is formed of a metal thin film such as chromium and has a thickness of 50 nm to 150 nm. When the film thickness 3141 is thin, the light shielding effect is poor, and when it is thick, unevenness is generated and patterning of the upper transistor 11 becomes difficult.

トランジスタ11bのソース端子とドレイン端子間の電位(c電位とa電位間)が大きくなり、トランジスタ11bがリークしやすくなるのであるから、c電位とa電位間の電圧を低下させればリークの発生は小さくなる。低下させるには、トランジスタ11dのオン電圧(Vgl2)を高くすることが有効である。なお、Vgl2はゲートドライバ回路12bのオン電圧である。   Since the potential between the source terminal and the drain terminal of the transistor 11b (between the c potential and the a potential) is increased and the transistor 11b is likely to leak, if the voltage between the c potential and the a potential is lowered, leakage occurs. Becomes smaller. In order to lower the voltage, it is effective to increase the ON voltage (Vgl2) of the transistor 11d. Vgl2 is the ON voltage of the gate driver circuit 12b.

黒表示でリークが目立つのであれば、点灯率が低い時に、オン電圧Vgl2を高くすればよい。オン電圧Vgl2を高くするとトランジスタ11dが完全にオンしない。トランジスタ11dのオン抵抗が高いためである。そのため、a点の電圧は低くならない。したがって、トランジスタ11bのリークは発生しなくなる。一方で点灯率が高い場合、EL素子15の端子電圧を高くなる。そのため、トランジスタ11dはオン抵抗を低くする必要がある。   If leakage is conspicuous in black display, the on-voltage Vgl2 may be increased when the lighting rate is low. When the on voltage Vgl2 is increased, the transistor 11d is not completely turned on. This is because the on-resistance of the transistor 11d is high. Therefore, the voltage at point a does not decrease. Therefore, leakage of the transistor 11b does not occur. On the other hand, when the lighting rate is high, the terminal voltage of the EL element 15 is increased. Therefore, the transistor 11d needs to have low on-resistance.

以上の実施例を図315に図示している。図315の点線に図示するように点灯率が高い場合は、オン電圧Vgl2を低下(−方向)にし、点灯率が低くなるにつれて、オン電圧Vgl2を上昇させてトランジスタ11dのオン抵抗を高くする。なお、点灯率はアノード(カソード)端子の電流の大きさに置き換えできることは言うまでもない。また、図315に点線のように図示場合だけでなく、実線のように点灯率制御してもよいことは言うまでもない。   The above embodiment is shown in FIG. When the lighting rate is high as illustrated by the dotted line in FIG. 315, the on-voltage Vgl2 is decreased (in the negative direction), and as the lighting rate decreases, the on-voltage Vgl2 is increased to increase the on-resistance of the transistor 11d. Needless to say, the lighting rate can be replaced with the current of the anode (cathode) terminal. In addition, it goes without saying that the lighting rate control may be performed not only in the case shown in FIG.

図315では、Vgl2電圧を点灯率に対応して変化させるとした。トランジスタ11bのリーク電流を減少させる方法として、図307に図示するようにカソード電圧Vssを変化させてもよい。黒表示でリークが目立つのであれば、点灯率が低い時に、カソード電圧Vssを高くすればよい。カソード電圧Vssを高くするとトランジスタ11dが完全にオンしない。トランジスタ11dのオン抵抗が高いためである。したがって、トランジスタ11bのリークは発生しなくなる。一方で点灯率が高い場合、EL素子15の端子電圧を高くなる。そのため、トランジスタ11dはオン抵抗を低くする必要があるため、オン抵抗を低くする必要がある。したがって、カソード電圧Vssを低くする。なお、点灯率はアノード(カソード)端子の電流の大きさに置き換えできることは言うまでもない。また、図315に点線のように図示場合だけでなく、実線のように点灯率制御してもよいことは言うまでもない。   In FIG. 315, the Vgl2 voltage is changed in accordance with the lighting rate. As a method for reducing the leakage current of the transistor 11b, the cathode voltage Vss may be changed as shown in FIG. If leakage is conspicuous in black display, the cathode voltage Vss may be increased when the lighting rate is low. When the cathode voltage Vss is increased, the transistor 11d is not completely turned on. This is because the on-resistance of the transistor 11d is high. Therefore, leakage of the transistor 11b does not occur. On the other hand, when the lighting rate is high, the terminal voltage of the EL element 15 is increased. Therefore, since the transistor 11d needs to have low on-resistance, the on-resistance needs to be low. Therefore, the cathode voltage Vss is lowered. Needless to say, the lighting rate can be replaced with the current of the anode (cathode) terminal. In addition, it goes without saying that the lighting rate control may be performed not only in the case shown in FIG.

Vgl2は、duty比制御において変化させることも好ましい。duty比は基準電流の変更と同時に実施することが多い。たとえば、図116において、点灯率が20%以下の範囲において、duty比を小さくする(画面144に占める非点灯領域192の割合を多くする)と伴に、基準電流比を大きくしている(1階調あたりのプログラム電流Iwを大きくする)。duty比(図116(a))と基準電流比(図116(b))を同時に制御することにより(duty比×基準電流比=一定)、表示輝度(図116(c))を変化させず、電流駆動方式のクロストークあるいは黒浮きの課題を解決することができる。   Vgl2 is also preferably changed in the duty ratio control. The duty ratio is often implemented simultaneously with the change of the reference current. For example, in FIG. 116, in the range where the lighting rate is 20% or less, the duty ratio is decreased (the ratio of the non-lighting area 192 in the screen 144 is increased), and the reference current ratio is increased (1). The program current Iw per gradation is increased). By controlling the duty ratio (FIG. 116 (a)) and the reference current ratio (FIG. 116 (b)) simultaneously (duty ratio × reference current ratio = constant), the display luminance (FIG. 116 (c)) is not changed. The problem of current-driven crosstalk or black floating can be solved.

図116の駆動方法では、duty比×基準電流比=一定の駆動方法であるため、duty比の低下に伴い、アノード端子を流れる電流が増加します。したがって、アノードおよびカソード電圧が一定の固定制御であるならは、トランジスタ11dはオン抵抗を低くする必要があるため、Vgl2を低くしてオン抵抗を低くする必要がある。   In the driving method of Fig. 116, the duty ratio x reference current ratio = constant driving method, so the current flowing through the anode terminal increases as the duty ratio decreases. Therefore, if the anode and cathode voltages are fixed and fixed, the transistor 11d needs to have a low on-resistance. Therefore, it is necessary to lower Vgl2 to lower the on-resistance.

以上のことから、図318に図示するように、duty比の変化に対応してVgl2電圧を変化させることが好ましい。図318ではduty比が1/1〜1/2の範囲では、Vgl2=0Vとしている。したがって、トランジスタ11dのオン抵抗が比較的高く、トランジスタ11bのリークなどが発生しにくい。そのため、黒浮きの発生を抑制できる。duty比が1/4以下の範囲では、Vgl2=−8Vとしている。したがって、トランジスタ11dのオン抵抗が低く、駆動用トランジスタ11aに十分なプログラム電流を流すことができ、EL素子15も飽和領域で良好に点灯させるができる。duty比が1/4〜1/2の範囲では、Vgl2を−8〜0Vの範囲でduty比あるいは基準電流比に応じて変化させる。   From the above, as shown in FIG. 318, it is preferable to change the Vgl2 voltage in response to the change in the duty ratio. In FIG. 318, Vgl2 = 0V in the range where the duty ratio is 1/1 to 1/2. Therefore, the on-resistance of the transistor 11d is relatively high, and the transistor 11b is unlikely to leak. Therefore, the occurrence of black float can be suppressed. In a range where the duty ratio is ¼ or less, Vgl2 = −8V. Therefore, the on-resistance of the transistor 11d is low, a sufficient program current can be supplied to the driving transistor 11a, and the EL element 15 can be well lit in the saturation region. When the duty ratio is in the range of 1/4 to 1/2, Vgl2 is changed in the range of -8 to 0V in accordance with the duty ratio or the reference current ratio.

以上の事項は、本発明の他の実施例でも同様に適用することができることは言うまでもない。また、他の実施例と組み合わせることができることは言うまでもない。
図78などでは、画素データはR、G、Bデータおよびプリチャージデータ(PRC、PGC、PBC)をパラレルにソースドライバ回路14に印加するとしたが、本発明はこれに限定するものではない。以上のようにパラレルに印加するように構成するとコントローラ81とソースドライバIC14とを結ぶ配線数が多くなる。そのため、コントローラ81のピン数が増加しコントローラサイズが大きくなるという課題がある。
Needless to say, the above-described matters can be similarly applied to other embodiments of the present invention. Needless to say, it can be combined with other embodiments.
In FIG. 78 and the like, pixel data R, G, B data and precharge data (PRC, PGC, PBC) are applied in parallel to the source driver circuit 14, but the present invention is not limited to this. When configured to apply in parallel as described above, the number of wires connecting the controller 81 and the source driver IC 14 increases. Therefore, there is a problem that the number of pins of the controller 81 increases and the controller size increases.

この課題に対して、本発明は、図80に図示するように、画像データ(DAT)6ビットと、コントロールデータ(DCTL)4ビットで構成し、10ビットで画像データおよびプリチャージデータなどをコントローラ81からソースドライバ回路14に印加する。
具体的には、従来(パラレルでRGBデータを転送する場合)の1クロックの4倍クロックを用いてシリアルで画像転送を行う。つまり、図80に図示(DATを参照のこと)するように、従来の1クロック期間にRデータ6ビット、Gデータ6ビット、Bデータ6ビット、制御データ6ビットを転送する。画像データ、制御データは設定データをして取り扱う。
As shown in FIG. 80, the present invention is composed of 6 bits of image data (DAT) and 4 bits of control data (DCTL), and 10 bits control image data and precharge data. The voltage is applied from 81 to the source driver circuit 14.
Specifically, image transfer is performed serially using a four-times clock of one clock in the conventional case (when RGB data is transferred in parallel). That is, as shown in FIG. 80 (refer to DAT), R data 6 bits, G data 6 bits, B data 6 bits, and control data 6 bits are transferred in one conventional clock period. Image data and control data are handled as setting data.

R、G、B、データ識別データ(D)の識別は、DCTLの4ビットで行う。以上のように画像データ、コントロールデータをシリアル転送(4相)で行うことによりコントローラとソースドライバ回路14を結線する配線数が減少し、コントロールICを小型化できる。   R, G, B, and data identification data (D) are identified by 4 bits of DCTL. As described above, image data and control data are serially transferred (four phases), so that the number of wires connecting the controller and the source driver circuit 14 is reduced, and the control IC can be downsized.

図80は画像データ(DAT)6ビットと、コントロールデータ(DCTL)4ビットで構成し、10ビットで画像データおよびプリチャージデータなどをコントローラ81からソースドライバ回路14に印加する方式である。また、4倍クロックを用いてシリアルで画像転送を行っている実施例である。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。たとえば、画像データであるRGBデータと、コントロールデータDとをシリアルで伝送し、画像データとコントロールデータの識別は、ID信号で行っても良い。IDデータがHレベルの時、画像データであることを意味し、Lレベルの時、コントロールデータであることを意味する。   FIG. 80 shows a system in which 6 bits of image data (DAT) and 4 bits of control data (DCTL) are applied, and image data, precharge data, etc. are applied from the controller 81 to the source driver circuit 14 in 10 bits. Further, in this embodiment, image transfer is performed serially using a 4 × clock. However, the present invention is not limited to this. For example, RGB data that is image data and control data D may be serially transmitted, and the image data and control data may be identified by an ID signal. When the ID data is at the H level, it means image data, and when the ID data is at the L level, it means control data.

また、画像データをRGBのシリアルで転送し、各画像データがプリチャージするか否かをプリチャージ識別信号PRCで行っても良い。PRC信号がHレベルの時、該当画像データはプリチャージしてからソース信号線18に印加されるように制御され、Lレベルの時は、プリチャージしないように制御される。   Alternatively, image data may be transferred in RGB serial and whether or not each image data is precharged may be determined by a precharge identification signal PRC. When the PRC signal is at the H level, the corresponding image data is controlled to be applied to the source signal line 18 after being precharged, and when the PRC signal is at the L level, it is controlled not to be precharged.

なお、図示するように、画像データと制御データをそれぞれシリアル伝送してもよいことは言うまでもない。もちろん、画像データをシリアル伝送し、制御データをパラレル伝送してもよい。   Needless to say, the image data and the control data may be serially transmitted as illustrated. Of course, the image data may be serially transmitted and the control data may be transmitted in parallel.

以上の実施例は、ソースドライバIC(回路)14への入力データをシリアル伝送するものであった。本発明は、これに限定するものではない。たとえば、図81に例示するように、差動信号にして伝送してもよい。差動信号にする手段として、LVDS、CMADS、RSDS、mini−LVDS、自己転送方式などが例示される。   In the above embodiment, input data to the source driver IC (circuit) 14 is serially transmitted. The present invention is not limited to this. For example, as illustrated in FIG. 81, a differential signal may be transmitted. Examples of means for making a differential signal include LVDS, CMADS, RSDS, mini-LVDS, and a self-transfer method.

図82は、シリアル映像データなどが、さらに高い周波数の差動信号に変換されて伝送され、また、差動信号がシリアル映像データなどに戻され、ソースドライバ回路(IC)14に入力され、あるいは、さらにパラレルデータに変換されてソースドライバ回路(IC)14に入力されている実施例である。つまり、映像データはシリアルデータおよび差動信号に変換されて伝送されている。なお、伝送にあたり、一部の区間あるいは、すべての区間、もしくは一部のデータ信号などがパラレル伝送されてもよいことは言うまでもない。   In FIG. 82, serial video data or the like is converted into a higher-frequency differential signal and transmitted, and the differential signal is returned to the serial video data and input to the source driver circuit (IC) 14 or In this embodiment, the data is further converted into parallel data and input to the source driver circuit (IC) 14. That is, video data is converted into serial data and differential signals and transmitted. Needless to say, in transmission, some sections, all sections, or some data signals may be transmitted in parallel.

図81に図示するように、本体回路(たとえば、図156の1561など)の映像信号処理回路からのシリアルデータは、差動回路としてのトランスシーバ(トランスミッタ)(T)811aで差動信号に変換される。差動信号に変換することにより、信号の振幅が減少し、ノイズの影響を受けにくくなり、また不要輻射も減少する。したがって、トランスシーバ(T)811aとレシーバ(R)811b間の距離を長くすることができる。また、信号線の本数も削減することができる。   As shown in FIG. 81, serial data from the video signal processing circuit of the main body circuit (for example, 1561 in FIG. 156) is converted into a differential signal by a transceiver (transmitter) (T) 811a as a differential circuit. Is done. By converting to a differential signal, the amplitude of the signal is reduced, it is less susceptible to noise, and unnecessary radiation is also reduced. Therefore, the distance between the transceiver (T) 811a and the receiver (R) 811b can be increased. In addition, the number of signal lines can be reduced.

差動信号は、差動回路としてのレシーバ(R)811bによりシリアルデータに変換される。もちろん、一気に図82のコントローラIC821の機能を取り込みパラレルデータに変換してもよいことは言うまでもない。レシーバ(R)811bにより、トランシーバ811aで差動信号変換前のシリアルデータに復元される。   The differential signal is converted into serial data by a receiver (R) 811b as a differential circuit. Of course, it goes without saying that the function of the controller IC 821 in FIG. 82 may be taken in and converted into parallel data. The receiver (R) 811b restores the serial data before differential signal conversion by the transceiver 811a.

図82は、レシーバ(R)811bの次段にシリアル−パラレル変換回路821が配置または形成された構成例である。シリアル−パラレル変換回路821(具体的にはASICからなるコントローラIC(回路)(制御手段)が該当する。シリアル−パラレル変換回路821によりシリアルデータはパラレルデータに変換され、変換されたパラレルデータがソースドライバIC(回路)14に入力される。   FIG. 82 shows a configuration example in which a serial-parallel conversion circuit 821 is arranged or formed at the next stage of the receiver (R) 811b. This corresponds to a serial-parallel conversion circuit 821 (specifically, a controller IC (circuit) (control means) composed of an ASIC. Serial data is converted into parallel data by the serial-parallel conversion circuit 821, and the converted parallel data is the source. It is input to a driver IC (circuit) 14.

また、図190に図示するように、ソースドライバIC16に差動回路およびデコーダ回路を形成(構成)し、パネルモジュール1264の外部からコネクタ1801を介して、差動信号1901を直接にソースドライバIC16に入力できるように構成してもよいことは言うまでもない。   190, a differential circuit and a decoder circuit are formed (configured) in the source driver IC 16, and the differential signal 1901 is directly supplied to the source driver IC 16 from the outside of the panel module 1264 via the connector 1801. Needless to say, it may be configured to allow input.

なお、制御データとは、たとえば、図16、図75などのプリチャージ制御データ、図50、図60、図64、図65などの電子ボリウムデータなど多種多様な制御データが例示される。   Examples of the control data include a variety of control data such as precharge control data such as FIGS. 16 and 75 and electronic volume data such as FIGS. 50, 60, 64, and 65.

また、図319に図示するように、映像データ(RGB)に加えて、OSD(オンスクリーンディスプレイ)信号、S/D信号(動画と静止画との判断信号)もコントローラ760で差動信号としてソースドライバ回路(IC)14に印加してもよい。OSD信号は、ビデオカメラなどにおいて、メニュー画面表示などを行うものである。また、S/D信号がHの時、伝送さえているRGB映像信号が動画であると判断し、図54(a1)(a2)(a3)(a4)の駆動などを実施して動画表示対応の駆動方法を行う。S/D信号がLの時、伝送さえているRGB映像信号が静止画であると判断し、図54(c1)(c2)(c3)(c4)または図54(b1)(b2)(b3)(b4)の分割駆動などを実施して静止表示対応の駆動方法を行う。   Further, as shown in FIG. 319, in addition to video data (RGB), an OSD (on-screen display) signal and an S / D signal (a determination signal between a moving image and a still image) are also sourced as differential signals by the controller 760. You may apply to driver circuit (IC) 14. The OSD signal is used to display a menu screen in a video camera or the like. Also, when the S / D signal is H, it is determined that the transmitted RGB video signal is a moving image, and the driving shown in FIGS. 54 (a1), (a2), (a3), and (a4) is performed to display a moving image. The driving method is performed. When the S / D signal is L, it is determined that the transmitted RGB video signal is a still image, and FIG. 54 (c1) (c2) (c3) (c4) or FIG. 54 (b1) (b2) (b3 ) A driving method corresponding to still display is performed by performing the division driving of (b4).

図251では、本発明の表示装置(表示パネル)にスピーカ2512を配置あるいは形成した実施例について説明した。このスピーカ2512の音声信号(AD)も図320に図示するように、コントローラ760で差動信号としてソースドライバ回路(IC)14に印加してもよい。   In FIG. 251, the embodiment in which the speaker 2512 is arranged or formed in the display device (display panel) of the present invention has been described. The audio signal (AD) of the speaker 2512 may also be applied to the source driver circuit (IC) 14 as a differential signal by the controller 760 as shown in FIG.

図83はコントロールIC81とソースドライバ回路14、ゲートドライバ回路12との接続構成を示す。画像データ、電子ボリウムデータ、プリチャージデータをDCTL、DATとしてシリアル転送することにより接続配線を省略することができる。なお、ソースドライバ回路14の入力段でシリアル−パラレル変換を行うことにより、プリチャージデータ、画像データのラッチあるいは保持回路は図77と同様になる。GCTLの4ビットは、クロック、スタートパルス、アップダウン切り換え、イネーブル信号である。   FIG. 83 shows a connection configuration of the control IC 81, the source driver circuit 14, and the gate driver circuit 12. Connection wiring can be omitted by serially transferring image data, electronic volume data, and precharge data as DCTL and DAT. Note that by performing serial-parallel conversion at the input stage of the source driver circuit 14, the precharge data and image data latch or holding circuit becomes the same as in FIG. The 4 bits of GCTL are clock, start pulse, up / down switching, and enable signal.

図180は、本発明の表示パネルの外観図である。パネル1264にはソースドライバIC14がCOG実装され、ゲートドライバ回路12はポリシリコンで形成されている。パネル1264の端子からフレキ基板1802が接続されている。フレキ基板1802にはコントローラIC760が実装されている。コントローラIC760の信号は端子1801から入力され、同様にゲートドライバ回路12の信号も端子1801から入力される。   FIG. 180 is an external view of a display panel of the present invention. A source driver IC 14 is COG mounted on the panel 1264, and the gate driver circuit 12 is made of polysilicon. A flexible substrate 1802 is connected from a terminal of the panel 1264. A controller IC 760 is mounted on the flexible substrate 1802. A signal from the controller IC 760 is input from the terminal 1801, and similarly, a signal from the gate driver circuit 12 is input from the terminal 1801.

図181はさらに詳細な本発明の表示パネルである。カソード配線1811にはカソード電圧が印加され、カソード配線1811はカソード接続位置1812でカソード電極と接続されている。ゲートドライバ回路12にはコントローラIC760からのゲートドライバ信号1813が印加される。また、ソースドライバIC14にもコントローラ760からソースドライバ信号1814が印加される。アノード配線1815はソースドライバICの裏面(のアレイ面)に形成されている。また、アノード配線1815は表示パネルの表示領域近傍に形成されている。   FIG. 181 is a more detailed display panel of the present invention. A cathode voltage is applied to the cathode wiring 1811, and the cathode wiring 1811 is connected to the cathode electrode at the cathode connection position 1812. A gate driver signal 1813 from the controller IC 760 is applied to the gate driver circuit 12. The source driver signal 1814 is also applied from the controller 760 to the source driver IC 14. The anode wiring 1815 is formed on the back surface (the array surface) of the source driver IC. The anode wiring 1815 is formed near the display area of the display panel.

EL表示装置は、液晶表示装置にはないカソード配線、アノード配線を有し、図831に図示するようにゲートドライバ回路もゲートドライバ回路12a、12bと2つが必要である。したがって、配線数が多く結線が複雑である。そのため、配線の引き回しのためにパネル1264の額縁が大きくなる。信号線をパネル1264に入力するためのフレキ基板1802のサイズが大きくなり高コスト化に直結する。   The EL display device has a cathode wiring and an anode wiring which are not found in the liquid crystal display device, and two gate driver circuits 12a and 12b are necessary as shown in FIG. 831. Therefore, the number of wires is large and the connection is complicated. Therefore, the frame of the panel 1264 becomes large due to the wiring. The size of the flexible substrate 1802 for inputting signal lines to the panel 1264 is increased, which directly leads to higher costs.

図282はこの課題を解決する構成の説明図である。なお、説明を容易にするため、図282などでは、ゲートドライバ回路12の制御信号線はST(スタートパルスを印加あるいは伝送する信号線)、CLK(クロック(シフト)パルスを印加あるいは伝送する信号線)、ENBL(イネーブルパルスを印加あるいは伝送する信号線)しか図示していない。実際には、UD(アップダウン方向の信号を印加あるいは伝送する信号線)、Vgh電圧あるいはVgl電圧を伝送あるいは供給する信号線などがあることは言うまでもない。   FIG. 282 is an explanatory diagram of a configuration for solving this problem. For ease of explanation, in FIG. 282 and the like, the control signal line of the gate driver circuit 12 is ST (signal line for applying or transmitting a start pulse), CLK (signal line for applying or transmitting a clock (shift) pulse. ), Only ENBL (signal line for applying or transmitting an enable pulse). In practice, it goes without saying that there are UD (signal lines for applying or transmitting signals in the up / down direction), signal lines for transmitting or supplying Vgh voltage or Vgl voltage, and the like.

なお、説明を容易にするため、ST(スタートパルスを印加あるいは伝送する信号線)、CLK(クロック(シフト)パルスを印加あるいは伝送する信号線)、ENBL(イネーブルパルスを印加あるいは伝送する信号線)、UD(アップダウン方向の信号を印加あるいは伝送する信号線)などの制御信号を伝送などする信号線を制御信号線と呼び、Vgh電圧あるいはVgl電圧を伝送あるいは供給する信号線などを電圧信号線と呼ぶ。   For ease of explanation, ST (signal line for applying or transmitting a start pulse), CLK (signal line for applying or transmitting a clock (shift) pulse), ENBL (signal line for applying or transmitting an enable pulse) , A signal line for transmitting a control signal such as UD (signal line for applying or transmitting a signal in an up / down direction) is called a control signal line, and a signal line for transmitting or supplying a Vgh voltage or a Vgl voltage is a voltage signal line. Call it.

図282は、ソースドライバIC14はシリコンチップで形成または構成され、アレイ基板30にCOG(チップオンガラス)技術で実装されている。一方、ゲートドライバ回路12は、低温ポリシリコン、高温ポリシリコンあるいはCGSなどのポリシリコン技術でアレイ基板30に直接に形成されている。   In FIG. 282, the source driver IC 14 is formed or configured by a silicon chip, and is mounted on the array substrate 30 by the COG (chip on glass) technology. On the other hand, the gate driver circuit 12 is directly formed on the array substrate 30 by polysilicon technology such as low-temperature polysilicon, high-temperature polysilicon, or CGS.

図282では、制御信号線(もしくは電力信号線も)は、ソースドライバIC14の裏面あるいはソースドライバIC14の配線パターンを介してゲートドライバ回路12などに接続される。以上のように制御信号線、電力信号線はソースドライバIC14を介して供給することにより前記信号線などを接続するフレキ基板2911(1802)の幅をソースドライバIC14のチップ幅±程度にすることができる。したがって、低コスト化が可能である(図291を参照のこと)。   In FIG. 282, the control signal line (or the power signal line) is connected to the gate driver circuit 12 or the like via the back surface of the source driver IC 14 or the wiring pattern of the source driver IC 14. As described above, the control signal line and the power signal line are supplied via the source driver IC 14, so that the width of the flexible substrate 2911 (1802) to which the signal lines and the like are connected is set to about the chip width ± of the source driver IC 14. it can. Therefore, the cost can be reduced (see FIG. 291).

図282の構成を実現するために、本発明のソースドライバIC14は図288のように構成(形成)している。図288は、本発明のソースドライバIC14を裏面からみた図である。チップ14の両端に配線2885などが形成されている。図288にあって、配線は通常のアルミ配線であり、IC製造工程で形成させる。しかし、配線2885などの形成方法はこれに限定するものではなく、IC14完成後、スクリーン印刷技術などで形成してもよい。なお、配線2885などはチップ14の一方のみに形成してもよいことは言うまでもない。   In order to realize the configuration of FIG. 282, the source driver IC 14 of the present invention is configured (formed) as shown in FIG. FIG. 288 is a view of the source driver IC 14 of the present invention as seen from the back side. Wiring 2885 and the like are formed at both ends of the chip 14. In FIG. 288, the wiring is a normal aluminum wiring and is formed in the IC manufacturing process. However, the formation method of the wiring 2885 and the like is not limited to this, and may be formed by a screen printing technique after the IC 14 is completed. Needless to say, the wiring 2885 and the like may be formed only on one side of the chip 14.

IC14は制御信号線などの入力端子2883と、ソース信号線18と接続する端子2884が形成されている。チップ14の端に制御信号線を接続する端子2881aが形成または配置される。また、端子2881aには配線2885が接続され、配線2885の他端は端子2881bに接続されている。したがって、G1aの範囲に接続された制御信号線はチップの側辺の端子2881bと接続されている。また、端子2882aに接続された電力信号線は配線2885を介して端子2882bに接続される。端子2882はアノードあるいはカソード配線が接続されることを想定している。したがって、電力信号線はICチップをブリッジし、IC14の出力側(ソース信号線18との接続側)に出力される。   The IC 14 is formed with an input terminal 2883 such as a control signal line and a terminal 2884 connected to the source signal line 18. A terminal 2881 a for connecting a control signal line is formed or arranged at the end of the chip 14. In addition, a wiring 2885 is connected to the terminal 2881a, and the other end of the wiring 2885 is connected to the terminal 2881b. Therefore, the control signal line connected to the range of G1a is connected to the terminal 2881b on the side of the chip. The power signal line connected to the terminal 2882a is connected to the terminal 2882b through the wiring 2885. It is assumed that the terminal 2882 is connected to an anode or a cathode wiring. Therefore, the power signal line bridges the IC chip and is output to the output side of the IC 14 (the connection side with the source signal line 18).

このようにIC14を配線2885でブリッジするのは、図208などの図示するようにアノード配線1815などがIC14の遮光膜として、IC14の裏面に形成されていることが多いからである(図290も参照のこと)。アノード配線1815を遮光膜としてIC裏面に形成することにより、ICがホトコンダクタ現象により以上動作することがない。配線2885で制御信号線あるいは電力信号線を接続することにより、アレイ基板30上で配線を交差する必要がなく、交差部での短絡などが減少し、製造歩留まりを向上させることができる。   The reason why the IC 14 is bridged by the wiring 2885 in this way is that the anode wiring 1815 and the like are often formed on the back surface of the IC 14 as a light shielding film of the IC 14 as shown in FIG. 208 (FIG. 290 also). See By forming the anode wiring 1815 on the back surface of the IC as a light shielding film, the IC does not operate due to the photoconductor phenomenon. By connecting the control signal line or the power signal line with the wiring 2885, it is not necessary to cross the wiring on the array substrate 30, and a short circuit or the like at the crossing portion can be reduced and the manufacturing yield can be improved.

なお、図288の実施例では、ICチップ14の裏面(実装時にアレイ基板30と対面する面)に配線2885などを形成するとしたがこれに限定するものではない。配線2885などをICチップ14に表面に形成または配置してもよい。また、ICチップ14とアレイ基板30との隙間に、配線2885などを形成したフレキ2911(1802)を配置してもよいことは言うまでもない。   In the embodiment of FIG. 288, the wiring 2885 and the like are formed on the back surface of the IC chip 14 (the surface facing the array substrate 30 when mounted), but the present invention is not limited to this. The wiring 2885 and the like may be formed or arranged on the surface of the IC chip 14. Needless to say, flexible 2911 (1802) in which wiring 2885 and the like are formed may be disposed in the gap between the IC chip 14 and the array substrate 30.

また、以上の実施例ではソースドライバIC14に配線2885などを形成し、信号線をブリッジするとした。しかし、本発明はこれに限定するものではなく、ゲートドライバ回路12をシリコンチップ(ゲートドライバIC12)などで形成し、ゲートドライバIC12の裏面などに配線2885などを形成してもよいことは言うまでもない。   In the above embodiment, the wiring 2885 and the like are formed in the source driver IC 14 and the signal line is bridged. However, the present invention is not limited to this, and it goes without saying that the gate driver circuit 12 may be formed of a silicon chip (gate driver IC 12) or the like, and the wiring 2885 or the like may be formed on the back surface of the gate driver IC 12 or the like. .

また、配線2885上には無機材料あるいは有機材料からなる薄膜(厚膜)を形成することが好ましい。薄膜(厚膜)の厚みは少なくとも0.1μm以上必要である。しかし、3μm以下にすることが好ましい。薄膜(厚膜)の形成により配線2885が保護され、腐食などの課題が発生しなくなる。薄膜(厚膜)の比誘電率は、3.5以上6.0以下のものを使用することが好ましい。   A thin film (thick film) made of an inorganic material or an organic material is preferably formed over the wiring 2885. The thickness of the thin film (thick film) needs to be at least 0.1 μm or more. However, it is preferably 3 μm or less. By forming a thin film (thick film), the wiring 2885 is protected, and problems such as corrosion do not occur. The relative dielectric constant of the thin film (thick film) is preferably 3.5 or more and 6.0 or less.

図289は本発明のソースドライバIC14をアレイ基板30に実装した状態である。電力信号線(実施例ではアノード配線)は配線2885を介して端子2882bに出力され、表示領域144の画素16部に分岐される。カソード配線のICチップの右端の端子2882bから出力されカソード接続点でカソード電極36と接続される。制御信号線もIC14の配線2885を介して端子2881bから出力されゲートドライバ回路12に入力される。   FIG. 289 shows a state in which the source driver IC 14 of the present invention is mounted on the array substrate 30. The power signal line (the anode wiring in the embodiment) is output to the terminal 2882b via the wiring 2885 and branched to the pixel 16 portion of the display area 144. It is output from the terminal 2882b at the right end of the IC chip of the cathode wiring and connected to the cathode electrode 36 at the cathode connection point. The control signal line is also output from the terminal 2881 b via the wiring 2885 of the IC 14 and input to the gate driver circuit 12.

図290はIC14をアレイ基板30に実装した場合の断面図である。ICチップ14の裏面には配線2885が形成され、端子2882aと端子2882b間を接続している。端子2882には金バンプ2904が形成されている。金バンプ2904はアレイ基板30の端子2902とIC14の端子2882とを接続している。したがって、信号線2901に印加された信号はIC14の配線2885を介して信号線2852と電気的に接続されるため、アノード配線2903などの導体線がアレイ基板30上に形成されていても交差することがない。   FIG. 290 is a cross-sectional view when the IC 14 is mounted on the array substrate 30. A wiring 2885 is formed on the back surface of the IC chip 14 to connect between the terminals 2882a and 2882b. A gold bump 2904 is formed on the terminal 2882. The gold bump 2904 connects the terminal 2902 of the array substrate 30 and the terminal 2882 of the IC 14. Therefore, since the signal applied to the signal line 2901 is electrically connected to the signal line 2852 via the wiring 2885 of the IC 14, the signal lines 2901 intersect even if conductor lines such as the anode wiring 2903 are formed on the array substrate 30. There is nothing.

図347に図示するように、ソースドライバ回路(IC)14からゲートドライバ回路(IC)12に引き渡される配線2852が交差することがないように、出力端子位置を設定する。なお、他の内容は図282などで説明しているので省略する。   As shown in FIG. 347, the output terminal position is set so that the wiring 2852 delivered from the source driver circuit (IC) 14 to the gate driver circuit (IC) 12 does not intersect. Other contents are described in FIG.

また、図358に図示するように、ゲートドライバ12の電源配線(たとえば、Vgh電圧、Vgl電圧などの供給配線)2852bはアレイ基板30面に形成するとともに、チップで構成したソースドライバIC14の下面に配設(配置または形成)する。アノード配線もICチップ14の裏面部でアレイ30の表面に形成または配置する。ゲートドライバ回路12の制御信号線は、ソースドライバIC14に形成または配置された配線2885を介して接続をする。   Further, as shown in FIG. 358, the power supply wiring (for example, supply wiring for Vgh voltage, Vgl voltage, etc.) 2852b of the gate driver 12 is formed on the surface of the array substrate 30, and is formed on the lower surface of the source driver IC 14 constituted by a chip. Arrangement (arrangement or formation). The anode wiring is also formed or arranged on the surface of the array 30 on the back surface of the IC chip 14. The control signal line of the gate driver circuit 12 is connected via a wiring 2885 formed or arranged in the source driver IC 14.

以上のように構成することにより、ICチップ14の裏面部を有効に利用することができ、また、パネルを狭額縁化することができる。   By configuring as described above, the back surface portion of the IC chip 14 can be effectively used, and the panel can be narrowed.

以上のように、IC14の配線2885を介して電力信号線あるいは制御信号線をブリッジすることのより、基板30に形成された配線と交差することがなくなるという効果が発揮される。他の大きな効果として、図291に図示するように、信号線などをパネルに印加するフレキシブル基板2911の大きさを小さくできるという効果も発揮される。一般的にフレキシブル基板2911は高価であるのでサイズが小さいほどコストメリットは大きい。   As described above, by bridging the power signal line or the control signal line via the wiring 2885 of the IC 14, the effect that it does not intersect with the wiring formed on the substrate 30 is exhibited. As another great effect, as shown in FIG. 291, an effect that the size of the flexible substrate 2911 for applying a signal line or the like to the panel can be reduced is also exhibited. Since the flexible substrate 2911 is generally expensive, the smaller the size, the greater the cost merit.

図291に図示するように、IC14への入力信号線2901、2852にはフレキシブル基板2911からストレートに信号などが入力される。IC14の配線2885がなければ制御信号線は基板30の入力面でIC14を避けて折り曲げる必要がある。折り曲げればパネルの額縁が大きくなる。本発明のようにICチップ14の配線2885を介して接続することにより、額縁を小さくすることができる。   As shown in FIG. 291, signals and the like are input straight from the flexible substrate 2911 to the input signal lines 2901 and 2852 to the IC 14. If the wiring 1485 of the IC 14 is not provided, the control signal line needs to be bent at the input surface of the substrate 30 while avoiding the IC 14. If it bends, the frame of a panel will become large. By connecting through the wiring 2885 of the IC chip 14 as in the present invention, the frame can be reduced.

図288などで説明した実施例は、端子2881aと端子2881b間などを配線2885などで結線した実施例である。つまり、端子2881aから入力された信号はそのまま端子2881bに出力される。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、入力された信号を分岐したり、遅延したり、変化させる回路あるいは配線を端子2881間に形成または配置してもよいことは言うまでもない。   In the embodiment described with reference to FIG. 288 and the like, the terminal 2881a and the terminal 2881b are connected by a wiring 2885 or the like. That is, the signal input from the terminal 2881a is output to the terminal 2881b as it is. However, the present invention is not limited to this. For example, it goes without saying that a circuit or wiring for branching, delaying, or changing an input signal may be formed or arranged between the terminals 2881.

図283は一例として端子2881aと端子2881b間に変換回路2831を形成または配置した構成である。図283の実施例における変換回路2831は反転出力発生回路である。反転出力発生回路2831は入力された信号の反転信号を発生させる。たとえば、ST信号であれば、ネガティブのST信号を発生させる。このネガティブのST信号をNSTと記載する。より具体的には、STが1フレームの期間の1Hの期間、3Vとなり、他の期間は0Vであれば、NST信号は1フレームの期間の1Hの期間、0Vとなり、他の期間は3Vとなる。以上の事項は、CLK、ENBL信号にも適用される。   FIG. 283 shows a structure in which a conversion circuit 2831 is formed or arranged between the terminals 2881a and 2881b as an example. The conversion circuit 2831 in the embodiment of FIG. 283 is an inverted output generation circuit. An inverted output generation circuit 2831 generates an inverted signal of the input signal. For example, if it is an ST signal, a negative ST signal is generated. This negative ST signal is referred to as NST. More specifically, if ST is 1V in the period of one frame and becomes 3V, and the other periods are 0V, the NST signal becomes 0V in the period of 1H in one frame period and 3V in the other periods. Become. The above items also apply to the CLK and ENBL signals.

つまり、図283では端子2881aに入力された信号は、反転出力回路2831でポジティブ信号とネガティブ信号に変換されて端子2831bから出力される。したがって、ソースドライバIC14には入力信号を少なくできる。   That is, in FIG. 283, the signal input to the terminal 2881a is converted into a positive signal and a negative signal by the inverting output circuit 2831 and output from the terminal 2831b. Therefore, input signals can be reduced in the source driver IC 14.

図283は反転出力を発生する回路であったが、本発明はこれに限定するものではない。図284はフリップフロップ回路(FF回路)からなる遅延回路2841をソースドライバIC14内に形成してものである。   Although FIG. 283 shows a circuit for generating an inverted output, the present invention is not limited to this. In FIG. 284, a delay circuit 2841 composed of a flip-flop circuit (FF circuit) is formed in the source driver IC.

図284では一例として、FF回路2841は端子2881aと端子2881b間に配置されている。FF回路2841によりST信号などは遅延される。ゲートドライバ回路12の制御信号(ST、CLKなど)は、ソースドライバ回路14のラッチ回路862などと同期をとり、ソース信号線18に印加するプログラム電流のタイミングと、ゲート信号線17aにオン電圧を印加するタイミングとを調整する必要がある。このタイミング調整をFF回路2841などで行う。以上のように構成することによりコントローラ760から出力する制御信号のタイミング調整が容易になる。   In FIG. 284, as an example, the FF circuit 2841 is disposed between the terminal 2881a and the terminal 2881b. The ST signal and the like are delayed by the FF circuit 2841. The control signals (ST, CLK, etc.) of the gate driver circuit 12 are synchronized with the latch circuit 862 of the source driver circuit 14, and the timing of the program current applied to the source signal line 18 and the ON voltage to the gate signal line 17a. It is necessary to adjust the application timing. This timing adjustment is performed by the FF circuit 2841 or the like. With the configuration described above, the timing adjustment of the control signal output from the controller 760 is facilitated.

以上の実施例のほかに、図285に図示するように、HD(水平走査信号)、VD(垂直走査信号)から制御信号(ST、CLK、ENBLなど)を発生させてもよい。つまり、ソースドライバ回路14内に信号発生回路2851を形成または配置する。HD(水平走査信号)、VD(垂直走査信号)などから信号発生回路2851で制御信号(ST、CLK、ENBLなど)を発生する。以上のように構成することにより、さらにソースドライバIC14への信号線本数を削減することができる。   In addition to the above embodiments, as shown in FIG. 285, control signals (ST, CLK, ENBL, etc.) may be generated from HD (horizontal scanning signal) and VD (vertical scanning signal). That is, the signal generation circuit 2851 is formed or arranged in the source driver circuit 14. The signal generation circuit 2851 generates control signals (ST, CLK, ENBL, etc.) from HD (horizontal scanning signal), VD (vertical scanning signal), and the like. With the above configuration, the number of signal lines to the source driver IC 14 can be further reduced.

図190では、ソースドライバIC14への信号を差動信号として入力する実施例を説明した。同様に図81、図82でも信号などを差動信号にして供給した実施例について説明をした。同様に図292に図示するようにゲート信号(ゲートドライバ回路12の制御信号(ST、ENBLなど))も差動信号として、ソースドライバIC14に印加してもよい。差動信号は差動−パラレル信号変換回路2921でパラレル信号に変換される。   In FIG. 190, the embodiment in which the signal to the source driver IC 14 is input as a differential signal has been described. Similarly, in FIG. 81 and FIG. 82, the embodiment in which signals are supplied as differential signals has been described. Similarly, as shown in FIG. 292, a gate signal (control signal (ST, ENBL, etc.) of the gate driver circuit 12) may be applied to the source driver IC 14 as a differential signal. The differential signal is converted into a parallel signal by a differential-parallel signal conversion circuit 2921.

図292の実施例では、電力信号としてのアノード電圧、カソード電圧は端子2882aに入力され、ゲートドライバ回路12を制御するゲート信号(差動)は端子2881aに入力される。映像信号(差動)および制御信号(差動)は端子2883に入力される。なお、ゲート信号、映像信号および制御信号は、1ツイストペアの差動信号としてもよいことは言うまでもない。   In the embodiment of FIG. 292, the anode voltage and cathode voltage as power signals are input to the terminal 2882a, and the gate signal (differential) for controlling the gate driver circuit 12 is input to the terminal 2881a. The video signal (differential) and the control signal (differential) are input to the terminal 2883. Needless to say, the gate signal, the video signal, and the control signal may be a single twisted pair differential signal.

なお、以上の実施例は他の端子(2883、2884、2882など)についても適用できることは言うまでもない。   Needless to say, the above embodiment can be applied to other terminals (2883, 2884, 2882, etc.).

また、図292などに差動信号として印加することによる信号線数の削減、図288、図290などのようにIC14に配線2885を形成することにより信号線などが交差することをなくす構成は、アレイ基板30にポリシリコン技術によりゲートドライバ回路12などを形成し、ソースドライバIC14をシリコンチップなどで形成してアレイ基板30にCOG技術を用いて実装することにより発揮できる効果である。   In addition, the number of signal lines is reduced by applying a differential signal to FIG. 292, and the configuration in which signal lines are not crossed by forming the wiring 2885 in the IC 14 as shown in FIGS. 288, 290, etc. This is an effect that can be exhibited by forming the gate driver circuit 12 or the like on the array substrate 30 by polysilicon technology and forming the source driver IC 14 by a silicon chip or the like and mounting it on the array substrate 30 using COG technology.

なお、以上の実施例は、1つのIC14をパネル1264に用いた実施例であった。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図316に図示するように、また、2つ(複数)のICチップ14をアレイ基板30に実装し、表示パネル1264を構成してもよい。IC14の両方の端には、電力信号線または制御信号線もしくは両方の信号線が出力されるように形成あるいは配置され、IC14の両方の端には、差動−パラレル信号変換回路2921が形成あるいは配置されている。どちらの差動−パラレル信号変換回路2921が動作させるかは、セレクタ信号GSELで切り換えられる。図316では、ICチップ14aは差動−パラレル信号変換回路2921a1が動作し、差動−パラレル信号変換回路2921a1からゲートドライバ回路12aの制御信号などが出力される。また、ICチップ14bは差動−パラレル信号変換回路2921b2が動作し、差動−パラレル信号変換回路2921b2からゲートドライバ回路12bの制御信号などが出力される。   The above embodiment is an embodiment in which one IC 14 is used for the panel 1264. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 316, two (plural) IC chips 14 may be mounted on the array substrate 30 to constitute the display panel 1264. A power signal line or a control signal line or both signal lines are formed or arranged at both ends of the IC 14, and a differential-parallel signal conversion circuit 2921 is formed or disposed at both ends of the IC 14. Has been placed. Which differential-parallel signal conversion circuit 2921 is operated is switched by a selector signal GSEL. In FIG. 316, the differential-parallel signal conversion circuit 2921a1 operates in the IC chip 14a, and a control signal for the gate driver circuit 12a is output from the differential-parallel signal conversion circuit 2921a1. In the IC chip 14b, the differential-parallel signal conversion circuit 2921b2 operates, and a control signal for the gate driver circuit 12b is output from the differential-parallel signal conversion circuit 2921b2.

なお、図316ではICチップ14の両端に差動−パラレル信号変換回路2921を配置するように図示したが、これに限定するものではない。差動−パラレル信号変換回路2921は1つで、配線2851で制御信号線などをチップ14の両端に分岐できるように構成してもよい。重要なのは、ICチップ14の両端に電力信号線または制御信号線が出力できることであり、また、図316のようにアレイ基板30に複数のICチップ14を実装した場合、ICチップ14の両端の電力信号線または制御信号線の出力が出力されるか否かを切り換えることができることである(もしくは両方から信号などが出力されていても画像表示に影響がないようにすることができることである)。切り換えはGESL信号によって行う。したがって、本発明のソースドライバIC14は、アレイ30に1個実装する場合でも、複数実装する場合でも同一のソースドライバIC14を用いることができる。また、1個用いた場合で、ゲートドライバ回路12が画面144の一方の端に形成または配置されている場合でも適用することができる。   In FIG. 316, the differential-parallel signal conversion circuit 2921 is arranged at both ends of the IC chip 14, but the present invention is not limited to this. One differential-parallel signal conversion circuit 2921 may be provided, and a control signal line or the like may be branched to both ends of the chip 14 by a wiring 2851. What is important is that a power signal line or a control signal line can be output at both ends of the IC chip 14, and when a plurality of IC chips 14 are mounted on the array substrate 30 as shown in FIG. It is possible to switch whether or not the output of the signal line or the control signal line is output (or to prevent the image display from being affected even if a signal or the like is output from both). Switching is performed by a GESL signal. Accordingly, the same source driver IC 14 can be used regardless of whether one source driver IC 14 of the present invention is mounted on the array 30 or a plurality of source driver ICs 14 are mounted. In addition, the case where one gate driver circuit 12 is used and the gate driver circuit 12 is formed or arranged at one end of the screen 144 can be applied.

なお、場合によっては入力方向であってもよい。たとえば、ゲートドライバ回路12からのスタートパルス(ST)の出力パルスが端子2821bに入力され、端子2821aから出力されるように構成あるいは形成してもよい。この出力パルスはコントロールIC760に入力される。この出力パルスによりコントロールIC760は、ゲートドライバ回路12の動作を監視あるいは正常性を判断できる。また、本発明は、ソースドライバIC14をシリコンなどで形成し、COG技術などを用いて基板30に実装するとしたが、これに限定するものではない。TABあるいはCOF技術を用いて実装してもよい。また、ソースドライバICの回路14はポリシリコン技術を用いてアレイ基板30に直接形成してもよい。特に図316などの構成に有効である。また、ICチップ14はアレイ基板30(画素電極などが形成された基板)に実装するとしたが、これに限定するものではなく、対向基板側に形成し、アレイ基板30などに形成されたソース信号線18などと接続してもよい。以上の事項は、本発明の他の実施例においても適用できることは言うまでもない。   In some cases, the direction may be the input direction. For example, the output pulse of the start pulse (ST) from the gate driver circuit 12 may be input to the terminal 2821b and output from the terminal 2821a. This output pulse is input to the control IC 760. With this output pulse, the control IC 760 can monitor the operation of the gate driver circuit 12 or determine its normality. In the present invention, the source driver IC 14 is formed of silicon or the like and mounted on the substrate 30 using COG technology or the like. However, the present invention is not limited to this. You may mount using TAB or COF technology. The circuit 14 of the source driver IC may be directly formed on the array substrate 30 using polysilicon technology. This is particularly effective for the configuration shown in FIG. In addition, the IC chip 14 is mounted on the array substrate 30 (the substrate on which the pixel electrode or the like is formed). However, the present invention is not limited to this. The source signal is formed on the counter substrate side and formed on the array substrate 30 or the like. You may connect with the line 18 etc. It goes without saying that the above matters can be applied to other embodiments of the present invention.

図191はフレキ基板1802部の断面図である。フレキ基板1802には電源モジュール1912が端子1914を介して、フレキ基板1802と接続されている。電源モジュール1912にはコイル(トランス)1913が実装されており、このコイル1913はフレキ基板1802にあけられた穴に挿入されている。以上のように構成することにより全体として薄いパネルモジュールを得ることができる。   FIG. 191 is a cross-sectional view of the flexible substrate 1802 portion. A power supply module 1912 is connected to the flexible substrate 1802 via a terminal 1914 on the flexible substrate 1802. A coil (transformer) 1913 is mounted on the power supply module 1912, and the coil 1913 is inserted into a hole formed in the flexible board 1802. By constituting as described above, a thin panel module as a whole can be obtained.

図1のように画素16の駆動用トランジスタ11a、選択トランジスタ(11b、11c)がPチャンネルトランジスタの場合は、突き抜け電圧が発生する。これは、ゲート信号線17aの電位変動が、選択トランジスタ(11b、11c)のG−S容量(寄生容量)を介して、コンデンサ19の端子に突き抜けるためである。Pチャンネルトランジスタ11bがオフするときにはVgh電圧となる。そのため、コンデンサ19の端子電圧がVdd側に少しシフトする。そのため、トランジスタ11aのゲート(G)端子電圧は上昇し、より黒表示となる。したがって、良好な黒表示を実現できる。   As shown in FIG. 1, when the driving transistor 11a and the selection transistors (11b, 11c) of the pixel 16 are P-channel transistors, a punch-through voltage is generated. This is because the potential fluctuation of the gate signal line 17a penetrates to the terminal of the capacitor 19 through the GS capacitance (parasitic capacitance) of the selection transistors (11b, 11c). When the P-channel transistor 11b is turned off, the voltage becomes Vgh. Therefore, the terminal voltage of the capacitor 19 is slightly shifted to the Vdd side. For this reason, the gate (G) terminal voltage of the transistor 11a rises, resulting in a black display. Therefore, good black display can be realized.

しかし、第0階調目の完全黒表示は実現できるが、第1階調などは表示しにくいことになる。もしくは、第0階調から第1階調まで大きく階調飛びが発生したり、特定の階調範囲で黒つぶれが発生したりする。   However, complete black display of the 0th gradation can be realized, but it is difficult to display the 1st gradation. Alternatively, a large gradation jump occurs from the 0th gradation to the first gradation, or blackout occurs in a specific gradation range.

この課題を解決する構成が、図84の構成である。出力電流値を嵩上げする機能を有することを特徴としている。嵩上げ回路841の主たる目的は、突き抜け電圧の補償である。また、画像データが黒レベル0であっても、ある程度(数10nA)電流が流れるようにし、黒レベルの調整にも用いることができる。   The configuration for solving this problem is the configuration shown in FIG. It has a function of raising the output current value. The main purpose of the raising circuit 841 is to compensate for the punch-through voltage. Further, even when the image data has a black level of 0, a certain amount of current (several tens of nA) flows, and can be used for black level adjustment.

基本的には、図84は、図15の出力段に嵩上げ回路841(図84の点線で囲まれた部分)を追加したものである。図84は、電流値嵩上げ制御信号として3ビット(K0、K1、K2)を仮定したものであり、この3ビットの制御信号により、孫電流源の電流値の0〜7倍の電流値を出力電流に加算することが可能である。なお、電流嵩上げ制御信号は3ビットとしているが、これに限定するものではなく、4ビット以上であってもよいことはいうまでもない。   Basically, FIG. 84 is obtained by adding a raising circuit 841 (portion surrounded by a dotted line in FIG. 84) to the output stage of FIG. FIG. 84 assumes that the current value raising control signal is 3 bits (K0, K1, K2), and outputs a current value 0 to 7 times the current value of the grandchild current source by this 3-bit control signal. It is possible to add to the current. Although the current raising control signal is 3 bits, it is needless to say that the current raising control signal is not limited to this and may be 4 bits or more.

以上が本発明のソースドライバIC(回路)14の基本的な概要である。以後、さらに詳細に本発明のソースドライバIC(回路)14についてさらに詳しく説明をする。   The above is the basic outline of the source driver IC (circuit) 14 of the present invention. Hereinafter, the source driver IC (circuit) 14 of the present invention will be described in more detail.

EL素子15に流す電流I(A)と発光輝度B(nt)とは線形の関係がある。つまり、EL素子15に流す電流I(A)と発光輝度B(nt)とは比例する。電流駆動方式では、1ステップ(階調刻み)は、電流(単位トランジスタ154(1単位))である。   There is a linear relationship between the current I (A) flowing through the EL element 15 and the light emission luminance B (nt). That is, the current I (A) flowing through the EL element 15 is proportional to the light emission luminance B (nt). In the current driving method, one step (gradation step) is a current (unit transistor 154 (one unit)).

人間の輝度に対する視覚は2乗特性をもっている。つまり、2乗の曲線で変化する時、明るさは直線的に変化しているように認識される。しかし、図62の実線aで示すように直線の関係であると、低輝度領域でも高輝度領域でも、EL素子15に流す電流I(A)と発光輝度B(nt)とは比例する。   Human vision of brightness has a square characteristic. That is, when changing with a square curve, the brightness is recognized as changing linearly. However, as shown by a solid line a in FIG. 62, the current I (A) flowing through the EL element 15 and the light emission luminance B (nt) are proportional to each other in both the low luminance region and the high luminance region.

したがって、1ステップ(1階調)きざみづつ変化させると、低階調部(黒領域)では、1ステップに対する輝度変化が大きい(黒飛びが発生する)。高階調部(白領域)は、ほぼ2乗カーブの直線領域と一致するので、1ステップに対する輝度変化は等間隔で変化しているように認識される。以上のことから、電流駆動方式(1ステップが電流きざみの場合)において(電流駆動方式のソースドライバIC(回路)14において)、黒表示領域の表示が特に課題となる。   Therefore, if the step is changed step by step (one gradation), the luminance change for one step is large (black skip occurs) in the low gradation portion (black region). Since the high gradation portion (white region) substantially coincides with the linear region of the square curve, the luminance change for one step is recognized as changing at equal intervals. From the above, in the current driving method (when one step is in increments of current) (in the current driving source driver IC (circuit) 14), the display of the black display region becomes a particular problem.

この課題に対して、低階調領域(階調0(完全黒表示)から階調(R1))の電流出力の傾きを小さくし、高階調領域(階調(R1)から最大階調(R))の電流出力の傾きを大きくする。つまり、低階調領域では、1階調あたりに(1ステップ)増加する電流量と小さくする。高階調領域では、1階調あたりに(1ステップ)増加する電流量と大きくする。高階調領域と低階調領域で1ステップあたりに変化する電流量を異ならせることにより、階調特性が2乗カーブに近くなり、低階調領域での黒飛びの発生はない。   To solve this problem, the slope of the current output in the low gradation region (gradation 0 (full black display) to gradation (R1)) is reduced, and the maximum gradation (R) from the high gradation region (gradation (R1)). )) Increase the current output slope. In other words, in the low gradation region, the current amount is increased with a small amount (one step) per gradation. In the high gradation region, the current amount increases with one gradation (one step). By making the amount of current changing per step different between the high gradation region and the low gradation region, the gradation characteristic becomes close to a square curve, and blackout does not occur in the low gradation region.

なお、以上の実施例では、低階調領域と高階調領域の2段階の電流傾きとしたが、これに限定するものではない。3段階以上であっても良いことは言うまでもない。しかし、2段階の場合は回路構成が簡単になるので好ましいことは言うまでもない。好ましくは、5段階以上の傾きを発生できるようにガンマ回路は構成することが望ましい。   In the above embodiment, the current gradient has two steps of the low gradation region and the high gradation region. However, the present invention is not limited to this. Needless to say, there may be three or more stages. However, it is needless to say that the case of two stages is preferable because the circuit configuration is simplified. Preferably, the gamma circuit is preferably configured so as to generate a gradient of five or more steps.

本発明の技術的思想は、電流駆動方式のソースドライバIC(回路)などにおいて(基本的には電流出力で階調表示を行う回路である。したがって、表示パネルがアクティブマトリックス型に限定されるものではなく、単純マトリックス型も含まれる。)、1階調ステップあたりの電流増加量が複数存在させることである。   The technical idea of the present invention is a circuit for performing gradation display by current output in a current-driven source driver IC (circuit), etc. Therefore, the display panel is limited to an active matrix type. (Instead, a simple matrix type is also included.) This means that a plurality of current increase amounts per gradation step exist.

ELなどの電流駆動型の表示パネルは、印加される電流量に比例して表示輝度が変化する。したがって、本発明のソースドライバIC(回路)14では、1つの電流源(1単位トランジスタ)154に流れるもととなる基準電流を調整することにより、容易に表示パネルの輝度を調整することができる。   In a current-driven display panel such as an EL, display luminance changes in proportion to the amount of current applied. Therefore, in the source driver IC (circuit) 14 of the present invention, the luminance of the display panel can be easily adjusted by adjusting the reference current that causes the current source (one unit transistor) 154 to flow. .

EL表示パネルでは、R、G、Bで発光効率が異なり、また、NTSC基準に対する色純度がずれている。したがって、ホワイトバランスを最適にするためにはRGBの比率を適正に調整する必要がある。調整は、RGBのそれぞれの基準電流を調整することにより行う。たとえば、Rの基準電流を2μAにし、Gの基準電流を1.5μAにし、Bの基準電流を3.5μAにする。以上のように少なくとも複数の表示色の基準電流のうち、少なくとも1色の基準電流は変更あるいは調整あるいは制御できるように構成することが好ましい。   In the EL display panel, the luminous efficiency is different between R, G, and B, and the color purity with respect to the NTSC standard is shifted. Therefore, in order to optimize the white balance, it is necessary to appropriately adjust the RGB ratio. Adjustment is performed by adjusting the respective reference currents of RGB. For example, the R reference current is set to 2 μA, the G reference current is set to 1.5 μA, and the B reference current is set to 3.5 μA. As described above, it is preferable that at least one color reference current among at least a plurality of display color reference currents can be changed, adjusted, or controlled.

ホワイトバランスは、図184に図示するように基準電流Ic(赤色の基準電流はIcr、緑色の基準電流はIcg、青色の基準電流はIcb)の調整により実現する。しかし、トランジスタ158の特性バラツキなどがあり、ホワイトバランスずれが発生する。これはICチップごとに異なることがある。この課題に対しては、図184の基準電流回路601r(赤用)、基準電流回路601g(緑用)、基準電流回路601b(青用)の内部を、図164などで説明するトリミング技術を用いて調整し、ホワイトバランスを実現すればよい。特に電流駆動方式は、ELに流す電流Iと輝度の関係は直線の関係があるがあるため、この調整はいたって容易である。   As shown in FIG. 184, the white balance is realized by adjusting the reference current Ic (the red reference current is Icr, the green reference current is Icg, and the blue reference current is Icb). However, there are variations in the characteristics of the transistor 158 and white balance deviation occurs. This may vary from IC chip to IC chip. For this problem, the trimming technique described in FIG. 164 and the like is used for the inside of the reference current circuit 601r (for red), the reference current circuit 601g (for green), and the reference current circuit 601b (for blue) in FIG. To achieve white balance. In particular, in the current driving method, since the relationship between the current I flowing through the EL and the luminance has a linear relationship, this adjustment is very easy.

電流駆動方式は、ELに流す電流Iと輝度の関係は直線の関係がある。したがって、RGBの混合によるホワイトバランスの調整は、所定の輝度の一点でRGBの基準電流を調整するだけでよい。つまり、所定の輝度の一点でRGBの基準電流を調整し、ホワイトバランスを調整すれば、基本的には全階調にわたりホワイトバランスがとれている。したがって、本発明はRGBの基準電流を調整できる調整手段を具備する点、1点折れまたは多点折れガンマカーブ発生回路(発生手段)を具備する点に特徴がある。以上の事項は電流制御のEL表示パネルに特有の回路方式である。   In the current driving method, the relationship between the current I flowing through the EL and the luminance has a linear relationship. Therefore, the white balance adjustment by mixing RGB only needs to adjust the RGB reference current at one point of predetermined luminance. That is, if the RGB reference current is adjusted at one point with a predetermined luminance and the white balance is adjusted, the white balance is basically achieved over all gradations. Therefore, the present invention is characterized in that it includes an adjusting unit that can adjust the RGB reference currents, and includes a one-point bent or multi-point bent gamma curve generating circuit (generating unit). The above items are circuit systems peculiar to the current control EL display panel.

基準電流の発生は、図60から図66(a)(b)などの構成に限定されるものではない。たとえば、図198の構成が例示される。図198では、8ビットデータをDA(デジタルアナログ)変換回路661で電圧に変換する。この電圧を電子ボリウム501の電源電圧(図60ではVs)となる。電子ボリウム501は電圧データ(VDATA)で制御されて、Vt電圧が出力される。出力されたVtデータがオペアンプ502に入力され、抵抗R1とトランジスタ158aからなる電流回路で所定の基準電流Icが出力される。以上のように構成すれば、8ビットのDATAおよび8ビットのVDATAによりVt電圧の可変範囲が広く制御することができる。   The generation of the reference current is not limited to the configuration shown in FIGS. 60 to 66 (a) and 66 (b). For example, the configuration of FIG. 198 is illustrated. In FIG. 198, 8-bit data is converted into a voltage by a DA (digital analog) conversion circuit 661. This voltage becomes the power supply voltage (Vs in FIG. 60) of the electronic regulator 501. The electronic volume 501 is controlled by voltage data (VDATA), and a Vt voltage is output. The output Vt data is input to the operational amplifier 502, and a predetermined reference current Ic is output by the current circuit including the resistor R1 and the transistor 158a. If configured as described above, the variable range of the Vt voltage can be controlled widely by 8-bit DATA and 8-bit VDATA.

図197は、複数の電流回路(オペアンプ502、抵抗R*、トランジスタ158aで構成)を具備する構成である。各電流回路が出力する基準電流の大きさIcは抵抗の大きさにより異なっている。オペアンプ502aからなる定電流回路はR1=1MΩであり、基準電流Ic1の電流を流す。オペアンプ502bからなる定電流回路はR2=500KΩであり、基準電流Ic2の電流を流す。オペアンプ502cからなる定電流回路はR3=250KΩであり、基準電流Ic3の電流を流す。   FIG. 197 shows a structure including a plurality of current circuits (composed of an operational amplifier 502, a resistor R *, and a transistor 158a). The magnitude Ic of the reference current output by each current circuit differs depending on the magnitude of the resistance. The constant current circuit composed of the operational amplifier 502a has R1 = 1 MΩ, and flows the reference current Ic1. The constant current circuit composed of the operational amplifier 502b has R2 = 500 KΩ, and flows the reference current Ic2. The constant current circuit composed of the operational amplifier 502c has R3 = 250 KΩ, and flows the reference current Ic3.

どの電流回路の基準電流Icを採用するかは、選択スイッチSにより決定する。スイッチSの選択は外部からの入力信号により実施する。スイッチS1がオンし、スイッチS2、S3をオフすることにより、トランジスタ群431bに基準電流Ic1が印加される。スイッチS2がオンし、スイッチS1、S3をオフすることにより、トランジスタ群431bに基準電流Ic2が印加される。同様に、スイッチS3がオンし、スイッチS2、S1をオフすることにより、トランジスタ群431bに基準電流Icが印加される。   The selection switch S determines which current circuit's reference current Ic is used. Selection of the switch S is performed by an external input signal. When the switch S1 is turned on and the switches S2 and S3 are turned off, the reference current Ic1 is applied to the transistor group 431b. When the switch S2 is turned on and the switches S1 and S3 are turned off, the reference current Ic2 is applied to the transistor group 431b. Similarly, when the switch S3 is turned on and the switches S2 and S1 are turned off, the reference current Ic is applied to the transistor group 431b.

基準電流Ic1、Ic2、Ic3がそれぞれ異なるように構成されているため、選択するスイッチSを切り換えることにより出力端子155からの出力電流を一斉に変更することができる。また、選択スイッチSを1フィールドまたは1フレームなどの定周期で変化させることにより、フレームなどごとにパネルに印加するプログラム電流の大きさを変化させることができ、画像輝度などが複数フレームまたはフィールドで平均化され均一性のよい画像表示を得ることができる。   Since the reference currents Ic1, Ic2, and Ic3 are configured to be different from each other, the output currents from the output terminal 155 can be simultaneously changed by switching the switches S to be selected. Further, by changing the selection switch S at a constant cycle such as one field or one frame, the magnitude of the program current applied to the panel can be changed for each frame or the like, and the image brightness or the like can be changed in a plurality of frames or fields. An averaged image display with good uniformity can be obtained.

なお、上記の実施例では、1フィールドまたは1フレームごとに選択するスイッチSを変化させ、プログラム電流の大きさを変化させるとしたがこれに限定するものではない。たとえば、数フィールドあるいはフレームごとに変化させてもよく、1H(1水平走査期間)あるいは複数H(走査期間)ごとにスイッチSを切り換えてもよい。また、ランダムに変化させ、全体として所定の基準電流Icがトランジスタ群431bに印加するように動作させてもよい。   In the above embodiment, the switch S selected for each field or frame is changed to change the magnitude of the program current. However, the present invention is not limited to this. For example, it may be changed every several fields or frames, and the switch S may be switched every 1H (one horizontal scanning period) or every plural H (scanning periods). Alternatively, the operation may be performed so that a predetermined reference current Ic is applied to the transistor group 431b as a whole by changing the random.

基準電流の大きさを周期的に変化させるあるいはランダムに変化させ一定の周期で平均として所定の基準電流にするという駆動方法は、図197に限定するものではない。たとえば、図60から図66(a)(b)などの基準電流の発生回路などにも適用することができる。各回路の基準電流は電子ボリウム501、電源電圧Vsなどを変化あるいは変更することにより変更できる。   The driving method of changing the magnitude of the reference current periodically or randomly to obtain a predetermined reference current as an average at a fixed period is not limited to that shown in FIG. For example, the present invention can be applied to a reference current generating circuit shown in FIGS. 60 to 66 (a) and 66 (b). The reference current of each circuit can be changed by changing or changing the electronic volume 501 and the power supply voltage Vs.

なお、上記実施例では、Ic1からIc3のいずれかの基準電流Icを選択し、トランジスタ431bに印加するとしたが、これに限定するものはなく、複数の電流回路の電流を加算してトランジスタ群431bに印加してもよい。この場合は、複数のスイッチSがオンさせればよい。また、すべてのスイッチSをオフ状態にすることによりトランジスタ群431bに印加される基準電流=0Aとすることができる。0Aにすれば各端子155から出力されるプログラム電流は0Aとなる。したがって、ソースドライバIC14は出力オープンの状態にすることができる。つまり、ソース信号線18からソースドライバIC14を切り離すことができる。   In the above embodiment, one of the reference currents Ic1 to Ic3 is selected and applied to the transistor 431b. However, the present invention is not limited to this, and the currents of a plurality of current circuits are added to form a transistor group 431b. You may apply to. In this case, a plurality of switches S may be turned on. Further, the reference current applied to the transistor group 431b can be set to 0 A by turning off all the switches S. If 0A is set, the program current output from each terminal 155 becomes 0A. Therefore, the source driver IC 14 can be in an output open state. That is, the source driver IC 14 can be disconnected from the source signal line 18.

図198は複数の基準電流発生回路からの基準電流を加算してトランジスタ431bに印加する構成である。オペアンプ502aからなる電流回路はDATA1からなる8ビットデータで出力電流Ic1が変化する。オペアンプ502bからなる電流回路はDATA2からなる8ビットデータで出力電流Ic2が変化する。トランジスタ群431bには基準電流Ic1あるいはIc2もしくは両方の基準電流が印加される。   FIG. 198 shows a configuration in which the reference currents from a plurality of reference current generation circuits are added and applied to the transistor 431b. In the current circuit composed of the operational amplifier 502a, the output current Ic1 changes with 8-bit data composed of DATA1. In the current circuit composed of the operational amplifier 502b, the output current Ic2 changes with 8-bit data composed of DATA2. A reference current Ic1 or Ic2 or both reference currents are applied to the transistor group 431b.

図199は基準電流発生回路の他の実施例である。ゲート配線153の両側にトランジスタ158b1およびトランジスタ158b2が配置されている。トランジスタ158b1には、D1データによりI、2I、4I、8Iのいずれかの電流もしくは組み合わせた電流が印加される。つまり、D1データによりスイッチS*aが選択される。なお、2IとはIの2倍の電流を意味し、4IとはIの4倍の電流を意味する。以下、同様である。トランジスタ158b2には、D2データによりI、2I、4I、8Iのいずれかの電流もしくは組み合わせた電流が印加される。つまり、D2データによりスイッチS*bが選択される。以上のように構成しても基準電流をダイナミックに可変できる。   FIG. 199 shows another embodiment of the reference current generating circuit. Transistors 158b1 and 158b2 are arranged on both sides of the gate wiring 153. A current of any one of I, 2I, 4I, and 8I or a combined current is applied to the transistor 158b1 according to the D1 data. That is, the switch S * a is selected by the D1 data. 2I means a current twice as large as I, and 4I means a current four times as large as I. The same applies hereinafter. A current of any one of I, 2I, 4I, and 8I or a combined current is applied to the transistor 158b2 according to the D2 data. That is, the switch S * b is selected by the D2 data. Even with the configuration described above, the reference current can be dynamically varied.

図200はトランジスタ群431cを複数のブロック(431c1、431c2、431c3)に分割した実施例である。出力端子155からは複数のブロックのトランジスタ群431cからの伝習が出力される。   FIG. 200 shows an example in which the transistor group 431c is divided into a plurality of blocks (431c1, 431c2, 431c3). The output terminal 155 outputs a tradition from a plurality of blocks of transistor groups 431c.

単位トランジスタ154の大きさがトランジスタ群431cで同一であっても、各単位トランジスタ154に流れる電流が異なれば出力端子155から出力されるプログラム電流の大きさは異なる。図201に図示するように、基準電流が小さい時は、階調に対するプログラム電流の増加割合は小さい(図201の0からKaを参照のこと)。基準電流が大きい時は、階調に対するプログラム電流の増加割合は大きい(図201のKb以上の範囲を参照のこと)。つまり、トランジスタ群431cを複数のブロックに分割し、各ブロック内の単位トランジスタ154に供給する基準電流の大きさを変化させる。なお、この構成は、図56でも説明しているので、図56の実施例も参照のこと。   Even if the unit transistor 154 has the same size in the transistor group 431c, the magnitude of the program current output from the output terminal 155 differs if the current flowing through each unit transistor 154 differs. As shown in FIG. 201, when the reference current is small, the increase rate of the program current with respect to the gradation is small (see 0 to Ka in FIG. 201). When the reference current is large, the increase rate of the program current with respect to the gradation is large (see the range of Kb or more in FIG. 201). That is, the transistor group 431c is divided into a plurality of blocks, and the magnitude of the reference current supplied to the unit transistors 154 in each block is changed. Since this configuration is also described in FIG. 56, see the embodiment in FIG.

図200では、1つのトランジスタ群431cを3つのブロックに分割している。トランジスタ431cのトランジスタ431c1には、トランジスタ158b1に印加される基準電流I1によりゲート配線153a電位が設定される。このゲート配線153aの電位によりトランジスタ群431c1の単位トランジスタ154の出力電流が決定される。また、I1はI2よりも小さいとし、図201の低階調範囲(0〜Ka)が該当するとする。   In FIG. 200, one transistor group 431c is divided into three blocks. The potential of the gate wiring 153a is set to the transistor 431c1 of the transistor 431c by the reference current I1 applied to the transistor 158b1. The output current of the unit transistor 154 of the transistor group 431c1 is determined by the potential of the gate wiring 153a. Further, it is assumed that I1 is smaller than I2, and the low gradation range (0 to Ka) in FIG.

トランジスタ431cのトランジスタ431c2には、トランジスタ158b2に印加される基準電流I2によりゲート配線153b電位が設定される。このゲート配線153bの電位によりトランジスタ群431c2の単位トランジスタ154の出力電流が決定される。また、I2はI3よりも小さいとし、図201の中階調範囲(Ka〜Kb)が該当するとする。同様に、トランジスタ431cのトランジスタ431c3には、トランジスタ158b3に印加される基準電流I3によりゲート配線153c電位が設定される。このゲート配線153cの電位によりトランジスタ群431c3の単位トランジスタ154の出力電流が決定される。また、I3は最も大きいとし、図201の高階調範囲(Kb以上)が該当するとする。   The potential of the gate wiring 153b is set to the transistor 431c2 of the transistor 431c by the reference current I2 applied to the transistor 158b2. The output current of the unit transistor 154 of the transistor group 431c2 is determined by the potential of the gate wiring 153b. Further, it is assumed that I2 is smaller than I3, and the middle gradation range (Ka to Kb) in FIG. Similarly, the potential of the gate wiring 153c is set to the transistor 431c3 of the transistor 431c by the reference current I3 applied to the transistor 158b3. The output current of the unit transistor 154 of the transistor group 431c3 is determined by the potential of the gate wiring 153c. Further, it is assumed that I3 is the largest and the high gradation range (Kb or more) in FIG. 201 corresponds.

以上のように複数のトランジスタ群431cを複数のブロックに分割し、分割されたブロックごとに基準電流の大きさを異ならせることにより図201のように折れ線ガンマカーブを容易に発生させることができる。また、基準電流数を多くすることによりさらに多線折れのガンマカーブを得ることができる。   As described above, the plurality of transistor groups 431c are divided into a plurality of blocks, and the magnitude of the reference current is different for each of the divided blocks, whereby a polygonal line gamma curve can be easily generated as shown in FIG. Further, a multi-line broken gamma curve can be obtained by increasing the number of reference currents.

なお、以上の実施例では、トランジスタ群431cを複数のブロックに分割し、分割されたブロック内の単位トランジスタ154は同一であるとして説明したがこれに限定するものではない。図55などに図示するように、単位トランジスタ154のサイズが異なっていてもよい。また、図167のように単位トランジスタ154でなくてもよい。また、基準電流の発生は図161から図168などいずれの構成であってもよい。   In the above embodiment, the transistor group 431c is divided into a plurality of blocks, and the unit transistors 154 in the divided blocks are the same. However, the present invention is not limited to this. As illustrated in FIG. 55 and the like, the unit transistors 154 may have different sizes. Further, the unit transistor 154 may not be used as shown in FIG. The generation of the reference current may be any configuration such as FIGS. 161 to 168.

以上の実施例では、図43で説明したように、基本的には出力段はトランジスタ群431cで構成される。トランジスタ群431cにおいて、D0ビット目は単位トランジスタ154が1個、D1ビット目は単位トランジスタ154が2個、D2ビット目は単位トランジスタ154が4個、・・・・・・Dnビット目は単位トランジスタ154が2のn乗個が配置または形成される。この構成を概念的に図240で図示している。   In the above embodiment, as described with reference to FIG. 43, the output stage basically includes the transistor group 431c. In the transistor group 431c, the unit transistor 154 is one at the D0 bit, the two unit transistors 154 are at the D1 bit, the four unit transistors 154 are at the D2 bit, and the unit transistor is at the Dn bit. 154 is arranged or formed with 2 n powers. This configuration is conceptually illustrated in FIG.

図240ではtrb(トランジスタブロック)32は、単位トランジスタ154を32個有していることを示している。同様に、trb(トランジスタブロック)1は、単位トランジスタ154を1個有していることを示し、trb(トランジスタブロック)2は、単位トランジスタ154を2個有していることを示している。また、trb(トランジスタブロック)4は、単位トランジスタ154を4個有していることを示している。以下同様である。   In FIG. 240, trb (transistor block) 32 indicates that 32 unit transistors 154 are provided. Similarly, trb (transistor block) 1 indicates that one unit transistor 154 is provided, and trb (transistor block) 2 indicates that two unit transistors 154 are included. Further, trb (transistor block) 4 indicates that four unit transistors 154 are provided. The same applies hereinafter.

しかし、単位トランジスタ154はICウエハ内において形成位置で特性が異なる。特に拡散構成およびその前後において周期的な特性分布が発生する。一例として、3〜4mm周期で単位トランジスタ154の特性の強弱が発生する。このため、図240のように端子155のピッチでトランジスタ群431cを形成すると、端子155から出力される電流の強弱周期(出力階調が全端子155で同一とした場合)が発生してしまうことがある。   However, the unit transistor 154 has different characteristics at the formation position in the IC wafer. In particular, a periodic characteristic distribution occurs before and after the diffusion configuration. As an example, the strength of the characteristics of the unit transistor 154 occurs with a period of 3 to 4 mm. For this reason, when the transistor group 431c is formed at the pitch of the terminals 155 as shown in FIG. 240, the intensity cycle of the current output from the terminals 155 (when the output gradation is the same for all the terminals 155) occurs. There is.

この課題に対して、本発明では図241に図示するように、多くの単位トランジスタ154を保有するtrb(トランジスタブロック)をさらに細分化する。図241では一例として、trb32を4つのブロック(trb32a、trb32b、trb32c、trb32d)に分割している。基本的には分割される単位トランジスタ154数は同一である。もちろん分割する単位トランジスタ154数は異ならせてもよいことはいうまでもない。   To deal with this problem, the present invention further subdivides trb (transistor block) having many unit transistors 154 as shown in FIG. In FIG. 241, as an example, trb32 is divided into four blocks (trb32a, trb32b, trb32c, trb32d). Basically, the number of divided unit transistors 154 is the same. Of course, the number of unit transistors 154 to be divided may be different.

図241ではtrb32a、trb32b、trb32c、trb32dは各8個の単位トランジスタ154で構成されている。また、trb16に対しても、trb16a、trb16bの各8個の単位トランジスタ154から構成される小ブロックに分割してもよいことは言うまでもない。ここでは説明を容易にするため、trb32のみが分割されているとして説明をする。   In FIG. 241, trb 32a, trb 32b, trb 32c, and trb 32d are each composed of eight unit transistors 154. Needless to say, trb16 may be divided into small blocks each including eight unit transistors 154, trb16a and trb16b. Here, for ease of explanation, it is assumed that only trb 32 is divided.

出力端子155からの出力電流の周期をなくすためには、IC(回路)チップ内からより広い位置に形成された単位トランジスタ154で1つの出力段431cを構成することが有効である。この実施例が、図242の構成である。ただし、図242は概念的に図示している。実際は、横方向の配線により遠い位置にあるtrbが結線されて1端子155の出力段431cを構成する。   In order to eliminate the period of the output current from the output terminal 155, it is effective to configure one output stage 431c with unit transistors 154 formed at a wider position from within the IC (circuit) chip. This embodiment has the configuration shown in FIG. However, FIG. 242 is conceptually illustrated. Actually, the trb at a far position is connected by the horizontal wiring to constitute the output stage 431c of one terminal 155.

図242では、端子155aのD5ビット目は、trb32a1、trb32a2、trb32c1、trb32c21から構成される。つまり本来は隣接した出力端子155bの単位トランジスタ群を用いて端子155aの出力段が構成されている。同様に、端子155bのD5ビット目は、trb32b2、trb32b3、trb32d2、trb32d3から構成される。つまり本来は隣接した出力端子155cの単位トランジスタ群を用いて端子155bの出力段が構成されている。さらに、端子155cのD5ビット目は、trb32a3、trb32a4、trb32c3、trb32c4から構成される。つまり本来は隣接した出力端子155dの単位トランジスタ群を用いて端子155cの出力段が構成されている。以下同様である。   In FIG. 242, the D5th bit of the terminal 155a includes trb32a1, trb32a2, trb32c1, and trb32c21. In other words, the output stage of the terminal 155a is originally configured by using unit transistor groups of the adjacent output terminals 155b. Similarly, the D5th bit of the terminal 155b is composed of trb32b2, trb32b3, trb32d2, trb32d3. That is, the output stage of the terminal 155b is originally configured by using unit transistor groups of the adjacent output terminals 155c. Further, the D5th bit of the terminal 155c is composed of trb32a3, trb32a4, trb32c3, trb32c4. That is, the output stage of the terminal 155c is originally configured by using unit transistor groups of the adjacent output terminal 155d. The same applies hereinafter.

より現実には、図243のように小トランジスタ群trbは結線される。図243は端子155aのtrb32のみの結線状態を図示している(他のビット、他の端子155も同様の結線が施される)。図243において、trb32はtrb32a1と、6端子隣のtrb32b6、11端子隣のtrb32c11、16端子隣のtrb32d16で構成されている。つまり、trb32は、上下位置、左右位置がことなるtrb32が接続(結線)されて構成される(形成される)。以上のように単位トランジスタ群431の各ビットを構成する単位トランジスタ154を離れた位置の単位トランジスタ154で構成することにより出力バラツキの周期性を解消することができる。   More actually, the small transistor group trb is connected as shown in FIG. FIG. 243 illustrates a connection state of only the trb 32 of the terminal 155a (other bits and other terminals 155 are similarly connected). In FIG. 243, trb32 includes trb32a1, trb32b6 adjacent to the 6th terminal, trb32c11 adjacent to the 11th terminal, and trb32d16 adjacent to the 16th terminal. That is, the trb 32 is configured (formed) by connecting (connecting) the trb 32 having different vertical and horizontal positions. As described above, the unit transistor 154 composing each bit of the unit transistor group 431 is composed of the unit transistors 154 at a distant position, so that the periodicity of output variation can be eliminated.

しかし、図243のように結線を実施すると、端子155n(最も最後の端子)は結線するtrbが存在しない。この課題に対しては、トランジスタ群431cとカレントミラー対を構成する基準電流を流すトランジスタ群431bの単位トランジスタ158b(図48、図49を参照のこと)を使用することにより解決できる。単位トランジスタ158bと単位トランジスタ154とは同一サイズ、同一形状で構成しておく。トランジスタ群431bはIC(回路)14の片方端あるいは両側に配置されている。なお、断っておくが、端子155nにおいても接続できるtrbを形成する場合は、以下に説明する構成を採用する必要がないことは明らかである。   However, when connection is performed as shown in FIG. 243, there is no trb to be connected to the terminal 155n (the last terminal). This problem can be solved by using the unit transistor 158b (see FIGS. 48 and 49) of the transistor group 431b that flows a reference current that forms a current mirror pair with the transistor group 431c. The unit transistor 158b and the unit transistor 154 are configured to have the same size and the same shape. The transistor group 431b is arranged on one end or both sides of the IC (circuit) 14. It should be noted that when a trb that can be connected also at the terminal 155n is formed, it is obvious that it is not necessary to adopt the configuration described below.

トランジスタ群431bを構成する単位トランジスタ158bから構成されるtrb(32)と同様の機能を有するトランジスタ群をtbとする(図244を参照のこと)。したがって、tbとtrbは同一のゲート配線153に接続されている。したがって、端子155nのtrb32はtrb32n1と、6端子隣のtb32b6、11端子隣のtb32c11、16端子隣のtb32d16で構成すればよい。   A transistor group having the same function as trb (32) configured by the unit transistors 158b configuring the transistor group 431b is denoted by tb (see FIG. 244). Therefore, tb and trb are connected to the same gate wiring 153. Therefore, the trb32 of the terminal 155n may be constituted by trb32n1, tb32b6 adjacent to the 6th terminal, tb32c11 adjacent to the 11th terminal, and tb32d16 adjacent to the 16th terminal.

なお、図245に図示するように、tbとtrbを分散してIC(回路)14内に構成または配置しておけば、図244のように複雑な結線は不要となることは言うまでもない。   Of course, as shown in FIG. 245, if tb and trb are dispersed and arranged or arranged in the IC (circuit) 14, it goes without saying that complicated wiring as shown in FIG.

検討の結果によれば、単位トランジスタ154は少なくとも0.05平方mm以上の範囲にある単位トランジスタ154から構成することが好ましい。さらに好ましくは0.1平方mm以上の範囲にある単位トランジスタ154から構成することが好ましい。さらに好ましくは0.2平方mm以上の範囲にある単位トランジスタ154から構成することが好ましい。この面積(平方mm)の算出は最も遠方の位置にある4個の単位トランジスタ154を結ぶ直線から求める。   According to the result of the examination, the unit transistor 154 is preferably composed of the unit transistor 154 in a range of at least 0.05 square mm or more. More preferably, the unit transistor 154 is in the range of 0.1 square mm or more. More preferably, the unit transistor 154 is in the range of 0.2 mm 2 or more. The area (square mm) is calculated from a straight line connecting the four unit transistors 154 located at the farthest position.

ソース信号線18に出力するプログラム電流の偏差は、図286に図示するように周期性を有する場合が多い。図286は横軸が1チップの出力端子位置を示している。つまり、端子1からn端子位置である。縦軸は、32階調目の出力プログラム電流の平均値からのずれを%で示している。図286に図示しているように、出力プログラム電流の偏差は周期性がある場合が多い。これは、ICの製造工程の拡散プロセスによる。   The deviation of the program current output to the source signal line 18 often has periodicity as shown in FIG. In FIG. 286, the horizontal axis indicates the output terminal position of one chip. That is, from the terminal 1 to the n terminal position. The vertical axis indicates the deviation from the average value of the output program current of the 32nd gradation in%. As shown in FIG. 286, the deviation of the output program current often has periodicity. This is due to the diffusion process of the IC manufacturing process.

実線のように出力プログラム電流の偏差がある場合は、点線のように逆補正をかけることにより補正(補償)を行うことができる。補正(補償)は容易である。プログラム電流が吸い込み(シンク)電流である場合は、0〜5%の範囲で吐き出し電流を加算すればよい。つまり、ソースドライバ回路(IC)14内にPチャンネルの単位トランジスタ154(図43などの構成および説明などを参照のこと)からなる吐き出し電流回路を形成し、この回路の吐き出し電流を各端子155の出力プログラム電流を加算(補償)すれはよい。また、図162から図176などで説明したトリミング技術などを用いて調整あるいは構成もしくは形成してもよい。   When there is a deviation in output program current as indicated by the solid line, correction (compensation) can be performed by applying reverse correction as indicated by the dotted line. Correction (compensation) is easy. When the program current is a sink (sink) current, the discharge current may be added within a range of 0 to 5%. That is, a discharge current circuit composed of a P-channel unit transistor 154 (see the configuration and description of FIG. 43 and the like) is formed in the source driver circuit (IC) 14, and the discharge current of this circuit is supplied to each terminal 155. It is good to add (compensate) the output program current. Further, adjustment, configuration, or formation may be performed using the trimming technique described in FIGS. 162 to 176 and the like.

補正(補償)する電流の大きさを決定するためには、図287に図示するように、端子155からの出力プログラム電流を測定する。映像データ(RDATA、GDATA、BDATA)を所定値(一般的には、単位トランジスタ群431cの各ビット)にして端子155からプログラム電流Iwを出力させる。この出力電流Iwを端子155に接続したプローブ2873で電流測定回路2872に接続し、測定する。なお、ソースドライバ回路(IC)14内部に形成したスイッチで端子ごとの電流を切り換え電流測定回路2872に接続してもよいことは言うまでもない。   In order to determine the magnitude of the current to be corrected (compensated), the output program current from the terminal 155 is measured as shown in FIG. The video data (RDATA, GDATA, BDATA) is set to a predetermined value (generally, each bit of the unit transistor group 431c), and the program current Iw is output from the terminal 155. This output current Iw is connected to a current measuring circuit 2872 by a probe 2873 connected to a terminal 155 and measured. It goes without saying that the current for each terminal may be connected to the switching current measuring circuit 2872 with a switch formed inside the source driver circuit (IC) 14.

電流測定回路2872は測定した電流を補正データ演算回路2872に出力し、補正データ演算回路2872は補正データを算出(演算あるいは変換)して補正回路(データ変換回路)2874に出力する。補正回路(データ変換回路)2874はフラシュメモリなどで形成されており、0〜5%の範囲で吐き出し電流を端子155に加算する。   The current measurement circuit 2872 outputs the measured current to the correction data calculation circuit 2872, and the correction data calculation circuit 2872 calculates (calculates or converts) the correction data and outputs the correction data to the correction circuit (data conversion circuit) 2874. The correction circuit (data conversion circuit) 2874 is formed of a flash memory or the like, and adds the discharge current to the terminal 155 in the range of 0 to 5%.

ただし、図286に図示するように出力プログラム電流に周期性を有する場合は、全端子を測定することなく、一部の端子(1周期以上)の出力プログラム電流を測定することにより、全端子を出力プログラム電流のずれを予測することができる。したがって、一部の端子(1周期以上)の出力プログラム電流を測定すればよい。   However, when the output program current has periodicity as shown in FIG. 286, all terminals are measured by measuring the output program current of some terminals (one period or more) without measuring all terminals. The deviation of the output program current can be predicted. Therefore, the output program current of some terminals (one cycle or more) may be measured.

出力電流のバラツキは画素ピッチP(mm)と周期(1周期間の端子数N)と画面144の輝度変化割合b(%)により許容範囲が定まる。たとえば、ある端子間で輝度変化が5%であっても、端子間の端子数が10端子と100端子では、当然のことながら、端子間が10端子のほうが許容限度は低くなる(5%では許容できない)。   The allowable range of the variation in output current is determined by the pixel pitch P (mm), the period (number of terminals N in one period), and the luminance change rate b (%) of the screen 144. For example, even if the luminance change between certain terminals is 5%, when the number of terminals between the terminals is 10 terminals and 100 terminals, it is natural that the allowable limit is lower when the terminals are 10 terminals (at 5%). Unacceptable).

以上の関係を検討した結果が図298である。横軸は、b/(P・N)である。Pは画素ピッチ(mm)であり、NはソースドライバIC14の端子間の端子数であるから、P・Nで該当する周期の長さ(距離)を示す。したがって、b/(P・N)は、(P・N)あたりの輝度変化割合を示すことになる。縦軸は、b/(P・N)が0.5の時を1とした時の相対的な画面144の輝度変化の認識割合(輝度と、プログラム電流とは比例関係にあるため、出力電流偏差割合となる)である。出力電流偏差割合が大きいほど、許容できないことを示している。   FIG. 298 shows the result of studying the above relationship. The horizontal axis is b / (P · N). Since P is the pixel pitch (mm) and N is the number of terminals between the terminals of the source driver IC 14, P · N indicates the length (distance) of the corresponding period. Therefore, b / (P · N) represents the luminance change rate per (P · N). The vertical axis indicates the relative recognition ratio of the luminance change of the screen 144 when b / (P · N) is 1 (the luminance and the program current are proportional to each other, so the output current Deviation ratio). A larger output current deviation ratio indicates that it is not acceptable.

図298でもわかるように、b/(P・N)が0.5以上の範囲での急にカーブの傾きが大きくなる。したがって、b/(P・N)は0.5以下にすることが好ましい。   As can be seen from FIG. 298, the slope of the curve suddenly increases when b / (P · N) is 0.5 or more. Therefore, b / (P · N) is preferably 0.5 or less.

なお、輝度の変化割合は、図306に図示するように輝度計3051で測定する。ソースドライバIC14の階調を制御する制御回路3053で制御する。輝度計3051で測定された輝度は演算器3052で補償量が演算される。演算されたデータは図287に図示するように補正回路2874に書き込まれる。   Note that the luminance change rate is measured by a luminance meter 3051 as shown in FIG. Control is performed by a control circuit 3053 that controls the gradation of the source driver IC 14. A compensation amount of the luminance measured by the luminance meter 3051 is calculated by the calculator 3052. The calculated data is written in the correction circuit 2874 as shown in FIG.

なお、以上の実施例では、ソースドライバ回路(IC)14の出力バラツキについて記述したが、この技術的思想は、ゲートドライバ回路(IC)12についても適用できることは明らかである。ゲートドライバ回路(IC)12についてもオン電圧またはオフ電圧のバラツキが発生する。したがって、本発明のソースドライバ回路(IC)14で説明した事項をゲートドライバ回路(IC)12に適用することにより良好なゲートドライバ回路(IC)14を構成あるいは形成することができる。なお、いかに説明する事項に関してもゲートドライバ回路(IC)12に適用できることは言うまでもない。   In the above embodiment, the output variation of the source driver circuit (IC) 14 has been described. However, it is obvious that this technical idea can be applied to the gate driver circuit (IC) 12 as well. The gate driver circuit (IC) 12 also varies in ON voltage or OFF voltage. Therefore, by applying the matters described in the source driver circuit (IC) 14 of the present invention to the gate driver circuit (IC) 12, a good gate driver circuit (IC) 14 can be configured or formed. Needless to say, the matter to be explained can be applied to the gate driver circuit (IC) 12.

また、本発明のドライバ回路(IC)で説明する事項は、ゲートドライバ回路(IC)12、ソースドライバ回路(IC)14に適用することができ、また、有機(無機)EL表示パネル(表示装置)だけでなく、液晶表示パネル(表示装置)にも適用することができる。また、アクティブマトリックス表示パネルだけでなく、単純マトリックス表示パネルに本発明の技術的思想を用いてもよい。   In addition, the matters described in the driver circuit (IC) of the present invention can be applied to the gate driver circuit (IC) 12 and the source driver circuit (IC) 14, and an organic (inorganic) EL display panel (display device) ) As well as liquid crystal display panels (display devices). The technical idea of the present invention may be used not only for an active matrix display panel but also for a simple matrix display panel.

以下、本発明のソースドライバ回路(IC)14の他の実施例について説明をする。なお、以下に説明する事項以外は、以前に説明したあるいは本明細書に記載した事項が適用できることはいうまでもない。また、適時組み合わせることができることは言うまでもない。逆に、以下の実施例で説明する事項が本発明の他の実施例適用あるいは適時採用できることも言うまでない。また、以下に説明すソースドライバ回路(IC)14を用いて表示パネルあるいは表示装置(図126、図154から図157など)を構成できることは言うまでもない。   Hereinafter, another embodiment of the source driver circuit (IC) 14 of the present invention will be described. In addition, it cannot be overemphasized that the matter demonstrated previously or described in this specification is applicable except the matter demonstrated below. Needless to say, they can be combined in a timely manner. Conversely, it goes without saying that the items described in the following embodiments can be applied to other embodiments of the present invention or can be adopted in a timely manner. It goes without saying that a display panel or a display device (FIG. 126, FIGS. 154 to 157, etc.) can be configured using the source driver circuit (IC) 14 described below.

図188は、本発明のソースドライバ回路(IC)14の実施例である。ただし、説明に必要な部分のみ図示している。図188の構成においても、本発明の他の実施例とどうように、シリコンからなるCMOSトランジスタで回路構成されている(なお、回路14をアレイ基板30に直接形成してもよいことは言うまでもない)。   FIG. 188 is an example of the source driver circuit (IC) 14 of the present invention. However, only the portions necessary for explanation are shown. Also in the configuration of FIG. 188, as in the other embodiments of the present invention, the circuit is configured with CMOS transistors made of silicon (note that the circuit 14 may be formed directly on the array substrate 30. ).

図188において、電子ボリウム501を制御するデータ(IRD、IGD、IBD)は、クロック(CLK)信号に同期して、値が確定し、この値により電子ボリウム501のスイッチが制御され、所定の電圧がオペアンプ502の+端子に印加される。   In FIG. 188, the data (IRD, IGD, IBD) for controlling the electronic volume 501 is determined in synchronism with the clock (CLK) signal, and the switch of the electronic volume 501 is controlled by this value. Is applied to the + terminal of the operational amplifier 502.

また、オペアンプ502と抵抗R1、トランジスタ158aにより定電流回路が構成され、基準電流Icが発生する。基準電流Icの大きさに比例して端子155から出力されるプログラム電流の大きさが変化する。プログラム電流発生回路1884は内部にカレントミラー回路とDATAのデコーダ部を有している。より具体的にはプログラム電流発生回路1884は、図60のトランジスタ158bとトランジスタ群431cの関係、図209、図210のトランジスタ158bとトランジスタ154の関係あるいはその類似構成が例示される。   The operational amplifier 502, the resistor R1, and the transistor 158a constitute a constant current circuit, and a reference current Ic is generated. The magnitude of the program current output from the terminal 155 changes in proportion to the magnitude of the reference current Ic. The program current generation circuit 1884 has a current mirror circuit and a DATA decoder section inside. More specifically, the program current generation circuit 1884 is exemplified by the relationship between the transistor 158b and the transistor group 431c in FIG. 60, the relationship between the transistor 158b and the transistor 154 in FIGS. 209 and 210, or a similar configuration.

プログラム電流発生回路は、基準電流Icの大きさを基準として、映像(画像)データであるDATA(DATAR,DATAG,DATAB)の大きさに対応してプログラム電流Ipを発生させる。   The program current generation circuit generates a program current Ip corresponding to the magnitude of DATA (DATAR, DATAG, DATAB) which is video (image) data with reference to the magnitude of the reference current Ic.

発生したプログラム電流Ipは電流保持回路1881に保持される。電流保持回路1881はトランジスタ11a、11b、11c、11dとコンデンサ19から構成される。構成としては図1の画素構成において、PチャンネルトランジスタをNチャンネルトランジスタに変更した構成である。階調電流配線1882に印加されたプログラム電流Ipはコンデンサ19に電圧として保持される。   The generated program current Ip is held in the current holding circuit 1881. The current holding circuit 1881 includes transistors 11a, 11b, 11c, and 11d and a capacitor 19. The configuration is a configuration in which the P-channel transistor is changed to an N-channel transistor in the pixel configuration of FIG. The program current Ip applied to the gradation current wiring 1882 is held as a voltage in the capacitor 19.

電流Ipの保持動作は、サンプリング回路862の点順次動作により行われる。つまり、サンプリング回路862は、10ビット(1024端子まで選択が可能)のアドレス信号(ADRS)により、プログラム電流Ipを保持させる階調保持回路1881が選択される。選択は選択信号線1885に選択電圧(トランジスタ11b、11cをオン状態にする電圧)を出力することにより実施される。したがって、プログラム電流Ipは階調保持回路1881にランダムに格納させることができる。しかし、一般的には、アドレス信号ADRSは順次カウントアップされ、電流保持回路1881aから1881nが順次選択される。   The holding operation of the current Ip is performed by the dot sequential operation of the sampling circuit 862. That is, in the sampling circuit 862, the gradation holding circuit 1881 that holds the program current Ip is selected by an address signal (ADRS) of 10 bits (selectable up to 1024 terminals). Selection is performed by outputting a selection voltage (voltage for turning on the transistors 11b and 11c) to the selection signal line 1885. Therefore, the program current Ip can be randomly stored in the gradation holding circuit 1881. However, generally, the address signal ADRS is sequentially counted up, and the current holding circuits 1881a to 1881n are sequentially selected.

プログラム電流Ipはコンデンサ19に保持され、この保持された電圧により、駆動用トランジスタ11aはプログラム電流Ipを端子155から出力する。電流保持回路1881において、駆動用トランジスタ11aの機能としては、図1のトランジスタ11aを動作とは同一である。また、図188のトランジスタ11c、11bも図1のトランジスタ11b、11cと機能あるいは動作は同一である。つまり、選択信号線1885に選択電圧が順次印加され、電流保持回路1881のトランジスタ11b、11cがオンされて、プログラム電流Ipがトランジスタ11a(トランジスタ11aのゲート端子に接続されたコンデンサ19)に保持される。   The program current Ip is held in the capacitor 19, and the driving transistor 11a outputs the program current Ip from the terminal 155 by the held voltage. In the current holding circuit 1881, the function of the driving transistor 11a is the same as the operation of the transistor 11a in FIG. Also, the transistors 11c and 11b in FIG. 188 have the same functions or operations as the transistors 11b and 11c in FIG. That is, the selection voltage is sequentially applied to the selection signal line 1885, the transistors 11b and 11c of the current holding circuit 1881 are turned on, and the program current Ip is held in the transistor 11a (the capacitor 19 connected to the gate terminal of the transistor 11a). The

すべての電流保持回路1881にプログラム電流Ipの書き込みが完了すると、出力制御端子1883にオン電圧が印加され、端子155aから155nに各電流保持回路1881に保持されたプログラム電流Ipが出力される(ソース信号線18から端子155にプログラム電流Ipが入力される)。出力制御端子1883の印加されるオン電圧のタイミングは、1水平走査クロックに同期される。つまり、1画素行選択(あるいは1画素行シフト)クロックに同期される。   When writing of the program current Ip to all the current holding circuits 1881 is completed, an on-voltage is applied to the output control terminal 1883, and the program current Ip held in each current holding circuit 1881 is output to the terminals 155a to 155n (source The program current Ip is input from the signal line 18 to the terminal 155). The timing of the ON voltage applied to the output control terminal 1883 is synchronized with one horizontal scanning clock. That is, it is synchronized with the one pixel row selection (or one pixel row shift) clock.

図189は図188を模式的に図示したものである。階調電流配線1882を流れるプログラム電流Ipはサンプリング回路862によりスイッチ11b、11c(トランジスタ11b、11c)が制御され、電流保持回路1881にプログラム電流Ipが入力される。また、スイッチ11b(トランジスタ11b)が出力制御端子1883により制御され、一斉にオンされ、プログラム電流Ipが出力される。   FIG. 189 schematically shows FIG. 188. The program current Ip flowing through the gradation current wiring 1882 is controlled by the sampling circuit 862 by the switches 11b and 11c (transistors 11b and 11c), and the program current Ip is input to the current holding circuit 1881. Further, the switch 11b (transistor 11b) is controlled by the output control terminal 1883 and is turned on all at once, and the program current Ip is output.

図188、図189では、電流保持回路1881は1画素行分としているが、実際には、2画素行分が必要である。1画素行分(第1保持回路)は、ソース信号線18にプログラム電流Ipを出力するのに用い、他の1画素行分(第2保持回路)は、サンプリング回路862でサンプリングされた電流を電圧保持回路1881に保持するのに用いる。第1保持回路と第2保持回路とは交互に切り換えて動作させる。   In FIGS. 188 and 189, the current holding circuit 1881 is for one pixel row, but actually, two pixel rows are required. One pixel row (first holding circuit) is used to output the program current Ip to the source signal line 18, and the other pixel row (second holding circuit) uses the current sampled by the sampling circuit 862. Used for holding in the voltage holding circuit 1881. The first holding circuit and the second holding circuit are operated by switching alternately.

図228は第1保持回路2280aと第2保持回路2280bを具備した出力段構成である。図188と図228との関係は、電流保持回路1881は出力回路2280、階調電流配線1882は電流信号線2283、出力制御端子1883はゲート信号線2282、選択信号線1885はゲート信号線2284、トランジスタ11aはトランジスタ2281a、トランジスタ11bはトランジスタ2281b、トランジスタ11cはトランジスタ2281c、トランジスタ11dはトランジスタ2281d、コンデンサ19はコンデンサ2289が該当する。   FIG. 228 shows an output stage configuration including a first holding circuit 2280a and a second holding circuit 2280b. The relationship between FIGS. 188 and 228 is that the current holding circuit 1881 is an output circuit 2280, the grayscale current wiring 1882 is a current signal line 2283, the output control terminal 1883 is a gate signal line 2282, the selection signal line 1885 is a gate signal line 2284, The transistor 11a corresponds to the transistor 2281a, the transistor 11b corresponds to the transistor 2281b, the transistor 11c corresponds to the transistor 2281c, the transistor 11d corresponds to the transistor 2281d, and the capacitor 19 corresponds to the capacitor 2289.

出力回路2280aにプログラム電流Ipがサンプリングされ入力されている時は、出力回路2280bはソース信号線18に保持されたプログラム電流Ipを出力している。逆に出力回路2280aがソース信号線18に保持されたプログラム電流Ipを出力している時は、出力回路2280bはサンプリングされたプログラム電流Ipを順次保持していっている。出力回路2280aと出力回路2280bとが、ソース信号線18bにプログラム電流Ipを出力(入力)している期間は1Hごとに切り換えられる。この出力の切り換えはc1、c2端子で行われる。   When the program current Ip is sampled and input to the output circuit 2280a, the output circuit 2280b outputs the program current Ip held in the source signal line 18. On the contrary, when the output circuit 2280a outputs the program current Ip held in the source signal line 18, the output circuit 2280b holds the sampled program current Ip sequentially. The period during which the output circuit 2280a and the output circuit 2280b output (input) the program current Ip to the source signal line 18b is switched every 1H. This output switching is performed at the c1 and c2 terminals.

なお、電流信号線2283には、リセット電圧Vcpを印加するスイッチScが形成または内地している。スイッチScをオンさせることにより、リセット電圧Vcpが電流信号線2283に印加される。リセット電圧Vcpは、GND電圧に近い電圧である。リセット電圧を印加する際は、ゲート信号線2284にオン電圧を印加し、トランジスタ2281b、2281cをオンさせる。トランジスタ2281b、2281cをオンさせることにより、コンデンサ2289の電荷を放電することができ、トランジスタ2281aが電流を出力しない状態にできる。つまり、リセット電圧Vcpはトランジスタ2281aをオフあるいはオフ状態に近い状態にする電圧である。なお、リセット電圧Vcpは、トランジスタ2281aが中間レベルの電圧と出力するように構成などしてもよいことは言うまでもない。   Note that a switch Sc for applying the reset voltage Vcp is formed or embedded in the current signal line 2283. The reset voltage Vcp is applied to the current signal line 2283 by turning on the switch Sc. The reset voltage Vcp is a voltage close to the GND voltage. When applying the reset voltage, an on-voltage is applied to the gate signal line 2284 to turn on the transistors 2281b and 2281c. By turning on the transistors 2281b and 2281c, the charge of the capacitor 2289 can be discharged, and the transistor 2281a can be in a state in which no current is output. That is, the reset voltage Vcp is a voltage that turns the transistor 2281a off or close to an off state. Needless to say, the reset voltage Vcp may be configured such that the transistor 2281a outputs an intermediate level voltage.

図229は図228の回路の動作タイミングチャート図である。図229において、Sigには、プログラム電流発生回路1884からの信号である。映像信号に対応した電流が連続的に印加される。Scはリセットスイッチの動作を示している。Hレベルの時スイッチScはオン状態であり、電流配線2283にリセット電圧Vcpが印加される。図229でもわかるようにリセット電圧Vcpは1Hの最初に印加されていることがわかる。つまり、まず、電流保持回路(出力回路)2280aまたは2280bにリセット電圧Vcpが印加された後、プログラム電流Ipが出力回路2280にサンプリングされて保持される。なお、リセット電圧Vcpは1Hに1回に限定するものではなく、1出力回路2280のサンプリングごとに印加してもよく、また、複数出力回路2280のサンプリングごとにリセット電圧Vcpを印加してもよい。また、1フレームまたは複数フレームごとにリセット電圧を印加してもよい。   FIG. 229 is an operation timing chart of the circuit of FIG. In FIG. 229, Sig is a signal from the program current generation circuit 1884. A current corresponding to the video signal is continuously applied. Sc represents the operation of the reset switch. When it is at the H level, the switch Sc is in an on state, and the reset voltage Vcp is applied to the current wiring 2283. As can be seen from FIG. 229, the reset voltage Vcp is applied at the beginning of 1H. That is, first, after the reset voltage Vcp is applied to the current holding circuit (output circuit) 2280a or 2280b, the program current Ip is sampled and held in the output circuit 2280. The reset voltage Vcp is not limited to once per 1H, and may be applied every sampling of the one output circuit 2280, or the reset voltage Vcp may be applied every sampling of the plurality of output circuits 2280. . Further, the reset voltage may be applied every frame or every plurality of frames.

c1およびc2は切り換え信号である。c1のロジック電圧がHレベルの時には、出力回路2280aが選択され、c2のロジック電圧がHレベルの時には、出力回路2280bが選択されてソース信号線18にプログラム電流Ipが出力される。   c1 and c2 are switching signals. When the logic voltage of c1 is at the H level, the output circuit 2280a is selected, and when the logic voltage of c2 is at the H level, the output circuit 2280b is selected and the program current Ip is output to the source signal line 18.

以上のように出力回路2280aまたは2280bを選択し、順次プログラム電流Ipを印加(保持)させるためには、図230に図示するようにサンプリング回路862を2つ設けるとよい。サンプリング回路862aは出力回路2280aを順次選択して、出力回路2280aにプログラム電流Ipを保持させる。サンプリング回路862bは出力回路2280bを順次選択して、出力回路2280bにプログラム電流Ipを保持させる。   In order to select the output circuit 2280a or 2280b and sequentially apply (hold) the program current Ip as described above, two sampling circuits 862 may be provided as shown in FIG. The sampling circuit 862a sequentially selects the output circuit 2280a and causes the output circuit 2280a to hold the program current Ip. The sampling circuit 862b sequentially selects the output circuit 2280b and causes the output circuit 2280b to hold the program current Ip.

リセット電圧Vcpは図75に図示するように、プリチャージ電圧を変化させる構成を採用してもよい。なお、プリチャージ電圧に関する事項で説明した事項は、リセット電圧Vcpにも適用することができる。図75のようなプリチャージ回路を、図230のリセット回路2301に置き換えればよい。同様に基準電流回路1884も以前に説明した構成を採用すればよい。   As shown in FIG. 75, the reset voltage Vcp may be configured to change the precharge voltage. Note that the items described in the items related to the precharge voltage can also be applied to the reset voltage Vcp. The precharge circuit as shown in FIG. 75 may be replaced with the reset circuit 2301 in FIG. Similarly, the reference current circuit 1884 may have the configuration described previously.

出力回路2280で課題になるのは、ゲート信号線2284に印加した信号により、保持用のトランジスタ2281aのゲート端子電位が変化し、保持されたプログラム電流Ipから変化してしまうことがある。これは、ゲート信号線2284に印加された電圧波形が、寄生容量により突き抜けてゲート端子電位を変化させることにより発生する。この突き抜け電圧により保持用トランジスタ2281aがNチャンネルトランジスタの場合は、保持されたプログラム電流Ipが小さくなる。保持用トランジスタ2281aがPチャンネルの場合は、図228の構成では、保持されたプログラム電流が大きくなる。   A problem with the output circuit 2280 is that the gate terminal potential of the holding transistor 2281a may change due to a signal applied to the gate signal line 2284, and may change from the held program current Ip. This occurs when the voltage waveform applied to the gate signal line 2284 penetrates due to parasitic capacitance and changes the gate terminal potential. When the holding transistor 2281a is an N-channel transistor due to this punch-through voltage, the held program current Ip is reduced. When the holding transistor 2281a is a P-channel, the held program current increases in the configuration of FIG.

この課題を解決する構成を図231に図示している。図231の出力回路2280では、スイッチ用トランジスタ2281bとコンデンサ2289間にトランジスタ2311を形成または配置している。トランジスタ2311は配線をオープンする機能を有する。   A configuration for solving this problem is shown in FIG. In the output circuit 2280 of FIG. 231, a transistor 2311 is formed or arranged between the switching transistor 2281b and the capacitor 2289. The transistor 2311 has a function of opening a wiring.

トランジスタ2311は、出力回路2280にサンプリングされたプログラム電流Ipが保持され、ゲート信号線2284にオフ電圧が印加される(出力回路2280が電流信号線2283から切り離される)前に動作する(オフする)。つまり、まず、ゲート信号線2284にオフ電圧が印加されたのち、遅れてゲート信号線2284にオフ電圧が印加される。したがって、トランジスタ2311がオフした後、出力回路2280が電流信号線2283から切り離される。   The transistor 2311 operates (turns off) before the program current Ip sampled in the output circuit 2280 is held and the off voltage is applied to the gate signal line 2284 (the output circuit 2280 is disconnected from the current signal line 2283). . That is, first, after the off voltage is applied to the gate signal line 2284, the off voltage is applied to the gate signal line 2284 with a delay. Therefore, after the transistor 2311 is turned off, the output circuit 2280 is disconnected from the current signal line 2283.

図232はゲート信号線2284と2285のなどのタイミングチャート図である。図232でわかるように、ゲート信号線2285にオフ電圧が印加された後、ゲート信号線2284にオフ電圧が印加される。   FIG. 232 is a timing chart of the gate signal lines 2284 and 2285. As can be seen from FIG. 232, after the off voltage is applied to the gate signal line 2285, the off voltage is applied to the gate signal line 2284.

以上のように、まず、トランジスタ2311をオフさせる。トランジスタ2311をオフすることによりゲート信号線2284の突き抜け電圧の軽減することができる。なお、図232における時間tは0.5μsec以上にすることが好ましい。また、さらに好ましくは1μsec以上にすることが好ましい。   As described above, first, the transistor 2311 is turned off. By turning off the transistor 2311, the penetration voltage of the gate signal line 2284 can be reduced. Note that the time t in FIG. 232 is preferably 0.5 μsec or more. Furthermore, it is more preferable to set it to 1 microsecond or more.

保持用トランジスタ2281aはキンク(アーリー効果)の影響を防止あるいは抑制するため、一定のWL比とすることが好ましい。図233はこのアーリー効果の発生比をグラフ化したものである。図233で図示するように、L/W比が2以下ではアーリー効果の影響が大きくなる。逆にL(トランジスタ2281aチャンネル長(μm)/W(トランジスタ2281aのチャンネル幅(μm))は2以上では、急激にアーリー効果の影響は小さくなる。以上のことから、保持用トランジスタ2281aはL/W比が2以上にすることが好ましい。さらに好ましくは4以上にする。   The holding transistor 2281a preferably has a constant WL ratio in order to prevent or suppress the influence of kink (Early effect). FIG. 233 is a graph showing the generation ratio of the Early effect. As illustrated in FIG. 233, when the L / W ratio is 2 or less, the influence of the Early effect becomes large. Conversely, when L (transistor 2281a channel length (μm) / W (channel width (μm) of transistor 2281a) is 2 or more, the effect of the Early effect is drastically reduced. The W ratio is preferably 2 or more, more preferably 4 or more.

また、保持用トランジスタ2281aのチャンネル間電圧(IC内ソースードレイン電圧Vsd)とアーリー効果とも関連がある。この関連を図234に図示している。なお、Vsd電圧とは、保持用トランジスタ2281aに印加される最大電圧であり、図231などでは、端子155に印加される電圧である。   In addition, the channel-to-channel voltage (source-drain voltage Vsd in the IC) of the holding transistor 2281a is also related to the Early effect. This relationship is illustrated in FIG. Note that the Vsd voltage is a maximum voltage applied to the holding transistor 2281a and is a voltage applied to the terminal 155 in FIG.

図234のグラフでも図示するように、Vsd電圧が9V以上でアーリー降下の影響が顕著になる傾向にある。したがって、端子155に印加される電圧つまりソース信号線18に印加される電圧は9V以下0V以内(GND)にすることが好ましい。さらに好ましくは、ソース信号線18に印加される電圧は8V以下0V以上にする必要がある。   As shown in the graph of FIG. 234, when the Vsd voltage is 9 V or more, the effect of Early drop tends to become significant. Therefore, it is preferable that the voltage applied to the terminal 155, that is, the voltage applied to the source signal line 18, be 9V or less and within 0V (GND). More preferably, the voltage applied to the source signal line 18 needs to be 8V or less and 0V or more.

以上の実施例は出力回路2280を2段設ける構成であった。しかし、本発明はこれに限定するものではなく、図237に図示するように複数形成してもよい。図237では出力回路2280aを出力回路2280ahと2280alの2つで構成し、同様に出力回路2280bを出力回路2280bhと2280blの2つで構成している。出力回路2280ahおよび2280bhは、比較的大きなプログラム電流Iphを出力する回路であり、出力回路2280alおよび2280blは、比較的小さなプログラム電流Iplを出力するものである。   In the above embodiment, two stages of output circuits 2280 are provided. However, the present invention is not limited to this, and a plurality may be formed as shown in FIG. In FIG. 237, the output circuit 2280a is composed of two output circuits 2280ah and 2280al, and similarly, the output circuit 2280b is composed of two output circuits 2280bh and 2280bl. The output circuits 2280ah and 2280bh are circuits that output a relatively large program current Iph, and the output circuits 2280al and 2280bl output a relatively small program current Ipl.

以上にように、出力回路2280a、2280bを複数に分割することにより各出力回路2281が分担する階調を分離あるいは加算して出力することができる。そのため、精度のよいプログラム電流Ipを出力することができる。   As described above, by dividing the output circuits 2280a and 2280b into a plurality of parts, the gradations shared by the output circuits 2281 can be separated or added and output. Therefore, it is possible to output the program current Ip with high accuracy.

本発明のソースドライバ回路(Ic)14の出力段は、図246のように構成してもよい。図246では、1出力段は、1の大きさの電流を出力する出力段回路2280a、2の大きさの電流を出力する出力段回路2280b、4の大きさの電流を出力する出力段回路2280c、8の大きさの電流を出力する出力段回路2280d、16の大きさの電流を出力する出力段回路2280e、32の大きさの電流を出力する出力段回路2280fから構成される。出力段回路2280a〜2280fは映像データの各ビットに対応して動作する。対応して動作した出力段回路2280a〜2280fは加算されて、端子155から出力される。図246にように構成することにより精度のより電流出力を実現できる。   The output stage of the source driver circuit (Ic) 14 of the present invention may be configured as shown in FIG. In FIG. 246, one output stage is an output stage circuit 2280a that outputs a current having a magnitude of 1, an output stage circuit 2280b that outputs a current having a magnitude of 2, and an output stage circuit 2280c that outputs a current having a magnitude of 4. , Output stage circuit 2280d for outputting a current having a magnitude of 8, output stage circuit 2280e for outputting a current having a magnitude of 16, and output stage circuit 2280f for outputting a current having a magnitude of 32. The output stage circuits 2280a to 2280f operate corresponding to each bit of the video data. The corresponding output stage circuits 2280a to 2280f that have been operated are added and output from the terminal 155. By configuring as shown in FIG. 246, current output can be realized with higher accuracy.

以上の実施例は、主としてシリコンチップからなるICでソースドライバ回路14を構成するものであった。しかし、本発明はこれに限定するものではなく、アレイ基板30に直接にポリシリコン技術(CGS技術、低温ポリシリコン技術、高温ポリシリコン技術など)を用いて出力段回路2280など(ポリシリコン電流保持回路2471)を形成または構成してもよい。   In the above embodiment, the source driver circuit 14 is composed of an IC mainly composed of a silicon chip. However, the present invention is not limited to this, and the output stage circuit 2280 (polysilicon current holding) using the polysilicon technology (CGS technology, low temperature polysilicon technology, high temperature polysilicon technology, etc.) directly on the array substrate 30. Circuit 2471) may be formed or configured.

図247はその実施例である。R、G、Bの出力段回路2280(R用は2280R、G用は2280G、B用は2280B)と、RGBの出力段回路2280を選択するスイッチSがポリシリコン技術で形成(構成)されている。スイッチSは1H期間を時分割して動作する。基本的には、スイッチSは、1Hの1/3期間がRの出力段回路2280Rに接続され、1Hの1/3期間がGの出力段回路2280Gに接続され、残りの1Hの1/3期間がBの出力段回路2280Bに接続される。表示あるいは駆動方法は、図37、図38で説明しているので説明を省略する。   FIG. 247 shows an example. An output stage circuit 2280 for R, G, and B (2280R for R, 2280G for G, and 2280B for B) and a switch S that selects the RGB output stage circuit 2280 are formed (configured) by polysilicon technology. Yes. The switch S operates by time-sharing the 1H period. Basically, the switch S is connected to the R output stage circuit 2280R in the 1/3 period of 1H, connected to the G output stage circuit 2280G in the 1H period of 1H, and the remaining 1/3 of the 1H period. The period is connected to the output stage circuit 2280B of B. Since the display or driving method has been described with reference to FIGS. 37 and 38, description thereof will be omitted.

図247に図示するように、シフトレジスタ回路、サンプリング回路などを有するソースドライバ(回路)14は、端子155でソース信号線18と接続される。ポリシリコンからなるスイッチSが時分割で切り換えられ、出力段回路2280RGBに接続される。出力段回路2280RGBはRGBの映像データからなる電流が保持され、図228から図234などで説明した構成あるいは制御方法でソース信号線18RGBにプログラム電流Iwを出力する。なお、図247ではポリリシコン電流保持回路2471は1段分しか図示していないが、実際には2段構成されていることは言うまでもない(図228から図234の説明を参照のこと)。   As illustrated in FIG. 247, the source driver (circuit) 14 having a shift register circuit, a sampling circuit, and the like is connected to the source signal line 18 at a terminal 155. The switch S made of polysilicon is switched in a time division manner and connected to the output stage circuit 2280RGB. The output stage circuit 2280RGB holds a current made up of RGB video data, and outputs a program current Iw to the source signal line 18RGB by the configuration or control method described in FIGS. 228 to 234 and the like. In FIG. 247, only one stage of the polysilicon current holding circuit 2471 is shown, but it is needless to say that it is actually composed of two stages (see the description of FIGS. 228 to 234).

図247では、スイッチSは、1Hの1/3期間がRの出力段回路2280Rに接続され、1Hの1/3期間がGの出力段回路2280Gに接続され、残りの1Hの1/3期間がBの出力段回路2280Bに接続されると説明したが本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図255に図示するように、R、G、Bを選択する期間は異なっていてもよい。これは、R、G、Bのプログラム電流Iwの大きさが異なっているためである。R、G、BでEL素子15の効率が異なるため、R、G、Bでプログラム電流の大きさが異なる。プログラム電流の大きさが小さいと、ソース信号線18の寄生容量の影響を受けやすいため、プログラム電流の印加期間を長くし、十分にソース信号線18の寄生容量の充放電期間を確保する必要がある。一方で、ソース信号線18の寄生容量の大きさは、R、G、Bで同一であることが多い。   In FIG. 247, the switch S is connected to the R output stage circuit 2280R during the 1/3 period of 1H, the 1/3 period of 1H is connected to the G output stage circuit 2280G, and the remaining 1/3 period of 1H. Is connected to the B output stage circuit 2280B, but the present invention is not limited to this. For example, as illustrated in FIG. 255, the periods for selecting R, G, and B may be different. This is because the R, G, and B program currents Iw are different in magnitude. Since the efficiency of the EL element 15 differs between R, G, and B, the magnitude of the program current differs between R, G, and B. If the magnitude of the program current is small, it is likely to be affected by the parasitic capacitance of the source signal line 18. Therefore, it is necessary to lengthen the application period of the program current and sufficiently ensure the charge / discharge period of the parasitic capacitance of the source signal line 18. is there. On the other hand, the parasitic capacitance of the source signal line 18 is often the same for R, G, and B.

図255は、RのEL素子15の効率が良好で、プログラム電流が最も小さいことを想定している。また、GのEL素子15の効率が悪く、プログラム電流が最も大きいことを想定している。Bは、RとGとの中間レベルの効率である。したがって、図255では、1H期間において、Rデータの選択期間(図247の2280Rが選択されている期間)を最も長くし、Gデータの選択期間(図247の2280Gが選択されている期間)を最も短くし、Bデータの選択期間(図247の2280Bが選択されている期間)をその中間の期間としている。   FIG. 255 assumes that the efficiency of the R EL element 15 is good and the program current is the smallest. Further, it is assumed that the efficiency of the G EL element 15 is low and the program current is the largest. B is an intermediate level of efficiency between R and G. Therefore, in FIG. 255, in the 1H period, the R data selection period (the period in which 2280R in FIG. 247 is selected) is the longest, and the G data selection period (the period in which 2280G in FIG. 247 is selected). The B data selection period (a period in which 2280B in FIG. 247 is selected) is set to the intermediate period.

なお、保持用トランジスタ2281aのモビリティは400以下100以上にすることが好ましい。さらに好ましくは、モビリティは300以下150以上にすることがこのましい。この条件を満足させるために、トランジスタ2281aを構成するゲート絶縁膜を厚くする。厚くする方法としては、ゲート絶縁膜を2層蒸着などの多層構成にする例が例示される。   Note that the mobility of the holding transistor 2281a is preferably 400 or less and 100 or more. More preferably, the mobility is preferably 300 or less and 150 or more. In order to satisfy this condition, the gate insulating film included in the transistor 2281a is thickened. An example of the thickening method is an example in which the gate insulating film has a multilayer structure such as two-layer deposition.

以下、本発明の表示パネルの検査方法について説明をする。図202は、本発明の表示パネルの完成前の状態である。ソース信号線18の一端がショート配線2021でショート状態にされている。検査後、ショートしている箇所はAA’線で切断して完成する。ショート配線2021にプロービィングし検査電圧を印加することより全ソース信号線18に検査電圧を印加することができる。   The display panel inspection method of the present invention will be described below. FIG. 202 shows a state before the display panel of the present invention is completed. One end of the source signal line 18 is short-circuited by a short wiring 2021. After the inspection, the shorted portion is completed by cutting along the AA 'line. The inspection voltage can be applied to all the source signal lines 18 by probing the short wiring 2021 and applying the inspection voltage.

ショート配線2021を形成しない場合(分離した状態)は、ソース信号線18のCOG端子から電圧もしくは電流を印加する。図203はCOG端子(ソース信号線端子)2034に、検査用のショートチップ2032を実装した例である。ショートチップ2032は金属あるいは導電体から構成される。もしくは、少なくともソース信号線端子2034に電圧などの電気信号を印加できるように構成されている。   When the short wiring 2021 is not formed (separated state), a voltage or current is applied from the COG terminal of the source signal line 18. FIG. 203 shows an example in which a test short chip 2032 is mounted on a COG terminal (source signal line terminal) 2034. The short chip 2032 is made of a metal or a conductor. Alternatively, an electrical signal such as a voltage can be applied to at least the source signal line terminal 2034.

ショートチップ2032とアノード端子配線2031に図203に図示するように直流あるいは交流電圧(電流)を印加する。ショートチップ2032は端子2033を介してソース信号線18と接続されている。したがって、画素16のソース信号線18とアノードに電圧を印加することができる。たとえば、図1のVdd端子とソース信号線18に電圧を印加できる。この状態でゲートドライバ12に電源電圧を印加し、クロックなどを印加して(図14などを参照のこと)動作させる。画素16は画素行ごとに順次選択され、ソース信号線18に印加された電圧が駆動用トランジスタ11aのゲート端子に印加される。ゲート端子への電圧印加により駆動用トランジスタ11aからソース信号線18に電流が流れる。もしくは、EL素子15に電流が流れ、EL素子15が発光する。   A DC or AC voltage (current) is applied to the short chip 2032 and the anode terminal wiring 2031 as shown in FIG. The short chip 2032 is connected to the source signal line 18 through a terminal 2033. Therefore, a voltage can be applied to the source signal line 18 and the anode of the pixel 16. For example, a voltage can be applied to the Vdd terminal and the source signal line 18 in FIG. In this state, a power supply voltage is applied to the gate driver 12 and a clock or the like is applied (see FIG. 14 or the like) for operation. The pixels 16 are sequentially selected for each pixel row, and the voltage applied to the source signal line 18 is applied to the gate terminal of the driving transistor 11a. A current flows from the driving transistor 11a to the source signal line 18 by applying a voltage to the gate terminal. Alternatively, current flows through the EL element 15 and the EL element 15 emits light.

以上の動作は、ゲートドライバ回路12を走査して動作させることによりEL素子15が順次発光し、発光の点滅状態あるいは点灯状態を光学的に検出することによりEL表示パネルの検査を行うことができる。   In the above operation, the EL element 15 sequentially emits light by scanning and operating the gate driver circuit 12, and the EL display panel can be inspected by optically detecting the blinking state or lighting state of the light emission. .

検査は光学的に実施する。光学的とは、人間の視覚で判断すること、CCDカメラで撮影し画像認識で検出することなどが例示される。検出は、画素が常時輝点となること、常時黒点となること、線欠陥、点滅欠陥などである。また、表示スジ、濃淡ムラなどを検出する。また、フリッカの発生状態を検出する。   Inspection is performed optically. Examples of optical include judgment by human vision, photographing by a CCD camera, and detection by image recognition. The detection is that the pixel always becomes a bright spot, always becomes a black spot, a line defect, a blinking defect, or the like. Also, display streaks, shading unevenness, etc. are detected. Further, the flicker occurrence state is detected.

図203はショートチップ203を用いるものであるが、導電性の液体などをソース信号線2034に滴下してもよい。滴下した液体などとアノード端子配線2031間に直流あるいは交流の電圧(電流)を印加する。電流プログラム方式では、印加する電流がμA程度と微小電流である。したがって、導電性の液などが高抵抗であっても検査には十分である。導電性のある液体あるいはゲルとしては水酸化ナトリウム、塩酸、硝酸、塩化ナトリウム溶液、銀ペースト、銅ペーストなどが例示される。   In FIG. 203, the short chip 203 is used; however, a conductive liquid or the like may be dropped onto the source signal line 2034. A direct or alternating voltage (current) is applied between the dropped liquid and the anode terminal wiring 2031. In the current programming method, the applied current is as small as about μA. Therefore, even if the conductive liquid has a high resistance, it is sufficient for the inspection. Examples of the conductive liquid or gel include sodium hydroxide, hydrochloric acid, nitric acid, sodium chloride solution, silver paste, and copper paste.

以上の実施例では、ゲートドライバ回路12を動作させ、ゲートドライバ回路12を走査状態にして、画素行ごとにEL素子15を点灯状態にして、パネルあるいはアレイの検査を実施するとした。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、表示画面を一括して点灯させて検査をしてもよい。   In the above embodiment, the gate driver circuit 12 is operated, the gate driver circuit 12 is set in the scanning state, the EL element 15 is turned on for each pixel row, and the panel or the array is inspected. However, the present invention is not limited to this. For example, the display screens may be turned on collectively for inspection.

図205は画面の一括検査の説明図である。なお、説明を容易にするため、画面を一括検査するとして説明するが、これに限定されない。画面をブロックに分割して検査を行ってもよいし、複数画素行ずつ順次点灯して検査をおこなってもよい。つまり、多数画素を同時に点灯する概念である。なお、逆に1画素ずつ点灯させて検査を実施してもよいことは言うまでもない。   FIG. 205 is an explanatory diagram of the batch inspection of the screen. For ease of explanation, the screen is described as being collectively inspected, but the present invention is not limited to this. The inspection may be performed by dividing the screen into blocks, or the inspection may be performed by sequentially lighting a plurality of pixel rows. That is, it is a concept of lighting a large number of pixels simultaneously. Needless to say, the inspection may be performed by lighting one pixel at a time.

なお、説明を容易にするため、アノード電圧Vddを6(V)とし、駆動用トランジスタ11aは5(V)以下にすることにより、EL素子15を十分に点灯させる電流を供給できるものとする。また、全ソース信号線17には外部から電圧が印加されているものとする。以上のように、本発明の検査方法では、画素16の駆動用トランジスタ11aがPチャンネルの時、駆動用トランジスタ11aの立ち上がり電圧以下の電圧をソース信号線18に印加できるように構成する。この立ち上がり電圧は説明を容易にするために5(V)としている。また、ソース信号線に印加する電圧は、アノード電圧Vddからアノード電圧Vdd−8(V)であり、好ましくは、アノード電圧Vddからアノード−6(V)の範囲であるとして説明をする。   For ease of explanation, it is assumed that the anode voltage Vdd is set to 6 (V) and the driving transistor 11a is set to 5 (V) or less so that a current for sufficiently lighting the EL element 15 can be supplied. In addition, it is assumed that a voltage is applied to all source signal lines 17 from the outside. As described above, the inspection method of the present invention is configured such that when the driving transistor 11a of the pixel 16 is a P channel, a voltage equal to or lower than the rising voltage of the driving transistor 11a can be applied to the source signal line 18. This rising voltage is set to 5 (V) for easy explanation. The voltage applied to the source signal line will be described as being in the range of the anode voltage Vdd to the anode voltage Vdd-8 (V), and preferably in the range of the anode voltage Vdd to the anode -6 (V).

図205では、ソース信号線18には、0〜5(V)の検査電圧が印加されているものとする。したがって、この電圧が駆動用トランジスタ11aのゲート端子に印加されることにより、駆動用トランジスタ11aが電流を流せるようになる。   In FIG. 205, it is assumed that an inspection voltage of 0 to 5 (V) is applied to the source signal line 18. Therefore, when this voltage is applied to the gate terminal of the driving transistor 11a, the driving transistor 11a can pass a current.

検査方法は、まず、すべてのゲート信号線17bにオフ電圧Vgh電圧を印加した状態で、ゲート信号線17aをオフ電圧(Vgh)からオン電圧(Vgl)に変化させることによりソース信号線18の電位が画素16に書き込まれる。ソース信号線18の電位が駆動用トランジスタ11aの立ち上がり電圧以下(5(V)以下)であれば、駆動用トランジスタ11aに電圧が流れるようにプログラムが行われる。   In the inspection method, first, the potential of the source signal line 18 is changed by changing the gate signal line 17a from the off voltage (Vgh) to the on voltage (Vgl) in a state where the off voltage Vgh voltage is applied to all the gate signal lines 17b. Is written into the pixel 16. If the potential of the source signal line 18 is equal to or lower than the rising voltage of the driving transistor 11a (5 (V) or lower), the programming is performed so that the voltage flows through the driving transistor 11a.

次に、すべてのゲート信号線17bにオン電圧Vgl電圧を印加し、同時にまたはそれよりも早く、ゲ−ト信号線17aをオン電圧(Vgh)からオフ電圧(Vgl)に変化させる。すると、駆動用トランジスタ11aなどが正常であれば、駆動用トランジスタ11aからEL素子15に電流が供給され、EL素子15が点灯する。   Next, the on voltage Vgl is applied to all the gate signal lines 17b, and the gate signal line 17a is changed from the on voltage (Vgh) to the off voltage (Vgl) at the same time or earlier. Then, if the driving transistor 11a and the like are normal, current is supplied from the driving transistor 11a to the EL element 15, and the EL element 15 is turned on.

また、EL素子15が点灯状態で、ゲート信号線17bにオン電圧とオフ電圧を交互に印加すればEL素子15が点滅する。したがって、スイッチ用トランジスタ11dの良否を判定できる。   Further, when the ON voltage and the OFF voltage are alternately applied to the gate signal line 17b while the EL element 15 is lit, the EL element 15 blinks. Therefore, the quality of the switching transistor 11d can be determined.

なお、図205において、ゲート信号線17aとゲート信号線17bの両方にオン電圧を印加した状態で、ソース信号線18に印加する電圧を駆動用トランジスタ11aの立ち上がり電圧以上と以下の間を周期的に変化させてもよい。周期的に変化させることによりこの周期的な変化に対応してEL素子15が発光する。なお、この場合のEL素子15の発光電流Itは、ソース信号線18から供給される。また、場合によっては駆動用トランジスタ11aから供給される。   In FIG. 205, the voltage applied to the source signal line 18 is periodically between the rising voltage and the following voltage of the driving transistor 11a with the on-voltage applied to both the gate signal line 17a and the gate signal line 17b. It may be changed to. By periodically changing, the EL element 15 emits light corresponding to the periodic change. In this case, the light emission current It of the EL element 15 is supplied from the source signal line 18. In some cases, the voltage is supplied from the driving transistor 11a.

以上のように動作させることにより、駆動用トランジスタ11a、スイッチ用トランジスタ11c、11b、11dの性能、欠陥を検出できる。また、駆動用トランジスタ11a、EL素子15の性能、特性を評価できる。   By operating as described above, the performance and defects of the driving transistor 11a and the switching transistors 11c, 11b, and 11d can be detected. Further, the performance and characteristics of the driving transistor 11a and the EL element 15 can be evaluated.

以上の実施例は、ソース信号線18の電位を変化させることにより、EL素子をソース信号線18の電位に応じて発光制御するものである。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図206に図示するように、アノード電圧Vddを変化させてもよい。   In the above embodiment, the EL element is controlled to emit light in accordance with the potential of the source signal line 18 by changing the potential of the source signal line 18. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 206, the anode voltage Vdd may be changed.

検査方法は、まず、すべてのゲート信号線17bにオフ電圧Vgh電圧を印加した状態で、ゲート信号線17aをオフ電圧(Vgh)からオン電圧(Vgl)に変化させることによりソース信号線18の電位が画素16に書き込まれる。ソース信号線18の電位が駆動用トランジスタ11aの立ち上がり電圧以下(5(V)以下)であれば、駆動用トランジスタ11aに電圧が流れるようにプログラムが行われる。   In the inspection method, first, the potential of the source signal line 18 is changed by changing the gate signal line 17a from the off voltage (Vgh) to the on voltage (Vgl) in a state where the off voltage Vgh voltage is applied to all the gate signal lines 17b. Is written into the pixel 16. If the potential of the source signal line 18 is equal to or lower than the rising voltage of the driving transistor 11a (5 (V) or lower), the programming is performed so that the voltage flows through the driving transistor 11a.

次に、すべてのゲート信号線17bにオン電圧Vgl電圧を印加し、同時にまたはそれよりも早く、ゲ−ト信号線17aをオン電圧(Vgh)からオフ電圧(Vgl)に変化させる。すると、駆動用トランジスタ11aなどが正常であれば、駆動用トランジスタ11aからEL素子15に電流Itが供給され、EL素子15が点灯する。また、EL素子15が点灯状態で、ゲート信号線17bにオン電圧とオフ電圧を交互に印加すればEL素子15が点滅する。したがって、スイッチ用トランジスタ11dの良否を判定できる。   Next, the on voltage Vgl is applied to all the gate signal lines 17b, and the gate signal line 17a is changed from the on voltage (Vgh) to the off voltage (Vgl) at the same time or earlier. Then, if the driving transistor 11a and the like are normal, the current It is supplied from the driving transistor 11a to the EL element 15, and the EL element 15 is turned on. Further, when the ON voltage and the OFF voltage are alternately applied to the gate signal line 17b while the EL element 15 is lit, the EL element 15 blinks. Therefore, the quality of the switching transistor 11d can be determined.

また、ゲート信号線17aにオフ電圧を印加し、ゲート信号線17bのオン電圧を印加した状態で、アノード端子(Vdd電圧)にVdd電圧を、駆動用トランジスタ11aの立ち上がり電圧以下の電圧を周期的に変化させる。周期的に変化させることによりこの周期的な変化に対応してEL素子15が発光する。なお、この場合のEL素子15の発光電流は、駆動用トランジスタ11aから供給される。以上のように動作させることにより、駆動用トランジスタ11a、スイッチ用トランジスタ11c、11b、11dの性能、欠陥を検出できる。また、駆動用トランジスタ11a、EL素子15の性能、特性を評価できる。   Further, with the off voltage applied to the gate signal line 17a and the on voltage applied to the gate signal line 17b, the Vdd voltage is periodically applied to the anode terminal (Vdd voltage), and the voltage equal to or lower than the rising voltage of the driving transistor 11a is periodically generated. To change. By periodically changing, the EL element 15 emits light corresponding to the periodic change. In this case, the light emission current of the EL element 15 is supplied from the driving transistor 11a. By operating as described above, the performance and defects of the driving transistor 11a and the switching transistors 11c, 11b, and 11d can be detected. Further, the performance and characteristics of the driving transistor 11a and the EL element 15 can be evaluated.

以上の実施例は、画素構成が図1として説明したが、これに限定されるものではなく、図2、図7、図11、図12、図13、図28、図31などの他の画素構成のEL表示パネルあるいはEL表示装置にも適用できることは言うまでもない。   In the above embodiment, the pixel configuration is described as FIG. 1, but the pixel configuration is not limited to this, and other pixels such as FIG. 2, FIG. 7, FIG. 11, FIG. Needless to say, the present invention can also be applied to an EL display panel or an EL display device having a configuration.

以上の実施例は、画素構成が電流プログラム方式の場合を例示した。しかし、本発明はこれに限定するものではなく、図2のように電圧プログラム方式であっても検査できることはいうまでもない。   In the above embodiment, the case where the pixel configuration is the current program method is illustrated. However, the present invention is not limited to this, and it is needless to say that the inspection can be performed even with the voltage program method as shown in FIG.

図207は電圧プログラム方式の画素構成における検査方法ほ説明図である。検査方法は、まず、すべてのゲート信号線17aをオフ電圧(Vgh)からオン電圧(Vgl)に変化させることによりソース信号線18の電位が画素16に書き込まれる。ソース信号線18の電位が駆動用トランジスタ11aの立ち上がり電圧以下(5(V)以下)であれば、駆動用トランジスタ11aに電圧が流れるようにプログラムが行われる。   FIG. 207 is an explanatory diagram of an inspection method in the pixel configuration of the voltage program method. In the inspection method, first, the potential of the source signal line 18 is written in the pixel 16 by changing all the gate signal lines 17a from the off voltage (Vgh) to the on voltage (Vgl). If the potential of the source signal line 18 is equal to or lower than the rising voltage of the driving transistor 11a (5 (V) or lower), the programming is performed so that the voltage flows through the driving transistor 11a.

次に、ゲ−ト信号線17aをオン電圧(Vgh)からオフ電圧(Vgl)に変化させる。すると、駆動用トランジスタ11aなどが正常であれば、駆動用トランジスタ11aからEL素子15に電流Itが供給され、EL素子15が点灯する。   Next, the gate signal line 17a is changed from the on voltage (Vgh) to the off voltage (Vgl). Then, if the driving transistor 11a and the like are normal, the current It is supplied from the driving transistor 11a to the EL element 15, and the EL element 15 is turned on.

また、ゲート信号線17aにオフ電圧を印加し、アノード端子(Vdd電圧)にVdd電圧を、駆動用トランジスタ11aの立ち上がり電圧以下の電圧を周期的に変化させる。周期的に変化させることによりこの周期的な変化に対応してEL素子15が発光する。なお、この場合のEL素子15の発光電流は、駆動用トランジスタ11aから供給される。以上のように動作させることにより、駆動用トランジスタ11a、スイッチ用トランジスタ11cの性能、欠陥を検出できる。また、駆動用トランジスタ11a、EL素子15の性能、特性を評価できる。   Further, an off voltage is applied to the gate signal line 17a, the Vdd voltage is periodically changed to the anode terminal (Vdd voltage), and a voltage equal to or lower than the rising voltage of the driving transistor 11a is periodically changed. By periodically changing, the EL element 15 emits light corresponding to the periodic change. In this case, the light emission current of the EL element 15 is supplied from the driving transistor 11a. By operating as described above, the performance and defects of the driving transistor 11a and the switching transistor 11c can be detected. Further, the performance and characteristics of the driving transistor 11a and the EL element 15 can be evaluated.

以下、図面を参照しなから本発明の他の実施例における検査方法について説明をする。図202はショート配線2021を検査後に切断する方式であった。図223は、ソース信号線18の一端に検査スイッチとしてのトランジスタ2232を形成または配置した構成である。トランジスタ2232のゲート端子に電圧を印加することにより、トランジスタ2232はオンし、テスト電圧(Vtest)がソース信号線18に印加される。トランジスタ2232のオンオフ制御はオンオフ制御手段2231により行われる。   Hereinafter, an inspection method according to another embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 202 shows a method of cutting the short wiring 2021 after the inspection. FIG. 223 shows a configuration in which a transistor 2232 as an inspection switch is formed or arranged at one end of the source signal line 18. By applying a voltage to the gate terminal of the transistor 2232, the transistor 2232 is turned on, and a test voltage (Vtest) is applied to the source signal line 18. On / off control of the transistor 2232 is performed by the on / off control means 2231.

オンオフ制御手段2231は、トランジスタ2232をオンオフ制御するが、その制御はゲートドライバ回路12と同期をとって実施される。具体的には、図203から図207で説明した検査方法が実施される。   The on / off control means 2231 controls on / off of the transistor 2232, and the control is performed in synchronization with the gate driver circuit 12. Specifically, the inspection method described in FIGS. 203 to 207 is performed.

たとえば、図224に図示するようにして検査は実施される。トランジスタ2232がオンすることにより、図224(a)に図示するように、Vtest電圧はトランジスタ2232を介してソース信号線18に印加される。また、この時、ゲート信号線17bにはオフ電圧が印加されており、トランジスタ11dはオープン状態である。検査する画素16のゲート信号線17aにオン電圧が印加されていれば、図224に図示するように、Vtest電圧が駆動用トランジスタ11aのゲート端子に印加される。この電圧は駆動用トランジスタ11aの立ち上がり電圧以上である。   For example, the inspection is performed as illustrated in FIG. When the transistor 2232 is turned on, the Vtest voltage is applied to the source signal line 18 via the transistor 2232 as illustrated in FIG. At this time, an off voltage is applied to the gate signal line 17b, and the transistor 11d is in an open state. If the ON voltage is applied to the gate signal line 17a of the pixel 16 to be inspected, the Vtest voltage is applied to the gate terminal of the driving transistor 11a as shown in FIG. This voltage is equal to or higher than the rising voltage of the driving transistor 11a.

次に、図224(b)に図示するように、ゲート信号線17aにはオフ電圧が印加され、ゲート信号線17bにオン電圧が印加される。したがって、駆動用トランジスタ11aからEL素子15に電流Itが流れ、EL素子15が発光する。   Next, as shown in FIG. 224 (b), an off voltage is applied to the gate signal line 17a, and an on voltage is applied to the gate signal line 17b. Therefore, the current It flows from the driving transistor 11a to the EL element 15, and the EL element 15 emits light.

また、図223の構成において、オンオフ制御手段2231を制御し、トランジスタ2232をオンオフ制御すれば、すべての画素16のゲート信号線17aにオン電圧が印加されていても、EL素子15を点滅表示させることができる。つまり、トランジスタ2232によりEL素子15などの特性などを評価あるいは検査することができる。   Further, in the configuration of FIG. 223, if the on / off control means 2231 is controlled and the transistors 2232 are controlled to be on / off, the EL elements 15 are blinked even when the on voltage is applied to the gate signal lines 17a of all the pixels 16. be able to. That is, the characteristics of the EL element 15 and the like can be evaluated or inspected by the transistor 2232.

図223はトランジスタ2232を制御することによりソース信号線18に電流あるいは電圧を印加し、EL表示パネルあるいはEL表示パネル用アレイを検査もしくは評価を実施するものであった。   In FIG. 223, current or voltage is applied to the source signal line 18 by controlling the transistor 2232, and the EL display panel or the EL display panel array is inspected or evaluated.

図225はソース信号線18に形成された保護ダイオード2251を利用してソース信号線18に検査に必要な電圧または電流を印加するものである。保護ダイオード2251は静電気保護のため、各ソース信号線18にポリシリコン技術を用いて形成される。なお、ダイオード2251はトランジスタをダイオード接続して形成する。   FIG. 225 applies a voltage or current necessary for inspection to the source signal line 18 by using the protection diode 2251 formed on the source signal line 18. The protection diode 2251 is formed on each source signal line 18 using polysilicon technology for electrostatic protection. Note that the diode 2251 is formed by diode-connecting transistors.

図225に図示するように、各ソース信号線18には保護ダイオード2251a、2251bが接続されている。通常の電圧(VL、VH)設定状態では、保護ダイオードはオフ状態になるようにされている。つまり、各保護ダイオード2251にはVLあるいはVHにより逆電圧が印加されオフ状態である。   As shown in FIG. 225, protection diodes 2251 a and 2251 b are connected to each source signal line 18. In a normal voltage (VL, VH) setting state, the protection diode is turned off. That is, a reverse voltage is applied to each protection diode 2251 by VL or VH, and the protection diode 2251 is in an off state.

検査時は、保護ダイオードをオン状態になるようにVL電圧またはVH電圧もしくは両方の電圧を設定する(操作する)。たとえば、VL電圧を高電圧にすることにより、電圧配線2252aから保護ダイオード2251bを介して、検査電圧(前記高電圧:Vdd〜Vdd−6(V))はソース信号線18に印加することができる。また、VH電圧を低電圧にすることにより、電圧配線2252bから保護ダイオード2251aを介して、検査電圧(前記低電圧)をソース信号線18に印加することができる。   At the time of inspection, the VL voltage or the VH voltage or both voltages are set (operated) so that the protective diode is turned on. For example, by setting the VL voltage to a high voltage, the inspection voltage (the high voltage: Vdd to Vdd-6 (V)) can be applied to the source signal line 18 from the voltage wiring 2252a via the protection diode 2251b. . Further, by setting the VH voltage to a low voltage, an inspection voltage (the low voltage) can be applied to the source signal line 18 from the voltage wiring 2252b via the protection diode 2251a.

図226は検査状態の説明図である。保護ダイオード2251はリーク状態の時は抵抗としてみなせる。本発明のように、保護ダイオードをリーク状態にすることによりソース信号線に検査電圧(電流)を印加し、EL表示パネルまたはアレイを検査できるのは、画16が電流プログラム方式であることに起因することが大きい。電流プログラム方式では、プログラムする電流はμA程度と微小である。したがって、保護ダイオード2251がリーク状態のように高抵抗の場合であっても、微小電流の印加あるいは吐き出しには影響を与えない。   FIG. 226 is an explanatory diagram of the inspection state. The protection diode 2251 can be regarded as a resistance when in a leak state. As in the present invention, the inspection voltage (current) can be applied to the source signal line by putting the protection diode in a leak state, and the EL display panel or array can be inspected because the picture 16 is a current program system. Big to do. In the current programming method, the current to be programmed is as small as about μA. Therefore, even if the protection diode 2251 has a high resistance such as a leak state, application or discharge of a minute current is not affected.

検査は表示領域144の全画素16を同時に点灯などさせて検査を実施してもよいが、図227(a)(b)に図示するように画素行を順次選択して走査させて検査を実施してもよい。図227(a)(b)で191が検査電流を書き込んでいる画素行である。また、193はEL素子15を点灯などして光学的に検査を実施している領域である。192は非点灯領域である。以上のように、表示領域144に点灯領域193と非点灯領域とを同時に行うことにより光学的検査が容易になる。黒表示と白表示の欠陥状態が同時にあるいは走査状態(順次)で検査が実現できるからである。以上の制御は図14などで説明したように、ゲートドライバ回路12を制御することにより容易に実現できる。走査あるいは選択方法を以前に説明しているので説明を省略する。   The inspection may be performed by lighting all the pixels 16 in the display area 144 at the same time. However, as shown in FIGS. 227 (a) and (b), the pixel rows are sequentially selected and scanned to perform the inspection. May be. In FIGS. 227 (a) and (b), reference numeral 191 denotes a pixel row in which an inspection current is written. Reference numeral 193 denotes a region in which the EL element 15 is turned on and optically inspected. Reference numeral 192 denotes a non-lighting area. As described above, the optical inspection is facilitated by simultaneously performing the lighting region 193 and the non-lighting region on the display region 144. This is because the inspection can be realized at the same time or in the scanning state (sequential) in the defect state of black display and white display. The above control can be easily realized by controlling the gate driver circuit 12 as described with reference to FIG. Since the scanning or selection method has been described previously, a description thereof will be omitted.

以上のように、電圧配線2252の電位を保護ダイオード2251がオンまたはリーク状態になるようにして、電圧配線2252からソース信号線18に電流または電圧を印加することにより検査を実現できる。なお、検査方法は以前に説明したものを同様であるので説明を省略する。   As described above, the inspection can be realized by applying a current or a voltage from the voltage wiring 2252 to the source signal line 18 so that the protective diode 2251 is turned on or leaking with the potential of the voltage wiring 2252. Since the inspection method is the same as that described previously, the description is omitted.

以上のように本発明は、電流プログラム方式などの画素構成を有するアレイあるいは表示パネルの検査方法である。ソース信号線18には保護ダイオード2251をリークさせ、このリーク電流を画素に書き込み、この書き込んだ電流でEL素子を発光させるものである。この発光状態あるいは点灯状態もしくは点滅状態でEL素子15の特性、欠陥を検出する。同時にゲートドライバ回路12に信号を印加し、走査させて、選択するゲート信号線17を移動あるいは常時選択して検査などを実施する。以上の走査あるいは制御により画素16のトランジスタ11の欠陥検出などを実現する。   As described above, the present invention is an inspection method for an array or a display panel having a pixel configuration such as a current programming method. The protection diode 2251 is leaked to the source signal line 18 and this leakage current is written into the pixel, and the EL element is caused to emit light by this written current. The characteristics and defects of the EL element 15 are detected in this light emitting state, lighting state or blinking state. At the same time, a signal is applied to the gate driver circuit 12 and scanned, and the gate signal line 17 to be selected is moved or always selected to perform inspection. Defect detection of the transistor 11 of the pixel 16 is realized by the above scanning or control.

電流プログラム駆動方式では、ソース信号線18に印加するプログラム電流がμAオーダーである。そのため、ダイオード2251を介して印加する電流で画素16の電流プログラムを十分実現することができる。したがって、検査が実現する。一方で電圧プログラム方式ではソース信号線18には電圧データを書き込む必要がある。そのため、検査は実現しにくい。   In the current program driving method, the program current applied to the source signal line 18 is on the order of μA. Therefore, the current program of the pixel 16 can be sufficiently realized by the current applied through the diode 2251. Therefore, inspection is realized. On the other hand, in the voltage program method, it is necessary to write voltage data to the source signal line 18. Therefore, inspection is difficult to realize.

なお、図225では、保護ダイオード2251を形成などするとしたがこれに限定するものではなく、図223と同様にスイッチ素子、リレー回路などを形成または配置してもよいことは言うまでもない。   In FIG. 225, the protective diode 2251 is formed. However, the present invention is not limited to this, and it goes without saying that a switch element, a relay circuit, and the like may be formed or arranged as in FIG.

また、図225、図223の検査方法では、外部から電圧あるいは電流を印加することにより検査を実現する方法(方式)であった。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図1などの画素構成では、スイッチ用トランジスタ11b、11cをオンさせることにより(トランジスタ11dはオフ(オープン)状態)、アノードVddから駆動用トランジスタ11aを流れる電流はソース信号線18を介して、アレイ(表示パネル)外部に取り出すことができる。この電流の大きさ、流れる方向を測定あるいは評価することにより、アレイなどの検査あるいは評価を実現できる。同様にカソードVss、EL素子15を介して流れる電流をソース信号線18から外部に取り出すことができる。したがって、同様にEL素子15などの検査を実現できる。   Further, the inspection methods of FIGS. 225 and 223 are methods (methods) for realizing the inspection by applying a voltage or current from the outside. However, the present invention is not limited to this. For example, in the pixel configuration of FIG. 1 and the like, by turning on the switching transistors 11b and 11c (the transistor 11d is in an off (open) state), the current flowing from the anode Vdd through the driving transistor 11a is transmitted via the source signal line 18. , Can be taken out of the array (display panel). By measuring or evaluating the magnitude and direction of current flow, inspection or evaluation of the array or the like can be realized. Similarly, the current flowing through the cathode Vss and the EL element 15 can be taken out from the source signal line 18. Accordingly, it is possible to similarly inspect the EL element 15 and the like.

なお、図223、図225などにおいて、すべてのソース信号線18に一度に所定の電圧を印加するとしたがこれに限定するものではない。電圧の代りに電流でもよい。たとえば、図225において、電圧配線2252に低電流あるいは定電流を印加する。この電流をプログラム電流として活用し、ゲートドライバ回路12を走査することにおり、画素16に電流プログラムを実施することができる。   In FIG. 223, FIG. 225, etc., a predetermined voltage is applied to all the source signal lines 18 at one time, but the present invention is not limited to this. A current may be used instead of a voltage. For example, in FIG. 225, a low current or a constant current is applied to the voltage wiring 2252. By utilizing this current as a program current and scanning the gate driver circuit 12, current programming can be performed on the pixel 16.

また、オンオフ制御手段を複数設けて、1つのオンオフ制御手段は奇数番目のソース信号線18に電圧または電流を印加し、他のオンオフ制御手段は偶数番目のソース信号線18に電圧または電流を印加するように構成してもよい。また、トランジスタ2232はリレーなどの外づけ素子であってもよい。また、ホトダイオードなど光照射によりオンオフ制御できるものであってもよい。   Also, a plurality of on / off control means are provided, one on / off control means applies a voltage or current to the odd-numbered source signal line 18, and the other on / off control means applies a voltage or current to the even-numbered source signal line 18. You may comprise. The transistor 2232 may be an external element such as a relay. Moreover, what can be turned on / off by light irradiation, such as a photodiode, may be used.

また、以上の実施例では、検査に必要な電圧または電流をパネルの外部からソース信号線18などに印加するとしたが、本発明はこれに限定するものではなく、検査電圧などの発生手段をアレイ基板30などにポリシリコン技術などを用いて内蔵させてもよい。また、電流を印加するだけでなく、電流を吸収する(sink方式)方式であってよい。また、EL素子15あるいは駆動用トランジスタ11aが流す電流はソース信号線18を介して検出あるいは測定する方式であってもよい。   In the above embodiment, the voltage or current necessary for the inspection is applied to the source signal line 18 from the outside of the panel. However, the present invention is not limited to this. The substrate 30 or the like may be incorporated using polysilicon technology or the like. In addition to applying current, a method of absorbing current (sink method) may be used. Further, the current flowing through the EL element 15 or the driving transistor 11 a may be detected or measured via the source signal line 18.

以下、図面を参照しながら、電流駆動方式(電流プログラム方式)による高画質表示方法について説明をする。電流プログラム方式は、画素16に電流信号を印加して、画素16に電流信号を保持させる。そして、EL素子15に保持させた電流を印加するものである。   Hereinafter, a high-quality display method using a current driving method (current programming method) will be described with reference to the drawings. In the current programming method, a current signal is applied to the pixel 16 to cause the pixel 16 to hold the current signal. Then, a current held in the EL element 15 is applied.

EL素子15は印加した電流の大きさに比例して発光する。つまり、EL素子15の発光輝度はプログラムする電流の値とリニアの関係がある。一方、電圧プログラム方式では、印加した電圧を画素16で電流に変換する。この電圧−電流変換は非線形である。非線形の変換は制御方法が複雑になる。   The EL element 15 emits light in proportion to the magnitude of the applied current. That is, the light emission luminance of the EL element 15 has a linear relationship with the value of the current to be programmed. On the other hand, in the voltage programming method, the applied voltage is converted into current by the pixel 16. This voltage-current conversion is non-linear. Non-linear conversion complicates the control method.

電流駆動方式は、映像データの値をそのままプログラム電流に線形に変換する。簡単な例で例示すれば、64階調表示であれば、映像データの0はプログラム電流Iw=0μAとし、映像データ63はプログラム電流Iw=6.3μAとする(比例の関係となる)。同様に、映像データ32はプログラム電流Iw=3.2μAとし、映像データ10はプログラム電流Iw=1.0μAとする。つまり、映像データはそのまま、比例の関係でプログラム電流Iwに変換される。   In the current driving method, the value of video data is linearly converted into a program current as it is. As a simple example, in the case of 64 gradation display, 0 of the video data is set to the program current Iw = 0 μA, and the video data 63 is set to the program current Iw = 6.3 μA (having a proportional relationship). Similarly, the video data 32 has a program current Iw = 3.2 μA, and the video data 10 has a program current Iw = 1.0 μA. That is, the video data is directly converted into the program current Iw in a proportional relationship.

理解を容易にするため、映像データとプログラム電流は比例の関係で変換されるとして説明する。実際はさらに容易に、映像データとプログラム電流とを変換できる。図15に図示するように本発明は単位トランジスタ154の単位電流が、映像データの1に該当するからである。さらに、単位電流は基準電流回路を調整することにより、容易に任意の値に調整できるからである。また、基準電流はR、G、B回路ごとに設けられており、RGB回路に基準電流回路を調整することにより全階調範囲にわたりホワイトバランスをとることができるからである。このことは電流プログラム方式で、かつ本発明のソースドライバ回路14、表示パネル構成の相乗効果である。   In order to facilitate understanding, description will be made assuming that the video data and the program current are converted in a proportional relationship. Actually, video data and program current can be converted more easily. This is because the unit current of the unit transistor 154 corresponds to 1 of video data as shown in FIG. Furthermore, the unit current can be easily adjusted to an arbitrary value by adjusting the reference current circuit. This is because the reference current is provided for each of the R, G, and B circuits, and white balance can be achieved over the entire gradation range by adjusting the reference current circuit to the RGB circuit. This is a synergistic effect of the current program method and the configuration of the source driver circuit 14 and the display panel of the present invention.

EL表示パネルでは、プログラム電流とEL素子15の発光輝度が線形の関係にあるという特徴がある。このことは電流プログラム方式の大きな特徴である。つまり、プログラム電流の大きさを制御すれば、リニアにEL素子15の発光輝度を調整できる。   The EL display panel is characterized in that the program current and the light emission luminance of the EL element 15 have a linear relationship. This is a major feature of the current programming method. That is, the emission luminance of the EL element 15 can be adjusted linearly by controlling the magnitude of the program current.

駆動用トランジスタ11aはゲート端子に印加した電圧と、駆動用トランジスタ11aが流す電流とは非線形である(2乗カーブになることが多い)。したがって、電圧プログラム方式では、プログラム電圧と発光輝度とは非線形の関係にあり、きわめて発光制御が困難である。電圧プログラムに比較して電流プログラム方式では極めて発光制御が容易である。   In the driving transistor 11a, the voltage applied to the gate terminal and the current flowing through the driving transistor 11a are nonlinear (often a square curve). Therefore, in the voltage program method, the program voltage and the light emission luminance are in a non-linear relationship, and the light emission control is extremely difficult. Compared with the voltage program, the light emission control is extremely easy in the current program method.

特に、図1の画素構成では、プログラム電流とEL素子15に流れる電流が理論上は等しい。したがって、発光制御は極めて容易である。本発明のN倍パルス駆動の場合も、プログラム電流を1/Nにして計算することにより発光輝度を把握できるから、発光制御の容易という点で優れている。   In particular, in the pixel configuration of FIG. 1, the program current and the current flowing through the EL element 15 are theoretically equal. Therefore, emission control is very easy. The N-fold pulse driving according to the present invention is also excellent in that it is easy to control light emission since the light emission luminance can be grasped by calculating with the program current set to 1 / N.

図11、図12、図13などの画素構成がカレントミラー構成の場合は、駆動用トランジスタ11bとプログラム用トランジスタ11aとが異なり、カレントミラー倍率のずれが発生するため、発光輝度の誤差要因がある。しかし、図1の画素構成では、駆動用トランジスタとプログラム用トランジスタが同一であるから、この課題もない。   When the pixel configuration shown in FIGS. 11, 12, and 13 is a current mirror configuration, the driving transistor 11b and the programming transistor 11a are different from each other, and the current mirror magnification is shifted. . However, the pixel configuration in FIG. 1 does not have this problem because the driving transistor and the programming transistor are the same.

EL素子15は、投入電流量により発光輝度が比例して変化する。EL素子15に印加する電圧(アノード電圧)は固定値である。したがって、EL表示パネルの発光輝度は消費電力と比例の関係にある。   In the EL element 15, the light emission luminance changes in proportion to the input current amount. The voltage (anode voltage) applied to the EL element 15 is a fixed value. Therefore, the light emission luminance of the EL display panel is proportional to the power consumption.

以上のことから、映像データとプログラム電流は比例し、プログラム電流とEL素子15の発光輝度は比例し、EL素子15の発光輝度と消費電力は比例する。したがって、映像データをロジック処理すれば、EL表示パネルの消費電流(電力)、EL表示パネルの発光輝度、EL表示パネルの消費電力を制御できることになる。つまり、映像データをロジック処理(加算など)することにより、EL表示パネルの輝度、消費電力を把握することができる。したがって、ピーク電流が設定値を越えないようにすることなどの処理が極めて容易である。   From the above, the video data and the program current are proportional, the program current and the light emission luminance of the EL element 15 are proportional, and the light emission luminance and the power consumption of the EL element 15 are proportional. Therefore, if the video data is subjected to logic processing, the current consumption (power) of the EL display panel, the light emission luminance of the EL display panel, and the power consumption of the EL display panel can be controlled. That is, the luminance and power consumption of the EL display panel can be grasped by performing logic processing (addition or the like) on the video data. Therefore, processing such as preventing the peak current from exceeding the set value is extremely easy.

特に本発明のEL表示パネルは電流駆動方式である。かつ特徴ある構成のより画像表示制御が容易である。特徴ある画像表示制御方法は2つある。1つは、基準電流の制御である。もう1つはduty比制御である。この基準電流制御と比制御を単独であるいは組み合わせることにより、ダイナミックレンジが広く、かつ高画質表示、高コントラストを実現できる。   In particular, the EL display panel of the present invention is a current drive system. In addition, image display control with a characteristic configuration is easier. There are two distinct image display control methods. One is control of the reference current. The other is duty ratio control. By combining the reference current control and the ratio control singly or in combination, a wide dynamic range, high image quality display, and high contrast can be realized.

基準電流制御は図60、図61、図64、図65、図66(a)(b)に図示するように、ソースドライバIC(回路)14は、各RGBの基準電流を調整する回路を具備している。また、ソースドライバ回路14からのプログラム電流Iwは、単位トランジスタ154の個数で決定される。   In the reference current control, as shown in FIGS. 60, 61, 64, 65, 66 (a) and 66 (b), the source driver IC (circuit) 14 includes a circuit for adjusting the reference current of each RGB. doing. The program current Iw from the source driver circuit 14 is determined by the number of unit transistors 154.

1つの単位トランジスタ154が出力する電流は、基準電流の大きさに比例する。したがって、基準電流を調整することにより、1つの単位トランジスタ154が出力する電流が決定され、プログラム電流の大きさが決定される。基準電流と単位トランジスタ154の出力電流がリニアの関係にあり、かつ、プログラム電流と輝度がリニアの関係にあることから、白ラスター表示で各RGBの基準電流を調整してホワイトバランスを調整すれば、すべての階調でホワイトバランスが維持される。   The current output from one unit transistor 154 is proportional to the magnitude of the reference current. Therefore, by adjusting the reference current, the current output by one unit transistor 154 is determined, and the magnitude of the program current is determined. Since the reference current and the output current of the unit transistor 154 have a linear relationship, and the program current and the luminance have a linear relationship, if the white balance is adjusted by adjusting the reference current of each RGB in white raster display , White balance is maintained in all gradations.

図54はduty比制御方法である。図54(a1)(a2)(a3)(a4)は非表示領域192を連続して挿入する方法である。動画表示に適する。また、図54(a1)が最も画像が暗く、図54(a4)が最も明るい。ゲート信号線17bの制御で自由にduty比を変更できる。図54(c1)(c2)(c3)(c4)は非表示領域192を多数に分割して挿入する方法である。特に静止画表示に適する。また、図54(c1)が最も画像が暗く、図54(c4)が最も明るい。ゲート信号線17bの制御で自由にduty比を変更できる。また、図54(b1)(b2)(b3)(b4)は、図54(a1)〜(a4)と図54(c1)〜(c4)との中間状態である。図54(b1)(b2)(b3)(b4)も同様にゲート信号線17bの制御で自由にduty比を変更できる。つまり、ゲート信号線17bなどの制御によりトランジスタ11dをオンオフさせ、EL素子15に流れる電流を制御する。   FIG. 54 shows a duty ratio control method. 54 (a1), (a2), (a3), and (a4) are methods in which the non-display area 192 is continuously inserted. Suitable for video display. Further, FIG. 54 (a1) is the darkest image, and FIG. 54 (a4) is the brightest. The duty ratio can be freely changed by controlling the gate signal line 17b. 54 (c1), (c2), (c3), and (c4) show a method of inserting the non-display area 192 by dividing it into a large number. Particularly suitable for still image display. Further, FIG. 54 (c1) is the darkest image, and FIG. 54 (c4) is the brightest. The duty ratio can be freely changed by controlling the gate signal line 17b. 54 (b1) (b2) (b3) (b4) are intermediate states between FIGS. 54 (a1) to (a4) and FIGS. 54 (c1) to (c4). Similarly in FIGS. 54 (b1), (b2), (b3), and (b4), the duty ratio can be freely changed by controlling the gate signal line 17b. That is, the transistor 11d is turned on / off by controlling the gate signal line 17b and the like, and the current flowing through the EL element 15 is controlled.

図11、図12の画素構成では、トランジスタ11eをオンオフ制御させ、図7では、切り換えスイッチ71をオンオフ制御する。また、図28の画素構成では、トランジスタ11dを制御して、EL素子15に流れる電流を制御する。   11 and 12, the transistor 11e is on / off controlled, and in FIG. 7, the changeover switch 71 is on / off controlled. In the pixel configuration of FIG. 28, the transistor 11d is controlled to control the current flowing through the EL element 15.

以上のように、duty比制御とは、ソース信号線18に印加するプログラム電流Iwは変化させずに、EL素子15に流れる電流を制御することにより、画面144の明るさ制御を実現する方式である。つまり、基準電流を一定にした状態(変化させずに)で、画面144の明るさ制御を実現する方式である。   As described above, the duty ratio control is a method for realizing brightness control of the screen 144 by controlling the current flowing through the EL element 15 without changing the program current Iw applied to the source signal line 18. is there. That is, this is a method for realizing brightness control of the screen 144 in a state where the reference current is constant (without changing).

また、駆動用トランジスタ11aが流す電流を変更することなく、画面144の明るさ制御を実現する方式である。また、駆動用トランジスタ11aのゲート端子(G)電圧を変更することなく、画面144の明るさ制御を実現する方式である。また、ゲートドライバ12bの走査状態を変化させることにより、ゲート信号線17bなどを制御し、画面144の明るさ制御を実現する方式である。   In addition, the brightness of the screen 144 can be controlled without changing the current flowing through the driving transistor 11a. In addition, the brightness of the screen 144 can be controlled without changing the gate terminal (G) voltage of the driving transistor 11a. In addition, by changing the scanning state of the gate driver 12b, the gate signal line 17b and the like are controlled, and brightness control of the screen 144 is realized.

表示領域193の分散は、表示パネルの画素行数が220本で、1/4duty比であれば、220/4=55となるから、1から55(1の明るさからその55倍の明るさまで調整できる)。また、表示パネルの画素行が220本で、1/2duty比であれば、220/2=110となるから、1から110(1の明るさからその110倍の明るさまで調整できる)。したがって、画面輝度144の明るさの調整レンジは非常に広い(画像表示のダイナミックレンジが広い)。また、いずれに明るさであっても、表現できる階調数を維持できると特徴がある。たとえば、64階調表示であれば、白ラスターでの表示画面144輝度が300ntであっても、3ntであっても64階調表示を実現できる。   The dispersion of the display area 193 is 220/4 = 55 when the number of pixel rows of the display panel is 220 and the 1/4 duty ratio is 1 to 55 (from 1 brightness to 55 times the brightness). Can be adjusted). Further, if the number of pixel rows of the display panel is 220 and the 1/2 duty ratio is 220/2 = 110, 1 to 110 (the brightness can be adjusted from 1 brightness to 110 times the brightness). Therefore, the adjustment range of the brightness of the screen brightness 144 is very wide (the dynamic range of image display is wide). Further, there is a feature that the number of gradations that can be expressed can be maintained regardless of the brightness. For example, in the case of 64-gradation display, 64-gradation display can be realized regardless of whether the brightness of the display screen 144 in white raster is 300 nt or 3 nt.

なお、以前にも説明したが、duty比は、ゲートドライバ回路12bへのスタートパルスを制御することにより容易に変更できる。したがって、1/2duty比、1/4duty比、3/4duty比、3/8duty比と多種多様なduty比を容易に変更できる。   As described before, the duty ratio can be easily changed by controlling the start pulse to the gate driver circuit 12b. Therefore, various duty ratios such as 1/2 duty ratio, 1/4 duty ratio, 3/4 duty ratio, and 3/8 duty ratio can be easily changed.

1水平走査期間(1H)単位のduty比駆動は、水平同期信号に同期させてゲート信号線17bのオンオフ信号を印加すればよい。さらに、1H単位以下でもduty比制御することができる。図40、図41、図42の駆動方法である。1H期間以内において、OEV2制御を行うことにより、微小ステップの明るさ制御(duty比制御)が可能である。   The duty ratio driving in units of one horizontal scanning period (1H) may be performed by applying an on / off signal of the gate signal line 17b in synchronization with the horizontal synchronizing signal. Furthermore, the duty ratio can be controlled even in units of 1H or less. It is the drive method of FIG.40, FIG.41, FIG.42. By performing OEV2 control within 1H period, it is possible to perform brightness control (duty ratio control) in minute steps.

1H以内のduty比制御を行うのは、duty比が1/4duty比以下の場合に実施する。画素行数が220画素行であれば、55/220duty比以下である。つまり、1/220から55/220duty比の範囲で行う。1ステップの変化が変化前から変化後で1/20(5%)以上変化する時に実施する。さらに好ましくは、1/50(2%)以下の変化でもOEV2制御を行い微小なduty比駆動制御を行うことが望ましい。つまり、ゲート信号線17bによるduty比制御では、変化前から変化後の明るさ変化が5%以上になる時は、OEV2(図40などを参照のこと)による制御を行うことにより変化量が5%以下になるように少しずつ変化させる。この変化には、図98で説明するWait機能を導入することが好ましい。   The duty ratio control within 1H is performed when the duty ratio is equal to or less than ¼ duty ratio. If the number of pixel rows is 220 pixel rows, the ratio is 55/220 duty ratio or less. That is, it is performed in the range of 1/220 to 55/220 duty ratio. This is performed when a change in one step changes from 1/20 (5%) or more after change to after change. More preferably, it is desirable to perform minute duty ratio drive control by performing OEV2 control even with a change of 1/50 (2%) or less. That is, in the duty ratio control by the gate signal line 17b, when the brightness change after the change from before the change becomes 5% or more, the change amount is 5 by performing the control by the OEV2 (see FIG. 40 and the like). Change gradually so that it becomes less than%. For this change, it is preferable to introduce the Wait function described in FIG.

duty比が1/4duty比以下で1H以内のduty比制御を実施するのは、1ステップあたりの変化量が大きいためもあるが、画像が中間調であるため、微小な変化でも視覚的に認識されやすいためでもある。人間の視覚は、一定以上の暗い画面では、明るさ変化に対する検出能力が低い。また、一定以上の明るい画面でも、明るさ変化に対する検出能力が低い。これは、人間の視覚が2乗特性に依存しているためと思われる。   The duty ratio control within 1H when the duty ratio is equal to or less than ¼ duty ratio is due to the large amount of change per step, but the image is halftone, so even small changes are visually recognized. It is also because it is easy to be done. Human vision has a low ability to detect changes in brightness on dark screens above a certain level. In addition, even on a bright screen above a certain level, the detection capability for brightness change is low. This seems to be because human vision depends on the square characteristic.

パネルの画素行が200本であれば、50/200duty比以下(1/200以上50/200以下)でOEV2制御を行って、1H以下の期間のduty比制御を行う。1/200duty比から2/200duty比に変化すると1/200duty比と2/200duty比の差は、1/200であり、100%の変化となる。この変化はフリッカとして完全に視覚的に認識されてしまう。したがって、OEV2制御(図40などを参照のこと)を行い、1H(1水平走査期間)以下の期間でEL素子15への電流供給を制御する。なお、1H期間以下(1H期間以内)でduty比制御するとしたが、これに限定するものではない。図19でもわかるように非表示領域192は連続している。つまり、10.5H期間というような制御も本発明の範疇である。つまり、本発明は1H期間に限定されず(小数点以下が発生する)、duty比駆動を行うものである。   If there are 200 pixel rows on the panel, OEV2 control is performed at a 50/200 duty ratio or less (1/200 or more and 50/200 or less), and a duty ratio control is performed for a period of 1H or less. When the 1/200 duty ratio is changed to the 2/200 duty ratio, the difference between the 1/200 duty ratio and the 2/200 duty ratio is 1/200, which is a change of 100%. This change is completely visually recognized as flicker. Therefore, OEV2 control (see FIG. 40 and the like) is performed, and current supply to the EL element 15 is controlled in a period of 1H (one horizontal scanning period) or less. Although the duty ratio control is performed in the 1H period or less (within 1H period), the present invention is not limited to this. As can be seen from FIG. 19, the non-display area 192 is continuous. That is, control such as the 10.5H period is also within the scope of the present invention. In other words, the present invention is not limited to the 1H period (a decimal part is generated), and performs duty ratio driving.

40/200duty比から41/200duty比に変化すると、40/200duty比と41/200duty比の差は、1/200であり、(1/200)/(40/200)で2.5%の変化となる。この変化はフリッカとして視覚的に認識されるか否かは、画面輝度144に依存する可能性が高い。ただし、40/200duty比は中間調表示であるので、視覚的に敏感である。したがって、OEV2制御(図40などを参照のこと)を行い、1H(1水平走査期間)以下の期間でEL素子15への電流供給を制御することが望ましい。   When the 40/200 duty ratio is changed to the 41/200 duty ratio, the difference between the 40/200 duty ratio and the 41/200 duty ratio is 1/200, and the change is 2.5% at (1/200) / (40/200). It becomes. Whether or not this change is visually recognized as flicker is likely to depend on the screen brightness 144. However, since the 40/200 duty ratio is halftone display, it is visually sensitive. Therefore, it is desirable to perform OEV2 control (see FIG. 40 and the like) and to control current supply to the EL element 15 in a period of 1H (one horizontal scanning period) or less.

以上のように、本発明の駆動方法および表示装置は、画素16にEL素子15に流す電流値を記憶できる構成(図1ではコンデンサ19が該当する)と、駆動用トランジスタ11aと発光素子(EL素子15が例示される)との電流経路をオンオフできる構成(図1、図6、図7、図8、図9、図10、図11、図12、図28、図31〜図36などの画素構成が該当する)の表示パネルにあって、少なくとも表示画像の表示状態において図19の表示状態が発生させる(画像の輝度によっては、表示画面144が表示領域193(duty比1/1になってもよい)駆動方法である。かつ、duty比駆動(少なくとも表示画面144の一部が非表示領域193となる駆動方法または駆動状態)が所定のduty比以下では、1水平走査期間(1H期間)以内あるいは1H期間単位に限定されるEL素子15に流す電流を制御して、表示画面144の輝度制御を行うものである。   As described above, the driving method and the display device according to the present invention can store the current value flowing through the EL element 15 in the pixel 16 (corresponding to the capacitor 19 in FIG. 1), the driving transistor 11a, and the light emitting element (EL Configurations that can turn on and off the current path to and from the element 15 (such as FIG. 1, FIG. 6, FIG. 7, FIG. 8, FIG. 9, FIG. 10, FIG. 11, FIG. 12, FIG. 28, FIG. 19 is generated at least in the display state of the display image (the pixel configuration is applicable) (the display screen 144 has a display area 193 (duty ratio 1/1) depending on the luminance of the image). If the duty ratio driving (the driving method or driving state in which at least a part of the display screen 144 becomes the non-display area 193) is equal to or less than a predetermined duty ratio, one horizontal scanning period is possible. By controlling the current passed through the EL element 15 to be limited to the (1H period) within or 1H period unit, and performs brightness control of the display screen 144.

1H単位以内のduty比制御を行う所定duty比は、duty比が1/4duty比以下の場合に実施する。逆に所定duty比以上では、1H単位でduty比制御を行う。もしくはOEV2制御は実施しない。また、1H期間以外のduty比制御は、1ステップの変化が変化前から変化後で1/20(5%)以上変化する時に実施する。さらに好ましくは、1/50(2%)以下の変化でもOEV2制御を行い微小なduty比駆動制御を行うことが望ましい。もしくは、白ラスターの最大輝度の1/4以下の輝度で実施する。   The predetermined duty ratio for performing duty ratio control within 1H unit is implemented when the duty ratio is equal to or less than ¼ duty ratio. Conversely, if the duty ratio is equal to or higher than the predetermined duty ratio, duty ratio control is performed in units of 1H. Or, OEV2 control is not performed. The duty ratio control other than the 1H period is performed when the change of one step changes from before the change to 1/20 (5%) or more after the change. More preferably, it is desirable to perform minute duty ratio drive control by performing OEV2 control even with a change of 1/50 (2%) or less. Alternatively, it is carried out with a luminance of 1/4 or less of the maximum luminance of the white raster.

本発明のduty比制御駆動によれば、図74に図示するように、EL表示パネルの階調表現数が64階調であれば、表示画面144の表示輝度(nt)がいずれの輝度(輝度が低いあるいは高いに関わらず)であっても、64階調表示が維持される。たとえば、画素行数が220本で、1画素行のみが表示領域193(表示状態)の時(duty比1/220)であっても、64階調表示を実現できる。各画素行がソースドライバ回路14のプログラム電流Iwにより順次画像が書き込まれ、ゲート信号線17bにより、この1画素行分が順次画像表示されるからである。全画素行が表示領域193(表示状態)の時(duty比1/1)であっても、64階調表示を実現できる。   According to the duty ratio control drive of the present invention, as shown in FIG. 74, if the number of gradation representations of the EL display panel is 64 gradations, the display luminance (nt) of the display screen 144 is any luminance (luminance). 64 gradation display is maintained even if it is low or high. For example, even when the number of pixel rows is 220 and only one pixel row is in the display region 193 (display state) (duty ratio 1/220), 64-gradation display can be realized. This is because an image is sequentially written in each pixel row by the program current Iw of the source driver circuit 14, and this one pixel row is sequentially displayed by the gate signal line 17b. Even when all the pixel rows are in the display region 193 (display state) (duty ratio 1/1), 64-gradation display can be realized.

もちろん、20画素行が表示領域193(表示状態)の時(duty比20/220=duty比1/11)であっても、64階調表示を実現できる。画素行にソースドライバ回路14のプログラム電流Iwにより順次画像が書き込まれ、ゲート信号線17bによりすべての画素行が同時に画像表示されるからである。また、20画素行のみが表示領域193(表示状態)の時(duty比20/220=duty比1/11)であっても、64階調表示を実現できる。各画素行がソースドライバ回路14のプログラム電流Iwにより順次画像が書き込まれ、ゲート信号線17bにより、この20画素行分が順次走査されて画像表示されるからである。   Of course, even when 20 pixel rows are in the display region 193 (display state) (duty ratio 20/220 = duty ratio 1/11), 64-gradation display can be realized. This is because images are sequentially written to the pixel rows by the program current Iw of the source driver circuit 14, and all the pixel rows are simultaneously displayed by the gate signal lines 17b. Further, even when only 20 pixel rows are in the display region 193 (display state) (duty ratio 20/220 = duty ratio 1/11), 64-gradation display can be realized. This is because an image is sequentially written in each pixel row by the program current Iw of the source driver circuit 14, and the 20 pixel rows are sequentially scanned and displayed by the gate signal line 17b.

なお、本発明の基準電流制御(図50などの回路構成を参照のこと)においても同様であり、基準電流が小さくとも大きくとも、64階調表示を実現できる。   The same applies to the reference current control of the present invention (see the circuit configuration in FIG. 50 and the like), and 64-gradation display can be realized regardless of whether the reference current is small or large.

本発明のduty比制御駆動は、EL素子15の点灯時間の制御であるから、duty比に対する表示画面144の明るさは、リニアの関係にある。したがって、画像の明るさ制御がきわめて容易であり、その信号処理回路もシンプルとなり、低コスト化を実現できる。図60のようにRGBの基準電流を調整し、ホワイトバランスをとる。duty比制御では、R、G、Bを同時に明るさ制御するためにいずれの階調、表示画面144の明るさにおいてもホワイトバランスは維持される。   Since the duty ratio control drive of the present invention is the control of the lighting time of the EL element 15, the brightness of the display screen 144 with respect to the duty ratio has a linear relationship. Therefore, it is very easy to control the brightness of the image, the signal processing circuit is simple, and the cost can be reduced. As shown in FIG. 60, the RGB reference current is adjusted to achieve white balance. In the duty ratio control, white balance is maintained at any gradation and brightness of the display screen 144 in order to simultaneously control the brightness of R, G, and B.

duty比制御は、表示画面144に対する表示領域193の面積を変化させることにより、表示画面144の輝度を変化するものであった。当然、表示面積193に比例してEL表示パネルに流れる電流はほぼ比例して変化する。したがって、映像データの総和を求めることにより、表示画面144のEL素子15に流れる全消費電流を算出することができる。EL素子15のアノード電圧Vddは直流電圧で固定値のため、全消費電流が算出できれば、画像データに応じて全消費電力をリアルタイムで算出することができる。算出された全消費電力が規定された最大電力を越えると予測される場合は、図60の基準電流Icを電子ボリウムなどの調整回路で調整し、RGBの基準電流を抑制制御すればよい。   In the duty ratio control, the luminance of the display screen 144 is changed by changing the area of the display area 193 with respect to the display screen 144. Naturally, the current flowing through the EL display panel changes in proportion to the display area 193. Therefore, by obtaining the sum total of the video data, it is possible to calculate the total consumption current flowing through the EL element 15 of the display screen 144. Since the anode voltage Vdd of the EL element 15 is a DC voltage and is a fixed value, if the total current consumption can be calculated, the total power consumption can be calculated in real time according to the image data. If the calculated total power consumption is predicted to exceed the prescribed maximum power, the reference current Ic in FIG. 60 may be adjusted by an adjustment circuit such as an electronic volume to suppress and control the RGB reference current.

また、白ラスター表示での所定輝度を設定し、この時をduty比最小になるように設定する。たとえば、duty比1/8にする。自然画像はduty比を大きくする。最大のduty比は1/1である。たとえば、表示画面144の1/100しか画像が表示されない自然画像をduty比1/1とする。duty比1/1からduty比1/8は表示画面144の自然画像の表示状態で滑らかに変化させる。   In addition, a predetermined luminance in white raster display is set, and this time is set so as to minimize the duty ratio. For example, the duty ratio is 1/8. For natural images, the duty ratio is increased. The maximum duty ratio is 1/1. For example, a natural image in which an image is displayed only 1/100 of the display screen 144 is set to a duty ratio 1/1. The duty ratio 1/1 to the duty ratio 1/8 is smoothly changed depending on the display state of the natural image on the display screen 144.

以上のように一実施例として、白ラスター表示で(自然画像ではすべての画素が100%点灯している状態)でduty比1/8とし、表示画面144の1/100の画素が点灯している状態をduty比1/1とする。概略の消費電力は、画素数×点灯画素数の割合×duty比で算出できる。   As described above, as an example, in white raster display (all pixels are 100% lit in a natural image), the duty ratio is 1/8, and 1/100 pixel of the display screen 144 is lit. The duty ratio is 1/1. The approximate power consumption can be calculated by the number of pixels × the ratio of the number of lit pixels × duty ratio.

説明を容易にするため、画素数を100とすると、白ラスター表示での消費電力は、100×1(100%)×duty比1/8=80となる。一方、1/100が点灯している自然画像の消費電力は、100×(1/100)(1%)×duty比1/1=1となる。duty比1/1〜duty比1/8は画像の点灯画素数(実際には、点灯画素の総電流=1フレームのプログラム電流の総和)に応じてフリッカが発生しないようになめらかにduty比制御が実施される。   For ease of explanation, assuming that the number of pixels is 100, the power consumption in white raster display is 100 × 1 (100%) × duty ratio 1/8 = 80. On the other hand, the power consumption of a natural image in which 1/100 is lit is 100 × (1/100) (1%) × duty ratio 1/1 = 1. The duty ratio 1/1 to the duty ratio 1/8 is a smooth duty ratio control so that flicker does not occur according to the number of lighting pixels of the image (actually, the total current of the lighting pixels = the sum of the program currents of one frame). Is implemented.

以上のように白ラスターで消費電力割合は80であり、1/100が点灯している自然画像の消費電力割合は、1になる。したがって、白ラスター表示での所定輝度を設定し、この時をduty比最小になるように設定すれば、最大電流を抑制することができる。   As described above, the power consumption ratio of white raster is 80, and the power consumption ratio of a natural image in which 1/100 is lit is 1. Therefore, the maximum current can be suppressed by setting a predetermined luminance in white raster display and setting this time so as to minimize the duty ratio.

本発明は、1画面のプログラム電流の総和をSとし、duty比をDとし、S×Dで駆動制御を実施するものである。また、白ラスター表示でのプログラム電流の総和をSwとし、最大のduty比をDmax(通常は、duty比1/1が最大である)とし、最小のduty比をDminとし、また、任意の自然画像でのプログラム電流の総和をSsとした時、Sw×Dmin ≧ Ss×Dmaxの関係が維持されるようにする駆動方法およびそれを実現する表示装置である。   In the present invention, the sum of the program currents for one screen is S, the duty ratio is D, and drive control is performed with S × D. In addition, the total program current in the white raster display is Sw, the maximum duty ratio is Dmax (usually the duty ratio 1/1 is the maximum), the minimum duty ratio is Dmin, and any natural This is a driving method and a display device that realizes the driving method in which the relationship of Sw × Dmin ≧ Ss × Dmax is maintained when the sum of program currents in the image is Ss.

なお、duty比の最大は1/1とする。最小はduty比1/16以上(1/8など)にすることが好ましい。つまり、duty比は1/16以上1/1以下にする。なお、1/1を必ず使用することには制約されないことは言うまでもない。好ましくは、最小のduty比は1/10以上にする。duty比が小さすぎると、フリッカの発生が目立ちやすく、また、画像内容による画面の輝度変化が大きくなりすぎ、画像が見づらくなるからである。   Note that the maximum duty ratio is 1/1. The minimum is preferably a duty ratio of 1/16 or more (such as 1/8). That is, the duty ratio is set to 1/16 or more and 1/1 or less. Needless to say, the use of 1/1 is not restricted. Preferably, the minimum duty ratio is 1/10 or more. This is because if the duty ratio is too small, the occurrence of flicker is conspicuous, and the change in screen brightness due to the image content becomes too large, making it difficult to see the image.

先にも説明したがプログラム電流は映像データと比例の関係にある。したがって、プログラム電流の総和とは映像データの総和と同義である。なお、1フレーム(1フィールド)期間のプログラム電流の総和を求めるとしたが、これに限定するものではない、1フレーム(1フィールド)において、所定間隔あるいは、所定周期などでプログラム電流を加算する画素をサンプリングしてプログラム電流(映像データ)の総和としてもよい。また、制御を行うフレーム(フィールド)の前後の総和データを用いてもよいし、推定あるいは予測による総和データをもちいて、duty比制御を行っても良い。   As described above, the program current is proportional to the video data. Therefore, the sum of program currents is synonymous with the sum of video data. Although the sum of program currents for one frame (one field) period is obtained, the present invention is not limited to this. Pixels to which program current is added at a predetermined interval or a predetermined period in one frame (one field) May be sampled to obtain the sum of program currents (video data). Further, the sum data before and after the frame (field) to be controlled may be used, or the duty ratio control may be performed using the sum data by estimation or prediction.

図85は本発明の駆動回路のブロック図である。以下、本発明の駆動回路について説明をする。図85では、外部からY/UV映像信号と、コンポジット(COMP)映像信号が入力できるように構成されている。どちらに映像信号を入力するかは、スイッチ回路851により選択される。   FIG. 85 is a block diagram of the drive circuit of the present invention. Hereinafter, the drive circuit of the present invention will be described. In FIG. 85, a Y / UV video signal and a composite (COMP) video signal can be input from the outside. The switch circuit 851 selects which video signal is input.

スイッチ回路851で選択された映像信号は、デコーダおよびA/D回路によりデコードおよびAD変換され、デジタルのRGB画像データに変換される。RGB画像データは各8ビットである。また、RGB画像データはガンマ回路854でガンマ処理される。同時に輝度(Y)信号が求められる。ガンマ処理により、RGB画像データは各10ビットの画像データに変換される。   The video signal selected by the switch circuit 851 is decoded and AD converted by a decoder and an A / D circuit, and converted into digital RGB image data. RGB image data is 8 bits each. The RGB image data is subjected to gamma processing by a gamma circuit 854. At the same time, a luminance (Y) signal is obtained. The RGB image data is converted into 10-bit image data by gamma processing.

ガンマ処理後、画像データはFRC処理または誤差拡散処理が処理回路855で行われる。FRC処理または誤差拡散処理によりRGB画像データは6ビットに変換される。この画像データはAI処理回路856でAI処理あるいはピーク電流処理が実施される。また、動画検出回路857で動画検出が行われる。同時に、カラーマネージメント回路858でカラーマネージメント処理が行われる。   After the gamma processing, the image data is subjected to FRC processing or error diffusion processing by the processing circuit 855. RGB image data is converted into 6 bits by FRC processing or error diffusion processing. This image data is subjected to AI processing or peak current processing by an AI processing circuit 856. The moving image detection circuit 857 performs moving image detection. At the same time, color management processing is performed by the color management circuit 858.

AI処理回路856、動画検出回路857、カラーマネージメント回路858の処理結果は演算回路859に送られ、演算処理回路859で制御演算、duty比制御、基準電流制御データに変換され、変換された結果が、ソースドライバ回路14およびゲートドライバ回路12に制御データとして送出される。   The processing results of the AI processing circuit 856, the moving image detection circuit 857, and the color management circuit 858 are sent to the arithmetic circuit 859. The arithmetic processing circuit 859 converts the results into control arithmetic, duty ratio control, and reference current control data. The data is sent to the source driver circuit 14 and the gate driver circuit 12 as control data.

duty比制御、基準電流比制御、ピーク電流制御などは、OSD(オンスクリーンディスプレイ)には適用しないことが好ましい。OSDでは、ビデオカメラなどにおいて、メニュー画面表示などを行うものである。OSDにおいても、ピーク電流制御などを行うと、メニューの表示状態によって画面が暗くなったり明るくなったりし、視覚的に不具合が発生する。   It is preferable that the duty ratio control, the reference current ratio control, the peak current control, and the like are not applied to the OSD (On Screen Display). In OSD, a menu screen is displayed on a video camera or the like. Even in OSD, when peak current control or the like is performed, the screen becomes darker or brighter depending on the display state of the menu, and a visual defect occurs.

この課題に対しては、図185に図示するように、OSDのデータ(OSDDATA)と映像データ(動画データ)とを別のコントロール回路856で処理をする。基本的には、OSDデータは輝度変調を実施しない。   To deal with this problem, OSD data (OSDDATA) and video data (moving image data) are processed by another control circuit 856 as shown in FIG. Basically, OSD data is not subjected to luminance modulation.

なお、コントローラIC760に関しても、1チップ化することに限定するものではない。たとえば、図248に図示するように、ゲートドライバ回路12を制御するコントローラIC760Gと、ソースドライバ回路14を制御するコントローラIC760Sに分離してもよい。分離により処理内容が明確になり、コントローラICを小サイズ化することが可能である。   Note that the controller IC 760 is not limited to being made into one chip. For example, as shown in FIG. 248, a controller IC 760G that controls the gate driver circuit 12 and a controller IC 760S that controls the source driver circuit 14 may be separated. The processing contents become clear by the separation, and the controller IC can be reduced in size.

duty比制御データはゲートドライバ回路12bに送られ、duty比制御が実施される。一方、基準電流制御データはソースドライバ回路14に送られ、基準電流制御が実施される。ガンマ補正され、FRCまたは誤差拡散処理された画像データもソースドライバ回路14に送られる。   The duty ratio control data is sent to the gate driver circuit 12b, and duty ratio control is performed. On the other hand, the reference current control data is sent to the source driver circuit 14 and the reference current control is performed. Image data that has been subjected to gamma correction and subjected to FRC or error diffusion processing is also sent to the source driver circuit 14.

図62の画像データ変換は、ガンマ回路854のガンマ処理により行う必要がある。ガンマ回路854は、多点折れガンマカーブにより階調変換を行う。256階調の画像データは、多点折れガンマカーブにより1024階調に変換される。ガンマ回路854により多点折れガンマカーブでガンマ変換するとしたが、これに限定するものではない。   The image data conversion in FIG. 62 needs to be performed by gamma processing of the gamma circuit 854. The gamma circuit 854 performs gradation conversion using a multipoint broken gamma curve. The 256-gradation image data is converted to 1024 gradations by a multipoint broken gamma curve. The gamma circuit 854 performs gamma conversion with a multipoint broken gamma curve, but the present invention is not limited to this.

なお、以上の説明ではduty比Dで制御するとして説明したが、duty比は、所定期間(通常は1フィールドまたは1フレームである。つまり、一般的には任意の画素の画像データが書き換えられる周期もしくは時間である)におけるEL素子15の点灯期間である。つまり、duty比1/8とは、1フレームの1/8の期間(1F/8)の間、EL素子15が点灯していることを意味する。したがって、duty比は、画素16が書き変えられる周期時間をTfとし、画素の点灯期間Taとした時、duty比=Ta/Tfと読み替えることができる。   In the above description, the control is performed with the duty ratio D. However, the duty ratio is a predetermined period (usually one field or one frame. In other words, in general, a cycle in which image data of an arbitrary pixel is rewritten. Or the time during which the EL element 15 is turned on. That is, a duty ratio of 1/8 means that the EL element 15 is lit during a 1/8 period (1F / 8) of one frame. Therefore, the duty ratio can be read as duty ratio = Ta / Tf, where Tf is the period when the pixel 16 is rewritten and the lighting period Ta of the pixel.

なお、画素16が書き変えられる周期時間をTfとし、Tfを基準とするとしたがこれに限定されるものではない。本発明のduty比制御駆動は、1フレームあるいは1フィールドで動作を完結させる必要はない。つまり、数フィールドあるいは数フレーム期間を1周期としてduty比制御を実施してもよい。したがって、Tfは画素を書き換える周期だけに限定されるものではなく、1フレームあるいは1フィールド以上であってもよい。たとえば、1フィールドあるいは1フレームごとに点灯期間Taがことなる場合は、繰り返し周期(期間)をTfとし、この期間の総点灯期間Taを採用すればよい。つまり、数フィールドあるいは数フレーム期間の平均点灯時間をTaとしてもよい。duty比についても同様である。duty比がフレーム(フィールド)ごとに異なる場合は、複数フレーム(フィールド)の平均duty比を算出して用いればよい。   In addition, although the period time in which the pixel 16 is rewritten is Tf and is based on Tf, the present invention is not limited to this. The duty ratio control drive of the present invention does not need to complete the operation in one frame or one field. That is, the duty ratio control may be performed with several fields or several frame periods as one cycle. Therefore, Tf is not limited to the cycle of rewriting pixels, and may be one frame or one field or more. For example, if the lighting period Ta is different for each field or frame, the repetition period (period) may be Tf and the total lighting period Ta of this period may be employed. That is, Ta may be the average lighting time of several fields or several frame periods. The same applies to the duty ratio. When the duty ratio differs for each frame (field), an average duty ratio of a plurality of frames (fields) may be calculated and used.

したがって、白ラスター表示でのプログラム電流の総和をSwとし、任意の自然画像でのプログラム電流の総和をSsとし、最小の点灯期間をTas、最大の点灯期間をTam(通常はTam=TfであるからTam/Tf=1)とした時、Sw×(Tas/Tf) ≧ Ss×(Tam/Tf)の関係が維持されるようにする駆動方法およびそれを実現する表示装置である。   Therefore, the sum of program currents in white raster display is Sw, the sum of program currents in an arbitrary natural image is Ss, the minimum lighting period is Tas, and the maximum lighting period is Tam (usually Tam = Tf). To Tam / Tf = 1), a driving method for maintaining the relationship of Sw × (Tas / Tf) ≧ Ss × (Tam / Tf) and a display device that realizes the driving method.

図60、図61、図64、図65に図示あるいは説明したように基準電流の制御により、プログラム電流をリニアに調整することができる。1つあたりの単位トランジスタ154の出力電流が変化するからである。単位トランジスタ154の出力電流を変化させるとプログラム電流Iwも変化する。画素のコンデンサ19にプログラムされる電流(実際はプログラム電流に相当する電圧である)が大きいほど、EL素子15に流れる電流も大きくなる。EL素子15に流れる電流と発光輝度はリニアに比例する。したがって、基準電流を変化することによりEL素子15の発光輝度をリニアに変化させることができる。   As shown in FIGS. 60, 61, 64, and 65, the program current can be linearly adjusted by controlling the reference current. This is because the output current of one unit transistor 154 changes. When the output current of the unit transistor 154 is changed, the program current Iw is also changed. The larger the current programmed in the pixel capacitor 19 (actually, the voltage corresponding to the program current) is, the larger the current flowing through the EL element 15 is. The current flowing through the EL element 15 and the light emission luminance are linearly proportional. Therefore, the light emission luminance of the EL element 15 can be linearly changed by changing the reference current.

本発明のソースドライバ回路(IC)14は、端子155に接続される単位トランジスタ154の個数を制御することによりプログラム電流Iwを変化させるものであった。また、プログラム電流Iwは図60、図62などで説明したように、基準電流Icを変化させることにより実現した。   The source driver circuit (IC) 14 of the present invention changes the program current Iw by controlling the number of unit transistors 154 connected to the terminal 155. The program current Iw is realized by changing the reference current Ic as described with reference to FIGS.

しかし、本発明の基準電流制御などは限定するものではない、一定の基準となるもの(電圧、電流、設定データなど)を変化し、この変化により端子155から出力される電流Iwを変更できるものであればいずれでもよい。ただし、基準となるものの変化により、各出力端子155のプログラム電流Iwが同一割合で変化させることが重要である。なお、プログラム電流Iwの変化に限定するものではない。プログラム電圧であってもよい。各端子155のプログラム電圧が同一割合で変化させることにより、表示画面144の輝度を調整することができるからである。また、RGB端子で変化させることによりホワイトバランスを調整することができるからである。   However, the reference current control or the like of the present invention is not limited, and a constant reference (voltage, current, setting data, etc.) can be changed, and the current Iw output from the terminal 155 can be changed by this change. Any may be used. However, it is important that the program current Iw of each output terminal 155 is changed at the same rate due to a change in the reference. Note that the present invention is not limited to changes in the program current Iw. It may be a program voltage. This is because the luminance of the display screen 144 can be adjusted by changing the program voltage of each terminal 155 at the same rate. Further, the white balance can be adjusted by changing the RGB terminal.

図86は基準電流Icの調整回路を具備しない本発明の実施例である。端子155には、オペアンプ502をトランジスタ156により、プログラム電流Iwが供給される。プログラム電流Iwはサンプリング回路862によりオペアンプ522に印加された電圧により決定される。   FIG. 86 shows an embodiment of the present invention that does not include an adjustment circuit for the reference current Ic. The terminal 155 is supplied with the program current Iw from the operational amplifier 502 through the transistor 156. The program current Iw is determined by the voltage applied to the operational amplifier 522 by the sampling circuit 862.

8ビットの映像データはD/A回路661でアナログデータに変換され、アナログデータは可変増幅回路861で利得調整される。利得調整されたアナログデータはサンプリング回路862において、水平走査クロックでサンプリングされ、各コンデンサCに保持される。なお、可変増幅回路861の利得は8ビットのデータにより設定される。   The 8-bit video data is converted into analog data by the D / A circuit 661, and the analog data is gain-adjusted by the variable amplifier circuit 861. The gain-adjusted analog data is sampled by the horizontal scanning clock in the sampling circuit 862 and held in each capacitor C. Note that the gain of the variable amplifier circuit 861 is set by 8-bit data.

可変増幅回路861の一例としては、図87の構成が例示される。図87において、Vin端子にDA回路661のアナログデータが印加される。また、利得は、抵抗Rxに直列に接続されたスイッチSxにより設定される。スイッチSxは8ビットに利得設定データにより制御される。なお、利得設定データは1フレームあるいは1フィールド単位で変化させることが可能である。   As an example of the variable amplifier circuit 861, the configuration of FIG. 87 is exemplified. In FIG. 87, the analog data of the DA circuit 661 is applied to the Vin terminal. The gain is set by a switch Sx connected in series with the resistor Rx. The switch Sx is controlled by gain setting data at 8 bits. The gain setting data can be changed in units of one frame or one field.

以上の構成から、図87の利得データの制御により、制御データの大きさに比例(相関)して端子155からの出力電流を変化させることができる。   With the above configuration, the output current from the terminal 155 can be changed in proportion (correlation) to the control data by controlling the gain data in FIG.

つまり、いずれかのスイッチSxが閉じることにより利得が設定される。このスイッチSxの制御が、図64のスイッチ回路642、図50の電子ボリウム501に該当する。つまり、スイッチSxの制御によりプログラム電流Iwを変化あるいは調整することができる。   That is, the gain is set by closing one of the switches Sx. The control of the switch Sx corresponds to the switch circuit 642 in FIG. 64 and the electronic volume 501 in FIG. That is, the program current Iw can be changed or adjusted by controlling the switch Sx.

したがって、図86において、アナログデータがCにサンプルホールドされ、サンプルホールドされた電圧により、プログラム電流Iwがソース信号線18に印加される。このプログラム電流Iwは、可変増幅器861の利得データにより変化(制御)される。   Therefore, in FIG. 86, analog data is sampled and held at C, and the program current Iw is applied to the source signal line 18 by the sampled and held voltage. The program current Iw is changed (controlled) by the gain data of the variable amplifier 861.

図86の構成のおいても、利得設定データにより、表示画面144の輝度を一斉に調整(可変)することができる。したがって、本発明のn倍パルス駆動、duty比駆動などを実現することができる。なお、図86などの構成では、単位トランジスタ154は形成されていない構成である。つまり、本発明は、電子ボリウムなどにより基準電流を調整することができ、この基準電流の調整のよりIC14の全出力端子155から出力される電流が比例的に変化させることができる構成に特徴がある。また、後に説明するが基準電流は映像データから求める。つまり、映像データなどからフィードバックをかけ、出力端子155からの電流の大きさを変化させる構成あるいは方法である。なお、実施例では端子から出力される信号は電流としているが、電圧であってもよい。電圧信号によりEL素子15に流れる電流を制御することができるからである(結局、映像データからカソード(アノード)端子に流れる電流を制御できる)。つまり、映像データにより基準電流の大きさあるいは変化量を求め、この基準電流の調整のよりIC14の全出力端子155から出力される電圧が比例的に変化させることができる構成に特徴がある。   Also in the configuration of FIG. 86, the luminance of the display screen 144 can be adjusted (variable) all at once by the gain setting data. Therefore, the n-fold pulse driving, the duty ratio driving, and the like of the present invention can be realized. In the configuration of FIG. 86 and the like, the unit transistor 154 is not formed. That is, the present invention is characterized in that the reference current can be adjusted by an electronic volume or the like, and the current output from all the output terminals 155 of the IC 14 can be changed proportionally by adjusting the reference current. is there. As will be described later, the reference current is obtained from the video data. That is, this is a configuration or method in which feedback is applied from video data or the like to change the magnitude of the current from the output terminal 155. In the embodiment, the signal output from the terminal is a current, but it may be a voltage. This is because the current flowing through the EL element 15 can be controlled by the voltage signal (after all, the current flowing from the video data to the cathode (anode) terminal can be controlled). In other words, the configuration is characterized in that the voltage output from all the output terminals 155 of the IC 14 can be proportionally changed by obtaining the magnitude or amount of change of the reference current from the video data and adjusting the reference current.

また、可変増幅器861を各RGBで設けることにより、ホワイトバランス調整、カラーマネージメント制御を実現できる(図145から図153を参照のこと)。つまり、本発明の表示パネルあるいは装置において、図86の構成のソースドライバ回路(IC)14を用いても、本発明の駆動方式、構成を実現することができる。   Further, by providing the variable amplifier 861 for each RGB, white balance adjustment and color management control can be realized (see FIGS. 145 to 153). That is, in the display panel or device of the present invention, the driving method and configuration of the present invention can be realized even if the source driver circuit (IC) 14 having the configuration of FIG. 86 is used.

なお、本発明は、図60などで説明した基準電流制御方式と、図54(a)(b)(c)などで説明したduty比制御方式のうち、少なくとも一方の方式を用いて画面の明るさなどの制御を行うものである。好ましくは、基準電流制御方式とduty比制御方式を組み合わせて実施することが好ましい。   The present invention uses at least one of the reference current control method described in FIG. 60 and the like and the duty ratio control method described in FIGS. 54A, 54B, 54C, etc. This is to control such as. Preferably, the reference current control method and the duty ratio control method are combined and implemented.

さらに本発明の駆動方式について説明をする。本発明の駆動方法は、EL表示パネルに消費される消費電流の上限にリミットすることが1つの目的である。EL表示パネルはEL素子15に流れる電流を輝度が比例関係にある。したがって、EL素子15に流れる電流を増大させれば、EL表示パネルの輝度もどんどん明るくすることができる。輝度に比例して消費される電流(=消費電力)も増大する。   Further, the driving method of the present invention will be described. One object of the driving method of the present invention is to limit the upper limit of current consumption consumed by the EL display panel. In the EL display panel, the luminance is proportional to the current flowing through the EL element 15. Therefore, if the current flowing through the EL element 15 is increased, the luminance of the EL display panel can be increased. The current consumed (= power consumption) increases in proportion to the luminance.

携帯装置などのモバイル機器に用いる場合は、電池などの容量に制限がある。また、電源回路も消費される電流が大きくなると規模が大きくなる。したがって、消費する電流にはリミットを設ける必要がある。このリミットを設けること(ピーク電流抑制)が本発明の1つの目的である。   When used for a mobile device such as a portable device, the capacity of a battery or the like is limited. Further, the scale of the power supply circuit increases as the current consumed increases. Therefore, it is necessary to provide a limit for the consumed current. Providing this limit (peak current suppression) is one object of the present invention.

また、画像がコントラストを大きくすることにより、表示が良好になる。めりはりのあるように画像(ダイナックレンジが広い、コントラスト比が高い、階調表現力が大きいなど)変換して画像を表示することにより表示が良好になる。以上のように画像表示を良好にすることが本発明の2つめの目的である。以上の目的を実現する本発明をAI駆動と呼ぶことにする。   Further, the display is improved by increasing the contrast of the image. Display is improved by converting an image (such as a wide dynamic range, a high contrast ratio, and a large gradation expression power) so that the image is displayed with an edge. The second object of the present invention is to improve the image display as described above. The present invention that achieves the above object will be referred to as AI driving.

まず、説明を容易にするために、本発明のICチップ14は64階調表示であるとする。AI駆動を実現するためには、階調表現範囲を拡大することが望ましい。説明を容易にするために、本発明のソースドライバIC(回路)14は64階調表示とし、画像データは256階調とする。この画像データをEL表示装置のガンマ特性に適合するように、ガンマ変換を行う。ガンマ変換は入力256階調を1024階調に拡大することによって実施する。ガンマ変換された画像データは、ソースドライバIC14の64階調に適合するように、誤差拡散処理あるいはフレームレートコントロール(FRC)処理が行われ、ソースドライバIC14に印加される。   First, for ease of explanation, it is assumed that the IC chip 14 of the present invention has a 64-gradation display. In order to realize AI driving, it is desirable to expand the gradation expression range. For ease of explanation, the source driver IC (circuit) 14 according to the present invention has 64 gradation display and the image data has 256 gradation. This image data is subjected to gamma conversion so as to match the gamma characteristic of the EL display device. The gamma conversion is performed by expanding the input 256 gradations to 1024 gradations. The gamma-converted image data is subjected to error diffusion processing or frame rate control (FRC) processing so as to conform to the 64 gradations of the source driver IC 14 and is applied to the source driver IC 14.

1画面の画像データが全体的に大きいときは画像データの総和は大きくなる。たとえば、白ラスターは64階調表示の場合は画像データとしては63であるから、表示画面144の画素数×63が画像データの総和である。1/100の白ウインドウ表示で、白表示部が最大輝度の白表示では、表示画面144の画素数×(1/100)×63が画像データの総和である。   When the image data of one screen is large as a whole, the total sum of the image data becomes large. For example, since the white raster has 63 grayscale image data, the number of pixels of the display screen 144 × 63 is the sum of the image data. In the white window display of 1/100 and the white display portion displaying white with the maximum luminance, the number of pixels of the display screen 144 × (1/100) × 63 is the sum of the image data.

本発明では画像データの総和あるいは画面の消費電流量を予測できる値を求め、この総和あるいは値により、duty比制御あるいは基準電流制御を行う。   In the present invention, a value capable of predicting the total sum of image data or the current consumption amount of the screen is obtained, and the duty ratio control or the reference current control is performed based on this sum or value.

なお、画像データの総和を求めるとしたが、これに限定するものではない。たとえば、画像データの1フレームの平均レベルを求めてこれを用いてもよい。アナログ信号であれば、アナログ画像信号をコンデンサによりフィルタリングすることにより平均レベルを得ることができる。アナログの映像信号に対しフィルタを介して直流レベルを抽出し、この直流レベルをAD変換して画像データの総和としてもよい。この場合は、画像データはAPLレベルとも言うことができる。   Although the sum of the image data is obtained, the present invention is not limited to this. For example, an average level of one frame of image data may be obtained and used. In the case of an analog signal, the average level can be obtained by filtering the analog image signal with a capacitor. A direct current level may be extracted from an analog video signal through a filter, and the direct current level may be AD converted to be a sum of image data. In this case, the image data can also be referred to as an APL level.

また、30フレームから300フレーム期間の画像データの総和あるいは総和を推定できるデータを求め、このデータの大きさに基づいて、duty比制御を行うこと好ましい。総和データは画像変化に応じてゆっくりと変化する。総和データを求めるフレーム期間が長いほど画像の明るさ変化はゆっくりとなる。   It is also preferable to obtain data that can estimate the sum of image data or the sum of image data from 30 frames to 300 frames, and perform duty ratio control based on the size of the data. The total data changes slowly according to image changes. The longer the frame period for obtaining the total data, the slower the brightness change of the image.

また、表示画面144を構成する画像のすべてのデータを加算する必要はなく、表示画面144の1/W(Wは1より大きい値)をピックアップして抽出し、ピックアップしたデータの総和を求めてもよい。たとえば、1画素とばしで映像データをサンプリングし、サンプリングされた映像データから総和を求めるなどの方法が例示される。また、1画素行ごとに1または複数の画素の映像データをサンプリングし、サンプリングされた映像データから総和を求める方法が例示される。   Further, it is not necessary to add all the data of the image constituting the display screen 144, and 1 / W (W is a value greater than 1) of the display screen 144 is picked up and extracted, and the sum of the picked up data is obtained. Also good. For example, a method of sampling video data by skipping one pixel and obtaining the sum from the sampled video data is exemplified. Further, there is exemplified a method of sampling video data of one or a plurality of pixels for each pixel row and obtaining a sum from the sampled video data.

説明を容易にするため、以上の場合も画像データの総和を求めるとして説明をする。画像データの総和は、画像のAPLレベルをもとめる事に一致する場合が多い。また、画像データの総和とは、デジタル的に加算する手段もあるが、以上のデジタルおよびアナログによる画像データの総和を求める方法を、以後、説明を容易にするためAPLレベルと呼ぶ。   In order to facilitate the description, the description will be made assuming that the sum of the image data is also obtained in the above case. In many cases, the sum of the image data coincides with the determination of the APL level of the image. The sum total of image data includes means for digital addition, but the method for obtaining the sum total of digital and analog image data is hereinafter referred to as an APL level for ease of explanation.

白ラスターの時にAPLレベルは画像がRGB各6ビットであるから63(63階調目であるからデータの表現としては63で示されている)×画素数(QCIFパネルの場合は176×RGB×220)となる。したがって、APLレベルは最大となる。ただし、RGBのEL素子15で消費する電流は異なるから、RGBで分離して画像データを算出することが好ましい。   Since the APL level is 6 bits for each of RGB in the white raster, 63 (indicated by 63 as data representation because it is the 63rd gradation) × number of pixels (176 × RGB × for the QCIF panel) 220). Therefore, the APL level is maximized. However, since the current consumed by the RGB EL elements 15 is different, it is preferable to calculate the image data separately for RGB.

この課題に対して、図88に図示する演算回路を使用する。図88において、881、882乗算器である。881は発光輝度を重み付けする乗算器である。R、G、Bでは視感度が異なる。NTSCでの視感度は、R:G:B=3:6:1である。したがって、Rの乗算器881Rでは、R画像データ(Rdata)に対して3倍の乗算を行う。また、Gの乗算器881Gでは、G画像データ(Gdata)に対して6倍の乗算を行う。また、Bの乗算器881Bでは、B画像データ(Bdata)に対して1倍の乗算を行う。ただし、この記述は概念的である。EL素子はRGBで効率が異なっているからである。
EL素子15はRGBで発光効率が異なる。通常、Bの発光効率が最も悪い。次にGが悪い。Rが最も発光効率が良好である。そこで、乗算器882で発光効率の重み付けを行う。Rの乗算器882Rでは、R画像データ(Rdata)に対してRの発光効率の乗算を行う。また、Gの乗算器882Gでは、G画像データ(Gdata)に対してGの発光効率の乗算を行う。また、Bの乗算器882Bでは、B画像データ(Bdata)に対してBの発光効率の乗算を行う。
For this problem, the arithmetic circuit shown in FIG. 88 is used. In FIG. 88, there are 881 and 882 multipliers. Reference numeral 881 denotes a multiplier for weighting the emission luminance. R, G, and B have different visibility. The visibility in NTSC is R: G: B = 3: 6: 1. Therefore, the R multiplier 881R multiplies the R image data (Rdata) by a factor of three. The G multiplier 881G multiplies G image data (Gdata) by 6 times. Further, the B multiplier 881B performs multiplication of 1 time on the B image data (Bdata). However, this description is conceptual. This is because EL elements have different efficiencies in RGB.
The EL element 15 has different luminous efficiencies for RGB. Usually, the luminous efficiency of B is the worst. Next, G is bad. R has the best luminous efficiency. Therefore, the multiplier 882 weights the light emission efficiency. The R multiplier 882R multiplies the R image data (Rdata) by the R luminous efficiency. The G multiplier 882G multiplies the G image data (Gdata) by the G light emission efficiency. The B multiplier 882B multiplies the B image data (Bdata) by the B light emission efficiency.

乗算器881および882の結果は、加算器883で加算され、総和回路884に蓄積される。この総和回路884の結果にもとづき、duty比制御、基準電流制御を実施する。   The results of multipliers 881 and 882 are added by adder 883 and accumulated in summation circuit 884. Based on the result of the summing circuit 884, duty ratio control and reference current control are performed.

以上の実施例では、映像データに、EL素子15などの効率を考慮し、所定値を乗算することによりデータを求める。本発明は、映像データから表示パネルのアノードまたはカソード端子に流れる電流を求めるものである。   In the embodiment described above, data is obtained by multiplying video data by a predetermined value in consideration of the efficiency of the EL element 15 and the like. The present invention obtains the current flowing from the video data to the anode or cathode terminal of the display panel.

通常、RGBのEL素子15は、EL材料ごとに発光効率が既知であり、電流と輝度の関係がわかっている。また、EL表示パネルは生産する時の目標色温度が決定されている。したがって、EL表示パネルの表示サイズと目標輝度が決定されれば、目標色温度にするための、EL表示パネルに流すRGB電流の比率と大きさがわかる。このことから、EL表示パネルのアノード端子あるいはカソード端子に流す電流を所定値にすることにより、目標とする輝度と色温度を得ることができる。   Usually, the RGB EL element 15 has a known luminous efficiency for each EL material, and the relationship between current and luminance is known. In addition, the target color temperature when the EL display panel is produced is determined. Therefore, if the display size and the target luminance of the EL display panel are determined, the ratio and the magnitude of the RGB current that flows through the EL display panel to obtain the target color temperature can be known. Therefore, the target luminance and color temperature can be obtained by setting the current flowing through the anode terminal or cathode terminal of the EL display panel to a predetermined value.

アノード端子あるいはカソード端子に流れる電流は映像データの総和に比例する。以上のことから、映像データの総和からアノード電流(カソード電流)を求めることができる。アノード電流とは表示領域に接続されたアノード端子に流れ込む電流である。カソード電流とは表示領域に接続されたカソード端子から流れ出す電流である。アノード電圧またはカソード電圧は固定値であるから、映像データからEL表示パネルの消費電力を制御することができる。   The current flowing through the anode terminal or the cathode terminal is proportional to the sum of the video data. From the above, the anode current (cathode current) can be obtained from the sum of the video data. The anode current is a current that flows into the anode terminal connected to the display area. The cathode current is a current that flows out from the cathode terminal connected to the display area. Since the anode voltage or the cathode voltage is a fixed value, the power consumption of the EL display panel can be controlled from the video data.

つまり、映像データ(の総和)の大きさあるいは大きさの変化をリアルタイムでモニタ(演算)することにより、EL表示パネルが必要とするカソード(アノード)電流を得ることができ、この電流の大きさをどの大きさに抑制すべきであるかがわかっておれば、基準電流制御、duty比制御により電流の大きさを制御することができる。もちろん、アノード電流あるいはカソード電流の大きさをAD(アナログデジタル)変換することにより、変換されたデジタルデータから基準電流制御、duty比制御により電流の大きさを制御することができる。また、アナログデータを直接用いてオペアンプなどにより増幅率のフィードバック制御を実施することにより、基準電流制御、duty比制御により電流の大きさを制御することができる。つまり、制御としてはデジタル、アナログ方式を問わない。   That is, by monitoring (calculating) the size of the video data (total) or a change in the size in real time, the cathode (anode) current required by the EL display panel can be obtained. If it is known to which magnitude should be suppressed, the magnitude of the current can be controlled by reference current control and duty ratio control. Of course, by converting the magnitude of the anode current or cathode current from analog to digital (AD), the magnitude of the current can be controlled from the converted digital data by reference current control and duty ratio control. Further, by performing feedback control of amplification factor by using an operational amplifier directly using analog data, the magnitude of current can be controlled by reference current control and duty ratio control. That is, the control may be digital or analog.

以上のように、本発明は、映像データ(もしくはこれに比例するデータ)の大きさ(もしくは推定できるデータ)から、EL表示パネルで消費する電力(電流)を算出あるいは制御し、duty比制御、基準電流制御を実施するものである。   As described above, the present invention calculates or controls the power (current) consumed by the EL display panel from the size (or data that can be estimated) of the video data (or data proportional thereto), and controls the duty ratio. Reference current control is performed.

なお、映像データ(もしくはこれに比例するデータ)の大きさ(もしくは推定できるデータ)から、EL表示パネルで消費する電力(電流)の算出は、1フレーム(1フィールド)ごとに実施することに限定されるものではなく、複数フレーム(フィールド)ごとに行ってもよく、また、1フレーム(1フィールド)で複数回行っても良いことは言うまでもない。また、基準電流制御、duty比制御はリアルタイムで実施することに限定されるものではなく、遅延させたり、ヒステリシスで実施したり、飛ばし飛ばしで実施してもよいことは言うまでもない。   Note that the calculation of the power (current) consumed by the EL display panel from the size (or data that can be estimated) of the video data (or data proportional thereto) is limited to being performed for each frame (one field). Needless to say, it may be performed for each of a plurality of frames (fields), or may be performed a plurality of times in one frame (one field). Needless to say, the reference current control and the duty ratio control are not limited to being performed in real time, and may be performed with delay, hysteresis, or skipping.

なお、基準電流制御、duty比制御によりEL表示パネルのアノード電流またはカソード電流の大きさを制御するとしたが、これに限定するものではなく、アノード電圧またはカソード電圧を制御することによっても、EL表示パネルの消費電力を制御することとができることは言うまでもない。   The magnitude of the anode current or cathode current of the EL display panel is controlled by reference current control and duty ratio control. However, the present invention is not limited to this, and EL display can also be controlled by controlling the anode voltage or cathode voltage. Needless to say, the power consumption of the panel can be controlled.

図88のように制御すると、輝度信号(Y信号)に対するduty比制御、基準電流制御を実施することができる。しかし、輝度信号(Y信号)を求めて、duty比制御などを行うと課題が発生する場合がある。たとえば、ブルーバック表示である。ブルーバック表示ではEL表示パネルで消費する電流は比較的大きい。しかし、表示輝度は低い。ブルー(B)の視感度が低いためである。そのため、輝度信号(Y信号)の総和(APLレベル)は小さく算出されるため、duty比制御が高duty比になる。したがって、フリッカの発生などが生じる。   If control is performed as shown in FIG. 88, duty ratio control and reference current control for the luminance signal (Y signal) can be performed. However, when a luminance signal (Y signal) is obtained and duty ratio control is performed, a problem may occur. For example, a blue back display. In the blue back display, the current consumed by the EL display panel is relatively large. However, the display brightness is low. This is because the visibility of blue (B) is low. Therefore, the sum (APL level) of the luminance signal (Y signal) is calculated to be small, and the duty ratio control becomes a high duty ratio. Accordingly, flicker occurs.

この課題に対しては、乗算器881をスルーにして用いるとよい。消費電流に対する総和(APLレベル)が求められるからである。輝度信号(Y信号)による総和(APLレベル)と消費電流による総和(APLレベル)は、両方を求めて加味して総合APLレベルを求めることが望ましい。総合APLレベルによりduty比制御、基準電流制御またプリチャージ制御などを実施する。   For this problem, the multiplier 881 may be used as through. This is because the sum (APL level) with respect to the current consumption is obtained. It is desirable to obtain the total APL level by taking both the sum (APL level) based on the luminance signal (Y signal) and the sum (APL level) based on the current consumption into consideration. Depending on the total APL level, duty ratio control, reference current control, precharge control, etc. are performed.

黒ラスターは64階調表示の場合は0階調目であるから、APLレベルは0で最小値となる。電流駆動方式では、消費電力(消費電流)は画像データに比例する。なお、画像データは、表示画面144を構成するデータの全ビットをカウントする必要はなく、たとえば、画像が6ビットで表現される場合、上位ビット(MSB)のみをカウントしてもよい。この場合は、階調数が32以上で、1カウントされる。したがって、表示画面144を構成する画像データによりAPLレベルは変化する。つまり、映像データの総和とは、完全な総和ではなく、総和を推定できる方式であればいずれでもよい。   Since the black raster is the 0th gradation in the case of the 64 gradation display, the APL level is 0 and becomes the minimum value. In the current driving method, power consumption (current consumption) is proportional to image data. The image data does not need to count all bits of the data constituting the display screen 144. For example, when the image is represented by 6 bits, only the upper bits (MSB) may be counted. In this case, the number of gradations is 32 or more and one count is made. Therefore, the APL level changes depending on the image data constituting the display screen 144. In other words, the sum total of video data is not a complete sum but may be any method that can estimate the sum.

なお、最初はアナログ的な概念から映像データの総和あるいは総和に類似する指標としてAPLレベルという語を用いる。しかし、後には、点灯率として説明を行う。なお、点灯率は後に説明をする。   Initially, the term “APL level” is used as an index similar to the sum of video data or the sum from the analog concept. However, later, it demonstrates as a lighting rate. The lighting rate will be described later.

理解を容易にするため、具体的に数値を例示して説明する。ただし、これは仮想的であり、実際には実験、画像評価により制御データ、制御方法を決定する必要がある。   In order to facilitate understanding, specific numerical values will be exemplified. However, this is virtual, and it is actually necessary to determine control data and a control method by experiment and image evaluation.

EL表示パネルで最大に流せる電流を100(mA)とする。白ラスター表示ととき、総和(APLレベル)は200(単位なし)になるとする。このAPLレベルが200の時、そのままパネルに印加するとEL表示パネルに200(mA)が流れるとする。なお、APLレベルが0の時、EL表示パネルに流れる電流は0(mA)である。また、APLレベルが100の時、duty比は1/2で駆動するものとする。   The maximum current that can be passed through the EL display panel is 100 (mA). In the case of white raster display, the total (APL level) is assumed to be 200 (no unit). When the APL level is 200, it is assumed that 200 (mA) flows in the EL display panel when applied to the panel as it is. When the APL level is 0, the current flowing through the EL display panel is 0 (mA). When the APL level is 100, the duty ratio is ½.

したがって、APLが100以上の場合は、制限である100(mA)以下となるようにする必要がある。最も簡単には、APLレベルが200の時、duty比を(1/2)×(1/2)=1/4にし、APLレベルが100の時、duty比を1/2とする。APLレベルが100以上200以下の時は、duty比が1/4〜1/2の間をとるように制御する。duty比1/4〜1/2は、EL選択側のゲートドライバ回路12bが、同時に選択するゲート信号線17bの本数を制御することにより実現できる。   Therefore, when the APL is 100 or more, it is necessary to make the limit 100 (mA) or less. Most simply, when the APL level is 200, the duty ratio is (1/2) × (1/2) = 1/4, and when the APL level is 100, the duty ratio is 1/2. When the APL level is 100 or more and 200 or less, the duty ratio is controlled to be between 1/4 and 1/2. The duty ratio of 1/4 to 1/2 can be realized by controlling the number of gate signal lines 17b to be simultaneously selected by the gate driver circuit 12b on the EL selection side.

ただし、APLレベルのみを考慮し、duty比制御を実施すれば、画像に応じて表示画面144の平均輝度(APL)に応じで表示画面144の輝度が変化し、フリッカが発生する。この課題に対して、もとめるAPLレベルは、少なくとも2フレーム、このましくは、10フレームさらに好ましくは60フレーム以上の期間保持し、この期間で演算して、APLレベルによりduty比制御によるduty比を算出する。また、表示画面144の最大輝度(MAX)、最小輝度(MIN)、輝度の分布状態(SGM)などの画像の特徴抽出を行ってduty比制御を行うことが好ましい。以上の事項は、基準電流制御にも適用されることは言うまでもない。   However, if the duty ratio control is performed considering only the APL level, the luminance of the display screen 144 changes according to the average luminance (APL) of the display screen 144 according to the image, and flicker occurs. In order to solve this problem, the APL level to be obtained is held for a period of at least 2 frames, preferably 10 frames, more preferably 60 frames or more, and calculation is performed during this period, and the duty ratio by duty ratio control is calculated based on the APL level. calculate. It is also preferable to perform duty ratio control by extracting image features such as maximum luminance (MAX), minimum luminance (MIN), and luminance distribution state (SGM) of the display screen 144. Needless to say, the above items also apply to the reference current control.

また、画像の特徴抽出により、黒伸張、白伸張を実施することも重要である。これは、最大輝度(MAX)、最小輝度(MIN)、輝度の分布状態(SGM)、シーンの変化状態を考慮して行うとよい。つまり、総和(APLレベルあるいは点灯率)は、映像データの加算だけでなく、画像表示の分布状態などを考慮して補正などを行うことが好ましい。回路構成としては、図88の加算器883cの補正回路(図示せず)の補正量を加算する構成などが例示される。   It is also important to perform black stretching and white stretching by extracting image features. This may be performed in consideration of maximum luminance (MAX), minimum luminance (MIN), luminance distribution state (SGM), and scene change state. That is, it is preferable to correct the total (APL level or lighting rate) in consideration of not only the addition of video data but also the distribution state of the image display. Examples of the circuit configuration include a configuration for adding correction amounts of a correction circuit (not shown) of the adder 883c in FIG.

ガンマ回路854により多点折れガンマカーブでガンマ変換するとしたが、これに限定するものではない。図89に図示するように、一点折れガンマカーブでガンマ変換してもよい。一点折れガンマカーブを構成するハード規模が小さいため、コントロールICを低コスト化できる。   The gamma circuit 854 performs gamma conversion with a multipoint broken gamma curve, but the present invention is not limited to this. As shown in FIG. 89, gamma conversion may be performed using a one-point broken gamma curve. Since the hardware scale constituting the one-point broken gamma curve is small, the cost of the control IC can be reduced.

図89において、aは32階調目での折れ線ガンマ変換である。bは64階調目での折れ線ガンマ変換である。cは96階調目での折れ線ガンマ変換である。dは128階調目での折れ線ガンマ変換である。画像データが高階調に集中している場合は、高階調での階調数を多くするため、図89のdのガンマカーブを選択する。画像データが低階調に集中している場合は、低階調での階調数を多くするため、図89のaのガンマカーブを選択する。画像データの分布が分散している場合は、図89のb、cなどのガンマカーブを選択する。なお、以上の実施例では、ガンマカーブを選択するとしたが、実際には、ガンマカーブは演算により発生させるので選択するのではない。   In FIG. 89, a is a polygonal line gamma conversion at the 32nd gradation. b is a polygonal line gamma conversion at the 64th gradation. c is a polygonal line gamma conversion at the 96th gradation. d is a polygonal line gamma conversion at the 128th gradation. When the image data is concentrated at high gradations, the gamma curve d in FIG. 89 is selected to increase the number of gradations at high gradations. When the image data is concentrated in the low gradation, the gamma curve of a in FIG. 89 is selected to increase the number of gradations in the low gradation. If the distribution of the image data is dispersed, gamma curves such as b and c in FIG. 89 are selected. In the above embodiment, the gamma curve is selected. However, actually, the gamma curve is not selected because it is generated by calculation.

ガンマカーブの選択は、APLレベル、最大輝度(MAX)、最小輝度(MIN)、輝度の分布状態(SGM)を加味して行う。また、duty比制御、基準電流制御も加味して行う。   The gamma curve is selected in consideration of the APL level, maximum luminance (MAX), minimum luminance (MIN), and luminance distribution state (SGM). Further, duty ratio control and reference current control are also taken into consideration.

図90は多点折れガンマカーブの実施例である。画像データが高階調に集中している場合は、高階調での階調数を多くするため、図89のnのガンマカーブを選択する。画像データが低階調に集中している場合は、低階調での階調数を多くするため、図89のaのガンマカーブを選択する。画像データの分布が分散している場合は、図89のbからn−1のガンマカーブを選択する。ガンマカーブの選択は、APLレベル、最大輝度(MAX)、最小輝度(MIN)、輝度の分布状態(SGM)、シーン変化割合、シーン変化量、シーン内容を加味して行う。また、duty比制御、基準電流制御も加味して行う。
表示パネル(表示装置)が使用する環境に合わせて選択するガンマカーブを変化することも有効である。特にEL表示パネルでは、屋内では良好な画像表示を実現できるが、屋外では低階調部は見えない。EL表示パネルは自発光のためである。そこで、図91に図示するように、ガンマカーブを変化させてもよい。ガンマカーブaは屋内用のガンマカーブである。ガンマカーブbは屋外用のガンマカーブである。ガンマカーブaとbとの切り替えは、ユーザーがスイッチを操作することにより切り替えるようにする。また、外光の明るさをホトセンサで検出し、自動的に切り替えるようにしてもよい。なお、ガンマカーブを切り替えるとしたが、これに限定するものではない。計算によりガンマカーブを発生させてもよいことは言うまでもない。屋外の場合は、外光が明るいため、低階調表示部は見えない。したがって、低階調部をつぶすガンマカーブbを選択することが有効である。
FIG. 90 shows an example of a multipoint broken gamma curve. When the image data is concentrated in high gradations, the n gamma curve in FIG. 89 is selected to increase the number of gradations in the high gradations. When the image data is concentrated in the low gradation, the gamma curve of a in FIG. 89 is selected to increase the number of gradations in the low gradation. If the distribution of the image data is dispersed, an n-1 gamma curve is selected from b in FIG. The gamma curve is selected in consideration of the APL level, maximum luminance (MAX), minimum luminance (MIN), luminance distribution state (SGM), scene change rate, scene change amount, and scene contents. Further, duty ratio control and reference current control are also taken into consideration.
It is also effective to change the gamma curve selected in accordance with the environment used by the display panel (display device). In particular, in an EL display panel, a good image display can be realized indoors, but a low gradation portion cannot be seen outdoors. The EL display panel is for self light emission. Therefore, as shown in FIG. 91, the gamma curve may be changed. The gamma curve a is an indoor gamma curve. The gamma curve b is an outdoor gamma curve. The gamma curves a and b are switched by the user operating the switch. Alternatively, the brightness of outside light may be detected by a photo sensor and automatically switched. Although the gamma curve is switched, the present invention is not limited to this. It goes without saying that a gamma curve may be generated by calculation. In the case of outdoors, the low gradation display portion cannot be seen because the outside light is bright. Therefore, it is effective to select the gamma curve b that crushes the low gradation part.

屋外では、図92のようにガンマカーブを発生させることも有効である。ガンマカーブaは128階調目までは出力階調は0にする。128階調からガンマ変換を行う。以上のように、低階調部は全く表示しないようにガンマ変換することにより消費電力を削減できる。また、図92のガンマカーブbのようにガンマ変換を行っても良い。図92のガンマカーブは128階調目までは出力階調を0にする。128以上は出力階調を512以上とする。図92のガンマカーブbでは高階調部を表示し、出力階調数も少なくすることにより屋外でも画像表示を見えやすくする効果がある。   In the outdoors, it is also effective to generate a gamma curve as shown in FIG. In the gamma curve a, the output gradation is set to 0 until the 128th gradation. Gamma conversion is performed from 128 gradations. As described above, power consumption can be reduced by performing gamma conversion so that the low gradation portion is not displayed at all. Also, gamma conversion may be performed as shown in the gamma curve b in FIG. The gamma curve in FIG. 92 sets the output gradation to 0 up to the 128th gradation. For 128 or more, the output gradation is 512 or more. In the gamma curve b of FIG. 92, a high gradation part is displayed and the number of output gradations is reduced, so that the image display can be easily seen even outdoors.

本発明の駆動方式では、duty比制御と基準電流制御により画像輝度を制御し、また、ダイナミックレンジを拡大する。また、高コントラスト表示を実現する。   In the drive system of the present invention, image luminance is controlled by duty ratio control and reference current control, and the dynamic range is expanded. In addition, high contrast display is realized.

液晶表示パネルでは、白表示および黒表示はバックライトからの透過率で決定される。本発明のduty比駆動のように表示画面144に非表示領域192を発生させても、黒表示における透過率は一定である。逆に非表示領域192を発生させることにより、1フレーム期間における白表示輝度が低下するから表示コントラストは低下する。
EL表示パネルは、黒表示においてEL素子15に流れる電流が0の状態(電流が流れないあるいは微小)である。したがって、本発明のduty比駆動のように表示画面144に非表示領域192を発生させても、黒表示の輝度は0である。非表示領域192の面積を大きくすると白表示輝度は低下する。しかし、黒表示の輝度が0であるから、コントラストは無限大である。したがって、duty比駆動は、EL表示パネルに最適な駆動方法である。以上のことは、基準電流制御においても同様である。基準電流の大きさを変化させても、黒表示の輝度は0である。基準電流を大きくすると白表示輝度は増加する。したがって、基準電流制御においても良好な画像表示を実現できる。
In the liquid crystal display panel, white display and black display are determined by the transmittance from the backlight. Even when the non-display area 192 is generated on the display screen 144 as in the duty ratio driving of the present invention, the transmittance in black display is constant. On the contrary, by generating the non-display area 192, the white display luminance in one frame period is lowered, so that the display contrast is lowered.
The EL display panel is in a state where the current flowing through the EL element 15 is zero (no current flows or is minute) in black display. Therefore, even when the non-display area 192 is generated on the display screen 144 as in the duty ratio drive of the present invention, the luminance of black display is zero. When the area of the non-display area 192 is increased, the white display luminance is lowered. However, since the luminance of black display is 0, the contrast is infinite. Therefore, the duty ratio driving is an optimal driving method for the EL display panel. The same applies to the reference current control. Even if the magnitude of the reference current is changed, the luminance of black display is zero. Increasing the reference current increases the white display luminance. Therefore, a good image display can be realized even in the reference current control.

duty比制御は、全階調範囲で階調数が保持され、また、全階調範囲でホワイトバランスが維持される。また、duty比制御により表示画面144の輝度変化は10倍近く変化させることができる。また、変化はduty比に線形の関係になるから制御も容易である。しかし、duty比制御は、N倍パルス駆動であるから、EL素子15に流れる電流の大きさが大きく、また、表示画面144の輝度にかかわらず、常時EL素子に流れる電流の大きさが大きくなり、EL素子15が劣化しやすいという課題がある。   In the duty ratio control, the number of gradations is maintained in the entire gradation range, and the white balance is maintained in the entire gradation range. Further, the luminance change of the display screen 144 can be changed by nearly 10 times by the duty ratio control. Further, since the change has a linear relationship with the duty ratio, the control is easy. However, since the duty ratio control is N-fold pulse driving, the current flowing through the EL element 15 is large, and the current flowing through the EL element is always large regardless of the brightness of the display screen 144. There is a problem that the EL element 15 is easily deteriorated.

基準電流制御は、画面輝度144を高くするときに、基準電流量を大きくするものである。したがって、表示画面144が高いときにしか、EL素子15に流れる電流は大きくならない。そのため、EL素子15が劣化しにくい。課題は、基準電流を変化させた時のホワイトバランス維持が困難である傾向が強い。   In the reference current control, when the screen brightness 144 is increased, the reference current amount is increased. Therefore, the current flowing through the EL element 15 is increased only when the display screen 144 is high. Therefore, the EL element 15 is not easily deteriorated. The problem tends to be that it is difficult to maintain white balance when the reference current is changed.

本発明では、基準電流制御とduty比制御の両方を用いる。ただし、一方を固定し、他方を可変する制御もあることは言うまでもない。表示画面144が白ラスター表示に近い時には、基準電流は一定値に固定し、duty比のみを制御して表示輝度などを変化させる。表示画面144に黒ラスター表示に近い時は、duty比は一定値に固定し、基準電流のみを制御させて表示輝度などを変化させる。もちろん、duty比はを小さくするとともに、基準電流を増大させ、表示輝度を一定に維持したまま、プログラム電流Iwを増加させてもよい。   In the present invention, both reference current control and duty ratio control are used. However, it goes without saying that there is also a control in which one is fixed and the other is variable. When the display screen 144 is close to white raster display, the reference current is fixed to a constant value, and only the duty ratio is controlled to change the display brightness. When the display screen 144 is close to black raster display, the duty ratio is fixed to a constant value, and only the reference current is controlled to change the display brightness. Of course, the duty ratio may be reduced, the reference current may be increased, and the program current Iw may be increased while maintaining the display luminance constant.

一例として、duty比制御は、点灯率が1/10以上1/1の範囲で実施する。duty比1/1で、白ラスター表示であれば、点灯率100%である(最大の白ラスター表示時)。黒ラスターであれば、点灯率0%である(完全黒ラスター表示時)。   As an example, the duty ratio control is performed in a range where the lighting rate is 1/10 or more and 1/1. If the duty ratio is 1/1 and white raster display is used, the lighting rate is 100% (at the time of maximum white raster display). If it is a black raster, the lighting rate is 0% (when a full black raster is displayed).

なお、点灯率とは、パネルのアノードまたはカソードに流れる最大電流に対する割合でもある(ただし、duty比は1/1とする)。たとえば、カソードに流れる最大電流を100mAとすれば、duty比1/1において、30mAの電流が流れていれば点灯率は30/100=30%(0.3)である。図1などの画素構成の場合は、アノードにはプログラム電流が加算されているので、点灯率の計算には考慮する必要がある。カソードはEL素子で消費される電流のみである。したがって、EL表示パネルの全EL素子15で消費される電流は、カソード端子を流れる電流を測定する方が好ましい。   The lighting rate is also a ratio to the maximum current flowing through the anode or cathode of the panel (however, the duty ratio is 1/1). For example, if the maximum current flowing through the cathode is 100 mA, the lighting rate is 30/100 = 30% (0.3) when a current of 30 mA flows at a duty ratio of 1/1. In the case of the pixel configuration shown in FIG. 1 and the like, since a program current is added to the anode, it is necessary to consider the calculation of the lighting rate. The cathode is only the current consumed by the EL element. Therefore, the current consumed by all the EL elements 15 of the EL display panel is preferably measured by the current flowing through the cathode terminal.

また、カソードに流れる最大電流を100mAとし、この時、映像データの総和の最大値とすれば、点灯率とはSUM制御もしくはAPL制御とは同義である。点灯率50%と表現すれば、カソード(アノード)に流れる電流が最大の50%と意味し、点灯率20%と表現すれば、カソードに流れる電流が最大の20%と意味するというように大きさが理解しやすいので今後は主として点灯率の用語を用いる。ただし、カソード(アノード)端子に流れる電流の最大値は、設計上、端子に流れる最大電流であり、相対的な大きさである。たとえば、設計値が小さければ最大値は小さい。   If the maximum current flowing through the cathode is 100 mA, and the maximum value of the total sum of the video data at this time, the lighting rate is synonymous with SUM control or APL control. If the lighting rate is expressed as 50%, it means that the current flowing through the cathode (anode) is 50%, and if the lighting rate is expressed as 20%, it means that the current flowing through the cathode is maximum 20%. In the future, the term lighting rate will be mainly used. However, the maximum value of the current flowing through the cathode (anode) terminal is the maximum current flowing through the terminal by design and is a relative magnitude. For example, if the design value is small, the maximum value is small.

点灯率は、パネルのアノードまたはカソードに流れる最大電流に対する割合であるとしたが、パネルの全EL素子に流れる最大電流の割合とも言い換えることができることは言うまでもない。   Although the lighting rate is a ratio with respect to the maximum current flowing through the anode or cathode of the panel, it is needless to say that it can be rephrased as a ratio of the maximum current flowing through all the EL elements of the panel.

本明細書では、点灯率と断り無く記載する時は、duty比1/1としている。もし、duty比1/3で、20mAの電流が流れていれば、点灯率は(20mA×3)/100mA=60%(0.6)である。つまり、点灯率が100%でも、duty比が1/2であれば、アノード(カソード)端子に流れる電流は最大値の1/2である。点灯率50%、アノード電流が20mA、duty比1/1であれば、duty比1/2になれば、アノード電流は10mAとなる。アノード電流が100mA、点灯率40%、duty比1/1であれば、アノード電流が200mAに変化したとすると、点灯率は80%に変化したことを意味する。以上のように、点灯率は、1画面を構成する映像データの大きさに対する割合、EL表示パネルの消費電流(電力)あるいはその割合を示している。   In this specification, when the lighting rate is described without any notice, the duty ratio is 1/1. If a current of 20 mA flows at a duty ratio of 1/3, the lighting rate is (20 mA × 3) / 100 mA = 60% (0.6). That is, even if the lighting rate is 100%, if the duty ratio is ½, the current flowing through the anode (cathode) terminal is ½ of the maximum value. If the lighting rate is 50%, the anode current is 20 mA, and the duty ratio is 1/1, the anode current is 10 mA when the duty ratio is 1/2. If the anode current is 100 mA, the lighting rate is 40%, and the duty ratio is 1/1, if the anode current is changed to 200 mA, it means that the lighting rate is changed to 80%. As described above, the lighting rate indicates the ratio to the size of the video data constituting one screen, the current consumption (power) of the EL display panel, or the ratio.

なお、以上の事項は、図1の画素構成のEL表示パネルあるいはEL表示装置だけではなく、図2、図7、図11、図12、図13、図28、図31などの他の画素構成のEL表示パネルあるいはEL表示装置にも適用できることは言うまでもない。   The above matters are not limited to the EL display panel or EL display device having the pixel configuration of FIG. 1, but other pixel configurations such as FIGS. 2, 7, 11, 12, 13, 28, and 31. Needless to say, the present invention can also be applied to an EL display panel or an EL display device.

また、点灯率のよる基準電流制御、duty比制御はEL表示パネルだけに適用されるものではなく、自己発光表示パネルであれば適用できることは言うまでもない。たとえば、FED表示パネルが例示される。   Further, it goes without saying that the reference current control and duty ratio control based on the lighting rate are not applied only to the EL display panel, but can be applied to any self-luminous display panel. For example, an FED display panel is exemplified.

一例として点灯率(点灯率)は、映像データの和から求める。つまり、映像データから算出する。入力映像信号がY、U、Vの場合は、Y(輝度)信号から求めても良い。しかし、EL表示パネルの場合は、R、G、Bで発光効率が異なるため、Y信号から求めた値が消費電力にならない。したがって、Y、U、V信号の場合も、一度R、G、B信号に変換し、R、G、Bに応じて電流に換算する係数をかけて、消費電流(消費電力)を求めることが好ましい。しかし、簡易的にY信号から消費電流を求めることは回路処理が容易になることも考慮してもよい。   As an example, the lighting rate (lighting rate) is obtained from the sum of video data. That is, it is calculated from the video data. When the input video signal is Y, U, or V, it may be obtained from a Y (luminance) signal. However, in the case of an EL display panel, since the light emission efficiency differs between R, G, and B, the value obtained from the Y signal does not become power consumption. Therefore, in the case of Y, U, and V signals, the current consumption (power consumption) can be obtained by converting the signals into R, G, and B signals and multiplying them by a coefficient that converts the current into R, G, and B. preferable. However, simply obtaining the current consumption from the Y signal may be considered to facilitate circuit processing.

点灯率は、パネルに流れる電流で換算されているものであるとする。なぜなら、EL表示パネルではBの発光効率が悪いため、海の表示などが表示されると、消費電力が一気に増加するからである。したがって、最大値は、電源容量の最大値である。また、データ和とは単純な映像データの加算値ではなく、映像データを消費電流に換算したものとしている。したがって、点灯率も最大電流に対する各画像の使用電流から求められたものである。   It is assumed that the lighting rate is converted by the current flowing through the panel. This is because, in the EL display panel, the light emission efficiency of B is poor, and thus when the display of the sea is displayed, the power consumption increases at a stretch. Therefore, the maximum value is the maximum value of the power supply capacity. The data sum is not a simple addition value of video data, but video data converted into current consumption. Therefore, the lighting rate is also obtained from the current used for each image with respect to the maximum current.

ここでは説明を容易にするため、duty比の最大はduty比1/1とする。基準電流は、1倍から3倍に変化させるとする。また、データ和は表示画面144のデータの総和を意味し、(データ和の)最大値は、最大輝度での白ラスター表示での画像データの総和であるとする。なお、duty比1/1まで使用する必要がないことは言うまでもない。duty比1/1は最大値として記載している。本発明の駆動方法では、最大のduty比を210/220などと設定してもよいことは言うまでもない。   Here, for ease of explanation, the maximum duty ratio is assumed to be 1/1. The reference current is changed from 1 to 3 times. Further, the data sum means the sum of the data on the display screen 144, and the maximum value (of the data sum) is the sum of the image data in the white raster display at the maximum luminance. Needless to say, it is not necessary to use a duty ratio of 1/1. The duty ratio 1/1 is described as the maximum value. Needless to say, in the driving method of the present invention, the maximum duty ratio may be set to 210/220 or the like.

duty比=1/1の場合、点灯率0%にする意味は、N倍パルス駆動を実施していないことになる。なぜなら、1/1が最大輝度表示であり、N倍パルス駆動により、プログラム電流の書込み改善を実施していないからである。点灯率100%になるつれ、duty比を1/nとし、nを大きくすることは、プログラム電流の書込み改善に何ら寄与しない。ただ、パネルの消費電力を低減するために実施しているだけである。このことは、N倍パルス駆動にはduty比1/1を実施することが含まれないから容易に理解できる。本発明は、点灯率が低い(duty比が1/1に近づく)時に、基準電流を1以上にし、画面を高輝度化する。この動作からもN倍パルス駆動の実施には該当しない。   When the duty ratio = 1/1, the meaning of setting the lighting rate to 0% means that N-times pulse driving is not performed. This is because 1/1 is the maximum luminance display, and the program current writing is not improved by N-fold pulse driving. As the lighting rate becomes 100%, setting the duty ratio to 1 / n and increasing n does not contribute to the improvement of programming current writing. However, it is only implemented to reduce the power consumption of the panel. This can be easily understood because N-fold pulse driving does not include implementing a duty ratio of 1/1. According to the present invention, when the lighting rate is low (duty ratio approaches 1/1), the reference current is set to 1 or more, and the screen is brightened. This operation does not correspond to the implementation of N-fold pulse driving.

なお、duty比の最大はduty比1/1とし、最小はduty比1/16以内にすることが好ましい。さらに好ましくは、duty比1/10以内にするとよい。フリッカの発生を抑制できるからである。基準電流の変化範囲は、4倍以内にすることが好ましい。さらに好ましくは2.5倍以内にする。基準電流の倍数を大きくしすぎると、基準電流発生回路の線形性がなくなり、ホワイトバランスずれが発生するからである。   The maximum duty ratio is preferably set to 1/1, and the minimum is preferably set to within 1/16. More preferably, the duty ratio is within 1/10. This is because the occurrence of flicker can be suppressed. The change range of the reference current is preferably within 4 times. More preferably, it is within 2.5 times. This is because if the multiple of the reference current is too large, the linearity of the reference current generating circuit is lost and white balance deviation occurs.

点灯率1%とは、一例として1/100の白ウインドウ表示である(duty1/1)。自然画像では、画像表示する画素のデータ和が、白ラスター表示の1/100に換算できる状態を意味する。したがって、100画素あたりの1点の白輝点表示も点灯率が1%である。   The lighting rate of 1% is, for example, 1/100 white window display (duty 1/1). In a natural image, it means a state in which the data sum of pixels for image display can be converted to 1/100 of white raster display. Therefore, the display rate of one bright spot per 100 pixels is 1%.

以下の説明では最大値とは白ラスターの画像データの加算値としたが、これは説明を容易にするためである。最大値は画像データの加算処理あるいはAPL処理などで発生する最大値である。したがって、点灯率とは、処理を行う画面の画像データの最大値に対する割合である。   In the following description, the maximum value is an added value of white raster image data, but this is for ease of description. The maximum value is the maximum value generated in the image data addition processing or APL processing. Therefore, the lighting rate is a ratio with respect to the maximum value of the image data of the screen to be processed.

なお、データ和は消費電流で算定するか、輝度で算定するかはどちらでもよい。ここでは説明を容易にするため、輝度(画像データ)の加算であるとして説明をする。一般的に輝度(画像データ)の加算の方式が処理は容易であり、コントローラICのハード規模も小さくできる。また、duty比制御によるフリッカの発生もなく、ダイナミックレンジを広く取れることから好ましい。   Note that the data sum may be calculated based on current consumption or luminance. Here, for ease of explanation, it is assumed that luminance (image data) is added. In general, the method of adding luminance (image data) is easy to process, and the hardware scale of the controller IC can be reduced. In addition, it is preferable because a dynamic range can be widened without occurrence of flicker due to duty ratio control.

図93は本発明の基準電流制御とduty比制御を実施した例である。図93では点灯率 が1/100以下では基準電流の倍率を3倍まで変化させている。点灯率1%以上でduty比を1/1から1/8まで変化させている。また、点灯率1%以下で基準電流を1から3倍まで変化させている。したがって、点灯率の値により、duty比制御で8倍、基準電流制御で3倍であるから、8×3=24倍の変化が実施されている。基準電流制御およびduty比制御はともに画面輝度を変化させるから、24倍のダイナミックレンジが実現されていることになる。   FIG. 93 shows an example in which the reference current control and the duty ratio control of the present invention are implemented. In FIG. 93, when the lighting rate is 1/100 or less, the magnification of the reference current is changed to 3 times. The duty ratio is changed from 1/1 to 1/8 at a lighting rate of 1% or more. Further, the reference current is changed from 1 to 3 times at a lighting rate of 1% or less. Therefore, since the duty ratio control is 8 times and the reference current control is 3 times, a change of 8 × 3 = 24 times is performed depending on the lighting rate value. Since both the reference current control and the duty ratio control change the screen brightness, a dynamic range of 24 times is realized.

図93において、点灯率が100%ではduty比が1/8である。したがって、表示輝度は最大値の1/8になっている。点灯率が100%であるから、白ラスター表示である。つまり、白ラスター表示では表示輝度が最大の1/8に低下している。表示画面144の1/8が表示(点灯)領域193であり、非表示領域192が7/8を占めている。点灯率が100%に近い画像は、ほとんどの画素16が高階調表示である。ヒストグラムで表現すれば、ヒストグラムの高階調領域に大多数のデータが分布している。この画像表示では、画像が白つぶれ状態でありメリハリ感がない。そのため、図90などのガンマカーブのnまたはnに近いものが選択される。つまり、点灯率の値によりガンマカーブをダイナミックに変化させる。   In FIG. 93, when the lighting rate is 100%, the duty ratio is 1/8. Therefore, the display brightness is 1/8 of the maximum value. Since the lighting rate is 100%, it is a white raster display. That is, in white raster display, the display brightness is reduced to 1/8, the maximum. 1/8 of the display screen 144 is a display (lighting) area 193, and the non-display area 192 occupies 7/8. In an image with a lighting rate close to 100%, most of the pixels 16 are high gradation display. In terms of a histogram, the majority of data is distributed in the high gradation area of the histogram. In this image display, the image is crushed white and there is no sharpness. For this reason, the gamma curve n in FIG. 90 or the like close to n is selected. That is, the gamma curve is dynamically changed according to the lighting rate value.

点灯率が1%では、duty比は1/1である。表示画面144の全体が表示領域193である。したがって、duty比制御による画面輝度制御は実施されていない。EL素子15の発光輝度がそのまま表示画面144の表示輝度となる。画像表示はほとんどが黒表示であり、一部に画像が表示されている状態である。イメージで表現すれば、点灯率が1%画像表示とは、真っ暗な夜空に星がでている画像である。この画像でduty比を1/1にするということは、星の部分は、点灯率100%の白ラスターの輝度の8倍の輝度で表示されることになる。したがって、ダイナミックレンジの広い画像表示を実現できる。画像表示されているのは1/100の領域であるから、1/100の領域の輝度を8倍にしたとしても消費電力の増加はわずかである。点灯率が1%以下では基準電流を増加させる。たとえば、点灯率0.1%では基準電流比は2である。したがって、点灯率1%の時に比較して2倍の輝度で表示される。つまり、星の部分は、点灯率100%の白ラスターの輝度の8×2倍の輝度で表示されることになる。   When the lighting rate is 1%, the duty ratio is 1/1. The entire display screen 144 is a display area 193. Therefore, screen brightness control by duty ratio control is not performed. The light emission luminance of the EL element 15 becomes the display luminance of the display screen 144 as it is. Most of the image display is black display, and an image is partially displayed. Expressed in terms of images, an image display with a lighting rate of 1% is an image in which stars appear in a dark night sky. Setting the duty ratio to 1/1 in this image means that the star portion is displayed with a brightness that is eight times the brightness of a white raster with a lighting rate of 100%. Therefore, an image display with a wide dynamic range can be realized. Since the image is displayed in the 1/100 area, even if the luminance of the 1/100 area is increased by 8 times, the increase in power consumption is slight. When the lighting rate is 1% or less, the reference current is increased. For example, the reference current ratio is 2 when the lighting rate is 0.1%. Therefore, it is displayed with twice the luminance as compared with the lighting rate of 1%. That is, the star portion is displayed with a brightness 8 × 2 times that of a white raster having a lighting rate of 100%.

以上のように、低点灯率で基準電流を増加させることにより、表示画素の輝度を増大できる。この処理により画像につや感がでて、奥行きに深い画像表示を実現できる。   As described above, the luminance of the display pixel can be increased by increasing the reference current at a low lighting rate. By this process, the image is glossy and an image display deep in depth can be realized.

点灯率が1%に近い画像で、ほとんどの画素16が低階調表示の場合は、ヒストグラムで表現すれば、ヒストグラムの低階調領域に大多数のデータが分布している。この画像表示では、画像が黒つぶれ状態でありメリハリ感がない。そのため、図90などのガンマカーブのbまたはbに近いものが選択される。   In the case of an image with a lighting rate close to 1% and most of the pixels 16 displaying a low gradation, if expressed in a histogram, the majority of data is distributed in the low gradation region of the histogram. In this image display, the image is blacked out and there is no sharpness. Therefore, the gamma curve b or b close to b in FIG. 90 or the like is selected.

以上のように本発明の駆動方法は、duty比が大きくなるにしたがって、ガンマのx乗数を大きくする駆動方法である。duty比が小さくなるにしたがって、ガンマのx乗数を小さくする駆動方法である。   As described above, the driving method of the present invention is a driving method that increases the x multiplier of gamma as the duty ratio increases. In this driving method, the x multiplier of gamma is decreased as the duty ratio is decreased.

図93では点灯率が1%以下では基準電流の倍率を3倍まで変化させている。点灯率が1%以下ではduty比が1/1として、duty比により画面輝度を高くしている。点灯率が1%よりも小さくなるにしたがって、基準電流の倍率を大きくしている。したがって、発光している画素16はより高輝度で発光する。たとえば、点灯率が0.1%とは、イメージで表現すれば、真っ暗な夜空に星がでている画像である。この画像でduty比を1/1にするということは、星の部分は、白ラスターの輝度の8×2=16倍の輝度で表示されることになる。したがって、ダイナミックレンジの広い画像表示を実現できる。画像表示されているのは0.1%の領域であるから、0.1%の領域の輝度を16倍にしたとしても消費電力の増加はわずかである。   In FIG. 93, when the lighting rate is 1% or less, the magnification of the reference current is changed to 3 times. When the lighting rate is 1% or less, the duty ratio is 1/1, and the screen brightness is increased by the duty ratio. As the lighting rate becomes smaller than 1%, the magnification of the reference current is increased. Therefore, the light emitting pixel 16 emits light with higher luminance. For example, a lighting rate of 0.1% is an image in which stars appear in a dark night sky when expressed in terms of an image. Setting the duty ratio to 1/1 in this image means that the star portion is displayed with a brightness 8 × 2 = 16 times the brightness of the white raster. Therefore, an image display with a wide dynamic range can be realized. Since the image is displayed in the 0.1% region, even if the luminance in the 0.1% region is increased 16 times, the increase in power consumption is slight.

基準電流の制御はホワイトバランスを維持することが難しいという点である。しかし、真っ暗な夜空に星がでている画像ではホワイトバランスがずれていても視覚的にはホワイトバランスずれは認識されない。以上のことから、点灯率が非常に小さい範囲で、基準電流制御を行う本発明は適切な駆動方法である。   The control of the reference current is that it is difficult to maintain white balance. However, in the image in which stars appear in the dark night sky, even if the white balance is shifted, the white balance shift is not visually recognized. From the above, the present invention in which the reference current control is performed in a range where the lighting rate is very small is an appropriate driving method.

図93では、基準電流の変化およびduty比制御の変化は直線的に図示している。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。基準電流の倍率制御、duty比制御を曲線的にしてもよい。図94では、横軸の点灯率が対数であるから、基準電流制御およびduty比制御の線が曲線になるのは自然である。点灯率と基準電流倍率の関係、点灯率とduty比制御の関係は、画像データの内容、画像表示状態、外部環境に合わせて設定することが好ましい。   In FIG. 93, the change in the reference current and the change in the duty ratio control are illustrated linearly. However, the present invention is not limited to this. The reference current magnification control and duty ratio control may be curved. In FIG. 94, since the lighting rate on the horizontal axis is logarithmic, it is natural that the lines of the reference current control and the duty ratio control become curves. The relationship between the lighting rate and the reference current magnification and the relationship between the lighting rate and the duty ratio control are preferably set according to the content of the image data, the image display state, and the external environment.

図93、図94は、RGBのduty比制御、基準電流制御を同一にした実施例である。本発明は、これに限定するものではない。図95に図示するように、RGBで基準電流倍率の傾きを変化させてもよい。図95では、青(B)の基準電流倍率の変化の傾きを最も大きくし、緑(G)の基準電流倍率の変化の傾きを次に大きくし、赤(R)の基準電流倍率の変化の傾きを最も小さくしている。基準電流を大きくすると、EL素子15に流れる電流も大きくなる。EL素子はRGBで発光効率が異なる。また、EL素子15に流れる電流が大きくなると印加電流に対する発光効率が悪くなる。特に、Bではその傾向が顕著である。そのため、RGBで基準電流量を調整しないとホワイトバランスが取れなくなる。したがって、図95のように、基準電流倍率を大きくした時(各RGBのEL素子15に流す電流が大きい領域)では、ホワイトバランスを維持できるようにRGBの基準電流倍率を異ならせることが有効である。点灯率と基準電流倍率の関係、点灯率とduty比制御の関係は、画像データの内容、画像表示状態、外部環境に合わせて設定することが好ましい。   93 and 94 show an embodiment in which the RGB duty ratio control and the reference current control are made the same. The present invention is not limited to this. As shown in FIG. 95, the slope of the reference current magnification may be changed in RGB. In FIG. 95, the slope of the change in the reference current magnification for blue (B) is the largest, the slope of the change in the reference current magnification for green (G) is the next largest, and the change in the reference current magnification for red (R) is increased. The inclination is minimized. When the reference current is increased, the current flowing through the EL element 15 is also increased. EL elements have different luminous efficiencies for RGB. Further, when the current flowing through the EL element 15 is increased, the light emission efficiency with respect to the applied current is deteriorated. In particular, the tendency is remarkable in B. Therefore, white balance cannot be achieved unless the reference current amount is adjusted in RGB. Therefore, as shown in FIG. 95, when the reference current magnification is increased (region where the current flowing through each RGB EL element 15 is large), it is effective to vary the RGB reference current magnification so that white balance can be maintained. is there. The relationship between the lighting rate and the reference current magnification and the relationship between the lighting rate and the duty ratio control are preferably set according to the content of the image data, the image display state, and the external environment.

図95は基準電流倍率をRGBで異ならせた実施例であった。図96はduty比制御も異ならせている。点灯率を1%以上でBとGの傾きを同一にし、Rの傾きを小さくしている。また、GとRは1%以下でduty比1/1であるが、Bは1%以下でduty比1/2としている。また、図96は基準電流も異ならせている。点灯率を1%以下でBの傾きを最も大きくし、Rの傾きを最も小さくしている。以上のように駆動(制御)すれば、RGBのホワイトバランス調整を最適にすることができる。点灯率と基準電流倍率の関係、点灯率とduty比制御の関係は、画像データの内容、画像表示状態、外部環境に合わせて設定することが好ましい。また、ユーザーが自由に設定あるいは調整できるように構成することが好ましい。   FIG. 95 shows an example in which the reference current magnification is varied between RGB. In FIG. 96, the duty ratio control is also different. The lighting rate is 1% or more, the slopes of B and G are made the same, and the slope of R is made small. G and R are 1% or less and the duty ratio is 1/1, while B is 1% or less and the duty ratio is 1/2. In FIG. 96, the reference currents are also different. When the lighting rate is 1% or less, the gradient of B is maximized and the gradient of R is minimized. When driven (controlled) as described above, RGB white balance adjustment can be optimized. The relationship between the lighting rate and the reference current magnification and the relationship between the lighting rate and the duty ratio control are preferably set according to the content of the image data, the image display state, and the external environment. Further, it is preferable that the user can set or adjust freely.

図93から図96は、一例として点灯率1%を境に基準電流倍率とduty比を変化させる方法であった。点灯率を一定の値を境として、基準電流倍率とduty比を変化させ、基準電流倍率が変化させる領域とduty比を変化させる領域を重ならないようにしている。このように構成することによりホワイトバランスの維持が容易である。つまり、点灯率が1%以上でduty比を変化させ、点灯率が1%以下で基準電流を変化させている。基準電流倍率が変化させる領域とduty比を変化させる領域を重ならないようにしている。この方法は、本発明の特徴ある方法である。   93 to 96 show a method of changing the reference current magnification and the duty ratio with a lighting rate of 1% as an example. The reference current magnification and the duty ratio are changed with the lighting rate as a boundary, so that the region where the reference current magnification changes and the region where the duty ratio changes do not overlap. With this configuration, it is easy to maintain white balance. That is, the duty ratio is changed when the lighting rate is 1% or more, and the reference current is changed when the lighting rate is 1% or less. The region where the reference current magnification is changed is not overlapped with the region where the duty ratio is changed. This method is a characteristic method of the present invention.

なお、点灯率が1%以上でduty比を変化させ、点灯率が1%以下で基準電流を変化させたとしたが、逆の関係でもよい。たとえば、点灯率が1%以下でduty比を変化させ、点灯率が1%以上で基準電流を変化させてもよい。また、点灯率が1%以上でduty比を変化させ、点灯率が1%以下で基準電流を変化させ、点灯率が1%以上10%以下では、基準電流倍率およびduty比を一定値としてもよい。   Although the duty ratio was changed when the lighting rate was 1% or more and the reference current was changed when the lighting rate was 1% or less, the reverse relationship may be used. For example, the duty ratio may be changed when the lighting rate is 1% or less, and the reference current may be changed when the lighting rate is 1% or more. Further, the duty ratio is changed when the lighting rate is 1% or more, the reference current is changed when the lighting rate is 1% or less, and the reference current magnification and the duty ratio are constant values when the lighting rate is 1% or more and 10% or less. Good.

場合によっては、本発明は以上の方法に限定されない。図97に図示するように点灯率が1%以上でduty比を変化させ、点灯率が10%以下でBの基準電流を変化させてもよい。Bの基準電流変化とRGBのduty比とを変化をオーバーラップさせている。   In some cases, the present invention is not limited to the above method. As shown in FIG. 97, the duty ratio may be changed when the lighting rate is 1% or more, and the B reference current may be changed when the lighting rate is 10% or less. The reference current change of B and the duty ratio of RGB are overlapped with each other.

早いスピードで明るい画面と暗い画面とは交互に繰り返す時、変化に応じてduty比を変化させるとのフリッカが発生する。したがって、あるduty比から他のduty比に変化する時は、ヒステリシス(時間遅延)を設けて変化させることが好ましい。たとえば、ヒステリシス期間を1secとすると、1sec期間内に、画面輝度が明るい暗いが複数回繰り返しても、以前のduty比が維持される。つまり、duty比は変化しない。このヒステリシス(時間遅延)時間をWait時間と呼ぶ。また、変化前のduty比を変化前duty比と呼び、変化後のduty比を変化後duty比と呼ぶ。   When a bright screen and a dark screen are alternately repeated at a high speed, flicker occurs when the duty ratio is changed according to the change. Therefore, when changing from a certain duty ratio to another duty ratio, it is preferable to provide a hysteresis (time delay). For example, if the hysteresis period is 1 sec, the previous duty ratio is maintained even if the screen brightness is bright and dark but is repeated a plurality of times within the 1 sec period. That is, the duty ratio does not change. This hysteresis (time delay) time is called Wait time. Also, the duty ratio before the change is called the pre-change duty ratio, and the duty ratio after the change is called the post-change duty ratio.

変化前duty比が小さい状態から、他のduty比に変化する時は、変化によるフリッカの発生が起こりやすい。変化前duty比が小さい状態は、表示画面144のデータ和が小さい状態あるいは表示画面144に黒表示部が多い状態である。したがって、表示画面144が中間調の表示で視感度が高いためと思われる。また、duty比が小さい領域では、変化duty比との差が大きくなる傾向があるからである。もちろん、duty比の差が大きくなる時は、OEV2端子を用いて制御する。しかし、OEV2制御にも限界がある。以上のことから、変化前duty比が小さい時は、wait時間を長くする必要がある。   When the duty ratio before change is small and changes to another duty ratio, flicker is likely to occur due to the change. The state where the duty ratio before change is small is a state where the data sum of the display screen 144 is small or a state where the display screen 144 has many black display portions. Therefore, it is considered that the display screen 144 is a halftone display and has high visibility. In addition, in a region where the duty ratio is small, the difference from the change duty ratio tends to increase. Of course, when the difference in duty ratio becomes large, control is performed using the OEV2 terminal. However, OEV2 control also has a limit. From the above, when the duty ratio before change is small, it is necessary to lengthen the wait time.

変化前duty比が大きい状態から、他のduty比に変化する時は、変化によるフリッカの発生が起こりにくい。変化前duty比が大きい状態は、表示画面144のデータ和が大きい状態あるいは表示画面144に白表示部が多い状態である。したがって、表示画面144全体が白表示で視感度が低いためと思われる。以上のことから、変化前duty比が大きい時は、wait時間は短くてよい。   When the pre-change duty ratio is changed to a different duty ratio, flicker due to the change is less likely to occur. A state in which the duty ratio before change is large is a state in which the data sum of the display screen 144 is large or a state in which the display screen 144 has many white display portions. Therefore, it seems that the entire display screen 144 is white and has low visibility. From the above, when the duty ratio before change is large, the wait time may be short.

以上の関係を図94に図示する。横軸は変化前duty比である。縦軸はWait時間(秒)である。duty比が1/16以下では、Wait時間を3秒(sec)と長くしている。duty比が1/16以上duty比8/16(=1/2)では、duty比に応じてWait時間を3秒から2秒に変化させる。duty比8/16以上duty比16/16=1/1では、duty比に応じて2秒から0秒に変化させる。   The above relationship is illustrated in FIG. The horizontal axis is the duty ratio before change. The vertical axis represents the wait time (seconds). When the duty ratio is 1/16 or less, the wait time is increased to 3 seconds (sec). When the duty ratio is 1/16 or more and the duty ratio is 8/16 (= 1/2), the wait time is changed from 3 seconds to 2 seconds in accordance with the duty ratio. When the duty ratio is 8/16 or more and the duty ratio is 16/16 = 1/1, the time is changed from 2 seconds to 0 seconds according to the duty ratio.

以上のように、本発明のduty比制御はduty比に応じてWait時間を変化させる。duty比が小さい時はWait時間を長くし、duty比が大きい時はWait時間を短くする。つまり、少なくともduty比を可変する駆動方法にあって、第1の変化前のduty比が第2の変化前のduty比よりも小さく、第1の変化前duty比のWait時間が、第2の変化前duty比のWait時間よりも長く設定することを特徴とするものである。   As described above, the duty ratio control of the present invention changes the wait time in accordance with the duty ratio. When the duty ratio is small, the wait time is lengthened, and when the duty ratio is large, the wait time is shortened. That is, in the driving method that varies at least the duty ratio, the duty ratio before the first change is smaller than the duty ratio before the second change, and the wait time of the first before-change duty ratio is the second The duty ratio is set to be longer than the wait time of the duty ratio before change.

なお、以上の実施例では、変化前duty比を基準にしてWait時間を制御あるいは規定するとした。しかし、変化前duty比と変化後duty比との差はわずかである。したがって、前述の実施例において変化前duty比を変化後duty比と読み替えても良い。   In the above embodiment, the wait time is controlled or specified based on the duty ratio before change. However, the difference between the pre-change duty ratio and the post-change duty ratio is slight. Therefore, in the above-described embodiment, the duty ratio before change may be read as the duty ratio after change.

また、以上の実施例において、変化前duty比と変化後duty比を基準にして説明した。変化前duty比と変化後duty比との差が大きい時はWait時間を長くとる必要があることはいうまでもない。また、duty比の差が大きい時は、中間状態のduty比を経由して変化後duty比に変化させることが良好であることは言うまでもない。   In the above embodiment, the pre-change duty ratio and the post-change duty ratio have been described. Needless to say, when the difference between the pre-change duty ratio and the post-change duty ratio is large, it is necessary to increase the wait time. Needless to say, when the duty ratio difference is large, it is preferable to change the duty ratio to the post-change duty ratio via the intermediate duty ratio.

本発明のduty比制御方法は、変化前duty比と変化後duty比との差が大きい時はWait時間を長くとる駆動方法である。つまり、duty比の差に応じてWait時間を変化させる駆動方法である。また、duty比の差が大きい時にWait時間を長くとる駆動方法である。   The duty ratio control method of the present invention is a driving method that takes a longer wait time when the difference between the pre-change duty ratio and the post-change duty ratio is large. That is, this is a driving method in which the wait time is changed according to the difference in duty ratio. Further, this is a driving method in which the wait time is lengthened when the difference in duty ratio is large.

また、本発明のduty比の方法は、duty比の差が大きい時は、中間状態のduty比を経由して変化後duty比に変化させることを特徴とする駆動方法である。   The duty ratio method of the present invention is a driving method characterized in that when the difference in duty ratio is large, the duty ratio is changed to the post-change duty ratio via the duty ratio in the intermediate state.

図93、図94などの実施例では、duty比に対するWait時間を、R(赤)G(緑)B(青)で同一にするとして説明した。しかし、本発明は、図98に図示するようにRGBでWait時間を変化させてもよいことは言うまでもない。RGBで視感度が異なるからである。視感度にあわせてWait時間を設定することにより、より良好な画像表示を実現できる。   In the embodiments of FIGS. 93 and 94, the wait time with respect to the duty ratio is assumed to be the same for R (red), G (green), and B (blue). However, it goes without saying that in the present invention, the wait time may be changed in RGB as shown in FIG. This is because the visibility is different between RGB. By setting the wait time according to the visibility, a better image display can be realized.

以下の説明では最大値とは白ラスターの画像データの加算値としたが、これは説明を容易にするためである。最大値は画像データの加算処理あるいはAPL処理などで発生する最大値である。したがって、点灯率とは、処理を行う画面の画像データの最大値に対する割合である。   In the following description, the maximum value is an added value of white raster image data, but this is for ease of description. The maximum value is the maximum value generated in the image data addition processing or APL processing. Therefore, the lighting rate is a ratio with respect to the maximum value of the image data of the screen to be processed.

ただし、データ和とは、1画面のデータを正確に加算することを必要としない。1画面をサンプリングした画素のデータの加算値から1画面の加算値を推定(予測)したものでもよい。また、最大値も同様である。また、複数フィールドあるいは複数フレームからの予測値あるいは推定値でもよい。また、画像データの加算だけでなく、映像データをローパスフィルタ回路によりAPLレベルを求めて、このAPLレベルをデータ和としてもよい。この時の最大値は、最大振幅の映像データが入力された時のAPLレベルの最大値である。   However, the sum of data does not require accurate addition of data for one screen. An addition value of one screen may be estimated (predicted) from an addition value of pixel data obtained by sampling one screen. The same applies to the maximum value. Also, predicted values or estimated values from a plurality of fields or a plurality of frames may be used. In addition to the addition of image data, the APL level of video data may be obtained by a low-pass filter circuit, and this APL level may be used as the data sum. The maximum value at this time is the maximum value of the APL level when video data having the maximum amplitude is input.

なお、データ和は表示パネルの消費電流で算定するか、輝度で算定するかはどちらでもよい。ここでは説明を容易にするため、輝度(画像データ)の加算であるとして説明をする。一般的に輝度(画像データ)の加算の方式が処理は容易である。   Note that the data sum may be calculated based on the current consumption of the display panel or the luminance. Here, for ease of explanation, it is assumed that luminance (image data) is added. In general, the process of adding luminance (image data) is easy.

図99は横軸を点灯率としている。最大値は100%である。縦軸はduty比である。点灯率=100%は、全画素行が最大の白表示状態である。点灯率が小さい時は、暗い画面あるいは表示(点灯)領域が少ない画面である。この時は、duty比を大きくしている。したがって、画像を表示している画素の輝度は高い。そのため、画像のダイナミックレンジが拡大されて高画質表示される。点灯率が大きい時(最大値は100%)は、明るい画面あるいは表示(点灯)領域が広い画面である。この時は、duty比を小さくしている。したがって、画像を表示している画素の輝度は低い。そのため、低消費電力化が可能である。画面から放射される光量は大きいため、画像が暗く感じることはない。   In FIG. 99, the horizontal axis represents the lighting rate. The maximum value is 100%. The vertical axis represents the duty ratio. The lighting rate = 100% is the maximum white display state in all pixel rows. When the lighting rate is small, the screen is dark or has a small display (lighting) area. At this time, the duty ratio is increased. Therefore, the luminance of the pixel displaying the image is high. For this reason, the dynamic range of the image is expanded and high-quality display is performed. When the lighting rate is high (the maximum value is 100%), the screen is a bright screen or a wide display (lighting) area. At this time, the duty ratio is reduced. Therefore, the luminance of the pixel displaying the image is low. Therefore, power consumption can be reduced. Since the amount of light emitted from the screen is large, the image does not feel dark.

図99では、点灯率が100%の時に、到達するduty比値を変化させている。たとえば、duty比=1/2は画面の1/2が画像表示状態になる。したがって、画像は明るい。duty比=1/8は画面の1/8が画像表示状態になる。したがって、duty比=1/2に比較して1/4の明るさである。   In FIG. 99, the duty ratio value reached when the lighting rate is 100% is changed. For example, when the duty ratio is 1/2, 1/2 of the screen is in the image display state. Therefore, the image is bright. When the duty ratio is 1/8, 1/8 of the screen is in the image display state. Therefore, the brightness is 1/4 compared to the duty ratio = 1/2.

本発明の駆動方式では、点灯率、duty比、基準電流、データ和などにより画像輝度を制御し、また、ダイナミックレンジを拡大する。また、高コントラスト表示を実現する。   In the drive system of the present invention, the image brightness is controlled by the lighting rate, duty ratio, reference current, data sum, etc., and the dynamic range is expanded. In addition, high contrast display is realized.

液晶表示パネルでは、白表示および黒表示はバックライトからの透過率で決定される。本発明の駆動方法のように画面に非表示領域を発生させても、黒表示における透過率は一定である。逆に非表示領域を発生させることにより、1フレーム期間における白表示輝度が低下するから表示コントラストは低下する。   In the liquid crystal display panel, white display and black display are determined by the transmittance from the backlight. Even when a non-display area is generated on the screen as in the driving method of the present invention, the transmittance in black display is constant. On the contrary, when the non-display area is generated, the white display luminance in one frame period is lowered, so that the display contrast is lowered.

EL表示パネルは、黒表示は、EL素子に流れる電流が0の状態である。したがって、本発明の駆動方法のように画面に非表示領域を発生させても、黒表示の輝度は0である。非表示領域の面積を大きくすると白表示輝度は低下する。しかし、黒表示の輝度が0であるから、コントラストは無限大である。したがって、良好な画像表示を実現できる。   In the EL display panel, black display is a state in which the current flowing through the EL element is zero. Therefore, even when a non-display area is generated on the screen as in the driving method of the present invention, the luminance of black display is zero. When the area of the non-display area is increased, the white display luminance is lowered. However, since the luminance of black display is 0, the contrast is infinite. Therefore, a good image display can be realized.

また、本発明の駆動方法では、全階調範囲で階調数が保持され、また、全階調範囲でホワイトバランスが維持される。また、duty比制御により画面の輝度変化は10倍近く変化させることができる。また、変化はduty比に線形の関係になるから制御も容易である。また、R、G、Bを同一比率で変化させることできる。したがって、どのduty比においてもホワイトバランスは維持される。   In the driving method of the present invention, the number of gradations is maintained over the entire gradation range, and white balance is maintained over the entire gradation range. Further, the luminance change of the screen can be changed nearly 10 times by the duty ratio control. Further, since the change has a linear relationship with the duty ratio, the control is easy. Further, R, G, and B can be changed at the same ratio. Therefore, the white balance is maintained at any duty ratio.

点灯率とduty比の関係は、画像データの内容、画像表示状態、外部環境に合わせて設定することが好ましい。また、ユーザーが自由に設定あるいは調整できるように構成することが好ましい。   The relationship between the lighting rate and the duty ratio is preferably set according to the content of the image data, the image display state, and the external environment. Further, it is preferable that the user can set or adjust freely.

以上の切り替え動作は、携帯電話、モニターなどの電源をオンしたときに、表示画面を非常に明るく表示し、一定の時間を経過した後は、電力セーブするために、表示輝度を低下させる構成に用いる。表示輝度を低下させるため、duty比を小さくし、または基準電流を小さくする。もしくは、duty比をまたは基準電流のいずれか一方を小さくする。基準電流またはduty比を小さくすることによりEL表示パネルの消費電力を低下させることができる。また、以上の制御はユーザーが希望する明るさに設定する機能としても用いることができる。たとえば、屋外などでは、画面を非常に明るくする。屋外では周辺が明るく、画面が全く見えなくなるからである。つまり、屋外では、図99のaのカーブを選択する。しかし、高い輝度で表示し続けるとEL素子は急激に劣化する。そのため、非常に明るくする場合は、短時間で通常の輝度に復帰させるように構成しておく。たとえば、通常では、cのカーブを選択する。また、さらに、高輝度で表示させる場合は、ユーザーがボタンと押すことにより表示輝度を高くできるようの構成しておく。   The above switching operation displays the display screen very brightly when the power of a mobile phone, a monitor, etc. is turned on. After a certain period of time, the display brightness is reduced to save power. Use. In order to reduce the display luminance, the duty ratio is reduced or the reference current is reduced. Alternatively, either the duty ratio or the reference current is reduced. The power consumption of the EL display panel can be reduced by reducing the reference current or the duty ratio. The above control can also be used as a function for setting the brightness desired by the user. For example, when outdoors, the screen is very bright. This is because the surroundings are bright outdoors and the screen cannot be seen at all. That is, outdoors, the curve a in FIG. 99 is selected. However, if display is continued with high luminance, the EL element deteriorates rapidly. For this reason, when it is very bright, it is configured to return to normal luminance in a short time. For example, normally, the curve of c is selected. Furthermore, when displaying with high brightness, the display brightness can be increased by the user pressing the button.

したがって、ユーザーがボタンで切り替えできるようにしておくか、設定モードで自動的に変更できるか、外光の明るさを検出して自動的に切り替えできるように構成しておくことが好ましい。また、表示輝度を50%、60%、80%とユーザーなどが設定できるように構成しておくことが好ましい。また、外部のマイコンなどにより、duty比カーブ、傾きなどを書き換えるように構成することが好ましい。また、メモリされた複数のduty比カーブから1つを選択できるように構成することが好ましい。   Therefore, it is preferable that the user can be switched with a button, can be automatically changed in a setting mode, or can be switched automatically by detecting the brightness of external light. Further, it is preferable that the display brightness is set to 50%, 60%, and 80% and can be set by the user. Further, it is preferable that the duty ratio curve, inclination, etc. are rewritten by an external microcomputer or the like. Further, it is preferable that one can be selected from a plurality of stored duty ratio curves.

なお、duty比カーブなどの選択は、APLレベル、最大輝度(MAX)、最小輝度(MIN)、輝度の分布状態(SGM)の1つあるいは複数を加味して行うことが好ましいことは言うまでもない。   Needless to say, the selection of the duty ratio curve or the like is preferably performed in consideration of one or more of the APL level, maximum luminance (MAX), minimum luminance (MIN), and luminance distribution state (SGM).

以上のように、たとえば、aは屋外用のカーブである。cは屋内用のカーブである。bは屋内と屋外との中間状態用のカーブである。カーブa、b、cとの切り替えは、ユーザーがスイッチを操作することにより切り替えるようにする。また、外光の明るさをホトセンサで検出し、自動的に切り替えるようにしてもよい。なお、ガンマカーブを切り替えるとしたが、これに限定するものではない。計算によりガンマカーブを発生させてもよいことは言うまでもない。   As described above, for example, a is an outdoor curve. c is an indoor curve. b is a curve for an intermediate state between indoor and outdoor. Switching between the curves a, b, and c is performed by the user operating the switch. Alternatively, the brightness of outside light may be detected by a photo sensor and automatically switched. Although the gamma curve is switched, the present invention is not limited to this. It goes without saying that a gamma curve may be generated by calculation.

図99のduty比は直線であったが、これに限定するものではない。図100に図示するように、一点折れカーブとしてもよい。つまり、点灯率に応じてduty比の傾きを変化させる。もちろん、duty比カーブは曲線としてもよいし、多点折れカーブとしてもよい。また、外光あるいは画像の種類によりリアルタイムでduty比カーブを変化させてもよい。以上の事項は、基準電流の変化制御においても同様である。   Although the duty ratio in FIG. 99 is a straight line, it is not limited to this. As shown in FIG. 100, a single-point folding curve may be used. That is, the slope of the duty ratio is changed according to the lighting rate. Of course, the duty ratio curve may be a curved line or a multipoint broken curve. Further, the duty ratio curve may be changed in real time depending on the external light or the type of image. The above matters are the same in the reference current change control.

表示パネルの消費電力低減が必要な場合は、図100のcカーブを選択する。消費電力が低減する効果が発揮される。表示輝度は低下するが、階調数などの画像表示の低下はない。高い表示輝度が必要な場合は、図100のaカーブを選択する。画像の表示が明るくなり、また、フリッカの発生が少なくなる。消費電力は増大するが、階調数などの画像表示の低下はない。   When the power consumption of the display panel needs to be reduced, the c curve in FIG. 100 is selected. The effect of reducing power consumption is exhibited. Although the display brightness decreases, there is no decrease in image display such as the number of gradations. When high display luminance is required, the a curve in FIG. 100 is selected. The image display becomes brighter and the occurrence of flicker is reduced. Although power consumption increases, there is no decrease in image display such as the number of gradations.

本発明の他の実施例において、duty比の変化は、点灯率が1/10以上の範囲で実施する(図101を参照のこと)。点灯率が1に近い画像の発生は少なく、図99のように点灯率が100まで、duty比が変化するように駆動すると、画像表示が暗く感じられるからである。さらに好ましくは、duty比の変化は点灯率が8/10以上の範囲で実施する。   In another embodiment of the present invention, the duty ratio is changed in a range where the lighting rate is 1/10 or more (see FIG. 101). This is because the occurrence of an image with a lighting rate close to 1 is small, and when the driving is performed so that the duty ratio changes until the lighting rate is 100 as shown in FIG. 99, the image display is felt dark. More preferably, the duty ratio is changed in the range where the lighting rate is 8/10 or more.

また、自然画では、点灯率が20%から40%の画像が多い。したがって、この範囲ではduty比が大きい方が好ましい。一方で点灯率が高い(60%以上)では消費電力が大きくEL表示パネルが発熱し劣化する傾向になる。したがって、点灯率が20%から40%の範囲あるいは近傍ではduty比1/1あるいはその近傍とし、点灯率が60%あるいはその近傍以上では、duty比を1/1よりも小さくするように制御することが好ましい。   In addition, many natural images have a lighting rate of 20% to 40%. Therefore, it is preferable that the duty ratio is large in this range. On the other hand, when the lighting rate is high (60% or more), the power consumption is large and the EL display panel tends to generate heat and deteriorate. Therefore, the duty ratio is controlled to be 1/1 or in the vicinity when the lighting rate is in the range of 20% to 40% or in the vicinity thereof, and the duty ratio is controlled to be smaller than 1/1 when the lighting rate is 60% or in the vicinity thereof. It is preferable.

図101では点灯率が0.9以下ではduty比を1/1から1/5まで変化させている。したがって、5倍のダイナミックレンジが実現されていることになる。図101において、点灯率が0.9以上ではduty比が1/5である。したがって、表示輝度は最大値輝度の1/5になっている。点灯率100%は白ラスター表示である。つまり、白ラスター表示では表示輝度が最大輝度の1/5に低下している。   In FIG. 101, when the lighting rate is 0.9 or less, the duty ratio is changed from 1/1 to 1/5. Therefore, a dynamic range of 5 times is realized. In FIG. 101, when the lighting rate is 0.9 or more, the duty ratio is 1/5. Therefore, the display luminance is 1/5 of the maximum luminance. A lighting rate of 100% is a white raster display. That is, in white raster display, the display brightness is reduced to 1/5 of the maximum brightness.

点灯率が10%以下では、duty比は1/1である。画面の1/10が表示領域(白ウインドウなどの場合)である。もちろん、自然画では、暗い部分が多い画像である。duty比が1/1では、非点灯領域192がないため、EL素子の発光輝度がそのまま画素の表示輝度となる。点灯率10%とはイメージ的には画像表示はほとんどが黒表示であり、一部に画像が表示されている状態である。たとえば、点灯率が10%以下の画像表示とは、真っ暗な夜空に月がでている画像である(説明のための参考イメージ画像例である。白ウインドウでは、1/10白ウインドウ表示である)。この画像でduty比を1/1にするということは、月の部分は、白ラスターの輝度(図101で点灯率100%での輝度)の5倍の輝度で表示されることになる。したがって、ダイナミックレンジの広い画像表示を実現できる。画像表示されているのは1/10の領域であるから、1/10の領域の輝度を5倍にしたとしても消費電力の増加はわずかである。   When the lighting rate is 10% or less, the duty ratio is 1/1. 1/10 of the screen is a display area (in the case of a white window or the like). Of course, natural images are images with many dark areas. When the duty ratio is 1/1, since there is no non-lighting area 192, the light emission luminance of the EL element becomes the display luminance of the pixel as it is. The lighting rate of 10% is a state where most of the image display is black display and an image is displayed in part. For example, an image display with a lighting rate of 10% or less is an image in which the moon appears in a dark night sky (this is a reference image example for explanation. In a white window, a 1/10 white window is displayed. ). Setting the duty ratio to 1/1 in this image means that the moon portion is displayed with a luminance five times the luminance of the white raster (the luminance at the lighting rate of 100% in FIG. 101). Therefore, an image display with a wide dynamic range can be realized. Since the image is displayed in the 1/10 area, even if the brightness of the 1/10 area is increased 5 times, the increase in power consumption is slight.

以上のように、本発明では点灯率が低い画像では、duty比を1/1あるいは比較的大きくしている。duty比1/1では発光している画素は常時電流が流れている。したがって、1つの画素からみれば消費電流が大きい。しかし、EL表示パネルにおいて、発光している画素が少ないため、EL表示パネル全体からみれば、消費電力の増加はほとんどない。EL表示パネルでは黒部分は完全黒(非発光)である。したがって、duty比1/1で最高輝度が表示できればダイナミックレンジを拡大でき、メリハリのある良好な画像表示を実現できる。   As described above, in the present invention, the duty ratio is 1/1 or relatively large for an image with a low lighting rate. At a duty ratio of 1/1, a current always flows through a pixel that emits light. Therefore, the current consumption is large when viewed from one pixel. However, since there are few pixels emitting light in the EL display panel, there is almost no increase in power consumption when viewed from the entire EL display panel. In the EL display panel, the black portion is completely black (non-light emitting). Therefore, if the maximum luminance can be displayed with a duty ratio of 1/1, the dynamic range can be expanded, and a good and clear image display can be realized.

一方、本発明では点灯率が高い画像では、duty比を1/5など比較的小さくしている。また、点灯率に応じて、duty比が小さくなるように制御を行う。duty比が小さい時は発光している画素は間欠電流が流れている。したがって、1つの画素の消費電流は小さい。EL表示パネルにおいて、発光している画素は多いが、1画素あたりの消費電流が少ないため、EL表示パネル全体からみれば、消費電力の増加は少ない。以上のように点灯率に対してduty比を制御する本発明の駆動方法はEL表示パネルなどの自己発光表示パネルに最適な駆動方法である。duty比が小さくなれば画像輝度は小さくなるが、画面全体として発生光束が多いため、暗くなったという印象は感じられない。   On the other hand, in the present invention, in an image with a high lighting rate, the duty ratio is relatively small, such as 1/5. Further, control is performed so that the duty ratio becomes small in accordance with the lighting rate. When the duty ratio is small, intermittent current flows through the light-emitting pixels. Therefore, the current consumption of one pixel is small. In an EL display panel, many pixels emit light, but since current consumption per pixel is small, an increase in power consumption is small when viewed from the entire EL display panel. As described above, the driving method of the present invention for controlling the duty ratio with respect to the lighting rate is an optimal driving method for a self-luminous display panel such as an EL display panel. If the duty ratio decreases, the image brightness decreases. However, since the generated light flux is large on the entire screen, the impression that it has become dark cannot be felt.

以上のように、duty比制御と、基準電流制御の一方または両方を実施することにより、画像のコントラスト比を拡大でき、ダイナミックレンジを拡大され、低消費電力化を実現できる。   As described above, by performing one or both of duty ratio control and reference current control, the contrast ratio of the image can be expanded, the dynamic range can be expanded, and low power consumption can be realized.

以上の制御は点灯率を用いて行う。点灯率は先にも説明したが、通常の駆動(duty比1/1)では、アノードまたはカソードに流れ込む(流れ出す)電流の大きさである。点灯率が増加すると比例してアノードまたはカソード端子の電流は増加する。前記電流は基準電流の大きさに比例して増減し、また、duty比に比例して増減する。なお、本発明はduty比、基準電流は点灯率により、変化させることに特徴ある。つまり、duty比、基準電流は固定ではない。画像の表示状態に応じて少なくとも複数の状態に変化させる。   The above control is performed using the lighting rate. As described above, the lighting rate is the magnitude of the current that flows into (flows out) the anode or cathode in normal driving (duty ratio 1/1). As the lighting rate increases, the current at the anode or cathode terminal increases in proportion. The current increases / decreases in proportion to the magnitude of the reference current, and increases / decreases in proportion to the duty ratio. The present invention is characterized in that the duty ratio and the reference current are changed depending on the lighting rate. That is, the duty ratio and the reference current are not fixed. The state is changed to at least a plurality of states according to the display state of the image.

点灯率が0に近い画像は、ほとんどの画素が低階調表示である。ヒストグラムで表現すれば、ヒストグラムの低階調領域に大多数のデータが分布している。この画像表示では、画像が黒つぶれ状態でありメリハリ感がない。そのため、ガンマカーブを制御して黒表示部のダイナミックレンジを広くする。   In an image with a lighting rate close to 0, most pixels are in low gradation display. In terms of a histogram, the majority of data is distributed in the low gradation area of the histogram. In this image display, the image is blacked out and there is no sharpness. Therefore, the dynamic range of the black display part is widened by controlling the gamma curve.

以上の実施例では、点灯率が0では、duty比を1/1にするとしたが、本発明はこれに限定するものではない。図102に図示するように、duty比を1より小さい値となるようにしてもよいことは言うまでもない。図102では、実線は点灯率0で、duty比=0.8、点線は点灯率0で、duty比=0.6である。   In the above embodiment, when the lighting rate is 0, the duty ratio is set to 1/1, but the present invention is not limited to this. Needless to say, the duty ratio may be smaller than 1 as shown in FIG. In FIG. 102, the solid line has a lighting rate of 0 and a duty ratio = 0.8, and the dotted line has a lighting rate of 0 and a duty ratio = 0.6.

また、duty比のカーブは図103に図示するように曲線となるようにしてもよい。なお、曲線とは、サインカーブ状、円弧状、三角形状が例示される。   Further, the duty ratio curve may be a curve as shown in FIG. Examples of the curve include a sine curve shape, an arc shape, and a triangular shape.

なお、duty比に最大値を設ける場合は、少なくとも点灯率20%以上50%以下の範囲でいずれかの位置で最大値となるようにすることが好ましい。この範囲は、画像表示でよく出現する。したがって、duty比を1/1など、他の点灯率の範囲よりも大きくすることにより、画像が高輝度表示しているように認識されるからである。たとえば、点灯率35%でduty比を1/1とし、点灯率20%、60%ではduty比を1/2とする制御方式が例示される。   In the case where the maximum value is provided for the duty ratio, it is preferable that the maximum value is set at any position within the range of at least the lighting rate of 20% to 50%. This range often appears in image display. Therefore, by making the duty ratio larger than other lighting rate ranges such as 1/1, it is recognized that the image is displayed with high brightness. For example, a control method in which the duty ratio is 1/1 at a lighting rate of 35%, and the duty ratio is 1/2 at a lighting rate of 20% and 60% is exemplified.

また、点灯率に応じて階段状に制御してもよい。階段状とは、たとえば、点灯率0%以上20%以下の場合は、duty比を1/1とし、点灯率20%より大きく60%以下の場合は、duty比を1/2とし、点灯率60%より大きく100%以下の場合は、duty比を1/4とする制御方法を言う。   Moreover, you may control in step shape according to a lighting rate. For example, when the lighting rate is 0% to 20%, the duty ratio is 1/1, and when the lighting rate is greater than 20% and 60% or less, the duty ratio is 1/2 and the lighting rate is When it is greater than 60% and less than or equal to 100%, it refers to a control method in which the duty ratio is ¼.

図104に図示するように、赤(R)、緑(G)、青(B)の画素で、duty比カーブを変化させてもよい。図104では、青(B)のduty比の変化の傾きを最も大きくし、緑(G)のduty比の変化の傾きを次に大きくし、赤(R)のduty比の変化の傾きを最も小さくしている。以上のように駆動すれば、RGBのホワイトバランス調整を最適にすることができる。もちろん、1色を一定(点灯率が変化しても変化させない)とし、他の2色を点灯率に応じて変化するように制御してもよい。   As shown in FIG. 104, the duty ratio curve may be changed for red (R), green (G), and blue (B) pixels. In FIG. 104, the slope of the change in the duty ratio of blue (B) is the largest, the slope of the change in the duty ratio of green (G) is the next largest, and the slope of the change in the duty ratio of red (R) is the largest. It is small. If driven as described above, RGB white balance adjustment can be optimized. Of course, one color may be constant (not changed even when the lighting rate changes), and the other two colors may be controlled to change according to the lighting rate.

点灯率とduty比の関係は、画像データの内容、画像表示状態、外部環境に合わせて設定することが好ましい。また、ユーザーが自由に設定あるいは調整できるように構成することが好ましい。また、ホトセンサあるいは温度センサから出力により自動で、duty比、基準電流比などを調整できるように構成することが好ましい。たとえば、周囲温度(パネル温度)が高い場合は、duty比を低下(1/4など)させることにより、パネルに流れ込む消費電流を抑制することができ、パネルの自己発熱が低下し、結果としてパネル温度を低下させることができる。したがって、パネルが熱劣化することを防止できる。図252(a)は周囲温度により基準電流比を変化させた実施例である。周囲温度が高くなるにしたがって、基準電流を抑制し(小さくし)、パネルの消費電流を低減して自己発熱を抑制している。図252(b)は周囲温度によりduty比を変化させた実施例である。周囲温度が高くなるにしたがって、duty比を小さくし、パネルの消費電流を低減して自己発熱を抑制している。なお、図252(a)の基準電流比制御と、図252(b)のduty比制御とを組み合わせてもよいことは言うまでもない。   The relationship between the lighting rate and the duty ratio is preferably set according to the content of the image data, the image display state, and the external environment. Further, it is preferable that the user can set or adjust freely. Further, it is preferable that the duty ratio, the reference current ratio, etc. can be automatically adjusted by the output from the photo sensor or the temperature sensor. For example, when the ambient temperature (panel temperature) is high, by reducing the duty ratio (1/4, etc.), current consumption flowing into the panel can be suppressed, and the panel's self-heating is reduced. The temperature can be lowered. Therefore, it is possible to prevent the panel from being thermally deteriorated. FIG. 252 (a) shows an embodiment in which the reference current ratio is changed according to the ambient temperature. As the ambient temperature increases, the reference current is suppressed (decreased), and the panel current consumption is reduced to suppress self-heating. FIG. 252 (b) shows an embodiment in which the duty ratio is changed depending on the ambient temperature. As the ambient temperature increases, the duty ratio is reduced, the panel current consumption is reduced, and self-heating is suppressed. Needless to say, the reference current ratio control in FIG. 252 (a) may be combined with the duty ratio control in FIG. 252 (b).

早いスピードで明るい画面と暗い画面とは交互に繰り返す時、変化に応じてduty比、基準電流などを変化させるとのフリッカが発生する。したがって、あるduty比から他のduty比などに変化する時は、図98に図示するように、ヒステリシス(時間遅延)を設けて変化させることが好ましい。たとえば、ヒステリシス期間を1secとすると、1sec期間内に、画面輝度が明るい暗いが複数回繰り返しても、以前のduty比が維持される。つまり、duty比は変化しない。以上の事項は、基準電流制御などにも適用できることは言うまでもない。なお、図98に図示するように変化は、R、G、Bで異ならせても良い。   When a bright screen and a dark screen are alternately repeated at a high speed, flicker occurs when the duty ratio, the reference current, and the like are changed according to the change. Therefore, when the duty ratio is changed from one duty ratio to another, it is preferable to provide a hysteresis (time delay) as shown in FIG. For example, if the hysteresis period is 1 sec, the previous duty ratio is maintained even if the screen brightness is bright and dark but is repeated a plurality of times within the 1 sec period. That is, the duty ratio does not change. Needless to say, the above items can also be applied to reference current control and the like. As shown in FIG. 98, the change may be different between R, G, and B.

このヒステリシス(時間遅延)時間をWait時間と呼ぶ。また、変化前のduty比を変化前duty比と呼び、変化後のduty比を変化後duty比と呼ぶ。なお、ヒステリシス(時間遅延)と呼ぶが、ヒステリシスには、変化をゆっくりと行う意味も含まれる。たとえば、duty比1/1から1/2に変化させる時、2秒の時間をかけてゆっくりと変化させる例が例示される(ほとんど、制御はこの方式である)。この実施例を図253に示している。図253(a)のパネル温度の変化に対して、図253(b)に図示するようにduty比がゆっくりと変化させるようにコントローラIC760が制御される。   This hysteresis (time delay) time is called Wait time. Also, the duty ratio before the change is called the pre-change duty ratio, and the duty ratio after the change is called the post-change duty ratio. In addition, although called hysteresis (time delay), the meaning of performing a change slowly is also included in hysteresis. For example, when the duty ratio is changed from 1/1 to 1/2, an example in which the duty ratio is changed slowly over a time of 2 seconds is exemplified (almost, control is this method). This embodiment is shown in FIG. The controller IC 760 is controlled so that the duty ratio changes slowly as shown in FIG. 253 (b) in response to the change in the panel temperature in FIG. 253 (a).

同様のことは、基準電流比制御にも適用される。この実施例を図254に示している。図254(a)のパネル温度の変化に対して、図254(b)に図示するように、基準電流比がゆっくりと変化させるようにコントローラIC760が制御される。   The same applies to the reference current ratio control. This embodiment is shown in FIG. As illustrated in FIG. 254 (b), the controller IC 760 is controlled so that the reference current ratio is slowly changed with respect to the change in the panel temperature in FIG. 254 (a).

変化前duty比が小さい状態から、他のduty比に変化する時は、変化によるフリッカの発生が起こりやすい。変化前duty比が小さい状態は、画面のデータ和が小さい状態あるいは画面に黒表示部が多い状態である。   When the duty ratio before change is small and changes to another duty ratio, flicker is likely to occur due to the change. The state where the duty ratio before change is small is a state where the data sum of the screen is small or a state where there are many black display portions on the screen.

特に中間調あるいは点灯率が中央値付近では変化はゆっくりと行う。画面が中間調の表示で視感度が高いためと思われる。また、duty比が小さい領域では、変化duty比との差が大きくなる傾向がある。もちろん、duty比の差が大きくなる時は、OEVを用いて制御する。しかし、OEV制御にも限界がある。以上のことから、変化前duty比が小さい時は、wait時間を長くする必要がある。   In particular, when the halftone or lighting rate is around the median, the change is slow. This is probably because the screen is halftone and the visibility is high. Further, in a region where the duty ratio is small, the difference from the change duty ratio tends to increase. Of course, when the difference in duty ratio increases, control is performed using OEV. However, OEV control also has a limit. From the above, when the duty ratio before change is small, it is necessary to lengthen the wait time.

変化前duty比が大きい状態から、他のduty比に変化する時は、変化によるフリッカの発生が起こりにくい。変化前duty比が大きい状態は、画面のデータ和が大きい状態あるいは画面に白表示部が多い状態である。したがって、画面全体が白表示で視感度が低いためと思われる。以上のことから、変化前duty比が大きい時は、wait時間は短くてよい。   When the pre-change duty ratio is changed to a different duty ratio, flicker due to the change is less likely to occur. The state where the duty ratio before change is large is a state where the data sum of the screen is large or a state where there are many white display portions on the screen. Therefore, it seems that the entire screen is white and the visibility is low. From the above, when the duty ratio before change is large, the wait time may be short.

以上の関係を図98に図示する。横軸は変化前duty比である。縦軸はWait時間(秒)である。duty比が1/16以下では、Wait時間を3秒(sec)と長くしている。たとえば、B(青)ではduty比が1/16以上duty比8/16(=1/2)では、duty比に応じてWait時間を3秒から2秒に変化させる。duty比8/16以上duty比16/16=1/1では、duty比に応じて2秒から0秒近傍に変化させる。   The above relationship is illustrated in FIG. The horizontal axis is the duty ratio before change. The vertical axis represents the wait time (seconds). When the duty ratio is 1/16 or less, the wait time is increased to 3 seconds (sec). For example, in B (blue), when the duty ratio is 1/16 or more and the duty ratio is 8/16 (= 1/2), the wait time is changed from 3 seconds to 2 seconds according to the duty ratio. When the duty ratio is 8/16 or more and the duty ratio is 16/16 = 1/1, the duty ratio is changed from 2 seconds to around 0 seconds according to the duty ratio.

以上のように、本発明のduty比制御はduty比に応じてWait時間を変化させる。duty比が小さい時はWait時間を長くし、duty比が大きい時はWait時間を短くする。つまり、少なくともduty比を可変する駆動方法にあって、第1の変化前のduty比が第2の変化前のduty比よりも小さく、第1の変化前duty比のWait時間が、第2の変化前duty比のWait時間よりも長く設定することを特徴とするものである。   As described above, the duty ratio control of the present invention changes the wait time in accordance with the duty ratio. When the duty ratio is small, the wait time is lengthened, and when the duty ratio is large, the wait time is shortened. That is, in the driving method that varies at least the duty ratio, the duty ratio before the first change is smaller than the duty ratio before the second change, and the wait time of the first before-change duty ratio is the second The duty ratio is set to be longer than the wait time of the duty ratio before change.

なお、以上の実施例では、変化前duty比を基準にしてWait時間を制御あるいは規定するとした。しかし、変化前duty比と変化後duty比との差はわずかである。したがって、前述の実施例において変化前duty比を変化後duty比と読み替えても良い。   In the above embodiment, the wait time is controlled or specified based on the duty ratio before change. However, the difference between the pre-change duty ratio and the post-change duty ratio is slight. Therefore, in the above-described embodiment, the duty ratio before change may be read as the duty ratio after change.

また、以上の実施例において、変化前duty比と変化後duty比を基準にして説明した。変化前duty比と変化後duty比との差が大きい時はWait時間を長くとる必要があることはいうまでもない。また、duty比の差が大きい時は、中間状態のduty比を経由して変化後duty比に変化させることが良好であることは言うまでもない。   In the above embodiment, the pre-change duty ratio and the post-change duty ratio have been described. Needless to say, when the difference between the pre-change duty ratio and the post-change duty ratio is large, it is necessary to increase the wait time. Needless to say, when the duty ratio difference is large, it is preferable to change the duty ratio to the post-change duty ratio via the intermediate duty ratio.

本発明のduty比制御方法は、変化前duty比と変化後duty比との差が大きい時はWait時間を長くとる駆動方法である。つまり、duty比の差に応じてWait時間を変化させる駆動方法である。また、duty比の差が大きい時にWait時間を長くとる駆動方法である。なお、先にも説明したようにWait時間あるいはヒステリシスとは、ゆっくりと変化させる意味である。もちろん、広義には、変化を開始するのを遅延させるという意味もあることは言うまでもない。   The duty ratio control method of the present invention is a driving method that takes a longer wait time when the difference between the pre-change duty ratio and the post-change duty ratio is large. That is, this is a driving method in which the wait time is changed according to the difference in duty ratio. Further, this is a driving method in which the wait time is lengthened when the difference in duty ratio is large. As described above, the wait time or hysteresis means to change slowly. Of course, in a broad sense, it goes without saying that it also means delaying the start of change.

また、本発明のduty比の方法は、duty比の差が大きい時は、中間状態のduty比を経由して変化後duty比に変化させることを特徴とする駆動方法である。   The duty ratio method of the present invention is a driving method characterized in that when the difference in duty ratio is large, the duty ratio is changed to the post-change duty ratio via the duty ratio in the intermediate state.

以上の実施例では、duty比に対するWait時間を、R(赤)G(緑)B(青)で異ならせるとして説明した。しかし、本発明は、R、G、BでWait時間を変化させてもよいことは言うまでもない。RGBで視感度が異なるからである。視感度にあわせてWait時間を設定することにより、より良好な画像表示を実現できる。   In the above embodiment, the Wait time with respect to the duty ratio has been described as different for R (red), G (green), and B (blue). However, needless to say, the present invention may change the wait time by R, G, and B. This is because the visibility is different between RGB. By setting the wait time according to the visibility, a better image display can be realized.

以上の実施例は、duty比制御に関する実施例であった。基準電流制御についてもWait時間を設定することが好ましい。   The above embodiment is an embodiment related to duty ratio control. It is preferable to set the wait time for the reference current control.

以上のように本発明の駆動方法では、duty比、基準電流は急激に変化させない。急激に変化させると変化状態がフリッカとして認識されてしまうからである。通常、0.2秒以上10秒以下の遅延時間で変化させる。以上の事項は、後に説明するアノード電圧の変化制御、プリチャージ電圧の変化制御、周囲温度による変化制御(パネル温度により、duty比、基準電流を変化させる)などにも適用できることは言うまでもない。   As described above, in the driving method of the present invention, the duty ratio and the reference current are not changed rapidly. This is because the change state is recognized as flicker if it is suddenly changed. Usually, it is changed with a delay time of 0.2 seconds or more and 10 seconds or less. Needless to say, the above items can also be applied to anode voltage change control, precharge voltage change control, change control based on ambient temperature (to change the duty ratio and reference current depending on the panel temperature), and the like.

基準電流が小さい時は表示画面144が暗く、基準電流が大きい時は表示画面144が明るい。つまり、基準電流倍率が小さい時は、中間調表示状態と言い換えることができる。基準電流倍率が高いときは、高輝度の画像表示状態である。したがって、基準電流倍率が低い時は、変化に対する視感度が高いため、Wait時間を長くする必要がある。一方、基準電流倍率が高いときは、変化に対する視感度が低いため、Wait時間が短くても良い。   When the reference current is small, the display screen 144 is dark, and when the reference current is large, the display screen 144 is bright. That is, when the reference current magnification is small, it can be rephrased as a halftone display state. When the reference current magnification is high, the image display state is high brightness. Therefore, when the reference current magnification is low, the wait time needs to be increased because the visibility to changes is high. On the other hand, when the reference current magnification is high, the wait time may be short because the visibility to the change is low.

以上のような、duty比制御は、1フレームあるいは1フィールドで完結する必要はない。数フィールド(数フレーム)の期間でduty比制御を行っても良い。この場合のduty比は数フィールド(数フレーム)の平均値をduty比とする。なお、数フィールド(数フレーム)でduty比制御を行う場合であっても、数フィールド(数フレーム)期間は、6フィールド(6フレーム)以下にすることが好ましい。これ以上であるとフリッカが発生する場合があるからである。また、数フィールド(数フレーム)とは整数ではなく、2.5フレーム(2.5フィールド)などでもよい。つまり、フィールド(フレーム)単位には限定されない。   The duty ratio control as described above need not be completed in one frame or one field. The duty ratio control may be performed in a period of several fields (several frames). In this case, the duty ratio is an average value of several fields (several frames) as the duty ratio. Even when the duty ratio control is performed in several fields (several frames), the number field (several frames) period is preferably 6 fields (six frames) or less. This is because flicker may occur when the value exceeds this value. Also, the number field (several frames) is not an integer, and may be 2.5 frames (2.5 fields). That is, it is not limited to a field (frame) unit.

なお、以上の事項は、図1の画素構成のEL表示パネルあるいはEL表示装置だけではなく、図2、図7、図8、図9、図11、図12、図13、図28、図31、図36などの他の画素構成のEL表示パネルあるいはEL表示装置にも適用できることは言うまでもない。   The above matters are not limited to the EL display panel or EL display device having the pixel configuration shown in FIG. 1, but are also shown in FIGS. 2, 7, 8, 9, 11, 12, 13, 28, and 31. Needless to say, the present invention can also be applied to EL display panels or EL display devices having other pixel configurations such as FIG.

動画と静止画とでは、duty比パターンを変化させる。duty比パターンを急激に変化させると画像変化が認識されてしまうことがある。また、フリッカが発生する場合がある。この課題は動画のduty比と静止画のduty比との差異によって発生する。動画では非表示領域192を一括して挿入するduty比パターンを用いる。静止画では非表示領域192を分散して挿入するduty比パターンを用いる。非表示領域192の面積/画面面積144の比率がduty比となる。しかし、同一duty比であっても、非表示領域192の分散状態で人間の視感度は異なる。これは人間の動画応答性に依存するためと考えられる。   The duty ratio pattern is changed between the moving image and the still image. When the duty ratio pattern is suddenly changed, an image change may be recognized. Also, flicker may occur. This problem occurs due to the difference between the duty ratio of the moving image and the duty ratio of the still image. The moving image uses a duty ratio pattern in which the non-display area 192 is inserted at once. The still image uses a duty ratio pattern in which the non-display area 192 is dispersedly inserted. The ratio of the area of the non-display area 192 / the screen area 144 is the duty ratio. However, even if the duty ratio is the same, human visibility varies depending on the dispersion state of the non-display area 192. This is thought to be due to the dependence on human video response.

中間動画は、非表示領域192の分散状態が、動画の分散状態と静止画の分散状態との中間の分散状態である。なお、中間動画は複数の状態を準備し、変化前の動画状態あるいは静止画状態に対応させて複数の中間動画から選択してもよい。複数の中間動画状態とは、非表示領域の分散状態が動画表示に近く、たとえば、非表示領域192が3分割された構成が一例として例示される。また、逆に非表示領域が静止画のように多数に分散された状態が例示される。   In the intermediate moving image, the non-display area 192 has a distributed state that is intermediate between the distributed state of the moving image and the distributed state of the still image. Note that a plurality of intermediate moving images may be prepared, and selected from a plurality of intermediate moving images corresponding to the moving image state or the still image state before the change. Examples of the plurality of intermediate moving image states include a configuration in which the non-display area is distributed in a manner similar to the moving image display, and the non-display area 192 is divided into three parts. On the contrary, a state in which the non-display area is dispersed in a large number like a still image is illustrated.

静止画でも明るい画像もあれば暗い画像もある。動画も同様である。したがって、変化前の状態に応じてどの中間動画の状態に移行するかを決定すればよい。また、場合によっては、中間動画を経由せずに動画から静止画に移行してもよい。中間動画を経由せずに静止画から動画に移行してもよい。たとえば、表示画面144が低輝度の画像は動画表示と静止画表示とが直接移動しても違和感はない。また、複数の中間動画表示を経由して表示状態を移行させてもよい。たとえば、動画表示のduty比状態から、中間動画表示1のduty比状態に移行し、さらに中間動画表示2のduty比状態に移行してから静止画表示のduty比状態に移行させてもよい。   Some still images are bright and some are dark. The same applies to videos. Therefore, it is only necessary to determine which intermediate moving image state is to be changed according to the state before the change. In some cases, a moving image may be transferred to a still image without going through an intermediate moving image. You may transfer from a still image to a moving image without going through an intermediate moving image. For example, when the display screen 144 has a low luminance, there is no sense of incongruity even if the moving image display and the still image display are moved directly. Further, the display state may be shifted via a plurality of intermediate moving image displays. For example, the duty ratio state of the moving image display may be shifted to the duty ratio state of the intermediate moving image display 1, and may be further shifted to the duty ratio state of the intermediate moving image display 2 and then the duty ratio state of the still image display.

動画表示から静止画表示に移動する時に、中間動画状態を経由させる。また、静止画表示から中間動画表示を経由して動画表示に移行させる。各状態の移行時間はWait時間をおくことが好ましい。また、静止画から動画あるいは中間動画に移行する時は、非表示領域192の変化がゆっくりとなるようにする。   When moving from the movie display to the still image display, the intermediate movie state is passed. Also, the display is shifted from the still image display to the moving image display via the intermediate moving image display. It is preferable to set a wait time for the transition time of each state. Further, when shifting from a still image to a moving image or an intermediate moving image, the non-display area 192 changes slowly.

図16、図75などでプリチャージ駆動について説明をした。プリチャージ電圧の印加は点灯率あるいはduty比と連動させることが好ましい。プリチャージ電圧の印加は必要がない箇所には印加しないことが好ましい。白表示の輝度低下などが発生する場合があるからである。したがって、プリチャージ電圧の印加は限定されることが好ましい。   The precharge drive has been described with reference to FIGS. The application of the precharge voltage is preferably linked to the lighting rate or the duty ratio. It is preferable not to apply the precharge voltage to a place where it is not necessary. This is because a decrease in brightness of white display may occur. Therefore, it is preferable that application of the precharge voltage is limited.

プリチャージ駆動は、特に電流駆動方式において、白表示部の下にクロストークする現象を解消するために実施する。したがって、このクロストークが目立つのは、画面に黒表示部が多く、一部に白表示がある画像である。点灯率で示せば、点灯率が小さい領域でプリチャージが必要である。表示画面144全体が白表示であればクロストークが発生しても視覚的に認識されることはないからである。したがって、プリチャージ駆動は実施する必要がない。   The precharge drive is performed in order to eliminate the phenomenon of crosstalk under the white display portion, particularly in the current drive method. Therefore, this crosstalk is conspicuous in an image having a lot of black display portions on the screen and partly displaying white. In terms of the lighting rate, precharge is necessary in a region where the lighting rate is small. This is because if the entire display screen 144 is white, it will not be visually recognized even if crosstalk occurs. Therefore, it is not necessary to perform precharge driving.

本発明は点灯率が高い(表示画面144において全体的に白表示部分が多い)時に、duty比を小さくする。つまり、duty比1/nのnを大きくする。点灯率が低い(表示画面144の全体的に黒表示部分が多い)時に、duty比を大きくする。つまり、duty比1/1に近づく。したがって、duty比と点灯率とは相関関係がある。映像データから点灯率(点灯率)を求め、点灯率からduty比制御を行うのであるから当然である。また、点灯率をプリチャージ制御とも関係がある。   The present invention reduces the duty ratio when the lighting rate is high (the display screen 144 has many white display portions as a whole). That is, n of the duty ratio 1 / n is increased. When the lighting rate is low (the display screen 144 has a large number of black display portions as a whole), the duty ratio is increased. That is, the duty ratio approaches 1/1. Therefore, there is a correlation between the duty ratio and the lighting rate. Naturally, the lighting rate (lighting rate) is obtained from the video data, and the duty ratio control is performed from the lighting rate. The lighting rate is also related to the precharge control.

図105(a)に図示するように、duty比と点灯率(%)の関係があるとする。図105(b)はプリチャージのオンオフ状態を示している。図105(b)では、duty比が20%以下でプリチャージ駆動するように設定している。ただし、プリチャージ駆動するとしても、本発明のプリチャージ駆動には、allプリチャージモード、適応型プリチャージモード、0階調プリチャージモード、選択階調プリチャージモードがある。したがって、図105(b)ではプリチャージ駆動が実施されるように設定するというポイントであり、どのプリチャージが行われるかにより駆動状態は異なる。重要なのは、duty比あるいは点灯率により、プリチャージ駆動をするかしないかを変化させることである。   As shown in FIG. 105A, it is assumed that there is a relationship between the duty ratio and the lighting rate (%). FIG. 105B shows the precharge on / off state. In FIG. 105 (b), precharge driving is set at a duty ratio of 20% or less. However, even if the precharge drive is used, the precharge drive of the present invention includes an all precharge mode, an adaptive precharge mode, a 0 grayscale precharge mode, and a selective grayscale precharge mode. Therefore, in FIG. 105 (b), the point is that the precharge drive is set to be performed, and the drive state differs depending on which precharge is performed. What is important is to change whether or not to perform precharge driving depending on the duty ratio or the lighting rate.

duty比あるいは点灯率(%)とガンマ制御も相関がある。図106はその説明図である。点灯率が高い画像では、全体的に輝度が高い画像が多い。そのため、画像が白っぽくなる。そのため、ガンマ定数の係数(通常、係数は2.2とされている)を大きくして、黒階調領域の面積を多くすることが好ましい。黒階調領域の面積を多くすることにより画像のメリハリ感がつく。   There is also a correlation between the duty ratio or lighting rate (%) and gamma control. FIG. 106 is an explanatory diagram thereof. In an image with a high lighting rate, there are many images with high overall brightness. Therefore, the image becomes whitish. Therefore, it is preferable to increase the coefficient of the gamma constant (usually the coefficient is 2.2) to increase the area of the black gradation region. By increasing the area of the black gradation area, the image is sharpened.

点灯率に対するduty比を図107であるとする。図107の制御では、表示画像の点灯率が100%に近いとduty比はほぼ1/4にする。階調は輝度と比例する。点灯率が高い画像では、画像の階調表示がつぶれて解像度のない画像になっていまうので、ガンマカーブを変化させる必要がある。つまり、ガンマカーブの乗数である係数を大きくし、ガンマカーブを急峻にする必要がある。   FIG. 107 shows the duty ratio with respect to the lighting rate. In the control of FIG. 107, when the lighting rate of the display image is close to 100%, the duty ratio is set to almost ¼. The gradation is proportional to the luminance. In an image with a high lighting rate, the gradation display of the image is crushed and the image has no resolution, so it is necessary to change the gamma curve. That is, it is necessary to increase the coefficient, which is a multiplier of the gamma curve, to make the gamma curve steep.

以上のことから、本発明では、点灯率あるいはduty比に応じて、ガンマカーブの係数を変化させている。図106はその説明図である。   From the above, in the present invention, the coefficient of the gamma curve is changed according to the lighting rate or the duty ratio. FIG. 106 is an explanatory diagram thereof.

本発明は点灯率が高い(表示画面144の全体的に白表示部分が多い)時に、duty比を小さくする。つまり、duty比1/nのnを大きくする。点灯率が低い(表示画面144の全体的に黒表示部分が多い)時に、duty比を大きくする。つまり、duty比1/1に近づく。したがって、duty比と点灯率とは相関関係がある。映像データから点灯率(点灯率)を求め、点灯率からduty比制御を行うのであるから当然である。
図106(a)に図示するように、duty比と点灯率(%)の関係があるとする。図106(b)のグラフは縦軸をガンマカーブの係数を示している。図106(b)では、duty比が70%以上でガンマカーブの係数が大きくなるように設定している。つまり、ガンマカーブが急峻になるように、高階調領域で階調表現が大きくなるようにしている。したがって、白つぶれ画像が改善される。
The present invention reduces the duty ratio when the lighting rate is high (the entire display screen 144 has many white display portions). That is, n of the duty ratio 1 / n is increased. When the lighting rate is low (the display screen 144 has a large number of black display portions as a whole), the duty ratio is increased. That is, the duty ratio approaches 1/1. Therefore, there is a correlation between the duty ratio and the lighting rate. Naturally, the lighting rate (lighting rate) is obtained from the video data, and the duty ratio control is performed from the lighting rate.
As shown in FIG. 106A, it is assumed that there is a relationship between the duty ratio and the lighting rate (%). In the graph of FIG. 106B, the vertical axis indicates the coefficient of the gamma curve. In FIG. 106B, the gamma curve coefficient is set to be large when the duty ratio is 70% or more. That is, the gradation expression is increased in the high gradation region so that the gamma curve becomes steep. Therefore, the whiteout image is improved.

なお、図108(a)(b)に図示するように、duty比が一定以上の小さい領域でガンマ係数を大きくすることも画像表示を改善できる場合がある。以上のように、点灯率(画像のデータ和)に対応して、ガンマカーブを変化させることにより、メリハリのある画像表示を実現できる。図256では点灯率に対してカンマ係数を変化させた実施例である。   As shown in FIGS. 108A and 108B, increasing the gamma coefficient in a small region where the duty ratio is a certain value or more may improve the image display. As described above, a sharp image display can be realized by changing the gamma curve in accordance with the lighting rate (image data sum). FIG. 256 shows an embodiment in which the comma coefficient is changed with respect to the lighting rate.

duty比制御と電源容量には密接な関係がある。電源サイズは最大の電源容量が大きくなるにつれ、大きくなる。特に、表示装置がモバイルの場合、電源サイズが大きいと重大課題となる。また、ELは電流と輝度が比例の関係である。黒表示では電流が流れない。白ラスター表示では最大電流が流れる。したがって、画像による電流の変化が大きい。電流の変化が大きいと電源サイズも大きくなり、消費電力も増加する。   There is a close relationship between duty ratio control and power supply capacity. The power supply size increases as the maximum power supply capacity increases. In particular, when the display device is mobile, a large power source becomes a serious problem. EL has a proportional relationship between current and luminance. In black display, no current flows. The maximum current flows in the white raster display. Therefore, the change in current due to the image is large. When the change in current is large, the power supply size increases and the power consumption increases.

本発明では、点灯率が高いときに、duty比制御の1/nのnを大きくし、消費電流(消費電力)を低減させている。逆に点灯率が低い時は、duty比を1/1=1または1/1に近くし、最大輝度が表示されるようにしている。以下にこの制御方法について説明をする。   In the present invention, when the lighting rate is high, 1 / n of duty ratio control is increased to reduce current consumption (power consumption). Conversely, when the lighting rate is low, the duty ratio is set to 1/1 = 1 or close to 1/1 so that the maximum luminance is displayed. This control method will be described below.

まず、点灯率(点灯率)とduty比の関係を図107に図示する。なお、点灯率は、以前にも説明したようにパネルに流れる電流で換算されているものであるとする。なぜなら、EL表示パネルではBの発光効率が悪いため、海の表示などが表示されると、消費電力が一気に増加するからである。したがって、最大値は、電源容量の最大値である。また、データ和とは単純な映像データの加算値ではなく、映像データを消費電流に換算したものとしている。したがって、点灯率も最大電流に対する各画像の使用電流から求められたものである。   First, the relationship between the lighting rate (lighting rate) and the duty ratio is shown in FIG. It is assumed that the lighting rate is converted by the current flowing through the panel as described above. This is because, in the EL display panel, the light emission efficiency of B is poor, and thus when the display of the sea is displayed, the power consumption increases at a stretch. Therefore, the maximum value is the maximum value of the power supply capacity. The data sum is not a simple addition value of video data, but video data converted into current consumption. Therefore, the lighting rate is also obtained from the current used for each image with respect to the maximum current.

図107は点灯率0%の時に、duty比を1/1とし、点灯率100%の時に最低duty比を1/4とした例である。図109は、電力と点灯率との掛算をした結果である。図107で点灯率が0から100%まで、絶えずduty比1/1であれば、図109のaで示すカーブとなる。図109の縦軸は、電源容量に対する使用電力の比(電力比)である。つまり、カーブaでは、点灯率と消費電力は比例関係にある。したがって、点灯率0%で消費電力は0(電力比0)であり、点灯率100%では、消費電力100(電力比100%)となる。   FIG. 107 shows an example in which the duty ratio is 1/1 when the lighting rate is 0%, and the lowest duty ratio is 1/4 when the lighting rate is 100%. FIG. 109 shows the result of multiplication of power and lighting rate. If the lighting rate is 0 to 100% in FIG. 107 and the duty ratio is constantly 1/1, a curve indicated by a in FIG. 109 is obtained. The vertical axis in FIG. 109 is the ratio of power used to the power supply capacity (power ratio). That is, in the curve a, the lighting rate and the power consumption are in a proportional relationship. Therefore, when the lighting rate is 0%, the power consumption is 0 (power ratio 0), and when the lighting rate is 100%, the power consumption is 100 (power ratio 100%).

図109のカーブbは、図107のduty比カーブで電力制限を実施した実施例である。点灯率100%の時のduty比は1/4であるから、カーブaに比較して、電力比は1/4の25%になる。カーブbは電力1/3よりも小さい範囲で動作している。したがって、図107のようにduty比制御を実施すると、電源容量は、従来(カーブa)に比較して1/3で十分であることになる。つまり、本発明では、電源サイズを従来に比較して小さくすることができる。   A curve b in FIG. 109 is an example in which power limitation is performed using the duty ratio curve in FIG. Since the duty ratio is 1/4 when the lighting rate is 100%, the power ratio is 25% of 1/4 compared to the curve a. The curve b is operating in a range smaller than the electric power 1/3. Therefore, when duty ratio control is performed as shown in FIG. 107, 1/3 of the power supply capacity is sufficient as compared with the conventional case (curve a). That is, in the present invention, the power supply size can be reduced as compared with the conventional one.

また、従来(カーブa)で点灯率が高い状態がつづくとパネルに流れる電流が大きく、発熱によるパネルの劣化が発生する。しかし、duty比制御を実施した本発明ではカーブbでわかるように、点灯率に関わらず、平均した電流がパネルに流れる。したがって、発熱の発生が少なくパネルの劣化も発生しない。   Further, if the lighting rate continues to be high in the prior art (curve a), the current flowing through the panel is large, and the panel is deteriorated due to heat generation. However, in the present invention in which the duty ratio control is performed, an average current flows through the panel regardless of the lighting rate, as can be seen from the curve b. Therefore, there is little heat generation and the panel does not deteriorate.

なお、図107のduty比カーブにおいて、最低duty比を1/2にした実施例がカーブcである。また、最低duty比を1/3にして実施例がカーブdである。同様に最低duty比を1/8にして実施例がカーブeである。   In the duty ratio curve of FIG. 107, an example in which the lowest duty ratio is halved is a curve c. Further, the curve d is an example in which the minimum duty ratio is 1/3. Similarly, the example is curve e with a minimum duty ratio of 1/8.

図107はduty比カーブを直線にしたものあった。しかし、duty比カーブは、多種多様な直線あるいは曲線で発生させることができる。たとえば、図110(a1)は、電力比が30%以下となるようにする(図110(a2)を参照のこと)duty比制御カーブである。図110(b1)は電力比が20%以下となるようにする(図110(b2)を参照のこと)duty比制御カーブである。以上のようにduty比カーブあるいは基準電流比カーブは、マイコンなどのプログラミングあるいは外部制御により、可変できるように構成することが好ましい。   In FIG. 107, the duty ratio curve is a straight line. However, the duty ratio curve can be generated by a wide variety of straight lines or curves. For example, FIG. 110 (a1) is a duty ratio control curve such that the power ratio is 30% or less (see FIG. 110 (a2)). 110 (b1) is a duty ratio control curve so that the power ratio is 20% or less (see FIG. 110 (b2)). As described above, the duty ratio curve or the reference current ratio curve is preferably configured to be variable by programming such as a microcomputer or external control.

duty比制御カーブは、ユーザーが外部環境に応じてボタンで自由に図110(a)、(b)を切り換えるようにする。明るい外部環境では、図110(a1)のduty比カーブを選択し、外部環境が暗いときは、図110(b1)のduty比カーブを選択するようにする。また、duty比制御カーブは自由に変更できるように構成しておくことが好ましい。   The duty ratio control curve allows the user to freely switch between FIGS. 110A and 110B with a button according to the external environment. When the external environment is bright, the duty ratio curve shown in FIG. 110 (a1) is selected. When the external environment is dark, the duty ratio curve shown in FIG. 110 (b1) is selected. Further, it is preferable that the duty ratio control curve is configured to be freely changed.

以上の実施例では、基準電流が1の時を基準にして説明し、また、duty比の最大は1/1であるとして説明をした。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図111に図示するように、基準電流は、1/2を中心として1あるいは1/3などに変化させてもよい。また、最大を0.5としてもよい。duty比も0.25を中心として0.5やそれ以下に変化させてもよい。また、最大は0.5をしてよい。   In the above embodiments, the case where the reference current is 1 has been described as a reference, and the maximum duty ratio has been described as 1/1. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 111, the reference current may be changed to 1 or 1/3 with 1/2 being the center. The maximum may be set to 0.5. The duty ratio may also be changed to 0.5 or less around 0.25. The maximum may be 0.5.

また、図112に図示するように、基準電流の最小値を1とし、最大値を3として、複数の値に変化させて用いても良い。また、duty比も図113に図示するように、点灯率の80%で最低とし、100%あるいは60%で大きくするように制御してもよいことはいうまでもない。   Further, as shown in FIG. 112, the minimum value of the reference current may be set to 1 and the maximum value may be set to 3 so as to be changed into a plurality of values. Also, as shown in FIG. 113, the duty ratio may be controlled to be the lowest at 80% of the lighting rate and to be increased at 100% or 60%.

図114(a)(b)に図示するように、基準電流は、2を中心として3あるいは1などに変化させてもよい。また、最大を3としてもよい。duty比も0.5を最大として、0.25などに変化させてもよいことは言うまでもない。図115(a)(b)においても同様である。   114 (a) and 114 (b), the reference current may be changed to 3 or 1 with 2 as the center. The maximum may be 3. Needless to say, the duty ratio may be changed to 0.25 or the like with 0.5 being the maximum. The same applies to FIGS. 115 (a) and 115 (b).

また、図116に図示するように、低点灯率領域(図116では点灯率20%以下)でduty比を低下させ(図116(a))、duty比の低下にあわせて、基準電流比を上昇させ(図116(b))てもよい。以上のようにduty比制御と基準電流比制御を同時に行うことにより、図116(c)で図示するように輝度の変化はなくなる。   Also, as shown in FIG. 116, the duty ratio is decreased in the low lighting rate region (lighting rate of 20% or less in FIG. 116) (FIG. 116 (a)), and the reference current ratio is set in accordance with the decrease in the duty ratio. It may be raised (FIG. 116 (b)). As described above, by performing the duty ratio control and the reference current ratio control at the same time, the luminance does not change as illustrated in FIG.

図116において、点灯率が高い領域(図116では40%以上)では、duty比は低下させるが、基準電流比は1のまま一定とする。したがって、輝度はduty比の低下にともなって低下するから、パネルの消費電力を制御(基本的には少なく)することができる。なお、duty比の最大を1/1とする駆動方法では、非表示領域192は一括して挿入することが好ましい。   In FIG. 116, in the region where the lighting rate is high (40% or more in FIG. 116), the duty ratio is decreased, but the reference current ratio remains constant at 1. Therefore, since the luminance decreases as the duty ratio decreases, the power consumption of the panel can be controlled (basically reduced). In the driving method in which the maximum duty ratio is 1/1, it is preferable to insert the non-display area 192 in a lump.

また、基準電流比、duty比と点灯率との関係は以下に説明するように一定の関係を保つことが好ましい。フリッカの発生の増加またはパネルの自己発熱による劣化が加速されるからである。図267はその一例である。図267(c)において縦軸のAはduty比×基準電流比を示している。基本的に点灯率が低い領域では、Aは1近傍になるように制御することが好ましい。また、点灯率が高い領域では、Aは1よりも小さくなるように制御することが好ましい。   Moreover, it is preferable that the relationship between the reference current ratio, the duty ratio, and the lighting rate is kept constant as described below. This is because the increase in flicker generation or the panel deterioration due to self-heating is accelerated. FIG. 267 is an example. In FIG. 267 (c), A on the vertical axis indicates duty ratio × reference current ratio. In a region where the lighting rate is basically low, it is preferable to control A to be in the vicinity of 1. Further, it is preferable to control A to be smaller than 1 in a region where the lighting rate is high.

検討の結果によれば、点灯率が30%以下の領域では、duty比×基準電流比(A)が0.7以上1.4以下にすることが好ましい。さらに好ましくは0.8以上1.2以下にすることが好ましい。また、点灯率が80%以下の領域では、duty比×基準電流比(A)が0.1以上0.8以下になるように制御あるいは設定することが好ましい。また、さらに好ましくは0.2以上0.6以下なるように制御あるいは設定することが好ましい。   According to the result of the study, it is preferable that the duty ratio × reference current ratio (A) is 0.7 or more and 1.4 or less in a region where the lighting rate is 30% or less. More preferably, it is 0.8 or more and 1.2 or less. In the region where the lighting rate is 80% or less, it is preferable to control or set the duty ratio × reference current ratio (A) to be 0.1 or more and 0.8 or less. Further, it is preferable to control or set so as to be 0.2 or more and 0.6 or less.

あるいは、点灯率50%の時のduty比×基準電流比をAとした時、点灯率が30%以下の領域では、duty比×基準電流比×Aが0.7以上1.4以下に設定あるいは制御することが好ましい。さらに好ましくは0.8以上1.2以下に設定あるいは制御することが好ましい。また、点灯率が80%以下の領域では、duty比×基準電流比×Aが0.1以上0.8以下に設定あるいは制御することが好ましい。さらに好ましくは0.2以上0.6以下に設定あるいは制御することが好ましい。   Alternatively, when the duty ratio × reference current ratio when the lighting rate is 50% is A, the duty ratio × reference current ratio × A is set to 0.7 or more and 1.4 or less in the region where the lighting rate is 30% or less. Or it is preferable to control. More preferably, it is set or controlled at 0.8 or more and 1.2 or less. Further, in a region where the lighting rate is 80% or less, it is preferable that duty ratio × reference current ratio × A is set or controlled to be 0.1 or more and 0.8 or less. More preferably, it is set or controlled to be 0.2 or more and 0.6 or less.

図267の実施例では、低点灯率領域(図267では点灯率25%以下)でduty比を低下させ、逆比例して基準電流比を上昇させている。したがって、duty比×基準電流比であるAは略1の関係が保持される。そのため、画面144の輝度の変化はなく、プログラム電流の大きさが大きくなり電流プログラムの書き込み不足が改善される。   In the embodiment of FIG. 267, the duty ratio is decreased in the low lighting rate region (lighting rate of 25% or less in FIG. 267), and the reference current ratio is increased in inverse proportion. Therefore, the relationship of substantially 1 is maintained for A which is duty ratio × reference current ratio. For this reason, there is no change in the brightness of the screen 144, the magnitude of the program current is increased, and insufficient writing of the current program is improved.

高点灯率領域(図267では点灯率75%以上)でduty比を低下させ、一方、基準電流比も低下させている。したがって、duty比×基準電流比であるAは、点灯率が大きくなるにしたがって0.25に近づくように制御される。そのため、点灯率が高くなるにしたがって、画面144の輝度が低下し、消費電流も低下する。したがって、パネルの自己発熱量がA×点灯率に比例して低下する。   In the high lighting rate region (lighting rate of 75% or more in FIG. 267), the duty ratio is reduced, while the reference current ratio is also reduced. Therefore, A which is duty ratio × reference current ratio is controlled so as to approach 0.25 as the lighting rate increases. Therefore, as the lighting rate increases, the brightness of the screen 144 decreases and the current consumption also decreases. Therefore, the self-heating amount of the panel decreases in proportion to A × lighting rate.

一般的に、EL表示パネルが15インチ以下の中小型の場合は、図269の点線に示す関係で駆動を実施することが好ましい(点灯率が高いときにduty比×基準電流比を低下させる)。EL表示パネルが15インチ以上の大型の場合は、図269の実線に示す関係で駆動を実施することが好ましい(点灯率が高いときにduty比×基準電流比を低下させ、点灯率が低いときにduty比×基準電流比を上昇させる)。   In general, when the EL display panel is a medium or small size of 15 inches or less, it is preferable to drive according to the relationship shown by the dotted line in FIG. 269 (to reduce the duty ratio × reference current ratio when the lighting rate is high). . When the EL display panel is 15 inches or larger, it is preferable to drive according to the relationship shown by the solid line in FIG. 269 (when the lighting ratio is high, the duty ratio × reference current ratio is reduced and the lighting ratio is low). To increase the duty ratio × reference current ratio).

なお、本発明の電源回路の効率グラフを図268(a)に図示している。出力電流が中間より高いときに効率がよい。したがって、出力電流は一定以上の出力を平均的に使用することが好ましい。   Note that an efficiency graph of the power supply circuit of the present invention is shown in FIG. 268 (a). Efficiency is good when the output current is higher than the middle. Therefore, it is preferable to use an output having an output current of a certain level or more on average.

図269の点線のように制御を実施すると、電力の相対的変化割合(電力比)は図268(b)の点線のようになる。図269の実線のように制御を実施すると、電力の相対的変化割合(電力比)は図268(a)の実線のようになる。実線では、低点灯率では電力が増加する。しかし、点灯率が低いため消費電力はほとんど増加しない。書き込み不足が改善する効果の利点のほうが大きい。   When control is performed as indicated by the dotted line in FIG. 269, the relative change rate (power ratio) of the power is as indicated by the dotted line in FIG. 268 (b). When the control is performed as indicated by the solid line in FIG. 269, the relative change rate (power ratio) of the power is as indicated by the solid line in FIG. 268 (a). In the solid line, the power increases at a low lighting rate. However, since the lighting rate is low, power consumption hardly increases. The advantage of improving the shortage of writing is greater.

なお、duty比が1/6以上もしくは好ましくは1/4以上では、非表示領域192は一括して挿入(図54(a1)〜(a4)など)することが好ましい。また、duty比が1/6以下もしくは好ましくは1/4より小さい時では、非表示領域192は分割して挿入(図54(b1)〜(b4)、図54(c1)〜(c4)など)することが好ましい。   When the duty ratio is 1/6 or more, or preferably 1/4 or more, the non-display area 192 is preferably inserted all at once (FIGS. 54A1 to 54A4, etc.). Further, when the duty ratio is 1/6 or less or preferably smaller than 1/4, the non-display area 192 is divided and inserted (FIGS. 54 (b1) to (b4), FIGS. 54 (c1) to (c4), etc. ) Is preferable.

本発明は第1の点灯率(アノード端子のアノード電流、データの総和に対する比率などでもよいことは以前に説明をした)もしくは点灯率範囲(アノード端子のアノード電流範囲、データの総和に対する比率の範囲などでもよいことは以前に説明をした)において、第1のFRCあるいは点灯率あるいはアノード(カソード)端子に流れる電流あるいは基準電流あるいはduty比あるいはパネル温度、基準電流比とduty比との積などもしくはこれらの組合せとして変化させる。また、第2の点灯率(アノード端子のアノード電流などでもよい)もしくは点灯率範囲(アノード端子のアノード電流範囲などでもよい)において、第2のFRCあるいは点灯率あるいはアノード(カソード)端子に流れる電流あるいは基準電流あるいはduty比あるいはパネル温度、基準電流比とduty比との積などもしくはこれらの組合せとして変化させる。もしくは、点灯率(アノード端子のアノード電流などでもよい)もしくは点灯率範囲(アノード端子のアノード電流範囲などでもよい)に応じて(適応して)、FRCあるいは点灯率あるいはアノード(カソード)端子に流れる電流あるいは基準電流あるいはduty比あるいはパネル温度、基準電流比とduty比との積など、もしくはこれらの組合せとして変化させるものである。また、変化させる時は、ヒステリシスをもたせて、あるいは遅延させて、あるいはゆっくりと変化させる。   In the present invention, the first lighting rate (the anode current of the anode terminal, the ratio to the sum of the data may be described previously) or the lighting rate range (the anode current range of the anode terminal, the range of the ratio to the sum of the data) In the first FRC, the lighting rate, the current flowing through the anode (cathode) terminal, the reference current, the duty ratio, the panel temperature, the product of the reference current ratio and the duty ratio, or the like. These are changed as a combination. Further, in the second lighting rate (which may be the anode current of the anode terminal) or the lighting rate range (which may be the anode current range of the anode terminal), the current flowing through the second FRC, the lighting rate, or the anode (cathode) terminal. Alternatively, the reference current or the duty ratio, the panel temperature, the product of the reference current ratio and the duty ratio, or a combination thereof is changed. Or, depending on the lighting rate (which may be the anode current of the anode terminal) or the lighting rate range (which may be the anode current range of the anode terminal) (adapted), it flows to the FRC or the lighting rate or the anode (cathode) terminal. The current, the reference current, the duty ratio, the panel temperature, the product of the reference current ratio and the duty ratio, or a combination thereof is changed. Also, when changing, the hysteresis is changed, delayed or changed slowly.

本発明において、プリチャージ駆動方法について説明した。また、点灯率の概念に関しても説明を行った。プリチャージ電圧は、点灯率によって変化させることも有効である。なお、点灯率とは、duty比制御を行っていない場合は、消費電流と同義である。つまり、点灯率は、画像データの加算により導出される。電流駆動の場合は、画像データと消費電力は比例し、画像データから点灯率が導出されるからである。   In the present invention, the precharge driving method has been described. The concept of lighting rate was also explained. It is also effective to change the precharge voltage depending on the lighting rate. Note that the lighting rate is synonymous with current consumption when duty ratio control is not performed. That is, the lighting rate is derived by adding image data. This is because in the case of current driving, image data and power consumption are proportional, and the lighting rate is derived from the image data.

プリチャージ駆動は、電圧駆動と類似する。ソース信号線18に電圧を印加し、駆動用トランジスタオ11aのゲート電圧にプリチャージ電圧を印加することにより、駆動用トランジスタ11aがEL素子15に電流を流さないようにするものだからである。したがって、プリチャージ電圧の基準原点は、アノード電位(Vdd)である。もちろん、駆動用トランジスタがNチャンネルの場合は、プリチャージ電圧の原点はカソードである。本明細書では、説明を容易にするため、図1に図示するように駆動用トランジスタ11aはPチャンネルとして説明する。   Precharge drive is similar to voltage drive. This is because a voltage is applied to the source signal line 18 and a precharge voltage is applied to the gate voltage of the driving transistor 11a to prevent the driving transistor 11a from flowing a current to the EL element 15. Therefore, the reference origin of the precharge voltage is the anode potential (Vdd). Of course, when the driving transistor is an N channel, the origin of the precharge voltage is the cathode. In the present specification, for ease of explanation, the driving transistor 11a is described as a P-channel as shown in FIG.

アノード電位が変化するとプリチャージ電圧の変化させる必要がある。アノード電位(Vdd)は変化しないように、アノード配線2155を低抵抗値化する。しかし、点灯率が高い場合は、アノード配線(端子)に流れる電流量が多いため、電圧降下が発生する。電圧降下は消費電流に比例する。したがって、アノード電圧の電圧降下は点灯率に比例する。   When the anode potential changes, it is necessary to change the precharge voltage. The resistance of the anode wiring 2155 is lowered so that the anode potential (Vdd) does not change. However, when the lighting rate is high, the amount of current flowing through the anode wiring (terminal) is large, so that a voltage drop occurs. The voltage drop is proportional to the current consumption. Therefore, the voltage drop of the anode voltage is proportional to the lighting rate.

以上のことからプリチャージ電圧は点灯率に相関して変化させることが好ましい。または、アノード(カソード)端子に流れる電流(もしくは、EL表示パネルに流れる電流)に対応して、プリチャージ電圧変化させることが好ましい。   From the above, it is preferable to change the precharge voltage in correlation with the lighting rate. Alternatively, it is preferable to change the precharge voltage corresponding to the current flowing through the anode (cathode) terminal (or the current flowing through the EL display panel).

本発明のソースドライバ回路は、図75に図示するように、電子ボリウム501を具備している。したがって、電子ボリウム501を制御することにより、容易にプリチャージ電圧を変化させることができる。なお、電子ボリウム501による制御だけでなく、ソースドライバIC(回路)14の外部のDA回路などでプリチャージ電圧を発生させて印加してもよいことはいうまでもない。   The source driver circuit of the present invention includes an electronic volume 501 as shown in FIG. Therefore, the precharge voltage can be easily changed by controlling the electronic regulator 501. Needless to say, the precharge voltage may be generated and applied not only by the electronic volume control 501 but also by a DA circuit outside the source driver IC (circuit) 14.

アノード端子で発生する降下電圧は、以下の処理により把握できる。まず、アノード電圧の発生源から各画素までの抵抗値は設計した段階でわかっている。抵抗値はアノード配線(アノード端子から画素16の駆動用トランジスタ11aまでの抵抗)の金属薄膜のシート抵抗値から決定されるからである。アノード端子に流れる消費電流は映像データの処理によりわかる。電流駆動方式では映像データの総和を求めればよい。以上のことは、図85、図88、図98、図103、図205、図107、図109などでduty比の導出、データ和、点灯率(=点灯率)などとして説明した。アノードに流れる電流が容易に導出できるのは電流プログラム方式の大きな特徴である。   The voltage drop generated at the anode terminal can be grasped by the following processing. First, the resistance value from the anode voltage source to each pixel is known at the stage of design. This is because the resistance value is determined from the sheet resistance value of the metal thin film of the anode wiring (resistance from the anode terminal to the driving transistor 11a of the pixel 16). The current consumption flowing through the anode terminal can be determined by processing the video data. In the current driving method, the sum of video data may be obtained. The above has been described as derivation of duty ratio, data sum, lighting rate (= lighting rate), etc. in FIGS. 85, 88, 98, 103, 205, 107, 109, and the like. The ability to easily derive the current flowing through the anode is a major feature of the current programming method.

したがって、アノード配線の抵抗値と、アノード配線に流れる電流(パネルの消費電流)がわかれば、アノード端子に発生する電圧降下がわかることになる。消費電流は1フレームの画像データ処理によりリアルタイムで導出される。したがって、画素16でのアノード端子の電圧降下もリアルタイムで決定される。   Therefore, if the resistance value of the anode wiring and the current flowing through the anode wiring (panel consumption current) are known, the voltage drop generated at the anode terminal can be known. The current consumption is derived in real time by processing one frame of image data. Therefore, the voltage drop of the anode terminal in the pixel 16 is also determined in real time.

以上のことから、リアルタイムで画素16でのアノード電圧(電圧降下を考慮して)を導出し、この電圧降下分を考慮してプリチャージ電圧を決定する。なお、プリチャージ電圧の決定はリアルタイムで行うことに限定されるものではない。間欠的に行っても良いことはいうまでもない。なお、duty比制御を行う場合は、duty比によりアノードに流れる電流が変化する。したがって、duty比制御による消費電流を加味する必要がある。duty比が1/1の場合は、点灯率は消費電流(電力)と同一である。   From the above, the anode voltage at the pixel 16 (in consideration of the voltage drop) is derived in real time, and the precharge voltage is determined in consideration of this voltage drop. Note that the determination of the precharge voltage is not limited to being performed in real time. It goes without saying that it may be performed intermittently. In addition, when performing duty ratio control, the electric current which flows into an anode changes with duty ratio. Therefore, it is necessary to consider current consumption by duty ratio control. When the duty ratio is 1/1, the lighting rate is the same as the current consumption (power).

また、本発明では、基準電流比(あるいは基準電流の大きさ)を小さくする(たとえば、基準電流比4から1に変化させること)ように制御することは、カソード端子に流れる電流もしくはアノード端子に流れる電流あるいは画素16のEL素子15に流れる電流を少なくなるように制御することと同義あるいは類似である。同様に、duty比(あるいはdutyの大きさ)を小さくする(たとえば、duty比1/1から1/4に変化させること)ように制御することは、カソード端子に流れる電流もしくはアノード端子に流れる電流あるいは画素16のEL素子15に流れる電流を少なくなるように制御することと同義あるいは類似である。   Further, in the present invention, controlling the reference current ratio (or the magnitude of the reference current) to be small (for example, changing from the reference current ratio 4 to 1) means that the current flowing through the cathode terminal or the anode terminal This is synonymous or similar to controlling the current flowing or the current flowing to the EL element 15 of the pixel 16 to be small. Similarly, controlling the duty ratio (or the magnitude of the duty) to be small (for example, changing the duty ratio from 1/1 to 1/4) means that the current flowing in the cathode terminal or the current flowing in the anode terminal Or it is synonymous or similar to controlling so that the electric current which flows into the EL element 15 of the pixel 16 may be decreased.

したがって、カソード端子に流れる電流もしくはアノード端子に流れる電流あるいは画素16のEL素子15に流れる電流が減少するように制御するあるいは増加するように制御することは、ゲートドライバ回路(IC)12を制御すること(たとえば、図14のスタート信号(ST)を制御すること)により実現できる。あるいはゲートドライバ回路12がゲート信号線17b(EL素子15に流れる電流を制御する信号線あるいは制御手段)の制御状態(選択するゲート信号線17の本数)を変更あるいは調整あるいは動作させることにより容易に実現できる。また、カソード端子に流れる電流もしくはアノード端子に流れる電流あるいは画素16のEL素子15に流れる電流が減少するように制御するあるいは増加するように制御することは、ソースドライバ回路(IC)14を制御すること(たとえば、図46、図50、図60などの基準電流Icを制御すること)により実現できる。あるいはアノード電圧Vddを変化あるいは制御しても実現できる。   Therefore, controlling the current flowing through the cathode terminal, the current flowing through the anode terminal, or the current flowing through the EL element 15 of the pixel 16 so that it decreases or increases controls the gate driver circuit (IC) 12. (For example, by controlling the start signal (ST) in FIG. 14). Alternatively, the gate driver circuit 12 can easily change, adjust, or operate the control state (number of gate signal lines 17 to be selected) of the gate signal line 17b (signal line or control means for controlling the current flowing through the EL element 15). realizable. In addition, controlling the source driver circuit (IC) 14 to control the current flowing in the cathode terminal, the current flowing in the anode terminal, or the current flowing in the EL element 15 of the pixel 16 so as to decrease or increase it. (For example, by controlling the reference current Ic in FIG. 46, FIG. 50, FIG. 60, etc.). Alternatively, it can be realized by changing or controlling the anode voltage Vdd.

本明細書では説明を容易にするため、基本的には図117などにおいてはduty比を1/1であるとして説明をする。つまり、点灯率とアノードに流れる電流は比例しているとする。   In order to facilitate the description in this specification, the description will be basically made assuming that the duty ratio is 1/1 in FIG. That is, it is assumed that the lighting rate is proportional to the current flowing through the anode.

なお、説明でアノード電流と点灯率は比例するとして説明をしている。しかし、図1などの画素構成ではアノード端子(駆動用トランジスタ11aのソース端子)には、ソースドライバICに流れ込むプログラム電流も加算されている。したがって、現実には多少異なる。また、アノード配線に流れる電流を中心に説明しているが、カソード配線に流れる電流と置き換えてもよいことは言うまでもない。   In the description, the anode current and the lighting rate are assumed to be proportional. However, in the pixel configuration of FIG. 1 and the like, a program current flowing into the source driver IC is also added to the anode terminal (the source terminal of the driving transistor 11a). Therefore, the reality is somewhat different. Further, the current flowing through the anode wiring is mainly described, but it goes without saying that the current flowing through the cathode wiring may be replaced.

図117(a)は点灯率に応じて画素16のアノード電圧がVdd(点灯率0%)からVr(点灯率100%)の電圧降下が発生することを図示している。図117(b)は点灯率に対する端子155に出力するプリチャージ電圧を示している。VddからD(V)降下した位置に駆動用トランジスタ11aの立ち上がり位置がある。したがって、VdからD(V)降下した電圧が点灯率0%でのプリチャージ電圧となる。図117(b)の実線は、図117(a)のアノード端子の電圧降下Vr(V)をそのまま用いたものである。したがって、点灯率100%のプリチャージ電圧はVdd−D−Vrである。   FIG. 117 (a) illustrates that the voltage drop of the anode voltage of the pixel 16 from Vdd (lighting rate 0%) to Vr (lighting rate 100%) occurs according to the lighting rate. FIG. 117B shows the precharge voltage output to the terminal 155 with respect to the lighting rate. The rising position of the driving transistor 11a is at a position that is lowered by D (V) from Vdd. Therefore, a voltage that is lowered by D (V) from Vd becomes a precharge voltage at a lighting rate of 0%. The solid line in FIG. 117 (b) uses the voltage drop Vr (V) at the anode terminal in FIG. 117 (a) as it is. Therefore, the precharge voltage with a lighting rate of 100% is Vdd-D-Vr.

図117(b)の点線は、点灯率40%以上と以下でプリチャージ電圧を変化させたものである。点灯率40%まではプリチャージ電圧はVdd−D(V)とし、40%以上ではプリチャージ電圧はVdd−D−Vr(V)としている。点線のように制御することにより、プリチャージ電圧の導出回路が簡単になる。   The dotted line in FIG. 117 (b) is obtained by changing the precharge voltage at a lighting rate of 40% or more and below. The precharge voltage is Vdd-D (V) up to a lighting rate of 40%, and the precharge voltage is Vdd-D-Vr (V) above 40%. By controlling as indicated by the dotted line, the circuit for deriving the precharge voltage is simplified.

アノード電圧Vddは、プログラム電流Iwの大きさで左右される。図1の画素構成を例示して説明する。図118(a)に図示するように、電流プログラム時は、プログラム電流Iwは駆動用トランジスタ11aからソース信号線18に流れ込む。プログラム電流Iwが大きい時は、駆動用トランジスタ11aのチャンネル間電圧が大きくなる。図118(b)は図118(a)をグラフ化したものである。チャンネル間電圧V1(実際には横軸の0がVdd電圧である)の時には、プログラム電流I1が流れる。チャンネル間電圧V2(実際には横軸の0がVdd電圧である)の時には、プログラム電流I2が流れる。大きなプログラム電流Iwを流すためには、アノード電圧Vddを高くする必要がある。   The anode voltage Vdd depends on the magnitude of the program current Iw. The pixel configuration in FIG. 1 will be described as an example. As shown in FIG. 118A, during current programming, the programming current Iw flows from the driving transistor 11a into the source signal line 18. When the program current Iw is large, the channel-to-channel voltage of the driving transistor 11a increases. FIG. 118 (b) is a graph of FIG. 118 (a). When the channel voltage is V1 (actually 0 on the horizontal axis is the Vdd voltage), the program current I1 flows. When the channel voltage is V2 (actually 0 on the horizontal axis is the Vdd voltage), the program current I2 flows. In order to pass a large program current Iw, it is necessary to increase the anode voltage Vdd.

以上の実施例は、プログラム電流Iwが大きなるとアノード電圧Vddを大きくする必要があるとしたが、逆には、プログラム電流Iwが小さい時は、アノード電圧Vddは低くてよいということを意味する。アノード電圧Vddが低くなればパネルの消費電力を減少させることができ、駆動用トランジスタ11aで消費される電力も減少させることができるので発熱を減少でき、EL素子15の寿命も長くすることができる。   In the above embodiment, it is necessary to increase the anode voltage Vdd when the program current Iw is large. Conversely, when the program current Iw is small, it means that the anode voltage Vdd may be low. If the anode voltage Vdd is lowered, the power consumption of the panel can be reduced, and the power consumed by the driving transistor 11a can also be reduced, so that heat generation can be reduced and the life of the EL element 15 can be extended. .

プログラム電流Iwは、基準電流の変化によっても変化する。基準電流Icが増加すれば、相対的にプログラム電流Iwも大きくなる(画面の階調データが一定の場合、つまりラスター画面で論じている)。基準電流Icが減少すれば、相対的にプログラム電流Iwも小さくなる。ここでは説明を容易にするため、プログラム電流Iwの増大または減少は、基準電流Icの増大または減少と同義であるとして説明をする。   The program current Iw also changes with a change in the reference current. If the reference current Ic is increased, the program current Iw is also relatively increased (discussed on the raster screen when the gradation data of the screen is constant). If the reference current Ic decreases, the program current Iw also becomes relatively small. Here, for ease of explanation, an increase or decrease in the program current Iw is described as being synonymous with an increase or decrease in the reference current Ic.

図119は、本発明の電源回路の構成図である。Vinは本体の電池(図示せず)からのアンレギュレータ電圧である。DCDCコンバータ1191aはGND電圧を基準とし、Vin電圧から昇圧してアノード電圧Vddを発生する。なお、説明を容易にするため、ソースドライバICの電源電圧Vsとアノード電圧Vddとは同一であるとし説明をする。Vdd=Vsとすることにより、電源数が減少し、回路構成が容易となる。また、ソースドライバICに過電圧が印加されることがなくなる。DCDCコンバータ1191bはGND電圧を基準とし、Vin電圧から昇圧して基底電圧Vdwを発生する。   FIG. 119 is a block diagram of the power supply circuit of the present invention. Vin is an unregulator voltage from a battery (not shown) of the main body. The DCDC converter 1191a uses the GND voltage as a reference and boosts it from the Vin voltage to generate an anode voltage Vdd. For ease of explanation, it is assumed that the power supply voltage Vs and the anode voltage Vdd of the source driver IC are the same. By setting Vdd = Vs, the number of power supplies is reduced and the circuit configuration is facilitated. Further, no overvoltage is applied to the source driver IC. The DCDC converter 1191b generates a base voltage Vdw by boosting from the Vin voltage with reference to the GND voltage.

レギュレータ1193は、Vdd電圧を接地電圧として、Vdw電圧とVdd電圧からカソード電圧Vssを発生させる。以上の構成により、もし、Vdd電圧が上昇すれば、Vss電圧も比例して上昇する。   The regulator 1193 generates the cathode voltage Vss from the Vdw voltage and the Vdd voltage using the Vdd voltage as a ground voltage. With the above configuration, if the Vdd voltage increases, the Vss voltage also increases in proportion.

図1でも理解できるが、駆動用トランジスタ11aで定電流Iwが発生させられ、EL素子15にプログラム電流Iwが流れる。したがって、消費電力は、VddとVssの電位差である。図119の構成では、Vdd電圧のシフトにより、Vss電圧も同一方向にシフトする。したがって、アノード電圧が変化しても、EL素子15+駆動用トランジスタ11a間に印加される電圧は一定である。   As can be understood from FIG. 1, a constant current Iw is generated by the driving transistor 11 a, and a program current Iw flows through the EL element 15. Therefore, power consumption is a potential difference between Vdd and Vss. In the configuration of FIG. 119, the Vss voltage is also shifted in the same direction due to the shift of the Vdd voltage. Therefore, even if the anode voltage changes, the voltage applied between the EL element 15 and the driving transistor 11a is constant.

図118で説明したようにアノード電圧は、プログラム電流Iw(基準電流Ic)が大きくなると高くする必要がある。GND電位が固定のためである。なお、アノード電圧の変化と同時にIC電圧のVsも変化させる(Vdd=Vs)。Vdd−Vssが一定電圧で、Vddが高くなれば、EL素子15に印加される電圧が小さくなる。したがって、EL素子15は飽和領域で動作しなくなる。しかし、Iw(Ic)が大きくしなければならない領域は、低点灯率の領域で、画素は高輝度制御が行われている。したがって、低点灯率で、かつ、高輝度表示の画素16の輝度が低下しても画像表示に影響はほとんどない。利点とする消費電力の方が大きい。   As described with reference to FIG. 118, the anode voltage needs to be increased as the program current Iw (reference current Ic) increases. This is because the GND potential is fixed. The IC voltage Vs is also changed simultaneously with the change of the anode voltage (Vdd = Vs). When Vdd−Vss is a constant voltage and Vdd increases, the voltage applied to the EL element 15 decreases. Therefore, the EL element 15 does not operate in the saturation region. However, the region where Iw (Ic) has to be increased is a region with a low lighting rate, and the pixel is subjected to high luminance control. Therefore, even if the luminance of the pixel 16 with a low lighting rate and high luminance display is lowered, the image display is hardly affected. The power consumption, which is an advantage, is greater.

なお、Vdd=Vsでない場合は、図120に図示するように、アノード電圧vddとGND間に抵抗(R1、R2)分割により発生さえればよい。Vs電圧は、IC内部でプリチャージ電圧の発生用として使用するためである。プリチャージ電圧はVddを基準とするため、VsとVddは連動している必要がある。なお、図120に図示するように、電解コンデンサCを挿入する。   If Vdd = Vs is not satisfied, it is only necessary to be generated by dividing resistance (R1, R2) between the anode voltage vdd and GND as shown in FIG. This is because the Vs voltage is used for generating a precharge voltage inside the IC. Since the precharge voltage is based on Vdd, Vs and Vdd need to be linked. As shown in FIG. 120, an electrolytic capacitor C is inserted.

図121はゲートオフ電圧(Vgh)、ゲートオン電圧(Vgl)との関係を図示したものである(図180とその説明も参照のこと)。図121(a)は、アノード電圧VddよりもVgh電圧を大きくしている。Vgl電圧は、Vss電圧よりも高くしている。
図121(b)は、アノード電圧Vddをシフトさせ、基準の電圧Vddよりも高くした状態である(電圧Vdd1で示している)。図121(b)では、Vgh電圧はVddの変化と連動して高くしている。Vgl電圧は、図121(a)から変化させていない。
FIG. 121 illustrates the relationship between the gate-off voltage (Vgh) and the gate-on voltage (Vgl) (see also FIG. 180 and its description). In FIG. 121 (a), the Vgh voltage is made larger than the anode voltage Vdd. The Vgl voltage is higher than the Vss voltage.
FIG. 121 (b) shows a state in which the anode voltage Vdd is shifted to be higher than the reference voltage Vdd (indicated by voltage Vdd1). In FIG. 121 (b), the Vgh voltage is increased in conjunction with the change in Vdd. The Vgl voltage is not changed from FIG. 121 (a).

図121(b)は、アノード電圧Vddをシフトさせ、基準の電圧Vddよりも高くした状態である(電圧Vdd1で示している)。図121(b)では、Vgh電圧は、Vddの変化と連動させていない。Vgl電圧は、図121(a)から変化させていない。以上のように、ゲート信号線電圧Vgh、Vgl電圧はいずれでも良い。   FIG. 121 (b) shows a state in which the anode voltage Vdd is shifted to be higher than the reference voltage Vdd (indicated by voltage Vdd1). In FIG. 121 (b), the Vgh voltage is not interlocked with the change in Vdd. The Vgl voltage is not changed from FIG. 121 (a). As described above, the gate signal line voltages Vgh and Vgl may be either.

なお、アノード電圧VddとIC(回路)14の電源電圧Vs(もしくは基準電圧)は同一にすることが好ましい。また、図75に図示するようにプリチャージ電圧を発生させる電子ボリウム501の基準電圧Vsもアノード電圧Vddにすることが好ましい。つまり、プリチャージを発生する回路電源電圧とIC(回路)14の電源電圧(基準電圧)Vsとアノード電圧Vddは略一致させる。なお略一致とは、±0.2(V)以内の範囲を意味する。もちろん、完全に一致させることが好ましいことは言うまでもない。   The anode voltage Vdd and the power supply voltage Vs (or reference voltage) of the IC (circuit) 14 are preferably the same. Further, as shown in FIG. 75, it is preferable that the reference voltage Vs of the electronic volume 501 for generating the precharge voltage is also the anode voltage Vdd. That is, the circuit power supply voltage for generating precharge, the power supply voltage (reference voltage) Vs of the IC (circuit) 14 and the anode voltage Vdd are substantially matched. Note that “substantially coincide” means a range within ± 0.2 (V). Of course, it is needless to say that it is preferable to make it completely coincide.

プリチャージ電圧を発生させる電子ボリウム501の基準電圧Vs、アノード電圧Vdd、回路(IC)14の電源電圧Vsは連動させる。たとえば、アノード電圧Vddが上昇すれば、プリチャージ電圧を発生させる電子ボリウム501の基準電圧Vsも上昇させる。また、回路(IC)14の電源電圧も上昇させる。逆に、アノード電圧Vddが降下すれば、プリチャージ電圧を発生させる電子ボリウム501の基準電圧Vsも降下させる。また、回路(IC)14の電源電圧も降下させる。   The reference voltage Vs, the anode voltage Vdd, and the power supply voltage Vs of the circuit (IC) 14 are linked to generate the precharge voltage. For example, when the anode voltage Vdd increases, the reference voltage Vs of the electronic volume 501 that generates the precharge voltage is also increased. Also, the power supply voltage of the circuit (IC) 14 is increased. Conversely, if the anode voltage Vdd drops, the reference voltage Vs of the electronic regulator 501 that generates the precharge voltage is also dropped. Further, the power supply voltage of the circuit (IC) 14 is also lowered.

以上のように連動させるのは、プリチャージ電圧は、駆動用トランジスタ11aのVdd(つまり、駆動用トランジスタ11aのソース端子電位)を基準にして発生させることが好ましいからである。つまり、アノード電圧Vddが上昇すれば、プリチャージ電圧も連動して上昇させることが好ましい。したがって、電子ボリウム501の基準電圧(IC(回路)14の電源電圧)Vsも上昇させる。一方で、電子ボリウム501はソースドライバ回路(IC)14内に内蔵させているため、当然のことながら電子ボリウム501はICの電源電圧(耐圧)を超えることができない。   The reason for interlocking as described above is that the precharge voltage is preferably generated with reference to Vdd of the driving transistor 11a (that is, the source terminal potential of the driving transistor 11a). That is, if the anode voltage Vdd increases, it is preferable to increase the precharge voltage in conjunction with it. Therefore, the reference voltage of the electronic volume 501 (power supply voltage of the IC (circuit) 14) Vs is also increased. On the other hand, since the electronic volume 501 is built in the source driver circuit (IC) 14, the electronic volume 501 cannot naturally exceed the power supply voltage (withstand voltage) of the IC.

実際には、ソースドライバ回路(IC)14から出力できるプリチャージ電圧は、IC(回路)14の電源電圧−0.2(V)程度となる。したがって、プリチャージ電圧が上昇すれば、IC(回路)14の電源電圧も上昇させなければIC(回路)14から目標のプリチャージ電圧を出力することができない。   Actually, the precharge voltage that can be output from the source driver circuit (IC) 14 is about the power supply voltage −0.2 (V) of the IC (circuit) 14. Therefore, if the precharge voltage increases, the target precharge voltage cannot be output from the IC (circuit) 14 unless the power supply voltage of the IC (circuit) 14 is also increased.

プリチャージ電圧は図75に図示するように電子ボリウム501などのデジタル可変(IC外部からの可変)構成にしているため、アノード電圧Vddの変化(たとえば、図123、図125、図124などを参照のこと)を検出し、電子ボリウム501のスイッチSを変更することにより、プリチャージ電圧を変更することができる。したがって、図75の構成は本発明のIC(回路)14として特長ある構成である。なお、プリチャージ電圧は、IC(回路)14の外部で発生させて、IC(回路)14を介してソース信号線18などに印加してもよい。なお、この場合も、プリチャージ電圧の最大値よりもIC(回路)14の電源電圧Vsは0.2(V)高くしておく必要がある。   75. Since the precharge voltage has a digital variable (variable from outside the IC) configuration such as an electronic volume 501 as shown in FIG. 75, changes in the anode voltage Vdd (for example, see FIGS. 123, 125, 124, etc.) )) And the switch S of the electronic volume 501 is changed, whereby the precharge voltage can be changed. Therefore, the configuration of FIG. 75 is a characteristic feature of the IC (circuit) 14 of the present invention. The precharge voltage may be generated outside the IC (circuit) 14 and applied to the source signal line 18 or the like via the IC (circuit) 14. In this case as well, the power supply voltage Vs of the IC (circuit) 14 needs to be 0.2 (V) higher than the maximum value of the precharge voltage.

以上の実施例では、プリチャージ電圧について説明したが、プリチャージ電圧に限定するものではなく、図228などで説明するリセット電圧についても適用できることは言うまでもない。   In the above embodiments, the precharge voltage has been described. However, the present invention is not limited to the precharge voltage, and it goes without saying that the present invention can also be applied to the reset voltage described with reference to FIG.

また、アノード電圧VddとドライバIC(回路)14の電源電圧などを連動させるとしたが、図10、図9などに図示するように駆動用トランジスタ11aがNチャンネルの場合は、カソード電圧Vssが基準となる。したがって、プリチャージ電圧を発生させる電子ボリウム501の基準電圧Vs、カソード電圧Vss、回路(IC)14の電源電圧Vs(もしくはGNDレベル)は連動させる必要があることは言うまでもない。したがって、以上に説明した内容を置き換えればよい。   Further, the anode voltage Vdd and the power supply voltage of the driver IC (circuit) 14 are linked. However, when the driving transistor 11a is an N channel as shown in FIGS. 10 and 9, the cathode voltage Vss is the reference. It becomes. Therefore, it goes without saying that the reference voltage Vs and cathode voltage Vss of the electronic volume 501 for generating the precharge voltage and the power supply voltage Vs (or GND level) of the circuit (IC) 14 need to be linked. Accordingly, the contents described above may be replaced.

以上の事項は本発明の他の実施例である表示パネル、表示装置、駆動方式などにも適用できることは言うまでもない。   Needless to say, the above items can be applied to other embodiments of the present invention, such as a display panel, a display device, and a driving method.

図122は、一例としての点灯率とアノード電圧の関係を示したものである。なお、Vdd+2、Vdd+4は、絶対的な電圧を示しているものではなく、説明を容易にするため相対的に図示したものである。   FIG. 122 shows a relationship between the lighting rate and the anode voltage as an example. Vdd + 2 and Vdd + 4 do not indicate absolute voltages, but are relatively illustrated for ease of explanation.

図122において、点灯率が25%以下で基準電流(プログラム電流)を増大させている。この状態ではアノード電圧を高くする必要があるので、基準電流の増大に伴って、アノード電圧も高くしている。なお、点灯率75%以上で基準電流を大きくしている。また、基準電流の増大に伴い、アノード電圧も高くしている。   In FIG. 122, the reference current (program current) is increased when the lighting rate is 25% or less. In this state, since the anode voltage needs to be increased, the anode voltage is increased as the reference current increases. The reference current is increased when the lighting rate is 75% or more. As the reference current increases, the anode voltage increases.

図122は、一例としての点灯率とアノード電圧の関係を示したものである。本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図280に図示するように、点灯率などに応じて、アノード端子電圧とカソード端子電圧との電位差を変化させてもよいことはいうまでもない。たとえば、アノード端子電圧が6(V)、カソード端子電圧が−9(V)であれば、電位差は6−(−9)=15(V)である。つまり、アノード電圧をカソード電圧との絶対値を点灯率あるいは基準電流もしくはアノード端子に流れる電流などに応じて変化させる。   FIG. 122 shows a relationship between the lighting rate and the anode voltage as an example. The present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 280, it goes without saying that the potential difference between the anode terminal voltage and the cathode terminal voltage may be changed according to the lighting rate or the like. For example, if the anode terminal voltage is 6 (V) and the cathode terminal voltage is −9 (V), the potential difference is 6 − (− 9) = 15 (V). That is, the absolute value of the anode voltage and the cathode voltage is changed according to the lighting rate, the reference current, the current flowing through the anode terminal, or the like.

図280の実線Aでは、第1の点灯率もしくは点灯率範囲において第1のアノード端子電圧とカソード端子電圧との電位差とし、第2の点灯率もしくは点灯率範囲において第2のアノード端子電圧とカソード端子電圧との電位差としており、また、第1の点灯率もしくは点灯率範囲から第2の点灯率もしくは点灯率範囲では、点灯率に応じてアノード端子電圧とカソード端子電圧を変化させている。図280の点線Bでは、第1の点灯率もしくは点灯率範囲において第1のアノード端子電圧とカソード端子電圧との電位差とし、第2の点灯率もしくは点灯率範囲において第2のアノード端子電圧とカソード端子電圧との電位差というようにステップ状に変化させている。   A solid line A in FIG. 280 indicates a potential difference between the first anode terminal voltage and the cathode terminal voltage in the first lighting rate or lighting rate range, and the second anode terminal voltage and the cathode in the second lighting rate or lighting rate range. In addition, the anode terminal voltage and the cathode terminal voltage are changed according to the lighting rate from the first lighting rate or lighting rate range to the second lighting rate or lighting rate range. A dotted line B in FIG. 280 indicates a potential difference between the first anode terminal voltage and the cathode terminal voltage in the first lighting rate or lighting rate range, and the second anode terminal voltage and the cathode in the second lighting rate or lighting rate range. The potential difference from the terminal voltage is changed in steps.

図123において、点灯率に応じて基準電流(プログラム電流)を段階的に変化させている。基準電流の変化に伴って、アノード電圧も変化させている。   In FIG. 123, the reference current (program current) is changed stepwise according to the lighting rate. As the reference current changes, the anode voltage also changes.

なお、図119から図123、図280などでは、基準電流(プログラム電流)の変化によりアノード電圧を変化させるとした。しかし、これは、駆動用トランジスタ11aがPチャンネルの場合であって、Nチャンネルの場合は、カソード電圧を変化させることは言うまでもない。   In FIGS. 119 to 123, 280, etc., the anode voltage is changed by changing the reference current (program current). However, this is a case where the driving transistor 11a is the P channel, and it goes without saying that the cathode voltage is changed when the driving transistor 11a is the N channel.

なお、プログラム電流の大きさ(基準電流の大きさ)に対するアノード電圧は、図124に図示するように変化させてもよい。図124の実線aは、プログラム電流(基準電流)に比例させてアノード電圧を変化させた例である。図124の点線bは、所定のプログラム電流(基準電流)以上の時に、アノード電圧を変化させた実施例である。点線bでは、基準電流に対するアノード電圧の変化点は1点であるので回路構成が容易となる。
図119、図120において、DCDCコンバータあるいはレギュレータの代りに、トランス(単巻きトランス、複巻きトランス)あるいはコイルを用いて昇圧回路などを形成あるいは構成してもよいことは言うまでもない。
Note that the anode voltage with respect to the magnitude of the program current (the magnitude of the reference current) may be changed as shown in FIG. A solid line a in FIG. 124 is an example in which the anode voltage is changed in proportion to the program current (reference current). A dotted line b in FIG. 124 is an embodiment in which the anode voltage is changed when the current is equal to or higher than a predetermined program current (reference current). In the dotted line b, since the change point of the anode voltage with respect to the reference current is one point, the circuit configuration is easy.
In FIGS. 119 and 120, it goes without saying that a booster circuit or the like may be formed or configured using a transformer (single winding transformer, multiple winding transformer) or a coil instead of the DCDC converter or the regulator.

以上の実施例では、基準電流あるいはプログラム電流の大きさによってアノード電圧を変化させる実施例であった。しかし、基準電流あるいはプログラム電流の大きさの変化は、ソース信号線18の電位を変化させることと同義である。図1などの駆動用トランジスタ11aがPチャンネルの場合は、プログラム電流Iwあるいは基準電流を増加させることは、ソース信号線18の電位を低くすることである(GND電位に近くなる)。逆に、プログラム電流Iwあるいは基準電流を小さくすることは、ソース信号線18の電位を高くすることである(アノードVddに近くなる)。   In the above embodiment, the anode voltage is changed according to the magnitude of the reference current or the program current. However, a change in the magnitude of the reference current or the program current is synonymous with changing the potential of the source signal line 18. In the case where the driving transistor 11a shown in FIG. 1 is a P channel, increasing the program current Iw or the reference current is to lower the potential of the source signal line 18 (close to the GND potential). Conversely, to reduce the program current Iw or the reference current is to increase the potential of the source signal line 18 (closer to the anode Vdd).

以上のことから、図125に図示するように、制御を行っても良い。つまり、ソース信号線18の電位が0(GND)電位の時に、アノード電圧を最も高くする(基準電流およびプログラム電流が最大値)。ソース信号線18の電位がVdd電位の時に、アノード電圧を最も低くする(基準電流およびプログラム電流が最小値)。以上のように構成あるいは制御することにより、EL素子15に高電圧が印加される期間を短くすることができ、EL素子15を長寿命化できる。   From the above, control may be performed as shown in FIG. That is, when the potential of the source signal line 18 is 0 (GND), the anode voltage is set highest (the reference current and the program current are the maximum values). When the potential of the source signal line 18 is the Vdd potential, the anode voltage is made the lowest (the reference current and the program current are the minimum values). By configuring or controlling as described above, the period during which a high voltage is applied to the EL element 15 can be shortened, and the life of the EL element 15 can be extended.

以下、本発明のEL表示パネル(EL表示装置)の電源回路(電圧発生回路)についてさらに説明をする。まず、図260を用いて、本発明のEL表示パネルで使用する電源(電圧)について説明をする。図14でも説明をしたが、ゲートドライバ回路12は、バッファ回路142とシフトレジスタ回路141で構成される。バッファ回路142はオフ電圧(Vgh)とオン電圧(Vgl)を電源電圧として使用する。一方、シフトレジスタ回路141はシフトレジスタの電源VGDDとグラント(GND)電圧を使用し、また、入力信号(CLK、UD、ST)の反転信号を発生させるためのVREF電圧を使用する。また、ソースドライバ回路14は、電源電圧Vsとグランド(GND)電圧を使用する。   Hereinafter, the power supply circuit (voltage generation circuit) of the EL display panel (EL display device) of the present invention will be further described. First, the power supply (voltage) used in the EL display panel of the present invention will be described with reference to FIG. As described with reference to FIG. 14, the gate driver circuit 12 includes a buffer circuit 142 and a shift register circuit 141. The buffer circuit 142 uses the off voltage (Vgh) and the on voltage (Vgl) as power supply voltages. On the other hand, the shift register circuit 141 uses a power supply VGDD and a grant (GND) voltage of the shift register, and also uses a VREF voltage for generating an inverted signal of the input signals (CLK, UD, ST). The source driver circuit 14 uses a power supply voltage Vs and a ground (GND) voltage.

ここで理解を容易にするため、電圧値を規定する。まず、アノード電圧Vddを6(V)とし、カソード電圧Vssを−9(V)とする(図1などを参照のこと)。GND電圧は0(V)とし、ソースドライバ回路のVs電圧はVdd電圧と同一の6(V)とする。Vgh1とVgh2電圧はVddより0.5(V)以上3.0(V)以下とすることが好ましい。ここでは、Vgh1=Vgh2=8(V)とする。   Here, in order to facilitate understanding, a voltage value is defined. First, the anode voltage Vdd is set to 6 (V), and the cathode voltage Vss is set to −9 (V) (see FIG. 1 and the like). The GND voltage is 0 (V), and the Vs voltage of the source driver circuit is 6 (V), which is the same as the Vdd voltage. The Vgh1 and Vgh2 voltages are preferably 0.5 (V) or more and 3.0 (V) or less from Vdd. Here, Vgh1 = Vgh2 = 8 (V).

ゲートドライバ回路12のVgh1は、図1のトランジスタ11cのオン抵抗を十分に小さくするため、低くする必要がある。ここでは、図261の回路構成を容易にするため、Vgh1と絶対値が逆であるVgl1=−8(V)にする。VGDD電圧は、Vghよりも低く、GND電圧よりも高くする必要がある。ここでは、図261のように発生電圧回路を容易にし、回路コストを低減するため、Vgh電圧の1/2の4(V)にする。一方で、Vgl2電圧は、余り低くすると、トランジスタ11bのリークを発生する危険性があるため、したがって、VGDD電圧とVHL1電圧の中間電圧にすることが好ましい。ここでは、図261のように発生電圧回路を容易にし、回路コストを低減するため、VGDD電圧と絶対値が等しく、また反対極性である−4(V)にする。   Vgh1 of the gate driver circuit 12 needs to be lowered in order to sufficiently reduce the on-resistance of the transistor 11c in FIG. Here, in order to facilitate the circuit configuration of FIG. 261, Vgl1 = −8 (V) whose absolute value is opposite to Vgh1 is set. The VGDD voltage needs to be lower than Vgh and higher than the GND voltage. Here, in order to facilitate the generated voltage circuit and reduce the circuit cost as shown in FIG. 261, it is set to 4 (V) which is 1/2 of the Vgh voltage. On the other hand, if the Vgl2 voltage is too low, there is a risk of leakage of the transistor 11b. Therefore, it is preferable that the Vgl2 voltage be an intermediate voltage between the VGDD voltage and the VHL1 voltage. Here, in order to facilitate the generated voltage circuit and reduce the circuit cost as shown in FIG. 261, the VGDD voltage is set to -4 (V) which is equal in absolute value and opposite in polarity.

以上のように設定した電圧を発生する本発明の回路構成を図261に図示している。以下、図261について説明を行う。   FIG. 261 shows a circuit configuration of the present invention for generating the voltage set as described above. Hereinafter, FIG. 261 will be described.

バッテリーからの電圧V1〜V2は、チャージポンプ回路を有するレギュレータ回路2611に入力される。具体的にはV1=3.6(V)、V2=4.2(V)である。レギュレータ回路2611は、入力された電圧をチャージポンプ回路2612aで4(V)の定電圧Vaに変換する。この電圧がVGDD電圧となる。もちろん、図261に図示するように、正電圧および負電圧を発生するチャージポンプ回路(レギュレータ機能なし)2612aで+Vである4(V)と−Vである−4(V)とを発生させてもよい。この−4(V)がVgl2電圧となる。チャージポンプ回路2612aはVaの正方向と負方向電圧を発生するだけであるので構成が非常に容易である。したがって、低コスト化を実現できる。   Voltages V1 to V2 from the battery are input to a regulator circuit 2611 having a charge pump circuit. Specifically, V1 = 3.6 (V) and V2 = 4.2 (V). The regulator circuit 2611 converts the input voltage into a constant voltage Va of 4 (V) by the charge pump circuit 2612a. This voltage becomes the VGDD voltage. Of course, as shown in FIG. 261, a charge pump circuit (without regulator function) 2612a that generates a positive voltage and a negative voltage generates 4 (V) that is + V and −4 (V) that is −V. Also good. This -4 (V) is the Vgl2 voltage. Since the charge pump circuit 2612a only generates the positive and negative voltages of Va, the configuration is very easy. Therefore, cost reduction can be realized.

レギュレータ回路2611からの出力電圧Vaはチャージポンプ回路2612bに入力される。図261に図示するように、正電圧および負電圧を発生するチャージポンプ回路(レギュレータ機能なし)2612bで+2Vである8(V)と−2Vである−8(V)とを発生させてもよい。この−8(V)がVgh1とVgh2電圧となる。−2V電圧がVgl1電圧となる。チャージポンプ回路2612bはVaの2倍の正方向と2倍の負方向電圧を発生するだけであるので構成が非常に容易である。したがって、低コスト化を実現できる。   The output voltage Va from the regulator circuit 2611 is input to the charge pump circuit 2612b. As shown in FIG. 261, a charge pump circuit (without regulator function) 2612b that generates positive and negative voltages may generate + 2V, 8 (V), and −2V, −8 (V). . This -8 (V) becomes the Vgh1 and Vgh2 voltages. The −2V voltage becomes the Vgl1 voltage. Since the charge pump circuit 2612b only generates a positive voltage twice as large as Va and a negative voltage twice as large as Va, the configuration is very easy. Therefore, cost reduction can be realized.

以上のように、本発明は、基準となる電圧Vaを定倍(2倍、3倍など)することによりVgh電圧などを発生することに特徴を有する。   As described above, the present invention is characterized in that the Vgh voltage or the like is generated by multiplying the reference voltage Va by a fixed multiple (two times, three times, etc.).

VddおよびVss電圧の発生回路を図262に図示する。Vdd電圧およびVss電圧の発生回路は、図119でも説明した。図262はトランス回路を用いる構成である。バッテリーからの電圧V1〜V2は、チャージポンプ回路を有するレギュレータ回路2611に入力される。レギュレータ回路2611は、入力された電圧をチャージポンプ回路2612aで4(V)の定電圧Vaに変換する。Va電圧(図261と共通)は、スイッチング回路2621でスイッチングされ交流化される。この交流信号はトランス2622からなる回路で電位変換され、電位変換された電圧は平滑化回路2623で直流電圧に変換される。変換された電圧がVddとVssとなる(トランスで電位シフトが行えるため)。   A circuit for generating the Vdd and Vss voltages is shown in FIG. The circuit for generating the Vdd voltage and the Vss voltage has also been described with reference to FIG. FIG. 262 shows a configuration using a transformer circuit. Voltages V1 to V2 from the battery are input to a regulator circuit 2611 having a charge pump circuit. The regulator circuit 2611 converts the input voltage into a constant voltage Va of 4 (V) by the charge pump circuit 2612a. The Va voltage (common to FIG. 261) is switched by the switching circuit 2621 and converted into an alternating current. The AC signal is converted in potential by a circuit including a transformer 2622, and the voltage subjected to the potential conversion is converted into a DC voltage by a smoothing circuit 2623. The converted voltages become Vdd and Vss (since the potential shift can be performed by the transformer).

図263は本発明の表示パネルの電源回路の出力電圧を図示したものである。プリチャージ電圧VpcはVs電圧とGND電圧間で動作する電子ボリウム501で発生する。また、VREF電圧は、VGDD電圧とGND間に配置された抵抗(R1、R2)によって発生する。なお、VREF電圧にはコンデンサCを配置し、安定化させる。   FIG. 263 shows the output voltage of the power supply circuit of the display panel of the present invention. The precharge voltage Vpc is generated by an electronic volume 501 that operates between the Vs voltage and the GND voltage. The VREF voltage is generated by resistors (R1, R2) arranged between the VGDD voltage and GND. Note that a capacitor C is provided for the VREF voltage to stabilize it.

この電圧がVGDD電圧となる。もちろん、図261に図示するように、正電圧および負電圧を発生するチャージポンプ回路(レギュレータ機能なし)2612aで+Vである4(V)と−Vである−4(V)とを発生させてもよい。この−4(V)がVgl2電圧となる。チャージポンプ回路2612aはVaの正方向と負方向電圧を発生するだけであるので構成が非常に容易である。したがって、低コスト化を実現できる。   This voltage becomes the VGDD voltage. Of course, as shown in FIG. 261, a charge pump circuit (without regulator function) 2612a that generates a positive voltage and a negative voltage generates 4 (V) that is + V and −4 (V) that is −V. Also good. This -4 (V) is the Vgl2 voltage. Since the charge pump circuit 2612a only generates the positive and negative voltages of Va, the configuration is very easy. Therefore, cost reduction can be realized.

本発明のプリチャージ駆動では所定電圧をソース信号線18に印加する。また、ソースドライバICはプログラム電流を出力するとした。しかし、本発明は、プリチャージ駆動を階調に応じて出力電圧を変化させてもよい。つまり、ソース信号線18に出力するプリチャージ電圧はプログラム電圧をなる。ソースドライバIC内にこのプリチャージ電圧のプログラム電圧回路1271を導入した回路構成が図127である。   In the precharge drive of the present invention, a predetermined voltage is applied to the source signal line 18. The source driver IC outputs a program current. However, in the present invention, the output voltage may be changed in accordance with the gradation in the precharge driving. That is, the precharge voltage output to the source signal line 18 is a program voltage. FIG. 127 shows a circuit configuration in which the program voltage circuit 1271 of the precharge voltage is introduced into the source driver IC.

なお、図127は1つのソース信号線18に対応する1出力回路ブロック図である。電流階調回路164と、プリチャージで階調出力をだす電圧階調回路1271が構成される。電流階調回路164と電圧階調回路1271には映像データが印加される。電圧階調回路1271の出力はスイッチ151のオンオフによりソース信号線18へ出力する端子155に印加される。スイッチ151はプリチャージイネーブル(プリチャージENBL)信号と、プリチャージ信号(プリチャージSIG)で制御される。スイッチ151はプリチャージイネーブル(プリチャージENBL)信号がHレベルで、かつ、プリチャージ信号(プリチャージSIG)がHレベルの時閉じるように制御される。   FIG. 127 is a one-output circuit block diagram corresponding to one source signal line 18. A current gradation circuit 164 and a voltage gradation circuit 1271 that outputs gradation output by precharging are configured. Video data is applied to the current gradation circuit 164 and the voltage gradation circuit 1271. The output of the voltage gradation circuit 1271 is applied to a terminal 155 that outputs to the source signal line 18 when the switch 151 is turned on / off. The switch 151 is controlled by a precharge enable (precharge ENBL) signal and a precharge signal (precharge SIG). The switch 151 is controlled to close when the precharge enable (precharge ENBL) signal is at the H level and the precharge signal (precharge SIG) is at the H level.

電圧階調回路1271は、サンプルホールド回路、DA回路などで構成される。デジタルの映像データに基づいて、DA回路により電圧変換される。この変換された電圧は、サンプルホールド回路によりサンプルホールドされ、オペアンプを介してスイッチ151の一端子に印加される。なお、DA回路は電圧階調回路1271ごとに構成または形成する必要がなく、外部にDA回路を構成し、このDA回路の出力を電圧階調回路1271内でサンプルホールドしてもよい。   The voltage gradation circuit 1271 includes a sample hold circuit, a DA circuit, and the like. Based on the digital video data, the voltage is converted by the DA circuit. The converted voltage is sampled and held by a sample and hold circuit, and is applied to one terminal of the switch 151 via an operational amplifier. The DA circuit does not need to be configured or formed for each voltage gradation circuit 1271, and a DA circuit may be configured outside, and the output of the DA circuit may be sampled and held in the voltage gradation circuit 1271.

電圧階調回路1271の出力は、図128に図示するように、1Hの最初に印加される(記号Aで示す)。その後、電流出力回路164によりソース信号線にプログラム電流が供給される(記号Bで示す)。つまり、電圧により概略のソース信号線電位まで電圧設定される。したがって、駆動用トランジスタは目的電流に近い値まで、高速に設定される。その後、電流のより駆動用トランジスタのバラツキを補償する目的電流まで設定される。電圧信号が印加されるA期間は、1Hの1/100以上1/5以下の期間が好ましい。または、0.2μsec以上10μsec以下の期間に設定することが好ましい。したがって、A期間以外がB期間の電流印加期間である。A期間が短いとソース信号線18の電荷の充放電が十分に行われないため、書き込み不足が発生する。一方、長すぎると電流印加期間(B)が短くなり十分にプログラム電流を印加することができない。したがって、駆動用トランジスタ11aの電流補正不足となる。   The output of the voltage gradation circuit 1271 is applied at the beginning of 1H (indicated by symbol A) as shown in FIG. Thereafter, a program current is supplied to the source signal line by the current output circuit 164 (indicated by symbol B). That is, the voltage is set to the approximate source signal line potential by the voltage. Therefore, the driving transistor is set at a high speed up to a value close to the target current. Thereafter, the current is set up to a target current that compensates for variations in the driving transistor. The period A during which the voltage signal is applied is preferably 1/100 to 1/5 of 1H. Alternatively, it is preferably set to a period of 0.2 μsec to 10 μsec. Therefore, the period other than the A period is the current application period of the B period. If the A period is short, charge and discharge of the source signal line 18 are not sufficiently performed, and thus insufficient writing occurs. On the other hand, if it is too long, the current application period (B) is shortened, and the program current cannot be sufficiently applied. Therefore, the current correction of the driving transistor 11a is insufficient.

電圧印加期間(A期間)は、1Hの最初から実施することが好ましいが、これに限定されない。たとえば、1Hの終わりのブランキング期間から開始してもよい。また、1Hの途中にA期間を実施してもよい。つまり、1Hのいずれかの期間に電圧印加期間を実施すれはよい。しかし、好ましくは、電圧印加期間は、1Hの最初から1/4H(0.25H)の期間内に実施することが好ましい。   The voltage application period (A period) is preferably implemented from the beginning of 1H, but is not limited thereto. For example, the blanking period at the end of 1H may be started. Moreover, you may implement A period in the middle of 1H. That is, the voltage application period may be performed in any period of 1H. However, it is preferable that the voltage application period be implemented within a period of 1 / 4H (0.25H) from the beginning of 1H.

図128の実施例では、電圧プリチャージ(A)の期間後、電流を印加(B期間)するとしたがこれに限定するものではない。たとえば、図129(a)に図示するように、1Hの期間のすべてを(あるいは大半を、あるいは過半数を)電圧プリチャージ(*A)期間としてもよい。   In the embodiment of FIG. 128, the current is applied (B period) after the voltage precharge (A) period, but the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 129 (a), the entire 1H period (or the majority or the majority) may be the voltage precharge (* A) period.

図129(a)の*Aの期間は、1Hの期間が電圧プログラムを実施している。*Aの期間は、低階調の領域である。低階調の領域で電流プログラムを実施してもプログラムされる電流が微小のため、ソース信号線18の寄生容量の影響により、ソース信号線18の電位変更を実施することができない。つまり、TFT11a(駆動用トランジスタ)の特性補償を行うことができない。また、電流プログラム方式では、プログラム電流Iと輝度Bとが線形の関係にある。そのため、低階調領域で1階調に対する輝度変化が大きすぎる。したがって、低階調領域で階調飛びが発生しやすい。   In the period of * A in FIG. 129 (a), the voltage program is executed in the period of 1H. * A period is a low gradation area. Even if the current program is executed in the low gradation region, the current to be programmed is very small. Therefore, the potential of the source signal line 18 cannot be changed due to the parasitic capacitance of the source signal line 18. That is, the characteristic compensation of the TFT 11a (driving transistor) cannot be performed. In the current programming method, the programming current I and the brightness B are in a linear relationship. Therefore, the luminance change for one gradation is too large in the low gradation area. Therefore, gradation skip is likely to occur in the low gradation region.

この課題に対して本発明では、図129(a)に図示するように、低階調領域で1Hの期間にわたり電圧プログラムを実施している(*Aで図示している)。低階調領域における領域で電圧プログラムの電圧ステップきざみを小さくしている。画素16のTFT11aに印加する電圧を一定ステップにすると、TFT11aのEL素子15への出力電流は概略2乗特性となる。したがって、印加電圧に対する輝度B(輝度BはEL素子15への出力電流に比例する)は、人間の視感度は直線的となる(人間の視感度は、2乗特性の時に低ステップで変化していると認識するためである)。   In order to solve this problem, in the present invention, as shown in FIG. 129 (a), a voltage program is executed over a period of 1H in the low gradation region (indicated by * A). The voltage step increment of the voltage program is reduced in the low gradation region. When the voltage applied to the TFT 11a of the pixel 16 is set to a certain step, the output current of the TFT 11a to the EL element 15 has a substantially square characteristic. Therefore, the luminance B with respect to the applied voltage (the luminance B is proportional to the output current to the EL element 15) has a linear human visual sensitivity (the human visual sensitivity changes in a low step when it has a square characteristic. For recognizing

電圧プログラム方式では、TFT11aの特性補償を良好に実施することができない。しかし、低階調領域では、表示画面144の表示輝度が低いため、特性補償不足による表示ムラが発生しても視覚的に認識されることはない。一方で、電圧プログラム方式では、ソース信号線18の充放電を良好に実施することができる。そのため、低階調領域でも十分にソース信号線18の充放電を実施でき、適正な階調表示を実現できる。   In the voltage program method, the characteristic compensation of the TFT 11a cannot be performed satisfactorily. However, since the display brightness of the display screen 144 is low in the low gradation region, even if display unevenness due to insufficient characteristic compensation occurs, it is not visually recognized. On the other hand, in the voltage program method, the source signal line 18 can be charged and discharged satisfactorily. Therefore, the source signal line 18 can be sufficiently charged / discharged even in the low gradation region, and appropriate gradation display can be realized.

図129(a)でも理解できるように、ソース信号線18の電位がアノード電位(Vdd)に近い場合に、1Hの期間のすべてに(大半に)電圧が印加される。ソース信号線18の電位が0(V)に近くなると、電圧プログラム(A期間)と電流プログラム(B)が1Hの期間内に実施される。なお、ソース信号線18の電位が0(V)に近い場合(高階調領域)では、1Hの期間中のすべての期間にわたり、電流プログラムを実施してもよい。   As can be understood from FIG. 129 (a), when the potential of the source signal line 18 is close to the anode potential (Vdd), the voltage is applied to all (most) of the period of 1H. When the potential of the source signal line 18 becomes close to 0 (V), the voltage program (A period) and the current program (B) are executed within the period of 1H. Note that in the case where the potential of the source signal line 18 is close to 0 (V) (high gradation region), the current program may be executed over the entire period of 1H.

図129(a)の*A以外の期間は、1Hの一定期間(Aで示す)に電圧プログラムによる電圧をソース信号線18に印加し、その後、Bの期間に電流プログラムによる電流を印加している。以上のようにA期間の電圧の印加により画素16のTFT11aのゲート電位に所定電圧を印加し、おおよそEL素子15に流す電流が所望値になるようにしている。その後、B期間のプログラム電流により、EL素子15に流れる電流が所定値となるようにしている。*A期間は、1H期間の全般にわたり電圧プログラムが実施されている(電圧が印加されている)。   In a period other than * A in FIG. 129 (a), a voltage according to a voltage program is applied to the source signal line 18 during a fixed period of 1H (indicated by A), and then a current according to a current program is applied during a period B Yes. As described above, a predetermined voltage is applied to the gate potential of the TFT 11a of the pixel 16 by applying the voltage during the period A so that the current flowing through the EL element 15 is approximately the desired value. Thereafter, the current flowing through the EL element 15 is set to a predetermined value by the program current during the B period. * In the period A, the voltage program is executed throughout the period of 1H (voltage is applied).

図129(a)は、画素16のTFT11a(駆動用トランジスタ)がPチャンネルの場合のソース信号線18への印加信号波形である。しかし、本発明はこれに限定するものではない。画素16のTFT11aがNチャンネルであってもよい(たとえば、図1を参照のこと)。この場合は、図129(b)に図示するように、ソース信号線18の電位が0(V)に近い場合に、1Hの期間のすべてに(大半に)電圧が印加される。ソース信号線18の電位がアノード電圧(Vdd)に近くなると、電圧プログラム(A期間)と電流プログラム(B)が1Hの期間に実施される。   FIG. 129A shows a signal waveform applied to the source signal line 18 when the TFT 11a (driving transistor) of the pixel 16 is a P channel. However, the present invention is not limited to this. The TFT 11a of the pixel 16 may be an N channel (see, for example, FIG. 1). In this case, as shown in FIG. 129 (b), when the potential of the source signal line 18 is close to 0 (V), the voltage is applied to all (most) of the 1H period. When the potential of the source signal line 18 becomes close to the anode voltage (Vdd), the voltage program (A period) and the current program (B) are executed during the 1H period.

なお、ソース信号線18の電位がVddに近い場合(高階調領域)では、1Hの期間中のすべての期間にわたり、電流プログラムを実施してもよい。   Note that in the case where the potential of the source signal line 18 is close to Vdd (high gradation region), the current program may be executed over the entire period of 1H.

本発明では、駆動用トランジスタ11aはPチャンネルとして説明するがこれに限定するものではなく、駆動用トランジスタ11aはNチャンネルであってもよいことはいうまでもない。説明を容易にするために、駆動用トランジスタ11aがPチャンネルトランジスタであるとして説明を行うだけである。   In the present invention, the driving transistor 11a is described as a P-channel, but the present invention is not limited to this, and it goes without saying that the driving transistor 11a may be an N-channel. For ease of explanation, the explanation is made only assuming that the driving transistor 11a is a P-channel transistor.

図128、図129などの本発明の実施例では、主として低階調領域は電圧プログラムが主で画素に書き込みがされる。中高階調領域は、電流プログラムが主で書き込みが行われる。つまり、電流と電圧駆動の両方のよいところの融合を実現できる。なぜなら、低階調領域は、電圧により所定階調表示される。これは、電流駆動では書き込み電流が微小のため、1H最初に印加した電圧(電圧駆動あるいはプリチャージ駆動による。プリチャージ駆動と電圧駆動は概念的には同一である。大きく差別化するならば、プリチャージ駆動は印加する電圧に種類が比較的少なく、電圧駆動は印加する電圧の種類が多いと言うべきである)が支配的となるからである。   In the embodiments of the present invention such as FIG. 128 and FIG. 129, the voltage program is mainly written in the low gradation region, and the pixel is written. In the middle / high gradation region, the current program is mainly used for writing. In other words, it is possible to realize a good fusion of both current and voltage driving. This is because the low gradation region is displayed with a predetermined gradation by the voltage. This is because the write current is very small in current drive, and the voltage applied first for 1H (by voltage drive or precharge drive. Precharge drive and voltage drive are conceptually the same. If greatly differentiated, This is because precharge driving has a relatively small number of types of applied voltage, and voltage driving has a large number of types of applied voltage).

中階調領域は、電圧により書き込んだ後、電圧のずれ量を、プログラム電流で補償する。つまり、プログラム電流が支配的となる(電流駆動が支配的である)。高階調領域は、プログラム電流で書き込む。プログラム電圧印加は不要である。印加した電圧がプログラム電流で書き換えられるからである。つまり、電流駆動が圧倒的に支配的である(図130(b)、図131などを参照のこと)。もちろん、電圧を印加してもよいことは言うまでもない。   In the middle gradation area, after writing by voltage, the amount of voltage deviation is compensated by the program current. That is, the program current is dominant (current drive is dominant). The high gradation region is written with a program current. No program voltage application is required. This is because the applied voltage is rewritten by the program current. That is, current driving is overwhelmingly dominant (see FIGS. 130B and 131). Of course, it goes without saying that a voltage may be applied.

図127で電圧階調回路の出力と電流階調回路(プリチャージ回路も含む)の出力とを端子155でショートして構成することができるのは、電流階調回路は高インピーダンスであることによる。つまり、電流階調回路は高インピーダンスのため、電圧階調回路からの電圧が電流階調回路に印加されても、回路に問題点(短絡で過電流が流れるなど)が発生することがない。したがって、本発明で電圧出力と電流出力状態とを切り換えるとしたがこれに限定するものではない。電流階調回路164からプログラム電流の出力した状態で、スイッチ151(図127を参照)をオンして、電圧階調回路1271の電圧を端子155に印加してもよいことは言うまでもない。   In FIG. 127, the output of the voltage gradation circuit and the output of the current gradation circuit (including the precharge circuit) can be short-circuited at the terminal 155 because the current gradation circuit has high impedance. . In other words, since the current gray scale circuit has high impedance, even if the voltage from the voltage gray scale circuit is applied to the current gray scale circuit, a problem (such as an overcurrent flowing due to a short circuit) does not occur in the circuit. Therefore, although the voltage output and the current output state are switched in the present invention, the present invention is not limited to this. Needless to say, the voltage of the voltage gradation circuit 1271 may be applied to the terminal 155 by turning on the switch 151 (see FIG. 127) while the program current is output from the current gradation circuit 164.

また、スイッチ151を閉じて端子155に電圧と印加した状態で、電流階調回路164からプログラム電流を出力してもよい。電流階調回路164は高インピーダンスであるので回路的には問題がない。以上の状態も本発明は電圧駆動状態と電流駆動状態とを切り換えているという動作の範疇である。本発明は電流回路と電圧回路の性質をうまく利用している。このことは、他のドライバ回路にない特徴ある構成である。   Alternatively, the program current may be output from the current gradation circuit 164 with the switch 151 closed and a voltage applied to the terminal 155. Since the current gradation circuit 164 has a high impedance, there is no problem in the circuit. The above state is also an operation category in which the present invention switches between the voltage drive state and the current drive state. The present invention takes advantage of the nature of current and voltage circuits. This is a characteristic configuration not found in other driver circuits.

また、図130に図示するように、1H期間に印加するプログラムを電圧または電流の一方にしてもよいことは言うまでもない。図130において、*Aの期間は電圧プログラムが実施された1H期間であり、Bの期間は電流プログラムが実施されている1H期間である。主として低階調領域では電圧プログラムが実施され(*Aで示す)、中間調以上の領域では電流プログラムが実施される(Bで示す)。以上のように、階調あるいはプログラム電流の大きさに応じて、電圧駆動を選択するか電流駆動を選択するかを切り換えても良い。   Further, as shown in FIG. 130, it goes without saying that the program applied in the 1H period may be either voltage or current. In FIG. 130, the period * A is a 1H period in which the voltage program is implemented, and the period B is a 1H period in which the current program is implemented. The voltage program is implemented mainly in the low gradation region (indicated by * A), and the current program is implemented in the region of halftone or higher (indicated by B). As described above, switching between voltage driving and current driving may be switched according to the gradation or the magnitude of the program current.

図127の本発明の実施例では、電圧階調回路1271と電流階調回路164には、同一の映像Dataが入力されている。したがって、映像Dataのラッチ回路は電圧階調回路1271と電流階調回路164と共通でよい。つまり、映像Dataのラッチ回路は電圧階調回路1271と電流階調回路164とに独立に設ける必要はない。共通の映像Dataラッチ回路からのデータに基づき、電流階調回路164または(および)電圧階調回路1271がデータを端子155に出力する。   In the embodiment of the present invention shown in FIG. 127, the same video data is input to the voltage gradation circuit 1271 and the current gradation circuit 164. Therefore, the latch circuit for the video data may be common to the voltage gradation circuit 1271 and the current gradation circuit 164. That is, it is not necessary to provide the latch circuit for the video data in the voltage gradation circuit 1271 and the current gradation circuit 164 independently. Based on the data from the common video data latch circuit, the current gradation circuit 164 and / or the voltage gradation circuit 1271 outputs the data to the terminal 155.

図132は本発明の駆動方法のタイミングチャートである。図132において、(a)のDATAは画像データである。(b)のCLKは回路クロックである。(c)のPcntlは、プリチャージのコントロール信号である。Pcntl信号がHレベルの時は、電圧駆動のみモード状態になり、Lレベルの時、電流+電圧駆動モードになる。(d)のPtcはプリチャージ電圧あるいは電圧階調回路1271からの出力の切り換え信号である。Ptc信号がHレベルの時は、プリチャージ電圧などの電圧出力がソース信号線18に印加される。Ptc信号がLレベルの時は、電流階調回路164からのプログラム電流がソース信号線に出力される。   FIG. 132 is a timing chart of the driving method of the present invention. In FIG. 132, DATA in (a) is image data. CLK in (b) is a circuit clock. Pcntl in (c) is a precharge control signal. When the Pcntl signal is at the H level, only the voltage driving mode is set, and when it is at the L level, the current + voltage driving mode is set. Ptc in (d) is a precharge voltage or output switching signal from the voltage gradation circuit 1271. When the Ptc signal is at the H level, a voltage output such as a precharge voltage is applied to the source signal line 18. When the Ptc signal is at the L level, the program current from the current gradation circuit 164 is output to the source signal line.

たとえば、データD(2)、D(3)、D(8)の時は、Pcntl信号がHレベルであるから、ソース信号線18に電圧階調回路1271から電圧が出力される(A期間)。PcntlがLレベルの時は、ソース信号線18にはまず、電圧が出力され、その後、プログラム電流が出力される。電圧が出力される期間をAで示し、電流が出力される期間をBで示す。電圧を出力する期間Aは、Ptc信号で制御される。Ptc信号は、図127のスイッチ151のオンオフを制御する信号である。   For example, when the data is D (2), D (3), and D (8), the Pcntl signal is at the H level, and thus the voltage is output from the voltage gradation circuit 1271 to the source signal line 18 (A period). . When Pcntl is at L level, a voltage is first output to the source signal line 18 and then a program current is output. A period in which the voltage is output is indicated by A, and a period in which the current is output is indicated by B. The period A during which the voltage is output is controlled by the Ptc signal. The Ptc signal is a signal for controlling on / off of the switch 151 in FIG. 127.

なお、図132において、電圧出力期間Aと電流出力期間Bとを切り換えるとしたが、これに限定するものではない。プログラム電流の出力した状態で、スイッチ151(図127を参照)をオンして、電圧階調回路1271の電圧を端子155に印加してもよいことは言うまでもない。また、スイッチ151を閉じて端子155に電圧と印加した状態で、電流階調回路164からプログラム電流を出力してもよい。A期間後にスイッチ151をオープンにする。以上のように電流階調回路164は高インピーダンスであるので電圧回路と短絡状態にしても回路的には問題がない。   In FIG. 132, the voltage output period A and the current output period B are switched. However, the present invention is not limited to this. Needless to say, the voltage of the voltage gradation circuit 1271 may be applied to the terminal 155 by turning on the switch 151 (see FIG. 127) in a state where the program current is output. Alternatively, the program current may be output from the current gradation circuit 164 with the switch 151 closed and a voltage applied to the terminal 155. The switch 151 is opened after the period A. As described above, since the current gradation circuit 164 has a high impedance, there is no problem in terms of the circuit even if it is short-circuited with the voltage circuit.

図133はPtc信号のH期間を変化させることにより、ソース信号線18に電圧を出力する期間を可変するものである。H期間は、階調番号などにより変化させる。たとえば、D(7)では、Ptc信号は1Hの期間Lレベルである。したがって、図127のスイッチ151は1Hの期間オープン状態である。したがって、1H期間には電圧は印加されず、常時電流プログラム状態である。また、D(5)ではPtc期間は他の1H期間よりも長くなっている。したがって、電圧を印加するA期間は長く設定されている。   FIG. 133 changes the period during which the voltage is output to the source signal line 18 by changing the H period of the Ptc signal. The H period is changed depending on the gradation number. For example, in D (7), the Ptc signal is at the L level during the 1H period. Therefore, the switch 151 in FIG. 127 is in an open state for a period of 1H. Therefore, no voltage is applied during the 1H period, and the current programming state is always maintained. In D (5), the Ptc period is longer than the other 1H periods. Therefore, the period A during which the voltage is applied is set to be long.

以上の実施例では、電流駆動状態と電圧駆動状態とを切り換えるものである。しかし、本発明はこれに限定されない。図134の実施例では、Ptc信号はない。したがって、Pcntl信号で制御される。そのため、H期間は電圧駆動が実施され、L期間は電流駆動が実施される。   In the above embodiment, the current drive state and the voltage drive state are switched. However, the present invention is not limited to this. In the embodiment of FIG. 134, there is no Ptc signal. Therefore, it is controlled by the Pcntl signal. Therefore, voltage driving is performed during the H period, and current driving is performed during the L period.

電圧プログラムは、RGBのEL素子15の発光効率により、ソース信号線18に出力する電圧値を変更する必要がある。図1の画素構成を例示すれば駆動用トランジスタ11aのゲート端子に印加する電圧(プログラム電圧)は駆動用トランジスタ11aが出力する電流により異なるからである。駆動用トランジスタ11aの出力電流はEL素子15の発光効率で異ならせる必要がある。本発明のソースドライバIC14を汎用性があるものとするためには、EL表示パネルの画素サイズが異なっていても、あるいはEL素子15の発光効率が異なっていても、設定あるいは調整により対応する必要がある。   The voltage program needs to change the voltage value output to the source signal line 18 depending on the light emission efficiency of the RGB EL elements 15. This is because the voltage (program voltage) applied to the gate terminal of the driving transistor 11a varies depending on the current output from the driving transistor 11a in the pixel configuration of FIG. The output current of the driving transistor 11 a needs to be different depending on the light emission efficiency of the EL element 15. In order to make the source driver IC 14 of the present invention versatile, even if the pixel size of the EL display panel is different or the luminous efficiency of the EL element 15 is different, it is necessary to cope with the setting or adjustment. There is.

電圧階調回路1271は、アノード電圧(Vdd)を原点として電圧を出力する。この状態を図135に示す。アノード電圧(Vdd)は駆動用トランジスタ11aの動作原点である。なお、説明を容易にするため、図1に図示するような駆動用トランジスタ11aがPチャンネルの構成であるとして説明をする。駆動用トランジスタ11aがNチャンネルの場合も、原点位置が変化するだけであるので説明を省略する。したがって、説明を容易にするため、駆動用トランジスタ11aはPチャンネルの場合を例にあげて説明をする。   The voltage gradation circuit 1271 outputs a voltage with the anode voltage (Vdd) as the origin. This state is shown in FIG. The anode voltage (Vdd) is the operation origin of the driving transistor 11a. For ease of explanation, it is assumed that the driving transistor 11a as shown in FIG. 1 has a P-channel configuration. Also in the case where the driving transistor 11a is an N-channel, only the origin position changes, so that the description is omitted. Therefore, for ease of explanation, the case where the driving transistor 11a is a P channel will be described as an example.

図135において、横軸は階調である。本発明では電圧階調回路1271の出力階調は256(8ビット)階調であるとして説明をする。縦軸はソース信号線18への出力電圧である。図135では、階調番号に比例してソース信号線18の電位は低くなる。   In FIG. 135, the horizontal axis represents gradation. In the present invention, the output gradation of the voltage gradation circuit 1271 will be described as 256 (8 bits) gradation. The vertical axis represents the output voltage to the source signal line 18. In FIG. 135, the potential of the source signal line 18 decreases in proportion to the gradation number.

ソース信号線18の電圧は、駆動用トランジスタ11aのゲート端子電圧である。駆動用トランジスタ11aの出力電流は、ゲート端子電圧に非線形で変化する。一般的に図135のようにソース信号線18に電圧を印加すると、駆動用トランジスタ11aの出力電流は、印加電圧に対して2乗特性で変化する。つまり、図135では階調に対するソース信号線18の電位は比例しているが、駆動用トランジスタ11aの出力電流(EL素子15に流れる電流)は、ほぼ2乗特性となる。   The voltage of the source signal line 18 is the gate terminal voltage of the driving transistor 11a. The output current of the driving transistor 11a changes nonlinearly with the gate terminal voltage. In general, when a voltage is applied to the source signal line 18 as shown in FIG. 135, the output current of the driving transistor 11a changes with a square characteristic with respect to the applied voltage. That is, in FIG. 135, the potential of the source signal line 18 is proportional to the gradation, but the output current of the driving transistor 11a (current flowing through the EL element 15) has a substantially square characteristic.

図135の回路構成は、回路構成などが容易である。しかし、EL素子15に流れる電流は階調番号に比例しない。駆動用トランジスタ11aに線形に変化する電圧を印加(図135の実施例の場合など)すると、トランジスタ11aの2乗特性により、出力電流は印加電圧の2乗に比例して出力されるからである。したがって、階調番号が小さい時はトランジスタ11aの出力電流の変化が小さく、階調番号が大きくなるにつれて、急激に大きくなる。したがって、階調番号に対する出力電流の精度が変化する。   The circuit configuration in FIG. 135 is easy to configure. However, the current flowing through the EL element 15 is not proportional to the gradation number. This is because when a linearly changing voltage is applied to the driving transistor 11a (such as in the case of the embodiment in FIG. 135), the output current is output in proportion to the square of the applied voltage due to the square characteristic of the transistor 11a. . Therefore, when the gradation number is small, the change in the output current of the transistor 11a is small, and increases rapidly as the gradation number increases. Therefore, the accuracy of the output current with respect to the gradation number changes.

この課題を解決する構成が図136である。図136では、階調番号が小さい時には、ソース信号線18への出力電圧の変化が大きい。また、階調番号が小さくなるほどソース信号線18への電圧変化割合は大きくなる。一方、階調番号が大きく(256番目に近づく)なると、ソース信号線18への出力電圧の変化が小さくなるように構成している。したがって、階調番号に対するソース信号線出力電流の関係は非線形となる。この非線形特性は、駆動用トランジスタ11aのゲート端子電圧に対するEL素子15への出力電流特性と組合せることにより、線形になるようにしている。つまり、階調番号の変化に対する駆動用トランジスタ11aのEL素子15への出力電流は線形となるように調整している。   FIG. 136 shows a configuration for solving this problem. In FIG. 136, when the gradation number is small, the change in the output voltage to the source signal line 18 is large. Further, the smaller the gradation number, the greater the voltage change rate to the source signal line 18. On the other hand, when the gradation number increases (approaching 256th), the change in the output voltage to the source signal line 18 is reduced. Therefore, the relationship between the source signal line output current and the gradation number is non-linear. This non-linear characteristic is made linear by combining with the output current characteristic to the EL element 15 with respect to the gate terminal voltage of the driving transistor 11a. That is, the output current to the EL element 15 of the driving transistor 11a with respect to the change of the gradation number is adjusted to be linear.

電流プログラム方式は、階調番号に対するEL素子15に流れる電流は線形の関係にある。図136の構成(方式)は電圧プログラム方式である。図136では電圧プログラム方式であるが、階調番号に対するEL素子15に流れる電流は線形の関係である。したがって、図127、図128のように電流プログラム方式と電圧プログラム方式とを組み合わせた構成(方式)において、マッチングがよい。   In the current programming method, the current flowing through the EL element 15 with respect to the gradation number has a linear relationship. The configuration (method) in FIG. 136 is a voltage program method. In FIG. 136, the voltage programming method is used, but the current flowing through the EL element 15 with respect to the gradation number has a linear relationship. Therefore, matching is good in the configuration (method) in which the current program method and the voltage program method are combined as shown in FIGS. 127 and 128.

図136は階調番号に対する駆動用トランジスタ11aの出力電流Ieがほぼリニアに変化するようにしている。したがって、階調番号に対するソース信号線出力電圧の関係は、階調番号が小さい時はあらく、大きくなるにつれて細かく変化するようにしている。階調番号をKとし、ソース信号線Vsとした時、変化カーブ式は、図136に図示するようにソース信号線電圧Vs=A/(K・K)となるようにする。なお、Aは比例定数である。もしくは、ソース信号線電圧Vs=A/(B・K・K+C・K+D)もしくはVs=A/(B・K・K+C)となるようにする。なお、D、B、C、Aは定数である。   In FIG. 136, the output current Ie of the driving transistor 11a with respect to the gradation number changes substantially linearly. Therefore, the relationship of the source signal line output voltage with respect to the gradation number is not small when the gradation number is small, but is finely changed as the gradation number increases. When the gradation number is K and the source signal line is Vs, the change curve equation is such that the source signal line voltage Vs = A / (K · K) as shown in FIG. A is a proportionality constant. Alternatively, the source signal line voltage Vs = A / (B · K · K + C · K + D) or Vs = A / (B · K · K + C). D, B, C, and A are constants.

以上のように、変化カーブ式を構成することにより、変化カーブ式とソース信号線電圧Vsに対する駆動用トランジスタの出力電流Ieを掛け合わせた時に、Vsに対するIeが線形の関係とすることができる。   As described above, by forming the change curve equation, when the change curve equation is multiplied by the output current Ie of the driving transistor with respect to the source signal line voltage Vs, Ie with respect to Vs can be in a linear relationship.

図136では、変化カーブ式が曲線となる。そのため、変化カーブを作成することが比較的困難である。この課題に対しては、図137に図示するように複数の直線で変化カーブ式を構成することが適切である。つまり、2つ以上の傾きの直線で変化カーブを構成する。   In FIG. 136, the change curve equation is a curve. Therefore, it is relatively difficult to create a change curve. For this problem, it is appropriate to form a change curve equation with a plurality of straight lines as shown in FIG. That is, a change curve is formed by two or more straight lines having an inclination.

図136では、階調番号が小さい範囲では、ソース信号線18の出力電圧のきざみは大きくし(Aで示す)、階調番号が大きい範囲では、ソース信号線18の出力電圧のきざみは小さくする(Bで示す)。図136の変化カーブでは、階調番号Kに対する駆動用トランジスタ11aの出力電流Ieは非線形の関係となり、また、複数の非線形の出力を組み合わせたものとなる。しかし、階調番号Kに対する出力電流Ieの関係は線形に近い範囲が多くなる。したがって、電流プログラム駆動との組み合わせも容易である。   In FIG. 136, the increment of the output voltage of the source signal line 18 is increased (indicated by A) in the range where the gradation number is small, and the increment of the output voltage of the source signal line 18 is decreased in the range where the gradation number is large. (Indicated by B). In the change curve of FIG. 136, the output current Ie of the driving transistor 11a with respect to the gradation number K has a non-linear relationship, and a plurality of non-linear outputs are combined. However, the relationship between the output current Ie and the gradation number K increases in a nearly linear range. Therefore, the combination with current program driving is also easy.

図136において、電圧階調回路1271と電流階調回路164を1つのソースドライバ回路(IC)14内に形成するように図示しているがこれに限定するものではない。本発明は、電圧階調回路1271と電流階調回路164とを有することを特徴としている。したがって、1本のソース信号18に一端に電圧階調回路(用IC)1271を配置または形成もしくは実装し、前記ソース信号線の他端に電流階調回路(用IC)164を配置または形成もしくは実装してもよい。つまり、本発明は、任意の画素に電流プログラムと電圧プログラムを実施できる構成もしくは方法であればいずれの構成でもよい。   In FIG. 136, the voltage gradation circuit 1271 and the current gradation circuit 164 are illustrated as being formed in one source driver circuit (IC) 14, but the present invention is not limited to this. The present invention is characterized by having a voltage gradation circuit 1271 and a current gradation circuit 164. Therefore, a voltage gradation circuit (IC) 1271 is arranged or formed or mounted at one end of one source signal 18, and a current gradation circuit (use IC) 164 is arranged or formed at the other end of the source signal line. May be implemented. In other words, the present invention may have any configuration as long as it is a configuration or method capable of executing current programming and voltage programming on an arbitrary pixel.

また、電圧プログラムを実施するドライバ回路(IC)14は逆1.5乗から3.0乗のガンマ特性とする。つまり、駆動用トランジスタ11aのゲート電圧の変化ステップに対応して等間隔の電流増加を実現できるようにする。駆動用トランジスタ11aのV−I特性は略2乗特性であるからである(電圧V変化に対して、出力電流Iは略2乗特性で変化するからである)。さらに、電圧プログラムを実施するドライバ回路(IC)のガンマ特性は逆1.8乗から2.4乗のガンマ特性とすることが好ましい。また、電圧プログラムを実施するドライバ回路(IC)のガンマ特性はプログラムブルに構成しておくことが好ましい。また、駆動用トランジスタ11aがPチャンネルトランジスタの場合は、ガンマ特性カーブの原点はアノード電圧VddあるいはVdd近傍とする。駆動用トランジスタ11aがNチャンネルトランジスタの場合は、ガンマ特性カーブの原点はカソード電圧Vssまたは回路14のグランドもしくはこれらの近傍電位とする。   Further, the driver circuit (IC) 14 that executes the voltage program has a gamma characteristic of 1.5 to 3.0 power. That is, the current increase at equal intervals can be realized corresponding to the step of changing the gate voltage of the driving transistor 11a. This is because the VI characteristic of the driving transistor 11a is a substantially square characteristic (because the output current I changes with a substantially square characteristic with respect to a change in voltage V). Furthermore, it is preferable that the gamma characteristic of the driver circuit (IC) for executing the voltage program is a reverse gamma characteristic of 1.8 to 2.4. The gamma characteristic of the driver circuit (IC) that executes the voltage program is preferably configured to be programmable. When the driving transistor 11a is a P-channel transistor, the origin of the gamma characteristic curve is the anode voltage Vdd or near Vdd. When the driving transistor 11a is an N-channel transistor, the origin of the gamma characteristic curve is the cathode voltage Vss, the ground of the circuit 14, or a potential near them.

以上の事項は、図127〜図143、図293、図311、図312、図339〜図344などについても適用できることは言うまでもない。つまり、プリチャージ回路にあっても、プリチャージ回路(用IC)をソース信号線18の一端に形成または配置し、電流プログラム方式のソースドライバ回路(IC)14を前記ソース信号線18の他端に配置または形成してもよいことは言うまでもない。以上の事項は本発明の他の実施例にも適用できることは言うまでもない。   Needless to say, the above items can be applied to FIGS. 127 to 143, 293, 311, 312, and 339 to 344. That is, even in the precharge circuit, the precharge circuit (IC for use) is formed or arranged at one end of the source signal line 18, and the current program type source driver circuit (IC) 14 is connected to the other end of the source signal line 18. Needless to say, they may be arranged or formed. Needless to say, the above matters can be applied to other embodiments of the present invention.

また、電圧階調回路1271(プリチャージ回路)の変化と電流階調回路164とは同期させる。つまり、電圧階調回路1271(プリチャージ回路)の変化が電流階調回路164の変化に対応するように変化させる。電圧階調回路1271による画素16の駆動用トランジスタ11aの出力電流の目標値(期待値)が1μAであれば、電流階調回路164による画素16の駆動用トランジスタ11aの目標値(期待値)が1μAとなるように階調制御する。したがって、電流階調回路164の階調データの値と電圧階調回路(プリチャージ回路)1271の階調データとが一致するように構成することが好ましい。以上の事項は本発明の他の実施例にも適用できることは言うまでもない。また、同期をさせることが好ましい。   Further, the change in the voltage gradation circuit 1271 (precharge circuit) and the current gradation circuit 164 are synchronized. In other words, the voltage gradation circuit 1271 (precharge circuit) is changed so as to correspond to the change of the current gradation circuit 164. If the target value (expected value) of the output current of the driving transistor 11a of the pixel 16 by the voltage gradation circuit 1271 is 1 μA, the target value (expected value) of the driving transistor 11a of the pixel 16 by the current gradation circuit 164 is The gradation is controlled so as to be 1 μA. Therefore, it is preferable that the gradation data value of the current gradation circuit 164 and the gradation data of the voltage gradation circuit (precharge circuit) 1271 coincide with each other. Needless to say, the above matters can be applied to other embodiments of the present invention. Moreover, it is preferable to synchronize.

なお、本発明はすべてのソース信号線18に電圧プログラム(プリチャージ)と電流プログラムの両方を実施することに限定するものではない。いずれか一方を実施できるものでもよい。たとえば、奇数画素列に電圧プログラム(プリチャージ)を実施し、偶数画素列に電流プログラムを実施できるものでもよい。このような構成であっても画質の低下はほとんどない。以上の事項は本発明の他の実施例にも適用できることは言うまでもない。   Note that the present invention is not limited to performing both voltage programming (precharge) and current programming on all source signal lines 18. Any one of them may be implemented. For example, a voltage program (precharge) may be implemented for odd pixel columns and a current program may be implemented for even pixel columns. Even with such a configuration, there is almost no deterioration in image quality. Needless to say, the above matters can be applied to other embodiments of the present invention.

図135の実施例では、階調番号が0の時は、ソース信号線18の電位がアノード電位(Vdd)となっていない。駆動用トランジスタ11aは立ち上がり電圧までは出力電流が0またはほぼ0である。この立ち上がり電圧までの範囲がCの領域である。したがって、Cの領域はブランクとなるので、階調番号数が一定の場合、図135などに比較して相対的にソース信号線の出力電圧きざみを細かくすることができる。   In the example of FIG. 135, when the gradation number is 0, the potential of the source signal line 18 is not the anode potential (Vdd). The output current of the driving transistor 11a is 0 or almost 0 until the rising voltage. The range up to this rising voltage is the C region. Accordingly, since the region C is blank, when the number of gradation numbers is constant, the output voltage step of the source signal line can be made relatively finer than in FIG.

図138の関係(階調番号0の時、ソース信号線18の電位は原点(アノード電位)でない関係)と、図136の非直線の関係、図137の複数の関係式を組合せる関係、図135の直線の関係などは、相互に組合せても良いことは言うまでもない。   138 (the relationship where the potential of the source signal line 18 is not the origin (anode potential) when the gradation number is 0), the non-linear relationship of FIG. 136, and the relationship combining the plurality of relational expressions of FIG. Needless to say, the straight line relationships 135 may be combined with each other.

電圧プログラムは、R、G、BのEL素子15の発光効率により、ソース信号線18に出力する電圧値を変更する必要がある。図1の画素構成を例示すれば駆動用トランジスタ11aのゲート端子に印加する電圧(プログラム電圧)は駆動用トランジスタ11aが出力する電流により異なるからである。駆動用トランジスタ11aの出力電流はEL素子15の発光効率で異ならせる必要がある。本発明のソースドライバIC14を汎用性があるものとするためには、EL表示パネルの画素サイズが異なっていても、あるいはEL素子15の発光効率が異なっていても、設定あるいは調整により対応する必要がある。   The voltage program needs to change the voltage value output to the source signal line 18 depending on the light emission efficiency of the R, G, and B EL elements 15. This is because the voltage (program voltage) applied to the gate terminal of the driving transistor 11a varies depending on the current output from the driving transistor 11a in the pixel configuration of FIG. The output current of the driving transistor 11 a needs to be different depending on the light emission efficiency of the EL element 15. In order to make the source driver IC 14 of the present invention versatile, even if the pixel size of the EL display panel is different or the luminous efficiency of the EL element 15 is different, it is necessary to cope with the setting or adjustment. There is.

図131は、電圧駆動において、電圧の基準はVddであるという点を利用した回路構成である。図135から図138の縦軸である電圧の大きさVddを固定して変化させる。したがって、階調番号の範囲(256階調=256きざみ)を一定とした場合でも、縦軸の電圧の大きさを調整することができ、ソースドライバ回路(IC)14を汎用的にすることができる。   FIG. 131 shows a circuit configuration utilizing the point that the voltage reference is Vdd in voltage driving. 135 to 138, the voltage magnitude Vdd, which is the vertical axis, is fixed and changed. Therefore, even when the gradation number range (256 gradations = 256 increments) is made constant, the magnitude of the voltage on the vertical axis can be adjusted, and the source driver circuit (IC) 14 can be generalized. it can.

図131は電子ボリウム501の電圧範囲は、VddからVbvである。したがって、オペアンプ502aの出力電圧VadはVddからVbvの値が出力される。VbvはソースドライバIC(回路)14の外部より入力される。また、IC(回路)14内部で発生させてもよい。電子ボリウム501のスイッチSは8ビットの制御データ(階調番号)をデコーダ回路532でデコードされ該当のスイッチSが閉じ、電圧VddからVbv間の電圧がVadから出力される。電圧Vadが図135から図138の縦軸である電圧となる。したがって、Vbvを変化させることにより容易にVadを変化あるいは調整できる。つまり、図139に図示するように、縦軸は、Vdd電圧をVbv電圧の範囲となる。以上の図131の回路構成は、図140に図示するようにRGBごとに設けられる。なお、RGBのEL素子15の発光効率のバランスがとれ、RGB電流IcがIcr:Icg:Icb=1:1:1の時、ホワイトバランスが取れる場合は、RGBで共通で1つの回路構成(図131)でもよいことは言うまでもない。また、RとG、GとB、BとRというように複数のIc電流発生回路を共通にしてよい。なお、Vbvなどは点灯率、基準電流比、duty比に応じて変化させてもよいことは言うまでもない。   In FIG. 131, the voltage range of the electronic volume 501 is from Vdd to Vbv. Therefore, the output voltage Vad of the operational amplifier 502a is output from Vdd to Vbv. Vbv is input from the outside of the source driver IC (circuit) 14. Further, it may be generated inside the IC (circuit) 14. The switch S of the electronic volume 501 decodes 8-bit control data (gradation number) by the decoder circuit 532, the corresponding switch S is closed, and the voltage between the voltage Vdd and Vbv is output from Vad. The voltage Vad is the voltage that is the vertical axis of FIGS. 135 to 138. Therefore, Vad can be easily changed or adjusted by changing Vbv. That is, as shown in FIG. 139, the vertical axis represents the Vdd voltage and the Vbv voltage range. The circuit configuration shown in FIG. 131 is provided for each RGB as shown in FIG. If the light emission efficiency of the RGB EL elements 15 is balanced and the white balance can be obtained when the RGB current Ic is Icr: Icg: Icb = 1: 1: 1, one circuit configuration common to RGB (see FIG. It goes without saying that 131) may be used. Also, a plurality of Ic current generation circuits such as R and G, G and B, and B and R may be shared. It goes without saying that Vbv and the like may be changed according to the lighting rate, the reference current ratio, and the duty ratio.

図77、図78などは電流プログラム回路用に2段のラッチ回路771を有している。本発明のソースドライバIC(回路)14は電流プログラム回路と、電圧プログラム回路の両方を具備している。   77 and 78 have a two-stage latch circuit 771 for the current program circuit. The source driver IC (circuit) 14 of the present invention includes both a current program circuit and a voltage program circuit.

図131などはアノード電圧vddを原点とするものであった。図141はアノード電位に該当する電圧も調整できるようにするものである。電子ボリウム501の端子Vddにオペアンプ502cからの電圧を印加している。印加する電圧はVbvhである。電子ボリウム501の下限電圧は、Vbvlである。したがって、ソース信号線18に印加される電圧範囲は、図142に図示するようにVbvh以下Vbvl以上となる。他の事項は他の実施例と同一あるいは類似であるので説明を省略する。   131 and the like have the anode voltage vdd as the origin. FIG. 141 makes it possible to adjust the voltage corresponding to the anode potential. The voltage from the operational amplifier 502 c is applied to the terminal Vdd of the electronic volume 501. The applied voltage is Vbvh. The lower limit voltage of the electronic regulator 501 is Vbvl. Therefore, the voltage range applied to the source signal line 18 is Vbvh or less and Vbvl or more as shown in FIG. Since other matters are the same as or similar to those of the other embodiments, description thereof will be omitted.

図138でも説明したが、駆動用トランジスタ11aなどにはCで示す立ち上がり電圧がある。立ち上がり電圧以下は黒表示(駆動用トランジスタ11aがEL素子15に電流を供給しない)である。図143は、図138のCブランクを発生させる回路である。Cブランクの電圧範囲は、Pkデータで調整する。Pkデータは8ビットである。このPkデータと階調番号データDataとが加算回路3731で加算される。加算されたデータは9ビットとなり、デコーダ回路532に入力され、出コードされて電子ボリウム501の該当スイッチSを閉じさせる。   As described in FIG. 138, the driving transistor 11a and the like have a rising voltage indicated by C. Below the rising voltage is black display (the driving transistor 11a does not supply current to the EL element 15). FIG. 143 is a circuit for generating the C blank of FIG. 138. The voltage range of C blank is adjusted by Pk data. The Pk data is 8 bits. The Pk data and the gradation number data Data are added by the adding circuit 3731. The added data becomes 9 bits, is input to the decoder circuit 532, is output, and closes the corresponding switch S of the electronic volume 501.

図293はプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を発生する回路の他の実施例である。抵抗は拡散抵抗あるいはポリシリ抵抗で構成する。ただし、抵抗値もばらつきが発生する場合は、所定抵抗値が得られるようにトリミングなどを実施する。トリミングに関しては図162から図173で説明をしたので説明を省略する。   FIG. 293 shows another embodiment of the circuit for generating the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage). The resistor is a diffused resistor or a polysilicon resistor. However, if the resistance value also varies, trimming or the like is performed so as to obtain a predetermined resistance value. Since the trimming has been described with reference to FIGS. 162 to 173, the description thereof will be omitted.

なお、実施例では抵抗アレイ2931の内蔵抵抗はR1〜R6の6個としているがこれに限定するものではなく、6個以上でも6個以下でもよい。ただし、抵抗などにより発生するプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)Vpcの個数は、2の乗数−1あるいは2の乗数−2とすることが好ましい。この−1とは図293に図示するように、オープン状態(プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を印加しないモード)を指定するためである。つまり、たとえば、図296においてプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を指定するVSELデータが0の時は、Vpc0(オープン:プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を印加しない)とする。Vpc0が指定されることにより、図128のBの期間(Aに示す電圧が印加されない期間がない)のみの駆動を実現できる。つまり、該当画素16(該当ソース信号線18)にはプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)(プログラム電圧と同義)が印加されず(電圧プログラムは実施されない)、電流プログラムのみが実施される)。   In the embodiment, six resistors R1 to R6 are included in the resistor array 2931. However, the number is not limited to this, and may be six or more or six or less. However, the number of precharge voltages (synonymous with or similar to the program voltage) Vpc generated by a resistor or the like is preferably a multiplier of 2 or a multiplier of 2. As shown in FIG. 293, “−1” is for designating an open state (a mode in which a precharge voltage (synonymous with or similar to a program voltage) is not applied). That is, for example, when the VSEL data specifying the precharge voltage (synonymous or similar to the program voltage) in FIG. 296 is 0, Vpc0 (open: precharge voltage (synonymous or similar to the program voltage) is not applied). . By specifying Vpc0, it is possible to realize driving only during the period B in FIG. 128 (there is no period during which the voltage shown in A is not applied). In other words, the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) (synonymous with the program voltage) is not applied to the corresponding pixel 16 (corresponding source signal line 18) (no voltage programming is performed), and only current programming is performed. ).

2の2乗−2のうち、−1は先に説明したVpc0(オープンモード)である。もう1通りは、ソースドライバIC(回路)14の外部で発生したプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)をソースドライバIC(回路)14の端子から取り込んで使用するモードである。なお、外部入力のプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)は固定に限定するものでない。パネルの回路のドットクロックに同期して(各画素16に対応して)変化するものでもよいことは言うまでもない。また、内部のプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)においても同様である。たとえば、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)Vpc1が、パネルの回路のドットクロックに同期して(各画素16に対応して)変化するものでもよいことは言うまでもない
たとえば、VSELが4ビットであれば、指定できる数は8通りである。したがって、2の乗数−1構成であれば、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)は7通りを指定でき、残りの1通りはオープンモードである。2の乗数−2構成であれば、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)は6通りを指定でき、残りの1通りはオープンモードであり、他の1通りは外部入力のプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を指定できる。また、プリチャージ電圧指定(電圧プログラム駆動)するVSELが8ビットであれば、指定できる数は256通りである。したがって、2の乗数−1構成であれば、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)は255通りを指定でき、残りの1通りはオープンモードである。2の乗数−2構成であれば、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)は254通りを指定でき、残りの1通りはオープンモードであり、他の1通りは外部入力のプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を指定できる。
Among the squares of 2−1, −1 is Vpc0 (open mode) described above. The other is a mode in which a precharge voltage (synonymous with or similar to a program voltage) generated outside the source driver IC (circuit) 14 is taken in from the terminal of the source driver IC (circuit) 14 and used. Note that the externally input precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is not limited to fixed. Needless to say, it may be changed in synchronization with the dot clock of the panel circuit (corresponding to each pixel 16). The same applies to the internal precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage). For example, it goes without saying that the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) Vpc1 may change in synchronization with the dot clock of the panel circuit (corresponding to each pixel 16). For example, VSEL is 4 bits. If so, there are eight possible numbers. Therefore, in the case of a multiplier-one-2 configuration, seven precharge voltages (synonymous with or similar to the program voltage) can be designated, and the remaining one is an open mode. In the case of the multiplier-2-2 configuration, six precharge voltages (synonymous with or similar to the program voltage) can be designated, the remaining one is in the open mode, and the other one is the precharge voltage of the external input ( The same or similar to the program voltage can be specified. Further, if the VSEL for specifying the precharge voltage (voltage program driving) is 8 bits, the number that can be specified is 256. Therefore, in the case of a multiplier-two-1 configuration, 255 precharge voltages (synonymous with or similar to the program voltage) can be designated, and the remaining one is an open mode. In the case of the multiplier-2-2 configuration, 254 precharge voltages (synonymous with or similar to the program voltage) can be designated, the remaining one is in the open mode, and the other one is the precharge voltage of the external input ( The same or similar to the program voltage can be specified.

なお、以上の実施例において、2の乗数−1構成であれば、−1はオープンモードであるとしたがこれに限定するものではなく、−1を外部入力のプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を指定モードとしてもよい。また、外部入力のプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)は1種類に限定するものではなく、複数であってもよい。その場合は、内部で発生するプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)は減少する。また、−1あるいは−2以外のすべての指定に対して異なるプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)Vpcが指定されることに限定するものでない。複数の指定データで同一のプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)が出力されるように構成あるいは形成もしくは作製してもよいことは言うまでもない。また、複数の指定データでオープンモードあるいは外部入力モードのプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)が出力されるように構成あるいは形成もしくは作製してもよいことは言うまでもない。以上の実施例は図127から図143の実施例にも適用できることは言うまでもない。また、本明細書の他の実施例にも適用できることは言うまでもない。   In the above embodiment, if the multiplier is 2-1, the -1 is the open mode. However, the present invention is not limited to this, and -1 is the same as the precharge voltage of the external input (synonymous with the program voltage). Or similar) may be set as the designation mode. Further, the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) of the external input is not limited to one type, and may be plural. In that case, the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) generated inside decreases. Further, it is not limited to designating different precharge voltages (synonymous with or similar to the program voltage) Vpc for all designations other than -1 or -2. It goes without saying that the same precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) may be output with a plurality of designated data. Further, it goes without saying that it may be configured, formed or manufactured so that a precharge voltage (synonymous or similar to the program voltage) in the open mode or the external input mode is output with a plurality of designated data. It goes without saying that the above embodiment can be applied to the embodiments of FIGS. 127 to 143. Needless to say, the present invention can be applied to other embodiments of the present specification.

また、以上の実施例において、2の乗数−3構成としてもよい。1つはオープンモードであり、他の1つは外部入力のプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を指定モードとし、残りの1つをアノード電圧としてもよい。アノード電圧Vddの印加により良好な黒表示を実現できる。   In the above embodiment, a 2 multiplier-3 configuration may be used. One may be an open mode, the other may be an external input precharge voltage (synonymous with or similar to a program voltage) as a designated mode, and the remaining one as an anode voltage. Good black display can be realized by applying the anode voltage Vdd.

なお、図293においてプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)の印加期間を長く(最大1H期間)することにより、図129、図130に図示するように電圧プログラムを実現できる(電圧データのみをソース信号線18あるいは画素16に印加し、電流データを印加しない状態)。つまり、VSEL(図296を参照のこと)の選択期間あるいは選択タイミングを制御することのより、電圧プログラム方法と電流プログラム方法とのいずれか一方を選択したり、両方のプログラム方法を所定の比率期間で組み合わせたりすることができる。また、画素16に印加する映像データ(階調データ)の大きさに応じて、両方のプログラム方法を組み合わせる比率を変化することも容易である。また、画素16列方法に連続する映像データ(階調データ)の大きさあるいは変化状態に応じて、両方のプログラム方法を組み合わせる比率を変化することも容易である。また、いずれか一方のプログラム方法のみを実施することもできる。なお、両方のプログラム方法を組み合わせる時は、電圧プログラム方法を先に実施する。   Note that in FIG. 293, by extending the application period of the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) (maximum 1H period), a voltage program can be realized as shown in FIGS. A state in which current data is not applied to the source signal line 18 or the pixel 16). That is, by controlling the selection period or selection timing of VSEL (see FIG. 296), either the voltage programming method or the current programming method is selected, or both programming methods are set to a predetermined ratio period. Can be combined. It is also easy to change the ratio of combining both programming methods according to the size of the video data (gradation data) applied to the pixels 16. It is also easy to change the ratio of combining both program methods in accordance with the size or change state of video data (gradation data) continuous with the 16-column method. Further, only one of the programming methods can be performed. When combining both programming methods, the voltage programming method is performed first.

また、階調データの大きさに応じてプリチャージ期間(電圧階調回路1271の電圧印加期間)を変化させてもよい。低階調の時はプリチャージ期間(電圧階調回路1271の電圧印加期間)を長くし、中間階調になるにしたがって、プリチャージ期間(電圧階調回路1271の電圧印加期間)を短くする。   Further, the precharge period (voltage application period of the voltage gradation circuit 1271) may be changed in accordance with the magnitude of the gradation data. When the gradation is low, the precharge period (voltage application period of the voltage gradation circuit 1271) is lengthened, and as the intermediate gradation is reached, the precharge period (voltage application period of the voltage gradation circuit 1271) is shortened.

以上のように本発明は、デジタル信号によりプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を設定でき、かつ少なくとも1つ指定は、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)は外部から入力できるか、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を印加しないモードを選択できることを特徴としている。   As described above, according to the present invention, a precharge voltage (synonymous or similar to a program voltage) can be set by a digital signal, and at least one designation can be input from the outside. A mode in which a precharge voltage (synonymous with or similar to a program voltage) is not applied can be selected.

また、プリチャージ回路(電子ボリウム501などから構成される。あるは図136の電圧階調回路1271)の変化と電流階調回路431cの変化とは同期させる。つまり、プリチャージ回路の変化が電流階調回路431cの変化に対応するように変化させる。プリチャージ回路による画素16の駆動用トランジスタ11aの出力電流の目標値(期待値)が1μAであれば、プリチャージ回路による画素16の駆動用トランジスタ11aの目標値(期待値)が1μAとなるように階調制御する。したがって、プリチャージ回路の階調データの値と電流階調回路431cの階調データとが一致するように構成することが好ましい。以上の事項は本発明の他の実施例にも適用できることは言うまでもない。また、プリチャージ回路と電流階調回路431cとは同期をさせることが好ましい。   In addition, the change of the precharge circuit (including the electronic volume 501 or the like, or the voltage gradation circuit 1271 in FIG. 136) and the change of the current gradation circuit 431c are synchronized. That is, the precharge circuit is changed so as to correspond to the change in the current gradation circuit 431c. If the target value (expected value) of the output current of the driving transistor 11a of the pixel 16 by the precharge circuit is 1 μA, the target value (expected value) of the driving transistor 11a of the pixel 16 by the precharge circuit is 1 μA. Tone control. Accordingly, it is preferable that the gradation data value of the precharge circuit matches the gradation data of the current gradation circuit 431c. Needless to say, the above matters can be applied to other embodiments of the present invention. The precharge circuit and the current gradation circuit 431c are preferably synchronized.

プログラム電圧を印加するかしないかの判定は、1画素行前の画像データ(あるいは、直前にソース信号線に印加された画像データ)にもとづいて行っても良い。たとえば、64階調で、63階調目が最大白表示、0階調目を完全黒表示とした場合、あるソース信号線18に印加される画像データが63階調目→10階調目→10階調目であれば、63階調目から10階調目になる時は、プログラム電圧を印加する。低階調目は書込みにくいからである。   The determination of whether or not to apply the program voltage may be made based on the image data of the previous pixel row (or the image data applied to the source signal line immediately before). For example, when 64 gradations, 63rd gradation is maximum white display, and 0th gradation is completely black display, image data applied to a certain source signal line 18 is 63rd gradation → 10th gradation → If it is the 10th gradation, the program voltage is applied when the 63rd gradation changes to the 10th gradation. This is because the low gradation is difficult to write.

基本動作としては、プログラム電圧を印加した後、プログラム電流を印加し電流補正を行う。同一階調から同一階調目(たとえば、10階調目から10階調目)あるいはある階調目から近傍の階調目(たとえば、10階調目から9階調目)に変化する時は、プログラム電圧を印加せずに、プログラム電流のみを印加する。プログラム電圧を印加すると、駆動用トランジスタ11aの特性バラツキにより、レーザーショットムラが発生するからである。プログラム電流のみの駆動であれば、階調変化が少ないため、微小なプログラム電流であっても、駆動用トランジスタ11aの特性バラツキに追随できるからである。   As a basic operation, a program voltage is applied and then a program current is applied to correct the current. When changing from the same gradation to the same gradation (for example, 10th to 10th gradation) or from a certain gradation to a nearby gradation (for example, 10th to 9th gradation) Only the program current is applied without applying the program voltage. This is because when a program voltage is applied, laser shot unevenness occurs due to characteristic variations of the driving transistor 11a. This is because if the drive is performed only with the program current, the change in gradation is small, and therefore, even with a very small program current, it is possible to follow the characteristic variation of the drive transistor 11a.

本発明の駆動方法または表示パネル(表示装置)において、エキシマレーザーによるアニール(ELA)のショットの長辺方向は、ソース信号線18の形成方向に一致させてアレイ30を形成または構成する(レーザーのスキャン方向をソース信号線18の形成方向に直交させる)ことが好ましいことは言うまでもない。画素16の駆動用トランジスタ11aの特性変化が、レーザーアニール(ELA)の1ショット内において特性が一致しているからである(つまり、ソース信号線18の形成方向の画素列内では、駆動用トランジスタ11aの特性(モビリティ(μ)、S値など)が一致している)。   In the driving method or the display panel (display device) of the present invention, the array 30 is formed or configured so that the long side direction of the annealing (ELA) shot by excimer laser coincides with the formation direction of the source signal line 18 (laser of the laser). Needless to say, it is preferable that the scan direction is orthogonal to the formation direction of the source signal line 18. This is because the characteristic change of the driving transistor 11a of the pixel 16 matches the characteristic within one shot of laser annealing (ELA) (that is, the driving transistor in the pixel column in the formation direction of the source signal line 18). 11a characteristics (mobility (μ), S value, etc.) match).

本発明の実施例ではプログラム電圧を印加するとして説明するが、プログラム電圧をプリチャージ電圧に置き換えてもよい。つまり、プリチャージ電圧が複数種類の電圧を有する場合は、プログラム電圧を同義の動作となるからである。   In the embodiment of the present invention, the program voltage is applied. However, the program voltage may be replaced with a precharge voltage. That is, when the precharge voltage has plural kinds of voltages, the program voltage is synonymous with the operation.

つぎの画素行(画素)に印加する画像(映像)データは、先の画素行(画素)に印加した画像(映像)データと同一あるいは変化量が小さいときは、プログラム電圧を印加せず、プログラム電流のみを印加する。先の画素行に印加したプログラム電流でソース信号線18の電位が次に書き込むプログラム電流の電位となっているからである(ずれ量は駆動用トランジスタ11aの特性バラツキのみである)。したがって、ラスター表示の場合は、プログラム電圧は印加されない(印加してもよいが)。以上の動作は、コントローラ760に1画素行分(FIFOのため2ラインのメモリが必要)のラインメモリを形成(配置)することのより容易に実現できる。ただし、1画素行目は、垂直ブランキング期間の問題もあるので、プログラム電圧を印加することが好ましい。   When the image (video) data to be applied to the next pixel row (pixel) is the same as the image (video) data applied to the previous pixel row (pixel) or the change amount is small, the program voltage is not applied and the program Apply current only. This is because the potential of the source signal line 18 becomes the potential of the program current to be written next by the program current applied to the previous pixel row (the shift amount is only the characteristic variation of the driving transistor 11a). Therefore, in the case of raster display, the program voltage is not applied (although it may be applied). The above operation can be more easily realized by forming (arranging) a line memory for one pixel row (requires two lines of memory for the FIFO) in the controller 760. However, since there is a problem of the vertical blanking period in the first pixel row, it is preferable to apply a program voltage.

本発明において、プログラム電圧+プログラム電流駆動では、プログラム電圧を印加するとして説明をするが、これに限定するものではない。1水平走査期間よりも短く、プログラム電流よりも大きい電流をソース信号線18に書き込む方式でもよい。つまり、プリチャージ電流をソース信号線18に書込み、その後にプログラム電流をソース信号線18に書き込む方式でもよい。プリチャージ電流も物理的には電圧変化を引き起こしていることには差異はない。   In the present invention, in the case of the program voltage + program current drive, it is described that the program voltage is applied, but the present invention is not limited to this. A method of writing a current shorter than one horizontal scanning period and larger than the program current to the source signal line 18 may be used. That is, a method of writing the precharge current to the source signal line 18 and then writing the program current to the source signal line 18 may be used. There is no difference in that the precharge current also physically causes a voltage change.

以上のように、プログラム電圧印加という動作をプリチャージ電流あるいはプリチャージ電圧で行う方式も本発明のプログラム電圧+プログラム電流駆動の範疇である。たとえば、図131、図140、図141、図143、図293、図297、図311、図312、図339〜図344では電子ボリウム501を切り換えることによりプログラム電圧が変化する。この電子ボリウム501を電流出力の電子ボリウムに変更すればよい。変更は複数のカレントミラー回路を組み合わせることにより容易に実現できる。本発明では説明を容易にするため、プログラム電圧+プログラム電流駆動のプログラム電圧印加は電圧で行うとして説明をする。   As described above, the method of performing the operation of applying the program voltage with the precharge current or the precharge voltage is also within the category of the program voltage + program current driving of the present invention. For example, in FIGS. 131, 140, 141, 143, 293, 297, 311, 312, and 339 to 344, the program voltage is changed by switching the electronic volume 501. This electronic volume 501 may be changed to an electronic volume with current output. The change can be easily realized by combining a plurality of current mirror circuits. In the present invention, for ease of explanation, it is assumed that the program voltage + program current drive program voltage is applied by voltage.

また、プログラム電圧印加は、一定のプログラム電圧を印加することに限定するものではない。たとえば、複数のプログラム電圧をソース信号線に印加してもよい。たとえば、第1のプログラム電圧5(V)を5(μsec)印加した後、第2のプログラム電圧4.5(V)を5(μsec)印加する方法である。その後に、プログラム電流Iwをソース信号線18に印加する。また、プログラム電圧を鋸波状に変化させたものでもよい。また、矩形波状、三角波状、サインカーブ状の電圧などを印加してもよい。また、正規のプログラム電流(電圧)にプログラム電圧(電流)を重畳させてもよい。また、プログラム電圧(電流)の大きさ、プログラム電圧(電流)の印加期間は、画像データに対応させて変化させてもよい。また、画像データの値などに応じて、印加波形の種類、プログラム電圧の値などを変化させてもよい。   The program voltage application is not limited to applying a constant program voltage. For example, a plurality of program voltages may be applied to the source signal line. For example, after applying the first program voltage 5 (V) for 5 (μsec), the second program voltage 4.5 (V) is applied for 5 (μsec). Thereafter, the program current Iw is applied to the source signal line 18. Further, the program voltage may be changed in a sawtooth shape. Further, a rectangular wave, a triangular wave, a sine curve voltage, or the like may be applied. Further, the program voltage (current) may be superimposed on the regular program current (voltage). Further, the magnitude of the program voltage (current) and the application period of the program voltage (current) may be changed corresponding to the image data. Further, the type of applied waveform, the value of the program voltage, etc. may be changed according to the value of the image data.

また、プログラム電圧はソース信号線18の上辺の一端から印加し、プログラム電流を前記ソース信号線18の下辺の一端から印加してもよい。また、このように表示パネルのドライバ回路14を配置あるいは構成してもよい。   The program voltage may be applied from one end of the upper side of the source signal line 18 and the program current may be applied from one end of the lower side of the source signal line 18. Further, the driver circuit 14 of the display panel may be arranged or configured in this way.

プログラム電流とプログラム電圧は同時に印加してもよい。プログラム電流を発生する定電流(可変電流)回路は高インピーダンス回路であるので、プログラム電圧を発生する電圧回路とショート(短絡)しても動作に問題が発生しないからである。ただし、プログラム電圧とプログラム電流の両方をソース信号線18に印加する場合は、プログラム電圧の印加を終了したのちに、プログラム電流の印加を終了させる。つまり、1H(水平走査期間)もしくは複数Hあるいは所定の期間での最後はプログラム電流の印加状態で終了させる。   The program current and the program voltage may be applied simultaneously. This is because the constant current (variable current) circuit that generates the program current is a high impedance circuit, so that no problem occurs in operation even if the voltage circuit that generates the program voltage is short-circuited. However, when both the program voltage and the program current are applied to the source signal line 18, the application of the program current is terminated after the application of the program voltage is terminated. In other words, 1H (horizontal scanning period), a plurality of H, or the end of a predetermined period is terminated with the application state of the program current.

本発明は電流駆動方式において、所定の電圧のプログラム電圧を印加した後、プログラム電流を印加するとして説明をする。しかし、本発明の技術的思想は、電圧駆動方式でも効果を発揮する。電圧駆動方式では、EL素子15を駆動する駆動用トランジスタサイズが大きいため、ゲート容量が大きい。そのため、正規のプログラム電圧が書き込みにくいという課題がある。この課題に対して、正規のプログラム電圧を印加する前に、所定電圧の電圧を印加するという動作を実施することにより、駆動用トランジスタをリセット状態にすることができ、良好な書込みを実現できる(印加する電圧はトランジスタ11aがオフ状態あるいはその近傍となる電圧にすることが好ましい)。したがって、本発明のプログラム電圧+プログラム電流駆動方式は、電流プログラム駆動に限定されるものではない。本発明の実施例では、説明を容易にするために、電流プログラム駆動の画素構成(図1などを参照のこと)を例示して説明をする。   In the current driving method, the present invention will be described on the assumption that a program current is applied after a program voltage of a predetermined voltage is applied. However, the technical idea of the present invention is effective even with a voltage drive system. In the voltage driving method, the size of the driving transistor for driving the EL element 15 is large, so that the gate capacitance is large. Therefore, there is a problem that it is difficult to write a regular program voltage. In response to this problem, by performing an operation of applying a voltage of a predetermined voltage before applying a normal program voltage, the driving transistor can be reset, and good writing can be realized ( The voltage to be applied is preferably a voltage at which the transistor 11a is turned off or in the vicinity thereof. Therefore, the program voltage + program current driving method of the present invention is not limited to current program driving. In the embodiments of the present invention, for ease of explanation, the current program driving pixel configuration (see FIG. 1 and the like) will be described as an example.

本発明の実施例において、プログラム電圧+プログラム電流駆動方式(図127〜図143なども参照のこと)は、駆動用トランジスタ11aのみに作用するものではない。たとえば、図11、図12、図13などの画素構成において、カレントミラー回路を構成するトランジスタ11aにも作用して効果を発揮する。本発明のプログラム電圧+プログラム電流駆動方式は、ソースドライバIC(回路)14からみたソース信号線18の寄生容量を充放電することを1つの目的としているが、当然のことながらソースドライバIC(回路)14内の寄生容量も充放電されることも目的としている。   In the embodiment of the present invention, the program voltage + program current driving method (see also FIGS. 127 to 143, etc.) does not affect only the driving transistor 11a. For example, in the pixel configurations shown in FIGS. 11, 12, and 13 and the like, the transistor 11a constituting the current mirror circuit is also exerted and the effect is exhibited. The program voltage + program current drive system of the present invention is intended to charge and discharge the parasitic capacitance of the source signal line 18 as viewed from the source driver IC (circuit) 14, but of course, the source driver IC (circuit) ) It is also intended that the parasitic capacitance in 14 is charged and discharged.

プログラム電圧を印加するという動作は、黒表示を良好にすることを1つの目的としているが、これに限定されるものではない。白表示を書込み易くする白書込みプログラム電圧(電流)を印加すれば、良好な白表示も実現できる。つまり、本発明のプログラム電圧+プログラム電流駆動とは、プログラム電流(プログラム電圧)を書き込む前に、前記プログラム電流(プログラム電圧)を書込み易くするための、(画素16に書き込む階調データに応じた)所定の電圧を印加し、ソース信号線18などを予備充電するものである。また、階調に応じたプログラム電流を書き込みやすくするために、プログラム電圧を事前に印加するものである。したがって、ソース信号線18などの電位が所定電位あるいは所定範囲内に維持されていれば、プログラム電圧を印加する必要はない。   The operation of applying the program voltage is intended to improve black display, but is not limited to this. If a white writing program voltage (current) that makes white display easy to write is applied, good white display can be realized. In other words, the program voltage + program current drive according to the present invention corresponds to the gradation data written in the pixel 16 to facilitate writing of the program current (program voltage) before writing the program current (program voltage). ) A predetermined voltage is applied to pre-charge the source signal line 18 and the like. In addition, a program voltage is applied in advance in order to make it easy to write a program current corresponding to the gradation. Therefore, if the potential of the source signal line 18 or the like is maintained at a predetermined potential or within a predetermined range, it is not necessary to apply the program voltage.

ただし、画素16の駆動用トランジスタ11aは白表示状態(高階調表示状態)から黒表示状態(低階調表示状態)に変化する動作は比較的高速である。しかし、駆動用トランジスタ11aは黒表示状態から白表示状態に変化する動作は比較的遅い。したがって、プログラム電圧は、映像(画像)データの値よりも大きくし(高階調表示方向)で印加し、プログラム電流で黒表示方向に補正するように動作させることが好ましい。したがって、プログラム電圧を指定する映像データ>プログラム電流を指定する映像データの関係を満足させることが好ましい。   However, the operation of the driving transistor 11a of the pixel 16 changing from the white display state (high gradation display state) to the black display state (low gradation display state) is relatively fast. However, the operation of the driving transistor 11a changing from the black display state to the white display state is relatively slow. Therefore, it is preferable that the program voltage be applied larger (high gradation display direction) than the value of the video (image) data and operated so as to be corrected in the black display direction by the program current. Therefore, it is preferable to satisfy the relationship of video data specifying program voltage> video data specifying program current.

以上は、画素16の駆動用トランジスタ11aがPチャンネルトランジスタで、かつ吸い込み電流(ソースドライバIC(回路)14に吸い込む電流)で電流プログラムを実施する場合である。画素16の駆動用トランジスタ11aがNチャンネルトランジスタの場合あるいは駆動用トランジスタ11aを吐き出し電流(ソースドライバIC14から吐き出す電流)で電流プログラムを実施する場合は逆の関係にする。つまり、画素16の駆動用トランジスタ11aがNチャンネルの場合は黒表示状態(低階調表示状態)から白表示状態(高階調表示状態)に変化する動作は比較的高速である。しかし、駆動用トランジスタ11aは白表示状態から黒表示状態に変化する動作は比較的遅い。したがって、プログラム電圧は、映像(画像)データの値よりも小さくし(低階調表示方向)で印加し、プログラム電流で白表示方向に補正するように動作させることが好ましい。したがって、プログラム電圧を指定する映像データ<プログラム電流を指定する映像データの関係を満足させることが好ましい。以上の事項は本発明の他の実施例においても適用(読み替え)できることは言うまでもない。   The above is the case where the driving transistor 11a of the pixel 16 is a P-channel transistor and the current program is executed with the sink current (current sucked into the source driver IC (circuit) 14). When the driving transistor 11a of the pixel 16 is an N-channel transistor or when the current program is executed with the discharging current (current discharged from the source driver IC 14) from the driving transistor 11a, the relation is reversed. That is, when the driving transistor 11a of the pixel 16 is N-channel, the operation for changing from the black display state (low gradation display state) to the white display state (high gradation display state) is relatively fast. However, the operation of the driving transistor 11a changing from the white display state to the black display state is relatively slow. Therefore, it is preferable that the program voltage is applied smaller than the value of the video (image) data (low gradation display direction) and is operated so as to correct in the white display direction with the program current. Therefore, it is preferable to satisfy the relationship of video data specifying the program voltage <video data specifying the program current. Needless to say, the above items can be applied (replaced) in other embodiments of the present invention.

なお、本発明は説明を容易にするため、駆動用トランジスタ(EL素子15に電流を供給するトランジスタ)がPチャンネルであり、ソースドライバ回路(IC)14が吸い込み(シンク)電流で動作している表示パネル(表示装置)を例示して説明をする。   In order to facilitate the description of the present invention, the driving transistor (the transistor that supplies current to the EL element 15) is a P-channel, and the source driver circuit (IC) 14 is operated with a sink (sink) current. A display panel (display device) will be described as an example.

プログラム電圧印加タイミングは、プログラム電流を書き込む画素行を選択した状態でプログラム電圧を書き込むことが好ましいが、これに限定するものではなく、画素行が非選択の状態で、ソース信号線18にプログラム電圧を印加して予備充電を行ない、その後、プログラム電流を書き込む画素行を選択してもよい。   The program voltage application timing is preferably such that the program voltage is written in a state in which the pixel row to which the program current is to be written is selected. However, the present invention is not limited to this. May be applied to perform preliminary charging, and then a pixel row into which a program current is written may be selected.

プログラム電圧は、ソース信号線18に印加するとしているが、他の方式も例示される。たとえば、アノード端子への印加電圧(Vdd)またはカソード端子への印加電圧(Vss)を変化させてもよい(プログラム電圧を印加)。アノード電圧またはカソード電圧を変化させることにより、駆動用トランジスタ11aの書込み能力が拡大される。したがって、プログラム電圧印加(ディスチャージ)効果が発揮される。特に、アノード電圧(Vdd)をパルス的に変化させる方式を実施する効果が高い。つまり、プログラム電圧の印加は、駆動用トランジスタ11aをオフ状態にする動作あるいは構成であればいずれの信号線あるいは端子(アノード端子、カソード端子、ソース信号線など)に作用させてもよいことは言うまでもない。   The program voltage is applied to the source signal line 18, but other methods are also exemplified. For example, the applied voltage (Vdd) to the anode terminal or the applied voltage (Vss) to the cathode terminal may be changed (program voltage is applied). By changing the anode voltage or the cathode voltage, the writing capability of the driving transistor 11a is expanded. Therefore, the program voltage application (discharge) effect is exhibited. In particular, the effect of implementing a method of changing the anode voltage (Vdd) in a pulse manner is high. That is, it goes without saying that the program voltage may be applied to any signal line or terminal (anode terminal, cathode terminal, source signal line, etc.) as long as the driving transistor 11a is turned off or configured. Yes.

図332(a)は階調0のみでプログラム電圧を印加した時の説明図である。階調0のみのプログラム電圧印加は階調飛びがなく、良好な黒表示を実現できるので好ましい方法である。図332において、行番号は、画素行の番号を示している。画素行は、第1画素行からn画素行まで順次画像データが書き換えられ、最終画素行nまで電流プログラムがされると、また、第1画素行から電流プログラムが開始される。   FIG. 332 (a) is an explanatory diagram when a program voltage is applied only at gradation 0. FIG. Application of a program voltage with only gradation 0 is a preferable method because there is no gradation skip and good black display can be realized. In FIG. 332, the row number indicates the pixel row number. In the pixel row, image data is sequentially rewritten from the first pixel row to the n pixel row, and when current programming is performed up to the final pixel row n, current programming is started from the first pixel row.

一例として画像データは、64階調の画像データとする。画像データは0から63の値をとる。当然ながら、256階調の時は、0から255までの値をとる。PSLはプログラム電圧印加セレクト信号であり、Hレベル(記号H)のとき、プログラム電圧の出力が許可させる。Lレベルの時は、プログラム電圧は出力されない。PENはプログラム電圧印加イネーブル信号である。このPENはコントローラ81の判断により出力される信号である。つまり、コントローラは画像データに基づいて、PEN信号をHまたはLレベルにする。PENがHレベルの時は、プログラム電圧印加をするという判断信号であり、Lレベルの時は、プログラム電圧印加しないという判断信号である。プログラム電圧も好ましくは映像データにより変化させることは言うまでもない。なお、具体的な構成方法は、図127から図143、図293から図297などで説明をする。   As an example, the image data is 64-tone image data. The image data takes a value from 0 to 63. Of course, when the gradation is 256, values from 0 to 255 are taken. PSL is a program voltage application select signal, which permits the output of the program voltage when it is at the H level (symbol H). When it is at L level, the program voltage is not output. PEN is a program voltage application enable signal. This PEN is a signal output by the determination of the controller 81. That is, the controller sets the PEN signal to the H or L level based on the image data. When PEN is at the H level, it is a determination signal that the program voltage is applied, and when it is at the L level, it is a determination signal that the program voltage is not applied. Needless to say, the program voltage is preferably changed according to the video data. A specific configuration method will be described with reference to FIGS. 127 to 143, FIGS. 293 to 297, and the like.

図332では、階調0の時にのみ、PEN信号はHレベルとなっている。P出力は、スイッチ151aのオンオフ状態である(図16、図75、図308のSiなどを参照のこと)。表では、○はスイッチ151aがオン状態(ソース信号線18にプログラム電圧Vpが印加された状態)である。×はスイッチ151aがオフ状態(ソース信号線18にプログラム電圧が印加されていない状態)である。   In FIG. 332, the PEN signal is at the H level only at gradation 0. The P output is an on / off state of the switch 151a (see Si in FIGS. 16, 75, and 308). In the table, ◯ indicates that the switch 151a is on (the program voltage Vp is applied to the source signal line 18). X indicates that the switch 151a is in an off state (a state in which no program voltage is applied to the source signal line 18).

図332(a)では、画素行番号3と画素行番号8に該当する箇所で、PEN信号がHとなっている。同時に画素行番号3と画素行番号8では、PSL信号もHレベルであるので、P出力は○(プログラム電圧Vpが出力された状態となっている。図332(b)では、PEN信号は図332(a)と同一であるが、PSL信号がLレベルである。したがって、P出力はたえず、×(プログラム電圧Vpが出力されていない)の状態となっている。基本的にはPEN信号もコントローラ81から出力される。しかし、PEN信号はユーザーが調整できるようにすることが好ましい。   In FIG. 332 (a), the PEN signal is H at locations corresponding to pixel row number 3 and pixel row number 8. At the same time, in the pixel row number 3 and the pixel row number 8, since the PSL signal is also at the H level, the P output is in the state where the program voltage Vp is output (in FIG. 332 (b), the PEN signal is 332 (a), but the PSL signal is at the L level, so that the P output does not continue and the state is x (the program voltage Vp is not output). It is output from the controller 81. However, the PEN signal is preferably made adjustable by the user.

また、プログラム電圧Vpが出力されている期間は、図16のカウンタ162で設定することができる。このカウンタはプログラマブルカウンタであり、コントローラからの設定値、あるいはユーザーの設定値に基づき動作する。カウンタ651はメインクロック(CLK)に同期して動作するように構成されている。   The period during which the program voltage Vp is output can be set by the counter 162 in FIG. This counter is a programmable counter and operates based on a set value from a controller or a set value of a user. The counter 651 is configured to operate in synchronization with the main clock (CLK).

図333(a)は階調0から階調7のみをプログラム電圧印加した時の説明図である。低階調領域のみにプログラム電圧印加する方法は、電流駆動が黒表示領域を書込みにくいという課題を解決する方策として有効である。なお、いずれの範囲までプログラム電圧印加するかはコントローラ81により設定できる。   FIG. 333 (a) is an explanatory diagram when a program voltage is applied only to gradations 0 to 7. FIG. The method of applying the program voltage only to the low gradation region is effective as a measure for solving the problem that current driving is difficult to write the black display region. It should be noted that to which range the program voltage is applied can be set by the controller 81.

図333では、階調0−7の時にのみ、PEN信号はHレベルとなっている。P出力は、スイッチ151aのオンオフ状態である。図333(a)では、画素行番号3、5、6、7、11、12、13に該当する箇所で、画像データは7以下であるので、PEN信号がHとなっている。同時に以上の箇所で、PSL信号もHレベルであるので、P出力は○(プログラム電圧Vpが出力された状態)となっている。図333(b)では、PSL信号がLレベルであるので、P出力はすべて×(プログラム電圧が印加されていない状態)となっている。   In FIG. 333, the PEN signal is at the H level only at the gradation 0-7. The P output is an on / off state of the switch 151a. In FIG. 333 (a), the image data is 7 or less at the locations corresponding to the pixel row numbers 3, 5, 6, 7, 11, 12, and 13, and therefore the PEN signal is H. At the same time, since the PSL signal is also at the H level, the P output is ◯ (the state where the program voltage Vp is output). In FIG. 333 (b), since the PSL signal is at the L level, all the P outputs are x (a state where no program voltage is applied).

図334は画素16の輝度が低くなる時にプログラム電圧印加を実施する駆動方式の説明図である。電流プログラム方式では、画素16の輝度を高くするとき(白表示)のプログラム電流Iwが大きい。したがって、ソース信号線18に寄生容量があっても十分寄生容量を充放電することができる。しかし、画素16を黒表示となるようにプログラム電圧を印加するときは、プログラム電流は小さくソース信号線18の寄生容量などを十分に充放電することができない。したがって、画素16に書き込むプログラム電流が大きくなる時は、プログラム電圧印加をする必要がない場合が多い。逆に画素16に書き込む電流が小さくなる時(黒表示となる時)はプログラム電圧印加する必要が発生する。   FIG. 334 is an explanatory diagram of a driving method for applying a program voltage when the luminance of the pixel 16 is lowered. In the current program method, the program current Iw when the luminance of the pixel 16 is increased (white display) is large. Therefore, even if the source signal line 18 has a parasitic capacitance, the parasitic capacitance can be charged and discharged sufficiently. However, when a program voltage is applied so that the pixel 16 displays black, the program current is small and the parasitic capacitance of the source signal line 18 cannot be sufficiently charged / discharged. Therefore, when the program current written to the pixel 16 becomes large, it is often unnecessary to apply the program voltage. Conversely, when the current written to the pixel 16 is small (when black display is performed), it is necessary to apply a program voltage.

図334は画素16の輝度が低くなる時にプログラム電圧印加を実施する駆動方式の説明図である。第1画素行目の画像データが39である。したがって、ソース信号線18には、画素16を画像データ39に電流プログラムする電位が保持されている。第2画素行目の画像データは12である。したがって、ソース信号線18は画像データ12に対応する電位になるようにする必要がある。しかし、プログラム電流は階調39から階調12と小さくなる。そのため、ソース信号線18を十分に充放電できない状態が発生する場合がある。この課題に対応するため、プログラム電圧印加する(PEN信号はHレベルとなる)。画素行3、5、6、8、11、12、13、15においても同様の判定結果となる。   FIG. 334 is an explanatory diagram of a driving method for applying a program voltage when the luminance of the pixel 16 is lowered. The image data of the first pixel row is 39. Therefore, the source signal line 18 holds a potential for current-programming the pixel 16 to the image data 39. The image data of the second pixel row is 12. Therefore, the source signal line 18 needs to have a potential corresponding to the image data 12. However, the program current decreases from gradation 39 to gradation 12. Therefore, a state where the source signal line 18 cannot be sufficiently charged / discharged may occur. In order to cope with this problem, a program voltage is applied (PEN signal becomes H level). Similar determination results are obtained for pixel rows 3, 5, 6, 8, 11, 12, 13, and 15.

第3画素行目の画像データは0である。したがって、ソース信号線18には、画素16を画像データ0に電流プログラムする電位が保持されている。第4画素行目の画像データは21である。したがって、ソース信号線18は画像データ21に対応する電位になるようにする必要がある。プログラム電流は階調0から階調21と大きくなる。そのため、ソース信号線18を十分に充放電可能である。したがって、第4画素行ではプログラム電圧印加する必要はない。   The image data in the third pixel row is zero. Therefore, the source signal line 18 holds a potential for current-programming the pixel 16 to the image data 0. The image data in the fourth pixel row is 21. Therefore, the source signal line 18 needs to have a potential corresponding to the image data 21. The program current increases from gradation 0 to gradation 21. Therefore, the source signal line 18 can be sufficiently charged / discharged. Therefore, it is not necessary to apply the program voltage in the fourth pixel row.

以上の判断を、コントローラ81で実施する。実施の結果、図334(a)に図示するように、PEN信号は、画素行2、3、5、6、8、11、12、13、15でHレベルとなる。つまり、前記画素行ではプログラム電圧印加するという結果となる。図334(a)では、PSL信号もHレベルであるから、P出力の欄でわかるように、P出力は、画素行2、3、5、6、8、11、12、13、15で○(プログラム電圧印加する)ことになる。なお、他の画素行ではプログラム電圧印加は行われない。   The above determination is performed by the controller 81. As a result of the implementation, the PEN signal becomes H level in the pixel rows 2, 3, 5, 6, 8, 11, 12, 13, 15 as illustrated in FIG. That is, the program voltage is applied to the pixel row. In FIG. 334 (a), since the PSL signal is also at the H level, as can be seen from the P output column, the P output is ◯ in the pixel rows 2, 3, 5, 6, 8, 11, 12, 13, and 15. (Program voltage is applied). Note that no program voltage is applied to other pixel rows.

図334(b)では、PEN信号は図334(a)と同一であるが、PSL信号がLレベルである。したがって、P出力はたえず、×(プログラム電圧Vpが出力されていない)の状態となっている。基本的にはPEN信号もコントローラ81から出力される。しかし、PEN信号はユーザーが調整できるようにすることが好ましい。   In FIG. 334 (b), the PEN signal is the same as FIG. 334 (a), but the PSL signal is at the L level. Therefore, the P output is constantly maintained, and the state is x (the program voltage Vp is not output). Basically, the PEN signal is also output from the controller 81. However, the PEN signal is preferably adjustable by the user.

図335は、図333と図334のプログラム電圧印加方法を組み合わせた方式である。画素16の輝度が低くなる時にプログラム電圧印加を実施し、かつ、画素16のプログラム電流が0−7階調の低輝度となる場合にプログラム電圧印加する方法である。どの階調以下でプログラム電圧印加するか否かは、コントローラIC81の設定値で変更可能である。また、ユーザーが変更することも可能である。変更は、コントローラ内部のテーブルにマイコンからシリアルインターフェースを介して行う。   FIG. 335 is a combination of the program voltage application methods of FIG. 333 and FIG. 334. In this method, the program voltage is applied when the luminance of the pixel 16 is lowered, and the program voltage is applied when the program current of the pixel 16 has a low luminance of 0-7 gradation. It can be changed by the setting value of the controller IC 81 at which gradation the program voltage is applied or not. Also, the user can change it. The change is made to the table inside the controller from the microcomputer via the serial interface.

画像データは図334の実施例と同一である。しかし、図335では、第2画素行では画像データが12であり、第15画素行では、画像データが12であるため、PEN信号はLレベルの判定結果となっている。先にも説明したように、一定以上のプログラム電流Iwの大きさがあれば、ソース信号線18の寄生容量を充放電できる。したがって、プログラム電圧印加する必要はない。逆にプログラム電圧印加するとソース信号線18の電位が黒表示電位まで変化し、中間調表示の電位に復帰するのに時間を要する。   The image data is the same as in the embodiment of FIG. However, in FIG. 335, since the image data is 12 in the second pixel row and the image data is 12 in the 15th pixel row, the PEN signal is an L level determination result. As described above, the parasitic capacitance of the source signal line 18 can be charged / discharged if the program current Iw is larger than a certain level. Therefore, it is not necessary to apply the program voltage. Conversely, when the program voltage is applied, the potential of the source signal line 18 changes to the black display potential, and it takes time to return to the halftone display potential.

以上の判断を、コントローラ81で実施する。実施の結果、図335(a)に図示するように、PEN信号は、画素行3、5、6、8、11、12、13でHレベルとなる。つまり、前記画素行ではプログラム電圧印加するという結果となる。図335(a)では、PSL信号もHレベルであるから、P出力の欄でわかるように、P出力は、画素行3、5、6、8、11、12、13で○(プログラム電圧印加する)ことになる。なお、他の画素行ではプログラム電圧印加は行われない。図335(b)では、PEN信号は図335(a)と同一であるが、PSL信号がLレベルである。したがって、P出力はたえず、×(プログラム電圧Vpが出力されていない)の状態となっている。   The above determination is performed by the controller 81. As a result of the implementation, as shown in FIG. 335 (a), the PEN signal becomes H level in the pixel rows 3, 5, 6, 8, 11, 12, and 13. That is, the program voltage is applied to the pixel row. In FIG. 335 (a), since the PSL signal is also at the H level, as can be seen from the P output column, the P output is indicated by ○ (program voltage applied) in the pixel rows 3, 5, 6, 8, 11, 12, and 13. Will be). Note that no program voltage is applied to other pixel rows. In FIG. 335 (b), the PEN signal is the same as FIG. 335 (a), but the PSL signal is at the L level. Therefore, the P output is constantly maintained, and the state is x (the program voltage Vp is not output).

以上の実施例は、各RGBのプログラム電圧印加について説明をしていないが、図336のように各RGBでプログラム電圧印加判定を行うことが好ましいことは言うまでもない。各RGBで画像データがことなっているからである。   In the above embodiment, the application of the program voltage for each RGB is not described, but it is needless to say that the program voltage application determination is preferably performed for each RGB as shown in FIG. This is because image data is different for each RGB.

図336は、図333と同様に階調0−7の範囲でプログラム電圧印加を実施する駆動方法である。各RGBでのプログラム電圧印加の判断をコントローラ81で実施する。実施の結果、図336に図示するように、R画像データでは、PEN信号は、画素行3、5、6、7、8、11、12、13でHレベルとなる。つまり、前記画素行ではプログラム電圧印加するという結果となる。G画像データでは、PEN信号は、画素行3、7、9、11、12、13、14でHレベルとなる。つまり、前記画素行ではプログラム電圧印加するという結果となる。B画像データでは、PEN信号は、画素行1、2、3、6、7、8、9、15でHレベルとなる。つまり、前記画素行ではプログラム電圧印加するという結果となる。   FIG. 336 shows a driving method in which the program voltage is applied in the range of gradation 0-7 as in FIG. The controller 81 determines whether to apply the program voltage for each RGB. As a result of the implementation, as illustrated in FIG. 336, in the R image data, the PEN signal becomes H level in the pixel rows 3, 5, 6, 7, 8, 11, 12, and 13. That is, the program voltage is applied to the pixel row. In the G image data, the PEN signal becomes H level in the pixel rows 3, 7, 9, 11, 12, 13, and 14. That is, the program voltage is applied to the pixel row. In the B image data, the PEN signal becomes H level in the pixel rows 1, 2, 3, 6, 7, 8, 9, and 15. That is, the program voltage is applied to the pixel row.

以上の実施例では、画素行に対応してプログラム電圧印加をするか否かを判断した。しかし、本発明はこれに限定するものではない。フレーム(フィールド)単位で各画素に印加される画像データの大きさ、変化などを判定し、プログラム電圧印加するか否かを判断してもよいことは言うまでもない。図337はその実施例である。   In the above embodiment, it is determined whether or not the program voltage is applied corresponding to the pixel row. However, the present invention is not limited to this. It goes without saying that the size or change of image data applied to each pixel in units of frames (fields) may be determined to determine whether or not to apply a program voltage. FIG. 337 shows an example.

図337はある画素16に着目した画像データの変化を示している。図337の表の第1行目はフレーム番号を示している。表の2行目はある画素16にプログラムされる画像データの変化を示している。また、図337は、図332と同様に階調0でプログラム電圧印加する駆動方式の変形例である。図332では、階調0で必ずプログラム電圧印加する方法であった。図337では、階調0が一定フレーム連続する時にプログラム電圧印加する方法である。連続は、カウンタで示す。   FIG. 337 shows changes in image data focusing on a certain pixel 16. The first row of the table in FIG. 337 indicates the frame number. The second row of the table shows changes in image data programmed in a certain pixel 16. FIG. 337 shows a modified example of the driving method in which the program voltage is applied at the gradation 0 as in FIG. In FIG. 332, the program voltage is always applied at gradation 0. In FIG. 337, a program voltage is applied when gradation 0 continues for a certain frame. Continuation is indicated by a counter.

図337(a)では、フレーム3、4、5、6、11、12で階調0である。そのため、カウント値は、第3フレームから第6フレームまで順次カウントされる。また、フレーム11、12でカウントされる。図337(a)では、階調0が3フレーム連続する時に、プログラム電圧印加を実施するように制御されている。したがって、フレーム5、6でP出力が○(プログラム電圧が出力される)となる。フレーム11、12では2フレームしか階調0が連続しないため、プログラム電圧印加はされない。   In FIG. 337 (a), tone is 0 in frames 3, 4, 5, 6, 11, and 12. Therefore, the count value is sequentially counted from the third frame to the sixth frame. In addition, it is counted in frames 11 and 12. In FIG. 337 (a), control is performed so that the program voltage is applied when gradation 0 continues for three frames. Therefore, in frames 5 and 6, the P output becomes ◯ (the program voltage is output). In frames 11 and 12, gradation 0 continues for only two frames, and therefore no program voltage is applied.

図337(b)では、PSL信号によりカウント制御を実施している。PSL信号がHレベルの時に、カウント値はアップされる。図337(b)では、フレーム5、12でPSL信号がLレベルため、カウントアップされない。そのため、プログラム電圧は、フレーム6でしか出力されない。   In FIG. 337 (b), the count control is performed by the PSL signal. When the PSL signal is at H level, the count value is increased. In FIG. 337 (b), since the PSL signal is at the L level in the frames 5 and 12, it is not counted up. Therefore, the program voltage is output only in the frame 6.

なお、図337では階調0が一定フレーム連続する時にプログラム電圧印加するとしたが、本発明はこれに限定するものではなく、図333で説明したように、一定の階調範囲(たとえば、階調0−7)が連続する時にプログラム電圧印加するように制御してもよい。また、連続したフレームに限定するものではなく、離散的であってもよい。また、連続した画素行で一定の階調範囲(たとえば、階調0のみ、階調0−7など)が連続する時にプログラム電圧印加するように制御してもよい。   In FIG. 337, the program voltage is applied when gradation 0 continues for a certain frame. However, the present invention is not limited to this, and as described in FIG. 333, a certain gradation range (for example, gradation The program voltage may be controlled to be applied when 0-7) continues. Moreover, it is not limited to continuous frames, and may be discrete. Alternatively, the program voltage may be controlled to be applied when a certain gradation range (for example, only gradation 0, gradation 0-7, etc.) continues in successive pixel rows.

以上のように本発明のプログラム電圧+プログラム電流駆動方式では、画像データの値あるいは画像データの変化状態あるいはプログラム電圧印加する画素の近傍の画像データ値とその変化などにより、プログラム電圧印加するか否かを判定し、プログラム電圧(電流)を印加する。また、プログラム電圧印加を印加するか否かの情報は、ソースドライバIC(回路)に保持される。したがって、ソースドライバIC(回路)14はプログラム電圧印加信号をラッチするラッチ回路2361(保持回路あるいは記憶手段(メモリ))を具備するだけであるから構成は容易である。また、いずれのプログラム電圧印加方式でもコントローラIC760(図83、図85、図181、図319、図320、図327などを参照のこと)のプログラムを変更あるいは設定値を変更するだけで対応できるため汎用性がある。   As described above, in the program voltage + program current drive system of the present invention, whether or not the program voltage is applied depends on the value of the image data, the change state of the image data, or the image data value near the pixel to which the program voltage is applied and the change thereof. The program voltage (current) is applied. Information about whether or not to apply the program voltage is held in the source driver IC (circuit). Therefore, since the source driver IC (circuit) 14 only includes a latch circuit 2361 (holding circuit or storage means (memory)) that latches the program voltage application signal, the configuration is easy. In addition, any program voltage application method can be dealt with by changing the program of the controller IC 760 (see FIGS. 83, 85, 181, 319, 320, 327, etc.) or simply changing the set value. Versatile.

以上は、プログラム電圧印加により画素を黒表示あるいは黒表示に近い状態にする方法の場合である。しかし、プログラム電圧を印加することにより、白表示にする場合もある。したがって、プログラム電圧印加とは、黒表示電圧だけではない。ソース信号線18に電圧印加により、ソース信号線18に一定電位にする方法である。   The above is the case of a method for bringing a pixel into a black display or a state close to black display by applying a program voltage. However, white display may be obtained by applying a program voltage. Therefore, the program voltage application is not limited to the black display voltage. In this method, a voltage is applied to the source signal line 18 so that the source signal line 18 has a constant potential.

なお、図1など、画素16の駆動用トランジスタ11aがPチャンネルの場合は、スイッチング用トランジスタ11bもPチャンネルで形成することが重要である。スイッチング素子11bがオン状態からオフ状態になる時の突き抜け電圧により黒表示が容易になるからである。したがって、画素16の駆動用トランジスタ11aがNチャンネルの場合は、スイッチング用トランジスタ11bもNチャンネルで形成することが重要である。スイッチング素子11bがオン状態からオフ状態になる時の突き抜け電圧により黒表示が容易になるからである。   In addition, when the driving transistor 11a of the pixel 16 is a P channel as in FIG. 1, it is important that the switching transistor 11b is also formed of a P channel. This is because black display is facilitated by the punch-through voltage when the switching element 11b changes from the on state to the off state. Therefore, when the driving transistor 11a of the pixel 16 has an N channel, it is important to form the switching transistor 11b also with an N channel. This is because black display is facilitated by the punch-through voltage when the switching element 11b changes from the on state to the off state.

下段は、ソース信号線18にプログラム電圧(PRV)を印加した時にソース信号線電位を図示している。矢印の箇所がプログラム電圧(PRV)の印加位置を示している。なお、プログラム電圧印加位置は、1Hの最初に限定するものではない。1/2Hまでの期間にプログラム電圧を印加すればよい。なお、ソース信号線18にプログラム電圧を印加するときは、選択側のゲートドライバ12aのOEV端子を操作し、いずれのゲート信号線17aも選択されていない状態にすることが好ましい。   The lower part illustrates the source signal line potential when the program voltage (PRV) is applied to the source signal line 18. The position of the arrow indicates the application position of the program voltage (PRV). The program voltage application position is not limited to the beginning of 1H. What is necessary is just to apply a program voltage in the period to 1 / 2H. When a program voltage is applied to the source signal line 18, it is preferable to operate the OEV terminal of the gate driver 12a on the selection side so that no gate signal line 17a is selected.

なお、プログラム電圧を印加するかしないかの判定は、1画素行前の画像データ(あるいは、直前にソース信号線に印加された画像データ)にもとづいて行っても良い。あるソース信号線18に印加される画像データにおいて、第1画素行目の直前の画素行(画素)(最終画素行)の印加データが63階調目で、第1画素行(画素)目が10階調目であり、以降の画像データの変化がない場合(10階調目が連続する)、第1画素行(画素)に10階調目あるいはその近傍に該当するプログラム電圧が印加さえる。しかし、第2画素行目から最終画素行目にはプログラム電圧は印加されない。   Note that whether or not to apply the program voltage may be determined based on the image data of the previous pixel row (or the image data applied to the source signal line immediately before). In the image data applied to a certain source signal line 18, the application data of the pixel row (pixel) (final pixel row) immediately before the first pixel row is the 63rd gradation, and the first pixel row (pixel) is the first pixel row (pixel). When it is the 10th gradation and there is no change in the image data thereafter (the 10th gradation is continuous), the program voltage corresponding to the 10th gradation or the vicinity thereof is applied to the first pixel row (pixel). However, the program voltage is not applied from the second pixel row to the last pixel row.

図338はプログラム電流データ(赤用IR、緑用IG、青用IB)とプログラム電圧データ(赤用VR、緑用VG、青用VB)との関係を示している。プログラム電流データ、プログラム電圧データは映像(画像)データにもとづき、コントローラIC(回路)760により発生させられる(図127から図143などを参照のこと)。   FIG. 338 shows the relationship between program current data (red IR, green IG, blue IB) and program voltage data (red VR, green VG, blue VB). Program current data and program voltage data are generated by a controller IC (circuit) 760 based on video (image) data (see FIGS. 127 to 143, etc.).

図338(a)はプログラム電流データ(赤用IR、緑用IG、青用IB)とプログラム電圧データ(赤用VR、緑用VG、青用VB)が同一数を有する例である。つまり、任意のプログラム電流データ(赤用IR、緑用IG、青用IB)に対応するプログラム電圧データ(赤用VR、緑用VG、青用VB)を有する場合である。したがって、プログラム電圧を印加すれば、それに対応するプログラム電流を印加することができる。   FIG. 338 (a) shows an example in which the program current data (red IR, green IG, blue IB) and program voltage data (red VR, green VG, blue VB) have the same number. That is, it has a case where program voltage data (red VR, green VG, blue VB) corresponding to arbitrary program current data (red IR, green IG, blue IB) is included. Therefore, if a program voltage is applied, a corresponding program current can be applied.

図338(b)はプログラム電流データ(赤用IR、緑用IG、青用IB)よりもプログラム電圧データ(赤用VR、緑用VG、青用VB)が少ない実施例である。プログラム電圧データ(赤用VR、緑用VG、青用VB)の下位2ビットがない。一般的に低階調では階調表示がラフでよい。図338(b)の実施例では、たとえば、階調0〜3のプログラム電流データを印加する前に、階調0のプログラム電圧データを印加する。階調4〜7のプログラム電流データを印加する前に、階調1(実際は下位2ビットがないので階調4)のプログラム電圧データを印加する。   FIG. 338 (b) shows an embodiment in which program voltage data (VR for red, VG for green, VB for blue) is smaller than program current data (IR for red, IG for green, and IB for blue). There is no lower 2 bits of program voltage data (VR for red, VG for green, VB for blue). Generally, the gradation display may be rough at a low gradation. In the example of FIG. 338 (b), for example, program voltage data of gradation 0 is applied before application of program current data of gradations 0 to 3. Before applying program current data of gradations 4 to 7, program voltage data of gradation 1 (there is actually gradation 2 because there are no lower 2 bits) is applied.

図338(c)もプログラム電流データ(赤用IR、緑用IG、青用IB)よりもプログラム電圧データ(赤用VR、緑用VG、青用VB)が少ない実施例である。プログラム電圧データ(赤用VR、緑用VG、青用VB)の上位および下位2ビットがない。一般的に低階調では階調表示がラフでよい。図338(c)の実施例では、たとえば、階調0〜3のプログラム電流データを印加する前に、階調0のプログラム電圧データを印加する。階調4〜7のプログラム電流データを印加する前に、階調1(実際は下位2ビットがないので階調4)のプログラム電圧データを印加する。また、高階調領域では、プログラム電流が優勢のため、プログラム電圧を印加する必要がない。したがって、高階調領域でプログラム電圧を印加するときは、プログラム電圧データ(赤用VR、緑用VG、青用VB)の最大値をソース信号線18などに印加する。   FIG. 338 (c) is also an example in which the program voltage data (VR for red, VG for green, and VB for blue) is smaller than the program current data (IR for red, IG for green, and IB for blue). There are no upper and lower 2 bits of program voltage data (VR for red, VG for green, VB for blue). Generally, the gradation display may be rough at a low gradation. In the embodiment of FIG. 338 (c), for example, program voltage data of gradation 0 is applied before application of program current data of gradations 0 to 3. Before applying program current data of gradations 4 to 7, program voltage data of gradation 1 (there is actually gradation 2 because there are no lower 2 bits) is applied. In the high gradation region, since the program current is dominant, it is not necessary to apply the program voltage. Therefore, when the program voltage is applied in the high gradation region, the maximum value of the program voltage data (VR for red, VG for green, and VB for blue) is applied to the source signal line 18 and the like.

図293において、抵抗アレイ2931のc電位は電子ボリウム501aの出力により決定される。抵抗アレイ2931のd電位は電子ボリウム501bの出力により決定される。抵抗アレイ2931は抵抗値が1、3、5、7、・・・・・(2n−1)の比率で形成されている。c点から加算すると、1、4、9、16、25、・・・・・(n・n)となる。つまり、2乗特性となっている。したがって、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)Vpcは抵抗アレイ2931のc点とd点との電位差が略2乗特性きざみとなる。なお、2乗きざみに限定するものではなく、1.5乗から3乗の範囲であればよい。また、この範囲は変更できるように構成することが好ましい。変更は、抵抗アレイ2931の抵抗R*を複数抵抗値で形成し、目的に応じて切り換えるように構成すればよい。なお、1.5乗から3乗の範囲で変化させるのは、ガンマ特性を画像により変化させることにより良好な画像表示を実現できるからである。また、ガンマの変化によりプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)も変化する必要があるからである。以上のことは、図106、図108(a)(b)などで説明をしたので省略する。   In FIG. 293, the c potential of the resistor array 2931 is determined by the output of the electronic volume 501a. The d potential of the resistance array 2931 is determined by the output of the electronic volume 501b. The resistance array 2931 is formed with a ratio of resistance values of 1, 3, 5, 7,... (2n-1). Adding from point c results in 1, 4, 9, 16, 25, ... (n · n). That is, it has a square characteristic. Therefore, the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) Vpc has a difference in potential between points c and d of the resistor array 2931 in the form of approximately square characteristics. In addition, it is not limited to a square step, and may be in the range of 1.5 to the 3rd power. In addition, it is preferable that this range can be changed. The change may be made by forming the resistance R * of the resistance array 2931 with a plurality of resistance values and switching according to the purpose. Note that the reason why the gamma characteristic is changed depending on the image is to change the gamma characteristic in the range from the 1.5th power to the third power. This is also because the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) needs to change due to a change in gamma. The above has been described with reference to FIG. 106, FIG.

図293のように構成することにより、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)の原点(c点=Vcp1)と、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)の最終点(d点=Vpc7)を変化させることができる。また、Vcp1とVcp7の電圧を略2乗きざみで出力することにより、階調に応じて最適なプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を出力することができる(図135から図142の説明も参照のこと)。なお、階調の出力方式がリニアの場合は、抵抗アレイ293の抵抗も等抵抗間隔にしてもよいことは言うまでもない。特に電流プログラム方式と組み合わせる場合は、図293のプリチャージ駆動(電圧プログラム方式)も等間隔にすることが好ましい。   By configuring as in FIG. 293, the origin (c point = Vcp1) of the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) and the final point (d point = Vpc7) of the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage). ) Can be changed. Further, by outputting the voltages Vcp1 and Vcp7 in approximately square steps, an optimum precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) can be output according to the gradation (description of FIGS. 135 to 142). See also). Needless to say, when the gradation output method is linear, the resistance of the resistor array 293 may be set to an equal resistance interval. Particularly when combined with the current programming method, it is preferable that the precharge driving (voltage programming method) in FIG.

図293のVpc0はオープンしている。つまり、Vpc0が選択された時は、電圧無印加状態となる。したがって、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)はソース信号線18には印加されない。   Vpc0 in FIG. 293 is open. That is, when Vpc0 is selected, no voltage is applied. Therefore, the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is not applied to the source signal line 18.

なお、図293はc点、d点の両方の電圧を変化させる構成であったが、図297に図示するようにd点のみを変化させるように構成してもよい。また、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)は図293に図示するように8つに限定するものではなく、複数であればいずれでもよい。また、図297はDA回路503を用いた構成であるが、図311に図示するようにd電圧はボリウム(VR)などを用いてアナルグ的に変更あるいは可変してよい。   Note that FIG. 293 shows a configuration in which the voltages at both the points c and d are changed. However, as shown in FIG. 297, only the point d may be changed. Further, the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is not limited to eight as shown in FIG. Further, FIG. 297 shows a configuration using the DA circuit 503, but as shown in FIG. 311, the d voltage may be changed or varied in an analog manner using a volume (VR) or the like.

また、図297などのプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)の原点とするVs電圧は、ソースドライバIC(回路)14の外部で発生させて電圧であってもよい。図324では、ボリウムVRでV0電圧を発生し、各ソースドライバIC(回路)14に共通の電圧として電子ボリウム501に印加している。つまり、V0電圧を図131、図143、図308、図311、図312などのVs電圧として用いている。Vs電圧は、アノード電圧Vddと同一にすることにより電源数を減少させることができる。   Further, the Vs voltage that is the origin of the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) shown in FIG. 297 may be a voltage generated outside the source driver IC (circuit) 14. In FIG. 324, a voltage V0 is generated by the volume VR, and is applied to the electronic volume 501 as a voltage common to each source driver IC (circuit) 14. That is, the V0 voltage is used as the Vs voltage in FIGS. 131, 143, 308, 311, 312 and the like. By making the Vs voltage the same as the anode voltage Vdd, the number of power supplies can be reduced.

なお、以上の実施例では、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)はアノード電圧に近い電圧であるとして説明をした、しかし、画素構成によっては、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)がカソード電圧に近い場合がある。たとえば、駆動用トランジスタ11aがNチャンネルトランジスタで形成している場合、駆動用トランジスタ11aが、Pチャンネルトランジスタで吐き出し電流(図1の画素構成は吸い込み(シンク)電流)で電流プログラムが実施される場合である。   In the above embodiments, the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) has been described as being a voltage close to the anode voltage. However, depending on the pixel configuration, the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is described. May be close to the cathode voltage. For example, when the driving transistor 11a is formed of an N channel transistor, the current transistor is executed by the driving transistor 11a being discharged by the P channel transistor (the pixel configuration in FIG. 1 is a sink (sink) current). It is.

この場合は、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)はカソード電圧に近い電圧とする必要がある。たとえば、図297ではd点を基準位置とする必要がある。図293ではオペアンプ502bの出力電圧を基準とする必要がある。また、図131のVbv電圧を基準とする必要があり、図141、図143ではVbvlを基準とする必要がある。以上のように画素構成などが変化すると基準位置を変更する必要があることは言うまでもない。   In this case, the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) needs to be a voltage close to the cathode voltage. For example, in FIG. 297, the point d needs to be the reference position. In FIG. 293, it is necessary to use the output voltage of the operational amplifier 502b as a reference. Further, it is necessary to use the Vbv voltage in FIG. 131 as a reference, and in FIGS. 141 and 143, it is necessary to use Vbvl as a reference. Needless to say, it is necessary to change the reference position when the pixel configuration changes as described above.

また、図312に図示するように電圧セレクタ回路2951を用いて構成してもよい。電圧セレクタ回路のa端子には電子ボリウム501によりプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)Vpcが変化(変更)されたものが印加され、b端子には固定のプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)Vcが印加される。   Alternatively, a voltage selector circuit 2951 may be used as shown in FIG. The voltage selector circuit a terminal is applied with a change (change) of the precharge voltage (synonymous or similar to the program voltage) Vpc by the electronic volume 501, and the fixed precharge voltage (synonymous with the program voltage) is applied to the b terminal. (Or similar) Vc is applied.

図339は本発明の他の実施例である。電子ボリウムの0階調目に該当するプリチャージ電圧(プログラム電圧)V0は図324に図示するようにRGBで固定電圧を印加する。もちろん、RGBで変化させてもよい。CCM方式では一般的にRGBで共通でよい。また、抵抗Rは図に示すように電子ボリウム501の外づけとしてもよい。抵抗Rを変化あるいは取り替えることにより自由に各Vpc電圧を変化できる。なお、抵抗値R1>R2>・・・・・・>Rnの関係を維持するように構成する。また、少なくともR1>Rnの関係を維持させる(Rnは最後のスイッチから出力されるVpc電圧を決定する抵抗である。また、R1は低階調側でありRnは高階調側である。また、R1は駆動用トランジスタ11aの立ち上がり電圧近傍の電圧発生用であり、Rnは白表示電圧を発生するものである)。特に、R1>R2(R1の端子間電圧>R2の端子間電圧)の関係は維持することが好ましい。駆動用トランジスタ11aの特性から、V0電圧の次の1階調目の電圧との差が、1階調目と2階調目の電圧との差が大きいからである。   FIG. 339 shows another embodiment of the present invention. As the precharge voltage (program voltage) V0 corresponding to the 0th gradation of the electronic volume, a fixed voltage is applied in RGB as shown in FIG. Of course, you may change by RGB. In the CCM system, generally RGB may be common. The resistance R may be external to the electronic volume 501 as shown in the figure. By changing or replacing the resistor R, each Vpc voltage can be changed freely. In addition, it comprises so that the relationship of resistance value R1> R2> ...> Rn may be maintained. Further, at least the relationship of R1> Rn is maintained (Rn is a resistor that determines the Vpc voltage output from the last switch. R1 is on the low gradation side and Rn is on the high gradation side. R1 is for generating a voltage in the vicinity of the rising voltage of the driving transistor 11a, and Rn is for generating a white display voltage). In particular, it is preferable to maintain the relationship of R1> R2 (voltage between terminals of R1> voltage between terminals of R2). This is because, due to the characteristics of the driving transistor 11a, the difference between the V0 voltage and the voltage of the next first gradation is large between the voltages of the first gradation and the second gradation.

スイッチSはVDATAをデコードすることにより指定される。なお、選択できるVpcの電圧の個数は、表示装置が6インチ以上の場合は、表示装置の階調数の1/8以上にすることが好ましい(256階調の場合は、32階調以上)。特に、1/4以上とすることが好ましい(256階調の場合は、64階調以上)。比較的高階調領域までプログラム電流の書き込み不足が発生するからである。6インチ以下の比較的小型の表示パネル(表示装置)では、選択できるVpcの電圧の個数は、2以上にすることが好ましい。VpcがV0の1つであっても良好な黒表示を実現できるが、低階調領域で階調表示することが困難な場合があるからである。Vpcが2以上であれば、FRC制御により複数の階調を発生することができ、良好な画像表示を実現できる。   Switch S is specified by decoding VDATA. Note that the number of selectable Vpc voltages is preferably 1/8 or more of the number of gradations of the display device when the display device is 6 inches or more (32 gradations or more in the case of 256 gradations). . In particular, it is preferably 1/4 or more (in the case of 256 gradations, 64 gradations or more). This is because the program current is insufficiently written to a relatively high gradation region. In a relatively small display panel (display device) of 6 inches or less, the number of selectable Vpc voltages is preferably 2 or more. This is because even if Vpc is one of V0, good black display can be realized, but it may be difficult to perform gradation display in a low gradation region. If Vpc is 2 or more, a plurality of gradations can be generated by FRC control, and good image display can be realized.

b点の電位を決定するSDATAは基準電流Icに相関する。好ましくはIcの1/1.5乗以上1/3乗に比例するように制御される。基準電流Icが大きい時は、b点電位が降下するように制御され、基準電流Icが小さい時はb点電位が高くなる。したがって、基準電流Icが大きい時は、各抵抗R間の電位差が大きくなり、各Vpcの差が大きくなる(プログラム電圧のステップ変化が大きくなる)。逆に、基準電流Icが小さい時は、各抵抗R間の電位差が小さくなり、各Vpcの差が小さくなる。たとえば、図344に図示するように基準電流Icによりb端子の電位を変化させ、電圧V0との電位差により電子ボリウム501の各抵抗端子間の電位差と比例的に変化させる。   SDATA that determines the potential at the point b correlates with the reference current Ic. Preferably, control is performed so that Ic is proportional to 1 / 1.5 or higher and 1/3. When the reference current Ic is large, the b-point potential is controlled to drop, and when the reference current Ic is small, the b-point potential is high. Therefore, when the reference current Ic is large, the potential difference between the resistors R is large, and the difference between the Vpc is large (the step change of the program voltage is large). Conversely, when the reference current Ic is small, the potential difference between the resistors R is small, and the difference between the Vpc is small. For example, as shown in FIG. 344, the potential at the b terminal is changed by the reference current Ic, and the potential difference between the resistance terminals of the electronic volume 501 is changed in proportion to the potential difference from the voltage V0.

なお、図344は基準電流Icにより直接b端子の電位を変化させるとしたがこれに限定するものではない。図188の基準電流Ic(Icr、Icg、Icb)を電流分流回路あるいは変換回路で変換などした電流を用いてもよい。変換などにより得られる電流は基準電流の1/2乗近傍になるように構成する。また、各RGBの電子ボリウム501における基準電流Icは、RGBごとに異ならすことができるように構成することが好ましいことは言うまでもない。   In FIG. 344, the potential of the b terminal is directly changed by the reference current Ic, but the present invention is not limited to this. A current obtained by converting the reference current Ic (Icr, Icg, Icb) in FIG. 188 with a current shunt circuit or a conversion circuit may be used. The current obtained by conversion or the like is configured to be in the vicinity of the 1/2 power of the reference current. Needless to say, the reference current Ic in the electronic volume 501 for each RGB is preferably configured to be different for each RGB.

たとえば、図343は、基準電流Ic(あるいは基準電流に比例または相関する電流)をトランジスタ158b、158cからなるカレントミラー回路に導入し、抵抗R0の一端に発生する電圧V1をおぺアンプ502aを介して、b端子に印加する構成である。このように構成することにより、基準電流(本発明の点灯率制御では、基準電流を変化させることにより表示輝度あるいは消費電流制御などを実施する)の変化に応じてあるいは相関してプリチャージ電圧(プログラム電圧)を変化させることができる。なお、b端子の電圧変化は緩やかにしないと画像にフリッカが発生する。この対策のために、図343の実施例ではb端子にコンデンサCを配置または形成している。   For example, in FIG. 343, the reference current Ic (or a current proportional to or correlated with the reference current) is introduced into a current mirror circuit composed of the transistors 158b and 158c, and the voltage V1 generated at one end of the resistor R0 is passed through the amplifier 502a. Thus, the voltage is applied to the b terminal. With this configuration, the precharge voltage (in accordance with the change of the reference current (in the lighting rate control of the present invention, the display brightness or the current consumption control is performed by changing the reference current) or in correlation with the change is applied. (Program voltage) can be changed. Note that flicker occurs in the image unless the voltage change at the b terminal is moderated. For this measure, in the embodiment of FIG. 343, a capacitor C is arranged or formed at the b terminal.

以上のように、基準電流変化(点灯率制御による変化)におけるb端子の電圧変化(プリチャージ電圧(プログラム電圧)Vpcの変化は緩やかになるように実施する。以上のことは本発明の他の実施例においての同様に適用されることは言うまでもない(図343、図339なども参照のこと)。   As described above, the change in the voltage at the b terminal (the change in the precharge voltage (program voltage) Vpc) in accordance with the change in the reference current (change due to the lighting rate control) is implemented. It goes without saying that the same applies to the embodiment (see also FIG. 343, FIG. 339, etc.).

基準電流Icに応じてあるいは相関してプリチャージ電圧(プログラム電圧)を変化あるいは変更する構成として、図345にあげる実施例も例示される。図345の実施例では、基準電流Ic(あるいは基準電流Icに比例または相関する電流)がカレントミラー回路(トランジスタ158b、トランジスタ158cなどで構成)が構成されている。抵抗R0はソースドライバ回路(IC)14の外部に取り付け(配置あるいは形成)されたものである。抵抗R0を取り替えるあるいはは変更することにより電子ボリウム501a、501bの端子bの電圧を変更あるいは可変することができる。   The embodiment shown in FIG. 345 is also exemplified as a configuration for changing or changing the precharge voltage (program voltage) in accordance with or in correlation with the reference current Ic. In the embodiment of FIG. 345, a reference mirror Ic (or a current proportional to or correlated with the reference current Ic) constitutes a current mirror circuit (comprising a transistor 158b, a transistor 158c, etc.). The resistor R0 is attached (arranged or formed) outside the source driver circuit (IC) 14. By replacing or changing the resistor R0, the voltage at the terminal b of the electronic controls 501a and 501b can be changed or varied.

なお、抵抗R0は固定抵抗、ボリウムなどに限定するものでない。ツエナーダイオード、トランジスタ、サイリスタなどの非線形素子であってもよい。また、定電圧レギュレータ、スイッチング電源などの回路あるいは素子であってもよい。また、抵抗R0の替わりにポジスタ、サーミスタなどの素子でもよい。端子bの電位調整とともに、温度補償も同時に実施することができる。ソースドライバ回路(IC)14の抵抗に関しても同様に置き換えることができる。   The resistor R0 is not limited to a fixed resistor, volume, or the like. Nonlinear elements such as Zener diodes, transistors, and thyristors may be used. Further, it may be a circuit or an element such as a constant voltage regulator or a switching power supply. Further, instead of the resistor R0, an element such as a posistor or thermistor may be used. Along with the potential adjustment of the terminal b, temperature compensation can be performed simultaneously. The resistance of the source driver circuit (IC) 14 can be similarly replaced.

以上の事項は本発明の他の実施例にも適用できることはいうまでもない。たとえば、図188、図209の抵抗R1、図197、図346の抵抗R1〜R3、図311のVR、図324のVR、図339のR1〜R8、図341のR1、R2、図343のR0、図351のRa、Rb、Rc、図354のRa、Rbなどが例示される。図351、図352、図353などの内蔵抵抗などにも適用できることはいうまでもない。   It goes without saying that the above matters can be applied to other embodiments of the present invention. For example, the resistor R1 in FIGS. 188 and 209, the resistors R1 to R3 in FIGS. 197 and 346, the VR in FIG. 311, the VR in FIG. 324, the R1 to R8 in FIG. 339, the R1 and R2 in FIG. 341, and the R0 in FIG. , Ra, Rb, Rc in FIG. 351, Ra, Rb in FIG. 354, etc. are exemplified. Needless to say, the present invention can also be applied to the built-in resistors shown in FIGS. 351, 352, and 353.

図345の構成は、電子ボリウム501aはVDATA1の値により第1のプリチャージ電圧(プログラム電圧)Vaが選択され、電子ボリウム501bはVDATA2の値により第2のプリチャージ電圧(プログラム電圧)Vbが選択される。表示パネル(表示装置)に印加されるVpcはVa電圧とVb電圧をオペアンプなどから構成される加算回路3451で加算されたものとなる。以上のように複数の電子ボリウム501(操作手段)を用いることにより柔軟にかつ目的に対応したVpc電圧を発生させることができる。   In the configuration of FIG. 345, the electronic volume 501a selects the first precharge voltage (program voltage) Va according to the value of VDATA1, and the electronic volume 501b selects the second precharge voltage (program voltage) Vb according to the value of VDATA2. Is done. Vpc applied to the display panel (display device) is obtained by adding the Va voltage and the Vb voltage by an adder circuit 3451 including an operational amplifier. As described above, by using a plurality of electronic regulators 501 (operation means), a Vpc voltage corresponding to the purpose can be generated flexibly.

なお、図345の実施例は、Va電圧とVb電圧を加算してVpc電圧を発生させるとしたがこれに限定するものではない。Va電圧とVb電圧を減算してもよい。また、掛算してもよい。また、Va電圧とVb電圧の2電圧に限定するものではなく、3つ以上の電圧でVpc電圧を発生させてもよい。また、電圧に限定するものではなく、Ia電流とIb電流のように発生する対象が電流などであってもよい。この電流などを最終的に電圧であるVpcに変更するものであればいずれでもよい。   In the embodiment of FIG. 345, the Vpc voltage is generated by adding the Va voltage and the Vb voltage. However, the present invention is not limited to this. You may subtract Va voltage and Vb voltage. Moreover, you may multiply. Further, the voltage is not limited to two voltages, Va voltage and Vb voltage, and the Vpc voltage may be generated by three or more voltages. Moreover, it is not limited to a voltage, The object which generate | occur | produces like Ia current and Ib current may be an electric current. Any method may be used as long as this current is finally changed to Vpc which is a voltage.

以上のようにプリチャージ電圧(プログラム電圧)は複数の電圧を変換あるいは合成もしくは操作することにより発生させてもよい。以上の事項は本発明の他の実施例(たとえば、図127から図143、図293〜図297、図308〜図313、図338〜図345、図349〜図354が例示される)にも適用できることは言うまでもない。   As described above, the precharge voltage (program voltage) may be generated by converting, combining, or manipulating a plurality of voltages. The above matters also apply to other embodiments of the present invention (for example, FIGS. 127 to 143, FIGS. 293 to 297, FIGS. 308 to 313, FIGS. 338 to 345, and FIGS. 349 to 354 are exemplified). Needless to say, it can be applied.

図342は電子ボリウム501の抵抗RaあるいはRbの大きさを変化させている。Ra1>Ra2、Ra>Rbとしている。図342のように構成することにより、プリチャージ電圧の最初のステップは電圧差が大きく、高階調になるにしたがって(高階調側では)、プリチャージ電圧のステップが小さくなるようにしている。高階調側では、駆動用トランジスタ11aのゲート端子電圧を少し変化させるだけで大きな出力電流(=プログラム電流)を得ることができるからである。   In FIG. 342, the magnitude of the resistance Ra or Rb of the electronic volume 501 is changed. Ra1> Ra2 and Ra> Rb. With the configuration as shown in FIG. 342, the voltage difference is large in the first step of the precharge voltage, and the step of the precharge voltage becomes smaller as the gradation becomes higher (on the higher gradation side). This is because on the high gradation side, a large output current (= program current) can be obtained by slightly changing the gate terminal voltage of the driving transistor 11a.

中間部以上の抵抗Rbは同一抵抗(Rb1=Rb2)値としてもよい。また、Ra>Rbとし、Ra1=Ra2=・・・・・、Rb1=Rb2=・・・・・・と構成してもよい。つまり、VDATAに対するプリチャージ電圧Vpcの変化は1点折れ線カーブになる。もちろん、図339などに図示するように、すべての抵抗Rは同一の抵抗値でもよい。この場合は、VDATAに対するプリチャージ電圧Vpcの変化はリニアになる。なお、リニアの場合であっても、Ra1>Ra2なる関係を保持しておくことが好ましい。立ち上がり電圧V0と次のプリチャージ電圧Vpc=V1電圧とのステップが大きいためである。   The resistors Rb above the intermediate portion may have the same resistance (Rb1 = Rb2) value. Further, Ra> Rb may be set, and Ra1 = Ra2 =..., Rb1 = Rb2 =. That is, the change of the precharge voltage Vpc with respect to VDATA becomes a one-point broken line curve. Of course, as shown in FIG. 339 and the like, all the resistors R may have the same resistance value. In this case, the change of the precharge voltage Vpc with respect to VDATA is linear. Even in the linear case, it is preferable to maintain the relationship Ra1> Ra2. This is because the step between the rising voltage V0 and the next precharge voltage Vpc = V1 voltage is large.

なお、ソースドライバ回路(IC)14に内蔵する抵抗の抵抗値はトリミングにより、あるいは加熱により抵抗値を所定値となるように調整あるいは加工してもよいことは言うまでもない。   It goes without saying that the resistance value of the resistor built in the source driver circuit (IC) 14 may be adjusted or processed by trimming or heating so that the resistance value becomes a predetermined value.

SDATAの値は、DA回路503により電圧に変換され、電子ボリウム501の端子bに印加される。なお、SADTAの発生の替わりに図311に図示するようにアナログ的に変化させてもよいことは言うまでもない。また、図339などでは、基準電流の大きさなどによりb端子電圧を変化させるとしたが、これに限定するものではなく、固定電圧でもよい。   The value of SDATA is converted into a voltage by the DA circuit 503 and applied to the terminal b of the electronic volume 501. Needless to say, instead of the generation of SADTA, it may be changed in an analog manner as shown in FIG. In FIG. 339 and the like, the b terminal voltage is changed according to the magnitude of the reference current, but the present invention is not limited to this, and a fixed voltage may be used.

なお、Vpcの電圧の発生は電子ボリウム501により発生することに限定するものではない。たとえば、オペアンプからなる加算回路でも発生させることができる。また、複数の電圧をスイッチで選択するスイッチ回路でも構成できる。   The generation of the voltage Vpc is not limited to being generated by the electronic regulator 501. For example, it can also be generated by an adding circuit composed of an operational amplifier. It can also be configured by a switch circuit that selects a plurality of voltages with a switch.

図348は、b端子の電位をソースドライバIC(回路)14の外部で発生した電圧(V1c、Vc2、Vc3)をスイッチSの操作により選択できるように構成した実施例である。   FIG. 348 shows an embodiment in which the voltage (V1c, Vc2, Vc3) generated outside the source driver IC (circuit) 14 can be selected by operating the switch S as the potential at the b terminal.

なお、本発明において、V0端子(0階調目の電圧を印加する端子あるいはトランジスタ11aの立ち上がり電圧以下の電圧を印加する端子)は、RGBのプリチャージ回路(プログラム電圧発生回路)で共通でもよい。しかし、b端子の電圧は、RGBで独立に設定できるように構成することが好ましい。この実施例を図349に示す。   In the present invention, the V0 terminal (the terminal for applying the voltage at the 0th gradation or the terminal for applying a voltage equal to or lower than the rising voltage of the transistor 11a) may be shared by the RGB precharge circuit (program voltage generation circuit). . However, it is preferable that the voltage at the b terminal can be set independently for RGB. This embodiment is shown in FIG.

図349では、Rのプリチャージ回路(プログラム電圧発生回路)501R、Gのプリチャージ回路(プログラム電圧発生回路)501G、Bのプリチャージ回路(プログラム電圧発生回路)501Bで、a端子のV0電圧を共通に印加している。しかし、b端子では、Rのプリチャージ回路(プログラム電圧発生回路)501RにはV1R電圧を印加できるように構成している。同様に、Gのプリチャージ回路(プログラム電圧発生回路)501GにはV1G電圧を印加できるように構成している。また、Bのプリチャージ回路(プログラム電圧発生回路)501BにはV1B電圧を印加できるように構成している。   In FIG. 349, the R precharge circuit (program voltage generation circuit) 501R, the G precharge circuit (program voltage generation circuit) 501G, and the B precharge circuit (program voltage generation circuit) 501B are used to set the V0 voltage at the a terminal. Commonly applied. However, at the b terminal, the V1R voltage can be applied to the R precharge circuit (program voltage generation circuit) 501R. Similarly, a V1G voltage can be applied to the G precharge circuit (program voltage generation circuit) 501G. Further, the B precharge circuit (program voltage generation circuit) 501B is configured to be able to apply the V1B voltage.

図340の実施例は、電子ボリウム501内に少なくとも1つ以上のDA回路503を形成または構成もしくは配置した実施例である。各DA回路503は2つの電圧(たとえば、DA回路503aは電圧V0とV1、DA回路503bは電圧V1とV2、DA回路503cは電圧V2とV3、DA回路503dは電圧V3とV4)と、DAデータを設定するVDATA(5:0)およびどのDA回路503を動作させるかを選択する選択ビットSにより制御される。   The embodiment of FIG. 340 is an embodiment in which at least one DA circuit 503 is formed, configured, or arranged in the electronic volume 501. Each DA circuit 503 has two voltages (for example, DA circuit 503a has voltages V0 and V1, DA circuit 503b has voltages V1 and V2, DA circuit 503c has voltages V2 and V3, DA circuit 503d has voltages V3 and V4), DA It is controlled by VDATA (5: 0) for setting data and a selection bit S for selecting which DA circuit 503 is operated.

各DA回路503はVDATA(5:0)とS端子により制御され、それぞれ2つの電圧間の電圧を出力する。たとえば、DA回路503aは、S1端子が選択されることにより、Vpc電圧を発生する。なお、S1端子を選択する信号はスイッチS1のオンを制御する。また、DA回路503aはVDATA(5:0)の値により、V0電圧とV1電圧間において、VDATA(5:0)の値に対応した電圧を出力する。図340の実施例では、VDATAは6ビットであるから、V0−V1電圧を64分割し、この分割された単位電圧×VDATA(5:0)の値+V1電圧が出力されることになる。   Each DA circuit 503 is controlled by VDATA (5: 0) and the S terminal, and outputs a voltage between two voltages. For example, the DA circuit 503a generates the Vpc voltage when the S1 terminal is selected. A signal for selecting the S1 terminal controls the switch S1 to be turned on. Further, the DA circuit 503a outputs a voltage corresponding to the value of VDATA (5: 0) between the voltage V0 and the voltage V1 according to the value of VDATA (5: 0). In the embodiment of FIG. 340, since VDATA is 6 bits, the V0-V1 voltage is divided into 64, and the divided unit voltage × the value of VDATA (5: 0) + V1 voltage is output.

同様に、DA回路503bは、S2端子が選択されることにより、Vpc電圧を発生する。S2端子を選択する信号はスイッチS2のオンを制御する。また、DA回路503bはVDATA(5:0)の値により、V1電圧とV2電圧間において、VDATA(5:0)の値に対応した電圧を出力する。図340の実施例では、V1−V2電圧を64分割し、この分割された単位電圧×VDATA(5:0)の値+V2電圧が出力されることになる。以上の事項は、DA回路503c、503dについても同様である。   Similarly, the DA circuit 503b generates a Vpc voltage when the S2 terminal is selected. A signal for selecting the S2 terminal controls the ON state of the switch S2. Further, the DA circuit 503b outputs a voltage corresponding to the value of VDATA (5: 0) between the V1 voltage and the V2 voltage according to the value of VDATA (5: 0). In the embodiment of FIG. 340, the V1-V2 voltage is divided into 64, and the divided unit voltage × the value of VDATA (5: 0) + V2 voltage is output. The above matters also apply to the DA circuits 503c and 503d.

図340のように構成すれば、V0、V1・・・・・・V4電圧を変更するだけで発生するVpcのカーブを変更することを容易に実現できる。つまり、図340のV1、V2、V3電圧は、階調データ(VDATA(5:0)、S1、S2,S3、S4)に対するVpcの折れ曲がり位置を制御している(図340の構成では、3点折れガンマカーブである)。V1、V2、V3電圧を変化させることにより、階調データに対するプリチャージ電圧(プログラム電圧)の大きさあるいは傾きを変更しることが容易に実現できる。また、V0電圧を変更することにより、0階調目で印加するプリチャージ電圧(プログラム電圧)位置を変化できる。また、V4電圧を変更することによりプリチャージ電圧(プログラム電圧)を印加する最大値を変化させることができる。また、DA回路503の個数を増加させること、入力電圧(V0〜V4)数を増加させることにより、より柔軟なプリチャージ電圧(プログラム電圧)またはガンマカーブを設定することが可能になる。   If configured as shown in FIG. 340, it is possible to easily change the curve of Vpc generated only by changing the voltages V0, V1,. That is, the voltages V1, V2, and V3 in FIG. 340 control the bent position of Vpc with respect to the gradation data (VDATA (5: 0), S1, S2, S3, and S4) (in the configuration of FIG. 340, 3 It is a broken point gamma curve). By changing the voltages V1, V2, and V3, it is possible to easily change the magnitude or inclination of the precharge voltage (program voltage) with respect to the gradation data. Further, the position of the precharge voltage (program voltage) applied at the 0th gradation can be changed by changing the V0 voltage. Moreover, the maximum value to which the precharge voltage (program voltage) is applied can be changed by changing the V4 voltage. Further, it is possible to set a more flexible precharge voltage (program voltage) or gamma curve by increasing the number of DA circuits 503 and increasing the number of input voltages (V0 to V4).

図340の実施例では、電圧V1〜V4はソースドライバ回路(IC)14の外部から供給するとしたがこれに限定するものではない。ソースドライバ回路(IC)14の内部で発生させてもよい。また、図341に図示するように、2つの電圧(V0電圧、V2電圧)を抵抗(R1、R2)で分圧してV1電圧を発生させてもよい。   In the embodiment of FIG. 340, the voltages V1 to V4 are supplied from the outside of the source driver circuit (IC) 14, but the present invention is not limited to this. It may be generated inside the source driver circuit (IC) 14. Further, as shown in FIG. 341, two voltages (V0 voltage, V2 voltage) may be divided by resistors (R1, R2) to generate the V1 voltage.

DA回路503bは、S1端子が選択されることにより、Vpc電圧を発生する。S1端子を選択する信号はスイッチS1のオンを制御する。また、DA回路503bはVDATA(2:0)の値により、V0電圧とV1電圧間において、VDATA(2:0)の値に対応した電圧を出力する。図341の実施例では、V0−V1電圧を8分割し、この分割された単位電圧×VDATA(2:0)の値+V1電圧が出力されることになる。   The DA circuit 503b generates a Vpc voltage when the S1 terminal is selected. A signal for selecting the S1 terminal controls the ON state of the switch S1. Further, the DA circuit 503b outputs a voltage corresponding to the value of VDATA (2: 0) between the V0 voltage and the V1 voltage according to the value of VDATA (2: 0). In the embodiment of FIG. 341, the V0−V1 voltage is divided into eight, and the divided unit voltage × the value of VDATA (2: 0) + V1 voltage is output.

DA回路503cは、S2端子が選択されることにより、Vpc電圧を発生する。S2端子を選択する信号はスイッチS2のオンを制御する。また、DA回路503cはVDATA(4:0)の値により、V1電圧とV2電圧間において、VDATA(4:0)の値に対応した電圧を出力する。図341の実施例では、V1−V2電圧を32分割し、この分割された単位電圧×VDATA(4:0)の値+V2電圧が出力されることになる。   The DA circuit 503c generates a Vpc voltage when the S2 terminal is selected. A signal for selecting the S2 terminal controls the ON state of the switch S2. Further, the DA circuit 503c outputs a voltage corresponding to the value of VDATA (4: 0) between the V1 voltage and the V2 voltage according to the value of VDATA (4: 0). In the embodiment of FIG. 341, the V1-V2 voltage is divided into 32, and the divided unit voltage × the value of VDATA (4: 0) + V2 voltage is output.

抵抗R1あるいは抵抗R2もしくは両方の抵抗Rは、ソースドライバ回路(IC)14に内蔵させてもよい。また、一方もしくは両方の抵抗を可変抵抗としてもよい。また、抵抗R1、R2に対してトリミング加工などを実施することにより調整などをしてもよいことは言うまでもない。以上の事項は本発明の他の実施例においても適用されることは言うまでもない。   The resistor R 1, the resistor R 2, or both resistors R may be built in the source driver circuit (IC) 14. One or both of the resistors may be variable resistors. Needless to say, the resistors R1 and R2 may be adjusted by performing trimming or the like. Needless to say, the above matters also apply to other embodiments of the present invention.

図351は、ソースドライバ回路(IC)14の外部に3つの抵抗(Ra、Rb、Rc)を用いて、V0電圧およびV1電圧を発生させた実施例である。抵抗はソースドライバ回路(IC)14の端子2883に接続する。アノード電圧とグランド(GND)間に抵抗Ra、Rb、Rcを直列接続している。抵抗Raの両端にはVa電圧(Vdd−Va=V0)、抵抗Rb間にVb電圧、抵抗Rc間にVc電圧(Vc=V1)が発生する。   FIG. 351 shows an embodiment in which the V0 voltage and the V1 voltage are generated using three resistors (Ra, Rb, Rc) outside the source driver circuit (IC) 14. The resistor is connected to a terminal 2883 of the source driver circuit (IC) 14. Resistors Ra, Rb, and Rc are connected in series between the anode voltage and the ground (GND). A Va voltage (Vdd−Va = V0) is generated at both ends of the resistor Ra, a Vb voltage is generated between the resistors Rb, and a Vc voltage (Vc = V1) is generated between the resistors Rc.

以上のように構成することにより、抵抗Ra、Rb、Rcを調整することにより電圧V0、V1を自由に設定することができる。また、図351の構成ではアノード端子電圧Vddを基準でV0電圧、V1電圧などを発生させる構成である。したがって、アノード電圧Vddが変動した場合、あるいは電源モジュールで発生するVdd電圧の電圧バラツキが発生した場合でも、V0電圧、V1電圧は連動して変化する。この変化は画素16の駆動用トランジスタ11aの動作原点(アノード端子)と一致しているため、良好な動作を実現できる。   With the configuration described above, the voltages V0 and V1 can be freely set by adjusting the resistors Ra, Rb, and Rc. In the configuration of FIG. 351, the V0 voltage, the V1 voltage, and the like are generated based on the anode terminal voltage Vdd. Therefore, even when the anode voltage Vdd varies or when the voltage variation of the Vdd voltage generated in the power supply module occurs, the V0 voltage and the V1 voltage change in conjunction with each other. Since this change coincides with the operation origin (anode terminal) of the driving transistor 11a of the pixel 16, a satisfactory operation can be realized.

図339、図341ではb点電位は可変することができる構成である。b点電位を可変する必要があるの本発明の駆動方法では基準電流を可変するからである(基準電流を変化あるいは制御する方式として図61、図63、図64、図93〜図97、図111〜図116、図122、図145〜図153、図188、図252、図254、図267、図269、図277、図278、図279などとその説明を参照のこと)。図350は駆動用トランジスタ11aのゲート端子電圧(横軸)と出力電流(縦軸)の関係を図示している。縦軸はプログラム電流Iwを示す。プログラム電流Iwは基準電流と比例する。また、横軸のゲート端子電圧はソース信号線18の電位を示す。また、ソース信号線18の電位はプリチャージ電圧(プログラム電圧)と同一である。   In FIG. 339 and FIG. 341, the potential at the point b can be varied. It is necessary to vary the potential at point b because the reference current is varied in the driving method of the present invention (as a method for changing or controlling the reference current, FIGS. 61, 63, 64, 93 to 97, FIG. 111-116, 122, 145-153, 188, 252, 254, 267, 269, 277, 278, 279 and the like and the description thereof). FIG. 350 illustrates the relationship between the gate terminal voltage (horizontal axis) and the output current (vertical axis) of the driving transistor 11a. The vertical axis represents the program current Iw. The program current Iw is proportional to the reference current. The gate terminal voltage on the horizontal axis indicates the potential of the source signal line 18. The potential of the source signal line 18 is the same as the precharge voltage (program voltage).

以上のことから、図350は、基準電流IcがI1で、ソース信号線18から最大プログラム電流(最高階調時)の時は、ソース信号線18の電位がV1となるようにプリチャージ電圧(プログラム電圧)を印加する必要があることを示している。同様に、基準電流IcがI2で、ソース信号線18から最大プログラム電流(最高階調時)の時は、ソース信号線18の電位がV2となるようにプリチャージ電圧(プログラム電圧)を印加する必要があることを示している。また、基準電流IcがI3で、ソース信号線18から最大プログラム電流(最高階調時)の時は、ソース信号線18の電位がV3となるようにプリチャージ電圧(プログラム電圧)を印加する必要があることを示している。   From the above, in FIG. 350, when the reference current Ic is I1 and the maximum program current (at the maximum gradation) from the source signal line 18, the precharge voltage (V1) is set so that the potential of the source signal line 18 becomes V1. (Program voltage) must be applied. Similarly, when the reference current Ic is I2 and the maximum program current (at the maximum gradation) from the source signal line 18, a precharge voltage (program voltage) is applied so that the potential of the source signal line 18 becomes V2. Indicates that it is necessary. When the reference current Ic is I3 and the source signal line 18 is at the maximum program current (at the maximum gradation), it is necessary to apply a precharge voltage (program voltage) so that the potential of the source signal line 18 becomes V3. It shows that there is.

ここで、基準電流IcがI1からI3まで3倍変化するとする。つまり、I3:I2:I1=3:2:1とする。この時、V3、V2、V1は、検討の結果によれば最適値は、V3:V2:V1=11.5:11:10である。つまり、基準電流の変化が3倍あっても、プリチャージ電圧Vpcの変化はわずかである。以上のことから、Vpcの変化は小さくてよい。プリチャージ電圧の変化Kv(図350ではV3/V1)は、基準電流の変化Ki(図350ではI3/I1)の関係は、2 < Ki/Kv < 3.5の関係を維持させることが好ましい。   Here, it is assumed that the reference current Ic changes three times from I1 to I3. That is, I3: I2: I1 = 3: 2: 1. At this time, the optimum values of V3, V2, and V1 are V3: V2: V1 = 11.5: 11: 10 according to the examination result. That is, even if the change in the reference current is three times, the change in the precharge voltage Vpc is slight. From the above, the change in Vpc may be small. It is preferable that the change of the precharge voltage Kv (V3 / V1 in FIG. 350) maintains the relationship of the reference current change Ki (I3 / I1 in FIG. 350) of 2 <Ki / Kv <3.5. .

図350から、基準電流Iの値が大きく変化させる場合であっても、プリチャージ電圧の変化は小さい。したがって、図339、図341などにおけるV1電圧は、基準電流が大きく変化しても変化量は小さくてすむ。そのため、DA回路503の出力変化は小さくて十分である。図339、図341ではV1電圧を基準電流に合わせて変化させるとしたが、図351の実施例のように端子2883cの電圧は固定でも実用上は問題が発生しない。逆に、最大プリチャージ電圧(プログラム電圧)の可変範囲が少なくて済み回路構成を簡略化できる。また、高精度の出力が可能になる。   From FIG. 350, even when the value of the reference current I is largely changed, the change in the precharge voltage is small. Therefore, the amount of change in the V1 voltage in FIGS. 339, 341, etc. can be small even if the reference current changes greatly. For this reason, the output change of the DA circuit 503 is small and sufficient. In FIG. 339 and FIG. 341, the V1 voltage is changed in accordance with the reference current. However, there is no practical problem even if the voltage of the terminal 2883c is fixed as in the embodiment of FIG. Conversely, the variable range of the maximum precharge voltage (program voltage) is small, and the circuit configuration can be simplified. In addition, highly accurate output is possible.

電流駆動方式において、電流書き込み不足が発生するのは、低階調領域である。また、書き込み不足が発生する領域は、図350のV0電圧(0階調目:駆動用トランジスタ11aの立ち上がり電圧)から、VxまでのA区間である。この範囲は点線に記載しているように直線的な変化を示す。図350ではAで示す区間は傾きを小さく表現している。実用上はこのような傾きが実線の曲線よりも小さくて十分である。図127〜図143などで説明した電圧印加(プリチャージ電圧(プログラム電圧)印加)を実施した後、プログラム電流を印加する方法では、完全な補正がされたソース信号線18電位とプリチャージ電圧印加によるソース信号線の電位との差(図350では実線と点線との電流差として現れる)があっても、プログラム電流により完全な補正が実現できるからである。   In the current driving method, insufficient current writing occurs in the low gradation region. Further, the region where insufficient writing occurs is the A section from V0 voltage (0th gradation: rising voltage of the driving transistor 11a) to Vx in FIG. This range shows a linear change as described by the dotted line. In FIG. 350, the section indicated by A represents a small inclination. In practice, such a slope is sufficiently smaller than the solid curve. In the method in which the program current is applied after the voltage application (precharge voltage (program voltage) application) described with reference to FIGS. 127 to 143 and the like is performed, the completely corrected source signal line 18 potential and the precharge voltage application are applied. This is because even if there is a difference from the potential of the source signal line due to (appears as a current difference between the solid line and the dotted line in FIG. 350), complete correction can be realized by the program current.

重要なのはプリチャージ電圧(プログラム電圧)をソース信号線18に印加し、理想的はソース信号線18の電位(駆動用トランジスタ11aがプログラム電流により実現されるゲート端子電位)の近傍まで短時間(1Hの1/200以上1/20以下の時間)で設定または調整することである。この動作により理想(補償された)ソース信号線18電位からプログラム電流により実現するソース信号線18までに変化させる電位差が小さくなっている。したがって、比較的小さなプログラム電流(低階調領域でのプログラム電流)でも理想状態を実現できる(駆動用トランジスタ11aの特性を補償した電流プログラムを実現できる)。高階調領域ではプログラム電流の大きさが大きいためプリチャージ電圧(プログラム電圧)を印加せずとも、プログラム電流のみで理想状態を達成(実現)できる。   What is important is that a precharge voltage (program voltage) is applied to the source signal line 18, and ideally a short time (1H) to the vicinity of the potential of the source signal line 18 (the gate terminal potential at which the driving transistor 11 a is realized by the program current). Setting / adjustment in 1/200 or more and 1/20 or less). By this operation, the potential difference to be changed from the ideal (compensated) source signal line 18 potential to the source signal line 18 realized by the program current is reduced. Therefore, an ideal state can be realized even with a relatively small program current (program current in a low gradation region) (a current program that compensates for the characteristics of the driving transistor 11a can be realized). Since the magnitude of the program current is large in the high gradation region, an ideal state can be achieved (implemented) only with the program current without applying a precharge voltage (program voltage).

以上のことから、書き込み不足が発生する範囲は低階調領域に限定される。また、高階調領域でプリチャージ電圧(プログラム電圧)は必要ない(もちろん、プリチャージ電圧を印加してもよい)。プリチャージ電圧(プログラム電圧)を印加すべき領域は全階調範囲に必要ではなく、中間調以下の領域で十分である。プリチャージ電圧を印加する領域を中間階調以下と範囲を限定することにより、図131、図135〜図142、図339〜図341、図351、図353などの電子ボリウムのタップ数を削減できる。したがって、回路の簡略化が可能であり、低コスト化を実現できる。   From the above, the range in which insufficient writing occurs is limited to the low gradation region. Further, a precharge voltage (program voltage) is not required in the high gradation region (of course, a precharge voltage may be applied). The region to which the precharge voltage (program voltage) is to be applied is not necessary for the entire gradation range, and the region below the halftone is sufficient. By limiting the range to which the precharge voltage is applied to the intermediate gradation or less, the number of taps of the electronic volume in FIGS. 131, 135 to 142, 339 to 341, 351, and 353 can be reduced. . Therefore, the circuit can be simplified and the cost can be reduced.

図350に図示する点線に対応してプリチャージ電圧(プログラム電圧)を発生する(出力する)ように構成すると、電子ボリウム501の各抵抗は同一の抵抗値のものを配置して構成することができる。したがって、電子ボリウム501の回路構成がシンプルになり好ましい。   If it is configured to generate (output) a precharge voltage (program voltage) corresponding to the dotted line shown in FIG. 350, each resistor of the electronic volume 501 may be configured with the same resistance value. it can. Therefore, the circuit configuration of the electronic volume 501 is preferable because it is simple.

しかし、図359に図示するように、理想的には、プリチャージ電圧(プログラム電圧)の印加による出力電流Iは等間隔(等ステップ)となるようにすることが好ましい。電圧0から電圧V0、電圧V0から電圧V1の差は大きい。電圧V4と電圧V5の差は小さい。このようなステップ(きざみ)を実現するには、電子ボリウム501の抵抗の大きさを変化させればよい。   However, as shown in FIG. 359, ideally, it is preferable that the output currents I by application of the precharge voltage (program voltage) are equally spaced (equal steps). The differences between voltage 0 and voltage V0, and voltage V0 and voltage V1 are large. The difference between the voltage V4 and the voltage V5 is small. In order to realize such steps (steps), the magnitude of the resistance of the electronic volume 501 may be changed.

プリチャージ電圧(プログラム電圧)を設定(指定)する電圧階調データと、プログラム電流を設定(指定)する電流階調データとは一致させることが好ましい。映像データが階調128であれば、電圧階調データも128とし、電流階調データも128とする。つまり、ガンマ変換などを行った後の映像データの番号=電圧階調データの番号=電流階調データとする(映像データの番号で図131、図339、図351などの電子ボリウム501のスイッチSを決定して動作させてプリチャージ電圧(プログラム電圧)Vpcをソース信号線18に印加する。また、映像データの番号で図15などのスイッチ151のオンオフ状態を決定し、電流回路164あるいは単位トランジスタ群431cを操作させる。   The voltage gradation data for setting (designating) the precharge voltage (program voltage) is preferably matched with the current gradation data for setting (designating) the program current. If the video data is gradation 128, the voltage gradation data is also 128, and the current gradation data is also 128. That is, the number of video data after gamma conversion or the like = the number of voltage gradation data = the current gradation data (the number of the video data is the switch S of the electronic volume 501 in FIGS. 131, 339, 351, etc. 15 is applied to apply the precharge voltage (program voltage) Vpc to the source signal line 18. Also, the on / off state of the switch 151 shown in FIG. The group 431c is operated.

各映像データに対して、プリチャージ電圧(プログラム電圧)を印加するか否かは、コントロールIC760で制御し、プリチャージビットにより制御する(図75〜図79およびその説明を参照のこと)。ソース信号線18の電位状態(各画素に書き込む1つ前のプリチャージ電圧(プログラム電圧)の印加状態)により、あるいは映像データの大きさ(低階調領域ではプリチャージ電圧(プログラム電圧)を印加する)により、プリチャージ電圧(プログラム電圧)を印加するか否かが判断される。したがって、低階調領域の映像データであっても、プリチャージ電圧(プログラム電圧)を印加しないこともある。また、高階調領域の映像データであっても、プリチャージ電圧(プログラム電圧)が印加されることもある。本発明は、プリチャージ電圧(プログラム電圧)を判定するビットをソースドライバに内蔵する点、プリチャージ電圧(プログラム電圧)を印加するか否かを判定あるいはプリチャージ電圧(プログラム電圧)を映像データ(階調)に対応して制御方法あるいは技術的思想を有する点に特徴がある。   Whether or not to apply a precharge voltage (program voltage) to each video data is controlled by a control IC 760 and controlled by a precharge bit (see FIGS. 75 to 79 and its description). Depending on the potential state of the source signal line 18 (application state of the previous precharge voltage (program voltage) written to each pixel) or the size of the video data (precharge voltage (program voltage) is applied in the low gradation region) To determine whether or not to apply a precharge voltage (program voltage). Therefore, the precharge voltage (program voltage) may not be applied even for video data in a low gradation region. In addition, a precharge voltage (program voltage) may be applied even to video data in a high gradation region. In the present invention, a bit for determining a precharge voltage (program voltage) is incorporated in a source driver, whether or not a precharge voltage (program voltage) is applied, or a precharge voltage (program voltage) is converted into video data ( It has a feature in that it has a control method or technical idea corresponding to (gradation).

以上のように構成あるいは制御することにより、ソースドライバ回路(IC)14の構成が容易になり、また、コントローラIC(回路)760からソースドライバ回路(IC)14に伝送するデータが少なくなる(電圧階調データの番号、電流階調データが必要でなく、映像データのみでよい)ため、伝送データの周波数を低減できる。   The configuration or control as described above facilitates the configuration of the source driver circuit (IC) 14 and reduces data transmitted from the controller IC (circuit) 760 to the source driver circuit (IC) 14 (voltage). Since the gradation data number and current gradation data are not necessary and only the video data is required, the frequency of the transmission data can be reduced.

選択できるVpcの電圧の個数は、表示装置が6インチ以上の場合は、表示装置の階調数の1/8以上にすることが好ましい(256階調の場合は、32階調以上)。特に、1/4以上とすることが好ましい(256階調の場合は、64階調以上)。比較的高階調領域までプログラム電流の書き込み不足が発生するからである。しかし、先に説明したように全階調範囲でプリチャージ電圧(プログラム電圧)を印加できるように構成あるいは形成することは必要ではない。   The number of Vpc voltages that can be selected is preferably 1/8 or more of the number of gradations of the display device when the display device is 6 inches or more (32 gradations or more for 256 gradations). In particular, it is preferably 1/4 or more (in the case of 256 gradations, 64 gradations or more). This is because the program current is insufficiently written to a relatively high gradation region. However, as described above, it is not necessary to configure or form such that a precharge voltage (program voltage) can be applied in the entire gradation range.

6インチ以下の比較的小型の表示パネル(表示装置)では、選択できるVpcの電圧の個数は、2以上にすることが好ましい。VpcがV0の1つであっても良好な黒表示を実現できるが、低階調領域で階調表示することが困難な場合があるからである。Vpcが2以上であれば、FRC制御により複数の階調を発生することができ、良好な画像表示を実現できる。   In a relatively small display panel (display device) of 6 inches or less, the number of selectable Vpc voltages is preferably 2 or more. This is because even if Vpc is one of V0, good black display can be realized, but it may be difficult to perform gradation display in a low gradation region. If Vpc is 2 or more, a plurality of gradations can be generated by FRC control, and good image display can be realized.

プリチャージ電圧(プログラム電圧)はゲート信号線17aを制御する電圧(Vgh1、Vgl1)により変化させることが好ましい。特にVgl1電圧によりプリチャージ電圧(プログラム電圧)を変化させる。駆動用トランジスタ11aのゲート端子の寄生容量とVgl1電圧の振幅により駆動用トランジスタ11aのゲート端子電位が変化してしまうからである。   The precharge voltage (program voltage) is preferably changed by voltages (Vgh1, Vgl1) for controlling the gate signal line 17a. In particular, the precharge voltage (program voltage) is changed by the Vgl1 voltage. This is because the gate terminal potential of the driving transistor 11a varies depending on the parasitic capacitance of the gate terminal of the driving transistor 11a and the amplitude of the Vgl1 voltage.

図355に図示するように、Vgl1電圧が低くなるほど駆動用トランジスタ11aの立ち上がり電圧が変化する。たとえば、Vgl1=0Vの時は、立ち上がり電圧(0階調目として印加するプリチャージ電圧(プログラム電圧))はV2であるが、Vgl1=−4Vの時は、立ち上がり電圧(0階調目として印加するプリチャージ電圧(プログラム電圧))はV1、Vgl1=−9Vの時は、立ち上がり電圧(0階調目として印加するプリチャージ電圧(プログラム電圧))はV0とアノード電位(図355では0V)に近づく。したがって、図339などのV0電圧をVgl1電圧と連動させて変化させることが好ましい。また、V1電圧も変化させることが好ましい。   As shown in FIG. 355, the rising voltage of the driving transistor 11a changes as the Vgl1 voltage decreases. For example, when Vgl1 = 0V, the rising voltage (the precharge voltage (program voltage) applied as the 0th gradation) is V2, but when Vgl1 = −4V, the rising voltage (applied as the 0th gradation). When the precharge voltage (program voltage) is V1 and Vgl1 = −9V, the rising voltage (precharge voltage (program voltage) applied as the 0th gradation) is V0 and the anode potential (0V in FIG. 355). Get closer. Therefore, it is preferable to change the V0 voltage in FIG. 339 or the like in conjunction with the Vgl1 voltage. It is also preferable to change the V1 voltage.

以上の事項は、本発明の他の実施例に適用できることは言うまでもない。また、以上の技術的思想を本発明の表示装置、表示パネル、表示方法などに適用できることも言うまでもない。   Needless to say, the above items can be applied to other embodiments of the present invention. It goes without saying that the above technical idea can be applied to the display device, display panel, display method and the like of the present invention.

図352は図351の変形例である。図352では、抵抗Ra、抵抗Rbをソースドライバ回路(IC)14に内蔵している。端子2883bにVdd電圧を印加し、端子2883cとグランド間に抵抗Rcを接続する。図352のように構成することにより外づけ抵抗が1つになる。ただし、抵抗Rcの値はRGBごとに個別に設定できるように構成することが好ましい。なお、端子2883cには電圧を直接入力してもよいことは言うまでもない。また、抵抗Rcもソースドライバ回路(IC)14に内蔵させてもよい。   FIG. 352 is a modification of FIG. In FIG. 352, the resistor Ra and the resistor Rb are built in the source driver circuit (IC) 14. A voltage Vdd is applied to the terminal 2883b, and a resistor Rc is connected between the terminal 2883c and the ground. By configuring as shown in FIG. 352, one external resistor is provided. However, it is preferable to configure so that the value of the resistor Rc can be set individually for each of RGB. Needless to say, a voltage may be directly input to the terminal 2883c. Also, the resistor Rc may be built in the source driver circuit (IC) 14.

抵抗Raはトリミングなどにより調整してもよい。また、抵抗が拡散抵抗で形成されている場合は加熱により抵抗値調整をすることも可能である。また、電子ボリウムあるいは抵抗スイッチ回路に構成することにより所定の抵抗値に設定あるいは調整してもよい。以上の事項は図352、図353などの他の実施例にも適用できることは言うまでも無い。図352では抵抗Raを調整することを実施例として記載している。図353は抵抗Rbを調整することを実施例として記載している。   The resistor Ra may be adjusted by trimming or the like. In addition, when the resistor is formed of a diffused resistor, the resistance value can be adjusted by heating. Further, it may be set or adjusted to a predetermined resistance value by constituting an electronic volume or a resistance switch circuit. Needless to say, the above items can be applied to other embodiments such as FIGS. 352 and 353. In FIG. 352, adjusting the resistance Ra is described as an example. FIG. 353 describes an example of adjusting the resistance Rb.

図353は、端子2883bにVdd電圧を印加し、端子2883cに外づけ抵抗Rcを接続している。a点の電位とb点の電位との電位差は抵抗Rbを調整することにより設定する。また、抵抗Rcの値を調整することによりb端子の電位を調整する。   In FIG. 353, the Vdd voltage is applied to the terminal 2883b, and the external resistor Rc is connected to the terminal 2883c. The potential difference between the potential at point a and the potential at point b is set by adjusting resistance Rb. Further, the potential of the b terminal is adjusted by adjusting the value of the resistor Rc.

基準電流IcによりV1電圧を調整する実施例として、図354の構成が例示される。図354では基準電流Ic(もしくは基準電流Icに相関あるいは比例する電流Ic)が外づけ抵抗Rbに流れ込むように構成されている。したがって、端子2883bの電圧Vbは、抵抗Rb×Icとなる。この電圧がトランジスタ158bのゲート端子電圧となる。トランジスタ158bは電圧Vbによりチャンネル間電圧(SD電圧)が発生し、Ib電流が外づけ抵抗Raに流れる。端子2883aの電圧V1はVdd−Ra×Ibとなる。したがって、基準電流Icの大きさの変化がV1電圧の変化となる。電子ボリウム501の動作は以前に説明したので省略する。   As an example of adjusting the V1 voltage by the reference current Ic, the configuration of FIG. 354 is illustrated. In FIG. 354, the reference current Ic (or the current Ic that is correlated or proportional to the reference current Ic) flows into the external resistor Rb. Therefore, the voltage Vb of the terminal 2883b is the resistance Rb × Ic. This voltage becomes the gate terminal voltage of the transistor 158b. In the transistor 158b, an inter-channel voltage (SD voltage) is generated by the voltage Vb, and an Ib current flows through the external resistor Ra. The voltage V1 of the terminal 2883a is Vdd−Ra × Ib. Therefore, a change in the magnitude of the reference current Ic becomes a change in the V1 voltage. Since the operation of the electronic volume 501 has been described previously, a description thereof will be omitted.

以上の事項は、本発明の他の実施例にも適用できることは言うまでもない。たとえば、図127から図143、図293〜図297、図308〜図313、図338〜図345、図349〜図354が例示される。また、各実施例で説明した内容は、それぞれの実施例と選択してあるいは複合してもしくは組み合わせて実施例を構成することができることは言うまでもない。   It goes without saying that the above matters can be applied to other embodiments of the present invention. For example, FIGS. 127 to 143, FIGS. 293 to 297, FIGS. 308 to 313, FIGS. 338 to 345, and 349 to 354 are exemplified. Needless to say, the contents described in each embodiment can be selected, combined, or combined with each embodiment.

なお、ソースドライバ回路(IC)14に内蔵する抵抗の抵抗値はトリミングにより、あるいは加熱により抵抗値を所定値となるように調整あるいは加工してもよいことは言うまでもない。また、外づけ抵抗についても同様である。   It goes without saying that the resistance value of the resistor built in the source driver circuit (IC) 14 may be adjusted or processed by trimming or heating so that the resistance value becomes a predetermined value. The same applies to the external resistor.

また、図293など(他の実施例でもよい)において、抵抗アレイ2931(抵抗R)などはICチップ14またはソースドライバ回路14内に内蔵するとしたが、これに限定するものではない。IC(回路)14にディスクリート部品で外づけしてもよいことは言うまでもない。また、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)Vpcは抵抗Rなどを用い発生することに限定するものではなく、オペアンプあるいはトランジスタなど他の部品で構成してもいことは言うまでもない。また、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)Vpcは一定の電圧をPWM変調などによりパルス状に発生し、コンデンサなどにより平滑化して所定のプログラム電圧を得るように構成あるいは形成もしくは作製してもよいことは言うまでもない。また、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)VpcはIC(回路)14内で発生することに限定するものではなく、IC(回路)14の外部で発生し、IC(回路)14の端子から入力して、IC(回路)14ではスイッチなどで適応するプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)Vpcを選択するように構成してもよい。また、コントローラ760の制御データによりプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)VpcはIC(回路)14の外部で発生し、IC(回路)14の内部に取り込んでソース信号線18などに印加するように構成してもよいことは言うまでもない。以上に記載した事項は、図127から図143、図293〜図297、図308〜図313、図338〜図345、図349〜図354などの本発明の他の実施例にも適用できることは言うまでもない。   In FIG. 293 and the like (which may be other embodiments), the resistor array 2931 (resistor R) and the like are incorporated in the IC chip 14 or the source driver circuit 14, but the present invention is not limited to this. Needless to say, the IC (circuit) 14 may be externally connected with discrete components. Further, the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) Vpc is not limited to being generated by using the resistor R or the like, but needless to say, it may be constituted by other components such as an operational amplifier or a transistor. The precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) Vpc is generated, pulsed or generated by a PWM modulation or the like, and smoothed by a capacitor to obtain a predetermined program voltage. Needless to say. Further, the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) Vpc is not limited to being generated in the IC (circuit) 14, but is generated outside the IC (circuit) 14, and the terminal of the IC (circuit) 14 The IC (circuit) 14 may be configured to select a precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) Vpc adapted by a switch or the like. Further, a precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) Vpc is generated outside the IC (circuit) 14 by the control data of the controller 760, and is taken into the IC (circuit) 14 and applied to the source signal line 18 and the like. Needless to say, it may be configured as described above. The items described above can be applied to other embodiments of the present invention such as FIGS. 127 to 143, FIGS. 293 to 297, FIGS. 308 to 313, FIGS. 338 to 345, and 349 to 354. Needless to say.

図127から図143、図293〜図297、図308〜図313、図338〜図345、図349〜図354などで説明したように、本発明では、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)(電圧データ)を印加し、その後、プログラム電流を印加する。プログラム電流Iwはより階調性を増加させるためにFRC技術を用いる。一般的に10ビットのデータを4FRCの8ビットで表現する。   127 to 143, 293 to 297, 308 to 313, 338 to 345, 349 to 354, etc., the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is used in the present invention. ) (Voltage data) is applied, and then a program current is applied. The program current Iw uses FRC technology in order to increase the gradation. Generally, 10-bit data is expressed by 8 bits of 4FRC.

本発明では、図313で図示するようにプリチャージ電圧もFRC化している。たとえば、図313(b)は4FRCの駆動方法である。図313(b)において、白○(白丸)はプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)が印加(出力)されたことを示しており、黒○(黒丸)はプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)が印加されていないことを示している。つまり、図313(b)(1)では、4フレーム(フィールド)で1回しかプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)が印加されないことをしめしている。同様に図313(b)(2)では、4フレーム(フィールド)で2回しかプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)が印加されないことを示しており、図313(b)(3)では、4フレーム(フィールド)で3回プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)が印加されることを示している。図313(b)(4)では、4フレーム(フィールド)ともプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)が印加されることを示している。   In the present invention, the precharge voltage is also made FRC as shown in FIG. For example, FIG. 313 (b) shows a 4FRC driving method. In FIG. 313 (b), a white circle (white circle) indicates that the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is applied (output), and a black circle (black circle) indicates the precharge voltage (program voltage and (Synonymous or similar) is not applied. That is, FIG. 313 (b) (1) shows that the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is applied only once in 4 frames (fields). Similarly, FIGS. 313 (b) (2) show that the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is applied only twice in 4 frames (fields), and FIGS. 313 (b) (3) This shows that the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is applied three times in four frames (fields). 313 (b) and (4) show that a precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is applied to all four frames (fields).

以上の動作(方法)を実施することによりプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)で階調表示を増大することができる。したがって、階調数が増加しより良好な画像表示を実現できる。つまり、低階調領域では主としてプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)で階調表示を実現し、高階調領域ではプログラム電流により階調表示を実現する。   By performing the above operation (method), gradation display can be increased with a precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage). Therefore, the number of gradations is increased and better image display can be realized. That is, gradation display is realized mainly by a precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) in the low gradation area, and gradation display is realized by the program current in the high gradation area.

以上の事項は、本発明の他の実施例にも適用できることは言うまでもない。たとえば、図127から図143、図293〜図297、図308〜図313、図338〜図345、図349〜図354が例示される。   It goes without saying that the above matters can be applied to other embodiments of the present invention. For example, FIGS. 127 to 143, FIGS. 293 to 297, FIGS. 308 to 313, FIGS. 338 to 345, and 349 to 354 are exemplified.

なお、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)の印加はフリッカの発生を防止するため、図313(c)に図示(4FRCで2回プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を印加する実施例)するように、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を印加するタイミングを変化させることが好ましい。   It should be noted that the application of the precharge voltage (synonymous or similar to the program voltage) applies the precharge voltage (synonymous or similar to the program voltage twice) shown in FIG. 313 (c) in order to prevent the occurrence of flicker. As in the embodiment, it is preferable to change the timing of applying the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage).

低階調領域においては、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)などの電圧データ(VDATA)は短時間でソース信号線18を充放電することができる。一方、プログラム電流Iwなどの電流データ(IDATA)は、目的の電圧(電流)までソース信号線18を充放電するのに時間を必要とする。したがって、同一の目標であるEL素子15の電流にするための動作は、電流プログラムの方が強くする必要がある。そこで、図313(a)に図示するように、階調1では電流データ(IDATA)は階調を高めのデータとする(たとえば、階調1ではIDATA=1とするのが本来であるが、4とし、4倍の電流を流す)。プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)(VDATA)は1としている(本来の値である)。同様に階調2では電流データ(IDATA)は階調を高めのデータとする(たとえば、階調2ではIDATA=2とするのが本来であるが、6とし、3倍の電流を流す)。プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)(VDATA)は2としている(本来の値である)。以上のように電流データを大きな値とすることにより精度のよりプログラムを実現できる。なお、中間調以上では、電流データと電圧データは同一(階調kでは、IDATA=VDATA=k)にするか、もしくは電圧データの印加をしない。   In the low gradation region, voltage data (VDATA) such as a precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) can charge and discharge the source signal line 18 in a short time. On the other hand, current data (IDATA) such as the program current Iw requires time to charge and discharge the source signal line 18 up to a target voltage (current). Therefore, the current program needs to be stronger in the operation for obtaining the current of the EL element 15 which is the same target. Therefore, as shown in FIG. 313 (a), the current data (IDATA) in gradation 1 is data with a higher gradation (for example, IDATA = 1 in gradation 1 is originally, 4 and 4 times as much current). The precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) (VDATA) is set to 1 (the original value). Similarly, the current data (IDATA) in gradation 2 is data with higher gradation (for example, in gradation 2, IDATA = 2 is originally set to 6, but three times as much current is passed). The precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) (VDATA) is 2 (which is the original value). As described above, by setting the current data to a large value, the program can be realized with higher accuracy. Note that at halftone or higher, the current data and the voltage data are the same (IDATA = VDATA = k for gradation k), or no voltage data is applied.

なお、c電位あるいはd電位は、点灯率、アノード電流、duty比などによって変化させてもよいことは言うまでもない。また、図313に図示するFRCの技術思想に対しても同様に適用できることは言うまでもない。また、以上の事項は、本発明の他の実施例にも適用できることは言うまでもない。たとえば、図127から図143、図293〜図297、図308〜図313、図338〜図345、図349〜図354が例示される。   Needless to say, the c potential or the d potential may be changed according to the lighting rate, the anode current, the duty ratio, or the like. Needless to say, the same applies to the technical idea of FRC shown in FIG. Needless to say, the above items can be applied to other embodiments of the present invention. For example, FIGS. 127 to 143, FIGS. 293 to 297, FIGS. 308 to 313, FIGS. 338 to 345, and 349 to 354 are exemplified.

図294はプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)Vpcを選択する回路部を中心とした説明図である。抵抗アレイ2931の出力は電圧セレクタ回路2941に入力される。電圧セレクタ回路2941はアナログスイッチとデコーダ回路から構成され、選択信号VSELの3ビット信号により1つのプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)が印加される(図296を参照のこと)。選択されたプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)は配線150を介して端子155から出力される。   FIG. 294 is an explanatory diagram focusing on a circuit portion for selecting a precharge voltage (synonymous with or similar to a program voltage) Vpc. The output of the resistor array 2931 is input to the voltage selector circuit 2941. The voltage selector circuit 2941 includes an analog switch and a decoder circuit, and one precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is applied by a 3-bit signal of the selection signal VSEL (see FIG. 296). The selected precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is output from the terminal 155 via the wiring 150.

端子155から出力されたプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)は、ソース信号線18の寄生容量であるCsに保持される。したがって、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)の出力は点順次動作を行ってもよい。しかし、点順次動作では端子1と端子n(最終端子)ではプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)の印加時間が異なる。この課題に対しては、図295に図示するように電圧セレクタ回路2941を2つ形成または構成する。第1Hでは電圧セレクタ回路2941aが出力し、C1に保持されたプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)が、セレクタ回路2951のスイッチS1が選択されるることにより、選択されたプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)Vpcが端子155から出力される。この期間(第1H期間)は、電圧セレクタ回路2941a2が順次動作し、選択されたプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)VpcがC2に保持されていく。また、セレクタ回路2951のスイッチS2はオープンである。   The precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) output from the terminal 155 is held in Cs which is a parasitic capacitance of the source signal line 18. Therefore, the output of the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) may be dot-sequential. However, in the dot sequential operation, the application time of the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) differs between the terminal 1 and the terminal n (final terminal). To deal with this problem, two voltage selector circuits 2941 are formed or configured as shown in FIG. In the first H, the voltage selector circuit 2941a outputs the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) held in C1 by selecting the switch S1 of the selector circuit 2951 so that the selected precharge voltage (program Vpc is output from terminal 155 (synonymous or similar to voltage). During this period (first H period), the voltage selector circuit 2941a2 sequentially operates, and the selected precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) Vpc is held at C2. Further, the switch S2 of the selector circuit 2951 is open.

第1H期間の次の第2H期間では電圧セレクタ回路2941bが出力し、C2に保持されたプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)がセレクタ回路2951のスイッチS1を介して端子155から出力される。この期間(第2H期間)は、電圧セレクタ回路2941a1が順次動作し、選択されたプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)VpcがC1に保持されていく。また、セレクタ回路2951のスイッチS1はオープンである。   In the second H period following the first H period, the voltage selector circuit 2941b outputs, and the precharge voltage (synonymous or similar to the program voltage) held in C2 is output from the terminal 155 via the switch S1 of the selector circuit 2951. . During this period (second H period), the voltage selector circuit 2941a1 sequentially operates, and the selected precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) Vpc is held at C1. The switch S1 of the selector circuit 2951 is open.

同様に、第2H期間の次の第3H期間では電圧セレクタ回路2941aが出力し、C1に保持されたプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)が、セレクタ回路2951のスイッチS1が選択されることにより、選択されたプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)Vpcが端子155から出力される。この期間(第3H期間)は、電圧セレクタ回路2941a2が順次動作し、選択されたプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)VpcがC2に保持されていく。また、セレクタ回路2951のスイッチS2はオープンである。第3H期間の次の第4H期間では電圧セレクタ回路2941bが出力し、C2に保持されたプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)がセレクタ回路2951のスイッチS1を介して端子155から出力される。この期間(第4H期間)は、電圧セレクタ回路2941a1が順次動作し、選択されたプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)VpcがC1に保持されていく。また、セレクタ回路2951のスイッチS1はオープンである。以上の動作を順次繰り返す。   Similarly, in the third H period following the second H period, the voltage selector circuit 2941a outputs, and the precharge voltage (synonymous or similar to the program voltage) held in C1 selects the switch S1 of the selector circuit 2951. Thus, the selected precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) Vpc is output from the terminal 155. During this period (third H period), the voltage selector circuit 2941a2 sequentially operates, and the selected precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) Vpc is held at C2. Further, the switch S2 of the selector circuit 2951 is open. In the 4H period following the 3H period, the voltage selector circuit 2941b outputs, and the precharge voltage (synonymous or similar to the program voltage) held in C2 is output from the terminal 155 via the switch S1 of the selector circuit 2951. . During this period (fourth H period), the voltage selector circuit 2941a1 sequentially operates, and the selected precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) Vpc is held at C1. The switch S1 of the selector circuit 2951 is open. The above operations are sequentially repeated.

図308はプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を出力する本発明の他の実施例である。プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を選択あるいは決定するPDATAにより電子ボリウム501のスイッチが動作し、該当するプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)VpcがコンデンサCcに保持される。保持されたプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)Vpcはサンプリング回路862により保持され、出力するソース信号線18のアドレスデータPADRSにより選択された出力のCa〜Cnに保持される。なお、PADRSの指定データはドットクロックCLKに同期して変化する。また、PDATAは、映像データに対応して変化させる(図127から図143などの説明を参照のこと)。   FIG. 308 shows another embodiment of the present invention that outputs a precharge voltage (synonymous with or similar to a program voltage). A switch of the electronic volume 501 is operated by PDATA that selects or determines a precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage), and the corresponding precharge voltage (synonymous or similar to the program voltage) Vpc is held in the capacitor Cc. The held precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) Vpc is held by the sampling circuit 862 and held in the output Ca to Cn selected by the address data PADRS of the source signal line 18 to be output. Note that the PADRS designation data changes in synchronization with the dot clock CLK. Also, PDATA is changed corresponding to the video data (see the description of FIGS. 127 to 143, etc.).

したがって、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)Vpcは1Hの期間で各出力端子に対応する保持用コンデンサCa〜Cnに保持される。ソース信号線18にプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を印加するときは、スイッチSpが一斉に一定期間クローズする。この時、スイッチSiはオープン状態にされ、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)Vpcが電流回路431cに逆流することを抑制する。図295の電圧セレクタ回路2941でプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)Vpcを選択する。選択データはラッチ回路771で行ってもよい。このことは図308の実施例においても同様である。なお、図308においても図295に図示するように2段構成にすることが好ましいことは言うまでもない。   Therefore, the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) Vpc is held in the holding capacitors Ca to Cn corresponding to each output terminal in the period of 1H. When a precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is applied to the source signal line 18, the switches Sp are simultaneously closed for a certain period. At this time, the switch Si is set in an open state, and the backflow of the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) Vpc to the current circuit 431c is suppressed. A voltage selector circuit 2941 in FIG. 295 selects a precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) Vpc. The selection data may be performed by the latch circuit 771. This also applies to the embodiment of FIG. In FIG. 308, it is needless to say that a two-stage configuration is preferable as shown in FIG.

図308はプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)をサンプルホールドする回路構成であったが、本発明はこれに限定するものではない。図309に図示するように複数のプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を発生しておき、選択してもよい。   FIG. 308 shows a circuit configuration for sampling and holding a precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage), but the present invention is not limited to this. As shown in FIG. 309, a plurality of precharge voltages (synonymous with or similar to the program voltage) may be generated and selected.

図309ではプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)として固定のVpa、Vpbと、ボリウム(VR)などで任意に変化できるVpcが選択できる。プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)は2ビットのセレクタ信号(SEL)により選択される。SEL信号によりプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を選択するスイッチSpが選択される。図309の表に示すように、SELが0の時、いずれのプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)も選択されない。つまり、ソース信号線18にはプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)は印加されない。SELが1の時は、スイッチSp1が選択されプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)Vpaがソース信号線18に印加される。SELが2の時は、スイッチSp2が選択されプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)Vpbがソース信号線18に印加される。また、SELが3の時は、スイッチSp3が選択されプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)Vpcがソース信号線18に印加される。   In FIG. 309, fixed Vpa, Vpb and Vpc that can be arbitrarily changed by a volume (VR) or the like can be selected as the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage). The precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is selected by a 2-bit selector signal (SEL). A switch Sp for selecting a precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is selected by the SEL signal. As shown in the table of FIG. 309, when SEL is 0, no precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is selected. That is, the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is not applied to the source signal line 18. When SEL is 1, the switch Sp 1 is selected and a precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) Vpa is applied to the source signal line 18. When SEL is 2, the switch Sp2 is selected and a precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) Vpb is applied to the source signal line 18. When SEL is 3, the switch Sp3 is selected and a precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) Vpc is applied to the source signal line 18.

図309において、電流出力回路の電流プログラムデータ(DATAa、DATAb)は、ラッチ回路771で保持され、1Hごとに切り換えられる。つまり、第1Hではラッチ回路771aが選択され、この期間はラッチ回路771bにはドットクロックに同期して順次データが保持される。第2Hではラッチ回路771bが選択され、この期間はラッチ回路771aにはドットクロックに同期して順次データが保持される。保持されたデータは水平同期信号に同期してスイッチSa(Saa、Sab)で切り換えられトランジスタ群431cの出力電流(プログラム電流など)が確定される。   In FIG. 309, the current program data (DATAa, DATAb) of the current output circuit is held by the latch circuit 771 and switched every 1H. That is, the latch circuit 771a is selected in the first 1H, and data is sequentially held in the latch circuit 771b in synchronization with the dot clock during this period. In the second H, the latch circuit 771b is selected, and data is sequentially held in the latch circuit 771a in synchronization with the dot clock during this period. The retained data is switched by the switch Sa (Saa, Sab) in synchronization with the horizontal synchronization signal, and the output current (program current, etc.) of the transistor group 431c is determined.

図310は主として図309の構成をより具体的に図示したものである。プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)Vp(Vpa、Vpb、Vpc、open)を伝達するプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)配線PS(PSa、PSb、PSc、PSd)がソース信号線18に直交するように配線される。プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)配線PSと内部配線150とは直交し、各交点にスイッチSpが配置されている。スイッチSpは図309に図示するようにSEL信号で切り換えられる。なお、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)は1Hの最初の期間に全ソース信号線18一斉に印加される。したがって、SEL信号もラッチして保持しておく必要がある。   FIG. 310 mainly illustrates the configuration of FIG. 309 more specifically. Precharge voltage (synonymous with or similar to program voltage) Vp (Vpa, Vpb, Vpc, open) precharge voltage (synonymous with or similar to program voltage) wiring PS (PSa, PSb, PSc, PSd) is a source signal line 18 is wired so as to be orthogonal to 18. The precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) wiring PS and the internal wiring 150 are orthogonal to each other, and a switch Sp is disposed at each intersection. The switch Sp is switched by a SEL signal as shown in FIG. Note that the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is applied to all the source signal lines 18 simultaneously in the first period of 1H. Therefore, it is necessary to latch and hold the SEL signal.

以上の実施例は、ソースドライバIC14を介して、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を印加するものであったが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、アレイ30基板に形成したプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)用トランジスタ素子を形成し、このトランジスタ素子をオンオフ制御することにより、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)線に印加されたプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)をソース信号線18に印加するように構成してもよいことは言うまでもない。   In the above embodiment, the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is applied via the source driver IC 14, but the present invention is not limited to this. For example, a precharge voltage (synonymous or similar to program voltage) transistor element formed on the array 30 substrate is formed, and this transistor element is turned on / off to be applied to a precharge voltage (synonymous or similar to program voltage) line. It goes without saying that the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) applied may be applied to the source signal line 18.

以上の事項は、本発明の他の実施例にも適用できることは言うまでもない。たとえば、図127から図143、図293〜図297、図308〜図313、図338〜図345、図349〜図354が例示される。   It goes without saying that the above matters can be applied to other embodiments of the present invention. For example, FIGS. 127 to 143, FIGS. 293 to 297, FIGS. 308 to 313, FIGS. 338 to 345, and 349 to 354 are exemplified.

図77、図78は電流ドライバIC14(プログラム電流を出力する回路あるいはIC)などにプリチャージビットをラッチするラッチ回路771を構成あるいは形成したものであったが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、プログラム電圧を出力するソースドライバ回路あるいはICにも適用できる。前記ソースドライバ回路14にプリチャージ機能あるいはプリチャージ信号をラッチするラッチ回路あるいはプリチャージの選択信号線を配置または構成することにより、プログラム電圧をソース信号線18に書き込む前に、ソース信号線の電位を所定値にすることができ、書込み安定度を向上できる。   77 and 78 show the configuration or formation of the latch circuit 771 for latching the precharge bit in the current driver IC 14 (circuit or IC for outputting a program current) or the like, but the present invention is not limited to this. Absent. For example, the present invention can be applied to a source driver circuit or an IC that outputs a program voltage. By arranging or configuring a precharge function or a latch circuit for latching a precharge signal or a precharge selection signal line in the source driver circuit 14, the potential of the source signal line is written before the program voltage is written to the source signal line 18. Can be set to a predetermined value, and the writing stability can be improved.

図77、図78などでは、プリチャージ信号線(RPC、GPC,BPC)は1本とし、また、それに対応するラッチ回路は2段で各1ビットとして説明したが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図75に図示するようにプリチャージ信号が4ビットから構成される場合は、プリチャージ信号線は4本が必要である。したがって、プリチャージ信号のラッチ回路も2段で4ビット分が必要となることは言うまでもない。また、ラッチ回路771は図77に図示するように2段に限定するものではない。3段以上で構成してもよいことは言うまでもない。たとえば、4段に構成すれば、ソース信号線18に書き込む電流信号は2倍の時間確保できるようになり好ましい。また、プリチャージ信号線はR、G、Bで個別に設ける必要はないことは言うまでもない。RGBで共通の信号線としてもよい。   In FIG. 77, FIG. 78, etc., one precharge signal line (RPC, GPC, BPC) has been described and the corresponding latch circuit has been described as one bit in two stages, but the present invention is limited to this. It is not a thing. For example, when the precharge signal is composed of 4 bits as shown in FIG. 75, four precharge signal lines are required. Therefore, it is needless to say that the precharge signal latch circuit requires four bits for two stages. Further, the latch circuit 771 is not limited to two stages as shown in FIG. Needless to say, it may be composed of three or more stages. For example, a four-stage configuration is preferable because a current signal written to the source signal line 18 can be secured twice as long. Needless to say, it is not necessary to provide the precharge signal lines individually for R, G, and B. A common signal line may be used for RGB.

以上のように、本発明のソースドライバ回路14などは、ソースドライバ回路に、ソース信号線18にプログラム電流あるいはプログラム電圧を書き込む時に、プリチャージ信号を印加するかしないかを選択する判定ビットを保持する回路を有すること、また、判定ビットに保持する信号あるいは想定される信号を伝達する信号入力端子を有するものである。   As described above, the source driver circuit 14 or the like of the present invention holds a determination bit for selecting whether or not to apply a precharge signal when writing a program current or a program voltage to the source signal line 18 in the source driver circuit. And a signal input terminal for transmitting a signal held in the determination bit or an assumed signal.

なお、点灯率に応じて、ソース信号線に印加するプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を変化あるいは変更してもよい。たとえば、点灯率に対して図75における選択信号Dの値を変化し、電子ボリウム501を制御して端子155から出力されるプリチャージ信号を変化させる。点灯率に応じて駆動用トランジスタ11aに流れる電流が変化するため、最適なプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)の大きさ(とくに電圧駆動で階調表示をする場合)が変化する。点灯率により、最適な階調表示になるように電子ボリウム501を制御することにより階調表示などが実現できる。   Note that the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) applied to the source signal line may be changed or changed according to the lighting rate. For example, the value of the selection signal D in FIG. 75 is changed with respect to the lighting rate, the electronic volume 501 is controlled, and the precharge signal output from the terminal 155 is changed. Since the current flowing through the driving transistor 11a changes according to the lighting rate, the magnitude of the optimum precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) (especially when gradation display is performed by voltage driving) changes. Gray scale display or the like can be realized by controlling the electronic volume 501 so as to obtain an optimal gray scale display according to the lighting rate.

以上の実施例では、点灯率に応じて、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を変化させるとしたが、本発明はこれに限定するものではない。基準電流比に応じてプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を変化させてもよい。基準電流の大きさによっても、駆動用トランジスタ11aに流れる電流が変化し、最適なプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)(駆動用トランジスタ11aのゲート端子に印加する電圧)が変化するからである。また、アノード(カソード)端子の電流の大きさによってもプリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)を変化させてもよい。   In the above embodiments, the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) is changed according to the lighting rate, but the present invention is not limited to this. The precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) may be changed according to the reference current ratio. The current flowing through the driving transistor 11a also changes depending on the magnitude of the reference current, and the optimum precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) (the voltage applied to the gate terminal of the driving transistor 11a) changes. is there. Also, the precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage) may be changed depending on the magnitude of the current at the anode (cathode) terminal.

以上の事項は、本発明の他の実施例にも適用できることは言うまでもない。たとえば、図127から図143、図293〜図297、図308〜図313、図338〜図345、図349〜図354が例示される。   It goes without saying that the above matters can be applied to other embodiments of the present invention. For example, FIGS. 127 to 143, FIGS. 293 to 297, FIGS. 308 to 313, FIGS. 338 to 345, and 349 to 354 are exemplified.

以下、本発明のEL表示パネルあるいはEL表示装置もしくは駆動方法を採用した実施の形態について、図面を参照しながら説明する。EL表示パネルは特にBの色度が悪いという課題があり、一方でRの色度が非常によいという事実がある。そのため、画像を表示した場合、表示色が本来の画像と異なってしまう場合がある。図144の色度のXY座標において、実線がNTSCの色範囲である。点線が有機ELの色範囲である。NTSCの色再現範囲と有機ELの色再現範囲とがずれているために、特に樹木の緑が多い画像表示において葉が枯葉色になるという課題が発生する。   DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments employing an EL display panel, an EL display device, or a driving method of the present invention will be described below with reference to the drawings. The EL display panel has a problem that the chromaticity of B is particularly bad, while the chromaticity of R is very good. Therefore, when an image is displayed, the display color may be different from the original image. In the XY coordinates of the chromaticity in FIG. 144, the solid line is the NTSC color range. The dotted line is the color range of the organic EL. Since the color reproduction range of NTSC and the color reproduction range of organic EL are shifted, there is a problem that leaves become a dead leaf color particularly in an image display with many trees.

この課題を解決する方策が、カラーマネージメント処理である。これは、信号処理により画像の色補正を行うものである。また、色フィルタにより画像の色度を改善する方策も例示される。   A method for solving this problem is color management processing. In this method, image color correction is performed by signal processing. A measure for improving the chromaticity of an image by using a color filter is also exemplified.

色フィルタによりEL表示パネルの色純度を改善するためには、表示パネル30の光出社側に色フィルタを配置または構成あるいは形成すればよい。色フィルタは偏光フィルム39とパネル30間に配置または形成してもよい。色フィルタは、シアン色をカットするものを用いることによりBの色度を改善することができる。色フィルタは、樹脂からなるフィルタの他、光学的干渉多層膜からなる干渉フィルタを用いても良い。なお、色フィルタは、偏光フィルム上に形成または配置してもよい。   In order to improve the color purity of the EL display panel using the color filter, the color filter may be arranged, configured, or formed on the light exit side of the display panel 30. The color filter may be disposed or formed between the polarizing film 39 and the panel 30. The chromaticity of B can be improved by using a color filter that cuts cyan. As the color filter, in addition to a filter made of resin, an interference filter made of an optical interference multilayer film may be used. In addition, you may form or arrange | position a color filter on a polarizing film.

回路的にカラーマネージメント(色補正処理)を実現するためには、各トランジスタ群431から出力されるRGBの単位トランジスタ154出力割合を変化させるとよい。有機ELでBの色度が悪く(一方でRの色度がよい)、樹木の葉が枯葉になる現象を抑制するためには、Bの電流を大きくするか、Rの電流を小さくすればよい。   In order to realize color management (color correction processing) in a circuit, it is preferable to change the output ratio of the RGB unit transistors 154 output from each transistor group 431. In order to suppress the phenomenon that the chromaticity of B is poor in organic EL (on the other hand, the chromaticity of R is good) and the leaves of the tree become dead leaves, the current of B should be increased or the current of R should be decreased. .

トランジスタ群431cの出力電流を調整するためには、図46などにおける電流Icを調整すればよい(RGBで)。なお、本発明の実施例において本明細書で説明した事項、構成、方法、装置は適用できることは言うまでもない。   In order to adjust the output current of the transistor group 431c, the current Ic in FIG. 46 or the like may be adjusted (in RGB). In addition, it cannot be overemphasized that the matter, structure, method, and apparatus which were demonstrated in this specification in the Example of this invention are applicable.

電流Icを調整する構成は、図145に例示している。図145(a)は8ビットのデータをDA回路661でアナログ信号に変換し、オペアンプ502aに入力し、電流Icを変化(調整)する構成である。基本的な電流の大きさは外付けあるいは内蔵抵抗R1で行う。   A configuration for adjusting the current Ic is illustrated in FIG. FIG. 145 (a) shows a configuration in which 8-bit data is converted into an analog signal by the DA circuit 661, input to the operational amplifier 502a, and the current Ic is changed (adjusted). The basic current magnitude is externally attached or built-in resistor R1.

図145(b)は8ビットのデータをDA回路661でアナログ信号に変換し、電流Icを変化(調整)する構成である。基本的な電流の大きさは外付けあるいは内蔵抵抗R1で行う。ただし、図145(b)の構成はDA回路661の出力電圧に対する電流Ic変化は非線形となる。   FIG. 145 (b) shows a configuration in which 8-bit data is converted into an analog signal by the DA circuit 661, and the current Ic is changed (adjusted). The basic current magnitude is externally attached or built-in resistor R1. However, in the configuration of FIG. 145 (b), the change in the current Ic with respect to the output voltage of the DA circuit 661 is nonlinear.

図145(c)は8ビットのデータをDA回路661でアナログ信号に変換し、トランジスタ157bを介して、電流Icを変化(調整)する構成である。基本的な電流の大きさは外付けあるいは内蔵抵抗R1で行う。ただし、図145(b)の構成はDA回路661の出力電圧に対する電流Ic変化は非線形となる。   FIG. 145 (c) shows a configuration in which 8-bit data is converted into an analog signal by the DA circuit 661, and the current Ic is changed (adjusted) via the transistor 157b. The basic current magnitude is externally attached or built-in resistor R1. However, in the configuration of FIG. 145 (b), the change in the current Ic with respect to the output voltage of the DA circuit 661 is nonlinear.

図146は電子ボリウム回路501を用いた回路構成である。図60の電子ボリウム回路501の端子電圧VsにDA回路661の出力を接続した構成である。他の構成は図60、図50、図46などと同様あるいは類似であるので説明を省略する。つまり、電流Icは電子ボリウム501により切り換えられるとともに、カラーマネージメント処理のDA回路661の出力によっても調整することができる。なお、図145と図146の構成を組み合わせも良いことは言うまでも無い。また、図146において電子ボリウム501を制御することによりカラーマネージメント処理を実施してもよいことは言うまでのない。   FIG. 146 shows a circuit configuration using the electronic volume circuit 501. The output of the DA circuit 661 is connected to the terminal voltage Vs of the electronic volume circuit 501 in FIG. Other configurations are the same as or similar to those shown in FIGS. That is, the current Ic is switched by the electronic volume 501 and can also be adjusted by the output of the DA circuit 661 for color management processing. Needless to say, the configurations of FIGS. 145 and 146 may be combined. Further, it goes without saying that the color management processing may be performed by controlling the electronic volume 501 in FIG.

図147は図146の変形例である。オペアンプ502aの入力端子cに直接電圧Vcを入力できるように構成している。なお、Vcを入力する時は、電子ボリウム501はいずれのスイッチSも選択されずオープンになるように制御される。IC14外部からのVc電圧の印加により、容易に電流Icを制御あるいは調整することができる。   FIG. 147 is a modification of FIG. The voltage Vc can be directly input to the input terminal c of the operational amplifier 502a. When Vc is input, the electronic volume 501 is controlled to be open without selecting any switch S. The current Ic can be easily controlled or adjusted by applying the Vc voltage from the outside of the IC 14.

図148は、DA回路661aの電源電圧VdaをDA回路661bで変化させることにより、オペアンプ502aの入力端子電圧を変化させるものである。入力端子電圧により出力電流Icはリニアに変化する。   In FIG. 148, the input terminal voltage of the operational amplifier 502a is changed by changing the power supply voltage Vda of the DA circuit 661a by the DA circuit 661b. The output current Ic changes linearly with the input terminal voltage.

図148において、DA回路661aの出力電圧は8ビットのデジタルデータによりリニアに変化し、さらにDA回路661aの出力電圧は、DA回路661bの出力電圧によりリニアに変化する。図148に回路構成では電流Icの変化の幅が大きく、かつ変化はリニアであるので構成として好ましい。   In FIG. 148, the output voltage of the DA circuit 661a changes linearly with 8-bit digital data, and the output voltage of the DA circuit 661a changes linearly with the output voltage of the DA circuit 661b. In the circuit configuration shown in FIG. 148, the change width of the current Ic is large, and the change is linear.

カラーマネージメント処理は、各RGBの電流により制御する。なお、RGBの電流とは点灯率で表現することができる(duty比は1/1とする)。duty比が1/1のとき、点灯率は画像データの総和と最大値から算出することができる。カラーマネージメント処理を実施するときは、点灯率はRGB個別で求める。つまり、Rの点灯率、Gの点灯率、Bの点灯率を求め(Rの消費電流、Gの消費電流、Bの消費電流を求めていることになる)、一定の割合の範囲、大きさでカラーマネージメント処理を実施する。画面に白表示が多い状態では、ホワイトバランスがとれているため、カラーマネージメント処理は不要だからである。   The color management process is controlled by each RGB current. Note that the RGB current can be expressed by a lighting rate (duty ratio is 1/1). When the duty ratio is 1/1, the lighting rate can be calculated from the sum of image data and the maximum value. When the color management process is performed, the lighting rate is obtained individually for RGB. That is, the lighting rate of R, the lighting rate of G, and the lighting rate of B are obtained (the current consumption of R, the current consumption of G, and the current consumption of B are obtained), and the range and size of a certain ratio Perform color management processing at. This is because, when there are many white displays on the screen, the white balance is achieved and color management processing is unnecessary.

図149(a)(b)はカラーマネージメント処理方法の説明図である。duty比制御は以前にも説明したようにEL表示パネルの消費電流を平均化するために実施している。カラーマネージメント処理は、基準電流Icの調整により実施している。図149(a)(b)では点灯率が高い範囲で、Rの基準電流Icrを低下させるとともに、Bの基準電流Icbを増加させている。また、Bの基準電流Icbは点灯率が中間レベル(30%〜60%)の範囲でも増加させて調整を行っている。以上の処理によりEL表示装置のカラーマネージメント処理を良好に実現できる。   149 (a) and 149 (b) are explanatory diagrams of the color management processing method. The duty ratio control is performed in order to average the current consumption of the EL display panel as described above. The color management process is performed by adjusting the reference current Ic. In FIGS. 149 (a) and (b), the R reference current Icr is decreased and the B reference current Icb is increased in a range where the lighting rate is high. Further, the B reference current Icb is adjusted by increasing the lighting rate even in the range of the intermediate level (30% to 60%). With the above processing, the color management processing of the EL display device can be satisfactorily realized.

図150は、点灯率が低い領域でRGBの基準電流Icを増加させている。これは、低点灯率で画像のダイナミックレンジを増大させるためである。Bの点灯率が高い領域でBの基準電流Icbを増大させている点がカラーマネージメント処理である。以上のように、本発明は画像のダイナミック処理とカラーマネージメント処理の両方を基準電流制御により実現できる。   In FIG. 150, the RGB reference current Ic is increased in a region where the lighting rate is low. This is to increase the dynamic range of the image at a low lighting rate. The point that the reference current Icb of B is increased in the region where the lighting rate of B is high is color management processing. As described above, the present invention can realize both dynamic image processing and color management processing by reference current control.

図151はRの基準電流Icrを複数のレベルに制御する方式である。以上のように本発明は基準電流を自由に調整することによりカラーマネージメント処理を実施することができる。   FIG. 151 shows a method of controlling the R reference current Icr to a plurality of levels. As described above, according to the present invention, color management processing can be performed by freely adjusting the reference current.

また、図152はRGBの点灯率から基準電流を制御する方式であった。しかし、EL表示パネルのカラーマネージメント処理は、RとBの電流(Icr、Icb)の割合により制御してもよい。図152はその実施例の説明図である。図149(a)(b)の横軸の点灯率の替わりにB点灯率/R点灯率(B消費電流/R消費電流)としている。B点灯率/R点灯率(B消費電流/R消費電流)が一定以上になった時に、B基準電流Icrを変化させている。   FIG. 152 shows a method of controlling the reference current from the RGB lighting rates. However, the color management processing of the EL display panel may be controlled by the ratio of R and B currents (Icr, Icb). FIG. 152 is an explanatory diagram of this embodiment. 149 (a) and (b), the B lighting rate / R lighting rate (B consumption current / R consumption current) is used instead of the lighting rate on the horizontal axis. The B reference current Icr is changed when the B lighting rate / R lighting rate (B consumption current / R consumption current) exceeds a certain level.

同様に、図152は図149(a)(b)横軸の点灯率の替わりにB点灯率/R点灯率(B消費電流/R消費電流)としている。また、図153では、B点灯率/(R点灯率+G点灯率)(B消費電流/(R消費電流+G点灯率))が一定以上になった時に、B基準電流Icrを変化させている。   Similarly, FIG. 152 shows B lighting rate / R lighting rate (B consumption current / R consumption current) instead of the lighting rate on the horizontal axis in FIGS. 149 (a) and (b). In FIG. 153, the B reference current Icr is changed when the B lighting rate / (R lighting rate + G lighting rate) (B consumption current / (R consumption current + G lighting rate)) becomes equal to or higher than a certain value.

なお、以上の図145から図148の構成は、電流Icの調整あるいは制御する構成である。電流Icを変化させることによりトランジスタ群431cの出力電流を変化させることができる。したがって、この構成はカラーマネージメント処理だけでなく、階調制御あるいは、トランジスタ431cなどの出力電流制御、ホワイトバランス調整回路として用いることができることは言うまでもない。   Note that the configurations in FIGS. 145 to 148 described above are configurations for adjusting or controlling the current Ic. The output current of the transistor group 431c can be changed by changing the current Ic. Therefore, it goes without saying that this configuration can be used not only for color management processing but also for gradation control, output current control for the transistor 431c, etc., and a white balance adjustment circuit.

また、以上の実施例では、基準電流Icの調整により、カラーマネージメント処理を実施するとしたが、これに限定するものではない。duty比の調整あるいは、各RGBの非表示領域51の割合を変化あるいは制御もしくは調整することにより、RGBの輝度を個別に調整することができる。したがって、これらの構成あるいは方法を用いてカラーマネージメント処理を実施してもよいことは言うまでもない。   In the above embodiment, the color management process is performed by adjusting the reference current Ic. However, the present invention is not limited to this. The RGB brightness can be individually adjusted by adjusting the duty ratio or changing, controlling, or adjusting the ratio of the non-display area 51 of each RGB. Therefore, it goes without saying that the color management processing may be performed using these configurations or methods.

以上の実施例は、主としてRGBのEL素子15の色度がNTSCの色度と異なるために、カラーマネージメントを実施する方法または構成(装置)であった。しかし、カラーマネージメントの必要性はこれらの実施例だけでなく、EL素子15の発光効率によっても必要である。   The above embodiment is a method or configuration (apparatus) for performing color management mainly because the chromaticity of the RGB EL elements 15 is different from that of NTSC. However, the necessity of color management is required not only by these embodiments but also by the luminous efficiency of the EL element 15.

図321は、RGBのEL素子のEL電流と輝度の関係を示すグラフである。図321に図示するように、GはEL電流が大きくなっても輝度は比例的に増加する関係にある。しかし、RはEL電流I0以上で輝度の増加が緩やかになる(比例しない=発光効率が低下する)。また、BはEL電流I1以上で輝度の増加が緩やかになる(比例しない=発光効率が低下する)。   FIG. 321 is a graph showing the relationship between the EL current and luminance of the RGB EL elements. As shown in FIG. 321, G has a relationship in which the luminance increases proportionally even when the EL current increases. However, the luminance of R increases more slowly than the EL current I0 (not proportional = light emission efficiency decreases). In B, the increase in luminance becomes moderate when the EL current is I1 or more (not proportional = light emission efficiency decreases).

以上のことから、EL電流がI1以上でBの輝度が相対的に低下しホワイトバランスが取れなくなる。さらにI0以上のRの輝度も相対的に低下しホワイトバランスが取れなくなる。以上の課題を解決し、EL電流の変化に対するホワイトバランスを維持するためには、図322の点線(R’、B’)に図示するように、階調に対するEL電流の関係を非線形性にする必要がある。図322では、階調K2以上でRのEL電流を増加させている(R’)。また、階調K1以上でRのEL電流を増加させている(B’)。   From the above, when the EL current is I1 or more, the brightness of B is relatively lowered and white balance cannot be achieved. Furthermore, the luminance of R equal to or higher than I0 is also relatively lowered and white balance cannot be achieved. In order to solve the above problems and maintain the white balance with respect to the change in the EL current, the relationship of the EL current with respect to the gradation is made nonlinear as illustrated in the dotted lines (R ′, B ′) in FIG. There is a need. In FIG. 322, the EL current of R is increased at the gradation K2 or higher (R ′). Further, the EL current of R is increased at the gradation K1 or higher (B ′).

以上の制御は、階調に応じて、RGBの基準電流を変化させることにより容易に実現することができる。たとえば、Rに対しては、図323に図示するように基準電流を変化させてばよい。つまり、階調K2以上でRの基準電流比を1からRのEL素子の効率に逆比例させて増加させる。また、Bに対しては、図323に図示するように基準電流を変化させる。つまり、階調K1以上でBの基準電流比を1からBのEL素子の効率に逆比例させて増加させる。   The above control can be easily realized by changing the RGB reference current according to the gradation. For example, for R, the reference current may be changed as shown in FIG. That is, the reference current ratio of R is increased in inverse proportion to the efficiency of the EL element of 1 to R at gradation K2 or higher. For B, the reference current is changed as shown in FIG. That is, the reference current ratio of B is increased in inverse proportion to the efficiency of the EL elements of 1 to B at the gradation K1 or higher.

有機EL表示パネルのように、自己発光デバイスは固定パターン表示時での画像焼付けが課題となる。焼付けとは、有機ELの材料などが発光などで劣化し、発光強度が低下する現象などをいう。この焼付けを防止するためには、固定パターンの表示時に表示画像の表示位置を時間的に移動させるのが得策である。たとえば、1分間隔で画面位置を移動させる。移動は1画素あるいは2画素程度にすることが好ましい。3画素以上では、表示画像が移動したこと視覚的に認識されてしまう。   As in the organic EL display panel, the self-luminous device has a problem of image printing at the time of displaying a fixed pattern. Baking refers to a phenomenon in which an organic EL material or the like deteriorates due to light emission or the like, and the light emission intensity decreases. In order to prevent this burn-in, it is advantageous to move the display position of the display image in time when the fixed pattern is displayed. For example, the screen position is moved at 1 minute intervals. The movement is preferably about one pixel or two pixels. With three or more pixels, it is visually recognized that the display image has moved.

表示画像1264の移動とは、図177に図示するように、位置193aに移動させたり、位置193bの位置に移動させたりすることである。移動が上下、左右に1画素あるいは2画素の移動を行う。   The display image 1264 is moved to a position 193a or a position 193b as shown in FIG. 177. The movement is one pixel or two pixels vertically and horizontally.

移動タイミングは、点灯率で判断する。点灯率が急変するときに画面移動制御を行う。点灯率が急変の状態とは、画面が暗い状態から明るい状態(たとえば、夜のシーンから、昼の海のシーンへの変化など)、画面が明るい状態から暗い状態の変化、ドラマのシーンからCMのシーンの変更などである。   The movement timing is determined by the lighting rate. Screen movement control is performed when the lighting rate changes suddenly. A sudden change in lighting rate means that the screen is dark to bright (for example, a change from a night scene to a daytime sea scene), the screen is bright to dark, or a drama scene to CM. Such as a change of the scene.

点灯率が急変する状態では、シーン(画面)が急変する状態である。画面の状態が急変するため、画像の表示位置が変化しても視覚的に認識されることはない。画像の内容(画像の表示状態)が全く変化する場合がほとんどだからである。この点灯率の急変を利用して画像の表示位置を変化させ固定パターンの焼付けを抑制することができる。   In the state where the lighting rate changes suddenly, the scene (screen) changes suddenly. Since the screen state changes suddenly, it is not visually recognized even if the display position of the image changes. This is because the content of the image (the display state of the image) is almost completely changed. By utilizing this sudden change in the lighting rate, it is possible to change the display position of the image and suppress the burning of the fixed pattern.

点灯率が急変とは、変化が2倍あるいは1/2以上変化した場合である。たとえば、ある時刻での点灯率が10%であれば、点灯率が20%以上あるいは点灯率が5%以下に変化する状態である。以上のように、点灯率が変化した場合に、画面の表示位置を変化させる。画面の表示位置の変化は水平あるいは垂直方向のスタートパルスを1クロックあるいは2クロック分遅延させることにより行う。この動作はカウンタの比較値を変化させることにより実現できる。   The sudden change in the lighting rate is a case where the change has changed twice or 1/2 or more. For example, if the lighting rate at a certain time is 10%, the lighting rate changes to 20% or more or the lighting rate changes to 5% or less. As described above, when the lighting rate changes, the display position of the screen is changed. The display position on the screen is changed by delaying the horizontal or vertical start pulse by one clock or two clocks. This operation can be realized by changing the comparison value of the counter.

なお、点灯率が急変する時とは、アノード電流あるいはカソード電流が急変する時と同義である。したがって、点灯率の急変とは、アノード電流あるいはカソード電流が2倍あるいは1/2以上変化する場合である。この場合に画面位置を変化させる。たとえば、アノード電流またはカソード電流が50mAであれば、アノード電流またはカソード電流が100mA以上あるいは25mA以下に変化した場合に、画面位置を変化させる。   Note that the time when the lighting rate changes suddenly is synonymous with the time when the anode current or cathode current changes suddenly. Therefore, the sudden change in the lighting rate is a case where the anode current or the cathode current changes twice or 1/2 or more. In this case, the screen position is changed. For example, if the anode current or cathode current is 50 mA, the screen position is changed when the anode current or cathode current changes to 100 mA or more or 25 mA or less.

また、本発明では、点灯率、アノード電流あるいはカソード電流は、duty比と連動させる。したがって、点灯率が急変とは、duty比が2倍あるいは1/2以上変化した状態と同義である。つまり、duty比が変化したあるいは変化させた場合に、duty比と連動させて画面位置を変化させる。たとえば、図178に図示するように、点灯率1〜25%の時(duty比1.0)に、矢印のようにduty比が0.5に変化させた場合に、画面の表示位置を変化させる。   In the present invention, the lighting rate, the anode current, or the cathode current is linked with the duty ratio. Therefore, a sudden change in the lighting rate is synonymous with a state in which the duty ratio has changed twice or 1/2 or more. That is, when the duty ratio is changed or changed, the screen position is changed in conjunction with the duty ratio. For example, as shown in FIG. 178, when the duty ratio is changed to 0.5 as shown by an arrow when the lighting rate is 1 to 25% (duty ratio 1.0), the display position of the screen is changed. Let

なお、以上の実施例では、点灯率などが変化するときに、画面の表示位置を変化させるとしたが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、表示パネルが点灯状態になるとき(たとえば、電源がオンされたとき)に、画面表示位置が前回の表示位置と変化させるものであってもよい。つまり、電源をオンオフするたびに画面の表示位置を変化させる。   In the above embodiment, when the lighting rate or the like changes, the display position of the screen is changed. However, the present invention is not limited to this. For example, when the display panel is turned on (for example, when the power is turned on), the screen display position may be changed from the previous display position. That is, the display position of the screen is changed every time the power is turned on / off.

また、焼きつきを防止するには、画像のエッジをぼかすことも有効である。つまり、画像データを積分(ローパスフィルタ)することにより、画像のエッジがぼける(微分を反対の処理である)。特に点灯率が低いときは、黒表示に画像が表示され、また、点灯率が低い時はduty比を低くするので画素の輝度が高い。したがって、焼付けがし易いなる。つまり、低点灯率の時に、画像のエッジをぼやかす(積分処理)をする。つまり、本発明は、点灯率に応じて、画像の積分処理を変化させる。点灯率が低いときは積分処理を大きくし、点灯率が高い時は積分処理を小さくする(通常の表示にする)。   It is also effective to blur the edges of the image in order to prevent burn-in. That is, by integrating (low-pass filter) the image data, the edge of the image is blurred (differentiation is the opposite process). In particular, when the lighting rate is low, an image is displayed in black display, and when the lighting rate is low, the duty ratio is lowered, so that the luminance of the pixel is high. Therefore, baking becomes easy. That is, the edge of the image is blurred (integration processing) when the lighting rate is low. That is, according to the present invention, the image integration process is changed according to the lighting rate. When the lighting rate is low, the integration process is increased, and when the lighting rate is high, the integration process is decreased (normal display).

以上の実施例を図179に図示する。積分処理比が1とは、積分処理をしない状態である。この比率が大きくなるにつれ、積分処理が強くなり、画素エッジがぼける。図179では、点灯率50%以上で通常表示であり、点灯率25〜50%で積分処理比4〜1に変化させる。点灯率25%以下では積分処理比4に固定する。以上のように制御することにより画素エッジの焼きつきを緩和することができる。   The above embodiment is illustrated in FIG. An integration processing ratio of 1 is a state where no integration processing is performed. As this ratio increases, integration processing becomes stronger and pixel edges are blurred. In FIG. 179, the normal display is performed when the lighting rate is 50% or more, and the integration processing ratio is changed to 4 to 1 when the lighting rate is 25 to 50%. When the lighting rate is 25% or less, the integration processing ratio is fixed to 4. By controlling as described above, image edge burn-in can be reduced.

なお、点灯率は、基本的にはアノード電流あるいはカソード電流の大きさと同義である。したがって、アノード電流あるいはカソード電流の大きさに対応して積分処理比を変化させてもよい。また、アノード電流あるいはカソード電流は、duty比と連動させる。したがって、duty比に連動させて、積分処理比を変化させてもよい。   The lighting rate is basically synonymous with the magnitude of the anode current or the cathode current. Therefore, the integration processing ratio may be changed according to the magnitude of the anode current or the cathode current. The anode current or the cathode current is linked with the duty ratio. Therefore, the integration processing ratio may be changed in conjunction with the duty ratio.

合に、duty比と連動させて画面位置を変化させる。たとえば、図178に図示するように、点灯率1〜25%の時(duty比1.0)に、矢印のようにduty比が0.5に変化させた場合に、画面の表示位置を変化させる。   In addition, the screen position is changed in conjunction with the duty ratio. For example, as shown in FIG. 178, when the duty ratio is changed to 0.5 as shown by an arrow when the lighting rate is 1 to 25% (duty ratio 1.0), the display position of the screen is changed. Let

なお、以上の実施例では、点灯率などが変化するときに、画面の表示位置を変化させるとしたが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、表示パネルが点灯状態になるとき(たとえば、電源がオンされたとき)に、画面表示位置が前回の表示位置と変化させるものであってもよい。つまり、電源をオンオフするたびに画面の表示位置を変化させる。   In the above embodiment, when the lighting rate or the like changes, the display position of the screen is changed. However, the present invention is not limited to this. For example, when the display panel is turned on (for example, when the power is turned on), the screen display position may be changed from the previous display position. That is, the display position of the screen is changed every time the power is turned on / off.

また、図192に図示するように、4:3の画面に16:9などのワイド表示を行う場合は、図192(a)と図192(b)で図示するように1画素行あるいは2画素行をずらせてもよい。この制御は、以上に説明したように、点灯率制御、基準電流制御、duty比制御、アノード(カソード)電流制御、オンオフ制御に同期して実施するとよい。   As shown in FIG. 192, when a wide display such as 16: 9 is performed on a 4: 3 screen, one pixel row or two pixels as shown in FIGS. 192 (a) and 192 (b). You may shift the line. As described above, this control is preferably performed in synchronization with the lighting rate control, the reference current control, the duty ratio control, the anode (cathode) current control, and the on / off control.

本明細書において、基準電流を変化させるとして説明をした。基準電流を変化させることは、ソース信号線に流れるプログラム電流Iwを変化させることである。したがって、基準電流を可変あるいは制御もしくは調整するとは、ソース信号線18に流れるプログラム電流Iwを可変あるいは制御もしくは調整すると置き換えることができることは言うまでもない。   In the present specification, the reference current has been described as being changed. Changing the reference current means changing the program current Iw flowing through the source signal line. Therefore, it goes without saying that changing or controlling or adjusting the reference current can be replaced by changing, controlling or adjusting the program current Iw flowing through the source signal line 18.

なお、本発明は、基準電流を変化することによりソースドライバ回路14の端子155から出力する電流を比例的に、あるいは一定の割合で、もしくは所定の関係を維持した状態で、変更、調整あるいは可変もしくは制御できることを特徴としている。   Note that the present invention changes, adjusts, or changes the current output from the terminal 155 of the source driver circuit 14 proportionally, at a constant rate, or while maintaining a predetermined relationship by changing the reference current. Or it can be controlled.

本発明の駆動方法において、プログラム電流IwとEL素子15に流れる電流Ieは略一致する。したがって、基準電流を可変あるいは制御もしくは調整するとは、駆動用トランジスタあるいはEL素子15に流れる電流Ie(Iw)を可変あるいは制御もしくは調整すると置き換えることができることは言うまでもない。ただし、図31、図36などの画素構成では、EL素子15に流れる電流IeとIwとは一致しない。しかし、基準電流を可変あるいは制御もしくは調整するとは、ソース信号線18に流れるプログラム電流Iwを可変あるいは制御もしくは調整すると言うことはでき、略比例的にEL素子15に流れる電流を可変あるいは制御もしくは調整すると置き換えることができることは言うまでもない。   In the driving method of the present invention, the program current Iw and the current Ie flowing through the EL element 15 are substantially the same. Accordingly, it goes without saying that changing or controlling or adjusting the reference current can be replaced by changing or controlling or adjusting the current Ie (Iw) flowing through the driving transistor or EL element 15. However, in the pixel configuration shown in FIGS. 31 and 36, the currents Ie and Iw flowing through the EL element 15 do not match. However, changing, controlling, or adjusting the reference current can be said to change, control, or adjust the program current Iw that flows through the source signal line 18. The current that flows through the EL element 15 can be varied, controlled, or adjusted approximately proportionally. Needless to say, it can be replaced.

また、図128、図129、図130などで説明したように、基準電流を変化させることは、ソース信号線18の電位を変化させることである。たとえば、基準電流を増大させるとプログラム電流Iwは比例して(相関して)大きくなり、ソース信号線18の電位を低下させる(駆動用トランジスタがPチャンネルの時)。逆に、基準電流を小さくするとプログラム電流Iwは比例して(相関して)小さくなり、ソース信号線18の電位を上昇させる(駆動用トランジスタがPチャンネルの時)。したがって、基準電流を可変あるいは制御もしくは調整するとは、ソース信号線18の電位を、比例的に、あるいは一定の割合で、もしくは所定の関係を維持した状態で、変更、調整あるいは可変もしくは制御できると置き換えることができる。   In addition, as described with reference to FIGS. 128, 129, 130, etc., changing the reference current means changing the potential of the source signal line 18. For example, when the reference current is increased, the program current Iw is increased proportionally (correlated), and the potential of the source signal line 18 is decreased (when the driving transistor is a P channel). On the contrary, when the reference current is reduced, the program current Iw is reduced proportionally (correlatedly), and the potential of the source signal line 18 is increased (when the driving transistor is a P channel). Therefore, the reference current can be varied, controlled, or adjusted when the potential of the source signal line 18 can be changed, adjusted, varied, or controlled proportionally, at a constant rate, or while maintaining a predetermined relationship. Can be replaced.

図271から図276で説明した本発明の駆動方法では、複数の画素行を同時に選択し、プログラム電流Iwを選択した画素行に分割して(平均して)印加する。たとえば、4画素行を同時に選択し、プログラム電流がIwとすると、理想的には1画素行に書き込まれるプログラム電流IpはIw/4となる。また、2画素行を同時に選択し、プログラム電流がIwとすると、理想的には1画素行に書き込まれるプログラム電流IpはIw/2となる。   In the driving method of the present invention described with reference to FIGS. 271 to 276, a plurality of pixel rows are simultaneously selected, and the program current Iw is divided into the selected pixel rows and applied (averaged). For example, if four pixel rows are simultaneously selected and the program current is Iw, the program current Ip written to one pixel row is ideally Iw / 4. If two pixel rows are selected simultaneously and the program current is Iw, the program current Ip written to one pixel row is ideally Iw / 2.

以上のように駆動すると、1画素行には選択された画素数で分割されたプログラム電流Ipが書き込まれる。したがって、画素16の表示輝度は分割された画素行分の1になる。したがって、表示輝度は暗くなる。これを防止するためには、基準電流を増加させればよい。たとえば、図171のように、2画素行を同時に選択した場合は、基準電流を2倍にすることにより輝度低下することはなくなる。つまり、本発明の駆動方法は、選択した画素数倍に基準電流を増加させて駆動するものである。   When driven as described above, the program current Ip divided by the selected number of pixels is written in one pixel row. Therefore, the display luminance of the pixel 16 is one for the divided pixel rows. Therefore, the display brightness is dark. In order to prevent this, the reference current may be increased. For example, as shown in FIG. 171, when two pixel rows are simultaneously selected, the luminance is not lowered by doubling the reference current. In other words, the driving method of the present invention is to drive by increasing the reference current by the number of selected pixels.

なお、増加させる基準電流は、完全に選択した画素数倍にする必要はない。評価結果によれば、選択した画素数をNとし、増加させる基準電流の倍率をCとした時、N・Cは0.8以上1.2以下に制御すればよい。この範囲であればフリッカなどは発生せず、良好な画像表示を実現できる。   Note that the reference current to be increased need not be double the number of pixels selected completely. According to the evaluation result, when the number of selected pixels is N and the magnification of the reference current to be increased is C, N · C may be controlled to 0.8 or more and 1.2 or less. Within this range, flicker or the like does not occur and a good image display can be realized.

本発明は以上の実施例に限定されない。選択する画素行数(選択信号線数:図277(a)(b)〜図279(a)(b)の縦軸)を点灯率により変化させてもよい。図277(a)(b)では、点灯率25%以下で選択信号線数(画素行数)を2画素行とし(図271の駆動方法となる)、点灯率25%以上では、選択信号線数(画素行数)を1画素行とし(図23の駆動方法となる)としている。また、点灯率25%以下では、画素16の輝度が低下することがないように、基準電流(基準電流比)も2倍としている(点灯率25%以上の範囲に対して)。   The present invention is not limited to the above embodiments. The number of pixel rows to be selected (number of selection signal lines: vertical axes in FIGS. 277 (a) and (b) to 279 (a) and 279) may be changed depending on the lighting rate. In FIGS. 277 (a) and (b), the number of selection signal lines (number of pixel rows) is 2 pixel rows when the lighting rate is 25% or less (the driving method of FIG. 271), and the selection signal lines are used when the lighting rate is 25% or more. The number (number of pixel rows) is one pixel row (the driving method in FIG. 23 is used). Further, when the lighting rate is 25% or less, the reference current (reference current ratio) is also doubled (with respect to a range where the lighting rate is 25% or more) so that the luminance of the pixel 16 does not decrease.

以上のように、点灯率に応じて選択する画素行数を変化させ、また、基準電流比を変化させるのは、低点灯率領域において画面144に黒表示領域が多く、クロストークが目立ちやすいためである。クロストークはプログラム電流Iwを大きくするほど、解消する。プログラム電流Iwは基準電流Icの大きさに比例する。したがって、基準電流Ic(基準電流比)を大きくすることにより、プログラム電流Iwが大きくなり、クロストークが解消する。しかし、プログラム電流Iwが大きくなると画素の輝度も比例して高くなってしまう。これを解消するために図271で説明した駆動法を実施して選択本数を多くし、プログラム電流Iwを選択した画素行分の1のIpとすることにおり輝度がたかくなることを防止する。   As described above, the number of pixel rows to be selected is changed according to the lighting rate, and the reference current ratio is changed because the black display region is large on the screen 144 in the low lighting rate region and crosstalk is easily noticeable. It is. Crosstalk is eliminated as the program current Iw is increased. The program current Iw is proportional to the magnitude of the reference current Ic. Therefore, by increasing the reference current Ic (reference current ratio), the program current Iw increases and crosstalk is eliminated. However, as the program current Iw increases, the luminance of the pixel also increases in proportion. In order to solve this problem, the driving method described with reference to FIG. 271 is performed to increase the number of selections, and the programming current Iw is set to 1 Ip for the selected pixel row, thereby preventing the luminance from increasing.

図277(a)(b)では、点灯率25%以下で選択信号線数(画素行数)を2画素行とし、基準電流比を2倍とする。したがって、画素16の輝度は、選択信号線数(画素行数)を1画素行とし、基準電流比を1倍とした場合と同一になる。点灯率25%以上では、図23と同一の駆動方法であり、選択信号線数(画素行数)を1画素行とし、基準電流(基準電流比)も1倍としている。   In FIGS. 277 (a) and (b), the lighting rate is 25% or less, the number of selection signal lines (number of pixel rows) is two pixel rows, and the reference current ratio is doubled. Therefore, the luminance of the pixel 16 is the same as when the number of selection signal lines (number of pixel rows) is one pixel row and the reference current ratio is one. When the lighting rate is 25% or more, the driving method is the same as that in FIG. 23, the number of selection signal lines (number of pixel rows) is one pixel row, and the reference current (reference current ratio) is also one.

本発明はこれに限定するものではない。図278(a)(b)のように駆動してもよい。図278(a)(b)では、点灯率25%以下で選択信号線数(画素行数)を2画素行とし、基準電流比を4倍とする。したがって、画素16の輝度は従来に対して2倍となる。しかし、基準電流比が4倍となっているので、クロストークの発生は完全に防止できる。なお、輝度が2倍になることを抑制するためには、点灯率25%以下の領域において、duty比を1/2とすればよい。つまり、選択信号線数(画素行数)と、基準電流比と、duty比を連動させればよい。   The present invention is not limited to this. You may drive like FIG. 278 (a) (b). 278 (a) and 278 (b), the lighting rate is 25% or less, the number of selection signal lines (number of pixel rows) is two pixel rows, and the reference current ratio is four times. Therefore, the luminance of the pixel 16 is twice that of the prior art. However, since the reference current ratio is four times, the occurrence of crosstalk can be completely prevented. In order to suppress the luminance from doubling, the duty ratio may be halved in an area where the lighting rate is 25% or less. That is, the selection signal line number (pixel row number), the reference current ratio, and the duty ratio may be linked.

図278(a)(b)では、点灯率25%以上75%以下では、選択信号線数(画素行数)を1画素行とし、基準電流比を2倍とする。したがって、画素16の輝度は従来に対して2倍となる。輝度が2倍になることを抑制するためには、duty比を1/2とすればよい。同様に、点灯率75%以上では、選択信号線数(画素行数)を1画素行とし、基準電流比を1倍とする。したがって、画素16の輝度は、duty比を1/1とすれば従来と同一である。なお、この点灯率領域などにおいて、duty比を1/1未満とすることにより画面144の輝度を抑制でき、パネルの消費電力を抑制できる。   In FIGS. 278 (a) and 278 (b), when the lighting rate is 25% or more and 75% or less, the number of selection signal lines (number of pixel rows) is one pixel row and the reference current ratio is doubled. Therefore, the luminance of the pixel 16 is twice that of the prior art. In order to suppress the luminance from doubling, the duty ratio may be halved. Similarly, when the lighting rate is 75% or more, the number of selection signal lines (number of pixel rows) is one pixel row, and the reference current ratio is 1 time. Therefore, the luminance of the pixel 16 is the same as that of the prior art when the duty ratio is 1/1. In this lighting rate region and the like, by setting the duty ratio to less than 1/1, the luminance of the screen 144 can be suppressed and the power consumption of the panel can be suppressed.

図279(a)(b)は本発明の他の実施例である。図279(a)(b)では、点灯率25%以下で選択信号線数(画素行数)を4画素行とし、基準電流比を4倍とする。したがって、画素16の輝度は従来と同一である。基準電流比が4倍となっているので、クロストークの発生は完全に防止できる。点灯率25%以上50%以下では、選択信号線数(画素行数)を2画素行とし、基準電流比を2倍とする。したがって、画素16の輝度は従来と同様である。点灯率50%以上75%以下では選択信号線数(画素行数)を1画素行とし、基準電流比を2倍とする。したがって、画素16の輝度は従来の2倍となる。点灯率75%以上では、選択信号線数(画素行数)を1画素行とし、基準電流比を1倍とする。したがって、画素16の輝度は従来と同様である。   279 (a) and 279 (b) show another embodiment of the present invention. 279 (a) and 279 (b), the lighting rate is 25% or less, the number of selection signal lines (number of pixel rows) is four pixel rows, and the reference current ratio is quadrupled. Therefore, the luminance of the pixel 16 is the same as the conventional one. Since the reference current ratio is four times, the occurrence of crosstalk can be completely prevented. When the lighting rate is 25% or more and 50% or less, the number of selection signal lines (number of pixel rows) is two pixel rows, and the reference current ratio is doubled. Therefore, the luminance of the pixel 16 is the same as the conventional one. When the lighting rate is 50% to 75%, the number of selection signal lines (number of pixel rows) is one pixel row, and the reference current ratio is doubled. Therefore, the luminance of the pixel 16 is twice that of the conventional one. When the lighting rate is 75% or more, the number of selection signal lines (number of pixel rows) is one pixel row, and the reference current ratio is one. Therefore, the luminance of the pixel 16 is the same as the conventional one.

以上のように、本発明の駆動方法は、選択信号線数(画素行数)と、基準電流比と、duty比あるいはこれらの組み合わせにより制御を実施し、クロストークなどの発生を抑制するものである。   As described above, the driving method of the present invention controls the number of selected signal lines (number of pixel rows), the reference current ratio, the duty ratio, or a combination thereof to suppress the occurrence of crosstalk. is there.

以上のように、点灯率に基づいて、基準電流を変化させると説明しているが、点灯率に基づいて、ソース信号線に流れるプログラム電流Iwを変化させることであり、また、ソース信号線18に流れるプログラム電流Iwを可変あるいは制御もしくは調整することである。また、ソースドライバ回路14の端子155から出力する電流を比例的に、あるいは一定の割合で、もしくは所定の関係を維持した状態で、変更、調整あるいは可変もしくは制御することである。また、点灯率もしくはデータ和に基づいて、ソース信号線18の電位あるいは駆動用トランジスタのゲート端子電位を、比例的に、あるいは一定の割合で、もしくは所定の関係を維持した状態で、変更、調整あるいは可変もしくは制御することである。   As described above, it is described that the reference current is changed based on the lighting rate. However, the program current Iw flowing through the source signal line is changed based on the lighting rate, and the source signal line 18 is changed. The program current Iw flowing through the circuit is variable, controlled, or adjusted. In addition, the current output from the terminal 155 of the source driver circuit 14 is changed, adjusted, changed, or controlled proportionally, at a constant rate, or in a state where a predetermined relationship is maintained. Also, based on the lighting rate or data sum, the potential of the source signal line 18 or the gate terminal potential of the driving transistor is changed or adjusted proportionally, at a constant rate, or in a state where a predetermined relationship is maintained. Or it can be variable or controlled.

なお、点灯率に基づいてとは、映像信号のデータ和に基づいてとも置き換えることができることは言うまでもない。特に電流駆動の場合は、映像信号の大きさが画素16に流れる電流に比例するからである。また、点灯率はアノード端子(カソード端子)に流れる電流に比例あるいは相関する。したがって、点灯率に基づいてとはアノード端子(カソード端子)に流れる電流の大きさにもとづいてと置き換えることができることは言うまでもない。
本発明は第1の点灯率(アノード端子のアノード電流などでもよい)もしくは点灯率範囲(アノード端子のアノード電流範囲などでもよい)において、第1のFRCあるいは点灯率あるいはアノード(カソード)端子に流れる電流あるいは基準電流あるいはduty比あるいはパネル温度などもしくはこれらの組合せとして変化させる。また、第2の点灯率(アノード端子のアノード電流などでもよい)もしくは点灯率範囲(アノード端子のアノード電流範囲などでもよい)において、第2のFRCあるいは点灯率あるいはアノード(カソード)端子に流れる電流あるいは基準電流あるいはduty比あるいはパネル温度などもしくはこれらの組合せとして変化させる。もしくは、点灯率(アノード端子のアノード電流などでもよい)もしくは点灯率範囲(アノード端子のアノード電流範囲などでもよい)に応じて(適応して)、FRCあるいは点灯率あるいはアノード(カソード)端子に流れる電流あるいは基準電流あるいはduty比あるいはパネル温度などもしくはこれらの組合せとして変化させるものである。以上の事項は本発明の他の実施例においても適用できることは言うまでもない。
Needless to say, based on the lighting rate, it can be replaced based on the data sum of video signals. In particular, in the case of current drive, the magnitude of the video signal is proportional to the current flowing through the pixel 16. The lighting rate is proportional to or correlated with the current flowing through the anode terminal (cathode terminal). Therefore, it goes without saying that the replacement based on the lighting rate can be based on the magnitude of the current flowing through the anode terminal (cathode terminal).
The present invention flows to the first FRC or the lighting rate or the anode (cathode) terminal in the first lighting rate (which may be the anode current of the anode terminal) or the lighting rate range (which may be the anode current range of the anode terminal). The current, the reference current, the duty ratio, the panel temperature, or the like is changed. Further, in the second lighting rate (which may be the anode current of the anode terminal) or the lighting rate range (which may be the anode current range of the anode terminal), the current flowing through the second FRC, the lighting rate, or the anode (cathode) terminal. Alternatively, it is changed as a reference current, a duty ratio, a panel temperature, or a combination thereof. Or, depending on the lighting rate (which may be the anode current of the anode terminal) or the lighting rate range (which may be the anode current range of the anode terminal) (adapted), it flows to the FRC or the lighting rate or the anode (cathode) terminal. The current, the reference current, the duty ratio, the panel temperature, or the like or a combination thereof is changed. It goes without saying that the above matters can be applied to other embodiments of the present invention.

以下、本発明のEL表示パネルまたはEL表示装置もしくはその駆動方法などを用いた装置などについて説明をする。以下の装置は、以前に説明した本発明の装置または方法を実施する。図126は情報端末装置の一例としての携帯電話の平面図である。筐体1263にアンテナ1261、テンキー1262などが取り付けられている。1262などが表示色切換キーあるいは電源オンオフ、フレームレート切り替えキーである。   Hereinafter, an EL display panel or an EL display device of the present invention or a device using the driving method thereof will be described. The following apparatus implements the previously described apparatus or method of the present invention. FIG. 126 is a plan view of a mobile phone as an example of an information terminal device. An antenna 1261, a numeric keypad 1262, and the like are attached to the housing 1263. 1262 and the like are display color switching keys, power on / off, and frame rate switching keys.

キー1262を1度押さえると表示色は8色モードに、つづいて同一キー1262を押さえると表示色は4096色モード、さらにキー1262を押さえると表示色は26万色モードとなるようにシーケンスを組んでもよい。キーは押さえるごとに表示色モードが変化するトグルスイッチとする。なお、別途表示色に対する変更キーを設けてもよい。この場合、キー1262は3つ(以上)となる。   When the key 1262 is pressed once, the display color is set to the 8-color mode, then when the same key 1262 is pressed, the display color is set to the 4096 color mode, and when the key 1262 is pressed, the display color is set to the 260,000 color mode. But you can. The key is a toggle switch that changes the display color mode each time it is pressed. In addition, you may provide the change key with respect to a display color separately. In this case, there are three (or more) keys 1262.

キー1262はプッシュスイッチの他、スライドスイッチなどの他のメカニカルなスイッチでもよく、また、音声認識などにより切換るものでもよい。たとえば、4096色を受話器に音声入力すること、たとえば、「高品位表示」、「4096色モード」あるいは「低表示色モード」と受話器に音声入力することにより表示パネルの表示画面144に表示される表示色が変化するように構成する。これは現行の音声認識技術を採用することにより容易に実現することができる。   The key 1262 may be a push switch, a mechanical switch such as a slide switch, or may be switched by voice recognition or the like. For example, when 4096 colors are input to the receiver by voice input, for example, “high quality display”, “4096 color mode” or “low display color mode” is input to the receiver, the display screen 144 of the display panel is displayed. The display color is changed. This can be easily realized by adopting the current speech recognition technology.

また、表示色の切り替えは電気的に切換るスイッチでもよく、表示パネルの表示部144に表示させたメニューを触れることにより選択するタッチパネルでも良い。また、スイッチを押さえる回数で切換る、あるいはクリックボールのように回転あるいは方向により切換るように構成してもよい。   Further, the display color may be switched electrically, or a touch panel that is selected by touching a menu displayed on the display unit 144 of the display panel. Further, it may be configured to be switched by the number of times the switch is pressed, or to be switched by rotation or direction like a click ball.

1262は表示色切換キーとしたが、フレームレートを切換るキーなどとしてもよい。また、動画と静止画とを切換るキーなどとしてもよい。また、動画と静止画とフレームレートなどの複数の要件を同時に切り替えてもよい。また、押さえ続けると徐々に(連続的に)フレームレートが変化するように構成してもよい。この場合は発振器を構成するコンデンサC、抵抗Rのうち、抵抗Rを可変抵抗にしたり、電子ボリウムにしたりすることにより実現できる。また、コンデンサはトリマコンデンサとすることにより実現できる。また、半導体チップに複数のコンデンサを形成しておき、1つ以上のコンデンサを選択し、これらを回路的に並列に接続することにより実現してもよい。   Although 1262 is a display color switching key, it may be a key for switching the frame rate. Moreover, it is good also as a key etc. which switch a moving image and a still image. A plurality of requirements such as a moving image, a still image, and a frame rate may be switched at the same time. Alternatively, the frame rate may be changed gradually (continuously) as long as the pressure is kept pressed. This case can be realized by making the resistor R of the capacitor C and the resistor R constituting the oscillator a variable resistor or an electronic volume. The capacitor can be realized by using a trimmer capacitor. Alternatively, a plurality of capacitors may be formed on the semiconductor chip, one or more capacitors may be selected, and these may be connected in parallel in a circuit.

表示パネルに重要な機能は、複数のフォーマットの画像を表示できることである。たとえば、デジタルビデオカメラ(DVC)では、NTSCとPAL画像を表示できるようにする必要がある。以下、1つのパネルに複数フォーマットの画像を表示する方法について説明をする。なお、説明を容易にするため、表示パネルは横320RGB×縦240ドットのQVGAパネルであるとし、NTSC画像とPAL画像をこのQVGAの画素数のパネルで表示するとして説明をする。   An important function of the display panel is that images of a plurality of formats can be displayed. For example, a digital video camera (DVC) needs to be able to display NTSC and PAL images. Hereinafter, a method for displaying images of a plurality of formats on one panel will be described. For ease of explanation, it is assumed that the display panel is a QVGA panel of horizontal 320 RGB × vertical 240 dots, and an NTSC image and a PAL image are displayed on the panel having the number of pixels of QVGA.

図154は本発明の実施の形態におけるビューファインダの断面図である。但し、説明を容易にするため模式的に描いている。また一部拡大あるいは縮小した箇所が存在し、また、省略した箇所もある。たとえば、図154において、接眼カバーを省略している。以上のことは他の図面においても該当する。   FIG. 154 is a cross-sectional view of the viewfinder in the embodiment of the present invention. However, it is schematically drawn for easy explanation. In addition, there are parts that are partially enlarged or reduced, and some parts are omitted. For example, in FIG. 154, the eyepiece cover is omitted. The above also applies to other drawings.

ボデー1263の裏面は暗色あるいは黒色にされている。これは、EL表示パネル(表示装置)1264から出射した迷光がボデー1263の内面で乱反射し表示コントラストの低下を防止するためである。また、表示パネルの光出射側には位相板(λ/4板など)38、偏光板39などが配置されている。このことは図3、図4でも説明している。   The back surface of the body 1263 is dark or black. This is because stray light emitted from the EL display panel (display device) 1264 is diffusely reflected on the inner surface of the body 1263 to prevent a decrease in display contrast. Further, a phase plate (λ / 4 plate or the like) 38, a polarizing plate 39, or the like is disposed on the light emission side of the display panel. This is also explained in FIG. 3 and FIG.

接眼リング1541には拡大レンズ1542が取り付けられている。観察者は接眼リング1541をボデー1263内での挿入位置を可変して、表示パネル1264の表示画面144にピントがあうように調整する。   A magnifying lens 1542 is attached to the eyepiece ring 1541. The observer adjusts the eyepiece ring 1541 so that the display screen 144 of the display panel 1264 is in focus by changing the insertion position of the eyepiece ring 1541 in the body 1263.

また、必要に応じて表示パネル1264の光出射側に正レンズ1543を配置すれば、拡大レンズ1542に入射する主光線を収束させることができる。そのため、拡大レンズ1542のレンズ径を小さくすることができ、ビューファインダを小型化することができる。   Further, if the positive lens 1543 is disposed on the light exit side of the display panel 1264 as necessary, the principal ray incident on the magnifying lens 1542 can be converged. Therefore, the lens diameter of the magnifying lens 1542 can be reduced, and the viewfinder can be downsized.

図155はビデオカメラの斜視図である。ビデオカメラは撮影(撮像)レンズ部1552とビデオカメラ本体1263と具備し、撮影レンズ部1552とビューファインダ部1263とは背中合わせとなっている。また、ビューファインダ(図154も参照)1263には接眼カバーが取り付けられている。観察者(ユーザー)はこの接眼カバー部から表示パネル1264の表示画面144を観察する。   FIG. 155 is a perspective view of the video camera. The video camera includes a photographing (imaging) lens unit 1552 and a video camera main body 1263, and the photographing lens unit 1552 and the viewfinder unit 1263 are back to back. An eyepiece cover is attached to the viewfinder (see also FIG. 154) 1263. An observer (user) observes the display screen 144 of the display panel 1264 from the eyepiece cover portion.

一方、本発明のEL表示パネルは表示モニターとしても使用されている。表示部144は支点1551で角度を自由に調整できる。表示部144を使用しない時は、格納部1553に格納される。   On the other hand, the EL display panel of the present invention is also used as a display monitor. The display portion 144 can freely adjust the angle at a fulcrum 1551. When the display unit 144 is not used, it is stored in the storage unit 1553.

スイッチ1554は以下の機能を実施する切り替えあるいは制御スイッチである。スイッチ1554は表示モード切り替えスイッチである。スイッチ1554は、携帯電話などにも取り付けることが好ましい。この表示モード切り替えスイッチ1554について説明をする。   The switch 1554 is a changeover or control switch that performs the following functions. A switch 1554 is a display mode switching switch. The switch 1554 is preferably attached to a mobile phone or the like. The display mode changeover switch 1554 will be described.

本発明の駆動方法の1つにN倍の電流をEL素子15に流し、1Fの1/Mの期間だけ点灯させる方法がある。この点灯させる期間を変化させることのより、明るさをデジタル的に変更することができる。たとえば、N=4として、EL素子15には4倍の電流を流す。点灯期間を1/Mとし、M=1、2、3、4と切り替えれば、1倍から4倍までの明るさ切り替えが可能となる。なお、M=1、1.5、2、3、4、5、6などと変更できるように構成してもよい。   As one of the driving methods of the present invention, there is a method in which an N-fold current is supplied to the EL element 15 to light it for a period of 1 / M of 1F. The brightness can be changed digitally by changing the lighting period. For example, assuming that N = 4, a current that is four times as large as the EL element 15 is passed. If the lighting period is set to 1 / M and M = 1, 2, 3, and 4 are switched, the brightness can be switched from 1 to 4 times. In addition, you may comprise so that it can change with M = 1, 1.5, 2, 3, 4, 5, 6, etc.

以上の切り替え動作は、携帯電話、モニターなどの電源をオンしたときに、表示画面144を非常に明るく表示し、一定の時間を経過した後は、電力セーブするために、表示輝度を低下させる構成に用いる。また、ユーザーが希望する明るさに設定する機能としても用いることができる。たとえば、屋外などでは、画面を非常に明るくする。屋外では周辺が明るく、画面が全く見えなくなるからである。しかし、高い輝度で表示し続けるとEL素子15は急激に劣化する。そのため、非常に明るくする場合は、短時間で通常の輝度に復帰させるように構成しておく。さらに、高輝度で表示させる場合は、ユーザーがボタンと押すことにより表示輝度を高くできるようの構成しておく。   The above switching operation is configured to display the display screen 144 very brightly when a power source of a mobile phone, a monitor, etc. is turned on, and to reduce the display brightness in order to save power after a certain period of time. Used for. It can also be used as a function for setting the brightness desired by the user. For example, when outdoors, the screen is very bright. This is because the surroundings are bright outdoors and the screen cannot be seen at all. However, if the display is continued with high luminance, the EL element 15 deteriorates rapidly. For this reason, when it is very bright, it is configured to return to normal luminance in a short time. Further, in the case of displaying with high brightness, the display brightness can be increased by the user pressing the button.

したがって、ユーザーがボタン1554で切り替えできるようにしておくか、設定モードで自動的に変更できるか、外光の明るさを検出して自動的に切り替えできるように構成しておくことが好ましい。また、表示輝度を50%、60%、80%とユーザーなどが設定できるように構成しておくことが好ましい。   Therefore, it is preferable that the user can be switched with the button 1554, can be automatically changed in the setting mode, or can be automatically switched by detecting the brightness of external light. Further, it is preferable that the display brightness is set to 50%, 60%, and 80% and can be set by the user.

なお、表示画面144はガウス分布表示にすることが好ましい。ガウス分布表示とは、中央部の輝度が明るく、周辺部を比較的暗くする方式である。視覚的には、中央部が明るければ周辺部が暗くとも明るいと感じられる。主観評価によれば、周辺部が中央部に比較して70%の輝度を保っておれば、視覚的に遜色ない。さらに低減させて、50%輝度としてもほぼ、問題がない。本発明の自己発光型表示パネルでは、以前に説明したN倍パルス駆動(N倍の電流をEL素子15に流し、1Fの1/Mの期間だけ点灯させる方法)を用いて画面の上から下方向に、ガウス分布を発生させている。   The display screen 144 is preferably a Gaussian distribution display. The Gaussian distribution display is a method in which the brightness at the center is bright and the periphery is relatively dark. Visually, if the central part is bright, it is felt bright even if the peripheral part is dark. According to the subjective evaluation, if the peripheral part keeps 70% of brightness compared to the central part, it is visually inferior. Even if the brightness is further reduced to 50% luminance, there is almost no problem. In the self-luminous display panel of the present invention, the above-described N-fold pulse driving (a method in which an N-fold current is supplied to the EL element 15 and the light is lit for 1 / M of 1F) is used from the top to the bottom of the screen. A Gaussian distribution is generated in the direction.

具体的には、画面の上部と下部ではMの値と大きくし、中央部でMの値を小さくする。これは、ゲートドライバ回路12のシフトレジスタの動作速度を変調することなどにより実現する。画面の左右の明るさ変調は、テーブルのデータと映像データとを乗算することにより発生させている。以上の動作により、周辺輝度(画角0.9)を50%にした時、100%輝度の場合に比較して約20%の低消費電力化が可能である。周辺輝度(画角0.9)を70%にした時、100%輝度の場合に比較して約15%の低消費電力化が可能である。   Specifically, the value of M is increased at the top and bottom of the screen, and the value of M is decreased at the center. This is realized by modulating the operation speed of the shift register of the gate driver circuit 12 or the like. The left and right brightness modulation of the screen is generated by multiplying the table data and the video data. With the above operation, when the peripheral luminance (angle of view 0.9) is 50%, the power consumption can be reduced by about 20% compared to the case of 100% luminance. When the peripheral luminance (angle of view 0.9) is 70%, the power consumption can be reduced by about 15% compared to the case of 100% luminance.

なお、ガウス分布表示はオンオフできるように切り替えスイッチなどを設けることが好ましい。たとえば、屋外などで、ガウス表示させると画面周辺部が全く見えなくなるからである。したがって、ユーザーがボタンで切り替えできるようにしておくか、設定モードで自動的に変更できるか、外光の明るさを検出して自動的に切り替えできるように構成しておくことが好ましい。また、周辺輝度を50%、60%、80%とユーザーなどが設定できるように構成しておくことがこのましい。   It is preferable to provide a changeover switch or the like so that the Gaussian distribution display can be turned on and off. This is because, for example, when the Gaussian display is used outdoors, the periphery of the screen cannot be seen at all. Therefore, it is preferable that the user can be switched with a button, can be automatically changed in a setting mode, or can be switched automatically by detecting the brightness of external light. In addition, it is preferable that the peripheral brightness is set to 50%, 60%, and 80% so that the user can set it.

液晶表示パネルではバックライトで固定のガウス分布を発生させている。したがって、ガウス分布のオンオフを行うことはできない。ガウス分布をオンオフできるのは自己発光型の表示デバイス特有の効果である。   In a liquid crystal display panel, a fixed Gaussian distribution is generated by a backlight. Therefore, the Gaussian distribution cannot be turned on / off. The fact that the Gaussian distribution can be turned on / off is an effect peculiar to a self-luminous display device.

図3で説明したように、カソード電極36はアルミからなる薄膜で形成または構成される。アルミからなる薄膜は鏡面性を有し、反射率が高いため鏡として利用できる。したがって、EL表示パネルは、表面は画面144として画像表示に利用し、裏面は鏡として利用することができる。ただし、乾燥剤37はカソード36から鏡面を遮光しないように、使用領域の周辺部に配置する。   As described with reference to FIG. 3, the cathode electrode 36 is formed or constituted by a thin film made of aluminum. A thin film made of aluminum has specularity and high reflectivity, so that it can be used as a mirror. Therefore, the front surface of the EL display panel can be used for image display as the screen 144, and the back surface can be used as a mirror. However, the desiccant 37 is disposed in the periphery of the use region so as not to shield the mirror surface from the cathode 36.

図325は本発明の表示装置の断面図である。図325は表面を画像表示画面144として利用(B方向からみる)し、A方向から見ることにより鏡として利用できるように構成した本発明の表示装置である。表示パネル1264は支点1551で回転できるように構成されている。したがって、パネル1264の保持角度によって、鏡として利用したり、モニターとして利用したりすることを容易に実現できる。   FIG. 325 is a cross-sectional view of the display device of the present invention. FIG. 325 shows a display device of the present invention configured so that the surface can be used as an image display screen 144 (viewed from the B direction) and used as a mirror when viewed from the A direction. The display panel 1264 is configured to be rotatable at a fulcrum 1551. Therefore, depending on the holding angle of the panel 1264, it can be easily used as a mirror or as a monitor.

また、図326は鏡として利用したり、モニターとして利用したりできる表示装置の第2の実施例である。図326(a)がEL表示パネルをモニターとして使用している状態であり、図326(c)が鏡として利用している状態である。図326(b)はモニター使用状態から鏡使用状態もしくは鏡使用状態からモニター使用状態への変更状態である。   FIG. 326 shows a second embodiment of a display device that can be used as a mirror or a monitor. FIG. 326 (a) shows a state where the EL display panel is used as a monitor, and FIG. 326 (c) shows a state where the EL display panel is used as a mirror. FIG. 326 (b) shows a change state from the monitor use state to the mirror use state or from the mirror use state to the monitor use state.

図326(a)ではパネル1264の格納部1561にパネル1264が格納されている。鏡として使用する時には、図326(b)に図示するように、パネル1264を格納部1561から取り出し、支点1551で回転させてパネル1264の表と裏とをひっくり返す。その後、表示パネル1264の鏡面(カソード36面)を上にして格納部1564内に格納する(図326(c))。モニターとして使用する時には、図326(b)に図示するように、パネル1264を格納部1561から取り出し、支点1551で回転させてパネル1264の表と裏とをひっくり返す。その後、表示パネル1264の画素電極35を上にして格納部1564内に格納する(図326(a))。なお、以上の実施例は、図3に図示するように、光をB方向から取り出す構成の場合である。図4のようにA側から光を取り出す場合は、逆の関係になることは言うまでもない。   In FIG. 326 (a), the panel 1264 is stored in the storage unit 1561 of the panel 1264. When used as a mirror, as shown in FIG. 326 (b), the panel 1264 is taken out of the storage portion 1561, rotated at a fulcrum 1551, and the panel 1264 is turned upside down. Thereafter, the display panel 1264 is stored in the storage unit 1564 with the mirror surface (cathode 36 surface) facing upward (FIG. 326 (c)). When used as a monitor, as shown in FIG. 326 (b), the panel 1264 is taken out of the storage portion 1561 and rotated around a fulcrum 1551 so that the front and back of the panel 1264 are turned over. Thereafter, the image is stored in the storage portion 1564 with the pixel electrode 35 of the display panel 1264 facing upward (FIG. 326 (a)). The above embodiment is a case where light is extracted from the B direction as shown in FIG. Needless to say, when the light is extracted from the A side as shown in FIG.

フレームレートが所定の時、室内の蛍光灯などの点灯状態と干渉してフリッカが発生する場合がある。つまり、蛍光灯が60Hzの交流で点灯しているとき、EL表示素子15がフレームレート60Hzで動作していると、微妙な干渉が発生し、画面がゆっくりと点滅しているように感じられる場合がある。これをさけるにはフレームレートを変更すればよい。本発明はフレームレートの変更機能を付加している。また、N倍パルス駆動(N倍の電流をEL素子15に流し、1Fの1/Mの期間だけ点灯させる方法)において、NまたはMの値を変更できるように構成している(図23、図54(a)〜(c)なども参照のこと)。   When the frame rate is predetermined, flicker may occur due to interference with the lighting state of an indoor fluorescent lamp or the like. That is, when the fluorescent lamp is lit at an alternating current of 60 Hz, if the EL display element 15 operates at a frame rate of 60 Hz, a slight interference occurs and the screen feels slowly blinking. There is. To avoid this, change the frame rate. The present invention adds a frame rate changing function. Further, the N or M value can be changed in N-fold pulse driving (a method in which an N-fold current is supplied to the EL element 15 and lighted only for a period of 1 / M of 1F) (FIG. 23). (See also FIGS. 54A to 54C).

また、図317に図示するようにフレームレートに応じて画面の分割数を可変できるように構成することが好ましい。フレームレートが低い時は、図54(c)に図示するように分割数(非点灯領域192を複数に分割して画面144を構成する)を多くする。フレームレートが高い時は、図54(a)に図示するように、非点灯領域192は一括して画面144に挿入する。   Further, as shown in FIG. 317, it is preferable that the number of screen divisions can be varied in accordance with the frame rate. When the frame rate is low, as shown in FIG. 54C, the number of divisions (the non-lighting area 192 is divided into a plurality of parts to configure the screen 144) is increased. When the frame rate is high, as shown in FIG. 54A, the non-lighting area 192 is inserted into the screen 144 in a lump.

たとえば、地上波のデジタルモバイルテレビの伝送フレームレートは15Hzである。この時は、フレームレートが低いため、図54(c)に図示するように非点灯領域192を複数に分割する必要がある。しかし、現在の地上波のアナログテレビの伝送フレームレートは60Hzである。この時は、フレームレートが高いため、図54(a)に図示するように非点灯領域192を一括して挿入し、動画表示性能を確保することが好ましい。つまり、用途あるいは受信信号により分割数を変更あるいは可変させる。   For example, the transmission frame rate of a terrestrial digital mobile television is 15 Hz. At this time, since the frame rate is low, it is necessary to divide the non-lighting area 192 into a plurality of parts as shown in FIG. However, the transmission frame rate of the current terrestrial analog television is 60 Hz. At this time, since the frame rate is high, it is preferable to insert a non-lighting area 192 at a time as shown in FIG. That is, the number of divisions is changed or varied depending on the application or the received signal.

図317では、フレームレート60〜45Hzでは分割数1(非表示領域192は1つ(図54(a)の状態))である。フレームレート45以下では分割数10(非表示領域192は10つの状態))である実施例である。なお、分割数はフレームレートだけでなく、周囲の輝度(明るさ)、画像の内容(静止画、動画など)、装置の用途(モバイル、据え置きなど)などに応じて、自動であるいは手動であるいはプログラムブルに変更あるいは可変もしくは設定できるように構成することが好ましい。以上の事項は本発明の他の実施例においても適用されることは言うまでもない。   In FIG. 317, the division number is 1 (one non-display area 192 (state shown in FIG. 54A)) at a frame rate of 60 to 45 Hz. In this embodiment, the number of divisions is 10 (the non-display area 192 has 10 states) at a frame rate of 45 or less. In addition to the frame rate, the number of divisions depends on the surrounding brightness (brightness), image content (still images, moving images, etc.), device usage (mobile, stationary, etc.), etc. It is preferable to be configured so that it can be changed, changed or set to be programmable. Needless to say, the above matters also apply to other embodiments of the present invention.

以上の機能をスイッチ1554で実現できるようにする。スイッチ1554は表示画面144のメニューにしたがって、複数回おさえることにより、以上に説明した機能を切り替え実現する。   The above functions can be realized by the switch 1554. The switch 1554 switches and realizes the functions described above by holding down a plurality of times according to the menu of the display screen 144.

なお、以上の事項は、携帯電話だけに限定されるものではなく、テレビ、モニターなどに用いることができることはいうまでもない。また、どのような表示状態にあるかをユーザーがすぐに認識できるように、表示画面にアイコン表示をしておくことが好ましい。以上の事項は以下の事項に対しても同様である。   Needless to say, the above items are not limited to mobile phones but can be used for televisions, monitors, and the like. In addition, it is preferable to display an icon on the display screen so that the user can immediately recognize the display state. The above matters are the same for the following items.

本実施の形態のEL表示装置などはビデオカメラだけでなく、図156に示すような電子カメラ、スチルカメラなどにも適用することができる。表示装置はカメラ本体1561に付属されたモニター144として用いる。カメラ本体1561にはシャッタ1563の他、スイッチ1554が取り付けられている。   The EL display device and the like of this embodiment can be applied not only to a video camera but also to an electronic camera, a still camera, or the like as shown in FIG. The display device is used as a monitor 144 attached to the camera body 1561. In addition to the shutter 1563, a switch 1554 is attached to the camera body 1561.

以上は表示パネルの表示領域が比較的小型の場合であるが、30インチ以上と大型となると表示画面144がたわみやすい。その対策のため、本発明では図157に示すように表示パネルに外枠1571をつけ、外枠1571をつりさげられるように固定部材1574で取り付けている。この固定部材1574を用いて、壁などに取り付ける。   The above is the case where the display area of the display panel is relatively small, but the display screen 144 tends to bend when the display area is larger than 30 inches. As a countermeasure, in the present invention, as shown in FIG. 157, an outer frame 1571 is attached to the display panel, and the outer frame 1571 is attached by a fixing member 1574 so that it can be suspended. The fixing member 1574 is used to attach to a wall or the like.

しかし、表示パネルの画面サイズが大きくなると重量も重たくなる。そのため、表示パネルの下側に脚取り付け部1573を配置し、複数の脚1572で表示パネルの重量を保持できるようにしている。   However, as the screen size of the display panel increases, the weight increases. Therefore, a leg attachment portion 1573 is disposed on the lower side of the display panel so that the plurality of legs 1572 can hold the weight of the display panel.

脚1572はAに示すように左右に移動でき、また、脚1572はBに示すように収縮できるように構成されている。そのため、狭い場所であっても表示装置を容易に設置することができる。   The leg 1572 can move left and right as shown in A, and the leg 1572 can be contracted as shown in B. Therefore, the display device can be easily installed even in a narrow place.

図157のテレビでは、画面の表面を保護フィルム(保護板でもよい)で被覆している。これは、表示パネルの表面に物体があたって破損することを防止することが1つの目的である。保護フィルムの表面にはAIRコートが形成されており、また、表面をエンボス加工することにより表示パネルに外の状況(外光)が写り込むことを抑制している。   In the television shown in FIG. 157, the surface of the screen is covered with a protective film (or a protective plate). This is for the purpose of preventing an object from hitting the surface of the display panel and damaging it. An AIR coat is formed on the surface of the protective film, and the surface is embossed to prevent external conditions (external light) from appearing on the display panel.

保護フィルムと表示パネル間にビーズなどを散布することにより、一定の空間が配置されるように構成されている。また、保護フィルムの裏面に微細な凸部を形成し、この凸部で表示パネルと保護フィルム間に空間を保持させる。このように空間を保持することにより保護フィルムからの衝撃が表示パネルに伝達することを抑制する。   A certain space is arranged by spreading beads or the like between the protective film and the display panel. Moreover, a fine convex part is formed in the back surface of a protective film, and space is hold | maintained between a display panel and a protective film with this convex part. By holding the space in this way, the impact from the protective film is suppressed from being transmitted to the display panel.

また、保護フィルムと表示パネル間にアルコール、エチレングリコールなど液体あるいはゲル状のアクリル樹脂あるいはエポキシなどの固体樹脂などの光結合剤を配置または注入することも効果がある。界面反射を防止できるとともに、前記光結合剤が緩衝材として機能するからである。   It is also effective to place or inject an optical binder such as a liquid such as alcohol or ethylene glycol or a solid resin such as an epoxy resin between the protective film and the display panel. This is because interface reflection can be prevented and the optical binder functions as a buffer material.

保護フィルムをしては、ポリカーボネートフィルム(板)、ポリプロピレンフィルム(板)、アクリルフィルム(板)、ポリエステルフィルム(板)、PVAフィルム(板)などが例示される。その他エンジニアリング樹脂フィルム(ABSなど)を用いることができることは言うまでもない。また、強化ガラスなど無機材料からなるものでもよい。保護フィルムを配置するかわりに、表示パネルの表面をエポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂で0.5mm以上2.0mm以下の厚みでコーティングすることも同様の効果がある。また、これらの樹脂表面にエンボス加工などをすることも有効である。   Examples of the protective film include a polycarbonate film (plate), a polypropylene film (plate), an acrylic film (plate), a polyester film (plate), and a PVA film (plate). Needless to say, other engineering resin films (ABS and the like) can be used. Moreover, what consists of inorganic materials, such as tempered glass, may be used. The same effect can be obtained by coating the surface of the display panel with an epoxy resin, a phenol resin, or an acrylic resin with a thickness of 0.5 mm or more and 2.0 mm or less instead of disposing the protective film. It is also effective to emboss the surface of these resins.

また、保護フィルムあるいはコーティング材料の表面をフッ素コートすることも効果がある。表面についた汚れを洗剤などで容易にふき落とすことができるからである。また、保護フィルムを厚く形成し、フロントライトと兼用してもよい。   It is also effective to coat the surface of the protective film or coating material with fluorine. This is because the dirt on the surface can be easily wiped off with a detergent or the like. Further, the protective film may be formed thick and may also be used as a front light.

表示パネルが大型になるとソース信号線18の寄生容量も大きくなる。したがって、電流プログラムが困難になりやすい。この課題に対しては、図264に図示するように、ソースドライバ回路12を画面144の上下に配置する。また、ソース信号線18の本数も2倍(18a、18b)とする。以上のように構成することにより、ソースドライバIC(回路)14aが奇数画素行にプログラム電流を印加し、ソースドライバIC(回路)14bが偶数画素行にプログラム電流を印加するように構成することができる。したがって、従来は1画素を選択し、プログラム電流を印加する期間は1H期間であったが、図264の構成では、2画素行を同時に選択し、プログラム電流を印加することができるため、各画素行にプログラム電流Iwを印加できる期間は2H期間にすることができる。そのため、十分なプログラム電流の書き込み期間を確保することができ、パネルサイズが大型になっても良好な電流プログラムを実現できる。なお、以上の事項は電圧プログラム方式にも適用できることはいうまでもない。   When the display panel becomes large, the parasitic capacitance of the source signal line 18 also increases. Therefore, current programming tends to be difficult. To solve this problem, the source driver circuit 12 is arranged above and below the screen 144 as shown in FIG. The number of source signal lines 18 is also doubled (18a, 18b). With the above configuration, the source driver IC (circuit) 14a applies the program current to the odd pixel rows, and the source driver IC (circuit) 14b applies the program current to the even pixel rows. it can. Therefore, in the past, one pixel was selected and the program current was applied for a period of 1H. However, in the configuration of FIG. 264, two pixel rows can be simultaneously selected and the program current can be applied. The period during which the program current Iw can be applied to the row can be a 2H period. Therefore, a sufficient program current writing period can be ensured, and a good current program can be realized even when the panel size is increased. Needless to say, the above items can also be applied to the voltage programming method.

図264のように駆動しても、本発明のduty比制御などを適用できる。たとえば、図265であれば、画素書き込み側のゲートドライバ回路12aは2本のゲート信号線17aを選択し、2本ずつ選択位置を走査していく。一方、EL選択側のゲートドライバ回路12bは1画素行を順次(つまり、1本のゲート信号線17bを順次選択する)選択する。したがって、電流プログラム側は複数ゲート信号線17aを選択して電流プログラムを実施し、duty制御側は従来と同様に1本のゲート信号線17bを制御してduty比制御を実現する。なお、以上の事項は基準電流比制御などにも適用できることは言うまでもない。   Even when driving as shown in FIG. 264, the duty ratio control of the present invention can be applied. For example, in FIG. 265, the gate driver circuit 12a on the pixel writing side selects two gate signal lines 17a, and scans the selected position two by two. On the other hand, the gate driver circuit 12b on the EL selection side sequentially selects one pixel row (that is, sequentially selects one gate signal line 17b). Therefore, the current program side selects the plurality of gate signal lines 17a to execute the current program, and the duty control side controls the single gate signal line 17b as in the conventional case to realize the duty ratio control. Needless to say, the above items can also be applied to the reference current ratio control.

表示パネルが16:9のワイドタイプの画面144に4:3の画面を表示する時は、図270(a)のように16:9の画面の端に4:3の画面144aを表示する。残りの画面144bにはOSD(オンスクリーンディスプレイ)の表示を行う。オンスクリーンディスプレイの表示144bと画面144aの表示とはあらかじめ映像信号として合成しておくことが好ましい。   When the display panel displays a 4: 3 screen on the 16: 9 wide type screen 144, the 4: 3 screen 144a is displayed at the end of the 16: 9 screen as shown in FIG. 270 (a). The remaining screen 144b displays an OSD (On Screen Display). The display 144b on the on-screen display and the display on the screen 144a are preferably combined in advance as a video signal.

また、図270(b)のように16:9の画面の中央部に4:3の画面144aを表示する。残りの画面144b1、144b2にはOSD(オンスクリーンディスプレイ)の表示を行う。オンスクリーンディスプレイの表示144bと画面144aの表示とはあらかじめ映像信号として合成しておくことが好ましい。   Further, as shown in FIG. 270 (b), a 4: 3 screen 144a is displayed at the center of the 16: 9 screen. The remaining screens 144b1 and 144b2 display an OSD (On Screen Display). The display 144b on the on-screen display and the display on the screen 144a are preferably combined in advance as a video signal.

図327に図示するように、コントローラIC(回路)760はパネルモジュール内に配置または構成された電源モジュール3272とソースドライバ回路(IC)14などを制御する。なお、電源モジュール3272の構成、動作などは図119、図120、図121、図122、図123、図124、図125、図251、図262、図263、図268、図280などで説明したので説明を省略する。また、パネルなどの構成、動作についても以前に説明したので説明を省略する。   As shown in FIG. 327, the controller IC (circuit) 760 controls the power supply module 3272, the source driver circuit (IC) 14 and the like arranged or configured in the panel module. Note that the configuration and operation of the power supply module 3272 have been described with reference to FIGS. 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 251, 252, 263, 268, 280, and the like. Therefore, explanation is omitted. Further, since the configuration and operation of the panel and the like have been described before, the description thereof is omitted.

電源モジュール3272はリチウムバッテリー3271から電力が供給される。電源モジュール3272はVgh電圧、Vgl電圧、Vdd電圧、Vss電圧など(以降、これらの電圧をパネル電圧と呼ぶ)を発生する。パネル電圧の発生タイミングはコントローラ760のON/OFF信号で制御される。一方、コントロール回路760の電源は、本体回路から供給される。したがって、本発明の表示装置を有する機器は、まず、コントロールIC760に電源電圧が供給されて動作し、コントロールIC760の起動後、電源モジュール3272はコントロールIC760からのON/OFF信号により、パネル電圧を発生する。発生したパネル電圧は、ゲートドライバ回路12、ソースドライバ回路14、パネルのVdd、Vss電圧として印加される。以上のように構成することにより、本体回路とパネルモジュール間の配線数を少なくすることができる。   The power supply module 3272 is supplied with power from the lithium battery 3271. The power supply module 3272 generates a Vgh voltage, a Vgl voltage, a Vdd voltage, a Vss voltage, and the like (hereinafter, these voltages are referred to as panel voltages). The panel voltage generation timing is controlled by an ON / OFF signal from the controller 760. On the other hand, power for the control circuit 760 is supplied from the main circuit. Therefore, the device having the display device of the present invention operates by first supplying a power supply voltage to the control IC 760. After the control IC 760 is started, the power supply module 3272 generates a panel voltage by an ON / OFF signal from the control IC 760. To do. The generated panel voltage is applied as the Vdd and Vss voltages of the gate driver circuit 12, the source driver circuit 14, and the panel. By configuring as described above, the number of wires between the main circuit and the panel module can be reduced.

本発明の機器は、本体回路には、少なくともコントローラ760とバッテリー3271を有している。したがって、パネルモジュールと本体回路とは、RGBの映像信号などを伝送しる差動信号の配線2本、パネルモジュール3272の電圧を供給するVcc、GND配線の2本、電源モジュール3272をオンオフ制御する信号線の1本の計5本(以上)を有している。   The device of the present invention has at least a controller 760 and a battery 3271 in the main circuit. Therefore, the panel module and the main circuit control on / off control of two differential signal lines for transmitting RGB video signals, two Vcc and GND lines for supplying the voltage of the panel module 3272, and the power supply module 3272. There are a total of 5 (or more) signal lines.

図367は図327の変形例である。コントロールIC760はPLL回路3611aを有しており、差動信号の同期をとる。赤緑青(RGB)と制御データ(D)であるRGBDは差動信号として1対のペア信号線で伝送される(図80〜図82、図292、図327〜図331などを参照のこと)。RGBD信号の同期信号も同様にCLK差動信号として1対のペア信号線で伝送される。また、RGBD信号にスタート(1組の最初位置)を示すために差動信号のSt信号が1対のペア信号線で伝送される。なお、St信号は差動信号とする必要はなく、CMOSやTTLのロジック信号として伝送してもよい。   FIG. 367 is a modification of FIG. The control IC 760 includes a PLL circuit 3611a and synchronizes differential signals. Red, green and blue (RGB) and RGBD as control data (D) are transmitted as a differential signal through a pair of pair signal lines (see FIGS. 80 to 82, 292, 327 to 331, etc.). . Similarly, the sync signal of the RGBD signal is transmitted as a CLK differential signal through a pair of pair signal lines. Further, in order to indicate the start (the first position of one set) in the RGBD signal, the St signal of the differential signal is transmitted through a pair of pair signal lines. The St signal need not be a differential signal, and may be transmitted as a CMOS or TTL logic signal.

電源回路3271にはバッテリー(図示せず)からVcc電圧をGNDの2ラインにより電力が印加され、コントローラIC760からは電源回路3271のオンオフ信号(ON/OFF)が印加される。   Power is applied to the power supply circuit 3271 from a battery (not shown) through two lines of GND with the Vcc voltage, and an on / off signal (ON / OFF) of the power supply circuit 3271 is applied from the controller IC 760.

図367はRGBDを1対の差動信号として伝送する構成であったが、本発明はこれに限定するものではなく、図361に図示するように、赤の映像データ(RDATA)を1対の差動信号とし、緑の映像データ(GDATA)を1対の差動信号とし、青の映像データ(BDATA)を1対の差動信号としてもよい。   Although FIG. 367 is configured to transmit RGBD as a pair of differential signals, the present invention is not limited to this, and red video data (RDATA) is transmitted as a pair as shown in FIG. A differential signal may be used, green video data (GDATA) may be a pair of differential signals, and blue video data (BDATA) may be a pair of differential signals.

図371に図示するように、DATA(RDATA、GDATAなど)と同期をとるCLKは同一の周波数になるようにしている。つまり、CLKの立ち上がりと立下りでDATA内容を識別する。このようなDATAとCLKの関係を保つことにより周波数を定常的にし、不要輻射を低減している。   As shown in FIG. 371, CLK synchronized with DATA (RDATA, GDATA, etc.) is set to have the same frequency. That is, the DATA contents are identified by the rising edge and falling edge of CLK. By maintaining such a relationship between DATA and CLK, the frequency is made steady and unnecessary radiation is reduced.

図357は、図371に加えて、St信号との関係を記載したものである。CLK、ST、映像信号のRGBもしくは(RGBD)(図80〜図82、図292、図327〜図331などを参照のこと)も0V(GND)を中心にDiff電圧の振幅で送出(伝送)される。なお、振幅としてのDiff電圧は図368〜図370の回路構成で設定あるいは可変もしくは調整される。   FIG. 357 describes the relationship with the St signal in addition to FIG. CLK, ST, RGB (RGBD) of the video signal (see FIGS. 80 to 82, 292, 327 to 331, etc.) are also transmitted (transmitted) with the amplitude of the Diff voltage centered on 0 V (GND). Is done. Note that the Diff voltage as the amplitude is set, variable, or adjusted by the circuit configurations of FIGS. 368 to 370.

図357に図示するように、映像信号としてのRGBと同期をとるCLKは同一の周波数になるようにしている。つまり、CLKの立ち上がりと立下りでDATA内容を識別する。このようなDATAとCLKの関係を保つことにより周波数を定常的にし、不要輻射を低減している。一方、St信号は、CLKの2倍の幅を持ち、CLKの立ち上がりまたは立下りで検出する。CLKはPLL回路3611で位相制御される。以上のように差動信号は送出され、送受信が行われる。   As shown in FIG. 357, CLK that synchronizes with RGB as the video signal has the same frequency. That is, the DATA contents are identified by the rising edge and falling edge of CLK. By maintaining such a relationship between DATA and CLK, the frequency is made steady and unnecessary radiation is reduced. On the other hand, the St signal has twice the width of CLK and is detected at the rising or falling edge of CLK. The phase of CLK is controlled by the PLL circuit 3611. As described above, the differential signal is transmitted and transmitted / received.

本発明の差動信号あるいは信号の伝送で特徴的なのは、RGBの映像信号に加えて、プリチャージの判断ビットを有している点である。このことは、図76〜図78などで説明している。したがって、図359に図示するように、R、G、Bデータにプリチャージのビット(Pr)を有している。   A characteristic feature of the differential signal or signal transmission of the present invention is that it has a precharge judgment bit in addition to the RGB video signal. This has been described with reference to FIGS. Therefore, as shown in FIG. 359, R, G, B data has a precharge bit (Pr).

図359(a)は映像データが10ビットの場合である。映像データの10ビット(D9〜D0)に加えてプリチャージビット(Rr)がある。また、最上位ビットにコマンドか映像データかを識別するD/Cビットを有している。D/Cビットが1の時、以下のデータ領域のビットはコマンドであることを示す。コマンドについては、通常水平ブランキング期間あるいは垂直ブランキング期間に伝送される。このコマンドなどについては、図329、図331などで説明をしているので説明を省略する。D/Cビットが0の時、映像データであることを示し、映像データ(8ビットまたは10ビット)とプリチャージ電圧(プログラム電圧)の判断ビット(Pr)がデータとして伝送される。   FIG. 359 (a) shows a case where the video data is 10 bits. In addition to 10 bits (D9 to D0) of the video data, there is a precharge bit (Rr). The most significant bit has a D / C bit for identifying whether it is a command or video data. When the D / C bit is 1, it indicates that the following data area bits are commands. The command is normally transmitted in the horizontal blanking period or the vertical blanking period. Since this command has been described with reference to FIGS. 329 and 331, the description thereof will be omitted. When the D / C bit is 0, it indicates video data, and video data (8 bits or 10 bits) and a precharge voltage (program voltage) judgment bit (Pr) are transmitted as data.

図359(b)は映像データの8ビット(D7〜D0)の場合である。図359(a)と同様に映像データに加えてプリチャージビット(Rr)がある。また、最上位ビットにコマンドか映像データかを識別するD/Cビットを有している点は図359(a)と同様である。D/Cビットが0の時、映像データであることを示し、映像データ(8ビット)とプリチャージ電圧(プログラム電圧)の判断ビット(Pr)がデータとして伝送される。   FIG. 359 (b) shows the case of 8 bits (D7 to D0) of video data. Similar to FIG. 359 (a), there is a precharge bit (Rr) in addition to the video data. Further, it is the same as FIG. 359 (a) in that the most significant bit has a D / C bit for identifying whether it is a command or video data. When the D / C bit is 0, it indicates video data, and video data (8 bits) and a judgment bit (Pr) of a precharge voltage (program voltage) are transmitted as data.

図359のデータが図357のCLKに同期して伝送される。また、1画素に対応するRGBの映像データあるいは1画素に対応するRGBの映像データ+制御データDを周期として、ST信号が伝送される。   The data of FIG. 359 is transmitted in synchronization with the CLK of FIG. In addition, the ST signal is transmitted in a cycle of RGB video data corresponding to one pixel or RGB video data corresponding to one pixel + control data D.

図364は、R画素Prビット+R映像データ、G画素Prビット+G映像データ、B画素Prビット+B映像データ、制御データを1組としてST信号を伝送する実施例である。   FIG. 364 shows an embodiment in which an ST signal is transmitted with R pixel Pr bit + R video data, G pixel Pr bit + G video data, B pixel Pr bit + B video data, and control data as one set.

図365は11ビットの制御データごとにST信号を伝送する実施例である。制御データは2ビットのアドレスデータ(A1、A2)とプリチャージビット(Pr)と8ビットデータ(D7〜D0)から構成されている。アドレスデータ(A1、A2)であるA(1:0)が0の時は、データ(7:0)は制御データ(図329、図331などで説明をしているので説明を省略する)であることを示す。また、A(1:0)が1の時は、データ(7:0)はRの映像データであることを示す。A(1:0)が2の時は、データ(7:0)はGの映像データであることを示す。A(1:0)が3の時は、データ(7:0)はBの映像データであることを示す。なお、Prビットは制御データあるいは映像データの一部として伝送してもよいことは言うまでもない。   FIG. 365 shows an embodiment in which an ST signal is transmitted for each 11-bit control data. The control data is composed of 2-bit address data (A1, A2), precharge bit (Pr), and 8-bit data (D7 to D0). When the address data (A1, A2) A (1: 0) is 0, the data (7: 0) is control data (the description is omitted because it is described in FIG. 329, FIG. 331, etc.). Indicates that there is. Further, when A (1: 0) is 1, it indicates that the data (7: 0) is R video data. When A (1: 0) is 2, it indicates that the data (7: 0) is G video data. When A (1: 0) is 3, it indicates that the data (7: 0) is B video data. Needless to say, the Pr bit may be transmitted as part of control data or video data.

図366は、図364に類似する。図366(b)は、映像データ(プリチャージビットを含む)RGBを、R、G、B、R、G、B、R、G、B・・・・・・と伝送する構成である。図366(a)は、必要に応じて制御データDを伝送する構成である。したがって、図366(b)のように画像伝送期間にちょうど画像データが伝送されている場合は、図366(a)のように制御データが挿入されることにより、水平ブランキング期間まで画像データなどが伝送されることになる。しかし、図364のように制御データの期間をあらかじめ確保する必要が無い点、水平ブランキング期間を有効に利用している点から、図366(a)の伝送効率は高い。   FIG. 366 is similar to FIG. FIG. 366 (b) shows a configuration in which video data (including precharge bits) RGB is transmitted as R, G, B, R, G, B, R, G, B,. FIG. 366 (a) shows a configuration for transmitting the control data D as necessary. Therefore, when the image data is transmitted just during the image transmission period as shown in FIG. 366 (b), the control data is inserted as shown in FIG. Will be transmitted. However, the transmission efficiency of FIG. 366 (a) is high because it is not necessary to secure the control data period in advance as in FIG. 364 and the horizontal blanking period is effectively used.

図362は映像データをビット展開して伝送する方式である(図364などは1画素単位で映像データを伝送している)。図362において、データの開始位置Aで示すように、RのプリチャージビットPrR、GのプリチャージビットPrG、BのプリチャージビットPrB、Rの映像データの7ビット目(最上位ビット)、Gの映像データの7ビット目(最上位ビット)、Bの映像データの7ビット目(最上位ビット)、Rの映像データの6ビット目、Gの映像データの6ビット目、Bの映像データの6ビット目、Rの映像データの5ビット目、Gの映像データの5ビット目、Bの映像データの5ビット目、・・・・・・・・・Rの映像データの0ビット目(最下位ビット)、Gの映像データの0ビット目(最下位ビット)、Bの映像データの0ビット目(最下位ビット)、次の画素のRのプリチャージビットPrR、GのプリチャージビットPrG、BのプリチャージビットPrB、Rの映像データの7ビット目(最上位ビット)、Gの映像データの7ビット目(最上位ビット)、Bの映像データの7ビット目(最上位ビット)、・・・・・・・・・と伝送される。   FIG. 362 shows a method in which video data is bit-expanded and transmitted (in FIG. 364 and the like, video data is transmitted in units of one pixel). In FIG. 362, as indicated by the data start position A, the R precharge bit PrR, the G precharge bit PrG, the B precharge bit PrB, the seventh bit (most significant bit) of the R video data, G 7th bit (most significant bit) of B video data, 7th bit (most significant bit) of B video data, 6th bit of R video data, 6th bit of G video data, B video data 6th bit, 5th bit of R video data, 5th bit of G video data, 5th bit of B video data, ... 0th bit of R video data (most The lower bit), the 0th bit (the least significant bit) of the G video data, the 0th bit (the least significant bit) of the B video data, the R precharge bit PrR of the next pixel, the G precharge bit PrG, B 7th bit (most significant bit) of video data of charge bits PrB and R, 7th bit (most significant bit) of G video data, 7th bit (most significant bit) of B video data, ... ... and transmitted.

図363は映像データを制御データDと画像データとを順次伝送する方式である。RGBのプリチャージビットPrと画像データ、制御データを伝送している。まず、RのPrと8ビットの画像データ(R(7:0))、GのPrと8ビットの画像データ(G(7:0))、BのPrと8ビットの画像データ(B(7:0))、制御データD(9:0)を1周期として伝送する。次は、次の画素のRのPrと8ビットの画像データ(R(7:0))、GのPrと8ビットの画像データ(G(7:0))、BのPrと8ビットの画像データ(B(7:0))、制御データD(9:0)を1周期として伝送する。   FIG. 363 shows a system in which video data is sequentially transmitted as control data D and image data. The RGB precharge bit Pr, image data, and control data are transmitted. First, R Pr and 8-bit image data (R (7: 0)), G Pr and 8-bit image data (G (7: 0)), B Pr and 8-bit image data (B ( 7: 0)) and control data D (9: 0) as one cycle. Next, R Pr of the next pixel and 8-bit image data (R (7: 0)), G Pr and 8-bit image data (G (7: 0)), B Pr and 8-bit image data Image data (B (7: 0)) and control data D (9: 0) are transmitted as one cycle.

以上のように本発明は、多種多様な実施例がある。共通している点は、Prデータを伝送している点である。なお、Prデータは制御コマンド内にビットとして含めてもよいことは言うまでもない。   As described above, the present invention has various embodiments. The common point is that Pr data is transmitted. Needless to say, the Pr data may be included as a bit in the control command.

また、図367、図361の実施例では、差動信号を送出する側にPLL回路3611を配置または構成した実施例であった。しかし、本発明はこれに限定するものではない。図360に図示するように、受信側(図360ではソースドライバ回路(IC)14)にもPLL回路3611bを配置または形成してもよい。送信側と受信側にPLL回路3611を配置し、差動信号としてのDATAの周期数(1組の個数)を送受信側で設定しておけば、より少ない信号線で、高速の差動信号データを伝送することができる。   In the embodiments shown in FIGS. 367 and 361, the PLL circuit 3611 is arranged or configured on the differential signal transmission side. However, the present invention is not limited to this. As shown in FIG. 360, a PLL circuit 3611b may be arranged or formed also on the receiving side (source driver circuit (IC) 14 in FIG. 360). If PLL circuits 3611 are arranged on the transmission side and the reception side, and the number of DATA cycles (number of sets) as a differential signal is set on the transmission / reception side, high-speed differential signal data can be obtained with fewer signal lines. Can be transmitted.

図360において、PLL3611bはDATAの周期(開始位置)を示すCLKを用いて、差動信号DATAの1周期内にデータ数の発振を行い、差動信号としてのDATAをデコードしてパラレル信号に変換する。   In FIG. 360, the PLL 3611b oscillates the number of data within one cycle of the differential signal DATA using the CLK indicating the DATA cycle (start position), decodes the DATA as the differential signal, and converts it into a parallel signal. To do.

本発明では、差動信号の送出側と受信側でインピーダンスを変化あるいは調整するできるように公正している。差動信号は振幅が大きいほど、伝送距離を長くすることができる。しかし、振幅が大きいと伝送電力が大きくなる。差動信号を定電流で出力する場合は、差動信号を受信する方でインピーダンスを高くすれば、振幅を高くすることができる。したがって、伝送する電流が小さくとも差動信号を受信することが可能になる。しかし、ノイズに弱くなる。   In the present invention, it is fair that the impedance can be changed or adjusted on the transmission side and the reception side of the differential signal. As the amplitude of the differential signal increases, the transmission distance can be increased. However, the transmission power increases when the amplitude is large. When a differential signal is output at a constant current, the amplitude can be increased by increasing the impedance when receiving the differential signal. Therefore, it is possible to receive a differential signal even if the current to be transmitted is small. However, it is vulnerable to noise.

以上のことから、差動信号を伝送する距離、伝送に要する電力から差動信号の振幅、インピーダンスを設定あるいは調整することができることが好ましい。図368〜図370はその実施例である。   From the above, it is preferable that the differential signal amplitude and impedance can be set or adjusted from the distance for transmitting the differential signal and the power required for transmission. FIG. 368 to FIG. 370 are examples thereof.

図368は差動信号の受信側の回路構成である。ソースドライバ回路(IC)14内にインピーダンス設定回路3682を有している。インピーダンス設定回路3682は抵抗値(インピーダンス値)が異なるR(図368ではR1、R2、R3、R4)と前記Rを選択するスイッチS(図368ではS1、S2、S3、S4)で構成されている。ソースドライバ回路(IC)14の信号入力端子RSELに印加された信号あるいは電圧により、1つ以上のスイッチSがオンし、抵抗Rが選択される。差動信号の入力端子2883には選択された抵抗Rが接続されることになる。   FIG. 368 shows a circuit configuration of the differential signal receiving side. The source driver circuit (IC) 14 has an impedance setting circuit 3682. The impedance setting circuit 3682 is composed of R (R1, R2, R3, R4 in FIG. 368) having different resistance values (impedance values) and a switch S (S1, S2, S3, S4 in FIG. 368) for selecting R. Yes. One or more switches S are turned on by the signal or voltage applied to the signal input terminal RSEL of the source driver circuit (IC) 14, and the resistor R is selected. The selected resistor R is connected to the differential signal input terminal 2883.

本発明では差動信号配線には定電流を流す。したがって、抵抗Rの値により、端子2883aと2883b間に発生する差動信号の振幅値を変更することができる。つまり、伝送距離などに応じて差動信号の振幅調整をすることが可能である。   In the present invention, a constant current is passed through the differential signal wiring. Therefore, the amplitude value of the differential signal generated between the terminals 2883a and 2883b can be changed by the value of the resistor R. That is, the amplitude of the differential signal can be adjusted according to the transmission distance.

図369は他の実施例である。内蔵抵抗Rxは可変できるように構成されている。可変を行う構成として、以前に説明した電子ボリウム501などが例示される。その他、トリミングによっても調整することができる。   FIG. 369 shows another embodiment. The built-in resistor Rx is configured to be variable. The electronic volume 501 etc. which were demonstrated previously are illustrated as a structure which performs variable. In addition, it can also be adjusted by trimming.

図370は送信側の構成例である。端子2884cと端子2884d間に可変電圧源あるいは固定電圧を入力するように構成している。端子2884c、2884dに入力する電圧により、コントローラ760内部の定電流回路の電流出力を変化できるように構成している。この操作により、端子2884a、2884bから出力される差動信号の電流を変更できる。   FIG. 370 is a configuration example on the transmission side. A variable voltage source or a fixed voltage is input between the terminals 2884c and 2884d. The current output of the constant current circuit in the controller 760 can be changed by the voltage input to the terminals 2884c and 2884d. By this operation, the current of the differential signal output from the terminals 2884a and 2884b can be changed.

差動信号は図328に図示するように、本体回路のA信号(判別信号)のHとLに同期して出力される。A信号がLの時は、プログラム電圧(VR、VG、VB)が出力され、A信号がHの時は、プログラム電流(IR、IG、IB)が出力される。なお、プログラム電圧、プログラム電流の出力動作などに関しては、図127〜図143、図293、図338などで説明をしているので説明を省略する。   As shown in FIG. 328, the differential signal is output in synchronization with H and L of the A signal (discrimination signal) of the main circuit. When the A signal is L, the program voltage (VR, VG, VB) is output, and when the A signal is H, the program current (IR, IG, IB) is output. Note that the program voltage, program current output operation, and the like are described in FIGS.

また、映像信号としてのプログラム電流(IR、IG、IB)およびプログラム電圧(VR、VG、VB)と、データ信号DM、DSが伝送される。つまり、差動信号は、R映像信号、G映像信号、B映像信号、Dデータ信号の4相が多重される(VR、IR、VG、IG、VB、IB、DM、DS、VR、IR、・・・・・・)。なお、映像のブランキング期間は、図330に図示するように、DMとDS信号が連続して伝送される。   In addition, program currents (IR, IG, IB) and program voltages (VR, VG, VB) as data signals and data signals DM, DS are transmitted. That is, the differential signal is multiplexed in four phases of R video signal, G video signal, B video signal, and D data signal (VR, IR, VG, IG, VB, IB, DM, DS, VR, IR,・ ・ ・ ・ ・ ・). It should be noted that during the video blanking period, DM and DS signals are continuously transmitted as shown in FIG.

データであるDMの8または10ビットデータはコマンドである。データであるDSの8または10ビットデータは制御データである。図329はDMの一例である。DMは水平同期信号(HD)、垂直同期信号(VD)などを表す。一例として、DM=1ではHD信号である。DM=2ではVD信号である。DM=3は画面の映像の上下を反転させるUD信号である。また、DM=4は画面144の映像の左右を反転させるRL信号である。   The 8 or 10 bit data of DM which is data is a command. The 8-bit or 10-bit data of DS, which is data, is control data. FIG. 329 is an example of DM. DM represents a horizontal synchronizing signal (HD), a vertical synchronizing signal (VD), or the like. As an example, DM = 1 is an HD signal. When DM = 2, it is a VD signal. DM = 3 is a UD signal that inverts the image on the screen. DM = 4 is an RL signal that inverts the left and right of the video on the screen 144.

同様に、DM=5は、Rのプリチャージ時間(PR−time)を示し、DM=6は、Gのプリチャージ時間(PG−time)を示し、DM=7は、Bのプリチャージ時間(PB−time)を示す。DM=8は、Rの基準電流(基準I−R)を示し、DM=9は、Rの基準電流(基準I−G)を示し、DM=10は、Rの基準電流(基準I−B)を示す。また、DM=10は、ゲートドライバ回路12のスタートパルスなどの出力タイミングを示している。以上のように、DMはコマンドとして指定するデータである。   Similarly, DM = 5 indicates the R precharge time (PR-time), DM = 6 indicates the G precharge time (PG-time), and DM = 7 indicates the B precharge time ( PB-time). DM = 8 indicates an R reference current (reference IR), DM = 9 indicates an R reference current (reference IG), and DM = 10 indicates an R reference current (reference IB). ). DM = 10 indicates the output timing of the gate driver circuit 12 such as a start pulse. As described above, DM is data specified as a command.

図331はDS信号の内容例を図示している。DM=9の時は、ゲートドライバ回路12の制御信号である。DSの8ビットは、ex.1のように各ビットの配置が決められている。bit0は、ゲートドライバ回路12aのイネーブル信号(ENBL1)である。bit1は、ゲートドライバ回路12aのクロック信号(CLK1)である。bit2は、ゲートドライバ回路12aのスタート信号(ST1)である。また、bit4は、ゲートドライバ回路12bのイネーブル信号(ENBL2)である。bit5は、ゲートドライバ回路12bのクロック信号(CLK2)である。bit6は、ゲートドライバ回路12bのスタート信号(ST2)である。また、ex.3に示すように、DM=8の時は、DS信号は、Rの基準電流の大きさをデータとして示す。上のように、DSはDMで指定されたデータである。   FIG. 331 shows an example of the contents of the DS signal. When DM = 9, it is a control signal for the gate driver circuit 12. The 8 bits of DS are ex. As shown in FIG. 1, the arrangement of each bit is determined. bit0 is an enable signal (ENBL1) of the gate driver circuit 12a. bit1 is a clock signal (CLK1) of the gate driver circuit 12a. Bit2 is a start signal (ST1) of the gate driver circuit 12a. Bit4 is an enable signal (ENBL2) for the gate driver circuit 12b. Bit5 is a clock signal (CLK2) of the gate driver circuit 12b. Bit 6 is a start signal (ST2) of the gate driver circuit 12b. In addition, ex. As shown in FIG. 3, when DM = 8, the DS signal indicates the magnitude of the R reference current as data. As described above, DS is data designated by DM.

本発明の実施例における表示パネルは、3辺フリーの構成と組み合わせることも有効であることはいうまでもない。特に3辺フリーの構成は画素がアモルファスシリコン技術を用いて作製されているときに有効である。また、アモルファスシリコン技術で形成されたパネルでは、トランジスタ素子の特性バラツキのプロセス制御が不可能のため、本発明のN倍パルス駆動、リセット駆動、基準電流比制御、duty比制御、ダミー画素駆動(図271など)などを実施することが好ましい。つまり、本発明におけるトランジスタ11などは、ポリシリコン技術によるものに限定するものではなく、アモルファスシリコンによるものであってもよい。つまり、本発明の表示パネルにおいて画素16を構成するトランジスタ11などはアモルファスシリコン技術で用いて形成したトランジスタであってもよい。また、ゲートドライバ回路12、ソースドライバ回路14もアモルファスシリコン技術を用いて形成あるいは構成してもよいことは言うまでもない。また、トランジスタなどは有機トランジスタであってもよいことは言うまでもない。また、図251のスピーカ2512などの駆動回路もポリシリコン技術によるものに限定するものではなく、アモルファスシリコンによるものであってもよい。   It goes without saying that the display panel according to the embodiment of the present invention can be effectively combined with a three-side free configuration. In particular, the three-side free configuration is effective when the pixel is manufactured using amorphous silicon technology. In addition, in a panel formed by amorphous silicon technology, process control of the variation in characteristics of transistor elements is impossible. Therefore, the N-fold pulse driving, reset driving, reference current ratio control, duty ratio control, dummy pixel driving of the present invention ( It is preferable to implement FIG. That is, the transistor 11 and the like in the present invention are not limited to those using polysilicon technology, but may be those using amorphous silicon. That is, the transistor 11 and the like constituting the pixel 16 in the display panel of the present invention may be a transistor formed by using amorphous silicon technology. Needless to say, the gate driver circuit 12 and the source driver circuit 14 may also be formed or configured using amorphous silicon technology. Needless to say, the transistor may be an organic transistor. Further, the driving circuit such as the speaker 2512 in FIG. 251 is not limited to the one using the polysilicon technology, and may be one using amorphous silicon.

なお、本発明のN倍パルス駆動(図13、図16、図19、図20、図22、図24、図30、図271、図274など)などは、低温ポリシリコン技術でトランジスタ11を形成して表示パネルよりも、アモルファスシリコン技術でトランジスタ11を形成した表示パネルに有効である。アモルファスシリコンのトランジスタ11では、隣接したトランジスタの特性がほぼ一致しているからである。したがって、加算した電流で駆動しても個々のトランジスタの駆動電流はほぼ目標値となっている(特に、図22、図24、図30、図271、図274などのN倍パルス駆動はアモルファスシリコンで形成したトランジスタの画素構成において有効である)。他の本発明も低温ポリシリコンの表示パネルだけでなく、アモルファスシリコンの表示パネル、CGS技術で構成した表示パネルにも適用できることは言うまでもない。   Note that the N-fold pulse driving (FIGS. 13, 16, 19, 20, 22, 24, 30, 30, 271, 274, etc.) of the present invention forms the transistor 11 by using a low-temperature polysilicon technology. Thus, the display panel is more effective than the display panel in which the transistor 11 is formed by amorphous silicon technology. This is because the characteristics of adjacent transistors in the amorphous silicon transistor 11 are substantially the same. Therefore, even if driving with the added current, the driving current of each transistor is almost the target value (in particular, N-fold pulse driving in FIGS. 22, 24, 30, 271, and 274 is amorphous silicon). This is effective in the pixel structure of the transistor formed in (1). It goes without saying that the present invention can be applied not only to a low-temperature polysilicon display panel, but also to an amorphous silicon display panel and a display panel constituted by CGS technology.

duty比制御駆動、基準電流制御、N倍パルス駆動、ソースドライバIC(回路)、ゲートドライバ構成など本明細書で記載した本発明の駆動方法および駆動回路などは、有機EL表示パネルの駆動方法および駆動回路などに限定されるものではない。図159に図示するようにフィールドエミッションディスプレイ(FED)などの他のディスプレイにも適用できることは言うまでもない。   The drive method and drive circuit of the present invention described in this specification, such as duty ratio control drive, reference current control, N-fold pulse drive, source driver IC (circuit), gate driver configuration, etc. It is not limited to a drive circuit or the like. Needless to say, the present invention can be applied to other displays such as a field emission display (FED) as shown in FIG.

図158のFEDでは基板30上にマトリックス状に電子を放出する電子放出突起1583(図3では画素電極35が該当する)が形成されている。画素には映像信号回路1582(図1ではソースドライバ回路14が該当する)からの画像データを保持する保持回路1584が形成されている(図1ではコンデンサが該当する)。また、電子放出突起1583の前面には制御電極1581が配置されている。制御電極1581にはオンオフ制御回路1585(図1ではゲートドライバ回路12が該当する)により電圧信号が印加される。   In the FED of FIG. 158, electron emission protrusions 1583 (corresponding to the pixel electrode 35 in FIG. 3) that emit electrons in a matrix are formed on the substrate 30. A holding circuit 1584 that holds image data from the video signal circuit 1582 (corresponding to the source driver circuit 14 in FIG. 1) is formed in the pixel (corresponding to a capacitor in FIG. 1). In addition, a control electrode 1581 is disposed on the front surface of the electron emission protrusion 1583. A voltage signal is applied to the control electrode 1581 by an on / off control circuit 1585 (which corresponds to the gate driver circuit 12 in FIG. 1).

図158の画素構成で、図174に図示するように周辺回路を構成すれば、duty比制御駆動あるいはN倍パルス駆動などを実施できる。映像信号回路1582からソース信号線18に画像データ信号が印加される。オンオフ制御回路1585aから選択信号線2173に画素16選択信号が印加され順次画素16が選択され、画像データが書き込まれる。また、オンオフ制御回路1585bからオンオフ信号線1742にオンオフ信号が印加され、画素のFEDがオンオフ制御(duty比制御)される。   If the peripheral circuit is configured as shown in FIG. 174 with the pixel configuration of FIG. 158, duty ratio control driving or N-fold pulse driving can be performed. An image data signal is applied from the video signal circuit 1582 to the source signal line 18. The pixel 16 selection signal is applied from the on / off control circuit 1585a to the selection signal line 2173, the pixels 16 are sequentially selected, and image data is written. Further, an on / off signal is applied from the on / off control circuit 1585b to the on / off signal line 1742, and the FED of the pixel is subjected to on / off control (duty ratio control).

図158などの構成にも、本発明のduty比制御、基準電流制御、プリチャージ制御、点灯率制御、AI制御、ピーク電流抑制制御、パネルの配線引き回し、ゲートドライバ回路構成、トリミング方法、プログラム電圧+プログラム電流駆動方法など、本発明の明細書で記載した各種の構成あるいは方法、構成が適用できることは言うまでもない。以上の事項は本発明の他の実施例においても同様に適用できることは言うまでもない。   158 and the like also include the duty ratio control, reference current control, precharge control, lighting rate control, AI control, peak current suppression control, panel wiring routing, gate driver circuit configuration, trimming method, and program voltage of the present invention. It goes without saying that various configurations, methods, and configurations described in the specification of the present invention, such as a + program current driving method, can be applied. Needless to say, the above items can be similarly applied to other embodiments of the present invention.

なお、本発明のドライバ回路(IC)14の出力段(たとえば、トランジスタ群431cなど)は電流出力(プログラム電流を出力)するものを主として説明しているが、これに限定するものではない。出力段がプログラム電圧を出力するものであってもよい(画素構成としては図2などが該当する)。電圧出力段は、基準電流Icに対応するようにオペアンプなどで電圧に変換して出力するものが例示される。また、出力電流Idをオペアンプなどで電圧に変換して出力するものが例示される。その他、映像データを電圧データに変換し、この電圧データにガンマ処理などを実施し、出力端子155から出力するものが例示される。以上のように本発明のソースドライバ回路(IC)14の出力はプログラム電流に限定するものではなく、プログラム電圧でもよい。また、図77、図78、図75などではソース信号線18に印加するプリチャージ信号は電圧であるとして説明したが、これに限定するものではなく、電流であってもよい。   The output stage (for example, the transistor group 431c) of the driver circuit (IC) 14 of the present invention is mainly described as outputting current (outputting a program current), but is not limited to this. The output stage may output a program voltage (FIG. 2 corresponds to the pixel configuration). The voltage output stage is exemplified by a voltage output stage converted into a voltage by an operational amplifier or the like so as to correspond to the reference current Ic. Moreover, the output current Id is converted into a voltage by an operational amplifier or the like and output. Other examples include converting video data into voltage data, performing gamma processing on the voltage data, and outputting the voltage data from the output terminal 155. As described above, the output of the source driver circuit (IC) 14 of the present invention is not limited to the program current, but may be a program voltage. 77, 78, 75, and the like have been described on the assumption that the precharge signal applied to the source signal line 18 is a voltage, but the present invention is not limited to this, and may be a current.

本発明は、画像(映像)データ、点灯率、アノード(カソード)端子に流れる電流、パネル温度などにより、基準電流、duty比、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)、ガンマカーブなどを変更あるいは調整もしくは変化あるいは可変するとしたが、これに限定するものではない。たとえば、画像(映像)データ、点灯率、アノード(カソード)端子に流れる電流、パネル温度の変化割合あるいは変化を予想または予測して、基準電流、duty比、プリチャージ電圧(プログラム電圧と同義あるいは類似)、ガンマカーブなどを変更あるいは調整もしくは変化あるいは可変もしくは制御してもよいことは言うまでもない。また、フレームレートなどを変更あるいは変化させてもよいことは言うまでもない。   The present invention changes the reference current, duty ratio, precharge voltage (synonymous with or similar to the program voltage), gamma curve, etc. according to image (video) data, lighting rate, current flowing through the anode (cathode) terminal, panel temperature, etc. Alternatively, the adjustment, change, or variable may be used, but the present invention is not limited to this. For example, by predicting or predicting image (video) data, lighting rate, current flowing through the anode (cathode) terminal, panel temperature change rate or change, reference current, duty ratio, precharge voltage (synonymous or similar to program voltage) Needless to say, the gamma curve or the like may be changed, adjusted, changed, changed, or controlled. Needless to say, the frame rate may be changed or changed.

本発明は第1の点灯率(アノード端子のアノード電流などでもよい)もしくは点灯率範囲(アノード端子のアノード電流範囲などでもよい)において、第1のFRCあるいは点灯率あるいはアノード(カソード)端子に流れる電流あるいは基準電流あるいはduty比あるいはパネル温度などもしくはこれらの組合せとして変化させる。また、第2の点灯率(アノード端子のアノード電流などでもよい)もしくは点灯率範囲(アノード端子のアノード電流範囲などでもよい)において、第2のFRCあるいは点灯率あるいはアノード(カソード)端子に流れる電流あるいは基準電流あるいはduty比あるいはパネル温度などもしくはこれらの組合せとして変化させる。もしくは、点灯率(アノード端子のアノード電流などでもよい)もしくは点灯率範囲(アノード端子のアノード電流範囲などでもよい)に応じて(適応して)、FRCあるいは点灯率あるいはアノード(カソード)端子に流れる電流あるいは基準電流あるいはduty比あるいはパネル温度など、もしくはこれらの組合せとして変化させるものである。また、変化させる時は、ヒステリシスをもたせて、あるいは遅延させて、あるいはゆっくりと変化させる。   The present invention flows to the first FRC or the lighting rate or the anode (cathode) terminal in the first lighting rate (which may be the anode current of the anode terminal) or the lighting rate range (which may be the anode current range of the anode terminal). The current, the reference current, the duty ratio, the panel temperature, or the like is changed. Further, in the second lighting rate (which may be the anode current of the anode terminal) or the lighting rate range (which may be the anode current range of the anode terminal), the current flowing through the second FRC, the lighting rate, or the anode (cathode) terminal. Alternatively, it is changed as a reference current, a duty ratio, a panel temperature, or a combination thereof. Or, depending on the lighting rate (which may be the anode current of the anode terminal) or the lighting rate range (which may be the anode current range of the anode terminal) (adapted), it flows to the FRC or the lighting rate or the anode (cathode) terminal. The current, the reference current, the duty ratio, the panel temperature, or the like, or a combination thereof is changed. Also, when changing, the hysteresis is changed, delayed or changed slowly.

本発明のドライバ回路(IC)で説明する事項は、ゲートドライバ回路(IC)12、ソースドライバ回路(IC)14に適用することができ、また、有機(無機)EL表示パネル(表示装置)だけでなく、液晶表示パネル(表示装置)にも適用することができる。   The matters described in the driver circuit (IC) of the present invention can be applied to the gate driver circuit (IC) 12 and the source driver circuit (IC) 14, and only the organic (inorganic) EL display panel (display device). In addition, the present invention can be applied to a liquid crystal display panel (display device).

本発明の実施例(構成、動作、駆動方法、制御方法、検査方法、形成または配置、表示パネルとそれを用いた表示装置など)は主として図1の画素構成を例示して説明をした。しかし、図1の画素構成など説明した事項は、図1に限定されるものではない。たとえば、図6、図7、図8、図9、図10、図11、図12、図13、図28、図31、図36、図193、図194、図215、図314の画素構成にも適用できることは言うまでもない。また、画素構成に限定されるものではなく、図231などで説明した保持回路2280についても適用できることは言うまでもない。構成が同一あるいは類似であり、技術的思想が同一であるからである。   Embodiments of the present invention (configuration, operation, driving method, control method, inspection method, formation or arrangement, display panel and display device using the same, etc.) have mainly been described with reference to the pixel configuration of FIG. However, the matters described such as the pixel configuration in FIG. 1 are not limited to those in FIG. For example, the pixel configurations shown in FIGS. 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 28, 31, 36, 193, 194, 215, and 314 are used. It goes without saying that is also applicable. Needless to say, the present invention is not limited to the pixel configuration and can be applied to the holding circuit 2280 described with reference to FIG. This is because the configuration is the same or similar, and the technical idea is the same.

図1〜14、図22、図31、図32、図33、図34、図35、図36、図39、図83、図85、図119、図120、図121、図126、図154〜158、図180、図181、図187、図190、図191、図192、図193、図194、図195、図208、図248、図249、図250、図251、図258、図260〜図265、図270、図319、図320、図324、図325、図326、図327などで説明したあるいは記載した本発明の画素構成あるいは表示パネル(表示装置)あるいはその制御方法もしくは技術的思想は、相互に組み合わせることができる。また、相互に適用あるいは構成もしくは形成することができる。   1 to 14, 22, 31, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 39, 83, 85, 119, 120, 121, 126, 154 to 158, 180, 181, 187, 190, 191, 192, 193, 194, 195, 208, 248, 249, 250, 251, 258, 260 265, 270, 319, 320, 324, 325, 326, 327, etc. The pixel configuration or display panel (display device) of the present invention described or described, or its control method or technical idea Can be combined with each other. Further, they can be applied to each other or configured or formed.

図18、図19、図20、図21、図23、図24、図25、図26、図27、図28、図37、図38、図40、図41、図42、図54、図89〜118、図122〜125、図128、図129、図130、図132、図133、図134、図149〜153、図177、図178、図179、図211〜222、図227、図252、図253、図257、図259、図266〜図269、図280、図281、図282、図289、図290、図291、図307、図313、図314、図315、図316、図317、図318、図321、図322、図333、図328、図329、図330、図331、図332〜図337、図355〜図371などで説明あるいは記載した本発明の表示パネルあるいは表示装置の駆動方法もしくは制御方法もしくは技術的思想は、相互に組み合わせることができる。また、相互に適用あるいは構成もしくは形成することができる。   18, 19, 20, 21, 21, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 37, 38, 40, 41, 42, 54, and 89 -118, 122-125, 128, 129, 130, 132, 133, 134, 149-153, 177, 178, 179, 211-222, 227, 252 253, 257, 259, 266 to 269, 280, 281, 282, 289, 290, 291, 307, 313, 314, 315, 316, FIG. 317, 318, 321, 322, 333, 328, 329, 330, 331, 332 to 337, 355 to 371, etc. Device driving method The properly control method or technical idea can be combined with one another. Further, they can be applied to each other or configured or formed.

図15、図16、図17、図29、図30、図43〜53、図55、図56、図57、図58、図59、図60、図61、図62、図63〜82、図84、図86、図87、図88、図127、図131、図135〜148、図159〜176、図182〜185、図186、図188、図196、図197、図198、図199、図200、図201、図209、図210、図228〜245、図246、図247、図283〜図288、図292〜図305、図308〜図313、図338〜図354などに記載あるいは説明した本発明のソースドライバIC(回路)もしくはドライバ回路とその調整あるいは制御方法(ゲートドライバ回路なども含む)もしくは技術的思想は相互に組み合わせることができる。また、相互に適用あるいは構成もしくは形成することができる。   15, 16, 17, 29, 30, 43 to 53, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63 to 82, FIG. 84, 86, 87, 88, 127, 131, 135-148, 159-176, 182-185, 186, 188, 196, 197, 198, 199, 200, 201, 209, 210, 228 to 245, 246, 247, 283 to 288, 292 to 305, 308 to 313, 338 to 354, etc. The described source driver IC (circuit) or driver circuit of the present invention and its adjustment or control method (including gate driver circuit) or technical idea can be combined with each other. Further, they can be applied to each other or configured or formed.

また、図202、図203、図204、図205、図206、図207、図223〜226、図306などに記載あるいは説明した本発明の検査装置と検査方法もしくは調整方法などの技術的思想は、相互に組み合わせることができる。また、本発明の表示パネル(表示装置)、ソースドライバ回路(IC)、駆動方法などに対して相互に適用あるいは構成もしくは形成することができる。   Further, the technical idea of the inspection apparatus and the inspection method or adjustment method of the present invention described or explained in FIGS. 202, 203, 204, 205, 206, 207, 223 to 226, 306, etc. Can be combined with each other. In addition, the present invention can be applied to, configured, or formed mutually on the display panel (display device), source driver circuit (IC), driving method, and the like of the present invention.

さらに、以上に記載した、画素構成あるいは表示パネル(表示装置)あるいはその制御方法もしくは技術的思想、表示パネルあるいは表示装置の駆動方法もしくは制御方法もしくは技術的思想、ソースドライバIC(回路)もしくはドライバ回路とその調整あるいは制御方法(ゲートドライバ回路なども含む)もしくは技術的思想などは、相互に組合わせることができる。また、相互に適用あるいは構成もしくは形成することができることはいうまでもない。また、本発明の検査装置と検査方法もしくは調整方法の技術的思想などは、本発明の表示パネルもしくは表示装置などに適用できることは言うまでもない。   Furthermore, the pixel configuration, the display panel (display device) or the control method or technical idea thereof, the drive method or control method or technical idea of the display panel or display device, the source driver IC (circuit) or the driver circuit described above. And its adjustment or control method (including gate driver circuit) or technical ideas can be combined with each other. Needless to say, they can be applied to each other or configured or formed. Needless to say, the technical idea of the inspection apparatus and the inspection method or adjustment method of the present invention can be applied to the display panel or display apparatus of the present invention.

本発明の実施例で説明した表示装置あるいは駆動方法などの技術的思想は、ビデオカメラ、プロジェクター、立体テレビ、プロジェクションテレビなどに適用できる。また、ビューファインダ、携帯電話のメインモニターおよびサブモニター、PHS、携帯情報端末およびそのモニター、デジタルカメラ、衛星テレビ、衛星モバイルテレビおよびそのモニターにも適用できる。また、電子写真システム、ヘッドマウントディスプレイ、直視モニターディスプレイ、ノートパーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、電子スチルカメラにも適用できる。また、現金自動引き出し機のモニター、公衆電話、テレビ電話、パーソナルコンピュータ、腕時計およびその表示装置などにも適用できる。   The technical ideas such as the display device and the driving method described in the embodiments of the present invention can be applied to a video camera, a projector, a stereoscopic television, a projection television, and the like. The present invention can also be applied to a viewfinder, a main monitor and a sub monitor of a mobile phone, a PHS, a portable information terminal and its monitor, a digital camera, a satellite TV, a satellite mobile TV and a monitor thereof. The present invention can also be applied to an electrophotographic system, a head mounted display, a direct view monitor display, a notebook personal computer, a video camera, and an electronic still camera. Further, the present invention can be applied to a monitor of an automatic cash drawer, a public telephone, a videophone, a personal computer, a wristwatch and a display device thereof.

さらに、本発明は、家庭電器機器の表示モニター、ポケットゲーム機器およびそのモニター、表示パネル用バックライトあるいは家庭用もしくは業務用の照明装置などにも適用あるいは応用展開できることは言うまでもない。照明装置は色温度を可変できるように構成することが好ましい。これは、RGBの画素をストライプ状あるいはドットマトリックス状に形成し、これらに流す電流を調整することにより色温度を変更できる。また、広告あるいはポスターなどの表示装置、RGBの信号器、警報表示灯などにも応用できる。   Furthermore, it goes without saying that the present invention can be applied or applied to display monitors for home appliances, pocket game devices and their monitors, backlights for display panels, or lighting devices for home use or business use. The lighting device is preferably configured so that the color temperature can be varied. In this case, the color temperature can be changed by forming RGB pixels in a stripe or dot matrix and adjusting the current flowing through them. It can also be applied to display devices such as advertisements or posters, RGB traffic lights, warning indicator lights, and the like.

また、スキャナの光源としても本発明の自己発光素子もしくは表示装置あるいは有機EL表示パネルは有効である。RGBのドットマトリックスを光源として、対象物に光を照射し、画像を読み取る。もちろん、単色でもよいことは言うまでもない。また、アクティブマトリックスに限定するものではなく、単純マトリックスでもよい。色温度を調整できるようにすれば画像読み取り精度も向上する。   Further, the self-luminous element, the display device or the organic EL display panel of the present invention is also effective as a light source for the scanner. Using an RGB dot matrix as a light source, the object is irradiated with light to read an image. Of course, it goes without saying that it may be monochromatic. Moreover, it is not limited to an active matrix, A simple matrix may be sufficient. If the color temperature can be adjusted, the image reading accuracy can be improved.

また、本発明は、液晶表示装置のバックライトにも有機EL表示装置は有効である。EL表示装置(バックライト)のRGBの画素をストライプ状あるいはドットマトリックス状に形成し、これらに流す電流を調整することにより色温度を変更でき、また、明るさの調整も容易である。その上、面光源であるから、画面の中央部を明るく、周辺部を暗くするガウス分布を容易に構成できる。また、R、G、B光を交互に走査する、フィールドシーケンシャル方式の液晶表示パネルのバックライトとしても有効である。もちろん、画素16などを形成せず、白色あるいは単色のバックライトもしくはフロンとライトとして本発明の技術的思想を用いてもよいことは言うまでもない。また、アクティブマトリックス表示パネルだけでなく、単純マトリックス表示パネルに本発明の技術的思想を用いてもよい。また、バックライトを点滅しても黒挿入することにより動画表示用などの液晶表示パネルのバックライトとしても用いることができる。また、本発明の装置あるいは方法により、白色発光を実現し、液晶表示装置などのバックライトとしても用いることができる。   The organic EL display device is also effective for the backlight of the liquid crystal display device of the present invention. The RGB pixels of the EL display device (backlight) are formed in a stripe shape or a dot matrix shape, and the color temperature can be changed by adjusting the current passed through them, and the brightness can be easily adjusted. In addition, since it is a surface light source, a Gaussian distribution that brightens the central part of the screen and darkens the peripheral part can be easily configured. It is also effective as a backlight for a field sequential type liquid crystal display panel that alternately scans R, G, and B light. Of course, it is needless to say that the technical idea of the present invention may be used as a white or single color backlight or flon and light without forming the pixel 16 or the like. The technical idea of the present invention may be used not only for an active matrix display panel but also for a simple matrix display panel. Further, even if the backlight blinks, it can be used as a backlight of a liquid crystal display panel for displaying moving images by inserting black. In addition, the apparatus or method of the present invention can realize white light emission and can be used as a backlight of a liquid crystal display device or the like.

本発明に係るEL表示装置は、しきい値のずれによる出力電流のばらつきが小さく、EL表示パネルの表示むらの発生を抑制でき、有用である。   The EL display device according to the present invention has a small variation in output current due to a threshold shift, and can suppress the occurrence of display unevenness in the EL display panel, which is useful.

本発明の表示パネルの構成図である。It is a block diagram of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの構成図である。It is a block diagram of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示装置の駆動方法の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram representing a driving method of a display device of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明のソースドライバIC(回路)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver IC (circuit) of this invention. 本発明の表示パネル(アレイ)の検査方法の説明図である。It is explanatory drawing of the inspection method of the display panel (array) of this invention. 本発明の表示パネル(アレイ)の検査方法の説明図である。It is explanatory drawing of the inspection method of the display panel (array) of this invention. 本発明の表示パネル(アレイ)の検査方法の説明図である。It is explanatory drawing of the inspection method of the display panel (array) of this invention. 本発明の表示パネル(アレイ)の検査方法の説明図である。It is explanatory drawing of the inspection method of the display panel (array) of this invention. 本発明の表示パネル(アレイ)の検査方法の説明図である。It is explanatory drawing of the inspection method of the display panel (array) of this invention. 本発明の表示パネル(アレイ)の検査方法の説明図である。It is explanatory drawing of the inspection method of the display panel (array) of this invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネル(アレイ)の検査方法の説明図である。It is explanatory drawing of the inspection method of the display panel (array) of this invention. 本発明の表示パネル(アレイ)の検査方法の説明図である。It is explanatory drawing of the inspection method of the display panel (array) of this invention. 本発明の表示パネル(アレイ)の検査方法の説明図である。It is explanatory drawing of the inspection method of the display panel (array) of this invention. 本発明の表示パネル(アレイ)の検査方法の説明図である。It is explanatory drawing of the inspection method of the display panel (array) of this invention. 本発明の表示パネル(アレイ)の検査方法の説明図である。It is explanatory drawing of the inspection method of the display panel (array) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source 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本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram of a display panel of the present invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示装置の説明図である。It is explanatory drawing of the display apparatus of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明の表示パネルの駆動方法の説明図である。It is explanatory drawing of the drive method of the display panel of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source driver circuit (IC) of this invention. 本発明のソースドライバ回路(IC)の説明図である。It is explanatory drawing of the source 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符号の説明Explanation of symbols

11 トランジスタ(TFT、薄膜トランジスタ)
12 ゲートドライバIC(回路)
14 ソースドライバIC(回路)
15 EL(素子)(発光素子)
16 画素
17 ゲート信号線
18 ソース信号線
19 蓄積容量(付加コンデンサ、付加容量)
29 EL膜
30 アレイ基板
31 土手(リブ)
32 層間絶縁膜
34 コンタクト
35 画素電極
36 カソード電極
37 乾燥剤
38 λ/4板(λ/4フィルム、位相板、位相フィルム)
39 偏光板
40 封止フタ
41 薄膜封止膜
71 切り換え回路(アナログスイッチ)
141 シフトレジスタ
142 インバータ
143 出力バッファ
144 表示領域(表示画面)
150 内部配線(出力配線)
151 スイッチ(オンオフ手段)
153 ゲート配線
154 電流源(単位トランジスタ)
157、158 トランジスタ
161 一致回路
162 カウンタ
163 AND
164 電流出力回路
171 保護ダイオード
172 サージ低減抵抗
191 書き込み画素行
192 非表示(非点灯)領域
193 表示(点灯)領域
431 トランジスタ群
501 電子ボリウム(電圧可変手段)
502 オペアンプ
601 基準電流回路
641 ラダー抵抗
642 スイッチ回路
643 電圧入出力回路
661 DA変換回路
760 コントロール回路(IC)(制御手段)
761 プリチャージ制御回路
764 ガンマ変換回路
765 フレームレートコントロール(FRC)回路
771 ラッチ回路(保持回路、保持手段、データ格納回路)
772 セレクタ回路(選択手段、切り換え手段)
773 プリチャージ回路
811 差動回路
821 シリアル−パラレル変換回路(コントロールIC)
831 コントロールIC(回路)(制御手段)
842 嵩上げ回路
851 スイッチ回路(切り換え手段)
852 デコーダ回路
853 AI処理回路(ピーク電流抑制、ダイナミックレンジ拡大処理など)
854 動画検出処理(ID処理)
856 カラーマネージメント処理回路(色補償/補正、色温度補正回路)
859 演算回路(MPU,CPU)
861 可変増幅器
867 サンプリング回路(データ保持回路、信号ラッチ回路)
881、882 乗算器
883 加算器
884 総和回路(SUM回路、データ処理回路、総電流演算回路)
1191 DCDCコンバータ(電圧値変換回路、DC電源回路)
1193 レギュレータ
1261 アンテナ
1262 キー
1263 筐体
1264 表示パネル
1271 電圧階調回路(プログラム電圧発生回路)
1311 デコーダ
1431 加算回路
1541 接眼リング
1542 拡大レンズ(正レンズ)
1543 凸レンズ(正レンズ)
1551 支点(回転部)
1552 撮影レンズ(撮影手段)
1553 格納部
1554 スイッチ
1561 本体
1562 撮影部
1563 シャッタスイッチ
1571 取り付け枠
1572 脚
1573 取り付け台
1574 固定部
1581 制御電極
1582 映像信号回路
1583 電子放出突起
1584 保持回路
1585 オンオフ制御回路
1621 トリミング装置(トリミング手段、調整手段)
1622 レーザー光
1623 抵抗(調整部)
1681 補正(調整)トランジスタ
1691 ソース端子
1692 ゲート端子
1693 ドレイン端子
1694 トランジスタ
1731 選択スイッチ(選択手段)
1732 共通線
1733 電流計(電流測定手段)
1734 端子電極
1801 コネクタ端子(接続端子)
1802 フレキ基板
1811 カソード配線
1812 カソード接続位置
1813 ゲートドライバ信号
1814 ソースドライバ信号
1815 アノード配線
1881 電流保持回路
1882 階調電流配線
1883 出力制御端子
1901 差動信号
1902 信号配線
1912 電源モジュール
1913 コイル(トランス回路、昇圧回路)
1914 接続端子
2031 アノード端子配線
2032 ショートチップ(ショート手段)
2033 チップ端子
2034 ソース信号線端子
2041 ショート液(ショートゲル、ショート樹脂)
2081 カスケード配線
2191 スイッチ(オンオフ手段)
2231 オンオフ制御手段
2232 検査スイッチ
2251 保護ダイオード
2252 電圧配線
2261 電圧源(検査信号発生手段、検査信号発生部)
2280 出力回路(出力段、電流出力回路、電流保持回路)
2281 トランジスタ
2282 ゲート信号線
2283 電流信号線
2284 ゲート信号線
2289 コンデンサ
2301 リセット回路
2311 スイッチトランジスタ
2285 ゲート信号線
2301 I−V変換回路
2501 トリミング調整部
2511 封止樹脂
2512 スピーカ
2513 封止膜
2611 レギュレータ
2612 チャージポンプ
2621 スイッチング回路(交流化回路)
2622 トランス
2623 平滑化回路
2741 ダミー画素行
2831 反転出力発生回路
2841 FF(フリップフロップ回路、遅延回路)
2851 タイミング発生回路
2852 配線
2871 補正データ演算回路
2872 電流測定回路
2873 プローブ
2874 補正回路(データ変換回路)
2881 ゲート用配線パッド
2882 ゲート用配線パッド
2883 入力信号線パッド
2884 出力信号線パッド
2885 配線
2901 入力信号線
2902 端子電極
2903 アノード配線
2904 金バンプ
2911 フレキシブル基板
2921 差動−パラレル信号変換回路
2941 電圧セレクタ回路
2951 セレクタ回路
3031 フラッシュメモリ
3051 輝度計
3052 演算器
3053 制御回路
3141 遮光膜
3271 バッテリー(電池、電力供給手段)
3272 電源モジュール(電圧発生手段)
3451 加算回路
3611 PLL回路
3681 差動信号−パラレル信号変換回路
11 Transistor (TFT, thin film transistor)
12 Gate driver IC (circuit)
14 Source driver IC (circuit)
15 EL (element) (light emitting element)
16 pixel 17 gate signal line 18 source signal line 19 storage capacity (additional capacitor, additional capacity)
29 EL film 30 Array substrate 31 Bank (rib)
32 Interlayer insulating film 34 Contact 35 Pixel electrode 36 Cathode electrode 37 Desiccant 38 λ / 4 plate (λ / 4 film, phase plate, phase film)
39 Polarizing plate 40 Sealing lid 41 Thin film sealing film 71 Switching circuit (analog switch)
141 Shift register 142 Inverter 143 Output buffer 144 Display area (display screen)
150 Internal wiring (Output wiring)
151 switch (on / off means)
153 Gate wiring 154 Current source (unit transistor)
157, 158 Transistor 161 Matching circuit 162 Counter 163 AND
164 Current output circuit 171 Protection diode 172 Surge reduction resistor 191 Write pixel row 192 Non-display (non-lighting) region 193 Display (lighting) region 431 Transistor group 501 Electronic volume (voltage variable means)
502 operational amplifier 601 reference current circuit 641 ladder resistor 642 switch circuit 643 voltage input / output circuit 661 DA conversion circuit 760 control circuit (IC) (control means)
761 Precharge control circuit 764 Gamma conversion circuit 765 Frame rate control (FRC) circuit 771 Latch circuit (holding circuit, holding means, data storage circuit)
772 Selector circuit (selection means, switching means)
773 Precharge circuit 811 Differential circuit 821 Serial-parallel conversion circuit (control IC)
831 Control IC (circuit) (control means)
842 Raising circuit 851 Switch circuit (switching means)
852 Decoder circuit 853 AI processing circuit (peak current suppression, dynamic range expansion processing, etc.)
854 Video detection process (ID process)
856 Color management processing circuit (color compensation / correction, color temperature correction circuit)
859 Arithmetic circuit (MPU, CPU)
861 Variable amplifier 867 Sampling circuit (data holding circuit, signal latch circuit)
881, 882 Multiplier 883 Adder 884 Summation circuit (SUM circuit, data processing circuit, total current calculation circuit)
1191 DCDC converter (voltage value conversion circuit, DC power supply circuit)
1193 Regulator 1261 Antenna 1262 Key 1263 Case 1264 Display panel 1271 Voltage gradation circuit (Program voltage generation circuit)
1311 Decoder 1431 Adder circuit 1541 Eyepiece ring 1542 Magnifying lens (positive lens)
1543 Convex lens (positive lens)
1551 fulcrum (rotating part)
1552 Photographic lens (photographing means)
1553 Storage unit 1554 Switch 1561 Main unit 1562 Shooting unit 1563 Shutter switch 1571 Mounting frame 1572 Leg 1573 Mounting base 1574 Fixing unit 1581 Control electrode 1582 Video signal circuit 1583 Electron emission projection 1584 Holding circuit 1585 On-off control circuit 1621 Trimming device (trimming means, adjustment) means)
1622 Laser light 1623 Resistance (Adjustment unit)
1681 Correction (Adjustment) Transistor 1691 Source Terminal 1692 Gate Terminal 1693 Drain Terminal 1694 Transistor 1731 Selection Switch (Selection Unit)
1732 Common line 1733 Ammeter (Current measuring means)
1734 Terminal electrode 1801 Connector terminal (connection terminal)
1802 Flexible substrate 1811 Cathode wiring 1812 Cathode connection position 1813 Gate driver signal 1814 Source driver signal 1815 Anode wiring 1881 Current holding circuit 1882 Gradation current wiring 1883 Output control terminal 1901 Differential signal 1902 Signal wiring 1912 Power supply module 1913 Coil (transformer circuit, Booster circuit)
1914 Connection terminal 2031 Anode terminal wiring 2032 Short chip (short circuit)
2033 Chip terminal 2034 Source signal line terminal 2041 Short liquid (short gel, short resin)
2081 Cascade wiring 2191 Switch (on / off means)
2231 ON / OFF control means 2232 inspection switch 2251 protective diode 2252 voltage wiring 2261 voltage source (inspection signal generation means, inspection signal generation section)
2280 output circuit (output stage, current output circuit, current holding circuit)
2281 Transistor 2282 Gate signal line 2283 Current signal line 2284 Gate signal line 2289 Capacitor 2301 Reset circuit 2311 Switch transistor 2285 Gate signal line 2301 IV conversion circuit 2501 Trimming adjustment unit 2511 Sealing resin 2512 Speaker 2513 Sealing film 2611 Regulator 2612 Charge Pump 2621 Switching circuit (AC circuit)
2622 Transformer 2623 Smoothing circuit 2741 Dummy pixel row 2831 Inverted output generation circuit 2841 FF (flip-flop circuit, delay circuit)
2851 Timing generation circuit 2852 Wiring 2871 Correction data calculation circuit 2872 Current measurement circuit 2873 Probe 2874 Correction circuit (data conversion circuit)
2881 Gate wiring pad 2882 Gate wiring pad 2883 Input signal line pad 2884 Output signal line pad 2885 Wiring 2901 Input signal line 2902 Terminal electrode 2903 Anode wiring 2904 Gold bump 2911 Flexible substrate 2921 Differential-parallel signal conversion circuit 2941 Voltage selector circuit 2951 selector circuit 3031 flash memory 3051 luminance meter 3052 arithmetic unit 3053 control circuit 3141 light shielding film 3271 battery (battery, power supply means)
3272 Power supply module (voltage generating means)
3451 Adder circuit 3611 PLL circuit 3681 Differential signal-parallel signal conversion circuit

Claims (1)

画素がマトリックス状に配置された表示領域と、
前記画素に映像信号としての電流を印加するソースドライバ回路と、
前記ソースドライバ回路内に構成されたプリチャージ電圧を発生する電子ボリウム回路と、
前記画素の書き込みタイミングを制御するゲートドライバ回路とを具備し、
前記電子ボリウムの出力電圧範囲は、前記ソースドライバ回路の外部に接続する抵抗により規定されるEL表示装置。
A display area in which pixels are arranged in a matrix, and
A source driver circuit for applying a current as a video signal to the pixels;
An electronic volume circuit for generating a precharge voltage configured in the source driver circuit;
A gate driver circuit for controlling the writing timing of the pixel,
An output voltage range of the electronic volume is an EL display device defined by a resistor connected to the outside of the source driver circuit.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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