JP2005147977A - Radiological image conversion panel and manufacturing method of radiological image conversion panel - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は放射線画像(以下、単に放射線像ともいう)変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法(以下、単に製造方法ともいう)に関する。 The present invention relates to a radiation image (hereinafter also simply referred to as a radiation image) conversion panel and a method for manufacturing a radiation image conversion panel (hereinafter also simply referred to as a manufacturing method).
従来、放射線画像を得るために銀塩を使用した、いわゆる放射線写真法が利用されているが、銀塩を使用しないで放射線像を画像化する方法が開発されている。即ち、被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収せしめ、しかる後この蛍光体をある種のエネルギーで励起してこの蛍光体が蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ、この蛍光を検出して画像化する方法が開示されている。 Conventionally, so-called radiography using a silver salt has been used to obtain a radiographic image, but a method for imaging a radiographic image without using a silver salt has been developed. That is, the radiation transmitted through the subject is absorbed by the phosphor, and then the phosphor is excited with a certain energy to emit the radiation energy accumulated in the phosphor as fluorescence, and this fluorescence is detected. A method for imaging is disclosed.
具体的な方法としては、支持体上に輝尽性蛍光体層を設けたパネルを用い、励起エネルギーとして可視光線及び赤外線の一方又は両方を用いる放射線像変換方法が知られている(例えば、特許文献1を参照)。 As a specific method, a radiation image conversion method using a panel having a photostimulable phosphor layer on a support and using one or both of visible light and infrared light as excitation energy is known (for example, patents). Reference 1).
より高輝度、高感度の輝尽性蛍光体を用いた放射線像変換方法として、例えば特開昭59−75200号等に記載されているBaFX:Eu2+系(X:Cl、Br、I)蛍光体を用いた放射線像変換方法、同61−72087号等に記載されているようなアルカリハライド蛍光体を用いた放射線像変換方法、同61−73786号、同61−73787号等に記載のように、共賦活剤としてTl+及びCe3+、Sm3+、Eu3+、Y3+、Ag+、Mg2+、Pb2+、In3+の金属を含有するアルカリハライド蛍光体が開発されている。 As a radiation image conversion method using a stimulable phosphor with higher brightness and higher sensitivity, for example, BaFX: Eu 2+ system (X: Cl, Br, I) described in JP-A-59-75200, etc. Radiation image conversion method using phosphor, Radiation image conversion method using alkali halide phosphor as described in JP-A-61-72087, etc., JP-A-61-73786, JP-A-61-73787, etc. As described above, alkali halide phosphors containing Tl + and Ce 3+ , Sm 3+ , Eu 3+ , Y 3+ , Ag + , Mg 2+ , Pb 2+ , and In 3+ metals as coactivators Has been developed.
更に、近年診断画像の解析においてより高鮮鋭性の放射線像変換パネルが要求されている。鮮鋭性改善の為の手段として、例えば形成される輝尽性蛍光体の形状そのものをコントロールし感度及び鮮鋭性の改良を図る試みがされている。 In recent years, there has been a demand for a radiation image conversion panel with higher sharpness in analysis of diagnostic images. As means for improving the sharpness, for example, attempts have been made to improve the sensitivity and sharpness by controlling the shape of the photostimulable phosphor to be formed.
これらの試みの1つの方法として、例えば特開昭61−142497号等に記載されている微細な凹凸パターンを有する支持体上に輝尽性蛍光体を堆積させ形成した微細な擬柱状ブロックからなる輝尽性蛍光体層を用いる方法がある。 As one of these attempts, for example, it is composed of a fine pseudo-columnar block formed by depositing a photostimulable phosphor on a support having a fine concavo-convex pattern described in, for example, JP-A No. 61-142497. There is a method using a stimulable phosphor layer.
また、特開昭61−142500号に記載のように微細なパターンを有する支持体上に、輝尽性蛍光体を堆積させて得た柱状ブロック間のクラックをショック処理を施して更に発達させた輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルを用いる方法、更には、特開昭62−39737号に記載されている支持体上に形成された輝尽性蛍光体層にその表面側から亀裂を生じさせ擬柱状とした放射線像変換パネルを用いる方法、更には、特開昭62−110200号に記載に記載されているように、支持体上に蒸着により空洞を有する輝尽性蛍光体層を形成した後、加熱処理によって空洞を成長させ亀裂を設ける方法等も提案されている。 Further, as described in JP-A-61-142500, a crack between columnar blocks obtained by depositing a photostimulable phosphor on a support having a fine pattern was further developed by applying a shock treatment. A method of using a radiation image conversion panel having a photostimulable phosphor layer, and further a crack from the surface side of a photostimulable phosphor layer formed on a support described in JP-A-62-39737. And a stimulable phosphor layer having a cavity formed by vapor deposition on a support, as described in JP-A-62-110200. There has also been proposed a method in which a cavity is grown by heat treatment and a crack is formed after the formation.
更に、気相堆積法によって支持体上に、支持体の法線方向に対し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルが提案されている。(例えば、特許文献2を参照)
これらの輝尽性蛍光体層の形状をコントロールする方法は、いずれも輝尽性蛍光体層を柱状とすることで、輝尽励起光又は輝尽発光の横方向への拡散を抑える(クラック(柱状結晶)界面において反射を繰り返しながら支持体面まで到達する)ことができるため、輝尽発光による画像の鮮鋭性を著しく増大させることができるという特徴がある。
Further, there has been proposed a radiation image conversion panel having a photostimulable phosphor layer in which elongated columnar crystals having a certain inclination with respect to the normal direction of the support are formed on the support by vapor deposition. (For example, see Patent Document 2)
Any of the methods for controlling the shape of these photostimulable phosphor layers suppresses the lateral diffusion of photostimulated excitation light or photostimulated luminescence by making the photostimulable phosphor layer columnar (crack ( The columnar crystal) can reach the support surface while repeating reflection at the interface), and is therefore characterized in that the sharpness of the image due to stimulated emission can be remarkably increased.
最近ではCsBrなどのハロゲン化アルカリを母体にEuを賦活した輝尽性蛍光体を用いた放射線像変換パネルが提案され、特にEuを賦活剤とすることで従来不可能であったX線変換効率を向上させることが可能となった。 Recently, a radiation image conversion panel using a stimulable phosphor in which Eu is activated with an alkali halide such as CsBr as a base has been proposed, and in particular, X-ray conversion efficiency that has been impossible in the past by using Eu as an activator. It became possible to improve.
しかしながら、Euは熱による拡散が顕著であり、真空下における蒸気圧も高いために離散するなどにより母体中のEuの存在を遍在させる問題があり、目的とした高いX線変換効率を得ることが難しいため市場での実用化に至っていない。 However, Eu has a remarkable diffusion due to heat, and since there is a high vapor pressure under vacuum, there is a problem of ubiquitous existence of Eu in the matrix, and the intended high X-ray conversion efficiency can be obtained. However, it has not been put to practical use in the market.
しかしながら、CsBr:Eu蛍光体層を形成するには蒸着方式にて膜形成することが求められる。蒸着膜形成では膜厚分布制御を行うために精度の高い基板−蒸発源の配置をして、物理的な位置を工夫することで高い精度の膜厚分布を実現させている。 However, in order to form the CsBr: Eu phosphor layer, it is required to form a film by a vapor deposition method. In the formation of a deposited film, a highly accurate film thickness distribution is realized by arranging a highly accurate substrate-evaporation source in order to control the film thickness distribution and devising a physical position.
特にCsBr:EuではEuの熱による拡散が顕著であり、真空下における蒸気圧も高いために離散するなどにより母体中のEuの存在を遍在させる問題があり、蒸着機方法、基板材質が膜の均一性に重要となっている。 In particular, in CsBr: Eu, diffusion of Eu due to heat is remarkable, and since the vapor pressure under vacuum is high, there is a problem that the presence of Eu in the base material is ubiquitous. It is important to the uniformity of the.
特に大面積であり、厚膜化し性能を向上させるには基材及び蛍光体層の密着の均一性が重要である。基材表面に樹脂が存在するとその樹脂の製造プロセスにより残留溶媒や揮発性成分が多数存在するために、蛍光体成膜時に揮発成分が発生し真空度を変化させ、膜変動の原因となる。
本発明の目的は、均一性が高く、且つ高輝度、高鮮鋭性を示す放射線画像変換パネル及び該放射線画像変換パネルの製造方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a radiation image conversion panel having high uniformity, high brightness, and high sharpness, and a method for manufacturing the radiation image conversion panel.
本発明の上記目的は、下記の構成により達成される。 The above object of the present invention can be achieved by the following constitution.
1.支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、輝尽性蛍光体層が気相法(気相堆積法ともいう)により50μm〜1mmの膜厚を有するように形成され、該蛍光体層上に熱硬化性樹脂を有する保護層が形成されることを特徴とする放射線画像変換パネル。 1. In the radiation image conversion panel having the photostimulable phosphor layer on the support, the photostimulable phosphor layer is formed to have a film thickness of 50 μm to 1 mm by a vapor phase method (also referred to as a vapor deposition method), A radiation image conversion panel, wherein a protective layer having a thermosetting resin is formed on the phosphor layer.
2.下記一般式(1)で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を含有していることを特徴とする前記1に記載の放射線画像変換パネル。 2. 2. The radiation image conversion panel as described in 1 above, which contains a stimulable phosphor based on an alkali halide represented by the following general formula (1).
一般式(1)
M1X・aM2X′・bM3X″:eA
〔式中、M1はLi、Na、K、Rb及びCsの各原子から選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属原子であり、M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiの各原子から選ばれる少なくとも1種の二価金属原子であり、M3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInの各原子から選ばれる少なくとも1種の三価金属原子であり、X、X′、X″はF、Cl、Br及びIの各原子から選ばれる少なくとも1種のハロゲン原子であり、AはEu、Tb、In、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgの各原子から選ばれる少なくとも1種の金属原子であり、また、a、b、eはそれぞれ0≦a<0.5、0≦b<0.5、0<e≦0.2の範囲の数値を表す。〕。
General formula (1)
M 1 X · aM 2 X ′ · bM 3 X ″: eA
[Wherein, M 1 is at least one alkali metal atom selected from Li, Na, K, Rb and Cs atoms, and M 2 is Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu. And at least one divalent metal atom selected from each atom of Ni, and M 3 is Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, At least one trivalent metal atom selected from each atom of Tm, Yb, Lu, Al, Ga and In, and X, X ′ and X ″ are at least selected from each atom of F, Cl, Br and I 1 type of halogen atom, A is Eu, Tb, In, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu and Mg. At least one metal atom selected from each atom, and a, b, e each represent a number between 0 ≦ a <0.5,0 ≦ b <0.5,0 <e ≦ 0.2.].
3.前記保護膜の反射率が20%以下である熱硬化性樹脂を有する保護膜であることを特徴とする前記1又は2に記載の放射線画像変換パネル。 3. 3. The radiation image conversion panel as described in 1 or 2 above, which is a protective film having a thermosetting resin having a reflectance of 20% or less.
4.前記熱硬化性樹脂が尿素樹脂であることを特徴とする前記1〜3の何れか1項に記載の放射線画像変換パネル。 4). 4. The radiation image conversion panel according to any one of 1 to 3, wherein the thermosetting resin is a urea resin.
5.前記1〜4の何れか1項に記載の熱硬化性樹脂を有する保護層が蒸着法又はスパッタリング法にて輝尽性蛍光体層上に形成されることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。 5). 5. Production of a radiation image conversion panel, wherein a protective layer having the thermosetting resin according to any one of 1 to 4 is formed on a photostimulable phosphor layer by vapor deposition or sputtering. Method.
本発明による放射線画像変換パネル及び該放射線画像変換パネルの製造方法は均一性が高く、且つ高輝度、高鮮鋭性を示し優れた効果を有する。 The radiation image conversion panel and the method for producing the radiation image conversion panel according to the present invention have high uniformity, high brightness, high sharpness, and excellent effects.
以下、本発明を更に詳細に述べる。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
本発明は、輝尽性蛍光体(以下、蛍光体ともいう)層上に熱硬化性樹脂を有する保護層を設けることを特徴としている。 The present invention is characterized in that a protective layer having a thermosetting resin is provided on a photostimulable phosphor (hereinafter also referred to as phosphor) layer.
保護層は保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよく、別途形成した保護層上に輝尽性蛍光体層を形成する手段を取ってもよいが、本願の請求項5の発明においては、熱硬化性樹脂を有する保護層を輝尽性蛍光体層上に蒸着法又はスパッタリング法により設けることを特徴としている。保護層の層厚は0.1〜2000μmが好ましい。 The protective layer may be formed by directly applying a protective layer coating solution on the photostimulable phosphor layer, or a protective layer formed in advance may be adhered to the photostimulable phosphor layer. Although a means for forming a stimulable phosphor layer on the formed protective layer may be taken, in the invention of claim 5 of the present application, a protective layer having a thermosetting resin is formed on the stimulable phosphor layer. It is characterized by providing by vapor deposition or sputtering. The thickness of the protective layer is preferably 0.1 to 2000 μm.
上記、蒸着法又はスパッタリング法時の加熱温度としては100〜300℃が好ましい。尚、蒸着法又はスパッタリング法時の真空度は後述する蛍光体層を形成する蒸着法又はスパッタリング法と同等である。 As a heating temperature at the time of the said vapor deposition method or sputtering method, 100-300 degreeC is preferable. In addition, the vacuum degree at the time of a vapor deposition method or sputtering method is equivalent to the vapor deposition method or sputtering method which forms the fluorescent substance layer mentioned later.
本発明の熱硬化樹脂について説明する。 The thermosetting resin of the present invention will be described.
本発明の熱硬化性樹脂とは、合成樹脂の内、加熱して成形する際に硬化するものを指し、本発明の熱硬化性樹脂の具体例としては、例えば、尿素樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。 The thermosetting resin of the present invention refers to a synthetic resin that cures when heated and molded. Specific examples of the thermosetting resin of the present invention include, for example, urea resin, silicon resin, epoxy Examples thereof include resins and acrylic resins.
これらの中で、本発明においては、尿素樹脂が好ましい。 Of these, urea resins are preferred in the present invention.
モノマーは、必ずしも単独で用いる必要はなく、2種以上を用いることもできる。 Monomers are not necessarily used alone, and two or more monomers can be used.
またイソブチレンを主骨格とした熱硬化性樹脂と共重合するその他のモノマーとしては、エチレン、プロピレン、ブタジエン、イソプレン、スチレン、アクリル酸エステル等のオレフィンのモノマーが挙げられる。 Examples of other monomers copolymerized with a thermosetting resin having isobutylene as a main skeleton include olefin monomers such as ethylene, propylene, butadiene, isoprene, styrene, and acrylate.
本発明の熱硬化性樹脂としては反射率が低く輝尽発光光の光り取り出しが可能であり、蒸着結晶の取り出し吸着を防止する構成及び材料であることが望ましい。 It is desirable that the thermosetting resin of the present invention has a configuration and a material that have low reflectivity and can extract stimulated emission light and prevent the adsorption and removal of the deposited crystals.
CsBr蛍光体成膜は蒸着プロセスで膜形成を行う。得られるCsBr蛍光体は、輝度、鮮鋭性に優れた結晶として柱状結晶を形成していることが重要である。 The CsBr phosphor film is formed by a vapor deposition process. It is important that the obtained CsBr phosphor forms columnar crystals as crystals having excellent brightness and sharpness.
光ライトガイド効果を上げるために柱状としては結晶性が良く、先端の径が2〜8μmである柱状結晶を形成することが望ましい。この柱状結晶は蒸着チャンバー内で真空化で形成を行うと、成膜後大気下の取り出しでは表面に水分を吸着し、性能が低下する問題が有ることがわかった、つまり、性能を高めるために柱状結晶の先端径を細くすると、より毛細管現象による吸着が影響が現れる。 In order to increase the light guide effect, it is desirable to form a columnar crystal having good crystallinity and a tip diameter of 2 to 8 μm. When this columnar crystal is formed in a vacuum in a vapor deposition chamber, it has been found that there is a problem that moisture is adsorbed on the surface when taken out in the air after film formation, and the performance deteriorates. When the tip diameter of the columnar crystal is reduced, the adsorption due to the capillary phenomenon appears to be more affected.
しかし、本発明者らは、種々検討した結果、この影響を防止するために連続成膜による吸着防止保護膜形成が有効であることを見いだした。 However, as a result of various studies, the present inventors have found that the formation of an anti-adsorption protective film by continuous film formation is effective in order to prevent this influence.
本発明の放射線像変換パネルに用いる輝尽性蛍光体(以下、蛍光体ともいう)
次に、本発明に好ましく用いられる前記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体について説明する。
Stimulable phosphor used in the radiation image conversion panel of the present invention (hereinafter also referred to as phosphor)
Next, the stimulable phosphor represented by the general formula (1) preferably used in the present invention will be described.
前記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体において、M1は、Li、Na、K、Rb及びCs等の各原子から選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属原子を表し、中でもRb及びCsの各原子から選ばれる少なくとも1種のアルカリ土類金属原子が好ましく、更に好ましくはCs原子である。 In the photostimulable phosphor represented by the general formula (1), M 1 represents at least one alkali metal atom selected from each of atoms such as Li, Na, K, Rb, and Cs, among which Rb and At least one kind of alkaline earth metal atom selected from each atom of Cs is preferable, and Cs atom is more preferable.
M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNi等の各原子から選ばれる少なくとも1種の二価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのは、Be、Mg、Ca、Sr及びBa等の各原子から選ばれる二価の金属原子である。 M 2 represents at least one divalent metal atom selected from atoms such as Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu, and Ni, and among them, Be, Mg are preferably used. , A divalent metal atom selected from atoms such as Ca, Sr and Ba.
M3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びIn等の各原子から選ばれる少なくとも1種の三価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのはY、Ce、Sm、Eu、Al、La、Gd、Lu、Ga及びIn等の各原子から選ばれる三価の金属原子である。 M 3 is at least selected from each atom such as Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Al, Ga, and In. One kind of trivalent metal atom is represented, and among these, trivalent metal atoms selected from each atom such as Y, Ce, Sm, Eu, Al, La, Gd, Lu, Ga and In are preferred. is there.
AはEu、Tb、In、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgの各原子から選ばれる少なくとも1種の金属原子である。 A is at least one selected from the atoms of Eu, Tb, In, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu, and Mg. Metal atom.
輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点から、X、X′及びX″はF、Cl、Br及びIの各原子から選ばれる少なくとも1種のハロゲンで原子を表すが、F、Cl及びBrから選ばれる少なくとも1種のハロゲン原子が好ましく、Br及びIの各原子から選ばれる少なくとも1種のハロゲン原子が更に好ましい。 From the viewpoint of improving the photostimulable emission brightness of the photostimulable phosphor, X, X ′ and X ″ each represents an atom with at least one halogen selected from F, Cl, Br and I atoms. And at least one halogen atom selected from Br and I, and more preferably at least one halogen atom selected from Br and I atoms.
前記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体は、例えば以下に述べる製造方法により製造される。 The photostimulable phosphor represented by the general formula (1) is produced, for example, by the production method described below.
まず蛍光体原料として、以下の組成となるように炭酸塩に酸(HI、HBr、HCl、HF)を加え混合攪拌した後、中和点にて濾過を行い得られた後、ろ液の水分を蒸発気化させて以下の結晶を作製する。 First, as a phosphor material, an acid (HI, HBr, HCl, HF) is added to a carbonate so as to have the following composition, mixed and stirred, and then filtered at a neutralization point. Is evaporated to produce the following crystals.
蛍光体原料としては、
(a)NaF、NaCl、NaBr、NaI、KF、KCl、KBr、KI、RbF、RbCl、RbBr、RbI、CsF、CsCl、CsBr及びCsIから選ばれる少なくとも1種の化合物が用いられる。
As a phosphor material,
(A) At least one compound selected from NaF, NaCl, NaBr, NaI, KF, KCl, KBr, KI, RbF, RbCl, RbBr, RbI, CsF, CsCl, CsBr and CsI is used.
(b)MgF2、MgCl2、MgBr2、MgI2、CaF2、CaCl2、CaBr2、CaI2、SrF2、SrCI2、SrBr2、SrI2、BaF2、BaCl2、BaBr2、BaBr2・2H2O、BaI2、ZnF2、ZnCl2、ZnBr2、ZnI2、CdF2、CdCl2、CdBr2、CdI2、CuF2、CuCl2、CuBr2、CuI、NiF2、NiCl2、NiBr2及びNiI2の化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物が用いられる。
(B) MgF 2, MgCl 2 ,
(c)前記一般式(1)において、Eu、Tb、In、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMg等の各原子から選ばれる金属原子を有する化合物が用いられる。 (C) In the general formula (1), Eu, Tb, In, Cs, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu And a compound having a metal atom selected from each atom such as Mg.
(d)賦活剤Aは、例えばEu、Tb、In、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgの各原子から選ばれる少なくとも1種の金属原子が用いられる。 (D) The activator A includes, for example, Eu, Tb, In, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu, and Mg. At least one metal atom selected from atoms is used.
一般式(I)で表される化合物において、aは0≦a<0.5、好ましくは0≦a<0.01、bは0≦b<0.5、好ましくは0≦b≦10-2、eは0<e≦0.2、好ましくは0<e≦0.1である。 In the compound represented by the general formula (I), a is 0 ≦ a <0.5, preferably 0 ≦ a <0.01, b is 0 ≦ b <0.5, preferably 0 ≦ b ≦ 10 −. 2 and e are 0 <e ≦ 0.2, preferably 0 <e ≦ 0.1.
上記の数値範囲の混合組成になるように前記(a)〜(d)の蛍光体原料を秤量し、純水にて溶解する。 The phosphor materials (a) to (d) are weighed so as to have a mixed composition in the above numerical range, and dissolved in pure water.
この際、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合しても良い。 At this time, the mixture may be sufficiently mixed using a mortar, a ball mill, a mixer mill or the like.
次に、得られた水溶液のpH値Cを0<C<7に調整するように所定の酸を加えた後、水分を蒸発気化させる。 Next, a predetermined acid is added so that the pH value C of the obtained aqueous solution is adjusted to 0 <C <7, and then water is evaporated.
次に、得られた原料混合物を石英ルツボ或いはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉中で焼成を行う。焼成温度は500〜1000℃が好ましい。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、0.5〜6時間が好ましい。 Next, the obtained raw material mixture is filled in a heat-resistant container such as a quartz crucible or an alumina crucible and fired in an electric furnace. The firing temperature is preferably 500 to 1000 ° C. The firing time varies depending on the filling amount of the raw material mixture, the firing temperature and the like, but is preferably 0.5 to 6 hours.
焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の中性雰囲気或いは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。 The firing atmosphere includes a nitrogen gas atmosphere containing a small amount of hydrogen gas, a weak reducing atmosphere such as a carbon dioxide gas atmosphere containing a small amount of carbon monoxide, a neutral atmosphere such as a nitrogen gas atmosphere and an argon gas atmosphere, or a small amount of oxygen gas. A weak oxidizing atmosphere is preferred.
尚、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と同じ焼成条件で再焼成を行えば蛍光体の発光輝度を更に高めることができ、また、焼成物を焼成温度より室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷することによっても所望の蛍光体を得ることができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気もしくは中性雰囲気のままで冷却してもよい。また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気もしくは弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた蛍光体の輝尽による発光輝度をより一層高めることができる。 After firing once under the above firing conditions, the fired product is taken out from the electric furnace and pulverized, and then the fired product powder is again filled in a heat-resistant container and placed in the electric furnace, and again under the same firing conditions as described above. If the calcination is performed, the emission luminance of the phosphor can be further increased. When the baked product is cooled to the room temperature from the calcination temperature, the desired fluorescence can also be obtained by removing the baked product from the electric furnace and allowing it to cool in air. The body can be obtained, but it may be cooled in the same weakly reducing atmosphere or neutral atmosphere as at the time of firing. In addition, by moving the fired product from the heating unit to the cooling unit in an electric furnace and quenching in a weak reducing atmosphere, neutral atmosphere or weak oxidizing atmosphere, the emission luminance due to the phosphor phosphors obtained can be increased. It can be further increased.
また、本発明の輝尽性蛍光体層は気相成長法によって形成される。 Further, the photostimulable phosphor layer of the present invention is formed by a vapor phase growth method.
輝尽性蛍光体の気相成長法としては蒸着法、スパッタリング法、CVD法、イオンプレーティング法、その他を用いることができる。 Vapor deposition methods, sputtering methods, CVD methods, ion plating methods, and others can be used as the vapor phase growth method of the photostimulable phosphor.
本発明においては、例えば、以下の方法が挙げられる。 In the present invention, for example, the following methods can be mentioned.
第1の方法の蒸着法は、まず、支持体を蒸着装置内に設置した後、装置内を排気して1.333×10-4Pa程度の真空度とする。 In the vapor deposition method of the first method, first, after the support is installed in the vapor deposition apparatus, the inside of the apparatus is evacuated to a degree of vacuum of about 1.333 × 10 −4 Pa.
次いで、前記輝尽性蛍光体の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて前記支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。 Next, at least one of the photostimulable phosphor is heated and evaporated by a resistance heating method, an electron beam method, or the like to grow the photostimulable phosphor on the surface of the support to a desired thickness.
この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。 As a result, a photostimulable phosphor layer containing no binder is formed, but it is also possible to form the photostimulable phosphor layer in a plurality of times in the vapor deposition step.
また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。 In the vapor deposition step, it is possible to co-evaporate using a plurality of resistance heaters or electron beams to synthesize the desired photostimulable phosphor on the support and simultaneously form the photostimulable phosphor layer. is there.
蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光体層の支持体側とは反対の側に保護層を設けることにより本発明の放射線像変換パネルが製造される。尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体を設ける手順をとってもよい。 After the vapor deposition is completed, the radiation image conversion panel of the present invention is manufactured by providing a protective layer on the side opposite to the support side of the photostimulable phosphor layer as necessary. In addition, after forming a photostimulable phosphor layer on a protective layer, a procedure for providing a support may be taken.
さらに、前記蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被蒸着体(支持体、保護層又は中間層)を冷却あるいは加熱してもよい。 Furthermore, in the vapor deposition method, the vapor deposition target (support, protective layer or intermediate layer) may be cooled or heated as necessary during vapor deposition.
また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。また、前記蒸着法においては必要に応じてO2、H2等のガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行ってもよい。 Further, the stimulable phosphor layer may be heat-treated after the vapor deposition. In the vapor deposition method, reactive vapor deposition may be performed in which vapor deposition is performed by introducing a gas such as O 2 or H 2 as necessary.
第2の方法としてのスパッタリング法は、蒸着法と同様、保護層又は中間層を有する支持体をスパッタリング装置内に設置した後、装置内を一旦排気して1.333×10-4Pa程度の真空度とし、次いでスパッタリング用のガスとしてAr、Ne等の不活性ガスをスパッタリング装置内に導入して1.333×10-1Pa程度のガス圧とする。次に、前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリングすることにより、前記支持体上に輝尽性蛍光体層を所望の厚さに成長させる。 In the sputtering method as the second method, like the vapor deposition method, after a support having a protective layer or an intermediate layer is placed in the sputtering apparatus, the inside of the apparatus is once evacuated to about 1.333 × 10 −4 Pa. The degree of vacuum is set, and then an inert gas such as Ar or Ne is introduced into the sputtering apparatus as a sputtering gas to obtain a gas pressure of about 1.333 × 10 −1 Pa. Next, a stimulable phosphor layer is grown on the support to a desired thickness by sputtering using the stimulable phosphor as a target.
前記スパッタリング工程では蒸着法と同様に各種の応用処理を用いることができる。 Various applied treatments can be used in the sputtering step as in the vapor deposition method.
第3の方法としてCVD法があり、又、第4の方法としてイオンプレーティング法がある。 The third method is a CVD method, and the fourth method is an ion plating method.
また、前記気相成長における輝尽性蛍光体層の成長速度は0.05μm/分〜300μm/分であることが好ましい。成長速度が0.05μm/分未満の場合には本発明の放射線像変換パネルの生産性が悪く好ましくない。また成長速度が300μm/分を越える場合には成長速度のコントロールがむずかしく好ましくない。 The growth rate of the stimulable phosphor layer in the vapor phase growth is preferably 0.05 μm / min to 300 μm / min. When the growth rate is less than 0.05 μm / min, the productivity of the radiation image conversion panel of the present invention is unfavorable. If the growth rate exceeds 300 μm / min, it is difficult to control the growth rate.
放射線像変換パネルを、前記の真空蒸着法、スパッタリング法などにより得る場合には、結着剤が存在しないので輝尽性蛍光体の充填密度を増大でき、感度、解像力の上で好ましい放射線像変換パネルが得られ好ましい。 When the radiation image conversion panel is obtained by the above-described vacuum deposition method, sputtering method, etc., since there is no binder, the packing density of the photostimulable phosphor can be increased, and preferable radiation image conversion in terms of sensitivity and resolution. A panel is obtained and preferred.
前記輝尽性蛍光体層の膜厚は、放射線像変換パネルの使用目的によって、また輝尽性蛍光体の種類により異なるが、本発明の効果を得る観点から50μm〜1mmであり、好ましくは50〜300μmであり、更に好ましくは100〜300μmであり、特に好ましくは、150〜300μmである。 The film thickness of the photostimulable phosphor layer varies depending on the intended use of the radiation image conversion panel and the type of stimulable phosphor, but is 50 μm to 1 mm, preferably 50 from the viewpoint of obtaining the effects of the present invention. It is -300 micrometers, More preferably, it is 100-300 micrometers, Most preferably, it is 150-300 micrometers.
上記の気相成長法による輝尽性蛍光体層の作製にあたり、輝尽性蛍光体層が形成される支持体の温度は、100℃以上に設定することが好ましく、更に好ましくは、150℃以上であり、特に好ましくは150〜400℃である。 In producing the photostimulable phosphor layer by the vapor phase growth method described above, the temperature of the support on which the photostimulable phosphor layer is formed is preferably set to 100 ° C. or higher, more preferably 150 ° C. or higher. Especially preferably, it is 150-400 degreeC.
また、高鮮鋭性を示す放射線像変換パネルを得る観点から、本発明の輝尽性蛍光体層の反射率は20%以上であることが好ましく、より好ましくは30%以上であり、更に好ましくは40%以上である。尚、上限は100%である。 Further, from the viewpoint of obtaining a radiation image conversion panel exhibiting high sharpness, the reflectance of the stimulable phosphor layer of the present invention is preferably 20% or more, more preferably 30% or more, and still more preferably. 40% or more. The upper limit is 100%.
又、柱状結晶間の間隙に結着剤等充填物を充填してもよく、輝尽性蛍光体層の補強となるほか、高光吸収の物質、高光反射率の物質等を充填してもよく、これにより補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体層に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散の低減に有効である。 In addition, the gap between the columnar crystals may be filled with a filler or the like, and in addition to reinforcing the stimulable phosphor layer, it may be filled with a high light absorption substance, a high light reflectance substance, or the like. In addition to providing a reinforcing effect, this is effective in reducing the lateral light diffusion of the stimulated excitation light incident on the stimulable phosphor layer.
高反射率の物質とは、輝尽励起光(500〜900nm、特に600〜800nm)に対する反射率の高い物質のことをいい、例えば、アルミニウム、マグネシウム、銀、インジウム、その他の金属等、白色顔料及び緑色〜赤色領域の色材を用いることができる。白色顔料は輝尽発光も反射することができる。 A highly reflective substance refers to a substance having a high reflectivity with respect to stimulated excitation light (500 to 900 nm, particularly 600 to 800 nm). For example, white pigments such as aluminum, magnesium, silver, indium, and other metals In addition, a color material in the green to red region can be used. White pigments can also reflect stimulated emission.
白色顔料としては、例えば、TiO2(アナターゼ型、ルチル型)、MgO、PbCO3・Pb(OH)2、BaSO4、Al2O3、M(II)FX(但し、M(II)はBa、Sr及びCaの各原子から選ばれるの少なくとも一種の原子であり、XはCl原子又はBr原子である。)、CaCO3、ZnO、Sb2O3、SiO2、ZrO2、リトポン(BaSO4・ZnS)、珪酸マグネシウム、塩基性珪硫酸塩、塩基性燐酸鉛、珪酸アルミニウムなどがあげられる。 Examples of the white pigment include TiO 2 (anatase type, rutile type), MgO, PbCO 3 · Pb (OH) 2 , BaSO 4 , Al 2 O 3 , M ( II ) FX (where M ( II ) is Ba). , Sr, and Ca, and X is a Cl atom or a Br atom.), CaCO 3 , ZnO, Sb 2 O 3 , SiO 2 , ZrO 2 , lithopone (BaSO 4 ZnS), magnesium silicate, basic silicate, basic lead phosphate, aluminum silicate and the like.
これらの白色顔料は隠蔽力が強く、屈折率が大きいため、光を反射したり、屈折させることにより輝尽発光を容易に散乱し、得られる放射線像変換パネルの感度を顕著に向上させることができる。 Since these white pigments have a strong hiding power and a high refractive index, they can easily scatter photostimulated luminescence by reflecting or refracting light, thereby significantly improving the sensitivity of the resulting radiation image conversion panel. it can.
また、高光吸収率の物質としては、例えば、カーボンブラック、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化鉄など及び青の色材が用いられる。このうちカーボンブラックは輝尽発光も吸収する。 In addition, as a material having a high light absorption rate, for example, carbon black, chromium oxide, nickel oxide, iron oxide, and the like and a blue color material are used. Among these, carbon black absorbs stimulated light emission.
また、色材は、有機又は無機系色材のいずれでもよい。 The color material may be either an organic or inorganic color material.
有機系色材としては、例えば、ザボンファーストブルー3G(ヘキスト製)、エストロールブリルブルーN−3RL(住友化学製)、D&CブルーNo.1(ナショナルアニリン製)、スピリットブルー(保土谷化学製)、オイルブルーNo.603(オリエント製)、キトンブルーA(チバガイギー製)、アイゼンカチロンブルーGLH(保土ヶ谷化学製)、レイクブルーAFH(協和産業製)、プリモシアニン6GX(稲畑産業製)、ブリルアシッドグリーン6BH(保土谷化学製)、シアンブルーBNRCS(東洋インク製)、ライオノイルブルーSL(東洋インク製)等が用いられる。 Examples of organic colorants include Zavon First Blue 3G (Hoechst), Estrol Brill Blue N-3RL (Sumitomo Chemical), D & C Blue No. 1 (made by National Aniline), Spirit Blue (made by Hodogaya Chemical), Oil Blue No. 1 603 (made by Orient), Kitten Blue A (made by Ciba Geigy), Eisen Katyron Blue GLH (made by Hodogaya Chemical), Lake Blue AFH (made by Kyowa Sangyo), Primocyanin 6GX (made by Inabata Sangyo), Brill Acid Green 6BH (Hodogaya) Chemical Blue), Cyan Blue BNRCS (Toyo Ink), Lionoyl Blue SL (Toyo Ink), etc. are used.
また、カラーインデクスNo.24411、23160、74180、74200、22800、23154、23155、24401、14830、15050、15760、15707、17941、74220、13425、13361、13420、11836、74140、74380、74350、74460等の有機系金属錯塩色材もあげられる。 In addition, the color index No. 24411, 23160, 74180, 74200, 22800, 23154, 23155, 24401, 14830, 15050, 15760, 15707, 17941, 74220, 13425, 13361, 13420, 11836, 74140, 74380, 74350, 74460, etc. There are also materials.
無機系色材としては群青、例えば、コバルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、TiO2−ZnO−Co−NiO系等の無機顔料があげられる。 Examples of the inorganic color material include inorganic pigments such as ultramarine, for example, cobalt blue, cerulean blue, chromium oxide, and TiO 2 —ZnO—Co—NiO.
図1は、本発明の放射線像変換パネルの構成の一例を示す概略図である。 FIG. 1 is a schematic view showing an example of the configuration of the radiation image conversion panel of the present invention.
図1において21は放射線発生装置、22は被写体、23は輝尽性蛍光体を含有する可視光ないし赤外光輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネル、24は放射線像変換パネル23の放射線潜像を輝尽発光として放出させるための輝尽励起光源、25は放射線像変換パネル23より放出された輝尽発光を検出する光電変換装置、26は光電変換装置25で検出された光電変換信号を画像として再生する画像再生装置、27は再生された画像を表示する画像表示装置、28は輝尽励起光源24からの反射光をカットし、放射線像変換パネル23より放出された光のみを透過させるためのフィルタである。
In FIG. 1, 21 is a radiation generator, 22 is a subject, 23 is a radiation image conversion panel having a visible or infrared photostimulable phosphor layer containing a stimulable phosphor, and 24 is a radiation of the radiation
尚、図1は被写体の放射線透過像を得る場合の例であるが、被写体22自体が放射線を放射する場合には、前記放射線発生装置21は特に必要ない。
FIG. 1 shows an example of obtaining a radiation transmission image of a subject. However, when the subject 22 itself emits radiation, the
また、光電変換装置25以降は放射線像変換パネル23からの光情報を何らかの形で画像として再生できるものであればよく、前記に限定されない。
The photoelectric conversion device 25 and the subsequent devices are not limited to the above as long as the optical information from the radiation
図1に示されるように、被写体22を放射線発生装置21と放射線像変換パネル23の間に配置し放射線Rを照射すると、放射線Rは被写体22の各部の放射線透過率の変化に従って透過し、その透過像RI(即ち、放射線の強弱の像)が放射線像変換パネル23に入射する。
As shown in FIG. 1, when the subject 22 is placed between the
この入射した透過像RIは放射線像変換パネル23の輝尽性蛍光体層に吸収され、これによって輝尽性蛍光体層中に吸収された放射線量に比例した数の電子及び/又は正孔が発生し、これが輝尽性蛍光体のトラップレベルに蓄積される。
The incident transmission image RI is absorbed by the photostimulable phosphor layer of the radiation
即ち、放射線透過像のエネルギーを蓄積した潜像が形成される。次にこの潜像を光エネルギーで励起して顕在化する。 That is, a latent image in which the energy of the radiation transmission image is accumulated is formed. Next, this latent image is made visible by being excited with light energy.
また、可視あるいは赤外領域の光を照射する輝尽励起光源24によって輝尽性蛍光体層に照射してトラップレベルに蓄積された電子及び/又は正孔を追い出し、蓄積されたエネルギーを輝尽発光として放出させる。 In addition, the stimulable phosphor layer is irradiated with light in the visible or infrared region and the photostimulable phosphor layer is irradiated to expel electrons and / or holes accumulated at the trap level, and the accumulated energy is stimulated. Release as luminescence.
この放出された輝尽発光の強弱は蓄積された電子及び/又は正孔の数、すなわち放射線像変換パネル23の輝尽性蛍光体層に吸収された放射線エネルギーの強弱に比例しており、この光信号を、例えば、光電子増倍管等の光電変換装置25で電気信号に変換し、画像再生装置26によって画像として再生し、画像表示装置27によってこの画像を表示する。
The intensity of the emitted stimulated emission is proportional to the number of accumulated electrons and / or holes, that is, the intensity of the radiation energy absorbed in the stimulable phosphor layer of the radiation
画像再生装置26は単に電気信号を画像信号として再生するのみでなく、いわゆる画像処理や画像の演算、画像の記憶、保存等が出来るものを使用するとより有効である。 The image reproducing device 26 is more effective not only for reproducing an electrical signal as an image signal but also using what can perform so-called image processing, image calculation, image storage, storage, and the like.
また、光エネルギーで励起する際、輝尽励起光の反射光と輝尽性蛍光体層から放出される輝尽発光とを分離する必要があることと、輝尽性蛍光体層から放出される発光を受光する光電変換器は一般に600nm以下の短波長の光エネルギーに対して感度が高くなるという理由から、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光はできるだけ短波長領域にスペクトル分布を持ったものが望ましい。 In addition, when excited by light energy, it is necessary to separate the reflected light of the stimulated excitation light from the stimulated emission emitted from the stimulable phosphor layer, and it is emitted from the stimulable phosphor layer. Photoelectric converters that receive light emission generally have high sensitivity to light energy with a short wavelength of 600 nm or less, so that the stimulated emission emitted from the stimulable phosphor layer has a spectral distribution in the short wavelength region as much as possible. What you have is desirable.
本発明の輝尽性蛍光体の発光波長域は300〜500nmであり、一方輝尽励起波長域は500〜900nmであるので前記の条件を同時に満たすが、最近、診断装置のダウンサイジング化が進み、放射線像変換パネルの画像読み取りに用いられる励起波長は高出力で、且つ、コンパクト化が容易な半導体レーザが好まれ、そのレーザ光の波長は680nmであることが好ましく、本発明の放射線像変換パネルに組み込まれた輝尽性蛍光体は、680nmの励起波長を用いた時に、極めて良好な鮮鋭性を示すものである。 The emission wavelength range of the photostimulable phosphor of the present invention is 300 to 500 nm, while the photostimulable excitation wavelength range is 500 to 900 nm, which satisfies the above-mentioned conditions at the same time. Recently, downsizing of diagnostic devices has progressed. A semiconductor laser that has a high output and is easy to be compacted is preferable for the excitation wavelength used for image reading of the radiation image conversion panel. The wavelength of the laser light is preferably 680 nm. The stimulable phosphor incorporated in the panel exhibits very good sharpness when using an excitation wavelength of 680 nm.
即ち、本発明の輝尽性蛍光体はいずれも500nm以下に主ピークを有する発光を示し、輝尽励起光の分離が容易でしかも受光器の分光感度とよく一致するため、効率よく受光できる結果、受像系の感度を高めることができる。 That is, all of the photostimulable phosphors of the present invention emit light having a main peak at 500 nm or less, the photostimulated excitation light is easily separated, and coincides well with the spectral sensitivity of the light receiver, so that light can be received efficiently. The sensitivity of the image receiving system can be increased.
輝尽励起光源24としては、放射線像変換パネル23に使用される輝尽性蛍光体の輝尽励起波長を含む光源が使用される。特にレーザ光を用いると光学系が簡単になり、また輝尽励起光強度を大きくすることができるために輝尽発光効率をあげることができ、より好ましい結果が得られる。
As the stimulated
レーザとしては、例えば、He−Neレーザ、He−Cdレーザ、Arイオンレーザ、Krイオンレーザ、N2レーザ、YAGレーザ及びその第2高調波、ルビーレーザ、半導体レーザ、各種の色素レーザ、銅蒸気レーザ等の金属蒸気レーザ等がある。通常はHe−NeレーザやArイオンレーザのような連続発振のレーザが望ましいが、パネル1画素の走査時間とパルスを同期させればパルス発振のレーザを用いることもできる。 Examples of lasers include He—Ne laser, He—Cd laser, Ar ion laser, Kr ion laser, N 2 laser, YAG laser and its second harmonic, ruby laser, semiconductor laser, various dye lasers, copper vapor There are metal vapor lasers such as lasers. Normally, a continuous wave laser such as a He—Ne laser or an Ar ion laser is desirable, but a pulsed laser can also be used if the scanning time and pulse of one pixel of the panel are synchronized.
また、フィルタ28を用いずに特開昭59−22046号に示されるような、発光の遅延を利用して分離する方法によるときは、連続発振レーザを用いて変調するよりもパルス発振のレーザを用いる方が好ましい。 Further, when using a method of separating light emission using a delay of light emission as shown in Japanese Patent Laid-Open No. 59-22046 without using the filter 28, a pulsed laser is used rather than modulation using a continuous wave laser. It is preferable to use it.
上記の各種レーザ光源の中でも、半導体レーザは小型で安価であり、しかも変調器が不要であるので特に好ましく用いられる。 Among the various laser light sources described above, the semiconductor laser is particularly preferably used because it is small and inexpensive and does not require a modulator.
フィルタ28としては放射線像変換パネル23から放射される輝尽発光を透過し、輝尽励起光をカットするものであるから、これは放射線像変換パネル23に含有する輝尽性蛍光体の輝尽発光波長と輝尽励起光源24の波長の組合わせによって決定される。
Since the filter 28 transmits the stimulated emission emitted from the radiation
例えば、輝尽励起波長が500〜900nmで輝尽発光波長が300〜500nmにあるような実用上好ましい組合わせの場合、フィルタとしては例えば東芝社製C−39、C−40、V−40、V−42、V−44、コーニング社製7−54、7−59、スペクトロフィルム社製BG−1、BG−3、BG−25、BG−37、BG−38等の紫〜青色ガラスフィルタを用いることができる。又、干渉フィルタを用いると、ある程度、任意の特性のフィルタを選択して使用できる。光電変換装置25としては、光電管、光電子倍増管、フォトダイオード、フォトトランジスタ、太陽電池、光導電素子等光量の変化を電子信号の変化に変換し得るものなら何れでもよい。 For example, in the case of a practically preferable combination in which the photostimulation excitation wavelength is 500 to 900 nm and the photostimulation emission wavelength is 300 to 500 nm, examples of the filter include C-39, C-40, and V-40 manufactured by Toshiba Corporation. Purple-blue glass filters such as V-42, V-44, Corning 7-54, 7-59, Spectrofilm BG-1, BG-3, BG-25, BG-37, BG-38, etc. Can be used. If an interference filter is used, a filter having an arbitrary characteristic can be selected and used to some extent. The photoelectric conversion device 25 may be any device capable of converting a change in light quantity into a change in electronic signal, such as a photoelectric tube, a photomultiplier tube, a photodiode, a phototransistor, a solar cell, or a photoconductive element.
以下、本発明を実施例を挙げて具体的に説明するが、本発明の実施態様はこれらに限定されない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example is given and this invention is demonstrated concretely, the embodiment of this invention is not limited to these.
比較例1
《放射線画像変換パネル試料(試料)1〜6の作製》
表1に示した条件で、1mm厚の結晶化ガラス(日本電気ガラス社製)支持体の表面に図2で示した蒸着装置(但し、θ1=5度、θ2=5度に設定する)を用いて輝尽性蛍光体(CsBr:Eu)を有する輝尽性蛍光体層を形成した。
Comparative Example 1
<< Production of Radiation Image Conversion Panel Samples (Samples) 1-6 >>
Under the conditions shown in Table 1, the vapor deposition apparatus shown in FIG. 2 (provided that θ1 = 5 degrees and θ2 = 5 degrees) is provided on the surface of a 1 mm thick crystallized glass (manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.) support. A stimulable phosphor layer having a stimulable phosphor (CsBr: Eu) was used.
図2に示した蒸着装置においては、アルミニウム製のスリットを用い、支持体とスリットとの距離dを60cmとして、支持体と平行な方向に支持体を搬送しながら蒸着を行ない、輝尽性蛍光体層の厚みが300μmになるように調整した。 In the vapor deposition apparatus shown in FIG. 2, an aluminum slit is used, the distance d between the support and the slit is set to 60 cm, vapor deposition is performed while the support is transported in a direction parallel to the support, and photostimulable fluorescence is performed. The thickness of the body layer was adjusted to 300 μm.
尚、蒸着にあたっては、前記支持体を蒸着器内に設置し、次いで、蛍光体原料(CsBr:Eu)を蒸着源としてプレス成形し水冷したルツボにいれた。 In the vapor deposition, the support was placed in a vapor deposition device, and then, the phosphor raw material (CsBr: Eu) was pressed using a vapor deposition source and placed in a water-cooled crucible.
その後、蒸着器内を一旦排気し、その後N2ガスを導入し0.133Paに真空度を調整した後、支持体の温度(基板温度ともいう)を約350℃に保持しながら、蒸着した。輝尽性蛍光体層の膜厚が300μmとなったところで蒸着を終了させ、次いで、この蛍光体層を温度400℃で加熱処理した。乾燥空気の雰囲気内で、支持体及び硼珪酸ガラスを有する保護層周縁部を接着剤で封入して、蛍光体層が密閉された構造の放射線像変換パネル試料1(比較例1)を得た。 Thereafter, the inside of the vapor deposition device was once evacuated, then N 2 gas was introduced and the degree of vacuum was adjusted to 0.133 Pa, and then vapor deposition was performed while maintaining the temperature of the support (also referred to as the substrate temperature) at about 350 ° C. Deposition was terminated when the thickness of the photostimulable phosphor layer reached 300 μm, and then this phosphor layer was heat-treated at a temperature of 400 ° C. In a dry air atmosphere, the periphery of the protective layer having a support and borosilicate glass was sealed with an adhesive to obtain a radiation image conversion panel sample 1 (Comparative Example 1) having a structure in which the phosphor layer was sealed. .
放射線像変換パネル試料1(比較例1)の作製において、支持体上の蛍光体層上に尿素樹脂を用いて、表1記載の温度で加熱処理、蒸着しながら尿素樹脂を有する保護層(膜厚10μm)を設けた以外は、比較例1と同様にして、放射線像変換パネル試料2〜6(表1中、実施例1〜5)を作製した。 In the production of the radiation image conversion panel sample 1 (Comparative Example 1), a urea resin is used on the phosphor layer on the support, and the protective layer (film) having the urea resin while being heated and vapor-deposited at the temperatures shown in Table 1. Except having provided thickness 10 micrometers), it carried out similarly to the comparative example 1, and produced the radiation image conversion panel samples 2-6 (Examples 1-5 in Table 1).
《輝度、輝度分布の評価》
輝度はコニカミノルタエムジー(株)製Regius350を用いて評価を行った。
<Evaluation of luminance and luminance distribution>
The luminance was evaluated using Regius 350 manufactured by Konica Minolta MG Co., Ltd.
鮮鋭性評価と同様にX線をタングステン管球にて80kVp、10mAsで爆射線源とプレート間距離2mで照射した後、Regius350にプレートを設置して読みとった。得られたフォトマルからの電気信号を元に評価を行った。 As in the sharpness evaluation, X-rays were irradiated with a tungsten tube at 80 kVp and 10 mAs at a distance of 2 m between the bombardment source and the plate, and then a plate was set on the Regius 350 and read. Evaluation was performed based on the electrical signal from the obtained photomultiplier.
撮影された面内のフォトマルからの電気信号分布を相対評価し、標準偏差を求め、それぞれ各試料の輝度分布(S.D.)とした。値が小さい程、蛍光体膜中の賦活剤の均一性に優れている。 The electrical signal distribution from the photographed in-plane photomultiplier was subjected to relative evaluation, and the standard deviation was obtained to obtain the luminance distribution (SD) of each sample. The smaller the value, the better the uniformity of the activator in the phosphor film.
《鮮鋭性評価》
放射線画像変換パネル試料の鮮鋭性は、変調伝達関数(MTF)を求めて評価した。
《Evaluation of sharpness》
The sharpness of the radiation image conversion panel sample was evaluated by obtaining a modulation transfer function (MTF).
MTFは、放射線画像変換パネル試料にCTFチャートを貼付した後、放射線画像変換パネル試料に80kVpのX線を10mR(被写体までの距離:1.5m)照射した後、100μmφの直径の半導体レーザ(680nm:パネル上でのパワー40mW)を用いてCTFチャート像を走査読み取りして求めた。表の値は、2.0lp/mmのMTF値を足し合わせた値で示す。得られた結果を表1に示す。 In the MTF, after attaching a CTF chart to a radiation image conversion panel sample, the radiation image conversion panel sample is irradiated with 80 kVp X-rays at a distance of 10 mR (distance to the subject: 1.5 m), and then a semiconductor laser having a diameter of 100 μmφ (680 nm). : The CTF chart image was scanned and read using a power of 40 mW on the panel). The values in the table are shown as values obtained by adding MTF values of 2.0 lp / mm. The obtained results are shown in Table 1.
表1から明らかなように本発明の試料は比較の試料に比して優れていることが分かる。 As is apparent from Table 1, the sample of the present invention is superior to the comparative sample.
11 支持体
12 輝尽性蛍光体層
13 柱状結晶
14 柱状結晶間に形成された間隙
15 支持体ホルダ
21 放射線発生装置
22 被写体
23 放射線像変換パネル
24 輝尽励起光源
25 光電変換装置
26 画像再生装置
27 画像表示装置
28 フィルタ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Support body 12 Stimulable phosphor layer 13 Columnar crystal 14 Space | gap formed between columnar crystals 15
Claims (5)
一般式(1)
M1X・aM2X′・bM3X″:eA
〔式中、M1はLi、Na、K、Rb及びCsの各原子から選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属原子であり、M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiの各原子から選ばれる少なくとも1種の二価金属原子であり、M3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInの各原子から選ばれる少なくとも1種の三価金属原子であり、X、X′、X″はF、Cl、Br及びIの各原子から選ばれる少なくとも1種のハロゲン原子であり、AはEu、Tb、In、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgの各原子から選ばれる少なくとも1種の金属原子であり、また、a、b、eはそれぞれ0≦a<0.5、0≦b<0.5、0<e≦0.2の範囲の数値を表す。〕。 2. The radiation image conversion panel according to claim 1, comprising a photostimulable phosphor based on an alkali halide represented by the following general formula (1).
General formula (1)
M 1 X · aM 2 X ′ · bM 3 X ″: eA
[Wherein, M 1 is at least one alkali metal atom selected from Li, Na, K, Rb and Cs atoms, and M 2 is Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu. And at least one divalent metal atom selected from each atom of Ni, and M 3 is Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, At least one trivalent metal atom selected from each atom of Tm, Yb, Lu, Al, Ga and In, and X, X ′ and X ″ are at least selected from each atom of F, Cl, Br and I 1 type of halogen atom, A is Eu, Tb, In, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu and Mg. At least one metal atom selected from each atom, and a, b, e each represent a number between 0 ≦ a <0.5,0 ≦ b <0.5,0 <e ≦ 0.2.].
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