JP2005132699A - 窒化アルミニウム単結晶の製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム単結晶の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005132699A JP2005132699A JP2003372583A JP2003372583A JP2005132699A JP 2005132699 A JP2005132699 A JP 2005132699A JP 2003372583 A JP2003372583 A JP 2003372583A JP 2003372583 A JP2003372583 A JP 2003372583A JP 2005132699 A JP2005132699 A JP 2005132699A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum nitride
- single crystal
- crystal
- alumina
- raw material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 145
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims abstract description 102
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 43
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 37
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 31
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 31
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 15
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000012702 metal oxide precursor Substances 0.000 claims description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 abstract description 5
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 6
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 3
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H aluminium sulfate (anhydrous) Chemical compound [Al+3].[Al+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- -1 aluminum alkoxide Chemical class 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910001940 europium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N europium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Eu+3].[Eu+3] AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- MXRIRQGCELJRSN-UHFFFAOYSA-N O.O.O.[Al] Chemical compound O.O.O.[Al] MXRIRQGCELJRSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000007716 flux method Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007952 growth promoter Substances 0.000 description 1
- 238000013038 hand mixing Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);ytterbium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Yb+3].[Yb+3] UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】アルミナを含む原料組成物を、窒素含有雰囲気中、炭素存在下で加熱することにより、窒化アルミニウムを合成し、その窒化アルミニウムを結晶成長させることによって窒化アルミニウム単結晶を得る窒化アルミニウム単結晶の製造方法であり、原料組成物として、アルミナの他、窒化アルミニウムの結晶成長を促進させる金属酸化物を含むものを用い、その原料組成物を、窒素含有雰囲気中、炭素存在下、1650〜2200℃の温度で加熱することにより、アルミナを還元するとともに窒素と反応させて、窒化アルミニウムを合成し、その窒化アルミニウムを結晶成長させることによって窒化アルミニウム単結晶を得る窒化アルミニウム単結晶の製造方法。
【選択図】なし
Description
本発明の製造方法では、アルミナを含む原料組成物を使用する。窒化アルミニウム合成の際のアルミニウム源としては、アルミナの他、金属アルミニウムや窒化アルミニウム粗結晶が用いられる場合もあるが、以下の点において好ましくない。即ち、金属アルミニウムは低温から溶融・揮発するものの、溶融物表面に窒化物被膜が形成され易いため、その揮発、ひいては合成反応が阻害されるという問題がある。また、大きい単結晶を得るためには高温で合成及び結晶成長を行うことが有利とされているが、低温から溶融・揮発する金属アルミニウムはこのような反応には不向きである。また、窒化アルミニウム粗結晶については、昇華温度が高く、その速度も遅いために、低温では十分な結晶成長速度を得難いという問題がある。高温で結晶成長させることも考えられるが、そのような高温に対応し得る特殊設備が必要となるために、汎用性に欠ける点が問題となる。また、原料費が高いことに起因して生産コストが高くなるという問題もある。
Al2O3+2C → Al2O+2CO …(1)
本発明の製造方法においては、上記原料組成物を、窒素及び/又は窒素化合物含有雰囲気中、炭素存在下、1650〜2200℃の温度で加熱する。このような条件とすることにより、目的物である窒化アルミニウムが合成され、その窒化アルミニウムが結晶成長して窒化アルミニウム単結晶を得ることができる。
単結晶のサイズ(長さ)の評価は、反応終了後の反応容器内部を目視観察することにより行った。評価基準としては、目視確認できる最大の結晶が10mmを超える長さを有する場合には「◎」、目視確認できる最大の結晶が1mm以上10mm以下の長さを有する場合には「○」、1mm以上の長さを有する結晶が目視確認できなかった場合には「×」として表記した。
単結晶のサイズ(直径)の評価は、反応終了後の反応容器内部を走査型電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)で観察することにより行った。評価基準としては、走査型電子顕微鏡で確認できる最大の結晶が0.2mmを超える直径を有する場合には「◎」、走査型電子顕微鏡で確認できる最大の結晶が0.01mm以上0.2mm以下の直径を有する場合には「○」、0.01mm以上の直径を有する結晶が走査型電子顕微鏡で確認できなかった場合には「×」として表記した。
表1に記載のアルミニウム源、及び金属酸化物を表1に記載の比率で混合して原料組成物を調製した。この際、比較例4、及び比較例5については、アルミニウム源、及び金属酸化物に加えて、炭素源となる炭素粉末を同時に添加し、混合した。混合は、ポリエチレン製の袋の内部にアルミニウム源、及び金属酸化物(比較例4、及び比較例5にあっては、これに加えて炭素源)を投入し、振盪する方法により行った。
表1に示すように、実施例1〜13の製造方法によれば条件の如何に拘らず、2時間という短時間で、長さ1mm以上、直径0.01mm以上の実用可能な大きさを備えた結晶を得ることができた。これらの結晶は、エネルギー分散X線分析(EDX:Energy Dispersive X-ray analysis)により、結晶の最先端にごく微量の第3A族元素(又は第2A族元素)、及び酸素が検出された他は、その構成元素がアルミニウムと窒素のみであることが確認された。また、X線回折法(XRD:X-ray Diffraction)により、窒化アルミニウム結晶であることが確認された。更に、走査型電子顕微鏡による観察を行ったところ、結晶形状が六角形を呈していることから、(0001)方向に成長した単結晶であると推測された。
Claims (4)
- アルミナ(Al2O3)及び/又は加熱によりアルミナに変換されるアルミナ前駆体を含む原料組成物を、窒素及び/又は窒素化合物含有雰囲気中、炭素存在下で加熱することにより、窒化アルミニウム(AlN)を合成し、前記窒化アルミニウムを結晶成長させることによって窒化アルミニウム単結晶を得る窒化アルミニウム単結晶の製造方法であって、
前記原料組成物として、前記アルミナ及び/又は前記アルミナ前駆体の他、窒化アルミニウムの結晶成長を促進させる金属酸化物及び/又は加熱により前記金属酸化物に変換される前記金属酸化物前駆体を含むものを用い、その原料組成物を、窒素及び/又は窒素化合物含有雰囲気中、炭素存在下、1650〜2200℃の温度で加熱することにより、前記アルミナ及び/又は前記アルミナ前駆体を還元するとともに窒素と反応させて、窒化アルミニウムを合成し、前記窒化アルミニウムを結晶成長させることによって窒化アルミニウム単結晶を得る窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 - 前記金属酸化物として、第3A族元素酸化物及び/又は加熱により第3A族元素酸化物に変換される第3A族元素酸化物前駆体を用いる請求項1に記載の窒化アルミニウム単結晶の製造方法。
- 前記金属酸化物として、第2A族元素酸化物及び/又は加熱により第2A族元素酸化物に変換される第2A族元素酸化物前駆体を用いる請求項1に記載の窒化アルミニウム単結晶の製造方法。
- 前記反応の際に、反応雰囲気中に単結晶からなる板状体を存在させることにより、前記板状体の表面に、前記窒化アルミニウムを結晶成長させる請求項1〜3のいずれか一項に記載の窒化アルミニウム単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003372583A JP4350484B2 (ja) | 2003-10-31 | 2003-10-31 | 窒化アルミニウム単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003372583A JP4350484B2 (ja) | 2003-10-31 | 2003-10-31 | 窒化アルミニウム単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005132699A true JP2005132699A (ja) | 2005-05-26 |
JP4350484B2 JP4350484B2 (ja) | 2009-10-21 |
Family
ID=34648926
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003372583A Expired - Fee Related JP4350484B2 (ja) | 2003-10-31 | 2003-10-31 | 窒化アルミニウム単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4350484B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009062248A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-03-26 | Cpd Gijutsu Kenkyusho:Kk | 超微粒子原料を用いる窒化アルミニウム単結晶の育成法 |
WO2009066663A1 (ja) | 2007-11-22 | 2009-05-28 | Meijo University | 窒化アルミニウム単結晶多角柱状体及びそれを使用した板状の窒化アルミニウム単結晶の製造方法 |
WO2011065534A1 (ja) | 2009-11-30 | 2011-06-03 | 国立大学法人東北大学 | 窒化アルミニウム単結晶の製造方法 |
WO2012043574A1 (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-05 | 株式会社トクヤマ | 球状窒化アルミニウム粉末の製造方法 |
KR101190677B1 (ko) | 2011-06-21 | 2012-10-12 | (주) 세츠 | 기판 형성 방법 및 그 기판 |
US9073755B2 (en) | 2010-09-03 | 2015-07-07 | Tokuyama Corporation | Spherical aluminum nitride powder |
JP2018111644A (ja) * | 2014-08-12 | 2018-07-19 | Tdk株式会社 | アルミナ基板の製造方法 |
WO2018173172A1 (ja) * | 2017-03-22 | 2018-09-27 | 日本碍子株式会社 | 窒化アルミニウムの製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU167926U1 (ru) * | 2016-02-11 | 2017-01-12 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Р. Лебедева Российской академии наук (ФГБУН ФИАН) | Криогенный рефрижератор |
-
2003
- 2003-10-31 JP JP2003372583A patent/JP4350484B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009062248A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-03-26 | Cpd Gijutsu Kenkyusho:Kk | 超微粒子原料を用いる窒化アルミニウム単結晶の育成法 |
WO2009066663A1 (ja) | 2007-11-22 | 2009-05-28 | Meijo University | 窒化アルミニウム単結晶多角柱状体及びそれを使用した板状の窒化アルミニウム単結晶の製造方法 |
EP2224041A1 (en) * | 2007-11-22 | 2010-09-01 | Meijo University | Polygonal columnar material of aluminum nitride single crystal, and process for producing plate-like aluminum nitride single crystal using the polygonal columnar material |
US8921980B2 (en) | 2007-11-22 | 2014-12-30 | Meijo University | Aluminum nitride single crystal forming polygonal columns and a process for producing a plate-shaped aluminum nitride single crystal using the same |
EP2224041A4 (en) * | 2007-11-22 | 2014-06-11 | Univ Meijo | POLYGONAL COLUMNOUS MATERIAL OF ALUMINUM NITRIDEINE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING PLATE-TYPE ALUMINUM NITRIDEIN CRYSTAL USING THE POLYGONAL COLUMNANE MATERIAL |
JP5374381B2 (ja) * | 2007-11-22 | 2013-12-25 | 学校法人 名城大学 | 窒化アルミニウム単結晶多角柱状体及びそれを使用した板状の窒化アルミニウム単結晶の製造方法 |
EP2508656A4 (en) * | 2009-11-30 | 2013-08-07 | Univ Tohoku | PROCESS FOR PRODUCING MONOCRYSTALLINE ALUMINUM NITRIDE |
WO2011065534A1 (ja) | 2009-11-30 | 2011-06-03 | 国立大学法人東北大学 | 窒化アルミニウム単結晶の製造方法 |
EP2508656A1 (en) * | 2009-11-30 | 2012-10-10 | Tohoku University | Process for producing single-crystal aluminum nitride |
US9073755B2 (en) | 2010-09-03 | 2015-07-07 | Tokuyama Corporation | Spherical aluminum nitride powder |
WO2012043574A1 (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-05 | 株式会社トクヤマ | 球状窒化アルミニウム粉末の製造方法 |
JP2012072013A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Tokuyama Corp | 球状窒化アルミニウム粉末 |
US9090469B2 (en) | 2010-09-28 | 2015-07-28 | Tokuyama Corporation | Method of producing a spherical aluminum nitride powder |
WO2012177019A3 (ko) * | 2011-06-21 | 2013-04-04 | (주) 세츠 | 기판 형성 방법 및 그 기판 |
WO2012177019A2 (ko) * | 2011-06-21 | 2012-12-27 | (주) 세츠 | 기판 형성 방법 및 그 기판 |
KR101190677B1 (ko) | 2011-06-21 | 2012-10-12 | (주) 세츠 | 기판 형성 방법 및 그 기판 |
JP2018111644A (ja) * | 2014-08-12 | 2018-07-19 | Tdk株式会社 | アルミナ基板の製造方法 |
WO2018173172A1 (ja) * | 2017-03-22 | 2018-09-27 | 日本碍子株式会社 | 窒化アルミニウムの製造方法 |
JPWO2018173172A1 (ja) * | 2017-03-22 | 2020-01-23 | 日本碍子株式会社 | 窒化アルミニウムの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4350484B2 (ja) | 2009-10-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3876473B2 (ja) | 窒化物単結晶及びその製造方法 | |
JP4558584B2 (ja) | 窒化アルミニウム単結晶の製造方法 | |
EP2000567B1 (en) | Method for growing iii nitride single crystal | |
JP5553273B2 (ja) | 窒化物半導体の製造方法、結晶成長速度増加剤、窒化物単結晶、ウエハ及びデバイス | |
US7905958B2 (en) | Group III-nitride semiconductor crystal and manufacturing method thereof, and group III-nitride semiconductor device | |
WO2006010075A1 (en) | Method of making group iii nitrides | |
EP1885332A2 (en) | Use of an artificial sweetener to enhance absorption of nicotine | |
JPWO2009066663A1 (ja) | 窒化アルミニウム単結晶多角柱状体及びそれを使用した板状の窒化アルミニウム単結晶の製造方法 | |
JP4350484B2 (ja) | 窒化アルミニウム単結晶の製造方法 | |
US7294199B2 (en) | Nitride single crystal and producing method thereof | |
JP2008174439A (ja) | 窒素元素とガリウム元素を含む粉末の製造方法、およびそれを利用した窒化ガリウム単結晶の製造方法 | |
JP4089398B2 (ja) | AlN単結晶の製造方法 | |
KR20220038898A (ko) | 입방정 질화붕소 분말 및 이의 제조방법 | |
JP4151528B2 (ja) | AlN単結晶の製造方法 | |
JP5349373B2 (ja) | 窒化アルミニウム単結晶の製造方法 | |
KR101664376B1 (ko) | 고상 연소 합성법을 이용한 질화 금속 분말의 제조방법 | |
JP6286878B2 (ja) | 多結晶窒化ガリウム粉末の製造方法 | |
JP3896452B2 (ja) | 窒化ケイ素マグネシウム粉末の製造方法及びその製品 | |
US20230242401A1 (en) | Gallium nitride particles and method for producing same | |
JP4078996B2 (ja) | 窒化物単結晶の製造方法 | |
WO2018047769A1 (ja) | 窒化ガリウム結晶の製造方法 | |
JP4760652B2 (ja) | Ga含有窒化物結晶の製造方法およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
EP1612300B1 (en) | Method for producing a single crystal of AlN. | |
Ramos et al. | A new combustion synthesis technique for rare Earth-doped III-nitride luminescent powders | |
JP4608970B2 (ja) | 窒化物単結晶の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060825 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090421 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090609 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090721 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090722 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120731 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4350484 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120731 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130731 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |