JP2005130233A - 差動出力回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この差動出力回路は、第1電源に接続された同導電型の差動対である第1、第2トランジスタ(以下、Tr)のゲートと第1、第2入力をそれぞれ接続し、第3、第4Trのソースを第1、第2Trのドレインとそれぞれ直列に接続して、第3Trのドレインを第1出力、第4Trのドレインを第2出力とし、第1、第2出力と第2電源との間にそれぞれ負荷を接続し、第1電源に接続された第5、第6Trのドレインと第7、第8Trのソースをそれぞれ直列に接続するとともに、第5、第6Trのゲートは第1の電源と同電位に固定され、第7Trのドレインを第1出力、第8Trのドレインを第2出力と接続し、第3、第4、第7、第8Trのゲートを接続するように構成した。
【選択図】図1
Description
CMLは、電流源と差動スイッチ、負荷で簡単に構成できる。例えば、図5はPチャンネルトランジスタ入力型、図6はNチャンネルトランジスタ入力型で構成され、負荷として抵抗、電流源はトランジスタを用いて表わしている。
しかし、図5、図6では高速化に伴い、P01、P02、N01、N02のスイッチングがP03、N03に影響を与え、P03、N03のドレイン部が変動することで、定電流性が劣化する問題がでてくる。
出力電圧の振幅+差動スイッチ用トランジスタのドレイン、ソース間電圧(Vds)
+定電流用トランジスタのVds
となり、電流源トランジスタの定電流性を保つためには低電源電圧にしにくい。
通常、出力電圧の振幅は、外部レシーバとのインターフェイスを考慮して決められている。電流源用トランジスタが定電流を保持するには、ドレイン電流(Id)が安定する五極間領域で動作するのが好ましく、
Vds≧Vgs(ゲート、ソース間電圧)−Vth(閾値電圧)
が必要である。特にVdsは、
出力電圧+差動スイッチ用トランジスタのVds
による影響を受け、低電源電圧では小さくなりやすい。
P01、P02、N01、N02のVdsを小さくするには、トランジスタサイズを大きくしたり、電流源の電流を増やさなければならない。出力電圧は電流と抵抗によって決まるため、出力電圧固定の場合、抵抗値を下げる必要がある。抵抗値は、外部に接続される伝送線路とのインピーダンスの整合等を考慮しなければならないため、伝送線路を考慮すると簡単には変更できない。
また、内部論理回路と異なる高電圧等の電源を使用する場合、別途、電源用端子が必要となり、端子数が増加し、面積が大きくなってしまう。電源電圧を高電圧とすると、内部論理回路用トランジスタとは異なる高電圧向けの耐圧のあるトランジスタが必要となり、トランジスタのサイズが大きくなることから、面積が増大してしまう。
例えば、図5、図6のP01、P02、N01、N02のサイズが大きくなれば、入力信号に対する負荷が増加し、動作速度劣化の原因となり、動作速度を向上させるために、電流増加、面積増加を招いてしまう。
差動スイッチ用トランジスタの種類も内部論理回路とは異なるため、サイズも大きく、動作速度に対し、入力信号へ負担がかかってしまう。
また、差動スイッチ用トランジスタの種類も、内部論理回路と異なるゲート酸化膜の厚いトランジスタを使用せずに、内部論理回路と同じ種類のトランジスタを使用するため、面積が小さくてすみ、動作速度に対し入力信号への負担を減らし、動作速度向上できる。
図1は、本発明の差動出力回路の構成を示す回路図である。第1の電源V1を電源電圧(VCC)、第2の電源V2を接地基準電圧(GND)とする。
図1の構成は、差動スイッチ用PチャンネルトランジスタP11、P12、電流源用PチャンネルトランジスタをP13、P14、負荷用抵抗R1、R2からなる差動出力回路100と、第1の電源V1に対する保護回路H1、H2、第2の電源V2に対する保護回路H3、H4にて構成される。
また、第1の出力とV2との間に保護回路H4、並びに第2の出力との間にはH3が直列に接続されている。
P13のドレインとP15のソースを接続して、P15のドレインと第1の出力を接続する。P14のドレインとP16のソースを接続して、P16のドレインと第2の出力を接続する。また、P24のドレインとP26のソースを接続して、P26のドレインと第1の出力を接続する。P23のドレインとP25のソースを接続して、P25のドレインと第2の出力を接続する。
そして、P15、P16、P25、P26の各ゲートを接続する。
レイアウトに関しても、並列配置などの工夫をすることで、静電破壊対策、寄生素子の削減等可能である。
図2においては、P11、P12、P21、P22が同サイズ、P13、P14、P23、P24が同サイズ、P15、P16、P25、P26が同サイズでは、出力に静電気が入った場合、均等に分散される。レイアウトにおいて、トランジスタのサイズが異なる場合でも、並列配置などの工夫をすることで、均等に分散させることができる。
GNDに対しても、保護回路、保護素子としてH3、H4を付加することで静電気の抜け道を作ることができる。
図3、図4は、図1における差動出力回路100への入力信号となる信号発生回路200と、差動出力回路100の電流源の基準となる基準電流発生回路300を組み合わせた構成である。
基準電流発生回路300は、差動増幅器とトランジスタ、抵抗を組み合わせて、基準電圧V4に対して、基準電流を生成している。
図3では、差動増幅器の出力を差動出力回路100内のトランジスタP13、P14、P23、P24のゲートへ接続して、差動出力回路100内の電流源トランジスタP13,P14の電流値を決めている。
同様に、信号発生回路200内の電源も第1、第2の電源を使用している場合、信号発生回路200の出力信号はVCC付近の電圧とGND付近の電圧の論理信号が出力される。ここでP31のゲートがV1に接続することで、P31はオフ状態となり、P32に流れる電流を流れにくくすることができる。同様、信号発生回路200の論理回路において、P11、P12のゲートがVCC付近の電圧を与えることで、P11、P12はオフ状態となり、P13、P14に流れる電流を流れにくくすることができる。
通常動作時は、信号発生回路200の出力は、論理信号に対し、正転、反転の信号が出力され、差動出力回路100内のP11、P12のゲートへ入力される。差動出力回路100内のP13、P14のゲート電圧は、基準電流発生回路(300,301)のP32のゲートと接続され、P13、P14に流れる電流はP13、P14のVgsによって決まる。
よって、P13、P14のVgsはVCC付近の電圧とV3との差の電圧となる。
P21、P22のゲートは、VCCに接続しているため、通常動作時には電流が流れない。P23、P24のゲートは、P13、P14同様、V3で接続しているため、V3の電圧によって電流が流れようとするが、P21、P22がオフしているため、通常動作時には電流が流れない。外部から第1、第2の出力に対して、静電気等が入ってきた場合に静電気が抜ける働きをする。
Claims (3)
- 第1の電源に接続された同導電型の差動対である第1、第2のトランジスタのゲートと第1、第2の入力をそれぞれ接続し、第3、第4のトランジスタのソースを前記第1、第2のトランジスタのドレインとそれぞれ直列に接続して、前記第3のトランジスタのドレインを第1の出力、前記第4のトランジスタのドレインを第2の出力とし、前記第1、第2の出力と第2の電源との間にそれぞれ負荷を接続し、前記第1の電源に接続された第5、第6のトランジスタのドレインと第7、第8のトランジスタのソースをそれぞれ直列に接続するとともに、前記第5、第6のトランジスタのゲートは前記第1の電源と同電位に固定され、前記第7のトランジスタのドレインを第1の出力、前記第8のトランジスタのドレインを第2の出力と接続し、前記第3、第4、第7、第8のトランジスタのゲートを接続したことを特徴とする差動出力回路。
- 請求項1に記載の差動出力回路において、前記第3トランジスタのドレインと第9のトランジスタのソースを接続し、該第9のトランジスタのドレインを前記第1の出力と接続し、前記第4トランジスタのドレインと第10のトランジスタのソースを接続し、該第10のトランジスタのドレインを前記第2の出力と接続し、前記第7トランジスタのドレインと第11のトランジスタのソースを接続し、該第11のトランジスタのドレインを前記第1の出力と接続し、前記第8トランジスタのドレインと第12のトランジスタのソースを接続し、該第12のトランジスタのドレインを前記第2の出力と接続し、前記第9、第10、第11、第12のゲートを接続したことを特徴とする差動出力回路。
- 請求項1または2に記載の差動出力回路において、前記第1、第2の電源は内部論理回路用電源と同電圧値とし、前記トランジスタは内部論理回路と同種類のトランジスタで構成されたことを特徴とする差動出力回路。
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JP2008160304A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-10 | Nec Electronics Corp | Cml回路 |
JP2018033161A (ja) * | 2017-10-17 | 2018-03-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 差動出力回路 |
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