JP2005129501A - 加熱方法、加熱装置および画像表示装置の製造方法 - Google Patents

加熱方法、加熱装置および画像表示装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 基板の加熱を均一に行うことができ、その結果基板の反りや破損を生じさせない加熱方法を提供する。
【解決手段】 チャンバ5の内部に熱反射部材3が配置されている。熱反射部材3の一部を構成する底板3cに複数の支持ピン6が立てられている。これらの支持ピン6の先端に、加熱処理される基板1が支持されている。熱反射部材3の内側には複数のヒータ2が所定の間隔で配置されている。ヒータ2は基板1の表面側および裏面側に対向配置されている。以上により基板1および複数のヒータ2の周囲に熱反射部材3が配置された構成となる。さらに、基板1の構成面の延長線上にあって、基板周端面1aと熱反射部材3の側板3bとの間の領域に仕切り部材4が設けられている。チャンバ5には、減圧するための真空ポンプが付設されており、チャンバ5内を排気して減圧雰囲気が形成される。
【選択図】 図1

Description

本発明は、減圧雰囲気下で基板を加熱する加熱方法および加熱装置に関する。さらに、本発明は、該加熱方法により加熱された基板を用いた画像表示装置の製造方法に関する。
従来、所定の装置を構成する基板を製造する際、該基板を加熱処理する場合がある。
特許文献1には、該加熱処理を実行するための基板加熱装置が記載されている。
特許文献1に記載の基板加熱装置は、ステージと、該ステージの上に配置された熱反射板と、該反射板の上に配置され、基板が置かれる加熱プレートとを備えている。この構成では、ステージと加熱プレートの間に熱反射板が位置し、基板と熱反射板の間に加熱プレートが位置している。
さらに、このステージには、冷却水が通るための通路が形成され、また、加熱プレートの周囲に熱反射リングが設けてある。
特許文献1に記載の基板加熱装置では、加熱プレートから発せられた熱が熱反射板で反射され、この反射された熱によっても基板が加熱されるので、基板の昇温速度を速くすることが可能となる。
特開2003−59788号公報
しかしながら、特許文献1に記載の基板加熱装置は、基板下部の加熱プレートが基板を直接加熱するとともに、加熱プレートより発せられた熱を熱反射板で反射して再び基板に向かわせる構成である。すなわち、基板の、加熱プレートに接していない面に対して加熱する構成ではない。
したがって、基板を均一に加熱することができず、その結果基板が反り、破損するという問題点がある。
本発明の目的は、基板の加熱を均一に行うことができ、その結果基板の反りや破損を生じさせない加熱方法、加熱装置、および該加熱方法により加熱処理した基板を用いた画像表示装置の製造方法を提供することである。
本発明の加熱方法は、基板を支持する支持部材と、この基板の両面に対向配置され、前記基板を加熱する複数のヒータと、前記基板および複数のヒータを囲む熱反射部材と、前記支持部材、ヒータおよび熱反射部材を収容する真空容器とを備え、前記基板の周端面と前記熱反射部材との間の領域に、仕切り部材が配置された加熱装置を用い、前記真空容器を排気してなる減圧雰囲気下で、前記ヒータと前記熱反射部材とにより前記基板を加熱する方法である。
また、本発明の加熱装置は、基板を支持する支持部材と、この基板の両面に対向配置され、前記基板を加熱する複数のヒータと、前記基板および複数のヒータを囲む熱反射部材と、前記支持部材、ヒータおよび熱反射部材を収容する真空容器とを備え、前記基板の周端面と前記熱反射部材との間の領域に、仕切り部材が配置された装置である。
また、本発明は、画像表示手段と、前記画像表示手段を内包する容器とを備える画像表示装置の製造方法であって、前記容器の構成部材である基板を上記の加熱方法あるいは加熱装置によって加熱処理する工程を有する、画像表示装置の製造方法を含む。
上記のとおり構成された発明では、加熱処理される基板が支持部材で支持され、この基板の表面および裏面と複数のヒータが対向して配置される。さらに、ヒータおよび複数のヒータを熱反射部材が囲んでいる。そして、基板周端面と熱反射部材との間の領域に仕切り部材を設置することにより、基板の表面側および裏面側に配置されたヒータの熱が、基板の片面側からもう片面側へ回り込むことが防止でき、基板および仕切り部材に均一に熱が伝達される。
上述したように本発明によれば、基板の温度を均一に加熱することができるため、基板の反りや破損が起こることなく、加熱処理をすることが可能である。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明するが、本発明はこれらの実施形態に限られない。
図1は、本発明に係る加熱方法の一実施形態、及び加熱装置の構成を模式的に示す断面図である。
図1において、空間を形成するチャンバ5の内部に熱反射部材3が配置されている。熱反射部材3は複数の板で囲いを形成しており、本例では天板3a、左右の側板3b、底板3cを連結することで構成されている。
熱反射部材3の一部を構成する底板3cに複数の支持ピン6が立てられている。これらの支持ピン6の先端に、加熱処理される基板1が支持されている。
熱反射部材3の内側には複数のヒータ2が所定の間隔で配置されている。ヒータ2は基板1の表面側および裏面側に対向配置されている。以上により、基板1およびヒータ2の周囲に熱反射部材(リフレクター)3が配置された構成となる。
さらに、基板1の構成面の延長線上にあって、基板周端面1aと熱反射部材3(の側板3b)との間の領域に仕切り部材(パーティション)4が設けられている。基板周端面1aと仕切り部材4との間の間隔は、5mm〜20mmであることが好ましい。
チャンバ5には、減圧するための真空ポンプ(不図示)が付設されており、チャンバ5内を排気して減圧雰囲気が形成される。この状態でヒータ2が発熱され、基板1が加熱処理される。
本実施形態によれば、仕切り部材4を、基板1の構成面の延長線上にあって基板周端面1aと熱反射部材3との間の領域に設置することにより、基板1の表面側および裏面側に配置されたヒータ2の熱が、基板1の片面側からもう片面側へ回り込むことが防止でき、基板1および仕切り部材4に均一に熱が伝達される。
したがって、基板1の温度を均一に加熱することができ、基板1の反りや破損が起こることなく、加熱処理をすることが可能である。
以下に、本発明における実施例を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限られない。また、実施例に挙げる構成部品の符号は図1および図2に示した部品と同一のものを用いた。
(実施例1)
本実施例では、基板1の材料として600mm×900mm×厚さ2.8mmのガラス、熱反射部材3として銅の表面にペーパー仕上げを施した部材を用い、熱反射部材3で囲まれた領域を幅1000mm奥行700mmとした。基板1の構成面の延長線上にあって基板1と熱反射部材3との間の領域に配置した仕切り部材4には、基板1と同じガラスで厚さ2.8mmのものを用いた。基板1の表面の一部にインジウム膜を塗布している(不図示)。基板1を加熱するヒータ2には、シースヒーターを使用した。
図1において、基板1は位置決めをして支持ピン6の上に載置されている。基板1の載置後、チャンバ5内を2×10-6Paまで排気した。チャンバ5内が減圧された後、ヒータ(シースヒーター)2を10分かけて750℃まで加熱した。ヒータ(シースヒーター)2による加熱により基板1は400℃まで加熱され、この状態で30分間保持し、基板1の脱ガスを実施した。
以上の方法で基板の加熱処理を行なったところ、基板1と仕切り部材4は厚さが同じであり材質も同じ、すなわち放射率も同じであるため、加熱工程中の温度は等しくなり、基板1と仕切り部材4の間で熱の授受が生じない。
また、仕切り部材4を設置することにより、基板1の上下に配置されたヒーター2の熱が相互に基板1の反対側へ回り込むこともなく、基板1の温度は工程中に均一に加熱することができた。これにより、基板1の反りや破損が起きていないことを確認した。また、基板1の反りが起こらないことにより、基板1の一部に塗布されているインジウムが溶解して他の部位へ流れることがなかった。
(実施例2)
本実施例では、基本構造は実施例1と同じである。基板1には厚さ2.8mm、熱容量2.1×106J/m3℃のガラスを使用し、基板面の延長線上にあって基板1と熱反射部材3との間の領域に配置した仕切り部材4には、厚さ1.5mm、熱容量4.0×106J/m3℃のステンレス鋼を用いた。他の部材は実施例1と同じである。
上記構成において、実施例1と同様の加熱処理を行なったところ、図1における基板1と仕切り部材4は単位面積あたりの熱容量がほぼ等しくなるため、基板1と仕切り部材4の温度は工程中に同じ温度で温度上昇するため、基板1と仕切り部材4の間では熱の授受がなく、基板1は温度が均一に加熱処理を施すことができた。これにより、実施例1と同様の効果を確認できた。
(実施例3)
図2に図1に示した加熱装置の他の形態を示した断面図である。
本実施例では、基本構造は実施例1と同じであるが、仕切り部材4の端面を、図2に示すように基板周端面1aの厚みよりも上下5mm大きく突出させたリブ形状(突出部4a)とし、更に基板周端面1aと仕切り部材4の端部(突出部4a)との間隔を5mmとした。
上記構成において、実施例1と同様の加熱処理を行なったところ、基板1の端面に入るヒーターからの熱が防がれ、より温度分布が低減できることが確認できた。これにより、基板1の反りや破損が起きていないことを確認した。
なお、本発明は上記の各実施例に限定されるものではなく、種々の変更が可能であることはいうまでもない。
例えば、基板1として、画像表示部を内包する容器を構成する基板を用いてもよい。換言すると、画像表示部と、該画像表示部を内包する容器とを含む画像表示装置の製造方法において、画像表示部を内包する容器を構成する基板を上記の方法によって加熱処理するようにしてもよい。この場合、画像表示部を内包する容器を構成する基板を均一に加熱でき、かつ、加熱時に基板の反りや破損が発生する可能性を低くできる。
本発明に係る加熱方法の一実施形態、及び加熱装置の構成を模式的に示す断面図である。 図1に示した加熱装置の他の形態を示した断面図である。
符号の説明
1 基板
1a 基板周端面
2 ヒータ(シースヒーター)
3 熱反射部材
4 支持部材
5 チャンバ
6 支持ピン

Claims (9)

  1. 基板を支持する支持部材と、
    前記基板の両面に対向配置され、前記基板を加熱する複数のヒータと、
    前記基板および前記複数のヒータを囲む熱反射部材と、
    前記支持部材、前記ヒータおよび前記熱反射部材を収容する真空容器とを備え、
    前記基板の周端面と前記熱反射部材との間の領域に、仕切り部材が配置された加熱装置を用い、
    前記真空容器を排気してなる減圧雰囲気下で、前記ヒータと前記熱反射部材とにより前記基板を加熱する加熱方法。
  2. 基板を支持する支持部材と、
    前記基板の両面に対向配置され、前記基板を加熱する複数のヒータと、
    前記基板および前記複数のヒータを囲む熱反射部材と、
    前記支持部材、前記ヒータおよび前記熱反射部材を収容する真空容器とを備え、
    前記基板の周端面と前記熱反射部材との間の領域に、仕切り部材が配置された加熱装置。
  3. 前記仕切り部材は、前記基板と同じ材料にて構成されている請求項2に記載の加熱装置。
  4. 前記仕切り部材は、前記基板と同じ放射率を有する部材である請求項2に記載の加熱装置。
  5. 前記仕切り部材は、前記基板と同じ熱容量を有する部材である請求項2に記載の加熱装置。
  6. 前記基板および前記仕切り部材は、ガラスで構成されている請求項2に記載の加熱装置。
  7. 前記仕切り部材の、前記基板の周端面と対向する端面が、前記基板の周端面よりも大きい、請求項2から6のいずれかに記載の加熱装置。
  8. 画像表示手段と、前記画像表示手段を内包する容器とを備える画像表示装置の製造方法であって、
    前記容器の構成部材である基板を請求項1に記載の方法によって加熱処理する工程を有する、画像表示装置の製造方法。
  9. 画像表示手段と、前記画像表示手段を内包する容器とを備える画像表示装置の製造方法であって、
    前記容器の構成部材である基板を、請求項2から7のいずれかに記載の装置を用いて加熱処理する工程を有する、画像表示装置の製造方法。
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