JP2005128244A - 光導波路モジュール及びその製造方法並びにそれに用いるベース基板 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、光導波路モジュール及びその製造方法並びにそれに用いるベース基板に関し、低挿入損失かつ低価格の光導波路モジュール及びその製造方法並びにそれに用いるベース基板を提供することを目的とする。
【解決手段】光導波路基板２０と、光導波路基板位置決め用溝部及び光ファイバ位置決め用溝部を備えたベース基板とをパッシブアライメント方式により位置合わせして固定する光導波路モジュールの製造方法であって、光導波路基板２０のコア２６と底面２０ａとの間の距離ｈ１を複数の光導波路基板２０毎に算出し、光ファイバのコアと光導波路基板位置決め用溝部の位置決め面との間の距離ｈ２を複数のベース基板毎に算出し、距離ｈ１、ｈ２がほぼ等しい光導波路基板２０及びベース基板の組合せを選択し、選択した光導波路基板２０及びベース基板を位置合わせして固定する。
【選択図】図２

Description

本発明は、光通信システムに用いられる光導波路モジュール及びその製造方法並びにそれに用いるベース基板に関する。

光通信の分野では、低価格化及び高集積化を実現するために、複数の光導波路を石英基板やシリコン基板上に形成した光導波路部品の実用化が進められている。近年では、ＦＴＴＨ（Ｆｉｂｅｒ Ｔｏ Ｔｈｅ Ｈｏｍｅ）を代表とする光アクセスネットワークの実用化の発展が目覚ましく、この光導波路部品も市場で多数用いられている。一般に光導波路部品は、光ファイバが配列したファイバアレイと光導波路基板とを調芯接続してモジュール化した光導波路モジュールとして用いられている。

ファイバアレイと光導波路基板との調芯接続は、光ファイバと光導波路との間の結合光の強度を測定し、その強度が最大となるように光ファイバ及び光導波路のサブミクロンオーダの位置調整を行うアクティブアライメント方式により行われている。ファイバアレイ及び光導波路基板は、相対的な最適位置に調整された後に、紫外線硬化型接着剤を用いて互いに接着固定される（例えば、特許文献１参照）。

しかしながら、このような光導波路モジュールを構成する部品の１つであるファイバアレイは、高精度に加工されたＶ溝基板上に光ファイバを実装し、その後、光導波路との接続面を研磨加工する必要があるため、高価なものとなっている。さらに光の入力ポートと出力ポートの双方を有する光導波路モジュールを作製するためには、１つの光導波路基板に対して入力側及び出力側の２つのファイバアレイが必要になる。このため、光導波路モジュールの低価格化が困難になってしまうという問題が生じる。

ファイバアレイを用いずに安価な光導波路モジュールを作製するための方法として、より簡易なパッシブアライメント方式が提案されている（例えば、特許文献２参照）。パッシブアライメント方式では、光導波路基板とＶ溝ベース基板とにそれぞれ設けられた位置合わせ用マークを基準に光導波路基板と光ファイバとを相対的に位置合わせして接着固定する。

しかしながら、位置合わせ用マークを用いた上記のパッシブアライメント方式では、光導波路基板の面内方向の位置合わせが容易になるものの、光導波路基板の厚さ方向の位置合わせはできない。パッシブアライメント方式によって基板の厚さ方向の位置を調整するためには、光導波路基板の厚さ、Ｖ溝ベース基板の溝深さ、及び両基板接触面の面精度などを高精度で制御する必要がある。しかし、光導波路基板やＶ溝ベース基板の製造誤差などを考慮すると、サブミクロンオーダでの位置の調整は極めて困難である。このため、光導波路モジュールの挿入損失が大きくなってしまうという問題が生じる。
特許第３１１２１５５号公報 特開２００３−２２７９６２号公報

本発明の目的は、低挿入損失かつ低価格の光導波路モジュール及びその製造方法並びにそれに用いるベース基板を提供することにある。

上記目的は、光導波路となるコアを備えた光導波路基板と、前記光導波路基板を位置決めする光導波路基板位置決め用溝部及び光ファイバを位置決めする光ファイバ位置決め用溝部を備えたベース基板とを位置合わせして固定する光導波路モジュールの製造方法であって、前記光導波路基板のコアと基準面との間の第１の距離を複数の前記光導波路基板毎に算出し、前記光ファイバのコアと前記光導波路基板位置決め用溝部の位置決め面との間の第２の距離を複数の前記ベース基板毎に算出し、前記第１及び第２の距離がほぼ等しい前記光導波路基板及び前記ベース基板の組合せを選択し、選択した前記光導波路基板及び前記ベース基板を位置合わせして固定することを特徴とする光導波路モジュールの製造方法によって達成される。

上記本発明の光導波路モジュールの製造方法であって、前記基準面は、前記光導波路基板の底面を含み、前記位置決め面は、前記光導波路位置決め用溝部の溝底面を含むことを特徴とする。

上記本発明の光導波路モジュールの製造方法であって、前記第２の距離は、前記溝底面と前記ベース基板の上面との間の距離に基づいて算出することを特徴とする。

上記本発明の光導波路モジュールの製造方法であって、前記基準面は、前記光導波路基板のコアの延伸方向に略平行な前記光導波路基板の側端面を含み、前記位置決め面は、前記光ファイバ位置決め用溝部の延伸方向に略平行な前記光導波路位置決め用溝部の内壁面を含むことを特徴とする。

上記本発明の光導波路モジュールの製造方法であって、前記光導波路基板の端面を所定方向に所定傾斜角度で傾斜するように研磨する工程と、前記光ファイバの先端面を前記所定方向と略同方向に前記所定傾斜角度と略同一の傾斜角度で傾斜するように加工する工程と、前記光ファイバを前記光ファイバ位置決め用溝部に固定する工程とをさらに有することを特徴とする。

また、上記目的は、光ファイバを位置決めする光ファイバ位置決め用溝部と、前記光ファイバに対して位置合わせされるように光導波路基板を位置決めする互いに非平行な２つの位置決め面を備えた光導波路基板位置決め用溝部とを有することを特徴とするベース基板によって達成される。

上記本発明のベース基板であって、前記位置決め面の一方は前記光導波路基板を基板面内方向に位置決めし、他方は前記光導波路基板を基板厚さ方向に位置決めすることを特徴とする。

さらに、上記目的は、光導波路基板と、前記光導波路基板及び光ファイバを位置決めするベース基板とを有する光導波路モジュールであって、前記ベース基板として、上記本発明のベース基板が用いられていることを特徴とする光導波路モジュールによって達成される。

本発明によれば、低挿入損失かつ低価格の光導波路モジュール及びその製造方法並びにそれに用いるベース基板を実現できる。

〔第１の実施の形態〕
本発明の第１の実施の形態による光導波路モジュールの製造方法について図１乃至図１３を用いて説明する。まず、本実施の形態による光導波路モジュールの製造方法に用いられる光導波路基板及びＶ溝ベース基板の構成について説明する。
図１は、光導波路基板を基板面に垂直に見た構成を示している。また図２は、光導波路基板の角部近傍の構成を示す斜視図である。図１及び図２に示すように、光導波路基板２０は、例えば厚さ１．０ｍｍの石英ガラスからなる基板２２を有している。基板２２上の全面には、例えば厚さ２０μｍのベースクラッド層２４が形成されている。ベースクラッド層２４上には、全面に成膜したコア層を例えば１×８分岐光導波路形状にパターニングしてコア２６が形成されている。コア２６は、シングルモードとするために、延伸方向に垂直な断面が６〜８μｍ角になるように形成されている。コア２６上の基板全面には、例えば厚さ２０μｍのオーバクラッド層２８が形成されている。オーバクラッド層２８上には、Ｖ溝ベース基板との基板面内方向の位置合わせに用いる位置合わせ用マーク２９が形成されている。位置合わせ用マーク２９は、例えば厚さ１００ｎｍのタングステンシリサイド（ＷＳｉ）でフォトリソグラフィ法を用いて形成される。

図３（ａ）はＶ溝ベース基板を基板面に平行かつ配置される光ファイバの延伸方向に垂直に見た構成を示し、図３（ｂ）はＶ溝ベース基板を基板面に垂直に見た構成を示している。また図４は、Ｖ溝ベース基板の角部近傍の構成を示す斜視図である。図３（ａ）、（ｂ）及び図４に示すように、例えばガラス成型により作製されたＶ溝ベース基板３０は、光導波路基板２０を位置決めするための溝部３２を有している。溝部３２の溝底面３２ａは、光導波路基板２０を厚さ方向に位置決めする位置決め面として機能する。また溝底面３２ａには、位置合わせ用マーク２９とともに光導波路基板２０及びＶ溝ベース基板３０の基板面内方向の位置合わせに用いる位置合わせ用マーク３６が形成されている。位置合わせ用マーク３６は、例えば厚さ１００ｎｍのタングステンシリサイドでフォトリソグラフィ法を用いて形成される。Ｖ溝ベース基板３０の上面３０ａには、光ファイバを位置決めするための断面Ｖ字状のＶ溝部３４が形成されている。Ｖ溝部３４の溝深さｄは例えば３２５μｍであり、Ｖ溝部３４の２つの表面３４ａ、３４ｂの開き角度θは例えば６０°である。Ｖ溝部３４は、位置合わせ用マーク３６と同時に形成されたＶ溝形成用マーク３８に基づいて、例えば切削により形成される。

次に、光導波路基板２０及びＶ溝ベース基板３０を用いた本実施の形態による光導波路モジュールの製造方法について図５乃至図９を用いて説明する。図７乃至図９の（ａ）は図３（ａ）と同様にＶ溝ベース基板及び光導波路基板を基板面に平行かつ光ファイバの延伸方向に垂直に見た製造工程を示し、図７乃至図９の（ｂ）は図３（ｂ）と同様にＶ溝ベース基板及び光導波路基板を基板面に垂直に見た製造工程を示している。
まず、複数の光導波路基板２０について、コア２６の端面２６ａの中心部と光導波路基板２０の底面（基準面）２０ａとの間の距離（高さ）をそれぞれ算出する。ここで、導波光が伝播するコア２６の屈折率は、その周囲のベースクラッド２４及びオーバクラッド２８の屈折率よりわずか１％程度大きい値に設定されている。この程度の屈折率差では単に顕微鏡などを用いてコア２６を識別して距離を測定することは難しいが、本願出願人による日本国特許出願（特願２００３−１８６６０６）に記載されたコア位置検出方法によれば、コア２６の位置を検出できる。

図５は、上記特許出願に記載されたコア位置検出方法の概要を示している。図５に示すように、このコア位置検出方法では、光導波路基板２０の一方の端面２０ｂ側から白色光などをコア２６（図５では図示せず）に入射し、他方の端面２０ｃにおける伝播モードを観察する。端面２０ｂ、２０ｃとコア２６の延伸方向に垂直な面とがなす角を端面角度α（本実施の形態の光導波路基板２０では０°）とし、端面２０ｂの法線と光の入射方向とがなす角を入射角θ１とし、端面２０ｃの法線と伝播モード観察用のカメラ５０の向きとがなす角をカメラ配置角度θ２とする。コア位置の検出に適した入射角θ１及びカメラ配置角度θ２は、光を透過させる部分（コア２６）の屈折率と端面角度αとに基づいて算出できる。入射角θ１及びカメラ配置角度θ２をコア２６の屈折率と端面角度αとに基づいて算出された所定の角度に調整することによってコア２６の位置及び形状を検出でき、コア２６の中心部と底面２０ａとの間の距離を測定できる。

ここで、８つのポート１〜８を備える出力側では、光導波路基板２０に生じた反りによってポート毎に上記の距離が異なってしまう場合がある。このため、両端のポート１及びポート８について、光導波路基板２０が載置された平坦面とコア中心部との間の距離をそれぞれ測定し、その平均値を光導波路基板２０のコア中心部と底面２０ａとの間の距離ｈ１（図２参照）とする。なお、全てのポート１〜８について平坦面とコア中心部との間の距離をそれぞれ測定し、その平均値や中心値（最大値と最小値の平均値）等を距離ｈ１としてもよい。

次に、複数のＶ溝ベース基板３０について、Ｖ溝部３４に位置決めされる光ファイバの中心部（コア）と溝底面３２ａとの間の距離をそれぞれ算出する。図６は、光ファイバの中心部と溝底面３２ａとの間の距離を算出する方法を示している。上述のように、Ｖ溝部３４の溝深さは３２５μｍであり、開き角度は６０°であるとする。Ｖ溝部３４に位置決めされる光ファイバの外径を２５０μｍ（半径１２５μｍ）とすると、図６に示す仮想円Ａのように、光ファイバの中心はＶ溝ベース基板３０の上面３０ａより７５（＝３２５−１２５／ｓｉｎ３０°）μｍ下方に位置する。すなわち、図４に示すように上面３０ａと溝部３２の溝底面３２ａとの間の距離ｈ２を測定すれば、光ファイバの中心部と溝底面３２ａとの間の距離を算出できる。Ｖ溝ベース基板３０は例えばガラス成型により作製されているため、光ファイバの中心部と溝底面３２ａとの間の距離には所定の分布でばらつきが生じることになる。複数のＶ溝ベース基板３０は、距離ｈ２の値に基づいて予め選別される。

本実施の形態では、複数の光導波路基板２０のうち、ある光導波路基板２０のポート１でのコア２６の中心部と底面２０ａとの間の距離が１．０２３５ｍｍであり、ポート８でのコア２６の中心部と底面２０ａとの間の距離が１．０２８５ｍｍであったため、それらの平均値である１．０２６０ｍｍを距離ｈ１とした。そして、光導波路基板２０のコア中心部の位置と光ファイバの中心部の位置とが基板厚さ方向に一致するＶ溝ベース基板３０として、距離ｈ２が１．１０１０（＝１．０２６０＋０．０７５０）ｍｍであるＶ溝ベース基板３０を選択した。

次に、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、選択された光導波路基板２０及びＶ溝ベース基板３０を位置合わせ用マーク２９、３６を基準に基板面内方向に位置合わせし、紫外線硬化型接着剤を用いて互いに接着固定する。このとき、光導波路基板２０の底面２０ａとＶ溝ベース基板３０の溝底面３２ａとの間に形成される接着剤層の厚さが例えば０．５μｍ以下になるように、光導波路基板２０をＶ溝ベース基板３０に対して押圧しながら紫外線硬化型接着剤を硬化させる。

次に、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、単芯の光ファイバ４０及び８芯の光ファイバ（リボンファイバ）４２の先端部の被覆をＶ溝部３４の長さに合わせて除去し、クラッド４０ａ、４２ａをそれぞれ露出させる。続いて、クラッド４０ａ、４２ａの露出した光ファイバ４０、４２をＶ溝部３４に沿って配置する。光ファイバ４０、４２にＶ溝部３４内での浮きが生じないように、光ファイバ押さえ部材４４、４５により上部から押さえながら、紫外線硬化型接着剤を用いて光ファイバ４０、４２をそれぞれ接着固定する。

次に、図９（ａ）、（ｂ）に示すように、あらかじめ光ファイバ４０、４２に通しておいたスリーブ部材４６をＶ溝ベース基板３０と光ファイバ押さえ部材４４、４５の端部にそれぞれ接着固定し、光ファイバ４０、４２の機械的補強を行う。

以上の工程を経て作製された本実施の形態による光導波路モジュール（１ｘ８分岐光導波路モジュール）１の挿入損失を評価した。８ポート内の最大損失値は１０．３ｄＢであった。光導波路基板２０単独で測定した挿入損失と比較し、接続過剰損失が最大０．５ｄＢに抑えられていることが確認できた。
本実施の形態では、光導波路基板２０、Ｖ溝ベース基板３０、光ファイバ押さえ部材４４、及びスリーブ部材４６は、全て合成石英ガラス又はパイレックス（登録商標）ガラス等、互いに熱膨張係数の違いが少ない材料で構成した。このため、温度変化に対する光学特性変動も少ないと考えられる。

次に、本実施の形態による光導波路モジュールの製造方法の変形例について図１０乃至図１３を用いて説明する。図１０乃至図１３は、本変形例による光導波路モジュールの製造方法を示している。まず、光導波路基板２０’の距離ｈ１（図２参照）を測定した後、図１０（ａ）に示すように、研磨時の欠けを防止するために例えば厚さ１ｍｍのカバー部材４８を上面に貼り付ける。続いて、光導波路基板２０’及びカバー部材４８の端面角度αが例えば８°になるように端面２０ｂ、２０ｃを斜めに鏡面研磨する。一方、図１０（ｂ）に示すように、Ｖ溝ベース基板３０’の溝部３２の内壁面３２ｂ、３２ｃは、光導波路基板２０’の端面角度αに対応し、所定の傾斜角度（約８°）で傾斜して形成されている。Ｖ溝ベース基板３０’の距離ｈ２（図４参照）を測定し、距離ｈ１、ｈ２に基づいて、光導波路基板２０’とＶ溝ベース基板３０’の組合せを選択する。

次に、図１１に示すように、選択された光導波路基板２０’及びＶ溝ベース基板３０’を位置合わせ用マーク２９、３６（図１１では図示せず）を基準に基板面内方向に位置合わせし、紫外線硬化型接着剤を用いて互いに接着固定する。このとき、光導波路基板２０’の底面２０ａとＶ溝ベース基板３０’の溝底面３２ａとの間に形成される接着剤層の厚さが例えば０．５μｍ以下になるように、光導波路基板２０’及びカバー部材４８をＶ溝ベース基板３０’に対して押圧しながら紫外線硬化型接着剤を硬化させる。

次に、図１２に示すように、単芯の光ファイバ４０及び８芯の光ファイバ４２の先端部の被覆をＶ溝部３４の長さに合わせて除去し、クラッド４０ａ、４２ａをそれぞれ露出させる。続いて、クラッド４０ａ、４０ｂの露出した光ファイバ４０、４２の先端面が溝部３２の内壁面３２ｂ、３２ｃとそれぞれ同方向に同一傾斜角度で傾斜するように、端面カット（切断）や研磨等の加工を行う。そして、光ファイバ４０、４２をＶ溝部３４に沿って配置する。光ファイバ４０、４２にＶ溝部３４内での浮きが生じないように、光ファイバ押さえ部材４４により上部から押さえながら、紫外線硬化型接着剤を用いて光ファイバ４０、４２をそれぞれ接着固定する。

次に、図１３に示すように、あらかじめ光ファイバ４０、４２に通しておいたスリーブ部材４６をＶ溝ベース基板３０’と光ファイバ押さえ部材４４、４５の端部にそれぞれ接着固定し、光ファイバ４０、４２の機械的補強を行う。

本実施の形態では、光導波路基板２０のコア２６の位置と光ファイバ４０、４２のコアの位置とが基板厚さ方向にほぼ一致する光導波路基板２０及びＶ溝ベース基板３０の組合せを予め選択している。このため、パッシブアライメント方式による光導波路基板２０とＶ溝ベース基板３０との高精度の位置合わせが、基板面内方向だけでなく基板厚さ方向にも可能となる。したがって、低挿入損失の光導波路モジュール１が実現できる。
また本実施の形態では、光導波路基板２０とＶ溝ベース基板３０との組合せを予め選択しているため、一般に極めて高い精度が要求されるＶ溝ベース基板３０の溝寸法に対する精度許容度が大きくなる。このため、加工精度は比較的低いが量産効果の高いガラス成型によってＶ溝ベース基板３０を作製できる。また、ガラス成型では、Ｖ溝ベース基板３０’の溝部３２の内壁面３２ｂ、３２ｃを所定の傾斜角度で形成することも容易である。
さらに本実施の形態によれば、高価なファイバアレイが不要であり、調芯接続時に結合光強度を測定しながら細かに位置調整する煩雑な工程も不要になるため、製造工程が容易になり部材費と加工費を削減できる。したがって、安価な光導波路モジュール１が実現できる。

〔第２の実施の形態〕
次に、本発明の第２の実施の形態による光導波路モジュール及びその製造方法並びにそれに用いるベース基板について図１４乃至図１８を用いて説明する。図１４（ａ）は、本実施の形態によるＶ溝ベース基板を基板面に平行かつ配置される光ファイバの延伸方向に垂直に見た構成を示し、図１４（ｂ）はＶ溝ベース基板を基板面に垂直に見た構成を示している。また、図１５は、Ｖ溝ベース基板に取り付けられる光導波路基板を基板面に垂直に見た構成を示している。図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、Ｖ溝ベース基板３０は、図１５に示す光導波路基板２０を位置決めするための溝部３２を有している。溝部３２の溝底面３２ａは、光導波路基板２０を厚さ方向に位置決めする位置決め面として機能する。また溝部３２は、Ｖ溝部３４の延伸方向にほぼ垂直な内壁面３２ｂ、３２ｃと、Ｖ溝部３４の延伸方向にほぼ平行な内壁面３２ｄとを有している。内壁面３２ｄは、光導波路基板２０を面内方向に位置決めする位置決め面として機能する。位置決め面として機能する溝底面３２ａと内壁面３２ｄは、互いに非平行になっている。

次に、本実施の形態による光導波路モジュールの製造方法について図１６乃至図１８を用いて説明する。図１６乃至図１８の（ａ）は、図１４（ａ）と同様にＶ溝ベース基板及び光導波路基板を基板面に平行かつ光ファイバの延伸方向に垂直に見た製造工程を示し、図１６乃至図１８の（ｂ）は図１４（ｂ）と同様にＶ溝ベース基板及び光導波路基板を基板面に垂直に見た製造工程を示している。
まず、第１の実施の形態と同様に、光導波路基板２０の距離ｈ１（図２参照）とＶ溝ベース基板３０の距離ｈ２（図４参照）とを測定する。それとともに、Ｖ溝ベース基板３０の内壁面（基準面）３２ｄと内壁面３２ｄ側のＶ溝部３４の中心部との間の距離ｗ１と、距離ｗ１に対応する光導波路基板２０の側端面２０ｄと側端面２０ｄ側のポートにおけるコア２６の中心部との間の距離ｗ２とを測定する。続いて、距離ｈ１、ｈ２及び距離ｗ１、ｗ２に基づいて、光導波路基板２０とＶ溝ベース基板３０の組合せを選択する。具体的には、ｈ１（ｍｍ）、ｈ２（ｍｍ）がｈ２≒ｈ１＋０．０７５０の関係を満たし、かつｗ１、ｗ２がｗ１≒ｗ２の関係を満たすような光導波路基板２０及びＶ溝ベース基板３０を選択する。

次に、図１６（ａ）、（ｂ）に示すように、選択された光導波路基板２０及びＶ溝ベース基板３０を位置合わせする。このとき、光導波路基板２０の側端面２０ｄとＶ溝ベース基板３０の溝底面３２ａとを接触させることによって面内方向に位置決めされるようになっている。続いて、位置合わせされた光導波路基板２０及びＶ溝ベース基板３０を互いに接着固定する。

次に、図１７（ａ）、（ｂ）に示すように、単芯の光ファイバ４０及び８芯の光ファイバ４２の先端部の被覆をＶ溝部３４の長さに合わせて除去し、クラッド４０ａ、４２ａをそれぞれ露出させる。続いて、クラッド４０ａ、４２ａの露出した光ファイバ４０、４２をＶ溝部３４に沿って配置する。光ファイバ４０、４２にＶ溝部３４内での浮きが生じないように、光ファイバ押さえ部材４４、４５により上部から押さえながら、紫外線硬化型接着剤を用いて光ファイバ４０、４２をそれぞれ接着固定する。

次に、図１８（ａ）、（ｂ）に示すように、あらかじめ光ファイバ４０、４２に通しておいたスリーブ部材４６をＶ溝ベース基板３０と光ファイバ押さえ部材４４、４５の端部にそれぞれ接着固定し、光ファイバ４０、４２の機械的補強を行う。以上の工程を経て、本実施の形態による光導波路モジュール（１ｘ８分岐光導波路モジュール）１が完成する。本実施の形態による光導波路モジュール１の挿入損失を評価したところ、第１の実施の形態によって作製された光導波路モジュール１と同様に低挿入損失であることが確認できた。
なお、本実施の形態では光導波路基板２０の端面２０ｂ、２０ｃ及び光ファイバ４０、４２の先端面を光ファイバ４０、４２の延伸方向にほぼ垂直に形成しているが、図１０乃至図１３に示すように所定の傾斜角度で傾斜するようにしてももちろんよい。

本実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様の効果が得られるとともに、側端面２０ｄと内壁面３２ｄとを接触させることにより光導波路基板２０とＶ溝ベース基板３０とが面内方向に位置合わせされるため、位置合わせがより容易になり、また位置合わせ用マーク２９、３６も不要になる。

本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記第２の実施の形態では、Ｖ溝ベース基板３０の内壁面３２ｄが光導波路基板２０の側端面２０ｄのほぼ全域に接触しているが、本発明はこれに限らず、内壁面３２ｄに部分的な抜きを設け、側端面２０ｄの一部のみに接触するようにしてもよい。

本発明の第１の実施の形態による光導波路モジュールの製造方法に用いられる光導波路基板の構成を示す図である。 本発明の第１の実施の形態による光導波路モジュールの製造方法に用いられる光導波路基板の構成を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態による光導波路モジュールの製造方法に用いられるＶ溝ベース基板の構成を示す図である。 本発明の第１の実施の形態による光導波路モジュールの製造方法に用いられるＶ溝ベース基板の構成を示す斜視図である。 コア位置検出方法を示す図である。 光ファイバの中心部と溝底面との間の距離を算出する方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態による光導波路モジュールの製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態による光導波路モジュールの製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態による光導波路モジュールの製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態の変形例による光導波路モジュールの製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態の変形例による光導波路モジュールの製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態の変形例による光導波路モジュールの製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施の形態の変形例による光導波路モジュールの製造方法を示す図である。 本発明の第２の実施の形態によるＶ溝ベース基板の構成を示す図である。 本発明の第２の実施の形態による光導波路基板の構成を示す図である。 本発明の第２の実施の形態による光導波路モジュールの製造方法を示す図である。 本発明の第２の実施の形態による光導波路モジュールの製造方法を示す図である。 本発明の第２の実施の形態による光導波路モジュールの製造方法を示す図である。

符号の説明

１ 光導波路モジュール
２０ 光導波路基板
２０ａ 底面
２０ｂ、２０ｃ 端面
２０ｄ 側端面
２２ 基板
２４ ベースクラッド層
２６ コア
２８ オーバクラッド層
２９ 位置合わせ用マーク
３０ Ｖ溝ベース基板
３０ａ 上面
３２ 溝部
３２ａ 溝底面
３２ｂ、３２ｃ 内壁面
３４ Ｖ溝部
３４ａ、３４ｂ 表面
３６ 位置合わせ用マーク
３８ Ｖ溝形成用マーク
４０、４２ 光ファイバ
４０ａ、４２ａ クラッド
４４ 光ファイバ押さえ部材
４６ スリーブ部材
４８ カバー部材

Claims (8)

1. 光導波路となるコアを備えた光導波路基板と、前記光導波路基板を位置決めする光導波路基板位置決め用溝部及び光ファイバを位置決めする光ファイバ位置決め用溝部を備えたベース基板とを位置合わせして固定する光導波路モジュールの製造方法であって、
   前記光導波路基板のコアと基準面との間の第１の距離を複数の前記光導波路基板毎に算出し、
   前記光ファイバのコアと前記光導波路基板位置決め用溝部の位置決め面との間の第２の距離を複数の前記ベース基板毎に算出し、
   前記第１及び第２の距離がほぼ等しい前記光導波路基板及び前記ベース基板の組合せを選択し、
   選択した前記光導波路基板及び前記ベース基板を位置合わせして固定すること
   を特徴とする光導波路モジュールの製造方法。
2. 請求項１記載の光導波路モジュールの製造方法であって、
   前記基準面は、前記光導波路基板の底面を含み、
   前記位置決め面は、前記光導波路位置決め用溝部の溝底面を含むこと
   を特徴とする光導波路モジュールの製造方法。
3. 請求項２記載の光導波路モジュールの製造方法であって、
   前記第２の距離は、前記溝底面と前記ベース基板の上面との間の距離に基づいて算出すること
   を特徴とする光導波路モジュールの製造方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光導波路モジュールの製造方法であって、
   前記基準面は、前記光導波路基板のコアの延伸方向に略平行な前記光導波路基板の側端面を含み、
   前記位置決め面は、前記光ファイバ位置決め用溝部の延伸方向に略平行な前記光導波路位置決め用溝部の内壁面を含むこと
   を特徴とする光導波路モジュールの製造方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光導波路モジュールの製造方法であって、
   前記光導波路基板の端面を所定方向に所定傾斜角度で傾斜するように研磨する工程と、
   前記光ファイバの先端面を前記所定方向と略同方向に前記所定傾斜角度と略同一の傾斜角度で傾斜するように加工する工程と、
   前記光ファイバを前記光ファイバ位置決め用溝部に固定する工程とをさらに有すること
   を特徴とする光導波路モジュールの製造方法。
6. 光ファイバを位置決めする光ファイバ位置決め用溝部と、
   前記光ファイバに対して位置合わせされるように光導波路基板を位置決めする互いに非平行な２つの位置決め面を備えた光導波路基板位置決め用溝部と
   を有することを特徴とするベース基板。
7. 請求項６記載のベース基板であって、
   前記位置決め面の一方は前記光導波路基板を基板面内方向に位置決めし、他方は前記光導波路基板を基板厚さ方向に位置決めすること
   を特徴とするベース基板。
8. 光導波路基板と、前記光導波路基板及び光ファイバを位置決めするベース基板とを有する光導波路モジュールであって、
   前記ベース基板として、請求項６又は７に記載のベース基板が用いられていること
   を特徴とする光導波路モジュール。

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