JP2005102195A - Msm光検出器アセンブリ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の一実施形態は、比較的大きなコアの光導波路、例えばHCSファイバまたはプラスチック光ファイバ(POF)に結合されるMSM光検出器を使用している。小さなキャパシタンスを伴うこのMSM光検出器によって、大きなコアの光導波路を使用した高速データ伝送が可能になる。
【選択図】図2
Description
101 光ファイバ
102 ファイバのコア
103 送信器
104 受信器
105 光コネクタ
106 光検出器
107 レンズ
108 レーザ
109 別の受信コンポーネント
110 受信器外コンポーネント
200 構成
201 コネクタ
202 基板
203 ファイバ・ホルダ
300 構成
301 コネクタ
302 要素
400 グラフ
Claims (64)
- 少なくとも100ミクロンの直径を有し、光信号を伝送する光導波路と、
前記光ファイバからの前記光信号を受け取り、前記光を電気信号へと変換する金属半導体金属(MSM)光検出器と
を備え、前記システムが、少なくとも毎秒500メガビットのデータ転送速度を有するシステム。 - 前記システムが、少なくとも毎秒1ギガビットのデータ転送速度を有する、請求項1に記載のシステム。
- 前記光導波路が、光ファイバである、請求項1に記載のシステム。
- 前記光ファイバが、シリカ・ファイバである、請求項3に記載のシステム。
- 前記光ファイバが、ハード・クラッド・シリカ・ファイバである、請求項3に記載のシステム。
- 前記光ファイバが、プラスチック光ファイバである、請求項3に記載のシステム。
- 前記MSM光検出器が、GaAs基板を有する、請求項1に記載のシステム。
- 前記MSM光検出器が、InP基板を有する、請求項1に記載のシステム。
- 前記MSM光検出器が、GaN基板、サファイア基板、およびSiC基板のうちの1つを有する、請求項1に記載のシステム。
- 前記光導波路が、前記MSM光検出器の光軸に平行な光軸を有する、請求項1に記載のシステム。
- 前記光信号が前記光導波路を出るときに、前記光信号の方向に関してある角度で前記MSM光検出器上へと前記光信号を反射する反射器をさらに備える、請求項1に記載のシステム。
- 前記角度が、90度である、請求項11に記載のシステム。
- 前記MSM光検出器上へ前記光信号を集束させるレンズをさらに備え、前記MSMS光検出器が、前記光導波路の前記直径より小さな直径を有する、請求項1に記載のシステム。
- 前記反射器が、前記光信号を前記MSM光検出器上へと集束させ、前記MSM光検出器が、前記光導波路の前記直径より小さな直径を有する、請求項11に記載のシステム。
- 前記光導波路が、複数の光導波路のうちの1つのファイバであり、前記MSM光検出器が、複数の光検出器のうちの1つのMSM光検出器であり、各光導波路が、各MSM光検出器に関連づけられる、請求項1に記載のシステム。
- 前記光導波路が、30メートルより短い長さを有する、請求項1に記載のシステム。
- 前記システムが、娯楽システム、コンピュータ・システム、自動車システム、交通システム、貯蔵システム、産業システム、航空システム、マルチメディア・システム、および情報技術システムのうちの1つに関連する、請求項1に記載のシステム。
- 前記システムが、信号プロバイダを受信ユニットに接続する、請求項1に記載のシステム。
- 前記信号プロバイダが、ケーブル・システム、DVDプレーヤ、ビデオ・カセット・プレーヤ、CDプレーヤ、コントローラ、センサ、通信システム、データ記憶装置、およびマルチプレクサからなる群から選択される、請求項18に記載のシステム。
- 前記受信ユニットが、ステレオ・システム、テレビジョン、コンピュータ、携帯型情報端末、ゲーム・システム、電話、家庭用電気製品、ディスプレイ画面、制御システム、デマルチプレクサ、およびデジタル・レコーダからなる群から選択される、請求項18に記載のシステム。
- 前記光導波路が、100ミクロン、200ミクロン、400ミクロン、800ミクロン、および1000ミクロンのうちの1つの直径を有する、請求項1に記載のシステム。
- 前記光導波路が、100〜1000ミクロンの間の直径を有する、請求項1に記載のシステム。
- 前記MSM光検出器を取り付ける基板をさらに備える、請求項1に記載のシステム。
- 前記基板が、プリント回路基板、リード・フレーム基板、RFセラミック基板、およびシリコン基板のうちの1つである、請求項23に記載のシステム。
- 少なくとも100ミクロンの直径を有する光導波路に搬送される、時間の一部分について少なくとも毎秒500メガビットのデータ転送速度を有する光信号を提供する送信器と、
金属半導体金属(MSM)光検出器を備え、前記光信号を受け取り、前記光信号を電気信号へと変換する受信器と、
前記受信器を前記光導波路に結合するコネクタと
を備えるデータ伝送システム。 - 前記システムが、少なくとも毎秒1ギガビットのデータ転送速度を有する、請求項25に記載のシステム。
- 前記光導波路が、光ファイバである、請求項25に記載のシステム。
- 前記光ファイバが、シリカ・ファイバである、請求項27に記載のシステム。
- 前記光ファイバが、ハード・クラッド・シリカ・ファイバである、請求項27に記載のシステム。
- 前記光ファイバが、プラスチック光ファイバである、請求項27に記載のシステム。
- 前記MSM光検出器上に前記光信号を集束させるレンズをさらに備え、前記MSM光検出器が、前記光導波路の前記直径よりも小さな直径を有する、請求項25に記載のシステム。
- 前記光導波路が、前記MSM光検出器の光軸に平行な光軸を有する、請求項25に記載のシステム。
- 前記光信号が前記光導波路を出るときに、前記光信号の方向に関してある角度で前記MSM光検出器上へと前記光信号を反射する反射器をさらに備える、請求項25に記載のシステム。
- 前記角度が、90度である、請求項33に記載のシステム。
- 前記反射器が、前記光信号を前記MSM光検出器上へと集束させ、前記MSM光検出器が、前記光導波路の前記直径より小さな直径を有する、請求項33に記載のシステム。
- 前記光導波路が、複数の光導波路のうちの1つのファイバであり、前記MSM光検出器が、複数の光検出器のうちの1つのMSM光検出器であり、各光導波路が、各MSM光検出器に関連づけられる、請求項25に記載のシステム。
- 前記光導波路が、30メートルより短い長さを有する、請求項25に記載のシステム。
- 前記システムが、娯楽システム、コンピュータ・システム、自動車システム、交通システム、貯蔵システム、産業システム、航空システム、マルチメディア・システム、および情報技術システムのうちの1つに関連する、請求項25に記載のシステム。
- 前記送信器が、ケーブル・システム、DVDプレーヤ、ビデオ・カセット・プレーヤ、CDプレーヤ、コントローラ、センサ、通信システム、データ記憶装置、およびマルチプレクサからなる群から選択される、請求項25に記載のシステム。
- 前記受信器が、ステレオ・システム、テレビジョン、コンピュータ、携帯型情報端末、ゲーム・システム、電話、家庭用電気製品、ディスプレイ画面、制御システム、デマルチプレクサ、およびデジタル・レコーダからなる群から選択される、請求項25に記載のシステム。
- 前記光導波路が、100ミクロン、200ミクロン、400ミクロン、800ミクロン、および1000ミクロンのうちの1つの直径を有する、請求項25に記載のシステム。
- 前記光導波路が、100〜1000ミクロンの直径を有する、請求項25に記載のシステム。
- 前記MSM光検出器を取り付ける基板をさらに備える、請求項25に記載のシステム。
- 前記基板が、プリント回路基板、リード・フレーム基板、RFセラミック基板、およびシリコン基板のうちの1つである、請求項43に記載のシステム。
- 少なくとも100ミクロンの直径を有しており、時間の一部分について少なくとも毎秒500メガビットのデータ転送速度を有する光信号を搬送する光導波路を受けるためのポートと、
前記光ファイバからの前記光信号を受け取り、前記光を電気信号に変換する金属半導体金属(MSM)光検出器のための支持物と
を備えるコネクタ。 - 前記光導波路が、光ファイバである、請求項45に記載のコネクタ。
- 前記光ファイバが、シリカ・ファイバである、請求項46に記載のコネクタ。
- 前記光ファイバが、ハード・クラッド・シリカ・ファイバである、請求項46に記載のコネクタ。
- 前記光ファイバが、プラスチック光ファイバである、請求項46に記載のコネクタ。
- 前記MSM光検出器上に前記光信号を集束させるレンズをさらに備え、前記MSM光検出器が、前記光導波路の前記直径よりも小さな直径を有する、請求項45に記載のコネクタ。
- 前記光導波路が、前記MSM光検出器の光軸に平行な光軸を有する、請求項45に記載のコネクタ。
- 前記光信号が前記光導波路を出るときに、前記光信号の方向に関してある角度で前記MSM光検出器上へと前記光信号を反射する反射器をさらに備える、請求項45に記載のコネクタ。
- 前記角度が、90度である、請求項52に記載のコネクタ。
- 前記反射器が、前記光信号を前記MSM光検出器上へと集束させ、前記MSM光検出器が、前記光導波路の前記直径より小さな直径を有する、請求項52に記載のコネクタ。
- 前記光導波路が、複数の光導波路のうちの1つのファイバであり、前記MSM光検出器が、複数の光検出器のうちの1つのMSM光検出器であり、各光導波路が、各MSM光検出器に関連づけられる、請求項45に記載のコネクタ。
- 前記光導波路が、30メートルより短い長さを有する、請求項45に記載のコネクタ。
- 前記システムが、娯楽システム、コンピュータ・システム、自動車システム、交通システム、貯蔵システム、産業システム、航空システム、マルチメディア・システム、および情報技術システムのうちの1つに関連する、請求項45に記載のコネクタ。
- 前記コネクタが、信号プロバイダを受信ユニットに接続する、請求項45に記載のコネクタ。
- 前記信号プロバイダが、ケーブル・システム、DVDプレーヤ、ビデオ・カセット・プレーヤ、CDプレーヤ、コントローラ、センサ、通信システム、データ記憶装置、およびマルチプレクサからなる群から選択される、請求項58に記載のコネクタ。
- 前記受信ユニットが、ステレオ・システム、テレビジョン、コンピュータ、携帯型情報端末、ゲーム・システム、電話、家庭用電気製品、ディスプレイ画面、制御システム、デマルチプレクサ、およびデジタル・レコーダからなる群から選択される、請求項58に記載のコネクタ。
- 前記光導波路が、100ミクロン、200ミクロン、400ミクロン、800ミクロン、および1000ミクロンのうちの1つの直径を有する、請求項45に記載のコネクタ。
- 前記光導波路が、100〜1000ミクロンの直径を有する、請求項45に記載のコネクタ。
- 前記支持物が、前記MSM光検出器を取り付ける基板である、請求項45に記載のコネクタ。
- 前記基板が、プリント回路基板、リード・フレーム基板、RFセラミック基板、およびシリコン基板のうちの1つである、請求項63に記載のコネクタ。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102811345A (zh) * | 2012-08-10 | 2012-12-05 | 江苏奥雷光电有限公司 | 一种数字接口终端机 |
JP2013510468A (ja) * | 2009-11-05 | 2013-03-21 | ザ・ボーイング・カンパニー | プラスチック光ファイバネットワーク用のトランシーバ |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007007238A1 (en) * | 2005-07-14 | 2007-01-18 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Colour point control system |
CA2695003C (en) * | 2007-07-13 | 2013-11-26 | Vincent Chow | System and method for attenuation of electrical noise |
US8829479B2 (en) * | 2008-11-21 | 2014-09-09 | L-3 Communications Corporation | Isolated high-speed digital interface for vehicles |
US9105790B2 (en) * | 2009-11-05 | 2015-08-11 | The Boeing Company | Detector for plastic optical fiber networks |
WO2016081476A1 (en) * | 2014-11-18 | 2016-05-26 | Shih-Yuan Wang | Microstructure enhanced absorption photosensitive devices |
US9482596B2 (en) * | 2013-06-24 | 2016-11-01 | General Electric Company | Optical monitoring system for a gas turbine engine |
US11300730B2 (en) * | 2013-07-30 | 2022-04-12 | The Boeing Company | Plastic and glass optical fiber bus network having plural line replaceable units transmitting to a mixing rod |
US10564357B2 (en) | 2013-07-30 | 2020-02-18 | The Boeing Company | Plastic optical fiber bus network using tapered mixing rods |
US20160085027A1 (en) * | 2013-07-30 | 2016-03-24 | The Boeing Company | Tapered optical mixing rods |
US9778419B1 (en) | 2016-06-23 | 2017-10-03 | The Boeing Company | Fiber optical system with fiber end face area relationships |
US10950651B2 (en) * | 2018-11-28 | 2021-03-16 | Applied Optoelectronics, Inc. | Photodiode (PD) array with integrated back-side lenses and a multi-channel transceiver module implementing same |
US11398870B2 (en) * | 2020-03-13 | 2022-07-26 | General Electric Company | Systems and methods for optical data communication using wide bandgap semiconductor detectors |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09113768A (ja) * | 1995-10-16 | 1997-05-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光受信装置の光結合構造 |
JPH1152199A (ja) * | 1997-08-06 | 1999-02-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送受信モジュ−ル |
JP2000156664A (ja) * | 1998-11-18 | 2000-06-06 | Sony Corp | 光通信装置とこれを利用した光送受信装置 |
JP2001168371A (ja) * | 1999-12-06 | 2001-06-22 | Nec Corp | 装荷型半導体受光素子及びその製造方法 |
JP2003142721A (ja) * | 2001-11-07 | 2003-05-16 | Pawdec:Kk | 受光素子 |
JP2003520353A (ja) * | 1999-11-03 | 2003-07-02 | ザ ウィタカー コーポレーション | マルチファイバアレー用光電子モジュール |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5768002A (en) * | 1996-05-06 | 1998-06-16 | Puzey; Kenneth A. | Light modulation system including a superconductive plate assembly for use in a data transmission scheme and method |
US6239422B1 (en) | 1999-03-10 | 2001-05-29 | Trw Inc. | Variable electrode traveling wave metal-semiconductor-metal waveguide photodetector |
JP2001042170A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-02-16 | Canon Inc | 光配線装置、その駆動方法およびそれを用いた電子機器 |
JP2001223642A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光通信装置 |
US6609840B2 (en) * | 2001-04-05 | 2003-08-26 | Alan Y. Chow | Wave length associative addressing system for WDM type light packet steering |
US20030113078A1 (en) * | 2001-12-13 | 2003-06-19 | Tatum Jimmy A. | Methods, systems and means for providing data communications between data equipment |
US6939058B2 (en) * | 2002-02-12 | 2005-09-06 | Microalign Technologies, Inc. | Optical module for high-speed bidirectional transceiver |
JP2004047831A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | 受光素子モジュール |
US7012314B2 (en) * | 2002-12-18 | 2006-03-14 | Agere Systems Inc. | Semiconductor devices with reduced active region defects and unique contacting schemes |
US6863453B2 (en) * | 2003-01-28 | 2005-03-08 | Emcore Corporation | Method and apparatus for parallel optical transceiver module assembly |
-
2003
- 2003-09-05 US US10/655,752 patent/US7503706B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-09-03 CN CN2008101817298A patent/CN101419316B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-03 JP JP2004256549A patent/JP2005102195A/ja active Pending
- 2004-09-03 CN CNA2004100471542A patent/CN1625083A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09113768A (ja) * | 1995-10-16 | 1997-05-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光受信装置の光結合構造 |
JPH1152199A (ja) * | 1997-08-06 | 1999-02-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送受信モジュ−ル |
JP2000156664A (ja) * | 1998-11-18 | 2000-06-06 | Sony Corp | 光通信装置とこれを利用した光送受信装置 |
JP2003520353A (ja) * | 1999-11-03 | 2003-07-02 | ザ ウィタカー コーポレーション | マルチファイバアレー用光電子モジュール |
JP2001168371A (ja) * | 1999-12-06 | 2001-06-22 | Nec Corp | 装荷型半導体受光素子及びその製造方法 |
JP2003142721A (ja) * | 2001-11-07 | 2003-05-16 | Pawdec:Kk | 受光素子 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013510468A (ja) * | 2009-11-05 | 2013-03-21 | ザ・ボーイング・カンパニー | プラスチック光ファイバネットワーク用のトランシーバ |
CN102811345A (zh) * | 2012-08-10 | 2012-12-05 | 江苏奥雷光电有限公司 | 一种数字接口终端机 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7503706B2 (en) | 2009-03-17 |
CN101419316A (zh) | 2009-04-29 |
CN101419316B (zh) | 2011-10-12 |
CN1625083A (zh) | 2005-06-08 |
US20050053335A1 (en) | 2005-03-10 |
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