JP2005101856A - 高周波伝送基板および高周波伝送基板接続構造 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 高周波信号を伝送する伝送線路と、該伝送線路の延在方向に沿う当該伝送線路の中心軸上において前記伝送線路を配置する面と垂直をなす面に対して面対称の関係にあって、前記伝送線路と離間するとともに相互いに離間して配置される1対の導電部とをセラミック基板等の基板上に形成する。さらに、前記導電部における接続端から、当該接続端を始点として延長する当該導電部の終点までの長さの全てが前記高周波信号の波長の略1/4の長さであるように各々の導電部を形成する。
【選択図】図1
Description
図1は、実施の形態1における高周波伝送基板1の主要部を示す図である。図1(a)において、高周波信号を伝送する伝送線路2は、例えばセラミック基板上に形成される。また、前記伝送線路2の両側には導電部3が形成される。なお、前記導電部3は、前記伝送線路2と接触することなく形成する。また、前記伝送線路2等を形成する基板はセラミック基板に限られることはないが、以下の説明においてはセラミック基板を使用する場合について説明する。
条件1.前記伝送線路2と接触することなく形成する。
条件2.導電部3どうしは、前記伝送線路2の中心軸上において前記伝送線路2を配置する面と垂直をなす面に対して面対称の関係となるように配置する。
λ=(3.0×108)/(15×109)=0.02[m] (1)
となる。なお、(1)は真空時の波長の長さである。
L=λ/(4*√(εr_eff))=0.005/√(εr_eff)[m]
=5/√(εr_eff)[mm] (2)
となる。
なお、実効誘電率εr_effは伝送基板1の材質や当該伝送基板1を配置する空間の誘電率等を考慮して決定する。
L=5/√7[mm]
≒1.89[mm]
となる。なお、前記実効誘電率εr_effは、使用環境の温度、伝送周波数、基板厚さ等によって変化するため、各々の条件に応じて決定する必要があり、簡易的には、下記(3)式に示すM.V.Schneiderの式によって求められることが一般に知られている。
εr_eff=(εr+1)/2
+((εr−1)/2)*(1+10h/W)^(−0.5) (3)
なお、式(3)中のεrは基板の比誘電率、hは基板の厚さ、Wは伝送線路2の幅である。
スルーホール9を有するものの場合、反射特性が全体的に若干改善されてはいるが、反射特性の改善を目的とする周波数、すなわち伝送信号の周波数近傍においては本実施の形態1における接続構造による効果のほうが明らかに大きい。
図6は、実施の形態2における高周波伝送基板接続構造を示す図である。本実施の形態2の接続構造における一方の伝送基板は、前記実施の形態1において説明した図1に記載の高周波伝送基板1である。また、他方の高周波伝送基板10は、当該伝送基板10の表面と裏面とが導通するようにスルーホール9が設けられたものである。なお、以下の説明では前記図1と同様の構成である伝送基板を第1の伝送基板1といい、スルーホール9が設けられている伝送基板10を第2の伝送基板10という。
図8は実施の形態3における高周波伝送基板接続構造を示す図である。なお、本実施の形態3では、接続される2つの伝送基板が、ともに図1に記載の伝送基板1である場合について説明する。
Claims (6)
- 高周波信号を伝送する伝送線路と、
該伝送線路の延在方向に沿う当該伝送線路の中心軸上において前記伝送線路を配置する面と垂直をなす面に対して面対称の関係にあって、前記伝送線路と離間するとともに相互いに離間して配置される1対の導電部とを有し、
前記導電部はいずれも、接続端を始点として延長する当該導電部の終点が前記高周波信号の波長の略1/4の長さであることを特徴とする高周波伝送基板。 - 導電部と、基板の裏面との間が絶縁されてなることを特徴とする請求項1に記載の高周波伝送基板。
- ともに高周波信号を伝送する伝送線路を有して導電体上に配置され、少なくともいずれか一方が請求項1または2に記載の高周波伝送基板である2枚の高周波伝送基板と、
前記2枚の高周波伝送基板の各伝送線路間を電気的に接続する第1の接続手段と、
前記2枚の高周波伝送基板のうち、いずれかの前記高周波伝送基板上の各導電部における接続端と他方の高周波伝送基板上の所定の部位とを電気的に接続する第2の接続手段とを含んで構成される高周波伝送基板接続構造。 - 一方の高周波伝送基板における導電部の接続端と他方の高周波伝送基板に設けるスルーホールとが第2の接続手段によって接続されることを特徴とする請求項3に記載の高周波伝送基板接続構造。
- 第1の接続手段の特性インピーダンスおよび第2の接続手段の特性インピーダンスが、伝送線路の特性インピーダンスと略同一となるように、導電部と伝送線路との離間間隔、第1の接続手段の幅および第2の接続手段の幅を設定したことを特徴とする請求項3または4に記載の高周波伝送基板接続構造。
- 第2の接続手段は、2枚の高周波伝送基板上の各伝送線路のうち、少なくとも一方の伝送線路を覆う導電体を含んで構成されることを特徴とする請求項3ないし5に記載の高周波伝送基板接続構造。
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