JP2005101469A - Semiconductor device and its manufacturing method - Google Patents

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    • H01L2224/11—Manufacturing methods

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high performance semiconductor element which can be bonded rigidly to a circuit board, and to provide its manufacturing method. <P>SOLUTION: The semiconductor element comprises a barrier metal layer 3 containing Ni and P formed on a semiconductor substrate 1, and bumps 5 containing at least Cu provided on the barrier metal layer 3 wherein the bump 5 is composed of a lower layer bump 5a having a high content of Cu, and an upper layer bump 5b having a content of Cu lower than that of the lower layer bump 5a. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、回路基板上の回路パターンにバンプを介して電気的に接続される半導体素子に関するものである。   The present invention relates to a semiconductor element that is electrically connected to a circuit pattern on a circuit board via a bump.

従来より、回路パターンを有した回路基板の上面に、ＩＣ等の半導体素子をフェースダウンボンディングすること、すなわち、半導体素子の集積回路形成面を回路基板と対面させた状態で半導体素子を回路基板上に実装することが行われている。   Conventionally, a semiconductor element such as an IC is face-down bonded to the upper surface of a circuit board having a circuit pattern, that is, the semiconductor element is mounted on the circuit board with the integrated circuit formation surface of the semiconductor element facing the circuit board. It has been implemented.

かかるフェースダウンボンディングに用いられる半導体素子はフリップチップ型ＩＣと呼ばれ、その端子を回路基板上の回路パターンに対し半田等の導電材を介して接続させるようにしたものが一般的であった。   A semiconductor element used for such face-down bonding is called a flip-chip type IC and generally has a terminal connected to a circuit pattern on a circuit board via a conductive material such as solder.

このような従来のフリップチップ型ＩＣとしては、集積回路が設けられている半導体基板１１の一主面に被着されたニッケル等から成る複数のバリアメタル層１３上に半田バンプ１５を選択的に形成した構造のものが知られている。   As such a conventional flip chip type IC, solder bumps 15 are selectively formed on a plurality of barrier metal layers 13 made of nickel or the like deposited on one main surface of a semiconductor substrate 11 provided with an integrated circuit. The structure formed is known.

かかるフリップチップ型ＩＣを回路基板上に実装する場合は、フリップチップ型ＩＣの半田バンプが回路基板上の対応する回路パターンと対向するようにしてフリップチップ型ＩＣを回路基板上に載置させ、しかる後、半田バンプを高温で加熱・溶融させることによってフリップチップ型ＩＣのバリアメタル層が回路基板上の回路パターンに半田接合される。   When mounting such a flip chip type IC on a circuit board, the flip chip type IC is placed on the circuit board so that the solder bumps of the flip chip type IC face the corresponding circuit pattern on the circuit board, Thereafter, the solder bump is heated and melted at a high temperature, whereby the barrier metal layer of the flip chip IC is soldered to the circuit pattern on the circuit board.

上述のフリップチップ型ＩＣは、通常、次のような手法により製作されている。すなわち、
（１）上面に、複数のバリアメタル層１３を有する半導体基板１１と、バリアメタル層１３に１対１に対応する複数の開口を有した印刷マスク１６とを準備し、
（２）次に、印刷マスク１６の開口１７がバリアメタル層１３上に位置するように印刷マスク１６を半導体基板１１上に配置し（図４（ａ））、
（３）続いて、印刷マスク１６上に供給された半田ペースト１５’を、スキージ等を用いて開口１７を介してバリアメタル層１３上に印刷・塗布し（図４（ｂ））、
（４）最後に、塗布した半田ペースト１５’を加熱して球状の半田バンプ１５を形成し、半導体基板１１を所定形状に加工することによってフリップチップ型ＩＣが完成する（図４（ｃ））。 The above-described flip-chip type IC is usually manufactured by the following method. That is,
(1) Prepare a semiconductor substrate 11 having a plurality of barrier metal layers 13 on the upper surface and a printing mask 16 having a plurality of openings corresponding to the barrier metal layer 13 on a one-to-one basis.
(2) Next, the printing mask 16 is arranged on the semiconductor substrate 11 so that the opening 17 of the printing mask 16 is located on the barrier metal layer 13 (FIG. 4A).
(3) Subsequently, the solder paste 15 ′ supplied onto the printing mask 16 is printed and applied onto the barrier metal layer 13 through the opening 17 using a squeegee or the like (FIG. 4B).
(4) Finally, the applied solder paste 15 ′ is heated to form spherical solder bumps 15, and the semiconductor substrate 11 is processed into a predetermined shape, thereby completing a flip chip type IC (FIG. 4C). .

尚、上述の半田ペースト１５’としては、ＳｎやＡｇ，Ｃｕにフラックス等を添加・混合して所定の粘度に調整した半田ペーストが好適に用いられる。   As the above-described solder paste 15 ', a solder paste adjusted to a predetermined viscosity by adding and mixing a flux or the like to Sn, Ag, or Cu is preferably used.

また上述のバリアメタル層１３は、半田ペースト１５’に対して濡れ性の良好な構成、例えば、Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕを順次積層した構成、Ｚｎ、Ｎｉを順次積層した構成、Ｎｉ，Ａｕを順次積層した構成等、Ｎｉを主成分とする構成を有している。更にバリアメタル層１３には、耐酸性を向上させる目的でＰが含有されており、かかるＰの作用によって半田ペースト１５’中のフラックスがバリアメタル層１３を浸蝕するのを防止している。
特開２０００−１００８５３号公報 特開２００２−３０５２１６号公報 特開２００２−１３４５３８号公報 The barrier metal layer 13 has a structure with good wettability with respect to the solder paste 15 ′, for example, a structure in which Zn, Ni, and Au are sequentially stacked, a structure in which Zn and Ni are sequentially stacked, and Ni and Au are sequentially stacked. It has a structure mainly composed of Ni, such as a stacked structure. Furthermore, the barrier metal layer 13 contains P for the purpose of improving acid resistance, and the action of P prevents the flux in the solder paste 15 ′ from eroding the barrier metal layer 13.
Japanese Patent Laid-Open No. 2000-1000085 JP 2002-305216 A JP 2002-134538 A

ところで、上述のフリップチップ型ＩＣにおいては、上述の半田ペーストをバリアメタル層１３上に塗布し、これを加熱した場合、バリアメタル層１３中に含まれるＮｉが半田バンプ１５に向かって拡散するため、バリアメタル層１３の上部領域にはＰが多く含まれたＰリッチ相が比較的大きな厚みで形成される。   By the way, in the above-described flip-chip type IC, when the above-mentioned solder paste is applied on the barrier metal layer 13 and heated, Ni contained in the barrier metal layer 13 diffuses toward the solder bump 15. In the upper region of the barrier metal layer 13, a P-rich phase containing a large amount of P is formed with a relatively large thickness.

この場合、フリップチップ型ＩＣを回路基板上に実装した場合、上述のＰリッチ相において半田バンプのシェア強度が小さくなり、フリップチップ型ＩＣと回路基板とを強固に接合しておくことが困難となる問題があった。   In this case, when the flip chip type IC is mounted on the circuit board, the shear strength of the solder bump is reduced in the above P-rich phase, and it is difficult to firmly bond the flip chip type IC and the circuit board. There was a problem.

そこで上述の問題点を解消するため、半田バンプにＣｕを含有させることにより、バリアメタル層中のＮｉが半田バンプに向かって拡散するのを防止することが提案されている。   Therefore, in order to solve the above-mentioned problems, it has been proposed to prevent Ni in the barrier metal layer from diffusing toward the solder bumps by containing Cu in the solder bumps.

しかしながら、半田バンプに含まれるＣｕが多いと、半田バンプの表面が酸化されやすくなり、フリップチップ型ＩＣを回路基板上に実装する際、溶融した半田バンプが回路パターン上に対して濡れにくくなる問題を誘発する。   However, if the amount of Cu contained in the solder bumps is large, the surface of the solder bumps is likely to be oxidized, and when the flip chip type IC is mounted on the circuit board, the melted solder bumps are difficult to wet on the circuit pattern. To trigger.

本発明は上記課題に鑑み案出されたものであり、その目的は半導体素子を回路基板上に強固に接合しておくことが可能な高性能の半導体素子及びその製造方法を提供することにある。   The present invention has been devised in view of the above problems, and an object thereof is to provide a high-performance semiconductor element capable of firmly bonding a semiconductor element on a circuit board and a manufacturing method thereof. .

本発明の半導体素子は、半導体基板上に、Ｎｉ及びＰを含むバリアメタル層を点在させるとともに、該バリアメタル層上に少なくともＣｕを含有するバンプを設けた半導体素子において、前記バンプはＣｕ含有率が大きい下層バンプと、該下層バンプよりもＣｕ含有率が小さい上層バンプとを備えたことを特徴とする。   The semiconductor element of the present invention is a semiconductor element in which a barrier metal layer containing Ni and P is scattered on a semiconductor substrate, and a bump containing at least Cu is provided on the barrier metal layer. A lower layer bump having a high rate and an upper layer bump having a Cu content smaller than that of the lower layer bump are provided.

また本発明の半導体素子は、上述の半導体素子において、前記下層バンプのＣｕ含有率が０．５重量％以上に設定されていることを特徴とする。   The semiconductor element of the present invention is characterized in that, in the above-described semiconductor element, the Cu content of the lower bump is set to 0.5% by weight or more.

更に本発明の半導体素子は、上述の半導体素子において、前記上層バンプのＣｕ含有率が０．５重量％未満に設定されていることを特徴とする。   Furthermore, the semiconductor element of the present invention is characterized in that, in the above-described semiconductor element, the Cu content of the upper bump is set to less than 0.5% by weight.

また本発明の半導体素子は、上述の半導体素子において、前記バリアメタル層中のＰ含有率が６重量％〜１２重量％であることを特徴とする。   Moreover, the semiconductor element of the present invention is characterized in that, in the above-described semiconductor element, the P content in the barrier metal layer is 6 wt% to 12 wt%.

一方、本発明の半導体素子の製造方法は、上面に、Ｎｉ及びＰを含有するバリアメタル層を備えた半導体基板を準備し、前記バリアメタル層上にＣｕを含有するペーストを塗布し、これを加熱して下層バンプを形成する第１の工程と、該下層バンプ上に、該下層バンプよりもＣｕの含有率が小さいペーストを塗布し、これを加熱して上層バンプを形成する第２の工程と、を備えたことを特徴とする。   On the other hand, in the method for manufacturing a semiconductor element of the present invention, a semiconductor substrate provided with a barrier metal layer containing Ni and P is prepared on the upper surface, and a paste containing Cu is applied on the barrier metal layer. A first step of heating to form a lower bump, and a second step of applying a paste having a lower Cu content than the lower bump on the lower bump, and heating the paste to form an upper bump And.

また本発明の半導体素子の製造方法は、上述の製造方法において、前記下層バンプのＣｕ含有率が０．５重量％以上に設定されていることを特徴とする。   The semiconductor element manufacturing method of the present invention is characterized in that, in the above-described manufacturing method, the Cu content of the lower bump is set to 0.5% by weight or more.

更に本発明の半導体素子の製造方法は、上述の製造方法において、前記上層バンプのＣｕ含有率が０．５重量％未満に設定されていることを特徴とする。   Furthermore, the method for manufacturing a semiconductor element of the present invention is characterized in that, in the above-described manufacturing method, the Cu content of the upper bump is set to less than 0.5% by weight.

更にまた本発明の半導体素子の製造方法は、上述の製造方法において、前記バリアメタル層中のＰ含有率が６重量％〜１２重量％であることを特徴とする。   Furthermore, the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention is characterized in that, in the above-described manufacturing method, the P content in the barrier metal layer is 6 wt% to 12 wt%.

本発明によれば、バリアメタル層上に形成されるバンプをＣｕ含有率の大きな下層バンプと、Ｃｕ含有率の小さな上層バンプとを含んで構成したことから、バリアメタル層中のＮｉがバンプに拡散する量を少なくしてバリアメタル層の上部領域にＰリッチ相が形成されることを抑制することができる上に、バンプ表面が酸化することを良好に防止できる。従って、半導体素子を回路基板上に実装した場合におけるバンプのシェア強度を高めることができることに加え、半導体素子のバンプと回路基板上の回路パターンとの濡れ性を良好となすことが可能となる。   According to the present invention, since the bump formed on the barrier metal layer includes the lower layer bump having a large Cu content and the upper layer bump having a small Cu content, Ni in the barrier metal layer is used as the bump. It is possible to reduce the amount of diffusion and suppress the formation of the P-rich phase in the upper region of the barrier metal layer, and to satisfactorily prevent the bump surface from being oxidized. Therefore, in addition to increasing the shear strength of the bump when the semiconductor element is mounted on the circuit board, the wettability between the bump of the semiconductor element and the circuit pattern on the circuit board can be improved.

なお、下層バンプのＣｕ含有率は０．５重量％以上に、上層バンプのＣｕ含有率は０．５重量％未満にそれぞれ設定しておくことが好ましい。   The Cu content of the lower bump is preferably set to 0.5% by weight or more, and the Cu content of the upper bump is preferably set to less than 0.5% by weight.

以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図１は本発明の半導体素子の一例として示したフリップチップ型ＩＣの断面図であり、同図に示すフリップチップ型ＩＣは、大略的に半導体基板１と回路配線２とバリアメタル層３とパッシベーション層４とバンプ５とで構成されている。   FIG. 1 is a cross-sectional view of a flip chip type IC shown as an example of a semiconductor element of the present invention. The flip chip type IC shown in FIG. 1 is roughly a semiconductor substrate 1, a circuit wiring 2, a barrier metal layer 3, and a passivation. It consists of a layer 4 and bumps 5.

半導体基板１は、単結晶シリコン等の半導体材料により形成されており、その上面にトランジスタ等の機能素子（図示せず）や回路配線２、バリアメタル層３、パッシベーション層４等が被着され、これらを支持する支持母材として機能する。   The semiconductor substrate 1 is made of a semiconductor material such as single crystal silicon, and a functional element (not shown) such as a transistor, a circuit wiring 2, a barrier metal layer 3, a passivation layer 4 and the like are deposited on the upper surface thereof, It functions as a support base material that supports these.

このような半導体基板１は、例えば従来周知のチョコラルスキー法（引き上げ法）等によって形成された単結晶シリコンのインゴット（塊）を所定厚みにスライスして板体を得るとともに、その表面を研磨し、しかる後、従来周知の熱酸化法によって板体表面全体に絶縁膜を形成することによって製作される。   Such a semiconductor substrate 1 is obtained by, for example, slicing a single crystal silicon ingot formed by a conventionally known chocolate ski method (pull-up method) or the like to a predetermined thickness, and polishing the surface thereof. Thereafter, an insulating film is formed on the entire surface of the plate body by a conventionally known thermal oxidation method.

また半導体基板１上に形成される回路配線２は、アルミニウムや銅等の金属材料により０．５μｍ〜１．５μｍの厚みに被着されており、図示しない機能素子に外部からの電源電力や電気信号等を供給するための給電配線として機能する。   The circuit wiring 2 formed on the semiconductor substrate 1 is deposited to a thickness of 0.5 μm to 1.5 μm with a metal material such as aluminum or copper. It functions as a power supply wiring for supplying signals and the like.

このような回路配線２の一部上面には複数のバリアメタル層３が形成されており、かかるバリアメタル層３は、後述するバンプ５の構成材料と濡れ性の良好な材料により形成されている。   A plurality of barrier metal layers 3 are formed on a part of the upper surface of the circuit wiring 2, and the barrier metal layers 3 are formed of a constituent material of the bump 5 described later and a material having good wettability. .

例えばバンプ５が半田により形成されている場合、バリアメタル層３はニッケル（Ｎｉ）を主成分とした構成、例えば、半導体基板１側から亜鉛（Ｚｎ）、Ｎｉ及び金（Ａｕ）を順次積層させた構成、Ｚｎ，Ｎｉを順次積層した構成、Ｎｉ，Ａｕを順次積層した構成、パラジウム（Ｐｄ）、Ｎｉ及びＡｕを順次積層した構成、Ｐｄ，Ｎｉを順次積層した構成、Ｎｉ，Ａｕを順次積層した構成が採用されており、フリップチップ型ＩＣを回路基板上に実装する際、バリアメタル層２上に設けられるバンプ５の溶融に伴って回路配線を形成するアルミニウム等が浸蝕されるのを有効に防止する作用を為す。   For example, when the bump 5 is formed of solder, the barrier metal layer 3 has a structure mainly composed of nickel (Ni), for example, zinc (Zn), Ni, and gold (Au) are sequentially stacked from the semiconductor substrate 1 side. A structure in which Zn and Ni are sequentially stacked; a structure in which Ni and Au are sequentially stacked; a structure in which palladium (Pd), Ni and Au are sequentially stacked; a structure in which Pd and Ni are sequentially stacked; and Ni and Au are sequentially stacked. When the flip chip type IC is mounted on the circuit board, it is effective that the aluminum forming the circuit wiring is eroded as the bump 5 provided on the barrier metal layer 2 is melted. It works to prevent it.

また、バリアメタル層３には、耐酸性を向上させる目的で、上述した材料以外にもリン（Ｐ）が含有されており、かかるＰの作用によって、バンプ５を構成するペースト中に含まれるフラックスや、バリアメタル層上面の洗浄に使用される洗浄液がバリアメタル層３を浸蝕するのを防止している。   Moreover, the barrier metal layer 3 contains phosphorus (P) in addition to the above-described materials for the purpose of improving acid resistance, and the flux contained in the paste constituting the bump 5 by the action of P. In addition, the cleaning liquid used for cleaning the upper surface of the barrier metal layer is prevented from eroding the barrier metal layer 3.

なお、上述した回路配線２は、従来周知のスパッタリング、フォトリソグラフィー技術、エッチング技術を採用することにより半導体基板１の上面に所定パターンに形成され、またバリアメタル層３は、例えば、後述するパッシベーション層４より露出した回路配線２の一部上面に、従来周知の無電解メッキ法等を採用することにより、上述のバリアメタル層３の構成材料を半導体基板側より順次積層して円柱状を成すように形成される。   The circuit wiring 2 described above is formed in a predetermined pattern on the upper surface of the semiconductor substrate 1 by employing conventionally known sputtering, photolithography technology, and etching technology, and the barrier metal layer 3 is, for example, a passivation layer described later. By adopting a conventionally known electroless plating method or the like on a part of the upper surface of the circuit wiring 2 exposed from 4, the above-mentioned constituent materials of the barrier metal layer 3 are sequentially laminated from the semiconductor substrate side to form a columnar shape. Formed.

一方、バリアメタル層３の非形成領域には、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）や酸化珪素（ＳｉＯ２）、ポリイミド等の電気絶縁材料から成るパッシベーション層４が回路配線２や図示しない機能素子を被覆するように被着されており、これらを大気と良好に遮断することで、機能素子や回路配線２が大気中に含まれている水分等の接触により腐食するのを有効に防止する作用を為す。 On the other hand, a passivation layer 4 made of an electrically insulating material such as silicon nitride (Si 3 N 4 ), silicon oxide (SiO 2 ), or polyimide is provided in the non-formation region of the barrier metal layer 3 with circuit wiring 2 or a functional element (not shown). It is deposited so as to cover, and by effectively blocking these from the atmosphere, it effectively prevents the functional elements and circuit wiring 2 from being corroded by contact with moisture contained in the atmosphere. Do it.

尚、パッシベーション層４は、従来周知のスパッタリング、フォトリソグラフィー技術、エッチング技術等を採用することによって半導体基板１の上面に０．５μｍ〜３．０μｍの厚みに形成される。   The passivation layer 4 is formed to a thickness of 0.5 μm to 3.0 μm on the upper surface of the semiconductor substrate 1 by employing a conventionally known sputtering, photolithography technique, etching technique or the like.

そして、先に述べたバリアメタル層３の上面には球状のバンプ５が形成されており、かかるバンプ５は半田等の導電材料により形成されている。例えば、バンプ５が半田から成る場合、錫（Ｓｎ）と銀（Ａｇ）と銅（Ｃｕ）とを所定の比率で溶融・固化させた金属接合用の合金が一般的に用いられる。   A spherical bump 5 is formed on the upper surface of the barrier metal layer 3 described above, and the bump 5 is formed of a conductive material such as solder. For example, when the bump 5 is made of solder, an alloy for metal bonding in which tin (Sn), silver (Ag), and copper (Cu) are melted and solidified at a predetermined ratio is generally used.

かかるバンプ５は、フリップチップ型ＩＣを回路基板上に実装する際、加熱・溶融されることでフリップチップ型ＩＣのバリアメタル層３と回路基板上の回路パターンとを接合させる作用を為しており、Ｃｕ含有率の大きな下層バンプ５ａとＣｕ含有率の小さな上層バンプ５ｂとで構成されている。   The bump 5 acts to bond the barrier metal layer 3 of the flip chip IC and the circuit pattern on the circuit board by being heated and melted when the flip chip IC is mounted on the circuit board. The lower layer bump 5a has a large Cu content and the upper layer bump 5b has a small Cu content.

下層バンプ５ａは、バリアメタル層３の表面を被覆するようにバリアメタル層３上に設けられており、その厚みは３μｍ〜１０μｍに設定されている。この下層バンプ５ａは、その内部のＣｕ含有率が例えば０．５重量％以上に設定されており、Ｃｕを比較的多く含んでいることから、バリアメタル層３中のＮｉが下層バンプ５ａに拡散しにくくなり、バリアメタル層３の上部領域にＰリッチ相が形成されることを抑制できる。従って、フリップチップ型ＩＣを回路基板上に実装した場合、バンプ５のシェア強度を高く維持することが可能となる。   The lower bump 5a is provided on the barrier metal layer 3 so as to cover the surface of the barrier metal layer 3, and the thickness thereof is set to 3 μm to 10 μm. The lower bump 5a has an internal Cu content of, for example, 0.5% by weight or more and contains a relatively large amount of Cu, so that Ni in the barrier metal layer 3 diffuses into the lower bump 5a. Therefore, it is possible to suppress the formation of a P-rich phase in the upper region of the barrier metal layer 3. Therefore, when the flip chip type IC is mounted on the circuit board, the shear strength of the bumps 5 can be kept high.

一方、下層バンプ５ａ上に形成される上層バンプ５ｂは、略球状に形成されており、その厚みは１０μｍ〜５０μｍと下層バンプ５ａよりも厚めに設定されている。   On the other hand, the upper layer bump 5b formed on the lower layer bump 5a is formed in a substantially spherical shape, and the thickness thereof is set to 10 μm to 50 μm, which is thicker than the lower layer bump 5a.

この上層バンプ５ｂは、Ｃｕ含有率が下層バンプ５ａよりも小さく、例えば、０．５重量％未満に設定されており、Ｃｕ含有量が比較的小さいため、大気中に含まれる水分等との接触によって酸化しにくくなり、バンプ５の表面酸化を抑制することができる。従って、フリップチップ型ＩＣを回路基板上に実装する際に、溶融したバンプ５と回路基板上の回路パターンとの濡れ性が良好となり、フリップチップ型ＩＣと回路基板との接合強度を高く維持することが可能となる。   The upper layer bump 5b has a Cu content smaller than that of the lower layer bump 5a. For example, the upper layer bump 5b is set to be less than 0.5% by weight, and since the Cu content is relatively small, it is in contact with moisture contained in the atmosphere. Therefore, the surface of the bump 5 can be prevented from being oxidized. Accordingly, when the flip chip type IC is mounted on the circuit board, the wettability between the melted bump 5 and the circuit pattern on the circuit board becomes good, and the bonding strength between the flip chip type IC and the circuit board is kept high. It becomes possible.

なお、上述の下層バンプ５ａ内のＣｕ含有率は０．５重量％以上１．５重量％以下に設定することが好ましい。その理由は、下層バンプ５ａ内のＣｕ含有率が０．５重量％よりも小さいと、バリアメタル層３中のＰの含有率が６重量％〜１２重量％と比較的大きい場合、バリアメタル層３の上部領域にＰリッチ相が形成されるおそれがあり、一方、下層バンプ５ａ内のＣｕ含有率が１．５重量％よりも大きいと、下層バンプ５ａ中のＣｕ−Ｓｎ間に結晶質が生成され、下層バンプ５ａが脆くなる。   In addition, it is preferable to set Cu content rate in the above-mentioned lower layer bump 5a to 0.5 to 1.5 weight%. The reason is that if the Cu content in the lower bump 5a is less than 0.5% by weight, the P content in the barrier metal layer 3 is relatively high, from 6% to 12% by weight. 3 may form a P-rich phase. On the other hand, if the Cu content in the lower bump 5a is larger than 1.5% by weight, the crystalline material is present between Cu and Sn in the lower bump 5a. As a result, the lower bump 5a becomes brittle.

また上層バンプ５ｂ内のＣｕ含有率は０．３重量％以上０．５重量％未満に設定することが好ましい。その理由は、上層バンプ５ｂ内のＣｕ含有率が０．３重量％よりも小さいと、上層バンプ５ｂ自体が固くなり、フリップチップ型ＩＣを回路基板上に実装した際に、バンプ５に印加される応力によってバンプ５が破損しやすくなるからであり、一方、上層バンプ５ｂ内のＣｕ含有率が０．５重量％以上であると、多湿環境においてバンプ５の表面が酸化されやすくなるからである。   The Cu content in the upper bump 5b is preferably set to 0.3 wt% or more and less than 0.5 wt%. The reason is that if the Cu content in the upper bump 5b is smaller than 0.3% by weight, the upper bump 5b itself becomes hard and is applied to the bump 5 when the flip chip type IC is mounted on the circuit board. This is because the bump 5 is likely to be damaged by the stress, and on the other hand, if the Cu content in the upper bump 5b is 0.5% by weight or more, the surface of the bump 5 is easily oxidized in a humid environment. .

かくして上述したフリップチップ型ＩＣは、複数のバンプが回路基板上の対応する回路パターンと対向するようにして回路基板上に載置され、しかる後、バンプを高温で加熱・溶融させ、該溶融したバンプを回路基板上の回路パターン等に接合させることによって回路基板上に実装される。   Thus, the flip-chip type IC described above is placed on the circuit board such that the plurality of bumps face the corresponding circuit pattern on the circuit board, and then the bumps are heated and melted at a high temperature to melt the bumps. The bumps are mounted on the circuit board by bonding them to a circuit pattern or the like on the circuit board.

次に上述したフリップチップ型ＩＣを製造する方法について図２を用いて説明する。   Next, a method for manufacturing the above-described flip chip type IC will be described with reference to FIG.

（１）まず、上面に回路配線２やバリアメタル層３、パッシベーション層４を被着した半導体基板１と、印刷マスク６と、Ｃｕ含有率が大きなペースト５’ａと、該ペースト５’ａよりもＣｕ含有率が小さいペースト５’ｂとを準備する。   (1) First, from the semiconductor substrate 1 with the circuit wiring 2, the barrier metal layer 3, and the passivation layer 4 deposited on the upper surface, the printing mask 6, the paste 5 ′ a having a high Cu content, and the paste 5 ′ a Prepare a paste 5'b having a small Cu content.

印刷マスク６は、アルミニウム合金やＮｉ合金等の金属材料により板状に形成されたマスク本体に、複数の開口７を穿設した構造を有しており、印刷マスク６上に載置されたペースト５’が開口７を介してバリアメタル層３上に塗布される。尚、印刷マスク６は、マスク本体がＮｉ合金から成る場合、従来周知のアディティブ法を採用することにより形成される。また開口７の形状としては長円形状や長方形状、平行四辺形状等の長穴形状が考えられる。   The printing mask 6 has a structure in which a plurality of openings 7 are formed in a mask body formed in a plate shape from a metal material such as an aluminum alloy or a Ni alloy, and a paste placed on the printing mask 6 5 ′ is applied on the barrier metal layer 3 through the opening 7. The printing mask 6 is formed by adopting a conventionally known additive method when the mask body is made of Ni alloy. Further, the shape of the opening 7 may be a long hole shape such as an oval shape, a rectangular shape, or a parallelogram shape.

一方、ペースト５’ａ，５’ｂとしては、導電性ペーストが用いられる。例えば、錫（Ｓｎ）と銀（Ａｇ）と銅（Ｃｕ）とを所定の比率で混合し、これにフラックス等を添加して所定の粘度に調整した半田ペースト等が好適に用いられ、ペースト５’ａのＣｕ含有率が０．５重量％以上に、ペースト５’ｂのＣｕ含有率が例えば０．５重量％未満にそれぞれ設定される。   On the other hand, a conductive paste is used as the pastes 5'a and 5'b. For example, a solder paste or the like in which tin (Sn), silver (Ag), and copper (Cu) are mixed at a predetermined ratio and a flux or the like is added thereto to adjust the viscosity to a predetermined viscosity is preferably used. The Cu content of 'a is set to 0.5 wt% or more, and the Cu content of paste 5'b is set to less than 0.5 wt%, for example.

（２）次に半導体基板１上に印刷マスク６を配設する（図２（ａ））。   (2) Next, the printing mask 6 is disposed on the semiconductor substrate 1 (FIG. 2A).

このとき、印刷マスク６は、その開口７が半導体基板１上の対応するバリアメタル層３の真上に位置するように配設される。   At this time, the printing mask 6 is disposed so that the opening 7 is located immediately above the corresponding barrier metal layer 3 on the semiconductor substrate 1.

（３）続いて、印刷マスク６上にＣｕ含有率が大きいペースト５’ａを供給するとともに、スキージ等の押圧手段を印刷マスク６に対して押し当てた状態で押圧手段を移動させ、ペースト５’ａを印刷マスク６の開口７よりバリアメタル層３上に塗布する（図２（ｂ））。   (3) Subsequently, the paste 5′a having a high Cu content is supplied onto the printing mask 6, and the pressing means is moved in a state where the pressing means such as a squeegee is pressed against the printing mask 6, and the paste 5 'a is applied on the barrier metal layer 3 through the opening 7 of the printing mask 6 (FIG. 2B).

（４）次に、バリアメタル層３上に塗布したペースト５’ａを乾燥させ、しかる後、これを２２１℃〜２４５℃の温度で２０秒間〜１２０秒間加熱することによって下層バンプ５ａをバリアメタル層３上に形成する（図２（ｃ））。   (4) Next, the paste 5′a applied on the barrier metal layer 3 is dried and then heated at a temperature of 221 ° C. to 245 ° C. for 20 seconds to 120 seconds to thereby form the lower bump 5a in the barrier metal. It forms on the layer 3 (FIG.2 (c)).

この場合、下層バンプ５ａのＣｕ含有率が大きいため、ペースト５’ａの加熱の際にバリアメタル層３中のＮｉが下層バンプ５ａに拡散する量が少なくて済み、バリアメタル層３の上部領域にＰの含有率が高いＰリッチ相の形成が抑制される。   In this case, since the Cu content of the lower bump 5a is large, the amount of Ni in the barrier metal layer 3 diffusing into the lower bump 5a when the paste 5'a is heated can be reduced. In addition, formation of a P-rich phase having a high P content is suppressed.

（５）更に、印刷マスク６上にＣｕ含有率がペースト５’ａよりも小さなペースト５’ｂを供給し、これを工程（３）と同様の方法で下層バンプ５ａ上に塗布する（図２（ｄ））。   (5) Further, a paste 5′b having a Cu content smaller than that of the paste 5′a is supplied onto the printing mask 6 and applied onto the lower bump 5a in the same manner as in the step (3) (FIG. 2). (D)).

この下層バンプ５ａ上へのペースト５’ｂの塗布量は、下層バンプ５ａを構成するペースト５’ａよりも大きくする。その方法としては、ペースト５’ｂの塗布に使用する印刷マスクの開口を大きくしたり、印刷マスクの厚みを厚くすることが考えられる。   The amount of the paste 5'b applied onto the lower bump 5a is set larger than that of the paste 5'a constituting the lower bump 5a. As the method, it is conceivable to increase the opening of the printing mask used for applying the paste 5'b or to increase the thickness of the printing mask.

（６）最後に、下層バンプ５ａ上に塗布したペースト５’ｂを乾燥させ、しかる後、これを２２１℃〜２４５℃の温度で２０秒間〜１２０秒間加熱することによって球状の上層バンプ５ｂを形成し、下層バンプ５ａと上層バンプ５ｂとでバンプ５を形成する。以上の工程を経てフリップチップ型ＩＣが完成する（図２（ｅ））。   (6) Finally, the paste 5′b applied on the lower bump 5a is dried, and then heated at a temperature of 221 ° C. to 245 ° C. for 20 seconds to 120 seconds to form a spherical upper bump 5b. Then, the bump 5 is formed by the lower layer bump 5a and the upper layer bump 5b. A flip chip type IC is completed through the above steps (FIG. 2E).

このような工程を経て形成されたフリップチップ型ＩＣにおいては、先に述べたように、下層バンプ５ａのＣｕ含有率が大きいことから、上層バンプ５ｂの形成の際に加えられる熱によってバリアメタル層３中のＮｉがバンプ５に拡散する量が少なくなり、バリアメタル層３の上部領域にＰリッチ相が形成されることを抑制でき、フリップチップ型ＩＣを回路基板上に実装した場合のバンプ５のシェア強度を高く維持することができる。しかも、上層バンプ５ｂのＣｕ含有率は小さく設定されているため、バンプ５の表面酸化が良好に防止され、フリップチップ型ＩＣを回路基板上に実装する際に、バンプ５と回路基板上の回路パターンとの濡れ性が良好となり、フリップチップ型ＩＣと回路基板との接合強度を高く維持することが可能となる。   In the flip chip type IC formed through such a process, as described above, since the Cu content of the lower bump 5a is large, the barrier metal layer is formed by the heat applied during the formation of the upper bump 5b. The amount of Ni diffused in the bump 5 is reduced, and the formation of the P-rich phase in the upper region of the barrier metal layer 3 can be suppressed, and the bump 5 when the flip chip type IC is mounted on the circuit board. The share strength of can be maintained high. In addition, since the Cu content of the upper bumps 5b is set small, the surface oxidation of the bumps 5 is prevented well, and when the flip chip type IC is mounted on the circuit board, the bumps 5 and the circuit on the circuit board are prevented. The wettability with the pattern becomes good, and the bonding strength between the flip chip type IC and the circuit board can be kept high.

尚、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良が可能である。   In addition, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, A various change and improvement are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention.

例えば上述の実施形態において、下層バンプ５ａと上層バンプ５ｂとの間に他の層が介在されていても構わない。   For example, in the above-described embodiment, another layer may be interposed between the lower bump 5a and the upper bump 5b.

本発明の半導体素子の一例としてのフリップチップ型ＩＣの断面図である。It is sectional drawing of the flip chip type IC as an example of the semiconductor element of this invention. （ａ）〜（ｅ）は図１のフリップチップ型ＩＣの製造方法を説明するための断面図である。(A)-(e) is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the flip chip type IC of FIG. 従来の半導体素子の一例としてのフリップチップ型ＩＣの断面図である。It is sectional drawing of the flip chip type IC as an example of the conventional semiconductor element. （ａ）〜（ｃ）は図３のフリップチップ型ＩＣの製造方法を説明するための断面図である。(A)-(c) is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the flip chip type IC of FIG.

１・・・半導体基板
２・・・回路配線
３・・・バリアメタル層
４・・・パッシベーション層
５・・・バンプ
５’・・・ペースト
６・・・印刷マスク
７・・・開口 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor substrate 2 ... Circuit wiring 3 ... Barrier metal layer 4 ... Passivation layer 5 ... Bump 5 '... Paste 6 ... Printing mask 7 ... Opening

Claims (8)

半導体基板上に、Ｎｉ及びＰを含むバリアメタル層を点在させるとともに、該バリアメタル層上に少なくともＣｕを含有するバンプを設けた半導体素子において、
前記バンプはＣｕ含有率が大きい下層バンプと、該下層バンプよりもＣｕ含有率が小さい上層バンプとを備えたことを特徴とする半導体素子。 In a semiconductor element in which a barrier metal layer containing Ni and P is scattered on a semiconductor substrate, and a bump containing at least Cu is provided on the barrier metal layer,
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the bump includes a lower layer bump having a large Cu content and an upper layer bump having a Cu content smaller than that of the lower layer bump. 前記下層バンプのＣｕ含有率が０．５重量％以上に設定されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。 2. The semiconductor element according to claim 1, wherein the Cu content of the lower bump is set to 0.5% by weight or more. 前記上層バンプのＣｕ含有率が０．５重量％未満に設定されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体素子。 3. The semiconductor element according to claim 1, wherein a Cu content of the upper bump is set to be less than 0.5 wt%. 前記バリアメタル層中のＰ含有率が６重量％〜１２重量％であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体素子。 4. The semiconductor element according to claim 1, wherein a P content in the barrier metal layer is 6 wt% to 12 wt%. 上面に、Ｎｉ及びＰを含有するバリアメタル層を備えた半導体基板を準備し、前記バリアメタル層上にＣｕを含有するペーストを塗布し、これを加熱して下層バンプを形成する第１の工程と、該下層バンプ上に、該下層バンプよりもＣｕの含有率が小さいペーストを塗布し、これを加熱して上層バンプを形成する第２の工程と、を備えたことを特徴とする半導体素子の製造方法。 A first step of preparing a semiconductor substrate having a barrier metal layer containing Ni and P on the upper surface, applying a paste containing Cu on the barrier metal layer, and heating the paste to form a lower bump. And a second step of applying a paste having a Cu content lower than that of the lower bump and heating the paste to form an upper bump. Manufacturing method. 前記下層バンプのＣｕ含有率が０．５重量％以上に設定されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体素子の製造方法。 6. The method of manufacturing a semiconductor element according to claim 5, wherein the Cu content of the lower bump is set to 0.5% by weight or more. 前記上層バンプのＣｕ含有率が０．５重量％未満に設定されていることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の半導体素子の製造方法。 7. The method of manufacturing a semiconductor element according to claim 5, wherein the Cu content of the upper bump is set to less than 0.5% by weight. 前記バリアメタル層中のＰ含有率が６重量％〜１２重量％であることを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれかに記載の半導体素子の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 5, wherein a P content in the barrier metal layer is 6% by weight to 12% by weight.
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