JP2005101276A - 多層構造部品およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 多層構造部品1内の引き出し導体パターン7の損傷を防止する。
【解決手段】 導体パターン層3と絶縁層4を交互に逐次焼成しながら積層形成して多層構造部品1を製造する。全ての導体パターン層3はメイン導体パターン5を有し、また、最も下側の導体パターン層3よりも上側の導体パターン層3のうちの少なくとも1つの導体パターン層3は、メイン導体パターン5から外部接続用電極8まで伸長形成される引き出し導体パターン7を有する。引き出し導体パターン7よりも下側の少なくとも1つの導体パターン層3には、引き出し導体パターン7に対向させてダミー導体パターン12を形成する。ダミー導体パターン12によって、メイン導体パターン5の形成領域に対する引き出し導体パターン7の形成領域の落ち込みが防止されて、その落ち込みに起因した引き出し導体パターン7の損傷を回避できる。
【選択図】 図1
【解決手段】 導体パターン層3と絶縁層4を交互に逐次焼成しながら積層形成して多層構造部品1を製造する。全ての導体パターン層3はメイン導体パターン5を有し、また、最も下側の導体パターン層3よりも上側の導体パターン層3のうちの少なくとも1つの導体パターン層3は、メイン導体パターン5から外部接続用電極8まで伸長形成される引き出し導体パターン7を有する。引き出し導体パターン7よりも下側の少なくとも1つの導体パターン層3には、引き出し導体パターン7に対向させてダミー導体パターン12を形成する。ダミー導体パターン12によって、メイン導体パターン5の形成領域に対する引き出し導体パターン7の形成領域の落ち込みが防止されて、その落ち込みに起因した引き出し導体パターン7の損傷を回避できる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、複数の導体パターン層が絶縁層を介しながら積層形成されている多層構造部品およびその製造方法に関するものである。
図5(a)には多層構造部品の一例が模式的な断面図により示されている(例えば特許文献1,2参照)。この多層構造部品1は、基板2上に導体パターン層3と絶縁層4が交互に積層形成されて成るものである。この例では、全ての導体パターン層3(3a,3b,3c,3d)には、それぞれ、絶縁層4の端縁位置よりも内側位置にメイン導体パターン5が形成されている。また、最も下側の導体パターン層3aには、メイン導体パターン5(5a)に加えて、当該メイン導体パターン5aから絶縁層4の図5(a)に示す左側の端縁位置まで伸長形成された引き出し導体パターン6が形成されている。さらに、最も上側の導体パターン3dには、メイン導体パターン5dに加えて、当該メイン導体パターン5dから絶縁層4の図5(a)に示す右側の端縁位置まで伸長形成された引き出し導体パターン7が形成されている。
基板2と導体パターン層3と絶縁層4から成る積層体9の側面には、外部接続用電極8(8L)が形成されると共に、その外部接続用電極8Lと間隔を介して外部接続用電極8(8R)が形成されている。導体パターン層3aの引き出し導体パターン6は外部接続用電極8Lに接続され、導体パターン層3dの引き出し導体パターン7は外部接続用電極8Rに接続されている。メイン導体パターン5a,5dは積層体9の内側に形成されているが、それらメイン導体パターン5a,5dは、それぞれ、引き出し導体パターン6,7と外部接続用電極8(8L,8R)を介して、外部の回路と接続することができる。
ところで、最も上側の導体パターン層3dの引き出し導体パターン7は、図5(b)の点線に示されるようにメイン導体パターン5dから水平方向に沿って外部接続用電極8Rまで伸長形成されることが望ましい。しかしながら、後述する理由によって引き出し導体パターン7は、メイン導体パターン5dに対して下向きに傾いて形成されてしまう。このように、メイン導体パターン5dに対して引き出し導体パターン7が傾き形成されてしまうと、引き出し導体パターン7には、例えばメイン導体パターン5dとの接続部分などにおいてパターン切れ(ライン切れ)10等の損傷が生じる虞がある。
引き出し導体パターン7がメイン導体パターン5dに対して傾いてしまう理由を以下に述べる。
多層構造部品1の製造工程では、例えば、まず、図6(a)に示されるように、基板2上にメイン導体パターン5aを形成すると共に引き出し導体パターン6を形成して最も下側の導体パターン層3aを形成し、その後、その導体パターン層3aを焼成する。次に、図6(b)に示されるように、その導体パターン層3aの上側に絶縁層4aを積層形成し、当該絶縁層4aを焼成する。このとき、焼成前には図6(b)に示されるように絶縁層4aの上面はほぼ高さ位置が揃った平坦面であったのにも拘わらず、焼成後には、図6(c)に示されるように、メイン導体パターン5aおよび引き出し導体パターン6が形成されている領域Mに対して導体パターン5,6が形成されていない領域Nは、その絶縁層4aの上面部分が落ち込んで、その領域Mの絶縁層4a上面部分と領域Nの絶縁層4a上面部分との間に段差が生じてしまう。
この現象は次に示す理由により生じる。つまり、絶縁層4aを構成している絶縁材料は、導体パターン5,6を構成している導体材料よりも熱収縮率が大きい。このため、絶縁層4aの焼成後の冷却により、絶縁層4aだけの領域Nは、導体パターン5,6と絶縁層4aが積層形成されている領域Mよりも、厚み方向の熱収縮量が多くなる。このために、導体パターン5,6が形成されていない領域Nの絶縁層4a部分の上面は、導体パターン5,6が形成されている領域Mの絶縁層4a部分の上面よりも落ち込んでしまう。
絶縁層4aの焼成後には、図6(d)に示されるように、絶縁層4aの上側にメイン導体パターン5bを積層形成して導体パターン層3bを形成し、その後、その導体パターン層3bを焼成する。さらに、その導体パターン層3bの上側に絶縁層4bを積層形成する。このとき、その絶縁層4bを構成する絶縁材料の一部が、絶縁層4aの落ち込み部分に入り込んで当該落ち込み部分が補充され、絶縁層4bの上面はほぼ高さ位置が揃って平坦な面となる。
その後、絶縁層4bを焼成する。この絶縁層4bの焼成により、前記同様に、図6(e)に示されるように、メイン導体パターン5a,5bが積層形成されている領域M’と、それ以外の領域N,N’との厚み方向の焼成による熱収縮量の差に起因して、領域M’の絶縁層4b部分の上面よりも、領域N,N’の絶縁層4b部分の上面は落ち込んでしまう。
その後、上記同様に、絶縁層4bの上側にメイン導体パターン5cを積層形成して導体パターン層3cを形成し、当該導体パターン層3cを焼成する。そして、その導体パターン層3cの上側に絶縁層4cを積層形成して、当該絶縁層4cを焼成する。
この絶縁層4cの焼成後には、図6(f)に示されるように、前記同様に、メイン導体パターン5が積層形成されている領域M’と、それ以外の領域N,N’との厚み方向の焼成による熱収縮量の差に起因して、領域M’の絶縁層4c部分の上面よりも、領域N,N’の絶縁層4c部分の上面が落ち込んでしまう。
そのような絶縁層4cの上側にメイン導体パターン5dおよび引き出し導体パターン7が積層形成されて導体パターン層3dが設けられる。つまり、メイン導体パターン5dは、上面位置が高い領域M’の絶縁層4c部分に積層形成され、引き出し導体パターン7は、上面位置が領域M’よりも落ち込んでいる領域Nの絶縁層4c部分に積層形成される。このために、引き出し導体パターン7は、メイン導体パターン5dに対して下方側に傾いて形成される。
このように、引き出し導体パターン7がメイン導体パターン5dに対して下方に傾くことにより、前記したように、引き出し導体パターン7には、例えばメイン導体パターン5dとの接続部分などにおいてパターン切れ等の損傷が生じる虞がある。引き出し導体パターン7が損傷すると、引き出し導体パターン7に電流(信号)が流れ難くなって、例えば多層構造部品1の性能が悪化する等の問題が発生して、多層構造部品1の性能に対する信頼性を低下させてしまう。
この発明は上記課題を解決するために成されたものであり、その目的は、メイン導体パターンに対する引き出し導体パターンの傾き形成を抑制して、その傾き形成に起因した引き出し導体パターンの損傷を防止できる多層構造部品およびその製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、この発明は次に示す構成をもって前記課題を解決するための手段としている。すなわち、この発明の多層構造部品は、絶縁層と導体パターン層が交互に逐次焼成されながら積層形成されて成る多層構造部品であって、全ての導体パターン層には、それぞれ、絶縁層の端縁位置よりも内側位置にメイン導体パターンが配置形成され、また、最も下側の導体パターン層よりも上側の導体パターン層のうちの少なくとも1つの導体パターン層には、メイン導体パターンに加えて、当該メイン導体パターンから絶縁層の端縁位置まで伸長形成された引き出し導体パターンが形成され、当該引き出し導体パターンの伸長先端部は、絶縁層と導体パターン層の積層体の側面に形成された外部接続用電極に接続されている構成と成しており、その引き出し導体パターンが形成されている導体パターン層よりも下側の1つ以上の導体パターン層には、前記引き出し導体パターンに対向するダミー導体パターンが形成され、このダミー導体パターンは、メイン導体パターンおよび外部接続用電極に接続されていない電気的に浮いた導体パターンであることを特徴としている。
また、この発明の多層構造部品は、ダミー導体パターンが、対向している引き出し導体パターンの伸長方向に交差する方向の幅よりも幅広であることや、メイン導体パターンと、引き出し導体パターンと、ダミー導体パターンとは、フォトリソグラフィ工法又はスクリーン印刷工法を利用して形成されていることや、複数のメイン導体パターンはコイル構成要素と成し、これらコイル構成要素のメイン導体パターンが電気的に接続されてコイルが構成されていることをも特徴としている。
さらに、この発明の製造方法は、本発明において特徴的な構成を持つ多層構造部品の製造方法であって、交互に積層形成される絶縁層と、この絶縁層よりも熱収縮率が小さい導体パターン層との各層を形成する毎に焼成することとし、また、積層される導体パターン層は、全ての層にダミー導体パターンを形成するか、又は、一部の層にダミー導体パターンを形成し、絶縁層と導体パターン層を一層以上交互に積層した上に、引き出し導体パターンを有する導体パターン層を積層して焼成することとして、メイン導体パターン部分が積層されている領域の積層厚み方向の焼成による熱収縮量と、ダミー導体パターンおよび引き出し導体パターンが積層形成される領域の積層厚み方向の焼成による熱収縮量との差を小さくして、引き出し導体パターン形成領域のメイン導体パターン形成領域に対する落ち込みを抑制することを特徴としている。
この発明の多層構造部品は、絶縁層と導体パターン層が交互に逐次焼成されながら積層形成されて成るものであり、全ての導体パターン層には、絶縁層の端縁位置よりも内側位置にメイン導体パターンが形成されている。また、最も下側の導体パターン層よりも上側の少なくとも1つの導体パターン層には、メイン導体パターンが形成されると共に、このメイン導体パターンから外部接続用電極に伸長形成される引き出し導体パターンが形成されている。
この発明の多層構造部品およびその製造方法では、その引き出し導体パターンが形成されている下側の1つ以上の導体パターン層には、引き出し導体パターンに対向するダミー導体パターンが形成されている。このように、引き出し導体パターンが形成される領域にダミー導体パターンを形成することによって、引き出し導体パターンが形成される領域の単位体積当たりの導体パターンの形成量を、メイン導体パターンの積層形成領域の単位体積当たりの導体パターンの形成量と同程度又は近付けることができる。
絶縁層を構成している絶縁材料は、メイン導体パターンや引き出し導体パターンやダミー導体パターンよりも焼成による熱収縮率が大きいことから、単位体積当たりの導体パターンの形成量が、メイン導体パターンの積層形成領域よりも引き出し導体パターンの形成領域の方が格段に少ないと、引き出し導体パターンが形成される領域は、メイン導体パターンの積層形成領域よりも焼成による厚み方向の熱収縮量が大きくなる。これにより、メイン導体パターンの積層形成領域に対して、引き出し導体パターンの形成領域が落ち込んでしまうという問題が生じる。
これに対して、この発明では、上記のように、引き出し導体パターンの形成領域にダミー導体パターンを形成することによって、引き出し導体パターンの形成領域の単位体積当たりの導体パターンの形成量を、メイン導体パターンの積層形成領域の単位体積当たりの導体パターンの形成量と同程度又は近付けることができるので、引き出し導体パターンの形成領域の焼成による厚み方向の熱収縮量を、メイン導体パターンの積層形成領域の焼成による厚み方向の熱収縮量と同程度にすることが可能となる。これにより、メイン導体パターンの積層形成領域に対する引き出し導体パターンの形成領域の落ち込みを抑制できる。
ところで、絶縁層と導体パターン層を交互に積層形成し、全ての絶縁層と導体パターン層を積層形成し終えた後に、それら絶縁層と導体パターン層の全てを一括的に焼成することがある。このような製造工程の場合には、例えばメイン導体パターン等の導体パターンの形成位置に関係無く、その導体パターンの上側に積層形成される絶縁層の上面はフラットとなって当該フラットな(平坦な)上面にメイン導体パターン等の導体パターンを形成することとなる。このため、引き出し導体パターンを有する導体パターン層を形成する際に、メイン導体パターンの積層形成領域に対する引き出し導体パターンの形成領域の落ち込みは無くて、絶縁層上に、メイン導体パターンに対して引き出し導体パターンが傾いて形成されてしまうという問題は生じない。
これに対して、絶縁層と導体パターン層を交互に逐次焼成しながら積層形成する場合には、導体パターン層の上側に絶縁層を積層形成して当該絶縁層を焼成する度に、その下側のメイン導体パターンの形成位置に応じて前述したような厚み方向の焼成による熱収縮量の差に起因した凹凸が絶縁層の上面に生じてしまう虞がある(つまり、メイン導体パターンの積層形成領域よりもそれに隣接している領域が落ち込んでしまう虞がある)が、この発明では、絶縁層と導体パターン層を交互に逐次焼成して積層形成していきながら、前述したようなダミー導体パターンを形成することによって、メイン導体パターンの積層形成領域に対する引き出し導体パターンの形成領域の落ち込みを防止できる。このため、メイン導体パターンおよび引き出し導体パターンを有する導体パターン層を形成する際に、メイン導体パターンに対する引き出し導体パターンの傾き形成を防止しながら、メイン導体パターンおよび引き出し導体パターンを形成できる。これにより、引き出し導体パターンの傾き形成に因る引き出し導体パターンの損傷を防止することができて、引き出し導体パターン損傷に起因した多層構造部品の性能悪化等の問題を抑制でき多層構造部品の信頼性を向上させることができる。
また、メイン導体パターンに対する引き出し導体パターンの傾き形成に起因した引き出し導体パターンの損傷を防止するために、引き出し導体パターンおよび当該引き出し導体パターンに連接するメイン導体パターンを他の導体パターン層のメイン導体パターンよりも厚く形成することが考えられるが、この場合には、前記引き出し導体パターンの傾き形成に因る引き出し導体パターンの損傷を防止できる程にメイン導体パターンおよび引き出し導体パターンを厚く形成すると、メイン導体パターンおよび引き出し導体パターンの製造の精度が悪くなってしまうという問題が生じる。これにより、多層構造部品に設計通りの性能を持たせることが難しくなるという問題が発生してしまう。
これに対して、この発明では、他の導体パターン層のメイン導体パターンよりも引き出し導体パターンおよび当該引き出し導体パターンに連接するメイン導体パターンを厚く形成しなくとも、引き出し導体パターンの傾き形成に因る引き出し導体パターンの損傷を防止することができる。このため、引き出し導体パターンの傾き形成に因る引き出し導体パターンの損傷を防止しながら、引き出し導体パターンおよびそれに連接するメイン導体パターンを他の導体パターン層の導体パターンと同様の薄さに形成できて、その引き出し導体パターンおよびメイン導体パターンを他の導体パターン層の導体パターンと同様に、精度良く作製することができる。また、全ての導体パターン層の導体パターンを同じ薄さに形成できるので、製造工程の煩雑化を防止することができる。
さらに、ダミー導体パターンを、対向している引き出し導体パターンよりも幅広にすることによって、製造時に導体パターンに多少の位置ずれが生じてしまっても、ダミー導体パターンと引き出し導体パターンを対向配置させることができることとなり、上記同様の効果を得ることができる。
さらに、メイン導体パターンと、引き出し導体パターンと、ダミー導体パターンとをフォトリソグラフィ工法又はスクリーン印刷工法を利用して形成することによって、それら導体パターンを精度良く作製することができる。
さらに、この発明では、ダミー導体パターンは、メイン導体パターンおよび外部接続用電極に接続されていない電気的に浮いた導体パターンであるために、次に示すような効果を得ることができる。
例えば、複数のメイン導体パターンはコイル構成要素と成し、これらコイル構成要素のメイン導体パターンが電気的に接続されてコイルが構成されているものにあっては、仮にダミー導体パターンがメイン導体パターン又は外部接続用電極に接続されていると仮定すると、そのダミー導体パターンによる浮遊容量がコイルの寄生容量に加算されて当該寄生容量が増加してしまって、コイルの自己共振周波数が下がるという問題が発生する。これに対して、この発明では、ダミー導体パターンはコイル(メイン導体パターン)および外部接続用電極に接続されていないので、ダミー導体パターンに起因したコイルの寄生容量増加を抑制することができる。これにより、コイルの自己共振周波数の低下を防止することができて、コイルの高周波特性の悪化を防止できる。
以下に、この発明に係る実施形態例を図面に基づいて説明する。なお、以下に述べる実施形態例の説明において、図5に示す多層構造部品と同一構成部分には同一符号を付し、その共通部分の重複説明は省略する。
図1(a)には本発明に係る多層構造部品の一実施形態例が模式的な断面図により示され、図1(b)には図1(a)の多層構造部品が模式的な分解図により示されている。
この実施形態例の多層構造部品1はインダクタ部品であり、例えばセラミックス等から成る基板2の表面上に、導体パターン層3と絶縁層4が交互に逐次焼成されながら積層形成されて作製されるものである。
この実施形態例では、基板2と導体パターン層3と絶縁層4から成る積層体9の側面には外部接続用電極8L,8Rが互いに間隔を介して形成されている。また、全ての導体パターン層3a,3b,3c,3dには、それぞれ、絶縁層4の端縁位置よりも内側位置に、スパイラル状のメイン導体パターン5(5a,5b,5c,5d)が形成されている。さらに、最も下側の導体パターン層3aには、メイン導体パターン5aに加えて、当該メイン導体パターン5aの外側端部aoから外部接続用電極8Lに伸長形成された引き出し導体パターン6が形成されている。さらにまた、最も上側の導体パターン層3dには、メイン導体パターン5dに加えて、当該メイン導体パターン5dの外側端部doから外部接続用電極8Rに伸長形成された引き出し導体パターン7が形成されている。
この実施形態例では、メイン導体パターン5aの外側端部aoは引き出し導体パターン6を介して外部接続用電極8Lに接続され、メイン導体パターン5aの内側端部aiは絶縁層4aに形成されたビアホール14aを介してメイン導体パターン5bの内側端部biに接続されている。メイン導体パターン5bの外側端部boは絶縁層4bに形成されたビアホール14bを介してメイン導体パターン5cの外側端部coに接続され、メイン導体パターン5cの内側端部ciは絶縁層4cに形成されたビアホール14cを介してメイン導体パターン5dの内側端部diに接続されている。メイン導体パターン5dの外側端部doは引き出し導体パターン7を介して外部接続用電極8Rに接続されている。すなわち、メイン導体パターン5a,5b,5c,5dはコイル構成要素と成し、これらメイン導体パターン5a,5b,5c,5dは電気的に直列に接続されて、図2の多層構造部品1の等価回路図に示されるようなコイル(インダクタ)13を構成している。このコイル(インダクタ)13は外部接続用電極8R,8Lによって外部の回路に組み込むことが可能となっている。
この実施形態例において特徴的なことは、導体パターン層3a,3b,3cには、それぞれ、メイン導体パターン5(5a,5b,5c)に加えて、ダミー導体パターン12(12a,12b,12c)が、最も上側の導体パターン層3dの引き出し導体パターン7に対向させて形成されていることである。
図3には、ダミー導体パターン12(12a,12b,12c)と、引き出し導体パターン7との配置関係の一例が、絶縁層4dの位置から引き出し導体パターン7側を見た模式的な平面図により示されている。この図にも示されているように、上記の如くダミー導体パターン12(12a,12b,12c)と、引き出し導体パターン7とは対向配置されている。また、ダミー導体パターン12(12a,12b,12c)は、引き出し導体パターン7の伸長方向(つまり、メイン導体パターン5dの外側端部doから外部接続用電極8Rに向かう方向)に交差する方向の幅W7よりも広幅に形成されている。
そのように、ダミー導体パターン12の幅W12を引き出し導体パターン7よりも幅広にする理由は、導体パターンの製造精度の問題からダミー導体パターン12と引き出し導体パターン7が多少位置ずれしても、ダミー導体パターン12と引き出し導体パターン7を対向配置できるようにするためである。このことを考慮し、例えば引き出し導体パターン7の幅W7に基づいて、ダミー導体パターン12の幅W12が設計される。そのダミー導体パターン12の幅W12は特に限定されるものではないが、その一例を挙げると、例えば、ダミー導体パターン12の幅W12は引き出し導体パターン7の幅W7の2倍程度とする。
また、この実施形態例では、ダミー導体パターン12(12a,12b,12c)は、外部接続用電極8(8R)およびメイン導体パターン5(5a,5b,5c)に接続されていない電気的に浮いた状態となっている。これにより、図2の点線に示されるようなインダクタ13に必然的に生じる寄生容量Cpに、ダミー導体パターン12に起因した浮遊容量が加算されることが回避できて、インダクタ13の寄生容量Cpの増加を防止することができる。インダクタ13の寄生容量Cpが増加すると、インダクタ13の自己共振周波数が低下して、多層構造部品1(インダクタ部品)の高周波特性が悪化するという問題が発生するが、この実施形態例では、ダミー導体パターン12の浮遊容量に起因したインダクタ13の寄生容量Cpの増加を防止できるので、ダミー導体パターン12を設けても、多層構造部品1の高周波特性の悪化を回避することができる。
この実施形態例の多層構造部品1は上記のように構成されている。以下に、この実施形態例の多層構造部品1の製造工程例を説明する。例えば、まず、基板2を用意し、その基板2の表面上に、メイン導体パターン5aを形成すると共に、引き出し導体パターン6およびダミー導体パターン12aを形成する。なお、それらメイン導体パターン5aと引き出し導体パターン6とダミー導体パターン12aを作製するための工法には、例えばフォトリソグラフィ工法やスクリーン印刷工法等の様々な工法があり、ここでは、何れの工法を利用して導体パターン5a,6,12aを作製してもよいが、フォトリソグラフィ工法を利用した場合の一例を次に説明する。例えば、基板2の表面全面に感光性導電ペースト(例えば感光性のAgペースト)を例えばベタ印刷して当該感光性導電ペーストを乾燥する。その後、その感光性導電ペーストの上側に導体パターン形成用のフォトマスクを配置し、このフォトマスクを介して導体パターン5a,6,12aとなる感光性導電ペースト部分に光を照射して硬化させる(露光させる)。
然る後に、未硬化な感光性導電ペースト部分を除去する現像処理を行って、導体パターン5a,6,12aを形作る。そして、それら導体パターン5a,6,12aを焼成する。このようにして、導体パターン層3aを作製することができる。
次に、導体パターン層3aの上側に絶縁層4aを形成する。この絶縁層4aの形成工法に関しても、様々な工法があり、何れの工法を利用して絶縁層4aを形成してもよいが、ここでは、フォトリソグラフィ工法を利用して絶縁層4aを形成する場合の一例を説明する。例えば、導体パターン層3aの上側に、絶縁層4aとなる感光性絶縁ペーストを印刷工法により形成する。そして、ビアホール形成用のフォトマスクを利用して、ビアホール14aとなる部分以外の感光性絶縁ペースト部分を露光させて硬化させる。その後、未硬化な感光性絶縁ペースト部分を除去する現像処理を行うことにより、ビアホール14a用の孔部が形作られる。このようにして、ビアホール14a用の孔部が形成された絶縁層4aが作製される。然る後に、その絶縁層4aを焼成する。なお、その後、絶縁層4aの上側に導体パターン層3bを形成すべく導体材料が積層形成されて導体材料の一部がビアホール14a用の孔部内に入り込むことにより、ビアホール14aが形成される。
上記同様にして導体パターン層3b,3cと絶縁層4b,4cを交互に逐次焼成しながら積層形成していく。
ところで、導体パターン5,6,7,12を構成する導体材料は、絶縁層4を構成する絶縁材料よりも熱収縮率が小さい。このために、前述したように、メイン導体パターン5が積層形成されている領域よりも、それに隣接している領域の方が、導体パターンの形成量が少ない分、焼成を行ったときの厚み方向の熱収縮量が多くなって、メイン導体パターン5の積層形成領域と、それに隣接している領域との間に段差が生じることが懸念される。
これに対して、この実施形態例では、引き出し導体パターン7が形成される領域には、引き出し導体パターン7よりも下側の全ての導体パターン層3(3a,3b,3c)にダミー導体パターン12が引き出し導体パターン7に対向するように形成されている。換言すれば、引き出し導体パターン7の形成領域では、メイン導体パターン5の積層領域と同様に、全ての導体パターン層3に、導体パターンが形成されている。このため、絶縁層4cの焼成後において、引き出し導体パターン7の形成領域の絶縁層4c部分の上面は、メイン導体パターン5の積層領域の絶縁層4c部分の上面と高さ位置が揃って、絶縁層4cにおける引き出し導体パターン7の形成領域とメイン導体パターン5の積層領域の上面部分はほぼフラットとなっている。
このような絶縁層4cの上面にメイン導体パターン5dおよび引き出し導体パターン7を積層形成して導体パターン層3dを形成する。このために、引き出し導体パターン7は、メイン導体パターン5dに対して下方に傾き形成されることなく、水平方向に沿うように形成することができる。これにより、メイン導体パターン5dに対して引き出し導体パターン7が傾き形成されることに因る引き出し導体パターン7の損傷を防止することができる。
その後、そのメイン導体パターン5dおよび引き出し導体パターン7を有する導体パターン層3dを焼成する。そして、その導体パターン層3dの上側に絶縁層4dを上記同様に積層形成する。
この実施形態例では、ここまでの製造工程は、基板2の親基板の状態のままで行われており、絶縁層4dまで積層形成した以降に、親基板を各多層構造部品1毎に例えばダイシングやレーザースクライブ等の切断工法により分離分割する。そして、それら各多層構造部品1毎にそれぞれ外部接続用電極8を形成する。
この実施形態例では、ダミー導体パターン12は、絶縁層4の端縁位置まで伸長形成されていないので(換言すれば、ダミー導体パターン12の端部は絶縁層4の端縁位置と間隔を介して配置されているので)、親基板の切断工程において、ダミー導体パターン12の端部がバリとなったり、ダミー導体パターン12が変形してしまったり、ダミー導体パターン12が剥離する等の問題を防止することができる。
なお、この発明はこの実施形態例の形態に限定されるものではなく、様々な実施の形態を採り得る。例えば、この実施形態例では、導体パターン層3dよりも下側の全ての導体パターン層3(3a,3b,3c)に、それぞれ、引き出し導体パターン7に対向するダミー導体パターン12を形成したが、例えば、引き出し導体パターン7よりも下側の全ての導体パターン層3にダミー導体パターン12を形成しなくとも、メイン導体パターン5dに対する引き出し導体パターン7の傾き形成を防止できる場合には、例えば、引き出し導体パターン7よりも下側の導体パターン層3のうちの選択した2つあるいは1つの導体パターン層3だけにダミー導体パターン12を形成する構成としてもよい。
さらに、この実施形態例では、ダミー導体パターン12は、引き出し導体パターン7の幅W7よりも広幅に形成されていたが、例えばダミー導体パターン12および引き出し導体パターン7の製造精度が非常に高くて、ダミー導体パターン12と引き出し導体パターン7を殆ど位置ずれ無く対向配置できる場合には、ダミー導体パターン12の幅W12は、引き出し導体パターン7の幅W7と等幅であってもよいし、また、メイン導体パターン5dに対する引き出し導体パターン7の傾き形成を防止できる範囲内において、ダミー導体パターン12の幅W12を引き出し導体パターン7の幅W7よりも細くしてもよい。
さらに、この実施形態例では、導体パターン層3と絶縁層4は4層ずつ積層形成されていたが、導体パターン層3が2層以上形成されていれば、それら導体パターン層3と絶縁層4の積層数は限定されるものでない。
さらに、この実施形態例では、導体パターン層3のメイン導体パターン5はスパイラル状であったが、もちろん、他の形状であってもよい。さらに、この実施形態例では、多層構造部品1はインダクタ部品であったが、この発明は、例えばコンデンサ部品や、コンデンサとインダクタを内蔵したLC複合部品等のインダクタ部品以外の多層構造部品にも適用することができるものである。例えば、図4(a)の分解図に示されるような多層構造部品1にも本発明は適用することができる。この図4(a)の多層構造部品1は、図4(b)の等価回路図に示されるように、コンデンサ16とインダクタ17を内蔵したLC複合部品である。
つまり、図4(a)において、基板2の表面上には、メイン導体パターン5aを有した導体パターン層3aと、メイン導体パターン5bを有した導体パターン層3bとが絶縁層4aを介して積層形成されている。メイン導体パターン5a,5bによってコンデンサ16が構成されている。メイン導体パターン5aの図4(a)に示す左側端部は絶縁層4の端縁位置まで伸長形成されており、この伸長先端部が、基板2と導体パターン層3と絶縁層4の積層体9の側面に形成される外部接続用電極(図4では図示せず)に接続される。
導体パターン層3bの上側には、絶縁層4b,4c,4d,4eと、スパイラル状のメイン導体パターン5(5c,5d,5e)を有する導体パターン層3(3c,3d,3e)とが交互に積層形成されている。それらスパイラル状のメイン導体パターン5c,5d,5eは、絶縁層4c,4dに形成されたビアホール14c,14dを介して直列に接続されてインダクタ(コイル)17が構成されている。スパイラル状のメイン導体パターン5c,5d,5eのなかで最も下側のメイン導体パターン5cは、絶縁層4bに形成されたビアホール14bを介してコンデンサ16に接続されている。また、最も上側の導体パターン層3eには、メイン導体パターン5eが形成されると共に、当該メイン導体パターン5eから絶縁層4の端縁位置まで伸長形成された引き出し導体パターン7が形成されている。
この図4の多層構造部品1では、導体パターン層3c,3dには、それぞれ、引き出し導体パターン7に対向するダミー導体パターン12(12c,12d)が形成されている。これにより、上記実施形態例と同様に、メイン導体パターン5eに対して引き出し導体パターン7が傾き形成されて、引き出し導体パターン7が損傷するという問題を回避できる。
1 多層構造部品
3 導体パターン層
4 絶縁層
5 メイン導体パターン
6,7 引き出し導体パターン
8 外部接続用電極
12 ダミー導体パターン
3 導体パターン層
4 絶縁層
5 メイン導体パターン
6,7 引き出し導体パターン
8 外部接続用電極
12 ダミー導体パターン
Claims (5)
- 絶縁層と導体パターン層が交互に逐次焼成されながら積層形成されて成る多層構造部品であって、全ての導体パターン層には、それぞれ、絶縁層の端縁位置よりも内側位置にメイン導体パターンが配置形成され、また、最も下側の導体パターン層よりも上側の導体パターン層のうちの少なくとも1つの導体パターン層には、メイン導体パターンに加えて、当該メイン導体パターンから絶縁層の端縁位置まで伸長形成された引き出し導体パターンが形成され、当該引き出し導体パターンの伸長先端部は、絶縁層と導体パターン層の積層体の側面に形成された外部接続用電極に接続されている構成と成しており、その引き出し導体パターンが形成されている導体パターン層よりも下側の1つ以上の導体パターン層には、前記引き出し導体パターンに対向するダミー導体パターンが形成され、このダミー導体パターンは、メイン導体パターンおよび外部接続用電極に接続されていない電気的に浮いた導体パターンであることを特徴とする多層構造部品。
- ダミー導体パターンは、対向している引き出し導体パターンの伸長方向に交差する方向の幅よりも幅広であることを特徴とする請求項1記載の多層構造部品。
- メイン導体パターンと、引き出し導体パターンと、ダミー導体パターンとは、フォトリソグラフィ工法又はスクリーン印刷工法を利用して形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の多層構造部品。
- 複数のメイン導体パターンはコイル構成要素と成し、これらコイル構成要素のメイン導体パターンが電気的に接続されてコイルが構成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2又は請求項3記載の多層構造部品。
- 請求項1乃至請求項4の何れか1つに記載の多層構造部品の製造方法であって、交互に積層形成される絶縁層と、この絶縁層よりも熱収縮率が小さい導体パターン層との各層を形成する毎に焼成することとし、また、積層される導体パターン層は、全ての層にダミー導体パターンを形成するか、又は、一部の層にダミー導体パターンを形成し、絶縁層と導体パターン層を一層以上交互に積層した上に、引き出し導体パターンを有する導体パターン層を積層して焼成することとして、メイン導体パターン部分が積層されている領域の積層厚み方向の焼成による熱収縮量と、ダミー導体パターンおよび引き出し導体パターンが積層形成される領域の積層厚み方向の焼成による熱収縮量との差を小さくして、引き出し導体パターン形成領域のメイン導体パターン形成領域に対する落ち込みを抑制することを特徴とする多層構造部品の製造方法。
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JP2003333208A JP2005101276A (ja) | 2003-09-25 | 2003-09-25 | 多層構造部品およびその製造方法 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009038187A (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Tdk Corp | チップ型電子部品及びその製造方法 |
JP2011029362A (ja) * | 2009-07-24 | 2011-02-10 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
JP2013098257A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Tdk Corp | コモンモードフィルタ |
-
2003
- 2003-09-25 JP JP2003333208A patent/JP2005101276A/ja active Pending
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