JP2005099661A - Heat-resistant photosensitive polyimide precursor composition, method for manufacturing pattern using same, and electronic component - Google Patents

Heat-resistant photosensitive polyimide precursor composition, method for manufacturing pattern using same, and electronic component Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosensitive polyimide precursor composition which can be formed into a thick film, which has excellent photosensitive characteristics and high sensitivity, which gives a pattern of a favorable figure even with low exposure light quantity, and which has a high film remaining rate after development, excellent characteristics of a hardened film, little shrinkage after thermosetting, excellent stress relaxation, high adhesiveness and excellent copper migration resistance, to provide a method for manufacturing a pattern by which the manufacturing process can be decreased and the manufacturing cost can be reduced, and to provide an electronic component obtained by the method. <P>SOLUTION: The heat-resistant photosensitive polyimide precursor composition contains: (A) a polyimide precursor in which both of or one of a diamine component and an acid anhydride component has ≥3 aromatic rings; (B) an addition polymerizable compound having ≥100°C boiling point at normal pressure; (C) a photoinitiator; and (D) a metal harm inhibitor. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、高透明性、高密着性で、また加熱硬化後の塗膜収縮率が小さく厚膜形成に適し、銅配線との密着性、耐銅マイグレーション性に優れた耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物に関し、半導体装置のカバーコート材、再配線用コア材、半田等のボール用カラー材、フリップチップ等で用いられるアンダーフィル材等、いわゆるパッケージ用途に好適な耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物及びこの組成物を用いたパターン製造方法並びに電子部品に関し、特に加熱処理によりポリイミド系耐熱性高分子となるネガ型の耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物及びパターンの製造方法並びに電子部品に関する。   The present invention is a heat-resistant photosensitive polyimide precursor having high transparency, high adhesion, low film shrinkage after heat curing, suitable for thick film formation, and excellent adhesion to copper wiring and copper migration resistance. For body compositions, heat-resistant photosensitive polyimide precursors suitable for so-called package applications, such as cover coating materials for semiconductor devices, core materials for rewiring, color materials for balls such as solder, underfill materials used in flip chips, etc. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a composition, a pattern manufacturing method using the composition, and an electronic component. .

ポリイミド又はその前駆体であってそれ自体でフォトパターニング性を兼備しているものは感光性ポリイミドと呼ばれ、半導体の表面保護膜用等に用いられる。感光性ポリイミドにはいくつかの感光性付与方式が知られている。代表的なものには、特公昭55-41422号公報で提案されているようなポリアミド酸のヒドロキシアクリレートとのエステルとしたものや、特開昭54-145794号公報で提案されているようなポリアミド酸にアミノアクリレートのようなものを配合し感光性基を塩結合で導入するものが知られている。   A polyimide or a precursor thereof, which itself has photo-patterning properties, is called photosensitive polyimide, and is used for a semiconductor surface protective film or the like. Several methods for imparting photosensitivity are known for photosensitive polyimide. Typical examples include those prepared by converting polyamic acid into an ester with hydroxy acrylate as proposed in JP-B-55-41422, and polyamides as proposed in JP-A-54-145794. An acid compound such as amino acrylate is known and a photosensitive group is introduced by a salt bond.

特公昭55-41422号公報Japanese Patent Publication No.55-41422 特開昭54-145794号公報JP 54-145794 A

これらの材料はポリアミド酸自体が剛直なために、スピンコート等によって作製する膜状態では従来の紫外線硬化塗料やドライフィルムレジストと比較して低感度となる欠点がある。これを改良すべくオキシムエステル系化合物、アリールグリシン系化合物等を添加することにより高感度化することができる。しかし一方で、厚膜形成した場合、感度不足や密着性低下等の欠点がある。また、加熱硬化後の塗膜収縮率が大きく、より厚膜の形成が困難であり、ポリイミドパターンの形状及び開口パターンの寸法が大幅に変化してしまうといった問題がある。
また、パッケージ用途では、熱衝撃等によって生じた応力を緩和する特性が要求され、加熱硬化後の塗膜の膜特性によっては充分な緩和が得られず、クラックや剥がれを生じることがある。さらに、パッケージ用途では、アンダーバンピングメタル層やモールド材との密着性が充分でないと剥がれを生じてしまうことがある。また、再配線には銅配線が用いられる事が多くポリイミドと直接接触する場合が多い。銅は酸化されやすい上にポリイミドとの間でマイグレーションを起こし、剥離や絶縁抵抗の低下を引き起こすことがある。
本発明は、上記した問題点を解決するためになされたものであり、前記要求特性を満足する耐熱性感光性樹脂硬化体を形成することのできる有用な組成物となる耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物及びそれを用いたパターン製造方法並びに電子部品を提供することを目的とする。
請求項1の発明は、厚膜形成可能で、感光特性に優れ、高感度で、低露光量でも良好な形状のパターンが得られ、現像後の残膜率も高く、硬化膜特性にも優れる硬化膜が得られ、耐銅マイグレーション性に優れ、さらに加熱硬化後の塗膜収縮率の小さい耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物を提供することである。
請求項2の発明は請求項1の発明の効果をさらに高めた耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物を提供することである。
請求項3の発明は、厚膜形成可能で、感光特性に優れ、高感度で、低露光量でも良好な形状のパターンが得られ、現像後の残膜率も高く、また、加熱硬化後の塗膜収縮率が小さく、硬化膜特性にも優れる硬化膜が得られ、さらに製造工程の短縮が可能であり、製造コストが削減できるパターン製造方法を提供することである。
請求項4の発明は、上記目的に加え更に信頼性に優れる電子部品を提供するものである。
請求項5の発明は、上記目的に加え更に信頼性に優れるカバーコート材、再配線用コア材、半田等のボール用カラー材、応力緩和の為のアンダーフィル材として有用な電子部品を提供するものである。
Since these materials are rigid in the polyamic acid itself, there is a drawback that the film state produced by spin coating or the like is less sensitive than conventional ultraviolet curable paints and dry film resists. To improve this, it is possible to increase the sensitivity by adding an oxime ester compound, an aryl glycine compound or the like. On the other hand, however, when a thick film is formed, there are drawbacks such as insufficient sensitivity and reduced adhesion. In addition, there is a problem that the shrinkage ratio of the coating film after heat curing is large, it is difficult to form a thicker film, and the shape of the polyimide pattern and the size of the opening pattern are significantly changed.
Moreover, in the package use, the characteristic which relieve | moderates the stress produced by the thermal shock etc. is requested | required, and sufficient relaxation may not be obtained depending on the film | membrane characteristic of the coating film after heat-hardening, and a crack and peeling may arise. Furthermore, in package applications, peeling may occur if the adhesiveness to the underbumping metal layer or the mold material is not sufficient. In addition, copper wiring is often used for rewiring, and often directly contacts polyimide. Copper is easily oxidized and causes migration between polyimides, which may cause peeling and a decrease in insulation resistance.
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and is a heat-resistant photosensitive polyimide precursor that is a useful composition capable of forming a heat-resistant photosensitive resin cured body that satisfies the above-mentioned required characteristics. An object is to provide a body composition, a pattern manufacturing method using the same, and an electronic component.
The invention of claim 1 is capable of forming a thick film, has excellent photosensitivity, has high sensitivity, has a good shape pattern even at low exposure, has a high residual film ratio after development, and has excellent cured film characteristics. It is to provide a heat-resistant photosensitive polyimide precursor composition having a cured film obtained, excellent in copper migration resistance, and having a small coating film shrinkage after heat curing.
The invention of claim 2 is to provide a heat-resistant photosensitive polyimide precursor composition that further enhances the effect of the invention of claim 1.
The invention of claim 3 is capable of forming a thick film, has excellent photosensitivity, high sensitivity, a pattern having a good shape even at a low exposure amount, a high residual film ratio after development, and after heat curing. It is an object of the present invention to provide a pattern production method in which a cured film having a small coating film shrinkage ratio and excellent cured film characteristics can be obtained, the production process can be shortened, and the production cost can be reduced.
The invention of claim 4 provides an electronic component that is further excellent in reliability in addition to the above object.
The invention of claim 5 provides an electronic component useful as a cover coat material, a core material for rewiring, a color material for balls such as solder, and an underfill material for stress relaxation in addition to the above-mentioned object. Is.

本発明は、(A)ジアミン成分と酸無水物成分の両方又はどちらか一方が芳香環を3個以上有するポリイミド前駆体、(B)常圧において100℃以上の沸点を有する付加重合性化合物、(C)光開始剤、(D)金属害防止剤を含む耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物に関する。
また、本発明は、ジアミン成分と酸無水物成分の両方又はどちらか一方において、両隣の芳香環との間を介する結合が1,3位である芳香環を少なくとも1つ有する前記ポリイミド前駆体を含む耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物に関する。
また、本発明は、前記の耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物を支持基板上に塗布し乾燥する工程、露光する工程、現像する工程及び加熱処理する工程を含むパターン製造方法に関する。好ましくは、前記の耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物を用いて厚膜の被膜を形成する工程、該被膜に所定のパターンのマスクを介して光を照射する工程及び該光照射後の被膜を有機溶剤又は塩基性水溶液を用いて現像する工程を含むパターン製造方法である。
また、本発明は、前記のパターン製造方法により得られるパターンの層を有してなる電子部品に関する。
また、本発明は、前記の耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物を被着体に形成する工程、及び加熱処理する工程を含み、表面保護膜または層間絶縁膜として有してなる電子部品に関する。
The present invention includes (A) a polyimide precursor in which either or both of the diamine component and the acid anhydride component have three or more aromatic rings, (B) an addition polymerizable compound having a boiling point of 100 ° C. or higher at normal pressure, The present invention relates to a heat-resistant photosensitive polyimide precursor composition containing (C) a photoinitiator and (D) a metal harm preventing agent.
Further, the present invention provides the polyimide precursor having at least one aromatic ring in which the bond between the adjacent aromatic rings in the diamine component and the acid anhydride component or both of them is located at the 1,3-position. It is related with the heat-resistant photosensitive polyimide precursor composition containing.
Moreover, this invention relates to the pattern manufacturing method including the process of apply | coating and drying the said heat resistant photosensitive polyimide precursor composition on a support substrate, the process of exposing, the process of developing, and the process of heat-processing. Preferably, a step of forming a thick film using the heat-resistant photosensitive polyimide precursor composition, a step of irradiating the film with light through a mask having a predetermined pattern, and a film after the light irradiation It is a pattern manufacturing method including the process developed using an organic solvent or basic aqueous solution.
The present invention also relates to an electronic component having a pattern layer obtained by the pattern manufacturing method.
The present invention also relates to an electronic component comprising a surface protective film or an interlayer insulating film, comprising a step of forming the heat-resistant photosensitive polyimide precursor composition on an adherend and a step of heat treatment.

本発明の耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物は、厚膜形成可能で、感光特性に優れ、高感度で低露光量でも良好な形状のパターンが得られ、現像後の残膜率も高く、硬化膜特性にも優れ、熱硬化後の収縮率が小さく、応力緩和に優れ、メタル層やモールド材との接着性が高く耐銅マイグレーション性に優れたものである。
また、本発明のパターン製造方法は、厚膜形成可能で、感光特性に優れ、高感度で、低露光量でも良好なパターンが得られ、現像後の残膜率も高く、硬化膜特性にも優れる硬化膜が得られ、熱硬化時の収縮率も最低限に抑制でき、さらに製造工程の短縮が可能であり、製造コストが削減できるものである。
The heat-resistant photosensitive polyimide precursor composition of the present invention is capable of forming a thick film, has excellent photosensitivity, a high-sensitivity pattern with a good shape even at low exposure, and a high residual film ratio after development. It also has excellent cured film properties, small shrinkage after heat curing, excellent stress relaxation, high adhesion to metal layers and mold materials, and excellent copper migration resistance.
In addition, the pattern manufacturing method of the present invention can form a thick film, has excellent photosensitivity, is highly sensitive, has a good pattern even at low exposure, has a high residual film ratio after development, and has a cured film characteristic. An excellent cured film can be obtained, the shrinkage rate during thermosetting can be suppressed to a minimum, the manufacturing process can be shortened, and the manufacturing cost can be reduced.

本発明で用いる(A)ジアミン成分と酸無水物成分の両方又はどちらか一方が芳香環を3個以上有するポリイミド前駆体として、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリアミド酸アミド等があり、特に制限されないが、光重合可能な炭素炭素不飽和二重結合を有するポリイミド前駆体であることが好ましい。
光重合可能な炭素炭素不飽和二重結合を有する化合物がポリアミド酸に側鎖として共有結合した構造を有するポリアミド酸不飽和エステル、ポリアミド酸不飽和アミド、ポリアミド酸に炭素炭素二重結合を有するアミン化合物を混合して、カルボキシル基とアミノ基のイオン結合により炭素炭素二重結合を導入したものなどが挙げられる。炭素炭素不飽和二重結合は、アクリロイル基又はメタクリロイル基の形で含まれることが好ましい。
(A) A diamine component and / or an acid anhydride component used in the present invention include a polyamic acid, a polyamic acid ester, a polyamic acid amide, etc. as a polyimide precursor having at least three aromatic rings, and is not particularly limited. Is preferably a polyimide precursor having a photopolymerizable carbon-carbon unsaturated double bond.
Polyamic acid unsaturated ester, polyamic acid unsaturated amide having a structure in which a photopolymerizable compound having a carbon-carbon unsaturated double bond is covalently bonded to the polyamic acid as a side chain, an amine having a carbon-carbon double bond in the polyamic acid Examples thereof include a compound in which a carbon-carbon double bond is introduced by an ionic bond between a carboxyl group and an amino group. The carbon-carbon unsaturated double bond is preferably contained in the form of an acryloyl group or a methacryloyl group.

前記ポリアミド酸エステルは、テトラカルボン酸二無水物と不飽和基を有するヒドロキシ基含有化合物を混合して反応させ、テトラカルボン酸のハーフエステルを製造した後、塩化チオニルにより酸クロリド化し、次いで、ジアミンと反応させる方法や、前記テトラカルボン酸ハーフエステルをカルボジイミド類を縮合剤としてジアミンと反応させる酸クロライド法、カルボジイミド縮合剤を用いる方法、イソイミド法等により合成することができる。
また前記エステル結合で炭素炭素不飽和二重結合を導入する場合、前記炭素炭素二重結合を有する化合物の導入量は、現像液に対する溶解性、光硬化性、耐熱性等の点からポリアミド酸の有するカルボキシル基に対して20〜100%とすることが好ましく、30〜90%とすることがより好ましい。
The polyamic acid ester is prepared by mixing and reacting a tetracarboxylic dianhydride and a hydroxy group-containing compound having an unsaturated group to produce a tetracarboxylic acid half ester, followed by acid chloride with thionyl chloride, and then a diamine. Or a tetracarboxylic acid half ester can be synthesized by an acid chloride method in which a carbodiimide is used as a condensing agent and a diamine, a method using a carbodiimide condensing agent, an isoimide method, or the like.
In addition, when the carbon-carbon unsaturated double bond is introduced by the ester bond, the amount of the compound having the carbon-carbon double bond introduced is that of the polyamic acid from the viewpoint of solubility in a developing solution, photocurability, heat resistance, and the like. It is preferable to set it as 20 to 100% with respect to the carboxyl group to have, and it is more preferable to set it as 30 to 90%.

前記炭素炭素不飽和二重結合を有する化合物の例としては、2-ヒドロキシエチルアクリレート、2-ヒドロキシエチルメタクリレート、3-ヒドロキシプロピルアクリレート、3-ヒドロキシプロピルメタクリレート、4-ヒドロキシブチルアクリレート、4-ヒドロキシブチルメタクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレートモノステアレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、カプロラクトン-2-(メタクリロキシ)エチルエステル、ジカプロラクトン-2-(メタクリロイロキシ)エチルエステル等が挙げられる。   Examples of the compound having a carbon-carbon unsaturated double bond include 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 3-hydroxypropyl acrylate, 3-hydroxypropyl methacrylate, 4-hydroxybutyl acrylate, 4-hydroxybutyl Examples include methacrylate, pentaerythritol diacrylate monostearate, pentaerythritol triacrylate, caprolactone-2- (methacryloxy) ethyl ester, dicaprolactone-2- (methacryloyloxy) ethyl ester, and the like.

上記ポリイミド前駆体の分子量は、重量平均分子量で3000〜200000とすることが好ましく、5000〜100000とすることがより好ましい。上記(A)成分のポリイミド前駆体としては、ジアミン成分と酸無水物成分の両方又はどちらか一方が芳香環を3個以上有する必要があり、このジアミン成分としては例えば、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、ビス(4-アミノフェノキシフェニル)ビフェニル、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス(4-アミノフェノキシフェニル)プロパン、4,4'-[1,3-フェニレンビス(1-メチルエチリデン)]ビスアニリン、ビス-p-アミノフェニルアニリン、ビス-(4-アミノフェノキシフェニル)スルフィド、ビス-(4-アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(3-アミノフェノキシフェニル)スルホン、9,9-ビス(4-アミノフェニル)フルオレン、9,9-ビス(4-アミノフェニル)アントラセンなどが挙げられるが、これらに制限されるものではない。これらは単独で又は2種以上を組み合わせて使用しても良い。   The molecular weight of the polyimide precursor is preferably 3000 to 200000 in terms of weight average molecular weight, and more preferably 5000 to 100000. As the polyimide precursor of the component (A), it is necessary that both or either of the diamine component and the acid anhydride component have at least three aromatic rings. Examples of the diamine component include 1,3-bis ( 3-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, bis (4-aminophenoxyphenyl) biphenyl, 2,2-bis [4 -(4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis (4-aminophenoxyphenyl) propane, 4,4 '-[1,3-phenylenebis (1-methylethylidene)] bisaniline, bis- p-aminophenylaniline, bis- (4-aminophenoxyphenyl) sulfide, bis- (4-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (3-aminophen Noxyphenyl) sulfone, 9,9-bis (4-aminophenyl) fluorene, 9,9-bis (4-aminophenyl) anthracene, and the like, but are not limited thereto. You may use these individually or in combination of 2 or more types.

また、上記ポリイミド前駆体のジアミン成分としては、他のジアミンを含有してもよい。例えば、2,4-ジアミノ安息香酸、3,4-ジアミノ安息香酸、4,4'-ジアミノジフェニルエーテル、4,4'-ジアミノジフェニルエーテル-3-スルホンアミド、3,4'-ジアミノジフェニルエーテル-4-スルホンアミド、3,4'-ジアミノジフェニルエーテル-3'-スルホンアミド、3,3'-ジアミノジフェニルエーテル-4-スルホンアミド、3,4'-ジアミノジフェニルエーテル-3'-カルボキサイド、3,3'-ジアミノジフェニルエーテル-4-カルボキサイド、4,4'-ジヒドロキシ-3,3'-ジアミノビフェニル、3,3'-ジヒドロキシ-4,4'-ジアミノビフェニル等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらを用いる場合全アミン成分に対して、1〜50モル%用いることが好ましい。これらのジアミンは、単独で又は2種以上を組み合わせて使用される。
その他、ジアミンとしては接着性向上のために、下記一般式(1)で表されるジアミノポリシロキサン等のジアミンを使用することもできる。R及びRとしては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等のアルキレン基、フェニレン基等のアリーレン基、これらの結合基などが挙げられ、R及びRとしては、メチル基、エチル基等のアルキル基、フェニル基等のアリール基等が挙げられる。これらを用いる場合、全アミン成分に対して、1〜30モル%用いることが好ましい。これらのジアミンは、単独で又は2種以上を組み合わせて使用しても良い。
Moreover, as a diamine component of the said polyimide precursor, you may contain another diamine. For example, 2,4-diaminobenzoic acid, 3,4-diaminobenzoic acid, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether-3-sulfonamide, 3,4'-diaminodiphenyl ether-4-sulfone Amides, 3,4'-diaminodiphenyl ether-3'-sulfonamide, 3,3'-diaminodiphenyl ether-4-sulfonamide, 3,4'-diaminodiphenyl ether-3'-carboxide, 3,3'-diaminodiphenyl ether Examples include, but are not limited to, -4-carboxide, 4,4′-dihydroxy-3,3′-diaminobiphenyl, 3,3′-dihydroxy-4,4′-diaminobiphenyl, and the like. When using these, it is preferable to use 1-50 mol% with respect to all the amine components. These diamines are used alone or in combination of two or more.
In addition, as the diamine, a diamine such as diaminopolysiloxane represented by the following general formula (1) may be used for improving the adhesion. Examples of R 1 and R 2 include alkylene groups such as methylene group, ethylene group and propylene group, arylene groups such as phenylene group, and bonding groups thereof. R 3 and R 4 include methyl group and ethyl group. And alkyl groups such as phenyl groups and aryl groups such as phenyl groups. When using these, it is preferable to use 1-30 mol% with respect to all the amine components. These diamines may be used alone or in combination of two or more.

Figure 2005099661
(式中R及びRは2価の炭化水素基を示し、それぞれ同一でも異なっていてもよく、R及びRは1価の炭化水素基を示し、それぞれ同一でも異なっていてもよく、nは1以上の整数である)
Figure 2005099661
(Wherein R 1 and R 2 represent a divalent hydrocarbon group, which may be the same or different, and R 3 and R 4 represent a monovalent hydrocarbon group, which may be the same or different, respectively. , N is an integer greater than or equal to 1)

前記(A)ポリイミド前駆体の酸無水物としては、例えば、5,5'-[(1-メチルエチリデン)ビス(4,1-フェニレンオキシ)]ビス-1,3-イソベンゾフランジオン、5,5'-[1,3-フェニレンビス(オキシ)]ビス-1,3-イソベンゾフランジオン、ペリレン-2,3,8,9-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-4,5,10,11-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-5,6,11,12-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,7,8-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,6,7-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,9,10-テトラカルボン酸二無水物などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらは単独で又は2種以上を組み合わせて使用しても良い。   Examples of the acid anhydride of the polyimide precursor (A) include 5,5 ′-[(1-methylethylidene) bis (4,1-phenyleneoxy)] bis-1,3-isobenzofurandion, 5, 5 ′-[1,3-phenylenebis (oxy)] bis-1,3-isobenzofurandione, perylene-2,3,8,9-tetracarboxylic dianhydride, perylene-3,4,9,10 -Tetracarboxylic dianhydride, perylene-4,5,10,11-tetracarboxylic dianhydride, perylene-5,6,11,12-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,2,7, Examples include 8-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,2,6,7-tetracarboxylic dianhydride, and phenanthrene-1,2,9,10-tetracarboxylic dianhydride. It is not limited. You may use these individually or in combination of 2 or more types.

また、上記(A)ポリイミド前駆体の酸無水物成分としては、他の酸無水物を含有してもよい。例えば、オキシジフタル酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3',4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,5,6-ピリジンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、ピラジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、チオフェン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらの使用にあたっては、単独で又は2種以上を組み合わせて使用しても良い。これらを用いる場合、全酸無水物成分に対して、1〜30モル%用いることが好ましい。   Moreover, as an acid anhydride component of the said (A) polyimide precursor, you may contain another acid anhydride. For example, oxydiphthalic dianhydride, pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,2 ′, 3,3′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride 2,3,3 ′, 4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride Anhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride 1,2,4,5-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,5,6-pyridinetetracarboxylic dianhydride, cyclopentane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride , Pyrazine-2,3,4,5-tetraca Examples include, but are not limited to, rubonic acid dianhydride and thiophene-2,3,4,5-tetracarboxylic acid dianhydride. Moreover, in using these, you may use individually or in combination of 2 or more types. When using these, it is preferable to use 1-30 mol% with respect to the total acid anhydride component.

(B)常圧において100℃以上の沸点を有する付加重合性化合物としては、多価アルコールとα,β-不飽和カルボン酸とを縮合して得られる化合物、例えばエチレングリコールジアクリレート(エチレングリコールジメタクリレート)、トリエチレングリコールジアクリレート(トリエチレングリコールジメタクリレート)、テトラエチレングリコールジアクリレート(テトラエチレングリコールジメタクリレート)、トリメチロールプロパンジアクリレート(トリメチロールプロパンジメタクリレート)、トリメチロールプロパントリアクリレート(トリメチロールプロパントリメタクリレート)、1,2-プロピレングリコールジアクリレート(1,2-プロピレングリコールジメタクリレート)、ジ(1,2-プロピレングリコール)ジアクリレート(ジ(1,2-プロピレングリコール)ジメタクリレート)、トリ(1,2-プロピレングリコール)ジアクリレート(トリ(1,2-プロピレングリコール)ジメタクリレート)、テトラ(1,2-プロピレングリコール)ジアクリレート(テトラ(1,2-プロピレングリコール)ジメタクリレート)、ジメチルアミノエチルアクリレート(ジメチルアミノエチルメタクリレート)、ジエチルアミノエチルアクリレート(ジエチルアミノエチルメタクリレート)、ジメチルアミノプロピルアクリレート(ジメチルアミノプロピルメタクリレート)、ジエチルアミノプロピルアクリレート(ジエチルアミノプロピルメタクリレート)、1,4-ブタンジオールジアクリレート(1,4-ブタンジオールジメタクリレート)、1,6-ヘキサンジオールジアクリレート(1,6-ヘキサンジオールジメタクリレート)、ペンタエリスリトールトリアクリレート(ペンタエリスリトールトリメタクリレート)、2‐ヒドロキシエチルアクリレート(2‐ヒドロキシエチルメタクリレート)、1,3‐アクリロイルオキシ-2‐ヒドロキシプロパン(1,3‐メタクリロイルオキシ-2‐ヒドロキシプロパン)、ネオペンチルグリコールジアクリレート(ネオペンチルグリコールジメタクリレート)、ペンタエリスリトールジアクリレート(ペンタエリスリトールジメタクリレート)、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート)、テトラメチロールプロパンテトラアクリレート(テトラメチロールプロパンテトラメタクリレート)等が挙げられ、これらは単独で又は2種以上を組み合わせて用いても良い。   (B) Examples of the addition polymerizable compound having a boiling point of 100 ° C. or higher at normal pressure include compounds obtained by condensing polyhydric alcohol and α, β-unsaturated carboxylic acid, such as ethylene glycol diacrylate (ethylene glycol diacrylate). Methacrylate), triethylene glycol diacrylate (triethylene glycol dimethacrylate), tetraethylene glycol diacrylate (tetraethylene glycol dimethacrylate), trimethylolpropane diacrylate (trimethylolpropane dimethacrylate), trimethylolpropane triacrylate (trimethylol) Propane trimethacrylate), 1,2-propylene glycol diacrylate (1,2-propylene glycol dimethacrylate), di (1,2-propylene glycol) diacryle (Di (1,2-propylene glycol) dimethacrylate), tri (1,2-propyleneglycol) diacrylate (tri (1,2-propyleneglycol) dimethacrylate), tetra (1,2-propyleneglycol) di Acrylate (tetra (1,2-propylene glycol) dimethacrylate), dimethylaminoethyl acrylate (dimethylaminoethyl methacrylate), diethylaminoethyl acrylate (diethylaminoethyl methacrylate), dimethylaminopropyl acrylate (dimethylaminopropyl methacrylate), diethylaminopropyl acrylate ( Diethylaminopropyl methacrylate), 1,4-butanediol diacrylate (1,4-butanediol dimethacrylate), 1,6-hexanediol diacrylate (1,6-hexene) Sundiol dimethacrylate), pentaerythritol triacrylate (pentaerythritol trimethacrylate), 2-hydroxyethyl acrylate (2-hydroxyethyl methacrylate), 1,3-acryloyloxy-2-hydroxypropane (1,3-methacryloyloxy-2) -Hydroxypropane), neopentyl glycol diacrylate (neopentyl glycol dimethacrylate), pentaerythritol diacrylate (pentaerythritol dimethacrylate), dipentaerythritol hexaacrylate (dipentaerythritol hexamethacrylate), tetramethylolpropane tetraacrylate (tetramethylol) Propanetetramethacrylate) and the like, and these may be used alone or in combination of two or more. There.

上記(B)成分の含有量は、(A)のポリイミド前駆体100重量部に対して、1〜200重量部とすることが好ましく、5〜50重量部とすることがより好ましい。この使用量が1重量部未満では現像液への溶解性も含めた感光特性に劣る傾向にあり、200重量部を超えると、フイルムの機械特性が劣る傾向にある。   The content of the component (B) is preferably 1 to 200 parts by weight and more preferably 5 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyimide precursor (A). If the amount used is less than 1 part by weight, the photosensitive properties including solubility in the developer tend to be inferior. If it exceeds 200 parts by weight, the mechanical properties of the film tend to be inferior.

本発明で使用する(C)光開始剤としては、特に制限は無いが例えば、ミヒラーズケトン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、2‐t−ブチルアントラキノン、2‐エチルアントラキノン、4,4-ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾフェノン、チオキサントン、2,2‐ジメトキシ-2‐フェニルアセトフェノン、1‐ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2‐メチル-[4-(メチルチオ)フェニル]-2-モルフォリノ-1-プロパノン、ベンジル、ジフェニルジスルフィド、フェナンスレンキノン、2‐イソプロピルチオキサントン、リボフラビンテトラブチレート、2,6-ビス(p-ジエチルアミノベンザル)-4-メチル-4-アザシクロヘキサノン、N-エチル-N-(p-クロロフェニル)グリシン、N-フェニルジエタノールアミン、2-(o-エトキシカルボニル)オキシイミノプロパン-1-オン、3,3,4,4-テトラ(t-ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン、3,3-カルボニルビス(7-ジエチルアミノクマリン)、ビス(シクロペンタジエニル)-ビス-[2,6-ジフルオロ-3-(ピリ-1-イル)フェニル]チタン、ヘキサアリールビイミダゾール化合物等が挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いても良い。
上記(C)成分の含有量は、(A)成分のポリイミド前駆体100重量部に対して、1〜30重量部とすることが好ましく、3〜10重量部とすることがより好ましい。
The (C) photoinitiator used in the present invention is not particularly limited. For example, Michler's ketone, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, 2-t-butylanthraquinone, 2-ethylanthraquinone, 4,4 -Bis (diethylamino) benzophenone, acetophenone, benzophenone, thioxanthone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-1- Propanone, benzyl, diphenyl disulfide, phenanthrenequinone, 2-isopropylthioxanthone, riboflavin tetrabutyrate, 2,6-bis (p-diethylaminobenzal) -4-methyl-4-azacyclohexanone N-ethyl-N- (p-chlorophenyl) glycine, N-phenyldiethanolamine, 2- (o-ethoxycarbonyl) oxyiminopropan-1-one, 3,3,4,4-tetra (t-butylperoxycarbonyl) ) Benzophenone, 3,3-carbonylbis (7-diethylaminocoumarin), bis (cyclopentadienyl) -bis- [2,6-difluoro-3- (pyridin-1-yl) phenyl] titanium, hexaarylbiimidazole Compounds and the like. You may use these individually or in combination of 2 or more types.
The content of the component (C) is preferably 1 to 30 parts by weight, and more preferably 3 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyimide precursor of the component (A).

本発明の耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物は、必要に応じて増感剤を含有してもよい。増感剤としては、例えば7-N,N-ジエチルアミノクマリン、7-ジエチルアミノ-3-テノニルクマリン、3,3'-カルボニルビス(7-N,N-ジエチルアミノ)クマリン、3,3'-カルボニルビス(7-N,N−ジメトキシ)クマリン、3-チエニルカルボニル-7-N,N-ジエチルアミノクマリン、3-ベンゾイルクマリン、3-ベンゾイル-7-N,N-メトキシクマリン、3-(4'-メトキシベンゾイル)クマリン、3,3'-カルボニルビス-5,7-(ジメトキシ)クマリン、ベンザルアセトフェノン、4'-N,N−ジメチルアミノベンザルアセトフェノン、4'-アセトアミノベンザル-4-メトキシアセトフェノン、ジメチルアミノベンゾフェノン、ジエチルアミノベンゾフェノン、4,4'-ビス(N-エチル,N-メチル)ベンゾフェノンなどが挙げられる。これらの含有量は、(A)成分のポリイミド前駆体100重量部に対して、0.05〜20重量部とすることが好ましく、0.1〜10重量部とすることがより好ましい。   The heat-resistant photosensitive polyimide precursor composition of the present invention may contain a sensitizer as necessary. Examples of the sensitizer include 7-N, N-diethylaminocoumarin, 7-diethylamino-3-thenonylcoumarin, 3,3′-carbonylbis (7-N, N-diethylamino) coumarin, and 3,3′-carbonyl. Bis (7-N, N-dimethoxy) coumarin, 3-thienylcarbonyl-7-N, N-diethylaminocoumarin, 3-benzoylcoumarin, 3-benzoyl-7-N, N-methoxycoumarin, 3- (4'- Methoxybenzoyl) coumarin, 3,3′-carbonylbis-5,7- (dimethoxy) coumarin, benzalacetophenone, 4′-N, N-dimethylaminobenzalacetophenone, 4′-acetaminobenzal-4-methoxy Examples include acetophenone, dimethylaminobenzophenone, diethylaminobenzophenone, 4,4′-bis (N-ethyl, N-methyl) benzophenone.These contents are preferably 0.05 to 20 parts by weight, and more preferably 0.1 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyimide precursor of component (A).

本発明で使用する(D)成分の金属害防止剤としては、特に制限はないが例えば、トリアゾール、ベンゾトリアゾール等のトリアゾール系、テトラゾール、ベンゾテトラゾール等のテトラゾール系、4,4'-ブチリデンビス-(6-tert-ブチル-3-メチルフェノール)等のビスフェノール系、ペンタエリスリチル-テトラキス[3-(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート]等のヒンダーフェノール系、サリチル酸誘導体系、ヒドラジド誘導体系等が挙げられる。
上記(D)成分の含有量は、(A)成分のポリイミド前駆体100重量部に対して、0.1〜30重量部とすることが好ましく、1〜10重量部とすることがより好ましい。
There are no particular restrictions on the component (D) used in the present invention, but there are no particular restrictions, but examples include triazoles such as triazole and benzotriazole, tetrazoles such as tetrazole and benzotetrazole, 4,4′-butylidenebis- ( Bisphenols such as 6-tert-butyl-3-methylphenol), hindered phenols such as pentaerythrityl-tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], salicylic acid-derived System, hydrazide derivative system and the like.
The content of the component (D) is preferably 0.1 to 30 parts by weight, and more preferably 1 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyimide precursor of the component (A).

本発明の耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物は、さらに他の添加剤、例えば、可塑剤、接着促進剤等の添加剤を含有しても良い。   The heat-resistant photosensitive polyimide precursor composition of the present invention may further contain other additives such as plasticizers and adhesion promoters.

本発明のパターン製造方法は、本発明の耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物を用いて、フォトリソグラフィ技術により該組成物の硬化物からなるポリイミド膜を形成する。
本発明のパターン製造方法では、まず、支持基板上に本発明の耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物を塗布し乾燥する工程から被膜が形成される。なお、本発明のパターン製造方法では、被膜又は加熱硬化後のポリイミド被膜と支持基板との接着性を向上させるため、あらかじめ支持基板表面を接着助剤で処理しておいてもよい。
耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物からなる被膜は、耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物ワニスの膜を形成した後、これを乾燥させることにより形成する。ワニスの膜の形成は、ワニスの粘度などに応じて、スピナを用いた回転塗布、浸漬、噴霧印刷、スクリーン印刷などの手段から適宜選択された手段により行う。なお、被膜の膜厚は塗布条件、組成物の固形分濃度等により調節できる。また、あらかじめ支持基板上に形成した被膜を支持体上から剥離してポリイミド前駆体組成物からなるシートを上記支持基板の表面に貼り付けることにより、上述の被膜を形成してもよい。
つぎに、この被膜に、所定のパターンのフォトマスクを介して光(活性光線)を照射して露光した後、有機溶剤又は塩基性水溶液により未露光部を溶解除去して現像し、所望のレリーフパターンを得る。活性光線として紫外線、可視光線、放射線などが挙げられ、通常に用いられている紫外線が好ましい。
The pattern manufacturing method of this invention forms the polyimide film which consists of hardened | cured material of this composition with a photolithographic technique using the heat resistant photosensitive polyimide precursor composition of this invention.
In the pattern manufacturing method of the present invention, first, a film is formed from the step of applying and drying the heat-resistant photosensitive polyimide precursor composition of the present invention on a support substrate. In addition, in the pattern manufacturing method of this invention, in order to improve the adhesiveness of a polyimide film after a film or heat-curing, and a support substrate, you may process the support substrate surface with an adhesion | attachment adjuvant beforehand.
The film made of the heat-resistant photosensitive polyimide precursor composition is formed by forming a film of the heat-resistant photosensitive polyimide precursor composition varnish and then drying it. The varnish film is formed by means appropriately selected from means such as spin coating using a spinner, immersion, spray printing, and screen printing in accordance with the viscosity of the varnish. The film thickness of the coating can be adjusted by application conditions, the solid content concentration of the composition, and the like. Moreover, the above-mentioned film may be formed by peeling a film previously formed on the support substrate from the support and attaching a sheet made of the polyimide precursor composition to the surface of the support substrate.
Next, the film is exposed by irradiating light (active light) through a photomask having a predetermined pattern, and then the unexposed portion is dissolved and removed with an organic solvent or a basic aqueous solution and developed to obtain a desired relief. Get a pattern. Examples of actinic rays include ultraviolet rays, visible rays, and radiation, and commonly used ultraviolet rays are preferred.

前記有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、トルエン、クロロホルム、メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、1-ブタノール、2-ブタノール、t-ブタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、キシレン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ヘキシル、酢酸メチルセロソルブ、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン、γ-ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、シクロヘキサノール、シクロヘキサノン、シクロヘキサンオキシム、シクロヘキサン、1,4-シクロヘキサンジメタノール、シクロヘキシルアセテート、シクロペンタノール、シクロペンタノン、シクロペンタノンオキシム、シクロペンタン等が挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて用いてもよい。   Examples of the organic solvent include acetone, methyl ethyl ketone, toluene, chloroform, methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, 2-butanol, t-butanol, ethylene glycol monomethyl ether, and ethylene glycol monoethyl ether. , Xylene, tetrahydrofuran, dioxane, methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, isopropyl acetate, butyl acetate, isobutyl acetate, hexyl acetate, methyl cellosolve, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol mono-acetate n-butyl ether, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, dimethyl sulfoxide, sulfolane, cyclohexane SANOL, cyclohexanone, cyclohexane oxime, cyclohexane, 1,4-cyclohexane dimethanol, cyclohexyl acetate, cyclopentanol, cyclopentanone, cyclopentanone oxime, cyclopentane, and the like. You may use these individually or in combination of 2 or more types.

前記塩基性水溶液は、通常、塩基性化合物を水に溶解した溶液である。塩基性化合物の濃度は、支持基板等への影響などから0.1〜50重量%とすることが好ましく、0.1〜30重量%とすることがより好ましい。なお、ポリイミド前駆体の溶解性を改善するため、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド等の水溶性有機溶剤をさらに含有していてもよい。
上記塩基性化合物としては、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属又はアンモニウムイオンの水酸化物又は炭酸塩や、アミン化合物などが挙げられる。
The basic aqueous solution is usually a solution in which a basic compound is dissolved in water. The concentration of the basic compound is preferably 0.1 to 50% by weight, more preferably 0.1 to 30% by weight from the viewpoint of influence on the support substrate and the like. In order to improve the solubility of the polyimide precursor, water-soluble organic solvents such as methanol, ethanol, propanol, isopropanol, butanol, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, etc. May further be contained.
Examples of the basic compound include alkali metal, alkaline earth metal or ammonium ion hydroxides or carbonates, amine compounds, and the like.

上記で得られたパターンは、通常本発明のポリイミド前駆体の一部がイミド化している。このパターンを、加熱処理することにより、安定な高耐熱性ポリイミドパターンを得ることが出来る。このときの加熱温度は、130〜500℃とすることが好ましく、150〜400℃とすることがより好ましい。この加熱温度が、130℃未満であると、ポリイミド膜の機械特性及び熱特性が低下する傾向にあり、500℃を超えると、ポリイミド膜の機械特性及び熱特性に劣る傾向がある。また、このときの加熱時間は0.01〜10時間とすることが好ましく、0.05〜5時間とすることがより好ましい。この加熱時間が、0.01時間未満であると、ポリイミド膜の機械特性及び熱特性が低下する傾向にあり、10時間を超えると、ポリイミド膜の機械特性及び熱特性に劣る傾向がある。
本発明の耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物は、感光特性に優れ、高感度で、低露光量でも良好な形状のパターンが得られ、現像後の残膜率も高く、硬化膜特性にも優れる硬化膜が得られ、耐銅マイグレーション性に優れ、さらに加熱硬化後の塗膜収縮率が小さく、厚膜形成ができるので、上記のパターンの製造方法により得られるパターンの層を有する電子部品は、上記の効果を十分に発揮することができる。
In the pattern obtained above, a part of the polyimide precursor of the present invention is usually imidized. By heat-treating this pattern, a stable high heat resistant polyimide pattern can be obtained. The heating temperature at this time is preferably 130 to 500 ° C, more preferably 150 to 400 ° C. If this heating temperature is less than 130 ° C., the mechanical properties and thermal properties of the polyimide film tend to deteriorate, and if it exceeds 500 ° C., the mechanical properties and thermal properties of the polyimide film tend to be inferior. In addition, the heating time at this time is preferably 0.01 to 10 hours, and more preferably 0.05 to 5 hours. If this heating time is less than 0.01 hour, the mechanical properties and thermal properties of the polyimide film tend to be reduced, and if it exceeds 10 hours, the mechanical properties and thermal properties of the polyimide film tend to be inferior.
The heat-resistant photosensitive polyimide precursor composition of the present invention has excellent photosensitivity, high sensitivity, a pattern having a good shape even at low exposure, high residual film ratio after development, and cured film characteristics. An excellent cured film is obtained, excellent copper migration resistance, coating film shrinkage after heat curing is small, and thick film formation is possible, so an electronic component having a pattern layer obtained by the above pattern production method is The above effects can be sufficiently exhibited.

また、本発明の電子部品は、本発明の耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物を用いて、上記の露光する工程、現像する工程のない、すなわち、耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物を被着体に形成する工程、及び加熱処理する工程により表面保護膜または層間絶縁膜を形成するものである。被着体に形成する工程、加熱処理する工程は、上記と同様にすることができる。
このようにして得られる本発明の耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物を用いた電子部品は、図1に示したように半導体装置のカバーコート材、再配線用コア材、半田等のボール用カラー材、アンダーフィル材等、いわゆるパッケージ用途に使用することができる。
本発明の耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物を用いた樹脂硬化体は、メタル層や封止剤等との接着性に優れるとともに耐銅マイグレーション性に優れ、応力緩和効果も高いため、本発明の耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物から得られた樹脂硬化体を用いた半導体素子は、極めて信頼性に優れるものとなる。
本発明の電子部品は、前記組成物を用いて形成されるカバーコート、再配線用コア、半田等のボール用カラー、フリップチップ等で用いられるアンダーフィル等を有すること以外は特に制限されず、様々な構造をとることができる。
In addition, the electronic component of the present invention has the above-described exposure step and development step using the heat-resistant photosensitive polyimide precursor composition of the present invention, that is, the heat-sensitive photosensitive polyimide precursor composition is covered. A surface protective film or an interlayer insulating film is formed by a process of forming on the adherend and a process of heat treatment. The step of forming the adherend and the step of heat treatment can be the same as described above.
The electronic component using the heat-resistant photosensitive polyimide precursor composition of the present invention thus obtained is used for balls such as semiconductor device cover coat materials, rewiring core materials, and solder as shown in FIG. It can be used for so-called package applications such as color materials and underfill materials.
The cured resin using the heat-resistant photosensitive polyimide precursor composition of the present invention is excellent in adhesion to a metal layer, a sealant and the like, and also has excellent copper migration resistance and a high stress relaxation effect. The semiconductor element using the resin cured body obtained from the heat resistant photosensitive polyimide precursor composition is extremely excellent in reliability.
The electronic component of the present invention is not particularly limited except that it has a cover coat formed using the composition, a core for rewiring, a ball collar such as solder, an underfill used in a flip chip, etc. Various structures can be taken.

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明は何らこれらにより制限を受けない。以下の合成例にイソイミド化剤としてN,N'-ジヒドロカルビル置換カルボジイミドを用いた方法を示すが、代わりにトリフルオロ酢酸無水物を用いても良い。
(合成例1)
乾燥窒素500mlの4つ口フラスコに、4,4'-オキシジフタル酸二無水物21.72g(0.070mol)と乾燥したN-メチルピロリドン120mlを投入後撹拌し、この溶液に2-ヒドロキシエチルメタクリレート2.34g(0.018mol)を加えた。溶液を室温(25℃)で1時間撹拌し、次いで35℃で1時間撹拌後、室温(25℃)まで冷却し1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン14.03g(0.048mol)、1,3-ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン0.25g(0.001mol)及び乾燥したN-メチルピロリドン80mlを室温で撹拌しながら1時間にわたり滴下添加し、一晩撹拌した。その後N,N-ジシクロヘキシルカルボジイミド27.9g(0.135mol)と乾燥したN-メチルピロリドン100mlを室温で撹拌しながら30分にわたり滴下添加した。さらに2-ヒドロキシエチルメタクリレート39.04g(0.30mol)を加え、50℃で5時間撹拌後、室温まで冷却し一晩撹拌した。この反応混合物を50mlのアセトンで希釈し、吸引ろ過により不要物を除いたろ過液を2.0リットルのイオン交換水に激しく撹拌しながらゆっくり添加し沈殿物を得た。析出した沈殿物をさらにイオン交換水で洗浄後、メタノールで洗浄し吸引ろ過によりろ別し固形物を得た。得られた固形物を室温における水分含有率が1.0重量%以下になるまで減圧乾燥し、粉末状の固形物を得た。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited by these. The following synthesis example shows a method using N, N′-dihydrocarbyl-substituted carbodiimide as an isoimidating agent, but trifluoroacetic anhydride may be used instead.
(Synthesis Example 1)
In a four-necked flask with 500 ml of dry nitrogen, 21.72 g (0.070 mol) of 4,4′-oxydiphthalic dianhydride and 120 ml of dry N-methylpyrrolidone were added and stirred, and 2-hydroxyethyl methacrylate was added to this solution. 2.34 g (0.018 mol) was added. The solution was stirred at room temperature (25 ° C.) for 1 hour, then stirred at 35 ° C. for 1 hour, cooled to room temperature (25 ° C.), and 14.03 g (0.048 mol) of 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene. 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane (0.25 g, 0.001 mol) and dry N-methylpyrrolidone (80 ml) were added dropwise with stirring at room temperature over 1 hour and stirred overnight. Thereafter, 27.9 g (0.135 mol) of N, N-dicyclohexylcarbodiimide and 100 ml of dried N-methylpyrrolidone were added dropwise over 30 minutes with stirring at room temperature. Further, 39.04 g (0.30 mol) of 2-hydroxyethyl methacrylate was added, stirred at 50 ° C. for 5 hours, cooled to room temperature and stirred overnight. The reaction mixture was diluted with 50 ml of acetone, and the filtrate from which unnecessary substances were removed by suction filtration was slowly added to 2.0 liters of ion-exchanged water with vigorous stirring to obtain a precipitate. The deposited precipitate was further washed with ion exchange water, then washed with methanol, and filtered by suction filtration to obtain a solid. The obtained solid was dried under reduced pressure until the water content at room temperature became 1.0% by weight or less to obtain a powdery solid.

(合成例2)
乾燥窒素導入管を備えた500mlの4つ口フラスコに、4,4'-オキシジフタル酸二無水物21.72g(0.070mol)と乾燥したN-メチルピロリドン100mlを投入後撹拌し、この溶液に2-ヒドロキシエチルメタクリレート1.30g(0.010mol)を加えた。溶液を室温で1時間撹拌し、さらに35℃に加熱して1時間撹拌後、室温まで冷却し、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン14.03g(0.048mol)、1,3-ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン0.25g(0.001mol)及び乾燥N-メチルピロリドン100mlを室温で撹拌しながら1時間にわたり滴下添加し、一晩撹拌した。その後、N,N-ジシクロヘキシルカルボジイミド26.82g(0.130mol)と乾燥N-メチルピロリドン100mlを室温で撹拌しながら30分にわたり滴下添加した。さらに2-ヒドロキシエチルメタクリレート45.55g(0.35mol)を加え、50℃で5時間撹拌後、室温まで冷却し一晩撹拌した。この反応混合物を50mlのアセトンで希釈し、吸引ろ過により不要物を除いたろ過液を2.0リットルのイオン交換水に激しく撹拌しながらゆっくり添加し沈殿物を得た。析出した沈殿物をさらにイオン交換水で洗浄後、メタノールで洗浄し吸引ろ過により、ろ別し固形物を得た。得られた固形物を室温における水分含有率が1.0重量%以下になるまで減圧乾燥機で乾燥し、粉末状の固形物を得た。
(Synthesis Example 2)
In a 500 ml four-necked flask equipped with a dry nitrogen inlet tube, 21.72 g (0.070 mol) of 4,4′-oxydiphthalic dianhydride and 100 ml of dry N-methylpyrrolidone were added and stirred. 1.30 g (0.010 mol) of 2-hydroxyethyl methacrylate was added. The solution was stirred at room temperature for 1 hour, further heated to 35 ° C., stirred for 1 hour, cooled to room temperature, and 14.03 g (0.048 mol) of 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3 -Bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane (0.25 g, 0.001 mol) and dry N-methylpyrrolidone (100 ml) were added dropwise with stirring at room temperature over 1 hour and stirred overnight. Thereafter, 26.82 g (0.130 mol) of N, N-dicyclohexylcarbodiimide and 100 ml of dry N-methylpyrrolidone were added dropwise over 30 minutes with stirring at room temperature. Further, 45.55 g (0.35 mol) of 2-hydroxyethyl methacrylate was added and stirred at 50 ° C. for 5 hours, then cooled to room temperature and stirred overnight. The reaction mixture was diluted with 50 ml of acetone, and the filtrate from which unnecessary substances were removed by suction filtration was slowly added to 2.0 liters of ion-exchanged water with vigorous stirring to obtain a precipitate. The deposited precipitate was further washed with ion exchange water, then washed with methanol, and filtered by suction filtration to obtain a solid. The obtained solid was dried with a vacuum dryer until the water content at room temperature became 1.0% by weight or less to obtain a powdery solid.

(合成例3)
乾燥窒素導入管を備えた500mlの4つ口フラスコに、4,4'-オキシジフタル酸二無水物21.72g(0.070mol)と乾燥したN-メチルピロリドン100mlを投入後撹拌し、この溶液に2-ヒドロキシエチルメタクリレート1.30g(0.010mol)を加えた。溶液を室温(25℃)で1時間撹拌し、さらに35℃に加熱して1時間撹拌後、室温まで冷却し、オキシジアニリン9.60g(0.048mol)、1,3-ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン0.25g(0.001mol)及び乾燥N-メチルピロリドン100mlを室温で撹拌しながら1時間にわたり滴下添加し、一晩撹拌した。その後、N,N-ジシクロヘキシルカルボジイミド26.82g(0.130mol)と乾燥N-メチルピロリドン100mlを室温で撹拌しながら30分にわたり滴下添加した。さらに2-ヒドロキシエチルメタクリレート45.55g(0.35mol)を加え、50℃で5時間撹拌後、室温まで冷却し一晩撹拌した。この反応混合物を50mlのアセトンで希釈し、吸引ろ過により不要物を除いたろ過液を2.0リットルのイオン交換水に激しく撹拌しながらゆっくり添加し沈殿物を得た。析出した沈殿物をさらにイオン交換水で洗浄後、メタノールで洗浄し吸引ろ過により、ろ別し固形物を得た。得られた固形物を室温における水分含有率が1.0重量%以下になるまで減圧乾燥機で乾燥し、粉末状の固形物を得た。
(Synthesis Example 3)
In a 500 ml four-necked flask equipped with a dry nitrogen inlet tube, 21.72 g (0.070 mol) of 4,4′-oxydiphthalic dianhydride and 100 ml of dry N-methylpyrrolidone were added and stirred. 1.30 g (0.010 mol) of 2-hydroxyethyl methacrylate was added. The solution was stirred at room temperature (25 ° C.) for 1 hour, further heated to 35 ° C. and stirred for 1 hour, cooled to room temperature, 9.60 g (0.048 mol) of oxydianiline, 1,3-bis (3- Aminopropyl) tetramethyldisiloxane (0.25 g, 0.001 mol) and dry N-methylpyrrolidone (100 ml) were added dropwise with stirring at room temperature over 1 hour and stirred overnight. Thereafter, 26.82 g (0.130 mol) of N, N-dicyclohexylcarbodiimide and 100 ml of dry N-methylpyrrolidone were added dropwise over 30 minutes with stirring at room temperature. Further, 45.55 g (0.35 mol) of 2-hydroxyethyl methacrylate was added and stirred at 50 ° C. for 5 hours, then cooled to room temperature and stirred overnight. The reaction mixture was diluted with 50 ml of acetone, and the filtrate from which unnecessary substances were removed by suction filtration was slowly added to 2.0 liters of ion-exchanged water with vigorous stirring to obtain a precipitate. The deposited precipitate was further washed with ion exchange water, then washed with methanol, and filtered by suction filtration to obtain a solid. The obtained solid was dried with a vacuum dryer until the water content at room temperature became 1.0% by weight or less to obtain a powdery solid.

(実施例1)
撹拌羽根、温度計及び窒素導入管を備えた100mlの4つ口フラスコに合成例1で得られた感光性ポリマの粉末35.0gとN-メチルピロリドン38.0gとp-メトキシフェノール0.1gを撹拌溶解させた後、2,2'-ビス(o-クロロフェニル)-4,4',5,5'-テトラフェニルビイミダゾール2.0g、2-メルカプトベンゾキサゾール1.0gとエチルミヒラーズケトン0.2gの感光剤と付加重合性化合物としてテトラエチレングリコールジアクリレート7.0g、金属害防止剤としてテトラゾール1.0gを加えて室温(25℃)で一晩撹拌溶解後フィルタろ過し耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物溶液を得た。
この溶液をシリコンウエハー上にスピンコートした後に乾燥して20μmの塗膜を形成した後、パターンマスクを介して全波長露光機PLA-600FA(キャノン社製)で露光し、N-メチルピロリドンとメタノールとの混合溶液を用いて現像してエタノールでリンスを行ったところ、露光量100mJ/cmで剥離の無い良好なレリーフパターンが得られた。塗布後と現像後の膜厚の比率から残膜率を計算したところ93%であった。
(Example 1)
In a 100 ml four-necked flask equipped with a stirring blade, a thermometer and a nitrogen introduction tube, 35.0 g of the photosensitive polymer powder obtained in Synthesis Example 1, 38.0 g of N-methylpyrrolidone and 0.1 g of p-methoxyphenol were obtained. After stirring and dissolving, 2,2′-bis (o-chlorophenyl) -4,4 ′, 5,5′-tetraphenylbiimidazole 2.0 g, 2-mercaptobenzoxazole 1.0 g and ethyl Michler's Add 0.2g of a photosensitizer of ketone and 7.0g of tetraethylene glycol diacrylate as an addition polymerizable compound and 1.0g of tetrazole as a metal harm-preventing agent, stir and dissolve overnight at room temperature (25 ° C), filter through a filter and heat resistance. A photo polyimide precursor composition solution was obtained.
This solution is spin-coated on a silicon wafer and then dried to form a 20 μm coating film, which is then exposed with a full-wave exposure machine PLA-600FA (manufactured by Canon Inc.) through a pattern mask, and N-methylpyrrolidone and methanol. And then rinsing with ethanol, a good relief pattern without peeling was obtained at an exposure amount of 100 mJ / cm 2 . The residual film ratio was calculated from the ratio of the film thickness after coating to development and was 93%.

(実施例2)
パターンマスクを介さずウエハ全面を露光量100mJ/cm2でウエハ全面を露光する以外は実施例1と同様な方法で処理した後、窒素雰囲気下で350℃にて1時間熱処理を行った。得られた硬化膜の熱収縮率は37%で従来のものよりも小さかった。得られた硬化膜をシリコンウエハから剥離し、膜の機械特性を測定したところ、80%以上の良好な伸び率を示すとともに弾性率が2.5GPaと従来品よりも小さかった。
(Example 2)
A treatment was performed in the same manner as in Example 1 except that the entire wafer surface was exposed at an exposure amount of 100 mJ / cm 2 without using a pattern mask, and then a heat treatment was performed at 350 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere. The obtained cured film had a thermal contraction rate of 37%, which was smaller than the conventional one. The obtained cured film was peeled from the silicon wafer, and the mechanical properties of the film were measured. The film showed a good elongation of 80% or more and an elastic modulus of 2.5 GPa, which was smaller than that of the conventional product.

(実施例3)
スピンコートの回転数を調整し80μmの塗膜を形成する以外は実施例1と同様な方法で処理したところ露光量200mJ/cmで10μmの解像性を示し、剥離の無い良好なパターンが得られた。
Example 3
The film was processed in the same manner as in Example 1 except that the number of spin coating rotations was adjusted to form an 80 μm coating film. When the exposure amount was 200 mJ / cm 2 , the resolution was 10 μm and a good pattern without peeling was obtained. Obtained.

(実施例4)
合成例2で得られた感光性ポリマの粉末を用いること以外は実施例1と同様な方法で処理したところ、露光量200mJ/cmで剥離の無い良好なレリーフパターンが得られた。
Example 4
Except that the photosensitive polymer powder obtained in Synthesis Example 2 was used, processing was carried out in the same manner as in Example 1. As a result, a good relief pattern without peeling was obtained at an exposure amount of 200 mJ / cm 2 .

(実施例5)
実施例1でシリコンウエハの代わりにシリコンウエハ上に銅スパッタ膜(膜厚1500Å)が形成されたウエハを使用する以外は同様の処理を行い、さらに窒素下にて350℃で硬化膜を作製した。この硬化膜を観察したところ銅基板の変色は認められなかった。また、碁盤目試験(JIS-5400)を行ったところ、剥離は認められず良好な接着性を示した。
(Example 5)
A similar process was performed in Example 1 except that a wafer having a copper sputtered film (thickness: 1500 mm) formed on a silicon wafer was used instead of the silicon wafer, and a cured film was prepared at 350 ° C. under nitrogen. . When this cured film was observed, no discoloration of the copper substrate was observed. Further, when a cross-cut test (JIS-5400) was performed, no peeling was observed and good adhesion was exhibited.

(実施例6)
合成例2で得られた感光性ポリマの粉末を用いること以外は実施例5と同様の処理を行い、同様の試験を行ったところ、剥離は認められず良好な接着性を示した。
(Example 6)
Except that the photosensitive polymer powder obtained in Synthesis Example 2 was used, the same treatment as in Example 5 was performed and the same test was performed. As a result, no peeling was observed and good adhesion was exhibited.

(比較例1)
合成例3で得られた感光性ポリマの粉末を用いること以外は実施例1と同様にして溶液を調整し、実施例3と同様な方法で処理したところ、露光量500mJ/cmでも良好なレリーフパターンが得られなかった。パターンは逆テーパであり、ウエハからの剥離が認められた。
(Comparative Example 1)
A solution was prepared in the same manner as in Example 1 except that the photosensitive polymer powder obtained in Synthesis Example 3 was used, and the solution was processed in the same manner as in Example 3. As a result, the exposure amount of 500 mJ / cm 2 was satisfactory. A relief pattern could not be obtained. The pattern was a reverse taper, and peeling from the wafer was observed.

(比較例2)
実施例1で金属害防止剤であるテトラゾールを加えない溶液を調整し、実施例5と同様の処理で硬化膜を作製後、実施例5と同様の試験を行った。銅基板は変色し、碁盤目試験では剥離が認められた。
(Comparative Example 2)
A solution in which tetrazole, which is a metal harm prevention agent, was not added in Example 1, a cured film was prepared by the same treatment as in Example 5, and then the same test as in Example 5 was performed. The copper substrate was discolored and peeling was observed in the cross cut test.

(比較例3)
実施例6で金属害防止剤であるテトラゾールを加えない溶液を調整し、実施例6と同様の処理で硬化膜を作製後、実施例6と同様の試験を行った。銅基板は変色し、碁盤目試験では剥離が認められた。
(Comparative Example 3)
In Example 6, a solution in which tetrazole, which is a metal harm prevention agent, was not added was prepared. The copper substrate was discolored and peeling was observed in the cross cut test.

実施例1〜6に示したように、本発明の、(A)ジアミン成分と酸無水物成分の両方又はどちらか一方が芳香環を3個以上有するポリイミド前駆体(実施例ではジアミン成分に、芳香環を3個以上有する)(B)常圧において100℃以上の沸点を有する付加重合性化合物、(C)光開始剤、(D)金属害防止剤を含む耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物を用いた感光性ポリイミドは、厚膜形成可能で、感光特性に優れ、高感度で低露光量でも良好な形状のパターンが得られ、現像後の残膜率も高く、硬化膜特性にも優れ、熱硬化後の収縮率が小さく、応力緩和に優れ、メタル層やモールド材との接着性が高く耐銅マイグレーション性に優れる。これに対し、比較例で示した、(A)ジアミン成分と酸無水物成分の両方ともに芳香環を3個以上有さない合成例3のポリイミド前駆体の場合、露光量500mJ/cmと大きな露光量でも良好なパターンが得られず、密着性に乏しく、また、金属害防止剤を配合しない場合、銅基板は変色し、碁盤目試験では剥離してしまい、耐銅マイグレーション性や接着性に劣る。 As shown in Examples 1 to 6, the polyimide precursor (A) of the present invention in which either or both of the diamine component and the acid anhydride component have three or more aromatic rings (in the diamine component in the examples, (B) An addition polymerizable compound having a boiling point of 100 ° C. or higher at normal pressure, (C) a photoinitiator, (D) a heat-resistant photosensitive polyimide precursor composition containing a metal damage inhibitor The photosensitive polyimide using the product can form a thick film, has excellent photosensitivity, has a highly sensitive pattern with a good shape even at low exposure, has a high residual film ratio after development, and has a cured film characteristic. Excellent, shrinkage ratio after thermosetting is small, stress relaxation is excellent, adhesion to metal layer and molding material is high, and copper migration resistance is excellent. On the other hand, in the case of the polyimide precursor of Synthesis Example 3 in which both (A) the diamine component and the acid anhydride component do not have three or more aromatic rings, the exposure amount is as large as 500 mJ / cm 2. A good pattern cannot be obtained even with an exposure amount, poor adhesion, and when no metal damage inhibitor is blended, the copper substrate is discolored and peeled off in a cross-cut test, resulting in copper migration resistance and adhesion. Inferior.

本発明の耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物を用いて製造した電子部品(半導体装置断面の概略図)の説明図。Explanatory drawing of the electronic component (schematic diagram of a semiconductor device cross section) manufactured using the heat resistant photosensitive polyimide precursor composition of this invention.

Claims (5)

(A)ジアミン成分と酸無水物成分の両方又はどちらか一方が芳香環を3個以上有するポリイミド前駆体、(B)常圧において100℃以上の沸点を有する付加重合性化合物、(C)光開始剤、(D)金属害防止剤を含む耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物。 (A) A polyimide precursor in which either or both of a diamine component and an acid anhydride component have three or more aromatic rings, (B) an addition polymerizable compound having a boiling point of 100 ° C. or higher at normal pressure, (C) light A heat-resistant photosensitive polyimide precursor composition comprising an initiator and (D) a metal harm inhibitor. ジアミン成分と酸無水物成分の両方又はどちらか一方において、両隣の芳香環との間を介する結合が1,3位である芳香環を少なくとも1つ有するポリイミド前駆体を含む請求項1に記載の耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物。 2. The polyimide precursor according to claim 1, wherein the diamine component and / or the acid anhydride component includes a polyimide precursor having at least one aromatic ring in which the bond between the adjacent aromatic rings is in the 1,3-position. A heat-resistant photosensitive polyimide precursor composition. 請求項1または請求項2に記載の耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物を支持基板上に塗布し乾燥する工程、露光する工程、現像する工程及び加熱処理する工程を含むパターン製造方法。 The pattern manufacturing method including the process of apply | coating and drying the heat-resistant photosensitive polyimide precursor composition of Claim 1 or Claim 2 on a support substrate, the process of exposing, the process of developing, and the process of heat-processing. 請求項3に記載の製造方法により得られるパターンの層を有してなる電子部品。 An electronic component comprising a pattern layer obtained by the manufacturing method according to claim 3. 請求項1または請求項2に記載の耐熱性感光性ポリイミド前駆体組成物を被着体に形成する工程、及び加熱処理する工程により表面保護膜または層間絶縁膜を形成してなる電子部品。
An electronic component formed by forming a surface protective film or an interlayer insulating film by a step of forming the heat-resistant photosensitive polyimide precursor composition according to claim 1 or 2 on an adherend and a step of heat treatment.
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