JPH10260531A - Polyimide type resin composition - Google Patents

Polyimide type resin composition

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JPH10260531A
JPH10260531A JP8330497A JP8330497A JPH10260531A JP H10260531 A JPH10260531 A JP H10260531A JP 8330497 A JP8330497 A JP 8330497A JP 8330497 A JP8330497 A JP 8330497A JP H10260531 A JPH10260531 A JP H10260531A
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JP
Japan
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group
formula
carbon atoms
tetrazole
polyimide resin
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Application number
JP8330497A
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Japanese (ja)
Inventor
Kei Sakamoto
圭 坂本
Kenichi Ito
健一 伊藤
Akira Tanaka
明 田中
Yoshikatsu Ishizuki
義克 石月
Yasuhiro Yoneda
泰博 米田
Kishio Yokouchi
貴志男 横内
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Zeon Corp
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Nippon Zeon Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polyimide type resin composition superior in an antirust effect and a film remaining preventive effect and a film adhesion effect to copper and copper alloys and to provide the method for manufacturing a terminally modified polyimide type resin composition by incorporating the polyimide type resin with a tetrazole group introduced into the terminal of each unit and a solvent as essential components. SOLUTION: This polyimide type resin composition is composed essentially of the polyimide having the tetrazole group introduced into the terminal of each unit and the solvent. The polyimide resin is a polyamide acid represented by formula I in which R<1> is a tetravalent organic group; R<2> is a divalent organic group; (k) is an integer of 5-10,000; W<1> is T<1> or a hydroxy or chemical sensitive group; and T<1> is an atomic group having a tetrazole group represented by formula II in which P<1> is a -NH-, -NR-, (R is a 1-3C alkyl group), -SO2 -, or -Ogroup or the like; Q is a simple bond or a divalent organic group; and R<1> is an H atom or a 1-10C alkyl or 2-10C alkenyl or 3-10C aryl group.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、銅及び銅合金に対
して優れた防錆効果、残膜防止効果、及び膜密着効果を
有する電子材料用のポリイミド系樹脂組成物に関する。
本発明のポリイミド系樹脂組成物は、半導体素子、プリ
ント配線板、各種高性能基板などの基板上に、例えば、
層間絶縁膜、パッシベーション膜、保護膜などを形成す
るための樹脂材料として好適に使用することができる。
また、本発明は、末端にテトラゾール基が導入された末
端修飾型ポリアミド酸の製造方法に関する。本発明にお
いて、ポリイミド系樹脂とは、ポリイミドだけではな
く、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸をも意味す
るものとする。また、テトラゾール基は、未置換体(1
H−テトラゾール基)だけではなく、置換体(1−置換
−テトラゾール基)をも包含するものとする。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polyimide resin composition for electronic materials having excellent rust-preventing effect, residual film-preventing effect, and film-adhering effect on copper and copper alloys.
The polyimide resin composition of the present invention is a semiconductor device, a printed wiring board, on a substrate such as various high-performance substrates, for example,
It can be suitably used as a resin material for forming an interlayer insulating film, a passivation film, a protective film, and the like.
The present invention also relates to a method for producing a terminal-modified polyamic acid having a tetrazole group introduced at a terminal. In the present invention, the polyimide-based resin means not only polyimide but also polyamic acid which is a precursor of polyimide. Further, the tetrazole group is an unsubstituted compound (1
Not only an H-tetrazole group) but also a substituent (1-substituted-tetrazole group) is included.

【0002】[0002]

【従来の技術】ポリイミド系樹脂は、耐熱性、耐薬品
性、電気的特性、膜形成性などに優れているため、半導
体素子や各種高性能基板において、層間絶縁膜、パッシ
ベーション膜、ジャンクションコーティング、保護膜な
どとして用いられている。これらの分野では、シリコン
ウェーハ、セラミックスなどの無機材料からなる耐熱性
の基板が使用されており、基板上に設けた金属配線の上
からポリイミド系樹脂膜が被覆されている。金属配線を
形成する導体としては、スパッタ蒸着膜や金属箔などが
使用され、金属の材質としては、多くの場合、銅が用い
られている。また、基板上に導体の各種配線パターンを
形成したり、あるいは基板上の微細な部分に選択的に樹
脂被覆層を形成するために、基板上に設けた金属配線ま
たは金属層の上から感光性ポリイミド系樹脂の被覆層を
形成し、次いで、該被覆層の上からパターン形状に活性
光線を照射し、しかる後、現像液に対する照射部分と未
照射部分の溶解度の差を利用して、照射部分または未照
射部分を現像液で溶解除去するパターン形成方法が採用
されている。
2. Description of the Related Art Polyimide resins are excellent in heat resistance, chemical resistance, electrical properties, film forming properties, and the like. Therefore, in semiconductor devices and various high-performance substrates, interlayer insulating films, passivation films, junction coatings, etc. It is used as a protective film and the like. In these fields, heat-resistant substrates made of inorganic materials such as silicon wafers and ceramics are used, and a polyimide resin film is coated on metal wiring provided on the substrate. As a conductor for forming a metal wiring, a sputter-deposited film, a metal foil, or the like is used, and as a metal material, copper is used in many cases. In addition, in order to form various wiring patterns of conductors on a substrate, or to selectively form a resin coating layer on a fine part on the substrate, a photosensitive layer is formed on the metal wiring or metal layer provided on the substrate. Form a coating layer of a polyimide resin, then irradiate the pattern shape with actinic rays from above the coating layer, and then, utilizing the difference in solubility between the irradiated and unirradiated parts to the developer, the irradiated part Alternatively, a pattern forming method of dissolving and removing an unirradiated portion with a developer is adopted.

【0003】ポリイミド系樹脂としては、通常、ポリイ
ミド前駆体であるポリアミド酸(ポリアミック酸ともい
う)が用いられ、その溶剤溶液(ポリイミドワニス)を
基板にコーティングして塗膜を形成し、次いで、アミド
酸を脱水閉環してイミドとしている。感光性ポリイミド
系樹脂としては、ポリアミド酸に光架橋剤を添加した組
成物、ポリアミド酸にアクリロイル基を導入した前駆体
(特公昭55−30207号公報、特公昭55−414
22号公報)、ポリアミド酸にアクリロリル基を塩の形
で導入した前駆体(特公昭59−52822号公報)、
両末端に化学線官能基を導入したポリアミド酸(特開平
4−70661号公報、特開平4−77741号公報、
特開平8−95247号公報、特開平8−286374
号公報)などが提案されている。また、モノマーのジア
ミン成分として、非対称ジアミンを用いることにより、
溶剤可溶性のポリイミドを得たり、あるいは、ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸無水物と芳香族ジアミンとか
ら、溶剤に可溶性で、かつ、感光性を持つポリイミドを
得ることなどが提案されている。
As the polyimide resin, a polyamic acid (polyamic acid), which is a polyimide precursor, is usually used, and a solvent solution (polyimide varnish) is coated on a substrate to form a coating film. The acid is dehydrated to form an imide. Examples of the photosensitive polyimide resin include a composition obtained by adding a photocrosslinking agent to a polyamic acid, and a precursor obtained by introducing an acryloyl group into a polyamic acid (JP-B-55-30207, JP-B-55-414).
No. 22), a precursor obtained by introducing an acrylolyl group into a polyamic acid in the form of a salt (JP-B-59-52822),
Polyamic acids having actinic ray functional groups introduced at both ends (JP-A-4-70661, JP-A-4-77741,
JP-A-8-95247, JP-A-8-286374
Publication). Also, by using an asymmetric diamine as the diamine component of the monomer,
It has been proposed to obtain a solvent-soluble polyimide or to obtain a polyimide soluble in a solvent and having photosensitivity from benzophenonetetracarboxylic anhydride and an aromatic diamine.

【0004】このように、ポリイミド系樹脂は、半導体
素子などの分野で広く使用されているが、従来のポリイ
ミド系樹脂は、導体材料として汎用されている銅及び銅
合金などの金属に対して腐食性を示すという問題を有し
ている。その原因としては、ポリイミド前駆体のポリア
ミド酸がカルボキシル基を含んでいることが挙げられ
る。カルボキシル基は、銅や銅合金と反応して、これら
を腐食させる。しかも、カルボキシル基を有する樹脂
は、吸湿性があり、腐食作用を助長する。ポリアミド酸
をイミド化した後にも、カルボキシル基が残存する場合
が多い。
As described above, polyimide-based resins are widely used in the field of semiconductor devices and the like, but conventional polyimide-based resins corrode metals commonly used as conductor materials such as copper and copper alloys. It has the problem of exhibiting properties. The cause is that the polyamic acid of the polyimide precursor contains a carboxyl group. Carboxyl groups react with copper and copper alloys and corrode them. Moreover, the resin having a carboxyl group has a hygroscopic property and promotes a corrosive action. Even after the polyamic acid is imidized, a carboxyl group often remains.

【0005】したがって、ポリイミドワニスを用いて、
多層配線板用層間絶縁膜を形成させる場合、加熱硬化
(イミド化)工程または硬化後に、塗膜と接触する銅ま
たは銅合金に腐食作用と銅イオンの発生が起こり、絶縁
不良、断線、ショート、金属部位の錆、膜の密着性の低
下、膜の物性劣化などの種々の問題を引き起こす。金属
配線や金属層に対するポリイミド膜の密着性が充分でな
いと、スズメッキ処理、半田メッキ処理、金メッキ処
理、半田ディブ、半田リフロー等の高温での処理工程に
おいて、金属配線や金属層とポリイミド膜との境界面か
ら処理液が入り込むという問題があった。感光性ポリイ
ミド樹脂を用いたプリント配線板の製造工程において
も、レジストパターン形成後、電気銅メッキや電気半田
メッキを行う際に、硬化レジストと銅面間へのメッキ液
の滲み込みが生じると、回路部分以外にも半田がメッキ
され、銅線間の短絡、銅線幅の拡大、銅線周辺部の乱れ
などの問題を生じる。ポリイミド膜の耐熱密着性の不足
は、前記の如き腐食作用や銅イオンの発生に起因すると
推定される。
Therefore, using a polyimide varnish,
When forming an interlayer insulating film for a multilayer wiring board, after a heat curing (imidization) step or curing, corrosion action and copper ions occur on copper or copper alloy in contact with the coating film, resulting in poor insulation, disconnection, short circuit, It causes various problems such as rust on the metal part, decrease in adhesion of the film, and deterioration of physical properties of the film. If the adhesion of the polyimide film to the metal wiring or metal layer is not sufficient, in the processing steps at high temperatures such as tin plating, solder plating, gold plating, solder diving, and solder reflow, the metal wiring or metal layer and the polyimide film may There is a problem that the processing liquid enters from the boundary surface. Also in the manufacturing process of the printed wiring board using the photosensitive polyimide resin, after forming the resist pattern, when performing copper electroplating or electric solder plating, when the seepage of the plating solution occurs between the cured resist and the copper surface, Solder plating is applied to portions other than the circuit portion, which causes problems such as a short circuit between copper wires, an increase in the width of the copper wire, and a disturbance in the peripheral portion of the copper wire. It is presumed that the insufficient heat-resistant adhesion of the polyimide film is caused by the above-mentioned corrosion action and generation of copper ions.

【0006】感光性ポリイミド系樹脂を用いて、金属配
線または金属層が形成された基板上にレジスト膜を形成
する場合、該樹脂のカルボキシル基と銅または銅合金と
の反応に起因して、現像時に未露光部に残膜が発生し、
きれいなパターンを形成することが困難であるという問
題があった。すなわち、カルボキシル基と銅が反応する
と、カルボキシル銅(銅塩)が生成する。カルボキシル
銅が生成したポリアミド酸は、それ自身の溶剤に対する
溶解性が低下し、露光工程の後、溶剤を用いて現像する
際に、未露光部に残膜が発生する原因となる。カルボキ
シル銅は、溶存酸素により酸化を受けて2価の銅イオン
を生成する。銅イオンは、電気絶縁性低下のみならず、
ポリイミドの分子量低下、膜物性低下、密着性低下等の
原因になる。2価銅イオンは、アクリルモノマーと組み
合わせると電子移行(マイグレーション)が起こり、ラ
ジカル重合することが知られている。感光性ポリイミド
系樹脂において、感光基としてアクリロリル基を持つも
のは、特に銅イオンの影響を受けて、現像時の未露光部
の残膜を招きやすい。
When a resist film is formed on a substrate on which metal wiring or a metal layer is formed by using a photosensitive polyimide resin, the resist film is developed due to a reaction between a carboxyl group of the resin and copper or a copper alloy. Sometimes a residual film occurs in the unexposed area,
There is a problem that it is difficult to form a clean pattern. That is, when a carboxyl group reacts with copper, carboxyl copper (copper salt) is generated. The polyamic acid produced by the carboxyl copper has reduced solubility in its own solvent, and causes a residual film to be formed in an unexposed portion when developing with a solvent after the exposure step. Carboxylic copper is oxidized by dissolved oxygen to generate divalent copper ions. Copper ions not only reduce electrical insulation,
This may cause a decrease in the molecular weight of the polyimide, a decrease in physical properties of the film, a decrease in adhesion, and the like. It is known that divalent copper ions undergo electron transfer (migration) when combined with an acrylic monomer and undergo radical polymerization. Among the photosensitive polyimide-based resins, those having an acrylolyl group as a photosensitive group are liable to cause a residual film in an unexposed portion during development, particularly under the influence of copper ions.

【0007】従来より、基板とポリイミド膜との密着性
を改善するために、いくつかの提案がなされている。例
えば、銅層の表面にシランカップリング剤層を設けるこ
とにより、ポリイミド膜との密着性の改善を図る方法
(特開平1−174439号公報)、ポリアミド酸に、
ベンゾトリアゾール、1,2,4−トリアゾール、及び
これらの誘導体から選ばれる少なくとも一種の化合物を
添加することにより、ポリアミド酸の腐食性を抑制する
方法(特開平2−228359号公報)、ポリアミド酸
ワニスにシランカップリング剤を添加することにより、
基板に対するポリイミド膜の密着性を改善する方法(特
開昭60−157286号公報)などが提案されてい
る。しかしながら、これらの化合物を含有するワニス
は、保存安定性が低下するという問題があった。特に、
シランカップリング剤を添加したポリアミド酸ワニス
は、保存安定性が大幅に低下する。
Hitherto, several proposals have been made to improve the adhesion between the substrate and the polyimide film. For example, a method of improving the adhesion to a polyimide film by providing a silane coupling agent layer on the surface of a copper layer (Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-174439).
A method for suppressing the corrosiveness of polyamic acid by adding at least one compound selected from benzotriazole, 1,2,4-triazole and derivatives thereof (Japanese Patent Application Laid-Open No. 228359/1990); By adding a silane coupling agent to
A method for improving the adhesion of a polyimide film to a substrate (Japanese Patent Laid-Open No. 60-157286) has been proposed. However, varnishes containing these compounds have a problem that storage stability is reduced. Especially,
A polyamic acid varnish to which a silane coupling agent has been added has significantly reduced storage stability.

【0008】プリント配線板の分野において、耐熱性の
絶縁性基板上に形成されている金属配線または金属箔
に、イミダゾール化合物を接触させ付着させて該金属配
線または金属箔の表面を変成処理し、そのイミダゾール
化合物付着層上に更にポリイミドシロキサン溶液組成物
を塗布し乾燥して被覆層を形成することにより、耐熱密
着性(耐メッキ性)、柔軟性などに優れたオーバーコー
ト層を形成する被覆方法が提案されている。しかしなが
ら、イミダゾール化合物は、銅イオン生成と樹脂被覆層
中への移行に対する抑制効果が不充分である。また、イ
ミダゾール化合物は、フォトレジストを用いたパターン
形成方法において、未露光部分の残膜抑制効果が不充分
である。
In the field of printed wiring boards, an imidazole compound is brought into contact with and adhered to a metal wiring or a metal foil formed on a heat-resistant insulating substrate to modify the surface of the metal wiring or the metal foil, A coating method for forming an overcoat layer having excellent heat resistance adhesion (plating resistance) and flexibility by further applying a polyimide siloxane solution composition on the imidazole compound adhesion layer and drying to form a coating layer. Has been proposed. However, the imidazole compound has an insufficient effect of suppressing copper ion generation and migration into the resin coating layer. Further, the imidazole compound has an insufficient effect of suppressing the remaining film in the unexposed portion in the pattern forming method using a photoresist.

【0009】また、感光性樹脂を用いたプリント配線板
の製造工程において、硬化レジストと銅面との密着力を
向上させるために、ポリ(メタ)アクリル酸エステル系
重合体、架橋性単量体、及び光重合開始剤を含有する光
重合性樹脂組成物に、テトラゾールまたはその誘導体を
添加する方法が提案されている(特開昭59−1257
26号公報、特開昭61−186952号公報、特開平
2−2083439号公報)。最近、本発明者らは、ポ
リイミド系樹脂に、1H−テトラゾール類を含有させる
ことにより、銅及び銅合金に対して優れた防錆効果を示
す樹脂組成物の得られることを見いだした(特開平8−
286374号公報)。しかし、これらの方法は、テト
ラゾール類を添加するものであって、いずれも樹脂自体
の改質を図るものではない。
In the process of manufacturing a printed wiring board using a photosensitive resin, a poly (meth) acrylate polymer, a cross-linkable monomer, And a method of adding tetrazole or a derivative thereof to a photopolymerizable resin composition containing a photopolymerization initiator (JP-A-59-1257).
26, JP-A-61-186952 and JP-A-2-2083439. Recently, the present inventors have found that a resin composition exhibiting an excellent rust-preventing effect on copper and copper alloy can be obtained by adding 1H-tetrazole to a polyimide resin (Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. Heisei (Kokai) No. H10-260, 1988). 8-
286374). However, these methods only add a tetrazole, and do not aim at modifying the resin itself.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、銅及
び銅合金に対して優れた防錆効果、残膜防止効果、及び
膜密着効果を有するポリイミド系樹脂組成物を提供する
ことにある。より具体的に、本発明の目的は、改質され
たポリイミド系樹脂を用いることにより、安定した防錆
効果、残膜防止効果、及び膜密着効果を示すことができ
るポリイミド系樹脂組成物を提供することにある。さら
に、本発明の目的は、安定した防錆効果、残膜防止効
果、及び膜密着効果を示すことができる末端修飾型ポリ
イミド系樹脂の製造方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a polyimide resin composition having excellent rust-preventing effect, residual film-preventing effect, and film-adhering effect on copper and copper alloys. . More specifically, an object of the present invention is to provide a polyimide resin composition capable of exhibiting a stable rust prevention effect, a residual film prevention effect, and a film adhesion effect by using a modified polyimide resin. Is to do. Further, an object of the present invention is to provide a method for producing a terminal-modified polyimide resin that can exhibit a stable rust-preventing effect, a residual film-preventing effect, and a film adhesion effect.

【0011】本発明者らは、前記従来技術の問題点を克
服するために鋭意研究した結果、ポリイミド系樹脂の一
端または両端にテトラゾール基が導入された構造の末端
修飾型ポリイミド系樹脂を用いることにより、安定した
防錆効果、残膜防止効果、及び膜密着効果の得られるこ
とを見いだした。このような末端修飾型ポリイミド系樹
脂は、末端にアミノ基またはカルボキシル基を有するポ
リイミド系樹脂と、アミノ基またはカルボキシル基と反
応し得る官能基とテトラゾール基とを有する化合物とを
反応させることにより得ることができる。また、この末
端修飾型ポリイミド系樹脂は、ジアミン化合物とテトラ
カルボン酸またはその酸無水物とを極性有機溶媒中で反
応させてポリアミド酸を製造する際に、アミノ基または
カルボキシル基と反応し得る官能基とテトラゾール基と
を有する化合物を存在させることによって、合成するこ
とができる。さらに、このようなポリアミド酸を合成す
る際に、末端に、化学線官能基をも同時に導入すれば、
防錆性等と感光性に優れたポリアミド酸を得ることがで
きる。本発明は、これらの知見に基づいて、完成するに
至ったものである。
The present inventors have conducted intensive studies to overcome the problems of the prior art, and as a result, have found that a terminal modified polyimide resin having a structure in which a tetrazole group is introduced at one or both ends of the polyimide resin is used. As a result, a stable rust-preventing effect, a remaining film-preventing effect, and a film adhesion effect can be obtained. Such a terminal-modified polyimide resin is obtained by reacting a polyimide resin having an amino group or a carboxyl group at a terminal with a compound having a functional group capable of reacting with an amino group or a carboxyl group and a tetrazole group. be able to. Further, this terminal-modified polyimide resin is a functional group capable of reacting with an amino group or a carboxyl group when producing a polyamic acid by reacting a diamine compound with a tetracarboxylic acid or an acid anhydride thereof in a polar organic solvent. It can be synthesized by the presence of a compound having a group and a tetrazole group. Furthermore, when synthesizing such a polyamic acid, if an actinic radiation functional group is also introduced at the end,
A polyamic acid having excellent rust prevention and photosensitivity can be obtained. The present invention has been completed based on these findings.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、少なく
とも一方の末端にテトラゾール基が導入されたポリイミ
ド系樹脂(A)と溶剤(B)を必須成分として含有する
ポリイミド系樹脂組成物が提供される。また、本発明に
よれば、ジアミン化合物とテトラカルボン酸またはその
酸無水物とを極性有機溶媒中で反応させてポリアミド酸
を製造する方法において、反応系に、ジアミン化合物と
テトラカルボン酸またはその酸無水物と共に、アミノ基
またはカルボキシル基と反応し得る官能基とテトラゾー
ル基とを有する化合物(a)を存在させることにより、
少なくとも一方の末端にテトラゾール基が導入されたポ
リアミド酸を生成させることを特徴とする末端修飾型ポ
リイミド系樹脂の製造方法が提供される。さらに、本発
明によれば、少なくとも一方の末端にアミノ基またはカ
ルボキシル基を有するポリイミド系樹脂と、アミノ基ま
たはカルボキシル基と反応し得る官能基とテトラゾール
基とを有する化合物(a)とを反応させることにより、
少なくとも一方の末端にテトラゾール基が導入されたポ
リイミド系樹脂を生成させることを特徴とする末端修飾
型ポリイミド系樹脂の製造方法が提供される。
According to the present invention, there is provided a polyimide resin composition comprising, as essential components, a polyimide resin (A) having at least one terminal into which a tetrazole group is introduced and a solvent (B). Is done. Further, according to the present invention, in a method for producing a polyamic acid by reacting a diamine compound with a tetracarboxylic acid or an acid anhydride thereof in a polar organic solvent, the reaction system comprises a diamine compound and a tetracarboxylic acid or an acid thereof. By the presence of a compound (a) having a functional group capable of reacting with an amino group or a carboxyl group and a tetrazole group together with an anhydride,
There is provided a method for producing a terminal-modified polyimide resin, which comprises producing a polyamic acid having a tetrazole group introduced into at least one terminal. Further, according to the present invention, a polyimide resin having an amino group or a carboxyl group at at least one terminal is reacted with a compound (a) having a functional group capable of reacting with an amino group or a carboxyl group and a tetrazole group. By doing
There is provided a method for producing a terminal-modified polyimide resin, which comprises producing a polyimide resin having a tetrazole group introduced into at least one terminal.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】ポリイミド系樹脂 本発明において、少なくとも一方の末端にテトラゾール
基を導入すべきポリイミド系樹脂としては、ポリアミド
酸、溶媒可溶性ポリイミド、感光性ポリアミド酸、感光
性ポリアミド酸エステル、感光性ポリイミドなどが挙げ
られる。ポリアミド酸は、一般に、酸成分としてテトラ
カルボン酸またはその酸無水物を用い、アミン成分とし
てジアミン化合物を用いて、両者を無水の条件下、極性
有機溶媒中、0〜100℃で縮重合することにより合成
される。感光性ポリアミド酸または感光性ポリアミド酸
エステルは、ポリアミド酸またはポリアミド酸エステル
に光重合性のアクリロイル基を導入する方法、末端に化
学線官能基を導入する方法などにより得ることができ
る。感光性ポリアミド酸や感光性ポリアミド酸エステル
は、必要に応じて光重合開始剤、光増感剤、感光助剤
(架橋助剤)等を含有してもよい。溶媒可溶性ポリイミ
ド、及び感光性ポリイミドとしては、公知のものを使用
することができる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Polyimide Resin In the present invention, the polyimide resin to be introduced with a tetrazole group at at least one end includes polyamic acid, solvent-soluble polyimide, photosensitive polyamic acid, photosensitive polyamic acid ester, photosensitive polyamide acid ester, Polyimide. Polyamic acid is generally polycondensed at 0 to 100 ° C. in a polar organic solvent under anhydrous conditions using tetracarboxylic acid or an acid anhydride thereof as an acid component and a diamine compound as an amine component. Are synthesized by The photosensitive polyamic acid or photosensitive polyamic acid ester can be obtained by a method of introducing a photopolymerizable acryloyl group into a polyamic acid or a polyamic acid ester, a method of introducing an actinic radiation functional group into a terminal, or the like. The photosensitive polyamic acid or photosensitive polyamic acid ester may contain a photopolymerization initiator, a photosensitizer, a photosensitive auxiliary (crosslinking auxiliary), and the like, if necessary. As the solvent-soluble polyimide and the photosensitive polyimide, known polyimides can be used.

【0014】少なくとも一方の末端にアミノ基またはカ
ルボキシル基を有するポリイミド系樹脂を合成し、この
樹脂と、アミノ基またはカルボキシル基と反応し得る官
能基とテトラゾール基とを有する化合物(a)とを反応
させることにより、末端にテトラゾール基を有するポリ
イミド系樹脂を合成することができるが、ポリアミド酸
の合成時に、アミノ基、カルボキシル基または酸無水物
基と反応し得る官能基とテトラゾール基とを有する化合
物(a)を存在させることによって合成する方法を採用
することが確実に末端変性する上で好ましい。
A polyimide resin having an amino group or a carboxyl group at at least one end is synthesized, and this resin is reacted with a compound (a) having a tetrazole group and a functional group capable of reacting with an amino group or a carboxyl group. By doing so, it is possible to synthesize a polyimide resin having a tetrazole group at the end, at the time of synthesis of polyamic acid, a compound having a functional group capable of reacting with an amino group, a carboxyl group or an acid anhydride group and a tetrazole group It is preferable to employ a method of synthesizing by the presence of (a) in order to surely modify the terminal.

【0015】<ジアミン化合物>ジアミン化合物として
は、例えば、2,2′−ジ(p−アミノフェニル)−
6,6′−ビスベンゾオキサゾール、2,2′−ジ(p
−アミノフェニル)−5,5′−ビスベンゾオキサゾー
ル、m−フェニレンジアミン、1−イソプロピル−2,
4−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、
4,4′−ジアミノジフェニルプロパン、3,3′−ジ
アミノジフェニルプロパン、4,4′−ジアミノジフェ
ニルエタン、3,3′ジアミノジフェニルエタン、4,
4′−ジアミノジフェニルメタン、3,3′−ジアミノ
ジフェニルメタン、4,4′−ジアミノジフェニルスル
フィド、3,3′−ジアミノジフェニルスルフィド、
4,4′−ジアミノジフェニルスルホン、3,3′−ジ
アミノジフェニルスルホン、4,4′−ジアミノジフェ
ニルエーテル、3,3′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、ベンジジン、4,4″−ジアミノ−p−テルフェニ
ル、3,3″−ジアミノ−p−テルフェニル、ビス(p
−アミノシクロヘキシル)メテン、ビス(p−β−アミ
ノ−t−ブチルフェニル)エーテル、ビス(p−β−メ
チル−δ−アミノペンチル)ベンゼン、p−ビス(2−
メチル−4−アミノペンチル)ベンゼン、p−ビス
(1,1−ジメチル−5−アミノペンチル)ベンゼン、
1,5−ジアミノナフタレン、2,6−ジアミノナフタ
レン、2,4−ビス(β−アミノ−t−ブチル)トルエ
ン、2,4−ジアミノトルエン、m−キシレン−2,5
−ジアミン、p−キシレン−2,5−ジアミン、m−キ
シリレンジアミン、p−キシリレンジアミンなどの芳香
族ジアミン類;2,6−ジアミノピリジン、2,5−ジ
アミノピリジン、2,5−ジアミノ−1,3,4−オキ
サジアゾールなどの複素環ジアミン類;1,4−ジアミ
ノシクロヘキサンなどの脂環式ジアミン類;ピペラジ
ン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、プロピレン
ジアミン、2,2−ジメチルプロピレンジアミン、テト
ラメチレンジアミン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサ
メチレンジアミン、2,5−ジメチルヘキサメチレンジ
アミン、3−メトキシヘキサメチレンジアミン、ヘプタ
メチレンジアミン、2,5−ジメチルヘプタメチレンジ
アミン、3−メチルヘプタメチレンジアミン、4,4−
ジメチルヘプタメチレンジアミン、オクタメチレンジア
ミン、ノナメチレンジアミン、5−メチルノナメチレン
ジアミン、2,5−ジメチルノナメチレンジアミン、デ
カメチレンジアミン、1,10−ジアミノ−1,10−
ジメチルデカン、2,11−ジアミノドデカン、1,1
2−ジアミノオクタデカン、2,12−ジアミノオクタ
デカン、2,17−ジアミノアイコサンなどの脂肪族ジ
アミン類;その他、ジアミノシロキサン、2,6−ジア
ミノ−4−カルボキシリックベンゼン、3,3′−ジア
ミノ−4,4′−ジカルボキシリックベンジジンなどが
挙げられる。これらのジアミン化合物は、それぞれ単独
で、あるいは2種以上を組み合わせて使用することがで
きる。これらの中でも、2,2′−ジ(p−アミノフェ
ニル)−6,6′−ビスベンゾオキサゾール、及び2,
2′−ジ(p−アミノフェニル)−5,5′−ビスベン
ゾオキサゾールは、低熱膨張性で高耐熱性のポリマーが
得られるので、特に好ましい。
<Diamine Compound> Examples of the diamine compound include 2,2'-di (p-aminophenyl)-
6,6'-bisbenzoxazole, 2,2'-di (p
-Aminophenyl) -5,5'-bisbenzoxazole, m-phenylenediamine, 1-isopropyl-2,
4-phenylenediamine, p-phenylenediamine,
4,4'-diaminodiphenylpropane, 3,3'-diaminodiphenylpropane, 4,4'-diaminodiphenylethane, 3,3'diaminodiphenylethane, 4,
4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,3'-diaminodiphenylsulfide,
4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylether, 3,3'-diaminodiphenylether, benzidine, 4,4 "-diamino-p-terphenyl, 3, 3 "-diamino-p-terphenyl, bis (p
-Aminocyclohexyl) methene, bis (p-β-amino-t-butylphenyl) ether, bis (p-β-methyl-δ-aminopentyl) benzene, p-bis (2-
Methyl-4-aminopentyl) benzene, p-bis (1,1-dimethyl-5-aminopentyl) benzene,
1,5-diaminonaphthalene, 2,6-diaminonaphthalene, 2,4-bis (β-amino-t-butyl) toluene, 2,4-diaminotoluene, m-xylene-2,5
Aromatic diamines such as diamine, p-xylene-2,5-diamine, m-xylylenediamine and p-xylylenediamine; 2,6-diaminopyridine, 2,5-diaminopyridine, 2,5-diamino Heterocyclic diamines such as -1,3,4-oxadiazole; alicyclic diamines such as 1,4-diaminocyclohexane; piperazine, methylene diamine, ethylene diamine, propylene diamine, 2,2-dimethyl propylene diamine, tetra Methylenediamine, pentamethylenediamine, hexamethylenediamine, 2,5-dimethylhexamethylenediamine, 3-methoxyhexamethylenediamine, heptamethylenediamine, 2,5-dimethylheptamethylenediamine, 3-methylheptamethylenediamine, 4,4 −
Dimethylheptamethylenediamine, octamethylenediamine, nonamethylenediamine, 5-methylnonamethylenediamine, 2,5-dimethylnonamethylenediamine, decamethylenediamine, 1,10-diamino-1,10-
Dimethyldecane, 2,11-diaminododecane, 1,1
Aliphatic diamines such as 2-diaminooctadecane, 2,12-diaminooctadecane, and 2,17-diaminoicosane; and diaminosiloxane, 2,6-diamino-4-carboxylic benzene, 3,3'-diamino-4 , 4'-dicarboxylic benzidine and the like. These diamine compounds can be used alone or in combination of two or more. Among these, 2,2'-di (p-aminophenyl) -6,6'-bisbenzoxazole and 2,2'-di (p-aminophenyl) -6,6'-bisbenzoxazole
2'-di (p-aminophenyl) -5,5'-bisbenzoxazole is particularly preferable since a polymer having low thermal expansion and high heat resistance can be obtained.

【0016】<テトラカルボン酸またはその酸無水物>
テトラカルボン酸またはその酸無水物としては、例え
ば、ピロメリット酸二無水物、3,3′,4,4′−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ベンゼン−
1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、2,
2′,3,3′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、2,3,3′,4′−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物、ナフタレン−2,3,6,7−テトラ
カルボン酸二無水物、ナフタレン−1,2,5,6−テ
トラカルボン酸二無水物、ナフタレン−1,2,4,5
−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−1,2,
5,8−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−1,
2,6,7−テトラカルボン酸二無水物、4,8−ジメ
チル−1,2,3,5,6,7−ヘキサヒドロナフタレ
ン−1,2,5,6−テトラカルボン酸二無水物、4,
8−ジメチル−1,2,3,5,6,7−ヘキサヒドロ
ナフタレン−2,3,6,7−テトラカルボン酸二無水
物、2,6−ジクロロナフタレン−1,4,5,8−テ
トラカルボン酸二無水物、2,7−ジクロロナフタレン
−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、2,
3,6,7−テトラクロロナフタレン−1,4,5,8
−テトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−テトラ
クロロナフタレン−2,3,6,7−テトラカルボン酸
二無水物、3,3′,4,4′−ジフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ジフェニルテト
ラカルボン酸二無水物、2,3,3′,4′−ジフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、2,3″,4,4″−p
−テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2″,
3,3″−p−テルフェニルテトラカルボン酸二無水
物、2,3,3″,4″−p−テルフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシ
フェニル)−プロパン二無水物、2,2−ビス(3,4
−ジカルボキシフェニル)−プロパン二無水物、ビス
(2,3−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、
ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水
物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタン二無
水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二
無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)スルホ
ン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ス
ルホン二無水物、1,1−ビス(2,3−ジカルボキシ
フェニル)エタン二無水物、1,1−ビス(3,4−ジ
カルボキシフェニル)エタン二無水物、ペリレン−2,
3,8,9−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−
3,4,9,10−テトラカルボン酸二無水物、ペリレ
ン−4,5,10,11−テトラカルボン酸二無水物、
ペリレン−5,6,11,12−テトラカルボン酸二無
水物、フェナンスレン−1,2,7,8−テトラカルボ
ン酸二無水物、フェナンスレン−1,2,6,7−テト
ラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−1,2,9,
10−テトラカルボン酸二無水物などの芳香族テトラカ
ルボン酸二無水物及びその水素添加物;シクロペンタン
−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、シクロ
ブタンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2,2,
2]オクタ−7−エン−2−エキソ,30エキソ,5−
エキソ,6−エキソテトラカルボン酸2,3:5,6−
二無水物、ビシクロ[2,2,1]ヘプタン−2−エキ
ソ,3−エキソ,5−エキソ,6−エキソテトラカルボ
ン酸2,3:5,6−二無水物などの脂環式酸無水物;
ピラジン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水
物、ピロリジン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二
無水物、チオフェン−2,3,4,5−テトラカルボン
酸二無水物などの複素環誘導体などが挙げられる。これ
らは、それぞれ単独で、あるいは2種以上を組み合わせ
て使用することができる。これらの中でも、ピロメリッ
ト酸二無水物、3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、及びこれらの組み合わせは、
良好な低熱膨張性、耐クラック性、解像性などを実現す
る上で、特に好ましい。
<Tetracarboxylic acid or acid anhydride thereof>
Examples of the tetracarboxylic acid or an acid anhydride thereof include pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, benzene
1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, 2,
2 ', 3,3'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,3,3', 4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, naphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride , Naphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,2,4,5
-Tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,2,2
5,8-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,
2,6,7-tetracarboxylic dianhydride, 4,8-dimethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydronaphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 4,
8-dimethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydronaphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride, 2,6-dichloronaphthalene-1,4,5,8- Tetracarboxylic dianhydride, 2,7-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 2,
3,6,7-tetrachloronaphthalene-1,4,5,8
-Tetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-tetrachloronaphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-diphenyltetracarboxylic dianhydride Anhydride, 2,2 ', 3,3'-diphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3', 4'-diphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3 ", 4,4" -p
-Terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2 ″,
3,3 "-p-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3", 4 "-p-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl ) -Propane dianhydride, 2,2-bis (3,4
-Dicarboxyphenyl) -propane dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) ether dianhydride,
Bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (2,3 -Dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, 1,1-bis (2,3-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, 1,1-bis ( 3,4-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, perylene-2,
3,8,9-tetracarboxylic dianhydride, perylene-
3,4,9,10-tetracarboxylic dianhydride, perylene-4,5,10,11-tetracarboxylic dianhydride,
Perylene-5,6,11,12-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,2,7,8-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,2,6,7-tetracarboxylic dianhydride , Phenanthrene-1,2,9,
Aromatic tetracarboxylic dianhydrides such as 10-tetracarboxylic dianhydride and hydrogenated products thereof; cyclopentane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, Bicyclo [2,2,
2] oct-7-en-2-exo, 30 exo, 5-
Exo, 6-exotetracarboxylic acid 2,3: 5,6-
Alicyclic acid anhydrides such as dianhydride and bicyclo [2,2,1] heptane-2-exo, 3-exo, 5-exo, 6-exotetracarboxylic acid 2,3: 5,6-dianhydride Stuff;
Pyrazine-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, pyrrolidine-2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride, thiophene-2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride And the like. These can be used alone or in combination of two or more. Among these, pyromellitic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, and combinations thereof,
It is particularly preferable to achieve good low thermal expansion, crack resistance, resolution, and the like.

【0017】テトラゾール基含有化合物(a) 本発明では、アミノ基またはカルボキシル基と反応し得
る官能基とテトラゾール基とを有する化合物(a)を変
性剤として用いることにより、少なくとも一方の末端に
テトラゾール基が導入されたポリイミド系樹脂(A)を
合成する。このようなテトラゾール基含有化合物(a)
は、下記の式(III)で表すことができる。
In the present invention, the compound (a) having a functional group capable of reacting with an amino group or a carboxyl group and a tetrazole group is used as a modifying agent, so that at least one end of the compound has a tetrazole group. To synthesize a polyimide resin (A) into which is introduced. Such a tetrazole group-containing compound (a)
Can be represented by the following formula (III).

【0018】[0018]

【化8】 式(III)中、各符号の意味は、次のとおりである。
1は、水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素
数2〜10のアルケニル基、炭素数3〜10のアリル
基、炭素数3〜6の環状脂肪族基、フェニル基、次式
(2)で表される置換フェニル基、
Embedded image In the formula (III), the meaning of each symbol is as follows.
R 1 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, an allyl group having 3 to 10 carbon atoms, a cyclic aliphatic group having 3 to 6 carbon atoms, a phenyl group, A substituted phenyl group represented by (2),

【0019】[0019]

【化9】 〔(2)式中、 n=1〜3の整数; X=炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のア
ルコキシ基、−NR′R″(R′、R″=それぞれ独立
して、水素原子、メチル基、エチル基、アセチル基、ま
たはエチルカルボニル基;ただし、両方が水素原子であ
る場合を除く。)、−COOCH3、−NO2、−SH、
または−SCH3〕または次式(3)で表される置換ア
ルキル基である。
Embedded image [In the formula (2), n = an integer of 1 to 3; X = an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, -NR'R "(R ', R" = each independently A hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, an acetyl group, or an ethylcarbonyl group; provided that both are not hydrogen atoms.), —COOCH 3 , —NO 2 , —SH,
Or —SCH 3 ] or a substituted alkyl group represented by the following formula (3).

【0020】[0020]

【化10】 〔式(3)中、 m=1〜10の整数; Y=−NR′R″(R′、R″=それぞれ独立して、水
素原子、メチル基、エチル基、アセチル基、またはエチ
ルカルボニル基;ただし、両方が水素原子である場合を
除く。)、フェニル基、または前記式(2)で表される
置換フェニル基。〕
Embedded image [In the formula (3), m = 1 to 10; Y = —NR′R ″ (R ′, R ″ = each independently a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, an acetyl group, or an ethylcarbonyl group) However, unless both are hydrogen atoms), a phenyl group, or a substituted phenyl group represented by the above formula (2). ]

【0021】これらの置換基の中でも、R1として好ま
しい置換基の具体例としては、水素原子、メチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソ
ブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、
3−メチル−1−ブチル基、ヘキシル基、4−メチル−
1−ペンチル基などの炭素数1〜6のアルキル基;シク
ロプロピル基、シクロペンチル基、2−メチルシクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基などの炭素数3〜6の環状
脂肪族基;フェニル基;前記式(2)で表される置換フ
ェニル基のうちnが1または2であり、Xが炭素数1〜
6のアルキル基、メチルアミノ基、アセトアミド基、−
SHであるもの、例えば、メチルフェニル基、ジメチル
フェニル基、ブチルフェニル基、t−ブチルフェニル
基、アミノメチルフェニル基、アセトアミドフェニル
基、メルカプトフェニル基などの置換フェニル基;また
は前記式(3)で表される置換アルキル基のうち、mが
1または2であり、Yがフェニル基、メチルアミノ基、
ジメチルアミノ基、アセトアミド基であるもの、例え
ば、ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基、ア
ミノメチル基、アミノエチル基、メチルアミノメチル
基、ジメチルアミノメチル基、アセチルアミノメチル基
などの(置換)アミノメチル基;等が挙げられる。
Among these substituents, specific examples of the preferred substituent for R 1 include a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, an s-butyl group and a t-butyl group. Butyl group, pentyl group,
3-methyl-1-butyl group, hexyl group, 4-methyl-
An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as 1-pentyl group; a cycloaliphatic group having 3 to 6 carbon atoms such as cyclopropyl group, cyclopentyl group, 2-methylcyclopentyl group and cyclohexyl group; phenyl group; N) is 1 or 2 among the substituted phenyl groups represented by
6, an alkyl group, a methylamino group, an acetamido group,-
SH, for example, a substituted phenyl group such as a methylphenyl group, a dimethylphenyl group, a butylphenyl group, a t-butylphenyl group, an aminomethylphenyl group, an acetamidophenyl group, and a mercaptophenyl group; Among the substituted alkyl groups represented, m is 1 or 2, and Y is a phenyl group, a methylamino group,
Dimethylamino group, acetamido group, for example, benzyl group, aralkyl group such as phenethyl group, aminomethyl group, aminoethyl group, methylaminomethyl group, dimethylaminomethyl group, acetylaminomethyl group, etc. Methyl group; and the like.

【0022】Pは、アミノ基またはカルボキシル基と反
応し得る官能基である。この官能基Pが存在することに
より、末端にアミノ残基や酸無水物残基(通常、カルボ
キシル基)を有するポリイミド系樹脂と反応して、該樹
脂の末端にテトラゾール基を導入することができる。あ
るいは、この官能基Pが存在することによって、ポリア
ミド酸の合成時に、モノマーのジアミン化合物とテトラ
カルボン酸またはその酸無水物と共に、化合物(a)を
存在させると、末端にテトラゾール基を有するポリアミ
ド酸を合成することができる。Pの好ましい具体例とし
ては、アミノ基またはアミノ残基と反応させる場合に
は、−COX〔X=水素原子、ハロゲン原子、−OH、
または−OR(R=炭素数1〜3のアルキル基)〕、−
SO2X〔X=ハロゲン原子、または−OH)〕、ハロ
ゲン原子、−OH、−SHなどが挙げられ、カルボキ
シル基や酸無水物基と反応させる場合には、−NH2
−NHR(R=炭素数1〜3のアルキル基)、−SHな
どを挙げることができる。
P is a functional group capable of reacting with an amino group or a carboxyl group. Due to the presence of the functional group P, it can react with a polyimide resin having an amino residue or an acid anhydride residue (usually, a carboxyl group) at a terminal to introduce a tetrazole group at the terminal of the resin. . Alternatively, when the compound (a) is present together with the monomeric diamine compound and the tetracarboxylic acid or its acid anhydride during the synthesis of the polyamic acid due to the presence of the functional group P, the polyamic acid having a tetrazole group at the terminal Can be synthesized. As a preferable specific example of P, when reacting with an amino group or an amino residue, -COX [X = hydrogen atom, halogen atom, -OH,
Or -OR (R = alkyl group having 1 to 3 carbon atoms)],-
SO 2 X [X = a halogen atom or -OH),], a halogen atom, -OH, -SH, and the like, for reacting with a carboxyl group or an acid anhydride group, -NH 2,
—NHR (R = alkyl group having 1 to 3 carbon atoms), —SH, and the like can be given.

【0023】Qは、単結合、または2価の有機基であ
る。官能基Pがテトラゾール基と直接結合している場合
には、Qは、単結合である。官能基Pは、必ずしもテト
ラゾール基と直接結合している必要はなく、スペーサー
として2価の有機基を介して結合していてもよい。Qが
2価の有機基である場合、その好ましい例としては、式
(5)、(6)、及び(7)で示される基を挙げること
ができる。
Q is a single bond or a divalent organic group. When the functional group P is directly bonded to the tetrazole group, Q is a single bond. The functional group P does not necessarily need to be directly bonded to the tetrazole group, and may be bonded via a divalent organic group as a spacer. When Q is a divalent organic group, preferred examples thereof include groups represented by formulas (5), (6), and (7).

【0024】[0024]

【化11】 (式中、p=1〜5の整数;R2及びR3=それぞれ独立
して、水素原子、炭素数1〜3のアルキル基、炭素数1
〜3のアルコキシ基、炭素数2〜4のアルケニル基)
Embedded image (Where p is an integer of 1 to 5; R 2 and R 3 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, 1 carbon atom
Alkoxy group, alkenyl group having 2 to 4 carbon atoms)

【0025】[0025]

【化12】 (式中、r=0〜2の整数;R4及びR5=それぞれ独立
して、水素原子、炭素数1〜3のアルキル基、炭素数1
〜3のアルコキシ基、炭素数2〜4のアルケニル基)
Embedded image (Wherein, r is an integer of 0 to 2; R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, 1 carbon atom
Alkoxy group, alkenyl group having 2 to 4 carbon atoms)

【0026】[0026]

【化13】 (式中、R6及びR7=それぞれ独立して、水素原子、炭
素数1〜3のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ
基、炭素数2〜4のアルケニル基)
Embedded image (Wherein, R 6 and R 7 = each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 4 carbon atoms)

【0027】化合物(a)の好ましい例としては、例え
ば、5−アミノ−1H−テトラゾール、5−アミノ−1
−メチル−1H−テトラゾール、5−アミノ−1−フェ
ニル−1H−テトラゾール、5−カルボキシ−1H−テ
トラゾール、5−カルボキシ−1−メチル−1H−テト
ラゾール、5−カルボキシ−1−フェニル−1H−テト
ラゾール、5−クロロ−1H−テトラゾール、5−ヒド
ロキシ−1H−テトラゾール、5−ニトロ−1H−テト
ラゾールなどが挙げられる。これらのテトラゾール基含
有化合物(a)の中でも、R1=Hである1H−テトラ
ゾール基を含有する化合物が、銅イオンのマイグレーシ
ョン防止効果、及び未露光部分の残膜防止効果に優れて
いるため、特に好ましい。
Preferred examples of the compound (a) include, for example, 5-amino-1H-tetrazole, 5-amino-1
-Methyl-1H-tetrazole, 5-amino-1-phenyl-1H-tetrazole, 5-carboxy-1H-tetrazole, 5-carboxy-1-methyl-1H-tetrazole, 5-carboxy-1-phenyl-1H-tetrazole , 5-chloro-1H-tetrazole, 5-hydroxy-1H-tetrazole, 5-nitro-1H-tetrazole and the like. Among these tetrazole group-containing compounds (a), the compound containing a 1H-tetrazole group in which R 1 = H is excellent in the effect of preventing migration of copper ions and the effect of preventing the unexposed portion from remaining film. Particularly preferred.

【0028】末端修飾型ポリイミド系樹脂 少なくとも一方の末端にテトラゾール基が導入された構
造の末端修飾型ポリイミド系樹脂は、ジアミン化合物と
テトラカルボン酸またはその酸無水物とを極性有機溶媒
中で反応させてポリアミド酸を製造する方法において、
反応系に、ジアミン化合物とテトラカルボン酸またはそ
の酸無水物と共に、アミノ基またはカルボキシル基と反
応し得る官能基とテトラゾール基とを有する化合物
(a)を存在させることにより、少なくとも一方の末端
にテトラゾール基が導入されたポリアミド酸を生成させ
る製造方法により得ることができる。この場合の製造条
件は、化合物(a)を存在させること以外は、通常のポ
リアミド酸の製造条件と同じであり、ジアミン化合物と
テトラカルボン酸またはその酸無水物と化合物(a)
を、無水の条件下、極性有機溶媒中、0〜100℃で縮
重合することにより、末端にテトラゾール基が導入され
たポリアミド酸を得ることができる。化合物(a)は、
ジアミン化合物またはテトラカルボン酸若しくはその酸
無水物1モル当たり、通常0.5〜15モル%、好まし
くは1〜10モル%程度の割合で用いられる。
The terminal-modified polyimide resin having a structure in which a tetrazole group is introduced into at least one terminal of the terminal-modified polyimide resin is obtained by reacting a diamine compound with a tetracarboxylic acid or an acid anhydride thereof in a polar organic solvent. In the method for producing polyamic acid,
In the reaction system, a compound (a) having a functional group capable of reacting with an amino group or a carboxyl group and a tetrazole group is present together with a diamine compound and a tetracarboxylic acid or an acid anhydride thereof, so that at least one end of the tetrazole compound It can be obtained by a production method for producing a polyamic acid into which a group has been introduced. The production conditions in this case are the same as the ordinary production conditions for polyamic acid except that the compound (a) is present, and the diamine compound and the tetracarboxylic acid or the acid anhydride and the compound (a) are used.
Is subjected to polycondensation in a polar organic solvent at 0 to 100 ° C. under anhydrous conditions to obtain a polyamic acid having a terminal tetrazole group. Compound (a) is
It is used in an amount of usually about 0.5 to 15 mol%, preferably about 1 to 10 mol%, per 1 mol of the diamine compound or tetracarboxylic acid or its acid anhydride.

【0029】また、少なくとも一方の末端にテトラゾー
ル基が導入された構造の末端修飾型ポリイミド系樹脂
は、少なくとも一方の末端にアミノ基またはカルボキシ
ル基を有するポリイミド系樹脂と、アミノ基またはカル
ボキシル基と反応し得る官能基とテトラゾール基とを有
する化合物(a)とを反応させることにより得ることが
できる。この場合も、通常、無水の条件下、極性有機溶
媒中、0〜100℃で反応させる。化合物(a)は、そ
の官能基Pが、−NH2、−NHR、−NO2、または−
SHである場合、これらの官能基は、カルボキシル基ま
たは酸無水物基と反応するため、式(1)で表されるテ
トラゾール基を含有する原子団(T1)を形成する。
The terminal-modified polyimide resin having a structure in which a tetrazole group is introduced into at least one terminal is obtained by reacting a polyimide resin having an amino group or a carboxyl group in at least one terminal with an amino group or a carboxyl group. It can be obtained by reacting a compound (a) having a functional group and a tetrazole group. Also in this case, the reaction is usually performed at 0 to 100 ° C. in a polar organic solvent under anhydrous conditions. Compound (a), the functional group P is, -NH 2, -NHR, -NO 2, or -
In the case of SH, these functional groups react with a carboxyl group or an acid anhydride group to form an atomic group (T 1 ) containing a tetrazole group represented by the formula (1).

【0030】[0030]

【化14】 〔式(1)中、 P1=−NH−、−NR−(R=炭素数1〜3のアルキ
ル基)、−SO2−、−SO2O−、−O−、または−S
−; Q=単結合、または2価の有機基; R1=水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数
2〜10のアルケニル基、炭素数3〜10のアリル基、
炭素数3〜6の環状脂肪族基、フェニル基、前記式
(2)で表される置換フェニル基、または前記式(3)
で表される置換アルキル基。〕 ポリアミド酸の合成時に、カルボキシル基(または酸無
水物基)と反応し得る官能基とテトラゾール基とを有す
る化合物(a)を存在させると、式(8)で示されるよ
うに、両末端にT1が結合したポリアミド酸(末端修飾
型ポリイミド系樹脂)を得ることができる。
Embedded image [In formula (1), P 1 = —NH—, —NR— (R = alkyl group having 1 to 3 carbon atoms), —SO 2 —, —SO 2 O—, —O—, or —S
-; Q = single bond, or a divalent organic group; R 1 = hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, an allyl group having 3 to 10 carbon atoms,
A cyclic aliphatic group having 3 to 6 carbon atoms, a phenyl group, a substituted phenyl group represented by the formula (2), or the formula (3);
A substituted alkyl group represented by When a compound (a) having a functional group capable of reacting with a carboxyl group (or an acid anhydride group) and a tetrazole group is present at the time of synthesizing a polyamic acid, as shown in the formula (8), A polyamic acid (terminal-modified polyimide resin) to which T 1 is bonded can be obtained.

【0031】[0031]

【化15】 〔式(8)中、 R1=4価の有機基; R2=2価の有機基; k=5〜10000の整数; T1=式(1)で表されるテトラゾール基を含有する原
子団。〕 一方、化合物(a)の官能基Pが、−COX、−SO2
X、ハロゲン原子、−OH、または−SHである場合、
これらの官能基は、アミノ基またはアミノ残基と反応す
るため、式(4)で表されるテトラゾール基を含有する
原子団(T2)が形成される。
Embedded image [In the formula (8), R 1 = tetravalent organic group; R 2 = divalent organic group; k = integer of 5 to 10,000; T 1 = atom containing tetrazole group represented by formula (1) Corps. On the other hand, the functional group P of the compound (a) is -COX, -SO 2
X, a halogen atom, —OH, or —SH;
Since these functional groups react with an amino group or an amino residue, an atomic group (T 2 ) containing a tetrazole group represented by the formula (4) is formed.

【0032】[0032]

【化16】 〔式(4)中、 P2=単結合、−CO−、−COO−、−SO2−、また
は−SO2O−; Q=単結合、または2価の有機基; R1=水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数
2〜10のアルケニル基、炭素数3〜10のアリル基、
炭素数3〜6の環状脂肪族基、フェニル基、前記式
(2)で表される置換フェニル基、または前記式(3)
で表される置換アルキル基。〕 この場合、ポリアミド酸の合成時に、アミノ基と反応し
得る官能基とテトラゾール基とを有する化合物(a)を
存在させると、式(9)で示されるように、両末端にT
2が結合したポリアミド酸(末端修飾型ポリイミド系樹
脂)を得ることができる。
Embedded image Wherein (4), P 2 = single bond, -CO -, - COO -, - SO 2 -, or -SO 2 O-; Q = single bond, or a divalent organic group; R 1 = hydrogen An alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, an allyl group having 3 to 10 carbon atoms,
A cyclic aliphatic group having 3 to 6 carbon atoms, a phenyl group, a substituted phenyl group represented by the formula (2), or the formula (3);
A substituted alkyl group represented by In this case, when a compound (a) having a functional group capable of reacting with an amino group and a tetrazole group is present during the synthesis of the polyamic acid, as shown in the formula (9), T
A polyamic acid (terminal-modified polyimide resin) to which 2 is bonded can be obtained.

【0033】[0033]

【化17】 〔式(9)中、 R1=4価の有機基; R2=2価の有機基; k=5〜10000の整数; T2=式(4)で表されるテトラゾール基を含有する原
子団。〕
Embedded image [In the formula (9), R 1 = tetravalent organic group; R 2 = divalent organic group; k = integer of 5 to 10,000; T 2 = atom containing tetrazole group represented by formula (4) Corps. ]

【0034】<化学線官能基の導入>本発明では、ポリ
イミド系樹脂として、各種の感光性ポリアミド酸や感光
性ポリアミド酸エステルを使用することができるが、こ
れらの中でも、特に、末端に化学線官能基を導入したポ
リアミド酸が好ましい。その具体例としては、ポリアミ
ド酸合成時に、例えば、トリメリット酸アンハイドライ
ド[トリス(アクリロイル)ペンタエリスリトール]エ
ステル、トリメリット酸アンハイドライド[トリス(メ
タクリロイル)ペンタエリスリトール]エステルなどの
トリメリット酸誘導体(b)(特開平8−95247号
公報);p−アミノ安息香酸〔トリス(メタクリロイ
ル)ペンタエリスリトール〕エステルなどのアミノベン
ゼン類(c)(特開平8−82931号公報);などを
存在させることにより、末端に(メタ)アクリロイル基
などを有する化学線官能基を導入したポリアミド酸を得
ることができる。
<Introduction of Actinic Radiation Functional Group> In the present invention, various photosensitive polyamic acids and photosensitive polyamic acid esters can be used as the polyimide resin. Polyamic acid having a functional group introduced is preferred. Specific examples thereof include trimellitic acid derivatives (b) such as trimellitic anhydride [tris (acryloyl) pentaerythritol] ester and trimellitic anhydride [tris (methacryloyl) pentaerythritol] ester during the synthesis of polyamic acid. ) (JP-A-8-95247); aminobenzenes (c) such as p-aminobenzoic acid [tris (methacryloyl) pentaerythritol] ester (JP-A-8-82931); A polyamic acid having an actinic radiation functional group having a (meth) acryloyl group or the like at its terminal can be obtained.

【0035】このような化学線官能基を導入したポリア
ミド酸は、ジアミン化合物に、トリメリット酸誘導体
(b)とテトラカルボン酸またはその酸無水物を加え、
常法により縮合反応させる方法、ジアミン化合物とト
リメリット酸誘導体(b)との混合物に、テトラカルボ
ン酸またはその酸無水物を加え、常法により縮合反応さ
せる方法、ジアミン化合物とアミノベンゼン類(c)
との混合物に、テトラカルボン酸またはその酸無水物を
加え、常法により縮合反応させる方法などにより合成す
ることができる。
The polyamic acid having such an actinic radiation functional group is obtained by adding a trimellitic acid derivative (b) and a tetracarboxylic acid or an acid anhydride thereof to a diamine compound.
A method of performing a condensation reaction by a conventional method, a method of adding a tetracarboxylic acid or an acid anhydride thereof to a mixture of a diamine compound and a trimellitic acid derivative (b), and performing a condensation reaction by a conventional method; )
Can be synthesized by a method of adding a tetracarboxylic acid or an acid anhydride thereof to a mixture and subjecting the mixture to a condensation reaction by a conventional method.

【0036】本発明では、ポリアミド酸の少なくとも一
方の末端にテトラゾール基を導入する必要があるので、
ポリアミド酸の合成時に、化学線官能基を導入するため
のトリメリット酸誘導体(b)またはアミノベンゼン類
(c)と、前記化合物(a)を併用することが好まし
い。もちろん、末端にテトラゾール基を導入したポリア
ミド酸と、末端に化学線官能基を導入したポリアミド酸
をブレンドして使用することもできる。トリメリット酸
誘導体(b)またはアミノベンゼン類(c)は、ジアミ
ン化合物またはテトラカルボン酸若しくはその酸無水物
1モル当たり、通常0.5〜15モル%、好ましくは1
〜10モル%の割合で使用する。末端に化学線官能基を
導入したポリアミド酸としては、式(10)で表される
基Z1
In the present invention, it is necessary to introduce a tetrazole group into at least one terminal of the polyamic acid.
When synthesizing the polyamic acid, the compound (a) is preferably used in combination with the trimellitic acid derivative (b) or aminobenzenes (c) for introducing an actinic radiation functional group. Of course, a polyamic acid having a tetrazole group introduced at a terminal and a polyamic acid having an actinic ray functional group introduced at a terminal can be blended and used. The trimellitic acid derivative (b) or the aminobenzenes (c) is used in an amount of usually 0.5 to 15 mol%, preferably 1 to 5 mol per mol of a diamine compound or tetracarboxylic acid or an acid anhydride thereof.
It is used in a proportion of 10 to 10 mol%. Examples of the polyamic acid having an actinic ray functional group introduced at a terminal include a group Z 1 represented by the formula (10),

【0037】[0037]

【化18】 〔式(10)中、 X=単結合、−O−、−CO−、−COO−、−OCO
−、−OCOO−、−COCH2O−、−S−、−SO
−、−SO2−,または−SO2O−; R3、R4、R5、R6,及びR7=光重合可能な炭素−炭
素二重結合を有する置換基; m=0または1; n=1〜3の整数。〕及び式(11)で表される基Z2
Embedded image [In the formula (10), X is a single bond, -O-, -CO-, -COO-, -OCO
-, - OCOO -, - COCH 2 O -, - S -, - SO
—, —SO 2 —, or —SO 2 O—; R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , and R 7 = substituents having a photopolymerizable carbon-carbon double bond; m = 0 or 1 N = an integer from 1 to 3; And a group Z 2 represented by the formula (11)

【0038】[0038]

【化19】 〔式(11)中、 R3、R4、R5、R6,及びR7=光重合可能な炭素−炭
素二重結合を有する置換基; m=0または1。〕からなる群より選ばれる少なくとも
一種の化学線官能基を両末端に有するポリアミド酸が好
ましい。ポリアミド酸が、式(10)で表される化学線
官能基Z1を両末端に有するポリアミド酸は、式(1
2)で表される。
Embedded image [In the formula (11), R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , and R 7 = a substituent having a photopolymerizable carbon-carbon double bond; m = 0 or 1. Polyamic acid having at least one actinic radiation functional group selected from the group consisting of A polyamic acid having an actinic radiation functional group Z 1 represented by the formula (10) at both ends is represented by the formula (1)
It is represented by 2).

【0039】[0039]

【化20】 〔式(12)中、 R1=4価の有機基; R2=2価の有機基; k=5〜10000の整数; Z1=前記式(10)で表される化学線官能基。〕 ポリアミド酸が、式(11)で表される化学線官能基Z
2を両末端に有するポリアミド酸は、式(13)で表さ
れる。
Embedded image [In the formula (12), R 1 = tetravalent organic group; R 2 = divalent organic group; k = integer of 5 to 10,000; Z 1 = actinic radiation functional group represented by the above formula (10). The polyamic acid has an actinic radiation functional group Z represented by the formula (11)
The polyamic acid having 2 at both ends is represented by the formula (13).

【0040】[0040]

【化21】 〔式(13)中、 R1=4価の有機基; R2=2価の有機基; k=5〜10000の整数; Z2=前記式(11)で表される化学線官能基。〕 式(10)で表される化学線官能基Z1を導入するため
に使用するアミノベンゼン類として、下記の式(14)
で表される化合物を挙げることができる。
Embedded image [In the formula (13), R 1 = tetravalent organic group; R 2 = divalent organic group; k = integer of 5 to 10,000; Z 2 = actinic radiation functional group represented by the above formula (11). As aminobenzenes used for introducing the actinic radiation functional group Z 1 represented by the formula (10), the following formula (14)
Can be mentioned.

【0041】[0041]

【化22】 〔式(14)中、 X=単結合、−O−、−CO−、−COO−、−OCO
−、−OCOO−、−COCH2O−、−S−、−SO
−、−SO2−、または−SO2O−; R3、R4、R5、R6、及びR7=光重合可能な炭素−炭
素二重結合を有する置換基; m=0または1; n=1〜3の整数。〕
Embedded image [In the formula (14), X = a single bond, -O-, -CO-, -COO-, -OCO
-, - OCOO -, - COCH 2 O -, - S -, - SO
—, —SO 2 —, or —SO 2 O—; R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , and R 7 = substituents having a photopolymerizable carbon-carbon double bond; m = 0 or 1 N = an integer from 1 to 3; ]

【0042】光重合可能な炭素−炭素二重結合を有する
置換基としては、アクリロイルオキシメチレン基及びメ
タクリロイルオキシメチレン基が代表的なものである
が、そのほかに、ビニル基、プロペニル基、イソプロペ
ニル基、ブテニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基、2
−エチルブテニル基などの炭素数2〜6のアルケニル基
やその置換体が挙げられる。炭素数2〜6のアルケニル
基に結合可能な置換基の具体例としては、ハロゲン原
子、フェニル基、炭素数1〜4のアルケニル基、炭素数
1〜4のアルコキシ基などである。アミノベンゼン類と
しては、下記式(15)で表されるアミノベンゼンカル
ボン酸エステルが好ましい。
Representative examples of the photopolymerizable substituent having a carbon-carbon double bond include an acryloyloxymethylene group and a methacryloyloxymethylene group, and in addition, a vinyl group, a propenyl group, and an isopropenyl group. , Butenyl, pentynyl, hexynyl, 2
An alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms such as -ethylbutenyl group or a substituted product thereof. Specific examples of the substituent capable of bonding to an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms include a halogen atom, a phenyl group, an alkenyl group having 1 to 4 carbon atoms, and an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. As the aminobenzenes, an aminobenzenecarboxylic acid ester represented by the following formula (15) is preferable.

【0043】[0043]

【化23】 式(11)で表される化学線官能基Z2を導入するため
に使用されるトリメリット酸誘導体として、式(16)
で表される化合物を挙げることができる。
Embedded image The trimellitic acid derivative used to introduce the actinic radiation functional group Z 2 represented by the formula (11) is represented by the formula (16)
Can be mentioned.

【0044】[0044]

【化24】 〔式(16)中、 R3、R4、R5、R6、及びR7=光重合可能な炭素−炭
素二重結合を有する置換基; m=0または1。〕
Embedded image [In the formula (16), R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , and R 7 = a substituent having a photopolymerizable carbon-carbon double bond; m = 0 or 1. ]

【0045】光重合可能な炭素−炭素二重結合を有する
置換基としては、アクリロイルオキシメチレン基及びメ
タクリロイルオキシメチレン基が代表的なものである
が、そのほかに、ビニル基、プロペニル基、イソプロペ
ニル基、ブテニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基、2
−エチルブテニル基などの炭素数2〜6のアルケニル基
やその置換体が挙げられる。炭素数2〜6のアルケニル
基に結合可能な置換基の具体例としては、ハロゲン原
子、フェニル基、炭素数1〜4のアルケニル基、炭素数
1〜4のアルコキシ基などである。ポリアミド酸の合成
時に、このような化学線官能基とテトラゾール基を導入
すると、理論的に、式(8)で表される両末端にT1
導入されたポリアミド酸、式(12)で表される両末端
に化学線官能基Z1が導入されたポリアミド酸、及び式
(17)で表される両末端にそれぞれT1とZ1が導入さ
れたポリアミド酸の混合物が得られると推定される。
Representative examples of the photopolymerizable substituent having a carbon-carbon double bond include an acryloyloxymethylene group and a methacryloyloxymethylene group, and in addition, a vinyl group, a propenyl group, and an isopropenyl group. , Butenyl, pentynyl, hexynyl, 2
An alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms such as -ethylbutenyl group or a substituted product thereof. Specific examples of the substituent capable of bonding to an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms include a halogen atom, a phenyl group, an alkenyl group having 1 to 4 carbon atoms, and an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. When such an actinic ray functional group and a tetrazole group are introduced during the synthesis of the polyamic acid, theoretically, a polyamic acid having T 1 introduced at both terminals represented by the formula (8) and a polyamic acid represented by the formula (12) It is estimated that a mixture of a polyamic acid having actinic radiation functional groups Z 1 introduced at both ends and a polyamic acid having T 1 and Z 1 introduced at both ends represented by the formula (17) are obtained. You.

【0046】[0046]

【化25】 したがって、少なくとも一方の末端にテトラゾール基が
導入された本発明のポリアミド酸は、式(I)で表すこ
とができる。
Embedded image Therefore, the polyamic acid of the present invention having a tetrazole group introduced into at least one terminal can be represented by the formula (I).

【0047】[0047]

【化26】 〔式(I)中、 R1=4価の有機基; R2=2価の有機基; k=5〜10000の整数; W1=T1、−OH、または化学線官能基; T1=式(1)で表されるテトラゾール基を含有する原
子団。〕 ここで、W1 が化学線官能基である場合、前記Z1であ
ることが好ましい。また、ポリアミド酸の合成時に、こ
のような化学線官能基とテトラゾール基を導入すると、
理論的に、式(9)で表される両末端にT2が導入され
たポリアミド酸、式(13)で表される両末端に化学線
官能基Z2が導入されたポリアミド酸、及び式(18)
で表される両末端にそれぞれT2とZ2が導入されたポリ
アミド酸の混合物が得られると推定される。
Embedded image [In formula (I), R 1 = tetravalent organic group; R 2 = divalent organic group; k = integer of 5 to 10,000; W 1 = T 1 , —OH, or actinic radiation functional group; T 1 = Atomic group containing a tetrazole group represented by the formula (1). Here, when W 1 is an actinic radiation functional group, it is preferably Z 1 . When such an actinic ray functional group and a tetrazole group are introduced during the synthesis of polyamic acid,
Theoretically, polyamic acid having T 2 introduced at both ends represented by formula (9), polyamic acid having actinic radiation functional group Z 2 introduced at both ends represented by formula (13), and formula (18)
It is estimated that a mixture of polyamic acids having T 2 and Z 2 introduced at both ends represented by the following formulas is obtained.

【0048】[0048]

【化27】 したがって、少なくとも一方の末端にテトラゾール基が
導入された本発明のポリアミド酸は、式(II)で表す
ことができる。
Embedded image Therefore, the polyamic acid of the present invention having a tetrazole group introduced into at least one terminal can be represented by the formula (II).

【0049】[0049]

【化28】 〔式(II)中、 R1=4価の有機基; R2=2価の有機基; k=5〜10000の整数; W2=T2、−OH、または化学線官能基; T2=式(4)で表されるテトラゾール基を含有する原
子団。〕 ここで、W2が化学線官能基である場合、前記Z2である
ことが好ましい。
Embedded image [In the formula (II), R 1 = tetravalent organic group; R 2 = divalent organic group; k = integer of 5 to 10,000; W 2 = T 2 , —OH, or actinic radiation functional group; T 2 = Atomic group containing a tetrazole group represented by the formula (4). Here, when W 2 is an actinic radiation functional group, it is preferably Z 2 .

【0050】ポリイミド系樹脂組成物 本発明のポリイミド系樹脂組成物は、少なくとも一方の
末端にテトラゾール基が導入されたポリイミド系樹脂
(A)と溶剤(B)とを必須成分として含有する組成物
である。ポリイミド系樹脂は、少なくとも該樹脂を均一
に溶解するに足る量の溶剤に溶解して使用される。本発
明のポリイミド系樹脂組成物には、必要に応じて、その
他のポリイミド系樹脂(C)、光重合開始剤(D)、光
重合性官能基を有する感光助剤(E)などを混合するこ
とができる。その他のポリイミド系樹脂(C)として
は、ポリアミド酸、溶媒可溶性ポリイミド、感光性ポリ
アミド酸、感光性ポリアミド酸エステル、感光性ポリイ
ミドなどを挙げることができる。これらは、それぞれ単
独で、あるいは2種以上を組み合わせて用いることがで
きる。また、本発明のポリイミド系樹脂組成物には、用
途に応じて、ポリビニルフェノール系化合物やポリアク
リレート系樹脂などを混合することもできる。
Polyimide Resin Composition The polyimide resin composition of the present invention is a composition containing, as essential components, a polyimide resin (A) having at least one terminal into which a tetrazole group is introduced and a solvent (B). is there. The polyimide resin is used by dissolving it in at least an amount of a solvent sufficient to uniformly dissolve the resin. In the polyimide resin composition of the present invention, if necessary, other polyimide resin (C), a photopolymerization initiator (D), a photosensitizer having a photopolymerizable functional group (E) and the like are mixed. be able to. Examples of other polyimide resins (C) include polyamic acid, solvent-soluble polyimide, photosensitive polyamic acid, photosensitive polyamic acid ester, and photosensitive polyimide. These can be used alone or in combination of two or more. In addition, the polyimide-based resin composition of the present invention may be mixed with a polyvinylphenol-based compound, a polyacrylate-based resin, or the like, depending on the application.

【0051】本発明のポリイミド系樹脂組成物は、樹脂
成分(全樹脂成分)100重量部に対して、テトラゾー
ル基の重量割合が0.1〜10重量部の範囲内となる割
合でポリイミド系樹脂(A)を含有させることが好まし
い。ここで、テトラゾール基の重量割合とは、式(II
I)で表される化合物(a)において、官能基P及び連
結基Qを除いたテトラゾール残基を基準にした樹脂成分
中における重量割合を意味する。この割合が少なすぎる
と、防錆効果や残膜防止効果、膜密着効果などが不充分
となり、多すぎると、経済的ではなく、物性上の悪影響
が生じるおそれもある。この割合は、好ましくは0.1
〜5重量部、より好ましくは0.3〜3重量部である。
これらの好ましい範囲内において、残膜率をより一層小
さくすることができる。
The polyimide-based resin composition of the present invention has a polyimide-based resin composition in such a proportion that the weight ratio of the tetrazole group is within the range of 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the resin component (all resin components). It is preferable to contain (A). Here, the weight ratio of the tetrazole group is represented by the formula (II)
In the compound (a) represented by I), it means the weight ratio in the resin component based on the tetrazole residue excluding the functional group P and the linking group Q. If this ratio is too small, the rust-preventing effect, residual film-preventing effect, film-adhering effect, etc. will be insufficient. If it is too large, it is not economical and may adversely affect physical properties. This ratio is preferably 0.1
To 5 parts by weight, more preferably 0.3 to 3 parts by weight.
Within these preferred ranges, the residual film ratio can be further reduced.

【0052】<溶剤>本発明においてポリイミド系樹脂
を溶解するために使用する溶剤としては、例えば、N−
メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド、テトラメチル尿素、ヘキサメチルリン酸トリアミ
ド、γ−ブチロラクトンなどの極性有機溶剤が挙げられ
る。これらの極性有機溶剤のほかに、アセトン、メチル
エチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサ
ノン等のケトン類;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、シュウ酸ジエチル、マロン酸ジエチル等のエステル
類;ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエ
ーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テト
ラヒドロフラン等のエーテル類;ジクロロメタン、1,
2−ジクロルエタン、1,4−ジクロルブタン、トリク
ロルエタン、クロルベンゼン、o−ジクロルベンゼン等
のハロゲン化炭化水素類;ヘキサン、ヘプタン、オクタ
ン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素類など
も使用することができる。これらの溶剤は、それぞれ単
独で、あるいは2種以上を組み合わせて使用することが
できる。これらの中でも、N,N−ジメチルアセトアミ
ドやN−メチル−2−ピロリドンなどが特に好ましい。
溶剤の使用量は、ポリイミド系樹脂及びその他の固形成
分を均一に溶解するのに充分な量とする。
<Solvent> The solvent used for dissolving the polyimide resin in the present invention includes, for example, N-
Examples include polar organic solvents such as methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, tetramethylurea, hexamethylphosphoric triamide, and γ-butyrolactone. In addition to these polar organic solvents, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, and cyclohexanone; esters such as methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, diethyl oxalate, and diethyl malonate; diethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether , Diethylene glycol dimethyl ether, ethers such as tetrahydrofuran; dichloromethane, 1,
Halogenated hydrocarbons such as 2-dichloroethane, 1,4-dichlorobutane, trichloroethane, chlorobenzene, o-dichlorobenzene; hydrocarbons such as hexane, heptane, octane, benzene, toluene, xylene, etc. Can be. These solvents can be used alone or in combination of two or more. Among these, N, N-dimethylacetamide and N-methyl-2-pyrrolidone are particularly preferred.
The amount of the solvent used is an amount sufficient to uniformly dissolve the polyimide resin and other solid components.

【0053】<感光助剤>感光助剤としては、ペンタエ
リスリトールトリアクリレートなどの(メタ)アクリル
酸系化合物が代表的なものである。アクリル酸系化合物
としては、例えば、アクリル酸、メチルアクリレート、
エチルアクリレート、n−プロピルアクリレート、イソ
プロピルアクリレート、n−ブチルアクリレート、イソ
ブチルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、ベ
ンジルアクリレート、カルビトールアクリレート、メト
キシエチルアクリレート、エトキシエチルアクリレー
ト、ブトキシエチルアクリレート、ヒドロキシエチルア
クリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、ブチレ
ングリコールモノアクリレート、N,N−ジメチルアミ
ノエチルアクリレート、N,N−ジエチルアミノエチル
アクリレート、グリシジルアクリレート、テトラヒドロ
フルフリルアクリレート、ペンタエリスリトールモノア
クリレート、トリメチロールプロパンモノアクリレー
ト、アリルアクリレート、1,3−プロピレングリコー
ルジアクリレート、1,4−ブチレングリコールジアク
リレート、1,6−ヘキサングリコールジアクリレー
ト、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ジプロピ
レングリコールジアクリレート、2,2−ビス−(4−
アクリロキシジエトキシフェニル)プロパン、2,2−
ビス−(4−アクリロキシプロピルキシフェニル)プロ
パン、トリメチロールプロパンジアクリレート、ペンタ
エリスリトールジアクリレート、トリメチロールプロパ
ントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリ
レート、トリアクリルホルマール、テトラメチロールメ
タンテトラアクリレート、トリス(2−ヒドロキシエチ
ル)イソシアヌル酸のアクリル酸エステル、式(19)
の化合物、
<Photosensitive Aid> Typical examples of the photosensitive aid include (meth) acrylic acid compounds such as pentaerythritol triacrylate. As the acrylic acid-based compound, for example, acrylic acid, methyl acrylate,
Ethyl acrylate, n-propyl acrylate, isopropyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, cyclohexyl acrylate, benzyl acrylate, carbitol acrylate, methoxyethyl acrylate, ethoxyethyl acrylate, butoxyethyl acrylate, hydroxyethyl acrylate, hydroxypropyl acrylate, butylene Glycol monoacrylate, N, N-dimethylaminoethyl acrylate, N, N-diethylaminoethyl acrylate, glycidyl acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, pentaerythritol monoacrylate, trimethylolpropane monoacrylate, allyl acrylate, 1,3-propylene glycol di Acrylate, 1 4- butylene glycol diacrylate, 1,6-hexane glycol diacrylate, neopentyl glycol diacrylate, dipropylene glycol diacrylate, 2,2-bis - (4-
Acryloxydiethoxyphenyl) propane, 2,2-
Bis- (4-acryloxypropyloxyphenyl) propane, trimethylolpropane diacrylate, pentaerythritol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, triacrylformal, tetramethylolmethanetetraacrylate, tris (2-hydroxy Ethyl) acrylate of isocyanuric acid, formula (19)
A compound of

【0054】[0054]

【化29】 〔式(19)中、b=1〜30の整数。〕式(20)の
化合物、
Embedded image [In the formula (19), b = 1 to 30. A compound of the formula (20),

【0055】[0055]

【化30】 〔式(20)中、c及びd=c+d=2〜30となる整
数〕式(21)の化合物、
Embedded image [In the formula (20), c and d = c + d = an integer of 2 to 30] A compound of the formula (21):

【0056】[0056]

【化31】 式(22)の化合物、Embedded image A compound of formula (22),

【0057】[0057]

【化32】 等を挙げることができる。Embedded image And the like.

【0058】メタクリル酸系化合物としては、例えば、
メタクリル酸、メチルメタクリレート、エチルメタクリ
レート、プロピルメタクリレート、イソプロピルメタク
リレート、ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリ
レート、シクロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタ
クリレート、オクチルメタクリレート、エチルヘキシル
メタクリレート、メトキシエチルメタクリレート、エト
キシエチルメタクリレート、ブトキシエチルメタクリレ
ート、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシプ
ロピルメタクリレート、ヒドロキシブチルメタクリレー
ト、ヒドロキシペンチルメタクリレート、N,N−ジメ
チルアミノエチルメタクリレート、N,N−ジエチルア
ミノエチルメタクリレート、グリシジルメタクリレー
ト、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、メタクリ
ロキシプロピルトリメトキシシラン、アリルメタクリレ
ート、トリメチロールプロパンモノメタクリレート、ペ
ンタエリスリトールモノメタクリレート、1,3−ブチ
レングリコールジメタクリレート、1,6−ヘキサング
リコールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジ
メタクリレート、2,2−ビス−(4−メタクリロキシ
ジエトキシフェニル)プロパン、トリメチロールプロパ
ンジメタクリレート、ペンタエリスリトールジメタクリ
レート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペ
ンタエリスリトールトリメタクリレート、テトラメチロ
ールメタンテトラメタクリレート、トリス(2−ヒドロ
キシエチル)イソシアヌル酸のメタクリル酸エステル、
式(23)の化合物、
Examples of the methacrylic acid compound include, for example,
Methacrylic acid, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, isopropyl methacrylate, butyl methacrylate, isobutyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, benzyl methacrylate, octyl methacrylate, ethylhexyl methacrylate, methoxyethyl methacrylate, ethoxyethyl methacrylate, butoxyethyl methacrylate, hydroxyethyl methacrylate, hydroxy Propyl methacrylate, hydroxybutyl methacrylate, hydroxypentyl methacrylate, N, N-dimethylaminoethyl methacrylate, N, N-diethylaminoethyl methacrylate, glycidyl methacrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, methacryloxypropyl tri Toxisilane, allyl methacrylate, trimethylolpropane monomethacrylate, pentaerythritol monomethacrylate, 1,3-butylene glycol dimethacrylate, 1,6-hexane glycol dimethacrylate, neopentyl glycol dimethacrylate, 2,2-bis- (4-methacrylic Roxydiethoxyphenyl) propane, trimethylolpropane dimethacrylate, pentaerythritol dimethacrylate, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, tetramethylolmethanetetramethacrylate, methacrylic acid ester of tris (2-hydroxyethyl) isocyanuric acid,
A compound of formula (23),

【0059】[0059]

【化33】 〔式(23)中、e=1〜30の整数。〕式(24)の
化合物、
Embedded image [In the formula (23), e = 1 to 30. A compound of the formula (24),

【0060】[0060]

【化34】 〔式(24)中、f及びg=f+g=1〜30となる整
数。〕式(25)の化合物、
Embedded image [In the formula (24), f and g = f + g = 1 to 30 as integers. A compound of the formula (25),

【0061】[0061]

【化35】 式(26)の化合物Embedded image Compound of Formula (26)

【0062】[0062]

【化36】 等を挙げることができる。Embedded image And the like.

【0063】これらの化合物は、それぞれ単独で、ある
いは2種以上を組み合わせて使用することができる。こ
れらの中でも、特に、ペンタエリスリトールトリアクリ
レート、及び前記式(19)の化合物(b=3)が好ま
しく、市販品としては、3EG−A(共栄社製)、ビス
コート300(大阪有機化学社製)などがある。感光助
剤は、ポリイミド系樹脂100重量部に対して、通常1
0〜40重量部、好ましくは15〜35重量部、より好
ましくは20〜30重量部の割合で使用することが望ま
しい。
These compounds can be used alone or in combination of two or more. Among these, pentaerythritol triacrylate and the compound of the formula (19) (b = 3) are particularly preferable, and commercially available products include 3EG-A (manufactured by Kyoeisha) and Biscoat 300 (manufactured by Osaka Organic Chemical Company). There is. The photosensitive assistant is usually added in an amount of 1 to 100 parts by weight of the polyimide resin.
It is desirable to use 0 to 40 parts by weight, preferably 15 to 35 parts by weight, more preferably 20 to 30 parts by weight.

【0064】<光重合開始剤>光重合開始剤としては、
例えば、ミヒラーズケトン、ベンゾイン、2−メチルベ
ンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチ
ルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾ
インブチルエーテル、2−t−ブチルアントラキノン、
1,2−ベンゾ−9,10−アントラキノン、アントラ
キノン、メチルアントラキノン、4,4′−ビス−(ジ
エチルアミノ)ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベン
ゾフェノン、チオキサントン、1,5−アセナフテン、
2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、1
−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−メチ
ル−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリ
ノ−1−プロパノン、ジアセチルベンジル、ベンジルジ
メチルケタール、ベンジルジエチルケタール、ジフェニ
ルジスルフィド、アントラセン、フェナンスレンキノ
ン、リボフラビンテトラブチレート、アクリジンオレン
ジ、エリスロシン、フェナンスレンキノン、2−イソプ
ロピルチオキサントン、2,6−ビス(p−ジエチルア
ミノベンジリデン)−4−メチル−4−アザシクロヘキ
サノン、6−ビス(p−ジメチルアミノベンジリデン)
−シクロペンタノン、2,6−ビス(p−ジエチルアミ
ノベンジリデン)−4−フェニルシクロヘキサノン、ア
ミノスチリルケトン、3−ケトクマリン化合物、ビスク
マリン化合物、N−フェニルグリシン、N−フェニルジ
エタノールアミン、3,3′,4,4′−テトラ(t−
ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノンなどを挙
げることができる。光重合開始剤は、ポリイミド系樹脂
100重量部に対して、通常0〜10重量部、好ましく
は0.1〜5重量部、より好ましくは1〜5重量部の割
合で使用される。
<Photopolymerization initiator> As the photopolymerization initiator,
For example, Michler's ketone, benzoin, 2-methylbenzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin butyl ether, 2-t-butylanthraquinone,
1,2-benzo-9,10-anthraquinone, anthraquinone, methylanthraquinone, 4,4'-bis- (diethylamino) benzophenone, acetophenone, benzophenone, thioxanthone, 1,5-acenaphthene,
2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 1
-Hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propanone, diacetylbenzyl, benzyldimethylketal, benzyldiethylketal, diphenyldisulfide, anthracene, phenanthrenequinone, riboflavin tetra Butyrate, acridine orange, erythrosine, phenanthrenequinone, 2-isopropylthioxanthone, 2,6-bis (p-diethylaminobenzylidene) -4-methyl-4-azacyclohexanone, 6-bis (p-dimethylaminobenzylidene)
-Cyclopentanone, 2,6-bis (p-diethylaminobenzylidene) -4-phenylcyclohexanone, aminostyryl ketone, 3-ketocoumarin compound, biscoumarin compound, N-phenylglycine, N-phenyldiethanolamine, 3,3 ', 4,4'-tetra (t-
(Butylperoxycarbonyl) benzophenone and the like. The photopolymerization initiator is used in an amount of usually 0 to 10 parts by weight, preferably 0.1 to 5 parts by weight, more preferably 1 to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polyimide resin.

【0065】<その他の添加剤>ポリイミド系樹脂に
は、必要に応じて接着助剤、レベリング剤、重合禁止剤
等の各種添加剤を使用することができる。また、1Hテ
トラゾールなどのテトラゾール化合物を、樹脂100重
量部に対して、通常0.05〜20重量部、好ましくは
0.1〜5重量部、より好ましくは0.3〜3重量部の
割合で添加してもよい。テトラゾール化合物を添加する
と、ポリイミド系樹脂(A)の作用とあいまって、より
確実な効果を得ることができる。
<Other Additives> Various additives such as an adhesion aid, a leveling agent, and a polymerization inhibitor can be used as necessary for the polyimide resin. Further, a tetrazole compound such as 1H tetrazole is used in an amount of usually 0.05 to 20 parts by weight, preferably 0.1 to 5 parts by weight, more preferably 0.3 to 3 parts by weight, based on 100 parts by weight of the resin. It may be added. When a tetrazole compound is added, a more reliable effect can be obtained in combination with the action of the polyimide resin (A).

【0066】用途 本発明の末端修飾型ポリイミド系樹脂及び該樹脂を含有
するポリイミド系樹脂組成物は、例えば、半導体素子の
表面保護膜や層間絶縁膜等の用途に特に有用である。ま
た、本発明の感光性を有するポリイミド系樹脂組成物
は、多層回路の層間絶縁膜やフレキシブルプリント銅張
板のカバーコート、ソルダーレジスト膜、液晶の配向膜
などの用途に有用である。ポリイミド系樹脂組成物の被
覆方法は、先ず、樹脂成分や各種添加成分を含有する溶
液を、例えば、シリコンウェーハ、LCD等の表示ディ
バイスのガラス基板や半導体プロセスで用いるレチクル
やマスク、セラミック、耐熱性フィルムなどの基板上に
塗布する。基板の塗布面には、一般に、金属配線や金属
層が形成されている。塗布方法としては、スピンナーを
用いた回転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、
浸漬、印刷、ロールコーティングなどの方法がある。
Use The terminal-modified polyimide resin of the present invention and the polyimide resin composition containing the resin are particularly useful for applications such as surface protection films and interlayer insulating films of semiconductor devices. Further, the photosensitive polyimide resin composition of the present invention is useful for applications such as interlayer insulating films for multilayer circuits, cover coats for flexible printed copper clad boards, solder resist films, and liquid crystal alignment films. The method for coating the polyimide resin composition is as follows. First, a solution containing a resin component and various additive components is used, for example, a silicon wafer, a glass substrate of a display device such as an LCD, a reticle or a mask used in a semiconductor process, a ceramic, a heat-resistant material. It is applied on a substrate such as a film. Generally, a metal wiring and a metal layer are formed on the application surface of the substrate. The application method includes spin coating using a spinner, spray coating using a spray coater,
There are methods such as dipping, printing, and roll coating.

【0067】感光性ポリイミド系樹脂の場合には、次
に、比較的低温でプリベークして塗膜を乾燥後、所望の
パターン形状に活性光線(化学線)を照射する。化学線
としては、X線、電子線、紫外線、可視光線などが使用
できる。次いで、通常は未照射部を現像液で溶解除去す
ることによりレリーフパターンを得る。現像液として
は、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルア
セトアミド、N,N−ジメチルホルムアミドなどの極性
有機溶剤、メタノール、イソプロピルアルコール、水な
どを、それぞれ単独で、あるいは2種以上を混合して使
用する。アルカリ可溶性ポリイミド系樹脂の場合には、
アルカリ現像液またはアルカリ水溶液を用いてもよい。
現像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、及び超音
波などの各種方式を採用することができる。現像によっ
て形成したレリーフパターンは、リンスする。リンス液
としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアル
コール、酢酸ブチルなどが挙げられる。次に、加熱処理
を行ってイミド環を形成し、ポリアミド酸をポリイミド
化して、耐熱性に富む最終パターンを得る。可溶性ポリ
イミドのように既にイミド化しているものは、イミド化
工程を省略する。
In the case of a photosensitive polyimide resin, the coated film is dried by prebaking at a relatively low temperature, and then irradiated with actinic rays (actinic rays) in a desired pattern shape. As the actinic radiation, X-rays, electron beams, ultraviolet rays, visible rays and the like can be used. Next, a relief pattern is usually obtained by dissolving and removing the unirradiated portion with a developer. Examples of the developing solution include polar organic solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, methanol, isopropyl alcohol, and water. Mix and use. In the case of an alkali-soluble polyimide resin,
An alkali developer or an aqueous alkali solution may be used.
Various methods such as spraying, paddle, immersion, and ultrasonic wave can be adopted as the developing method. The relief pattern formed by development is rinsed. Examples of the rinsing liquid include methanol, ethanol, isopropyl alcohol, and butyl acetate. Next, a heat treatment is performed to form an imide ring, and the polyamic acid is converted to a polyimide to obtain a final pattern having high heat resistance. For those already imidized, such as soluble polyimides, the imidization step is omitted.

【0068】本発明の樹脂組成物は、以下の場合に効果
が顕著である。 (1)ポリアミド酸をワニス状態で銅配線または銅層上
に塗布し、加熱硬化(キュア)してポリイミド絶縁膜を
形成する場合。 (2)感光性ポリアミド酸を用いて、銅配線または銅層
上にポリイミドパターンを形成する場合。 (3)溶媒可溶性ポリイミドを用いて、銅配線または銅
層上にポリイミド膜を形成する場合。 (4)感光性ポリアミド酸エステルを用いて、銅配線ま
たは銅層上にポリイミドパターンを形成する場合。 (5)感光性ポリイミドを用いて、銅配線または銅層上
にポリイミドパターンを形成する場合。
The effect of the resin composition of the present invention is remarkable in the following cases. (1) A case in which a polyamic acid is applied in a varnish state onto a copper wiring or a copper layer, and is cured by heating (curing) to form a polyimide insulating film. (2) A case where a polyimide pattern is formed on a copper wiring or a copper layer using photosensitive polyamic acid. (3) When a polyimide film is formed on a copper wiring or a copper layer using a solvent-soluble polyimide. (4) A case where a polyimide pattern is formed on a copper wiring or a copper layer using a photosensitive polyamic acid ester. (5) A case where a photosensitive polyimide is used to form a polyimide pattern on a copper wiring or a copper layer.

【0069】本発明のポリイミド系樹脂組成物を用いる
と、基板表面に形成されている金属配線または金属層上
に柔軟なオーバーコート層を形成する場合、高い耐熱
性、耐熱密着性(例えば、スズメッキ処理、半田メッキ
処理、金メッキ処理等でのメッキ液が金属配線と被覆層
との境界面にもぐり込むことを抑制する耐メッキ性)に
優れた樹脂被覆基板を得ることができる。また、感光性
ポリイミド系樹脂組成物を用いると、未露光部の残膜を
抑制し、きれいなパターンを形成することができる。特
に、感光性ポリアミド酸樹脂を使用する場合、一般に、
未露光部の残膜が顕著であるが、本発明の末端にテトラ
ゾール基を導入した感光性ポリアミド酸を用いると、大
幅な改善が可能となり、きれいなパターン形成が可能と
なる。金属配線または金属層は、銅、銀、金、アルミニ
ウム等からなるが、特に、銅及び銅合金の場合、この効
果が大きい。
When the polyimide resin composition of the present invention is used to form a flexible overcoat layer on a metal wiring or a metal layer formed on a substrate surface, high heat resistance and heat resistance (for example, tin plating) It is possible to obtain a resin-coated substrate excellent in plating resistance, which suppresses a plating solution in a treatment, a solder plating treatment, a gold plating treatment or the like from penetrating into a boundary surface between a metal wiring and a coating layer. Further, when the photosensitive polyimide-based resin composition is used, a remaining film in an unexposed portion can be suppressed, and a clear pattern can be formed. In particular, when using a photosensitive polyamic acid resin, generally,
Although the remaining film in the unexposed portion is remarkable, the use of the photosensitive polyamic acid having a tetrazole group introduced into the terminal of the present invention makes it possible to make a significant improvement and to form a clear pattern. The metal wiring or metal layer is made of copper, silver, gold, aluminum or the like. Particularly, in the case of copper and copper alloy, this effect is large.

【0070】[0070]

【実施例】以下、本発明について、合成例、実施例、及
び比較例を挙げて具体的に説明するが、本発明は、これ
らの実施例のみに限定されるものではない。 〔合成例1〕反応器に、2,2′−ジ(p−アミノフェ
ニル)−6,6′−ビスベンゾオキサゾール110.9
g(0.265mol)、末端変性用のアミノベンゼン
類としてp−アミノ安息香酸〔トリス(メタクリロイ
ル)ペンタエリスリトール〕エステル10.1g(0.
022mol)、ジメチルアセトアミド552g、及び
N−メチルピロリドン552gを投入して均一溶液を調
製した。この均一溶液に氷冷撹拌下、酸無水物として
3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
2無水物44.3g(0.138mol)とピロメリッ
ト酸2無水物30g(0.138mol)との混合物を
少量づつ粉体で加えた。次いで、氷冷下で3時間、そし
て室温下で20時間反応させた。このようにしてポリア
ミド酸(コードNo.A)を含む溶液を得た。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Synthesis Examples, Examples, and Comparative Examples, but the present invention is not limited to only these Examples. [Synthesis Example 1] In a reactor, 2,2'-di (p-aminophenyl) -6,6'-bisbenzoxazole 110.9 was added.
g (0.265 mol), 10.1 g of p-aminobenzoic acid [tris (methacryloyl) pentaerythritol] ester as an aminobenzene for terminal modification (0.1 g).
022 mol), 552 g of dimethylacetamide, and 552 g of N-methylpyrrolidone to prepare a uniform solution. Under ice-cooling and stirring of this homogeneous solution, 44.3 g (0.138 mol) of 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride and 30 g (0.138 mol) of pyromellitic dianhydride were obtained as acid anhydrides. ) Was added in small portions in powder form. Then, the reaction was carried out for 3 hours under ice cooling and for 20 hours at room temperature. Thus, a solution containing polyamic acid (code No. A) was obtained.

【0071】〔合成例2〕反応器に、2,2′−ジ(p
−アミノフェニル)−6,6′−ビスベンゾオキサゾー
ル110.8g(0.265mol)、p−アミノ安息
香酸〔トリス(メタクリロイル)ペンタエリスリトー
ル〕エステル5.0g(0.011mol)、5−アミ
ノ−1H−テトラゾール0.94g(0.011mo
l)、ジメチルアセトアミド540g、及びN−メチル
ピロリドン540gを投入して均一溶液を調製した。こ
の均一溶液に氷冷撹拌下、酸無水物として3,3′,
4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸2無水物4
4.3g(0.138mol)とピロメリット酸2無水
物30g(0.138mol)との混合物を少量づつ粉
体で加えた。次いで、氷冷下で3時間、そして室温下で
20時間反応させた。このようにしてポリアミド酸(コ
ードNo.B)を含む溶液を得た。
[Synthesis Example 2] 2,2'-di (p
-Aminophenyl) -6,6'-bisbenzoxazole 110.8 g (0.265 mol), p-aminobenzoic acid [tris (methacryloyl) pentaerythritol] ester 5.0 g (0.011 mol), 5-amino-1H 0.94 g of tetrazole (0.011 mo
l), 540 g of dimethylacetamide and 540 g of N-methylpyrrolidone were added to prepare a homogeneous solution. Under ice-cooling and stirring, the homogeneous solution was acidified as 3,3 ',
4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride 4
A mixture of 4.3 g (0.138 mol) and 30 g (0.138 mol) of pyromellitic dianhydride was added little by little as a powder. Then, the reaction was carried out for 3 hours under ice cooling and for 20 hours at room temperature. Thus, a solution containing polyamic acid (code No. B) was obtained.

【0072】〔合成例3〕反応器に、2,2′−ジ(p
−アミノフェニル)−6,6′−ビスベンゾオキサゾー
ル110.8g(0.265mol)、5−アミノ−1
H−テトラゾール1.87g(0.022mol)、ジ
メチルアセトアミド529g、及びN−メチルピロリド
ン529gを投入して均一溶液を調製した。この均一溶
液に氷冷撹拌下、酸無水物として3,3′,4,4′−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸2無水物44.3g
(0.138mol)とピロメリット酸2無水物30g
(0.138mol)との混合物を少量づつ粉体で加え
た。次いで、氷冷下で3時間、そして室温下で20時間
反応させた。このようにしてポリアミド酸(コードN
o.C)を含む溶液を得た。
[Synthesis Example 3] A 2,2'-di (p
-Aminophenyl) -6,6'-bisbenzoxazole 110.8 g (0.265 mol), 5-amino-1
1.87 g (0.022 mol) of H-tetrazole, 529 g of dimethylacetamide, and 529 g of N-methylpyrrolidone were added to prepare a uniform solution. 3,3 ′, 4,4′- as an acid anhydride was added to the homogeneous solution under ice-cooling and stirring.
Benzophenonetetracarboxylic dianhydride 44.3 g
(0.138 mol) and pyromellitic dianhydride 30 g
(0.138 mol) was added in small portions in powder form. Then, the reaction was carried out for 3 hours under ice cooling and for 20 hours at room temperature. Thus, the polyamic acid (code N
o. A solution containing C) was obtained.

【0073】〔合成例4〕反応器に、2,2′−ジ(p
−アミノフェニル)−6,6′−ビスベンゾオキサゾー
ル110.8g(0.265mol)、p−アミノ安息
香酸〔トリス(メタクリロイル)ペンタエリスリトー
ル〕エステル10.1g(0.022mol)、ジメチ
ルアセトアミド552g、及びN−メチルピロリドン5
52gを投入して均一溶液を調製した。この均一溶液に
氷冷撹拌下、酸無水物として3,3′,4,4′−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸2無水物44.3g(0.
138mol)とピロメリット酸2無水物30g(0.
138mol)との混合物を少量づつ粉体で加えた。次
いで、氷冷下で3時間、そして室温下で20時間反応さ
せた。このようにしてポリアミド酸を含む溶液を得た。
次に、このようにして得られたポリアミド酸溶液66
6.7重量部(固形分で100重量部)に3,3′,
4,4′−テトラ(t−ブチルパーオキシカルボニル)
ベンゾフェン2重量部、N−フェニルグリシン2重量
部、及び感光助剤の3EG−A(共栄社製造)28重量
部を添加し、室温で溶解した。このようにして感光性ポ
リアミド酸(コードNo.D)を得た。
[Synthesis Example 4] 2,2'-di (p
-Aminophenyl) -6,6'-bisbenzoxazole 110.8 g (0.265 mol), p-aminobenzoic acid [tris (methacryloyl) pentaerythritol] ester 10.1 g (0.022 mol), dimethylacetamide 552 g, and N-methylpyrrolidone 5
52 g was charged to prepare a homogeneous solution. To this homogeneous solution, 44.3 g (0.3%) of 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride was added as an acid anhydride under ice-cooling and stirring.
138 mol) and pyromellitic dianhydride 30 g (0.
138 mol) was added as a powder in small portions. Then, the reaction was carried out for 3 hours under ice cooling and for 20 hours at room temperature. Thus, a solution containing polyamic acid was obtained.
Next, the polyamic acid solution 66 thus obtained is obtained.
6.7 parts by weight (100 parts by weight of solid content) to 3,3 ',
4,4'-tetra (t-butylperoxycarbonyl)
2 parts by weight of benzophene, 2 parts by weight of N-phenylglycine, and 28 parts by weight of 3EG-A (manufactured by Kyoeisha Co., Ltd.) as a photosensitizer were added and dissolved at room temperature. Thus, a photosensitive polyamic acid (code No. D) was obtained.

【0074】〔合成例5〕反応器に、2,2′−ジ(p
−アミノフェニル)−6,6′−ビスベンゾオキサゾー
ル110.8g(0.265mol)、p−アミノ安息
香酸〔トリス(メタクリロイル)ペンタエリスリトー
ル〕エステル5.1g(0.011mol)、5−アミ
ノ−1H−テトラゾール0.94g(0.11mo
l)、ジメチルアセトアミド540g、及びN−メチル
ピロリドン540gを投入して均一溶液を調整した。こ
の均一溶液に氷冷撹拌下、酸無水物として3,3′,
4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸2無水物4
4.3g(0.138mol)とピロメリット酸2無水
物30g(0.138mol)との混合物を少量づつ粉
体で加えた。次いで、氷冷下で3時間、そして室温下で
20時間反応させた。このようにしてポリアミド酸を含
む溶液を得た。次に、このようにして得られたポリアミ
ド酸溶液666.7重量部(固形分で100重量部)に
3,3′,4,4′−テトラ(t−ブチルパーオキシカ
ルボニル)ベンゾフェノン2重量部、N−フェニルグリ
シン2重量部、及び感光助剤の3EG−A(共栄社製
造)28重量部に添加し、室温で溶解した。このように
して感光性ポリアミド酸(コードNo.E)を得た。
[Synthesis Example 5] 2,2'-di (p
-Aminophenyl) -6,6'-bisbenzoxazole 110.8 g (0.265 mol), p-aminobenzoic acid [tris (methacryloyl) pentaerythritol] ester 5.1 g (0.011 mol), 5-amino-1H 0.94 g of tetrazole (0.11 mol
l), 540 g of dimethylacetamide and 540 g of N-methylpyrrolidone were added to prepare a uniform solution. Under ice-cooling and stirring, the homogeneous solution was acidified as 3,3 ',
4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride 4
A mixture of 4.3 g (0.138 mol) and 30 g (0.138 mol) of pyromellitic dianhydride was added little by little as a powder. Then, the reaction was carried out for 3 hours under ice cooling and for 20 hours at room temperature. Thus, a solution containing polyamic acid was obtained. Next, 26.6 parts by weight of 3,3 ′, 4,4′-tetra (t-butylperoxycarbonyl) benzophenone was added to 666.7 parts by weight (100 parts by weight of solid content) of the polyamic acid solution thus obtained. , N-phenylglycine (2 parts by weight) and 28 parts by weight of a photosensitizer 3EG-A (manufactured by Kyoeisha Co., Ltd.) and dissolved at room temperature. Thus, a photosensitive polyamic acid (code No. E) was obtained.

【0075】〔合成例6〕反応器に、2,2′−ジ(p
−アミノフェニル)−6,6′−ビスベンゾオキサゾー
ル98.2g(0.235mol)、5−アミノ−1H
−テトラゾール6.98g(0.082mol)、ジメ
チルアセトアミド508g、及びN−メチルピロリドン
508gを投入して均一溶液を調整した。この均一溶液
に氷冷撹拌下、酸無水物として3,3′,4,4′−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸2無水物44.3g
(0.138mol)とピロメリット酸2無水物30g
(0.138mol)との混合物を少量づつ粉体で加え
た。次いで、氷冷下で3時間、そして室温下で20時間
反応させた。このようにしてポリアミド酸(コードN
o.F)を含む溶液を得た。
[Synthesis Example 6] 2,2'-di (p
-Aminophenyl) -6,6'-bisbenzoxazole 98.2 g (0.235 mol), 5-amino-1H
-6.98 g (0.082 mol) of tetrazole, 508 g of dimethylacetamide, and 508 g of N-methylpyrrolidone were added to prepare a uniform solution. 44.3 g of 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride as an acid anhydride was added to the homogeneous solution under ice-cooling and stirring.
(0.138 mol) and pyromellitic dianhydride 30 g
(0.138 mol) was added in small portions in powder form. Then, the reaction was carried out for 3 hours under ice cooling and for 20 hours at room temperature. Thus, the polyamic acid (code N
o. A solution containing F) was obtained.

【0076】〔合成例7〕モノマー添加型感光性ポリイ
ミドである合成例4の感光性ポリアミド酸(D)100
gに対し、合成例7で得られた末端テトラゾール基導入
ポリアミド酸100gを室温撹拌下で添加した後、室温
下3時間撹拌した。このようにして感光性ポリアミド酸
(コードNo.G)を得た。
[Synthesis Example 7] The photosensitive polyamic acid (D) 100 of Synthesis Example 4 which is a monomer-added photosensitive polyimide
After adding 100 g of the terminal tetrazole group-introduced polyamic acid obtained in Synthesis Example 7 to the resulting mixture under stirring at room temperature, the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. Thus, a photosensitive polyamic acid (code No. G) was obtained.

【0077】〔合成例8〕モノマー添加型感光性ポリイ
ミドである合成例4の感光性ポリアミド酸(D)100
gに対し、合成例6で得られた末端テトラゾール基導入
ポリアミド酸(F)36gを室温撹拌下で添加した後、
室温下3時間撹拌した。このようにして感光性ポリアミ
ド酸(コードNo.H)を得た。
[Synthesis Example 8] The photosensitive polyamic acid (D) 100 of Synthesis Example 4 which is a monomer-added photosensitive polyimide
After adding 36 g of the terminal tetrazole group-introduced polyamic acid (F) obtained in Synthesis Example 6 to the resulting solution under stirring at room temperature,
The mixture was stirred at room temperature for 3 hours. Thus, a photosensitive polyamic acid (code No. H) was obtained.

【0078】〔合成例9〕モノマー添加型感光性ポリイ
ミドである合成例4の感光性ポリアミド酸(D)100
gに対し、合成例6で得られた末端テトラゾール基導入
ポリアミド酸(F)15gを室温撹拌下で添加した後、
室温下3時間撹拌した。このようにして感光性ポリアミ
ド酸(コードNo.I)を得た。
[Synthesis Example 9] The photosensitive polyamic acid (D) 100 of Synthesis Example 4 which is a monomer-added photosensitive polyimide
After adding 15 g of terminal tetrazole group-introduced polyamic acid (F) obtained in Synthesis Example 6 to the resulting solution under stirring at room temperature,
The mixture was stirred at room temperature for 3 hours. Thus, a photosensitive polyamic acid (code No. I) was obtained.

【0079】〔合成例10〕モノマー添加型感光性ポリ
イミドである合成例4の感光性ポリアミド酸(D)10
0gに対し、合成例6で得られた末端テトラゾール基導
入ポリアミド酸(F)3gを室温撹拌下で添加した後、
室温下3時間撹拌した。このようにして感光性ポリアミ
ド酸(コードNo.J)を得た。
[Synthesis Example 10] The photosensitive polyamic acid (D) 10 of Synthesis Example 4 which is a monomer-added photosensitive polyimide
After adding 3 g of the terminal tetrazole group-introduced polyamic acid (F) obtained in Synthesis Example 6 to 0 g under stirring at room temperature,
The mixture was stirred at room temperature for 3 hours. Thus, a photosensitive polyamic acid (code No. J) was obtained.

【0080】[実施例1〜7、比較例1〜2]表1に示
すように、前記各合成例で調製したポリアミド酸溶液
を、それぞれ銅スパッタリング膜を形成したシリコンウ
ェーハ上にスピンナーで塗布し、次いで乾燥機により6
0℃で30分間乾燥して、約10μmの被膜を形成し
た。被膜を形成したウェーハの上から、凸版印刷製ステ
ップタブレットマスクを用い、PLA−501F(キヤ
ノン製)により、露光〔300mJ/cm2(436n
m)以上〕した後、N−メチル−2−ピロリドン:イソ
プロピルアルコール(重量比70:30)の混合液から
なる現像液でスプレー現像を行った。次いで、イソプロ
ピルアルコールでリンスし、ポリイミド前駆体被膜にパ
ターンを形成した。パターンを形成した被膜の露光部及
び未露光部の残留膜厚を触針式表面形状測定機(テンコ
ール社製P−10)を用いて測定した。現像時残膜率
は、未露光部の残留膜厚から計算により求めた。パター
ンを形成したシリコンウェーハを、窒素雰囲気下、10
0℃で1時間、200℃で1時間、そして400℃で2
時間加熱して、ポリイミド前駆体を硬化(ポリイミド
化)させた。得られたポリイミドパターンを25℃で2
体積%の硫酸水溶液で2分間処理した。ポリイミドパタ
ーン及びスルーホール部を、走査型電子顕微鏡(日本電
子社製JSM5400)を用いて表面状態を観察すると
ともに、露光部及び未露光部の残留膜厚を測定し、硫酸
処理後の残膜率(硬化後残膜率)を算出した。また、パ
ターンが形成された基板の表面状態を、走査型電子顕微
鏡(日本電子社製JSM5400)を用いて観察し、次
の4段階で評価した。 <表面状態> ◎:ポリイミド残膜が全く認められない。 ○:ポリイミド膜がごく僅かに残留、 △:ポリイミド膜が少量残留、 ×:ポリイミド膜が大量に残留、
[Examples 1 to 7, Comparative Examples 1 and 2] As shown in Table 1, the polyamic acid solution prepared in each of the above-mentioned synthesis examples was applied to a silicon wafer on which a copper sputtering film was formed by a spinner. And then the dryer 6
After drying at 0 ° C. for 30 minutes, a film having a thickness of about 10 μm was formed. Using a step tablet mask made by letterpress printing, PLA-501F (manufactured by Canon Inc.) was used to expose (300 mJ / cm 2 (436n) over the wafer on which the film was formed.
m) or more], and then spray-developed with a developer composed of a mixture of N-methyl-2-pyrrolidone and isopropyl alcohol (weight ratio 70:30). Next, the film was rinsed with isopropyl alcohol to form a pattern on the polyimide precursor coating. The residual film thickness of the exposed portion and the unexposed portion of the film on which the pattern was formed was measured using a stylus type surface shape measuring device (P-10 manufactured by Tencor Corporation). The residual film ratio at the time of development was calculated from the residual film thickness of the unexposed portion. The silicon wafer on which the pattern was formed was placed in a nitrogen atmosphere at 10
1 hour at 0 ° C., 1 hour at 200 ° C., and 2 hours at 400 ° C.
The polyimide precursor was cured (polyimide) by heating for a period of time. The obtained polyimide pattern was heated at 25 ° C for 2 hours.
The mixture was treated with a volume% aqueous sulfuric acid solution for 2 minutes. The surface state of the polyimide pattern and through-hole portion was observed using a scanning electron microscope (JSM5400 manufactured by JEOL Ltd.), and the residual film thickness of the exposed portion and the unexposed portion was measured. (Residual film ratio after curing) was calculated. The surface state of the substrate on which the pattern was formed was observed using a scanning electron microscope (JSM5400 manufactured by JEOL Ltd.), and evaluated on the following four levels. <Surface state> A: No polyimide residual film is observed. :: Very little polyimide film remained, △: Small amount of polyimide film remained, ×: Large amount of polyimide film remained,

【0081】[0081]

【表1】 (*1)樹脂成分100重量部に対しての割合[Table 1] (* 1) Percentage to 100 parts by weight of resin component

【0082】実施例1と比較例1で得られた各ポリイミ
ド膜被覆シリコンウェーハを割り、断面を切りだした。
試料の断面に白金(Pt)コートし、WDSビームスキ
ャン法によりSi/Cu/ポリイミド膜界面の面分析を
行い、ポリイミド膜中への銅イオンの分布(移動)状況
を観察して、以下の基準で評価した。結果を表2に示
す。 <銅の膜中移動の抑制効果> ○:ポリイミド膜中への銅イオンの移動が抑制されてい
る。 △:ポリイミド膜中への銅イオンの移動が界面から僅か
に見られる。 ×:ポリイミド膜中への銅イオンの移動が激しく、銅マ
イグレーションの抑制効果がない。
Each of the polyimide film-coated silicon wafers obtained in Example 1 and Comparative Example 1 was divided and a cross section was cut out.
The cross section of the sample is coated with platinum (Pt), and the surface analysis of the interface of the Si / Cu / polyimide film is performed by the WDS beam scanning method, and the distribution (movement) of copper ions in the polyimide film is observed. Was evaluated. Table 2 shows the results. <Effect of suppressing movement of copper in the film> A: The movement of copper ions into the polyimide film is suppressed. Δ: Transfer of copper ions into the polyimide film was slightly observed from the interface. ×: Copper ions migrated strongly into the polyimide film, and there was no effect of suppressing copper migration.

【0083】[0083]

【表2】 (*1)樹脂成分100重量部に対しての割合[Table 2] (* 1) Percentage to 100 parts by weight of resin component

【0084】[0084]

【発明の効果】本発明によれば、銅及び銅合金に対して
優れた防錆効果、残膜防止効果、及び膜密着効果を有す
るポリイミド系樹脂組成物が提供される。本発明のポリ
イミド系樹脂組成物は、半導体素子やプリント配線板、
高性能基板等の樹脂被覆基板の製造において、基板上の
金属配線または金属層に対して優れた防錆効果を有し、
密着性の高いポリイミド膜を形成することができる。ま
た、本発明の感光性を有するポリイミド系樹脂組成物を
用いると、金属配線または金属層を設けた基板上に未露
光部の残膜防止効果に優れたポリイミド膜及びパターン
を形成することができる。本発明のポリイミド系樹脂組
成物は、銅または銅合金を用いた銅配線や銅層上に、被
覆層を形成する場合に、特に顕著な効果が得られる。さ
らに、本発明によれば、安定した防錆効果、残膜防止効
果、及び膜密着効果を示す末端修飾型ポリイミド系樹脂
の製造方法が提供される。
According to the present invention, there is provided a polyimide resin composition having excellent rust-preventing effect, residual film-preventing effect, and film-adhering effect on copper and copper alloys. The polyimide resin composition of the present invention, a semiconductor element or a printed wiring board,
In the production of resin-coated boards such as high-performance boards, it has an excellent rust prevention effect on metal wiring or metal layers on the board,
A polyimide film having high adhesion can be formed. When the photosensitive polyimide resin composition of the present invention is used, a polyimide film and a pattern excellent in the effect of preventing unexposed portions from remaining can be formed on a substrate provided with a metal wiring or a metal layer. . The polyimide resin composition of the present invention has a particularly remarkable effect when a coating layer is formed on a copper wiring or copper layer using copper or a copper alloy. Further, according to the present invention, there is provided a method for producing a terminal-modified polyimide-based resin exhibiting a stable rust prevention effect, a residual film prevention effect, and a film adhesion effect.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/027 H01L 21/312 B 21/312 21/30 502R (72)発明者 伊藤 健一 神奈川県川崎市川崎区夜光一丁目2番1号 日本ゼオン株式会社総合開発センター内 (72)発明者 田中 明 神奈川県川崎市川崎区夜光一丁目2番1号 日本ゼオン株式会社総合開発センター内 (72)発明者 石月 義克 神奈川県川崎市中原区上小田中四丁目1番 1号 富士通株式会社内 (72)発明者 米田 泰博 神奈川県川崎市中原区上小田中四丁目1番 1号 富士通株式会社内 (72)発明者 横内 貴志男 神奈川県川崎市中原区上小田中四丁目1番 1号 富士通株式会社内──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 21/027 H01L 21/312 B 21/312 21/30 502R (72) Inventor Kenichi Ito 1-chome, Yakko, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture No.2-1 Inside the Zeon Corporation General Development Center (72) Inventor Akira Tanaka 1-1-2 Yakko, Kawasaki-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture Inside the Zeon Corporation General Development Center (72) Inventor Yoshikatsu Ishizuki Kanagawa Fujitsu, Ltd. (1-1) Kamikodanaka 4-1-1, Nakahara-ku, Kawasaki, Japan Inventor Yasuhiro Yoneda 4-1-1, Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki, Kawasaki, Kanagawa Prefecture Fujitsu Limited (72) Inventor Takao Yokouchi Fujitsu Limited, 4-1-1 Kamikadanaka, Nakahara-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも一方の末端にテトラゾール基
が導入されたポリイミド系樹脂(A)と溶剤(B)を必
須成分として含有するポリイミド系樹脂組成物。
1. A polyimide resin composition comprising, as essential components, a polyimide resin (A) having a tetrazole group introduced into at least one terminal and a solvent (B).
【請求項2】 ポリイミド系樹脂(A)が、式(I)で
表されるポリアミド酸(A1 )である請求項1記載のポ
リイミド系樹脂組成物。 【化1】 式(I)中、 R1=4価の有機基; R2=2価の有機基; k=5〜10000の整数; W1=T1、−OH、または化学線官能基; T1=式(1)で表されるテトラゾール基を含有する原
子団。 【化2】 式(1)中、 P1=−NH−、−NR−(R=炭素数1〜3のアルキ
ル基)、−SO2−、−SO2O−、−O−、または−S
−; Q=単結合、または2価の有機基; R1=水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数
2〜10のアルケニル基、炭素数3〜10のアリル基、
炭素数3〜6の環状脂肪族基、フェニル基、式(2)で
表される置換フェニル基、 【化3】 〔(2)式中、 n=1〜3の整数; X=炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のア
ルコキシ基、−NR′R″(R′、R″=それぞれ独立
して、水素原子、メチル基、エチル基、アセチル基、ま
たはエチルカルボニル基;ただし、両方が水素原子であ
る場合を除く。)、−COOCH3、−NO2、−SH、
または−SCH3〕または式(3)で表される置換アル
キル基。 【化4】 〔式(3)中、 m=1〜10の整数; Y=−NR′R″(R′、R″=それぞれ独立して、水
素原子、メチル基、エチル基、アセチル基、またはエチ
ルカルボニル基;ただし、両方が水素原子である場合を
除く。)、フェニル基、または前記式(2)で表される
置換フェニル基。〕
2. The polyimide resin composition according to claim 1, wherein the polyimide resin (A) is a polyamic acid (A 1 ) represented by the formula (I). Embedded image Wherein (I), R 1 = 4-valent organic group; R 2 = 2-valent organic group; k = 5 to 10,000 integer; W 1 = T 1, -OH or actinic functionality,; T 1 = An atomic group containing a tetrazole group represented by the formula (1). Embedded image In the formula (1), P 1 = —NH—, —NR— (R = alkyl group having 1 to 3 carbon atoms), —SO 2 —, —SO 2 O—, —O—, or —S
-; Q = single bond, or a divalent organic group; R 1 = hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, an allyl group having 3 to 10 carbon atoms,
A cyclic aliphatic group having 3 to 6 carbon atoms, a phenyl group, a substituted phenyl group represented by the formula (2), [In the formula (2), n = an integer of 1 to 3; X = an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, -NR'R "(R ', R" = each independently A hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, an acetyl group, or an ethylcarbonyl group; provided that both are not hydrogen atoms.), —COOCH 3 , —NO 2 , —SH,
Or -SCH 3 ] or a substituted alkyl group represented by the formula (3). Embedded image [In the formula (3), m = 1 to 10; Y = —NR′R ″ (R ′, R ″ = each independently a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, an acetyl group, or an ethylcarbonyl group) However, unless both are hydrogen atoms), a phenyl group, or a substituted phenyl group represented by the above formula (2). ]
【請求項3】 ポリイミド系樹脂(A)が、式(II)
で表されるポリアミド酸(A2)である請求項1記載の
ポリイミド系樹脂組成物。 【化5】 式(II)中、 R1=4価の有機基; R2=2価の有機基; k=5〜10000の整数; W2=T2、−OH、または化学線官能基; T2=式(4)で表されるテトラゾール基を含有する原
子団。 【化6】 式(4)中、 P2=単結合、−CO−、−COO−、−SO2−、また
は−SO2O−; Q=単結合、または2価の有機基; R1=水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数
2〜10のアルケニル基、炭素数3〜10のアリル基、
炭素数3〜6の環状脂肪族基、フェニル基、前記式
(2)で表される置換フェニル基、または前記式(3)
で表される置換アルキル基。
3. The method according to claim 1, wherein the polyimide resin (A) has the formula (II)
Polyimide resin composition according to claim 1, wherein the in represented by the polyamic acid (A 2). Embedded image Wherein (II), R 1 = 4-valent organic group; R 2 = 2-valent organic group; k = 5 to 10,000 integer; W 2 = T 2, -OH or actinic functionality,; T 2 = An atomic group containing a tetrazole group represented by the formula (4). Embedded image Wherein (4), P 2 = single bond, -CO -, - COO -, - SO 2 -, or -SO 2 O-; Q = single bond, or a divalent organic group; R 1 = hydrogen atom, An alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, an allyl group having 3 to 10 carbon atoms,
A cyclic aliphatic group having 3 to 6 carbon atoms, a phenyl group, a substituted phenyl group represented by the formula (2), or the formula (3);
A substituted alkyl group represented by
【請求項4】 ポリアミド系樹脂(A)に加えて、ポリ
アミド酸、溶媒可溶性ポリイミド、感光性ポリアミド
酸、感光性ポリアミド酸エステル、及び感光性ポリイミ
ドからなる群より選ばれる少なくとも一種のポリイミド
系樹脂(C)をさらに含有する請求項1ないし3のいず
れか1項に記載のポリイミド系樹脂組成物。
4. In addition to the polyamide resin (A), at least one polyimide resin selected from the group consisting of polyamic acid, solvent-soluble polyimide, photosensitive polyamic acid, photosensitive polyamic acid ester, and photosensitive polyimide ( The polyimide resin composition according to any one of claims 1 to 3, further comprising (C).
【請求項5】 樹脂成分100重量部に対して、テトラ
ゾール基の重量割合が0.1〜10重量部の範囲内とな
る割合でポリイミド系樹脂(A)を含有する請求項1な
いし4のいずれか1項に記載のポリイミド系樹脂組成
物。
5. The polyimide resin (A) according to claim 1, wherein the polyimide resin (A) is contained in such a proportion that the weight ratio of the tetrazole group is in the range of 0.1 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin component. Or the polyimide-based resin composition according to item 1.
【請求項6】 光重合開始剤(D)、及び光重合性官能
基を有する感光助剤(E)からなる群より選ばれる少な
くとも一種の添加剤をさらに含有する請求項1ないし5
のいずれか1項に記載のポリイミド系樹脂組成物。
6. The composition according to claim 1, further comprising at least one additive selected from the group consisting of a photopolymerization initiator (D) and a photosensitizer (E) having a photopolymerizable functional group.
The polyimide resin composition according to any one of the above.
【請求項7】 ジアミン化合物とテトラカルボン酸また
はその酸無水物とを極性有機溶媒中で反応させてポリア
ミド酸を製造する方法において、反応系に、ジアミン化
合物とテトラカルボン酸またはその酸無水物と共に、ア
ミノ基またはカルボキシル基と反応し得る官能基とテト
ラゾール基とを有する化合物(a)を存在させることに
より、少なくとも一方の末端にテトラゾール基が導入さ
れたポリアミド酸を生成させることを特徴とする末端修
飾型ポリイミド系樹脂の製造方法。
7. A method for producing a polyamic acid by reacting a diamine compound with a tetracarboxylic acid or an acid anhydride thereof in a polar organic solvent, wherein the reaction system comprises a diamine compound and a tetracarboxylic acid or an acid anhydride thereof together with a diamine compound. The presence of a compound (a) having a functional group capable of reacting with an amino group or a carboxyl group and a tetrazole group, thereby producing a polyamic acid having a tetrazole group introduced into at least one end. A method for producing a modified polyimide resin.
【請求項8】 少なくとも一方の末端にアミノ基または
カルボキシル基を有するポリイミド系樹脂と、アミノ基
またはカルボキシル基と反応し得る官能基とテトラゾー
ル基とを有する化合物(a)とを反応させることによ
り、少なくとも一方の末端にテトラゾール基が導入され
たポリイミド系樹脂を生成させることを特徴とする末端
修飾型ポリイミド系樹脂の製造方法。
8. By reacting a polyimide resin having an amino group or a carboxyl group at at least one end with a compound (a) having a functional group capable of reacting with an amino group or a carboxyl group and a tetrazole group, A method for producing a terminal-modified polyimide resin, comprising producing a polyimide resin having a tetrazole group introduced into at least one terminal.
【請求項9】 アミノ基またはカルボキシル基と反応し
得る官能基とテトラゾール基とを有する化合物(a)
が、式(III)で表されるテトラゾール基含有化合物
である請求項7または8記載の製造方法。 【化7】 式(III)中、 P=−COX〔X=水素原子、ハロゲン原子、−OH、
または−OR(R=炭素数1〜3のアルキル基)〕、−
SO2X〔X=ハロゲン原子、または−OH)〕、ハロ
ゲン原子、−OH、−SH、−NH2、−NHR(R=
炭素数1〜3のアルキル基)、または−SH; Q=単結合、または2価の有機基; R1=水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数
2〜10のアルケニル基、炭素数3〜10のアリル基、
炭素数3〜6の環状脂肪族基、フェニル基、前記式
(2)で表される置換フェニル基、または前記式(3)
で表される置換アルキル基。
9. Compound (a) having a functional group capable of reacting with an amino group or a carboxyl group and a tetrazole group
Is a tetrazole group-containing compound represented by the formula (III). Embedded image In the formula (III), P = —COX [X = hydrogen atom, halogen atom, —OH,
Or -OR (R = alkyl group having 1 to 3 carbon atoms)],-
SO 2 X [X = halogen atom or —OH)], halogen atom, —OH, —SH, —NH 2 , —NHR (R =
An alkyl group having 1 to 3 carbon atoms) or -SH; Q = a single bond or a divalent organic group; R 1 = a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, An allyl group having 3 to 10 carbon atoms,
A cyclic aliphatic group having 3 to 6 carbon atoms, a phenyl group, a substituted phenyl group represented by the formula (2), or the formula (3);
A substituted alkyl group represented by
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