JP2005098773A - Surface inspection apparatus for inspecting presence or absence of cracks in semiconductor substrate - Google Patents
Surface inspection apparatus for inspecting presence or absence of cracks in semiconductor substrate Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005098773A JP2005098773A JP2003330987A JP2003330987A JP2005098773A JP 2005098773 A JP2005098773 A JP 2005098773A JP 2003330987 A JP2003330987 A JP 2003330987A JP 2003330987 A JP2003330987 A JP 2003330987A JP 2005098773 A JP2005098773 A JP 2005098773A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- image
- substrate
- lens
- inspection apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
Description
本発明は、表面にプリント配線が施され、裏面が平坦な半導体基板の半導体基板を仮置台上に裏面側を上向きにして載置し、シュリ−レン撮像(Schlieren Photograph)方法により撮像した画像よりこの半導体基板にクラックが存在するか否か検査する表面検査装置に関する。 The present invention is based on an image obtained by placing a semiconductor substrate having a printed wiring on the front surface and a flat back surface on a temporary mounting table with the back surface facing upward, and picked up by a Schlieren imaging method. The present invention relates to a surface inspection apparatus for inspecting whether or not a crack exists in the semiconductor substrate.
半導体製造装置においては、基板の前工程および後工程において複数の処理が行なわれる。例えば、表面にプリント配線が施され、裏面が平坦な半導体基板の裏面を研削する工程、半導体基板の裏面研削された面を研磨して鏡面とする工程、裏面研削された半導体基板をフレ−ムに粘着テ−プを用いてマウントする工程、ダイシングテ−プを引き剥がす工程、ダイシング工程等である。従来、これらの各処理はバッチ処理されていたが、これら処理をする複数のチャンバをインラインで接続したマルチチャンバ方式の半導体製造装置を半導体基板製造メ−カ−が要求し、実用化されている。例えば、半導体基板の裏面を研削する工程、半導体基板の裏面研削された面を研磨して鏡面とする工程、裏面研削された半導体基板をフレ−ムに粘着テ−プを用いてマウントする工程を行うチャンバをインライン化した前処理工程の装置である(例えば、特許文献1参照。)。 In the semiconductor manufacturing apparatus, a plurality of processes are performed in the pre-process and post-process of the substrate. For example, a process of grinding a back surface of a semiconductor substrate having a printed wiring on the front surface and a flat back surface, a step of polishing the back ground surface of the semiconductor substrate to make a mirror surface, and a frame of the back ground semiconductor substrate And the like, a step of mounting using an adhesive tape, a step of peeling off the dicing tape, a dicing step, and the like. Conventionally, each of these processes has been batch-processed, but a semiconductor substrate manufacturing manufacturer requires a multi-chamber type semiconductor manufacturing apparatus in which a plurality of chambers for performing these processes are connected in-line, and has been put into practical use. . For example, a step of grinding the back surface of the semiconductor substrate, a step of polishing the back-ground surface of the semiconductor substrate to make a mirror surface, and a step of mounting the back-ground semiconductor substrate on the frame using an adhesive tape This is an apparatus for a pretreatment process in which a chamber to be performed is in-line (for example, see Patent Document 1).
マルチチャンバ方式の半導体製造装置においては、半導体基板の一部に生じた傷(クラック)や割れを確実に検知し、その傷や割れに起因する半導体製造装置の被害を最小に留めるために各チャンバで処理された半導体基板を次ぎの処理のチャンバ−に移動する前に半導体基板全体の画像を撮影し、画像を謙称して正常か異常か判別することが好ましい。 In a multi-chamber type semiconductor manufacturing apparatus, each chamber is used to reliably detect damage (cracks) and cracks generated in a part of a semiconductor substrate and to minimize damage to the semiconductor manufacturing apparatus due to the scratches and cracks. It is preferable to take an image of the entire semiconductor substrate before moving the processed semiconductor substrate to the chamber for the next processing and humbly identify the image to determine whether it is normal or abnormal.
従来のバッチ式製造装置では、処理された半導体基板の目視では判別できない傷の有無を光学顕微鏡で基板面を拡大して作業者が検証していたが、基板が鏡面であるため作業者の目が疲れ易いので、最近では、半導体基板の検査面に所定のパタ−ンを投影し、前記パタ−ンが投影された前記検査面の画像を取得し、少なくとも取得された前記画像の濃淡分布デ−タを用いて半導体基板のクラックを検出することが提案されている(例えば、特許文献2参照。)。 In conventional batch-type manufacturing equipment, the operator verified the presence or absence of scratches that could not be visually determined on the processed semiconductor substrate by enlarging the substrate surface with an optical microscope. Recently, a predetermined pattern is projected onto an inspection surface of a semiconductor substrate, an image of the inspection surface on which the pattern is projected is acquired, and at least a gray-scale distribution pattern of the acquired image is acquired. -It has been proposed to detect cracks in a semiconductor substrate using a mask (see, for example, Patent Document 2).
また、異なる焦点位置で同一箇所の撮像が可能な光学系と、この光学系より得られた画像を撮像する画像入力部と、該入力画像を所定量だけ移動しかつ濃淡に関して関して基準を適用した参照画像を生成し、画像入力部より出力された画像デ−タをメモリ−に格納することなくデ−タフロ−型プロセッサを用いたパイプライン処理により演算処理し、ダスト、異物、形状欠陥の検出を行う画像処理部とから構成される検査装置も提案されている(例えば、特許文献3参照。)。 In addition, an optical system capable of imaging the same location at different focal positions, an image input unit that captures an image obtained from the optical system, and a standard applied to the input image by moving the input image by a predetermined amount The reference image is generated, and the image data output from the image input unit is processed by pipeline processing using a data flow type processor without being stored in the memory, and dust, foreign matter, and shape defects are detected. An inspection apparatus including an image processing unit that performs detection has also been proposed (see, for example, Patent Document 3).
さらに、レザ−ビ−ムより照射された光を第1コリメ−タレンズで平行に拡散し、半導体基板を通過させた光を第2コリメ−タレンズで集光して結象させ、これをCCDカメラで撮像するシュリ−レン撮像方法も提案されている。このシュリ−レン撮像方法では、レザ−ビ−ムより照射された光と、第2コリメ−タレンズで集光された光の半分はそれぞれナイフエッジで遮光される。(特許文献4参照。)。シュリ−レン撮像方法は、シリコン基板のような鏡面を有する基板のクラック検査に適している。
本発明が解決しようとする問題点は、処理された半導体基板を一々、チャンバ外へ取り出し、チャンバ外に設置されている検査台に載置して基板のクラックの有無を検査するのではなく、インライン化された半導体製造装置のライン内で表面検査を行える表面検査装置を提供することにある。前記米国特許に記載されるシュリ−レン撮影法を用いるには、半導体製造装置に使用されているチャンバ内の仮置台やライン間に設けられた仮置台は基板を載せるステ−ジ部が不透明部材で形成されているため、ステ−ジ部を透明部材で製造したものに置き換え、ステ−ジ部の下面にカメラを設ける構造とする必要がある。本発明は、ステ−ジの上方にシュリ−レン撮像機を設置できるようになすものである。 The problem to be solved by the present invention is not to take out the processed semiconductor substrate one by one out of the chamber and place it on an inspection table installed outside the chamber to inspect for cracks in the substrate, An object of the present invention is to provide a surface inspection apparatus capable of performing a surface inspection within a line of an in-line semiconductor manufacturing apparatus. In order to use the schlieren photographing method described in the above-mentioned US Patent, a temporary placement table in a chamber used in a semiconductor manufacturing apparatus or a temporary placement table provided between lines has a stage portion on which a substrate is placed as an opaque member. Therefore, it is necessary to replace the stage portion with one made of a transparent member and to provide a camera on the lower surface of the stage portion. In the present invention, a schlieren imager can be installed above a stage.
請求項1の発明は、表面にプリントがなされ、裏面が平坦な半導体基板を裏面を上向きにして載置する仮置台、赤外線照射光源より照射された光をコリメ−タレンズで平行に拡散し、ビ−ムスプリッタで屈折させて前記半導体基板の裏面側に平行光線を向け、この平行光線を可変焦点レンズとシリコンレンズとを備えるシュリ−レン顕微鏡介して半導体基板面上に集光させ、半導体基板面を反射した光を前記ビ−ムスプリッタを通過させてカメラに結像させる撮影部であって、前記コリメ−タレンズの半分とカメラのレンズの半分を通過する光はナイフエッジで遮られる構造の撮像部、該撮影部に取得された画像の濃淡分布デ−タを微分したときの不連続部分の有無を検出する検出部、検出された不連続部分をその大きさからクラックか汚れかを判別する画像分類部、撮像した画像を表示器に出力するデ−タ処理部とを備えるシュリ−レン法表面検査装置を提供するものである。 According to the first aspect of the present invention, there is provided a temporary mounting table on which a semiconductor substrate having a printed back surface and a flat back surface is placed with the back surface facing upward, and light irradiated from an infrared irradiation light source is diffused in parallel by a collimator lens. Refracting by a beam splitter and directing parallel rays toward the back side of the semiconductor substrate, condensing the parallel rays on a semiconductor substrate surface through a Schlieren microscope having a variable focus lens and a silicon lens, An imaging unit that passes the beam splitter through the beam splitter and forms an image on the camera, and the light that passes through half of the collimator lens and half of the camera lens is blocked by a knife edge. , A detection unit for detecting the presence or absence of a discontinuous portion when differentiating the grayscale distribution data of the image acquired by the photographing unit, and the detected discontinuous portion is cracked or dirty from its size Image classification unit to determine, de outputs the captured image on the display - and provides a lens process surface inspection apparatus - Sri and a data processing unit.
本発明のシュリ−レン法を利用する表面検査装置では、仮置台の上方側に光源とカメラを含む撮像部を設置できるので、既存の半導体装置の構造を大幅に変える必要はない。 In the surface inspection apparatus using the schlieren method of the present invention, an imaging unit including a light source and a camera can be installed on the upper side of the temporary table, so that there is no need to significantly change the structure of an existing semiconductor device.
(実施例1)
図1は本発明の表面検査装置の側面図、図2はシュリ−レン撮像法により表示器画面上に映し出された基板の画像、図3は複数のチャンバがインライン化された半導体製造装置の一例を示す平面図、図4は別の態様を示す複数のチャンバがインライン化された半導体製造装置の一例を示す平面図である。
(Example 1)
FIG. 1 is a side view of a surface inspection apparatus of the present invention, FIG. 2 is an image of a substrate projected on a display screen by a schlieren imaging method, and FIG. 3 is an example of a semiconductor manufacturing apparatus in which a plurality of chambers are inlined. FIG. 4 is a plan view showing an example of a semiconductor manufacturing apparatus in which a plurality of chambers showing another embodiment are inlined.
図1に示されるシュリ−レン撮像法を利用する表面検査装置1において、wは半導体基板でその表面側aにはプリントがなされ、保護テ−プcで被覆され、裏面bが平坦な半導体基板である。2は半導体基板の裏面を上向きにして基板を載置する仮置台、3は赤外線照射光源、4は第1コリメ−タレンズ、5はナイフエッジでこれらで光源照射機構6を構成する。7はビ−ムスプリッタ、8は複合レンズ、9は可変集光レンズ、10はシリコンレンズで、これらでシュリ−レン顕微鏡11を構成する。12はカメラで前記シュリ−レン顕微鏡11に接続されている。カメラのレンズ前にはナイフエッジ13が置かれる。14はシュリ−レン顕微鏡の外筒である。これら光源照射機構6、シュリ−レン顕微鏡11、ナイフエッジ13およびカメラ12で撮影部15構成する。16はデ−タ処理部、17は画像記憶部、18は画像分類部、19は入出力部、20は表示器(CRT)、21はマウス、22はキ−ボ−ドである。
In the
表面検査装置1の外筒14は支持部材23に固定され、支持部材23の前面に上下に設けられたレ−ル24上をスライダ25が左右方向(x方向)に移動するように構成される。言いかえるとスライダ25の左右方向の移動により、表面検査装置1のシュリ−レン顕微鏡11も左右方向に移動可能である。前記支持部材23は、サ−ボモ−タ27の回転駆動を受けて回転するボ−ルネジ(図示されていない)に裏面を螺合された上下方向摺動板26の前面に固定されている。即ち、サ−ボモ−タ27の回転駆動を受けて上下方向摺動板26が固定板28の前面に設けられた案内レ−ル(図示されていない)上を移動することによりシュリ−レン顕微鏡11も上下方向(y方向)に移動可能である。
The
前記固定板28はコラム29前面に固定され、コラム29は水平方向に張り巡りされた案内レ−ル31,31を滑る滑走体30の下部に固定される。この滑走体30は図示されていないサ−ボモ−タとボ−ルネジおよび螺合体の駆動により前後方向(z方向)に移動できる。言いかえると、滑走体30の前後方向の移動により表面検査装置1のシュリ−レン顕微鏡11も前後方向に移動可能である。
The
基板w裏面の撮像は、半導体基板wの裏面を上向きにして仮置台2上に載置し、赤外線照射光源3より照射された光の半分をナイフエッジ5で遮光し、第1コリメ−タレンズ4で平行に拡散し、ビ−ムスプリッタ7で屈折させて前記半導体基板wの裏面側に平行光線を向け、シュリ−レン顕微鏡11を介してこの平行光線を半導体基板面上に集光させ、半導体基板面を反射した光は前記ビ−ムスプリッタ7を通過し、その通過光の半分をナイフエッジ13て遮光された後、カメラ12に結像させる。
For imaging the back surface of the substrate w, the semiconductor substrate w is placed on the temporary table 2 with the back surface facing upward, half of the light emitted from the infrared irradiation light source 3 is shielded by the knife edge 5, and the first collimator lens 4. Diffracted in parallel, refracted by the beam splitter 7, directed parallel light rays to the back side of the semiconductor substrate w, and condensed through the Schlieren
画像記憶部17は、撮影部15のカメラ12より送信されてきた画像信号を受け、検出部19で画像信号の濃淡分布デ−タを微分し、不連続部分の有無を検出する。画像分類部18は検出部19で検出された不連続部分の出力信号をその大きさ(長さを含む)からクラックか汚れかを判別する。撮像部15で撮像した画像は、デ−タ処理部16より発信される出力信号により表示器20に半導体基板wの画像を表示する(図3参照)。必要によりこの表示器20にクラック、汚れの有無を表示する信号を出力部19より発信し、表示器20画面上に基板の画像と一緒に表示させてもよい。
The
図2に示す表示器に映し出された基板表面の画像において、半導体基板の平坦面は濃度が明るい灰色に、クラック500、研磨屑600は濃度が濃い黒色となって表示される。クラックと研磨屑の区別は、研磨屑はミクロ的なもので、その大きさが数ミクロンから数十ミクロンの大きさで、不連続なドット状であり、クラックはマクロ的なもので、長さがmm単位で、連続した直線もしくは曲線状のものであることからデ−タ処理部で区別される。
In the image of the substrate surface displayed on the display shown in FIG. 2, the flat surface of the semiconductor substrate is displayed in a light gray color, and the
この基板表面検査装置1は、複数の基板加工処理装置を室内に備えた複数のチャンバをインラインで接続したマルチ(複合)チャンバ方式の半導体製造装置において、各チャンバで加工処理された半導体基板の外観を各チャンバ内で検査あるいは、次ぎの工程への受け渡しの仮置台上で半導体基板の外観を検査するのに使用される。
This substrate
図3に示すインライン化された基板加工装置100は、特許文献1(特開2002−151450号公報)に開示された半導体基板の裏面を研削する研削装置101、半導体基板の裏面研削された面をエッチング処理して鏡面とするエッチング処理機120、および裏面研削・エッチング処理された半導体基板をフレ−ムに粘着テ−プを用いてマウントする工程を行うマウンタ装置200の各チャンバをインライン化した前処理工程の装置を示す。
An in-line
図3に示す裏面研削装置とエッチング装置とマウンタ装置をインライン化した基板加工装置100において、101は裏面研削装置、120はエッチング装置、200はマウンタ装置、300はインライン化ウエハ搬送装置である。
裏面研削装置101は、左右にカセット117を対として前列に配置し、基台の上に左側のカセットの後部に基板用仮置台106を、右側のカセットの後部に洗浄機構113を対として次列に配置し、仮置台106と洗浄機構113後部の基台の中央部を刳り抜いた箇所にインデックスタ−ンテ−ブル108を設け、かつ、このインデックスタ−ンテ−ブルに該テ−ブルの軸心を中心に3基の基板チャック機構107を等間隔に回転自在に設けるとともに基板ロ−ディング/基板アンロ−ディングゾ−ン、粗研削ゾ−ンおよび仕上研削ゾ−ンにテ−ブルを区分けし、インデックスタ−ンテ−ブル108の後列には基台より起立させた枠体111に各研削ゾ−ンに適した砥石をスピンドル軸111a、111cに軸承させた研削機構を各研削ゾ−ンに位置する基板チャック機構に対応して設けている。
In the
The back grinding apparatus 101 is arranged in a front row with a pair of
前記1対のカセット117の列と前記仮置台106と洗浄機構113の列の間の基台略中央に多関節型搬送ロボット115を立設し、前記仮置台106上のデバイスウエハをインデックスタ−ンテ−ブルの基板ロ−ディング/基板アンロ−ディングゾ−ンのチャック機構に移送可能としている。
An articulated transfer robot 115 is erected substantially at the center between the pair of
インデックスタ−ンテ−ブルを設けた基台の略中央部の左右に設けた1対の軸に回転可能に取り付けられた柄に設けられた吸着パッド112は、それぞれ仮置台のデバイスウエハを基板ロ−ディング/基板アンロ−ディングゾ−ンのチャック機構117上に、また、基板ロ−ディング/基板アンロ−ディングゾ−ンのチャック機構上の裏面研削されたデバイスウエハを洗浄機構113のスピナ上に搬送する。
The suction pads 112 provided on the handle rotatably attached to a pair of shafts provided on the left and right of the substantially central portion of the base on which the index turn table is provided respectively support the device wafer of the temporary placement base. -The back-ground device wafer on the
エッチング装置120は側壁121で囲まれ、エッチャ−126は更に内仕切壁122により囲繞されている。125は搬送ロボット、133はシャッタ−機構である。
The
該研削装置101において、ロ−ディング用カセット117より多関節型ロボット115により仮置台106上に搬送された基板wは搬送パッド112に吸着され、搬送パッドを回動させてインデックステ−ブル118のロ−ディング/アンロ−ディングゾ−ンのチャック機構107に載せられ、インデックステ−ブルを120度時計廻り方向に回転させ、チャック機構107は第1研削ゾ−ンに移動する。
In the grinding apparatus 101, the substrate w transported onto the temporary table 106 by the articulated robot 115 from the
そこで、第1スピンドル軸111aに軸承された粗研削砥石でウエハwは粗研削され、ついで粗研削されたウエハはインデックステ−ブル118を120度回動させることにより仕上研削ゾ−ンに送られる。そこで、第2スピンドル軸111cに軸承された仕上研削砥石で仕上げ研削され、ついで、インデックステ−ブル118を120度回動させることにより仕上研削された基板はロ−ディング/アンロ−ディングゾ−ンに移送される。 Therefore, the wafer w is roughly ground with a rough grinding wheel supported by the first spindle shaft 111a, and then the roughly ground wafer is sent to the finish grinding zone by rotating the index table 118 by 120 degrees. . Therefore, the substrate that has been finish-ground by the finish grinding wheel supported by the second spindle shaft 111c and then finished by turning the index table 118 by 120 degrees is loaded into the loading / unloading zone. Be transported.
仕上研削された基板は、右側の搬送パッド112により吸着され、洗浄機構113に移送され、洗浄機構で洗浄、スピン乾燥された後、エッチング装置120内の搬送ロボット125により仕切壁の開口部を経て、エッチャ−126に移送され、そこで基板はエッチング、洗浄、スピン乾燥され、仮置台301上に多関節型ロボット125により移送される。
The finish-ground substrate is adsorbed by the transfer pad 112 on the right side, transferred to the
なお、第2スピンドル軸に軸承された仕上研削砥石で基板が仕上げ研削されている間に、新たな基板が、ロ−ディング用カセット117より多関節型ロボット115により仮置台106上に搬送され、そこで基板は搬送パッド112に吸着され、インデックステ−ブル118を120度回動させて粗研削用チャック機構107に載せられ、第1スピンドル軸に軸承された粗研削砥石で基板は粗研削される。このようにウエハの粗研削と仕上研削が同時に行われるのでウエハの研削装置のスル−プット時間を短縮することができる。
While the substrate is finish-ground by the finish grinding wheel supported by the second spindle shaft, a new substrate is transferred from the
エッチング装置120の正面壁にはインライン化ウエハ搬送装置300が設けられる。インラインウエハ搬送装置300は、仮置台301、仮置台の回転機構、仮置台の左右方向往復移動機構および透明なド−ムよりなる。仮置台301は回転機構により仮置台の支持ア−ム302が90度回転され仮想線に示す位置に仮置台301を移動する。仮想線で示された仮置台301は、ベルト315駆動で、マウンタ装置200の正面壁201a側(右方向)へ移動され、センサ313が仮置台を構成するロ−タリ−テ−ブル支持台の存在をキャッチ(仮置台は図1で仮想線に示す位置)すると制御装置に信号が伝達され、制御装置より減速機付きモ−タ−に駆動停止の指令がなされ、減速機付きモ−タ−の駆動が停止し、ベルトの移動も停止する。
An inline
マウンタ装置200は、周囲を側壁201a,201b,201c,201dで囲まれ、正面壁201aにはインライン化ウエハ搬送装置300の仮置台301が出入り可能な開口部202を有する。上面は天井203で覆われて側壁と天井で部室204を形成する。
部室204内には、ア−ム205がベ−ス206上に支持軸207で支えられ、ア−ム205の側面には下方にウエハ吸着板210を長尺状竿211で固定し、長尺状竿211をシリンダ212で昇降可能とし、シリンダ212をレ−ル213上を左右方向に移動可能に設置し、レ−ル213をスライダ−214で受け、スライダ−214は溝215を前後に往復移動できる。スライダ−214の往復駆動機構は図面からは省略されている。
The
An
吸着板210の中空部は、図示されていない真空ポンプに連結されており、該中空部を減圧することにより基板吸着板210はデバイスウエハwの保護テ−プで被覆されたデバイス面を吸着できる。
The hollow portion of the
基板吸着板210の上方には基板位置合わせ確認用の認識カメラが設けられており、仮置台301に載せられ移送されてきたデバイスウエハwのセンタリング調整に寄与する。即ち、仮置台301の中心点とデバイスウエハwの中心点が鉛直方向で一致しているか認識カメラで確認する。中心点の一致は、デバイスウエハwの中心点が仮置台301の中心点と一致するようにシリンダ212をレ−ル213上で左右方向に移動およびレ−ル213を受けるスライダ−214を溝215で前後移動して決める。なお、仮置台301の中心点とチャンバ−部219のフレ−ム中心点は同一線m上にあるように後述するインラインウエハ搬送装置300のセンサ据え付け位置により決められる。
A recognition camera for confirming the alignment of the substrate is provided above the
216はフレ−ムホルダ−で、下面に粘着テ−プTを貼着したフレ−ムFを多段積みし、下方よりシリンダにより底板をフレ−ム1枚分の高さづつ上昇できるようになっている。217はフレ−ムホルダ−216より送り出された最上段の下面に粘着テ−プを貼着したフレ−ムM1枚を左右方向に往復移動可能な軸218に取り付けられた吸引治具218aで吸引し、左方向に移動させベルト218b上でセンタリング終了後、吸引治具の減圧を止めてフレ−ムMを開放し、ついで、ベルト218bを間歇的に回転駆動させて左方向に位置するチャンバ−機構219へ移送するアライメント兼用移送機構である。
ついで、前述の基板吸着板210に吸着されたデバイスウエハwを後方向に前進させ、シリンダを下降させ、チャンバ−機構219上のフレ−ムに貼付された粘着テ−プ面に粘着させ、ついで、ウエハ吸着板210の減圧を止め、ウエハ吸着板210を上昇させ、前方向に後退させることによりフレ−ムに貼付された粘着テ−プ上にデバイスウエハがマウントされる。
Next, the device wafer w adsorbed on the
チャンバ−機構219の後部にはフレ−ム搬送・回転機構220が備え付けられている。フレ−ム搬送・回転機構220は、治具221に係合しているア−ム222をモ−タ223で回転軸224を180度回転させることによりチャンバ−機構219からフレ−ムを反転して搬送ア−ム225側端にフレ−ム一端を接触させ、図示されていない搬送機構でフレ−ムMを矢印で示す後方向に前進させて収納搬送路226に移動させ、そこでフレ−ムを90度回転させたカセット227へフレ−ムMを移動させて収納する。
A frame transport / rotation mechanism 220 is provided at the rear of the
本発明の表面検査装置1は、このインライン化された基板加工装置100のエッチング装置120の仮置台301上に離間して設ける。
The
図4は、別の態様を示すインライン化された基板加工装置100で、裏面研削装置101、エッチング装置に代えてポリッシング装置120’、UV照射/DAF貼り機(マウンタ装置)200およびダイシングテ−プ貼り機/グラインダテ−プ剥がし機400をインライン化したものである。本発明の表面検査装置1は、このインライン化された基板加工装置100のUV照射/DAF貼り機(マウンタ装置)200の仮置台301上およびマウントされた基板の搬送機構226上に離間して設ける。図4ではクラック検出と仮想矢印で示された円内の位置に表面検査装置1設けられる。
FIG. 4 shows an in-line
複数の基板加工処理装置をインライン化した半導体製造装置において、基板にクラックやゴミの付着が検出されたらどの加工処理チャンバで基板の加工処理が不充分であったか判別できる。 In a semiconductor manufacturing apparatus in which a plurality of substrate processing apparatuses are inlined, it is possible to determine in which processing chamber the substrate processing is insufficient when cracks or dust adhere to the substrate is detected.
1 表面検査装置
w 半導体基板
2 仮置台
3 光源
4 第1コリメ−タレンズ
5 ナイフエッジ
6 光源照射機構
7 ビ−ムスプリッタ
8 複合レンズ
9 可変集光レンズ
10 シリコンレンズ
11 シュリ−レン顕微鏡
12 カメラ(検出器)
13 ナイフエッジ
15 撮影部
16 デ−タ処理部
DESCRIPTION OF
13
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003330987A JP4392213B2 (en) | 2003-09-24 | 2003-09-24 | Surface inspection device for inspecting for cracks in semiconductor substrates |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003330987A JP4392213B2 (en) | 2003-09-24 | 2003-09-24 | Surface inspection device for inspecting for cracks in semiconductor substrates |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005098773A true JP2005098773A (en) | 2005-04-14 |
JP4392213B2 JP4392213B2 (en) | 2009-12-24 |
Family
ID=34459762
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003330987A Expired - Fee Related JP4392213B2 (en) | 2003-09-24 | 2003-09-24 | Surface inspection device for inspecting for cracks in semiconductor substrates |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4392213B2 (en) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7238087B1 (en) | 2006-03-29 | 2007-07-03 | Okamoto Machine Tool Works, Ltd. | Planarizing device and a planarization method for semiconductor substrates |
JP2008221416A (en) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | Monitoring equipment and method of semiconductor substrate in polishing stage |
KR20110081024A (en) | 2010-01-07 | 2011-07-13 | 가부시키가이샤 오카모도 코사쿠 기카이 세이사쿠쇼 | Planarization apparatus and method for semiconductor substrate |
JP2014044094A (en) * | 2012-08-24 | 2014-03-13 | Hitachi High-Technologies Corp | Substrate inspection method and device |
JP2018031634A (en) * | 2016-08-24 | 2018-03-01 | 株式会社ディスコ | Method for detecting inner cracks |
KR20180103716A (en) * | 2017-03-09 | 2018-09-19 | 배트 홀딩 아게 | Vacuum valve with optical sensor |
JP2021193744A (en) * | 2017-05-18 | 2021-12-23 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | Semiconductor manufacturing equipment and method for manufacturing semiconductor device |
CN115976490A (en) * | 2022-12-06 | 2023-04-18 | 上海铂世光半导体科技有限公司 | CVD diamond growth on-line measuring device |
KR102534667B1 (en) * | 2022-10-20 | 2023-05-26 | 세미랩코리아 주식회사 | Device for in-chamber type thin film analysis |
-
2003
- 2003-09-24 JP JP2003330987A patent/JP4392213B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7238087B1 (en) | 2006-03-29 | 2007-07-03 | Okamoto Machine Tool Works, Ltd. | Planarizing device and a planarization method for semiconductor substrates |
JP2007260850A (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | Flattening device of semiconductor substrate and flattening method |
JP2008221416A (en) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | Monitoring equipment and method of semiconductor substrate in polishing stage |
KR20110081024A (en) | 2010-01-07 | 2011-07-13 | 가부시키가이샤 오카모도 코사쿠 기카이 세이사쿠쇼 | Planarization apparatus and method for semiconductor substrate |
US8366514B2 (en) | 2010-01-07 | 2013-02-05 | Okamoto Machine Tool Works, Ltd. | Semiconductor substrate planarization apparatus and planarization method |
JP2014044094A (en) * | 2012-08-24 | 2014-03-13 | Hitachi High-Technologies Corp | Substrate inspection method and device |
JP2018031634A (en) * | 2016-08-24 | 2018-03-01 | 株式会社ディスコ | Method for detecting inner cracks |
KR20180103716A (en) * | 2017-03-09 | 2018-09-19 | 배트 홀딩 아게 | Vacuum valve with optical sensor |
KR102389821B1 (en) | 2017-03-09 | 2022-04-22 | 배트 홀딩 아게 | Vacuum valve with optical sensor |
JP2021193744A (en) * | 2017-05-18 | 2021-12-23 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | Semiconductor manufacturing equipment and method for manufacturing semiconductor device |
JP7225337B2 (en) | 2017-05-18 | 2023-02-20 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | Semiconductor manufacturing equipment and semiconductor device manufacturing method |
KR102534667B1 (en) * | 2022-10-20 | 2023-05-26 | 세미랩코리아 주식회사 | Device for in-chamber type thin film analysis |
CN115976490A (en) * | 2022-12-06 | 2023-04-18 | 上海铂世光半导体科技有限公司 | CVD diamond growth on-line measuring device |
CN115976490B (en) * | 2022-12-06 | 2023-12-19 | 上海铂世光半导体科技有限公司 | Online CVD diamond growth detection device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4392213B2 (en) | 2009-12-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5909276A (en) | Optical inspection module and method for detecting particles and defects on substrates in integrated process tools | |
CN1260800C (en) | Semiconductor wafer inspection apparatus | |
JP4916890B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
EP0935747B1 (en) | Automated inspection system with bright field and dark field illumination | |
KR100361962B1 (en) | Apparatus for inspecting the defects on the wafer periphery and method of inspection | |
US20130044316A1 (en) | Device and method for inspecting moving semicondutor wafers | |
TWI638426B (en) | Stripping device, stripping system, stripping method and information memory medium | |
JP2001082926A (en) | Mechanism and method for controlling focal position and apparatus and method for inspecting semiconductor wafer | |
JP4392213B2 (en) | Surface inspection device for inspecting for cracks in semiconductor substrates | |
KR20190111764A (en) | Grinding apparatus | |
TW201834051A (en) | Workpiece inspection method, workpiece inspection device and processing device more appropriately and easily detecting a grinding trace of a workpiece | |
KR20170062516A (en) | Wafer edge inspectoin with trajectory following edge profile | |
JP4876744B2 (en) | Inspection device | |
JP2008021884A (en) | Inspection apparatus | |
JPH09252035A (en) | Visual inspection method and device of semiconductor wafer | |
CN115295458A (en) | Wafer detection system and method | |
CN115372375A (en) | Wafer detection device and detection method | |
JP6101481B2 (en) | Internal inspection device for workpieces with laminated structure | |
JP5825268B2 (en) | Board inspection equipment | |
KR200188365Y1 (en) | Apparatus for inspecting the defects on the wafer periphery | |
JPH05160234A (en) | Bonding wire inspecting apparatus | |
TWI715662B (en) | Check device | |
WO2006019446A2 (en) | Double inspection of reticle or wafer | |
JP7370265B2 (en) | Processing method and processing equipment | |
JP4172124B2 (en) | Inspection device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060822 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090303 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090312 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091006 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091009 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121016 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121016 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131016 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |