JP2005094003A - サイズと動作マージンとが拡大された磁気メモリアレイ - Google Patents
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Abstract
【課題】MRAMのメモリセルアレイのサイズを拡大し、動作マージンを広げる。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)を作成するための方法は、選択されるまでは、動作中にMRAMアレイ内のどのメモリセルも絶縁する。いくつかの実施形態は、そのような電気的な絶縁のために直列接続されたダイオードを使用する。メモリセルのうちの選択されたものだけが、次にビット線とワード線との間のそれぞれに電流を流す。全てのメモリセルに対して、読み出し及びデータ書き込みのデータアクセス電流のより良好で、より一様な分布がもたらされる結果となる。他の実施形態においては、より大きなデータアレイに対応するために、この改善を用いて行及び列の数を増やす。更なる実施形態においては、そのような改善を用いて動作マージンを広げ、必要なデータ書き込み電圧と電流とを低減する。
【選択図】図1
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)を作成するための方法は、選択されるまでは、動作中にMRAMアレイ内のどのメモリセルも絶縁する。いくつかの実施形態は、そのような電気的な絶縁のために直列接続されたダイオードを使用する。メモリセルのうちの選択されたものだけが、次にビット線とワード線との間のそれぞれに電流を流す。全てのメモリセルに対して、読み出し及びデータ書き込みのデータアクセス電流のより良好で、より一様な分布がもたらされる結果となる。他の実施形態においては、より大きなデータアレイに対応するために、この改善を用いて行及び列の数を増やす。更なる実施形態においては、そのような改善を用いて動作マージンを広げ、必要なデータ書き込み電圧と電流とを低減する。
【選択図】図1
Description
本発明は磁気メモリデバイスアレイに関し、特に、そのようなアレイの実際のサイズを拡大するための技法及び回路に関する。
高密度、高速、不揮発性、低電力、及び低コストは、多くのメモリデバイスによって共有される共通の目標である。しかしながら現実的には、これら全てを得ることは実際には不可能なので、いくつかのトレードオフは避けられない。特定の用途が、どの方向で妥協すべきかを決定する。例えば、スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)は高速であるが、通常はより低密度になるという犠牲を払っている。そのようなことはCPU−キャッシュメモリの用途には有用である。ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)は高密度であるが、不揮発性ではない。従ってDRAMは通常、汎用コンピュータのためのメインメモリの用途に使用される。
磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)のような新規のメモリタイプは、本質的には不揮発性であるが、依然として、密度、アクセス速度などの間に妥協点を見出さなければならない。異なる磁気的な現象に基づいて、3つのタイプのMRAMが開発されている。例えば、異方性磁気抵抗MRAM、巨大磁気抵抗MRAM(又はジャイアント磁気抵抗MRAM)、及びトンネル磁気抵抗MRAMである。
トンネル磁気抵抗タイプのMRAMを、本明細書では対象とする。磁気トンネル接合(MJT)メモリセルのクロスポイントアレイは、ダイレクトアドレッシング(又はダイレクトにアドレス指定すること)を可能にする。各セルは、格納されているデジタルデータ値に依存する抵抗として現れる。
従来のMJTメモリセルは、電気的な絶縁体によって分離された2つの磁性層を備える。その絶縁体はとても薄いので、その絶縁体が接触する磁性層間にトンネル電流が流れやすくなる。そのようなトンネル電流は、絶縁体をすり抜ける磁界に依存する電気抵抗として現われる。上側の及び下側の磁性層は、楕円体として配置されるので、それらの磁化は2つの好ましい方向のうちの一方、例えばその楕円体の長軸方向に生じる。
下側の磁性層は、高い保磁力の材料で製造され、アニーリング処理ステップ中に設定された方向に永久磁化される。上側の磁性層は、より低い保磁力の材料を含み、ターゲットにされたクロスポイントアレイの交点において一致する、列及び行データ書き込み電流によって、磁性層の磁気的な方向が切り替えられる。
上側磁性層と下側磁性層との間に挟まれた絶縁体が受ける磁界は、2つの状態のうちの1つとなる。第1の状態は、両方の磁気的な方向が同じ状態であり、第2の状態は、磁気的な方向が反対の状態である。その磁界は、スピンがかかったトンネル電子が、絶縁体を通して突き抜けることができるか、又は通り抜けることができることの容易さに影響を及ぼす。従って、上側磁性「データ」層の状態を、絶縁体の両端に現れる電気抵抗を測定することによって読み出すことができる。
ヒューレット・パッカード社のMRAM技術には、MJTセルのクロスポイントアレイが含まれる。その技術により、各MJTセルの電気抵抗の差分が測定される。該読み出すことによって、上側磁性層の磁気的な方向を反転させる場合には、電流が生成され、その電流を検出することができる。そうすることによって次に、データ書き込みサイクルが、「等電位」の読み出しサイクル中に乱されたビットを復元させることができる。
メモリセルの大規模なアレイを構築することは、特定のセルによって現れるデータ書き込み電流が、選択されていないセルを通るスプリアスな(又は不要な)漏れ経路によって低減される可能性があるので問題になっている。ビット線及びワード線は、メモリセルの行及び列に接続されており、選択されたビット線と選択されたワード線との交点におけるメモリセルが、全てのデータ書き込み電流を受けることを意図して構成される。しかしながら、選択されたビット線上に、又は選択されたワード線上に配置されている他のメモリセルは、直列に複数のメモリセルを通って蛇行する漏れ経路に関与する可能性がある。各メモリセルはプログラム可能な抵抗として現れ、これらが個々のビット線及びワード線に負荷をかける可能性がある。その実際の影響は、そのようなビット線及びワード線の長さが制限され、従ってアレイのサイズもまた制限されることである。他の影響は、動作マージンが狭められることである。
ビット線及びワード線がそのように負荷をかけられず、より大きなアレイを製造できるように、そのような漏れ電流を制限するため、又は制御するための回路が必要とされる。
簡単に述べると、本発明の磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の実施形態は、セルのうちの選択されたものに、2つの状態間を電界の用途によって切り替えるための磁気メモリセルを含む。その磁気メモリセルは、データ書き込み電流を流すために、電気的に伝導性のある線に接続される。そのMRAMは、各磁気メモリセルにそれぞれが接続された複数のダイオードを含む。そのようなダイオードは、磁気メモリセルのうちの選択されていないものを通して漏れる電流を制限する。
メモリセルアレイのサイズを拡大し、動作マージンを広げることができる。
本発明は、本発明の実施形態の下記の説明からより完全に理解されるであろう。説明は添付図面を参照して行われる。
図1は、本発明の磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)アレイの実施形態を表し、全体を示す参照番号100によって本明細書において参照される。MRAM100は、クロスポイント構成内に、磁気メモリセル102のアレイと、漏れ遮断ダイオード104とを備える。各メモリセル102は、トンネル磁気抵抗(TMR)技術に基づく。その技術では、絶縁層が、局部の磁界によって影響されるトンネル電流を使用する。個別のセル102は、ワード線106及び108と、ビット線110とにより、読み出し−書き込みアクセスのために選択的にアドレス指定される。これらのビット線とワード線とは、クロスポイントアレイを構成して実装する数百ものそのような線を表す。
選択されたビット線とワード線との交点にあるメモリセルは、データ書き込み電流を受ける。その配電された電流は、印加された電圧と、そこに現れる経路抵抗との関数である。任意のセルにデータを書き込むためには最低限の電流が必要とされ、そのようなセルへの利用可能な超過の電流が、その動作マージンである。しかしながら、高過ぎる電圧、又は大き過ぎる電流は、選択されていないセルに対して、意図されていないデータを書き込む可能性がある。低過ぎる電圧、又は少な過ぎる電流は、選択されたセルへのデータの書き込みに、ランダムに又はコンスタントに失敗するという結果となる可能性がある。
漏れ遮断ダイオード104は、逆バイアスをかけられ、セル102のうちの選択されていないセル内にスプリアス電流(又は不要な電流)が流れるのを防ぐ。これを行うために、様々な種類のダイオード及びトランジスタをここでは用いることができる。ダイオード104は、ショットキーダイオード又は他のダイオードタイプとすることができる。メモリアレイ内の意図されていない経路を通して流れる漏れ電流を制御するために、トランジスタを用いることもできる。この例において、個々のダイオード104は、それぞれのワード線とビット線との間にあるセル102に直列に接続されている。
ビット線110にデータ書き込み電流が加えられる時には、その周りを磁界が取り囲む。その磁界を用いて、永久磁性データ層を逆の極性に反転させることにより、磁気メモリセル102を切り替える。従ってバイナリ情報を、ビット線110に加えられた電流によって生じた磁界の方向の関数として格納することができる。
スプリアス電流の経路は、アレイ内の磁気メモリセルのうちの複数のものを通して存在することができる。選択された行又は列を通して方向付けられたデータ書き込み電流の一部もまた、通常は、選択されたビット線及びワード線の周りを蛇行する都合の良い経路を通って漏れる。これらの電流は次いで、アレイを横切って漏れる場合がある。そのような電流の分布は予測することができないので、電流の分布はアレイ全体にわたってもまた一様ではない。選択された磁気メモリセルが実際に受けるデータ書き込み電流は、アレイ内のその位置の関数となる。
本発明の実施形態において、ダイオード104は、アレイ内の選択されていないセルを通るこれらのスプリアスな漏れ経路の大部分又は全てを遮断する。漏れ電流は、そのようなダイオードの無いMRAMのものと比べて低減される。アレイ内のそれぞれの磁気メモリセルに対する、配電されたデータ書き込み電流の、どのような不均一性も低減される。そのようなことが、より多数のセルを有する磁気メモリアレイを製造することを可能にさせ、且つ/又は、より良好な動作マージンを有する磁気メモリアレイを製造することを可能にさせる。
ダイオードは、アレイの任意の選択された磁気メモリセルの位置におけるデータ書き込み電流が、他の選択された磁気メモリセルのデータ書き込み電流と10%未満で異なるように選択される。電流不均一性の、行と列との数への依存性を予測するために、発明者は式1を導き出した。
ここで、εはデータ書き込み電流不均一性であり、ηは四角形のアレイ内の行の数であり、KDRはダイオードの逆バイアスインピーダンスに依存する定数である。例えば、所望の最大電流不均一性が10%である場合には、ε=0.11である。
MRAM100は、磁気メモリセルの列及び行をなす正方形アレイとすることができる。これらは、例えばビット線110と、ワード線106及び108とにより相互接続される。一例においては、各磁気メモリセルの抵抗はRm=1MΩとすることができ、各行又は列の抵抗はRr=113MΩとすることができる。行及びメモリセルの抵抗と比べて、配線抵抗が比較的小さくなるように、銅の金属被膜が用いられる。
ダイオード104の逆バイアス抵抗が、磁気メモリセル102の抵抗よりも10倍大きい場合には、式1における定数KDRは10.0である。式1は、10%の最大電流不均一性と、ε=0.1とを与えた場合には、最大アレイサイズが3435×3435となることを示す。
アレイ100がダイオード104を備えていなかった場合には、定数KDRは零となり、式1は、可能な最大アレイが1402×1402となることを予測する。ダイオード104の無い類似のアレイは、より少ない数の行及び列に制限され、10%よりも悪いデータ書き込み電流不均一性を有するであろう。
図1は、ビット線110を通してデータ書き込み電流を出力するデータ書き込み発生器112を含む。その回路はまた、ワード線106及び108を通して流れる電流を生成することもできる(ワード線106及び108のためのデータ書き込み発生器112への電気的な接続は図示せず)。
図1には示されていないが、MRAM100は典型的には、選択されたメモリセル102の抵抗を検知するための読み出し回路を備える。読み出し動作中に、ビット線110に一定の電圧が印加され、読み出し回路によって検知される。外部回路が一定の電圧源を提供することができる。
図2は、磁気メモリデバイス200を表し、ビット線110の一部、メモリセル102、ダイオード104、及びワード線108の一部(図1)に類似する。デバイス200は、ワード線206上に、磁気メモリセル202と、薄膜ダイオード204とを含む。薄膜ダイオード204は、磁気メモリセル202とワード線206とに電気的に直列である。
磁気メモリセル202は、切り替え可能な磁性「データ」層208と、薄い絶縁トンネル層210と、切り替え不可能な磁性「リファレンス」層212とを含む。データ層208は、ビット線214の下に接続される。
ダイオード204は、n型領域216とp型領域218とを備え、整流するP−N接合を形成する。n型及びp型領域は、例えば、p型に対してはホウ素を、n型に対してはリン又はヒ素を不純物として加えたアモルファスシリコンである。その領域及びそれらの接触面は、典型的には140nm×300nmである。
順方向バイアスをかけられると、ダイオードのインピーダンスは、磁気メモリセル202が示す値の約10%である。逆バイアスをかけられると、その抵抗は、例えば0.5〜1.0ボルトの電圧範囲の場合に、磁気メモリセル202の抵抗の10倍以上である。
データ層208はニッケル鉄を含み、リファレンス層212はコバルト鉄を含み、絶縁層210は二酸化アルミニウムを含む。全ての層は、約140nm×300nmの同じ平面エリアを有し、リファレンス層212、データ層208、及び絶縁層210は、約2.0nm、3.5nm、及び1.2nmの厚みを有する。磁気メモリセル202の抵抗は、約1メガオームである。ワード線206とビット線214とは銅を含む。
図3は、図1及び図2内の磁気メモリデバイスに類似の磁気メモリデバイス300の一部を表す。本質的には、漏れ遮断ダイオードは、各メモリセルの下ではなく、その上に積重される。磁気メモリセル302は、薄膜ダイオード304に関連付けられ、どちらもビット線306の下に配置される。磁気メモリセル302は、データ層308と、薄いトンネル絶縁層310と、磁性リファレンス層312とを備える。薄膜ダイオード304は、n型領域316と、p型領域318とを備える。
磁気メモリセル302は、磁気メモリセル302と、ダイオード304と、ビット線306との間に配置される他の層を含むことができる。n型領域とp型領域との順序は、用いられる極性に依存して逆にすることもできる。
一般に、ダイオードは、磁気メモリセルのそれぞれのものに関連付けられたデータ書き込み電流が、互いに15%未満か、理想的には10%以下だけ異なるように選択される。
それぞれの非線形ダイオードは、それぞれの磁気メモリセルに直列に接続されることができ、ワード線又はビット線に、及びそれぞれの磁気メモリセルに直列接続されることができる。それぞれの非線形ダイオードは、ビット線又はワード線と、それぞれの磁気メモリセルとの間に配置される。
そのダイオードは、ショットキーダイオードと、任意のタイプの薄膜ダイオードとを含むダイオードとすることができるが、代替として、電流の方向に依存する電流制限特性を有する任意の素子とすることもできる。
各ダイオードは、各磁気メモリセルの抵抗の10倍か又はそれより大きい逆バイアスインピーダンスを有する。代替の実施形態において、各磁気メモリセルの抵抗は、わずかに、磁気メモリセルの抵抗の5倍よりも大きいだけに過ぎなくすることができるか、あるいは2倍よりもわずかに大きいだけに過ぎなくすることができる。
本発明の方法の実施形態は、MRAMアレイ内のどのメモリセルも、選択されるまでは電気的に絶縁する。いくつかの実施形態では、そのような電気的な絶縁のために、直列接続されたダイオードを用いる。メモリセルのうちの選択されたものだけが、次にビット線とワード線との間のそれぞれのものに電流を流す。全てのメモリセルに対して、読み出し及びデータ書き込みのデータアクセス電流のより良好で、より一様な分布(配電)がもたらされる結果となる。一実施形態において、より大きなデータアレイに対応するために、この改善を用いて行及び列の数を増加する。他の実施形態においては、そのような改善を用いて動作マージンを広げ、必要なデータ書き込み電圧と電流とを低減する。
本発明は特定の例を参照して説明されてきたが、本発明を数多くの他の形態で具現化することができることは当業者であれば理解されよう。例えば、磁気メモリセルは、コロッサル磁気抵抗(又は巨大磁気抵抗)(CMR)又はジャイアント磁気抵抗(又は巨大磁気抵抗)(GMR)技術に基づくものとすることもできる。
102 磁気メモリセル
104 ダイオード
106、108 ワード線
110 ビット線
104 ダイオード
106、108 ワード線
110 ビット線
Claims (5)
- 磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイスであって、
インピーダンスの異なる値としてデータを格納する磁気メモリセル(102)のアレイと、
前記磁気メモリセル(102)のアレイ内のデータを、選択的にアクセスするためのビット線とワード線(106、108、110)とからなる格子と、
複数のダイオード(104)であって、それぞれが前記磁気メモリセル(102)のうちのそれぞれのものに直列に接続され、且つ、前記ビット線とワード線(106、108、110)とからなる格子のうちの対応するものの間に配置される、複数のダイオード
とを備え、
前記格子内で可能な前記ビット線とワード線(106、108、110)との数は、前記磁気メモリセル(102)のうちの選択されていないものを通して流れる漏れ電流を低減する前記複数のダイオード(104)を含むことによって増加されることからなる、MRAMデバイス。 - 前記アレイ全体にわたる前記磁気メモリセル(102)のそれぞれに関連付けられた前記格子(106、108、110)内のデータ書き込み電流の分布は、動作中に15%未満だけ異なる、請求項1に記載のMRAM。
- 磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイスであって、
インピーダンスの異なる値としてデータを格納する磁気メモリセル(102)のアレイと、
前記磁気メモリセル(102)のアレイ内のデータを、選択的にアクセスするためのビット線とワード線(106、108、110)とからなる格子と、
複数のダイオード(104)であって、それぞれが前記磁気メモリセル(102)のうちのそれぞれのものに直列に接続され、且つ、前記ビット線とワード線(106、108、110)とからなる格子のうちの対応するものの間に配置される、複数のダイオード
とを備え、
各メモリセル(102)に対する動作マージンは、前記磁気メモリセル(102)のうちの選択されていないものを通して流れる漏れ電流を低減する前記複数のダイオード(104)を含むことによって拡大されることからなる、MRAMデバイス。 - MRAMデバイスを作成するための方法であって、
選択されるまでは、動作中にMRAMアレイ内のどのメモリセル(102)も電気的に絶縁するステップと、
より大きなデータアレイに対応するために、行と列との数を増加させるステップ
とを含み、
選択されたビット線及びワード線(106、108、110)上の読み出し及びデータ書き込みのデータアクセス電流のより一様な分布が、全ての前記メモリセル(102)に対してもたらされる結果となることからなる、方法。 - MRAMデバイスを作成するための方法であって、
選択されるまでは、動作中にMRAMアレイ内のどのメモリセル(102)も電気的に絶縁するステップと、
最小のデータ書き込み電圧及び電流を低減するために、動作マージンを広げるステップ
とを含み、
選択されたビット線及びワード線(106、108、110)上の読み出し及びデータ書き込みのデータアクセス電流のより一様な分布が、全ての前記メモリセル(102)に対してもたらされる結果となることからなる、方法。
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