JP2005093787A - Device and method for processing substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、液晶表示デバイス等に使用されるガラス基板を処理するための基板処理装置及び基板処理方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a glass substrate used for a liquid crystal display device or the like.
LCD(Liquid Crystal Display)等の製造においては、LCD用のガラス基板上にITO(Indium Tin Oxide)の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジストをガラス基板に塗布し、これを露光し、さらに現像する。 In the manufacture of LCD (Liquid Crystal Display) and the like, a photolithography technique similar to that used in the manufacture of semiconductor devices to form an ITO (Indium Tin Oxide) thin film or electrode pattern on a glass substrate for LCD Is used. In the photolithography technique, a photoresist is applied to a glass substrate, which is exposed and further developed.
従来、ガラス基板が大型化する場合には、例えばガラス基板をレジスト塗布処理装置のプレートに鉛直に固定した状態で、塗布ノズルを上下動させてガラス基板の表面側からレジストをガラス基板に塗布する。これにより、ガラス基板の表面に、レジスト膜を形成していた。このとき用いられる塗布ノズルは、複雑かつ複数の部品で構成されていた。(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、特許文献1の技術では、塗布ノズルが複雑かつ複数の部品で構成されているためコスト高となると共に、ノズルの構造が複雑なのでメンテナンスが容易ではないという問題がある。
However, the technique disclosed in
また、基板の処理面が鉛直又は処理面を上に向けた状態で、塗布処理が施されるため、レジストが滴り易く、無駄になるレジスト量が多いという問題がある。 In addition, since the coating process is performed in a state where the processing surface of the substrate is vertical or the processing surface is directed upward, there is a problem that the resist tends to drip and a large amount of resist is wasted.
上記事情に鑑み、本発明は、低コストかつメンテナンスの容易な基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。 In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that are low in cost and easy to maintain.
本発明の更なる目的は、レジスト等の処理液の無駄を防止することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。 A further object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of preventing waste of processing liquid such as resist.
上記課題を解決するため、本発明に係る基板処理装置は、基板の処理面を下に向けて傾斜するように当該基板を保持可能な保持機構と、流出した処理液が前記処理面に接するように、前記保持機構で保持された前記基板の処理面に近接して配置されたノズルを有する処理液の供給機構と、前記ノズルを前記基板の処理面に沿って移動させるための駆動部とを具備する。 In order to solve the above-described problems, a substrate processing apparatus according to the present invention is configured such that a holding mechanism capable of holding a substrate so that the processing surface of the substrate is inclined downward, and the outflowing processing liquid is in contact with the processing surface. A processing liquid supply mechanism having a nozzle disposed in proximity to the processing surface of the substrate held by the holding mechanism, and a drive unit for moving the nozzle along the processing surface of the substrate. It has.
このような構成によれば、傾斜する基板の処理面に、例えば、下方から斜め上方に、すなわち重力に抗するようにノズルから処理液を流出させることができ、その上、その処理液が斜めに傾斜する基板の処理面に接するように流出される。これにより、ノズルの先端から流出する処理液の表面張力を有効に利用して塗布処理を施すことができる。したがって、ノズルの先端から流出して滴り無駄になる処理液の量を減少させることができる。またこれにより低コスト化を図ることができる。このとき、例えば略矩形状の開口を有する簡単な構造のノズルを利用することができる。このため、ノズルの製造コストを抑えて低コスト化を図ることができると共に、例えばノズルに洗浄液を流入させてノズルを洗浄することができるので、ノズルのメンテナンスが容易となる。 According to such a configuration, the processing liquid can flow out from the nozzle to the processing surface of the inclined substrate, for example, from the lower side to the upper side, that is, against the gravity. It flows out so that it may contact the process surface of the board | substrate which inclines. Thereby, the coating treatment can be performed by effectively using the surface tension of the treatment liquid flowing out from the tip of the nozzle. Therefore, it is possible to reduce the amount of the processing liquid that flows out from the tip of the nozzle and is wasted. This can also reduce the cost. At this time, for example, a nozzle having a simple structure having a substantially rectangular opening can be used. For this reason, it is possible to reduce the manufacturing cost of the nozzle and reduce the cost, and for example, it is possible to clean the nozzle by flowing a cleaning liquid into the nozzle, so that maintenance of the nozzle becomes easy.
本発明の一の形態によれば、前記ノズルは、処理液を吐出する吐出口を有し、該吐出口へ向けて斜め上方に処理液を導く導出部と、前記導出部の下方に配置され前記吐出口から流出した処理液を回収するための回収部とを有することを特徴とする。これにより、塗布処理時に吐出口へ向けて斜め上方に導かれ吐出口から滴る処理液を、回収部で回収し再利用することができる。また、例えば、洗浄液を導出部内に流入させることで、容易に導出部内及び回収部内を洗浄することができるので、メンテナンスが容易となる。 According to an aspect of the present invention, the nozzle has a discharge port that discharges the processing liquid, and is disposed below the lead-out portion and a lead-out portion that guides the processing liquid obliquely upward toward the discharge port. And a recovery unit for recovering the processing liquid flowing out from the discharge port. As a result, the treatment liquid guided obliquely upward toward the discharge port during the coating process and dripped from the discharge port can be recovered and reused by the recovery unit. Further, for example, by allowing the cleaning liquid to flow into the lead-out part, the inside of the lead-out part and the inside of the recovery part can be easily cleaned, so that maintenance becomes easy.
本発明の一の形態によれば、前記回収部は、前記保持機構に保持される前記基板に向けて前記吐出口より突出して設けられ、前記吐出口から流出した処理液を受ける受け部を有することを特徴とする。これにより、吐出口から滴る処理液を確実に回収することができる。 According to an aspect of the present invention, the collection unit includes a receiving unit that is provided to protrude from the discharge port toward the substrate held by the holding mechanism and receives the processing liquid that has flowed out of the discharge port. It is characterized by that. Thereby, the processing liquid dripping from the discharge port can be reliably collected.
本発明の一の形態によれば、前記回収部は、前記吐出口から流出した処理液を斜め下方に流通させるための流路を有することを特徴とする。これにより、回収部で回収した処理液を重力により斜め下方にスムーズに流すことができる。 According to an aspect of the present invention, the collection unit has a flow path for allowing the processing liquid flowing out from the discharge port to flow obliquely downward. Thereby, the process liquid collect | recovered by the collection | recovery part can be smoothly flowed diagonally downward by gravity.
本発明の一の形態によれば、前記吐出口の開口面は、鉛直方向に対する傾斜角が10度乃至20度であることを特徴とする。これにより、例えば、吐出口の開口面の傾斜角が10度未満又は20度を超えるときに処理液が滴り易くなることを抑制することができる。 According to an aspect of the present invention, the opening surface of the discharge port has an inclination angle with respect to a vertical direction of 10 degrees to 20 degrees. Thereby, for example, when the inclination angle of the opening surface of the discharge port is less than 10 degrees or exceeds 20 degrees, it is possible to prevent the treatment liquid from being easily dripped.
本発明の一の形態によれば、前記保持機構は、鉛直方向に対する前記基板の傾斜角を10度乃至20度にして前記基板を保持することを特徴とする。これにより、例えば、基板の傾斜角が10度未満又は20度を超えるときに処理液が滴り易くなることを抑制することができる。また、例えば、吐出口の開口面の傾斜角と、基板の処理面の傾斜角とを同じに設定することができる。このため、例えば、ノズルの先端を基板の処理面に近づけるようにすることで、処理液の滴りを更に効果的に抑制することができる。 According to an aspect of the present invention, the holding mechanism holds the substrate with an inclination angle of the substrate with respect to a vertical direction of 10 degrees to 20 degrees. Thereby, for example, when the tilt angle of the substrate is less than 10 degrees or exceeds 20 degrees, it is possible to suppress the treatment liquid from being easily dripped. Further, for example, the inclination angle of the opening surface of the discharge port and the inclination angle of the processing surface of the substrate can be set to be the same. For this reason, for example, the dripping of the processing liquid can be more effectively suppressed by bringing the tip of the nozzle closer to the processing surface of the substrate.
本発明の一の形態によれば、前記保持機構は、前記基板上に塗布される処理液の種類に応じて前記基板の鉛直方向に対する傾斜角を可変する手段を有することを特徴とする。これにより、例えば、粘度が小さい処理液のときには傾斜角を大きくすることで処理液の滴りを抑制し、粘度が大きい処理液のときには傾斜角を小さくすることで、スムーズに処理液を流して効率的に塗布処理を行うことができる。本発明において、例えば、作業員が処理液の種類に応じて予め保持機構の角度設定を基板処理装置に入力し、処理を開始するようにすればよい。 According to one aspect of the present invention, the holding mechanism includes means for varying an inclination angle of the substrate with respect to a vertical direction in accordance with the type of processing liquid applied on the substrate. As a result, for example, when the treatment liquid has a low viscosity, the dripping of the treatment liquid is suppressed by increasing the inclination angle, and when the treatment liquid has a large viscosity, the inclination angle is reduced, thereby allowing the treatment liquid to flow smoothly and efficiently. The coating process can be performed automatically. In the present invention, for example, the worker may input the angle setting of the holding mechanism in advance to the substrate processing apparatus in accordance with the type of the processing liquid and start the processing.
本発明の一の形態によれば、前記保持機構は、前記基板を加熱するための加熱部を有していることを特徴とする。これにより、例えば、処理液の塗布処理時に、基板を加熱して処理液の固形化を促進させることができるので、より効果的に無駄となる処理液を減少させることができる。 According to an aspect of the present invention, the holding mechanism has a heating unit for heating the substrate. As a result, for example, at the time of applying the treatment liquid, the substrate can be heated to promote solidification of the treatment liquid, so that the waste of the treatment liquid can be reduced more effectively.
本発明の一の形態によれば、少なくとも前記保持機構に保持された前記基板の周囲の雰囲気を密閉可能な筐体と、前記筐体内を窒素雰囲気とするための窒素供給機構とを更に具備することを特徴とする。これにより、例えば、処理液の塗布処理時に、筐体内を窒素雰囲気とすることで、塗布処理を窒素雰囲気中で行い、処理液の酸化を防止することができる。 According to an aspect of the present invention, the apparatus further includes a casing capable of sealing at least an atmosphere around the substrate held by the holding mechanism, and a nitrogen supply mechanism for making the inside of the casing have a nitrogen atmosphere. It is characterized by that. Thus, for example, when the treatment liquid is applied, the interior of the housing is set to a nitrogen atmosphere, so that the application treatment can be performed in a nitrogen atmosphere and the oxidation of the treatment liquid can be prevented.
本発明の他の観点に係る基板処理装置は、基板の処理面を下に向けて傾斜するように当該基板を保持可能な保持機構と、前記保持機構で保持された前記基板の処理面に近接して配置され、かつ、該処理面に対向するように処理液を吐出する吐出口が設けられたノズルを有する処理液の供給機構と、前記ノズルを前記基板の処理面に沿って移動させるための駆動部とを具備する。 A substrate processing apparatus according to another aspect of the present invention includes a holding mechanism capable of holding the substrate so that the processing surface of the substrate is inclined downward, and a proximity to the processing surface of the substrate held by the holding mechanism. And a processing liquid supply mechanism having a nozzle provided with a discharge port for discharging the processing liquid so as to face the processing surface, and for moving the nozzle along the processing surface of the substrate The drive part is comprised.
本発明では、保持機構で保持された前記基板の処理面に近接して配置され、かつ、該処理面に対向するようにノズルの吐出口が設けられている。このため、傾斜する基板の処理面に、例えば、下方から斜め上方に、すなわち重力に抗するようにノズルから処理液を流出させることができ、その上、その処理液を斜めに傾斜する基板の処理面に接するように流出させることができる。これにより、ノズルの先端から流出する処理液の表面張力を有効に利用して塗布処理を施すことができる。したがって、ノズルの先端から流出して滴り無駄になる処理液の量を減少させることができる。またこれにより低コスト化を図ることができる。このとき、例えば略矩形状の開口を有する簡単な構造のノズルを利用することができる。このため、ノズルの製造コストを抑えて低コスト化を図ることができると共に、例えばノズルに洗浄液を流入させてノズルを洗浄することができるので、ノズルのメンテナンスが容易となる。 In the present invention, the nozzle discharge port is provided so as to be disposed in the vicinity of the processing surface of the substrate held by the holding mechanism and to face the processing surface. For this reason, for example, the processing liquid can flow out from the nozzle to the processing surface of the inclined substrate from the lower side to the upper side, that is, against gravity, and the processing liquid is inclined to the inclined surface. It can be allowed to flow out in contact with the processing surface. Thereby, the coating treatment can be performed by effectively using the surface tension of the treatment liquid flowing out from the tip of the nozzle. Therefore, it is possible to reduce the amount of the processing liquid that flows out from the tip of the nozzle and is wasted. This can also reduce the cost. At this time, for example, a nozzle having a simple structure having a substantially rectangular opening can be used. For this reason, it is possible to reduce the manufacturing cost of the nozzle and reduce the cost, and for example, it is possible to clean the nozzle by flowing a cleaning liquid into the nozzle, so that maintenance of the nozzle becomes easy.
本発明に係る基板処理方法は、基板を保持可能な保持機構と、前記保持機構で保持された前記基板の処理面に近接して配置されたノズルを有する処理液の供給機構とを具備する基板処理装置の基板処理方法であって、(a)前記保持機構により基板を保持する工程と、(b)前記工程(a)の後に、前記基板を前記処理面が下に向くように傾ける工程と、(c)前記工程(b)の後に、前記駆動部を作動させ前記ノズルを当該処理面に沿って上方から下方に移動させることにより当該処理面に当該処理液を塗布する工程とを具備する。 A substrate processing method according to the present invention includes a holding mechanism capable of holding a substrate, and a processing liquid supply mechanism having a nozzle disposed in proximity to a processing surface of the substrate held by the holding mechanism. A substrate processing method of a processing apparatus, comprising: (a) a step of holding a substrate by the holding mechanism; and (b) a step of tilting the substrate so that the processing surface faces downward after the step (a). (C) After the step (b), the step of applying the processing liquid to the processing surface by operating the driving unit and moving the nozzle from the upper side to the lower side along the processing surface. .
これにより、基板を保持機構により保持した後傾けるので、基板の処理面が下に向くように傾いた状態とすることができる。また、例えば、下方から斜め上方に、すなわち重力に抗するようにノズルから処理液を流出させることができ、その上、その処理液が斜めに傾斜する基板の処理面に接するように流出される。これにより、ノズルの先端から流出する処理液の表面張力を有効に利用して塗布処理を施すことができる。したがって、ノズルの先端から流出して滴り無駄となる処理液の量を減少させて低コスト化を図ることができる。このとき、例えば簡単な構造のノズルを利用することができるので、低コスト化を図ることができると共に、ノズル洗浄などのメンテナンスが容易となる。また、ノズルを基板の処理面に沿って上方から下方に移動させて塗布する。このため、例えば、ノズルを下方から上方に移動させるときに、基板に塗布された処理液の表面に再び塗布中の処理液が滴り、処理液の膜厚が不均一となることを回避することができる。 Accordingly, since the substrate is tilted after being held by the holding mechanism, the substrate can be tilted so that the processing surface of the substrate faces downward. In addition, for example, the processing liquid can flow out from the nozzle obliquely upward, that is, against gravity, and further, the processing liquid flows out so as to contact the processing surface of the substrate inclined obliquely. . Thereby, the coating treatment can be performed by effectively using the surface tension of the treatment liquid flowing out from the tip of the nozzle. Therefore, it is possible to reduce the cost by reducing the amount of processing liquid that flows out from the tip of the nozzle and is wasted. At this time, for example, a nozzle having a simple structure can be used, so that the cost can be reduced and maintenance such as nozzle cleaning is facilitated. In addition, the nozzle is moved from the upper side to the lower side along the processing surface of the substrate for coating. For this reason, for example, when the nozzle is moved from the lower side to the upper side, the processing liquid being applied again drops on the surface of the processing liquid applied to the substrate, and the film thickness of the processing liquid is prevented from becoming uneven. Can do.
本発明の一の形態によれば、前記ノズルは、処理液を吐出する吐出口を有し、該吐出口へ向けて斜め上方に処理液を導く導出部と、前記導出部の下方に配置され前記吐出口から流出した処理液を回収するための回収部とを有し、前記工程(c)の途中で、前記吐出口から流出した処理液の一部を、前記回収部により回収する工程を更に具備することを特徴とする。これにより、塗布処理時に吐出口から滴り無駄となる処理液を減少させることができる。また、例えば、洗浄液を導出部内に流入させることで、回収部内も容易に洗浄することができる。 According to an aspect of the present invention, the nozzle has a discharge port that discharges the processing liquid, and is disposed below the lead-out portion and a lead-out portion that guides the processing liquid obliquely upward toward the discharge port. A recovery unit for recovering the processing liquid flowing out from the discharge port, and a step of recovering a part of the processing liquid flowing out from the discharge port by the recovery unit in the middle of the step (c) Furthermore, it is characterized by comprising. As a result, it is possible to reduce the processing liquid that is wasted and dropped from the discharge port during the coating process. Further, for example, the inside of the recovery unit can be easily cleaned by allowing the cleaning liquid to flow into the lead-out unit.
本発明の一の形態によれば、前記工程(a)又は工程(b)の後に、前記基板を加熱するための工程を更に具備することを特徴とする。これにより、処理液の固形化を促進させて処理液の滴りを更に抑制することができる。 According to an aspect of the present invention, the method further includes a step of heating the substrate after the step (a) or the step (b). Thereby, solidification of a processing liquid can be accelerated | stimulated and the dripping of a processing liquid can further be suppressed.
本発明の一の形態によれば、前記工程(c)を窒素雰囲気中で行うことを特徴とする。これにより、例えば、処理液の酸化などを防止することができる。 According to one aspect of the present invention, the step (c) is performed in a nitrogen atmosphere. Thereby, for example, oxidation of the treatment liquid can be prevented.
本発明によれば、基板処理装置の低コスト化を図ることができかつメンテナンスが容易となる。 According to the present invention, the cost of the substrate processing apparatus can be reduced, and maintenance is facilitated.
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明の実施形態に係るLCDガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view showing a resist coating and developing apparatus for an LCD glass substrate according to an embodiment of the present invention.
このレジスト塗布現像処理装置100は、複数のLCD基板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーション1と、LCD基板Gにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ユニットステーション2と、露光装置4との間でLCD基板Gの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション3とを備えている。処理ユニットステーション2の両端にはそれぞれカセットステーション1およびインターフェイスステーション3が配置されている。なお、図1において、レジスト塗布現像処理装置100の長手方向をX方向、平面上においてX方向と直交する方向をY方向とする。
The resist coating and developing
カセットステーション1は、カセットCと処理ユニットステーション2との間でLCD基板Gの搬入出を行うための搬送装置11を備えており、このカセットステーション1において外部に対するカセットCの搬入出が行われる。また、搬送装置11は搬送アーム11aを有し、カセットCの配列方向であるY方向に沿って設けられた搬送路10上を移動可能であり、搬送アーム11aによりカセットCと処理ユニットステーション2との間でLCD基板Gの搬入出が行われる。
The
処理ユニットステーション2は、基本的にX方向に伸びるLCD基板Gの搬送用の平行な2列の搬送ラインA、Bを有している。搬送ラインAに沿ってカセットステーション1側からインターフェイスステーション3に向けてスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21、第1の熱的処理ユニットセクション26、レジスト処理ユニット23および第2の熱的処理ユニットセクション27が配列されている。また、搬送ラインBに沿ってインターフェイスステーション3側からカセットステーション1に向けて第2の熱的処理ユニットセクション27、現像処理ユニット(DEV)24、i線UV照射ユニット(i−UV)25および第3の熱的処理ユニットセクション28が配列されている。スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21の上の一部にはエキシマUV照射ユニット(e−UV)22が設けられている。なお、エキシマUV照射ユニット(e−UV)22はスクラバ洗浄に先立ってLCD基板Gの有機物を除去するために設けられ、i線UV照射ユニット(i−UV)25は現像の脱色処理を行うために設けられる。
The
上記スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21は、その中でLCD基板Gが従来のように回転されることなく搬送されつつ洗浄処理および乾燥処理を行うようになっている。上記現像処理ユニット(DEV)24も、その中でLCD基板Gが回転されることなく、搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液洗浄、および乾燥処理を行うようになっている。なお、これらスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21および現像処理ユニット(DEV)24では、LCD基板Gの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、LCD基板Gの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、i線UV照射ユニット(i−UV)25へのLCD基板Gの搬送は、現像処理ユニット(DEV)24の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。 The scrub cleaning unit (SCR) 21 performs a cleaning process and a drying process while the LCD substrate G is transported without being rotated as in the prior art. The development processing unit (DEV) 24 also performs the application of the developer, the developer cleaning after the development, and the drying process while being transported without rotating the LCD substrate G therein. In the scrub cleaning processing unit (SCR) 21 and the development processing unit (DEV) 24, the LCD substrate G is transported by, for example, roller transport or belt transport, and the carry-in port and the carry-out port of the LCD substrate G face each other. It is provided on the short side. Further, the conveyance of the LCD substrate G to the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 is continuously performed by a mechanism similar to the conveyance mechanism of the development processing unit (DEV) 24.
レジスト処理ユニット23は、レジスト液をLCD基板G上に塗布するためのレジスト塗布処理装置(CT)23a、LCD基板G上に形成されたレジスト膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置(VD)23b、および図示を省略したステージに載置されたLCD基板Gの四辺をスキャン可能な溶剤吐出ヘッドによりLCD基板Gの周縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除去装置(ER)23cがその順に配置されている。このレジスト処理ユニット23は、相対向する短辺にLCD基板Gの搬入口および搬出口が設けられており、図示を省略した搬送ローラによりLCD基板Gの受け渡しが可能となっている。
The resist
第1の熱的処理ユニットセクション26は、LCD基板Gに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された2つの熱的処理ユニットブロック(TB)31,32を有しており、熱的処理ユニットブロック(TB)31はスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21側に設けられ、熱的処理ユニットブロック(TB)32はレジスト処理ユニット23側に設けられている。そして、これら2つの熱的処理ユニットブロック(TB)31,32の間に第1の搬送装置33が設けられている。図2の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック(TB)31は、下から順にLCD基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)61、LCD基板Gに対して脱水ベーク処理を行う2つの脱水ベークユニット(DHP)62,63、LCD基板Gに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット(AD)64の4段積層されて構成されており、熱的処理ユニットブロック(TB)32は、下から順にLCD基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)65、LCD基板Gを冷却する2つのクーリングユニット(COL)66,67、LCD基板Gに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット(AD)68の4段積層されて構成されている。第1の搬送装置33は、パスユニット(PASS)61を介してのスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21からのLCD基板Gの受け取り、上記熱的処理ユニット間のLCD基板Gの搬入出、およびパスユニット(PASS)65を介してのレジスト処理ユニット23へのLCD基板Gの受け渡しを行う。
The first thermal
第1の搬送装置33は、上下に延びるガイドレール91と、ガイドレール91に沿って昇降する昇降部材92と、昇降部材92上を旋回可能に設けられたベース部材93と、ベース部材93上を前進後退可能に設けられ、LCD基板Gを保持する基板保持アーム94とを有している。そして、昇降部材92の昇降はモータ95によって行われ、ベース部材93の旋回はモータ96によって行われ、基板保持アーム94の前後動はモータ97によって行われる。第1の搬送装置33はこのように上下動、前後動、旋回動可能に設けられているので、熱的処理ユニットブロック(TB)31,32のいずれのユニットにもアクセス可能である。
The
第2の熱的処理ユニットセクション27は、LCD基板Gに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された2つの熱的処理ユニットブロック(TB)34,35を有しており、熱的処理ユニットブロック(TB)34はレジスト処理ユニット23側に設けられ、熱的処理ユニットブロック(TB)35は現像処理ユニット(DEV)24側に設けられている。そして、これら2つの熱的処理ユニットブロック(TB)34,35の間に第2の搬送装置36が設けられている。図3の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック(TB)34は、下から順にLCD基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)69、LCD基板Gに対してプリベーク処理を行う3つのプリベークユニット(PREBAKE)70,71,72の4段積層されて構成されており、熱的処理ユニットブロック(TB)35は、下から順にLCD基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)73、LCD基板Gを冷却するクーリングユニット(COL)74、LCD基板Gに対してプリベーク処理を行う2つのプリベークユニット(PREBAKE)75,76の4段積層されて構成されている。第2の搬送装置36は、パスユニット(PASS)69を介してのレジスト処理ユニット23からのLCD基板Gの受け取り、上記熱的処理ユニット間のLCD基板Gの搬入出、パスユニット(PASS)73を介しての現像処理ユニット(DEV)24へのLCD基板Gの受け渡し、および後述するインターフェイスステーション3の基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44に対するLCD基板Gの受け渡しおよび受け取りを行う。なお、第2の搬送装置36は、第1の搬送装置33と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック34,35のいずれのユニットにもアクセス可能である。
The second thermal
第3の熱的処理ユニットセクション28は、LCD基板Gに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された2つの熱的処理ユニットブロック(TB)37,38を有しており、熱的処理ユニットブロック(TB)37は現像処理ユニット(DEV)24側に設けられ、熱的処理ユニットブロック(TB)38はカセットステーション1側に設けられている。そして、これら2つの熱的処理ユニットブロック(TB)37,38の間に第3の搬送装置39が設けられている。図4の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック(TB)37は、下から順にLCD基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)77、LCD基板Gに対してポストベーク処理を行う3つのポストベークユニット(POBAKE)78,79,80の4段積層されて構成されており、熱的処理ユニットブロック(TB)38は、下から順にポストベークユニット(POBAKE)81、LCD基板Gの受け渡しおよび冷却を行うパス・クーリングユニット(PASS・COL)82、LCD基板Gに対してポストベーク処理を行う2つのポストベークユニット(POBAKE)83,84の4段積層されて構成されている。第3の搬送装置39は、パスユニット(PASS)77を介してのi線UV照射ユニット(i−UV)25からのLCD基板Gの受け取り、上記熱的処理ユニット間のLCD基板Gの搬入出、パス・クーリングユニット(PASS・COL)82を介してのカセットステーション1へのLCD基板Gの受け渡しを行う。なお、第3の搬送装置39も第1の搬送装置33と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック(TB)37,38のいずれのユニットにもアクセス可能である。
The third thermal
なお、上記スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21およびエキシマUV照射ユニット(e−UV)22へのLCD基板Gの搬入は、カセットステーション1の搬送装置11によって行われる。また、スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21のLCD基板Gは上述したように例えばコロ搬送により熱的処理ユニットブロック(TB)31のパスユニット(PASS)61に搬出され、そこで図示しないピンが突出されることにより持ち上げられたLCD基板Gが第1の搬送装置33により搬送される。また、レジスト処理ユニット23へのLCD基板Gの搬入は、第1の搬送装置33によりLCD基板Gがパスユニット(PASS)65に受け渡された後、搬入口から行われる。レジスト処理ユニット23では、LCD基板Gが搬出口を通って熱的処理ユニットブロック(TB)34のパスユニット(PASS)69まで搬送され、そこで突出されたピン(図示せず)上にLCD基板Gが搬出される。現像処理ユニット(DEV)24へのLCD基板Gの搬入は、熱的処理ユニットブロック(TB)35のパスユニット(PASS)73において図示しないピンを突出させて基板を上昇させた状態から下降させることにより、パスユニット(PASS)73まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより行われる。i線UV照射ユニット(i−UV)25のLCD基板Gは例えばコロ搬送により熱的処理ユニットブロック(TB)37のパスユニット(PASS)77に搬出され、そこで図示しないピンが突出されることにより持ち上げられたLCD基板Gが第3の搬送装置39により搬送される。さらに全ての処理が終了した後のLCD基板Gは、熱的処理ユニットブロック(TB)38のパス・クーリングユニット(PASS・COL)82に搬送されてカセットステーションの搬送装置11により搬出される。
Note that the LCD substrate G is carried into the scrub cleaning unit (SCR) 21 and the excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 by the
処理ユニットステーション2では、以上のように2列の搬送ラインA,Bを構成するように、かつ基本的に処理の順になるように各処理ユニットおよび搬送装置が配置されており、これら搬送ラインA,Bの間には、空間部40が設けられている。そして、この空間部40を往復動可能にシャトル(基板載置部材)41が設けられている。このシャトル41はLCD基板Gを保持可能に構成されており、搬送ラインA,Bとの間でLCD基板Gが受け渡し可能となっている。
In the
インターフェイスステーション3は、処理ユニットステーション2と露光装置4との間での間でLCD基板Gの搬入出を行う搬送装置42と、バッファカセットを配置するバッファーステージ(BUF)43と、冷却機能を備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44とを有しており、タイトラー(TITLER)と周辺露光装置(EE)とが上下に積層された外部装置ブロック45が搬送装置42に隣接して設けられている。搬送装置42は搬送アーム42aを備え、この搬送アーム42aにより処理ユニットステーション2と露光装置4との間でLCD基板Gの搬入出が行われる。
The
このように構成されたレジスト塗布現像処理装置100においては、まず、カセットステーション1に配置されたカセットC内のLCD基板Gが、搬送装置11により処理ユニットステーション2のエキシマUV照射ユニット(e−UV)22に搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで、搬送装置11により、LCD基板GがエキシマUV照射ユニット(e−UV)22の下に配置されたスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21に搬入され、スクラブ洗浄される。このスクラブ洗浄では、LCD基板Gが従来のように回転されることなく搬送されつつ、洗浄処理および乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプのスクラバ洗浄処理ユニットを2台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。スクラブ洗浄処理後、LCD基板Gは例えばコロ搬送により第1の熱的処理ユニットセクション26に属する熱的処理ユニットブロック(TB)31のパスユニット(PASS)61に搬出される。
In the resist coating and developing
パスユニット(PASS)61に配置されたLCD基板Gは、図示しないピンが突出されることにより持ち上げられ、第1の熱的処理ユニットセクション26に搬送されて以下の一連の処理が行われる。すなわち、まず最初に、熱的処理ユニットブロック(TB)31の脱水ベークユニット(DHP)62,63のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック(TB)32のクーリングユニット(COL)66,67のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック(TB)31のアドヒージョン処理ユニット(AD)64、および熱的処理ユニットブロック(TB)32のアドヒージョン処理ユニット(AD)68のいずれかに搬送され、そこでHMDSによりアドヒージョン処理(疎水化処理)され、その後、上記クーリングユニット(COL)66,67のいずれかに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック(TB)32のパスユニット(PASS)65に搬送される。この際に搬送処理は全て第1の搬送装置33によって行われる。なお、アドヒージョン処理を行わない場合もあり、その場合には、LCD基板Gは、脱水ベークおよび冷却の後、直ちにパスユニット(PASS)65に搬送される。
The LCD substrate G disposed in the pass unit (PASS) 61 is lifted by protruding a pin (not shown), and is transported to the first thermal
その後、パスユニット(PASS)65に配置されたLCD基板Gが例えば搬送ローラによりレジスト処理ユニット23内へ搬入される。そして、LCD基板Gはまずその中のレジスト塗布処理装置(CT)23aに搬送され、そこでLCD基板Gに対するレジスト液の塗布が実施され、次いで搬送ローラにより減圧乾燥装置(VD)23bに搬送されて減圧乾燥され、さらに搬送ローラにより周縁レジスト除去装置(ER)23cに搬送されてLCD基板G周縁の余分なレジストが除去される。そして、周縁レジスト除去終了後、LCD基板Gは搬送ローラによりレジスト処理ユニット23から搬出される。このように、レジスト塗布処理装置(CT)23aの後に減圧乾燥装置(VD)23bを設けるのは、これを設けない場合には、レジストを塗布したLCD基板Gをプリベーク処理した後や現像処理後のポストベーク処理した後に、リフトピン、固定ピン等の形状がLCD基板Gに転写されることがあるが、このように減圧乾燥装置(VD)により加熱せずに減圧乾燥を行うことにより、レジスト中の溶剤が徐々に放出され、加熱して乾燥する場合のような急激な乾燥が生じず、レジストに悪影響を与えることなくレジストの乾燥を促進させることができ、基板上に転写が生じることを有効に防止することができるからである。
Thereafter, the LCD substrate G disposed in the pass unit (PASS) 65 is carried into the resist processing
このようにして塗布処理が終了し、搬送ローラによりレジスト処理ユニット23から搬出されたLCD基板Gは、第2の熱的処理ユニットセクション27に属する熱的処理ユニットブロック(TB)34のパスユニット(PASS)69に受け渡される。パスユニット(PASS)69に配置されたLCD基板Gは、第2の搬送装置36により、熱的処理ユニットブロック(TB)34のプリベークユニット(PREBAKE)70,71,72および熱的処理ユニットブロック(TB)35のプリベークユニット(PREBAKE)75,76のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック(TB)35のクーリングユニット(COL)74に搬送されて所定温度に冷却される。そして、第2の搬送装置36により、さらに熱的処理ユニットブロック(TB)35のパスユニット(PASS)73に搬送される。
The coating process is completed in this way, and the LCD substrate G carried out of the resist processing
その後、LCD基板Gは第2の搬送装置36によりインターフェイスステーション3のエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44へ搬送され、インターフェイスステーション3の搬送装置42により外部装置ブロック45の周辺露光装置(EE)に搬送されて周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで搬送装置42により露光装置4に搬送されてそこでLCD基板G上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によってはバッファーステージ(BUF)43上のバッファカセットにLCD基板Gを収容してから露光装置4に搬送される。
Thereafter, the LCD substrate G is transported to the extension / cooling stage (EXT / COL) 44 of the
露光終了後、LCD基板Gはインターフェイスステーション3の搬送装置42により外部装置ブロック45の上段のタイトラー(TITLER)に搬入されてLCD基板Gに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44に載置され、そこから再び処理ユニットステーション2に搬入される。すなわち、LCD基板Gは第2の搬送装置36により、第2の熱的処理ユニットセクション27に属する熱的処理ユニットブロック(TB)35のパスユニット(PASS)73に搬送される。そして、パスユニット(PASS)73においてピンを突出させてLCD基板Gを上昇させた状態から下降させることにより、現像処理ユニット(DEV)24からパスユニット(PASS)73まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることによりLCD基板Gが現像処理ユニット(DEV)24へ搬入され、現像処理が施される。この現像処理では、LCD基板Gが従来のように回転されることなく、例えばコロ搬送により搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプの現像処理ユニットを3台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。
After the exposure is finished, the LCD substrate G is carried into the upper titler (TITLER) of the
現像処理終了後、LCD基板Gは現像処理ユニット(DEV)24から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりi線UV照射ユニット(i−UV)25にコロ搬送され、LCD基板Gに対して脱色処理が施される。その後、LCD基板Gはi線UV照射ユニット(i−UV)25内の搬送機構、例えばコロ搬送により第3の熱的処理ユニットセクション28に属する熱的処理ユニットブロック(TB)37のパスユニット(PASS)77に搬出される。
After completion of the development processing, the LCD substrate G is roller-transferred to the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 by a transfer mechanism continuous from the development processing unit (DEV) 24, for example, roller transfer, and the LCD substrate G is decolorized. Is given. After that, the LCD substrate G is transferred to a pass unit (TB) 37 of the thermal processing unit block (TB) belonging to the third thermal
パスユニット(PASS)77に配置されたLCD基板Gは、第3の搬送装置39により熱的処理ユニットブロック(TB)37のポストベークユニット(POBAKE)78,79,80および熱的処理ユニットブロック(TB)38のポストベークユニット(POBAKE)81,83,84のいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック(TB)38のパス・クーリングユニット(PASS・COL)82に搬送されて所定温度に冷却された後、カセットステーション1の搬送装置11によって、カセットステーション1に配置されている所定のカセットCに収容される。
The LCD substrate G disposed in the pass unit (PASS) 77 is transferred to the post processing unit block (POBAKE) 78, 79, 80 of the thermal processing unit block (TB) 37 and the thermal processing unit block ( TB) is transferred to one of post-baking units (POBAKE) 81, 83, 84 of 38 and post-baked, and then transferred to a pass cooling unit (PASS / COL) 82 of thermal processing unit block (TB) 38. After being cooled to a predetermined temperature, it is accommodated in a predetermined cassette C disposed in the
図5はレジスト塗布処理装置(CT)23aの断面図である。レジスト塗布処理装置(CT)23aは、LCD基板Gの処理面Gaを下に向けて傾斜するようにLCD基板Gを保持可能な保持機構50Aと、LCD基板Gの処理面Gaにレジストを供給するためのノズル57を有するレジスト供給機構50Bと、ノズル案内板55に沿ってノズル57を移動させるための例えばエアシリンアやモータ55dを有するノズル駆動部55Cを具備している。
FIG. 5 is a cross-sectional view of the resist coating apparatus (CT) 23a. The resist coating processing apparatus (CT) 23a supplies a resist to the processing surface Ga of the LCD substrate G and a
保持機構50Aは、LCD基板Gを保持するためのチャックプレート51、チャックプレート51を回動軸51aの回りに回動させるための回動モータ51c、LCD基板Gを処理面Ga側から固定するためのクリップ53、及び、LCD基板Gをチャックプレート51に吸着するための真空ポンプ58を有している。
The
チャックプレート51には、X方向に渡る回動軸51aが設けられており、チャックプレート51が回動軸51aの回りに回動可能に構成されている。チャックプレート51の回動軸51aの回りの回動は、例えば、回動モータ51cによって行われる。チャックプレート51は、鉛直方向に対する傾斜角θが10度以上20度以下になるように変更可能とされている。すなわち、チャックプレート51に保持されたLCD基板Gの処理面Gaは、鉛直方向に対する傾斜角が10度以上20度以下となる。レジストの塗布処理時の傾斜角θは、LCD基板G上に塗布されるレジストの種類(粘度)、膜厚などに応じて決定されている。
The
チャックプレート51の略中央には、貫通孔51bが形成されている。この貫通孔51bは、例えば導通管を介して真空ポンプ58に接続されている。真空ポンプ58の駆動によりチャックプレート51上のLCD基板Gは、チャックプレート51に吸着される。
A through
チャックプレート51には、例えば、LCD基板Gの処理面Ga側の四隅を保持するためのクリップ53が位置調整可能に設けられている。クリップ53の位置を調整することで、LCD基板Gを処理面Ga側から保持できるように構成されている。
For example, clips 53 for holding four corners on the processing surface Ga side of the LCD substrate G are provided on the
チャックプレート51には、LCD基板Gを搬送するための複数の搬送ローラ52aが回転可能に配設されている。搬送ローラ52aにより上流工程からLCD基板Gが搬送されてチャックプレート51上に載置される。
A plurality of
従って、LCD基板Gは、真空ポンプ58によりチャックプレート51に吸着され、真空チャックされる。このため、レジスト塗布時に、LCD基板Gの傾斜角が10度以上20度以下となっても、LCD基板Gがチャックプレート51に保持される。
Therefore, the LCD substrate G is attracted to the
チャックプレート51内には、例えば、吸着したLCD基板Gを加熱するためのヒータ54が埋設されている。なお、例えば、回動モータ51cの回転パルス数、搬送ローラ52aの回転速度、タイミング、ヒータ54の温度及び真空ポンプ58の圧力などの制御は、制御部Tにより行われている。
In the
レジスト供給機構50Bは、ノズル57をLCD基板Gの処理面Gaに沿って案内するための板状のノズル案内板55、ノズル案内板55を回動軸55aの回りに回動させる回動モータ55c及びノズル57にレジストを供給するためのレジスト供給部49とを有している。
The resist
ノズル案内板55は、チャックプレート51から後述する所定距離離れた位置に配置されており、例えば下端部に回動軸55aを有している。ノズル案内板55内には、例えば、回動軸55aの回りにノズル案内板55を回動させるための回動モータ55cが配置されている。回動モータ55cの駆動により、ノズル案内板55は、回動軸55aの回りに回動可能とされている。ノズル案内板55の鉛直方向に対する傾斜角は、レジスト塗布処理時にLCD基板Gと略平行となるように変更可能とされている。
The
ノズル案内板55には、ノズル57がLCD基板Gの処理面Gaに沿って移動可能に設けられている。ノズル57は、ノズル57にレジストを供給するための後述するレジスト供給部49に接続されている。なお、回動モータ55cの回転パルス数やレジスト供給部49の例えば後述するポンプの駆動タイミングなどの制御は、制御部Tにより行われている。
A
ノズル駆動部55Cのエアシリンアやモータ55dなどは、例えば、ノズル案内板55内に設けられている。ノズル57は、モータ55dの駆動により例えば図示を省略したベルトなどを介して上方から斜め下方に移動可能に構成されている。エアシリンダやモータ55dの駆動は制御部Tにより制御されている。
The air cylinder and the
筐体50によりチャックプレート51に保持されたLCD基板Gの周囲は密閉状態とされる。筐体50は、例えば、筐体50内を窒素雰囲気とするための窒素供給機構47に接続されている。窒素供給機構47は、例えば図示しない真空ポンプと窒素ボンベとを有している。例えば、この真空ポンプにより筐体50内を真空にし、窒素ボンベにより筐体50内を窒素雰囲気とすることができるように構成されている。
The periphery of the LCD substrate G held on the
図6は、レジスト塗布処理装置(CT)23aのノズル57の外観斜視図である。図6に示すように、ノズル57は、レジストを吐出する吐出口57dを有し、吐出口57dに向けて下方から斜め上方にレジストを導く導出部57aと、導出部57aの下方に配置され導出部57aの吐出口57dから流出したレジストを回収する回収部57bとを有している。ノズル57は、導出部57aと回収部57bとにより断面略V字状の形状を有している。ノズル57の幅(X方向の長さ)は、例えばLCD基板Gの塗布幅とほぼ等しい幅に設定されている。
FIG. 6 is an external perspective view of the
図7は、レジスト塗布処理装置(CT)23aのノズル57の側面図である。図7に示すように、導出部57aのレジストを導出する方向の長さは、導出部57aの吐出口57dから流出するレジストSがLCD基板Gの処理面Gaに接して塗布されるように設定されている。この長さに合うように、チャックプレート51とノズル案内板55との間隔が設定されている。吐出口57dの開口面57cは、鉛直方向に対する傾斜角θが、10度以上20度以下に設定されている。回動モータ51cにより、吐出口57dの開口面57cの傾斜角θと、LCD基板Gの処理面Gaの傾斜角とを同じに設定することができる。水平面に対する導出部57aの傾斜角θ1は、例えば、10度以上20度以下に設定されている。回収部57bは、水平面に対して傾斜角θ2の角度で傾斜している(θ1>θ2>0)。吐出口57dの開口面57cは、LCD基板Gの処理面Gaに対向するように傾斜している。なお、LCD基板Gの傾斜角と開口面57cの傾斜角θとが同じとなる例を示したが、両者の角度を厳密に同じにする必要はなく、ある程度対向するように配置されていればよい。
FIG. 7 is a side view of the
回収部57bは、チャックプレート51に保持されたLCD基板Gに向けて吐出口57dより突出して設けられている。これにより、確実に吐出口57dから流出されるレジストSを回収することができる。回収部57bの先端部には、レジストSが回収部57bから溢れ出ないようにするための受け口57hが形成されている。これにより、吐出口57dから流出するレジストSを受け口57hにより確実に受けることができる。回収部57bには、吐出口57dから流出し受け口57hで受けたレジストを、斜め下方に流通させるための流路57rが形成されている。レジスト塗布処理時にレジストが滴らないように、ノズル57の移動速度、レジストの種類、膜厚、傾斜角θ、θ1などが調整されている。
The
レジスト供給部49は、レジストを蓄えるためのレジストタンク60aと、回収部57bで回収したレジストを一時的に貯留するレジスト回収タンク60bとを有している。レジストタンク60aは、レジスト供給チューブ59aを介して導出部57aに接続されている。また、レジスト回収タンク60bは、レジスト回収チューブ59bを介して回収部57bに接続されている。レジストタンク60aとレジスト回収タンク60bとは、連結チューブにより連結されている。図示を省略したポンプなどによりレジストタンク60aから導出部57aにレジストを供給することができるように構成されている。また、図示を省略したポンプなどによりレジスト回収タンク60bからレジストタンク60aにレジストを供給することができるように構成されている。
The resist
次に、レジスト塗布処理装置(CT)23aの動作について図8を参照しながら説明する。 Next, the operation of the resist coating apparatus (CT) 23a will be described with reference to FIG.
まず、図8(A)に示すように、搬送ローラ52aによりローラ搬送されたLCD基板Gをチャックプレート51で受け取る。このとき、チャックプレート51は、例えば、LCD基板Gの処理面Gaが上を向くように配置されている。次いで、真空ポンプ58を作動させLCD基板Gをチャックプレート51に吸着し、クリップ53よりLCD基板Gをチャックプレート51に固定する。次いで、チャックプレート51内のヒータ54を加熱する。
First, as shown in FIG. 8A, the LCD substrate G transported by the
続いて、図8(B)に示すように、回動モータ51cを駆動させてチャックプレート51を回動軸51aの回りに回動し、チャックプレート51の鉛直方向に対する傾斜角θを10度以上20度以下とする。これにより、LCD基板Gの傾斜角θと、ノズル案内板55の傾斜角とがほぼ同じとなる。また、LCD基板Gは処理面Gaを下に向けて傾斜し、処理面Gaはノズル57の開口面57cに近接する。なお、チャックプレート51を傾けた後に、チャックプレート51内のヒータ54を加熱するようにしてもよい。
Subsequently, as shown in FIG. 8B, the
次いで、図8(C)に示すように、図示を省略したポンプを駆動させレジストタンク60a内のレジストをレジスト供給チューブ59aを介してノズル57の導出部57aに供給する。続いて、モータ55dを駆動して、ノズル57をチャックプレート51に沿って上方から下方に(矢印方向に)移動させる。これにより、LCD基板Gの処理面Ga上にレジストが一定の膜厚で塗布される。このとき、導出部57aの吐出口57dから滴るレジストSを回収部57bの受け口57hで受け、レジスト回収チューブ59b、レジスト回収タンク60bを介してレジストタンク60a内に回収する。
Next, as shown in FIG. 8C, a pump (not shown) is driven to supply the resist in the resist
レジストの吐出が終了すると、モータ55dを駆動させ、ノズル57を図8(C)に示す初期設定位置に帰還させる。そして、回動モータ51aを駆動させチャックプレート51をLCD基板Gの処理面Gaが上方を向くように傾け、チャックプレート51の搬送ローラ52aを駆動させ、LCD基板Gを次の工程に搬送する。
When the discharge of the resist is completed, the
このように本実施形態によれば、傾斜するLCD基板Gの処理面Gaに、例えば、下方から斜め上方に、すなわち重力に抗するようにノズル57からレジストを流出させることができ、その上、レジストが斜めに傾斜するLCD基板Gの処理面Gaに接するように流出される。これにより、ノズル57の先端の吐出口57dから流出するレジストの表面張力を有効に利用して塗布処理を施すことができる。したがって、ノズル57の吐出口57dから流出して滴り無駄となるレジストの量を減少させて低コスト化を図ることができる。このとき、例えば簡単な構造のノズル57を利用することができる。このため、ノズル57の製造コストを抑えて低コスト化を図ることができる。また、例えば吐出口57dに洗浄液を流入させてノズル57を洗浄することができるので、ノズル57のメンテナンスが容易となる。
As described above, according to the present embodiment, the resist can flow out from the
本実施形態によれば、ノズル57は、導出部57aと回収部57bとを有している。これにより、塗布処理時に導出部57aの吐出口57dから滴るレジストを回収部57bで回収し再利用することができる。また、例えば、洗浄液を導出部57aに流入させることで、容易に吐出口57d内及び回収部57内を洗浄することができる。従って、ノズル57のメンテナンス時間や機器調整時間を短縮することができるので、低コスト化を図ることができる。
According to the present embodiment, the
本実施形態によれば、導出部57aの開口面57cは、鉛直方向に対する傾斜角θが10度以上20度以下に設定されている。これにより、例えば、傾斜角θが10度未満又は20度を超えるときにレジストが滴り易くなることを抑制することができる。例えば、図9に示すように、ノズル57の吐出口57dから流出するレジストには、鉛直下方に大きさSgの力が働く。大きさSgの力を、LCD基板Gに沿う斜め下方の成分Svと、処理面Gaに垂直な方向の成分Stとに分解して考えると、LCD基板Gが鉛直に配置された場合に比べて成分Svの大きさが小さくなる。すなわち、LCD基板Gを斜めにして塗布処理を施すことで、レジストの表面張力を利用しながら傾斜したLCD基板Gに沿ってレジストが滴ることを抑制することができる。
According to the present embodiment, the opening
本実施形態によれば、チャックプレート51は、回動軸51aの回りに傾斜角θを変更可能に構成されている。これにより、例えば、レジストの膜厚が大きいときには傾斜角θを大きくすることでレジストの滴りを抑制し、膜厚が小さいときには傾斜角θを小さくすることでスムーズにレジストを流して効率的に塗布処理を行うことができる。
According to the present embodiment, the
本実施形態によれば、チャックプレート51をLCD基板Gの処理面Gaが下に向くように傾けた後、チャックプレート51をヒータ54により加熱する。これにより、チャックプレート51を介してLCD基板Gの温度を上昇させ、レジストの固形化を促進させてレジストの滴りを抑制することができる。従って、塗布処理時に滴り無駄となるレジストの量を更に減少させて、塗布処理の低コスト化を図ることができる。
According to this embodiment, after the
本実施形態によれば、窒素雰囲気中でレジストをLCD基板Gに塗布する。これにより、例えば、ノズル57の吐出口57dから流出するレジストの酸化などを防止することができる。従って、より品質のよいレジスト塗布済みLCD基板Gを得ることができる。また、回収部57bで回収されるレジストの酸化を防止することができるので、再利用されるレジストの品質を維持することができる。
According to this embodiment, a resist is applied to the LCD substrate G in a nitrogen atmosphere. Thereby, for example, oxidation of the resist flowing out from the
本実施形態によれば、ノズル57をLCD基板Gの処理面Gaに沿って上方から下方に移動させてレジストを塗布する。このため、例えば、ノズル57を下方から上方に移動させるときに、LCD基板Gの処理面Gaに塗布されたレジストの表面に再び塗布中のレジストが滴り、レジストの膜厚が不均一となることを回避することができる。
According to the present embodiment, the resist is applied by moving the
本実施形態によれば、水平面に対して回収部57bが傾斜角θ2(θ2>0)の角度で傾斜している。また、回収部57bには流路57rが形成されている。このため、受け口57hで受けたレジストを重力を利用して流路57rに沿って流し、レジスト回収タンク60b内にスムーズに導くことができる。
According to the present embodiment, the
本実施形態によれば、回動モータ51cにより、ノズル57の開口面57cの傾斜角θと、LCD基板Gの処理面Gaの傾斜角とを同じに設定することができる。これにより、例えば、ノズル57の開口面57cをLCD基板Gの処理面Gaに近づけるように設定することで、レジストの滴りを更に効果的に抑制することができる。
According to the present embodiment, the tilt angle θ of the opening
本実施形態によれば、回収部57bは、チャックプレート51に保持されたLCD基板Gに向けて吐出口57dより突出して設けられている。これにより、重力により鉛直下方に滴るレジストを確実に受け口57hで受けることができる。
According to the present embodiment, the
本発明は以上説明した実施形態には限定されるものではなく、種々の変形が可能である。 The present invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications are possible.
なお、本実施形態では、図7に示す断面略V字状のノズル57を用いる例を示した。しかしながら、ノズルの形状はこれに限定されず、例えば、図10に示すように、図7に示す導出部57aと同形状の導出部57fと、導出部57fから流出するレジストを回収するための回収部57gとがほぼ平行となるように構成されたノズル57Aを用いてもよい。このようにすることで、ノズルの構造がより単純になるので、ノズルの低コスト化を図ることができる。
In the present embodiment, an example in which the
本実施形態では、レジスト回収チューブ59bがレジスト回収タンク60bに接続されている例を示した。しかしながら、レジスト回収チューブ59bをレジスト回収タンク60bを介さずに直接レジストタンク60aに接続するようにしてもよい。このようにすれば、レジスト回収タンク60bが不要となるので、更に低コスト化を図ることができる。
In the present embodiment, an example in which the resist
本実施形態では、図6に示すノズル57の長手方向がX方向となるように、ノズル57をノズル案内板55に固定する例を示した。しかしながら、ノズルの長手方向がノズル案内板55の上下方向となるようにノズル57をノズル案内板55に固定し、レジスト塗布時にノズル57をX方向(ほぼ水平方向)に移動するようにしてもよい。このようにしても、簡単な構造のノズル57などを利用してレジストをLCD基板Gに塗布することができる。
In this embodiment, the example which fixes the
本実施形態では、図5に示すようにチャックプレート51に搬送ローラ52aが配設されている例を示した。しかしながら、搬送ローラ52aは、必ずしも必要でない。例えば、上、下流工程の基板搬送用のサブアームにより、基板Gの搬送を行うようにしてもよい。このようにしても同様に基板Gを搬送することができる。
In the present embodiment, as shown in FIG. 5, an example in which the
G…LCD基板
Ga…処理面
θ…傾斜角
CT…レジスト塗布処理装置
T…制御部
47…窒素供給機構
50…筐体
50A…保持機構
50B…レジスト供給機構
50C…ノズル駆動部
51…チャックプレート
51a…回動軸
51c…回動モータ
54…ヒータ
55C…ノズル駆動部
55d…モータ
57、57A…ノズル
57a…導出部
57b…回収部
57c…開口面
57d…吐出口
57h…受け口
57r…流路
100…レジスト塗布現像処理装置
G ... LCD substrate Ga ... processing surface .theta .... tilt angle CT ... resist coating processing apparatus T ...
Claims (14)
流出した処理液が前記処理面に接するように、前記保持機構で保持された前記基板の処理面に近接して配置されたノズルを有する処理液の供給機構と、
前記ノズルを前記基板の処理面に沿って移動させるための駆動部と
を具備することを特徴とする基板処理装置。 A holding mechanism capable of holding the substrate so that the processing surface of the substrate is inclined downward,
A processing liquid supply mechanism having a nozzle disposed in proximity to the processing surface of the substrate held by the holding mechanism so that the outflowing processing liquid is in contact with the processing surface;
And a drive unit for moving the nozzle along the processing surface of the substrate.
前記ノズルは、
処理液を吐出する吐出口を有し、該吐出口へ向けて斜め上方に処理液を導く導出部と、
前記導出部の下方に配置され前記吐出口から流出した処理液を回収するための回収部と
を有することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The nozzle is
A discharge port that discharges the treatment liquid, and a lead-out portion that guides the treatment liquid obliquely upward toward the discharge port;
A substrate processing apparatus comprising: a recovery unit that is disposed below the lead-out unit and recovers the processing liquid that has flowed out of the discharge port.
前記回収部は、
前記保持機構に保持される前記基板に向けて前記吐出口より突出して設けられ、前記吐出口から流出した処理液を受ける受け部を有することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2,
The collection unit
A substrate processing apparatus, comprising: a receiving portion that is provided so as to protrude from the discharge port toward the substrate held by the holding mechanism and that receives a processing liquid flowing out from the discharge port.
前記回収部は、前記吐出口から流出した処理液を斜め下方に流通させるための流路を有することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2,
The substrate processing apparatus, wherein the recovery unit has a flow path for allowing the processing liquid flowing out from the discharge port to flow obliquely downward.
前記吐出口の開口面は、鉛直方向に対する傾斜角が10度乃至20度であることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the opening surface of the discharge port has an inclination angle with respect to a vertical direction of 10 degrees to 20 degrees.
前記保持機構は、鉛直方向に対する前記基板の傾斜角を10度乃至20度にして前記基板を保持することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the holding mechanism holds the substrate at an inclination angle of 10 to 20 degrees with respect to a vertical direction.
前記保持機構は、前記基板上に塗布される処理液の種類に応じて前記基板の鉛直方向に対する傾斜角を可変する手段を有することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the holding mechanism includes means for varying an inclination angle of the substrate with respect to a vertical direction in accordance with a type of processing liquid applied on the substrate.
前記保持機構は、前記基板を加熱するための加熱部を有することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the holding mechanism includes a heating unit for heating the substrate.
少なくとも前記保持機構に保持された前記基板の周囲の雰囲気を密閉可能な筐体と、
前記筐体内を窒素雰囲気とするための窒素供給機構と
を更に具備することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
A housing capable of sealing at least the atmosphere around the substrate held by the holding mechanism;
The substrate processing apparatus further comprising: a nitrogen supply mechanism for making the inside of the casing have a nitrogen atmosphere.
前記保持機構で保持された前記基板の処理面に近接して配置され、かつ、該処理面に対向するように処理液を吐出する吐出口が設けられたノズルを有する処理液の供給機構と、
前記ノズルを前記基板の処理面に沿って移動させるための駆動部と
を具備することを特徴とする基板処理装置。 A holding mechanism capable of holding the substrate so that the processing surface of the substrate is inclined downward,
A treatment liquid supply mechanism having a nozzle disposed near the processing surface of the substrate held by the holding mechanism and provided with a discharge port for discharging the processing liquid so as to face the processing surface;
And a drive unit for moving the nozzle along the processing surface of the substrate.
(a)前記保持機構により基板を保持する工程と、
(b)前記工程(a)の後に、前記基板を前記処理面が下に向くように傾ける工程と、
(c)前記工程(b)の後に、前記ノズルを当該処理面に沿って上方から下方に移動させることにより当該処理面に当該処理液を塗布する工程と
を具備する基板処理方法。 A substrate processing method for a substrate processing apparatus, comprising: a holding mechanism capable of holding a substrate; and a processing liquid supply mechanism having a nozzle disposed in proximity to a processing surface of the substrate held by the holding mechanism. ,
(A) holding the substrate by the holding mechanism;
(B) after the step (a), inclining the substrate so that the processing surface faces downward;
(C) After the step (b), a step of applying the processing liquid to the processing surface by moving the nozzle from above to below along the processing surface.
前記ノズルは、処理液を吐出する吐出口を有し、該吐出口へ向けて斜め上方に処理液を導く導出部と、前記導出部の下方に配置され前記吐出口から流出した処理液を回収するための回収部とを有し、
前記工程(c)の途中で、前記吐出口から流出した処理液の一部を、前記回収部により回収する工程を更に具備することを特徴とする基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 11, comprising:
The nozzle has a discharge port for discharging a processing liquid, and a lead-out portion that guides the processing liquid obliquely upward toward the discharge port, and a processing liquid that is disposed below the lead-out portion and flows out of the discharge port is collected. And a collection unit for
The substrate processing method further comprising a step of recovering a part of the processing liquid flowing out from the discharge port by the recovery unit during the step (c).
前記工程(a)又は工程(b)の後に、前記基板を加熱するための工程を更に具備することを特徴とする基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 11, comprising:
After the said process (a) or the process (b), the process for heating the said board | substrate is further comprised, The substrate processing method characterized by the above-mentioned.
前記工程(c)を窒素雰囲気中で行うことを特徴とする基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 11, comprising:
The substrate processing method characterized by performing the said process (c) in nitrogen atmosphere.
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JP2008085263A (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Tohoku Univ | Film applying device and film applying method |
JP2008085242A (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Tohoku Univ | Applied film coating device |
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- 2003-09-18 JP JP2003326116A patent/JP2005093787A/en active Pending
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