JP2005086819A - トランジスタのしきい値電圧を制御するための集積回路装置およびその方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 いくつかのトランジスタのしきい値電圧(Vt)を、低電源電圧(VCC)レベル、低温および/または高Vtプロセス条件において下げて適切なトランジスタ駆動を確実にする一方、高VCCレベル、高温および/または低Vtプロセス条件において上昇させて漏れ電流を減少させることもできる。
【選択図】 図1
Description
この発明は、2003年9月4日出願の米国仮特許出願連続番号第60/500,126号「0.6V、205MHz、19.5nsec、 TRC 16Mb埋込DRAM(0.6V 205MHz 19.5nsec TRC 16 Mb Embedded DRAM)」、および2004年8月16日出願の米国非仮出願連続番号第10/918,954号の優先権を主張し、これらの開示はここにこれら引用によりその全体において特定的に援用される。
この発明は一般的に集積回路(IC)装置の分野に関する。より特定的には、この発明は特に低電圧用途に関して適用可能な集積回路トランジスタボディバイアス調整回路および方法に関する。
S.トミシマ(S. Tomishima)他、「携帯用MPEG用途のための1.0Vで230MHzの列アクセス埋込DRAMマクロ(A 1.0V 230MHz Column-Access Embedded DRAM Macro for Portable MPEG Applications)」、ISSCC、2001年2月、p.384〜385 J.バース(J. Barth)他、「GNDセンス、ビット線ツイストおよび直接基準セル書込を特徴とする300MHzマルチバンクeDRAMマクロ(A 300MHz Multi-Banked eDRAM Macro Featuring GND Sense, Bit-Line Twisting and Direct Reference Cell Write)」、ISSCC、2002年2月、p.156〜157 J.シム(J. Sim)他、「オフセット補償直接センスおよびチャージリサイクルのプリチャージ機構を伴う1.0Vで256MbのSDRAM(A 1.0V 256Mb SDRAM with Offset-Compensated Direct Sensing and Charge-Recycled Precharge Schemes)」、ISSCC、2003年2月、p.310〜311 M.ミヤザキ(M. Miyazaki)他、「順バイアスでの速度適合式しきい値電圧CMOSを用いた1.2−GIPS/Wマイクロプロセッサ(A 1.2-GIPS/W Microprocessor Using Speed-Adaptive Threshold-Voltage CMOS with Forward Bias)」、JSSC、2002年2月、第37巻、p.210〜217 J.チャンズ(J. Tschanz)他、「マイクロプロセッサ周波数に対するダイ間およびダイ内のパラメータ変動の影響およびリークを減少させるための適合式ボディバイアス(Adaptive Body Bias for Reducing Impacts of Die-to-Die and Within-Die Parameter Variations on Microprocessor Frequency and Leakage)」、JSSC、2002年11月、第37巻、p.1396〜1402
ここにおいて、特に低電圧用途に関して利用される集積回路トランジスタボディバイアス調整回路および方法が開示される。ここに開示するボディバイアスの調整方法によれば、回路のトランジスタのVtを電源電圧の関数とし、これをプロセスおよび温度の変動から実質的に独立させることにより回路速度の変動を最小限に抑える。調整は以下のステップによって達成される。
まず図1を参照して、この発明に従う代表的なNMOS型集積回路トランジスタボディバイアス調整回路100の機能ブロック図を示す。トランジスタボディバイアス調整回路(または調整器)100はその主な部分において分圧器102を含む。分圧器102は、供給電圧源(VCC)と基準電圧(VSSまたは回路接地)との間に結合された直列接続の抵抗器104,106,108,110を含む。ここに例示する特定の実施例では、抵抗器104,110はほぼ47kΩの値を有し得る一方、抵抗器106,108はほぼ3kΩの値を有し得る。抵抗器104と抵抗器106との中間にあるノード112はVHを規定し、抵抗器106と抵抗器108との間にあるノード114はVCC/2を規定し、抵抗器108と抵抗器110との中間にあるノード116はVLを規定する。VHおよびVLはプルアップおよびプルダウン電流発生間の不感帯を与えるためのものである。これに代えて、差動増幅器124,126の設計によって不感帯を与えてもよい。
回路132に信号を送り、VdnがVLを下回る場合にNBODY電圧を低下させる。制限回路ブロック130は過度の順バイアスまたは逆バイアスを防ぐように機能する。過度の順バイアスは高いボディ−ソース電流を引き起こし、過度の逆バイアスは過度のドレイン−ボディ電圧を引き起こすことになる。
形例が示唆されるであろうと認められる。このような変形例は、それ自体既に公知でありかつここに既に記載した特徴の代わりにまたはこれに加えて用いられ得る他の特徴をも含み得る。本願においては、特許請求の範囲を特定の特徴の組合せについて作成してあるが、ここにおける開示の範囲が、当業者に明らかとなるであろうような明示的または黙示的に開示されたあらゆる新規の特徴もしくはあらゆる新規の特徴の組合せ、またはこれらを任意に普遍化もしくは変形したものを含んでおり、またここで、このようなものがいずれかの請求項でここに請求されるのと同じ発明に関するものであるか否かには拘らず、かつこの発明が直面するのと同じ技術的課題のいずれかまたはすべてを軽減するか否かには関わらないことを理解すべきである。出願人は、本願またはその他ここから導き出されるあらゆる出願の手続中にも、このような特徴点および/またはこのような特徴点の組合せについて新たな請求項を作成する権利をここに留保する。
Claims (19)
- トランジスタにボディバイアス電圧を印加することにより、前記トランジスタのしきい値電圧を電源電圧の関数となるように制御するための集積回路装置であって、
前記電源電圧の関数である第1の電圧基準と、
ゲートが前記第1の電圧基準に結合されかつソースがシステム接地に結合されたnチャネルトランジスタと、
電流を前記トランジスタのドレインに供給する手段と、
前記トランジスタのドレイン電圧が前記第1の電圧基準と実質的に等しくなるように前記トランジスタの前記ボディバイアス電圧を制御する手段とを備える、集積回路装置。 - 前記第1の基準電圧が、抵抗分割器網によって決定される、請求項1に記載の集積回路装置。
- 電流を前記トランジスタのドレインに供給する前記手段は、前記トランジスタの前記ドレインから前記電源電圧に結合された抵抗器を含む、請求項1に記載の集積回路装置。
- 電流を前記トランジスタのドレインに供給する前記手段は、前記トランジスタの前記ドレインから前記電源電圧に結合された電流源を含む、請求項1に記載の集積回路装置。
- 前記第1の電圧基準が実質的に前記電源電圧の電源のレベルの2分の1である、請求項1に記載の集積回路装置。
- 前記ボディバイアス電圧がさらに1つ以上の追加の同種のnチャネルトランジスタに供給される、請求項1に記載の集積回路装置。
- さらに、前記ボディバイアス電圧を制限する手段を備える、請求項1に記載の集積回路装置。
- トランジスタにボディバイアス電圧を印加することにより、前記トランジスタのしきい値電圧を電源電圧の関数となるように制御するための集積回路装置であって、
前記電源電圧の関数である第1の電圧基準と、
ゲートが前記第1の電圧基準に結合されかつソースが前記電源電圧に結合されたpチャネルトランジスタと、
電流を前記トランジスタのドレインに供給する手段と、
前記トランジスタのドレイン電圧が前記第1の電圧基準と実質的に等しくなるように前記トランジスタの前記ボディバイアス電圧を制御する手段とを備える、集積回路装置。 - 前記第1の基準電圧が、抵抗分割器網によって決定される、請求項8に記載の集積回路装置。
- 電流を前記トランジスタのドレインに供給する前記手段は、前記トランジスタの前記ドレインからシステム接地に結合された抵抗器を含む、請求項8に記載の集積回路装置。
- 電流を前記トランジスタのドレインに供給する前記手段は、前記トランジスタの前記ドレインから前記システム接地に結合された電流源を含む、請求項8に記載の集積回路装置。
- 前記第1の電圧基準が実質的に前記電源電圧の電源のレベルの2分の1である、請求項8に記載の集積回路装置。
- 前記ボディバイアス電圧がさらに1つ以上の追加の同種のpチャネルトランジスタに供給される、請求項8に記載の集積回路装置。
- さらに、前記ボディバイアス電圧を制限する手段を備える、請求項8に記載の集積回路装置。
- nチャネルトランジスタにボディバイアス電圧を印加することにより、前記トランジスタのしきい値電圧を電源電圧の関数となるように制御する方法であって、
前記電源電圧の関数である第1の電圧基準を設けるステップと、
前記第1の電圧基準を前記nチャネルトランジスタのゲートに印加するステップと、
前記nチャネルトランジスタのソースをシステム接地に結合するステップと、
電流を前記トランジスタのドレインに供給するステップと、
前記トランジスタのドレイン電圧が前記第1の電圧基準と実質的に等しくなるように前記トランジスタの前記ボディバイアス電圧を調節するステップとを備える、方法。 - 前記ボディバイアス電圧がさらに追加のトランジスタに印加される、請求項15に記載の方法。
- pチャネルトランジスタにボディバイアス電圧を印加することにより、前記pチャネルトランジスタのしきい値電圧を電源電圧の関数となるように制御する方法であって、
前記電源電圧の関数である第1の電圧基準を設けるステップと、
前記第1の電圧基準を前記pチャネルトランジスタのゲートに印加するステップと、
前記pチャネルトランジスタのソースを前記電源電圧に結合するステップと、
電流を前記トランジスタのドレインに供給するステップと、
前記トランジスタのドレイン電圧が前記第1の電圧基準と実質的に等しくなるように前記トランジスタの前記ボディバイアス電圧を調節するステップとを備える、方法。 - 前記ボディバイアス電圧がさらに追加のトランジスタに印加される、請求項17に記載の方法。
- 共通の基板上にある複数のトランジスタのしきい値電圧を制御する方法であって、
電源電圧レベルの関数である第1の電圧レベルを確立するステップと、
前記第1の電圧レベルを基準トランジスタのゲートに印加するステップと、
前記基準トランジスタの前記しきい値電圧が前記第1の電圧レベルと実質的に等しくなるように前記基準トランジスタのしきい値電圧を調節するステップと、
前記基準トランジスタの前記しきい値電圧を調節する前記ステップに従って前記複数のトランジスタのうちの他のトランジスタのしきい値電圧を同様に調節するステップとを備える、方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US50012603P | 2003-09-04 | 2003-09-04 | |
US10/918,954 US20050052219A1 (en) | 2003-09-04 | 2004-08-16 | Integrated circuit transistor body bias regulation circuit and method for low voltage applications |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005086819A true JP2005086819A (ja) | 2005-03-31 |
Family
ID=34228658
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004257303A Pending JP2005086819A (ja) | 2003-09-04 | 2004-09-03 | トランジスタのしきい値電圧を制御するための集積回路装置およびその方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050052219A1 (ja) |
JP (1) | JP2005086819A (ja) |
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- 2004-08-16 US US10/918,954 patent/US20050052219A1/en not_active Abandoned
- 2004-09-03 JP JP2004257303A patent/JP2005086819A/ja active Pending
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Also Published As
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---|---|
US20050052219A1 (en) | 2005-03-10 |
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Date | Code | Title | Description |
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A521 | Written amendment |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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