JP2005086051A - Light emitting device - Google Patents
Light emitting device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005086051A JP2005086051A JP2003317795A JP2003317795A JP2005086051A JP 2005086051 A JP2005086051 A JP 2005086051A JP 2003317795 A JP2003317795 A JP 2003317795A JP 2003317795 A JP2003317795 A JP 2003317795A JP 2005086051 A JP2005086051 A JP 2005086051A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- emitting device
- base material
- emitting diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
Landscapes
- Planar Illumination Modules (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)
Abstract
Description
本発明は、発光素子を光源とする発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device using a light emitting element as a light source.
従来、発光素子として例えば固体発光素子である発光ダイオードを光源とする照明装置などの発光装置では、例えば、白色の発光ダイオードが発光する特定の波長光で蛍光体を励起させ、所望の発光色を得ている。 Conventionally, in a light-emitting device such as a lighting device using a light-emitting diode as a light source as a light-emitting element, for example, a phosphor is excited by a specific wavelength light emitted by a white light-emitting diode, and a desired emission color is obtained. It has gained.
このような発光装置では、基材の表面に発光ダイオードを実装し、蛍光体を分散して含むバインダであるエポキシ樹脂などの透明樹脂で発光ダイオード全体を覆って成形している(例えば、特許文献1参照。)。 In such a light-emitting device, a light-emitting diode is mounted on the surface of a base material, and the entire light-emitting diode is covered with a transparent resin such as an epoxy resin that is a binder containing dispersed phosphors (for example, Patent Documents). 1).
また、基材の表面に発光ダイオードを実装し、この基材の表面に離間対向して光学部材を配置し、この光学部材の発光ダイオードに対向する内面に設けた凹所に蛍光体を分散して含むバインダである透明樹脂を充填して成形している(例えば、特許文献2参照。)。
従来は、蛍光体をバインダである透明樹脂に分散して含み、この透明樹脂で発光ダイオード全体を覆って成形したり、透明樹脂を光学部材の凹所に充填して成形しており、透明樹脂には形状を維持するために主としてエポキシ樹脂などが多く用いられている。 Conventionally, phosphors are dispersed in a transparent resin, which is a binder, and the entire light emitting diode is covered with the transparent resin, or the transparent resin is filled in the recess of the optical member. In order to maintain the shape, epoxy resin or the like is mainly used.
しかし、エポキシ樹脂は発光ダイオードの光照射によって劣化し、このエポキシ樹脂の劣化による光透過率の低下が発光ダイオード自体の寿命より早く進み、発光ダイオードが有する長寿命特性が十分に得られない問題がある。 However, the epoxy resin deteriorates due to light irradiation of the light emitting diode, and the decrease in light transmittance due to the deterioration of the epoxy resin proceeds faster than the life of the light emitting diode itself, and the long life characteristics possessed by the light emitting diode cannot be sufficiently obtained. is there.
また、エポキシ樹脂に比べて劣化しにくい透明樹脂としてシリコーン樹脂などもあるが、エポキシ樹脂に比べて線膨張係数が大きいため、硬度が高いと寿命中のヒートショックによる例えば発光ダイオードの電気接続用のボンディングワイヤの断線の原因となり、また、硬度を低くゲル状にすると、特定の形状を保てなくなり、大気に触れる構成であれば塵埃が付着しやすい問題がある。 In addition, there are silicone resins, etc. as transparent resins that are less likely to deteriorate than epoxy resins. However, since the linear expansion coefficient is large compared to epoxy resins, for example, for electrical connection of light-emitting diodes due to heat shock during the life when the hardness is high. It causes breakage of the bonding wire, and if the hardness is made low and gelled, a specific shape cannot be maintained, and there is a problem that dust is likely to adhere if the structure is in contact with the atmosphere.
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、蛍光体のバインダとしてエポキシ樹脂などを使用せず、長寿命な発光装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to provide a long-life light-emitting device without using an epoxy resin or the like as a phosphor binder.
請求項1記載の発光装置は、発光素子と;発光素子を実装した基材と;発光素子に対向し発光素子が発光する光で励起される蛍光体層が形成された光透過部材と;を具備しているものである。 The light-emitting device according to claim 1 includes: a light-emitting element; a base material on which the light-emitting element is mounted; and a light-transmitting member on which a phosphor layer that is opposed to the light-emitting element and is excited by light emitted from the light-emitting element is formed. It is equipped.
そして、この構成では、発光素子に対向する光透過部材に蛍光体層を形成したため、蛍光体のバインダとしてエポキシ樹脂などを使用せず、発光装置として長寿命になる。 And in this structure, since the fluorescent substance layer was formed in the light transmissive member facing a light emitting element, an epoxy resin etc. are not used as a binder of fluorescent substance, but it becomes a long lifetime as a light-emitting device.
請求項2記載の発光装置は、請求項1記載の発光装置において、基材と光透過部材とを封着材で封着してこれら基材と光透過部材との間に密閉空間を形成し、この密閉空間に不活性ガスを封入したものである。 The light emitting device according to claim 2 is the light emitting device according to claim 1, wherein the base material and the light transmitting member are sealed with a sealing material to form a sealed space between the base material and the light transmitting member. In this sealed space, an inert gas is sealed.
そして、この構成では、基材と光透過部材とを封着材で封着してこれら基材と光透過部材との間に密閉空間を形成し、この密閉空間に不活性ガスを封入したため、発光素子や発光体層の酸化が防止される。 In this configuration, the base material and the light transmission member are sealed with a sealing material to form a sealed space between the base material and the light transmission member, and an inert gas is sealed in the sealed space. Oxidation of the light emitting element and the light emitting layer is prevented.
請求項3記載の発光装置は、請求項1または2記載の発光装置において、基材と光透過部材とを封着材で封着してこれら基材と光透過部材との間に密閉空間を形成し、この密閉空間に透明充填材を充填したものである。 The light emitting device according to claim 3 is the light emitting device according to claim 1 or 2, wherein the base material and the light transmission member are sealed with a sealing material, and a sealed space is formed between the base material and the light transmission member. It is formed and this sealed space is filled with a transparent filler.
そして、この構成では、基材と光透過部材とを封着材で封着してこれら基材と光透過部材との間に密閉空間を形成し、この密閉空間に透明充填材を充填したため、基材と光透過部材との間に屈折率が高い大気が介在する場合に比べて、光の取出効率が向上する。また、請求項2の不活性ガスを封入することで、密閉空間内が所定圧力に保たれるので、透明充填材にゲル状シリコーンなどを使用しても、透明充填材が特定の形状に保たれる。 And in this configuration, the base material and the light transmission member are sealed with a sealing material to form a sealed space between the base material and the light transmission member, and this sealed space is filled with a transparent filler. The light extraction efficiency is improved as compared with the case where an atmosphere having a high refractive index is interposed between the base material and the light transmission member. In addition, since the inside of the sealed space is maintained at a predetermined pressure by enclosing the inert gas according to claim 2, even if gel-like silicone or the like is used for the transparent filler, the transparent filler is maintained in a specific shape. Be drunk.
請求項4記載の発光装置は、請求項1ないし3いずれか一記載の発光装置において、光透過部材の発光素子に対向する内面に紫外線吸収層を設けたものである。 The light emitting device according to claim 4 is the light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein an ultraviolet absorbing layer is provided on an inner surface of the light transmitting member facing the light emitting element.
そして、この構成では、光透過部材の発光素子に対向する内面に紫外線吸収層を設けたため、例えば光透過部材が樹脂製であっても紫外線による劣化が防止され、発光装置として長寿命になる。 In this configuration, since the ultraviolet absorbing layer is provided on the inner surface of the light transmitting member facing the light emitting element, for example, even if the light transmitting member is made of resin, deterioration due to ultraviolet light is prevented, and the life of the light emitting device is extended.
請求項5記載の発光装置は、請求項1ないし4いずれか一記載の発光装置において、発光素子を実装する基材の表面に反射面を兼ねる電極パターンを形成し、この基材の電極パターン上に複数の発光素子を絶縁状態に実装し、ボンディングワイヤによって複数の発光素子を直列に接続するとともに両端の発光素子を電極パターンに接続したものである。 The light-emitting device according to claim 5 is the light-emitting device according to any one of claims 1 to 4, wherein an electrode pattern that also serves as a reflective surface is formed on the surface of the substrate on which the light-emitting element is mounted. A plurality of light emitting elements are mounted in an insulated state, a plurality of light emitting elements are connected in series by bonding wires, and light emitting elements at both ends are connected to an electrode pattern.
そして、この構成では、発光素子を実装する基材の表面に反射面を兼ねる電極パターンを形成し、この基材の電極パターン上に複数の発光素子を絶縁状態に実装し、ボンディングワイヤによって複数の発光素子を直列に接続するとともに両端の発光素子を電極パターンに接続したため、反射面を兼ねる電極パターンによって発光素子が発光した光の取出効率が向上し、この反射面を兼ねたうえで電極パターンとして確実に機能する。 In this configuration, an electrode pattern that also serves as a reflecting surface is formed on the surface of the base material on which the light emitting element is mounted, and a plurality of light emitting elements are mounted in an insulating state on the electrode pattern of the base material, and a plurality of bonding elements are formed by bonding wires. Since the light emitting elements are connected in series and the light emitting elements at both ends are connected to the electrode pattern, the light extraction efficiency of the light emitted from the light emitting element is improved by the electrode pattern that also serves as the reflecting surface. Works reliably.
請求項1記載の発光装置によれば、発光素子に対向する光透過部材に蛍光体層を形成したため、蛍光体のバインダとしてエポキシ樹脂などを使用せず、発光装置として長寿命にできる。 According to the light emitting device of the first aspect, since the phosphor layer is formed on the light transmitting member facing the light emitting element, an epoxy resin or the like is not used as the binder of the phosphor, and the lifetime of the light emitting device can be increased.
請求項2記載の発光装置によれば、請求項1記載の発光装置の効果に加えて、基材と光透過部材とを封着材で封着してこれら基材と光透過部材との間に密閉空間を形成し、この密閉空間に不活性ガスを封入したため、発光素子や発光体層の酸化を防止できる。 According to the light emitting device of the second aspect, in addition to the effect of the light emitting device of the first aspect, the base material and the light transmission member are sealed with a sealing material, and the space between the base material and the light transmission member. Since a sealed space is formed in the sealed space and an inert gas is sealed in the sealed space, oxidation of the light emitting element and the light emitting layer can be prevented.
請求項3記載の発光装置によれば、請求項1または2記載の発光装置の効果に加えて、基材と光透過部材とを封着材で封着してこれら基材と光透過部材との間に密閉空間を形成し、この密閉空間に透明充填材を充填したため、基材と光透過部材との間に屈折率が高い大気が介在する場合に比べて、光の取出効率を向上できる。また、請求項2の不活性ガスを封入することで、密閉空間内が所定圧力に保たれるので、透明充填材にゲル状シリコーンなどを使用しても、透明充填材を特定の形状に保つことができる。 According to the light emitting device of claim 3, in addition to the effect of the light emitting device of claim 1 or 2, the base material and the light transmitting member are sealed with a sealing material, and the base material and the light transmitting member are Since a sealed space is formed between the two and the transparent space is filled in the sealed space, the light extraction efficiency can be improved as compared with the case where an atmosphere having a high refractive index is interposed between the base material and the light transmitting member. . Further, since the inside of the sealed space is maintained at a predetermined pressure by enclosing the inert gas according to claim 2, even if gel-like silicone or the like is used for the transparent filler, the transparent filler is maintained in a specific shape. be able to.
請求項4記載の発光装置によれば、請求項1ないし3いずれか一記載の発光装置の効果に加えて、光透過部材の発光素子に対向する内面に紫外線吸収層を設けたため、例えば光透過部材が樹脂製であっても紫外線による劣化を防止でき、発光装置として長寿命にできる。 According to the light emitting device of the fourth aspect, in addition to the effect of the light emitting device of any one of the first to third aspects, the ultraviolet absorbing layer is provided on the inner surface of the light transmitting member facing the light emitting element. Even if the member is made of resin, deterioration due to ultraviolet rays can be prevented, and the life of the light emitting device can be extended.
請求項5記載の発光装置によれば、請求項1ないし4いずれか一記載の発光装置の効果に加えて、発光素子を実装する基材の表面に反射面を兼ねる電極パターンを形成し、この基材の電極パターン上に複数の発光素子を絶縁状態に実装し、ボンディングワイヤによって複数の発光素子を直列に接続するとともに両端の発光素子を電極パターンに接続したため、反射面を兼ねる電極パターンによって発光素子が発光した光の取出効率を向上でき、反射面を兼ねたうえで電極パターンとして確実に機能させることができる。 According to the light emitting device according to claim 5, in addition to the effect of the light emitting device according to any one of claims 1 to 4, an electrode pattern that also serves as a reflective surface is formed on the surface of the substrate on which the light emitting element is mounted. Since a plurality of light emitting elements are mounted in an insulating state on the electrode pattern of the base material, a plurality of light emitting elements are connected in series by bonding wires, and the light emitting elements at both ends are connected to the electrode pattern. The extraction efficiency of light emitted from the element can be improved, and it can function reliably as an electrode pattern while also serving as a reflective surface.
以下、本発明の一実施の形態を図面を参照して説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1ないし図3に第1の実施の形態を示し、図1は発光装置の断面図、図2は発光装置の光透過部材を外した状態の正面図、図3は発光装置の発光ダイオードの配線回路を示す模式図である。 1 to 3 show a first embodiment, FIG. 1 is a sectional view of a light emitting device, FIG. 2 is a front view of a light emitting device with a light transmitting member removed, and FIG. 3 is a diagram of a light emitting diode of the light emitting device. It is a schematic diagram which shows a wiring circuit.
図1および図2において、11は発光装置で、この発光装置11は、発光素子として固定発光素子である複数の例えばGaN系の発光ダイオード12を配列した発光モジュールとして構成されている。
1 and 2,
発光装置11は、例えば樹脂、ガラス、セラミックスなどの絶縁性を有する材料で形成された四角形状の基材15を有し、この基材15の表面16には、複数の発光ダイオード12が配置される複数の凹状でかつ溝状の収容部17が平行に形成されている。各収容部17は、発光ダイオード12が取り付けられる取付面18、この取付面18から表面16側へ向けて拡開する両側の傾斜面19を有し、収容部17の溝の長手方向に沿って複数の発光ダイオード12が等間隔に配列されている。この収容部17の内面は反射面17aに構成されている。
The
基材15の表面16には、収容部17が並ぶ並設方向の両端の表面16の位置に収容部17の長手方向に沿って電極パターン20が形成され、収容部17間の表面16の位置に発光ダイオード12の位置に対応して電極パターン21が形成されている。基材15の両端には各電極パターン20に接続されたプラス電極とマイナス電極とである両極の各電極部22が突設されている。
On the
基材15は周囲に密着固定される四角形枠状の枠部23を有し、この枠部23は例えば樹脂、ガラス、セラミックスなどの絶縁性を有する材料で形成され、枠部23の先端は基材15の表面16より突出されており、両側面から電極部22がそれぞれ突出されている。なお、枠部23は基材15に一体に形成していてもよい。
The
また、発光ダイオード12は、チップ状で、両端にアノードおよびカソードの電極がそれぞれ形成されているとともにこれら電極間の表面に光を発光する発光部が形成されている。発光ダイオード12の裏面が絶縁状態で基材15の収容部17に取り付けられ、基材15の収容部17の長手方向と交差する方向に並ぶ複数の発光ダイオード12の電極と電極パターン20,21とをボンディングワイヤ26によって接続し、複数の発光ダイオード12が直列に接続されている。すなわち、図3に示すように、複数の発光ダイオード12が直列に接続された直列回路が、電極部22間に並列に形成された状態となる。
The
また、基材15の表面16側を覆って光透過部材29が配設されている。この光透過部材29は、例えば透明なガラス板や透明な樹脂板で構成され、枠部23を含む基材15の外形状に対応して四角形板状に形成されており、光透過部材29の周辺部が基材15の枠部23の先端に封着材30によって封着され、光透過部材29と基材15との間に密閉空間31を形成している。
Further, a
封着材30は、光透過部材29および基材15の枠部23がガラス系の場合、フリットガラス、低融点ガラス、セラミック、合金(Fe−Ni、Fe−Cr、Fe−Ni−Cr、コバールなど)、ロウ材(金錫合金、金ゲルマニウム合金、銀ロウなど)、はんだ(錫鉛など)のいずれか1つまたはこれらを組み合わせた無機材料にて構成されている。また、光透過部材29および基材15の枠部23が樹脂系の場合、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、およびポリエステル樹脂のいずれか1つまたはこれらを組み合わせた有機材料にて構成されている。これら基材15と光透過部材29との封着に適した封着材30を選択することにより、確実な封着機能を得ることができる。
In the case where the
光透過部材29の内面には蛍光体層32の膜が形成されている。この蛍光体層32は、Ce付活アルミン酸塩(Y)、Sm−Eu付活硫酸化ランタン、Eu付活リン酸塩(Sr、Ca、Ba)、Eu−Mn付活アルミン酸塩(Ba、Mg)などの蛍光体を光透過部材29の内面に塗布し、焼成することで焼き付けている。
A film of the
光透過部材29の内面にはこの光透過部材29と蛍光体層32との間に紫外線吸収層33の膜が形成されている。この紫外線吸収層33は、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化セリウムなどの微粒子を光透過部材29の内面に塗布し、焼成することで焼き付けている。
On the inner surface of the
密閉空間31には、大気圧程度に加圧した不活性ガス34が封入されている。
The sealed
そして、両電極部22間に発光電流を流すことにより、これら両電極部22間に並列に接続された直列回路の各発光ダイオード12が発光する。各発光ダイオード12が発光した光は、光透過部材29へ直接向うか、収容部17の反射面17aで反射して光透過部材29へ向かい、光透過部材29の内面に形成された蛍光体層32を励起し、励起した発光体層32から所望の光色の光が光透過部材29を透過して光透過部材29の外面から出射する。
Then, by causing a light emission current to flow between the
光透過部材29の内面に蛍光体層32の膜を焼成形成したため、蛍光体のバインダとしてエポキシ樹脂などを使用せず、エポキシ樹脂の劣化による光透過率の低下を防止でき、発光ダイオード12の長寿命な特長を十分に活かせて、発光装置11として長寿命にできる。
Since the
光透過部材29の内面に紫外線吸収層33の膜を形成したため、蛍光体層32に吸収されずに透過する紫外線を紫外線吸収層33で吸収し、光透過部材29に到達する紫外線を低減することにより、特に樹脂製の光透過部材29の場合に紫外線による劣化を防止でき、発光装置11として長寿命にできる。
Since the film of the
また、基材15と光透過部材29とを封着材30で封着してこれら基材15と光透過部材29との間に密閉空間31を形成し、この密閉空間31に不活性ガス34を封入したため、発光ダイオード12、電極パターン20,21、ボンディングワイヤ26、蛍光体層32などが大気に触れないので、これらの酸化を防止できる。なお、密閉空間31を真空にしても同様の作用効果が得られる。
Further, the
なお、密閉空間31には、不活性ガス34に代えて、例えばゲル状のシリコーン樹脂などの透明充填材を充填してもよい。この場合には、基材15と光透過部材29との間に屈折率が高い大気が介在する場合に比べて、発光ダイオード12が発光した光の取出効率を向上できる。さらに、発光ダイオード12、電極パターン20,21、ボンディングワイヤ26、蛍光体層32などが大気に触れないので、これらの酸化を防止できる。また、ゲル状のシリコーン樹脂を用いる場合でも、密閉空間31に充填することで、外部からの塵埃などの付着のおそれがない。
The sealed
また、密閉空間31には、発光ダイオード12などを覆う特定の形状に透明充填材を形成するとともに、密閉空間31の透明充填材との隙間に不活性ガス34を封入してもよい。この場合には、不活性ガス34を封入することで、密閉空間31内が所定圧力に保たれるので、透明充填材にゲル状シリコーンなどを使用しても、透明充填材を特定の形状に保つことができる。
Further, in the sealed
次に、図4に第2の実施の形態を示す。各発光ダイオード12の周囲を例えばゲル状のシリコーン樹脂などの透明樹脂41で覆い、密閉空間31には例えば2気圧程度の不活性ガス34を封入する。
Next, FIG. 4 shows a second embodiment. The periphery of each
発光ダイオード12の周囲を透明樹脂41で覆うことにより、発光ダイオード12の周囲を屈折率が高い大気が囲む場合に比べて、発光ダイオード12が発光した光の取出効率を向上できる。また、ゲル状のシリコーン樹脂を用いる場合でも、密閉空間31に位置することで、外部からの塵埃などの付着のおそれがない。
By covering the periphery of the
密閉空間31には例えば2気圧程度の不活性ガス34を封入することにより、酸化防止できるほかに、透明樹脂41の形状を保つことができるとともに、透明樹脂41が発光ダイオード12から脱落するのを防止できる。
In addition to preventing oxidation by sealing an
次に、図5および図6に第3の実施の形態を示す。基材15の収容部17の取付面18で各発光ダイオード12の両側位置に、基材15の表面側と裏面側とに貫通する一対のスルーホール44を設け、これらスルーホール44を通じて発光ダイオード12の両電極に接続された各ワイヤ45を通して基材15の外部に引き出して配線し、各スルーホール44内を封止材46で封止する。基材15の枠部23は一体に形成する。
Next, FIGS. 5 and 6 show a third embodiment. A pair of through-
このように発光ダイオード12のワイヤ45を発光ダイオード12の取付面18から基材15の外部に引き出して配線することにより、発光ダイオード12の表面から発光した光に対するワイヤ45の影響を低減でき、光取出効率を向上できる。
In this way, by drawing the
次に、図7および図8に第4の実施の形態を示す。基材15の収容部17を各発光ダイオード12毎に個別に形成する。各収容部17は、正方形の取付面18の4辺から傾斜面19が表面16側に拡開して形成され、これら取付面18および4面の傾斜面19によって反射面17aが形成されている。
Next, FIGS. 7 and 8 show a fourth embodiment. The
このように基材15の収容部17つまり反射面17aを発光ダイオード12毎に個別に形成することにより、発光ダイオード12が発光した光の反射効率を向上させ、光取出効率を向上できる。
Thus, by forming the
次に、図9に第5の実施の形態を示す。基材15の表面の中央全域に1つの収容部17が形成され、この収容部17の取付面18に複数の発光ダイオード12が配列されている。
Next, FIG. 9 shows a fifth embodiment. One
収容部17内を含む基材15の表面16側の全域には、例えばアルミニウムなどの反射率の高い金属が蒸着、またはその金属で被覆されて、反射面17aが構成されているとともに、プラス側の電極部22に接続された電極パターン49とマイナス側の電極部22に接続された電極パターン50とが形成されている。
The entire region on the
プラス側の電極部22とマイナス側の電極部22との間であって、プラス側の電極部22に近い位置には、プラス側の電極パターン49とマイナス側の電極パターン50とを電気的に分断するスリット51が形成されている。
The positive electrode pattern 49 and the
各発光ダイオード12はマイナス側の電極パターン50上に絶縁状態で実装され、複数の発光ダイオード12がボンディングワイヤ52によって直列に接続されているとともに、両端の各発光ダイオード12がボンディングワイヤ52によって各電極パターン49,50に接続されている。
Each light-emitting
このように、反射面17aを兼ねる電極パターン49,50によって発光ダイオード12が発光した光の取出効率を向上でき、しかも、反射面17aを兼ねたうえで、電極パターン49,50として確実に機能させることができる。
As described above, the extraction efficiency of light emitted from the
高圧側であるプラス側の電極パターン49を小さく、低圧側であるマイナス側の電極パターン50を大きくすることにより、発光ダイオード12などに対する電気的な影響を低減できる。
By making the positive electrode pattern 49 on the high voltage side small and the
なお、光透過部材29は、板体に限らず、各発光ダイオード12毎に制光するレンズを形成したレンズ体でもよい。
The
11 発光装置
12 発光素子としての発光ダイオード
15 基材
17a 反射面
29 光透過部材
30 封着材
31 密閉空間
32 蛍光体層
33 紫外線吸収層
34 不活性ガス
49,50 電極パターン
52 ボンディングワイヤ
11 Light emitting device
12 Light-emitting diodes as light-emitting elements
15 Base material
17a Reflective surface
29 Light transmissive member
30 Sealing material
31 Sealed space
32 Phosphor layer
33 UV absorbing layer
34 Inert gas
49, 50 electrode pattern
52 Bonding wire
Claims (5)
発光素子を実装した基材と;
発光素子に対向し発光素子が発光する光で励起される蛍光体層が形成された光透過部材と;
を具備していることを特徴とする発光装置。 A light emitting element;
A substrate on which a light emitting element is mounted;
A light transmissive member formed with a phosphor layer facing the light emitting element and excited by light emitted from the light emitting element;
A light-emitting device comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003317795A JP2005086051A (en) | 2003-09-10 | 2003-09-10 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003317795A JP2005086051A (en) | 2003-09-10 | 2003-09-10 | Light emitting device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005086051A true JP2005086051A (en) | 2005-03-31 |
Family
ID=34417249
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003317795A Pending JP2005086051A (en) | 2003-09-10 | 2003-09-10 | Light emitting device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005086051A (en) |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006100441A (en) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Kyocera Corp | Light emitting element housing package, light emitting device, and illumination device |
WO2007026943A1 (en) * | 2005-08-30 | 2007-03-08 | Showa Denko K.K. | Plane light source device and display device |
JP2007300069A (en) * | 2006-04-04 | 2007-11-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | Light emitting element, light emitting device using same, and method for manufacturing same |
JP2007335731A (en) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Sony Corp | Light emitting diode mounting board, light emitting diode backlight, light emitting diode illuminator, light emitting diode display, and electronic device |
JP2008108871A (en) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Stanley Electric Co Ltd | Mounting structure for semiconductor light-emitting element |
JP2009038304A (en) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Stanley Electric Co Ltd | Lamp for lighting |
EP2048717A1 (en) * | 2007-10-10 | 2009-04-15 | Unity Opto Technology Co., Ltd. | Structure of light-emitting diode |
JP2009099784A (en) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Nitto Denko Corp | Method of manufacturing optical semiconductor device |
JP2009176847A (en) * | 2008-01-23 | 2009-08-06 | Citizen Electronics Co Ltd | Light-emitting diode |
WO2009107535A1 (en) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | 株式会社東芝 | White led lamp, backlight, light emitting device, display device and lighting device |
WO2010040121A1 (en) * | 2008-10-03 | 2010-04-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Production process for surface-mounting ceramic led package, surface-mounting ceramic led package produced by said production process, and mold for producing said package |
JP2010206231A (en) * | 2005-10-04 | 2010-09-16 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | High power light-emitting diode package |
JP2011014878A (en) * | 2009-06-01 | 2011-01-20 | Toshiba Lighting & Technology Corp | Light emitting module and lighting device |
JP2011095759A (en) * | 2005-11-11 | 2011-05-12 | Hitachi Displays Ltd | Liquid crystal display device |
JP2011222574A (en) * | 2010-04-05 | 2011-11-04 | Stanley Electric Co Ltd | Light-emitting device and manufacturing method for the same |
CN102420221A (en) * | 2010-09-28 | 2012-04-18 | 盈胜科技股份有限公司 | Airtight type multilayer array type light emitting diode |
JP3180453U (en) * | 2012-05-24 | 2012-12-20 | 盈勝科技股▲ふん▼有限公司 | Integrated high-efficiency lighting device with multilayer structure |
JP2014003334A (en) * | 2013-09-25 | 2014-01-09 | Sanyo Electric Co Ltd | Light-emitting device and lighting fixture including the same |
US8922101B2 (en) | 2008-01-18 | 2014-12-30 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
WO2016067609A1 (en) * | 2014-10-28 | 2016-05-06 | 株式会社 東芝 | White light source and white light source system |
CN109728149A (en) * | 2017-10-30 | 2019-05-07 | 深圳莱特光电股份有限公司 | The integral type infrared LED encapsulating structure and preparation method thereof of anti-external source interference |
US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
US11876042B2 (en) | 2020-08-03 | 2024-01-16 | Feit Electric Company, Inc. | Omnidirectional flexible light emitting device |
-
2003
- 2003-09-10 JP JP2003317795A patent/JP2005086051A/en active Pending
Cited By (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006100441A (en) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Kyocera Corp | Light emitting element housing package, light emitting device, and illumination device |
WO2007026943A1 (en) * | 2005-08-30 | 2007-03-08 | Showa Denko K.K. | Plane light source device and display device |
JP2010206231A (en) * | 2005-10-04 | 2010-09-16 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | High power light-emitting diode package |
JP2011095759A (en) * | 2005-11-11 | 2011-05-12 | Hitachi Displays Ltd | Liquid crystal display device |
JP2007300069A (en) * | 2006-04-04 | 2007-11-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | Light emitting element, light emitting device using same, and method for manufacturing same |
JP2007335731A (en) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Sony Corp | Light emitting diode mounting board, light emitting diode backlight, light emitting diode illuminator, light emitting diode display, and electronic device |
JP2008108871A (en) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Stanley Electric Co Ltd | Mounting structure for semiconductor light-emitting element |
JP2009038304A (en) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Stanley Electric Co Ltd | Lamp for lighting |
EP2048717A1 (en) * | 2007-10-10 | 2009-04-15 | Unity Opto Technology Co., Ltd. | Structure of light-emitting diode |
JP2009099784A (en) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Nitto Denko Corp | Method of manufacturing optical semiconductor device |
US8922101B2 (en) | 2008-01-18 | 2014-12-30 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
JP2009176847A (en) * | 2008-01-23 | 2009-08-06 | Citizen Electronics Co Ltd | Light-emitting diode |
US9039218B2 (en) | 2008-02-25 | 2015-05-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | White LED lamp, backlight, light emitting device, display device and illumination device |
US10886434B2 (en) | 2008-02-25 | 2021-01-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | White LED lamp, backlight, light emitting device, display device and illumination device |
US8471283B2 (en) | 2008-02-25 | 2013-06-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | White LED lamp, backlight, light emitting device, display device and illumination device |
WO2009107535A1 (en) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | 株式会社東芝 | White led lamp, backlight, light emitting device, display device and lighting device |
JP2013038447A (en) * | 2008-02-25 | 2013-02-21 | Toshiba Corp | White led lamp, backlight, and illumination device |
JPWO2009107535A1 (en) * | 2008-02-25 | 2011-06-30 | 株式会社東芝 | White LED lamp, backlight, light emitting device, display device, and illumination device |
JP2012504874A (en) * | 2008-10-03 | 2012-02-23 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | Manufacturing method for surface mount ceramic LED package, surface mount ceramic LED package manufactured by the manufacturing method, and mold for manufacturing the package |
WO2010040121A1 (en) * | 2008-10-03 | 2010-04-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Production process for surface-mounting ceramic led package, surface-mounting ceramic led package produced by said production process, and mold for producing said package |
CN102165589A (en) * | 2008-10-03 | 2011-08-24 | E·I·内穆尔杜邦公司 | Production process for surface-mounting ceramic LED package, surface-mounting ceramic LED package produced by said production process, and mold for producing said package |
US7871842B2 (en) | 2008-10-03 | 2011-01-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Production process for surface-mounting ceramic LED package, surface-mounting ceramic LED package produced by said production process, and mold for producing said package |
US7923277B1 (en) | 2008-10-03 | 2011-04-12 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Production process for surface-mounting ceramic LED package, surface-mounting ceramic LED package produced by said production process, and mold for producing said package |
US7943408B2 (en) | 2008-10-03 | 2011-05-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Production process for surface-mounting ceramic LED package, surface-mounting ceramic LED package produced by said production process, and mold for producing said package |
JP2011014878A (en) * | 2009-06-01 | 2011-01-20 | Toshiba Lighting & Technology Corp | Light emitting module and lighting device |
JP2011222574A (en) * | 2010-04-05 | 2011-11-04 | Stanley Electric Co Ltd | Light-emitting device and manufacturing method for the same |
CN102420221A (en) * | 2010-09-28 | 2012-04-18 | 盈胜科技股份有限公司 | Airtight type multilayer array type light emitting diode |
JP3180453U (en) * | 2012-05-24 | 2012-12-20 | 盈勝科技股▲ふん▼有限公司 | Integrated high-efficiency lighting device with multilayer structure |
JP2014003334A (en) * | 2013-09-25 | 2014-01-09 | Sanyo Electric Co Ltd | Light-emitting device and lighting fixture including the same |
JP7285877B2 (en) | 2014-10-28 | 2023-06-02 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | white light source system |
WO2016067609A1 (en) * | 2014-10-28 | 2016-05-06 | 株式会社 東芝 | White light source and white light source system |
US20170238390A1 (en) * | 2014-10-28 | 2017-08-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | White light source and white light source system |
JPWO2016067609A1 (en) * | 2014-10-28 | 2017-09-14 | 株式会社東芝 | White light source and white light source system |
JP2019062236A (en) * | 2014-10-28 | 2019-04-18 | 株式会社東芝 | White light source |
US10420183B2 (en) | 2014-10-28 | 2019-09-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | White light source and white light source system |
JP2021122014A (en) * | 2014-10-28 | 2021-08-26 | 東芝マテリアル株式会社 | Method for using white light source and method for using white light source system |
CN109728149A (en) * | 2017-10-30 | 2019-05-07 | 深圳莱特光电股份有限公司 | The integral type infrared LED encapsulating structure and preparation method thereof of anti-external source interference |
US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
US11796163B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-10-24 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
US12066173B2 (en) | 2020-05-12 | 2024-08-20 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
US11876042B2 (en) | 2020-08-03 | 2024-01-16 | Feit Electric Company, Inc. | Omnidirectional flexible light emitting device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2005086051A (en) | Light emitting device | |
JP6437154B2 (en) | Light emitting device package | |
JP6616065B2 (en) | Light emitting module and lighting device related thereto | |
TWI446568B (en) | Semiconductor light-emitting device | |
JP3976063B2 (en) | Light emitting device | |
JP3782411B2 (en) | Light emitting device | |
US20060054915A1 (en) | Led package | |
JP2017126803A (en) | Light emitting element package, light source module, and illumination system including light source module | |
JP3898721B2 (en) | Light emitting device and lighting device | |
EP3745476B1 (en) | Light emitting device | |
CN111509110A (en) | Light emitting device | |
KR20110003586A (en) | Light-emitting device | |
JPH11289098A (en) | Optoelectronic semiconductor device and illuminating lamp or lamp | |
JP2006049814A (en) | Light emitting device and illumination system | |
JP4231391B2 (en) | Lead frame for semiconductor device and surface light emitting device using the same | |
JP4747704B2 (en) | Method for manufacturing light emitting device with phosphor layer | |
JP4604819B2 (en) | Light emitting device | |
JP7492189B2 (en) | Vehicle lighting device and vehicle lamp | |
KR101641860B1 (en) | Light-emitting element array, Backlight apparatus, and Illumination apparatus | |
JP2009502032A (en) | Casing for electromagnetic radiation type optoelectronic component, electromagnetic radiation type component and method for producing casing or component | |
JP2005039194A (en) | Package for housing light emitting element, light emitting device, and luminair | |
JP2008072043A (en) | Optical semiconductor device | |
JP2012015329A (en) | Circuit board | |
JP2009260075A (en) | Light-emitting apparatus and lead frame | |
JP5119705B2 (en) | Light emitting device and planar light emitting device using the same |